JP4377354B2 - Polyimide silicone resin composition - Google Patents

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本発明は、電子部品の電極保護用途に適したポリイミドシリコーン系樹脂組成物に関するものである。   The present invention relates to a polyimide silicone resin composition suitable for use in electrode protection of electronic parts.

従来から、電子部品等の絶縁保護膜用樹脂として、耐熱性および電気的・機械的特性に優れたポリイミド樹脂が利用されている。保護膜形成に際し、一般にポリイミド樹脂は有機溶媒に不溶であるために、その前駆体であるポリアミック酸の溶液を用い、これを基材に塗布した後、加熱して脱水縮合反応により閉環させて目的とするポリイミド樹脂被膜を形成する方法が採用されている。   Conventionally, a polyimide resin having excellent heat resistance and electrical / mechanical characteristics has been used as a resin for an insulating protective film of an electronic component or the like. When forming a protective film, since polyimide resin is generally insoluble in organic solvents, a solution of polyamic acid, which is a precursor thereof, is applied to a substrate, and then heated and closed by a dehydration condensation reaction. A method of forming a polyimide resin film is adopted.

しかし、このポリアミック酸の溶液を用いる方法においては、ポリアミック酸溶液の粘度が非常に高いため作業性に劣ること、脱水縮合工程において 300℃を超える高温とする必要があること、得られたポリイミド樹脂被膜はニッケル、アルミニウム、シリコン、シリコン酸化膜等の基材に対する接着性に劣ること等の問題があった。   However, in the method using this polyamic acid solution, the viscosity of the polyamic acid solution is very high, so that the workability is inferior, and it is necessary to make the temperature higher than 300 ° C. in the dehydration condensation process, and the obtained polyimide resin The coating had problems such as poor adhesion to substrates such as nickel, aluminum, silicon, and silicon oxide film.

こうした従来のポリイミドの問題点を改善するため、ポリイミドの原料であるジアミン成分の一部をシロキサン構造を含有するジアミンで置き換えて得られたポリイミドシリコーンを用いる方法(特許文献1、特許文献2参照)が知られている。ポリイミドシリコーンは、電子部品用の表面保護膜の形成材料や電子部品およびその他の耐熱部品の層間絶縁材料として、電子・電気工業において広く使用されている。ポリイミドシリコーンはコーティングまたはパターニングにより基材の表面を被覆するのに使われ、ポリイミド構造に由来する高耐熱性とシリコーン構造に由来する低弾性率とを兼ね備えた電子部品用材料であるが、シリコーン構造を含まないポリイミドに比べて透湿率が高いため、電極とポリイミドシリコーン界面に水分が到達し易く、イオン性の不純物が存在した場合に、電極の腐食等が発生して、信頼性に問題を生じる場合があった。また、基材との接着性についても更なる向上が望まれていた。   In order to improve such problems of conventional polyimide, a method using polyimide silicone obtained by replacing a part of the diamine component which is a raw material of polyimide with a diamine having a siloxane structure (see Patent Document 1 and Patent Document 2) It has been known. Polyimide silicone is widely used in the electronic / electrical industry as a material for forming a surface protective film for electronic parts and as an interlayer insulating material for electronic parts and other heat-resistant parts. Polyimide silicone is used for coating the surface of a substrate by coating or patterning, and is a material for electronic components that combines high heat resistance derived from a polyimide structure and low elastic modulus derived from a silicone structure. Since the moisture permeability is higher than polyimide that does not contain water, moisture easily reaches the interface between the electrode and the polyimide silicone, and when ionic impurities are present, corrosion of the electrode occurs, causing problems in reliability. There was a case. Moreover, the further improvement was also desired about adhesiveness with a base material.

上記イオン性の不純物の存在により生じる問題に関して、アンダーコートレジンとしてのポリイミドシリコーン中にイオン交換樹脂またはキレート樹脂を配合することが提案されている(特許文献3参照)。これにより、オーバーコートレジンであるエポキシ樹脂層中の不純物イオンが捕捉され、半導体表面近傍にイオンが到達せず、高耐圧で低リーク電流を有する高耐圧ダイオードを安定に高歩留まりで生産できるとされている。しかし、耐久試験における高温条件下で、前記イオン交換樹脂またはキレート樹脂自体の分解が生じ、イオン種が電極表面に存在する結果、電極の腐食が生じるという問題点があることが明らかとなった。また、イオン交換樹脂は、溶媒により膨潤するため、後工程における溶媒除去が不十分となり、その結果、樹脂の機械的強度の低下や、電気的特性の劣化を生じることが明らかとなった。   Regarding the problem caused by the presence of the ionic impurities, it has been proposed to blend an ion exchange resin or a chelate resin in polyimide silicone as an undercoat resin (see Patent Document 3). As a result, impurity ions in the epoxy resin layer, which is an overcoat resin, are trapped, ions do not reach the vicinity of the semiconductor surface, and high voltage diodes with high breakdown voltage and low leakage current can be produced stably with high yield. ing. However, it was revealed that the ion exchange resin or the chelate resin itself decomposes under high temperature conditions in an endurance test, and as a result of the presence of ionic species on the electrode surface, corrosion of the electrode occurs. Further, since the ion exchange resin swells with a solvent, it has been clarified that the removal of the solvent in the subsequent process becomes insufficient, and as a result, the mechanical strength of the resin is lowered and the electrical characteristics are deteriorated.

また、本出願人は、ポリイミドシリコーンに無機イオン交換体を配合することにより、電極保護用途に適した組成物を得ることを提案している(特許文献4)。しかし、この組成物は基材に対する接着性や耐電極腐食性が十分に満足できるものではなかった。
特公昭43−27439号公報 特公昭59−7213号公報 特開平10−294319号公報 特開2003−213129号公報
Moreover, the present applicant has proposed to obtain a composition suitable for electrode protection by blending an inorganic ion exchanger with polyimide silicone (Patent Document 4). However, this composition was not satisfactory in terms of adhesion to the substrate and electrode corrosion resistance.
Japanese Patent Publication No.43-27439 Japanese Patent Publication No.59-7213 Japanese Patent Laid-Open No. 10-294319 JP 2003-213129 A

そこで、本発明の課題は、電極表面に腐食を生成せしめることがなく、基材との接着性に優れ、狭ギャップ浸入性に優れる電極保護用途に適したポリイミドシリコーン系樹脂組成物を提供することにある。   Then, the subject of this invention is providing the polyimide silicone resin composition suitable for the electrode protection use which is excellent in adhesiveness with a base material and excellent in narrow gap penetration property, without producing corrosion on the electrode surface. It is in.

本発明者らは、イミド環とアルコキシシリル基等とを有する新規な反応性シリル基含有ビスイミド化合物が、室温硬化が可能で作業性に優れ、更に、耐熱性、機械的強度、電気的特性に優れたイミド環構造を有する硬化被膜を形成することができ、該硬化被膜は基材との接着性に優れ、耐溶剤性にも優れているとともに、狭ギャップ浸入性にも優れているため電子部品等の保護膜の材料として好適に使用できることを見出した。   The present inventors have found that a novel reactive silyl group-containing bisimide compound having an imide ring and an alkoxysilyl group can be cured at room temperature, has excellent workability, and further has excellent heat resistance, mechanical strength, and electrical characteristics. A cured film having an excellent imide ring structure can be formed, and the cured film is excellent in adhesion to a substrate, excellent in solvent resistance, and also excellent in narrow gap penetration. It has been found that it can be suitably used as a material for protective films of parts and the like.

また、本発明者らは、前記反応性シリル基含有ビスイミド化合物、ポリイミドシリコーン樹脂および無機イオン交換体を組み合わせることにより、ポリイミドシリコーン系樹脂被膜の基材との接着性が向上し、電極表面に腐食を生成せしめることがないポリイミドシリコーン系樹脂組成物を得ることができることを見出し、該知見に基いて鋭意検討した結果、本発明を完成させるに至ったものである。   In addition, the inventors have improved the adhesion of the polyimide silicone resin coating to the substrate by combining the reactive silyl group-containing bisimide compound, polyimide silicone resin and inorganic ion exchanger, and corroded the electrode surface. As a result of finding out that it is possible to obtain a polyimide silicone-based resin composition that does not cause the formation of the polymer, and based on this finding, the present invention has been completed.

即ち、本発明は、
(a) 芳香族テトラカルボン酸化合物および脂環式テトラカルボン酸化合物より成る群から選ばれるテトラカルボン酸化合物と芳香族ジアミンとジアミノシロキサンとの反応生成物であるポリアミック酸、並びに、該ポリアミック酸の閉環誘導体であるポリイミドシリコーンより成る群から選ばれるポリマー、
(b) 溶媒、
(c) 下記構造式(1):
That is, the present invention
(a) a polyamic acid which is a reaction product of a tetracarboxylic acid compound selected from the group consisting of an aromatic tetracarboxylic acid compound and an alicyclic tetracarboxylic acid compound, an aromatic diamine and a diaminosiloxane, and the polyamic acid A polymer selected from the group consisting of polyimide silicones which are ring-closing derivatives,
(b) solvent,
(c) Structural formula (1) below:

Figure 0004377354
(1)
(式中、R1は2価の有機基であり、R2およびR3は独立に非置換または置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基であり、nは独立に1〜3の整数である)
で示される反応性シリル基含有ビスイミド化合物、および
(d) 無機イオン交換体: (a)成分100質量部に対して 0.5〜10質量部
を含有するポリイミドシリコーン系樹脂組成物を提供する。
Figure 0004377354
(1)
(Wherein R 1 is a divalent organic group, R 2 and R 3 are independently an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and n is independently 1 to 3) Integer)
A reactive silyl group-containing bisimide compound represented by:
(d) Inorganic ion exchanger: (a) A polyimide silicone resin composition containing 0.5 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component is provided.

本発明のポリイミドシリコーン系樹脂組成物は、反応性シリル基含有ビスイミド化合物と無機イオン交換体が配合されていることにより、形成される被膜の基材に対する接着強度が良好であり、ポリイミドシリコーン系樹脂被膜と電極の界面での腐食を防止でき、狭ギャップ侵入性に優れまた、電圧印加条件下の耐久試験においても電極表面に腐食を生成させることがないので、電極保護用途に適したものである。   The polyimide silicone resin composition of the present invention has a good adhesion strength to the substrate of the coating film formed by blending the reactive silyl group-containing bisimide compound and the inorganic ion exchanger, and the polyimide silicone resin Corrosion at the interface between the coating and the electrode can be prevented, it has excellent narrow gap penetration, and it does not generate corrosion on the electrode surface in durability tests under voltage application conditions, making it suitable for electrode protection applications. .

以下、本発明について詳述する。
[(a)ポリマー]
[テトラカルボン酸化合物]
本発明で使用される芳香族テトラカルボン酸化合物および脂環式テトラカルボン酸化合物より成る群から選ばれるテトラカルボン酸化合物には、テトラカルボン酸、およびその一無水物、二無水物、モノエステル、ジエステル等の誘導体が含まれる(以下、「テトラカルボン酸成分」という)。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
[(A) Polymer]
[Tetracarboxylic acid compound]
The tetracarboxylic acid compound selected from the group consisting of the aromatic tetracarboxylic acid compound and the alicyclic tetracarboxylic acid compound used in the present invention includes tetracarboxylic acid, its monoanhydride, dianhydride, monoester, Derivatives such as diesters are included (hereinafter referred to as “tetracarboxylic acid component”).

このテトラカルボン酸成分の好ましい具体例としては、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-1,1,3,3,-テトラメチルジシロキサン二無水物、3,3',4,4'-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、3,3',4,4'-(2,2-ジフェニルプロパン)テトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-(2,2-ジフェニルヘキサフルオロプロパン)テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、1,4-ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]メタン二無水物、1,1-ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]エタン二無水物、2,2-ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、2,2-ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト-7-エン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物等;および、これらのテトラカルボン酸二無水物に対応するテトラカルボン酸、そのエステル、ジエステル等の反応性誘導体が挙げられる。これらは1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。   Preferable specific examples of this tetracarboxylic acid component include pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetra Carboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 1,3-bis (3, 4-Dicarboxyphenyl) -1,1,3,3, -tetramethyldisiloxane dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4 '-Diphenylmethanetetracarboxylic dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 3,3', 4,4 '-(2,2-diphenylpropane) tetracarboxylic acid Dianhydride, 3,3 ', 4,4'-(2,2-diphenylhexafluoropropane) tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 1,4 -Bis (3,4-dicarboxypheno Xy) benzene dianhydride, bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] methane dianhydride, 1,1-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] ethane dianhydride 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride, 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] hexafluoropropane dianhydride , Cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2.2.2] oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride and the like; and corresponding to these tetracarboxylic dianhydrides Examples thereof include reactive derivatives such as tetracarboxylic acid, its ester, and diester. These can be used singly or in combination of two or more.

[芳香族ジアミン]
本発明で使用される芳香族ジアミンの好ましい具体例としては、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、o-,m-,p-フェニレンジアミン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルフォン、2,4-ジアミノトルエン、2,5-ジアミノトルエン、2,4-ジアミノキシレン、3,6-ジアミノジュレン、2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、2,2'-ジエチル-4,4'-ジアミノビフェニル、2,2'-ジメトキシ-4,4'-ジアミノビフェニル、2,2'-ジエトキシ-4,4'-ジアミノビフェニル、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、4,4'-ジアミノジフェニルスルフォン、3,3'-ジアミノジフェニルスルフォン、4,4'-ジアミノベンゾフェノン、3,3'-ジアミノベンゾフェノン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4'-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]スルフォン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス[4-(4-アミノ-2-トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス[4-(3-アミノ-5-トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(3-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(3-アミノ-4-メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、4,4'-ビス(4-アミノフェノキシ)オクタフルオロビフェニル、2,2'-ビス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジアミノビフェニル、3,5-ジアミノベンゾトリフルオリド、2,5-ジアミノベンゾトリフルオリド、3,3'-ビス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジアミノビフェニル、3,3'-ビス(トリフルオロメチル)-5,5'-ジアミノビフェニル、1,4-ビス(4-アミノテトラフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン、4,4'-ビス(4-アミノテトラフルオロフェノキシ)オクタフルオロビフェニル、4,4'-ジアミノビナフチル、4,4'-ジアミノベンズアニリド等が挙げられる。これらは1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
[Aromatic diamine]
Preferred examples of the aromatic diamine used in the present invention include 4,4′-diaminodiphenylmethane, o-, m-, p-phenylenediamine, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2 , 4-Diaminotoluene, 2,5-diaminotoluene, 2,4-diaminoxylene, 3,6-diaminodurene, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-diethyl- 4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-diethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4 ' -Diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) Xy) benzene, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3-amino Phenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (3-amino-5-tri Fluoromethylphenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino- 4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-methylphenyl) hexaflu Oropropane, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) octafluorobiphenyl, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 3,5-diaminobenzotrifluoride, 2,5 -Diaminobenzotrifluoride, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -5,5'-diaminobiphenyl, 1,4- Bis (4-aminotetrafluorophenoxy) tetrafluorobenzene, 4,4'-bis (4-aminotetrafluorophenoxy) octafluorobiphenyl, 4,4'-diaminobinaphthyl, 4,4'-diaminobenzanilide, etc. It is done. These can be used singly or in combination of two or more.

[ジアミノシロキサン]
本発明で使用されるジアミノシロキサンの好ましい具体例としては、1,3-ビス(3-アミノプロピル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(4-アミノブチル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、ビス(4-アミノフェノキシ)ジメチルシラン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン等、および下記一般式(2):
2N-Z-(SiR2O)m-SiR2-Z-NH2 (2)
(式中、Rは、独立に、非置換もしくは置換の炭素原子数1〜10、好ましくは、脂肪族不飽和基以外の炭素原子数1〜8の1価炭化水素基、または炭素原子数1〜8のアルコキシ基、アルケノキシ基もしくはシクロアルコキシ基であり、Zは独立に、非置換もしくは置換の炭素原子数1〜8の、鎖中にエーテル結合を含んでもよい2価炭化水素基であり、mは1〜100、好ましくは3〜60の整数である。)
で表されるものが挙げられる。これらは1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
[Diaminosiloxane]
Preferred examples of the diaminosiloxane used in the present invention include 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-bis (4-aminobutyl). ) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, bis (4-aminophenoxy) dimethylsilane, 1,3-bis (4-aminophenoxy) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, etc. And the following general formula (2):
H 2 N—Z— (SiR 2 O) m —SiR 2 —Z—NH 2 (2)
Wherein R is independently an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, preferably 1 to 8 carbon atoms other than an aliphatic unsaturated group, or 1 carbon atom. An alkoxy group of ˜8, an alkenoxy group or a cycloalkoxy group, Z is independently an unsubstituted or substituted divalent hydrocarbon group of 1 to 8 carbon atoms which may contain an ether bond in the chain; m is an integer of 1 to 100, preferably 3 to 60.)
The thing represented by is mentioned. These can be used singly or in combination of two or more.

上記一般式(2)中、Rが1価炭化水素基である場合としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等のアルキル基;ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;シクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基;フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基;ベンジル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基等のアラルキル基;および、これらの基の水素原子の少なくとも1つが、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、シアノ基等で置換された、例えば、クロロメチル基、3-フルオロプロピル基、3,3,3-トリフルオロプロピル基、4-フルオロフェニル基、2-シアノエチル基等が挙げられる。   In the above general formula (2), when R is a monovalent hydrocarbon group, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl Group, heptyl group, octyl group and other alkyl groups; vinyl group, allyl group, propenyl group, isopropenyl group, butenyl group, isobutenyl group, hexenyl group and other alkenyl groups; cyclopentyl group, cyclohexyl group and other cycloalkyl groups; Cycloalkenyl groups such as hexenyl groups; aryl groups such as phenyl groups, tolyl groups, xylyl groups; aralkyl groups such as benzyl groups, ethylphenyl groups, propylphenyl groups; and at least one of the hydrogen atoms of these groups is fluorine Substituted with halogen atoms such as atoms, chlorine atoms, bromine atoms, cyano groups, etc., for example, chloro Butyl group, 3-fluoropropyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 4-fluorophenyl group, 2-cyanoethyl group and the like.

また、Rがアルコキシ基、アルケノキシ基もしくはシクロアルキルオキシ基である場合としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクトキシ基、ビニロキシ基、アリロキシ基、プロペニノキシ基、イソプロペニノキシ基等が挙げられる。   Further, when R is an alkoxy group, alkenoxy group or cycloalkyloxy group, for example, methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, butoxy group, isobutoxy group, tert-butoxy group, hexyloxy group, Examples thereof include a cyclohexyloxy group, an octoxy group, a vinyloxy group, an allyloxy group, a propeninoxy group, and an isopropenoxy group.

上記一般式(2)中、Zで表わされる鎖中にエーテル結合を含んでもよい2価炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基(トリメチレン基)、メチルエチレン基(但し、上記一般式(2)に含まれる2個の該基に対して、アミノ基は、2-アミノ-1-メチルエチル基を形成するように結合するか、或いは、上記2個の該基に対して、アミノ基は、2-アミノプロピル基を形成するように結合する)、テトラメチレン基、2-メチルプロピレン基、1-メチルプロピレン基(但し、上記一般式(2)に含まれる2個の該基に対して、アミノ基は、3-アミノ-1-メチルプロピル基を形成するように結合するか、或いは、上記2個の該基に対して、アミノ基は、3-アミノブチル基を形成するように結合する)、エチルエチレン基(但し、上記一般式(2)に含まれる2個の該基に対して、アミノ基は、1-(アミノメチル)プロピル基を形成するように結合するか、或いは、上記2個の該基に対して、アミノ基は、2-アミノブチル基を形成するように結合する)、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基等のアルキレン基;o-,m-,p-フェニレン基、トリレン基等のアリーレン基;下式で示されるエーテル結合を含んでもよいアルキレン・アリーレン基等が挙げられる。   In the general formula (2), examples of the divalent hydrocarbon group that may include an ether bond in the chain represented by Z include, for example, a methylene group, an ethylene group, a propylene group (trimethylene group), a methylethylene group (provided that With respect to the two groups contained in the general formula (2), an amino group is bonded to form a 2-amino-1-methylethyl group, or The amino group is bonded to form a 2-aminopropyl group), a tetramethylene group, a 2-methylpropylene group, and a 1-methylpropylene group (provided that two amino acids contained in the above general formula (2)). For the group, the amino group is bonded to form a 3-amino-1-methylpropyl group, or for the two groups, the amino group is a 3-aminobutyl group. To form), ethylethylene group (however, the above general formula (2) For the two included groups, the amino group is bonded to form a 1- (aminomethyl) propyl group, or for the two groups, the amino group is 2- An alkylene group such as a hexamethylene group and an octamethylene group; an arylene group such as an o-, m-, p-phenylene group and a tolylene group; an ether bond represented by the following formula: Examples thereof include an alkylene / arylene group which may be contained.

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354

(但し、アミノ基は、上記3つの式中のベンゼン環に結合する)
上記一般式(2)で表わされるジアミノシロキサンの具体例としては、下記の化合物が挙げられるが、これに限定されるものではない。
Figure 0004377354

(However, the amino group is bonded to the benzene ring in the above three formulas)
Specific examples of the diaminosiloxane represented by the general formula (2) include the following compounds, but are not limited thereto.

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354

(mは、3〜60の整数)
Figure 0004377354

(M is an integer from 3 to 60)

Figure 0004377354

(mは、3〜60の整数)
Figure 0004377354

(M is an integer from 3 to 60)

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

ジアミノシロキサンの使用量は、ポリアミック酸またはその閉環誘導体であるポリイミドシリコーン中における前記ジアミノシロキサンに基づく構造(即ち、テトラカルボン酸化合物とジアミノシロキサンとの反応によって生成するポリアミック酸またはそれを閉環したポリイミド単位)が、ポリアミック酸またはポリイミドシリコーンを構成する全繰り返し単位中の1〜60モル%となる量が好ましく、より好ましくは 10〜50モル%となる量である。ジアミノシロキサンに基づく構造が1モル%未満では可とう性の付与効果に乏しく、60モル%を越えると透湿性が上昇して、耐熱性の低下が認められるため好ましくない。このためには、上記芳香族ジアミンと該ジアミノシロキサンとの合計モル数に対して、好ましくは 1〜60モル%、より好ましくは 10〜50モル%のジアミノシロキサンを使用すればよい。   The amount of diaminosiloxane used is a structure based on the diaminosiloxane in the polyimide silicone which is a polyamic acid or a ring-closing derivative thereof (that is, a polyamic acid produced by a reaction between a tetracarboxylic acid compound and diaminosiloxane or a polyimide unit in which the ring is closed) ) Is preferably 1 to 60% by mole, more preferably 10 to 50% by mole in all repeating units constituting the polyamic acid or polyimide silicone. If the structure based on diaminosiloxane is less than 1 mol%, the effect of imparting flexibility is poor, and if it exceeds 60 mol%, moisture permeability increases and a decrease in heat resistance is observed. For this purpose, it is preferable to use 1 to 60 mol%, more preferably 10 to 50 mol% of diaminosiloxane based on the total number of moles of the aromatic diamine and the diaminosiloxane.

[(b)溶媒]
(b)成分の溶媒としては、ポリアミック酸等の合成に当たって通常採用される溶解力の大きい溶媒が採用される。好ましい溶媒としては、N-メチルピロリドン;N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒;γ-ブチロラクトン、α-メチル-γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、δ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、ε-カプロラクトン等のラクトン類;プロピレンカーボネート等のカーボネート類;酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート等のエステル類;ジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類;テトラヒドロフラン等の環状エーテル類;メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン類;ブタノール、オクタノール、エチルセロソルブ等のアルコール類;ジメチルホルムアミド等の鎖状ないし環状のアミド系、尿素系、ジメチルスルフォキシド等のスルフォキシド系、スルフォン系、トルエン等の炭化水素系、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン系溶媒等が挙げられる。これらは1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
[(B) Solvent]
As the solvent of the component (b), a solvent having a large dissolving power that is usually employed in the synthesis of polyamic acid or the like is employed. Preferred solvents include N-methylpyrrolidone; amide solvents such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide; γ-butyrolactone, α-methyl-γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone Lactones such as γ-caprolactone and ε-caprolactone; carbonates such as propylene carbonate; esters such as butyl acetate, ethyl cellosolve acetate and butyl cellosolve acetate; ethers such as dibutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether and triethylene glycol dimethyl ether; tetrahydrofuran Cyclic ethers such as methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, acetophenone, etc .; alcohols such as butanol, octanol, ethyl cellosolve; chains such as dimethylformamide And cyclic amides, ureas, sulfoxides such as dimethyl sulfoxide, hydrocarbons such as sulfone, toluene, and halogen solvents such as chloroform and carbon tetrachloride. These can be used singly or in combination of two or more.

この溶媒の使用量は、特に制限されず、ポリイミドシリコーン系樹脂組成物の安定性や狭ギャップへの侵入性に影響を及ぼさない範囲の量であればよいが、組成物粘度を後述する好適な範囲とする量であることが好ましく、(a)成分100質量部に対して、通常、50〜1900質量部、好ましくは 100〜1200質量部、より好ましくは 150〜900質量部程度である。   The amount of the solvent used is not particularly limited as long as it does not affect the stability of the polyimide silicone resin composition and the penetration into the narrow gap. The amount is preferably in the range, and is usually 50 to 1900 parts by weight, preferably 100 to 1200 parts by weight, and more preferably about 150 to 900 parts by weight with respect to 100 parts by weight of component (a).

[(c)反応性シリル基含有ビスイミド化合物]
本発明で使用される反応性シリル基含有ビスイミド化合物は、下記構造式(3):
[(C) Reactive silyl group-containing bisimide compound]
The reactive silyl group-containing bisimide compound used in the present invention has the following structural formula (3):

Figure 0004377354
(3)
で表されるアリル基含有酸無水物と、下記構造式(4):
2N−R1−NH2 (4)
(式中、R1は2価の有機基である)
で表される2官能性ジアミン化合物とを反応させて、
下記構造式(5):
Figure 0004377354
(3)
An allyl group-containing acid anhydride represented by the following structural formula (4):
H 2 N—R 1 —NH 2 (4)
(Wherein R 1 is a divalent organic group)
And a bifunctional diamine compound represented by
The following structural formula (5):

Figure 0004377354
(5)
で示されるアリル基含有ビスイミド化合物を得て、次いで、下記一般式(6):
Figure 0004377354
(Five)
Then, an allyl group-containing bisimide compound represented by the following general formula (6):

Figure 0004377354
(6)
(式中、R2およびR3は独立に非置換または置換の炭素原子数1〜10、好ましくは1〜6、より好ましくは1〜3の1価炭化水素基であり、nは1〜3の整数である)
で表され、ケイ素原子に結合した水素原子を1個有する有機シラン化合物とをヒドロシリル化反応により付加させることにより、下記一般式(1):
Figure 0004377354
(6)
Wherein R 2 and R 3 are independently unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon groups having 1 to 10, preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and n is 1 to 3 Integer)
And an organic silane compound having one hydrogen atom bonded to a silicon atom, is added by a hydrosilylation reaction to give the following general formula (1):

Figure 0004377354
(1)
(式中、R1、R2、R3およびnは上記のとおりである)
で表される化合物として得ることができる。
Figure 0004377354
(1)
(Wherein R 1 , R 2 , R 3 and n are as described above)
It can obtain as a compound represented by these.

上記反応性シリル基含有ビスイミド化合物の原料、製法等について、更に詳細に説明する。
<アリル基含有酸無水物>
下記構造式(3):
The raw material of the said reactive silyl group containing bisimide compound, a manufacturing method, etc. are demonstrated in detail.
<Allyl group-containing acid anhydride>
The following structural formula (3):

Figure 0004377354
(3)
で表されるアリル基含有酸無水物において、アリル基は、上記式(3)中のシクロペンテン環骨格の炭素原子に結合した水素原子のいずれと置換されていてもよい。また、該アリル基含有酸無水物は、1種単独でも、前記アリル基の置換位置が異なる2種以上の異性体の組み合わせであっても差し支えない。
Figure 0004377354
(3)
In the allyl group-containing acid anhydride represented by the formula (3), the allyl group may be substituted with any hydrogen atom bonded to the carbon atom of the cyclopentene ring skeleton in the above formula (3). The allyl group-containing acid anhydride may be a single type or a combination of two or more isomers having different substitution positions of the allyl group.

<2官能性ジアミン化合物>
下記構造式(4):
2N−R1−NH2 (4)
(式中、R1は2価の有機基である)
で表される2官能性ジアミン化合物において、上記有機基は1種単独でも2種以上の組み合わせでもよい。
<Bifunctional diamine compound>
The following structural formula (4):
H 2 N—R 1 —NH 2 (4)
(Wherein R 1 is a divalent organic group)
In the bifunctional diamine compound represented by formula (1), the organic group may be a single type or a combination of two or more types.

1は、好ましくは、芳香環または直鎖状オルガノポリシロキサン構造を有する2価の有機基であり、該有機基の具体例を、以下に示すが、これに限定されるものではない。 R 1 is preferably a divalent organic group having an aromatic ring or a linear organopolysiloxane structure, and specific examples of the organic group are shown below, but are not limited thereto.

Figure 0004377354

(式中、pは0〜200の整数である)
Figure 0004377354

(Wherein p is an integer from 0 to 200)

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

また、他のジアミン化合物としては、p-フェニレンジアミン、4,4'-ジアミノジフェニルエ−テル、2,2'-ビス(4-アミノフェニル)プロパン、4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、4,4'-ジアミノジフェニルスルフィド、1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(p-アミノフェニルスルホニル)ベンゼン、1,4-ビス(m-アミノフェニルスルホニル)ベンゼン、1,4-ビス(p-アミノフェニルチオ)ベンゼン、1,4-ビス(m-アミノフェニルチオ)ベンゼン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2-ビス[3-メチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2-ビス[3-クロロ-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,1-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1-ビス[3-メチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1-ビス[3-クロロ-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1-ビス[3,5-ジメチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エタン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[3-メチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[3-クロロ-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[3,5-ジメチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]パ−フルオロプロパン等の芳香環含有ジアミンが挙げられる。これらは1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
また、下記構造式(7)で示されるジアミン化合物も挙げられる。
Other diamine compounds include p-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 2,2′-bis (4-aminophenyl) propane, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, 4'-diaminodiphenyl sulfide, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (p-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,4 -Bis (m-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,4-bis (p-aminophenylthio) benzene, 1,4-bis (m-aminophenylthio) benzene, 2,2-bis [4- (4- Aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-chloro-4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane 1,1-bis [3-chloro-4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [3,5-dimethyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3-chloro-4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3, 5-dimethyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] perfluoropropane And aromatic ring-containing diamines. These can be used singly or in combination of two or more.
Moreover, the diamine compound shown by following Structural formula (7) is also mentioned.

Figure 0004377354
(7)
Figure 0004377354
(7)

ここで、上記式中、R4は、上記[化20]〜[化24]に例示したものから選ばれる1種または2種以上の2価の基、或いは、上記「他のジアミン化合物」として例示した芳香環含有ジアミンからアミノ基を除いた芳香環含有有機基から選ばれる1種または2種以上の2価の基であり、qは0〜100の整数であり、Xは芳香族テトラカルボン酸二無水物に由来する芳香環を含む4価の有機基である。なお、前記Xは1種単独でも2種以上の組み合わせでもよい。
前記Xの具体例を、以下に示すが、これに限定されるものではない。
Here, in the above formula, R 4 represents one or more divalent groups selected from those exemplified in the above [Chemical Formula 20] to [Chemical Formula 24], or the “other diamine compound”. One or two or more divalent groups selected from the aromatic ring-containing organic group obtained by removing the amino group from the exemplified aromatic ring-containing diamine, q is an integer of 0 to 100, and X is an aromatic tetracarboxylic group It is a tetravalent organic group containing an aromatic ring derived from an acid dianhydride. The X may be a single type or a combination of two or more types.
Specific examples of X are shown below, but are not limited thereto.

Figure 0004377354

更に、下記に示されるケイ素含有ジアミン類(例えば、ジアミノシロキサン、ジアミノシルエチレン、ジアミノシルフェニレン等)も使用することができる。
Figure 0004377354

Furthermore, the following silicon-containing diamines (for example, diaminosiloxane, diaminosylethylene, diaminosylphenylene, etc.) can also be used.

Figure 0004377354

なお、これらは1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
Figure 0004377354

These can be used singly or in combination of two or more.

上記の中でも、本発明において好適に使用される2官能性ジアミン化合物は、4,4'-ジアミノジフェニルメタンおよび下記ジアミンの1種または2種以上の組み合わせである。   Among the above, the bifunctional diamine compound preferably used in the present invention is 4,4′-diaminodiphenylmethane and one or a combination of two or more of the following diamines.

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

<アリル基含有ビスイミド化合物の調製>
テトラカルボン酸とジアミン化合物からポリアミック酸を調製し、次いで閉環させてポリイミドを得る周知の合成方法と同様にして、上記アリル基含有酸無水物と上記2官能性ジアミン化合物とを有機溶媒中で反応させて、下記構造式:
<Preparation of allyl group-containing bisimide compound>
A polyamic acid is prepared from a tetracarboxylic acid and a diamine compound, and then the allylic group-containing acid anhydride and the bifunctional diamine compound are reacted in an organic solvent in the same manner as in a well-known synthetic method for obtaining a polyimide by ring closure. Let the following structural formula:

Figure 0004377354

(式中、R1は上記と同じである)
で表される中間体を得て、引き続き、この中間体を加熱条件下で脱水縮合して閉環させることにより、下記構造式(5):
Figure 0004377354

(Wherein R 1 is the same as above)
Then, this intermediate is subjected to dehydration condensation under a heating condition and ring-closing, whereby the following structural formula (5):

Figure 0004377354
(5)
で示されるアリル基含有ビスイミド化合物を得ることができる。
Figure 0004377354
(Five)
The allyl group containing bisimide compound shown by these can be obtained.

<反応性シリル基含有ビスイミド化合物の調製>
上記アリル基含有ビスイミド化合物と、下記一般式(6):
<Preparation of reactive silyl group-containing bisimide compound>
The allyl group-containing bisimide compound and the following general formula (6):

Figure 0004377354
(6)
(式中、R2、R3およびnは上記のとおりである)
で表されるケイ素原子に結合した水素原子を1個有する有機シラン化合物とを、常法により、トルエン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン等の溶媒中において、白金系触媒の存在下に反応させることにより、(アリル基中の)ビニル基(CH2=CH-)とケイ素原子に結合した水素原子(SiH)とがヒドロシリル化反応により付加し、下記一般式(1):
Figure 0004377354
(6)
(Wherein R 2 , R 3 and n are as described above)
By reacting an organic silane compound having one hydrogen atom bonded to a silicon atom represented by the following formula in a solvent such as toluene, methyl isobutyl ketone, tetrahydrofuran, etc. in the presence of a platinum-based catalyst, A vinyl group (in the allyl group) (CH 2 ═CH—) and a hydrogen atom bonded to a silicon atom (SiH) are added by a hydrosilylation reaction, and the following general formula (1):

Figure 0004377354
(1)
(式中、R1、R2、R3およびnは上記のとおりである)
で表される、本発明の(c)成分である反応性シリル基含有ビスイミド化合物を得ることができる。
Figure 0004377354
(1)
(Wherein R 1 , R 2 , R 3 and n are as described above)
The reactive silyl group containing bisimide compound which is (c) component of this invention represented by these can be obtained.

上記一般式(6)で表される有機シラン化合物中の、上記R2およびR3としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基;クロロメチル、3-クロロプロピル基、3-フルオロクロロプロピル基、3,3,3-トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基;ビニル基、アリル基、ブテニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基等が挙げられ、これらの中でも、脂肪族不飽和結合を有しないものが好ましく、アルキル基がより好ましく、メチル基およびエチル基が特に好ましい。 Examples of R 2 and R 3 in the organosilane compound represented by the general formula (6) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, Hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl and other alkyl groups; cyclopentyl, cyclohexyl and other cycloalkyl groups; phenyl, tolyl, xylyl, naphthyl and other aryl groups; benzyl, phenethyl Groups, aralkyl groups such as phenylpropyl group; halogenated alkyl groups such as chloromethyl, 3-chloropropyl group, 3-fluorochloropropyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group; vinyl group, allyl group, butenyl Group, propenyl group, isopropenyl group, butenyl group, pentenyl group, alkenyl group such as hexenyl group, etc. However, those having no aliphatic unsaturated bond are preferred, alkyl groups are more preferred, and methyl groups and ethyl groups are particularly preferred.

該有機シラン化合物の具体例としては、例えば、下記化合物が挙げられるが、これに限定されるものではない。   Specific examples of the organosilane compound include the following compounds, but are not limited thereto.

Figure 0004377354

上記の中でも、好適に使用される有機シラン化合物は、トリメトキシシラン:HSi(OCH3)3 である。
なお、上記有機シラン化合物は、1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
Figure 0004377354

Among the above, the organosilane compound preferably used is trimethoxysilane: HSi (OCH 3 ) 3 .
In addition, the said organosilane compound can be used even if single 1 type also combines 2 or more types.

上記ヒドロシリル化反応自体は、当該技術分野において周知であり、白金系触媒の使用量、反応条件等についても、通常のとおりで差し支えない。
上記(c)成分の具体例としては、下記化合物が挙げられる。
The hydrosilylation reaction itself is well known in the art, and the amount of platinum catalyst used, reaction conditions, etc. may be as usual.
Specific examples of the component (c) include the following compounds.

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なお、上記ヒドロシリル化反応において、ケイ素原子に結合した水素原子(SiH)は、専ら(アリル基中の)ビニル基(CH2=CH-)に付加するが、アリル基含有ビスイミド化合物中のシクロペンテン環内の炭素-炭素二重結合(-CH=CH-)に対しても若干付加反応が生じる場合もある。本発明の(c)成分である反応性シリル基含有ビスイミド化合物に、前記環内炭素-炭素二重結合への付加反応生成物が含まれる場合であっても、本発明組成物は、そのまま絶縁保護膜形成剤等として使用することができるので何ら支障はない。 In the hydrosilylation reaction, a hydrogen atom (SiH) bonded to a silicon atom is added exclusively to a vinyl group (CH 2 ═CH—) (in an allyl group), but a cyclopentene ring in an allyl group-containing bisimide compound. Some addition reactions may also occur with respect to the carbon-carbon double bond (—CH═CH—). Even if the reactive silyl group-containing bisimide compound as the component (c) of the present invention contains an addition reaction product to the ring carbon-carbon double bond, the composition of the present invention is insulated as it is. Since it can be used as a protective film forming agent or the like, there is no problem.

また、本発明の(c)成分は、1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
本発明の(c)成分として、中でも、吸湿後の接着性、電極保護性能および室温硬化性(もしくは、低温硬化性)が良好である点から、好適に使用される化合物は以下のものである。
The component (c) of the present invention can be used alone or in combination of two or more.
As the component (c) of the present invention, the following compounds are preferably used from the viewpoint of good adhesion after moisture absorption, electrode protection performance, and room temperature curability (or low temperature curability). .

Figure 0004377354
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この(c)成分の使用量は、(a)成分100質量部に対して、通常、5〜200質量部、好ましくは 10〜100質量部程度である。前記使用量が少なすぎると、本発明組成物から得られる被膜の基材に対する接着性が不十分となり、電極保護剤として適したものとはならない。また、逆に多すぎると、得られる被膜が脆くなってしまうために、硬い基材上の電極保護用途には使用可能であるが、フレキシブルな基材の電極保護用途には適用することができない。   The amount of component (c) used is usually 5 to 200 parts by weight, preferably about 10 to 100 parts by weight, per 100 parts by weight of component (a). If the amount used is too small, the adhesion of the film obtained from the composition of the present invention to the substrate becomes insufficient, and it is not suitable as an electrode protective agent. On the other hand, if the amount is too large, the resulting coating becomes brittle, so it can be used for electrode protection on a hard substrate, but cannot be applied to electrode protection on a flexible substrate. .

[(d)無機イオン交換体]
本発明で使用される無機イオン交換体としては、例えば、天然ゼオライト、合成ゼオライト等のアルミノケイ酸塩;酸化アルミニウム、酸化マグネシウム等の金属酸化物;含水酸化チタン、含水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン等の水酸化物または含水酸化物;リン酸ジルコニウム、リン酸チタン等の酸性塩;ハイドロタルサイト類等の塩基性塩や複合含水酸化物;モリブドリン酸アンモニウム等のヘテロポリリン酸類;またはヘキサシアノ鉄(III)塩やヘキサシアノ亜鉛等が挙げられる。これらの中でも、耐薬品性が良好で、湿潤条件下での不純物イオントラップ効果が良好であることから、水酸化物または含水酸化物がよく、含水酸化チタン、含水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン等が好ましい。
[(D) Inorganic ion exchanger]
Examples of the inorganic ion exchanger used in the present invention include aluminosilicates such as natural zeolite and synthetic zeolite; metal oxides such as aluminum oxide and magnesium oxide; hydrous titanium oxide, hydrous bismuth oxide, hydrous antimony and the like. Hydroxides or hydrous oxides; acidic salts such as zirconium phosphate and titanium phosphate; basic salts such as hydrotalcites and complex hydrous oxides; heteropolyphosphoric acids such as ammonium molybdophosphate; or hexacyanoiron (III) A salt, hexacyano zinc, etc. are mentioned. Among these, since the chemical resistance is good and the impurity ion trap effect under wet conditions is good, hydroxides or hydrous oxides are good, and hydrous titanium oxide, hydrous bismuth hydrous, hydrous antimony hydrous, etc. preferable.

無機イオン交換体の、カチオンの交換能力がNaイオン換算で0.1meq/g以上、および/またはアニオンの交換能力がClイオン換算で0.1meq/g以上であることが好ましい。イオン交換能力が0.1meq/g未満であると大量の添加が必要となるため、本組成物を製膜して得られる膜の機械的強度、可とう性等が低下することから好ましくない。また、上記各種の無機イオン交換体は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。   The inorganic ion exchanger preferably has a cation exchange capacity of 0.1 meq / g or more in terms of Na ions and / or an anion exchange capacity of 0.1 meq / g or more in terms of Cl ions. If the ion exchange capacity is less than 0.1 meq / g, a large amount of addition is required, which is not preferable because the mechanical strength, flexibility, and the like of the film obtained by forming the composition are reduced. The various inorganic ion exchangers can be used alone or in combination of two or more.

無機イオン交換体の使用量は、(a)成分のポリマー100質量部に対して0.5〜10質量部の範囲であり、好ましくは1〜10質量部である。前記使用量が少なすぎると不純物イオントラップ効果に乏しく、多すぎると本組成物を製膜して得られる膜の機械的物性が低下してしまう。   The amount of the inorganic ion exchanger used is in the range of 0.5 to 10 parts by mass, preferably 1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer of component (a). If the amount used is too small, the impurity ion trapping effect is poor, and if it is too large, the mechanical properties of the film obtained by forming the composition will be reduced.

[組成物の調製等]
(a)成分のポリアミック酸あるいは該ポリアミック酸の閉環誘導体であるポリイミドシリコーンの合成は、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分が実質的に当モル量となるように反応器に仕込み、溶媒中で加熱して反応させることにより行う。好ましくは、反応容器中にジアミン成分を溶媒に分散または溶解させ、テトラカルボン酸成分を溶媒に溶解または分散させて低温で滴下攪拌後に加熱する。
[Preparation of composition, etc.]
The synthesis of the polyimide silicone that is the polyamic acid of component (a) or a ring-closing derivative of the polyamic acid was charged into the reactor so that the diamine component and the tetracarboxylic acid component were substantially equimolar amounts, and heated in a solvent. To react. Preferably, the diamine component is dispersed or dissolved in the solvent in the reaction vessel, and the tetracarboxylic acid component is dissolved or dispersed in the solvent, and heated after dropwise stirring at a low temperature.

加熱反応温度条件としては、ポリアミック酸を得る場合には、5〜100℃、好ましくは 20〜80℃の範囲内の温度で、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分の合計量 100gに対して、1〜24時間程度である。また、実質的に完全にイミド化したポリイミドシリコーンを得る場合は、120〜200℃、好ましくは 140〜180℃の範囲の温度で、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分の合計量 100gに対して、1〜24時間程度加熱すればよい。120℃以下では転化速度が遅く、200℃以上であってもよいが特に利益はない。   As heating reaction temperature conditions, when obtaining a polyamic acid, it is 5-100 degreeC, Preferably it is the temperature within the range of 20-80 degreeC, and it is 1 to 100g of total amounts of a diamine component and a tetracarboxylic acid component. About 24 hours. Moreover, when obtaining the polyimide silicone substantially imidized completely, it is 120-200 degreeC, Preferably it is the temperature of the range of 140-180 degreeC, and it is 1 with respect to the total amount 100g of a diamine component and a tetracarboxylic acid component. What is necessary is just to heat for about 24 hours. Below 120 ° C, the conversion rate is slow and may be above 200 ° C, but there is no particular benefit.

なお、(c)成分の反応性シリル基含有ビスイミド化合物と、(d)成分の無機イオン交換体とは、上記加熱反応の終了後に、配合される。
好ましい実施態様としては、後記する実施例の具体例の他に、下記一般式(2):
2N-Z-(SiR2O)m-SiR2-Z-NH2 (2)
(式中、Z、Rおよびmは、上記のとおりである。)
で表されるジアミノシロキサン 10〜15モル%およびビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン 85〜90モル%から成るジアミン成分と、ピロメリット酸二無水物 50〜80モル%およびベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物 20〜50モル%から成るテトラカルボン酸成分とを、実質的に当モル量で、樹脂固形分が30〜45重量%となる量のシクロヘキサノン、γ-ブチロラクトンまたはN-メチルピロリドン溶媒中で反応させ、実質的にイミド化が完結したポリイミドシリコーンを生成させること、そして、前記反応終了後に、(c)成分の反応性シリル基含有ビスイミド化合物と、(d)成分の無機イオン交換体とを配合することである。
The reactive silyl group-containing bisimide compound (c) and the inorganic ion exchanger (d) are combined after the heating reaction is completed.
As a preferred embodiment, in addition to the specific examples described below, the following general formula (2):
H 2 N—Z— (SiR 2 O) m —SiR 2 —Z—NH 2 (2)
(In the formula, Z, R and m are as described above.)
A diamine component consisting of 10 to 15 mol% of diaminosiloxane and 85 to 90 mol% of bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 50 to 80 mol% of pyromellitic dianhydride and benzophenone tetra A tetracarboxylic acid component comprising 20 to 50 mol% of carboxylic dianhydride, in an amount equivalent to cyclohexanone, γ-butyrolactone or N-methylpyrrolidone in an amount equivalent to a resin solid content of 30 to 45 wt%. Reacting in a solvent to produce polyimide silicone substantially imidized, and after completion of the reaction, the reactive silyl group-containing bisimide compound of component (c) and inorganic ion exchange of component (d) It is to mix the body.

[その他の成分]
本発明の組成物に、上記(a)〜(d)成分に加えて、本発明の組成物の特性を損なわない範囲において、更に他の成分を使用することは任意である。
本発明の(c)成分である反応性シリル基含有ビスイミド化合物は、両末端にアルコキシ基、アルケノキシ基等の縮合反応性の基を有していることから、(c)成分同士の縮合反応による硬化を促進させることを目的として、従来から公知の縮合反応触媒を配合することが望ましい。この縮合反応触媒としては、例えば、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタン、チタンビスアセチルアセトナ−ト、チタンキレ−ト化合物等のチタン含有有機化合物;テトラメチルグアニジン、テトラメチルグアニジルプロピルトリメトキシシラン等の強塩基類、;オクタン酸亜鉛、2−エチルヘキサン酸鉛、ジブチル錫ジアセテ−ト、ジブチル錫ジラクテ−ト、ジブチル錫ジオクテ−ト、オクタン酸第一錫、ナフテン酸亜鉛、オクタン酸第一鉄等のカルボン酸金属塩が挙げられる。これらは1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。この縮合反応触媒を使用する場合、その配合量は、触媒としての有効量であればよく、特に制限されないが、上記(c)成分 100質量部に対して、通常、0.01〜6.0質量部、好ましくは 0.05〜5.0質量部程度である。
[Other ingredients]
In addition to the components (a) to (d) described above, it is optional to use other components in the composition of the present invention as long as the characteristics of the composition of the present invention are not impaired.
The reactive silyl group-containing bisimide compound which is the component (c) of the present invention has a condensation reactive group such as an alkoxy group or an alkenoxy group at both ends. For the purpose of accelerating curing, it is desirable to blend a conventionally known condensation reaction catalyst. Examples of the condensation reaction catalyst include titanium-containing organic compounds such as tetraisopropoxytitanium, tetrabutoxytitanium, titanium bisacetylacetonate, and titanium chelate compounds; tetramethylguanidine, tetramethylguanidylpropyltrimethoxysilane, and the like. Strong bases of: zinc octoate, lead 2-ethylhexanoate, dibutyltin diacetate, dibutyltin dilactate, dibutyltin dioctate, stannous octoate, zinc naphthenate, ferrous octoate And carboxylic acid metal salts such as These can be used singly or in combination of two or more. When this condensation reaction catalyst is used, its blending amount is not particularly limited as long as it is an effective amount as a catalyst, but is usually 0.01 to 6.0 parts by mass, preferably 100 parts by mass of component (c). Is about 0.05 to 5.0 parts by mass.

[コーティング膜]
本発明のポリイミドシリコーン系樹脂組成物は、基材上にコーティングした後、脱溶媒するのみで製膜、架橋および硬化させることができる。脱溶媒の条件としては、コーティング膜厚により異なるが、空気中または窒素等の不活性雰囲気下で、オーブン、ホットプレート等を用いて、通常、20〜150℃で1〜150分間程度加熱して行う。前記温度条件については、処理時間の全体に亘って一定としてもよく、前記温度範囲内で徐々に昇温させながら行ってもよい。
[Coating film]
The polyimide silicone resin composition of the present invention can be formed, crosslinked and cured by simply removing the solvent after coating on a substrate. The conditions for solvent removal vary depending on the coating film thickness, but are usually heated at 20 to 150 ° C for about 1 to 150 minutes using an oven, hot plate, etc. in an inert atmosphere such as air or nitrogen. Do. The temperature condition may be constant over the entire processing time, or may be performed while gradually raising the temperature within the temperature range.

また、(a)成分がポリアミック酸である場合、またはイミド化が不十分なポリイミドシリコーンである場合には、製膜後、焼成することにより、閉環反応により実質的に完全にイミド化したポリイミドシリコーンとする。焼成条件としては、膜厚により異なるが、オーブン、ホットプレート等を用いて、通常、150〜400℃の温度範囲で、10分〜5時間、好ましくは 20分〜3時間程度とすればよい。   In addition, when the component (a) is a polyamic acid or is a polyimide silicone that is insufficiently imidized, the polyimide silicone is substantially completely imidized by a ring-closing reaction by firing after film formation. And The firing conditions vary depending on the film thickness, but using an oven, a hot plate or the like, the temperature is usually in the temperature range of 150 to 400 ° C. for 10 minutes to 5 hours, preferably about 20 minutes to 3 hours.

なお、上記脱溶媒および製膜工程における条件、更に焼成条件下において、(c)成分の反応性シリル基含有ビスイミド化合物は、前記成分同士の縮合反応によって架橋および硬化する。
こうして得られるポリイミドシリコーン系被膜の膜厚は、通常、5〜250μm、好ましくは5〜200μmであり、より好ましくは 10〜100μmとすることがよい。
Note that the reactive silyl group-containing bisimide compound (c) is crosslinked and cured by a condensation reaction between the components under the conditions in the solvent removal and film-forming steps, and further under the firing conditions.
The film thickness of the polyimide silicone coating thus obtained is usually 5 to 250 μm, preferably 5 to 200 μm, and more preferably 10 to 100 μm.

基材としては、特に限定されないが、例えば、ポリイミド、BTレジン等からなる有機基材;アルミニウム、銅、シリコンもしくはこれらの合金またはステンレス鋼等の金属;アルミナ、ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英、ジルコニア、ムライト、窒化珪素等のセラミックス;チタン酸バリウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸タンタル、ガリウム砒素、インジウム燐等の半導体材料等を挙げることができる。また、これらの基材の表面に、更に、ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリフェニレン、ポリキシリレン、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルホン、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリキナゾリンジオン、ポリベンゾオキサジノン等の耐熱性高分子化合物を被覆した基材に対して本発明のポリイミドシリコーン系樹脂組成物をコーティングしてもよい。   Although it does not specifically limit as a base material, For example, organic base materials which consist of a polyimide, BT resin, etc .; Metals, such as aluminum, copper, silicon, or these alloys, or stainless steel; Alumina, glass, borosilicate glass, quartz, zirconia And ceramic materials such as mullite and silicon nitride; and semiconductor materials such as barium titanate, lithium niobate, tantalum niobate, gallium arsenide, and indium phosphorus. Moreover, on the surface of these base materials, high heat resistance such as polyimide, aromatic polyamide, polyphenylene, polyxylylene, polyphenylene oxide, polysulfone, polyamideimide, polyesterimide, polybenzimidazole, polyquinazolinedione, polybenzoxazinone, etc. You may coat the polyimide silicone resin composition of this invention with respect to the base material which coat | covered the molecular compound.

[樹脂組成物の粘度]
本発明の樹脂組成物の粘度は、後述するブルックフィールド粘度測定法により、25℃の粘度が 10〜2000mPa・s、特に 100〜800mPa・sが好ましい。粘度が高すぎると狭ギャップ侵入性が低下し、粘度が低すぎると所用の膜厚さを得ることができず、電極の腐食、断線が生じやすくなる場合が生じる。
[Viscosity of resin composition]
The viscosity of the resin composition of the present invention is preferably 10 to 2000 mPa · s, particularly preferably 100 to 800 mPa · s at 25 ° C., according to the Brookfield viscosity measurement method described later. When the viscosity is too high, the narrow gap penetration property is lowered, and when the viscosity is too low, the desired film thickness cannot be obtained, and the electrode is likely to be corroded or disconnected.

[用途]
本発明のポリイミドシリコーン系樹脂組成物の具体的な応用例としては、シリコンウェハ、ガリウム砒素等からなる基材上のモノリシックIC、例えばDRAM、SRAM、CPU等;セラミック基材、ガラス基材等の上に形成されるハイブリッドIC、サーマルヘッド、イメージセンサー、マルチチップ高密度実装基板等のデバイス;TABテープ、フレキシブル基材、リジッド配線板等の各種配線板等の層間絶縁膜、表面保護膜、α線遮蔽を始め各種の目的を有する保護膜等への適用を挙げることができる。
[Usage]
Specific application examples of the polyimide silicone resin composition of the present invention include monolithic ICs on a substrate made of silicon wafer, gallium arsenide, etc., such as DRAM, SRAM, CPU, etc .; ceramic substrates, glass substrates, etc. Devices such as hybrid ICs, thermal heads, image sensors, and multi-chip high-density mounting boards formed on them; interlayer insulation films such as TAB tape, flexible substrates, and various wiring boards such as rigid wiring boards, surface protective films, α Application to protective films having various purposes such as line shielding can be given.

以下に、合成例、実施例および比較例を示し、本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限られるものではない。   Synthesis Examples, Examples and Comparative Examples are shown below to describe the present invention in more detail, but the present invention is not limited to these.

〔合成例1〕
熱電対、攪拌装置および還流コンデンサーを具えたガラス製4ツ口セパラブルフラスコに、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分が当モル量となるように、3,3',4,4'-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)19.45g(テトラカルボン酸成分とジアミン成分との各質量部の総計を 100モル%とした場合のモル%:25モル%(以下に記載の「モル%」も同じ))、3,3',4,4'-(2,2-ジフェニルヘキサフルオロプロパン)テトラカルボン酸二無水物(6FDA)24.11g(25モル%)、下記式(8):
H2N-CH2CH2CH2-[Si(CH3)2O]9-Si(CH3)2-CH2CH2CH2-NH2 (8)
で表されるジアミノポリシロキサン(KF-8010(商品名)、信越化学工業社製)36.55g(20モル%)、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)13.37g(15モル%)、および、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル(ODA)6.52g(15モル%)を仕込み、300gのシクロヘキサノンを加え 180℃で4時間攪拌して、ポリイミドシリコーンおよび溶媒からなる組成物を得た。
[Synthesis Example 1]
In a glass four-necked separable flask equipped with a thermocouple, stirrer, and reflux condenser, 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetra so that the diamine component and tetracarboxylic acid component are equimolar. Carboxylic dianhydride (DSDA) 19.45 g (mol% when the total of parts by mass of the tetracarboxylic acid component and the diamine component is 100 mol%: 25 mol% (the same applies to “mol%” described below) )), 3,3 ′, 4,4 ′-(2,2-diphenylhexafluoropropane) tetracarboxylic dianhydride (6FDA) 24.11 g (25 mol%), the following formula (8):
H 2 N-CH 2 CH 2 CH 2- [Si (CH 3 ) 2 O] 9 -Si (CH 3 ) 2 -CH 2 CH 2 CH 2 -NH 2 (8)
Diaminopolysiloxane (KF-8010 (trade name), manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 36.55 g (20 mol%), 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP) 13.37 g (15 mol%) and 4,4'-diaminodiphenyl ether (ODA) 6.52 g (15 mol%) were charged, 300 g cyclohexanone was added, and the mixture was stirred at 180 ° C. for 4 hours. A composition was obtained.

〔合成例2−5〕
上記合成例1に記載のジアミン成分およびテトラカルボン酸成分の組成および使用量(質量部)を表1(( )内にモル%を併記した)に示すように変更したこと以外は、合成例1と同じにして、ポリイミドシリコーンおよび溶媒からなる組成物を得た。
[Synthesis Example 2-5]
Synthetic Example 1 except that the composition and the amount (parts by mass) of the diamine component and tetracarboxylic acid component described in Synthetic Example 1 are changed as shown in Table 1 (mol% is shown in parentheses). In the same manner as above, a composition comprising polyimide silicone and a solvent was obtained.

Figure 0004377354
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〔合成例6〕
(1)撹拌器、温度計および窒素置換装置を具備したフラスコ内に、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン 24.85g(0.1モル)、溶媒としてN-メチル-2-ピロリドン 80gおよびシクロヘキサノン 100gを仕込み、攪拌しながら、無水アリルナジック酸(下記構造式:
[Synthesis Example 6]
(1) In a flask equipped with a stirrer, a thermometer and a nitrogen displacement device, 24.85 g (0.1 mol) of 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane and N-methyl-2-pyrrolidone as a solvent Charge 80 g and 100 g of cyclohexanone and stir while stirring allyl nadic acid anhydride (the following structural formula:

Figure 0004377354

で表される化合物と、下記構造式:
Figure 0004377354

And the following structural formula:

Figure 0004377354

で表される化合物とを、合計で約80モル%含有する異性体混合物)(商品名:ANAH、丸善石油化学社製)40.8g(0.2モル)を徐々に滴下した。滴下終了後、更に室温で 10時間撹拌し、次に、前記フラスコに水分受容器付き還流冷却器を取り付けた後、キシレン 30gを加え、反応系を 160℃に昇温して、その温度を2時間保持した。更に、温度を 175℃まで昇温させて、その温度を4時間保持した。この反応によって生成した水分の量は 3.5gであった。
Figure 0004377354

40.8 g (0.2 mol) of an isomer mixture containing about 80 mol% in total (trade name: ANAH, manufactured by Maruzen Petrochemical Co., Ltd.) was gradually added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred at room temperature for 10 hours. Next, a reflux condenser with a moisture receiver was attached to the flask, 30 g of xylene was added, the reaction system was heated to 160 ° C., and the temperature was increased to 2 Held for hours. Further, the temperature was raised to 175 ° C., and the temperature was maintained for 4 hours. The amount of water produced by this reaction was 3.5 g.

上記操作によって得られた赤褐色反応溶液を室温まで冷却後、減圧下でストリップして溶媒を除去した。   The reddish brown reaction solution obtained by the above operation was cooled to room temperature and then stripped under reduced pressure to remove the solvent.

次いで、得られた反応生成物にメチルイソブチルケトン 600gを加えて溶解した後、水(600ml)を加えて攪拌して、水洗した。その後、水相を分離して、水相の導電率を測定した。該水洗操作を、水洗後の水相の導電率が 10μS/cm以下になるまで繰り返し実施した。その後、メチルイソブチルケトン溶液から共沸脱水により水分を除去し、得られた反応溶液をメタノール中に投じて、固体生成物を析出させた後、溶媒を除去し、下記構造式を有するビスイミド化合物(BI-1)59gを得た。   Next, after adding 600 g of methyl isobutyl ketone to the obtained reaction product and dissolving, water (600 ml) was added, stirred and washed with water. Thereafter, the aqueous phase was separated and the electrical conductivity of the aqueous phase was measured. The washing operation was repeated until the conductivity of the water phase after washing was 10 μS / cm or less. Thereafter, water is removed from the methyl isobutyl ketone solution by azeotropic dehydration, and the obtained reaction solution is poured into methanol to precipitate a solid product. Then, the solvent is removed, and a bisimide compound having the following structural formula ( BI-1) 59g was obtained.

Figure 0004377354
Figure 0004377354

ビスイミド化合物(BI-1)の赤外吸収スペクトルを観測したところ、イミド結合に由来する吸収が 1768 cm-1に、また、ビニル基に由来する吸収が 1641 cm-1に、それぞれ観測された。また、NMRスペクトルから、ビニル基に由来するピ−クが 5.0 ppmに観測された。 When an infrared absorption spectrum of the bisimide compound (BI-1) was observed, absorption derived from an imide bond was observed at 1768 cm −1 and absorption derived from a vinyl group was observed at 1641 cm −1 . Further, from the NMR spectrum, a peak derived from a vinyl group was observed at 5.0 ppm.

(2)上記ビスイミド化合物(BI-1)59g(0.095モル)をメチルイソブチルケトン 600gに再度溶解し、昇温させて共沸脱水を行った。この溶液に塩化白金酸 0.2gを加え、還流温度でトリメトキシシラン 26g(0.22モル)を滴下した。還流温度で6時間撹拌を続けた後、得られた反応溶液から過剰のトリメトキシシランを常圧蒸留により除去することにより、反応生成物溶液 164.4g(不揮発分 50%)を得た。これから、溶媒を除去して下記構造式を有するメトキシシリル基含有ビスイミド化合物(BI-1MS)82.2gを得た。 (2) 59 g (0.095 mol) of the bisimide compound (BI-1) was dissolved again in 600 g of methyl isobutyl ketone, and the temperature was raised to perform azeotropic dehydration. To this solution was added 0.2 g of chloroplatinic acid, and 26 g (0.22 mol) of trimethoxysilane was added dropwise at the reflux temperature. After stirring for 6 hours at the reflux temperature, excess trimethoxysilane was removed from the resulting reaction solution by atmospheric distillation to obtain 164.4 g of a reaction product solution (non-volatile content: 50%). From this, the solvent was removed to obtain 82.2 g of a methoxysilyl group-containing bisimide compound (BI-1MS) having the following structural formula.

Figure 0004377354
Figure 0004377354

このメトキシシリル基含有ビスイミド化合物(BI-1MS)の赤外吸収スペクトル観測したところ、SiO結合に由来する吸収が 1086 cm-1に観測され、アリル基に由来する吸収( 1641 cm-1)が消失していることが観測された。また、NMRスペクトルからアリル基に由来するピーク(5.0 ppm)が消失していることも観測された。 When the infrared absorption spectrum of this methoxysilyl group-containing bisimide compound (BI-1MS) was observed, the absorption derived from the SiO bond was observed at 1086 cm −1 and the absorption derived from the allyl group (1641 cm −1 ) disappeared. It was observed that It was also observed from the NMR spectrum that the peak derived from the allyl group (5.0 ppm) had disappeared.

〔合成例7〕
(1)合成例6(1)に記載の1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンに代えて、4,4'-ジアミノジフェニルメタン 19.83g(0.1モル)を用いること以外は、合成例6と同じにして、下記構造式を有するビスイミド化合物(BI-2)48.5gを得た。
[Synthesis Example 7]
(1) In place of 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane described in Synthesis Example 6 (1), except that 19.83 g (0.1 mol) of 4,4′-diaminodiphenylmethane is used, In the same manner as in Synthesis Example 6, 48.5 g of a bisimide compound (BI-2) having the following structural formula was obtained.

Figure 0004377354
Figure 0004377354

このビスイミド化合物(BI-2)の赤外線吸収スペクトルおよびNMRスペクトルを観測したところ、合成例6に記載の観測結果と同じであった。   When the infrared absorption spectrum and NMR spectrum of this bisimide compound (BI-2) were observed, they were the same as the observation results described in Synthesis Example 6.

(2)合成例6(2)に記載のビスイミド化合物(BI-1)59g(0.095モル)に代えて、上記ビスイミド化合物(BI-2)48.5g(0.085モル)を用いること、およびトリメトキシシランを 24.9g(0.20モル)用いること以外は、合成例6と同じにして、下記構造式を有するメトキシシリル基含有ビスイミド化合物(BI-2MS)69.2g(0.085モル)を得た。 (2) Instead of 59 g (0.095 mol) of the bisimide compound (BI-1) described in Synthesis Example 6 (2), 48.5 g (0.085 mol) of the bisimide compound (BI-2) is used, and trimethoxysilane 69.2 g (0.085 mol) of a methoxysilyl group-containing bisimide compound (BI-2MS) having the following structural formula was obtained in the same manner as in Synthesis Example 6 except that 24.9 g (0.20 mol) was used.

Figure 0004377354
Figure 0004377354

このメトキシシリル基含有ビスイミド化合物(BI-2MS)の赤外線吸収スペクトルおよびNMRスペクトルを観測したところ、合成例6に記載の観測結果と同じであった。   When an infrared absorption spectrum and an NMR spectrum of this methoxysilyl group-containing bisimide compound (BI-2MS) were observed, the results were the same as those described in Synthesis Example 6.

〔合成例8〕
(1)合成例6(1)に記載の1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンに代えて、下記構造式で示されるジアミン化合物:
[Synthesis Example 8]
(1) Instead of 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane described in Synthesis Example 6 (1), a diamine compound represented by the following structural formula:

Figure 0004377354

31.0g(0.1モル)を用いること以外は、合成例6と同じにして、下記構造式を有するビスイミド化合物(BI-3)56.6gを得た。
Figure 0004377354

56.6 g of bisimide compound (BI-3) having the following structural formula was obtained in the same manner as in Synthesis Example 6 except that 31.0 g (0.1 mol) was used.

Figure 0004377354
Figure 0004377354

ビスイミド化合物(BI-3)の赤外線吸収スペクトルおよびNMRスペクトルを観測したところ、合成例6に記載の観測結果と同じであった。   When an infrared absorption spectrum and an NMR spectrum of the bisimide compound (BI-3) were observed, the results were the same as those described in Synthesis Example 6.

(2)合成例6(2)に記載のビスイミド化合物(BI-1)59g(0.095モル)に代えて、上記ビスイミド化合物(BI-3)56.6g(0.083モル)を用いること、およびトリメトキシシランを 24g(0.2モル)用いること以外は、合成例6と同じにして、下記構造式を有するメトキシシリル基含有ビスイミド化合物(BI-3MS)76.8g(0.083モル)を得た。 (2) Instead of 59 g (0.095 mol) of the bisimide compound (BI-1) described in Synthesis Example 6 (2), 56.6 g (0.083 mol) of the bisimide compound (BI-3) is used, and trimethoxysilane In the same manner as in Synthesis Example 6 except that 24 g (0.2 mol) was used, 76.8 g (0.083 mol) of a methoxysilyl group-containing bisimide compound (BI-3MS) having the following structural formula was obtained.

Figure 0004377354
Figure 0004377354

このメトキシシリル基含有ビスイミド化合物(BI-3MS)の赤外線吸収スペクトルおよびNMRスペクトルを観測したところ、合成例6に記載の観測結果と同じであった。   When an infrared absorption spectrum and an NMR spectrum of this methoxysilyl group-containing bisimide compound (BI-3MS) were observed, the results were the same as those described in Synthesis Example 6.

<実施例1〜10>
上記合成例1〜5で得られたポリイミドシリコーンおよび溶媒からなる組成物と、上記合成例6〜8で得られたメトキシシリル基含有ビスイミド化合物(BI-1MS〜BI-3MS)と、縮合反応触媒としてテトライソプロピルチタネート:Ti(O-iPr)4と無機イオン交換体とを、表2、表3および表4に記載した組成および使用量(質量部)で混合し、その後十分に攪拌して、本発明のポリイミドシリコーン系樹脂組成物を調製した。
<Examples 1 to 10>
Compositions comprising the polyimide silicones and solvents obtained in Synthesis Examples 1-5, methoxysilyl group-containing bisimide compounds (BI-1MS-BI-3MS) obtained in Synthesis Examples 6-8, and condensation reaction catalysts Tetraisopropyl titanate: Ti (O—iPr) 4 and the inorganic ion exchanger were mixed in the compositions and amounts used (parts by mass) described in Table 2, Table 3 and Table 4, and then sufficiently stirred, A polyimide silicone resin composition of the present invention was prepared.

無機イオン交換体として、「IXE633」(商品名、東亜合成(株)製)(含水酸化アンチモン・含水酸化ビスマス混合物、[イオン交換能力]カチオン:1.1meq/g,アニオン:1.4meq/g)、「IXE600」(商品名、東亜合成(株)製)(含水酸化アンチモン・含水酸化ビスマス混合物、[イオン交換能力]カチオン:1.5meq/g,アニオン:2.0meq/g)、または「キョウワード2200」(商品名、共和化学工業(株)製)(酸化マグネシウム・酸化アルミニウム混合物、[イオン交換能力]アニオン:6.7meq/g)(以下、「KW2200」と略記する。)を用いた。   As an inorganic ion exchanger, “IXE633” (trade name, manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.) (hydrous hydrous antimony / hydrous hydrous bismuth mixture, [ion exchange capacity] cation: 1.1 meq / g, anion: 1.4 meq / g), “IXE600” (trade name, manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.) (hydrous hydrous antimony / hydrous hydrous bismuth mixture, [ion exchange capacity] cation: 1.5 meq / g, anion: 2.0 meq / g), or “Kyoward 2200” (Trade name, manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.) (magnesium oxide / aluminum oxide mixture, [ion exchange capacity] anion: 6.7 meq / g) (hereinafter abbreviated as “KW2200”) was used.

次いで、実施例1〜10の各ポリイミドシリコーン系樹脂組成物について、下記のとおりにして性能評価試験を行った。   Subsequently, the performance evaluation test was performed as follows about each polyimide silicone resin composition of Examples 1-10.

[接着強度測定]
ガラス板上に、ポリイミドシリコーン系樹脂組成物を塗布し、23℃および湿度 60%の条件で 72時間放置して、溶媒を蒸発させて除去し、10mm×150mmおよび膜厚が平均 50μmのテープ形状のフィルムを作製した。
[Adhesive strength measurement]
Apply a polyimide silicone resin composition on a glass plate, leave it for 72 hours at 23 ° C and 60% humidity, and evaporate the solvent to remove it. 10mm x 150mm and a film thickness of 50μm on average A film was prepared.

上記フィルムの長手方向の片端部を、ガラス板に対して平行かつ180度の角度の方向に、300mm/分の速度で引っ張って、ピール引き剥がし強度(g/cm)を測定した。測定結果を表2および表3の「接着強度」の欄に表示した。   One end of the film in the longitudinal direction was pulled in a direction parallel to the glass plate and at an angle of 180 ° at a speed of 300 mm / min, and peel peel strength (g / cm) was measured. The measurement results are shown in the column of “Adhesive strength” in Tables 2 and 3.

[定電圧印加ITO電極腐食試験]
15μmの線幅および 15μmの線間で、面積が 10mm×5mmのITOくし形電極を作製した。この電極表面上に、ポリイミドシリコーン系樹脂組成物を塗布し、23℃および湿度 60%の条件で 72時間放置して、平均 50μmの厚さの被膜を形成して被覆した。
[Constant voltage applied ITO electrode corrosion test]
An ITO comb electrode having an area of 10 mm × 5 mm was produced between a line width of 15 μm and a line of 15 μm. On this electrode surface, a polyimide silicone resin composition was applied, and allowed to stand for 72 hours at 23 ° C. and 60% humidity to form a coating having an average thickness of 50 μm.

得られたITOくし形電極を 85℃、湿度 85%、および 20Vの定電圧印加条件下で導通試験を行った。ITO電極の腐食が発生するまでの時間(hrs)を顕微鏡観察により測定した。測定結果を表2および表3の「電極腐食試験」の欄に表示した。   The obtained ITO comb electrode was subjected to a continuity test under conditions of applying a constant voltage of 85 ° C., humidity 85%, and 20V. The time (hrs) until corrosion of the ITO electrode occurred was measured by microscopic observation. The measurement results are shown in the column of “Electrode Corrosion Test” in Tables 2 and 3.

[粘度測定]
DVIII粘度計(ブルックフィールド社製)にて、該当する粘度範囲のコーンを用いて、ポリイミドシリコーン系樹脂組成物の 25℃での粘度(mPa・s)を測定した。
[Viscosity measurement]
The viscosity (mPa · s) at 25 ° C. of the polyimide silicone resin composition was measured with a DVIII viscometer (manufactured by Brookfield) using a cone in the corresponding viscosity range.

[狭ギャップ侵入性測定]
5mm×10mmのACF(CP9630SB(ソニーケミカル社製))をダイボンダー(Athlete社製)にて200℃,10秒間,10MPaの条件下でガラス基板上に貼り付ける。このACF付きのガラス基板を裏面より観察して、ACFとガラスの貼り付け面に存在する空孔の顕微鏡写真をとる。ACF付きのガラス基板上にACFの周囲に 0.2mLのポリイミドシリコーン系樹脂組成物(含浸剤)を5mm×10mmの長方形を描くように塗布をして一日放置乾燥する。含浸剤を塗布したガラス基板を再度裏面より観察して、顕微鏡写真を取得する。ACFとガラス界面に存在する含浸剤と空気層の面積比率(%)を写真から算出して、狭ギャップ侵入性とする。
[Narrow gap penetration measurement]
ACF of 5 mm × 10 mm (CP9630SB (manufactured by Sony Chemical)) is pasted on a glass substrate with a die bonder (manufactured by Athlete) at 200 ° C. for 10 seconds at 10 MPa. The ACF-attached glass substrate is observed from the back side, and a micrograph of the holes existing on the ACF and glass bonding surface is taken. On a glass substrate with ACF, 0.2 mL of polyimide silicone resin composition (impregnating agent) is applied around ACF so as to draw a rectangle of 5 mm × 10 mm and dried for one day. The glass substrate coated with the impregnating agent is again observed from the back surface to obtain a micrograph. The area ratio (%) between the impregnating agent and the air layer existing at the interface between the ACF and the glass is calculated from the photograph to make the narrow gap penetration property.

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

〔比較例1〕
反応性シリル基含有ビスイミド化合物を使用しないこと以外は、実施例1と同じにして、ポリイミドシリコーン系樹脂組成物の調製、製膜等および上記性能評価試験を行った。結果を表5に示す。(168時間未満でITO電極の腐食が生じ、断線が発生した。)
[Comparative Example 1]
Except not using a reactive silyl group containing bisimide compound, it carried out similarly to Example 1, and prepared the polyimide silicone type resin composition, film formation, etc., and the said performance evaluation test. The results are shown in Table 5. (The ITO electrode was corroded in less than 168 hours, causing a disconnection.)

〔比較例2〜5〕
反応性シリル基含有ビスイミド化合物を使用しないこと、メルカプト基含有アルコキシシラン加水分解縮合物:KBM-803P(商品名、信越化学工業社製)またはヒドロシリル基含有アルコキシシラン:03MS(商品名、信越化学工業社製)、およびテトライソプロピルチタネートを表5に記載した組成および使用量(質量部)で用いること以外は、実施例1と同じにして、ポリイミドシリコーン系樹脂組成物の調製、製膜等および上記性能評価試験を行った。結果を表5に示す。
[Comparative Examples 2 to 5]
Do not use reactive silyl group-containing bisimide compounds, mercapto group-containing alkoxysilane hydrolysis condensate: KBM-803P (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) or hydrosilyl group-containing alkoxysilane: 03MS (trade name, Shin-Etsu Chemical) The same as in Example 1, except that tetraisopropyl titanate is used in the composition and use amount (parts by mass) described in Table 5, and the preparation of the polyimide silicone resin composition, film formation, etc. A performance evaluation test was conducted. The results are shown in Table 5.

Figure 0004377354
Figure 0004377354

〔比較例6〕
無機イオン交換体を使用しないこと以外は、実施例1と同じにして、ポリイミドシリコーン系樹脂組成物の調製、製膜等および上記性能評価試験を行った。結果を表6に示す。
[Comparative Example 6]
Except not using an inorganic ion exchanger, it carried out similarly to Example 1, and prepared the polyimide silicone resin composition, film formation, etc., and the said performance evaluation test. The results are shown in Table 6.

〔比較例7,8〕
無機イオン交換体の量を本願組成物の範囲外としたこと以外は、実施例1と同じにして、ポリイミドシリコーン系樹脂組成物の調製、製膜等および上記性能評価試験を行った。結果を表6に示す。
[Comparative Examples 7 and 8]
Except that the amount of the inorganic ion exchanger was outside the range of the composition of the present application, the preparation of the polyimide silicone resin composition, film formation, and the performance evaluation test were performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 6.

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Claims (6)

(a) 芳香族テトラカルボン酸化合物および脂環式テトラカルボン酸化合物より成る群から選ばれるテトラカルボン酸化合物と芳香族ジアミンとジアミノシロキサンとの反応生成物であるポリアミック酸、並びに、該ポリアミック酸の閉環誘導体であるポリイミドシリコーンより成る群から選ばれるポリマー、
(b) N-メチルピロリドン、アミド系溶媒、ラクトン類、カーボネート類、エステル類、エーテル類、ケトン類、アルコール類、尿素系溶媒、スルフォキシド系溶媒、スルフォン系溶媒、炭化水素系溶媒、およびハロゲン系溶媒からなる群より選ばれる1種または2種以上の溶媒、
(c) 下記構造式(1):
Figure 0004377354
(1)
(式中、R1芳香環または直鎖状オルガノポリシロキサン構造を有する2価の有機基であり、R2およびR3は独立に非置換または置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基であり、nは独立に1〜3の整数である)
で示される反応性シリル基含有ビスイミド化合物、および
(d) 無機イオン交換体: (a)成分100質量部に対して 0.5〜10質量部
を含有するポリイミドシリコーン系樹脂組成物。
(a) a polyamic acid which is a reaction product of a tetracarboxylic acid compound selected from the group consisting of an aromatic tetracarboxylic acid compound and an alicyclic tetracarboxylic acid compound, an aromatic diamine and a diaminosiloxane, and the polyamic acid A polymer selected from the group consisting of polyimide silicones which are ring-closing derivatives,
(b) N-methylpyrrolidone, amide solvents, lactones, carbonates, esters, ethers, ketones, alcohols, urea solvents, sulfoxide solvents, sulfone solvents, hydrocarbon solvents, and halogen solvents One or more solvents selected from the group consisting of solvents,
(c) Structural formula (1) below:
Figure 0004377354
(1)
(Wherein R 1 is a divalent organic group having an aromatic ring or a linear organopolysiloxane structure , and R 2 and R 3 are independently unsubstituted or substituted monovalent carbon atoms having 1 to 10 carbon atoms. A hydrogen group and n is an integer of 1 to 3 independently)
A reactive silyl group-containing bisimide compound represented by:
(d) Inorganic ion exchanger: (a) A polyimide silicone resin composition containing 0.5 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component.
前記(d)無機イオン交換体の、カチオン交換能力がNaイオン換算で 0.1meq/g以上、および/またはアニオン交換能力がClイオン換算で 0.1meq/g以上であることを特徴とする請求項1に記載の組成物。   The cation exchange capacity of the (d) inorganic ion exchanger is 0.1 meq / g or more in terms of Na ions, and / or the anion exchange capacity is 0.1 meq / g or more in terms of Cl ions. A composition according to 1. 25℃での粘度が10〜2,000mPa・sである請求項1または2に記載の組成物。   The composition according to claim 1 or 2, which has a viscosity at 25 ° C of 10 to 2,000 mPa · s. 前記(b)成分において、In the component (b),
前記アミド系溶媒がN,N-ジメチルホルムアミドおよびN,N-ジメチルアセトアミドからなる群より選ばれる1種または2種の溶媒であり、The amide solvent is one or two solvents selected from the group consisting of N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide;
前記ラクトン類がγ-ブチロラクトン、α-メチル-γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、δ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、およびε-カプロラクトンからなる群より選ばれる1種または2種以上の溶媒であり、The lactone is one or more solvents selected from the group consisting of γ-butyrolactone, α-methyl-γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, γ-caprolactone, and ε-caprolactone. ,
前記カーボネート類がプロピレンカーボネートであり、The carbonates are propylene carbonate,
前記エステル類が酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、およびブチルセロソルブアセテートからなる群より選ばれる1種または2種以上の溶媒であり、The ester is one or more solvents selected from the group consisting of butyl acetate, ethyl cellosolve acetate, and butyl cellosolve acetate,
前記エーテル類がジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、およびテトラヒドロフランからなる群より選ばれる1種または2種以上の溶媒であり、The ethers are one or more solvents selected from the group consisting of dibutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, and tetrahydrofuran;
前記ケトン類がメチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、およびアセトフェノンからなる群より選ばれる1種または2種以上の溶媒であり、The ketones are one or more solvents selected from the group consisting of methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and acetophenone;
前記アルコール類がブタノール、オクタノール、およびエチルセロソルブからなる群より選ばれる1種または2種以上の溶媒であり、The alcohol is one or more solvents selected from the group consisting of butanol, octanol, and ethyl cellosolve;
前記スルフォキシド系溶媒がジメチルスルフォキシドであり、The sulfoxide solvent is dimethyl sulfoxide;
前記炭化水素系溶媒がトルエンであり、The hydrocarbon solvent is toluene;
前記ハロゲン系溶媒がクロロホルムおよび四塩化炭素からなる群より選ばれる1種または2種の溶媒であるThe halogen solvent is one or two solvents selected from the group consisting of chloroform and carbon tetrachloride.
請求項1〜3の何れか1項に記載の組成物。The composition according to any one of claims 1 to 3.
前記RR 11 But
Figure 0004377354
Figure 0004377354

(式中、pは0〜200の整数である);(Wherein p is an integer from 0 to 200);
Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

Figure 0004377354
Figure 0004377354

p-フェニレンジアミン、4,4'-ジアミノジフェニルエ−テル、2,2'-ビス(4-アミノフェニル)プロパン、4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、4,4'-ジアミノジフェニルスルフィド、1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(p-アミノフェニルスルホニル)ベンゼン、1,4-ビス(m-アミノフェニルスルホニル)ベンゼン、1,4-ビス(p-アミノフェニルチオ)ベンゼン、1,4-ビス(m-アミノフェニルチオ)ベンゼン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2-ビス[3-メチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2-ビス[3-クロロ-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,1-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1-ビス[3-メチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1-ビス[3-クロロ-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1-ビス[3,5-ジメチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エタン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[3-メチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[3-クロロ-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[3,5-ジメチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、および2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]パーフルオロプロパンからなる群より選ばれる1種または2種以上の芳香環含有ジアミンからアミノ基を除いて得られる残基;p-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 2,2′-bis (4-aminophenyl) propane, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 1, 4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (p-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,4-bis (m-aminophenylsulfonyl) Benzene, 1,4-bis (p-aminophenylthio) benzene, 1,4-bis (m-aminophenylthio) benzene, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2, 2-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-chloro-4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [3-chloro-4- (4-aminophenoxy) ) Phenyl] ethane, 1,1-bis [3,5-dimethyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3-methyl-4 -(4-Aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3-chloro-4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3,5-dimethyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis One or more aromatic ring-containing diamines selected from the group consisting of [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] perfluoropropane A residue obtained by removing an amino group from
下記構造式(7):The following structural formula (7):
Figure 0004377354
Figure 0004377354
(7)(7)
(式中、R(Wherein R 4Four は、Is
Figure 0004377354
Figure 0004377354

(式中、pは前記のとおりである);Wherein p is as described above;
Figure 0004377354
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Figure 0004377354
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Figure 0004377354
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Figure 0004377354
Figure 0004377354

ならびに、p-フェニレンジアミン、4,4'-ジアミノジフェニルエ−テル、2,2'-ビス(4-アミノフェニル)プロパン、4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、4,4'-ジアミノジフェニルスルフィド、1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(p-アミノフェニルスルホニル)ベンゼン、1,4-ビス(m-アミノフェニルスルホニル)ベンゼン、1,4-ビス(p-アミノフェニルチオ)ベンゼン、1,4-ビス(m-アミノフェニルチオ)ベンゼン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2-ビス[3-メチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2-ビス[3-クロロ-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,1-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1-ビス[3-メチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1-ビス[3-クロロ-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1-ビス[3,5-ジメチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エタン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[3-メチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[3-クロロ-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[3,5-ジメチル-4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、および2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]パ−フルオロプロパンからなる群より選ばれる1種または2種以上の芳香環含有ジアミンからアミノ基を除いて得られる残基P-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 2,2′-bis (4-aminophenyl) propane, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (p-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,4-bis (m-aminophenyl) Sulfonyl) benzene, 1,4-bis (p-aminophenylthio) benzene, 1,4-bis (m-aminophenylthio) benzene, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-chloro-4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,1-bis [ 4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [3-chloro-4- (4-amino) Phenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [3,5-dimethyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3-methyl- 4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3-chloro-4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3,5-dimethyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, One or more aromatic rings selected from the group consisting of bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] perfluoropropane Residue obtained by removing amino group from diamine
からなる群より選ばれる1種または2種以上の2価の基であり、qは0〜100の整数であり、Xは芳香族テトラカルボン酸二無水物に由来する芳香環を含む4価の有機基である。)One or two or more divalent groups selected from the group consisting of: q is an integer of 0 to 100, and X is a tetravalent group containing an aromatic ring derived from an aromatic tetracarboxylic dianhydride. Organic group. )
で示されるジアミン化合物からアミノ基を除いて得られる残基;ならびにA residue obtained by removing an amino group from the diamine compound represented by:
Figure 0004377354
Figure 0004377354

からなる群より選ばれる1種または2種以上のケイ素含有ジアミン類からアミノ基を除いて得られる残基Residues obtained by removing amino groups from one or more silicon-containing diamines selected from the group consisting of
からなる群より選ばれる1種または2種以上の2価の有機基である請求項1〜4の何れか1項に記載の組成物。The composition according to any one of claims 1 to 4, which is one or more divalent organic groups selected from the group consisting of:
請求項1〜の何れか1項に記載の組成物からなる電極保護材。 The electrode protective material which consists of a composition of any one of Claims 1-5 .
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