JP5121178B2 - Surface acoustic wave device and communication device - Google Patents
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Description
本発明は、例えば携帯電話等の移動体通信機器に用いられる弾性表面波フィルタや弾性表面波共振器等の弾性表面波装置及びこれを備えた通信装置に関するものである。 The present invention relates to a surface acoustic wave device such as a surface acoustic wave filter or a surface acoustic wave resonator used in a mobile communication device such as a mobile phone, and a communication device including the same.
従来、携帯電話や自動車電話等の移動体通信機器のRF(無線周波数)段に用いられる周波数選択フィルタとして、弾性表面波フィルタが広く用いられている。一般に、周波数選択フィルタに求められる特性としては、広通過帯域、低損失、高減衰量等の諸特性が挙げられる。近年、特に移動体通信機器における受信感度の向上、低消費電力化のために、さらに弾性表面波フィルタに対する低損失化の要求が高まっている。また、近年、移動体通信機器において、小型化のためアンテナが従来のホイップアンテナから誘電体セラミックス等を用いた内蔵アンテナに移行してきている。そのため、アンテナのゲインを充分に得ることが難しくなり、弾性表面波フィルタに対してさらに挿入損失を改善させる要求が増大している。 Conventionally, a surface acoustic wave filter has been widely used as a frequency selection filter used in an RF (radio frequency) stage of a mobile communication device such as a mobile phone or a car phone. In general, characteristics required for a frequency selective filter include various characteristics such as a wide passband, low loss, and high attenuation. In recent years, there has been an increasing demand for lower loss for surface acoustic wave filters in order to improve reception sensitivity and lower power consumption particularly in mobile communication devices. In recent years, in mobile communication devices, the antenna has been shifted from a conventional whip antenna to a built-in antenna using dielectric ceramics for miniaturization. For this reason, it is difficult to obtain a sufficient antenna gain, and there is an increasing demand for further improving the insertion loss of the surface acoustic wave filter.
このような広帯域化、低損失化を実現するために、例えば、圧電基板上に3つのIDT電極(Inter Digital Transducer)を設け、縦1次モードと縦3次モードを利用した2重モード弾性表面波共振器フィルタが提案されている。 In order to realize such a broad band and low loss, for example, three IDT electrodes (Inter Digital Transducer) are provided on a piezoelectric substrate, and a dual mode elastic surface using a longitudinal primary mode and a longitudinal tertiary mode is used. Wave resonator filters have been proposed.
特に、隣り合うIDT電極の端部に電極指の狭ピッチ部を設けることにより、IDT電極間におけるバルク波の放射損を低減して、共振モードの状態を制御することにより広帯域化及び低損失化が図られている(例えば、特許文献1を参照。)。 In particular, by providing a narrow pitch portion of electrode fingers at the ends of adjacent IDT electrodes, the radiation loss of bulk waves between the IDT electrodes is reduced, and the state of the resonance mode is controlled to achieve a wider band and lower loss. (For example, refer to Patent Document 1).
また、近年、移動体通信機器等の小型化、軽量化のために、弾性表面波装置の小型化が要求され、実装形態も従来のワイヤボンディング方式を用いたパッケージ実装から、フリップチップ実装方式を用いたCSP(Chip Scale Package)タイプへと変遷してきている。そのため、実装形態のみならず弾性表面波装置自体の小型化をよりいっそう進める傾向にある。 In recent years, surface acoustic wave devices have been required to be miniaturized in order to reduce the size and weight of mobile communication devices, and the mounting form has been changed from a conventional package mounting using a wire bonding method to a flip chip mounting method. It has changed to the CSP (Chip Scale Package) type used. Therefore, not only the mounting form but also the surface acoustic wave device itself tends to be further miniaturized.
図7は、従来の弾性表面波フィルタの電極構造を模式的に示す平面図である。圧電基板201上に並列接続させた前段の弾性表面波フィルタ212,213を形成しており、弾性表面波フィルタ212,213は、それぞれ3個のIDT電極202,203,204及び205,206,207と、その両側に配置された反射器電極208,209及び210,211とから構成されている。また、後段の弾性表面波フィルタ216,217を形成しており、弾性表面波フィルタ216,217は、それぞれ3個のIDT電極218,219,220及び221,222,223と、その両側に配置された反射器電極224,225及び226,227とから構成されている。そして、前段の弾性表面波フィルタ212,213と後段の弾性表面波フィルタ216,217の間に、それぞれ弾性表面波共振子214,215が設けられている。
FIG. 7 is a plan view schematically showing an electrode structure of a conventional surface acoustic wave filter. The front surface
不平衡信号端子231に接続された弾性表面波フィルタ212,213は、さらに、弾性表面波共振子214、215を介して、弾性表面波フィルタ216、217に接続されている。不平衡信号端子231に接続されたIDT電極203,206は、一対の互いに対向させた櫛歯状電極に電界を加えられ、弾性表面波を励振させる。励振された弾性表面波がIDT電極202,204及び205,207に伝搬される。また、中央のIDT電極203の位相は、もう一方の中央のIDT電極206の位相に対して180°異なった逆相となっており、最終的に後段の弾性表面波フィルタ216,217の中央のIDT電極219,222の一方の櫛状電極から平衡出力信号端子232,233へ信号が伝わり平衡出力される。このような構造により、平衡−不平衡変換機能を実現している。さらに、弾性表面波素子及び弾性表面波共振子間の配線の一部に、絶縁体241〜248を介した立体配線構造を採用することにより、弾性表面波素子自体の小型化を実現している(例えば、特許文献2を参照。)。
The surface
また、近年、移動体通信機器等の小型化、軽量化及び低コスト化のため、使用部品の削減が進められ、弾性表面波フィルタに新たな機能の付加が要求されてきている。その1つに不平衡入力−平衡出力型または平衡入力−不平衡出力型に構成できるようにするといった要求がある。ここで、平衡入力または平衡出力とは、信号が2つの信号線路間の電位差として入力または出力するものをいい、各信号線路の信号は振幅が等しく、位相が逆相になっている。これに対して、不平衡入力または不平衡出力とは、信号がグランド電位に対する1本の線路の電位として入力または出力するものをいう。 In recent years, in order to reduce the size, weight, and cost of mobile communication devices, the number of components used has been reduced, and a new function has been required for the surface acoustic wave filter. One of the requirements is that it can be configured as an unbalanced input-balanced output type or a balanced input-unbalanced output type. Here, the balanced input or balanced output means that a signal is input or output as a potential difference between two signal lines, and the signals of each signal line have the same amplitude and the phases are reversed. On the other hand, unbalanced input or unbalanced output means that a signal is input or output as the potential of one line with respect to the ground potential.
現在、弾性表面波フィルタに不平衡−平衡変換機能または平衡−不平衡変換機能を持たせた、不平衡入力−平衡出力型弾性表面波フィルタまたは平衡入力−不平衡出力型弾性表面波フィルタ(以下、平衡型弾性表面波フィルタという)の実用化が進められている。不平衡−平衡変換機能の要求を満たすため、縦結合二重モードフィルタが多く用いられている。また、RF用フィルタとしては、接続端子の一方を不平衡接続で入出力インピーダンスが50Ω、他方を平衡接続で入出力インピーダンスが100〜200Ωに整合させるという要求が多い。
図7に示すような特許文献2に開示されている従来の弾性表面波装置(弾性表面波フィルタ)を用いた場合、弾性表面波素子間や弾性表面波素子と弾性表面波共振子との間の配線の一部に立体配線を採用することにより、弾性表面波フィルタの小型化を実現することができる。しかしながら、平衡信号用配線または不平衡信号用配線の片側のみに立体配線構造を用いた場合、弾性表面波フィルタの通過帯域の周波数特性において、通過帯域内でのリップルが発生するため挿入損失が劣化するという問題があった。
When a conventional surface acoustic wave device (surface acoustic wave filter) disclosed in
また、特許文献1に開示されている弾性表面波装置では、IDT電極の端部に狭ピッチ部を設けると、弾性表面波が結合した状態で電極指ピッチが異なる部分が存在するため、通過帯域におけるフィルタ特性のリップルが大きくなり、通過帯域の肩特性が劣化して通過帯域の平坦な特性が得られない。また、IDT電極の端部に狭ピッチ部を設けるだけでは、弾性表面波の励振に利用できる基本的な共振モードの数が縦1次モードと縦3次モードに限定され、他の共振モードが利用できないので、設計の自由度が小さくなっていた。そのため、通過帯域におけるフィルタ特性の平坦性を向上させ、広帯域化しつつ、挿入損失を向上させるには不充分であった。
Further, in the surface acoustic wave device disclosed in
さらに、特許文献2に開示されている弾性表面波装置では、弾性表面波素子間の配線の一部にのみ立体配線を用いているので、引出し配線において配線抵抗及び配線容量が非対称となるため、振幅平衡度や位相平衡度が劣化してしまう問題点があった。
Furthermore, in the surface acoustic wave device disclosed in
従って、本発明は上記従来の技術における問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、小型化を実現するとともに通過帯域における挿入損失を劣化させず、かつリップルの発生を抑制することができ、高品質な平衡型弾性表面波フィルタとしても機能できる弾性表面波装置、及びそれを用いた通信装置を提供することにある。 Accordingly, the present invention has been completed in view of the above-mentioned problems in the prior art, and its purpose is to realize downsizing and to suppress the occurrence of ripple without deteriorating the insertion loss in the passband. An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device that can function as a high-quality balanced surface acoustic wave filter, and a communication device using the same.
本発明の弾性表面波装置は、1)圧電基板上に、前記圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、前記伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた3個のIDT電極と、前記3個のIDT電極の両側にそれぞれ配置され、前記伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極とを有する第1及び第2の弾性表面波素子と、前記第1及び第2の弾性表面波素子のそれぞれに電気的に接続された不平衡信号端子と、前記不平衡信号端子との間に前記第1の弾性表面波素子が介在する位置に配設され、前記第1の弾性表面波素子に電気的に接続された第1の平衡信号端子と、前記不平衡信号端子との間に前記第2の弾性表面波素子が介在する位置に配設され、前記第2の弾性表面波素子に電気的に接続された第2の平衡信号端子と、前記第1の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の前記第1の平衡信号端子側のバスバー電極に接続された第1の接地用引き出し配線と、前記第1の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の一方隣に配設されたIDT電極と前記第1の平衡信号端子とを電気的に接続するための第1の信号用引き出し配線と、前記第1の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の他方隣に配設されたIDT電極と前記第1の平衡信号端子とを電気的に接続するための第2の信号用引き出し配線と、前記第1の接地用引き出し配線と前記第1の信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差する部分である第1の交差配線部と、前記第1の接地用引き出し配線と前記第2の信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差する部分である第2の交差配線部と、前記第2の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の前記第2の平衡信号端子側のバスバー電極に接続された第2の接地用引き出し配線と、前記第2の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の一方隣に配設されたIDT電極と前記第2の平衡信号端子とを電気的に接続するための第3の信号用引き出し配線と、前記第2の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち
中央に配設されたIDT電極の他方隣に配設されたIDT電極と前記第2の平衡信号端子とを電気的に接続するための第4の信号用引き出し配線と、前記第2の接地用引き出し配線と前記第3の信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差する部分である第3の交差配線部と、前記第2の接地用引き出し配線と前記第4の信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差する部分である第4の交差配線部と、を備えた弾性表面波装置であって、前記第1の交差配線部と前記第2の交差配線部とは、前記第1の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているとともに、前記第1の交差配線部と前記第2の交差配線部とによって生じる抵抗及び容量が略同じであり、前記第3の交差配線部と前記第4の交差配線部とは、前記第2の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているとともに、前記第3の交差配線部と前記第4の交差配線部とによって生じる抵抗及び容量が略同じであり、前記絶縁体は、SiO 2 膜と、該SiO 2 膜に積層されたポリイミド系の樹脂からなる樹脂層とからなることを特徴とするものである。
The surface acoustic wave device according to the present invention includes: 1) three pieces having a plurality of electrode fingers that are long on the piezoelectric substrate in a direction orthogonal to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate. and IDT electrodes are disposed on both sides of the three IDT electrodes, and the first and second surface acoustic wave device having a reflector electrode having a plurality of long electrode fingers in the direction perpendicular to the propagation direction And the unbalanced signal terminal electrically connected to each of the first and second surface acoustic wave elements , and the first surface acoustic wave element interposed between the unbalanced signal terminal and the unbalanced signal terminal. Disposed at a position where the second surface acoustic wave element is interposed between the first balanced signal terminal electrically connected to the first surface acoustic wave element and the unbalanced signal terminal. And a second plane electrically connected to the second surface acoustic wave element. A first grounding terminal connected to a signal bar and a bus bar electrode on the first balanced signal terminal side of an IDT electrode disposed in the center among the three IDT electrodes of the first surface acoustic wave element. The lead wire, the IDT electrode disposed next to the IDT electrode disposed in the center among the three IDT electrodes of the first surface acoustic wave element, and the first balanced signal terminal are electrically connected. First signal lead-out wiring for connection, and an IDT electrode disposed next to the other of the three IDT electrodes disposed in the center of the three surface acoustic wave elements. A second signal lead-out wiring for electrically connecting the first balanced signal terminal to the first balanced signal terminal, the first ground lead-out wiring, and the first signal lead-out wiring through an insulator. A first cross wiring portion that is a crossing portion, and the first cross wiring portion A second cross wiring portion where the ground lead wiring and the second signal lead wiring intersect via an insulator, and the three IDT electrodes of the second surface acoustic wave element A second grounding lead wire connected to the bus bar electrode on the second balanced signal terminal side of the IDT electrode disposed in the center, and the three IDT electrodes of the second surface acoustic wave element A third signal lead-out wiring for electrically connecting the IDT electrode disposed adjacent to one of the IDT electrodes disposed in the center and the second balanced signal terminal; Of the three IDT electrodes of the surface acoustic wave device
A fourth signal lead-out wiring for electrically connecting the IDT electrode disposed on the other side of the IDT electrode disposed in the center and the second balanced signal terminal; and the second grounding electrode. A third cross wiring portion, which is a portion where the lead wire and the third signal lead wire intersect via an insulator, the second ground lead wire, and the fourth signal lead wire; Is a surface acoustic wave device provided with a fourth cross wiring portion that intersects with an insulator , wherein the first cross wiring portion and the second cross wiring portion are Of the three IDT electrodes of the first surface acoustic wave element , the first intersecting wiring portion and the second intersecting wiring are formed symmetrically around the IDT electrode disposed in the center. Resistance and capacitance generated by the second and third sections are substantially the same, and And the fourth cross wiring portion are formed symmetrically around an IDT electrode disposed in the center of the three IDT electrodes of the second surface acoustic wave element, and The resistance and capacitance generated by the third cross wiring portion and the fourth cross wiring portion are substantially the same, and the insulator is made of an SiO 2 film and a polyimide resin laminated on the SiO 2 film. and it is characterized in Rukoto such a resin layer.
また、本発明の弾性表面波装置は、2)上記1)の構成において、前記第1の信号用引き出し配線及び前記第2の信号用引き出し配線は、第1の弾性表面波共振子を介して前記第1の平衡信号端子に接続され、前記第3の信号用引き出し配線及び前記第4の信号用引き出し配線は、第2の弾性表面波共振子を介して前記第2の平衡信号端子に接続されていることを特徴とするものである。
In the surface acoustic wave device according to the present invention, 2) in the configuration of 1), the first signal lead-out wiring and the second signal lead-out wiring are connected via a first surface acoustic wave resonator. The third signal lead-out line and the fourth signal lead-out line are connected to the second balanced signal terminal through a second surface acoustic wave resonator. it is is characterized in Rukoto.
また、本発明の通信装置は、3)上記1)または2)の構成の弾性表面波装置を有する受信回路及び送信回路の少なくとも一方を備えたことを特徴とするものである。 In the communication apparatus, 3) is characterized in that it comprises at least one of the above 1) or 2) receiving circuit and a transmitting circuit that have a surface acoustic wave device of the structure of.
本発明の弾性表面波装置によれば、圧電基板上に、圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた3個以上の奇数個のIDT電極と、奇数個のIDT電極の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極とを有する第1及び第2の弾性表面波素子が形成されており、第1及び第2の弾性表面波素子は、不平衡信号端子(不平衡入(出)力端子)に接続されているとともにそれぞれが平衡信号端子(平衡出(入)力端子)に接続された弾性表面波装置であって、第1及び第2の弾性表面波素子のIDT電極の平衡信号端子側のバスバー電極に接続された接地用引き出し配線と、第1及び第2の弾性表面波素子と平衡信号端子とを接続した全ての信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差して配設された交差配線部をそれぞれ形成しており、交差配線部は、奇数個のIDT電極において中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているとともに、各々の交差配線部によって生じる抵抗が略同じであることにより、各々の交差配線部において生じる抵抗、さらには容量を略同じとすることができ、その結果配線を流れる電流が実質的に同じになり、通過帯域内のリップルを大幅に低減することができる。そのため、通過帯域内における挿入損失を向上させることができる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, the piezoelectric substrate includes three or more electrode fingers each having a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate. First and second surface acoustic wave elements each having an odd number of IDT electrodes and reflector electrodes each provided on both sides of the odd number of IDT electrodes and provided with a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction are provided. The first and second surface acoustic wave elements formed are connected to an unbalanced signal terminal (unbalanced input (output) force terminal) and each is connected to a balanced signal terminal (balanced output (input) force terminal). ) Connected to the bus bar electrode on the balanced signal terminal side of the IDT electrode of the first and second surface acoustic wave elements, and the first and second All connected surface acoustic wave elements and balanced signal terminals The signal lead-out wirings form cross wiring portions that are arranged so as to intersect with each other via an insulator, and the cross wiring portions are centered on the IDT electrodes that are arranged in the center of the odd number of IDT electrodes. In addition, since the resistance generated by each cross wiring portion is substantially the same, the resistance and the capacitance generated in each cross wiring portion can be made substantially the same. Are substantially the same, and the ripple in the passband can be greatly reduced. Therefore, it is possible to improve the insertion loss in the pass band.
なお、交差配線部に生じる抵抗は、例えば、交差配線部の上側の配線が部分的に薄い部分が生じたり、上や下に曲がったり、段差が生じるといった細かな厚みや形状の変化によって生じるものであり、他の配線部よりも若干高い抵抗になり易い。このような他の配線部と変わった抵抗値を示す交差配線部について、各々の交差配線部の抵抗を略同じにすることによって上記のような効果(挿入損失向上等の効果)を得ることができる。また、各々の交差配線部の抵抗を略同じにするには、例えば、その形成方法、即ちスパッタリング法等による配線部の形成条件、CVD法,フォトリソグラフィ法やビルドアップ法等の絶縁体の形成条件を同じにすることによって達成することができる。 In addition, the resistance generated in the cross wiring portion is caused by a small change in thickness or shape such that, for example, the wiring on the upper side of the cross wiring portion is partially thin, bent up or down, or has a step. Therefore, the resistance is likely to be slightly higher than other wiring portions. With respect to the cross wiring portion showing a different resistance value from the other wiring portions, it is possible to obtain the above-described effects (effects such as improved insertion loss) by making the resistance of each cross wiring portion substantially the same. it can. In addition, in order to make the resistance of each cross wiring portion substantially the same, for example, the formation method thereof, that is, the formation conditions of the wiring portion by sputtering method, the formation of insulators such as CVD method, photolithography method and build-up method This can be achieved by making the conditions the same.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、圧電基板上に、圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた3個以上の奇数個のIDT電極と、奇数個のIDT電極の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極とを有する第1及び第2の弾性表面波素子が形成されており、第1及び第2の弾性表面波素子は、不平衡信号端子に接続されているとともに、第1及び第2の弾性表面波素子の各後段に平衡信号端子に接続された弾性表面波共振子が接続されている弾性表面波装置であって、第1及び第2の弾性表面波素子のIDT電極の弾性表面波共振子側のバスバー電極に接続された接地用引き出し配線と、第1及び第2の弾性表面波素子と弾性表面波共振子とを接続した全ての信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差して配設された交差配線部をそれぞれ形成しており、交差配線部は、奇数個のIDT電極において中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているとともに、各々の交差配線部によって生じる抵抗が略同じであることにより、上記と同様に、各々の交差配線部における抵抗、さらには容量を略同じとすることができ、その結果配線を流れる電流が実質的に同じになり、通過帯域内のリップルを大幅に低減することができる。そのため、通過帯域内における挿入損失を向上させることができる。さらに、交差配線部が、奇数個のIDT電極において中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているので、弾性表面波装置の等価回路上導入される抵抗及び容量を、第1の弾性表面波素子及び第2の弾性表面波素子において、微妙かつ高精度に調整することが可能となり、振幅平衡度及び位相平衡度を向上させることができる。 Further, according to the surface acoustic wave device of the present invention, three piezoelectric fingers having a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate are provided on the piezoelectric substrate. First and second surface acoustic waves each having the above-mentioned odd number of IDT electrodes and reflector electrodes each provided on both sides of the odd number of IDT electrodes and provided with a plurality of long electrode fingers in the direction orthogonal to the propagation direction An element is formed, and the first and second surface acoustic wave elements are connected to the unbalanced signal terminal and connected to the balanced signal terminal at each subsequent stage of the first and second surface acoustic wave elements. A surface acoustic wave device to which the surface acoustic wave resonator is connected, wherein the grounding lead wire is connected to the bus bar electrode on the surface acoustic wave resonator side of the IDT electrode of the first and second surface acoustic wave elements And the first and second surface acoustic wave elements and the bullet All the signal lead wires connected to the surface wave resonators form cross wiring portions that are arranged so as to cross each other through an insulator, and the cross wiring portions are formed in an odd number of IDT electrodes. Since the IDT electrode disposed in the center is symmetrically formed and the resistance generated by each cross wiring portion is substantially the same, the resistance in each cross wiring portion, as described above, Can have substantially the same capacitance, and as a result, the current flowing through the wiring is substantially the same, and the ripple in the passband can be greatly reduced. Therefore, it is possible to improve the insertion loss in the pass band. Further, since the cross wiring portion is formed symmetrically around the IDT electrode disposed in the center in the odd number of IDT electrodes, the resistance and the capacitance introduced on the equivalent circuit of the surface acoustic wave device can be reduced. In the first surface acoustic wave element and the second surface acoustic wave element, it is possible to finely adjust with high accuracy, and the amplitude balance and the phase balance can be improved.
さらに、上記の構成により、不平衡入力端子または不平衡出力端子と弾性表面波素子(縦結合共振器型弾性表面波フィルタ)との間等に接地用パッド電極等を配設する必要がなくなり、接地用パッド電極等のパターンを弾性表面波素子間や弾性表面波素子と弾性表面波共振子との間以外の外側の領域にレイアウトすることが可能となり、装置面積を極力低減して弾性表面波装置を小型化することが可能となる。 Furthermore, with the above configuration, there is no need to dispose a grounding pad electrode or the like between the unbalanced input terminal or unbalanced output terminal and the surface acoustic wave element (longitudinal resonator type surface acoustic wave filter). Patterns such as ground pad electrodes can be laid out in areas outside the surface acoustic wave elements or between the surface acoustic wave elements and the surface acoustic wave resonators, and the surface area can be reduced by reducing the device area as much as possible. The apparatus can be miniaturized.
また、本発明の弾性表面波装置は好ましくは、弾性表面波共振子の後段に、さらに第3及び第4の弾性表面波素子が接続されており、第3及び第4の弾性表面波素子のIDT電極の弾性表面波共振子側のバスバー電極に接続された接地用引き出し配線と、弾性表面波共振子と第3及び第4の弾性表面波素子とを接続した全ての信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差して配設された交差配線部をそれぞれ形成しており、交差配線部は、奇数個のIDT電極において中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているとともに、各々の交差配線部によって生じる抵抗が略同じであることにより、上記と同様に、交差配線部における抵抗、さらには容量を略同じとすることができ、配線を流れる電流が実質的に同じになり、通過帯域内のリップルを大幅に低減することができる。そのため、通過帯域内における挿入損失を向上させることができる。さらに、通過帯域外減衰量を大幅に低減することができる。 In the surface acoustic wave device of the present invention, preferably, third and fourth surface acoustic wave elements are further connected to the subsequent stage of the surface acoustic wave resonator, and the third and fourth surface acoustic wave elements are connected. A grounding lead wire connected to the bus bar electrode on the surface acoustic wave resonator side of the IDT electrode, and all signal lead wires connecting the surface acoustic wave resonator and the third and fourth surface acoustic wave elements. The cross wiring portions are formed so as to cross each other through the insulator, and the cross wiring portions are formed symmetrically around the IDT electrodes arranged at the center of the odd number of IDT electrodes. In addition, since the resistance generated by each cross wiring portion is substantially the same, the resistance and the capacitance in the cross wiring portion can be made substantially the same as described above, and the current flowing through the wiring is substantially equal. Will be the same and pass The region of the ripple can be greatly reduced. Therefore, it is possible to improve the insertion loss in the pass band. Furthermore, the amount of attenuation outside the passband can be greatly reduced.
また、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に、圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた3個以上の奇数個のIDT電極と、奇数個のIDT電極の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極とを有する第1及び第2の弾性表面波素子が形成されており、第1及び第2の弾性表面波素子は、不平衡信号端子に接続されているとともに、第1及び第2の弾性表面波素子の各後段に、平衡信号端子にそれぞれ接続された第3及び第4の弾性表面波素子が接続されている弾性表面波装置であって、第1及び第2の弾性表面波素子のIDT電極の第3及び第4の弾性表面波共振子側のバスバー電極に接続された接地用引き出し配線、及び第3及び第4の弾性表面波素子のIDT電極の第1及び第2の弾性表面波共振子側のバスバー電極に接続された接地用引き出し配線と、第1及び第2の弾性表面波素子と第3及び第4の弾性表面波素子とを接続した全ての信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差して配設された交差配線部をそれぞれ形成しており、交差配線部は、奇数個のIDT電極において中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているとともに、各々の交差配線部によって生じる抵抗が略同じであることにより、上記と同様に、交差配線部における抵抗、さらには容量を略同じとすることができ、配線を流れる電流が実質的に同じになり、通過帯域内のリップルを大幅に低減することができる。そのため、通過帯域内における挿入損失を向上させることができる。さらに、2段の縦結合弾性表面波フィルタが縦続接続されていることにより、通過帯域外減衰量を大幅に低減することができる。 Further, the surface acoustic wave device of the present invention includes three or more electrode fingers each having a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate. First and second surface acoustic wave elements each having an odd number of IDT electrodes and reflector electrodes each provided on both sides of the odd number of IDT electrodes and provided with a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction are provided. The first and second surface acoustic wave elements are connected to the unbalanced signal terminal, and are connected to the balanced signal terminal at each subsequent stage of the first and second surface acoustic wave elements, respectively. A surface acoustic wave device to which the third and fourth surface acoustic wave elements are connected, wherein the IDT electrodes of the first and second surface acoustic wave elements are on the third and fourth surface acoustic wave resonator sides. Grounding lead wires connected to the bus bar electrodes of Grounding lead wires connected to the first and second surface acoustic wave resonator-side bus bar electrodes of the IDT electrodes of the third and fourth surface acoustic wave elements; the first and second surface acoustic wave elements; All of the signal lead-out wirings connected to the third and fourth surface acoustic wave elements respectively form cross wiring portions arranged so as to cross each other through an insulator, and the cross wiring portions are odd numbers. In the IDT electrodes, the IDT electrodes arranged in the center are symmetrically formed, and the resistance generated by each cross wiring portion is substantially the same. The resistance and further the capacitance can be made substantially the same, the current flowing through the wiring is substantially the same, and the ripple in the passband can be greatly reduced. Therefore, it is possible to improve the insertion loss in the pass band. Furthermore, since the two-stage longitudinally coupled surface acoustic wave filters are connected in cascade, the amount of attenuation outside the passband can be greatly reduced.
また、本発明の弾性表面波装置は好ましくは、第1及び第2の弾性表面波素子は、弾性表面波共振子を介して不平衡信号端子に接続されていることにより、第1及び第2の弾性表面波素子の代わりに1つの弾性表面波素子を用いた従来の弾性表面波装置に対して、IDT電極の電気的な容量を同じとすれば、弾性表面波素子のIDT電極の交差幅を従来の弾性表面波共振子の半分にまで狭くすることができ、従来の弾性表面波素子と比べて抵抗損失を小さくすることができるので、弾性表面波装置の挿入損失を向上させることができる。また、弾性表面波共振子の両側に前記伝搬方向に直交する方向において並んで配置されているとともに、前記第1及び第2の弾性表面波共振子部の各IDT電極のバスバー電極に並列接続されているので、従来の弾性表面波装置と比べて抵抗損失を小さくすることができるので、弾性表面波装置の挿入損失を向上させることができる。 In the surface acoustic wave device according to the present invention, preferably, the first and second surface acoustic wave elements are connected to the unbalanced signal terminal via the surface acoustic wave resonator, whereby the first and second surface acoustic wave devices are provided. If the electric capacity of the IDT electrode is the same as that of the conventional surface acoustic wave device using one surface acoustic wave element instead of the surface acoustic wave element, the crossing width of the IDT electrode of the surface acoustic wave element Can be reduced to half that of a conventional surface acoustic wave resonator, and the resistance loss can be reduced as compared with the conventional surface acoustic wave element, so that the insertion loss of the surface acoustic wave device can be improved. . Further, the surface acoustic wave resonators are arranged side by side in a direction orthogonal to the propagation direction, and are connected in parallel to the bus bar electrodes of the IDT electrodes of the first and second surface acoustic wave resonator portions. Therefore, the resistance loss can be reduced as compared with the conventional surface acoustic wave device, so that the insertion loss of the surface acoustic wave device can be improved.
また、弾性表面波共振子介して、不平衡信号端子に第1及び第2の弾性表面波素子が並列接続されているので、従来の弾性表面波装置と比べて抵抗損失を小さくすることができるので、
また、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に、圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた5個以上の奇数個のIDT電極と、奇数個のIDT電極の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極とを有する弾性表面波素子が形成されており、弾性表面波素子は不平衡入力端子及び不平衡出力端子に接続されている弾性表面波装置であって、弾性表面波素子のIDT電極の不平衡入力端子側の接地用引き出し配線と、弾性表面波素子と不平衡入力端子とを接続した全ての信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差して配設された交差配線部をそれぞれ形成しているとともに、弾性表面波素子のIDT電極の不平衡出力端子側の接地用引き出し配線と、弾性表面波素子と不平衡出力端子とを接続した全ての信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差して配設された交差配線部をそれぞれ形成しており、交差配線部は、奇数個のIDT電極において中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているとともに、各々の交差配線部によって生じる抵抗が略同じであることにより、上記と同様に、交差配線部における抵抗、さらには容量を略同じとすることができ、配線を流れる電流が実質的に同じになり、通過帯域内のリップルを大幅に低減することができる。そのため、通過帯域内における挿入損失を向上させることができる。また、5個以上のIDT電極により弾性表面波素子が構成されていることにより、通過帯域おける帯域幅を広帯域化することができる。さらに、この構成により、弾性表面波素子間等に接地パッド電極を配置する必要がなくなり、さらには接地電極を1つにまとめることが可能となり、装置面積を極力低減して弾性表面波装置を小型化することが可能となる。
Further, since the first and second surface acoustic wave elements are connected in parallel to the unbalanced signal terminal via the surface acoustic wave resonator, the resistance loss can be reduced as compared with the conventional surface acoustic wave device. So
Further, the surface acoustic wave device according to the present invention includes five or more electrode fingers each having a plurality of long electrode fingers in a direction perpendicular to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate. A surface acoustic wave element having an odd number of IDT electrodes and reflector electrodes each provided on both sides of the odd number of IDT electrodes and provided with a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction is formed. The surface acoustic wave device is a surface acoustic wave device connected to an unbalanced input terminal and an unbalanced output terminal, and includes a ground lead wire on the unbalanced input terminal side of the IDT electrode of the surface acoustic wave device, and a surface acoustic wave device. And all signal lead-out wirings connected to the unbalanced input terminals form cross wiring portions arranged so as to cross each other through an insulator, and the IDT electrodes of the surface acoustic wave element are not connected. Connection on the balanced output terminal side The lead wire for wiring and all the signal lead wires connected to the surface acoustic wave element and the unbalanced output terminal respectively form a cross wiring portion arranged so as to cross each other through an insulator. The wiring portion is formed symmetrically around the IDT electrode arranged in the center in the odd number of IDT electrodes, and the resistance generated by each cross wiring portion is substantially the same, so that the same as above The resistance and the capacitance in the cross wiring portion can be made substantially the same, the current flowing through the wiring becomes substantially the same, and the ripple in the passband can be greatly reduced. Therefore, it is possible to improve the insertion loss in the pass band. Further, since the surface acoustic wave element is configured by five or more IDT electrodes, the bandwidth in the pass band can be widened. In addition, this configuration eliminates the need for ground pad electrodes between the surface acoustic wave elements and the like. Further, the ground electrodes can be combined into one, and the surface area of the surface acoustic wave device can be reduced by reducing the device area as much as possible. Can be realized.
本発明の通信装置は、上記本発明の弾性表面波装置を有する、受信回路及び送信回路の少なくとも一方を備えたことにより、従来より要求されていた厳しい挿入損失及び平衡度を満たすことができるものが得られ、消費電力が低減されかつ感度が格段に良好な通信装置を実現することができる。 The communication device according to the present invention includes the above-described surface acoustic wave device according to the present invention, and includes at least one of the reception circuit and the transmission circuit, thereby satisfying severe insertion loss and balance required conventionally. Thus, it is possible to realize a communication apparatus with reduced power consumption and extremely good sensitivity.
以下、本発明の弾性表面波装置の実施の形態について図面を参照にしつつ詳細に説明する。また、本発明の弾性表面波装置について、共振器型の弾性表面波フィルタを例にとり説明する。なお、以下に説明する図面において同一構成には同一符号を付すものとする。また、各電極の大きさや電極間の距離等、電極指の本数や間隔等については、説明のために模式的に図示している。 Embodiments of a surface acoustic wave device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. The surface acoustic wave device of the present invention will be described taking a resonator type surface acoustic wave filter as an example. In addition, in drawing demonstrated below, the same code | symbol shall be attached | subjected to the same structure. In addition, the number of electrodes and the distance between the electrodes, such as the size of each electrode and the distance between the electrodes, are schematically illustrated for the purpose of explanation.
図1に本発明の弾性表面波装置の電極構造について、実施の形態の1例の平面図を示す。図1に示すように、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上1に、圧電基板上1を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた3個以上の奇数個のIDT電極2〜4及び5〜7と、奇数個のIDT電極2〜4及び5〜7の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極8〜11とを有する第1及び第2の弾性表面波素子31,32が形成されており、第1及び第2の弾性表面波素子31,32は、不平衡信号端子(不平衡入(出)力端子)12に接続されているとともにそれぞれが平衡信号端子13,14に接続された弾性表面波装置であって、第1及び第2の弾性表面波素子31,32のIDT電極2〜7の平衡信号端子(平衡出(入)力端子)13,14側のバスバー電極に接続された接地用引き出し配線27,28と、第1及び第2の弾性表面波素子31,32と平衡信号端子13,14とを接続した全ての信号用引き出し配線19〜22とが、絶縁体15〜18を介して交差して配設された交差配線部23〜26をそれぞれ形成しており、交差配線部23〜26は、奇数個のIDT電極2〜4及び5〜7において中央に配設されたIDT電極3,6を中心に対称的に形成されているとともに、各々の交差配線部23〜26によって生じる抵抗が略同じである。
FIG. 1 shows a plan view of an example of an embodiment of an electrode structure of a surface acoustic wave device according to the present invention. As shown in FIG. 1, the surface acoustic wave device according to the present invention has a long electrode finger in a direction perpendicular to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the
これにより、交差配線部23〜26における抵抗、さらには容量を略同じとすることができ、配線を流れる電流が実質的に同じになり、通過帯域内のリップルを大幅に低減することができる。そのため、通過帯域内における挿入損失を向上させることができる。
As a result, the resistance and capacitance of the
本発明において、交差配線部23〜26によって生じる抵抗は1.5Ω程度以下であり、1.5Ωを超えると、抵抗の増大によって信号の損失が大きくなる。また、交差配線部23〜26によって生じる抵抗は略同じであるが、交差配線部23の抵抗と交差配線部24の抵抗との差、及び交差配線部25の抵抗と交差配線部26の抵抗との差は、10%以下であればよい。10%を超えると、2つの平衡出(入)力信号の振幅の差が大きくなって振幅平衡度が劣化し易くなる。
In the present invention, the resistance generated by the
また、交差配線部23〜26には電気的な容量も生じており、その値は0.1pF程度以下であり、交差配線部23〜26によって生じるそれぞれの容量も略同じである。交差配線部23の容量と交差配線部24の容量との差、及び交差配線部25の容量と交差配線部26の容量との差は、10%以下であればよい。10%を超えると、2つの平衡出(入)力信号の所定の位相差(位相差180°)からのずれが大きくなって位相平衡度が劣化し易くなる。
Further, electrical capacitance is also generated in the
また、交差配線部23,24及び25,26は、奇数個のIDT電極2〜4及び5〜7において中央に配設されたIDT電極3,6を中心に対称的に形成されているが、例えば、IDT電極3,6のそれぞれの弾性表面波の伝搬方向に直交する方向に平行な中心軸、換言すれば電極指の長手方向に平行な中心軸に関して、線対称に形成されている。
The
本発明の絶縁体15〜18としては、酸化シリコン,ポリイミド系樹脂,アクリル系レジスト等を用いることがよい。これにより、接地用引き出し配線27と信号用引き出し配線19,20との間の絶縁性、及び接地用引き出し配線28と信号用引き出し配線21,22との間の絶縁性を、良好に保つことができる。
As the
絶縁体15〜18の厚みは1.0μm〜10.0μm程度がよく、1.0μm未満では、配線間の絶縁性を確保することが難しくなり、10.0μmを超えると、配線の断線の発生を抑制することが難しくなって弾性表面波装置の信頼性が低下し易くなる。
The thickness of the
また、絶縁体15〜18は、ビルドアップ法等の方法で形成される。絶縁体15〜18を形成する際に、複数の絶縁層を積層させた構成としてもよい。
The
また、絶縁体15〜18中にアルミナセラミックス等からなる絶縁体粒子や銀等からなる金属粒子を混入させることによって、あるいは絶縁体15〜18を多数の気泡が形成された多孔質体とすることによって、絶縁体15〜18の誘電率を所望のものに調整することができる。
Further, by mixing insulator particles made of alumina ceramic or the like or metal particles made of silver or the like into the
なお、交差配線部23〜26は、例えば以下のようにして形成する。まず、圧電基板1の主面上に、IDT電極2〜7や反射器電極8〜11の各電極となる金属層の成膜を行う。金属層の成膜にはスパッタリング装置を使用し、金属層の材料としてAl(99質量%)−Cu(1質量%)合金等を用いる。次に、金属層上にフォトレジストを0.5μm程度の厚みにスピンコートし、縮小投影露光装置(ステッパー)により、所望形状にパターニングを行い、現像装置にて不要部分のフォトレジストをアルカリ現像液で溶解させ、所望パターンを表出させる。その後、RIE装置により金属層のエッチングを行い、パターニングを終了し、弾性表面波装置を構成する各電極パターンを得る。この後、電極の所定領域上に保護膜及び絶縁体15〜18を形成する。即ち、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置により、各電極パターン及び圧電基板1上に保護膜及び絶縁体15〜18となるSiO2膜を1.0μm程度の厚みで形成する。さらに、フォトリソグラフィによりパターニングを行い、RIE装置等により絶縁体15〜18以外の箇所のSiO2膜をエッチングして、膜厚を0.2μm程度までに調整加工する。その後、スパッタリング装置を使用し、Al−Cu合金にて信号用引き出し電極19〜22を成膜する。これにより、交差配線部23〜26を有する弾性表面波装置が作製される。
The
また、絶縁体15〜18としてポリイミド系樹脂等の樹脂を用いる場合、例えば、各電極パターン及び圧電基板1上に保護膜となるSiO2膜を0.01μm程度の厚みで形成し、そのSiO2膜上に絶縁体15〜18となる樹脂層を2〜3μm程度の厚みにスピンコートし、フォトリソグラフィによりパターニングを行い、RIE装置等により絶縁体15〜18以外の箇所の樹脂層を除去して、SiO2膜及び樹脂層が積層されて成る絶縁体15〜18を形成する。
When a resin such as a polyimide resin is used as the
また、図2に本発明の弾性表面波装置の電極構造について、実施の形態の他例の平面図を示す。図2に示すように、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上1に、圧電基板1上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた3個以上の奇数個のIDT電極2〜4及び5〜7と、奇数個のIDT電極2〜4及び5〜7の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極8〜11とを有する第1及び第2の弾性表面波素子31,32が形成されており、第1及び第2の弾性表面波素子31,32は、不平衡信号端子12に接続されているとともに、第1及び第2の弾性表面波素子31,32の各後段に平衡信号端子13,14に接続された弾性表面波共振子34,35が接続されている弾性表面波装置であって、第1及び第2の弾性表面波素子31,32のIDT電極の弾性表面波共振子34,35側のバスバー電極に接続された接地用引き出し配線27,28と、第1及び第2の弾性表面波素子31,32と弾性表面波共振子34,35とを接続した全ての信号用引き出し配線23〜26とが、絶縁体15〜18を介して交差して配設された交差配線部19〜22をそれぞれ形成しており、交差配線部19〜22は、奇数個のIDT電極2〜4及び5〜7において中央に配設されたIDT電極3,6を中心に対称的に形成されているとともに、各々の交差配線部19〜22によって生じる抵抗が略同じである。
FIG. 2 shows a plan view of another example of the embodiment of the electrode structure of the surface acoustic wave device of the present invention. As shown in FIG. 2, the surface acoustic wave device of the present invention has a long electrode finger in a direction orthogonal to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the
これにより、配線を流れる電流が実質的に同じになり、通過帯域内のリップルを大幅に低減することができる。そのため、通過帯域内における挿入損失を向上させることができる。さらに、交差配線部19〜22が、奇数個のIDT電極2〜4及び5〜7において中央に配設されたIDT電極3,6を中心に対称的に形成されているので、弾性表面波装置の等価回路上導入される抵抗及び容量を、第1の弾性表面波素子31及び第2の弾性表面波素子32において、微妙かつ高精度に調整することが可能となり、振幅平衡度及び位相平衡度を向上させることができる。
As a result, the current flowing through the wiring is substantially the same, and the ripple in the passband can be greatly reduced. Therefore, it is possible to improve the insertion loss in the pass band. Further, since the
また、図3に本発明の弾性表面波装置の好適な電極構造について、実施の形態の他例の平面図を示す。図3に示すように、本発明の弾性表面波装置は、図2の構成において、弾性表面波共振子34,35の後段に、さらに第3及び第4の弾性表面波素子36,37が接続されており、第3及び第4の弾性表面波素子36,37のIDT電極の弾性表面波共振子34,35側のバスバー電極に接続された接地用引き出し配線27a,28aと、弾性表面波共振子34,35と第3及び第4の弾性表面波素子36,37とを接続した全ての信号用引き出し配線23a〜26aとが、絶縁体15a〜18aを介して交差して配設された交差配線部19a〜22aをそれぞれ形成しており、交差配線部19a〜22aは、奇数個のIDT電極2a〜4a及び5a〜7aにおいて中央に配設されたIDT電極3a,6aを中心に対称的に形成されているとともに、各々の交差配線部19a〜22aによって生じる抵抗が略同じであることにより、上記と同様に、交差配線部19a〜22aにおける抵抗、さらには容量を略同じとすることができ、配線を流れる電流が実質的に同じになり、通過帯域内のリップルを大幅に低減することができる。そのため、通過帯域内における挿入損失を向上させることができる。さらに、通過帯域外減衰量を大幅に低減することができる。なお、第3及び第4の弾性表面波素子36,37において、8a〜11aは反射器電極である。
FIG. 3 shows a plan view of another example of the preferred embodiment of the electrode structure of the surface acoustic wave device of the present invention. As shown in FIG. 3, in the surface acoustic wave device of the present invention, in the configuration of FIG. 2, third and fourth surface
また、図4に本発明の弾性表面波装置の電極構造について、実施の形態の他例の平面図を示す。図4に示すように、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板1上に、圧電基板1上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた3個以上の奇数個のIDT電極2〜4及び5〜7と、奇数個のIDT電極2〜4及び5〜7の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極8〜11とを有する第1及び第2の弾性表面波素子31,32が形成されており、第1及び第2の弾性表面波素子31,32は、不平衡信号端子12に接続されているとともに、第1及び第2の弾性表面波素子31,32の各後段に、平衡信号端子13,14にそれぞれ接続された第3及び第4の弾性表面波素子36,37が接続されている弾性表面波装置であって、第1及び第2の弾性表面波素子31,32のIDT電極の第3及び第4の弾性表面波素子36,37側のバスバー電極に接続された接地用引き出し配線27,28、及び第3及び第4の弾性表面波素子36,37のIDT電極2a〜7aの第1及び第2の弾性表面波素子31,32側のバスバー電極に接続された接地用引き出し配線27a,28aと、第1及び第2の弾性表面波素子31,32と第3及び第4の弾性表面波素子36,37とを接続した全ての信号用引き出し配線23〜26とが、絶縁体15〜18,15a〜18aを介して交差して配設された交差配線部19〜22,19a〜22aをそれぞれ形成しており、交差配線部19〜22,19a〜22aは、奇数個のIDT電極2〜4及び5〜7(2a〜4a及び5a〜7a)において中央に配設されたIDT電極3,6,3a,6aを中心に対称的に形成されているとともに、各々の交差配線部19〜22,19a〜22aによって生じる抵抗が略同じである。なお、第3及び第4の弾性表面波素子36,37において、8a〜11aは反射器電極である。
FIG. 4 shows a plan view of another example of the embodiment of the electrode structure of the surface acoustic wave device of the present invention. As shown in FIG. 4, the surface acoustic wave device of the present invention has a long electrode finger on the
上記の構成により、上述したように、交差配線部19〜22,19a〜22aにおける抵抗、さらには容量を略同じとすることができ、配線を流れる電流が実質的に同じになり、通過帯域内のリップルを大幅に低減することができる。そのため、通過帯域内における挿入損失を向上させることができる。さらに、2段の縦結合弾性表面波フィルタが縦続接続されていることにより、通過帯域外減衰量を大幅に低減することができる。
With the above configuration, as described above, the resistance and the capacitance of the
また、図5に本発明の弾性表面波装置の好適な電極構造について、実施の形態の他例の平面図を示す。図5に示すように、第1及び第2の弾性表面波素子31,32は、弾性表面波共振子38を介して不平衡信号端子12に接続されている。これにより、弾性表面波素子38のIDT電極の交差幅を従来の弾性表面波素子の半分まで狭くすることができ、従来の弾性表面波素子と比べて抵抗損失を小さくすることができるので、弾性表面波装置の挿入損失を向上させることができる。また、弾性表面波共振子38を介して、第1及び第2の弾性表面波素子31,32がそれらの各IDT電極のバスバー電極において並列接続されているので、従来の弾性表面波装置と比べて抵抗損失を小さくすることができるので、弾性表面波装置の挿入損失を向上させることができる。
FIG. 5 shows a plan view of another example of the preferred embodiment of the electrode structure of the surface acoustic wave device of the present invention. As shown in FIG. 5, the first and second surface
また、図6に本発明の弾性表面波装置の電極構造について、実施の形態の他例の平面図を示す。図6に示すように、圧電基板1上に、圧電基板1上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた5個以上の奇数個のIDT電極51〜55と、奇数個のIDT電極51〜55の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極61,62とを有する弾性表面波素子39が形成されており、弾性表面波素子39は不平衡入力端子12及び不平衡出力端子13に接続されている弾性表面波装置であって、弾性表面波素子39のIDT電極の不平衡入力端子12側の接地用引き出し配線70と、弾性表面波素子39と不平衡入力端子12とを接続した全ての信号用引き出し配線44〜46とが、絶縁体41〜43を介して交差して配設された交差配線部47〜49をそれぞれ形成しているとともに、弾性表面波素子39のIDT電極51〜55の不平衡出力端子13側の接地用引き出し配線71と、弾性表面波素子39と不平衡出力端子13とを接続した全ての信号用引き出し配線19,20とが、絶縁体15,16を介して交差して配設された交差配線部23,24をそれぞれ形成しており、交差配線部23,24は、奇数個のIDT電極51〜55において中央に配設されたIDT電極53を中心に対称的に形成されているとともに、各々の交差配線部23,24,47〜49によって生じる抵抗が略同じである。
FIG. 6 shows a plan view of another example of the embodiment of the electrode structure of the surface acoustic wave device of the present invention. As shown in FIG. 6, on the
上記の構成により、上述したように、交差配線部23,24及び47〜49における抵抗、さらには容量を略同じとすることができ、配線を流れる電流が実質的に同じになり、通過帯域内のリップルを大幅に低減することができる。そのため、通過帯域内における挿入損失を向上させることができる。また、5個以上のIDT電極により弾性表面波素子が構成されていることにより、通過帯域おける帯域幅を広帯域化することができる。
With the above configuration, as described above, the resistance and capacitance of the
さらに、この構成により、弾性表面波素子と端子との間に接地パッド電極を配置する必要がなくなり、さらには接地電極を1つにまとめることが可能となり、装置面積を極力低減して弾性表面波装置を小型化することが可能となる。 In addition, this configuration eliminates the need for a ground pad electrode between the surface acoustic wave element and the terminal, and further enables the ground electrode to be integrated into one, reducing the device area as much as possible to reduce the surface acoustic wave. The apparatus can be miniaturized.
なお、各図において、IDT電極、反射器電極、弾性表面波素子等の電極指の本数は数本〜数100本にも及ぶので、簡単のため、図においてはそれら形状を簡略化して図示している。 In each figure, the number of electrode fingers such as IDT electrodes, reflector electrodes, surface acoustic wave elements, etc. ranges from several to several hundreds. For simplicity, these figures are simplified in the figure. ing.
また、弾性表面波装置用の圧電基板1としては、36°±3°YカットX伝搬タンタル酸リチウム単結晶、42°±3°YカットX伝搬タンタル酸リチウム単結晶、64°±3°YカットX伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、41°±3°YカットX伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、45°±3°XカットZ伝搬四ホウ酸リチウム単結晶が電気機械結合係数が大きく、かつ、周波数温度係数が小さいため圧電基板1として好ましい。また、これらの焦電性圧電単結晶のうち、酸素欠陥やFe等の固溶により焦電性を著しく減少させた圧電基板1であれば、デバイスの信頼性上良好である。圧電基板1の厚みは0.1〜0.5mm程度がよく、0.1mm未満では圧電基板1が脆くなり、0.5mm超では材料コストと部品寸法が大きくなり使用に適さない。
As the
また、IDT電極2〜7及び反射器電極8〜11等は、AlもしくはAl合金(Al−Cu系、Al−Ti系)からなり、蒸着法、スパッタリング法またはCVD法等の薄膜形成法により形成する。電極厚みは0.1〜0.5μm程度とすることが弾性表面波装置(弾性表面波フィルタ)としての特性を得る上で好適である。
The
さらに、本発明に係る弾性表面波装置の各電極及び圧電基板1上の弾性表面波の伝搬部に、SiO2,SiNx,Si,Al2O3を保護膜として形成して、導電性異物による通電防止や耐電力向上を図ることもできる。
Furthermore, SiO 2 , SiN x , Si, Al 2 O 3 is formed as a protective film on each electrode of the surface acoustic wave device according to the present invention and the surface acoustic wave propagating portion on the
また、本発明の弾性表面波装置を通信装置に適用することができる。即ち、少なくとも受信回路及び送信回路の一方を備え、これらの回路に含まれるバンドパスフィルタとして用いる。例えば、送信回路から出力された送信信号をミキサでキャリア周波数にのせて、不要信号をバンドパスフィルタで減衰させ、その後、パワーアンプで送信信号を増幅して、デュプレクサを通ってアンテナより送信することができる送信回路を備えた通信装置、または、受信信号をアンテナで受信し、デュプレクサを通った受信信号をローノイズアンプで増幅し、その後、バンドパスフィルタで不要信号を減衰して、ミキサでキャリア周波数から信号を分離し、この信号を取り出す受信回路へ伝送するような受信回路を備えた通信装置に適用可能である。従って、本発明の弾性表面波装置を採用すれば、弾性表面波装置の挿入損失が改善されるため、消費電力が低減され感度が格段に良好な優れた通信装置を提供できる。 In addition, the surface acoustic wave device of the present invention can be applied to a communication device. That is, at least one of a receiving circuit and a transmitting circuit is provided and used as a bandpass filter included in these circuits. For example, the transmission signal output from the transmission circuit is put on the carrier frequency by the mixer, the unnecessary signal is attenuated by the band pass filter, and then the transmission signal is amplified by the power amplifier and transmitted from the antenna through the duplexer. A communication device equipped with a transmission circuit capable of receiving signals or receiving a received signal with an antenna, amplifying the received signal that has passed through the duplexer with a low-noise amplifier, and then attenuating an unnecessary signal with a band-pass filter, and a carrier frequency with a mixer Can be applied to a communication apparatus including a receiving circuit that separates a signal from the signal and transmits the signal to a receiving circuit that extracts the signal. Accordingly, when the surface acoustic wave device of the present invention is employed, the insertion loss of the surface acoustic wave device is improved, and therefore an excellent communication device with reduced power consumption and remarkably good sensitivity can be provided.
なお、上述した実施の形態の説明では、簡単のために圧電基板1上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、この伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を多数本有する3つのIDT電極を配設した例を示したが、これに限定されるものではなく、IDT電極を5つ以上の奇数個配設するようにしてもよく、その他の構成においても、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更することは可能である。
In the description of the above-described embodiment, for the sake of simplicity, there are many electrode fingers that are long in the direction orthogonal to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the
1:圧電基板
2〜7:IDT電極
8〜11:反射器電極
12:不平衡信号端子(不平衡入(出)力端子)
13,14:平衡信号端子(平衡出(入)力端子)
15〜18:絶縁体
19〜22:信号用引き出し配線
27,28:接地用引き出し配線
31:第1の弾性表面波素子
32:第2の弾性表面波素子
36:第3の弾性表面波素子
37:第4の弾性表面波素子
34,35,38:弾性表面波共振子
1: Piezoelectric substrate 2-7: IDT electrodes 8-11: Reflector electrode 12: Unbalanced signal terminal (unbalanced input (out) force terminal)
13, 14: balanced signal terminal (balanced output (input) force terminal)
15-18: Insulators 19-22: Signal lead-
Claims (3)
前記第1及び第2の弾性表面波素子のそれぞれに電気的に接続された不平衡信号端子と、
前記不平衡信号端子との間に前記第1の弾性表面波素子が介在する位置に配設され、前記第1の弾性表面波素子に電気的に接続された第1の平衡信号端子と、
前記不平衡信号端子との間に前記第2の弾性表面波素子が介在する位置に配設され、前記第2の弾性表面波素子に電気的に接続された第2の平衡信号端子と、
前記第1の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の前記第1の平衡信号端子側のバスバー電極に接続された第1の接地用引き出し配線と、
前記第1の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の一方隣に配設されたIDT電極と前記第1の平衡信号端子とを電気的に接続するための第1の信号用引き出し配線と、
前記第1の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の他方隣に配設されたIDT電極と前記第1の平衡信号端子とを電気的に接続するための第2の信号用引き出し配線と、
前記第1の接地用引き出し配線と前記第1の信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差する部分である第1の交差配線部と、
前記第1の接地用引き出し配線と前記第2の信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差する部分である第2の交差配線部と、
前記第2の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の前記第2の平衡信号端子側のバスバー電極に接続された第2の接地用引き出し配線と、
前記第2の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の一方隣に配設されたIDT電極と前記第2の平衡信号端子とを電気的に接続するための第3の信号用引き出し配線と、
前記第2の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の他方隣に配設されたIDT電極と前記第2の平衡信号端子とを電気的に接続するための第4の信号用引き出し配線と、
前記第2の接地用引き出し配線と前記第3の信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差する部分である第3の交差配線部と、
前記第2の接地用引き出し配線と前記第4の信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して
交差する部分である第4の交差配線部と、を備えた弾性表面波装置であって、
前記第1の交差配線部と前記第2の交差配線部とは、前記第1の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているとともに、前記第1の交差配線部と前記第2の交差配線部とによって生じる抵抗及び容量が略同じであり、
前記第3の交差配線部と前記第4の交差配線部とは、前記第2の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているとともに、前記第3の交差配線部と前記第4の交差配線部とによって生じる抵抗及び容量が略同じであり、
前記絶縁体は、SiO2膜と、該SiO2膜に積層されたポリイミド系の樹脂からなる樹脂層とからなることを特徴とする弾性表面波装置。 Three IDT electrodes each provided with a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate on the piezoelectric substrate, and the three IDT electrodes First and second surface acoustic wave elements each having a reflector electrode provided with a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction,
An unbalanced signal terminal electrically connected to each of the first and second surface acoustic wave elements;
A first balanced signal terminal disposed at a position where the first surface acoustic wave element is interposed between the unbalanced signal terminal and electrically connected to the first surface acoustic wave element;
A second balanced signal terminal disposed at a position where the second surface acoustic wave element is interposed between the unbalanced signal terminal and electrically connected to the second surface acoustic wave element;
A first grounding lead wire connected to the bus bar electrode on the first balanced signal terminal side of the IDT electrode disposed in the center among the three IDT electrodes of the first surface acoustic wave element;
Of the three IDT electrodes of the first surface acoustic wave element, the IDT electrode disposed adjacent to one of the IDT electrodes disposed in the center is electrically connected to the first balanced signal terminal. First signal lead-out wiring for
Of the three IDT electrodes of the first surface acoustic wave element, the IDT electrode disposed adjacent to the other of the IDT electrodes disposed in the center is electrically connected to the first balanced signal terminal. A second signal lead-out wiring for
A first cross wiring portion that is a portion where the first ground lead wire and the first signal lead wire intersect via an insulator;
A second cross wiring portion, which is a portion where the first ground lead wire and the second signal lead wire intersect via an insulator;
A second grounding lead wire connected to the bus bar electrode on the second balanced signal terminal side of the IDT electrode disposed in the center among the three IDT electrodes of the second surface acoustic wave element;
Of the three IDT electrodes of the second surface acoustic wave element, the IDT electrode disposed adjacent to one of the IDT electrodes disposed in the center is electrically connected to the second balanced signal terminal. A third signal lead-out wiring for
Of the three IDT electrodes of the second surface acoustic wave element, the IDT electrode disposed adjacent to the other of the IDT electrodes disposed in the center is electrically connected to the second balanced signal terminal. A fourth signal lead-out wiring for
A third cross wiring portion, which is a portion where the second ground lead wire and the third signal lead wire intersect via an insulator;
A surface acoustic wave device comprising: a fourth cross wiring portion, which is a portion where the second ground lead wire and the fourth signal lead wire intersect via an insulator,
The first cross wiring portion and the second cross wiring portion are formed symmetrically around an IDT electrode disposed in the center of the three IDT electrodes of the first surface acoustic wave element. And the resistance and capacitance generated by the first cross wiring portion and the second cross wiring portion are substantially the same,
The third cross wiring portion and the fourth cross wiring portion are formed symmetrically around an IDT electrode disposed in the center of the three IDT electrodes of the second surface acoustic wave element. And the resistance and capacitance generated by the third cross wiring portion and the fourth cross wiring portion are substantially the same,
The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the insulator includes a SiO 2 film and a resin layer made of a polyimide resin laminated on the SiO 2 film.
前記第3の信号用引き出し配線及び前記第4の信号用引き出し配線は、第2の弾性表面波共振子を介して前記第2の平衡信号端子に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波装置。 The first signal lead-out wiring and the second signal lead-out wiring are connected to the first balanced signal terminal via a first surface acoustic wave resonator,
2. The third signal lead-out line and the fourth signal lead-out line are connected to the second balanced signal terminal via a second surface acoustic wave resonator. A surface acoustic wave device according to claim 1.
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Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0746698B2 (en) * | 1985-05-23 | 1995-05-17 | 日本電信電話株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
JPH03188163A (en) * | 1989-12-15 | 1991-08-16 | Toray Ind Inc | Photosensitive polyimide composition |
JPH04311059A (en) * | 1991-04-09 | 1992-11-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Decreasing method of wiring capacity |
JPH05167387A (en) * | 1991-12-12 | 1993-07-02 | Fujitsu Ltd | Surface acoustic wave device |
JPH0730362A (en) * | 1993-07-13 | 1995-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | Surface acoustic wave device |
JP3239064B2 (en) * | 1996-05-28 | 2001-12-17 | 富士通株式会社 | Surface acoustic wave device |
JPH104087A (en) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Sony Corp | Semiconductor device and manufacture thereof |
JP3745847B2 (en) * | 1996-10-31 | 2006-02-15 | エプソントヨコム株式会社 | Structure of dual mode SAW filter |
JP2000049558A (en) * | 1998-07-24 | 2000-02-18 | Seiko Epson Corp | Surface acoustic wave filter |
JP2000114375A (en) * | 1998-10-09 | 2000-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JP4259673B2 (en) * | 1999-06-01 | 2009-04-30 | パナソニック株式会社 | Circuit board and manufacturing method thereof |
JP2003069383A (en) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Murata Mfg Co Ltd | Surface acoustic wave filter |
JP4222197B2 (en) * | 2003-02-24 | 2009-02-12 | 株式会社村田製作所 | Surface acoustic wave filter, communication device |
JP4403819B2 (en) * | 2004-02-09 | 2010-01-27 | 株式会社村田製作所 | Manufacturing method of electronic parts |
WO2006003787A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Balance type elastic wave filter and elastic wave filter device |
WO2006009021A1 (en) * | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic surface wave device |
JP2006080873A (en) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | Surface acoustic wave device and communication apparatus comprising the same |
JP2006186331A (en) * | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
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