JP4403819B2 - Manufacturing method of electronic parts - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 139
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 38
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 8
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 description 46
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 34
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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Description
本発明は、配線パターンの交差により小型化できると共に、電気特性に優れた弾性表面波素子等の電子部品の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing an electronic component such as a surface acoustic wave element that can be downsized by crossing wiring patterns and has excellent electrical characteristics.
従来、携帯電話などの小型の通信機では、数十MHz〜数GHzの範囲内を通過帯域周波数とするバンドパスフィルタが多く用いられている。上記バンドパスフィルタの一例としては、小型化が可能な弾性表面波素子が挙げられる。 Conventionally, in a small communication device such as a mobile phone, a bandpass filter having a passband frequency in the range of several tens of MHz to several GHz is often used. As an example of the bandpass filter, a surface acoustic wave element that can be miniaturized can be cited.
図6に示すように、弾性表面波素子500は、圧電基板100の表面波伝播方向に沿って、反射器(リフレクタ)510、くし歯状電極部501、くし歯状電極部502、くし歯状電極部503、反射器511を並べることでフィルタ素子504を形成している。ここで各くし歯状電極部501〜503は、相互に間挿して交叉する各くし状電極をそれぞれ有する電気信号−表面波結合変換器(Inter Digital Transducer、以下、IDTと記す)である。
As shown in FIG. 6, the surface
また、圧電基板100の上には、入力パッド520、出力パッド521、各接地パッド522、523、524がそれぞれ形成されており、また、各IDT501〜503と各パッド520〜524とを電気的にそれぞれ導通させるための各配線パターン525〜530がそれぞれ形成されている。
Further, on the
ここで、各IDT501〜503、各反射器510、511、各パッド520〜524、各配線パターン525〜530はすべて、圧電基板100の上に形成された導体薄膜のパターンである。
Here, the IDTs 501 to 503, the
弾性表面波素子500の入力パッド520に電気信号が印加されると、IDT501とIDT503とによって表面波が励起され、反射器510と反射器511に挟まれたIDT501、IDT502、IDT503を含む領域に表面波の定在波が発生し、この定在波のエネルギーをIDT502が電気信号に変換することで、出力パッド521に出力電位が発生する。各IDT501〜503が電気信号と表面波とを変換するときの変換特性が周波数特性を有するため、弾性表面波素子500はバンドパス特性を示す。
When an electric signal is applied to the
図6に示した弾性表面波素子500は、各反射器510、511に挟まれた音響トラックの中に、入力用の各IDT501、503と出力用のIDT502とを音響的に縦続配列する縦結合共振子型弾性表面波フィルタである。しかしながら、弾性表面波素子としては、縦結合共振子型以外にも、横結合共振子型、トランスバーサル型、ラダー型、ラティス型等の種類が挙げられる。
The surface
何れの種類の弾性表面波素子も、IDTと配線パターンとを、圧電基板の上に導体薄膜パターンとして形成することで構成されており、IDTの電気信号−表面波変換が周波数特性を有することを利用してバンドパス特性を得ている。 Both types of surface acoustic wave elements are formed by forming an IDT and a wiring pattern as a conductive thin film pattern on a piezoelectric substrate, and that the electrical signal-surface wave conversion of IDT has frequency characteristics. Band pass characteristics are obtained by using it.
弾性表面波素子においては、チップ状の弾性表面波素子上における引き回しの配線パターンがチップ小型化の妨げになっているので、異なる電位の配線パターンを立体交差させて配線パターン面積を減らすことが考えられた。各特許文献1乃至5では、各配線パターンの少なくとも一部を互いに立体交差させることが開示されている。このような立体交差部においては、SiO2等の絶縁体を間に挟んで、立体交差する各配線パターン間の絶縁性を確保している。 In surface acoustic wave elements, the wiring pattern on the chip-shaped surface acoustic wave element hinders the miniaturization of the chip, so it is considered to reduce the wiring pattern area by three-dimensionally intersecting wiring patterns with different potentials. It was. Each of Patent Documents 1 to 5 discloses that at least a part of each wiring pattern is three-dimensionally crossed with each other. In such a three-dimensional intersection, insulation between each wiring pattern that three-dimensionally intersects is ensured with an insulator such as SiO 2 in between.
このような各配線の素材としては、アルミニウム(以下、Alと記す)が、比較的低抵抗で、製造し易いことから、よく使用されている。しかしながら、Al層は、圧電基板との接着性に劣るため、下地の接着層として、Ni−Cr合金層とその上に形成されたAl層との積層構造が上記各配線の素材として使用されている。
ところが、上記従来例では、上記の他方の一層目配線と二層目配線の接続部分において、コンタクト抵抗が高くなって、挿入損失等の電気特性が劣化するという問題が発生した。コンタクト抵抗が高くなる原因は、推測では、基板上に、一層目の配線をAl電極にて形成後、すぐに、Al表面に自然酸化膜が形成され、その後の絶縁膜形成工程で、この形成工程の熱によってAl酸化膜がさらに厚く形成され、その上に、二層目の配線Al/Ni−Crを重ねて形成して、導通させるので、二層目のNi−Crと一層目のAlとの間に高抵抗のAl酸化膜が介在することになり、コンタクト(導通)抵抗が大きくなってしまったものと考えられる。 However, in the above conventional example, there is a problem that the contact resistance is increased at the connection portion between the other first-layer wiring and the second-layer wiring, and electrical characteristics such as insertion loss are deteriorated. The reason why the contact resistance is high is presumed that a natural oxide film is formed on the Al surface immediately after the first-layer wiring is formed on the substrate by the Al electrode, and this formation is performed in the subsequent insulating film forming step. A thicker Al oxide film is formed by the heat of the process, and a second layer of wiring Al / Ni-Cr is formed on top of it to make it conductive, so that the second layer of Ni-Cr and the first layer of Al are formed. It is considered that a high resistance Al oxide film is interposed between them and the contact (conduction) resistance is increased.
本発明は、この二層目配線と他方の一層目配線とを互いに導通させる部分におけるコンタクト抵抗を低減できる電子部品の製造方法を提供することを目的としている。 An object of the present invention is to provide an electronic component manufacturing method capable of reducing contact resistance at a portion where the second-layer wiring and the other first-layer wiring are electrically connected to each other.
本発明の電子部品の製造方法は、以上の課題を解決するために、基板上に、電子機能部を形成する共に、電子機能部に接続された互いに異なる電位となる第一及び第二の一層目配線を、第一金属を主成分とする導電層が表層となると共に、第二の一層目配線が第一の一層目配線により分断されように形成し、前記第一の一層目配線における、第二の一層目配線を分断している部分上に、樹脂からなる層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜を挟んで前記第一の一層目配線に対し交差すると共に該第一の一層目配線により分断されている前記第二の一層目配線を互いに電気的に接続する二層目配線を、前記表層に当接する面が前記第一金属より還元力を備えた第二金属からなるように形成し、前記二層目配線を形成した後、上記層間絶縁膜の変成温度未満にて加熱処理することを特徴としている。 In order to solve the above-described problems, the electronic component manufacturing method of the present invention forms the electronic function part on the substrate and has first and second layers connected to the electronic function part and having different potentials. The first wiring layer is formed such that the conductive layer mainly composed of the first metal is a surface layer and the second first-layer wiring is divided by the first first-layer wiring. An interlayer insulating film made of a resin is formed on a portion where the second layer wiring is divided, and the first layer wiring intersects the first layer wiring with the interlayer insulating film interposed therebetween. The second layer wiring electrically connecting the second layer wiring separated by the wiring is made such that the surface abutting on the surface layer is made of a second metal having a reducing power than the first metal. After forming the second layer wiring, the interlayer insulating film is transformed. It is characterized by a heat treatment at less than degrees.
上記方法において、第二の一層目配線の表層には、その形成時や層間絶縁膜の形成時の熱により第一金属の酸化膜が形成されている。 In the above method, an oxide film of a first metal is formed on the surface layer of the second first-layer wiring by heat at the time of formation or formation of an interlayer insulating film.
上記方法によれば、二層目配線を形成した後、上記層間絶縁膜の変成温度未満にて加熱処理することで、第二の一層目配線と、それに電気的に接続された二層目配線との界面において、第一金属の酸化膜が第二金属の還元力により還元されるから、上記酸化膜に起因する電気抵抗を低減できる。 According to the above method, after the second-layer wiring is formed, the second-layer wiring and the second-layer wiring electrically connected to the second-layer wiring are subjected to heat treatment below the transformation temperature of the interlayer insulating film. Since the first metal oxide film is reduced by the reducing power of the second metal at the interface, the electrical resistance due to the oxide film can be reduced.
これにより、上記方法は、配線の交差により小型化を図りながら、交差部でのコンタクト抵抗を低減できて電気特性の劣化を抑制できる。 As a result, the above method can reduce the contact resistance at the intersection and suppress the deterioration of the electrical characteristics while reducing the size by crossing the wiring.
上記製造方法では、前記基板上に電子機能部を形成した後、前記層間絶縁膜を形成する前に、電子機能部上に保護膜を形成してもよい。 In the manufacturing method, a protective film may be formed on the electronic function part after forming the electronic function part on the substrate and before forming the interlayer insulating film.
上記方法によれば、層間絶縁膜を形成する前に、電子機能部上に保護膜を形成することによって、上記形成後の、層間絶縁膜や二層目配線の形成時の膜形成や熱による電子機能部の特性への悪影響を軽減できる。 According to the above method, by forming a protective film on the electronic function part before forming the interlayer insulating film, film formation or heat at the time of forming the interlayer insulating film or the second layer wiring after the formation is performed. The adverse effect on the characteristics of the electronic function unit can be reduced.
上記製造方法においては、前記層間絶縁膜を形成する時に基板上及び一層目配線上に前記樹脂からなる枠を形成してもよい。 In the manufacturing method, when the interlayer insulating film is formed, a frame made of the resin may be formed on the substrate and the first layer wiring.
上記方法によれば、枠の形成と層間絶縁膜の形成とを兼用できるから、工程数を低減できて低コスト化できる。 According to the above method, since the formation of the frame and the formation of the interlayer insulating film can be combined, the number of steps can be reduced and the cost can be reduced.
上記製造方法では、前記電子機能部は、くし型電極部であってもよい。上記製造方法においては、前記一層目配線の第一金属は、Alを主成分とするものであり、前記二層目配線の第二金属はTiであることが好ましい。上記主成分とは、Al単体を含む、Alが50%モルを超えて含まれていること示す。 In the manufacturing method, the electronic function unit may be a comb electrode unit. In the above manufacturing method, it is preferable that the first metal of the first-layer wiring is mainly composed of Al, and the second metal of the second-layer wiring is Ti. The above-mentioned main component means that Al is contained in excess of 50% mol including Al alone.
上記方法によれば、Alの酸化膜をTiにより還元すると共に、上記酸化膜にAlTiOの合金を形成できて、上記酸化膜に起因する電気抵抗を低減することが可能となる。 According to the above method, the Al oxide film can be reduced with Ti, and an AlTiO alloy can be formed on the oxide film, so that the electric resistance caused by the oxide film can be reduced.
上記製造方法では、前記樹脂は、感光性樹脂であることが望ましい。上記製造方法においては、前記樹脂は、ポリイミドであってもよい。上記製造方法では、前記加熱処理の温度を、250℃乃至370℃の範囲内に設定してもよい。 In the above manufacturing method, the resin is preferably a photosensitive resin. In the manufacturing method, the resin may be polyimide. In the manufacturing method, the temperature of the heat treatment may be set in a range of 250 ° C. to 370 ° C.
本発明の電子部品の製造方法は、以上のように、層間絶縁膜を挟んで第一の一層目配線に対し交差すると共に該第一の一層目配線により分断されている第二の一層目配線を互いに電気的に接続する二層目配線を、上記第一の一層目配線における第一金属からなる表層に当接する面が該第一金属より還元力を備えた第二金属からなるように形成し、二層目配線を形成した後、上記層間絶縁膜の変成温度未満にて加熱処理する方法である。 As described above, the electronic component manufacturing method according to the present invention intersects the first layer wiring with the interlayer insulating film interposed therebetween, and is divided by the first layer wiring. Forming a second-layer wiring for electrically connecting the first and second wirings so that the surface of the first-layer wiring contacting the surface layer made of the first metal is made of a second metal having a reducing power than the first metal. Then, after the second-layer wiring is formed, the heat treatment is performed at a temperature lower than the transformation temperature of the interlayer insulating film.
それゆえ、上記方法は、二層目配線を形成した後、上記層間絶縁膜の変成温度未満にて加熱処理することで、第二の一層目配線とそれに電気的に接続された二層目配線との界面において、第一金属の酸化膜が第二金属の還元力により還元されるから、上記酸化膜に起因する電気抵抗を低減できる。 Therefore, in the above method, after the second layer wiring is formed, the second layer wiring and the second layer wiring electrically connected thereto are subjected to heat treatment at a temperature lower than the transformation temperature of the interlayer insulating film. Since the first metal oxide film is reduced by the reducing power of the second metal at the interface, the electrical resistance due to the oxide film can be reduced.
この結果、上記方法は、配線の交差により小型化を図りながら、交差部でのコンタクト抵抗を低減できて電気特性の劣化を抑制できるという効果を奏する。 As a result, the above method has an effect that the contact resistance at the intersection can be reduced and the deterioration of the electrical characteristics can be suppressed while reducing the size by crossing the wiring.
本発明の実施の各形態について図1乃至図5に基づいて説明すれば、以下の通りである。 Each embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5 as follows.
本発明の電子部品としての弾性表面波素子においては、図2に示すように、圧電基板10の表面上に弾性表面波を振動させる各IDT(電子機能部)1a〜1eが、一組としてそれらの弾性表面波の伝搬方向に沿って形成されている。さらに、各IDT1a〜1eを弾性表面波の伝搬方向の両側からそれぞれ挟む各反射器6が形成されていることが好ましい。
In the surface acoustic wave element as the electronic component of the present invention, as shown in FIG. 2, the IDTs (electronic function units) 1a to 1e that vibrate the surface acoustic waves on the surface of the
本実施の形態では、説明や図面作成上の都合により、圧電基板10上に一組の各IDT1a〜1eを形成した例を挙げたが、通常、複数の各組が必要に応じて形成されている。また、各IDTの形成密度としては、1mm2内に4個〜8個が挙げられる。
In the present embodiment, an example in which a set of IDTs 1a to 1e is formed on the
圧電基板10としては、LiTaO3、LiNbO3、又は水晶などの圧電基板で、波長300nm以上での光透過率が70%−80%以上、かつ裏面のラップ粗さRaが0.10μm以上の基板を用いることが望ましい。なお、本実施の形態においては、透過率75%、裏面ラップ粗さが0.15μmのLiTaO3基板を用いた。上記裏面とは、圧電基板10における、各IDT1a〜1eの形成面の反対面である。上記圧電基板10を、上記光透過率や裏面のラップ粗さに設定することで、後述するフォトリソグラフィー法による露光パターンの形成精度を向上できる。
The
また、圧電基板10上には、外部である配線基板(図示せず)との電気的導通を確保するための各接続パッド2a、2bと、各IDT1a〜1eと各接続パッド2a、2bとをそれぞれ接続する引き回しの各配線パターン3a〜3eとが形成されている。
Further, on the
各IDT1a〜1e、各反射器6、各接続パッド2a、2b及び各配線パターン3a〜3eは、アルミニウム(Al)とチタン(Ti)とを主とする多層構造配線により、真空蒸着法、スパッタリング法あるいはメッキ法によって形成されている。
Each IDT 1a to 1e, each
本実施の形態では、上記多層構造配線として、その合計厚さが0.1μm〜0.2μmに設定され、圧電基板10側に下地層としてのTi層(厚さは、上記合計厚さの1割程度)を配し、そのTi層上にAl層を配したものが用いられている。このような多層構造配線により、配線抵抗を低減できる。上記合計厚さの設定は、各IDT1a〜1eの特性仕様により規定されるものである。
In the present embodiment, the total thickness of the multilayer structure wiring is set to 0.1 μm to 0.2 μm, and a Ti layer (the thickness is 1 of the total thickness) on the
さらに、各IDT1a〜1eと、各反射器6とをそれぞれ覆うようにスパッタリング法により、シリコン酸化膜もしくは窒化膜の保護膜(図示せず)が形成されている。本実施の形態では、保護膜としてはSi3N4が用いられている。また、配線内の一層内の電極内訳や、Ti層とAl層の間の合金層(AlxTiyO)は、断面図には特に示されていない。なお、Si3N4の保護膜はIDT上に形成されるので、この断面図には現れない。
Further, a protective film (not shown) of a silicon oxide film or a nitride film is formed by a sputtering method so as to cover each IDT 1a to 1e and each
後述する層間樹脂層5を形成する前に保護膜を形成することによって、各IDT1a〜1eのくし歯状電極上が全て保護膜で覆われるため、層間樹脂層5を形成する時の加熱処理によりAlが酸素に触れなくなるため、Alが酸化して発生するヒロックの発生を防止できる。
By forming a protective film before forming an
それにより、(1)フィルタのサージ耐圧の劣化を防ぐことができ、(2)IDTのDUTY(電極幅/電極ピッチ)を大きくでき、低損失なフィルタを作ることができ、(3)絶縁膜の加熱処理に窒素オーブンではなく大気オーブンを使用することができ、製造コストを下げることができる、等の効果が得られる。 As a result, (1) deterioration of the surge withstand voltage of the filter can be prevented, (2) DUTY (electrode width / electrode pitch) of the IDT can be increased, and a low-loss filter can be produced. (3) Insulating film In this heat treatment, an atmosphere oven can be used instead of a nitrogen oven, and the manufacturing cost can be reduced.
その上、各配線パターン3a〜3eには、小型化を図るために、各交差部4a〜4dが設けられている。これらのような各交差部4a〜4dの一つである交差部4d(代表として示したが他の交差部も同様)では、図2乃至図4に示すように、配線パターン3dを覆うように層間樹脂層(層間絶縁膜)5が、例えば厚さ3μmのポリイミドにより形成されている。
In addition, each of the
さらに、アース電位と相違するシグナル電位である接続パッド2aからの配線パターン(第二の一層目配線)3e及び配線パターン(第二の一層目配線)3cを電気的に互いに接続する配線パターン(二層目配線)3fが、上記層間樹脂層5を上方から跨ぐように、かつ層間樹脂層5を挟んで配線パターン(第一の一層目配線)3dと交差するように前述の多層構造配線により設けられている。配線パターン3fの合計厚みは、各IDT1a〜1eの特性仕様により規定されないので、配線パターン3c等の一層目配線より厚く、例えば1μm程度に設定されている。これにより、配線パターン3fの電気抵抗が低減されている。
Furthermore, a wiring pattern (second layer wiring) 3e and a wiring pattern (second layer wiring) 3c from the
このような層間樹脂層5により、アース電位である配線パターン3dと、アース電位と相違するシグナル電位である配線パターン3e及び配線パターン3cとが電気的に互いに絶縁されている。また、配線パターン3fの引き回し距離も短くでき、かつ交差により配線パターンの占有面積(投影面積)を小さくできて、得られた弾性表面波素子を小型化できる。
By such an
さらに、配線パターン3e及び配線パターン3cと、配線パターン3fとの界面には、後述する加熱(アニール)処理によってAlとTiとを含む合金層(図示せず)が、配線パターン3e及び配線パターン3cの表層におけるAlの酸化層の少なくとも一部に代えてそれぞれ形成されている。このような合金層により、上記界面でのコンタクト抵抗が低減されている。
Further, an alloy layer (not shown) containing Al and Ti is formed on the interface between the
このような弾性表面波素子では、層間樹脂層5は、従来のSiO2といった層間絶縁膜と比べて、比誘電率を低く(4未満)でき、かつ、厚さも3μmと厚くできるから、交差部での各配線パターン3d、3f間の寄生容量も低減できて、得られた弾性表面波素子における、フィルタ特性、つまり通過帯域や、遮断帯域での周波数特性も改善できる。
In such a surface acoustic wave element, the
その上、上記弾性表面波素子においては、配線パターン3e及び配線パターン3cと、配線パターン3fとの界面といった各交差部4a〜4dでの各界面でのコンタクト抵抗が上記合金層の形成により低減されているため、挿入損失といった伝送特性(電気特性)を向上できて、各交差部4a〜4dの形成による小型化を図りながら、伝送特性(電気特性)を改善できる。
In addition, in the surface acoustic wave element, contact resistance at each interface at each of the intersecting
次に、上記弾性表面波素子の製造方法について説明する。まず、図3及び図4に示すように、圧電基板10上に、各IDT1a〜1e、各反射器6、各接続パッド2a、2b及び各配線パターン3a〜3eを、前記多層構造配線により、真空蒸着法、スパッタリング法あるいはメッキ法、及びフォトリソグラフィー法を用いて同時に形成する。このとき、各配線パターン3a〜3eの表面上には、電気絶縁体であるAl酸化層が発生している。
Next, a method for manufacturing the surface acoustic wave element will be described. First, as shown in FIGS. 3 and 4, the IDTs 1a to 1e, the
また、各配線パターン3a〜3eには、例えば、配線パターン(第一の一層目配線)3dにより分断されている各配線パターン(第二の一層目配線)3c、3eが形成されている。このような配線パターン3dと、各配線パターン3c、3eとは、弾性表面波素子の動作時において、互いに電位が相違するものである。
Further, in each of the
続いて、配線パターン3dにおける、各配線パターン3c、3eを分断している部分上に、感光性樹脂からなる後述する加熱処理により硬化して層間樹脂層(層間絶縁膜)5となる感光性樹脂層を形成する。感光性樹脂層の素材としては、加工が容易なこと、耐熱性に優れていること、硬化する温度が低く(250℃〜350℃)、IDTといった素子特性に悪影響を及ぼさないことから、感光性ポリイミドが好ましい。
Subsequently, a photosensitive resin that is cured by a heat treatment, which will be described later, made of a photosensitive resin and becomes an interlayer resin layer (interlayer insulating film) 5 on a portion of the
その後、配線パターン3dに対し感光性樹脂層を間に挟んで交差すると共に該配線パターン3dにより分断されている各配線パターン3c、3eを互いに電気的に接続するように配線パターン(二層目配線)3fを、Al(第一金属)より還元力を備えたTi(第二金属)からなる接着層と該接着層上の導電層であるAl層との多層構造にて形成する。
Thereafter, the
このような配線パターン3fを形成した後、上記感光性樹脂層の変成温度未満で、かつ硬化温度以上にて、例えば270℃乃至370℃の範囲内での所定温度にて加熱処理する。この加熱処理により、上記感光性樹脂層は、その中に含まれる溶媒成分を除去したり、イミド化させたりしてポリイミドからなる層間樹脂層5となる。
After the
これと共に、各配線パターン3c、3eの表層の電気絶縁体であるAl酸化層がTiにより還元され、かつTiが上記Al酸化層に浸透してAlxTiyO層がAl酸化層に代わって形成されている。AlxTiyO層はAl酸化層より電気抵抗を小さくできるため、コンタクト抵抗を低減できる。
At the same time, the Al oxide layer, which is an electrical insulator on the surface layer of each
加熱処理は、リフロー時や、パッケージへの収納時のろう材の溶融温度や封止樹脂の硬化温度の印加時といった加熱処理にて兼用させてもよい。このようにして弾性表面波素子が得られる。 The heat treatment may be combined with a heat treatment such as reflow or application of the melting temperature of the brazing material or the curing temperature of the sealing resin when stored in the package. In this way, a surface acoustic wave element is obtained.
このように弾性表面波素子の製造方法は、二層目配線である配線パターン3fの配線金属の構成を、従来のAl/Ni−Crから、本発明ではAl/Tiに変更し、かつ上記配線パターン3fを形成後、250℃乃至370℃の温度範囲にて加熱(アニール)処理を行うことを特徴としている。
As described above, in the method of manufacturing the surface acoustic wave element, the configuration of the wiring metal of the
上記製造方法において、成膜直後は配線パターン3fのTiと一層目配線である各配線パターン3c、3eのAlとの間にAl酸化膜が存在するため高抵抗であるが、加熱処理により、Al表面の高抵抗なAl酸化膜がTiにより還元され、AlとTiを含む合金に変化することにより、接合部分でのコンタクト(導通)抵抗を小さくできる。
In the above manufacturing method, immediately after the film formation, the Al oxide film is present between Ti of the
上記加熱処理の効果の結果を示した図1から明らかなように、従来は、加熱処理を行っても抵抗が高いままである一方、本発明では、大幅に低下していることがわかる。図1の結果において、用いたコンタクト部分の面積は、それぞれ100μm2とした。 As is apparent from FIG. 1 showing the result of the heat treatment effect, it can be seen that, in the prior art, the resistance remains high even when the heat treatment is performed, but in the present invention, the resistance is greatly reduced. In the result of FIG. 1, the area of the used contact portion was 100 μm 2 .
次に、前記AlxTiyO層における、x、yの好ましい範囲についてそれぞれ説明する。ここで、この合金層のO(酸素)に対するAlの比率x、及びTiの比率yの範囲は0<x<2/3、1/2≦y(以下、式(1) という)の範囲内が好ましい。 Next, preferred ranges of x and y in the Al x Ti y O layer will be described. Here, the range of the ratio x of Al to O (oxygen) and the ratio y of Ti in this alloy layer is within the range of 0 <x <2/3, 1/2 ≦ y (hereinafter referred to as the formula (1)). Is preferred.
この範囲内に設定する手段としては、前述したように、加熱処理を、250℃〜370℃、より好ましくは300℃〜330℃の温度で30分〜5時間の加熱処理を行い、一層目配線である配線パターン3fのAl酸化層を構成するAl及びOと、これと接触する二層目配線である各配線パターン3c、3eのTiとの間で、相互拡散させることにより、Al酸化層をAlとTiを含む合金層に変化させることが挙げられる。
As a means for setting within this range, as described above, the heat treatment is performed at a temperature of 250 ° C. to 370 ° C., more preferably at a temperature of 300 ° C. to 330 ° C. for 30 minutes to 5 hours. By interdiffusing between Al and O constituting the Al oxide layer of the
この合金層のOに対するAlの比率及びTiの比率は、加熱時間が長いほど、また、加熱温度が高いほど、Alの比率xは2/3から小さくなる一方、Tiの比率yは大きくなり、Oに対してTiの比率が十分大きくなるように設定することにより、導電率を大きくできる。 The ratio of Al to Ti in the alloy layer is such that the longer the heating time and the higher the heating temperature, the smaller the Al ratio x from 2/3, while the Ti ratio y increases. By setting the ratio of Ti to O to be sufficiently large, the conductivity can be increased.
しかし、加熱処理の温度が250℃未満、或いは加熱処理の時間が30分未満では、拡散が不十分であり、Tiの比率yが、y<1/2となり、十分な導電率は得られない。 However, if the temperature of the heat treatment is less than 250 ° C. or the time of the heat treatment is less than 30 minutes, the diffusion is insufficient, and the Ti ratio y becomes y <1/2, and sufficient conductivity cannot be obtained. .
続いて、一層目配線のAlと二層目配線のTiとの間に形成されるAlとTiを含む合金層のAlの比率x、Tiの比率yの上限下限を上記式(1) のように設定した理由を以下に説明する。Al、Tiは、様々な環境において各々0〜3、0〜4までの任意の酸化数をとり得るので、Oに対するAlの比率x、Tiの比率yは一義的には定まらないものである。 Subsequently, the upper limit and the lower limit of the Al ratio x and the Ti ratio y of the alloy layer containing Al and Ti formed between Al of the first layer wiring and Ti of the second layer wiring are expressed by the above formula (1). The reason for setting to is described below. Since Al and Ti can take arbitrary oxidation numbers of 0 to 3 and 0 to 4 in various environments, the ratio x of Al to O and the ratio y of Ti are not uniquely determined.
しかしながら、上記式(1) は、一層目配線のAl表面に形成されたAl酸化層において、前記加熱処理の熱によって、前記二層目配線のTi層との間で相互に拡散され、Alが完全に酸化された状態から、Tiの割合が増加して、Oに対するTiの比率が増加した状態に達することを表している。 However, the above formula (1) is that, in the Al oxide layer formed on the Al surface of the first layer wiring, it is diffused between the Ti layer of the second layer wiring due to the heat of the heat treatment, and Al is From the state of being completely oxidized, the ratio of Ti is increased and the ratio of Ti to O is increased.
ここにおいて、二層目配線のTiの膜厚を厚くして、Tiの供給量を増加できるが、特に効果のある領域としては、一層目配線のAl酸化層の膜厚の数倍以上に設定し、その後の加熱処理の条件を適切に設定すればよい。数値例としては、二層目配線のTiの膜厚としては、10nm程度でも効果はある。 Here, the Ti supply thickness can be increased by increasing the Ti film thickness of the second-layer wiring. However, a particularly effective region is set to be several times the thickness of the Al oxide layer of the first-layer wiring. Then, the conditions for the subsequent heat treatment may be set appropriately. As a numerical example, even if the film thickness of Ti of the second-layer wiring is about 10 nm, there is an effect.
この合金層におけるOに対するTiの比率yの上限については、Tiの拡散を促進するためには加熱処理の温度を高くする必要があるが、この加熱工程の熱による層間樹脂層5としてのポリイミドの変質や、圧電基板10の変質の恐れがあるため、この加熱温度の上限が上記恐れにより規定される。この結果、この合金層におけるTiの比率yの上限が規定される。
Regarding the upper limit of the ratio y of Ti to O in this alloy layer, it is necessary to increase the temperature of the heat treatment in order to promote the diffusion of Ti, but the polyimide as the
また、本実施の形態において、図1に示すように、加熱処理によりコンタクト部分の抵抗を低下(0.1Ω/μm2→0.002Ω/μm2)させているが、この状態でAlの比率xは1/3未満、Tiの比率yは1以上と推測される。 Further, in this embodiment, as shown in FIG. 1, but reduce the resistance of the contact portion (0.1Ω / μm 2 → 0.002Ω / μm 2) by heat treatment, the proportion of Al in this state It is estimated that x is less than 1/3 and the Ti ratio y is 1 or more.
この推測は、コンタクト部分の抵抗を低下させた試料の断面の元素分析を行った結果、一層目配線のAlと二層目配線のTi界面で酸素を検出できなかったことに基づいている。このように酸素が検出されなかった原因としては、二層目配線のTiがAl酸化膜の酸素を奪い取って、その中に拡散させてしまった結果、前記界面において、酸素濃度が薄まり検出限界未満となり、元素分析では検出できなくなったことが想定される。 This assumption is based on the fact that oxygen could not be detected at the interface between the Al in the first layer wiring and the Ti interface in the second layer wiring as a result of elemental analysis of the cross section of the sample whose resistance at the contact portion was reduced. The reason why oxygen was not detected in this way was that Ti of the second layer wiring took the oxygen of the Al oxide film and diffused it into it, and as a result, the oxygen concentration at the interface decreased and was below the detection limit. Therefore, it is assumed that it could not be detected by elemental analysis.
このように上記製造方法では、一層目配線(下層配線)と二層目配線(上層配線)のコンタクト部分の材質をそれぞれAlとTiとに設定し、加熱処理を行うことで、Al表面の高抵抗酸化層(Al酸化層)がTiにより合金化(AlxTiyO)し、コンタクト部分の抵抗を低下(0.1Ω/μm2→0.002Ω/μm2)させることができ、フィルタの挿入損失の悪化を防止できる。 As described above, in the above manufacturing method, the material of the contact portion of the first layer wiring (lower layer wiring) and the second layer wiring (upper layer wiring) is set to Al and Ti, respectively, and heat treatment is performed. the resistive oxide layer (Al oxide layer) is Ti alloyed (Al x Ti y O), lower the resistance of the contact portion (0.1Ω / μm 2 → 0.002Ω / μm 2) is to be possible, the filter Deterioration of insertion loss can be prevented.
上記製造方法においては、熱処理の温度は300℃以上で歩留まりが90%〜99%以上(0.005Ω/μm2以下)となり、330℃以下で大気オーブン使用時と比較して、ヒロック発生率を5%〜1%以下にできる。また、上層配線がNiCrの場合、熱処理後においてもコンタクト抵抗は低下しないことから、AlとTiの組み合わせが好適と考えられる。 In the above manufacturing method, the heat treatment temperature is 300 ° C. or higher and the yield is 90% to 99% or higher (0.005Ω / μm 2 or less), and the hillock generation rate is lower than 330 ° C. compared to when using an atmospheric oven. 5% to 1% or less. Further, when the upper layer wiring is NiCr, the contact resistance does not decrease even after the heat treatment, and therefore a combination of Al and Ti is considered preferable.
(実施の第二形態)
次に、本発明の電子部品としての弾性表面波素子に係る実施の第二形態について図5に基づき説明する。なお、上記実施の第一形態と同様な機能を有する部材に関しては、同一の部材番号を付与してそれらの説明を省いた。
(Second embodiment)
Next, a second embodiment of a surface acoustic wave element as an electronic component of the present invention will be described with reference to FIG. In addition, about the member which has a function similar to the said 1st Embodiment, the same member number was provided and those description was abbreviate | omitted.
本実施の形態の弾性表面波素子では、図5に示すように、圧電基板10の表面の電子機能部分を囲んで内枠8及び外枠9が上記表面から立設するようにそれぞれ設けられている。上記内枠8及び外枠9は、チップ状の弾性表面波素子を配線基板(図示せず)に対してフェイスダウンボンディングして、樹脂封止する際の樹脂流入防止堰(ダム)として機能するものである。この図5において、外枠9は、感光性ポリイミドで形成した内枠8と同時に感光性ポリイミドにて形成した外下枠9a上にさらに感光性ポリイミドの外上枠9bを形成して高さを確保したものである。
In the surface acoustic wave device according to the present embodiment, as shown in FIG. 5, an
この感光性樹脂の硬化温度を加熱処理温度と同じに設定する。加熱処理温度は、交差部4dの配線接続部である各配線パターン3e、3cと配線パターン3fとの接合部分において、Al酸化層とこれに接して形成されているTi層との間で熱拡散させ、このAl酸化層を前記合金層に変えるためのものである。
The curing temperature of the photosensitive resin is set to be the same as the heat treatment temperature. The heat treatment temperature is a thermal diffusion between the Al oxide layer and the Ti layer formed in contact with the
よって、上記実施の第二形態の製造方法は、前記実施の第一形態で得られる効果に加え、枠9の2層目を形成する時の加熱処理条件を、各配線パターン3e、3cと配線パターン3fとの接合部分のコンタクト(接触)抵抗を下げるために行う加熱処理の温度条件と同じとすることで、樹脂流入防止堰(ダム)と層間樹脂層5との双方を形成した製品としての弾性表面波装置においては、上記双方を同時に形成できて、上記ダムを形成するための別の新たな工程を省くことができて、工程削減の効果があり、安価に製造することができる。
Therefore, in the manufacturing method of the second embodiment, in addition to the effects obtained in the first embodiment, the heat treatment conditions for forming the second layer of the
上記実施の各形態では、層間樹脂層5の素材に感光性ポリイミドを用いたが、他の感光性樹脂でも可能であり、ポリイミド以外に、感光性の、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、アクリル樹脂、環状オレフィン樹脂を用いることができる。感光性樹脂としては、ネガ型で現像液に有機溶剤を用いるタイプが好ましい。ポジ型の感光性樹脂は現像液にアルカリを用いるのでアルミ電極が溶けることから好ましくない。さらに、層間樹脂層5に感光性樹脂以外の樹脂を用いた場合でも可能である。
In each of the above embodiments, photosensitive polyimide is used as the material of the
また、上記実施の各形態においては、電子部品として弾性表面波素子を用いた例を挙げたが、LSIや、チップ状のコンデンサ、チップ状のコイル等の電子部品素子を有し、かつ配線パターンを交差させて備えた配線基板や多層基板に本発明を適用できる。 In each of the above embodiments, a surface acoustic wave element is used as an electronic component. However, an electronic component element such as an LSI, a chip-shaped capacitor, or a chip-shaped coil is provided, and a wiring pattern The present invention can be applied to a wiring board or a multilayer board provided with crossing each other.
本発明の電子部品の製造方法は、各配線パターンを互いに交差させて小型化できると共に、交差部において互いに接続される各配線パターン間のコンタクト抵抗を低減できて伝送特性等の電気特性を向上できる電子部品を製造できるから、携帯電話等の通信分野や、パーソナルコンピュータ等の電子情報分野に好適に利用できる。 The method of manufacturing an electronic component according to the present invention can reduce the size of each wiring pattern by crossing each other, and can reduce the contact resistance between the wiring patterns connected to each other at the crossing portion, thereby improving electrical characteristics such as transmission characteristics. Since an electronic component can be manufactured, it can be suitably used in the communication field such as a mobile phone and the electronic information field such as a personal computer.
1a〜1e:IDT(電子機能部)
2a、2b:接続パッド
3a〜3e:配線パターン(第一及び第二の一層目配線)
3f:配線パターン(二層目配線)
4a〜4d:交差部
5:層間樹脂層(層間絶縁膜)
10:圧電基板(基板)
1a to 1e: IDT (electronic function unit)
2a, 2b:
3f: Wiring pattern (second layer wiring)
4a to 4d: Intersection 5: Interlayer resin layer (interlayer insulating film)
10: Piezoelectric substrate (substrate)
Claims (8)
前記第一の一層目配線における、第二の一層目配線を分断している部分上に、樹脂からなる層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜を挟んで前記第一の一層目配線に対し交差すると共に該第一の一層目配線により分断されている前記第二の一層目配線を互いに電気的に接続する二層目配線を、前記表層に当接する面が第二金属であるTiからなるように形成し、
前記二層目配線を形成した後、上記層間絶縁膜の変成温度未満にて加熱処理することを特徴とする電子部品の製造方法。 On a substrate, thereby forming an electron function unit, the first and second first-layer wiring which becomes different potentials from each other are connected to the electronic function part, the conductive layer is a surface layer composed mainly of Al as the first metal with a, formed as a second first-layer wiring Ru is divided by the first first layer wiring,
Forming an interlayer insulating film made of resin on a portion of the first layer wiring that divides the second layer wiring;
A second-layer wiring that intersects the first-layer wiring and sandwiches the second-layer wiring that is separated by the first-layer wiring with the interlayer insulating film interposed therebetween; The surface that contacts the surface layer is made of Ti which is the second metal ,
After forming the second layer wiring, a heat treatment is performed at a temperature lower than the transformation temperature of the interlayer insulating film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004031857A JP4403819B2 (en) | 2004-02-09 | 2004-02-09 | Manufacturing method of electronic parts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004031857A JP4403819B2 (en) | 2004-02-09 | 2004-02-09 | Manufacturing method of electronic parts |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005223809A JP2005223809A (en) | 2005-08-18 |
JP4403819B2 true JP4403819B2 (en) | 2010-01-27 |
Family
ID=34999080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004031857A Expired - Fee Related JP4403819B2 (en) | 2004-02-09 | 2004-02-09 | Manufacturing method of electronic parts |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4403819B2 (en) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011217420A (en) * | 2006-02-24 | 2011-10-27 | Panasonic Corp | Surface acoustic wave filter, antenna duplexer, high-frequency module using them, and communication apparatus |
JP2007259430A (en) * | 2006-02-24 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface acoustic wave filter, antenna duplexer, high frequency module using the same, and communication device |
JP5121178B2 (en) * | 2006-07-24 | 2013-01-16 | 京セラ株式会社 | Surface acoustic wave device and communication device |
JP5025181B2 (en) * | 2006-07-24 | 2012-09-12 | 京セラ株式会社 | Surface acoustic wave device and communication device |
JP5166053B2 (en) * | 2008-01-29 | 2013-03-21 | 太陽誘電株式会社 | Elastic wave device and manufacturing method thereof |
JP5343965B2 (en) * | 2008-03-14 | 2013-11-13 | パナソニック株式会社 | Elastic wave filter |
JPWO2009150786A1 (en) | 2008-06-09 | 2011-11-10 | 株式会社村田製作所 | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof |
WO2011087018A1 (en) | 2010-01-12 | 2011-07-21 | 京セラ株式会社 | Acoustic wave device |
WO2012066742A1 (en) * | 2010-11-18 | 2012-05-24 | パナソニック株式会社 | Inertial force sensor |
JP2015088962A (en) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal device |
DE112015004763B4 (en) * | 2014-10-20 | 2022-08-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and manufacturing method thereof |
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JPS5826200B2 (en) * | 1978-02-14 | 1983-06-01 | 凸版印刷株式会社 | multilayer printed wiring board |
JPS6083278U (en) * | 1983-11-15 | 1985-06-08 | 日本電気株式会社 | Multilayer wiring structure |
JPS63194395A (en) * | 1987-02-09 | 1988-08-11 | 株式会社日立製作所 | Thick film hybrid integrated circuit device |
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JP2005210475A (en) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Murata Mfg Co Ltd | Electronic component and manufacturing method therefor |
-
2004
- 2004-02-09 JP JP2004031857A patent/JP4403819B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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