JP4365566B2 - 光強度シミュレーション方法及びフォトマスクの設計方法 - Google Patents
光強度シミュレーション方法及びフォトマスクの設計方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4365566B2 JP4365566B2 JP2002224038A JP2002224038A JP4365566B2 JP 4365566 B2 JP4365566 B2 JP 4365566B2 JP 2002224038 A JP2002224038 A JP 2002224038A JP 2002224038 A JP2002224038 A JP 2002224038A JP 4365566 B2 JP4365566 B2 JP 4365566B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light intensity
- photomask
- influence
- local flare
- calculation point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70941—Stray fields and charges, e.g. stray light, scattered light, flare, transmission loss
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置等の製造に際して行われるフォトリソグラフィに使用されるフォトマスクに対する光強度シミュレーション方法、光強度シミュレーションプログラム、記録媒体及びフォトマスクの設計方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置等の製造に際して、フォトマスクに形成された種々のパターンが、基板上に形成された感光性レジストにフォトリソグラフィにより転写されている。この転写の後、感光性レジストの現像が行われ、感光性レジストのパターンをマスクとして配線層等の加工が行われている。このようなフォトリソグラフィでは、屈折光学系又は反射屈折光学系の投影露光装置が使用されている。
【0003】
また、このようなリソグラフィに対して光強度シミュレーションを行うことにより、転写時の光学的な特性を予め把握しておく方法も行われている。図17は、フォトマスクのパターンの一例の一部を示す模式図であり、図18は、図17に示すフォトマスクに対する従来の光強度シミュレーション方法を示す模式図である。
【0004】
従来の光強度シミュレーション方法では、露光波長が0.193μmであり、図17に示すように、フォトマスクのある一部に、4つの開口パターン1乃至4が存在する場合、図18に示すように、1辺の長さが2乃至10μm程度の矩形の範囲を計算の単位としている。図19は、従来のシミュレーション方法により得られた図17中のI−I線に沿った光強度を示すグラフである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
近時、露光波長の短波長化に伴い、ローカルフレアとよばれる現象が問題視されている。このローカルフレアは、露光機の収差を原因として発生する。しかしながら、従来、ローカルフレアによる影響を考慮した光強度シミュレーション方法は確立されていない。このため、高い精度の光強度シミュレーションを行うことができないという問題点がある。また、これに起因して、所望のパターンを感光性レジスト等の感光体に転写するためのフォトマスクの設計が困難となっている。
【0006】
半導体素子における諸々のパターンを形成する際には、上述のように、屈折光学系又は反射屈折光学系の投影露光装置を用いているが、照明光学系のレンズ、マスク、投影レンズ等の表面や内部の反射、散乱、レンズ材料の屈折率の不均一等により、設計とは異なる光学経路の光が発生する。つまり、20mm2程度の1ショットの全面にわたって一様に迷光が発生する。これは、フレアと呼ばれている現象である。
【0007】
また、最近では、半導体装置に対する微細化・高集積化の要請が益々高まっており、これに伴い投影露光装置で採用する露光光の短波長化が進行している。具体的には、193nmの波長の露光光が採用されているが、このような短波長に対応するレンズ材料の特殊性から、あるパターン周辺の開口面積に応じて光のかぶり方が相違し、露光パターンに依存した局所的なフレアの発生が問題視されつつある。このようなフレアがローカルフレアと呼ばれており、転写するパターンの形状やライン幅に不測の変化を生ぜしめる主原因となる。
【0008】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、ローカルフレアを考慮して高い精度を確保することができる光強度シミュレーション方法及びフォトマスクの設計方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本願発明者は、鋭意検討の結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【0011】
本発明に係る第1の光強度シミュレーション方法では、先ず、前記フォトマスク上の各光強度計算点について、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因に含めずに光強度の計算を行う。次に、前記フォトマスク上に存在する各図形の重心の位置、面積及び透過率を求める。次いで、前記フォトマスク上の各光強度計算点について、前記各光強度計算点と前記各重心との距離並びに前記各図形の面積及び透過度に基づいて、ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う。そして、前記ローカルフレアによる影響が要因に含められていない光強度と前記ローカルフレアの影響のみによる光強度との加算を行う。
【0012】
また、本発明に係る第2の光強度シミュレーション方法では、先ず、前記フォトマスク上の各光強度計算点について、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因に含めずに光強度の計算を行う。次に、前記フォトマスク上の光強度計算点をその中心とする測定範囲を定める。次いで、前記各光強度計算点について、前記測定範囲内を占める前記フォトマスク上に存在する図形の占有率を求める。その後、前記各光強度計算点について、前記図形の占有率に基づいて、ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う。そして、前記ローカルフレアによる影響が要因に含められていない光強度と前記ローカルフレアの影響のみによる光強度との加算を行う。
【0013】
本発明においては、ローカルフレアの影響を適切に捕らえてシミュレーションを行うことが可能である。従って、高い精度を確保することができる。また、このようなシミュレーションの結果に基づいてフォトマスクの修正を行えば、望ましいフォトマスクを設計することが可能である。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る光強度シミュレーション方法、光強度シミュレーションプログラム、記録媒体及びフォトマスクの設計方法について添付の図面を参照して説明する。
【0015】
(第1の実施形態)
先ず、本発明の第1の実施形態に係る光強度シミュレーション方法について説明する。図1は、図17に示すフォトマスクに対する本発明の第1の実施形態に係る光強度シミュレーション方法を示す模式図である。
【0016】
本実施形態においては、ローカルフレアによる影響を考慮するために、露光波長が0.193μmである場合、図1に示すように、1辺の長さが50乃至100μm程度の矩形の範囲を計算の単位としている。これは、マスク内のあるパターンによるローカルフレアが影響する範囲は、そのパターンから50μm程度の範囲内だからである。従来の方法では、上述のように、1辺の長さが2乃至10μm程度の矩形の範囲を計算の単位としているため、ローカルフレアの影響を十分に拾うことができない。
【0017】
また、本実施形態においては、投影レンズの収差を50乃至60次の関数で近似する。図2は、投影レンズの瞳面上の収差の例を示すグラフである。従来の方法でも収差の近似を行ってはいるが、その関数の次数は2又は3次である。
【0018】
図3は、第1の実施形態に係る光強度シミュレーション方法により得られた図17中のI−I線に沿った光強度を示すグラフである。図19と比較すると、全体的に光強度が高くなっている。この増加分がローカルフレアの影響によるものである。
【0019】
このような第1の実施形態によれば、より高い精度を確保することができる。
【0020】
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態に係る光強度シミュレーション方法について説明する。第2の実施形態では、ローカルフレアの影響をレンズの収差に基づいて見積もるのではなく、フォトマスクの形態に基づいて見積もる。図4は、本発明の第2の実施形態に係る光強度シミュレーション方法の原理を示す模式図である。
【0021】
図4に示すフォトマスクには、開口パターンP1及びP2のみが形成されているものとする。また、開口パターンP1の面積及び透過率は、夫々S1、T1であり、開口パターンP2の面積及び透過率は、夫々S2、T2であるとする。そして、本実施形態においては、図4に示すように、開口パターンP1の重心G1との距離R1、開口パターンP2の重心G2との距離R2、面積S1及びS2、並びに透過率T1及びT2に基づいて、フォトマスク上の光強度計算点Bにおける光強度を近似的に求める。このとき、ローカルフレアの影響による光強度F2は、例えば下記数式1で表される。
【0022】
【数1】
【0023】
数式1中の係数α及びβは、フィッティング係数である。また、関数f1(Rn、Sn、Tn)は、例えばエラーファンクション(影響はガウス分布)である。
【0024】
そして、フォトマスク上の各光強度計算点について、ローカルフレアの影響による光強度F2を求める。その後、この結果を従来のローカルフレアの影響を考慮していないシミュレーションにより得られた光強度Iの分布に足し合わせる。なお、ローカルフレアの影響による光強度F2の分布、及びローカルフレアの影響を考慮していないシミュレーションにより得られた光強度Iの分布は、いずれを先に求めてもよい。
【0025】
このような第2の実施形態によれば、高い精度の光強度のシミュレーションを容易に行うことができる。
【0026】
次に、実際に第2の実施形態に係る方法により光強度シミュレーションを行った結果について説明する。ここでは、図5に示すフォトマスクを使用した露光における光強度シミュレーションを行った。なお、図5では、塗りつぶされた領域が遮光領域を示し、それ以外の領域が透過領域を示す。
【0027】
この光強度シミュレーションでは、先ず、従来の方法によりローカルフレアを考慮せずに光強度Iのシミュレーションを行った。図5中のII−II線に沿った光強度Iの分布を図6(a)に示す。
【0028】
次に、光強度の測定点と各開口パターンとの距離、各開口パターンの面積及び透過率に基づいて、数式1から光強度F2の分布を求めた。図5中のII−II線に沿った光強度F2の分布を図6(b)に示す。
【0029】
そして、光強度Iの分布と光強度F2の分布とを足し合わせることにより、ローカルフレアの影響を考慮した光強度の分布を得た。図5中のII−II線に沿った光強度I+F2の分布を図7に示す。
【0030】
なお、ローカルフレアの影響による光強度F2を表す式は、数式1に限定されるものではない。例えば下記数式2に示すように、複数の関数の和として表してもよい。
【0031】
【数2】
【0032】
また、関数f1及びf2はエラーファンクションに限定されるものではなく、他の関数であってもよい。
【0033】
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態に係る光強度シミュレーション方法について説明する。第3の実施形態においても、ローカルフレアの影響をレンズの収差に基づいて見積もるのではなく、フォトマスクの形態に基づいて見積もる。但し、第2の実施形態とは、その見積もり方法が相違する。図8は、本発明の第3の実施形態に係る光強度シミュレーション方法の原理を示す模式図である。
【0034】
図8に示すフォトマスクには、開口パターンQ1乃至Q3のみが形成されているものとする。そして、本実施形態においては、フォトマスク上の光強度計算点Cに対して下記数式3で表される図形占有率ρCを定義する。
【0035】
【数3】
【0036】
ここで、Tnは、開口パターンQnの、光強度計算点Cを中心とし、フォトマスク上のx方向の長さがWxであり、フォトマスク上のy方向の長さがWyである矩形の領域5内に存在する部分(図8中でハッチングを施した部分)の面積である。但し、x方向及びy方向は、互いに直交していれば、任意である。そして、この図形占有率に基づいて、フォトマスク上の光強度計算点Cにおける光強度を近似的に求める。このとき、ローカルフレアの影響による光強度F3は、下記数式4で表される。
【0037】
【数4】
【0038】
関数f(ρC)は、ある1種の関数に限定されるものではなく、例えば1次式としてもよい。この場合、光強度F3は、下記数式5で表される。
【0039】
【数5】
【0040】
数式5中の係数α及びβは、フィッティング係数である。
【0041】
そして、フォトマスク上の各光強度計算点について、ローカルフレアの影響による光強度F3を求める。その後、第2の実施形態と同様に、この結果を従来のローカルフレアの影響を考慮していないシミュレーションにより得られた光強度Iの分布に足し合わせる。なお、ローカルフレアの影響による光強度F3の分布、及びローカルフレアの影響を考慮していないシミュレーションにより得られた光強度Iの分布は、いずれを先に求めてもよい。
【0042】
このような第3の実施形態によっても、高い精度の光強度のシミュレーションを容易に行うことができる。
【0043】
次に、実際に第3の実施形態に係る方法により光強度シミュレーションを行った結果について説明する。ここでは、図5に示すフォトマスクを使用した露光における光強度シミュレーションを行った。
【0044】
この光強度シミュレーションでは、先ず、第2の実施形態と同様に、従来の方法によりローカルフレアを考慮せずに光強度Iのシミュレーションを行うことにより、図6(a)に示すグラフを得た。
【0045】
次に、図形占有率に基づいて、数式5から光強度F3の分布を求めた。図5中のII−II線に沿った光強度F3の分布を図9に示す。
【0046】
そして、光強度Iの分布と光強度F3の分布とを足し合わせることにより、ローカルフレアの影響を考慮した光強度の分布を得た。図5中のII−II線に沿った光強度I+F3の分布を図10に示す。
【0047】
なお、ローカルフレアの影響による光強度F3を表す式は、数式5に示す1次関数に限定されるものではない。例えば下記数式6に示すように、2次関数であってもよい。
【0048】
【数6】
【0049】
数式6中の係数α、β及びγは、フィッティング係数である。
【0050】
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態に係るフォトマスクの設計方法について説明する。第4の実施形態では、第1の実施形態に係る方法により得られた光強度シミュレーションの結果に基づいて、フォトマスクのパターンを設計する。図11及び図12は、本発明の第4の実施形態に係るフォトマスクの設計方法を示す模式図である。図13及び図14中のハッチングが施された領域が遮光領域であり、その内側のハッチングが施されていない領域が開口領域である。
【0051】
先ず、回路の設計データ等に基づき、図11に示すように、フォトマスクのパターンを仮決定する。
【0052】
次に、第1の実施形態に係る光強度シミュレーション方法により得られた光強度の分布に基づき、光強度の等高線と仮決定されたフォトマスクのパターンとを照らし合わせる。図11中の2点鎖線で描かれた曲線(円)が各開口領域を透過する光の強度の等高線のうち、ホールパターンを形成するための臨界等高線である。つまり、この曲線(円)の内側で感光性レジスト等の感光体が露光される。
【0053】
次いで、臨界等高線を示す曲線により囲まれた領域が設計値よりも狭くなっている場合には、即ち、フォトマスクの開口されている面積が狭い場合には、その開口領域が広くなるように、その開口領域を補正する。逆に、設計値よりも広くなっている場合には、即ち、フォトマスクの開口されている面積が広い場合には、その開口領域が狭くなるように、その開口領域を補正する。図11において、上からa番目の行、左からb番目の列に位置する矩形の領域をRabと表すと、例えば、領域R11、R12、R13、R21、R22及びR31に対して、その面積が広くなるように補正を行い、領域R24、R33、R34、R42、R43及びR44に対して、その面積が狭くなるように補正を行う。図12に、補正後のフォトマスクのパターンを示す。図12中の2点鎖線は、補正前のパターンを示す。
【0054】
このような補正を行うことにより、各開口領域において、所望の光強度の等高線が得られるようになり、感光体に所定サイズのホールパターン等のパターンが形成される。つまり、光強度シミュレーションの結果に基づいて、仮決定されているフォトマスクの設計データを修正することにより、感光体に所望のパターンを形成することができる。
【0055】
なお、この設計方法は、第2又は第3の実施形態に係る方法により得られた光強度シミュレーションの結果に基づいて実施することも可能である。
【0056】
また、第4の実施形態は、遮光領域に対しても適用することができる。図13及び図14は、第4の実施形態を遮光領域に適用した例を示す模式図である。図13及び図14中のハッチングが施された領域が遮光領域であり、その周囲のハッチングが施されていない領域が開口領域である。
【0057】
例えば、図13のような遮光領域と光強度の臨界等高線との関係が得られた場合には、以下のような補正を行えばよい。臨界等高線を示す曲線により囲まれた領域が設計値よりも狭くなっている場合には、即ち、フォトマスクの遮光されている面積が狭い場合には、その遮光領域が広くなるように、その遮光領域を補正する。逆に、設計値よりも広くなっている場合には、即ち、フォトマスクの遮光されている面積が広い場合には、その遮光領域が狭くなるように、その遮光領域を補正する。図13に示す例では、領域R24、R33、R34、R42、R43及びR44に対して、その面積が広くなるように補正を行い、領域R11、R12、R13、R21、R22及びR31に対して、その面積が狭くなるように補正を行う。図14に、補正後のフォトマスクのパターンを示す。図14中の2点鎖線は、補正前のパターンを示す。
【0058】
(第5の実施形態)
次に、本発明の第5の実施形態に係るフォトマスクの設計方法について説明する。第5の実施形態では、第2の実施形態に係る光強度シミュレーション方法において求めているローカルフレアの影響による光強度F2の分布に基づいて、フォトマスクのパターンを設計する。図15は、本発明の第5の実施形態に係るフォトマスクの設計方法で使用するグラフである。
【0059】
本実施形態においては、予め、図15に示すようなローカルフレアの影響による光強度F2と辺の移動量Eとの関係を求めておく。図15中のF0は補正量(辺の移動量E)が0となる基準の光強度である。また、辺の移動量Eとは、開口領域又は遮光領域の辺を、それと隣り合う遮光領域又は開口領域の側に移動させる量を示す。図15に示すグラフは、例えば下記数式7で表される。
【0060】
【数7】
【0061】
数式7中の係数α及びβは、フィッティング係数である。
【0062】
そして、回路の設計データ等に基づき、図11に示すように、フォトマスクのパターンを決定した後、光強度F2の分布からフォトマスク上の各点におけるローカルフレアの影響による光強度F2を求める。
【0063】
その後、各点における光強度F2に対し、図15に示すグラフから辺の移動量Eを求め、各パターンの補正を行う。このとき、辺の移動量Eを求める対象を開口領域としている場合には、数式7中の係数αの値を正、係数βの値を正とする。つまり、光強度F2が小さいほど、辺の移動量Eの値が大きくなるようにする。一方、辺の移動量Eを求める対象を遮光領域としている場合には、数式7中の係数αの値を正、係数βの値を負とする。つまり、光強度F2が大きいほど、辺の移動量Eの値が大きくなるようにする。図15には、数式7中の係数αの値が正、係数βの値が負の場合のグラフを示している。
【0064】
このような補正を行うことにより、辺の移動量Eを求める対象を開口領域又は遮光領域のいずれとしている場合であっても、図12に示すものと同様のマスクパターンが得られる。
【0065】
同様に、図13に示すようなパターンを仮決定した場合には、図14に示すものと同様のマスクパターンが得られる。
【0066】
(第6の実施形態)
次に、本発明の第6の実施形態に係るフォトマスクの設計方法について説明する。第6の実施形態では、第3の実施形態に係る光強度シミュレーション方法において求めている図形占有率の分布に基づいて、フォトマスクのパターンを設計する。図16は、本発明の第6の実施形態に係るフォトマスクの設計方法で使用するグラフである。
【0067】
本実施形態においては、予め、図16に示すような図形占有率ρと辺の移動量Eとの関係を求めておく。図16中のρ0は補正量(辺の移動量E)が0となる基準の図形占有率である。また、辺の移動量Eとは、図形占有率を求める対象の領域(開口領域又は遮光領域)の辺を、それと隣り合う領域(遮光領域又は開口領域)の側に移動させる量を示す。従って、辺の移動量Eが正の場合、図形占有率を求める対象の領域が拡大することになる。図16に示すグラフは、例えば下記数式8で表される。
【0068】
【数8】
【0069】
数式8中の係数α及びβは、フィッティング係数である。
【0070】
そして、回路の設計データ等に基づき、図11に示すように、フォトマスクのパターンを仮決定した後、図形占有率ρの分布からフォトマスク上の各点における図形占有率ρを求める。
【0071】
その後、各点における図形占有率ρに対し、図16に示すグラフから辺の移動量Eを求め、仮決定されたパターンの補正を行う。このとき、図11に示すパターンにおいて、図形占有率を求める対象を開口領域としている場合には、数式8中の係数αの値を正、係数βの値を正とする。つまり、図形占有率ρが小さいほど、辺の移動量Eの値が大きくなるようにする。一方、図形占有率を求める対象を遮光領域としている場合には、数式8中の係数αの値を正、係数βの値を負とする。つまり、図形占有率ρが大きいほど、辺の移動量Eの値が大きくなるようにする。図16には、数式8中の係数αの値が正、係数βの値が負の場合のグラフを示している。
【0072】
このような補正を行うことにより、図形占有率を求める対象を開口領域又は遮光領域のいずれとしている場合であっても、図12に示すものと同様のマスクパターンが得られる。
【0073】
同様に、図13に示すようなパターンを仮決定した場合には、図14に示すものと同様のマスクパターンが得られる。
【0074】
本発明の実施形態は、コンピュータがプログラムを実行することによって実現することができる。また、プログラムをコンピュータに供給するための手段、例えばかかるプログラムを記録したCD−ROM等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体又はかかるプログラムを伝送するインターネット等の伝送媒体も本発明の実施形態として適用することができる。また、上記のプログラムも本発明の実施形態として適用することができる。上記のプログラム、記録媒体、伝送媒体及びプログラムプロダクトは、本発明の範疇に含まれる。
【0075】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0076】
(付記1) フォトマスクを透過する光の強度をシミュレーションにより算出する方法において、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、一辺の長さが50μm乃至100μmの矩形の範囲を計算単位として、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因の一つに含めて光強度の計算を行うことを特徴とする光強度シミュレーション方法。
【0077】
(付記2) フォトマスクを透過する光の強度をシミュレーションにより算出する方法において、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因に含めずに光強度の計算を行う工程と、
前記フォトマスク上に存在する各図形の重心の位置、面積及び透過率を求める工程と、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、前記各光強度計算点と前記各重心との距離並びに前記各図形の面積及び透過度に基づいて、ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程と、
前記ローカルフレアによる影響が要因に含められていない光強度と前記ローカルフレアの影響のみによる光強度との加算を行う工程と、
を有することを特徴とする光強度シミュレーション方法。
【0078】
(付記3) 前記ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程において、前記ローカルフレアによる影響をガウス分布で表すことを特徴とする付記2に記載の光強度シミュレーション方法。
【0079】
(付記4) フォトマスクを透過する光の強度をシミュレーションにより算出する方法において、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因に含めずに光強度の計算を行う工程と、
前記フォトマスク上の光強度計算点をその中心とする測定範囲を定める工程と、
前記各光強度計算点について、前記測定範囲内を占める前記フォトマスク上に存在する図形の占有率を求める工程と、
前記各光強度計算点について、前記図形の占有率に基づいて、ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程と、
前記ローカルフレアによる影響が要因に含められていない光強度と前記ローカルフレアの影響のみによる光強度との加算を行う工程と、
を有することを特徴とする光強度シミュレーション方法。
【0080】
(付記5) 前記ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程において、前記ローカルフレアによる影響を前記図形の占有率の1次式又は2次式として表す工程を有することを特徴とする付記4に記載の光強度シミュレーション方法。
【0081】
(付記6) 前記図形の占有率を求める工程において、前記測定範囲を矩形の領域とすることを特徴とする付記4又は5に記載の光強度シミュレーション方法。
【0082】
(付記7) コンピュータに、フォトマスクを透過する光の強度をシミュレーションにより算出させるプログラムにおいて、
前記コンピュータに、前記フォトマスク上の各光強度計算点について、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因の一つに含めて光強度の計算を行う処理を実行させることを特徴とする光強度シミュレーションプログラム。
【0083】
(付記8) コンピュータに、フォトマスクを透過する光の強度をシミュレーションにより算出させるプログラムにおいて、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因に含めずに光強度の計算を行う処理と、
前記フォトマスク上に存在する各図形の重心の位置、面積及び透過率を求める処理と、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、前記各光強度計算点と前記各重心との距離並びに前記各図形の面積及び透過度に基づいて、ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う処理と、
前記ローカルフレアによる影響が要因に含められていない光強度と前記ローカルフレアの影響のみによる光強度との加算を行う処理と、
を前記コンピュータに実行させることを特徴とする光強度シミュレーションプログラム。
【0084】
(付記9) コンピュータに、フォトマスクを透過する光の強度をシミュレーションにより算出させるプログラムにおいて、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因に含めずに光強度の計算を行う処理と、
前記フォトマスク上の光強度計算点をその中心とする測定範囲を定める処理と、
前記各光強度計算点について、前記測定範囲内を占める前記フォトマスク上に存在する図形の占有率を求める処理と、
前記各光強度計算点について、前記図形の占有率に基づいて、ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う処理と、
前記ローカルフレアによる影響が要因に含められていない光強度と前記ローカルフレアの影響のみによる光強度との加算を行う処理と、
を前記コンピュータに実行させることを特徴とする光強度シミュレーションプログラム。
【0085】
(付記10) 付記7乃至9のいずれか1項に記載の光強度シミュレーションプログラムを記録したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【0086】
(付記11) 半導体装置の製造に使用されるフォトマスクの設計を行う方法において、
前記半導体装置の回路構成に基づきフォトマスクのパターンを仮決定する工程と、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、一辺の長さが50μm乃至100μmの矩形の範囲を計算単位として、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因の一つに含めて光強度の計算を行う工程と、
前記光強度の計算の結果に基づいて、前記仮決定されたパターンを修正する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの設計方法。
【0087】
(付記12) 半導体装置の製造に使用されるフォトマスクの設計を行う方法において、
前記半導体装置の回路構成に基づきフォトマスクのパターンを仮決定する工程と、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因に含めずに光強度の計算を行う工程と、
前記フォトマスク上に存在する各図形の重心の位置、面積及び透過率を求める工程と、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、前記各光強度計算点と前記各重心との距離並びに前記各図形の面積及び透過度に基づいて、ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程と、
前記ローカルフレアによる影響が要因に含められていない光強度と前記ローカルフレアの影響のみによる光強度との加算を行う工程と、
前記加算の結果に基づいて、前記仮決定されたパターンを修正する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの設計方法。
【0088】
(付記13) 半導体装置の製造に使用されるフォトマスクの設計を行う方法において、
前記半導体装置の回路構成に基づきフォトマスクのパターンを仮決定する工程と、
前記フォトマスク上に存在する各図形の重心の位置、面積及び透過率を求める工程と、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、前記各光強度計算点と前記各重心との距離並びに前記各図形の面積及び透過度に基づいて、ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程と、
予め求めておいたローカルフレアの影響のみによる光強度とパターンの補正量との関係に基づいて、前記仮決定されたパターンを修正する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの設計方法。
【0089】
(付記14) 前記ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程において、前記ローカルフレアによる影響をガウス分布で表すことを特徴とする付記12又は13に記載のフォトマスクの設計方法。
【0090】
(付記15) 半導体装置の製造に使用されるフォトマスクの設計を行う方法において、
前記半導体装置の回路構成に基づきフォトマスクのパターンを仮決定する工程と、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因に含めずに光強度の計算を行う工程と、
前記フォトマスク上の光強度計算点をその中心とする測定範囲を定める工程と、
前記各光強度計算点について、前記測定範囲内を占める前記フォトマスク上に存在する図形の占有率を求める工程と、
前記各光強度計算点について、前記図形の占有率に基づいて、ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程と、
前記ローカルフレアによる影響が要因に含められていない光強度と前記ローカルフレアの影響のみによる光強度との加算を行う工程と、
前記加算の結果に基づいて、前記仮決定されたパターンを修正する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの設計方法。
【0091】
(付記16) 半導体装置の製造に使用されるフォトマスクの設計を行う方法において、
前記半導体装置の回路構成に基づきフォトマスクのパターンを仮決定する工程と、
前記フォトマスク上の光強度計算点をその中心とする測定範囲を定める工程と、
前記各光強度計算点について、前記測定範囲内を占める前記フォトマスク上に存在する図形の占有率を求める工程と、
予め求めておいた図形の占有率とパターンの補正量との関係に基づいて、前記仮決定されたパターンを修正する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの設計方法。
【0092】
(付記17) 前記ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程において、前記ローカルフレアによる影響を前記図形の占有率の1次式又は2次式として表す工程を有することを特徴とする付記15又は16に記載のフォトマスクの設計方法。
【0093】
(付記18) 前記図形の占有率を求める工程において、前記測定範囲を矩形の領域とすることを特徴とする付記15乃至17のいずれか1項に記載のフォトマスクの設計方法。
【0094】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、ローカルフレアの影響を適切に捕らえてシミュレーションを行うことができるので、高い精度を確保することができる。また、光強度シミュレーションの結果に基づいてフォトマスクの修正を行うことにより、設計された半導体装置の回路構成をより忠実に得ることが可能なフォトマスクを設計することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図17に示すフォトマスクに対する本発明の第1の実施形態に係る光強度シミュレーション方法を示す模式図である。
【図2】投影レンズの瞳面上の収差の例を示すグラフである。
【図3】本発明の第1の実施形態に係る光強度シミュレーション方法により得られた図17中のI−I線に沿った光強度を示すグラフである。
【図4】本発明の第2の実施形態に係る光強度シミュレーション方法の原理を示す模式図である。
【図5】本発明の第2の実施形態に係る光強度シミュレーション方法の対象とするフォトマスクを示す模式図である。
【図6】(a)及び(b)は、夫々図5中のII−II線に沿った光強度Iの分布、光強度F2の分布を示すグラフである。
【図7】図5中のII−II線に沿った光強度I+F2の分布を示すグラフである。
【図8】本発明の第3の実施形態に係る光強度シミュレーション方法の原理を示す模式図である。
【図9】図5中のII−II線に沿った光強度F3の分布を示すグラフである。
【図10】図5中のII−II線に沿った光強度I+F3の分布を示すグラフである。
【図11】本発明の第4の実施形態に係るフォトマスクの設計方法を示す模式図である。
【図12】同じく、本発明の第4の実施形態に係るフォトマスクの設計方法を示す模式図である。
【図13】本発明の第4の実施形態を遮光パターンに適用した例を示す模式図である。
【図14】同じく、本発明の第4の実施形態を遮光パターンに適用した例を示す模式図である。
【図15】本発明の第5の実施形態に係るフォトマスクの設計方法で使用するグラフである。
【図16】本発明の第6の実施形態に係るフォトマスクの設計方法で使用するグラフである。
【図17】フォトマスクのパターンの一例の一部を示す模式図であり、図18は、図17に示すフォトマスクに対する従来の光強度シミュレーション方法を示す模式図である。
【図18】図17に示すフォトマスクに対する従来の光強度シミュレーション方法を示す模式図である。
【図19】従来のシミュレーション方法により得られた図17中のI−I線に沿った光強度を示すグラフである。
【符号の説明】
1〜4;パターン
Q1、Q2、Q3;開口パターン
R11〜R14、R21〜R24、R31〜R34、R41〜R44;領域
Claims (8)
- フォトマスクを透過する光の強度をシミュレーションにより算出する方法において、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因に含めずに光強度の計算を行う工程と、
前記フォトマスク上に存在する各図形の重心の位置、面積及び透過率を求める工程と、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、前記各光強度計算点と前記各重心との距離並びに前記各図形の面積及び透過度に基づいて、ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程と、
前記ローカルフレアによる影響が要因に含められていない光強度と前記ローカルフレアの影響のみによる光強度との加算を行う工程と、
を有することを特徴とする光強度シミュレーション方法。 - 前記ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程において、前記ローカルフレアによる影響をガウス分布で表すことを特徴とする請求項1に記載の光強度シミュレーション方法。
- フォトマスクを透過する光の強度をシミュレーションにより算出する方法において、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因に含めずに光強度の計算を行う工程と、
前記フォトマスク上の光強度計算点をその中心とする測定範囲を定める工程と、
前記各光強度計算点について、前記測定範囲内を占める前記フォトマスク上に存在する図形の占有率を求める工程と、
前記各光強度計算点について、前記図形の占有率に基づいて、ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程と、
前記ローカルフレアによる影響が要因に含められていない光強度と前記ローカルフレアの影響のみによる光強度との加算を行う工程と、
を有することを特徴とする光強度シミュレーション方法。 - 半導体装置の製造に使用されるフォトマスクの設計を行う方法において、
前記半導体装置の回路構成に基づきフォトマスクのパターンを仮決定する工程と、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因に含めずに光強度の計算を行う工程と、
前記フォトマスク上に存在する各図形の重心の位置、面積及び透過率を求める工程と、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、前記各光強度計算点と前記各重心との距離並びに前記各図形の面積及び透過度に基づいて、ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程と、
前記ローカルフレアによる影響が要因に含められていない光強度と前記ローカルフレアの影響のみによる光強度との加算を行う工程と、
前記加算の結果に基づいて、前記仮決定されたパターンを修正する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの設計方法。 - 半導体装置の製造に使用されるフォトマスクの設計を行う方法において、
前記半導体装置の回路構成に基づきフォトマスクのパターンを仮決定する工程と、
前記フォトマスク上に存在する各図形の重心の位置、面積及び透過率を求める工程と、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、前記各光強度計算点と前記各重心との距離並びに前記各図形の面積及び透過度に基づいて、ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程と、
予め求めておいたローカルフレアの影響のみによる光強度とパターンの補正量との関係に基づいて、前記仮決定されたパターンを修正する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの設計方法。 - 前記ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程において、前記ローカルフレアによる影響をガウス分布で表すことを特徴とする請求項4又は5に記載のフォトマスクの設計方法。
- 半導体装置の製造に使用されるフォトマスクの設計を行う方法において、
前記半導体装置の回路構成に基づきフォトマスクのパターンを仮決定する工程と、
前記フォトマスク上の各光強度計算点について、投影レンズの瞳面上の収差により生ずるローカルフレアによる影響を要因に含めずに光強度の計算を行う工程と、
前記フォトマスク上の光強度計算点をその中心とする測定範囲を定める工程と、
前記各光強度計算点について、前記測定範囲内を占める前記フォトマスク上に存在する図形の占有率を求める工程と、
前記各光強度計算点について、前記図形の占有率に基づいて、ローカルフレアの影響のみによる光強度の計算を行う工程と、
前記ローカルフレアによる影響が要因に含められていない光強度と前記ローカルフレアの影響のみによる光強度との加算を行う工程と、
前記加算の結果に基づいて、前記仮決定されたパターンを修正する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの設計方法。 - 半導体装置の製造に使用されるフォトマスクの設計を行う方法において、
前記半導体装置の回路構成に基づきフォトマスクのパターンを仮決定する工程と、
前記フォトマスク上の光強度計算点をその中心とする測定範囲を定める工程と、
前記各光強度計算点について、前記測定範囲内を占める前記フォトマスク上に存在する図形の占有率を求める工程と、
予め求めておいた図形の占有率とパターンの補正量との関係に基づいて、前記仮決定されたパターンを修正する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの設計方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002224038A JP4365566B2 (ja) | 2002-07-31 | 2002-07-31 | 光強度シミュレーション方法及びフォトマスクの設計方法 |
US10/353,938 US6862726B2 (en) | 2002-07-31 | 2003-01-30 | Light intensity simulation method, program product, and designing method of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002224038A JP4365566B2 (ja) | 2002-07-31 | 2002-07-31 | 光強度シミュレーション方法及びフォトマスクの設計方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004062096A JP2004062096A (ja) | 2004-02-26 |
JP2004062096A5 JP2004062096A5 (ja) | 2005-10-27 |
JP4365566B2 true JP4365566B2 (ja) | 2009-11-18 |
Family
ID=31184993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002224038A Expired - Fee Related JP4365566B2 (ja) | 2002-07-31 | 2002-07-31 | 光強度シミュレーション方法及びフォトマスクの設計方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6862726B2 (ja) |
JP (1) | JP4365566B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7392168B2 (en) * | 2001-03-13 | 2008-06-24 | Yuri Granik | Method of compensating for etch effects in photolithographic processing |
US7234130B2 (en) * | 2004-02-25 | 2007-06-19 | James Word | Long range corrections in integrated circuit layout designs |
US7861207B2 (en) | 2004-02-25 | 2010-12-28 | Mentor Graphics Corporation | Fragmentation point and simulation site adjustment for resolution enhancement techniques |
US7448012B1 (en) | 2004-04-21 | 2008-11-04 | Qi-De Qian | Methods and system for improving integrated circuit layout |
US8799830B2 (en) * | 2004-05-07 | 2014-08-05 | Mentor Graphics Corporation | Integrated circuit layout design methodology with process variation bands |
JP4481723B2 (ja) * | 2004-05-25 | 2010-06-16 | 株式会社東芝 | 評価方法、マスクパターン補正方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
US7177010B2 (en) * | 2004-11-03 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8056022B2 (en) * | 2006-11-09 | 2011-11-08 | Mentor Graphics Corporation | Analysis optimizer |
US7799487B2 (en) * | 2007-02-09 | 2010-09-21 | Ayman Yehia Hamouda | Dual metric OPC |
US7739650B2 (en) * | 2007-02-09 | 2010-06-15 | Juan Andres Torres Robles | Pre-bias optical proximity correction |
JP2009192811A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Toshiba Corp | リソグラフィーシミュレーション方法およびプログラム |
JP2011066079A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | フレア補正方法及び半導体デバイスの製造方法 |
DE102010030758B4 (de) * | 2010-06-30 | 2018-07-19 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Steuerung kritischer Abmessungen in optischen Abbildungsprozessen für die Halbleiterherstellung durch Extraktion von Abbildungsfehlern auf der Grundlage abbildungsanlagenspezifischer Intensitätsmessungen und Simulationen |
CN108733854A (zh) * | 2017-04-18 | 2018-11-02 | 光宝电子(广州)有限公司 | 光学建模方法及其电子装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2768900B2 (ja) * | 1994-05-10 | 1998-06-25 | 富士通株式会社 | 電磁界強度算出装置 |
US5680588A (en) * | 1995-06-06 | 1997-10-21 | International Business Machines Corporation | Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system |
KR100257710B1 (ko) * | 1996-12-27 | 2000-06-01 | 김영환 | 리소그라피 공정의 시물레이션 방법 |
JP3223965B2 (ja) * | 1998-07-10 | 2001-10-29 | 日本電気株式会社 | 化学増幅型レジスト形状の計算方法及び記録媒体 |
US6526564B1 (en) * | 1999-04-15 | 2003-02-25 | Mulith, Inc. | Method and apparatus for reference distribution aerial image formation |
US6606739B2 (en) * | 2000-11-14 | 2003-08-12 | Ball Semiconductor, Inc. | Scaling method for a digital photolithography system |
US6745372B2 (en) * | 2002-04-05 | 2004-06-01 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for facilitating process-compliant layout optimization |
-
2002
- 2002-07-31 JP JP2002224038A patent/JP4365566B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-30 US US10/353,938 patent/US6862726B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6862726B2 (en) | 2005-03-01 |
JP2004062096A (ja) | 2004-02-26 |
US20040025138A1 (en) | 2004-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4365566B2 (ja) | 光強度シミュレーション方法及びフォトマスクの設計方法 | |
US8788983B2 (en) | Method for correcting layout pattern and mask thereof | |
US8762900B2 (en) | Method for proximity correction | |
US7074547B2 (en) | Photomask and method of fabricating semiconductor device by use of same | |
CN111128999B (zh) | 半导体器件及其制造方法和系统 | |
US20160085906A1 (en) | Method and Apparatus for Integrated Circuit Mask Patterning | |
TWI806863B (zh) | 為了目標特徵而用於產生包含子解析度輔助特徵的一光罩的方法 | |
TWI447516B (zh) | A mask, a manufacturing apparatus for a semiconductor device including the same, and a manufacturing method of a semiconductor device using the same | |
JP5355112B2 (ja) | パターンレイアウト作成方法 | |
US7694269B2 (en) | Method for positioning sub-resolution assist features | |
WO2006091881A2 (en) | Merging sub-resolution assist features of a photolithographic mask | |
JP3976597B2 (ja) | マスクおよびその形成方法 | |
TWI293719B (en) | Photolithography scattering bar and method | |
US7519943B2 (en) | Photomask fabrication method | |
JP4099589B2 (ja) | マスクパターン補正方法、露光用マスクおよびマスク製造方法 | |
JP4190227B2 (ja) | フォトマスク、その設計方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
US7251806B2 (en) | Model-based two-dimensional interpretation filtering | |
JP2002328460A (ja) | パターン形成方法、露光用マスクの形成方法及び露光用マスク | |
US9129352B2 (en) | Optical proximity correction modeling method and system | |
US6413685B1 (en) | Method of reducing optical proximity effect | |
US20100255423A1 (en) | Pattern forming method, semiconductor device manufacturing method and phase shift photomask having dummy gate patterns | |
JP2616467B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
JP2005340493A (ja) | マスクパターン補正方法、露光用マスクおよびマスク製造方法 | |
JP2004061720A (ja) | プロセスモデルの作成方法及びその作成装置 | |
JP2005031287A (ja) | 投影露光装置、投影露光装置に使用されるレチクル、投影露光方法及び半導体デバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050704 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050704 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080708 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090728 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090821 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4365566 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130828 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |