JP4354234B2 - Organic EL display device - Google Patents

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JP4354234B2 JP2003318309A JP2003318309A JP4354234B2 JP 4354234 B2 JP4354234 B2 JP 4354234B2 JP 2003318309 A JP2003318309 A JP 2003318309A JP 2003318309 A JP2003318309 A JP 2003318309A JP 4354234 B2 JP4354234 B2 JP 4354234B2
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は有機EL(Electro Luminescence)表示装置に関する。   The present invention relates to an organic EL (Electro Luminescence) display device.

有機EL表示装置は、透明基板の一方の面側にマトリックス状に配置された多数の画素領域を有し、これら各画素領域内の発光部の発光が独立に制御され、その光は前記透明基板を通して観察者側へ至るように構成されている。   The organic EL display device has a large number of pixel regions arranged in a matrix on one surface side of the transparent substrate, and the light emission of the light emitting units in each pixel region is independently controlled, and the light is transmitted to the transparent substrate. Through the viewer.

該発光部は電流が流れることによって発光がなされる有機EL層で形成され、この有機EL層は湿気あるいは酸化によって特性が変化してしまうことから、通常、前記透明基板の有機ELが形成された面は他の基板によって被われ、外気と遮蔽された構成となっている(特許文献1参照)。   The light emitting part is formed of an organic EL layer that emits light when a current flows, and the characteristics of the organic EL layer change due to moisture or oxidation. Therefore, the organic EL of the transparent substrate is usually formed. The surface is covered with another substrate and shielded from the outside air (see Patent Document 1).

特開2002−117970号公報JP 2002-117970 A

このように構成される有機EL表示装置は、その発光部からの光も比較的強く、それが通常の環境の下で使用される場合には、その表示も鮮明であることが知られている。   It is known that the organic EL display device configured as described above has relatively strong light from the light emitting portion, and the display is clear when it is used in a normal environment. .

しかし、太陽光が降り注ぐ強烈な外光の下では、該発光部からの光が負けてしまい、表示が不鮮明になるという不都合があった。   However, under intense external light where sunlight falls, the light from the light emitting part is lost, and there is a disadvantage that the display becomes unclear.

このことは有機EL表示装置の使用が主として屋内に限られていたことを意味し、さらに屋外においても不都合なく使用できることが望まれていた。   This means that the use of the organic EL display device is mainly limited to indoors, and it has been desired that the organic EL display device can be used without inconvenience even outdoors.

本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、強い外光の下であっても、その表示の鮮明度を確保することのできる有機EL表示装置を提供することにある。   The present invention has been made based on such circumstances, and an object of the present invention is to provide an organic EL display device capable of ensuring the clarity of display even under strong external light. It is in.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
(1)
本発明による有機EL表示装置は、たとえば、光を透過する基板の一方の面の画素領域に発光部が形成され、この発光部からの光が前記基板を通して他方面側へ出射されるものであって、
前記基板の他方の面側に前記発光部からの光の通路の少なくとも一部にフォトクロミック材料層が配置されていることを特徴とするものである。
(2)
本発明による有機EL表示装置は、たとえば、(1)の構成を前提とし、前記フォトクロミック材料層は前記発光部に対向して配置されていることを特徴とするものである。
(3)
本発明による有機EL表示装置は、たとえば、(1)の構成を前提とし、前記フォトクロミック材料層は前記画素領域の集合体からなる表示部の全域にわたって配置されていることを特徴とするものである。
(4)
本発明による有機EL表示装置は、たとえば、(1)の構成を前提とし、前記フォトクロミック材料層は前記基板に直接形成されて配置されていることを特徴とするものである。
(5)
本発明による有機EL表示装置は、たとえば、(1)の構成を前提とし、前記フォトクロミック材料層は前記基板との間に透明な他の材料層を介在して配置されていることを特徴とするものである。
(6)
本発明による有機EL表示装置は、たとえば、(1)ないし(5)のうちいずれかの構成を前提とし、前記フォトクロミック材料層は保護層で被われて形成されていることを特徴とするものである。
(7)
本発明による有機EL表示装置は、たとえば、(3)、(4)、(5)のうちいずれかの構成を前提とし、前記フォトクロミック材料層はそれが配置される側の部材に貼付されるシート状部材から構成されていることを特徴とするものである。
Of the inventions disclosed in this application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
(1)
In the organic EL display device according to the present invention, for example, a light emitting portion is formed in a pixel region on one surface of a substrate that transmits light, and light from the light emitting portion is emitted to the other surface side through the substrate. And
A photochromic material layer is disposed on at least a part of a light path from the light emitting portion on the other surface side of the substrate.
(2)
The organic EL display device according to the present invention is, for example, on the premise of the configuration of (1), and the photochromic material layer is disposed to face the light emitting portion.
(3)
The organic EL display device according to the present invention is, for example, on the premise of the configuration of (1), wherein the photochromic material layer is arranged over the entire display portion composed of the aggregate of the pixel regions. .
(4)
The organic EL display device according to the present invention is, for example, on the premise of the configuration of (1), wherein the photochromic material layer is directly formed and disposed on the substrate.
(5)
The organic EL display device according to the present invention is, for example, on the premise of the configuration of (1), and the photochromic material layer is disposed with another transparent material layer interposed between the substrate and the substrate. Is.
(6)
The organic EL display device according to the present invention is, for example, on the premise of any one of the constitutions (1) to (5), wherein the photochromic material layer is covered with a protective layer. is there.
(7)
The organic EL display device according to the present invention is based on, for example, any one of the configurations (3), (4), and (5), and the photochromic material layer is a sheet that is affixed to a member on the side where it is disposed It is characterized by comprising a shaped member.

なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。   In addition, this invention is not limited to the above structure, A various change is possible in the range which does not deviate from the technical idea of this invention.

このように構成した有機EL表示装置は、それに用いられるフォトクロミック材料層が、発光部からの光(光の3原色のうちの何れかの色の光)が入射され、しかも該フォトクロミック材料層に白色光が照射されていることによって、前記色の光がその強度を増して出射されるという性質を利用したものである。   In the organic EL display device configured as described above, the photochromic material layer used in the organic EL display device receives light from the light emitting portion (light of any one of the three primary colors of light), and the photochromic material layer is white. It utilizes the property that when the light is irradiated, the light of the color is emitted with an increased intensity.

すなわち、該フォトクロミック材料層は、たとえばTiO薄膜中にAgNo水溶液を浸し、AgをTiO上に吸着させた後、洗浄・乾燥を行なうことによって、褐色の薄膜が得られる。そして、この薄膜上に紫外光を照射することにより、Agは光触媒還元反応で金属ナノ粒子となる。この金属ナノ粒子は、その粒子径に応じた可視光を吸収することによって酸化され透明になる。この結果、単色の可視光が照射されれば、その波長の色が反射しなくなるため、補色として入射光の色が表示されるからである。 That is, the photochromic material layer is obtained by, for example, immersing an AgNo 3 aqueous solution in a TiO 2 thin film, adsorbing Ag + onto the TiO 2 , and then washing and drying to obtain a brown thin film. Then, by irradiating the thin film with ultraviolet light, Ag + becomes metal nanoparticles by a photocatalytic reduction reaction. The metal nanoparticles become oxidized and transparent by absorbing visible light corresponding to the particle diameter. As a result, when a single color of visible light is irradiated, the color of the wavelength is not reflected, and the color of the incident light is displayed as a complementary color.

このことから、太陽光等の下でも、有機EL表示装置の各画素からの光を認識することができるようになり、その表示の鮮明度を確保することができるようになる。   From this, it becomes possible to recognize light from each pixel of the organic EL display device even under sunlight or the like, and to ensure the clarity of the display.

以下、本発明による有機EL表示装置の実施例について図面を用いて説明をする。   Embodiments of an organic EL display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

図2は本発明による有機EL表示装置の全体の構成の一実施例を示す構成図である。図2(a)は平面図を、図2(b)は図2(a)のa−a線における断面図を示している。   FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the entire configuration of the organic EL display device according to the present invention. 2A is a plan view, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line aa in FIG. 2A.

まず、図2(a)において、たとえばガラス等の透明な基板SUBがあり、この基板SUBは後述する封止部材ECMとで有機EL表示装置の外囲器を構成している。   First, in FIG. 2A, there is a transparent substrate SUB such as glass, for example, and this substrate SUB constitutes an envelope of an organic EL display device with a sealing member ECM described later.

基板SUBはその面が表示部ARとなり、該表示部ARは該基板SUBの僅かな周辺部を除く中央部にて、マトリクス状に配置された多数の画素の集合体から構成されている。   The surface of the substrate SUB is a display portion AR, and the display portion AR is composed of an aggregate of a large number of pixels arranged in a matrix at the central portion except for a slight peripheral portion of the substrate SUB.

該表示部ARを構成する各画素は、該基板SUBの前記封止部材ECMと対向する側の面において、所定パターンに形成された導電層、半導体層、および絶縁層等の積層体からなる電子回路によって形成されている。   Each pixel constituting the display unit AR is an electron composed of a laminate of a conductive layer, a semiconductor layer, an insulating layer, and the like formed in a predetermined pattern on the surface of the substrate SUB facing the sealing member ECM. It is formed by a circuit.

すなわち、該基板SUBの表面に、そのx方向に延在しy方向に並設されるゲート信号線GL、y方向に延在しx方向に並設されるドレイン信号線DLがあり、これら各信号線によって囲まれた矩形状の各領域が画素領域を構成するようになっている。   That is, on the surface of the substrate SUB, there are gate signal lines GL extending in the x direction and juxtaposed in the y direction, and drain signal lines DL extending in the y direction and juxtaposed in the x direction. Each rectangular area surrounded by the signal lines constitutes a pixel area.

各画素領域には、ゲート信号線GLからの走査信号によってオンする薄膜トランジスタTFTと、この薄膜トランジスタTFTを介してドレイン信号線DLからの映像信号が流れる発光素子ELとが備えられている。なお、この発光素子ELは薄膜トランジスタTFTと接続される側を陽極、他方の側を陰極とし、該陰極は他の各画素領域におけるそれと共通に接続され、たとえば接地されるようになっている。   Each pixel region includes a thin film transistor TFT that is turned on by a scanning signal from the gate signal line GL, and a light emitting element EL through which a video signal from the drain signal line DL flows through the thin film transistor TFT. The light emitting element EL has an anode on the side connected to the thin film transistor TFT and a cathode on the other side, and the cathode is connected in common with that in each of the other pixel regions and is grounded, for example.

ここで、各画素領域内の構成は、薄膜トランジスタTFTと発光素子ELとからなる比較的簡単な構成のものについて説明したものであるが、他に、補正回路を追加した構成のものも知られている。以下において、画素の構成のより詳細な説明においては該補正回路を具備したものを一実施例として揚げる。   Here, the configuration in each pixel region has been described with respect to a relatively simple configuration including a thin film transistor TFT and a light emitting element EL. In addition, a configuration in which a correction circuit is added is also known. Yes. In the following, in a more detailed description of the configuration of the pixel, the one provided with the correction circuit will be described as an example.

また、本実施例における有機EL表示装置は、カラー表示用のそれで、前記発光素子ELはたとえば赤色(R)、緑色(G)、および青色(B)をそれぞれ発光するものが用いられている。   The organic EL display device in this embodiment is for color display, and the light emitting element EL that emits red (R), green (G), and blue (B), for example, is used.

前記表示部ARを構成する各画素のうち、y方向に並設される各画素は同色の発光素子ELが用いられ、たとえば(+)x方向に、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)、赤色(R)、緑色(G)、……青色(B)というように配列されている。   Among the pixels constituting the display unit AR, the same color light emitting elements EL are used for the pixels arranged in parallel in the y direction. For example, red (R), green (G), and blue in the (+) x direction. (B), red (R), green (G),... Blue (B).

前記ゲート信号線GLのそれぞれは、少なくともその一端において基板SUBの周辺にまで延在され、この部分において走査信号駆動回路SSDから走査信号が供給されるようになっている。   Each of the gate signal lines GL extends at least at one end thereof to the periphery of the substrate SUB, and a scanning signal is supplied from the scanning signal driving circuit SSD at this portion.

同様に、前記ドレイン信号線DLのそれぞれは、少なくともその一端において基板SUBの周辺にまで延在され、この部分において映像信号駆動回路DSDから映像信号が供給されるようになっている。   Similarly, each of the drain signal lines DL extends at least at one end thereof to the periphery of the substrate SUB, and a video signal is supplied from the video signal driving circuit DSD at this portion.

このように電子回路が形成された基板SUBの面には、少なくとも表示部ARを被うようにして封止部材ECMが該基板SUBに固着されている。各画素領域に形成される発光素子ELの材料は酸素、あるいは湿気等によって特性劣化が生じ易いことから、この封止部材ECMによって外気と遮蔽するとともに、その遮蔽空間内に乾燥剤DSCを配置させている。   On the surface of the substrate SUB on which the electronic circuit is thus formed, the sealing member ECM is fixed to the substrate SUB so as to cover at least the display portion AR. Since the material of the light emitting element EL formed in each pixel region is likely to deteriorate in characteristics due to oxygen or moisture, the sealing member ECM shields it from the outside air, and a desiccant DSC is disposed in the shielding space. ing.

図3(a)は有機EL表示装置の一画素とその近傍の個所を示す平面図である。ここで、該画素は上述したように補正回路を含むもので、前記薄膜トランジスタTFTの他に、3個の薄膜トランジスタを備えて構成されるものである。   FIG. 3A is a plan view showing one pixel of an organic EL display device and a portion in the vicinity thereof. Here, the pixel includes a correction circuit as described above, and includes three thin film transistors in addition to the thin film transistor TFT.

該一画素は、その図中上側において当該画素を選択駆動するゲート信号線GLによって画され、左側において当該画素に映像信号を供給するドレイン信号線DLによって画され、右側において当該画素に電流を供給する電流供給線PLによって画され、下側において当該画素と隣接する他の画素を選択駆動するゲート信号線GLによって画されている。   The one pixel is defined by a gate signal line GL that selectively drives the pixel on the upper side in the drawing, is defined by a drain signal line DL that supplies a video signal to the pixel on the left side, and supplies current to the pixel on the right side. Defined by the current supply line PL, and on the lower side by the gate signal line GL for selectively driving other pixels adjacent to the pixel.

この一画素の領域は図中上側と下側とに区分され、下側の領域には有機EL層からなる発光層が形成され、上側の領域には前記映像信号対応した電流を形成するための回路が形成されている。   This one pixel region is divided into an upper side and a lower side in the figure, a light emitting layer composed of an organic EL layer is formed in the lower region, and a current corresponding to the video signal is formed in the upper region. A circuit is formed.

発光層が形成された前記領域には、基板SUB側からたとえば透光性の導電層からなる一方の電極(図中ITOで示す)、発光層、他方の電極が順次積層されている。前記発光層は前記一方の電極の上層に形成されたバンク層の開口部(図中BMP,OPN)に埋設されて形成され、この部分が実質的に発光部として構成される。また、前記他方の電極は前記バンク層の上面をも被って各画素に共通に形成されている。   In the region where the light emitting layer is formed, one electrode (indicated by ITO in the drawing) made of, for example, a light-transmitting conductive layer, the light emitting layer, and the other electrode are sequentially laminated from the substrate SUB side. The light emitting layer is formed by being embedded in an opening (BMP, OPN in the figure) of the bank layer formed on the upper layer of the one electrode, and this portion is substantially configured as a light emitting portion. The other electrode is also formed in common for each pixel covering the upper surface of the bank layer.

前記一方の電極を陽極、他方の電極を陰極として、その間の発光層に電流が流れることによって、該発光層は電流に応じた強度で発光がなされるようになっている。なお、前記バンク層は当該画素からの発光を隣接する画素内に伝達されるのを回避するため、あるいは、製造の工程において当初流動性をもつ発光層を所定の輪郭を有するように形成するために設けられている。   With the one electrode serving as an anode and the other electrode serving as a cathode, a current flows through the light emitting layer therebetween, whereby the light emitting layer emits light with an intensity corresponding to the current. The bank layer is for avoiding that light emitted from the pixel is transmitted to adjacent pixels, or for forming a light-emitting layer having initial fluidity in a manufacturing process so as to have a predetermined contour. Is provided.

前記回路に形成された前記領域には、スイッチング素子SW1、SW2、SW3、スイッチング素子SW2をオン・オフするコントロール信号線CL1、スイッチング素子SW3をオン・オフするコントロール信号線CL2、ドライブ・トランジスタDT、容量素子C1−CSi、CSi−C2が形成されている。   The region formed in the circuit includes switching elements SW1, SW2, SW3, a control signal line CL1 for turning on / off the switching element SW2, a control signal line CL2 for turning on / off the switching element SW3, a drive transistor DT, Capacitance elements C1-CSi and CSi-C2 are formed.

この回路は、ゲート信号線GLからの走査信号によって、ドレイン信号線DLから映像信号を取り込み、この映像信号の強弱(電圧)に応じて、電流供給線PLからの電流を前記発光層が形成された領域の一方の電極に供給するようになっている。   This circuit captures a video signal from the drain signal line DL by a scanning signal from the gate signal line GL, and the light emitting layer forms the current from the current supply line PL according to the strength (voltage) of this video signal. This is supplied to one electrode in the region.

ここで、前記スイッチング素子SW2、SW3、および容量素子Csi−C2は、ドライブ・トランジスタDTの閾値電圧が各画素毎にばらつきがある場合において、そのばらつき補正をするために設けられている。   Here, the switching elements SW2 and SW3 and the capacitive element Csi-C2 are provided to correct the variation when the threshold voltage of the drive transistor DT varies for each pixel.

図3(b)は前記一画素における等価回路を示し、図3(a)における幾何学的配置にほぼ対応させて描いている。   FIG. 3B shows an equivalent circuit in the one pixel, which is drawn so as to substantially correspond to the geometrical arrangement in FIG.

ゲート信号線GLからの走査信号によって、スイッチング素子SW1がオンし、ドレイン信号線DLからの映像信号が該スイッチング素子SW1を介して容量素子C1−CSiの一方の電極C1に供給される。このとき、該容量素子C1−CSiの他方の電極はフローティング状態となっている。   The switching element SW1 is turned on by the scanning signal from the gate signal line GL, and the video signal from the drain signal line DL is supplied to one electrode C1 of the capacitive element C1-CSi via the switching element SW1. At this time, the other electrode of the capacitive element C1-CSi is in a floating state.

なお、容量素子C1−CSiは、その他方の電極と導電位となるゲート電極を有するドライブ・トランジスタDTのゲート電位を所定の期間に亘り所望の値に維持させる機能を有する。   The capacitive element C1-CSi has a function of maintaining the gate potential of the drive transistor DT having the other electrode and a gate electrode having a conductive potential at a desired value over a predetermined period.

このような状態で、まず、コントロール信号線CL1を通して伝送された制御信号がスイッチング素子SW2をターン・オンさせる。このとき、ドライブ・トランジスタDTはターン・オンされないものの、そのノードCH2側はフローティング状態から有機EL素子LEDを通して基準電位に接続され、その電位は所定の値に上がる。   In such a state, first, the control signal transmitted through the control signal line CL1 turns on the switching element SW2. At this time, although the drive transistor DT is not turned on, the node CH2 side is connected from the floating state to the reference potential through the organic EL element LED, and the potential rises to a predetermined value.

次にコントロール信号線CL2を通して伝送された制御信号が、これに対応するスイッチング素子SW3をターン・オンさせる。これにより、フローティング状態にあった容量素子CSi−C2の一方の電極CSiは、スイッチング素子SW3を通してドライブ・トランジスタDTのノードCH2側と接続され、その電位は上記所定の値に上がる。このとき、ドライブ・トランジスタDTのゲート電位(ノードCH1の電位)はその出力側(ノードCH2)と同じため、ドライブ・トランジスタDTのチャネル層は電荷の流れを遮断する。   Next, the control signal transmitted through the control signal line CL2 turns on the corresponding switching element SW3. Thereby, one electrode CSi of the capacitive element CSi-C2 in the floating state is connected to the node CH2 side of the drive transistor DT through the switching element SW3, and the potential thereof rises to the predetermined value. At this time, since the gate potential of the drive transistor DT (potential of the node CH1) is the same as the output side (node CH2), the channel layer of the drive transistor DT blocks the flow of charge.

電流供給線PLには、ドレイン信号線DLで伝送される映像信号に関係なく所定の電流が流れるため、その電位も概ね一定である。したがって、2つのスイッチング素子SW2、SW3を順次ターン・オンする(それぞれのチャネル層を順次導通状態にする)ことにより、いずれの画素の容量素子CSi−C2にも概ね同じ量の電荷が蓄えられる。   Since a predetermined current flows through the current supply line PL regardless of the video signal transmitted through the drain signal line DL, the potential thereof is substantially constant. Accordingly, when the two switching elements SW2 and SW3 are sequentially turned on (the respective channel layers are sequentially turned on), substantially the same amount of electric charge is stored in the capacitive element CSi-C2 of any pixel.

この状態で、スイッチング素子SW3のチャネル層を閉ざし、次にスイッチング素子SW1がターン・オンされると、容量素子C1−CSiの一方の電極C1に印加される電圧(映像信号)に応じて、容量素子C1−CSiの容量も変り、これに応じてノードCH1の電位(ドライブ・トランジスタDTのゲート電位)とその出力側(ノードCH2側)の電位との間に差が生じる。   In this state, when the channel layer of the switching element SW3 is closed and then the switching element SW1 is turned on, the capacitance is changed according to the voltage (video signal) applied to one electrode C1 of the capacitive element C1-CSi. The capacitance of the element C1-CSi also changes, and accordingly, a difference occurs between the potential of the node CH1 (gate potential of the drive transistor DT) and the output side (node CH2 side).

この電位差により、ドライブ・トランジスタDTをターン・オンし、またターン・オンされたチャネルに流れる電荷量を制御して有機EL素子LEDを所望の輝度で光らせる。   Due to this potential difference, the drive transistor DT is turned on, and the amount of charge flowing through the turned-on channel is controlled to cause the organic EL element LED to emit light with a desired luminance.

図1は、図3(a)に示した画素の発光部における断面を示す図で、たとえばスイッチング素子SW2とともに描いた図である。   FIG. 1 is a diagram showing a cross section of the light emitting portion of the pixel shown in FIG.

基板SUB面の発光部には、該基板SUBの表面からたとえば第1絶縁膜IN1、第2絶縁膜IN2、第3絶縁膜IN3、第4絶縁膜IN4、第5絶縁膜IN5が積層され、この第5絶縁膜IN5の表面に発光素子ELの陽極となる一方の電極(ITOで示す)が形成されている。   For example, a first insulating film IN1, a second insulating film IN2, a third insulating film IN3, a fourth insulating film IN4, and a fifth insulating film IN5 are stacked on the light emitting portion of the substrate SUB from the surface of the substrate SUB. One electrode (indicated by ITO) to be the anode of the light emitting element EL is formed on the surface of the fifth insulating film IN5.

前記発光部は、該一方の電極ITOをも被って形成される樹脂層に該一方の電極の周辺を除く中央部を露出させるようにして開口部OPNを設けたバンク層BMPの該開口部OPNによって外輪郭が決定されるようになっている。   The light emitting part is formed of the opening OPN of the bank layer BMP in which an opening OPN is provided in a resin layer formed by covering the one electrode ITO so as to expose a central part excluding the periphery of the one electrode. The outer contour is determined by.

このバンク層BMPの上層には少なくとも該開口部OPNに有機EL層からなる発光層ELLが形成され、この発光層ELLは、図2に示す各画素のうち当該画素を含んで図中y方向に並設される各画素と共通に形成されている。   A light emitting layer ELL composed of an organic EL layer is formed at least in the opening OPN on the bank layer BMP, and the light emitting layer ELL includes the pixel among the pixels shown in FIG. 2 in the y direction in the figure. It is formed in common with each pixel arranged in parallel.

そして、この発光層ELLをも被って発光素子ELの陰極となる他方の電極CTが形成され、この他方の電極CTは図2に示す各画素の他方の電極と共通に形成されている。   The other electrode CT that covers the light emitting layer ELL and becomes the cathode of the light emitting element EL is formed, and the other electrode CT is formed in common with the other electrode of each pixel shown in FIG.

なお、スイッチング素子SW2の形成領域にあっては、基板SUB1の表面に該基板SUB1からの不純物が後述する半導体層PSに侵入するのを妨げる前記第1絶縁膜IN1が形成され、この第1絶縁膜IN1の表面に該半導体層PSが形成されている。この半導体層PSはたとえばポリシリコンで形成され、前記スイッチング素子SW2を構成する半導体層となっている。   In the formation region of the switching element SW2, the first insulating film IN1 is formed on the surface of the substrate SUB1 to prevent impurities from the substrate SUB1 from entering a semiconductor layer PS described later. The semiconductor layer PS is formed on the surface of the film IN1. This semiconductor layer PS is made of, for example, polysilicon, and is a semiconductor layer constituting the switching element SW2.

この半導体層PSをも被って第2絶縁膜IN2が形成され、この第2絶縁膜IN2はスイッチング素子SW2のゲート絶縁膜として機能するようになっている。   A second insulating film IN2 is formed covering the semiconductor layer PS, and the second insulating film IN2 functions as a gate insulating film of the switching element SW2.

そして、このゲート絶縁膜の上面であって前記半導体層PSを跨るようにしてゲート電極GTが形成されている。このゲート電極GTは図3(b)に示すコントロール信号線CL1の一部として構成されるものである。   A gate electrode GT is formed on the upper surface of the gate insulating film so as to straddle the semiconductor layer PS. The gate electrode GT is configured as a part of the control signal line CL1 shown in FIG.

このゲート電極GTをも被って第3絶縁膜IN3が形成され、この第3絶縁膜IN3の表面にはスイッチング素子SW2のソース領域に接続されるソース電極SDが引き出されるようになっている。スイッチング素子SW2のドレイン領域に接続されるドレイン電極は図示されていないが、このドレイン電極は図3(b)に示すスイッチング素子SW3のソース電極、およびドライブ・トランジスタDTのソース電極に接続されている。   A third insulating film IN3 is formed covering the gate electrode GT, and a source electrode SD connected to the source region of the switching element SW2 is drawn out on the surface of the third insulating film IN3. Although the drain electrode connected to the drain region of the switching element SW2 is not shown, this drain electrode is connected to the source electrode of the switching element SW3 and the source electrode of the drive transistor DT shown in FIG. .

また、スイッチング素子SW2のソース電極SDは、さらに積層されて形成される第4絶縁膜IN4、第5絶縁膜IN5を貫通して形成されコンタクトホールCHを通して前記発光素子ELの陽極となる一方の電極ITOが接続されている。   In addition, the source electrode SD of the switching element SW2 is one electrode that is formed through the fourth insulating film IN4 and the fifth insulating film IN5 that are further stacked and serves as the anode of the light emitting element EL through the contact hole CH. ITO is connected.

さらに、基板SUBの前記発光素子ELが形成された面と反対側の面に、フォトクロミック材料層FCLが形成されている。すなわち、該発光素子ELにおいて発光する光が基板SUBを通して出射される光路内に該フォトクロミック材料層FCLが配置されるようになっている。このフォトクロミック材料層FCLは前記光路内をはみ出るようにして形成されていてもよく、また光路内と光路外の境界を跨るようにして形成されていてもよい。いずれもフォトクロミック材料層FCLには発光素子ELからの光が入射されるからである。   Further, a photochromic material layer FCL is formed on the surface of the substrate SUB opposite to the surface on which the light emitting element EL is formed. That is, the photochromic material layer FCL is disposed in an optical path in which light emitted from the light emitting element EL is emitted through the substrate SUB. The photochromic material layer FCL may be formed so as to protrude inside the optical path, or may be formed so as to straddle the boundary between the optical path and the outside of the optical path. This is because light from the light emitting element EL is incident on the photochromic material layer FCL.

このフォトクロミック材料層FCLは、たとえば、酸化チタン(TiO)を液体状の分散媒に分散させた懸濁液(コロイド溶液)としてガラス基板に塗布して基材層を形成し、これを硝酸銀(AgNO)溶液に浸漬して上記基材層に銀イオン(Ag)を吸着させ、その後、この基材層に紫外線を照射して銀イオンを還元して構成される。 For example, the photochromic material layer FCL is formed on a glass substrate as a suspension (colloidal solution) in which titanium oxide (TiO 2 ) is dispersed in a liquid dispersion medium to form a base material layer. The base layer is immersed in an AgNO 3 ) solution to adsorb silver ions (Ag + ), and then the base layer is irradiated with ultraviolet rays to reduce silver ions.

このように構成された有機EL表示装置は、それに用いられるフォトクロミック材料層FCLに、発光素子ELからの光(光の3原色のうちの何れかの色の光)が入射され、しかも該フォトクロミック材料層FCLに白色光が照射されていることによって、前記色の光がその強度を増して出射されるようになり、強い外光の下であっても、その表示の鮮明度を確保することができるようになる。   In the organic EL display device configured as described above, light from the light emitting element EL (light of any one of the three primary colors of light) is incident on the photochromic material layer FCL used therein, and the photochromic material By irradiating the layer FCL with white light, the light of the above color is emitted with an increased intensity, and the visibility of the display can be ensured even under strong external light. become able to.

図4は、図1の構成をさらに改良したものであり、前記フォトクロミック材料層FCLを被って基板SUBの面に保護膜PCVを形成した構成としている。該保護膜PCVの材料としてはシリコン酸化膜(SiO)等が用いられる。フォトクロミック材料層FCLを外的障害から保護するためである。 FIG. 4 is a further improvement of the configuration of FIG. 1, and has a configuration in which a protective film PCV is formed on the surface of the substrate SUB, covering the photochromic material layer FCL. As the material of the protective film PCV, a silicon oxide film (SiO 2 ) or the like is used. This is to protect the photochromic material layer FCL from external obstacles.

上述した実施例では、フォトクロミック材料層FCLは基板SUB面にて発光部と対向するようにして設けたものである。すなわち、一の画素におけるフォトクロミック材料層FCLは、それに隣接する画素におけるフォトクロミック材料層FCLと分離された状態で設けたものである。しかし、必ずしもこのように構成することはなく、各画素におけるフォトクロミック材料層FCLは物理的に互いに接続された状態で形成されていてもよいことはいうまでない。換言すれば、各画素の集合体からなる表示部ARの全域にわたってフォトクロミック材料層FCLが形成されるようにしてもよいことはもちろんである。   In the embodiment described above, the photochromic material layer FCL is provided so as to face the light emitting portion on the substrate SUB surface. That is, the photochromic material layer FCL in one pixel is provided in a state of being separated from the photochromic material layer FCL in a pixel adjacent thereto. However, this is not necessarily the case, and it goes without saying that the photochromic material layer FCL in each pixel may be formed in a state of being physically connected to each other. In other words, it goes without saying that the photochromic material layer FCL may be formed over the entire area of the display portion AR made up of an aggregate of pixels.

また、上述した実施例では、フォトクロミック材料層FCLを基板SUBの面に直接被着させて形成したものである。しかし、これに限定されることはなく、該基板SUBの面とフォトクロミック材料層FCLとの間に他の異なる材料層が介在されていてもよいことはもちろんである。得られる効果には変りがなく、また、前記他の異なる材料層を何らかの効果をもたらすために形成する必要がある場合もあるからである。   In the above-described embodiment, the photochromic material layer FCL is formed by directly depositing on the surface of the substrate SUB. However, the present invention is not limited to this, and it is needless to say that another different material layer may be interposed between the surface of the substrate SUB and the photochromic material layer FCL. This is because the obtained effect is not changed, and the other different material layers may need to be formed to bring about some effect.

さらに、前記基板SUBとは分離させて配置させる部材がある場合において、該部材の表面あるいは裏面のいずれかあるいは双方にフォトクロミック材料層FCLを形成させ、前記基板SUB側に形成しないようにしてもよいことはいうまでもない。発光部から観察者側への光路上において該フォトクロミック材料層FCLが配置されていれば同様の効果が得られるからである。なお、前記部材としてはたとえばタッチパネル等がある。   Further, in the case where there is a member that is arranged separately from the substrate SUB, the photochromic material layer FCL may be formed on either or both of the front surface and the back surface of the member and may not be formed on the substrate SUB side. Needless to say. This is because the same effect can be obtained if the photochromic material layer FCL is disposed on the optical path from the light emitting portion to the viewer side. Examples of the member include a touch panel.

また、このように、基板SUBに直接フォトクロミック材料層FCLを形成する以外の他の形態の実施においても、該フォトクロミック材料層をFCL被って保護膜PCVを形成してもよいことはもちろんである。   Further, in this embodiment, the protective film PCV may be formed by covering the photochromic material layer with the FCL in the embodiment other than forming the photochromic material layer FCL directly on the substrate SUB.

上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。   Each of the embodiments described above may be used alone or in combination. This is because the effects of the respective embodiments can be achieved independently or synergistically.

本発明による有機EL表示装置の要部の構成の一実施例を示した断面図である。It is sectional drawing which showed one Example of the structure of the principal part of the organic electroluminescence display by this invention. 本発明による有機EL表示装置の全体を示した構成の一実施例を示した平面図および断面図である。It is the top view and sectional drawing which showed one Example of the structure which showed the whole organic EL display device by this invention. 本発明による有機EL表示装置の画素の構成の一実施例を示した平面図および等価回路図である。It is the top view and equivalent circuit diagram which showed one Example of the structure of the pixel of the organic electroluminescence display by this invention. 本発明による有機EL表示装置の要部の構成の他の実施例を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the other Example of the structure of the principal part of the organic electroluminescent display apparatus by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

GL……ゲート信号線、DL……ドレイン信号線、ELL……発光層、ITO……一方の電極(陽極)、CT……他方の電極(陰極)、BMP……バンク層、OPN……開口部、FCL……フォトクロミック材料層、PCV……保護膜 GL: Gate signal line, DL: Drain signal line, ELL: Light emitting layer, ITO: One electrode (anode), CT: The other electrode (cathode), BMP: Bank layer, OPN: Opening Part, FCL ... Photochromic material layer, PCV ... Protective film

Claims (7)

光を透過する基板の一方の面の画素領域に発光部が形成され、この発光部からの光が前記基板を通して他方面側へ出射されるものであって、
前記基板の他方の面側に前記発光部からの光の通路の少なくとも一部にフォトクロミック材料層が配置され、
前記フォトクロミック材料層は、酸化チタンを液体状の分散媒に分散させた懸濁液として前記基板に塗布して基材層を形成した後、該基材層を硝酸銀溶液に浸し前記基材層に銀イオンを吸着させ、その後この基材層に紫外線を照射して形成された金属ナノ粒子の銀粒子を構成してなり、
前記フォトクロミック材料層に前記発光部からの光が入射され、しかも該フォトクロミック材料層に白色光が照射されていることにより表示の鮮明度を確保したことを特徴とする有機EL表示装置。
A light emitting portion is formed in a pixel region on one surface of a substrate that transmits light, and light from the light emitting portion is emitted to the other surface side through the substrate,
A photochromic material layer is disposed on at least a part of a light path from the light emitting unit on the other surface side of the substrate;
The photochromic material layer, after the titanium oxide is applied to the substrate as a suspension dispersed in a liquid dispersion medium to form a base layer, the base material soaked base material layer to the silver nitrate solution It consists of silver particles of metal nanoparticles formed by adsorbing silver ions to the layer and then irradiating this base layer with ultraviolet rays,
2. An organic EL display device characterized in that display clarity is ensured by light from the light emitting portion being incident on the photochromic material layer and white light being irradiated on the photochromic material layer.
前記フォトクロミック材料層は前記発光部に対向して配置されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the photochromic material layer is disposed to face the light emitting portion. 前記フォトクロミック材料層は前記画素領域の集合体からなる表示部の全域にわたって配置されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the photochromic material layer is disposed over the entire display unit including the aggregate of the pixel regions. 前記フォトクロミック材料層は前記基板に直接形成されて配置されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the photochromic material layer is directly formed and disposed on the substrate. 前記フォトクロミック材料層は前記基板との間に透明な他の材料層を介在して配置されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the photochromic material layer is disposed with another transparent material layer interposed between the photochromic material layer and the substrate. 前記フォトクロミック材料層は保護層で被われて形成されていることを特徴とする請求項1ないし5のうちいずれかに記載の有機EL表示装置。   6. The organic EL display device according to claim 1, wherein the photochromic material layer is covered with a protective layer. 前記フォトクロミック材料層はそれが配置される側の部材に貼付されるシート状部材から構成されていることを特徴とする請求項3、4、5のうちいずれか記載の有機EL表示装置。   6. The organic EL display device according to claim 3, wherein the photochromic material layer is composed of a sheet-like member attached to a member on which the photochromic material layer is disposed.
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