JP4405972B2

JP4405972B2 - Vapor deposition apparatus and vapor deposition method

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Publication number: JP4405972B2
Application number: JP2006007723A
Authority: JP
Inventors: 漢基金; 明洙許; 明洙金; 奎成李; 錫憲鄭
Original assignee: Samsung Mobile Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2005-01-20
Filing date: 2006-01-16
Publication date: 2010-01-27
Anticipated expiration: 2026-01-16
Also published as: JP4897010B2; CN101476116B; JP2009212525A; JP2006203199A; CN101476116A

Description

本発明は、蒸着装置及び蒸着方法に係り、さらに詳細には、プラズマを利用した方式と加熱体を利用した方式とを備えるハイブリッド化学気相蒸着方式を利用して基板上に蒸着物を形成する蒸着装置及び蒸着方法に関する。 The present invention relates to a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method, and more specifically, forms a deposit on a substrate using a hybrid chemical vapor deposition method including a method using plasma and a method using a heating element. The present invention relates to a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method.

プラズマ雰囲気は、化学気相蒸着、エッチング、及び表面処理などの薄膜関連分野で多様に使われている。これはプラズマ状態がこれらの工程で反応の効率性を高め、有利な条件下で工程を遂行することができるという長所を有するためである。 Plasma atmospheres are used in various fields related to thin films such as chemical vapor deposition, etching, and surface treatment. This is because the plasma state has the advantage that the efficiency of the reaction in these processes is increased and the process can be performed under advantageous conditions.

プラズマが利用される目的に応じてプラズマの形成方法も多様であって、これによるプラズマ形成装置も多様に開発されている。近年、半導体製造工程などにおいて、工程効率を一層高めることが可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理装置を利用する場合が増加している。高密度プラズマ処理装置では、共振周波数のマイクロ波を利用するＥＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ処理装置、ヘリコン（ｈｅｌｉｃｏｎ）またはホイスラー波（ｗｈｉｓｔｌｅｒｗａｖｅ）を利用するヘリコンプラズマ処理装置、及び高温低圧のプラズマを利用する誘導結合型（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙｃｏｕｐｌｅｄ）プラズマ処理装置などがある。 There are various plasma forming methods depending on the purpose for which the plasma is used, and various plasma forming apparatuses have been developed. In recent years, there has been an increase in the use of plasma processing apparatuses using high-density plasma that can further increase process efficiency in semiconductor manufacturing processes and the like. In a high-density plasma processing apparatus, an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma processing apparatus that uses microwaves of a resonance frequency, a helicon plasma processing apparatus that uses helicon or whistler waves, and high-temperature and low-pressure plasma. There is an inductively coupled plasma processing apparatus to be used.

図１は、化学気相蒸着（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置のうち誘導結合型プラズマ処理装置を適用したＩＣＰ−ＣＶＤ（ＩｎｄｕｃｅｄＣｏｕｐｌｅＰｌａｓｍａＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を示す断面図である。図１を参照すると、ＩＣＰ−ＣＶＤ装置は、絶縁体で構成されて真空を維持することができるチャンバー（Ｃｈａｍｂｅｒ）１０１と、チャンバー１０１の上端部に規則的に配列されて誘導結合型プラズマを発生させるアンテナ１０２と、を具備している。アンテナ１０２には、アンテナ１０２に電源を供給する第１電源１０３が連結されている。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing an ICP-CVD (Induced Couple Plasma Chemical Deposition) apparatus to which an inductively coupled plasma processing apparatus is applied among chemical vapor deposition apparatuses. Referring to FIG. 1, the ICP-CVD apparatus includes a chamber 101 that is made of an insulator and can maintain a vacuum, and is regularly arranged at the upper end of the chamber 101 to generate inductively coupled plasma. And an antenna 102 to be operated. A first power source 103 that supplies power to the antenna 102 is connected to the antenna 102.

また、アンテナ１０２の下部には、チャンバー１０１内部にガス１０４を注入するガス注入口１０５が位置している。この時、ガス注入口１０５は、一般的にシャワーヘッドで形成されるが、これはアンテナ１０２により形成されたプラズマにガス１０４を均一に供給するためである。 A gas inlet 105 for injecting a gas 104 into the chamber 101 is located below the antenna 102. At this time, the gas injection port 105 is generally formed of a shower head, which is for supplying the gas 104 uniformly to the plasma formed by the antenna 102.

チャンバー１０１の下端部には、ＩＣＰ−ＣＶＤ装置により処理される被処理物、すなわち基板１０６を固定するとともに基板１０６を加熱または冷却するチャック１０７が位置し、チャック１０７には、チャック１０７に電源を供給する第２電源１０８が連結されている。この時、第２電源１０８は、チャック１０７を加熱するための電源またはチャック１０７に電極の機能を付与するための電源として利用されることができる。 A chuck 107 for fixing an object to be processed by the ICP-CVD apparatus, that is, the substrate 106 and heating or cooling the substrate 106 is positioned at the lower end of the chamber 101. A power source is supplied to the chuck 107. A second power supply 108 to be supplied is connected. At this time, the second power source 108 can be used as a power source for heating the chuck 107 or a power source for imparting an electrode function to the chuck 107.

チャンバー１０１の一側壁には、基板１０６をチャンバー１０１内部または外部に移送するためのゲート部１０９が設けられ、他側壁には、チャンバー１０１の空気またはガスを排気する真空ポンプ１１０を含む排気管１１１が設けられている。 A gate portion 109 for transferring the substrate 106 to the inside or outside of the chamber 101 is provided on one side wall of the chamber 101, and an exhaust pipe 111 including a vacuum pump 110 that exhausts air or gas in the chamber 101 on the other side wall. Is provided.

しかし、上記の化学気相装置は、プラズマ方式のみを利用して絶縁膜を蒸着するため、ソースガスが完全に分解されない。したがって、ソースガスの使用効率が悪いだけでなく、形成された絶縁膜に多量の水素が含まれて高品質の絶縁膜が得られにくいという短所がある。 However, since the above-described chemical vapor deposition apparatus deposits an insulating film using only the plasma method, the source gas is not completely decomposed. Therefore, not only the use efficiency of the source gas is bad, but there is a disadvantage that a high-quality insulating film is difficult to obtain because the formed insulating film contains a large amount of hydrogen.

本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものである。したがって、本発明の目的は、ソースガスがほぼ完全に分解されることができ、高品質の絶縁膜を形成することができる蒸着装置及び蒸着方法を提供することである。 The present invention has been made to solve the above problems. Therefore, an object of the present invention is to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of forming a high-quality insulating film, in which the source gas can be almost completely decomposed.

本発明の上記目的は、蒸着膜が成長される基板と、前記基板の成膜される面と反対側の面に設けられるフィルターと、前記フィルターを介して前記蒸着膜にエネルギーを供給するエネルギー供給源と、前記基板と前記エネルギー供給源との間に設けられ、前記蒸着膜の選択的領域にエネルギーを供給するためのパターンが形成されたマスクと、を含むことを特徴とする蒸着装置によって達成される。 The object of the present invention is to provide a substrate on which a deposited film is grown, a filter provided on a surface opposite to the surface on which the deposited film is formed, and an energy supply that supplies energy to the deposited film through the filter. And a mask provided between the substrate and the energy supply source, the mask having a pattern for supplying energy to a selective region of the deposition film. Is done.

また、本発明の上記目的は、チャンバー内部を真空に排気する段階と、前記チャンバー内部を真空に排気した後に蒸着膜を基板上に蒸着する段階と、を含む真空蒸着方法であって、前記基板とエネルギー供給源との間に設けられたフィルターを介して、前記蒸着膜及び基板の少なくとも一方に選択的な波長エネルギーを供給するエネルギー供給段階をさらに含み、前記基板と前記エネルギー供給源との間に設けられ所定のパターンが形成されたマスクを介して前記蒸着膜及び基板の少なくとも一方の選択的領域にエネルギーが供給されることを特徴とする蒸着方法によっても達成される。 The above-described object of the present invention provides a vacuum vapor deposition method comprising the steps of evacuating the inside of the chamber to a vacuum, and a depositing on a substrate a deposited film after venting of the interior of the chamber to a vacuum, the substrate And an energy supply step of supplying selective wavelength energy to at least one of the deposited film and the substrate through a filter provided between the substrate and the energy supply source. It is also achieved by a vapor deposition method characterized in that energy is supplied to at least one selective region of the vapor deposition film and the substrate through a mask provided with a predetermined pattern.

本発明の蒸着装置及び蒸着方法によれば、ソースガスがほとんど完全に分解されることによって、蒸着物の特性が優秀であるだけでなく、ソースガスの使用効率を極大化することができる。したがって、高品質の蒸着膜を得ることができるという効果がある。 According to the vapor deposition apparatus and vapor deposition method of the present invention, since the source gas is almost completely decomposed, not only the characteristics of the vapor deposition are excellent, but also the use efficiency of the source gas can be maximized. Therefore, there is an effect that a high quality deposited film can be obtained.

また、チャックにエネルギー供給源を設けることによって、基板上に形成される蒸着膜にエネルギーを供給し、結晶化またはアニーリング工程を容易に実行することができるという効果がある。 Further, by providing an energy supply source in the chuck, there is an effect that energy can be supplied to the vapor deposition film formed on the substrate and the crystallization or annealing process can be easily performed.

本発明の技術的構成及び作用効果に関する詳細な事項は、本発明の望ましい実施の形態を示す図面を参照した下記の詳細な説明によってさらに明確に理解される。なお、図面において、層及び領域の長さ及び厚さなどは便宜のために誇張されて表現される。明細書全体にかけて等しい参照番号は、等しい構成要素を示す。 Details regarding the technical configuration and operational effects of the present invention will be more clearly understood from the following detailed description with reference to the drawings illustrating preferred embodiments of the present invention. In the drawings, the length and thickness of layers and regions are exaggerated for convenience. Equal reference numerals throughout the specification indicate identical components.

（第１の実施の形態）
図２は、本発明の第１の実施の形態における蒸着装置を示す断面図である。本実施の形態の蒸着装置は、プラズマ方式と加熱体方式とを同時に実行することができる。 (First embodiment)
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the vapor deposition apparatus in the first embodiment of the present invention. The vapor deposition apparatus of this embodiment can execute the plasma method and the heating body method at the same time.

図２を参照すると、本実施の形態の蒸着装置は、チャンバー２０１、チャンバー２０１内部の所定領域に配置されたシャワーヘッド２１１、加熱体２２１、及びチャック２３１を有する。 Referring to FIG. 2, the vapor deposition apparatus according to the present embodiment includes a chamber 201, a shower head 211 disposed in a predetermined region inside the chamber 201, a heating body 221, and a chuck 231.

チャンバー２０１は、外部環境に対して内部空間を密閉させるものである。チャンバー２０１には、チャンバー２０１内部の真空度を維持する真空ポンプ２０２を含む排気管２０３が連結されている。 The chamber 201 seals the internal space with respect to the external environment. An exhaust pipe 203 including a vacuum pump 202 that maintains the degree of vacuum inside the chamber 201 is connected to the chamber 201.

シャワーヘッド２１１は、プラズマ発生領域である空洞部２１２、第１ガス注入口２１３、及び第２ガス注入口２１４を具備している。シャワーヘッド２１１の一の面には第１ガス注入口２１３が位置し、他の面には空洞部２１２と連結された第１ノズル２１５及び第２ガス注入口２１４と連結された第２ノズル２１６が位置する。さらに、シャワーヘッド２１１の内側の面である空洞部２１２の一の面には、外部の第１電源２１７と連結された電極２１８が位置する。また、空洞部２１２は、シャワーヘッド２１１内部に形成されていて、空洞部２１２に発生するプラズマは、シャワーヘッド２１１により隔離されることによって、他の領域に影響を及ぼさない。 The shower head 211 includes a cavity 212, a first gas inlet 213, and a second gas inlet 214, which are plasma generation regions. The first gas inlet 213 is located on one surface of the shower head 211, and the second nozzle 216 connected to the first gas 215 and the second gas inlet 214 connected to the cavity 212 on the other surface. Is located. Furthermore, an electrode 218 connected to an external first power source 217 is located on one surface of the cavity 212 that is an inner surface of the shower head 211. The cavity 212 is formed inside the shower head 211, and the plasma generated in the cavity 212 is isolated by the shower head 211, so that it does not affect other regions.

加熱体２２１は、外部の第２電源２２２と連結されている。 The heating body 221 is connected to an external second power source 222.

チャック２３１は、その表面に基板２３２を装着することができる。 The chuck 231 can have the substrate 232 mounted on the surface thereof.

上述したとおり、シャワーヘッド２１１は、外部からガスを注入するための第１ガス注入口２１３及び第２ガス注入口２１４を具備している。第１ガス注入口２１３は、相対的に分解に必要なエネルギーが高い第１ガスを注入するためのガス注入口であって、第２ガス注入口２１４は、相対的に分解に必要なエネルギーが低い第２ガスを注入するためのガス注入口である。 As described above, the shower head 211 includes the first gas inlet 213 and the second gas inlet 214 for injecting gas from the outside. The first gas inlet 213 is a gas inlet for injecting a first gas having a relatively high energy required for decomposition, and the second gas inlet 214 has a relatively high energy required for decomposition. This is a gas injection port for injecting a low second gas.

この時、上記の“分解に必要なエネルギー”とは、蒸着装置に注入されるガスは複数の原子が結合した分子状態で供給されており、このような分子状態のガスが原子状態に分解される、あるいは、イオン化するときに必要なエネルギーのことを言う。例えば、シラン（ＳｉＨ_４）ガスは、一個のシリコン原子と四個の水素原子とが結合した形態であるが、シランガスから水素を分解するエネルギーを“分解に必要なエネルギー”と言うことができる。 At this time, the above-mentioned “energy required for decomposition” means that the gas injected into the vapor deposition apparatus is supplied in a molecular state in which a plurality of atoms are bonded, and such a molecular state gas is decomposed into an atomic state. Or energy required for ionization. For example, silane (SiH ₄ ) gas has a form in which one silicon atom and four hydrogen atoms are bonded, and the energy for decomposing hydrogen from the silane gas can be referred to as “energy necessary for decomposition”.

本実施の形態において、注入されるガスがアンモニア（ＮＨ_３）ガス及びシランガスの場合、第１ガスは、第２ガスに比べて相対的に分解に必要なエネルギーが高いガスであるので、アンモニアガスである。第２ガスは、第１ガスよりも分解に必要なエネルギーが低いガスであるのでシランガスである。すなわち、第１ガス及び第２ガスの種類は、第１ガス及び第２ガスがどのような種類のガスであるかによって決定される。具体的には、第１ガスと第２ガスとを比較して、相対的に分解に必要なエネルギーが高いガスが第１ガスであり、相対的に分解に必要なエネルギーが低いガスが第２ガスである。 In the present embodiment, when the injected gas is ammonia (NH ₃ ) gas and silane gas, the first gas is a gas having a relatively high energy required for decomposition as compared with the second gas. It is. The second gas is a silane gas because it has a lower energy required for decomposition than the first gas. That is, the kind of 1st gas and 2nd gas is determined by what kind of gas the 1st gas and 2nd gas are. Specifically, comparing the first gas and the second gas, the gas having a relatively high energy required for decomposition is the first gas, and the gas having a relatively low energy required for decomposition is the second gas. Gas.

第１ガス注入口２１３に注入された第１ガスは、プラズマ発生領域である空洞部２１２に注入される。空洞部２１２は、その表面に装着された電極２１８が外部の第１電源２１７から供給を受けた電力でプラズマを発生させたプラズマ領域であるので、注入された第１ガスは、プラズマにより一部が分解される。そして、第１ガスは、チャック２３１と対向（対応）するシャワーヘッド２１１の表面に具備された複数個の第１ノズル２１５を介してチャンバー２０１内部に噴射される。 The first gas injected into the first gas injection port 213 is injected into the cavity 212 that is a plasma generation region. The cavity 212 is a plasma region in which the electrode 218 mounted on the surface thereof generates plasma with the electric power supplied from the external first power source 217. Therefore, the injected first gas is partially generated by the plasma. Is disassembled. The first gas is injected into the chamber 201 through a plurality of first nozzles 215 provided on the surface of the shower head 211 facing (corresponding to) the chuck 231.

そして、第１ノズル２１５から噴射された第１ガスは、シャワーヘッド２１１とチャック２３１との間に位置した加熱体２２１を通過する。プラズマにより分解されない第１ガスは、加熱体２２１によりほとんど完全に分解され、第１ラジカルを形成する。この時、加熱体２２１は、たとえば、タングステンからなるフィラメントであって、外部の第２電源２２２から印加された電力により１０００℃（望ましくは、１５００℃）以上の熱を発生させ、この熱により第１ガスが分解される。 Then, the first gas ejected from the first nozzle 215 passes through the heating body 221 positioned between the shower head 211 and the chuck 231. The first gas that is not decomposed by the plasma is almost completely decomposed by the heating body 221 to form first radicals. At this time, the heating body 221 is a filament made of tungsten, for example, and generates heat of 1000 ° C. (preferably 1500 ° C.) or more by the electric power applied from the external second power source 222, and the heat generates the first heat. One gas is decomposed.

また、第２ガス注入口に注入された第２ガスは、空洞部２１２に注入されず、チャック２３１と対向するシャワーヘッド２１１の表面に具備された第２ノズル２１６からチャンバー２０１内に直接噴射される。噴射された第２ガスは、加熱体２２１を通過することにより分解されて第２ラジカルになる。 In addition, the second gas injected into the second gas injection port is not injected into the cavity 212 but is directly injected into the chamber 201 from the second nozzle 216 provided on the surface of the shower head 211 facing the chuck 231. The The injected second gas is decomposed by passing through the heating body 221 to become second radicals.

したがって、第１ガス注入口２１３に注入された第１ガスは、プラズマ発生領域である空洞部２１２を通過することにより所定量が分解されて、第１ノズルから噴射される。そして、第１ガスは、チャンバー２０１内に噴射された後、加熱体２２１を通過することによりもう一度分解されて第１ラジカルを形成する。一方、第２ガス注入口２１４に注入された第２ガスは、第２ノズル２１６を介して直接的にチャンバー２０１内に噴射される。噴射された第２ガスは、加熱体２２１により分解されて第２ラジカルを形成する。第１ガスから形成された第１ラジカルと第２ガスから形成された第２ラジカルとが反応して、基板２３２上に所定の薄膜（蒸着膜）を形成する。（この時、薄膜は多くの物質であることができるが、第１ガス及び第２ガスを適切に選択して絶縁膜だけでなく伝導膜も形成することができる。）
第１ガス及び第２ガスがそれぞれアンモニアガス及びシランガスの場合、基板２３２上にシリコン窒化膜を蒸着することができる。第１ガス及び第２ガスがそれぞれアンモニアガス及びシランガスの場合、アンモニアガス及びシランガスは水素を含んでいるため、一般的な蒸着装置では完全な分解が難しく（特に、分解に必要なエネルギーが高いアンモニアガス）、形成されたシリコン窒化膜内部に水素を含む。水素が含まれたシリコン窒化膜は、水素が酸素と結合して水分を生成し、シリコン窒化膜で保護しようとする素子に悪影響を及ぼすことになるので、シリコン窒化膜内の水素の含有量は最小化されなければならない。本実施の形態では、分解に必要なエネルギーが高いアンモニアガスを２回かけて分解することにより、窒素と水素をほとんど完全に分解することができ、シリコン窒化膜内の水素含有量を最小化することができるという長所がある。 Therefore, a predetermined amount of the first gas injected into the first gas injection port 213 is decomposed by passing through the cavity 212 that is a plasma generation region, and is injected from the first nozzle. Then, after the first gas is injected into the chamber 201, it passes through the heating body 221 and is decomposed once more to form first radicals. On the other hand, the second gas injected into the second gas injection port 214 is directly injected into the chamber 201 through the second nozzle 216. The injected second gas is decomposed by the heating body 221 to form second radicals. The first radical formed from the first gas and the second radical formed from the second gas react to form a predetermined thin film (evaporated film) on the substrate 232. (At this time, the thin film can be many substances, but the first gas and the second gas can be selected appropriately to form not only the insulating film but also the conductive film.)
When the first gas and the second gas are ammonia gas and silane gas, respectively, a silicon nitride film can be deposited on the substrate 232. When the first gas and the second gas are ammonia gas and silane gas, respectively, the ammonia gas and silane gas contain hydrogen, so that it is difficult to completely decompose with a general vapor deposition apparatus (particularly, ammonia having a high energy required for decomposition). Gas), hydrogen is contained inside the formed silicon nitride film. Since the silicon nitride film containing hydrogen combines with oxygen to generate moisture and adversely affects the element to be protected by the silicon nitride film, the content of hydrogen in the silicon nitride film is Must be minimized. In this embodiment, by decomposing ammonia gas, which has high energy required for decomposition, twice, nitrogen and hydrogen can be decomposed almost completely, and the hydrogen content in the silicon nitride film is minimized. There is an advantage that you can.

この時、第１ノズル２１５は、シャワーヘッド２１１の表面に均一な間隔で配置されることができ、必要ならば、基板２３２に成膜される絶縁膜の均一度のために第１ノズル２１５の間隔を調節することができる。第２ノズル２１６も、第１ノズル２１５と同様に均一に配置されることもでき、必要により不均一に配置されることもできる。なお、第１ノズル２１５及び第２ノズル２１６は、相互に均一に配置され、第１ガスと第２ガスとが均一に混合されることが望ましい。 At this time, the first nozzles 215 may be arranged on the surface of the shower head 211 at a uniform interval, and if necessary, the first nozzles 215 may be arranged for the uniformity of the insulating film formed on the substrate 232. The interval can be adjusted. Similarly to the first nozzle 215, the second nozzle 216 may be arranged uniformly, or may be arranged non-uniformly if necessary. Note that the first nozzle 215 and the second nozzle 216 are desirably arranged uniformly with each other, and the first gas and the second gas are desirably mixed uniformly.

次に、本実施の形態のプラズマ方式と加熱体方式とを具備した蒸着装置を利用して、基板上に蒸着物を形成する蒸着方法を説明する。 Next, a vapor deposition method for forming a deposit on a substrate using the vapor deposition apparatus provided with the plasma system and the heating body system of this embodiment will be described.

まず、図２を参照して説明したようにシャワーヘッド２１１及び加熱体２２１を具備した本実施の形態における蒸着装置のチャック２３１上に、基板２３２をローディングする。 First, as described with reference to FIG. 2, the substrate 232 is loaded on the chuck 231 of the vapor deposition apparatus according to this embodiment provided with the shower head 211 and the heating body 221.

続いて、真空ポンプ２０２を利用して、チャンバー２０１内部の気体を排気して、真空度が５×１０^−６ｔｏｒｒ以下になるようにする。チャンバー壁の温度は、１２０℃以上の温度に維持することが望ましいが、これは、チャンバーの温度が低い場合、蒸着物が基板に蒸着せずにチャンバー壁に蒸着するといった問題があるからである。 Subsequently, the gas inside the chamber 201 is exhausted using the vacuum pump 202 so that the degree of vacuum is 5 × 10 ⁻⁶ torr or less. It is desirable to maintain the temperature of the chamber wall at a temperature of 120 ° C. or more because there is a problem that when the temperature of the chamber is low, the deposit does not deposit on the substrate but deposits on the chamber wall. .

続いて、第１ガス注入口２１３に非活性ガスを注入した後、電極２１８に電力を印加して空洞部２１２にプラズマを発生させる。この時、非活性ガスは、プラズマを発生させるためのガスであるので、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、及びアルゴン（Ａｒ）などを利用することができる。この時、非活性ガスの流量は、１ないし１０００ｓｃｃｍである。また、プラズマは、第１電源２１１から供給を受けた１００ないし３０００ＷのＲＦパワーにより発生される。 Subsequently, after inactive gas is injected into the first gas injection port 213, power is applied to the electrode 218 to generate plasma in the cavity portion 212. At this time, since the inert gas is a gas for generating plasma, helium (He), neon (Ne), argon (Ar), or the like can be used. At this time, the flow rate of the inert gas is 1 to 1000 sccm. Plasma is generated by 100 to 3000 W of RF power supplied from the first power supply 211.

続いて、加熱体２２１に電力を印加して加熱体２２１が１５００℃以上の温度になるようにする。 Subsequently, electric power is applied to the heating body 221 so that the heating body 221 has a temperature of 1500 ° C. or higher.

続いて、第１ガス注入口２１３を介して、分解に必要なエネルギーが相対的に高い第１ガスであるアンモニアガス及び／または窒素（Ｎ_２）ガスを注入する。この時、アンモニアガスの流量は、１ないし５００ｓｃｃｍが望ましく、窒素ガスの流量は、１ないし１０００ｓｃｃｍが望ましい。この時、第１ガス注入口２１３に注入された第１ガスは、プラズマが形成されたシャワーヘッド２１１の空洞部２１２に注入されて一次的に分解される。そして、プラズマにより一次分解された第１ガスは、第１ノズル２１５を介してチャンバー２０１内部に噴射され、加熱体２２１を通過するとき、１５００℃以上に加熱された加熱体２２１により二次分解されて、第１ラジカルを形成する。 Subsequently, ammonia gas and / or nitrogen (N ₂ ) gas, which is the first gas having relatively high energy required for decomposition, is injected through the first gas injection port 213. At this time, the flow rate of ammonia gas is preferably 1 to 500 sccm, and the flow rate of nitrogen gas is preferably 1 to 1000 sccm. At this time, the first gas injected into the first gas injection port 213 is injected into the cavity 212 of the shower head 211 in which plasma is formed and is primarily decomposed. The first gas primarily decomposed by the plasma is injected into the chamber 201 through the first nozzle 215, and is secondarily decomposed by the heating body 221 heated to 1500 ° C. or higher when passing through the heating body 221. Thus, the first radical is formed.

続いて、第２ガス注入口２１４を介して、分解に必要なエネルギーが相対的に低い第２ガスであるシランガスを注入する。この時、シランガスの流量は、１ないし１００ｓｃｃｍが望ましい。この時、第２ガス注入口２１４に注入された第２ガスは、空洞部２１２を通過しないで直接的に加熱体２２１に噴射され、加熱された加熱体２２１により完全に分解されて、第２ラジカルを形成する。 Subsequently, silane gas, which is a second gas having relatively low energy required for decomposition, is injected through the second gas injection port 214. At this time, the flow rate of the silane gas is preferably 1 to 100 sccm. At this time, the second gas injected into the second gas injection port 214 is directly injected into the heating body 221 without passing through the cavity portion 212, and is completely decomposed by the heated heating body 221 to be second Form radicals.

続いて、第１ラジカル及び第２ラジカルが反応して蒸着膜を形成し、基板上に蒸着する。 Subsequently, the first radical and the second radical react to form a deposited film, which is deposited on the substrate.

以上のとおり、本実施の形態で説明したような方法で基板上に蒸着膜を形成する場合、図４Ａに示したように基板２３２上に第１絶縁膜４０１を形成することができる。 As described above, when the deposited film is formed over the substrate by the method described in this embodiment, the first insulating film 401 can be formed over the substrate 232 as illustrated in FIG. 4A.

この時、第１ガス注入口２１３にシランガスを注入して、第２ガス注入口２１４にガスを注入しなかったり、あるいは、第２ガス注入口２１３にもシランガスを注入したりすることによって、基板２３２上に、図４Ａに示したような第１絶縁膜４０１の代わりにシリコン膜が形成されることもできる。 At this time, the substrate is injected by injecting silane gas into the first gas inlet 213 and not injecting gas into the second gas inlet 214, or by injecting silane gas into the second gas inlet 213. A silicon film may be formed on 232 instead of the first insulating film 401 as shown in FIG. 4A.

次に、図３を参照して本実施の形態の蒸着装置のチャックについて詳細に説明する。図３は、本実施の形態による蒸着装置のチャックを拡大した断面図である。 Next, with reference to FIG. 3, the chuck | zipper of the vapor deposition apparatus of this Embodiment is demonstrated in detail. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the chuck of the vapor deposition apparatus according to the present embodiment.

図３Ａは、図２のチャック２３１を拡大した断面図である。図３を参照すれば、チャック２３１は、蒸着膜が成長される基板２３２の蒸着膜が成長される面と反対側の面に設けられるフィルター２３４及びフィルター２３４を介して蒸着膜にエネルギーを供給するエネルギー供給源２３３を含む。 FIG. 3A is an enlarged cross-sectional view of the chuck 231 in FIG. Referring to FIG. 3, the chuck 231 supplies energy to the deposited film through a filter 234 and a filter 234 provided on a surface of the substrate 232 on which the deposited film is grown on a surface opposite to the surface on which the deposited film is grown. An energy source 233 is included.

上述したとおり、基板２３２の一の面は、第１ノズル部２１５及び第２ノズル部２１６などを含むシャワーヘッド２１１（ガス供給部）と対向して配置されていて、シャワーヘッド２１１と基板２３２との間にはタングステンフィラメントのような加熱体２２１が配置されている。 As described above, one surface of the substrate 232 is disposed to face the shower head 211 (gas supply unit) including the first nozzle portion 215 and the second nozzle portion 216, and the shower head 211 and the substrate 232 A heating body 221 such as a tungsten filament is disposed between them.

チャック２３１には、エネルギー供給源２３３が設けられている。エネルギー供給源２３３は、チャック２３１の内部に設けられることができ、あるいは、チャック２３１と一体的に形成されることができる。エネルギー供給源２３３は、チャック２３１自体であることもできる。 The chuck 231 is provided with an energy supply source 233. The energy supply source 233 can be provided inside the chuck 231 or can be formed integrally with the chuck 231. The energy supply source 233 can also be the chuck 231 itself.

基板２３２の薄膜が蒸着される面と反対側の面には、フィルター２３４が設けられている。フィルター２３４は、波長選択透過フィルターであって、本実施の形態において選択される波長は、光波長である。 A filter 234 is provided on the surface of the substrate 232 opposite to the surface on which the thin film is deposited. The filter 234 is a wavelength selective transmission filter, and the wavelength selected in the present embodiment is a light wavelength.

また、本実施の形態で透過される光波長は、赤外線領域及び／または近赤外線領域の光波長であって、この透過される光波長は、蒸着される蒸着膜の材料及び目的によって他の領域帯の波長であることもできる。選択される波長は、一般的に周知のＥ＝ｈυの関係式で求められる必要な波長エネルギーに該当する波長である。また、この時、それぞれの目的に合致する波長選択透過フィルターが使われることが望ましい。 The light wavelength transmitted in the present embodiment is the light wavelength in the infrared region and / or near infrared region, and this transmitted light wavelength depends on the material and purpose of the deposited film to be deposited. It can also be a band wavelength. The selected wavelength is a wavelength corresponding to a necessary wavelength energy generally obtained by a well-known relational expression of E = hu. At this time, it is desirable to use a wavelength selective transmission filter that matches each purpose.

フィルター２３４の他の方向、すなわち、基板２３２が位置する方向と反対側の方向には、このフィルター２３４を介して蒸着膜にエネルギーを供給するエネルギー供給源２３３が設けられている。本実施の形態のエネルギー供給源２３３は、波長エネルギーを供給する波長エネルギー供給源である。本実施の形態において、エネルギー供給源２３３は、たとえば、光照射装置である。 In the other direction of the filter 234, that is, the direction opposite to the direction in which the substrate 232 is located, an energy supply source 233 for supplying energy to the deposited film through the filter 234 is provided. The energy supply source 233 of the present embodiment is a wavelength energy supply source that supplies wavelength energy. In the present embodiment, the energy supply source 233 is, for example, a light irradiation device.

本実施の形態のエネルギー供給源２３３において、上述のフィルター２３４と合致することは、波長エネルギーを供給する波長は光波長であり、特に、赤外線及び／または近赤外線領域の波長を含む光波長であるということである。 In the energy supply source 233 of the present embodiment, the wavelength that supplies the wavelength energy is the optical wavelength, and particularly the optical wavelength including the wavelength in the infrared and / or near-infrared region. That's what it means.

また、蒸着膜が蒸着される基板２３２は、ガラス及び透明高分子材などの透明基板であることが望ましい。しかし、基板２３２は、上述された目的の波長領域帯が透過可能な不透明基板であることもできる。 In addition, the substrate 232 on which the deposited film is deposited is preferably a transparent substrate such as glass and a transparent polymer material. However, the substrate 232 may be an opaque substrate that can transmit the target wavelength region band described above.

図３Ｂを参照すれば、チャック２３１は、蒸着膜が成長される基板２３２と、基板２３２の蒸着膜が成長される面と反対側の面に配置され、オープンパターン２３５ａ及びクローズパターン２３５ｂで構成されたマスク２３５と、マスク２３５の下部に配置されたフィルター２３４と、フィルター２３４を介して蒸着膜にエネルギーを供給するエネルギー供給源２３３と、を含む。 Referring to FIG. 3B, the chuck 231 includes an open pattern 235a and a close pattern 235b. The chuck 231 is disposed on a substrate 232 on which a deposited film is grown and on a surface opposite to the surface on which the deposited film is grown. A mask 235, a filter 234 disposed under the mask 235, and an energy supply source 233 that supplies energy to the deposited film through the filter 234.

チャック２３１には、エネルギー供給源２３３が設けられており、エネルギー供給源２３３は、チャック２３１内部に設けられ、あるいは、チャック２３１と一体的に形成されることができる。あるいは、エネルギー供給源２３３は、チャック２３１自体であることもできる。 The chuck 231 is provided with an energy supply source 233, and the energy supply source 233 can be provided inside the chuck 231 or formed integrally with the chuck 231. Alternatively, the energy supply source 233 can be the chuck 231 itself.

マスク２３５は、オープンパターン２３５ａ及びクローズパターン２３５ｂにより蒸着膜の選択された領域、さらに正確には、横（ｌａｔｅｒａｌ）方向の選択された領域上に構成されて蒸着膜の該当領域にだけエネルギーが供給されるように構成される。 The mask 235 is configured on the selected region of the deposited film by the open pattern 235a and the closed pattern 235b, more precisely, on the selected region in the lateral direction, and supplies energy only to the corresponding region of the deposited film. Configured to be.

オープンパターン２３５ａは、光透過パターンであり、クローズパターン２３５ｂは、光遮断マスクである。 The open pattern 235a is a light transmission pattern, and the close pattern 235b is a light blocking mask.

本実施の形態のマスク２３５において、上述のフィルター２３４と合致することは、波長は光波長であり、特に、赤外線及び／または近赤外線領域の波長を含む光波長であるということである。 In the mask 235 of the present embodiment, the wavelength that matches the above-described filter 234 is that the wavelength is an optical wavelength, and in particular, an optical wavelength that includes wavelengths in the infrared and / or near infrared region.

この時、図３Ｂでは、マスク２３４が基板２３２に密着して構成されているが、マスク２３４は、フィルター２３４とエネルギー供給源２３３との間に構成されることもできる。 At this time, in FIG. 3B, the mask 234 is configured to be in close contact with the substrate 232, but the mask 234 may be configured between the filter 234 and the energy supply source 233.

また、マスク２３５とフィルター２３４とは一体的に構成されることができる。言い換えると、フィルター２３４上にマスク２３５のオープンパターン２３５ａ及びクローズパターン２３５ｂと等しい機能を有するパターンが形成されることができ、この時、パターンは光透過パターンである。 Further, the mask 235 and the filter 234 can be configured integrally. In other words, a pattern having the same function as the open pattern 235a and the close pattern 235b of the mask 235 can be formed on the filter 234. At this time, the pattern is a light transmission pattern.

次に、図３Ａ及び図３Ｂに示したチャック２３１を図２の蒸着装置に導入した後、シリコン層を蒸着する方法について説明する。 Next, a method of depositing a silicon layer after introducing the chuck 231 shown in FIGS. 3A and 3B into the deposition apparatus of FIG. 2 will be described.

チャック２３１のエネルギー供給源２３３を利用した蒸着方法は、チャンバー内部を真空に排気する段階と、チャンバー内部を真空に排気した後、蒸着膜が蒸着される段階と、を含む真空蒸着方法であって、選択的な波長エネルギーを蒸着膜に供給するエネルギー供給段階がさらに含まれる。 The deposition method using the energy supply source 233 of the chuck 231 is a vacuum deposition method including a step of evacuating the inside of the chamber to a vacuum and a step of evacuating the inside of the chamber to deposit a deposited film. The method further includes an energy supplying step of supplying selective wavelength energy to the deposited film.

より具体的には、真空ポンプ２０２を介して、チャンバー内部を真空に排気した後、蒸着膜蒸着工程が実施される。 More specifically, after the inside of the chamber is evacuated to a vacuum via the vacuum pump 202, a deposited film deposition process is performed.

この時、エネルギー供給源２３３は、蒸着膜蒸着工程が実施される間、蒸着膜にエネルギーを供給する。このようにすると、蒸着膜の蒸着される層（ｌａｙｅｒ）毎に蒸着膜が非晶質から結晶質に相変位が発生するのに必要なエンタルピーが供給され、結晶化度が向上した状態で蒸着されることができる。なお、供給されるエネルギーの強度は、薄膜の蒸着速度と蒸着膜材料の物性によって左右される。 At this time, the energy supply source 233 supplies energy to the deposited film while the deposited film deposition process is performed. In this way, the enthalpy required for the phase transition from amorphous to crystalline is supplied to each layer on which the deposited film is deposited, and deposition is performed with improved crystallinity. Can be done. The intensity of energy supplied depends on the deposition rate of the thin film and the physical properties of the deposited film material.

一方、エネルギー供給源２３３は、蒸着膜蒸着工程が完了した後に、薄膜にエネルギーを供給することもできる。このようにすると、蒸着が完了した蒸着膜に熱的アニーリング（ｔｈｅｒｍａｌａｎｎｅａｌｉｎｇ）効果を付与することができる。 On the other hand, the energy supply source 233 can supply energy to the thin film after the deposition film deposition process is completed. If it does in this way, the thermal annealing (thermal annealing) effect can be provided to the vapor deposition film which vapor deposition completed.

また、エネルギー供給源２３３は、蒸着膜が蒸着される前に、基板２３２にエネルギーを供給して基板２３２の表面に予熱を与えることができる。 Further, the energy supply source 233 can supply energy to the substrate 232 to preheat the surface of the substrate 232 before the deposited film is deposited.

エネルギー供給源２３３を用いたエネルギー供給段階は、エネルギー供給源２３３から波長エネルギーが放出される段階と、放出された波長エネルギーのうち、波長選択透過フィルターであるフィルター２３４で選択された波長以外の波長エネルギーが除去される段階と、選択された波長の波長エネルギーが基板２３２を透過する段階と、基板２３２を透過した波長エネルギーが蒸着膜に供給される段階と、で構成される。 The energy supply step using the energy supply source 233 includes a step of emitting wavelength energy from the energy supply source 233, and a wavelength other than the wavelength selected by the filter 234 that is a wavelength selective transmission filter among the emitted wavelength energy. The energy is removed, the wavelength energy of the selected wavelength is transmitted through the substrate 232, and the wavelength energy transmitted through the substrate 232 is supplied to the deposited film.

基板２３２を透過した選択された波長エネルギーが蒸着膜に供給される段階は、選択された波長の波長エネルギーの強度に応じて、蒸着膜の基板２３２との界面部（蒸着膜の成長点）、蒸着膜の中間部（中間点）、または蒸着膜の表面部（上部）にまで、波長エネルギーが到達することができる。 The step of supplying the selected wavelength energy transmitted through the substrate 232 to the vapor deposition film includes an interface portion (growth point of the vapor deposition film) of the vapor deposition film with the substrate 232 according to the intensity of the wavelength energy of the selected wavelength. The wavelength energy can reach the middle part (middle point) of the deposited film or the surface part (upper part) of the deposited film.

（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態において、蒸着装置自体は、第１の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the vapor deposition apparatus itself is the same as that in the first embodiment, and thus detailed description thereof is omitted.

まず、図２を参照しながら説明したようにシャワーヘッド及び加熱体を具備した本発明の蒸着装置のチャック２３１上に基板２３２をローディングする。 First, as described with reference to FIG. 2, the substrate 232 is loaded on the chuck 231 of the vapor deposition apparatus of the present invention equipped with a shower head and a heating element.

続いて、真空ポンプ２０２を利用して、チャンバー２０１内部の気体を排気し、真空度が５×１０^−６ｔｏｒｒ以下になるようにする。チャンバー壁の温度は、１２０℃以上の温度に維持することが望ましいが、これは、チャンバーの温度が低い場合、蒸着物が基板に蒸着せずにチャンバー壁に蒸着するといった問題があるからである。 Subsequently, the gas inside the chamber 201 is exhausted using the vacuum pump 202 so that the degree of vacuum is 5 × 10 ⁻⁶ torr or less. It is desirable to maintain the temperature of the chamber wall at a temperature of 120 ° C. or more because there is a problem that when the temperature of the chamber is low, the deposit does not deposit on the substrate but deposits on the chamber wall. .

続いて、第１ガス注入口２１３に非活性ガスを注入した後、電極２１８に電力を印加して空洞部２１２にプラズマを発生させる。この時、非活性ガスは、プラズマを発生させるためのガスであるので、ヘリウム、ネオン、及びアルゴンなどを利用することができる。この時、非活性ガスの流量は、１ないし１０００ｓｃｃｍである。 Subsequently, after inactive gas is injected into the first gas injection port 213, power is applied to the electrode 218 to generate plasma in the cavity portion 212. At this time, since the inert gas is a gas for generating plasma, helium, neon, argon, or the like can be used. At this time, the flow rate of the inert gas is 1 to 1000 sccm.

続いて、第１ガス注入口２１３に、第１ガスと第２ガスとを同時に注入して空洞部２１２に発生したプラズマを利用して第１ガス及び第２ガスを分解した後、第１ノズル２１５を介してチャンバー２０１内に噴射させ、蒸着膜を基板上に蒸着する。上記のように、第１ガスと第２ガスとをプラズマを利用して分解した後、基板２３２上に蒸着膜を形成する場合には、図４Ｂに示したように第２絶縁膜（他の蒸着膜）４０２ａを形成することができる。 Subsequently, the first gas and the second gas are injected into the first gas inlet 213 at the same time, and the first gas and the second gas are decomposed using the plasma generated in the cavity 212, and then the first nozzle. It sprays in the chamber 201 through 215, and a vapor deposition film is vapor-deposited on a board | substrate. As described above, when the vapor deposition film is formed on the substrate 232 after decomposing the first gas and the second gas using plasma, as shown in FIG. A vapor deposition film) 402a can be formed.

この時、第２絶縁膜４０２ａを形成することができる他の方法としては、加熱体２１３に電力を印加して加熱体２１３が１５００℃以上の温度になるようにする。続いて、第２ガス注入口２０６に第１ガスと第２ガスとを同時に注入して第２ノズル２１６を介してチャンバー２０１内に噴射させ、加熱体２１３により第１ガス及び第２ガスを分解及び反応させて蒸着膜を基板２３２上に蒸着し、第２絶縁膜４０２ａを形成することができる。 At this time, as another method for forming the second insulating film 402a, electric power is applied to the heating body 213 so that the heating body 213 has a temperature of 1500 ° C. or higher. Subsequently, the first gas and the second gas are simultaneously injected into the second gas inlet 206 and injected into the chamber 201 through the second nozzle 216, and the first gas and the second gas are decomposed by the heating body 213. Then, the second insulating film 402a can be formed by reacting and depositing the deposited film on the substrate 232.

続いて、第１の実施の形態で詳述したような方法で、第１絶縁膜４０１を形成する。 Subsequently, the first insulating film 401 is formed by the method described in detail in the first embodiment.

続いて、上述した第２絶縁膜４０２ａを形成する方法のうちいずれか一つの方法を利用して、第１絶縁膜４０１上に第２絶縁膜４０２ｂを形成する。この時、第１絶縁膜４０１と第２絶縁膜４０２ａ，４０２ｂは、必要により多様な積層順序で蒸着することができる。すなわち、本発明では、第２絶縁膜／第１絶縁膜／第２絶縁膜で積層したが、第１絶縁膜及び第２絶縁膜を組み合わせるすべての形態で積層が可能である。 Subsequently, the second insulating film 402b is formed on the first insulating film 401 using any one of the methods for forming the second insulating film 402a described above. At this time, the first insulating film 401 and the second insulating films 402a and 402b can be deposited in various stacking orders as necessary. That is, in the present invention, the second insulating film / the first insulating film / the second insulating film are stacked. However, the stacking is possible in all forms in which the first insulating film and the second insulating film are combined.

この時、第１の実施の形態と本実施の形態との差異は、第１の実施の形態の場合、分解に相対的に高いエネルギーが必要な第１ガスは、プラズマ分解方式と熱分解方式の２種の方式で完全に分解されて、分解に相対的に低いエネルギーが必要な第２ガスは、熱分解方式だけで分解されて水素の含有がほとんどない第１絶縁膜４０１のみを形成する。一方、本実施の形態の場合には、第１の実施の形態により形成された第１絶縁膜４０１に第１ガス及び第２ガスすべてを第１ガス注入口または第２ガス注入口に同時に注入した後、プラズマ方式または加熱体方式で分解して、第２絶縁膜４０２ａ，４０２ｂをさらに蒸着する。第２蒸着膜４０２ａ，４０２ｂは、水素を含む蒸着膜であることができる。 At this time, the difference between the first embodiment and the present embodiment is that, in the case of the first embodiment, the first gas that requires relatively high energy for decomposition is the plasma decomposition method and the thermal decomposition method. The second gas that is completely decomposed by these two methods and requires relatively low energy for decomposition is decomposed only by the thermal decomposition method to form only the first insulating film 401 containing almost no hydrogen. . On the other hand, in the case of the present embodiment, all of the first gas and the second gas are simultaneously injected into the first gas inlet or the second gas inlet into the first insulating film 401 formed according to the first embodiment. After that, the second insulating films 402a and 402b are further deposited by decomposing by the plasma method or the heating body method. The second vapor deposition films 402a and 402b may be vapor deposition films containing hydrogen.

本発明は、上述した望ましい実施の形態によって説明されたが、上記実施の形態に限られるものではなく、本発明の精神を外れない範囲内で該発明が属する技術分野で通常の知識を有する者により多様な変更と修正が可能である。 The present invention has been described by using the above-described preferred embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and a person having ordinary knowledge in the technical field to which the invention belongs within the scope of the present invention. Various changes and modifications are possible.

一般的な化学気相蒸着装置の断面図である。It is sectional drawing of a general chemical vapor deposition apparatus. 本発明の第１の実施の形態における蒸着装置の断面図である。It is sectional drawing of the vapor deposition apparatus in the 1st Embodiment of this invention. 図２に示す蒸着装置のチャックを拡大した断面図である。It is sectional drawing to which the chuck | zipper of the vapor deposition apparatus shown in FIG. 2 was expanded. 図２に示す蒸着装置のチャックを拡大した断面図である。It is sectional drawing to which the chuck | zipper of the vapor deposition apparatus shown in FIG. 2 was expanded. 図２に示す蒸着装置を利用して蒸着膜を形成する蒸着方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the vapor deposition method which forms a vapor deposition film using the vapor deposition apparatus shown in FIG. 本発明の第２の実施の形態における蒸着方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the vapor deposition method in the 2nd Embodiment of this invention.

Explanation of symbols

２１１シャワーヘッド、
２１２空洞部、
２１３第１ガス注入口、
２１４第２ガス注入口、
２１５第１ノズル、
２１６第２ノズル、
２１８電極、
２２１加熱体、
２３１チャック、
２３２基板、
４０１第１絶縁膜、
４０２第２絶縁膜。 211 shower head,
212 cavity,
213 first gas inlet,
214 second gas inlet,
215 first nozzle,
216 second nozzle,
218 electrodes,
221 heating element,
231 chuck,
232 substrates,
401 a first insulating film,
402 Second insulating film.

Claims

A substrate on which a deposited film is grown;
A filter provided on a surface opposite to the surface on which the substrate is formed;
An energy supply source for supplying energy to the deposited film through the filter;
A vapor deposition apparatus comprising: a mask provided between the substrate and the energy supply source and having a pattern for supplying energy to a selective region of the vapor deposition film.

The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the energy supply source is a wavelength energy supply source that supplies wavelength energy.

The vapor deposition apparatus according to claim 2, wherein the wavelength energy is light wavelength energy.

The said optical wavelength energy is the optical wavelength energy of the wavelength contained in at least 1 area | region among an infrared region and a near infrared region, The vapor deposition apparatus of Claim 3 characterized by the above-mentioned.

The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the filter is a wavelength selective transmission filter.

6. The vapor deposition apparatus according to claim 5, wherein the wavelength transmitted through the wavelength selective transmission filter is a light wavelength.

The vapor deposition apparatus according to claim 6, wherein a light wavelength transmitted through the wavelength selective transmission filter is a wavelength included in at least one of an infrared region and a near infrared region.

The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the mask is a light shielding mask, and the pattern formed on the mask is a light transmission pattern.

The deposition apparatus according to claim 8, wherein the mask on which the pattern is formed is provided between at least one of the substrate and the filter and between the filter and the energy supply source. .

The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the filter is configured integrally with the mask .

The vapor deposition apparatus according to claim 10, wherein the pattern formed on the filter is a light transmission pattern.

The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the vapor deposition film is a silicon thin film or a silicon compound thin film.

The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a transparent substrate.

The vapor deposition apparatus according to claim 13, wherein the transparent substrate is made of glass.

The vapor deposition apparatus according to claim 13, wherein the transparent substrate is made of a transparent polymer material.

Evacuating the interior of the chamber to a vacuum, and depositing a deposited film on the substrate after evacuating the interior of the chamber to a vacuum, comprising:
An energy supply step of supplying selective wavelength energy to at least one of the deposited film and the substrate through a filter provided between the substrate and an energy supply source ;
Energy is supplied to at least one selective region of the vapor deposition film and the substrate through a mask provided between the substrate and the energy supply source and having a predetermined pattern formed thereon. .

The deposition method according to claim 16, wherein the energy supplying step supplies wavelength energy to the deposited film while the deposited film is deposited.

The deposition method according to claim 16, wherein the energy supplying step supplies wavelength energy to the deposited film after the deposition of the deposited film is completed.

The deposition method according to claim 16, wherein the energy supplying step supplies wavelength energy to the substrate before the deposited film is deposited, and preheats the surface of the substrate.

The energy supply stage includes
Comprising the steps of wavelength energy emitted from the energy source,
Among the emitted wavelength energy, comprising the steps of wavelength energy other than the wavelength selected by the filter is removed,
Transmitting wavelength energy of the selected wavelength through the substrate;
The deposition method according to claim 16, further comprising: supplying wavelength energy transmitted through the substrate to the deposition film.

The step of supplying wavelength energy transmitted through the substrate to the vapor deposition film, according to the intensity of the wavelength energy of the selected wavelength, the interface portion of the vapor deposition film with the substrate, the intermediate portion of the vapor deposition film, The vapor deposition method according to claim 20, wherein the wavelength energy reaches the surface portion of the vapor deposition film.