JP4368258B2 - センサ・ガイドワイヤアセンブリ - Google Patents

Description

本発明は、概略的に、生体内における生理的変化を血管内で測定するためにガイドワイヤの先端にセンサ素子が装着されるセンサ・ガイドワイヤアセンブリに関し、特に、センサ素子の形状および装着の構成に関するものである。

ガイドワイヤの先端にセンサが装着されたセンサ・ガイドワイヤアセンブリが知られている。本件出願人に譲渡された米国再発行特許第３５，６４８号明細書（特許文献１）には、センサおよびガイドワイヤアセンブリの一例が開示されている。そのセンサ・ガイドワイヤアセンブリにおいて、センサガイドは、センサ素子と、電子ユニットと、センサ素子を電子ユニットに接続する信号送信ケーブルと、ケーブルとセンサ素子とがその内部に配置されたフレキシブルチューブと、中実の金属ワイヤと、中実ワイヤの先端に取り付けられたコイルとを備えている。センサ素子は、例えば薄膜等の感圧デバイスを備えており、この感圧デバイス上には、ホイートストンブリッジ型の配列で接続されたピエゾ抵抗素子が配置されている。

本件出願人に譲渡された米国特許第６，１１２，５９８号明細書（特許文献２）および米国特許第６，１６７，７６３号明細書（特許文献３）から分かるように、この種のセンサが装着されたガイドワイヤにおいて起こり得る問題は、いわゆるベンディングアーチファクトの発生である。ベンディングアーチファクトは、センサの周囲の物理的な環境の変化によって引き起こされるのではなく、ガイドワイヤの屈曲によって引き起こされるセンサからの出力信号の変化である。このことは、特許文献１に開示されたものと同様のセンサ・ガイドワイヤアセンブリにおいて、ガイドワイヤが曲げられると、その曲げによってセンサ素子が歪み、それによってセンサ素子が偏向、或いは伸張（または収縮）することを意味する。センサ素子の歪みにより、感圧デバイスが変形し、そのため、周知の原理にしたがって、ホイートストンブリッジからの出力がガイドワイヤの曲げによって影響を受ける。

特許文献２および特許文献３によれば、この問題の解決策は、センサ素子を片持ち梁の形態で装着することにより、センサ素子の感圧端部がその装着部以外の任意の構造体と接触しないようにすることである。上記２つの特許は、センサ素子の感圧端部に曲げ力が作用しないようにセンサ素子を装着する様々な方法を適用した幾つかの実施形態を開示している。これらの実施形態の共通の特徴は、細長い本質的に矩形状のセンサ素子をコアワイヤの凹部内に装着する場合において、センサ素子の基端をコアワイヤに装着するとともに、感圧デバイス（例えば薄膜）が設けられるセンサ素子の先端部の下側にクリアランスが形成されるように、センサ素子の先端を凹部内に突出させるという点である。

特許文献２および特許文献３にて教示されている内容にしたがってセンサ素子を構成し装着したセンサ・ガイドワイヤアセンブリが、良好に作動することは実際に知られているが、特に製造の観点から、このセンサ・ガイドワイヤアセンブリの構造には改良の余地がある。

米国再発行特許第３５，６４８号明細書 米国特許６，１１２，５９８号明細書 米国特許６，１６７，７６３号明細書

前述したように、従来技術におけるセンサ素子は、その上にポリシリコンによって形成された薄膜を設けた細長い本質的に矩形状を形成する。ベンディングアーチファクトに対する所望の耐性を得るため、このセンサ素子を様々な方法で装着することができるが、その共通な特徴としては、ベンディングアーチファクトに対する所望の耐性をセンサ素子自体の形状ではなく装着構成によって、与えているという点である。

本発明の目的は、センサ素子がセンサ・ガイドワイヤアセンブリに装着される場合において、センサ・ガイドワイヤアセンブリが、ベンディングアーチファクトに対する耐性に関して同一または更に良好な特性を有するために、センサ素子のための新規かつ改良された構造を提供することである。同時に、センサ・ガイドワイヤアセンブリは、製造がより簡単で、そのため、製造コストが安価になることが好ましい。

上記の目的は、本発明に係るセンサ素子、および、センサ・ガイドワイヤアセンブリによって達成される。

本発明において、センサ・ガイドワイヤアセンブリは、通常矩形の形態をなすセンサ素子と、感圧デバイスがその上に設けられたさらに薄いチップを備えている。センサ素子は、本質的に長軸に沿って細長くなっている。感圧デバイスは、センサ素子の第１の端部の上面の小さな凹部を覆うような薄膜の形態をしていても良い。この薄膜は、この上にピエゾ抵抗素子を装着している。センサ素子には、その反対側の第２の端部に、センサ素子の長軸と本質的に直交する方向で下側に延びる装着ベースが設けられている。装着ベースは、センサ・ガイドワイヤアセンブリの一部であるコアワイヤの表面上に装着されるようになっており、これにより、センサ素子の第１の端部が片持ち梁の形態で装着され、感圧デバイスが設けられるセンサ素子の第１の端部の下側にクリアランスが形成されるようになっている。

本発明に係るセンサ素子の一実施形態において、装着ベースは、センサ素子の一体部分として設けられる。すなわち、センサ素子は、単一部品として製造される。これに対し、別の実施形態は、異なったセンサ素子の薄くて平坦な構造体に取り付け可能な別個の装着ベースを備えたセンサ素子を使用する。

本発明の他の目的は、本発明に係るセンサ素子を製造するための方法を提供することである。第１の製造プロセスにおいて、センサ素子は、装着ベースも含めて、所望の形状にエッチングされたシリコンの単一部品から成る。製造の第２の方法において、センサ素子は、シリコンから成る装着ベースをシリコンプレートに接着することにより形成される。

本発明に係るセンサ素子が使用される状況を良く理解するため、従来の構造のセンサ・ガイドワイヤアセンブリ１を図１に示す。センサガイド１は、中空管２と、コアワイヤ３と、第１のコイル４と、第２のコイル５と、ジャケットまたはスリーブ６と、ドーム形状の頭部７と、センサ素子（またはセンサチップ）８と、一つまたは複数の導線９とを備えている。第１のコイル４の基端は中空管２の先端に取り付けられている。一方、第１のコイル４の先端はジャケットまたはスリーブ６の基端に取り付けられている。第２のコイル５の基端はジャケットまたはスリーブ６の先端に接続され、ドーム形状の頭部７は第２のコイル５の先端に取り付けられている。コアワイヤ３は、その先端部が中空管２から第２のコイル５内へと延在するように、中空管２の内部に配置されている。センサ素子８は、ジャケットまたはスリーブ６の位置でコアワイヤ３上に装着されており、一つまたは複数の導線９を介して電子ユニット（図示せず）に接続されている。センサ素子８は、薄膜１０の形態をした感圧デバイス（図１では不可視）を備えている。この感圧デバイスは、ジャケットまたはスリーブ６の開口部１１を通じて、センサガイド１の先端部分を取り囲む血液等の媒体と接触する。

図示しないが、センサ素子８は、電気回路を更に備えており、この電気回路には、薄膜１０上に設けられた一つまたは複数のピエゾ抵抗素子がホイートストンブリッジ型の配列で接続されている。これにより、技術的に周知であるように、周囲の媒体から薄膜１０にある圧力が加わると、これにより薄膜１０がある量だけ伸縮する。この伸縮により、薄膜１０上に設けられたピエゾ抵抗素子の抵抗がある量だけ変化し、この抵抗は、センサ素子８からの特定の出力に対応する。そのため、センサ素子８からの前記出力が、周囲の媒体の物理的特性の実際の変化に関係ない原因で変化しないようにすることが、非常に好ましいことは明らかである。前述したように、そのような要因の一つは、いわゆるベンディングアーチファクトであり、これは、センサガイド１の屈曲が薄膜１０の変形に転換されることによって生じる。ここで、ホイートストンブリッジ型の配列に接続されたピエゾ抵抗素子についての前述した説明は、単なる一例として見なければならず、要するに、基本的な問題は、薄膜１０等の感圧デバイスがセンサガイド１の屈曲により影響を受けるということである。

ベンディングアーチファクトによって生じ得る悪影響をなくすため、センサ素子を装着する幾つかの異なった方法が特許文献２および特許文献３に開示されている。これらの装着構成の１つが図２に示されている。図２は、その先端部に薄膜１０が設けられたセンサ素子８をコアワイヤ３上に装着する方法を示す。コアワイヤ３には凹部１２が設けられており、この凹部１２は、２つの部分、すなわちセンサ素子８の基端部を受けるための装着棚１３としての目的を有する第１の部分と、センサ素子８の先端部が自由に突出できるように第１の部分よりも深さがある第２の部分１４とから成る。これにより、センサ素子８は、センサ素子８の感圧先端部が他の硬い構造体と接触することなく、片持ち梁の形態で装着される。センサガイドにおけるこの周知の構造において、センサ素子８は、ジャケットまたはスリーブ６の内側に配置されるとともに、一つまたは複数の導線９を介して電子ユニット（図示せず）に接続されている。

図２に示す装着構成、および、従来技術における他の装着構成において、ベンディングアーチファクトに対する所望の耐性を与えるのは、コアワイヤ３の構造を含む装着構成であり、一方センサ素子自体は、いかなる場合においても同様に、略矩形で平坦な形状を有している。これに対し、図３は、本発明に係るコアワイヤ２２とセンサ素子２３とを備えたセンサ・ガイドワイヤアセンブリ２１の一部を示す。センサ素子２３は、本質的に、２つの部分、すなわち、装着ベース２４と感圧端部２５とを備えており、感圧端部２５の上面には、薄膜２６の形態をした感圧デバイスが設けられている。別の例として、感圧デバイスは、感圧端部２５の下面に配置されていても良い。図３に示す実施形態において、コアワイヤ２２には凹部が設けられており、この凹部内には、コアワイヤ２２とセンサ素子２３の感圧端部２５との間にクリアランス２７が形成されるようにセンサ素子２３が装着されている。コアワイヤ２２の凹部は、当業者に周知である、研削、スパーク加工、または、レーザ加工によって形成することができる。図４は、図３のセンサ・ガイドワイヤアセンブリ２１のＡ−Ａ矢視横断面を示す。図４から分かるように、凹部において、コアワイヤ２２は、装着ベース２４の平坦な下面を取り付けるために十分大きな取り付け領域を提供する平坦な上面を持っている。装着ベース２４は、接着によってコアワイヤ２２に取り付けることができる。センサ素子２３は、ジャケットまたはスリーブ２８の内部に配置されており、一つまたは複数の導線２９を介して電子ユニット（図示せず）に接続されている。

図５は、本発明に係るセンサ素子３３を装着するための別の方法を示す。センサ素子３３は、コアワイヤ３２上に装着されており、センサ・ガイドワイヤアセンブリ３１の一部である。図３に示される実施形態と同様に、図５のセンサ素子３３は、本質的に、２つの部分、すなわち、装着ベース３４と感圧端部３５とを備えており、感圧端部３５の上面には、薄膜３６の形態をした感圧デバイスが設けられている。しかしながら、図５のセンサ・ガイドワイヤアセンブリ３１は、図５におけるコアワイヤ３２が凹部を有していないという点で、図３のセンサ・ガイドワイヤアセンブリ２１と異なっている。その代わり、図６に示されるように、コアワイヤ３２が円形のＢ−Ｂ矢視横断面を有しており、センサ素子３３の装着ベース３４は、コアワイヤ３２とセンサ素子３３の感圧端部３５との間にクリアランス３７が形成されるように、コアワイヤ３２の円形の外部表面上に装着されている。また、図６は、装着ベース３４の下面が半円形状の溝を有しており、その半円形状の溝の曲率がコアワイヤ３２の形状に一致している状態を示す。そのような半円形状の溝を装着ベース３４に設けることにより、コアワイヤ３２に対してセンサ素子３３の装着を確実にできることは明らかである。しかしながら、装着強度は、コアワイヤ３２およびセンサ素子３３の寸法や、接着剤の種類等といった装着方法に依存することは留意されるべきである。また、その装着ベース３４が平坦な下面を有しているセンサ素子３３であっても、センサ素子３３を円形のコアワイヤ３２に対して確実に取り付けられることが非常に好ましい。また、この場合も、センサ素子３３は、ジャケットまたはスリーブ３８の内部に配置されており、一つまたは複数の導線３９を介して電子ユニット（図示せず）に接続される。

既に何度か述べたように、従来技術のセンサ素子が略平坦な矩形状をしているのに対し、本発明に係るセンサ素子は、装着ベースの形態をしている追加的な構造を備えているという点で、従来技術におけるセンサ素子と異なっている。しかしながら、この追加的な構造は、より精巧な構造を含むように拡張させることができる。その構造の一例を、図７〜図９に示す。ここで、センサ素子４３は、コアワイヤ４２上に装着されており、センサ・ガイドワイヤアセンブリ４１の一部分をなしている。図３、図４および図５、図６にそれぞれ示される実施形態と同様に、センサ素子４３は、装着ベース４４と感圧端部４５とを備えており、感圧端部上には、薄膜４６の形態をした感圧デバイスが設けられている。感圧端部４５の下側にはクリアランス４７が形成されている。この実施形態において、センサ素子４３には、２つの追加的な部材の形態をした保護構造体（または側壁）５０が更に設けられている。これらの２つの追加的な部材はそれぞれ、本質的に平坦な矩形状を成しており、センサ素子４３の各長手方向端部に配列されている。これにより、図８に明確に示されるように、センサ素子４３のＣ−Ｃ矢視横断面がＨ字形状を成し、追加的な部材がＨ字形状の側壁５０を構成する。また、図９は、センサ素子４３の平面図であり、感圧端部４５において、センサ素子４３の各長手方向端部と、隣接する側壁５０との間に、小さな長手方向の隙間が形成されている状態を示す。また、これにより、本発明のこの実施形態においても、センサ素子４３は片持ち梁の形態で装着される。センサ素子４３の追加的な部材すなわち側壁５０は、センサ素子４３の感圧端部４５を超えて延びていることが好ましい。これらの側壁５０の目的は、以下の説明から明らかになる。

図７に明確に示されるように、センサ素子４３はコイル４８の内部に配置されている。すなわち、センサ・ガイドワイヤアセンブリ４１には、特別の保護スリーブまたはジャケットは設けられていない。図１と比較すれば分かるように、ジャケットまたはスリーブの両側で延びる第１のコイル４および第２のコイル５を、中空管２からドーム形状の頭部７へと延びる１つのコイル４８で代用することができ、このことは製造の観点から有益である。図７および図８から特に明らかなように、側壁５０は、ジャケットまたはスリーブが与える機能と本質的に同じ機能を与える保護構造体５０を構成している。すなわち、薄膜４６は、側壁５０によって損傷から保護されるとともに、コイル４８を介して、センサ・ガイドワイヤアセンブリ４１を取り囲む媒体と接触する。ここで、薄膜４６を保護する場合には、追加的な部材の上部、すなわち、コアワイヤ４２から離れて延びる部分が、追加的な部材の下部よりも重要となる。このため、Ｈ形状のセンサ素子４３の下部を除去し、その代わり、センサ素子４３の断面を略Ｕ字形状の横断面にしても良い。また、Ｏ形状をした横断面等の更に精巧な保護構造体５０も考えられる。センサ素子４３は、一つまたは複数の導線４９を介して、電子ユニット（図示せず）に接続される。

また、図示しないが、前述したセンサ素子４３は、ホイートストンブリッジで接続されたピエゾ抵抗素子を備えていても良い。この場合、ブリッジの一方の部分が薄膜４６に接続され、ブリッジの他方の部分が薄膜４６の外側のセンサ素子表面に接続される。このような構成では、センサ素子を取り囲む媒体の特定の圧力が、薄膜４６の特定の変形に対応するとともに、そして今度は、ホイートストンブリッジの特定の抵抗に対応するという点で、センサ素子は、ピエゾ抵抗圧力変換器として機能する。これにより、圧力変換器からの出力信号は、センサを取り囲む媒体の圧力を反映する。

前述したように、本発明に係るセンサ素子は、基本的に、装着ベースと感圧部とを備え、感圧部上に薄膜等の感圧デバイスが設けられている。図３、図４および図５、図６にそれぞれ関連して説明したセンサ素子は、単一材料（例えばシリコン）によって形成されることを黙示的な前提としている。すなわち、装着ベースは、センサ素子の一体部分である。そのようなシリコン素子の構造は、エッチングによって達成することができる。センサ素子を製造する他の方法では、装着ベースは平坦な構造体に取り付けられる。平坦な構造体および装着ベースの両方がシリコンによって形成されている場合には、接着によって接合することが好ましい。以上は、追加的な部材すなわち側壁として例示され、且つ図７〜図９に関連して説明された保護構造体にも適用可能である。すなわち、保護構造体がセンサ素子の一体部分であっても良く、あるいは、保護構造体が平坦で矩形の構造体に接着されても良い。

本発明によれば、新規な構造のセンサ素子が提供される。センサ素子は、センサ・ガイドワイヤアセンブリの一部であるコアワイヤに対して装着されるようになっている。したがって、本発明は、特にベンディングアーチファクトに対する耐性および機械的強度および耐久性に関して向上したセンサ素子特性を有するセンサ・ガイドワイヤアセンブリのための新規で改良された構造に関するものでもある。センサ素子におけるこの新規な構造によれば、コアワイヤの構造を簡略化することができ、ひいては、センサ・ガイドワイヤアセンブリの総製造コストを全体として低減することができる。

添付図面にも示される特定の実施形態に関して本発明を説明してきたが、当業者であれば分かるように、明細書に記載され、且つ添付の請求項に規定された本発明の範囲内で、多くの変形および改良を行なうことができる。本発明に係るセンサ素子が設けられたセンサガイドの改良された特性が、センサガイドの他の部分の構造に依存しないことには、特に留意されたい。したがって、センサ・ガイドワイヤアセンブリは、特定の形状を有するセンサ素子、コイル、ジャケットまたはスリーブといったような部品を含んでも含まなくても良い。また、センサ素子が装着されるコアワイヤは、センサガイドの略全長に沿って延びていても良く、あるいは、センサガイドの先端部だけに設けられていても良い。更に、コアワイヤには、溝やその他の構造からなる凹部が設けられていても良く、これによって、コアワイヤの表面に対するセンサ素子の取り付けを容易にできる。しかし、そのような構成が設けられる場合であっても、本発明の本質的な特徴は、センサ素子の片持ち梁の装着を行なう装着ベースがセンサ素子に設けられることにより、センサ素子の感圧端部の下側にクリアランスが形成されるという点である。

従来技術におけるセンサ・ガイドワイヤアセンブリの一般的な構造を概略的に示す図である。 図１に示されるセンサ・ガイドワイヤアセンブリにおけるセンサ素子の装着構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態に係るセンサ素子を備える第１のセンサ・ガイドワイヤアセンブリの一部を示す図である。 図３のセンサ・ガイドワイヤアセンブリのＡ−Ａ矢視横断面図である。 本発明に係るセンサ素子を備える第２のセンサ・ガイドワイヤアセンブリの一部を示す図である。 図５のセンサ・ガイドワイヤアセンブリのＢ−Ｂ矢視横断面図である。 本発明の実施の形態に係るセンサ素子を備える第３のセンサ・ガイドワイヤアセンブリの一部を示す図である。 図７のセンサ・ガイドワイヤアセンブリのＣ−Ｃ矢視横断面図である。 図７のセンサ素子の平面図である。

符号の説明

１ センサガイド
２ 中空管
３、２２、３２、４２ コアワイヤ
４ 第１のコイル
５ 第２のコイル
６、２８、３８ ジャケットまたはスリーブ
７ ドーム形状の頭部
８、２３、３３、４３ センサ素子（またはセンサチップ）
９、２９、３９、４９ 一つまたは複数の導線
１０、２６、３６、４６ 薄膜
１１ 開口部
１２ 凹部
１３ 装着棚
１４ 第２の部分
２１、３１、４１ センサ・ガイドワイヤアセンブリ
２４、３４、４４ 装着ベース
２５、３５、４５ 感圧端部
２７、３７、４７ クリアランス
４８ コイル
５０ 保護構造体（または側壁）

Claims (21)

1. 生体内における少なくとも１つの生理的変化を血管内で測定するセンサ・ガイドワイヤアセンブリのためのセンサ素子であって、前記センサ素子は、その長軸に沿って本質的に細長く、コアワイヤ上に装着されるとともに、感圧デバイスが設けられた第１の端部を有し、前記センサ素子が前記コアワイヤ上に装着されている状態において、前記センサ素子の前記長軸が前記コアワイヤの主軸に対して略平行である前記センサ素子において、
   前記センサ素子の第２の端部において、前記センサ素子の長軸に対して略直交する方向に延びる装着ベースを備え、
   前記装着ベースが前記コアワイヤに装着されることにより、前記第１の端部と前記コアワイヤとの間にクリアランスが形成されること、
   を特徴とするセンサ素子。
2. 前記装着ベースが前記センサ素子と一体に構成されていること、
   を特徴とする請求項１に記載のセンサ素子。
3. 前記装着ベースが前記センサ素子に対して取り付けられていること、
   を特徴とする請求項１に記載のセンサ素子。
4. 前記装着ベースの下面の形状が前記コアワイヤの形状に略適合していること、
   を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のセンサ素子。
5. 前記センサ素子が保護構造体を更に備えること、
   を特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のセンサ素子。
6. 前記保護構造体は、前記センサ素子の横断面をＨ形状またはＵ形状とする２つの追加部材として構成されること、
   を特徴とする請求項５に記載のセンサ素子。
7. 前記保護構造体が前記センサ素子と一体に構成されていること、
   を特徴とする請求項５に記載のセンサ素子。
8. 前記保護構造体が前記センサ素子に対して取り付けられていること、
   を特徴とする請求項５に記載のセンサ素子。
9. 前記センサ素子がピエゾ抵抗圧力変換器であること、
   を特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のセンサ素子。
10. 生体内における少なくとも１つの生理的変化を血管内で測定するセンサ・ガイドワイヤアセンブリであって、コアワイヤとセンサ素子とを備え、前記センサ素子は、その長軸に沿って本質的に細長く、前記コアワイヤ上に装着されるとともに、感圧デバイスが設けられた第１の端部を有し、前記センサ素子の前記長軸がコアワイヤの主軸に対して略平行である前記センサ・ガイドワイヤアセンブリにおいて、
    前記センサ素子 は、当該センサ素子の第２の端部において、当該センサ素子の長軸に対して略直交する方向に延びる装着ベースを備え、
    前記装着ベースが前記コアワイヤに装着されることにより、前記第１の端部と前記コアワイヤとの間にクリアランスが形成されること、
    を特徴とするセンサ・ガイドワイヤアセンブリ。
11. 前記装着ベースが前記センサ素子と一体に構成されていること、
    を特徴とする請求項１０に記載のセンサ・ガイドワイヤアセンブリ。
12. 前記装着ベースが前記センサ素子に対して取り付けられていること、
    を特徴とする請求項１０に記載のセンサ・ガイドワイヤアセンブリ。
13. 前記装着ベースの下面の形状が前記コアワイヤの形状に略適合していること、
    を特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか一項に記載のセンサ・ガイドワイヤアセンブリ。
14. 前記センサ素子が保護構造体を更に備えること、
    を特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれか一項に記載のセンサ・ガイドワイヤアセンブリ。
15. 前記保護構造体は、前記センサ素子の横断面をＨ形状またはＵ形状とする２つの追加部材として構成されること、
    を特徴とする請求項１４に記載のセンサ・ガイドワイヤアセンブリ。
16. 前記保護構造体が前記センサ素子と一体に構成されていること、
    を特徴とする請求項１４に記載のセンサ・ガイドワイヤアセンブリ。
17. 前記保護構造体がセンサ素子に対して取り付けられていること、
    を特徴とする請求項１４に記載のセンサ・ガイドワイヤアセンブリ。
18. 前記センサ素子がピエゾ抵抗圧力変換器であること、
    を特徴とする請求項１０から請求項１７のいずれか一項に記載のセンサ・ガイドワイヤアセンブリ。
19. 前記請求項１から前記請求項９のいずれか一項に記載の前記センサ素子を製造する方法であって、
    前記センサ素子は、エッチングまたは接着によって前記装着ベースに設けられること、
    を特徴とするセンサ素子の製造方法。
20. 前記センサ素子には、エッチングまたは接着によって前記保護構造体が設けられること、
    を特徴とする請求項１９に記載のセンサ素子の製造方法。
21. 前記保護構造体は、前記センサ素子の横断面をＨ形状またはＵ形状とする２つの追加部材として構成され、前記追加部材がエッチングまたは接着によって設けられること、
    を特徴とする請求項２０に記載のセンサ素子の製造方法。

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