JP4377767B2 - 送受信制御回路及び通信装置 - Google Patents
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Description
ダイプレクサDiは、ローパスフィルタLPF及びハイパスフィルタHPFから成り、両フィルタ間で外部のアンテナAntと電気的に接続される。
第1のスイッチ回路Sw1は、1対多数の選択的な接続をするスイッチング素子、特に高周波での特性に優れるGaAs半導体素子が好適に用いられる。かかる第1のスイッチ回路Sw1は、上記第1の周波数帯域にかかる外部の送受信回路LTx、LRxを、ローパスフィルタLPFに選択的に接続する。
第2のスイッチ回路Sw2は、上記第1のスイッチ回路Sw1と同様に1対多数の選択的な接続をする半導体素子であり、上記第2の周波数帯域にかかる外部の送受信回路HTx、HRx及びグランド電位を、ハイパスフィルタHPFに選択的に接続する。
Di・・・ダイプレクサ
LPF・・・ローパスフィルタ
HPF・・・ハイパスフィルタ
Sw1・・・第1のスイッチ回路
Sw2・・・第2のスイッチ回路
Claims (2)
- ローパスフィルタ及びハイパスフィルタから成り、両フィルタ間で外部のアンテナと電気的に接続されるダイプレクサと、
第1の周波数帯域における信号の送受信に際して外部の送信回路又は受信回路を前記ローパスフィルタを介して外部のアンテナに選択的に接続する第1のスイッチ回路と、
前記第1の周波数帯域よりも高周波側に位置する第2の周波数帯域における信号の送受信に際して外部の送信回路、受信回路及びグランド電位のいずれかを前記ハイパスフィルタを介して前記アンテナに選択的に接続する第2のスイッチ回路と、を備えた送受信制御回路において、
前記ハイパスフィルタが、前記ローパスフィルタと前記第2のスイッチ回路との間に直列接続した一対のキャパシタ素子と、前記キャパシタ素子間に一端側が接続され、他端側がグランド電位に接続されるインダクタ素子とで構成されており、前記第1の周波数帯域における信号の送受信に際して、前記ハイパスフィルタを前記第2のスイッチ回路を介してグランド電位に接続した際に、前記第2の周波数帯域よりも低周波側に形成されている減衰極が高周波側に移動することにより、前記第1の周波数帯域の信号の高調波が前記ハイパスフィルタを介してグランド電位に流れて、前記高調波を抑制するようになしたことを特徴とする送受信制御回路。 - 請求項1に記載の送受信制御回路と、前記ダイプレクサに電気的に接続されるアンテナと、前記第1及び第2のスイッチ回路のそれぞれに電気的に接続される送信回路及び受信回路とを含んでなることを特徴とする通信装置。
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