JP4378561B2 - Electromagnetic wave shielding transparent sheet and manufacturing method thereof - Google Patents

Electromagnetic wave shielding transparent sheet and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP4378561B2
JP4378561B2 JP2002254518A JP2002254518A JP4378561B2 JP 4378561 B2 JP4378561 B2 JP 4378561B2 JP 2002254518 A JP2002254518 A JP 2002254518A JP 2002254518 A JP2002254518 A JP 2002254518A JP 4378561 B2 JP4378561 B2 JP 4378561B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive pattern
metal layer
electromagnetic wave
layer
wave shielding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002254518A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2004095829A (en
Inventor
茂憲 樹山
淳 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gunze Ltd
Original Assignee
Gunze Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gunze Ltd filed Critical Gunze Ltd
Priority to JP2002254518A priority Critical patent/JP4378561B2/en
Publication of JP2004095829A publication Critical patent/JP2004095829A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4378561B2 publication Critical patent/JP4378561B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、改良された電磁波シールド透明シートとその製造方法に関する。特にプラズマディスプレイ(PDP)等の電子情報機器に対する電磁波シールド透明シートに関する。
【0002】
【従来の技術】
各種電子情報機器から発せられる電磁波、逆に他界から受ける電磁波は、該機器の誤動作を招く要因として問題になっている。
【0003】
これら電磁波による機器障害を防止する対策については、既に種々の手段が提案され、また実施されてきている。例えば、プラズマディスプレイ等の電子情報機器においては、特にその内部から画面を通して発せられる電磁波が障害になることから、一般にその画面に電磁波シールド材を装填するという方法がとられる。このような場合、該シールド材は不透明であってはならず、透明であってかつ電磁波を有効にシールドするものが求められる。
【0004】
従来、透明性を有する電磁波シールド部材としては、透明基体上に厚さ10〜40μmの銅箔を貼合し、次いでフォトリソグラフィ法によりパターニングした後、エッチング除去し、該シート上にパターンを形成したシールド部材等が提案されていた。
【0005】
しかしながら、上記のような厚みの銅箔は、シールド特性は良好であるが、パターンの細線化には限界があり、また、全体の透明性及び視認性の低下等の問題もあった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明は、良好な透明性及びシールド特性を有し、かつ細線加工性に優れた電磁波シールド透明シートを提供することを主な目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記のような問題点を解決することを主な目的として、鋭意検討を行った。その結果、金属層の厚み、線幅、ピッチ幅、並びに、線幅とピッチ幅の比を特定の範囲に設定することによって、透明性及びシールド特性に優れ、且つ、細線加工性に優れた電磁波シールド透明シートが得られることを見出し、更に検討を重ねて、本発明を完成するに到った。
【0008】
即ち、本発明は次の事項に係る。
1.透明基体上に、金属層からなる導電パターンを有する電磁波シールド透明シートであって、且つ、金属層の厚みが0.01〜1μmである電磁波シールド透明シート。
2.導電パターンの線幅(a)が1〜10μmである1に記載の電磁波シールド透明シート。
3.導電パターンのピッチ幅(b)が5〜200μmである1又は2のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。
4.導電パターンの線幅に対するピッチ幅の比(b/a)が5〜40である1〜3のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。
5.導電パターンの開口率が64〜95%である1〜4のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。
6.シート抵抗値が0.08〜50Ω/□である1〜5のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。
7.次の(イ)〜(ニ)に記載する工程を順次行うことによって得られる1〜6のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。
(イ)透明基体の片面に、薄膜形成手段により、金属層を形成する工程、
(ロ)前記金属層をフォトリソグラフィ法により現像して、非導電パターン部分を露出する工程、
(ハ)非導電パターン部分を化学エッチングして、金属層を溶解除去する工程、
(ニ)導電パターンの残存レジストを剥離除去する工程。
8. 次の(イ)〜(ニ)に記載する工程を順次行うことを特徴とする電磁波シールド透明シートの製造方法。
(イ)透明基体の片面に、薄膜形成手段により、厚さ0.01〜1μmの金属層を形成する工程、
(ロ)前記金属層をフォトリソグラフィ法により現像して、非導電パターン部分を露出する工程、
(ハ)非導電パターン部分を化学エッチングして、金属層を溶解除去する工程、
(ニ)導電パターンの残存レジストを剥離除去する工程。
9.(i)1〜7のいずれかに記載の電磁波シールド透明シートからなるシールド層、(ii)反射防止層、及び(iii)近赤外線カット層を有する複合シート。
【0009】
【発明の実施の態様】
以下、本発明について、具体的に説明する。
【0010】
導電パターン
導電パターンは、ある形状を有する開口部が縦横連続して繰り返した幾何学的形状からなるものであって、導電性金属からなる金属層を有する。
【0011】
開口部の形状は特に制限されることはなく、例えば、正方形、長方形、3又は5〜10の正多角形、円形、菱形等が挙げられる。このうち、正方形の形状のものが、透過率とシールド性能を両立し易く好ましい。
【0012】
ここで、本発明における線幅、ピッチ幅、線幅に対するピッチ幅の比、及び、開口率について、正方形の格子パターンの場合を例として、図1を用いて、説明する。
【0013】
図1において、開口部Bは、該銅パターンの1個を構成単位とするAによって形成されている。aは線幅であって、構成単位Aの一辺を形成する線の幅を示す。bは、ピッチ幅であって、構成単位Aの一辺の長さを示す。線幅に対するピッチ幅の比は、b/aで表される。
【0014】
開口率(%)と、線幅及びピッチ幅は、次の数1の関係にある。
【0015】
数1:開口率(%)=100×(b−a)2/b2
本発明において、導電パターンの線幅(a)は、1〜10μm、好ましくは、1〜7μm、更に好ましくは2〜5μmである。線幅が大きすぎる場合には、モアレ干渉および光線透過率の点で好ましくなく、小さすぎる場合には、シールド特性の点で好ましくない。
【0016】
導電パターンのピッチ幅(b)は、5〜200μm、好ましくは、5〜150μm、更に好ましくは10〜100μmである。ピッチ幅が大きすぎる場合には、シールド特性の点で好ましくなく、小さすぎる場合には、光線透過率の点で好ましくない。
【0017】
導電パターンの線幅に対するピッチ幅の比(b/a)は、5〜40、好ましくは、10〜30、更に好ましくは15〜25である。線幅に対するピッチ幅の比が大きすぎる場合には、シールド特性の点で好ましくなく、小さすぎる場合には、モアレ干渉および光線透過率の点で好ましくない。
【0018】
また、導電パターンの開口率は、64〜95%、好ましくは、75〜95%、更に好ましくは85〜95%である。開口率が大きすぎる場合には、シールド性能の点で好ましくなく、小さすぎる場合には、光線透過率の点で好ましくない。
【0019】
金属層
本発明における金属層の厚さは、0.01〜1μm、好ましくは、0.05〜0.5μm、更に好ましくは0.05〜0.1μmである。厚すぎる場合には、細線化のパターニングを実施する上で好ましくない。また薄すぎる場合には、シールド性能の点で好ましくない。
【0020】
本発明においては、金属層の厚さが従来のものより薄いことから、パターンの細線化が可能となり、モアレ干渉の軽減および消失という利点を有する。
【0021】
金属層の材質としては、導電性金属として使用可能なものであれば、特に限定されることはなく、例えば、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル、錫、クロム又はそれらの合金等が挙げられる。このうち、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル又はそれらの合金が好ましく、特に、銅又はその合金が好ましい。
【0022】
銅については可能な限り純銅であることが好ましい。またその合金については、銅を主体とした合金であって、例えばCu/Zn(黄銅)、Cu/Sn(青銅)、Cu/Al、Cu/Ni、Cu/Pd、リン青銅、Cu/Be等の合金を好適に使用することができる。
【0023】
また、金属層は、金属の単一層のみからなるものだけでなく、積層化されたものでもよい。例えばクロム+銅あるいはクロム+銅+クロムといった構成の2層、3層又は多層化された層等を例示することができる。この際、最外層に配置される金属層においては、視認性を良好に保つために、白色から黒系統色に色補正する機能あるいは中間層の耐環境に対する保護膜機能などを有する金属を選択することが好ましい。
【0024】
透明基体
透明基体の形状は、使用される用途に応じて適宜設定することができる。通常平面状のシートとして用いられるが、用途によっては、曲折形状であってもよく、また、フィルムや板として用いてもよい。透明基体の厚さは、通常0.05〜5mm程度、好ましくは、0.1〜0.3mm程度である。
【0025】
透明基体の材質としては、ガラス等の無機物、ポリメチルメタアクリレート、ポリスチレン又はスチレンとアクリロニトリル又はメチルメタアクリレートとの共重合体、ポリ(4−メチルペンテン−1)、ポリプロピレンとかシクロペンテン、ノルボルネン、テトラシクロドデカン等の環状オレフィンモノマーによる単独又はエチレン等の共重合による非晶性環状オレフィンポリマー、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、各種液晶性ポリマー等の熱可塑性樹脂、アクリル系、ウレタン系、エポキシ系、シリコーン系の熱硬化性透明樹脂等が挙げられる。これらは2種以上を併用して用いてもよい。
【0026】
前記透明基体に何を選択するかは、種々の用途に応じ適宜設定することができるが、全光線透過率が50%以上、好ましくは70%以上、更に好ましくは90%以上であるものがよい。この値が大きい程、透明で視認性に優れていることを意味する。また、耐熱性、耐侯性、非収縮性、そして機械的強度、耐薬品性等に優れるものが好ましい。
【0027】
電磁波シールド透明シート
本発明の電磁波シールド透明シートのシート抵抗値は、0.08〜50Ω/□、好ましくは、0.4〜10Ω/□、更に好ましくは0.6〜6Ω/□である。
【0028】
シート抵抗値が大きすぎる場合には、シールド特性の点で好ましくない。
【0029】
ここで、シート抵抗値について、図2を用いて説明する。金属層全面のシート抵抗値(Rs)は、次式により、求められる。ρvは体積固有抵抗、tは、金属層の膜厚である。
【0030】
数2:Rs=ρv/t
次に、パターン形成後のシート抵抗値を求めるにあたり、抵抗値r(Ω)を有する図2に示されるような構成単位で考える。例えば、この構成単位が2×2より構成されるパターンを有するシート抵抗値R(Ω/□)は、縦方向の抵抗が等電位(例えばAB間およびBC間には電流が流れない)と考えられるので無視でき、2×2等価回路の合成抵抗より求められる。つまり、R(Ω/□)=r(Ω)の関係式が成り立つ。この関係式は、構成単位をn×nに広げても成り立つ。このr(Ω)は、パターンのピッチ幅b、線幅aおよび上記金属層全面のシート抵抗値Rsより数3の関係より求められる。
【0031】
数3:r=Rs×(b/a)
最終的にパターン形成後のシート抵抗値Rは、R(Ω/□)=Rs×(b/a)より求められる。参考にパターンを45°傾けた場合も下図構成単位から、等価回路によりR=rの関係式が求められる。特性値として、シート抵抗値を必要とする場合、パターンを形成する前の基材のシート抵抗値および設計する線幅およびピッチ幅により任意にパターン形成後のシート抵抗を設計することが出来る。
【0032】
金属の体積固有抵抗値(ρv)は、具体的には、クロム12.9×10-6Ωcm、ニッケル6.84×10-6Ωcm、錫11.0×10-6Ωcm、アルミニウム2.65×10-6Ωcm、金2.35×10-6Ωcm、銀1.59×10-6Ωcm、銅1.67×10-6Ωcmである。
【0033】
本発明の電磁波シールド透明シートは、単独で用いてもよいが、(i)該シートからなるシールド層、(ii)反射防止層及び(iii)近赤外線カット層を積層した複合シートとして用いてもよい。
【0034】
該複合シートは、PDP等の画像表示装置用のフィルター等として用いることができる。
【0035】
反射防止層は、表面の反射を抑えてフィルターの透過率を向上させることを目的とした層であって、金属酸化物、フッ化物、ケイ化物、ホウ化物、炭化物、窒化物、硫化物等の無機物を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法、イオンビームアシスト法等で単層あるいは多層に積層する方法、アクリル樹脂、フッ素樹脂などの屈折率の異なる樹脂を単層あるいは多層に積層させる方法等により形成することができる。更にぎらつき防止層(ノングレア層)を積層してもよい。ノングレア層は、フィルターの視野角を広げる目的とした層であって、透過光を散乱させるため、シリカ、メラミン、アクリル等の徴粉体をインキ化して、表面にコーティングする方法などによって、形成することができる。インキの硬化は、熱硬化あるいは光硬化を用いることができる。
【0036】
近赤外線カット層は、プラズマディスプレイから放射される近赤外線によるリモコンや伝送系光通信における誤動作を防止する目的でディスプレイの前面に設置する。近赤外線光のカット領域は特に問題になる波長としてリモコンや伝送系光通信に、800〜1000nmであり、その領域に吸収を有する近赤外線吸収物質を使用する。この近赤外線吸収物質しては、ニトロソ化合物及びその金属錯塩、シアニン系化合物、ジチオールニッケル錯塩系化合物、アミノチオールニッケル錯塩系化合物、フタロシアニン系化合物、トリアリルメタン系化合物、イモニウム系化合物、ジイモニウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、アミノ化合物、アミニウム塩系化合物の近赤外線吸収色素、あるいは、カーボンブラックや、酸化インジウムスズ、酸化アンチモンスズなどの近赤外線吸収化合物を、単独又は組み合わせて使うことができる。
【0037】
近赤外線カット層は、粘着剤層に近赤外線吸収物質を添加することにより形成することができる。粘着剤層を構成する粘着剤としては、スチレンブタジエンラバー、ポリイソブチレン、天然ゴム、ネオプレン、ブチルゴム等のゴム類やポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル等のポリアクリル酸アルキルエステル等の低重合度ポリマー単独もしくはこれらに粘着付与剤としてピッコライト、ポリペール、ロジンエステル等を添加したもの等が挙げられる。
【0038】
プラズマディスプレイにフィルターを貼着時、プラズマディスプレイの表面とフィルターとの間に気泡が入ると画像が歪んだり、見にくくなったりする等、実用上の大きな問題となるので気泡の巻き込みには十分に注意する必要がある。また、プラズマディスプレイ自体、その表面が高温になるので、加熱によりガスが発生するような粘着剤は避けるべきである。
【0039】
具体的には、ポリアクリル酸アルキルエステル系等のポリマー系粘着剤、又はスチレンブタジエンラバー、天然ゴム等のゴム系粘着剤を、ハロゲン系、アルコール系、ケトン系、エステル系、エーテル系、脂肪族炭化水素系、芳香族炭化水素系等の有機溶剤を単独又は複数混合した溶剤系に分散又は溶解して粘度を調整したものをディッピング法、フローコート法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、ロールコート法、ブレードコート法及びエアーナイフコート法等の塗工方法で塗工し、その後溶剤を乾燥させ、粘着剤層とする。
【0040】
この際の粘着剤層の厚みは、通常、5〜100μm、好ましくは10〜50μmである。粘着剤層の表面に剥離フィルムを設け、粘着剤層にゴミ等が付着しないように、プラズマディスプレイの表面に貼り付けるまで粘着剤層を保護するのも良い。
【0041】
本発明の複合シートは、更に必要に応じて、ハードコート層や汚染防止層などを設けることもできる。
【0042】
また本発明の複合シートを強化ガラス等の支持体に貼合し、積層シートの形態で用いてもよい。
【0043】
電磁波シールド透明シートの製造方法
本発明の電磁波シールドは以下の(イ)〜(ニ)に記載の工程を順次行うことによって形成される。
(イ)透明基体の片面に、薄膜形成手段により、厚さ0.01〜1μmの金属層を形成する工程、
(ロ)前記金属層をフォトリソグラフィ法により現像して、非導電パターン部分を露出する工程、
(ハ)非導電パターン部分を化学エッチングして、金属層を溶解除去する工程、
(ニ)導電パターンの残存レジストを剥離除去する工程。
【0044】
まず、(イ)の工程について説明する。
【0045】
(イ)の工程においては、透明基体の片面に、物理的手段により、厚さ0.01〜1μmの金属層を形成する。
【0046】
ここで、薄膜形成手段とは、一般に用いられている薄膜形成技術であって、化学的薄膜形成手段や物理的薄膜形成手段等が挙げられる。化学的薄膜形成手段としては、具体的には、メッキ法とかCVD法等が挙げられる。また、物理的薄膜形成手段としては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等が挙げられる。
【0047】
これらは、共通して該金属又は非金属を何らかの方法で気体又はイオンの状態にして、これを透明基体表面に受けて、これを沈着して薄膜状とするもので、本発明では該金属として銅又はその合金を使用する。
【0048】
前記薄膜形成手段の中でも、スパッタリング法又はイオンプレーティング法が基材との密着力の点で好ましい。
【0049】
より具体的には、シート状の透明基体片面に、スパッタリング法にて、銅又はその合金をターゲットとして、厚さ0.01〜1μmの薄膜状にスパッタ蒸着する。
【0050】
このスパッタリングに際しては、該シートを何らの前処理を施す必要はなく、直ちに行うことができるが、場合によっては、その表面を脱脂洗浄するかグロー又はコロナによる放電処理等の前処理を行ってもよい。スパッタリング条件は、一般的条件に従って行えば良いが、低ガス圧(ガスはアルゴン等の不活性ガス)下で行う低ガス圧スパッタリングが好ましい。この低ガス圧スパッタリングは、3極グロー放電、2極グローRF放電、マグネトロン、イオンビームによるスパッタリングに相当するが、マグネトロンによるスパッタリングが、形成される薄膜の速度が早く、純度も高く、またスパッタリング装置の真空槽内に発生する温度も低いことからより好ましい。
【0051】
次に(ロ)の工程について説明する。
【0052】
前記(イ)の工程にて得られた金属層を、フォトリソグラフィ法を使って現像し、所望のパターンを露出する。ここで、フォトリソグラフィ法とは、一般に行われている感光性レジストの塗布→マスキングフィルムの真空密着→露光→露光部又は非露光部の溶解除去のための現像→所望するパターンの露出をいう。感光性レジストには、ネガ型とポジ型があり、ネガ型では露光されて紫外線を受けるとその部分のみが光硬化する。ポジ型はネガ型の逆の光特性を有し、紫外光を受けた部分が光分解する。両者現像処理を行えば、ネガ型では、未露光部分が溶解除去され、ポジ型では露光部分が溶解除去されることになる。従って、マスキングフィルムは、ポジ型ではポジマスク(パターンは黒)をネガ型ではネガマスク(パターンは透明)を使用することになる。
【0053】
尚、前記感光性レジストの種類は、特に限定されないが、一般的にはネガ型ではアクリル系、ボジ型ではジアゾ系のものが使用される。また、該レジストは、一般には液状であるのでこれを塗布する方法になるが、これがドライフィルムの様に、予めフィルム状であっても良い。
【0054】
次に(ハ)の工程について説明する。(ハ)における化学エッチングとは、金属層を構成する金属をエッチング液によって化学的に溶解除去する操作である。従って、エッチング液は、金属が溶解するものであれば制限はない。一般的には、通常使用される塩化第二鉄又は塩化第二銅の水溶液であるが、これらのものよりマイルドにエッチングできる、例えば硫酸/過酸化水素系水溶液等を使うことが好ましい。
【0055】
本発明においては、金属層の厚さが薄いことから、化学エッチング時間を、約30〜60秒という短時間とすることができる。
【0056】
最後に(ニ)の工程について説明する。残存している導電パターン部分の感光性レジスト層を剥離除去する。剥離除去は、一般には各種有機溶剤又はアルカリ系水溶液の剥離用薬液を用いてこれを噴射又は揺動浸漬して行う。
【0057】
終了後は直ちに水洗し、乾燥して全行程を終了する。
【0058】
前記各工程で処理されて得られたものの構造を、(イ)〜(二)に準じて図示すると、図3のとおりである。図3においては、その構造の1部を断面図で示している。図3の1は、透明基体、2は金属層、3は感光性フォトレジストを示す。
【0059】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を用いて、本願発明を更に具体的に説明する。
【0060】
実施例1
厚さ125μm、サイズ400×1000mm、Tt=90%の二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(以下PETフィルムと呼ぶ)を、マグネトロン式スパッタ装置の真空槽内に、銅ターゲットに対峙して配置し、空気をアルゴンに完全置換して得た真空度2×10-3トールの環境下、印加電圧DC9kWで1m/minで3回繰り返しのスパッタ蒸着を行った。
【0061】
前記にて得られた銅薄膜の厚さは、約0.1μmで均一であった。 また一部を切り取ってテープ剥離テストしたが、銅薄膜が剥離するような様子はなかった。
【0062】
次に、前記得られた銅スパッタPETフィルムの該スパッタ面に、ポジ型レジストをロールコータにてコーティングし、厚さ5μmの該レジスト層を設けた。そして、該レジスト層面に、線幅が5μm、ピッチ幅が100μm、線幅に対するピッチ幅が20、開口率が90%のパターンを描写したポジマスクを真空吸着した後、露光した。
【0063】
ポジマスクとしては、パターン部分が黒色で、非パターン部分が透明で、開口部が正方形形状に描写されたマスキング用フィルムを用いた。露光は、超高圧水銀灯を光源として、130mJ/cm2を照射して行った。この露光によって、非パターン部分のレジストは、分解されており、この部分を現像液にて溶解除去して、最後に水洗乾燥した。該パターン部分の該レジストは、該銅スパッタ面と密着して残存していた。従って、該パターン部分はマスクされており、非パターン部分は、該銅スパッタ層が露出されている。
【0064】
これを次の条件で全面エッチングした。化学エッチング液として、硫酸と過酸化水素とを含む水溶液を用い、これを浴槽に入れて、攪拌しながら、前記をエッチングした。エッチング時間は30秒であり、30秒したら直ちに水洗し乾燥した。
【0065】
次に、全面にアセトンを噴射しつつ、軽タッチでブラッシングして、該パターン部分の残存レジストを溶解除去し、水洗、乾燥しPETフィルム上に導電パターンが形成された透明シートを得た。
【0066】
比較例1
厚さ125μm、サイズ400×1000mm、Tt=90%の二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(以下PETフィルムと呼ぶ)を、マグネトロン式スパッタ装置の真空槽内に、銅ターゲットに対峙して配置し、空気をアルゴンに完全置換して得た真空度2×10-3トールの環境下、印加電圧DC9kWで1m/minで3回繰り返しのスパッタを行った。
【0067】
前記にて得られた銅薄膜の厚さは、約0.1μmで均一であった。 また一部を切り取ってテープ剥離テストしたが、銅薄膜が剥離するような様子はなかった。
【0068】
次に、前記得られた銅スパッタPETフィルムの該スパッタ面に、ポジ型レジストをロールコータにてコーティングし、厚さ5μmの該レジスト層を設けた。そして、該レジスト層面に、線幅が15μm、ピッチ幅が322μm、線幅に対するピッチ幅が21.5、開口率が90%のパターンを描写したネガマスクを真空吸着した後、露光した。
【0069】
ネガマスクとしては、パターン部分が透明で、非パターン部分が黒色で、開口部が正方形形状に描写されたマスキング用フィルムを用いた。露光は、超高圧水銀灯を光源として、130mJ/cm2を照射して行った。この露光によって、該パターン部分のレジストは、分解されており、この部分を現像液にて溶解除去して、最後に水洗乾燥した。非パターン部分の該レジストは、該銅スパッタ面と密着して残存していた。従って、非パターン部分はマスクされており、パターン部分は、該銅スパッタ層が露出している。
【0070】
次に、前記露出パターンに次の条件にて、銅を電解メッキした。つまり、含リン銅を陽極として、該パターンを陰極として、硫酸銅と硫酸及び水との混合液をメッキ液として、浴の温度23℃として、陰極電流密度1.7A/dm2、メッキ速度0.3μm/minにて電解メッキした。そして十分に水洗して乾燥した。
【0071】
次に、前記電解メッキしたものの全面にアセトンを噴射しつつ、軽タッチでブラッシングして、非パターン部分の残存レジストを溶解除去し、水洗、乾燥した。得られた一部を切り取って、断面を顕微鏡で拡大し観察したところ、積層された銅メッキ層は極めてシャープに角柱状を呈していた。
【0072】
次に、これを次の条件で全面エッチングした。
【0073】
化学エッチング液として、硫酸と過酸化水素とを含む水溶液を用い、これを浴槽に入れて、攪拌しながら、前記をエッチングした。エッチング時間は30秒であり、30秒したら直ちに水洗し乾燥し、PETフィルム上に導電パターンが形成された透明シートを得た。最終的な金属(銅)層の厚みは、2.7μmとなった。
【0074】
試験例1
実施例1で得られたシートと比較例1で得られたシートについて、電磁波シールド特性、シート抵抗値及び全光線透過率を調べた。電磁波シールド特性は、(財)関西電子工業振興センター法(一般にKEC法と呼ばれる)における測定装置によって、周波数0〜1000MHz(メガヘルツ)の範囲で測定した電磁波の減衰率(dB−デシベル)でもって表した。シート抵抗値は、シート抵抗測定機(三菱化学株式会社製 Loresta-EP(MCP−T360)、使用プローブ:ESP)で測定した。また、全光線透過率は、JIS K7105(1981)に基づいて作製された日本電色工業株式会社製の濁度計タイプNDH−20D型によって測定した。
【0075】
電磁波シールド特性の試験結果について、実施例1の結果を図4に、比較例1の結果を図5に示す。またシート抵抗値、全光線透過率を含む各シートの特性について調べた結果を表1に示す。
【0076】
【表1】

Figure 0004378561
【0077】
図4、図5及び表1に示される結果から明らかなように、本発明のシートはシート抵抗値が高いにも関わらず、良好なシールド特性を有していることが明らかとなった。特に、PDPの放射ノイズで問題視されている周波数帯(30〜300MHz)の電磁波が、顕著にシールドされることが明らかとなった。
【0078】
実施例2
PDPの前面に、前記実施例1で作成した電磁波シールド透明シートを設置したところ、モアレが発生しなかった。更に、PDPとの対面角度を45度ずらして設置しても、モアレが発生しなかった。このことから、本願発明によって、モアレ現象が軽減又は消失されることが明らかとなった
【0079】
【発明の効果】
本願発明は、上述のような構成を有することによって、細線加工が可能となり、しかも、良好な透明性及びシールド特性を有するという優れた効果を奏する。特に、本願発明においては、低周波領域の電磁波が格段にシールド(遮蔽)されるという、従来技術からは予測できない有利な効果を奏する。
【0080】
また、本願発明は、微細な細線加工が可能となったことで、モアレ現象が軽減又は消失するという効果も奏する。これによって、従来のような、モアレを解消するための角度の調整が必要なくなり、PDP等の機種毎にバイアス角度の調整も不要となる。
【0081】
更に、本発明のシートの製造に際しては、メッキ等の複雑な工程を必要せず、容易に、しかも、安易に電磁波シールド透明シートが得られるという利点も有する。また、厚さが薄くなったことにより、粘着フィルムとの貼り合わせの際の気泡かみ込みの問題が軽減されるという利点も有する。
【0082】
本願発明の透明シートは、このような優れた物性を有していることから、PDP等の電磁波発生機器からの電磁波シールド用として有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、パターンが正方形格子パターンである場合の構成を平面図で示した図面である。
【図2】図2は、シート抵抗値を算出するためのモデル回路を示した図面である。
【図3】図3は、(イ)〜(ニ)の各工程で処理されて得られる本発明のシートの構造を断面図で示した図面である。
【図4】図4は、本発明の実施例の電磁波シールド特性を示す図面である。
【図5】図5は、比較例の電磁波シールド特性を示す図面である。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an improved electromagnetic shielding transparent sheet and a method for producing the same. In particular, the present invention relates to an electromagnetic wave shielding transparent sheet for electronic information equipment such as a plasma display (PDP).
[0002]
[Prior art]
Electromagnetic waves emitted from various electronic information devices, and conversely, electromagnetic waves received from other worlds have become a problem as a factor causing malfunction of the devices.
[0003]
Various measures have already been proposed and implemented for measures to prevent device failures caused by these electromagnetic waves. For example, in an electronic information device such as a plasma display, since an electromagnetic wave emitted from the inside through the screen becomes an obstacle, a method of loading an electromagnetic shielding material on the screen is generally used. In such a case, the shielding material must not be opaque, and is required to be transparent and effectively shield electromagnetic waves.
[0004]
Conventionally, as an electromagnetic shielding member having transparency, a copper foil having a thickness of 10 to 40 μm is bonded onto a transparent substrate, and then patterned by a photolithography method, followed by etching to form a pattern on the sheet. Shield members have been proposed.
[0005]
However, the copper foil having the thickness as described above has good shielding properties, but there is a limit to thinning the pattern, and there are also problems such as a decrease in overall transparency and visibility.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
The main object of the present invention is to provide an electromagnetic wave shielding transparent sheet having good transparency and shielding properties and excellent in fine wire workability.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present inventor has intensively studied with the main purpose of solving the above problems. As a result, by setting the thickness of the metal layer, the line width, the pitch width, and the ratio between the line width and the pitch width to a specific range, the electromagnetic wave has excellent transparency and shielding characteristics and excellent thin line workability. It has been found that a shield transparent sheet can be obtained, and further studies have been made to complete the present invention.
[0008]
That is, the present invention relates to the following matters.
1. An electromagnetic wave shielding transparent sheet having a conductive pattern comprising a metal layer on a transparent substrate, wherein the metal layer has a thickness of 0.01 to 1 μm.
2. 2. The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to 1, wherein the line width (a) of the conductive pattern is 1 to 10 μm.
3. The electromagnetic wave shielding transparent sheet in any one of 1 or 2 whose pitch width (b) of an electroconductive pattern is 5-200 micrometers.
4). The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of 1 to 3, wherein a ratio (b / a) of a pitch width to a line width of the conductive pattern is 5 to 40.
5). The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of 1 to 4, wherein the opening ratio of the conductive pattern is 64 to 95%.
6). The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of 1 to 5, having a sheet resistance value of 0.08 to 50Ω / □.
7. The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of 1 to 6 obtained by sequentially performing the steps described in the following (A) to (D).
(A) forming a metal layer on one side of the transparent substrate by a thin film forming means;
(B) developing the metal layer by a photolithography method to expose a non-conductive pattern portion;
(C) a step of chemically etching the non-conductive pattern portion to dissolve and remove the metal layer;
(D) A step of peeling and removing the remaining resist of the conductive pattern.
8). The manufacturing method of the electromagnetic wave shielding transparent sheet | seat characterized by performing the process described in following (I)-(D) sequentially.
(A) forming a metal layer having a thickness of 0.01 to 1 μm on one side of the transparent substrate by a thin film forming means;
(B) developing the metal layer by a photolithography method to expose a non-conductive pattern portion;
(C) a step of chemically etching the non-conductive pattern portion to dissolve and remove the metal layer;
(D) A step of peeling and removing the remaining resist of the conductive pattern.
9. (I) A composite sheet having a shield layer made of the electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of 1 to 7, (ii) an antireflection layer, and (iii) a near infrared cut layer.
[0009]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be specifically described.
[0010]
Conductive pattern
The conductive pattern has a geometric shape in which openings having a certain shape are repeated vertically and horizontally, and has a metal layer made of a conductive metal.
[0011]
The shape of the opening is not particularly limited, and examples thereof include a square, a rectangle, 3 or 5 to 10 regular polygons, a circle, and a rhombus. Among these, a square shape is preferable because it is easy to achieve both transmittance and shielding performance.
[0012]
Here, the line width, the pitch width, the ratio of the pitch width to the line width, and the aperture ratio in the present invention will be described using a square lattice pattern as an example with reference to FIG.
[0013]
In FIG. 1, the opening B is formed of A having one of the copper patterns as a structural unit. a is a line width, which indicates the width of a line forming one side of the structural unit A. b is the pitch width and indicates the length of one side of the structural unit A. The ratio of the pitch width to the line width is represented by b / a.
[0014]
The aperture ratio (%), the line width and the pitch width are in the relationship of the following formula 1.
[0015]
Formula 1: Opening ratio (%) = 100 × (b−a)2/ B2
In the present invention, the line width (a) of the conductive pattern is 1 to 10 μm, preferably 1 to 7 μm, more preferably 2 to 5 μm. If the line width is too large, it is not preferable in terms of moire interference and light transmittance, and if it is too small, it is not preferable in terms of shielding characteristics.
[0016]
The pitch width (b) of the conductive pattern is 5 to 200 μm, preferably 5 to 150 μm, and more preferably 10 to 100 μm. If the pitch width is too large, it is not preferable in terms of shielding characteristics, and if it is too small, it is not preferable in terms of light transmittance.
[0017]
The ratio (b / a) of the pitch width to the line width of the conductive pattern is 5 to 40, preferably 10 to 30, and more preferably 15 to 25. If the ratio of the pitch width to the line width is too large, it is not preferable in terms of shielding characteristics, and if it is too small, it is not preferable in terms of moire interference and light transmittance.
[0018]
The aperture ratio of the conductive pattern is 64 to 95%, preferably 75 to 95%, and more preferably 85 to 95%. When the aperture ratio is too large, it is not preferable in terms of shielding performance, and when it is too small, it is not preferable in terms of light transmittance.
[0019]
Metal layer
The thickness of the metal layer in this invention is 0.01-1 micrometer, Preferably, it is 0.05-0.5 micrometer, More preferably, it is 0.05-0.1 micrometer. When it is too thick, it is not preferable in carrying out patterning for thinning. Moreover, when too thin, it is unpreferable at the point of shielding performance.
[0020]
In the present invention, since the thickness of the metal layer is thinner than the conventional one, the pattern can be thinned, and there is an advantage of reducing and eliminating moire interference.
[0021]
The material of the metal layer is not particularly limited as long as it can be used as a conductive metal, and examples thereof include copper, gold, silver, aluminum, nickel, tin, chromium, and alloys thereof. . Among these, copper, gold, silver, aluminum, nickel or an alloy thereof is preferable, and copper or an alloy thereof is particularly preferable.
[0022]
About copper, it is preferable that it is pure copper as much as possible. The alloy is mainly composed of copper, such as Cu / Zn (brass), Cu / Sn (bronze), Cu / Al, Cu / Ni, Cu / Pd, phosphor bronze, Cu / Be, etc. These alloys can be preferably used.
[0023]
Further, the metal layer is not limited to a single metal layer but may be a laminated layer. For example, a two-layer, three-layer, or multilayered layer having a structure of chromium + copper or chromium + copper + chromium can be exemplified. At this time, for the metal layer disposed in the outermost layer, in order to maintain good visibility, a metal having a function of correcting the color from white to black color or a protective film function against the environment resistance of the intermediate layer is selected. It is preferable.
[0024]
Transparent substrate
The shape of the transparent substrate can be appropriately set according to the intended use. Usually, it is used as a flat sheet, but may be bent, or may be used as a film or plate depending on the application. The thickness of the transparent substrate is usually about 0.05 to 5 mm, preferably about 0.1 to 0.3 mm.
[0025]
As the material of the transparent substrate, inorganic materials such as glass, polymethyl methacrylate, polystyrene or a copolymer of styrene and acrylonitrile or methyl methacrylate, poly (4-methylpentene-1), polypropylene, cyclopentene, norbornene, tetracyclo Amorphous cyclic olefin polymer by cyclic olefin monomer such as dodecane or copolymerization of ethylene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyarylate, polyethersulfone, polycarbonate, thermoplastics such as various liquid crystalline polymers, acrylic Type, urethane type, epoxy type, silicone type thermosetting transparent resin and the like. Two or more of these may be used in combination.
[0026]
What is selected for the transparent substrate can be appropriately set according to various applications, but the total light transmittance is 50% or more, preferably 70% or more, more preferably 90% or more. . It means that it is transparent and excellent in visibility, so that this value is large. Further, those excellent in heat resistance, weather resistance, non-shrinkage, mechanical strength, chemical resistance and the like are preferable.
[0027]
Electromagnetic wave shielding transparent sheet
The sheet resistance value of the electromagnetic wave shielding transparent sheet of the present invention is 0.08 to 50Ω / □, preferably 0.4 to 10Ω / □, and more preferably 0.6 to 6Ω / □.
[0028]
When the sheet resistance value is too large, it is not preferable in terms of shielding characteristics.
[0029]
Here, the sheet resistance value will be described with reference to FIG. The sheet resistance value (Rs) on the entire surface of the metal layer is obtained by the following equation. ρv is the volume resistivity, and t is the thickness of the metal layer.
[0030]
Formula 2: Rs = ρv / t
Next, in obtaining the sheet resistance value after pattern formation, a structural unit as shown in FIG. 2 having a resistance value r (Ω) is considered. For example, in the sheet resistance value R (Ω / □) having a pattern in which this structural unit is composed of 2 × 2, the longitudinal resistance is considered to be equipotential (for example, current does not flow between AB and BC). Therefore, it can be ignored, and is obtained from the combined resistance of the 2 × 2 equivalent circuit. That is, the relational expression R (Ω / □) = r (Ω) is established. This relational expression holds even if the structural unit is expanded to n × n. This r (Ω) is obtained from the relationship of Formula 3 from the pitch width b of the pattern, the line width a, and the sheet resistance value Rs of the entire metal layer.
[0031]
Formula 3: r = Rs × (b / a)
The sheet resistance value R after pattern formation is finally obtained from R (Ω / □) = Rs × (b / a). For reference, even when the pattern is inclined by 45 °, a relational expression of R = r can be obtained by an equivalent circuit from the following structural units. When the sheet resistance value is required as the characteristic value, the sheet resistance after the pattern formation can be arbitrarily designed based on the sheet resistance value of the base material before the pattern is formed and the designed line width and pitch width.
[0032]
Specifically, the volume specific resistance value (ρv) of the metal is chromium 12.9 × 10-6Ωcm, nickel 6.84 × 10-6Ωcm, tin 11.0 × 10-6Ωcm, aluminum 2.65 × 10-6Ωcm, gold 2.35 × 10-6Ωcm, silver 1.59 × 10-6Ωcm, copper 1.67 × 10-6Ωcm.
[0033]
The electromagnetic wave shielding transparent sheet of the present invention may be used alone, or may be used as a composite sheet in which (i) a shield layer made of the sheet, (ii) an antireflection layer, and (iii) a near infrared cut layer are laminated. Good.
[0034]
The composite sheet can be used as a filter for an image display device such as a PDP.
[0035]
The antireflection layer is a layer for the purpose of suppressing the reflection of the surface and improving the transmittance of the filter, such as metal oxide, fluoride, silicide, boride, carbide, nitride, sulfide, etc. A method of laminating inorganic materials in a single layer or multiple layers by vacuum deposition, sputtering, ion plating, ion beam assist, etc., or laminating a resin having a different refractive index such as acrylic resin or fluororesin in a single layer or multiple layers It can be formed by a method or the like. Further, an antiglare layer (non-glare layer) may be laminated. The non-glare layer is a layer intended to widen the viewing angle of the filter. In order to scatter the transmitted light, the non-glare layer is formed by, for example, a method of coating powder on silica, melamine, acrylic, or the like and coating the surface. be able to. The ink can be cured by thermal curing or photocuring.
[0036]
The near-infrared cut layer is installed on the front surface of the display for the purpose of preventing malfunction in remote control or transmission optical communication due to near-infrared rays emitted from the plasma display. The near-infrared light cut region is 800 to 1000 nm for remote control and transmission optical communication as a particularly problematic wavelength, and a near-infrared absorbing material having absorption in that region is used. The near-infrared absorbing materials include nitroso compounds and their metal complexes, cyanine compounds, dithiol nickel complex compounds, aminothiol nickel complex compounds, phthalocyanine compounds, triallylmethane compounds, imonium compounds, and diimonium compounds. , Naphthoquinone compounds, anthraquinone compounds, amino compounds, aminium salt compounds of near infrared absorbing dyes, or near infrared absorbing compounds such as carbon black, indium tin oxide and antimony tin oxide may be used alone or in combination. it can.
[0037]
The near-infrared cut layer can be formed by adding a near-infrared absorbing substance to the pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer include rubbers such as styrene butadiene rubber, polyisobutylene, natural rubber, neoprene and butyl rubber, and polyacrylic acid alkyl esters such as polymethyl acrylate, polyethyl acrylate and polybutyl acrylate. Examples thereof include polymers having a low polymerization degree such as those obtained by adding a picolite, a polypel, a rosin ester or the like as a tackifier to these polymers.
[0038]
When attaching a filter to the plasma display, if bubbles enter between the surface of the plasma display and the filter, the image may be distorted or difficult to see. There is a need to. Moreover, since the surface of the plasma display itself becomes high temperature, an adhesive that generates gas by heating should be avoided.
[0039]
Specifically, polymer adhesive such as polyacrylic acid alkyl ester, or rubber adhesive such as styrene butadiene rubber, natural rubber, halogen, alcohol, ketone, ester, ether, aliphatic Dipping method, flow coating method, spray method, bar coating method, gravure coating method by adjusting viscosity by dispersing or dissolving organic solvents such as hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, etc. in a solvent system that is single or mixed. Coating is performed by a coating method such as a roll coating method, a blade coating method, or an air knife coating method, and then the solvent is dried to form an adhesive layer.
[0040]
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer at this time is usually 5 to 100 μm, preferably 10 to 50 μm. A release film may be provided on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer may be protected until it is attached to the surface of the plasma display so that dust or the like does not adhere to the pressure-sensitive adhesive layer.
[0041]
The composite sheet of the present invention can further be provided with a hard coat layer, a contamination prevention layer, or the like, if necessary.
[0042]
Further, the composite sheet of the present invention may be bonded to a support such as tempered glass and used in the form of a laminated sheet.
[0043]
Method for manufacturing electromagnetic shielding transparent sheet
The electromagnetic wave shield of the present invention is formed by sequentially performing the steps described in the following (A) to (D).
(A) forming a metal layer having a thickness of 0.01 to 1 μm on one side of the transparent substrate by a thin film forming means;
(B) developing the metal layer by a photolithography method to expose a non-conductive pattern portion;
(C) a step of chemically etching the non-conductive pattern portion to dissolve and remove the metal layer;
(D) A step of peeling and removing the remaining resist of the conductive pattern.
[0044]
First, step (a) will be described.
[0045]
In the step (a), a metal layer having a thickness of 0.01 to 1 μm is formed on one side of the transparent substrate by physical means.
[0046]
Here, the thin film forming means is a generally used thin film forming technique, and examples thereof include a chemical thin film forming means and a physical thin film forming means. Specific examples of the chemical thin film forming means include a plating method and a CVD method. Examples of the physical thin film forming means include sputtering, vacuum deposition, and ion plating.
[0047]
In common, these metals or non-metals are made into a gas or ion state by some method, received on the surface of the transparent substrate, and deposited to form a thin film. Use copper or its alloys.
[0048]
Among the thin film forming means, the sputtering method or the ion plating method is preferable from the viewpoint of adhesion with the substrate.
[0049]
More specifically, sputtering deposition is performed on one surface of a sheet-like transparent substrate by sputtering to form a thin film having a thickness of 0.01 to 1 μm using copper or an alloy thereof as a target.
[0050]
In this sputtering, it is not necessary to perform any pretreatment on the sheet, and it can be carried out immediately. However, depending on the case, the surface may be degreased and washed or subjected to a pretreatment such as a discharge treatment using glow or corona. Good. Sputtering conditions may be performed according to general conditions, but low gas pressure sputtering performed under a low gas pressure (the gas is an inert gas such as argon) is preferable. This low gas pressure sputtering corresponds to sputtering with a tripolar glow discharge, a bipolar glow RF discharge, a magnetron, or an ion beam. The sputtering with a magnetron has a high speed and a high purity of a thin film to be formed. It is more preferable because the temperature generated in the vacuum chamber is low.
[0051]
Next, step (b) will be described.
[0052]
The metal layer obtained in the step (a) is developed using a photolithography method to expose a desired pattern. Here, the photolithographic method refers to generally performed application of a photosensitive resist → vacuum adhesion of a masking film → exposure → development for dissolving and removing an exposed portion or an unexposed portion → exposure of a desired pattern. The photosensitive resist includes a negative type and a positive type. When the negative type is exposed and receives ultraviolet rays, only the portion is photocured. The positive type has a light characteristic opposite to that of the negative type, and a portion that receives ultraviolet light undergoes photolysis. If both development processes are performed, the unexposed portion is dissolved and removed in the negative type, and the exposed portion is dissolved and removed in the positive type. Therefore, a positive mask (pattern is black) is used for the positive type and a negative mask (pattern is transparent) is used for the negative type.
[0053]
The type of the photosensitive resist is not particularly limited. Generally, an acrylic type is used for the negative type, and a diazo type is used for the body type. In addition, since the resist is generally in a liquid state, it is applied by a coating method. However, the resist may be in the form of a film in advance like a dry film.
[0054]
Next, step (c) will be described. The chemical etching in (c) is an operation of chemically dissolving and removing the metal constituting the metal layer with an etching solution. Accordingly, the etching solution is not limited as long as the metal dissolves. Generally, it is a commonly used aqueous solution of ferric chloride or cupric chloride, but it is preferable to use, for example, a sulfuric acid / hydrogen peroxide aqueous solution that can be etched more gently than these.
[0055]
In the present invention, since the metal layer is thin, the chemical etching time can be as short as about 30 to 60 seconds.
[0056]
Finally, step (d) will be described. The photosensitive resist layer of the remaining conductive pattern portion is peeled and removed. The stripping removal is generally performed by spraying or rocking dipping using various organic solvents or stripping chemical solutions of an alkaline aqueous solution.
[0057]
Immediately after completion, wash with water and dry to finish the whole process.
[0058]
FIG. 3 shows the structure of the product obtained by processing in each of the above steps according to (a) to (2). In FIG. 3, a part of the structure is shown in a sectional view. In FIG. 3, 1 is a transparent substrate, 2 is a metal layer, and 3 is a photosensitive photoresist.
[0059]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples.
[0060]
Example 1
A biaxially stretched polyethylene terephthalate film (hereinafter referred to as a PET film) having a thickness of 125 μm, a size of 400 × 1000 mm, and Tt = 90% is placed in a vacuum chamber of a magnetron sputtering apparatus facing a copper target, and air is supplied. Degree of vacuum 2 × 10 obtained by completely replacing with argon-3Under the Toll environment, sputter deposition was repeated three times at 1 m / min with an applied voltage of DC 9 kW.
[0061]
The thickness of the copper thin film obtained above was uniform at about 0.1 μm. Further, a part of the film was cut off and subjected to a tape peeling test.
[0062]
Next, a positive resist was coated with a roll coater on the sputtered surface of the obtained copper sputtered PET film, and the resist layer having a thickness of 5 μm was provided. Then, a positive mask depicting a pattern having a line width of 5 μm, a pitch width of 100 μm, a pitch width with respect to the line width of 20, and an aperture ratio of 90% was vacuum-adsorbed on the resist layer surface, and then exposed.
[0063]
As the positive mask, a masking film in which the pattern portion was black, the non-pattern portion was transparent, and the opening was drawn in a square shape was used. Exposure is 130 mJ / cm using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source.2Was performed. The resist of the non-pattern part was decomposed | disassembled by this exposure, This part was melt | dissolved and removed with the developing solution, and it finally washed with water and dried. The resist in the pattern portion remained in close contact with the copper sputtering surface. Therefore, the pattern portion is masked, and the copper sputter layer is exposed in the non-pattern portion.
[0064]
The entire surface was etched under the following conditions. As a chemical etching solution, an aqueous solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide was used. The solution was put in a bath and etched while stirring. The etching time was 30 seconds, and after 30 seconds, it was immediately washed with water and dried.
[0065]
Next, brushing was performed with a light touch while spraying acetone over the entire surface to dissolve and remove the remaining resist in the pattern portion, followed by washing with water and drying to obtain a transparent sheet on which a conductive pattern was formed on a PET film.
[0066]
Comparative Example 1
A biaxially stretched polyethylene terephthalate film (hereinafter referred to as a PET film) having a thickness of 125 μm, a size of 400 × 1000 mm, and Tt = 90% is placed in a vacuum chamber of a magnetron sputtering apparatus facing a copper target, and air is supplied. Degree of vacuum 2 × 10 obtained by completely replacing with argon-3Sputtering was repeated three times at 1 m / min with an applied voltage of DC 9 kW in a Toll environment.
[0067]
The thickness of the copper thin film obtained above was uniform at about 0.1 μm. Further, a part of the film was cut off and subjected to a tape peeling test.
[0068]
Next, a positive resist was coated with a roll coater on the sputtered surface of the obtained copper sputtered PET film, and the resist layer having a thickness of 5 μm was provided. Then, a negative mask on which a pattern having a line width of 15 μm, a pitch width of 322 μm, a pitch width with respect to the line width of 21.5, and an aperture ratio of 90% was vacuum-adsorbed on the resist layer surface, and then exposed.
[0069]
As the negative mask, a masking film in which a pattern portion was transparent, a non-pattern portion was black, and an opening portion was drawn in a square shape was used. Exposure is 130 mJ / cm using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source.2Was performed. By this exposure, the resist of the pattern portion was decomposed, and this portion was dissolved and removed with a developer, and finally washed with water and dried. The resist in the non-patterned portion remained in close contact with the copper sputtering surface. Therefore, the non-pattern part is masked, and the copper sputter layer is exposed in the pattern part.
[0070]
Next, copper was electrolytically plated on the exposed pattern under the following conditions. That is, using phosphorous copper as an anode, the pattern as a cathode, a mixed solution of copper sulfate, sulfuric acid and water as a plating solution, a bath temperature of 23 ° C., and a cathode current density of 1.7 A / dm.2Electrolytic plating was performed at a plating rate of 0.3 μm / min. It was washed thoroughly with water and dried.
[0071]
Next, brushing was performed with a light touch while spraying acetone over the entire surface of the electroplated material, and the remaining resist in the non-patterned portion was dissolved and removed, washed with water, and dried. When the obtained part was cut out and the cross section was magnified and observed with a microscope, the laminated copper plating layer had a prism shape very sharply.
[0072]
Next, the whole surface was etched under the following conditions.
[0073]
As a chemical etching solution, an aqueous solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide was used. The solution was put in a bath and etched while stirring. The etching time was 30 seconds, and after 30 seconds, it was immediately washed with water and dried to obtain a transparent sheet on which a conductive pattern was formed on a PET film. The final metal (copper) layer thickness was 2.7 μm.
[0074]
Test example 1
The sheet obtained in Example 1 and the sheet obtained in Comparative Example 1 were examined for electromagnetic wave shielding characteristics, sheet resistance value, and total light transmittance. The electromagnetic wave shielding characteristic is expressed by an electromagnetic wave attenuation rate (dB-decibel) measured in a frequency range of 0 to 1000 MHz (megahertz) by a measuring device in the Kansai Electronics Industry Promotion Center method (generally called KEC method). did. The sheet resistance value was measured with a sheet resistance measuring machine (Loresta-EP (MCP-T360) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, probe used: ESP). The total light transmittance was measured by a turbidimeter type NDH-20D manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd., which was produced based on JIS K7105 (1981).
[0075]
Regarding the test results of the electromagnetic wave shielding characteristics, the result of Example 1 is shown in FIG. 4, and the result of Comparative Example 1 is shown in FIG. Table 1 shows the results of examining the characteristics of each sheet including the sheet resistance value and the total light transmittance.
[0076]
[Table 1]
Figure 0004378561
[0077]
As is clear from the results shown in FIGS. 4 and 5 and Table 1, it was found that the sheet of the present invention has a good shielding property even though the sheet resistance value is high. In particular, it has been clarified that electromagnetic waves in a frequency band (30 to 300 MHz), which is regarded as a problem by radiation noise of PDP, are significantly shielded.
[0078]
Example 2
When the electromagnetic wave shielding transparent sheet prepared in Example 1 was installed on the front surface of the PDP, moire did not occur. Further, even when the facing angle with the PDP was shifted by 45 degrees, no moire was generated. From this, it became clear that the moire phenomenon is reduced or eliminated by the present invention.
[0079]
【The invention's effect】
By having the above-described configuration, the present invention can perform fine wire processing, and also has an excellent effect of having good transparency and shielding characteristics. In particular, in the present invention, there is an advantageous effect that cannot be predicted from the prior art that electromagnetic waves in the low frequency region are significantly shielded.
[0080]
In addition, the present invention has the effect that the moire phenomenon is reduced or eliminated by enabling fine fine wire processing. This eliminates the need for adjusting the angle for eliminating moire as in the prior art, and also eliminates the need for adjusting the bias angle for each model such as a PDP.
[0081]
Furthermore, when manufacturing the sheet of the present invention, there is an advantage that an electromagnetic shielding transparent sheet can be obtained easily and easily without requiring a complicated process such as plating. In addition, since the thickness is reduced, there is an advantage that the problem of bubble entrapment at the time of bonding with the adhesive film is reduced.
[0082]
Since the transparent sheet of the present invention has such excellent physical properties, it is useful for shielding electromagnetic waves from electromagnetic wave generating devices such as PDPs.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a configuration when a pattern is a square lattice pattern.
FIG. 2 is a diagram showing a model circuit for calculating a sheet resistance value.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of the sheet of the present invention obtained by processing in the steps (a) to (d).
FIG. 4 is a view showing electromagnetic wave shielding characteristics of an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a drawing showing electromagnetic shielding characteristics of a comparative example.

Claims (5)

透明基体上に、金属層からなる導電パターンを有する電磁波シールド透明シートであって、金属層の厚みが0.01〜0.1μmであり、
導電パターンの線幅(a)が1〜10μmであり、
導電パターンのピッチ幅(b)が10〜100μmであり、
導電パターンの線幅に対するピッチ幅の比(b/a)が15〜25であり、
次の(イ)〜(ニ)に記載する工程を順次行うことによって得られる透明シート。
(イ)透明基体の片面に、薄膜形成手段により、金属層を形成する工程、
(ロ)前記金属層をフォトリソグラフィ法により現像して、非導電パターン部分を露出する工程、
(ハ)非導電パターン部分を化学エッチングして、金属層を溶解除去する工程、
(ニ)導電パターンの残存レジストを剥離除去する工程。
An electromagnetic wave shielding transparent sheet having a conductive pattern made of a metal layer on a transparent substrate, the thickness of the metal layer being 0.01 to 0.1 μm,
The line width (a) of the conductive pattern is 1 to 10 μm,
The pitch width (b) of the conductive pattern is 10 to 100 μm,
The ratio (b / a) of the pitch width to the line width of the conductive pattern is 15 to 25 ,
A transparent sheet obtained by sequentially performing the steps described in the following (a) to (d).
(A) forming a metal layer on one side of the transparent substrate by a thin film forming means;
(B) developing the metal layer by a photolithography method to expose a non-conductive pattern portion;
(C) a step of chemically etching the non-conductive pattern portion to dissolve and remove the metal layer;
(D) A step of peeling and removing the remaining resist of the conductive pattern.
導電パターンの開口率が64〜95%である請求項1に記載の電磁波シールド透明シート。The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to claim 1, wherein the opening ratio of the conductive pattern is 64 to 95%. シート抵抗値が0.08〜50Ω/□である請求項1又は2に記載の電磁波シールド透明シート。The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to claim 1, wherein the sheet resistance value is 0.08 to 50Ω / □. 次の(イ)〜(ニ)に記載する工程を順次行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電磁波シールド透明シートの製造方法。
(イ)透明基体の片面に、薄膜形成手段により、厚さ0.01〜0.1μmの金属層を形成する工程、
(ロ)前記金属層をフォトリソグラフィ法により現像して、非導電パターン部分を露出する工程、
(ハ)非導電パターン部分を化学エッチングして、金属層を溶解除去する工程、
(ニ)導電パターンの残存レジストを剥離除去する工程。
The method for producing an electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of claims 1 to 3, wherein the steps described in the following (a) to (d) are sequentially performed.
(A) a step of forming a metal layer having a thickness of 0.01 to 0.1 μm on one side of the transparent substrate by a thin film forming means
(B) developing the metal layer by a photolithography method to expose a non-conductive pattern portion;
(C) a step of chemically etching the non-conductive pattern portion to dissolve and remove the metal layer;
(D) A step of peeling and removing the remaining resist of the conductive pattern.
(i)請求項1〜3のいずれかに記載の電磁波シールド透明シートからなるシールド層、
(ii)反射防止層、及び(iii)近赤外線カット層を有する複合シート。
(I) a shield layer comprising the electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of claims 1 to 3;
A composite sheet having (ii) an antireflection layer, and (iii) a near infrared cut layer.
JP2002254518A 2002-08-30 2002-08-30 Electromagnetic wave shielding transparent sheet and manufacturing method thereof Expired - Lifetime JP4378561B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002254518A JP4378561B2 (en) 2002-08-30 2002-08-30 Electromagnetic wave shielding transparent sheet and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002254518A JP4378561B2 (en) 2002-08-30 2002-08-30 Electromagnetic wave shielding transparent sheet and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004095829A JP2004095829A (en) 2004-03-25
JP4378561B2 true JP4378561B2 (en) 2009-12-09

Family

ID=32060269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002254518A Expired - Lifetime JP4378561B2 (en) 2002-08-30 2002-08-30 Electromagnetic wave shielding transparent sheet and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4378561B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5104015B2 (en) * 2007-04-26 2012-12-19 凸版印刷株式会社 Metal mesh sheet for shielding electromagnetic wave and method for producing the same
JP2010192557A (en) * 2009-02-17 2010-09-02 Toppan Printing Co Ltd Electromagnetic wave shielding film

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004095829A (en) 2004-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6448492B1 (en) Transparent member for shielding electromagnetic waves and method of producing the same
JP4043778B2 (en) Electromagnetic wave shielding sheet
US8580128B2 (en) Method of manufacturing electromagnetic-wave shielding plate, electromagnetic-wave shielding plate manufactured thereby, and filter display using the same
JP3998975B2 (en) Electromagnetic wave shielding sheet
JP5749207B2 (en) Transparent conductive film laminate and touch panel
WO2000013475A1 (en) Light-transmitting electromagnetic shielding material and method for manufacturing the same
TW201901701A (en) Method for producing transparent conductive substrate, transparent conductive substrate
JP2020074114A (en) Conductive film, touch panel sensor, and touch panel
JP3502979B2 (en) Transparent member for electromagnetic wave shielding and method of manufacturing the same
JP2001127485A (en) See-through electromagnetic wave shielding material and method of manufacturing the same
JP4679088B2 (en) Transparent sheet heating element and manufacturing method thereof
JP3017988B1 (en) Transparent electromagnetic wave shield member and method of manufacturing the same
JPH1079594A (en) Transparent electromagnetic shielding material and manufacture thereof
JP4378561B2 (en) Electromagnetic wave shielding transparent sheet and manufacturing method thereof
JPWO2003045127A1 (en) Electromagnetic shielding light transmissive window material and method for manufacturing the same
JPH10335883A (en) Transparent material for electromagnetic shield
JPH11330772A (en) High-electromagnetic shielding transparent sheet
JPH1187987A (en) Transparent member for electromagnetic shield and its manufacture
US9801284B2 (en) Method of manufacturing a patterned conductor
JP3821868B2 (en) Method for plating on insulating base material and plating product obtained by the method
JPH11163587A (en) Electromagnetic shield material, panel and manufacture thereof
JPH11317593A (en) Highly visible electromagnetic shielding transparent sheet
WO2018047608A1 (en) Conductive film production method, conductive film, touch panel sensor, antenna, fingerprint authentication, and touch panel
JP2002368482A (en) Electromagnetic wave shielding member and method of manufacturing the same
JP4120730B2 (en) Electromagnetic wave shielding composite member and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050203

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080227

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080423

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080528

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080722

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081217

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090812

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090901

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150