JP2004095829A - Electromagnetic wave shield transparent sheet and its manufacturing method - Google Patents

Electromagnetic wave shield transparent sheet and its manufacturing method Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electromagnetic wave shield transparent sheet having excellent transparency as well as shielding characteristics and excellent in thread workability. <P>SOLUTION: The electromagnetic wave shield transparent sheet is provided on a transparent substrate with a conductive pattern having a metal layer. In this case, the thickness of the metal layer is 0.01-1μm, the linear width of the conductive pattern is 1-10μm, the pitch width of the same is 5-200μm and a ratio of the pitch width to the linear width is 5-40. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、改良された電磁波シールド透明シートとその製造方法に関する。特にプラズマディスプレイ(PDP)等の電子情報機器に対する電磁波シールド透明シートに関する。
【0002】
【従来の技術】
各種電子情報機器から発せられる電磁波、逆に他界から受ける電磁波は、該機器の誤動作を招く要因として問題になっている。
【0003】
これら電磁波による機器障害を防止する対策については、既に種々の手段が提案され、また実施されてきている。例えば、プラズマディスプレイ等の電子情報機器においては、特にその内部から画面を通して発せられる電磁波が障害になることから、一般にその画面に電磁波シールド材を装填するという方法がとられる。このような場合、該シールド材は不透明であってはならず、透明であってかつ電磁波を有効にシールドするものが求められる。
【0004】
従来、透明性を有する電磁波シールド部材としては、透明基体上に厚さ10〜40μmの銅箔を貼合し、次いでフォトリソグラフィ法によりパターニングした後、エッチング除去し、該シート上にパターンを形成したシールド部材等が提案されていた。
【0005】
しかしながら、上記のような厚みの銅箔は、シールド特性は良好であるが、パターンの細線化には限界があり、また、全体の透明性及び視認性の低下等の問題もあった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明は、良好な透明性及びシールド特性を有し、かつ細線加工性に優れた電磁波シールド透明シートを提供することを主な目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記のような問題点を解決することを主な目的として、鋭意検討を行った。その結果、金属層の厚み、線幅、ピッチ幅、並びに、線幅とピッチ幅の比を特定の範囲に設定することによって、透明性及びシールド特性に優れ、且つ、細線加工性に優れた電磁波シールド透明シートが得られることを見出し、更に検討を重ねて、本発明を完成するに到った。
【0008】
即ち、本発明は次の事項に係る。
1.透明基体上に、金属層からなる導電パターンを有する電磁波シールド透明シートであって、且つ、金属層の厚みが0.01〜1μmである電磁波シールド透明シート。
2.導電パターンの線幅(a)が1〜10μmである1に記載の電磁波シールド透明シート。
3.導電パターンのピッチ幅(b)が5〜200μmである1又は2のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。
4.導電パターンの線幅に対するピッチ幅の比(b/a)が5〜40である1〜3のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。
5.導電パターンの開口率が64〜95%である1〜4のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。
6.シート抵抗値が0.08〜50Ω/□である1〜5のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。
7.次の(イ)〜(ニ)に記載する工程を順次行うことによって得られる1〜6のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。
(イ)透明基体の片面に、薄膜形成手段により、金属層を形成する工程、
(ロ)前記金属層をフォトリソグラフィ法により現像して、非導電パターン部分を露出する工程、
(ハ)非導電パターン部分を化学エッチングして、金属層を溶解除去する工程、
(ニ)導電パターンの残存レジストを剥離除去する工程。
8. 次の(イ)〜(ニ)に記載する工程を順次行うことを特徴とする電磁波シールド透明シートの製造方法。
(イ)透明基体の片面に、薄膜形成手段により、厚さ0.01〜1μmの金属層を形成する工程、
(ロ)前記金属層をフォトリソグラフィ法により現像して、非導電パターン部分を露出する工程、
(ハ)非導電パターン部分を化学エッチングして、金属層を溶解除去する工程、
(ニ)導電パターンの残存レジストを剥離除去する工程。
9.(i)1〜7のいずれかに記載の電磁波シールド透明シートからなるシールド層、(ii)反射防止層、及び(iii)近赤外線カット層を有する複合シート。
【0009】
【発明の実施の態様】
以下、本発明について、具体的に説明する。
【0010】
導電パターン
導電パターンは、ある形状を有する開口部が縦横連続して繰り返した幾何学的形状からなるものであって、導電性金属からなる金属層を有する。
【0011】
開口部の形状は特に制限されることはなく、例えば、正方形、長方形、3又は5〜10の正多角形、円形、菱形等が挙げられる。このうち、正方形の形状のものが、透過率とシールド性能を両立し易く好ましい。
【0012】
ここで、本発明における線幅、ピッチ幅、線幅に対するピッチ幅の比、及び、開口率について、正方形の格子パターンの場合を例として、図1を用いて、説明する。
【0013】
図1において、開口部Bは、該銅パターンの1個を構成単位とするAによって形成されている。aは線幅であって、構成単位Aの一辺を形成する線の幅を示す。bは、ピッチ幅であって、構成単位Aの一辺の長さを示す。線幅に対するピッチ幅の比は、b/aで表される。
【0014】
開口率(%)と、線幅及びピッチ幅は、次の数1の関係にある。
【0015】
数1:開口率(%)=100×(b−a)/b
本発明において、導電パターンの線幅(a)は、1〜10μm、好ましくは、1〜7μm、更に好ましくは2〜5μmである。線幅が大きすぎる場合には、モアレ干渉および光線透過率の点で好ましくなく、小さすぎる場合には、シールド特性の点で好ましくない。
【0016】
導電パターンのピッチ幅(b)は、5〜200μm、好ましくは、5〜150μm、更に好ましくは10〜100μmである。ピッチ幅が大きすぎる場合には、シールド特性の点で好ましくなく、小さすぎる場合には、光線透過率の点で好ましくない。
【0017】
導電パターンの線幅に対するピッチ幅の比(b/a)は、5〜40、好ましくは、10〜30、更に好ましくは15〜25である。線幅に対するピッチ幅の比が大きすぎる場合には、シールド特性の点で好ましくなく、小さすぎる場合には、モアレ干渉および光線透過率の点で好ましくない。
【0018】
また、導電パターンの開口率は、64〜95%、好ましくは、75〜95%、更に好ましくは85〜95%である。開口率が大きすぎる場合には、シールド性能の点で好ましくなく、小さすぎる場合には、光線透過率の点で好ましくない。
【0019】
金属層
本発明における金属層の厚さは、0.01〜1μm、好ましくは、0.05〜0.5μm、更に好ましくは0.05〜0.1μmである。厚すぎる場合には、細線化のパターニングを実施する上で好ましくない。また薄すぎる場合には、シールド性能の点で好ましくない。
【0020】
本発明においては、金属層の厚さが従来のものより薄いことから、パターンの細線化が可能となり、モアレ干渉の軽減および消失という利点を有する。
【0021】
金属層の材質としては、導電性金属として使用可能なものであれば、特に限定されることはなく、例えば、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル、錫、クロム又はそれらの合金等が挙げられる。このうち、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル又はそれらの合金が好ましく、特に、銅又はその合金が好ましい。
【0022】
銅については可能な限り純銅であることが好ましい。またその合金については、銅を主体とした合金であって、例えばCu/Zn(黄銅)、Cu/Sn(青銅)、Cu/Al、Cu/Ni、Cu/Pd、リン青銅、Cu/Be等の合金を好適に使用することができる。
【0023】
また、金属層は、金属の単一層のみからなるものだけでなく、積層化されたものでもよい。例えばクロム+銅あるいはクロム+銅+クロムといった構成の2層、3層又は多層化された層等を例示することができる。この際、最外層に配置される金属層においては、視認性を良好に保つために、白色から黒系統色に色補正する機能あるいは中間層の耐環境に対する保護膜機能などを有する金属を選択することが好ましい。
【0024】
透明基体
透明基体の形状は、使用される用途に応じて適宜設定することができる。通常平面状のシートとして用いられるが、用途によっては、曲折形状であってもよく、また、フィルムや板として用いてもよい。透明基体の厚さは、通常0.05〜5mm程度、好ましくは、0.1〜0.3mm程度である。
【0025】
透明基体の材質としては、ガラス等の無機物、ポリメチルメタアクリレート、ポリスチレン又はスチレンとアクリロニトリル又はメチルメタアクリレートとの共重合体、ポリ(4−メチルペンテン−1)、ポリプロピレンとかシクロペンテン、ノルボルネン、テトラシクロドデカン等の環状オレフィンモノマーによる単独又はエチレン等の共重合による非晶性環状オレフィンポリマー、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、各種液晶性ポリマー等の熱可塑性樹脂、アクリル系、ウレタン系、エポキシ系、シリコーン系の熱硬化性透明樹脂等が挙げられる。これらは2種以上を併用して用いてもよい。
【0026】
前記透明基体に何を選択するかは、種々の用途に応じ適宜設定することができるが、全光線透過率が50%以上、好ましくは70%以上、更に好ましくは90%以上であるものがよい。この値が大きい程、透明で視認性に優れていることを意味する。また、耐熱性、耐侯性、非収縮性、そして機械的強度、耐薬品性等に優れるものが好ましい。
【0027】
電磁波シールド透明シート
本発明の電磁波シールド透明シートのシート抵抗値は、0.08〜50Ω/□、好ましくは、0.4〜10Ω/□、更に好ましくは0.6〜6Ω/□である。
【0028】
シート抵抗値が大きすぎる場合には、シールド特性の点で好ましくない。
【0029】
ここで、シート抵抗値について、図2を用いて説明する。金属層全面のシート抵抗値(Rs)は、次式により、求められる。ρvは体積固有抵抗、tは、金属層の膜厚である。
【0030】
数2:Rs=ρv/t
次に、パターン形成後のシート抵抗値を求めるにあたり、抵抗値r(Ω)を有する図2に示されるような構成単位で考える。例えば、この構成単位が2×2より構成されるパターンを有するシート抵抗値R(Ω/□)は、縦方向の抵抗が等電位(例えばAB間およびBC間には電流が流れない)と考えられるので無視でき、2×2等価回路の合成抵抗より求められる。つまり、R(Ω/□)=r(Ω)の関係式が成り立つ。この関係式は、構成単位をn×nに広げても成り立つ。このr(Ω)は、パターンのピッチ幅b、線幅aおよび上記金属層全面のシート抵抗値Rsより数3の関係より求められる。
【0031】
数3:r=Rs×(b/a)
最終的にパターン形成後のシート抵抗値Rは、R(Ω/□)=Rs×(b/a)より求められる。参考にパターンを45°傾けた場合も下図構成単位から、等価回路によりR=rの関係式が求められる。特性値として、シート抵抗値を必要とする場合、パターンを形成する前の基材のシート抵抗値および設計する線幅およびピッチ幅により任意にパターン形成後のシート抵抗を設計することが出来る。
【0032】
金属の体積固有抵抗値(ρv)は、具体的には、クロム12.9×10−6Ωcm、ニッケル6.84×10−6Ωcm、錫11.0×10−6Ωcm、アルミニウム2.65×10−6Ωcm、金2.35×10−6Ωcm、銀1.59×10−6Ωcm、銅1.67×10−6Ωcmである。
【0033】
本発明の電磁波シールド透明シートは、単独で用いてもよいが、(i)該シートからなるシールド層、(ii)反射防止層及び(iii)近赤外線カット層を積層した複合シートとして用いてもよい。
【0034】
該複合シートは、PDP等の画像表示装置用のフィルター等として用いることができる。
【0035】
反射防止層は、表面の反射を抑えてフィルターの透過率を向上させることを目的とした層であって、金属酸化物、フッ化物、ケイ化物、ホウ化物、炭化物、窒化物、硫化物等の無機物を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法、イオンビームアシスト法等で単層あるいは多層に積層する方法、アクリル樹脂、フッ素樹脂などの屈折率の異なる樹脂を単層あるいは多層に積層させる方法等により形成することができる。更にぎらつき防止層(ノングレア層)を積層してもよい。ノングレア層は、フィルターの視野角を広げる目的とした層であって、透過光を散乱させるため、シリカ、メラミン、アクリル等の徴粉体をインキ化して、表面にコーティングする方法などによって、形成することができる。インキの硬化は、熱硬化あるいは光硬化を用いることができる。
【0036】
近赤外線カット層は、プラズマディスプレイから放射される近赤外線によるリモコンや伝送系光通信における誤動作を防止する目的でディスプレイの前面に設置する。近赤外線光のカット領域は特に問題になる波長としてリモコンや伝送系光通信に、800〜1000nmであり、その領域に吸収を有する近赤外線吸収物質を使用する。この近赤外線吸収物質しては、ニトロソ化合物及びその金属錯塩、シアニン系化合物、ジチオールニッケル錯塩系化合物、アミノチオールニッケル錯塩系化合物、フタロシアニン系化合物、トリアリルメタン系化合物、イモニウム系化合物、ジイモニウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、アミノ化合物、アミニウム塩系化合物の近赤外線吸収色素、あるいは、カーボンブラックや、酸化インジウムスズ、酸化アンチモンスズなどの近赤外線吸収化合物を、単独又は組み合わせて使うことができる。
【0037】
近赤外線カット層は、粘着剤層に近赤外線吸収物質を添加することにより形成することができる。粘着剤層を構成する粘着剤としては、スチレンブタジエンラバー、ポリイソブチレン、天然ゴム、ネオプレン、ブチルゴム等のゴム類やポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル等のポリアクリル酸アルキルエステル等の低重合度ポリマー単独もしくはこれらに粘着付与剤としてピッコライト、ポリペール、ロジンエステル等を添加したもの等が挙げられる。
【0038】
プラズマディスプレイにフィルターを貼着時、プラズマディスプレイの表面とフィルターとの間に気泡が入ると画像が歪んだり、見にくくなったりする等、実用上の大きな問題となるので気泡の巻き込みには十分に注意する必要がある。また、プラズマディスプレイ自体、その表面が高温になるので、加熱によりガスが発生するような粘着剤は避けるべきである。
【0039】
具体的には、ポリアクリル酸アルキルエステル系等のポリマー系粘着剤、又はスチレンブタジエンラバー、天然ゴム等のゴム系粘着剤を、ハロゲン系、アルコール系、ケトン系、エステル系、エーテル系、脂肪族炭化水素系、芳香族炭化水素系等の有機溶剤を単独又は複数混合した溶剤系に分散又は溶解して粘度を調整したものをディッピング法、フローコート法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、ロールコート法、ブレードコート法及びエアーナイフコート法等の塗工方法で塗工し、その後溶剤を乾燥させ、粘着剤層とする。
【0040】
この際の粘着剤層の厚みは、通常、5〜100μm、好ましくは10〜50μmである。粘着剤層の表面に剥離フィルムを設け、粘着剤層にゴミ等が付着しないように、プラズマディスプレイの表面に貼り付けるまで粘着剤層を保護するのも良い。
【0041】
本発明の複合シートは、更に必要に応じて、ハードコート層や汚染防止層などを設けることもできる。
【0042】
また本発明の複合シートを強化ガラス等の支持体に貼合し、積層シートの形態で用いてもよい。
【0043】
電磁波シールド透明シートの製造方法
本発明の電磁波シールドは以下の(イ)〜(ニ)に記載の工程を順次行うことによって形成される。
(イ)透明基体の片面に、薄膜形成手段により、厚さ0.01〜1μmの金属層を形成する工程、
(ロ)前記金属層をフォトリソグラフィ法により現像して、非導電パターン部分を露出する工程、
(ハ)非導電パターン部分を化学エッチングして、金属層を溶解除去する工程、
(ニ)導電パターンの残存レジストを剥離除去する工程。
【0044】
まず、(イ)の工程について説明する。
【0045】
(イ)の工程においては、透明基体の片面に、物理的手段により、厚さ0.01〜1μmの金属層を形成する。
【0046】
ここで、薄膜形成手段とは、一般に用いられている薄膜形成技術であって、化学的薄膜形成手段や物理的薄膜形成手段等が挙げられる。化学的薄膜形成手段としては、具体的には、メッキ法とかCVD法等が挙げられる。また、物理的薄膜形成手段としては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等が挙げられる。
【0047】
これらは、共通して該金属又は非金属を何らかの方法で気体又はイオンの状態にして、これを透明基体表面に受けて、これを沈着して薄膜状とするもので、本発明では該金属として銅又はその合金を使用する。
【0048】
前記薄膜形成手段の中でも、スパッタリング法又はイオンプレーティング法が基材との密着力の点で好ましい。
【0049】
より具体的には、シート状の透明基体片面に、スパッタリング法にて、銅又はその合金をターゲットとして、厚さ0.01〜1μmの薄膜状にスパッタ蒸着する。
【0050】
このスパッタリングに際しては、該シートを何らの前処理を施す必要はなく、直ちに行うことができるが、場合によっては、その表面を脱脂洗浄するかグロー又はコロナによる放電処理等の前処理を行ってもよい。スパッタリング条件は、一般的条件に従って行えば良いが、低ガス圧(ガスはアルゴン等の不活性ガス)下で行う低ガス圧スパッタリングが好ましい。この低ガス圧スパッタリングは、3極グロー放電、2極グローRF放電、マグネトロン、イオンビームによるスパッタリングに相当するが、マグネトロンによるスパッタリングが、形成される薄膜の速度が早く、純度も高く、またスパッタリング装置の真空槽内に発生する温度も低いことからより好ましい。
【0051】
次に(ロ)の工程について説明する。
【0052】
前記(イ)の工程にて得られた金属層を、フォトリソグラフィ法を使って現像し、所望のパターンを露出する。ここで、フォトリソグラフィ法とは、一般に行われている感光性レジストの塗布→マスキングフィルムの真空密着→露光→露光部又は非露光部の溶解除去のための現像→所望するパターンの露出をいう。感光性レジストには、ネガ型とポジ型があり、ネガ型では露光されて紫外線を受けるとその部分のみが光硬化する。ポジ型はネガ型の逆の光特性を有し、紫外光を受けた部分が光分解する。両者現像処理を行えば、ネガ型では、未露光部分が溶解除去され、ポジ型では露光部分が溶解除去されることになる。従って、マスキングフィルムは、ポジ型ではポジマスク(パターンは黒)をネガ型ではネガマスク(パターンは透明)を使用することになる。
【0053】
尚、前記感光性レジストの種類は、特に限定されないが、一般的にはネガ型ではアクリル系、ボジ型ではジアゾ系のものが使用される。また、該レジストは、一般には液状であるのでこれを塗布する方法になるが、これがドライフィルムの様に、予めフィルム状であっても良い。
【0054】
次に(ハ)の工程について説明する。(ハ)における化学エッチングとは、金属層を構成する金属をエッチング液によって化学的に溶解除去する操作である。従って、エッチング液は、金属が溶解するものであれば制限はない。一般的には、通常使用される塩化第二鉄又は塩化第二銅の水溶液であるが、これらのものよりマイルドにエッチングできる、例えば硫酸/過酸化水素系水溶液等を使うことが好ましい。
【0055】
本発明においては、金属層の厚さが薄いことから、化学エッチング時間を、約30〜60秒という短時間とすることができる。
【0056】
最後に(ニ)の工程について説明する。残存している導電パターン部分の感光性レジスト層を剥離除去する。剥離除去は、一般には各種有機溶剤又はアルカリ系水溶液の剥離用薬液を用いてこれを噴射又は揺動浸漬して行う。
【0057】
終了後は直ちに水洗し、乾燥して全行程を終了する。
【0058】
前記各工程で処理されて得られたものの構造を、(イ)〜(二)に準じて図示すると、図3のとおりである。図3においては、その構造の1部を断面図で示している。図3の1は、透明基体、2は金属層、3は感光性フォトレジストを示す。
【0059】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を用いて、本願発明を更に具体的に説明する。
【0060】
実施例1
厚さ125μm、サイズ400×1000mm、Tt=90%の二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(以下PETフィルムと呼ぶ)を、マグネトロン式スパッタ装置の真空槽内に、銅ターゲットに対峙して配置し、空気をアルゴンに完全置換して得た真空度2×10−3トールの環境下、印加電圧DC9kWで1m/minで3回繰り返しのスパッタ蒸着を行った。
【0061】
前記にて得られた銅薄膜の厚さは、約0.1μmで均一であった。 また一部を切り取ってテープ剥離テストしたが、銅薄膜が剥離するような様子はなかった。
【0062】
次に、前記得られた銅スパッタPETフィルムの該スパッタ面に、ポジ型レジストをロールコータにてコーティングし、厚さ5μmの該レジスト層を設けた。そして、該レジスト層面に、線幅が5μm、ピッチ幅が100μm、線幅に対するピッチ幅が20、開口率が90%のパターンを描写したポジマスクを真空吸着した後、露光した。
【0063】
ポジマスクとしては、パターン部分が黒色で、非パターン部分が透明で、開口部が正方形形状に描写されたマスキング用フィルムを用いた。露光は、超高圧水銀灯を光源として、130mJ/cmを照射して行った。この露光によって、非パターン部分のレジストは、分解されており、この部分を現像液にて溶解除去して、最後に水洗乾燥した。該パターン部分の該レジストは、該銅スパッタ面と密着して残存していた。従って、該パターン部分はマスクされており、非パターン部分は、該銅スパッタ層が露出されている。
【0064】
これを次の条件で全面エッチングした。化学エッチング液として、硫酸と過酸化水素とを含む水溶液を用い、これを浴槽に入れて、攪拌しながら、前記をエッチングした。エッチング時間は30秒であり、30秒したら直ちに水洗し乾燥した。
【0065】
次に、全面にアセトンを噴射しつつ、軽タッチでブラッシングして、該パターン部分の残存レジストを溶解除去し、水洗、乾燥しPETフィルム上に導電パターンが形成された透明シートを得た。
【0066】
比較例1
厚さ125μm、サイズ400×1000mm、Tt=90%の二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(以下PETフィルムと呼ぶ)を、マグネトロン式スパッタ装置の真空槽内に、銅ターゲットに対峙して配置し、空気をアルゴンに完全置換して得た真空度2×10−3トールの環境下、印加電圧DC9kWで1m/minで3回繰り返しのスパッタを行った。
【0067】
前記にて得られた銅薄膜の厚さは、約0.1μmで均一であった。 また一部を切り取ってテープ剥離テストしたが、銅薄膜が剥離するような様子はなかった。
【0068】
次に、前記得られた銅スパッタPETフィルムの該スパッタ面に、ポジ型レジストをロールコータにてコーティングし、厚さ5μmの該レジスト層を設けた。そして、該レジスト層面に、線幅が15μm、ピッチ幅が322μm、線幅に対するピッチ幅が21.5、開口率が90%のパターンを描写したネガマスクを真空吸着した後、露光した。
【0069】
ネガマスクとしては、パターン部分が透明で、非パターン部分が黒色で、開口部が正方形形状に描写されたマスキング用フィルムを用いた。露光は、超高圧水銀灯を光源として、130mJ/cmを照射して行った。この露光によって、該パターン部分のレジストは、分解されており、この部分を現像液にて溶解除去して、最後に水洗乾燥した。非パターン部分の該レジストは、該銅スパッタ面と密着して残存していた。従って、非パターン部分はマスクされており、パターン部分は、該銅スパッタ層が露出している。
【0070】
次に、前記露出パターンに次の条件にて、銅を電解メッキした。つまり、含リン銅を陽極として、該パターンを陰極として、硫酸銅と硫酸及び水との混合液をメッキ液として、浴の温度23℃として、陰極電流密度1.7A/dm、メッキ速度0.3μm/minにて電解メッキした。そして十分に水洗して乾燥した。
【0071】
次に、前記電解メッキしたものの全面にアセトンを噴射しつつ、軽タッチでブラッシングして、非パターン部分の残存レジストを溶解除去し、水洗、乾燥した。得られた一部を切り取って、断面を顕微鏡で拡大し観察したところ、積層された銅メッキ層は極めてシャープに角柱状を呈していた。
【0072】
次に、これを次の条件で全面エッチングした。
【0073】
化学エッチング液として、硫酸と過酸化水素とを含む水溶液を用い、これを浴槽に入れて、攪拌しながら、前記をエッチングした。エッチング時間は30秒であり、30秒したら直ちに水洗し乾燥し、PETフィルム上に導電パターンが形成された透明シートを得た。最終的な金属(銅)層の厚みは、2.7μmとなった。
【0074】
試験例1
実施例1で得られたシートと比較例1で得られたシートについて、電磁波シールド特性、シート抵抗値及び全光線透過率を調べた。電磁波シールド特性は、(財)関西電子工業振興センター法(一般にKEC法と呼ばれる)における測定装置によって、周波数0〜1000MHz(メガヘルツ)の範囲で測定した電磁波の減衰率(dB−デシベル)でもって表した。シート抵抗値は、シート抵抗測定機(三菱化学株式会社製 Loresta−EP(MCP−T360)、使用プローブ:ESP)で測定した。また、全光線透過率は、JIS K7105(1981)に基づいて作製された日本電色工業株式会社製の濁度計タイプNDH−20D型によって測定した。
【0075】
電磁波シールド特性の試験結果について、実施例1の結果を図4に、比較例1の結果を図5に示す。またシート抵抗値、全光線透過率を含む各シートの特性について調べた結果を表1に示す。
【0076】
【表1】

Figure 2004095829
【0077】
図4、図5及び表1に示される結果から明らかなように、本発明のシートはシート抵抗値が高いにも関わらず、良好なシールド特性を有していることが明らかとなった。特に、PDPの放射ノイズで問題視されている周波数帯(30〜300MHz)の電磁波が、顕著にシールドされることが明らかとなった。
【0078】
実施例2
PDPの前面に、前記実施例1で作成した電磁波シールド透明シートを設置したところ、モアレが発生しなかった。更に、PDPとの対面角度を45度ずらして設置しても、モアレが発生しなかった。このことから、本願発明によって、モアレ現象が軽減又は消失されることが明らかとなった
【0079】
【発明の効果】
本願発明は、上述のような構成を有することによって、細線加工が可能となり、しかも、良好な透明性及びシールド特性を有するという優れた効果を奏する。特に、本願発明においては、低周波領域の電磁波が格段にシールド(遮蔽)されるという、従来技術からは予測できない有利な効果を奏する。
【0080】
また、本願発明は、微細な細線加工が可能となったことで、モアレ現象が軽減又は消失するという効果も奏する。これによって、従来のような、モアレを解消するための角度の調整が必要なくなり、PDP等の機種毎にバイアス角度の調整も不要となる。
【0081】
更に、本発明のシートの製造に際しては、メッキ等の複雑な工程を必要せず、容易に、しかも、安易に電磁波シールド透明シートが得られるという利点も有する。また、厚さが薄くなったことにより、粘着フィルムとの貼り合わせの際の気泡かみ込みの問題が軽減されるという利点も有する。
【0082】
本願発明の透明シートは、このような優れた物性を有していることから、PDP等の電磁波発生機器からの電磁波シールド用として有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、パターンが正方形格子パターンである場合の構成を平面図で示した図面である。
【図2】図2は、シート抵抗値を算出するためのモデル回路を示した図面である。
【図3】図3は、(イ)〜(ニ)の各工程で処理されて得られる本発明のシートの構造を断面図で示した図面である。
【図4】図4は、本発明の実施例の電磁波シールド特性を示す図面である。
【図5】図5は、比較例の電磁波シールド特性を示す図面である。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an improved electromagnetic wave shielding transparent sheet and a method for manufacturing the same. In particular, the present invention relates to an electromagnetic wave shielding transparent sheet for electronic information equipment such as a plasma display (PDP).
[0002]
[Prior art]
Electromagnetic waves emitted from various electronic information devices, and conversely, electromagnetic waves received from other worlds, have become a problem as factors that cause malfunctions of the devices.
[0003]
Various measures have already been proposed and implemented for measures to prevent equipment failure due to electromagnetic waves. For example, in an electronic information device such as a plasma display, since an electromagnetic wave emitted from the inside through a screen becomes an obstacle, a method of loading an electromagnetic wave shielding material on the screen is generally adopted. In such a case, the shielding material must not be opaque, but must be transparent and effectively shield electromagnetic waves.
[0004]
Conventionally, as an electromagnetic wave shielding member having transparency, a copper foil having a thickness of 10 to 40 μm was pasted on a transparent substrate, and then patterned by a photolithography method, and then removed by etching to form a pattern on the sheet. Shield members and the like have been proposed.
[0005]
However, although the copper foil having the above-mentioned thickness has good shielding properties, there is a limit to thinning of the pattern, and there are also problems such as a decrease in overall transparency and visibility.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
The main object of the present invention is to provide an electromagnetic wave shielding transparent sheet having good transparency and shielding properties and excellent in fine wire workability.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The inventor of the present invention has made intensive studies with the main object of solving the above problems. As a result, by setting the thickness of the metal layer, the line width, the pitch width, and the ratio of the line width to the pitch width in a specific range, the electromagnetic wave having excellent transparency and shielding properties, and excellent fine wire processability. The inventors have found that a shield transparent sheet can be obtained, and have further studied, and completed the present invention.
[0008]
That is, the present invention relates to the following matters.
1. An electromagnetic wave shielding transparent sheet having a conductive pattern formed of a metal layer on a transparent substrate, wherein the thickness of the metal layer is 0.01 to 1 μm.
2. 2. The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to 1, wherein the conductive pattern has a line width (a) of 1 to 10 μm.
3. 3. The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of 1 and 2, wherein the pitch width (b) of the conductive pattern is 5 to 200 μm.
4. 4. The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of 1 to 3, wherein a ratio (b / a) of a pitch width to a line width of the conductive pattern is 5 to 40.
5. 5. The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of 1 to 4, wherein the aperture ratio of the conductive pattern is 64 to 95%.
6. 6. The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of 1 to 5, which has a sheet resistance of 0.08 to 50 Ω / □.
7. The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of 1 to 6, which is obtained by sequentially performing the following steps (a) to (d).
(A) forming a metal layer on one surface of a transparent substrate by a thin film forming means;
(B) developing the metal layer by photolithography to expose a non-conductive pattern portion;
(C) a step of chemically etching the non-conductive pattern portion to dissolve and remove the metal layer;
(D) removing and removing the remaining resist of the conductive pattern;
8. (4) A method for producing an electromagnetic wave shielding transparent sheet, comprising sequentially performing the following steps (a) to (d).
(A) forming a metal layer having a thickness of 0.01 to 1 μm on one surface of the transparent substrate by a thin film forming means;
(B) developing the metal layer by photolithography to expose a non-conductive pattern portion;
(C) a step of chemically etching the non-conductive pattern portion to dissolve and remove the metal layer;
(D) removing and removing the remaining resist of the conductive pattern;
9. (I) A composite sheet having a shield layer comprising the electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of (1) to (7), (ii) an antireflection layer, and (iii) a near-infrared cut layer.
[0009]
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS
Hereinafter, the present invention will be described specifically.
[0010]
Conductive pattern
The conductive pattern has a geometric shape in which openings having a certain shape are repeated vertically and horizontally continuously, and has a metal layer made of a conductive metal.
[0011]
The shape of the opening is not particularly limited, and examples thereof include a square, a rectangle, 3 or 5 to 10 regular polygons, a circle, and a rhombus. Among them, those having a square shape are preferable because they can easily achieve both transmittance and shielding performance.
[0012]
Here, the line width, the pitch width, the ratio of the pitch width to the line width, and the aperture ratio in the present invention will be described with reference to FIG. 1 by taking a square lattice pattern as an example.
[0013]
In FIG. 1, the opening B is formed by A having one of the copper patterns as a constituent unit. a is the line width, which indicates the width of the line forming one side of the structural unit A. b is a pitch width, which indicates the length of one side of the structural unit A. The ratio of the pitch width to the line width is represented by b / a.
[0014]
The aperture ratio (%) and the line width and the pitch width have the following relationship (1).
[0015]
Formula 1: Opening ratio (%) = 100 × (ba)2/ B2
In the present invention, the line width (a) of the conductive pattern is 1 to 10 μm, preferably 1 to 7 μm, and more preferably 2 to 5 μm. If the line width is too large, it is not preferable in terms of Moire interference and light transmittance, and if it is too small, it is not preferable in terms of shielding characteristics.
[0016]
The pitch width (b) of the conductive pattern is 5 to 200 μm, preferably 5 to 150 μm, and more preferably 10 to 100 μm. If the pitch width is too large, it is not preferable in terms of shielding characteristics, and if it is too small, it is not preferable in terms of light transmittance.
[0017]
The ratio (b / a) of the pitch width to the line width of the conductive pattern is 5 to 40, preferably 10 to 30, and more preferably 15 to 25. If the ratio of the pitch width to the line width is too large, it is not preferable in terms of the shield characteristics, and if it is too small, it is not preferable in terms of Moire interference and light transmittance.
[0018]
Further, the opening ratio of the conductive pattern is 64 to 95%, preferably 75 to 95%, and more preferably 85 to 95%. If the aperture ratio is too large, it is not preferable in terms of shielding performance, and if it is too small, it is not preferable in terms of light transmittance.
[0019]
Metal layer
In the present invention, the thickness of the metal layer is 0.01 to 1 μm, preferably 0.05 to 0.5 μm, and more preferably 0.05 to 0.1 μm. If it is too thick, it is not preferable in performing patterning for thinning. On the other hand, if it is too thin, it is not preferable in terms of shielding performance.
[0020]
In the present invention, since the thickness of the metal layer is thinner than the conventional one, it is possible to make the pattern thinner, and there is an advantage that moire interference is reduced and eliminated.
[0021]
The material of the metal layer is not particularly limited as long as it can be used as a conductive metal, and examples thereof include copper, gold, silver, aluminum, nickel, tin, chromium, and alloys thereof. . Among them, copper, gold, silver, aluminum, nickel or an alloy thereof is preferable, and particularly copper or an alloy thereof is preferable.
[0022]
The copper is preferably pure copper as much as possible. The alloy is an alloy mainly composed of copper, for example, Cu / Zn (brass), Cu / Sn (bronze), Cu / Al, Cu / Ni, Cu / Pd, phosphor bronze, Cu / Be, etc. Can be suitably used.
[0023]
Further, the metal layer is not limited to a single metal layer, but may be a stacked layer. For example, a two-layer, three-layer, or multi-layered layer having a structure of chromium + copper or chromium + copper + chromium can be exemplified. At this time, in the metal layer disposed as the outermost layer, a metal having a function of correcting the color from white to a black system color or a function of protecting the intermediate layer against the environment is selected in order to maintain good visibility. Is preferred.
[0024]
Transparent substrate
The shape of the transparent substrate can be set as appropriate according to the intended use. Usually, it is used as a flat sheet, but depending on the application, it may be bent, or may be used as a film or plate. The thickness of the transparent substrate is usually about 0.05 to 5 mm, preferably about 0.1 to 0.3 mm.
[0025]
Examples of the material of the transparent substrate include inorganic substances such as glass, polymethyl methacrylate, polystyrene or a copolymer of styrene and acrylonitrile or methyl methacrylate, poly (4-methylpentene-1), polypropylene or cyclopentene, norbornene, or tetracyclo. Thermoplastic resins such as amorphous cyclic olefin polymer, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyarylate, polyether sulfone, polycarbonate, various liquid crystal polymers, etc., by homopolymerization with cycloolefin monomer such as dodecane or copolymerization of ethylene etc., acrylic And urethane-based, epoxy-based and silicone-based thermosetting transparent resins. These may be used in combination of two or more.
[0026]
What is selected for the transparent substrate can be appropriately set according to various uses, but it is preferable that the total light transmittance is 50% or more, preferably 70% or more, and more preferably 90% or more. . The larger this value is, the more transparent and excellent the visibility is. Further, those having excellent heat resistance, weather resistance, non-shrinkage, mechanical strength, chemical resistance and the like are preferable.
[0027]
Electromagnetic wave shielding transparent sheet
The sheet resistance of the electromagnetic wave shielding transparent sheet of the present invention is from 0.08 to 50 Ω / □, preferably from 0.4 to 10 Ω / □, more preferably from 0.6 to 6 Ω / □.
[0028]
If the sheet resistance value is too large, it is not preferable in terms of shielding characteristics.
[0029]
Here, the sheet resistance value will be described with reference to FIG. The sheet resistance value (Rs) of the entire metal layer is obtained by the following equation. ρv is the volume resistivity, and t is the thickness of the metal layer.
[0030]
Equation 2: Rs = ρv / t
Next, in obtaining the sheet resistance value after pattern formation, a configuration unit having a resistance value r (Ω) as shown in FIG. 2 will be considered. For example, a sheet resistance value R (Ω / □) having a pattern in which this constituent unit is composed of 2 × 2 is considered that the resistance in the vertical direction is equipotential (for example, no current flows between AB and BC). Therefore, it can be ignored and can be obtained from the combined resistance of the 2 × 2 equivalent circuit. That is, the relational expression of R (Ω / □) = r (Ω) holds. This relational expression holds even if the constituent units are expanded to n × n. This r (Ω) is obtained from the relationship expressed by Equation 3 from the pattern pitch width b, the line width a, and the sheet resistance value Rs of the entire metal layer.
[0031]
Equation 3: r = Rs × (b / a)
Finally, the sheet resistance value R after pattern formation is obtained from R (Ω / □) = Rs × (b / a). For reference, even when the pattern is inclined by 45 °, the relational expression of R = r can be obtained from the constituent units shown in the figure by an equivalent circuit. When a sheet resistance value is required as the characteristic value, the sheet resistance after pattern formation can be arbitrarily designed based on the sheet resistance value of the base material before pattern formation and the designed line width and pitch width.
[0032]
The specific volume resistivity (ρv) of the metal is, specifically, chromium 12.9 × 10-6Ωcm, nickel 6.84 × 10-6Ωcm, tin 11.0 × 10-6Ωcm, aluminum 2.65 × 10-6Ωcm, gold 2.35 × 10-6Ωcm, silver 1.59 × 10-6Ωcm, copper 1.67 × 10-6Ωcm.
[0033]
Although the electromagnetic wave shielding transparent sheet of the present invention may be used alone, it may also be used as a composite sheet in which (i) a shield layer made of the sheet, (ii) an antireflection layer and (iii) a near infrared cut layer are laminated. Good.
[0034]
The composite sheet can be used as a filter for an image display device such as a PDP.
[0035]
The anti-reflection layer is a layer intended to suppress the reflection on the surface and improve the transmittance of the filter, and includes a metal oxide, a fluoride, a silicide, a boride, a carbide, a nitride, and a sulfide. A method of laminating an inorganic substance in a single layer or a multilayer by a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, an ion beam assist method, etc., and laminating a resin having a different refractive index such as an acrylic resin or a fluororesin in a single layer or a multilayer. It can be formed by a method or the like. Further, an anti-glare layer (non-glare layer) may be laminated. The non-glare layer is a layer intended to increase the viewing angle of the filter, and is formed by, for example, a method of forming a powder such as silica, melamine, or acrylic into an ink and coating the surface to scatter transmitted light. be able to. The ink can be cured by heat or light.
[0036]
The near-infrared cut layer is provided on the front of the display for the purpose of preventing malfunctions in remote control and transmission optical communication due to near-infrared rays emitted from the plasma display. The cut region of the near-infrared light has a wavelength of 800 to 1000 nm for a remote controller or a transmission optical communication as a wavelength that is particularly problematic, and a near-infrared absorbing material having absorption in that region is used. Examples of the near-infrared absorbing material include nitroso compounds and metal complex salts thereof, cyanine compounds, dithiol nickel complex salt compounds, aminothiol nickel complex salt compounds, phthalocyanine compounds, triallylmethane compounds, immonium compounds, diimmonium compounds. , Naphthoquinone-based compounds, anthraquinone-based compounds, amino compounds, near-infrared-absorbing dyes such as aminium salt-based compounds, or carbon black, or near-infrared-absorbing compounds such as indium tin oxide and antimony tin oxide can be used alone or in combination. it can.
[0037]
The near-infrared cut layer can be formed by adding a near-infrared absorbing substance to the pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer include rubbers such as styrene-butadiene rubber, polyisobutylene, natural rubber, neoprene, and butyl rubber, and alkyl polyacrylates such as polymethyl acrylate, polyethyl acrylate, and polybutyl acrylate. And the like, or a polymer obtained by adding piccolite, polypropylene, rosin ester or the like as a tackifier thereto.
[0038]
When attaching the filter to the plasma display, if bubbles enter between the surface of the plasma display and the filter, the image will be distorted and it will be difficult to see it. There is a need to. Further, since the surface of the plasma display itself becomes high in temperature, an adhesive which generates gas by heating should be avoided.
[0039]
Specifically, a polymer-based pressure-sensitive adhesive such as a polyacrylate alkyl ester-based or a rubber-based pressure-sensitive adhesive such as styrene-butadiene rubber or natural rubber is used for halogen-based, alcohol-based, ketone-based, ester-based, ether-based, or aliphatic Hydrocarbons, aromatic hydrocarbons and other organic solvents are dispersed or dissolved in a single or mixed solvent system to adjust the viscosity, and the viscosity is adjusted by dipping, flow coating, spraying, bar coating, gravure coating, etc. Then, coating is performed by a coating method such as a roll coating method, a blade coating method, and an air knife coating method, and then the solvent is dried to form an adhesive layer.
[0040]
At this time, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is usually 5 to 100 μm, preferably 10 to 50 μm. A release film may be provided on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer may be protected until the pressure-sensitive adhesive layer is attached to the surface of the plasma display so that dust and the like do not adhere to the pressure-sensitive adhesive layer.
[0041]
The composite sheet of the present invention can further be provided with a hard coat layer, a contamination prevention layer, and the like, if necessary.
[0042]
Further, the composite sheet of the present invention may be bonded to a support such as tempered glass and used in the form of a laminated sheet.
[0043]
Method for manufacturing electromagnetic wave shielding transparent sheet
The electromagnetic wave shield of the present invention is formed by sequentially performing the following steps (a) to (d).
(A) forming a metal layer having a thickness of 0.01 to 1 μm on one surface of the transparent substrate by a thin film forming means;
(B) developing the metal layer by photolithography to expose a non-conductive pattern portion;
(C) a step of chemically etching the non-conductive pattern portion to dissolve and remove the metal layer;
(D) removing and removing the remaining resist of the conductive pattern;
[0044]
First, the step (a) will be described.
[0045]
In the step (a), a metal layer having a thickness of 0.01 to 1 μm is formed on one surface of the transparent substrate by physical means.
[0046]
Here, the thin film forming means is a generally used thin film forming technique, such as a chemical thin film forming means or a physical thin film forming means. Specific examples of the chemical thin film forming means include a plating method and a CVD method. Examples of the physical thin film forming means include a sputtering method, a vacuum deposition method, and an ion plating method.
[0047]
These are commonly used to convert the metal or nonmetal into a gas or ion state by some method, receive it on the surface of a transparent substrate, and deposit it into a thin film. Use copper or its alloy.
[0048]
Among the thin film forming means, a sputtering method or an ion plating method is preferable from the viewpoint of adhesion to a substrate.
[0049]
More specifically, a thin film having a thickness of 0.01 to 1 μm is sputter-deposited on one surface of a sheet-shaped transparent substrate by a sputtering method using copper or an alloy thereof as a target.
[0050]
At the time of this sputtering, it is not necessary to perform any pretreatment on the sheet, and it can be performed immediately. Good. The sputtering may be performed under general conditions, but low-gas-pressure sputtering performed under a low gas pressure (the gas is an inert gas such as argon) is preferable. This low gas pressure sputtering corresponds to tripolar glow discharge, bipolar glow RF discharge, magnetron, sputtering by ion beam. Is more preferable because the temperature generated in the vacuum chamber is low.
[0051]
Next, the step (b) will be described.
[0052]
The metal layer obtained in the step (a) is developed using a photolithography method to expose a desired pattern. Here, the photolithography method generally means application of a photosensitive resist → vacuum adhesion of a masking film → exposure → development for dissolving and removing an exposed portion or a non-exposed portion → exposure of a desired pattern. The photosensitive resist is classified into a negative type and a positive type. In the case of the negative type, when exposed to ultraviolet light, only that portion is photo-cured. The positive type has the opposite light characteristics to the negative type, and the portion that has received ultraviolet light is photolyzed. If both development processes are performed, the unexposed portion is dissolved and removed in the negative type, and the exposed portion is dissolved and removed in the positive type. Therefore, the masking film uses a positive mask (pattern is black) for the positive type and a negative mask (pattern is transparent) for the negative type.
[0053]
The type of the photosensitive resist is not particularly limited, but an acrylic type is generally used for a negative type, and a diazo type is used for a body type. Since the resist is generally in a liquid state, the resist is applied. However, the resist may be in the form of a film in advance, such as a dry film.
[0054]
Next, the step (c) will be described. The chemical etching in (c) is an operation of chemically dissolving and removing the metal constituting the metal layer with an etchant. Therefore, the etchant is not limited as long as the metal can be dissolved. Generally, it is an aqueous solution of ferric chloride or cupric chloride which is usually used. However, it is preferable to use a sulfuric acid / hydrogen peroxide based aqueous solution which can be etched milder than these.
[0055]
In the present invention, since the thickness of the metal layer is small, the chemical etching time can be as short as about 30 to 60 seconds.
[0056]
Finally, the step (d) will be described. The photosensitive resist layer in the remaining conductive pattern portion is peeled off. The peeling removal is generally performed by spraying or rocking immersion using a stripping chemical solution of various organic solvents or alkaline aqueous solutions.
[0057]
Immediately after finishing, wash and dry to complete the whole process.
[0058]
FIG. 3 shows the structure of the product obtained by the treatment in each of the above steps according to (a) to (2). In FIG. 3, a part of the structure is shown in a sectional view. In FIG. 3, 1 indicates a transparent substrate, 2 indicates a metal layer, and 3 indicates a photosensitive photoresist.
[0059]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples.
[0060]
Example 1
A biaxially stretched polyethylene terephthalate film (hereinafter referred to as a PET film) having a thickness of 125 μm, a size of 400 × 1000 mm, and Tt = 90% is placed in a vacuum chamber of a magnetron type sputtering apparatus so as to face a copper target, and air is blown. Vacuum degree 2 × 10 obtained by completely replacing with argon-3In a toll environment, sputter deposition was repeated three times at an applied voltage of 9 kW and at 1 m / min.
[0061]
The thickness of the copper thin film obtained above was uniform at about 0.1 μm. A part was cut off and a tape peeling test was performed, but there was no appearance that the copper thin film was peeled off.
[0062]
Next, a positive resist was coated on the sputtered surface of the obtained copper sputtered PET film by a roll coater to provide the resist layer having a thickness of 5 μm. Then, a positive mask depicting a pattern having a line width of 5 μm, a pitch width of 100 μm, a pitch width to the line width of 20, and an aperture ratio of 90% was vacuum-sucked onto the resist layer surface, and then exposed.
[0063]
As the positive mask, a masking film in which the pattern portions were black, the non-pattern portions were transparent, and the openings were drawn in a square shape was used. Exposure was performed using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source at 130 mJ / cm.2Irradiation was performed. As a result of this exposure, the resist in the non-pattern portion was decomposed, and this portion was dissolved and removed with a developing solution, and finally, washed and dried. The resist in the pattern portion remained in close contact with the copper sputtering surface. Therefore, the pattern portion is masked, and the non-pattern portion has the copper sputter layer exposed.
[0064]
This was entirely etched under the following conditions. An aqueous solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide was used as a chemical etching solution, and the solution was put into a bath and etched while stirring. The etching time was 30 seconds, and immediately after 30 seconds, the substrate was washed with water and dried.
[0065]
Next, the entire surface was sprayed with acetone and brushed with a light touch to dissolve and remove the remaining resist in the pattern portion, washed with water and dried to obtain a transparent sheet having a conductive pattern formed on a PET film.
[0066]
Comparative Example 1
A biaxially stretched polyethylene terephthalate film (hereinafter referred to as a PET film) having a thickness of 125 μm, a size of 400 × 1000 mm, and Tt = 90% is placed in a vacuum chamber of a magnetron type sputtering apparatus so as to face a copper target, and air is blown. Vacuum degree 2 × 10 obtained by completely replacing with argon-3In a toll environment, sputtering was repeated three times at an applied voltage of 9 kW at 1 m / min.
[0067]
The thickness of the copper thin film obtained above was uniform at about 0.1 μm. A part was cut off and a tape peeling test was performed, but there was no appearance that the copper thin film was peeled off.
[0068]
Next, a positive resist was coated on the sputtered surface of the obtained copper sputtered PET film by a roll coater to provide the resist layer having a thickness of 5 μm. Then, a negative mask depicting a pattern having a line width of 15 μm, a pitch width of 322 μm, a pitch width relative to the line width of 21.5 and an aperture ratio of 90% was vacuum-sucked on the resist layer surface, and then exposed.
[0069]
As the negative mask, a masking film in which the pattern portions were transparent, the non-pattern portions were black, and the openings were drawn in a square shape was used. Exposure was performed using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source at 130 mJ / cm.2Irradiation was performed. As a result of this exposure, the resist in the pattern portion was decomposed, and this portion was dissolved and removed with a developing solution. Finally, the resist was washed with water and dried. The resist in the non-pattern portion remained in close contact with the copper sputtering surface. Therefore, the non-patterned portion is masked, and the patterned portion has the copper sputtered layer exposed.
[0070]
Next, copper was electrolytically plated on the exposed pattern under the following conditions. That is, a phosphorous-containing copper as an anode, the pattern as a cathode, a mixed solution of copper sulfate, sulfuric acid and water as a plating solution, a bath temperature of 23 ° C., and a cathode current density of 1.7 A / dm.2Electroplating was performed at a plating speed of 0.3 μm / min. Then, it was thoroughly washed with water and dried.
[0071]
Next, the surface of the electroplated product was brushed with a light touch while spraying acetone over the entire surface to dissolve and remove the remaining resist in the non-pattern portion, washed with water, and dried. The obtained part was cut out, and the cross section was enlarged and observed with a microscope. As a result, the laminated copper plating layer had a very sharp prismatic shape.
[0072]
Next, this was entirely etched under the following conditions.
[0073]
An aqueous solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide was used as a chemical etching solution, and the solution was put into a bath and etched while stirring. The etching time was 30 seconds. After 30 seconds, the film was immediately washed with water and dried to obtain a transparent sheet having a conductive pattern formed on a PET film. The final thickness of the metal (copper) layer was 2.7 μm.
[0074]
Test example 1
With respect to the sheet obtained in Example 1 and the sheet obtained in Comparative Example 1, electromagnetic wave shielding characteristics, sheet resistance, and total light transmittance were examined. The electromagnetic wave shielding characteristic is expressed by an attenuation rate (dB-dB) of an electromagnetic wave measured in a frequency range of 0 to 1000 MHz (megahertz) by a measuring device in the Kansai Electronics Industry Promotion Center method (generally called the KEC method). did. The sheet resistance value was measured with a sheet resistance measuring device (Loresta-EP (MCP-T360) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, probe used: ESP). The total light transmittance was measured by a turbidimeter type NDH-20D manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd., which was manufactured based on JIS K7105 (1981).
[0075]
Regarding the test results of the electromagnetic wave shielding characteristics, FIG. 4 shows the result of Example 1 and FIG. 5 shows the result of Comparative Example 1. Table 1 shows the results of examining the characteristics of each sheet including the sheet resistance value and the total light transmittance.
[0076]
[Table 1]
Figure 2004095829
[0077]
As is clear from the results shown in FIGS. 4 and 5 and Table 1, it was found that the sheet of the present invention had good shielding characteristics despite having a high sheet resistance value. In particular, it has been clarified that electromagnetic waves in a frequency band (30 to 300 MHz), which is regarded as a problem due to PDP radiation noise, are significantly shielded.
[0078]
Example 2
When the electromagnetic wave shielding transparent sheet prepared in Example 1 was placed on the front surface of the PDP, no moiré occurred. Further, moiré did not occur even if the face-to-face angle with the PDP was shifted by 45 degrees. From this, it became clear that the moiré phenomenon was reduced or eliminated by the present invention.
[0079]
【The invention's effect】
The present invention has an excellent effect of enabling fine wire processing and having good transparency and shielding characteristics by having the above-described configuration. In particular, the present invention has an advantageous effect that electromagnetic waves in a low frequency region are remarkably shielded (shielded), which is unpredictable from the prior art.
[0080]
In addition, the present invention also has an effect that the moire phenomenon is reduced or eliminated by enabling fine fine wire processing. This eliminates the need for the conventional angle adjustment for eliminating moiré, and also eliminates the need for the bias angle adjustment for each type of PDP or the like.
[0081]
Further, there is an advantage that the electromagnetic wave shielding transparent sheet can be easily and easily obtained without requiring complicated steps such as plating when producing the sheet of the present invention. In addition, since the thickness is reduced, there is also an advantage that the problem of air bubble entrapment at the time of bonding with the adhesive film is reduced.
[0082]
Since the transparent sheet of the present invention has such excellent physical properties, it is useful for shielding electromagnetic waves from electromagnetic wave generating devices such as PDPs.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a configuration when a pattern is a square lattice pattern.
FIG. 2 is a diagram illustrating a model circuit for calculating a sheet resistance value.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of the sheet of the present invention obtained by processing in each of the steps (a) to (d).
FIG. 4 is a drawing showing electromagnetic wave shielding characteristics of an example of the present invention.
FIG. 5 is a drawing showing electromagnetic wave shielding characteristics of a comparative example.

Claims (9)

透明基体上に、金属層からなる導電パターンを有する電磁波シールド透明シートであって、且つ、金属層の厚みが0.01〜1μmである電磁波シールド透明シート。An electromagnetic wave shielding transparent sheet having a conductive pattern formed of a metal layer on a transparent substrate, wherein the thickness of the metal layer is 0.01 to 1 μm. 導電パターンの線幅(a)が1〜10μmである請求項1に記載の電磁波シールド透明シート。2. The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to claim 1, wherein the line width (a) of the conductive pattern is 1 to 10 [mu] m. 導電パターンのピッチ幅(b)が5〜200μmである請求項1又は2のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to claim 1, wherein a pitch width (b) of the conductive pattern is 5 to 200 μm. 導電パターンの線幅に対するピッチ幅の比(b/a)が5〜40である請求項1〜3のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of claims 1 to 3, wherein a ratio (b / a) of a pitch width to a line width of the conductive pattern is 5 to 40. 導電パターンの開口率が64〜95%である請求項1〜4のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of claims 1 to 4, wherein the conductive pattern has an aperture ratio of 64 to 95%. シート抵抗値が0.08〜50Ω/□である請求項1〜5のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of claims 1 to 5, wherein the sheet resistance value is 0.08 to 50Ω / □. 次の(イ)〜(ニ)に記載する工程を順次行うことによって得られる請求項1〜6のいずれかに記載の電磁波シールド透明シート。
(イ)透明基体の片面に、薄膜形成手段により、金属層を形成する工程、
(ロ)前記金属層をフォトリソグラフィ法により現像して、非導電パターン部分を露出する工程、
(ハ)非導電パターン部分を化学エッチングして、金属層を溶解除去する工程、
(ニ)導電パターンの残存レジストを剥離除去する工程。
The electromagnetic wave shielding transparent sheet according to any one of claims 1 to 6, which is obtained by sequentially performing the following steps (a) to (d).
(A) forming a metal layer on one surface of a transparent substrate by a thin film forming means;
(B) developing the metal layer by photolithography to expose a non-conductive pattern portion;
(C) a step of chemically etching the non-conductive pattern portion to dissolve and remove the metal layer;
(D) removing and removing the resist remaining on the conductive pattern;
次の(イ)〜(ニ)に記載する工程を順次行うことを特徴とする電磁波シールド透明シートの製造方法。
(イ)透明基体の片面に、薄膜形成手段により、厚さ0.01〜1μmの金属層を形成する工程、
(ロ)前記金属層をフォトリソグラフィ法により現像して、非導電パターン部分を露出する工程、
(ハ)非導電パターン部分を化学エッチングして、金属層を溶解除去する工程、
(ニ)導電パターンの残存レジストを剥離除去する工程。
A method for producing an electromagnetic wave shielding transparent sheet, wherein the following steps (a) to (d) are sequentially performed.
(A) forming a metal layer having a thickness of 0.01 to 1 μm on one surface of the transparent substrate by a thin film forming means;
(B) developing the metal layer by photolithography to expose a non-conductive pattern portion;
(C) a step of chemically etching the non-conductive pattern portion to dissolve and remove the metal layer;
(D) removing and removing the resist remaining on the conductive pattern;
(i)請求項1〜7のいずれかに記載の電磁波シールド透明シートからなるシールド層、(ii)反射防止層、及び(iii)近赤外線カット層を有する複合シート。A composite sheet comprising (i) a shield layer comprising the electromagnetic wave shielding transparent sheet according to claim 1, (ii) an antireflection layer, and (iii) a near-infrared cut layer.
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