JP4350467B2 - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
この発明は、液晶表示装置およびその製造方法に関し、より特定的には、反射電極と透過電極とを備えた半透過型の液晶表示装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, and more specifically to a transflective liquid crystal display device including a reflective electrode and a transmissive electrode and a manufacturing method thereof.
従来、反射電極と透過電極とを備えた半透過型の液晶表示装置が知られている(たとえば、特許文献1および特許文献2参照)。
Conventionally, a transflective liquid crystal display device including a reflective electrode and a transmissive electrode is known (see, for example,
特許文献1の図12では、基板と、基板上に形成されて画素を調節する薄膜トランジスタと、トランジスタのソース領域に2つのコンタクトホールを有して形成される保護膜と、前記2つのコンタクトホールのうちの一方を通じてソース電極と直接に連結される透過電極と、前記2つのコンタクトホールのうちの他方を通じてソース電極と直接に連結される反射電極とを備えた半透過型の液晶表示装置(反射透過複合形薄膜トランジスタ液晶表示装置)が開示されている。
In FIG. 12 of
また、特許文献2の図1では、基板上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上の少なくとも一部に形成された反射電極と、層間絶縁膜および反射電極上に形成された透過電極とを備える半透過型の液晶表示装置が開示されている。
上述した特許文献1に開示された液晶表示装置では、2つのコンタクトホールを形成して、透過電極と反射電極とをそれぞれソース電極に接続しているため、コンタクトホールのための比較的広いスペースを準備する必要がある。つまり、液晶表示装置の表示画素領域において、コンタクトホールを形成するためのスペースについて制約が発生する。また、このようなコンタクトホールが形成された部分は、光を反射するための反射部として用いる場合に光の反射効率が低下するため、液晶表示装置において十分な光量を得られないという問題が発生し得る。なお、コンタクトホールが形成された部分はソース電極が存在するため光の透過部としても利用できない。
In the liquid crystal display device disclosed in
また、特許文献2に開示された液晶表示装置のように、スズ添加酸化インジウム(ITO)膜からなる透過電極で反射電極を覆うようにした場合、透過電極が存在することにより反射電極での光の反射効率が低下する場合があった。
In addition, when the reflective electrode is covered with a transmissive electrode made of a tin-added indium oxide (ITO) film as in the liquid crystal display device disclosed in
また、液晶表示装置を構成するトランジスタに電源電流や信号などを供給するため、基板上に端子電極を形成する場合がある。この端子電極が接続された基板上の配線を介して、トランジスタなどへ電源電流や信号が供給される。ここで、中小型液晶表示パネルに多い、低温ポリシリコントランジスタを用いた、駆動回路を内蔵するようなタイプの液晶表示装置では、電源ラインから相対的に大きな値の電流を、上記端子電極を介して供給する必要がある。このため、端子電極と基板上の配線との間の電気抵抗値(接続コンタクト抵抗値)はより低いことが望まれる。 In addition, a terminal electrode may be formed over the substrate in order to supply a power supply current, a signal, or the like to a transistor included in the liquid crystal display device. A power supply current and a signal are supplied to the transistor and the like through the wiring on the substrate to which the terminal electrode is connected. Here, in a liquid crystal display device with a built-in drive circuit using a low temperature polysilicon transistor, which is common in small and medium-sized liquid crystal display panels, a relatively large current is supplied from the power supply line through the terminal electrode. Need to be supplied. For this reason, it is desired that the electrical resistance value (connection contact resistance value) between the terminal electrode and the wiring on the substrate is lower.
また、近年、狭額縁の液晶表示パネルを実現するべく、直接ガラス基板上に集積回路(IC)を実装する方式も利用されてきている。このような方式においても、上記接続コンタクト抵抗値は低い値とすることが好ましい。 In recent years, a method of mounting an integrated circuit (IC) directly on a glass substrate has been used in order to realize a liquid crystal display panel with a narrow frame. Even in such a system, the connection contact resistance value is preferably a low value.
この発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、この発明の目的は、十分な光量を確保することができる液晶表示装置およびその製造方法を提供することである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of ensuring a sufficient amount of light and a method for manufacturing the same.
また、この発明の他の目的は、接続コンタクト抵抗値を十分低くすることが可能な液晶表示装置およびその製造方法を提供することである。 Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of sufficiently reducing the connection contact resistance and a method for manufacturing the same.
液晶表示装置は、基板と、下地導電体膜と、反射電極と、透過電極とを備える。下地導電体膜は基板上に形成されている。反射電極は、下地導電体膜上に、下地導電体膜の一部以外の部分を覆うことにより、下地導電体膜と電気的に接続するように形成されている。透過電極は、基板上において反射電極が形成された領域以外の領域に位置する部分と、下地導電体膜において反射電極により覆われていない一部の上に形成されることにより、下地導電体膜と電気的に接続する部分を含む。 The liquid crystal display device includes a substrate, a base conductor film, a reflective electrode, and a transmissive electrode. The underlying conductor film is formed on the substrate. The reflective electrode is formed on the base conductor film so as to be electrically connected to the base conductor film by covering a portion other than a part of the base conductor film. Transmitting electrode includes a portion located in a region other than the region where the reflective electrode is formed on a substrate, by being formed on a portion that is not covered by the reflective electrodes in the underlying conductive film, the underlying conductive film And a portion that is electrically connected to.
本発明によれば、反射効率が良く十分な光量を確保できるとともに、透過電極や反射電極などの画素電極と下層の導電層などとの接続部について、接続コンタクト抵抗値を小さくすることが可能な液晶表示装置およびその製造方法を提供できる。 According to the present invention, it is possible to secure a sufficient amount of light with high reflection efficiency and to reduce the connection contact resistance value at the connection portion between the pixel electrode such as the transmission electrode and the reflection electrode and the lower conductive layer. A liquid crystal display device and a manufacturing method thereof can be provided.
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.
(実施の形態1)
図1は、本発明による液晶表示装置の実施の形態1を示す断面模式図である。図1を参照して、本発明による液晶表示装置の実施の形態1を説明する。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a schematic sectional
図1に示すように、液晶表示装置は、半透過型の液晶表示装置であって、表示画素領域と端子領域とを備える。表示画素領域から端子領域にまで延在するガラス基板1上において、表示画素領域では薄膜電界効果トランジスタ2、蓄積容量11、薄膜電界効果トランジスタ2上に位置する透過電極3および反射電極4が形成されている。透過電極3は、光を透過させることが可能な透明または半透明の導電体からなる電極である。また、反射電極4は、その表面で光を反射させることができるような、十分な反射率を備える導電体からなる電極である。また、端子領域においては、ガラス基板1上に実装接続用の端子電極5が形成されている。端子電極5は、薄膜電界効果トランジスタ2などに電源電流や信号を外部から供給するためのものである。
As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device is a transflective liquid crystal display device and includes a display pixel region and a terminal region. On the
液晶表示装置の表示画素領域における構造をまず説明する。液晶表示装置の表示画素領域においては、ガラス基板1上に下地膜6が形成されている。下地膜6は、ガラス基板1の表面上に形成されたシリコン窒化膜51と、このシリコン窒化膜51上に形成されたシリコン酸化膜52とから構成されている。この下地膜6上には、薄膜電界効果トランジスタ2のソース/ドレイン領域7a、7bと、このソース/ドレイン領域7a、7bの間に位置するチャネル領域8、さらに蓄積容量11を構成する下部電極9が形成されている。ソース/ドレイン領域7a、7b、チャネル領域8および下部電極9は、同一レイヤの半導体膜としてのポリシリコン膜により形成されている。
First, the structure in the display pixel region of the liquid crystal display device will be described. A
ソース/ドレイン領域7a、7b、チャネル領域8および下部電極9上から下地膜6上にまで延在するように絶縁膜10が形成されている。この絶縁膜10は、チャネル領域8上に位置し薄膜電界効果トランジスタ2のゲート絶縁膜として作用する部分、および下部電極9上に位置し蓄積容量11の誘電体膜として作用する部分を含む。
An
チャネル領域8上に位置する領域では、絶縁膜10上にゲート電極12が形成されている。また、下部電極9上に位置する領域においては、誘電体膜として作用する絶縁膜10上に共通電極13が形成されている。ゲート電極12および共通電極13は、同一レイヤの導電体膜により構成されている。ゲート電極12と共通電極13との上から絶縁膜10上にまで延在するように、保護膜14が形成されている。保護膜14と絶縁膜10との一部をエッチングにより除去することにより、コンタクトホール15a〜15cが形成されている。具体的には、下部電極9上であって共通電極13から間隔を隔てた部分にコンタクトホール15aが形成されている。また、ソース/ドレイン領域7a上にコンタクトホール15bが形成されている。また、ソース/ドレイン領域7b上にコンタクトホール15cが形成されている。
In the region located on the
このコンタクトホール15a〜15cの内部から保護膜14の上部表面上にまで延在するように、電極16a〜16cが形成されている。電極16aは、具体的にはコンタクトホール15aの内部から保護膜14の上部表面上にまで延在するモリブデン(Mo)膜53、Mo膜53上に形成されたアルミニウム(Al)系合金膜54、およびアルミニウム系合金膜54上に形成されたモリブデン(Mo)膜55により構成されている。また、電極16b、16cも、電極16aと同様の構造を備えている。ここで、アルミニウム系合金膜54は、アルミニウムを主成分とする合金膜である。
電極16a〜16c上から保護膜14上にまで延在するように絶縁膜17が形成されている。また、絶縁膜17上には有機絶縁膜18が形成されている。有機絶縁膜18および絶縁膜17を部分的にエッチングにより除去することにより、コンタクトホール19aが形成されている。コンタクトホール19aの内部から有機絶縁膜18の上部表面上にまで延在するように、下地電極20aと、この下地電極20a上に形成され、画素電極を構成する反射電極4が配置されている。コンタクトホール19aの内部において、下地電極20aは電極16cと電気的に接続されている。また、反射電極4は下地電極20aと電気的に接続されている。
An
下地電極20aはクロム(Cr)などの金属からなる。なお、下地電極20aの材料としては、クロムを主成分とする金属膜、または後述するモリブデンを主成分とする金属膜を用いることができる。クロムを主成分とする金属膜とは、クロム膜およびクロムを主成分とし、他の成分も含む合金膜を包含するものである。また、モリブデンを主成分とする金属膜とは、モリブデン膜およびモリブデンを主成分として他の成分も含む合金膜を包含するものである。
The
反射電極4は、反射率の高い材料であるアルミニウム系合金により構成される。また、反射電極4を構成する材料としては、アルミニウムを主成分とする金属膜および銀を主成分とする金属膜を用いることができる。アルミニウムを主成分とする金属膜とは、アルミニウム膜およびアルミニウムを主成分として他の成分を含む合金膜を包含する。また、銀を主成分とする金属膜とは、銀膜および銀を主成分として他の成分を含む合金膜を包含する。
The
また、表示画素領域において、蓄積容量11および薄膜電界効果トランジスタ2が形成されていない領域に、有機絶縁膜18および絶縁膜17の一部をエッチングにより除去することによりコンタクトホール19bが形成されている。なお、下地電極20aは、コンタクトホール19bの内部にまでは延在していない。すなわち、下地電極20aには、コンタクトホール19bが形成された部分の有機絶縁膜18を露出させるような開口部22が形成されている。そして、この開口部22の内部においてコンタクトホール19bの内壁上から下地電極20aおよび反射電極4の端部上にまで延在するように透明性導電材料からなる透過電極3が形成されている。透過電極3を構成する材料として、たとえばスズ添加酸化インジウム(ITO)膜を用いることができる。下地電極20aのコンタクトホール19b側に位置する側面36の位置は、反射電極4の側面35の位置よりもコンタクトホール19b側にずれた位置に配置されている(下地電極20aの端部37は、反射電極4の側面35の位置よりも突出した状態となっている)。このため、透過電極3は下地電極20aと接触することにより、電気的に接続された状態となっている。また、ガラス基板1の表示画素領域においては、反射電極4および透過電極3上を覆うように配向膜28aが形成されている。
Further, in the display pixel region, a
ここで、電極16cには下地電極20aが直接接続されている。電極16cはソース/ドレイン領域7bと電気的に接続されている。そして、電極16cから下地電極20aを介して反射電極4および透過電極3に電荷が供給される。
Here, the
なお、反射電極4を構成するアルミニウム系合金と、透過電極3を構成するITOとは、直接接合した場合、その接合部に高抵抗のアルミニウム酸化物が生成する。そのため、アルミニウム系合金とITOとを直接接続することによって電気的な導通を図ることは困難である。このため、アルミニウム系合金からなる反射電極4とITOからなる透過電極3との両方と電気的導通を図ることが可能な材料により構成された下地電極20aを配置している。この下地電極20aの材料としてはクロム(Cr)膜を用いることができる。また、下地電極20aを構成するCr膜は有機絶縁膜18および絶縁膜17に形成されたコンタクトホール19aを介して、安定して下層の電極16cと電気的抵抗の低い接続部を形成できる。
Note that when the aluminum-based alloy constituting the
ガラス基板1上の表示画素領域以外の領域である端子領域においては、液晶表示装置へ電源電流などを供給する、あるいは外部の駆動ICなどを接続するための端子電極5が形成されている。具体的には、端子領域において、ガラス基板1上に、シリコン窒化膜51およびシリコン酸化膜52からなる下地膜6上に位置する絶縁膜10、絶縁膜10上に位置する保護膜14、保護膜14上に位置する絶縁膜17、絶縁膜17上に位置する有機絶縁膜18が形成されている。上述したそれぞれの膜は、基本的に表示画素領域から延在するように形成されている。
In a terminal region other than the display pixel region on the
また、保護膜14と絶縁膜17との間には、配線21が形成されている。配線21は、基本的に表示画素領域における電極16a〜16cと同一レイヤからなり、電極16a〜16cと同様の構造を有する。すなわち、配線21は、保護膜14上に形成されたモリブデン膜53、モリブデン膜53上に形成されたアルミニウム系合金膜54、アルミニウム系合金膜54上に形成されたモリブデン膜55とからなる。
A
絶縁膜17は、配線21上から保護膜14上にまで延在するように配置されている。配線21上においては、有機絶縁膜18および絶縁膜17の一部をエッチングにより除去することにより、コンタクトホール19cが形成されている。コンタクトホール19cの底部においては、配線21の上部表面が露出した状態となっている。そして、コンタクトホール19cの内部から有機絶縁膜18の上部表面上にまで延在するように、下地電極20bが形成されている。下地電極20bは、表示画素領域における下地電極20aと同一レイヤからなり、たとえばクロム膜により構成される。下地電極20b上には、端子電極5が形成されている。端子電極5は、透過電極3と同一レイヤにより構成されていてもよい。ここでは、端子電極5は透過電極3を構成する材料と同じ材料であるITOにより構成されている。下地電極20bは、コンタクトホール19cの内部において配線21の上部表面上と直接接続されている。また、端子電極5は、下地電極20bの上部表面の少なくとも一部を覆った状態で配置されている。
The insulating
ガラス基板1において上述した反射電極4などが形成された面と対向するように、対向ガラス基板25が配置されている。対向ガラス基板25においてガラス基板1と対向する面上にはカラーフィルタ23が形成されている。カラーフィルタ23においてガラス基板1と対向する面上には対向電極24が形成されている。対向電極24においてガラス基板1と対向する面上には配向膜28bが形成されている。そして、このようなカラーフィルタ23、対向電極24および配向膜28bが形成された対向ガラス基板25と、反射電極4、透過電極3、端子電極5および配向膜28aなどが形成されたガラス基板1とは、シール剤26を介して対向するように貼り合わされている。配向膜28a、28bおよびシール剤26により囲まれた領域には液晶27が注入封止されている。なお、対向ガラス基板25は、ガラス基板1の表示画素領域を覆うような形状となっている。
A
次に、図2〜図16を参照して、図1に示した液晶表示装置の製造方法を説明する。図2〜図16は、図1に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 Next, a method for manufacturing the liquid crystal display device shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 2 to 16 are schematic cross-sectional views for explaining a method of manufacturing the liquid crystal display device shown in FIG.
まず、ガラス基板1(図2参照)を準備する。このガラス基板1上に、一般的な方法を用いて下地膜6を形成する。具体的には、たとえばPECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)を用いてシリコン窒化膜51(図2参照)およびシリコン酸化膜52(図2参照)を形成する。下地膜6としては、このようなシリコン窒化膜51およびシリコン酸化膜52からなる2層膜を用いることができるが、他の構造の膜を用いてもよい。
First, a glass substrate 1 (see FIG. 2) is prepared. A
次に、この下地膜6上に連続的にアモルファスシリコン膜を形成する。そして、エキシマレーザ装置を用いて、薄膜電界効果トランジスタ2(図1参照)のチャネル領域8およびソース/ドレイン領域7a、7b(図1参照)および蓄積容量11の下部電極9(図1参照)となるべきアモルファスシリコン膜にレーザ光を照射することにより、熱処理を実施する。この結果、アモルファスシリコン膜が結晶化することによりポリシリコン膜が形成される。
Next, an amorphous silicon film is continuously formed on the
このポリシリコン膜上に写真製版加工工程によりパターンを有するレジスト膜(図示せず)を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、エッチングによりポリシリコン膜を部分的に除去することにより、ポリシリコン膜29a、29b(図2参照)を形成する。この後レジスト膜を除去する。そして、ポリシリコン膜29a、29b上から下地膜6上にまで延在するように、絶縁膜10(図2参照)を形成する。この絶縁膜10は、ポリシリコン膜29b上に位置する部分が薄膜電界効果トランジスタ2(図1参照)のゲート絶縁膜として作用し、ポリシリコン膜29a上に位置する部分が蓄積容量11(図1参照)の誘電体膜として作用する。絶縁膜10を構成する材料としては、たとえばPECVD法を用いて形成したTEOS(Tetra Ethoxy Silane)シリコン酸化膜を用いることができる。このようにして、図2に示すような構造を得る。
A resist film (not shown) having a pattern is formed on the polysilicon film by a photolithography process.
次に、ポリシリコン膜29a(図2参照)にリン(P)イオンを選択的に注入する。この結果、蓄積容量11(図1参照)の下部電極9(図3参照)を形成できる。なお、ここでリンイオンを選択的に注入する方法としては、たとえば絶縁膜10上に、ポリシリコン膜29a上において開口パターンを有するレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとしてリンイオンをポリシリコン膜29aに注入するといった方法を用いることができる。
Next, phosphorus (P) ions are selectively implanted into the
次に、絶縁膜10上にスパッタリング法を用いてクロム膜(図示せず)を形成する。このクロム膜上に写真製版加工工程を用いてパターンを有するレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとしてクロム膜をエッチングにより部分的に除去する。その後レジスト膜を除去する。この結果、クロム膜からなるゲート電極12(図3参照)および共通電極13(図3参照)を得ることができる。その後、n型の導電性不純物をポリシリコン膜29bに注入することにより、ソース/ドレイン領域7a、7b(図3参照)を形成する。このとき、ゲート電極12がn型の導電性不純物を注入する際のマスクとして作用する。n型の導電性不純物としてはたとえばリンイオンを用いることができる。また、ゲート電極12下に位置するポリシリコン膜29bの部分は、リンイオンが注入されず、チャネル領域8(図3参照)となる。この結果、図3に示すように、n型の薄膜電界効果トランジスタ2および蓄積容量11を形成することができる。
Next, a chromium film (not shown) is formed on the insulating
次に、ゲート電極12、共通電極13上から絶縁膜10上にまで延在するように保護膜14(図4参照)を形成する。このようにして、図4に示すような構造を得る。ここで、保護膜14としては、PECVD法を用いて形成されたTEOSシリコン酸化膜を用いることができる(TEOS PECVDを用いて形成されたシリコン酸化膜を用いることができる)。
Next, a protective film 14 (see FIG. 4) is formed so as to extend from the
この後、ソース/ドレイン領域7a、7bなどに注入された導電性不純物を活性化するための活性化アニール処理を行なう。この活性化アニール処理における加熱温度はたとえば400℃という値を用いることができる。
Thereafter, an activation annealing process for activating the conductive impurities implanted in the source /
次に、保護膜14上にパターンを有するレジスト膜(図示せず)を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、保護膜14および絶縁膜10を部分的にエッチングにより除去する。このようにして、コンタクトホール15a〜15c(図5参照)を形成する。このコンタクトホール15a〜15cの内部から保護膜14の上部表面上にまで延在するように、スパッタリング法を用いてモリブデン(Mo)膜を形成する。このモリブデン膜上にスパッタリング法を用いてアルミニウム系合金膜を形成する。このアルミニウム系合金膜上にスパッタリング法を用いてモリブデン膜を形成する。
Next, a resist film (not shown) having a pattern is formed on the
このようにして形成された3層からなる金属膜上に、パターンを有するレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとして3層からなる金属膜を部分的にエッチングにより除去することにより、電極16a〜16cおよび配線21(図5参照)を形成する。その後レジスト膜を除去する。この結果、図5に示すような構造を得る。図5からもわかるように、電極16a〜16cおよび配線21は、それぞれ保護膜14側からモリブデン膜53、アルミニウム系合金膜54およびモリブデン膜55が順次積層された3層構造の積層体(3層膜)からなる。
A resist film having a pattern is formed on the three-layer metal film thus formed. By using this resist film as a mask, the three-layer metal film is partially removed by etching, thereby forming
この後、水素プラズマを用いてチャネル領域8の水素化を行なう。このようにして、薄膜電界効果トランジスタ2(図1参照)の特性の向上および安定化を図る。そして、電極16a〜16c、配線21上から保護膜14上にまで延在するように絶縁膜17(図6参照)を形成する。この絶縁膜17としては、たとえばシリコン窒化膜を用いることができる。
Thereafter, hydrogenation of the
次に、絶縁膜17上に有機絶縁膜18(図6参照)を形成する。この有機絶縁膜18上にパターンを有するレジスト膜(図示せず)を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、有機絶縁膜18および絶縁膜17を部分的にエッチングにより除去することにより、コンタクトホール19a〜19cを形成する。その後レジスト膜を除去する。このようにして、図6に示すような構造を得る。
Next, an organic insulating film 18 (see FIG. 6) is formed on the insulating
図6からもわかるように、コンタクトホール19aは電極16c上に形成され、コンタクトホール19aの底部においては電極16cの上部表面の一部が露出している。また、コンタクトホール19cは配線21上に形成され、コンタクトホール19cの底部において配線21の上部表面が部分的に露出している。
As can be seen from FIG. 6, the
この後、以下の工程に従って半透過パネル用の画素電極と端子電極とを形成する。具体的には、まず図7に示すように、クロム(Cr)膜56とアルミニウム(Al)系合金膜57とをスパッタリング法を用いて連続的に形成する。ここで、クロム膜56の膜厚は、たとえば50nm程度とすることができる。また、アルミニウム系合金膜57の膜厚はたとえば150nm程度とすることができる。
Thereafter, a pixel electrode and a terminal electrode for a transflective panel are formed according to the following steps. Specifically, first, as shown in FIG. 7, a chromium (Cr)
次に、図8に示すように、反射電極4(図1参照)を形成するためのパターンを有するレジスト膜58を1回目の写真製版加工により形成する。そして、このレジスト膜58をマスクとして用いて、アルミニウム系合金膜57を部分的にエッチングにより除去することにより、反射電極4(図9参照)を形成する。この後レジスト膜58を除去する。この結果、図9に示すような構造を得る。
Next, as shown in FIG. 8, a resist
次に、2回目の写真製版加工により、有機絶縁膜18においてコンタクトホール19bが形成された部分を露出させる開口部22(図11参照)を形成するためのパターンを有するレジスト膜58(図10参照)を形成する。この結果、図10に示すような構造を得る。
Next, a resist film 58 (see FIG. 10) having a pattern for forming the opening 22 (see FIG. 11) exposing the portion where the
そして、この図10に示したレジスト膜58をマスクとして用いて、エッチングによりクロム膜56を部分的に除去することにより、クロム膜56における開口部22(図11参照)を形成する。その後レジスト膜58(図10参照)を除去する。この結果、図11に示すような構造を得る。
Then, using the resist
次に、スパッタリング法を用いて、反射電極4上からクロム膜56および有機絶縁膜18のコンタクトホール19b内部にまで延在するアモルファス状態のITO膜59(図12参照)を形成する。この結果、図12に示すような構造を得る。なお、ITO膜59の膜厚は、たとえば100nm程度とすることができる。
Next, an amorphous ITO film 59 (see FIG. 12) is formed by sputtering to extend from above the
次に、ITO膜59上に、透過電極3(図1参照)および端子電極5(図1参照)を形成するためのパターンを有するレジスト膜58を形成することにより、図13に示すような構造を得る。そして、上述のように3回目の写真製版加工により形成されたレジスト膜58(図13参照)をマスクとして用いて、ITO膜59をエッチングにより部分的に除去することにより、透過電極3(図14参照)および端子電極5(図14参照)を形成する。このエッチングにおいては、シュウ酸系のエッチャントを用いてウエットエッチングを実施する。その後、レジスト膜58(図13参照)を除去する。この結果、図14に示すような構造を得る。ここで、透過電極3の端部38は下地電極20a(図1参照)となるべきクロム膜56の端部37および反射電極4の端部上にまで延在するように形成されている。
Next, by forming a resist
次に、図15に示すように、下地電極20a、20b(図1参照)を形成するためのマスクとして用いる、パターンを有するレジスト膜58を4回目の写真製版加工により形成する。そして、このレジスト膜58をマスクとして用いて、クロム膜56を部分的にエッチングにより除去する。この結果、表示画素領域の画素電極と端子領域の端子電極とをそれぞれ構成する下地電極20a、20bを互いに分離することができる。この後レジスト膜58を除去する。この結果、図16に示すような構造を得る。このように、合計4回の写真製版加工を用いることにより、半透過タイプの液晶表示装置における画素電極(下地電極20a、反射電極4および透過電極3からなる画素電極)と端子電極(端子電極5と下地電極20bとからなる端子電極)とが完成する。
Next, as shown in FIG. 15, a resist
なお、ここでクロム膜56(図10参照)などのエッチング(ウエットエッチング)においては、いずれも一般的なクロム膜に対するエッチャント(エッチング液)である硝酸第2セリウムアンモニウム(化学式:Ce(NH4)2(NO3)6)の水溶液に過塩素酸(化学式:HClO4)を含むエッチャント(エッチング液)を用いることができる。 Here, in etching (wet etching) of the chromium film 56 (see FIG. 10) or the like, cerium ammonium nitrate (chemical formula: Ce (NH 4 )) that is an etchant (etching solution) for a general chromium film. An etchant (etching solution) containing perchloric acid (chemical formula: HClO 4 ) in an aqueous solution of 2 (NO 3 ) 6 ) can be used.
そして、ガラス基板1の表示画素領域においては、通常の方法を用いて、反射電極4および透過電極3上に配向膜28a(図1参照)が形成される。また、通常の方法を用いて、カラーフィルタ23(図1参照)、対向電極24(図1参照)および配向膜28b(図1参照)が形成された対向ガラス基板を準備する。そして、ガラス基板1と対向ガラス基板25とを、それぞれの配向膜28a、28bが対向するようにシール剤26(図1参照)を介して貼り合わせる。そして、このガラス基板1と対向ガラス基板25との間にシール剤26が存在することによって形成された間隙に液晶27(図1参照)を注入封止する。このような所定の工程を実施することにより、図1に示すような液晶表示装置を得ることができる。
Then, in the display pixel region of the
図1に示した液晶表示装置においては、反射電極4を構成するアルミニウム系合金膜と透過電極3を構成するITOとの双方と電気的な導通を図ることのできるクロム膜を用いて下地電極20aを形成している。この下地電極20aは、反射電極4および透過電極3の双方と接続するように配置されている。このため、1つのコンタクトホール19aから、この下地電極20aを介して反射電極4および透過電極3のそれぞれに必要な電気的導通を図ることができる(反射電極4および透過電極3のそれぞれに電荷を供給することができる)。したがって、アルミニウム系合金からなる反射電極4上を覆うようにITO膜からなる透過電極3を延在させる必要がないので、このITO膜の存在によって反射電極4の表面での光の反射効率が低下するといった問題の発生を避けることができる。
In the liquid crystal display device shown in FIG. 1, a
また、1つのコンタクトホール19aから反射電極4および透過電極3に対して電荷を供給することができるので、光の反射効率が低下するコンタクトホールを電極16c上に2つ形成する必要がない(つまり、反射電極4に対するコンタクトホールと透過電極3に対するコンタクトホールとを別々に形成する必要がない)。このため、光の反射効率のよい液晶表示装置を得ることができる。
In addition, since charges can be supplied from one
また、反射電極4および透過電極3を含む画素電極と、端子電極5とは、それぞれクロム膜からなる下地電極20a、20bに接続されている。この下地電極20a、20bを構成するクロム膜は、有機絶縁膜18に形成されたコンタクトホール19a、19cを介して下層に位置する電極16cおよび配線21と低抵抗の接続を安定して実現することができる。つまり、表示画素領域および端子領域のそれぞれにおいて、電極16cと画素電極との間の電気的接続部および配線21と端子電極5との間の電気的接続部が高抵抗化するといったような問題の発生確率を低減できる。このため、駆動回路を内蔵した液晶表示装置(駆動回路内蔵タイプの液晶表示装置)や、直接ガラス基板1上にICを実装する方式を採用した液晶表示装置など、さまざまな種類の半透過型液晶表示装置(半透過タイプ液晶パネル)に本発明を適用することができる。
The pixel electrode including the
また、上述した液晶表示装置においては、能動素子として作用する薄膜電界効果トランジスタ2のタイプとして、低温ポリシリコンタイプを用いた場合について説明したが、本発明はノートパソコンや液晶モニタなどで多用されているアモルファスシリコンタイプの薄膜電界効果トランジスタ2を有する液晶表示装置に適用しても、同様の効果を得ることができる。
In the liquid crystal display device described above, the case where the low-temperature polysilicon type is used as the type of the thin film
また、上述した半導体装置の製造方法では、反射電極4、透過電極3および端子電極5を形成するため、写真製版加工を4回実施している。単純に考えれば、3種類の電極材料を用いた構造であることから、反射電極4を構成するアルミニウム系合金膜57(図8参照)の加工、下地電極20a、20bを構成するクロム膜56(図9参照)の加工、透過電極3および端子電極5を構成するITO膜59(図12参照)の加工と、3回の写真製版加工により反射電極4、透過電極3および端子電極5を形成することができる筈である。つまり、図12に示したように透過電極3および端子電極5を構成するためのITO膜59を形成する前に、下地電極20a、20bを構成するクロム膜56について、開口部22が形成された下地電極20a、20bとなるように(最終形状となるように)写真製版加工を用いてパターンを有するレジスト膜を形成し、エッチング加工を行なうといった方法が考えられる。
Moreover, in the manufacturing method of the semiconductor device mentioned above, in order to form the
しかし、発明者の研究によれば、このような方法を採用した場合には、透過電極3を形成する際に不具合が発生し得ることがわかった。以下、この不具合について具体的に説明する。
However, according to the inventor's research, it has been found that when such a method is employed, problems may occur when the
通常、クロム膜56やアルミニウム系合金膜57の加工後にITO膜59を成膜、加工する場合、加工されたアルミニウム系合金膜やクロム膜に対して選択的にウエットエッチングが可能なように、アモルファス状態のITO膜59を形成する必要がある。これは、結晶化したITO膜は、王水系のエッチャントによってしか溶解できないためである。しかし、このような王水系のエッチャントは、アルミニウム系合金膜なども溶解してしまう。つまり、結晶化したITO膜については、アルミニウム系合金膜やクロム膜に対して選択的に(ITO膜のみを)加工することができない。そこで、アルミニウム系合金膜などを溶解しないシュウ酸系のエッチャントでエッチング可能なアモルファス状態のITO膜を、ITO膜59として成膜、加工する方法が用いられる。
Normally, when the
しかし、クロム膜をエッチングにより除去した部分においては、上述したアモルファス状態のITO膜を成膜した後エッチングによってそのITO膜を除去しようとしても、ITO膜が完全にエッチングにより除去できない(ITOの残渣が発生する)ことがわかった。このようなITOの残渣が発生する部分は、下地電極20a、20b間や端子電極5の間の分離部分である。つまり、導体であるITO膜の残渣によって画素電極や端子電極間において短絡が発生する可能性があった。
However, in the portion where the chromium film is removed by etching, the ITO film cannot be completely removed by etching even if an attempt is made to remove the ITO film by etching after forming the above-described amorphous ITO film (the ITO residue is not removed). It was found). The portion where the ITO residue is generated is a separation portion between the
このようなITO膜の残渣について解析した結果、当該残渣はITO膜が結晶化することにより、シュウ酸系のエッチャントによってはエッチング不可能な状態となったものであった。そして、さらに解析した結果、上述のような結晶化したITO膜は、クロム膜のエッチング後に非常に微量に析出することがわかっているセリウム水酸化物の析出物とITO膜とが反応することにより形成されることがわかった。 As a result of analyzing the residue of such an ITO film, the residue was not etched by an oxalic acid-based etchant due to crystallization of the ITO film. As a result of further analysis, the crystallized ITO film as described above reacts with the cerium hydroxide precipitate which is known to be deposited in a very small amount after the etching of the chromium film and the ITO film. It was found that it was formed.
上述した問題について、図17〜図20を参照してより詳しく説明する。図17〜図20は、本発明による液晶表示装置の製造方法の効果を説明するための、第1の参考例としての液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 The above-described problem will be described in more detail with reference to FIGS. FIGS. 17 to 20 are schematic cross-sectional views for explaining a manufacturing method of a liquid crystal display device as a first reference example for explaining the effects of the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention.
まず、図2〜図9で示した工程を実施した後、反射電極4およびクロム膜56上に下地電極20a、20bを形成するためのパターンを有するレジスト膜(図示せず)を形成する。このレジスト膜をマスクとして、クロム膜56を部分的にエッチングにより除去する。この結果、下地電極20a、20bが形成される。その後レジスト膜を除去する。この結果、図17に示すような構造を得る。ここで、クロム膜56が除去された部分の有機絶縁膜18の上部表面およびコンタクトホール19bの内壁面上には上述したセリウム水酸化物30が微量に析出している。
First, after performing the steps shown in FIGS. 2 to 9, a resist film (not shown) having a pattern for forming the
この後、図18に示すように、透過電極3および端子電極5を形成するためにアモルファス状態のITO膜59を形成する。このとき、セリウム水酸化物30と接触したITO膜59の部分が結晶化することにより、結晶化したITO膜31が形成される。
Thereafter, as shown in FIG. 18, an
この後、図19に示すように、透過電極3および端子電極5を形成するためのパターンを有するレジスト膜58を形成する。このレジスト膜58をマスクとして、エッチングによりITO膜59を部分的に除去する。その後レジスト膜58を除去する。この結果、図20に示すような構造を得る。しかし、上述したITO膜を除去するためのエッチング工程によっては、結晶化したITO膜31を十分除去することができない。したがって、下地電極20a、20bが結晶化したITO膜31を介して他の電極などの導電体部と短絡(ショート)することになる。
Thereafter, as shown in FIG. 19, a resist
このように、透過電極3および端子電極5を形成する前に下地電極20a、20bを分離するようなエッチングを行なった場合には、下地電極20a、20bが他の導電体部とショートする恐れがあったため、図17〜図20に示したような工程を採用することは実質的に困難であった。このため、図2〜図16に示した本発明による液晶表示装置の製造方法では、クロム膜からなる下地電極20a、20bの加工を、透過電極3を形成するためのITO膜59の成膜前に形成すべき開口部22を形成するための加工工程(図10および図11に示した工程)と、ITO膜59に対する加工が終了した後(透過電極3および端子電極5の形成が完了した後)に行なう下地電極20a、20bの分離のための2回目の加工工程(図15および図16に示した工程)とに分けている。この結果、本発明による液晶表示装置の製造方法では、上述のような結晶化したITO膜による電極間のショートの発生といった問題が起きる可能性を低減している。
As described above, when etching is performed to separate the
なお、本発明のように下地電極20a、20bを用いない場合には、図21に示すような構造の液晶表示装置も考えられる。図21は、本発明による液晶表示装置の効果を説明するための第2の参考例としての液晶表示装置を示す断面模式図である。図21を参照して、第2の参考例としての液晶表示装置を説明する。
When the
図21に示した液晶表示装置は、基本的には、図1に示した液晶表示装置と同様の構造を備えるが、反射電極4、透過電極3および端子電極5の形状が異なっている。すなわち、図21に示した液晶表示装置では、電極16c上において、有機絶縁膜18および絶縁膜17を部分的に除去することにより2つのコンタクトホール19a、19dが形成されている。アルミニウム系合金膜からなる反射電極4は、コンタクトホール19aの内部から有機絶縁膜18の上部表面上にまで延在するように形成されている。反射電極4は、コンタクトホール19aの底部において電極16cと電気的に接続されている。
The liquid crystal display device shown in FIG. 21 basically has the same structure as the liquid crystal display device shown in FIG. 1, but the shapes of the
また、ITO膜からなる透過電極3は、コンタクトホール19dの内部から有機絶縁膜18の上部表面上を介してコンタクトホール19bの内部にまで延在するように形成されている。透過電極3は、コンタクトホール19dの底部において電極16cと電気的に接続されている。また、端子領域においては、ITO膜からなる端子電極5がコンタクトホール19cの内部から有機絶縁膜18の上部表面上にまで延在するように形成されている。端子電極5は、コンタクトホール19cの底部において配線21と電気的に接続されている。
The
図22〜図24は、図21に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図22〜図24を参照して、図21に示した液晶表示装置の製造方法を説明する。 22 to 24 are schematic cross-sectional views for explaining a method of manufacturing the liquid crystal display device shown in FIG. With reference to FIGS. 22-24, the manufacturing method of the liquid crystal display device shown in FIG. 21 is demonstrated.
まず、図2〜図5に示した工程と同様の工程を実施した後、絶縁膜17(図22参照)上に有機絶縁膜18(図22参照)を形成する。有機絶縁膜18上にパターンを有するレジスト膜(図示せず)を形成する。このレジスト膜をマスクとして、有機絶縁膜18および絶縁膜17の一部をエッチングにより除去することにより、コンタクトホール19a〜19d(図22参照)を形成する。その後レジスト膜を除去する。このようにして、図22に示すような構造を得る。
First, after performing the same steps as those shown in FIGS. 2 to 5, an organic insulating film 18 (see FIG. 22) is formed on the insulating film 17 (see FIG. 22). A resist film (not shown) having a pattern is formed on the organic insulating
次に、有機絶縁膜18の上部表面上からコンタクトホール19a〜19dの内部にまで延在するように反射電極4(図23参照)となるべきアルミニウム系合金膜(図示せず)を形成する。このアルミニウム系合金膜上にパターンを有するレジスト膜(図示せず)を形成する。このレジスト膜をマスクとして、アルミニウム系合金膜を部分的にエッチングにより除去することにより、反射電極4(図23参照)を形成する。その後レジスト膜を除去する。このようにして、図23に示すような構造を得る。
Next, an aluminum alloy film (not shown) to be the reflective electrode 4 (see FIG. 23) is formed so as to extend from the upper surface of the organic insulating
次に、反射電極4および有機絶縁膜18の上部表面上からコンタクトホール19b〜19dの内部にまで延在するように透過電極3(図24参照)および端子電極5(図24参照)となるべきITO膜(図示せず)を形成する。このITO膜上にパターンを有するレジスト膜(図示せず)を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、エッチングによりITO膜を部分的に除去する。この結果、透過電極3(図24参照)および端子電極5(図24参照)を得る。その後、レジスト膜を除去する。この結果、図24に示すような構造を得る。
Next, the transmissive electrode 3 (see FIG. 24) and the terminal electrode 5 (see FIG. 24) should be extended from the upper surfaces of the
この後、透過電極3および反射電極4上に配向膜28a(図21参照)を形成するとともに、図21に示すようなカラーフィルタ23、対向電極24および配向膜28bが形成された対向ガラス基板25を準備する。この対向ガラス基板25をガラス基板1と対向するようにシール剤26(図21参照)を介して配置し貼り合わせる。そして、ガラス基板1と対向ガラス基板25との間においてシール剤26により形成された間隙に液晶27を注入封止することにより、図21に示すような液晶表示装置を得ることができる。
Thereafter, an
このように、図21に示した液晶表示装置によれば、本発明による液晶表示装置のように下地電極20a(図1参照)を用いずに反射電極4および透過電極3に電極16cから電荷をそれぞれ供給することができる。しかし、図21に示した液晶表示装置では、2つのコンタクトホール19a、19dを電極16c上に形成する必要があるため、表示画素領域におけるスペース(コンタクトホール19a、19dのレイアウト)に関して制約が発生する。
As described above, according to the liquid crystal display device shown in FIG. 21, charges are applied from the
また、コンタクトホール19a、19dが形成された部分を、対向ガラス基板25側から入射する光を反射する反射部として用いることを考えた場合、この部分に形成された反射電極における光の反射効率は有機絶縁膜18の上部表面上に形成された反射電極4における光の反射効率より悪くなる。このため、上記部分に形成された反射電極の部分については反射電極としての効果をあまり期待できない。また、コンタクトホール19a、19d下には電極16cが形成されているため、ガラス基板1側から液晶27へと入射する光を透過させる領域として用いることもできない。一方、このような図21に示した液晶表示装置に比べて、図1に示した本発明による液晶表示装置では、電極16c上に1つのコンタクトホール15aを形成するだけであるので、図21に示した液晶表示装置よりもコンタクトホールを形成する際のスペース上の制約を少なくできる。
In addition, when considering using the portion where the
また、液晶表示装置の他の構造としては、たとえば図25に示したような構造も考えられる。図25は、本発明による液晶表示装置の効果を説明するための第3の参考例としての液晶表示装置を示す断面模式図である。図25を参照して、第3の比較例としての液晶表示装置を説明する。 As another structure of the liquid crystal display device, for example, a structure as shown in FIG. 25 is also conceivable. FIG. 25 is a schematic cross-sectional view showing a liquid crystal display device as a third reference example for explaining the effects of the liquid crystal display device according to the present invention. A liquid crystal display device as a third comparative example will be described with reference to FIG.
図25に示すように、第3の参考例としての液晶表示装置は、基本的には図1に示した液晶表示装置と同様の構造を備えるが、反射電極4、透過電極3および端子電極5の形状が図1に示した液晶表示装置とは異なっている。すなわち、図25に示した液晶表示装置では、図1に示した液晶表示装置のように下地電極20a、20bを形成していない。そして、図25に示した液晶表示装置では、アルミニウム系合金からなる反射電極4は有機絶縁膜18の上部表面上のみに形成され、ITO膜からなる透過電極3がコンタクトホール19a、19bの内部から有機絶縁膜18の上部表面上、さらに反射電極4の上部表面を覆うように形成されている。また、端子電極5は、コンタクトホール19cの内部から有機絶縁膜18の上部表面上にまで延在するように形成されている。
As shown in FIG. 25, the liquid crystal display device as the third reference example basically has the same structure as the liquid crystal display device shown in FIG. 1, but the
このように、透過電極3のみがコンタクトホール19aを介して電極16cと電気的に接続され、反射電極4へは透過電極3を介して電極16cから電荷が供給されるようになっている。しかし、実際には反射電極4を構成するアルミニウム系合金と透過電極3を構成するITOとの間にはほとんど電気的導通が得られない。したがって、液晶27を駆動するための電界を発生させる電極としては透過電極3のみが作用しており、電荷がほとんど供給されない反射電極4はもっぱら光を反射するための反射板としての機能を発揮していると考えられる。
In this way, only the
このように、図25に示したような構造の液晶表示装置においても、本発明の液晶表示装置における下地電極20a、20bは形成されていないが、図25に示した液晶表示装置では反射板として作用する反射電極4の表面をITO膜からなる透過電極3が覆った状態となっている。そのため、反射電極4の表面における光の反射効率が透過電極3の存在によって低下するという問題があった。一方、図1に示した本発明による液晶表示装置においては、図25に示した液晶表示装置と対比して、反射電極4の上部表面の全体を覆うように透過電極3は形成されていないので、反射電極4における光の反射効率を低下させるといったような問題は発生しない。
Thus, even in the liquid crystal display device having the structure shown in FIG. 25, the
図2〜図16に示した、本発明による液晶表示装置の実施の形態1の製造方法では、反射電極4における反射効率の低下の防止や、端子電極5および画素電極(反射電極4および透過電極3)と配線21および電極16cとの間の接続部の低抵抗化を実現できたが、反射電極4、透過電極3、端子電極5および下地電極20a、20bを形成するために4回の写真製版加工を行なう必要があった。1回の写真製版加工工程では、レジスト膜の塗布、露光、現像処理の3工程が必要であり、さらに加工対象の金属膜などのエッチング加工が終了した後に上述したレジスト膜の除去工程が必要となる。つまり、1回の写真製版加工工程を実施するためには実質的に4工程を行なう必要がある。このため、写真製版加工工程の数が増えることは、液晶表示装置の製造工程数が増加することにより、液晶表示装置の製造コストが増大する要因となり得る。
2 to 16, the manufacturing method according to the first embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention prevents the reflection efficiency from being reduced in the
また、上述した露光工程に必要な高精度露光装置は非常に高価な設備であり、写真製版加工工程が増えると、これらの装置の必要台数も増加する。したがって、設備投資が増え結果的に液晶表示装置の製造コストが上昇する原因となる。また、上述した写真製版加工工程で使用するレジスト現像液、またはレジスト剥離液などの使用量も写真製版加工工程が増加すれば増加する。これらの材料の使用量の増加も液晶表示装置の製造コストの上昇原因となる。また、工程数が増えることは製造工期の長期化に繋がり、納期の遅れ、トラブルのフィードバックの遅れなど製造上のデメリットが発生するおそれがある。 Further, the high-precision exposure apparatus necessary for the above-described exposure process is a very expensive facility, and as the number of photolithography processes increases, the required number of these apparatuses also increases. Therefore, the capital investment increases, resulting in an increase in the manufacturing cost of the liquid crystal display device. Further, the amount of the resist developer or resist stripping solution used in the photolithography process described above increases as the photolithography process increases. An increase in the amount of these materials used also increases the manufacturing cost of the liquid crystal display device. In addition, an increase in the number of processes leads to an increase in the manufacturing period, which may cause manufacturing disadvantages such as a delay in delivery and a delay in trouble feedback.
また、図17で説明したようなセリウム水酸化物30は、図2〜図16で示した工程によっても透過電極3の下に微量に残存する場合が考えられる。このような微量なセリウム水酸化物は、電極間のショートのような製品の動作不良に繋がる致命的な不具合を引起すことはないものの、透過電極3における光の透過効率を低下させる要因ともなり得る。このように透過電極3の光の透過効率が低下すると、液晶表示装置における必要な輝度を確保するため、ガラス基板1の背面(透過電極3などが形成された面と反対側の面)側に配置されるバックライトの輝度を大きくするといった対応が必要となる。この結果、液晶表示装置の消費電力が増えるといったデメリットも考えられる。
Further, the
このような不具合を解消し、本発明をより効果的にするために、発明者はさらなる検討を行なった結果、以下のような液晶表示装置の構造および製造方法を案出するに至った。以下説明する。 In order to solve such problems and make the present invention more effective, the inventor has conducted further studies, and as a result, has come up with the following liquid crystal display device structure and manufacturing method. This will be described below.
(実施の形態2)
図26〜図30は、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態2を説明するための断面模式図である。図26〜図30を参照して、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態2を説明する。なお、図26〜図30に示した工程によって得られる液晶表示装置は、基本的に図1に示した液晶表示装置と同様の構造を備える。
(Embodiment 2)
26 to 30 are schematic cross-sectional views for explaining
まず、図2〜図9に示した工程と同様の工程を実施した後、図26に示すように反射電極4およびクロム膜56上に写真製版加工工程によりレジスト膜58を形成する。なお、画素電極および端子電極5(図1参照)を形成する工程について考えた場合、反射電極4を形成するために1回目の写真製版加工が既に実施されており、図1に示したレジスト膜58を形成するための写真製版加工は2回目の写真製版加工工程である。また、図26に示したレジスト膜58は、後述するエッチング工程において、クロム膜56から下地電極20a、20bを分離するとともに開口部22(図28参照)を形成するためのマスクとして作用する。
First, after performing steps similar to those shown in FIGS. 2 to 9, a resist
次に、図27に示すように、レジスト膜58が形成された状態で、ウエットエッチングによりクロム膜56を部分的に除去する。このとき、ウエットエッチングのエッチャント(エッチング液60)として、硝酸第2セリウムアンモニウム(化学式:Ce(NH4)2(NO3)6)の水溶液に、たとえば硝酸を1規定(1N)含むものを用いる。
Next, as shown in FIG. 27, with the resist
このようなエッチング液60を用いたエッチングにより、図28に示すようなクロム膜からなる下地電極20a、20bを得ることができる。その後レジスト膜58(図27参照)を除去する。この結果、図28に示すような構造を得る。
By using the etching solution 60 as described above,
この後、コンタクトホール19bの内部から下地電極20a、20bおよび反射電極4上にまで延在するようにITO膜59(図29参照)を形成する。このITO膜59の膜厚はたとえば100nmとすることができる。そして、このITO膜59上に透過電極3(図30参照)および端子電極5(図30参照)を形成するためのエッチングの際のマスクとして用いるレジスト膜58(図29)を、3回目の写真製版加工により形成する。この結果、図29に示すような構造を得る。
Thereafter, an ITO film 59 (see FIG. 29) is formed so as to extend from the inside of the
そして、レジスト膜58をマスクとしてウエットエッチングによりITO膜59を部分的に除去する。このウエットエッチングにおいては、エッチング液として、たとえばシュウ酸系のエッチング液を用いることができる。その後レジスト膜58を除去する。この結果、図30に示すような構造を得る。図30に示すように、上述したエッチングによりITO膜からなる透過電極3および端子電極5が形成される。
Then, the
この後、本発明の実施の形態1の図16において説明したように、配向膜28aの形成工程、カラーフィルタ23、対向電極24および配向膜28bが形成された対向ガラス基板25の準備工程、この対向ガラス基板25とガラス基板1とをシール剤26を介して接続固定し、対向ガラス基板25とガラス基板1との間の間隙に液晶27を注入封止する工程を実施することにより、図1に示したような構造の液晶表示装置を得ることができる。
Thereafter, as described in FIG. 16 of the first embodiment of the present invention, the
上述した図27に示した工程のように、クロム膜56をエッチングするためのウエットエッチングの際に硝酸第2セリウムアンモニウムの水溶液に硝酸を1規定含むようなエッチング液を用いることによって、エッチング工程後において、有機絶縁膜18の表面に微量に析出するセリウム水酸化物の発生を抑制することができる。
As in the process shown in FIG. 27 described above, an etching solution containing 1N nitric acid in an aqueous solution of ceric ammonium nitrate is used in the wet etching for etching the
すなわち、通常のクロム膜56のウエットエッチングにおいては、一般的なクロム膜用エッチング液である硝酸第2セリウムアンモニウムと過塩素酸(化学式:HClO4)との水溶液を用いる。このような水溶液をエッチング液として用いてクロム膜をエッチングすると、エッチング工程中においては、過塩素酸の作用によりエッチング液が酸性に保たれているため、セリウム水酸化物は発生することはない。しかし、エッチングが完了した後に、ガラス基板上のエッチング液を水洗除去する場合、ガラス基板上に存在する液の水素イオン活性度(pH)のバランスが崩れる。この結果、液中にセリウム水酸化物が生成する。この生成したセリウム水酸化物が、ガラス基板1の表面上(有機絶縁膜18の表面上)に微量に析出残存すると考えられる。
That is, in the normal wet etching of the
しかし、本発明による液晶表示装置の製造方法のように、エッチング液に高濃度の硝酸が含まれている場合には、ガラス基板上からエッチング液をエッチング後に洗浄・除去する際に、その除去される液を安定して酸性に保つことができる。この結果、セリウム水酸化物が発生することや、基板表面(有機絶縁膜18の表面)へセリウム水酸化物が残存することを防止することができる。つまり、図28に示すように、コンタクトホール19bの内部や露出した有機絶縁膜18の上部表面上にセリウム水酸化物は析出しない。
However, when the etching solution contains high-concentration nitric acid as in the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, it is removed when the etching solution is cleaned and removed from the glass substrate after etching. Can be kept stable and acidic. As a result, it is possible to prevent cerium hydroxide from being generated and cerium hydroxide from remaining on the substrate surface (the surface of the organic insulating film 18). That is, as shown in FIG. 28, cerium hydroxide does not precipitate inside the
このため、有機絶縁膜18の表面上にセリウム水酸化物の残存がない状態で、図29に示したようにアモルファス状態のITO膜59を成膜できる。この結果、セリウム水酸化物とアモルファス状態のITO膜59とが反応して結晶化したITO膜が発生するといった問題の発生確率を低減できる。このため、透過電極3および端子電極5を形成するためのエッチングの際にも、結晶化したITO膜が残渣として残存する可能性を低減できる。
For this reason, the
また、上述のようにセリウム水酸化物が発生しないので、透過電極3下にセリウム水酸化物が存在することもない。そのため、セリウム水酸化物の存在に起因して透過電極3における光の透過率が低下するといった問題の発生確率を低減できる。この結果、セリウム水酸化物が残存したような液晶表示装置に比べて、透過電極3における光の透過率を向上させることができる。したがって、同じ消費電力においてもセリウム水酸化物が残存したような半透過液晶表示装置に比べて、得られる表示画面の輝度を大きくすることができる。
Further, since cerium hydroxide is not generated as described above, cerium hydroxide does not exist under the
また、図27に示したクロム膜56をエッチングするためのエッチング液60として、硝酸第2セリウムアンモニウムの水溶液に硝酸を1規定含むようなエッチング液を用いたが、上述のようにエッチング液の洗浄工程においてガラス基板1の表面上での液の酸性を保つことが可能であれば、硝酸以外の他の添加物を硝酸第2セリウムアンモニウムに添加してもよい。たとえば、添加する添加物としてはリン酸、酢酸、塩酸等の強酸性の溶液を用いることができる。これらの強酸性の溶液の添加量としては1規定程度であればよい。このようにしても、上述した硝酸を1規定含む硝酸第2セリウムアンモニウムのエッチング液を用いた場合と同様の効果を得ることができる。
Further, as the etching solution 60 for etching the
また、上述した実施の形態2においては、硝酸を1規定程度加えたエッチング液を用いたが、硝酸や他の強酸性の溶液の添加量としては0.1規定(0.1N)以上であればセリウム水酸化物の発生の抑制効果が得られる。したがって、これらの強酸性の溶液の添加量としては0.1規定以上、より好ましくは1規定以上であることが好ましい。
In
また、硝酸第2セリウムアンモニウムに過塩素酸を添加する場合であっても、市販のクロム膜用エッチング液に過塩素酸を追加して、過塩素酸の濃度を10質量%以上という高濃度にすることにより、上述した本発明による液晶表示装置の製造方法における硝酸を1規定程度含むエッチング液とほぼ同様の効果を得ることができる。 Moreover, even when perchloric acid is added to ceric ammonium nitrate, perchloric acid is added to a commercially available chromium film etching solution so that the concentration of perchloric acid is as high as 10% by mass or more. By doing so, it is possible to obtain substantially the same effect as the etching solution containing about 1 N of nitric acid in the above-described method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention.
また、上述した説明では、反射電極4の材料としてアルミニウム系合金膜を用いた場合で説明したが、反射電極4の材料としては、高い反射率を示す銀、あるいは銀を主成分として含む合金(銀(Ag)系の合金)を用いてもよい。なお、このような銀または銀系の合金膜を反射電極4の構成材料として用いることは、既に説明した実施の形態1および以下で説明する実施の形態3〜実施の形態6においても同様に適用できる。
In the above description, the case where an aluminum-based alloy film is used as the material of the
(実施の形態3)
図31は、本発明による液晶表示装置の実施の形態3を示す断面模式図である。図32および図33は、図31に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図31〜図33を参照して、本発明による液晶表示装置の実施の形態3およびその製造方法を説明する。
(Embodiment 3)
FIG. 31 is a schematic sectional
図31に示すように、液晶表示装置は基本的には図1に示した液晶表示装置と同様の構造を備えるが、透過電極3の延在部61が反射電極4を覆うように配置されている点が異なる。
As shown in FIG. 31, the liquid crystal display device basically has the same structure as the liquid crystal display device shown in FIG. 1, but the extending
図31に示した液晶表示装置の製造方法としては、まず図2〜図9に示した工程を実施した後、図26〜図28に示した工程を実施する。その後、図32に示すように、コンタクトホール19bの内部から反射電極4および下地電極20a、20b上にまで延在するようにアモルファス状態のITO膜59を形成する。このITO膜59上に写真製版加工工程を用いてパターンを有するレジスト膜58を形成する。この結果、図32に示すような構造を得る。
As a method of manufacturing the liquid crystal display device shown in FIG. 31, first, the steps shown in FIGS. 2 to 9 are performed, and then the steps shown in FIGS. 26 to 28 are performed. Thereafter, as shown in FIG. 32, an
そして、図32に示したレジスト膜58をマスクとしてITO膜59をエッチングにより部分的に除去する。この結果、透過電極3および端子電極5(図33参照)が形成される。その後レジスト膜58を除去する。この結果、図33に示すような構造を得る。
Then, the
この後、図16において説明したように配向膜28a(図31参照)の形成工程、カラーフィルタ23などを備える対向ガラス基板25の準備工程およびガラス基板1と対向ガラス基板25との貼り合わせ工程、さらにガラス基板1と対向ガラス基板25との間の間隙に液晶27を注入封止する工程などを実施することにより、図31に示す液晶表示装置を得ることができる。
Thereafter, as described in FIG. 16, the step of forming the
図31に示したような構造の液晶表示装置によれば、図1に示した液晶表示装置によって得られる効果に加えて、反射電極4の表面が対向電極24を構成する材料と同じ材料であるITO膜(透過電極3の延在部61)によって覆われているため、反射電極4に電荷が供給されている場合にも(つまり液晶27に対して電界を印加して液晶27を駆動しているときにも)電池効果が起こらないというメリットがある。すなわち、図1に示した液晶表示装置では、対向電極24がITO膜により構成され、反射電極4がアルミニウム系合金膜によって構成されている。このように対向電極24と、この対向電極24との間で電界を形成するためのもう一方の電極である反射電極4とが異なる材料によって構成されている場合に、酸化還元電位差によるオフセット電圧が対向電極24および反射電極4の間に発生する。液晶27にこのような直流電圧が印加された状態が継続すると、液晶27にいわゆる焼付き不良が発生する。しかし、図31に示した液晶表示装置においては、反射電極4がITO膜によって覆われた状態となっているので、上述のような電極間の酸化還元電位差によるオフセット電圧の発生を抑制できる。この結果、液晶に直流電圧が印加され続けることを防止できるので、液晶27における焼付き不良の発生確率を低減できる。
According to the liquid crystal display device having the structure shown in FIG. 31, in addition to the effects obtained by the liquid crystal display device shown in FIG. 1, the surface of the
なお、上述した焼付き不良は、シール剤26などの外的要因から液晶27へ浸入する不純物と電池効果との複合的な作用によって発生するが、図31に示した液晶表示装置では、一方の要因である電池効果の発生を抑制することにより、上述のような焼付き不良の発生確率を低減している。このため、液晶表示装置の信頼性を向上させることができる。
Note that the above-described seizure failure occurs due to the combined action of the battery effect and the impurities that enter the
また、電池効果によるオフセット電圧の発生を抑制しているので、液晶27の材料やシール剤26の材料について不純物などの含有を厳しく管理する必要性を低くできる。このため、液晶27の材料やシール剤26の材料についての選択の自由度を従来よりも大きくすることができる。また、液晶27の材料やシール剤26からの不純物を抑制するためのプロセス管理の精度もある程度緩和することが可能となるため、プロセス管理を容易にすることができる。
Further, since the occurrence of the offset voltage due to the battery effect is suppressed, it is possible to reduce the necessity of strictly managing the inclusion of impurities and the like in the material of the
(実施の形態4)
図34〜図36は、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態4を説明するための断面模式図である。図34〜図36を参照して、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態4を説明する。なお、図34〜図36に示した製造方法によって得られる液晶表示装置は、基本的に図1に示した液晶表示装置と同様の構造を備える。
(Embodiment 4)
34 to 36 are schematic cross-sectional views for explaining
まず、図2〜図9に示した液晶表示装置の製造方法の工程を実施した後、さらに図26に示した工程を実施する。図26に示したような、画素電極および端子電極5を形成する工程における2回目の写真製版加工によってレジスト膜58が形成された状態で、図34に示すようにエッチング液62を用いたウエットエッチングによりクロム膜56を部分的に除去する。この結果、下地電極20a、20b(図35参照)が形成される。ここで、エッチング液62としては、通常のクロム膜用エッチング液を用いる。たとえば、エッチング液62として、硝酸第2セリウムアンモニウムと過塩素酸との水溶液を用いることができる。この結果、図35に示すような構造を得る。
First, after carrying out the steps of the method for manufacturing the liquid crystal display device shown in FIGS. 2 to 9, the step shown in FIG. 26 is further carried out. In a state where the resist
図35からもわかるように、エッチング液62を用いたエッチングによって、コンタクトホール19bの内壁上および有機絶縁膜18の上部表面上にセリウム水酸化物30が析出した状態となっている。
As can be seen from FIG. 35, the
そこで、下地電極20a、20bを形成するために用いたレジスト膜58を除去する前に、つまりエッチング液62を用いたエッチングに続けて、図36に示すようにエッチング液33によってセリウム水酸化物30を除去する表面処理を実施する。このエッチング液33としてはセリウム水酸化物30を除去できればどのような薬液を用いてもよい。セリウム水酸化物30はある程度の酸性溶液を用いて溶解除去することができるため、たとえばリン酸、硝酸、酢酸、塩酸の少なくとも1つを含有する水溶液などの酸性溶液をエッチング液33として用いることができる。また、エッチング液33として、たとえばアルミニウム用エッチング液として入手可能なリン酸、硝酸、酢酸および水の混合液(容量比がリン酸:硝酸:酢酸:水=80:5:5:10)を用いてもよい。このリン酸、硝酸、酢酸および水の混合液を用いた場合の上記表面処理の処理時間はたとえば30秒程度とすることができる。この結果、有機絶縁膜18の表面からセリウム水酸化物30(図35参照)を除去することができる。
Therefore, before removing the resist
この後、図29および図30に示した工程と同様の工程を実施することにより、図1に示したような液晶表示装置を得ることができる。 Thereafter, a process similar to that shown in FIGS. 29 and 30 is performed, whereby the liquid crystal display device as shown in FIG. 1 can be obtained.
このようにしても、本発明の実施の形態2に示した液晶表示装置の製造方法と同様に、透過電極3、反射電極4、端子電極5、および下地電極20a、20bを形成するために、図8、図26および図29で示した3回の写真製版加工工程を実施すればよい。この結果、本発明による液晶表示装置の実施の形態2と同様の効果を得ることができる。
Even in this case, in order to form the
また、クロム膜56(図34参照)のエッチング後に、図36に示したように酸性溶液であるエッチング液33で表面処理を実施することにより、有機絶縁膜18の表面に微量に析出したセリウム水酸化物30(図35参照)を溶解除去することができる。また、このようなエッチング液33による表面処理の際にレジスト膜58によって反射電極4の表面は覆われているので、このような酸性溶液であるエッチング液33による表面処理を実施してもアルミニウム系合金で構成された反射電極4がこのエッチング液33によって腐食などのダメージを受けるといった問題の発生を避けることができる。
Further, after etching the chromium film 56 (see FIG. 34), surface treatment is performed with an
そして、有機絶縁膜18の表面にセリウム水酸化物30が残存しない状態で(セリウム水酸化物30を有機絶縁膜18の表面から除去した状態で)アモルファス状態のITO膜59(図29参照)を成膜するので、セリウム水酸化物の存在に起因してこのアモルファス状態のITO膜59が部分的に結晶化することはない。したがって、このITO膜59をエッチングするためのシュウ酸系のエッチング液を用いたウエットエッチングにおいて、結晶化したITO膜が部分的に残渣として残るといった問題の発生確率を低減できる。
Then, the amorphous ITO film 59 (see FIG. 29) is formed with no
また、図36に示した工程では、上述のようにアルミニウム合金用のエッチング液として入手可能なリン酸、硝酸、酢酸、水の混合液をエッチング液33として用いることができるが、このような水溶液を用いた場合には、他の工程でのアルミニウム合金膜に対するエッチング処理において用いる処理装置を図36に示した工程を実施するための処理装置として流用することができる。つまり、図36に示した工程を実施するために、新たなエッチング装置などの処理装置や薬液供給ラインなどを新設する必要がない。したがって、液晶表示装置の製造コストの増大を抑制できる。なお、上述のようなアルミニウム合金用のエッチング液に代えて、リン酸、酢酸、塩酸、硝酸等の酸性溶液を単独あるいは混合液等の形態でエッチング液33(図36参照)として用いても、ほぼ同様の効果を得ることができる。
In the step shown in FIG. 36, a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, and water which can be obtained as an etching solution for an aluminum alloy as described above can be used as the
(実施の形態5)
図37は、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態5を説明するための断面模式図である。図37を参照して、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態5を説明する。なお、図37に示した製造方法を用いて製造される液晶表示装置は、基本的には図1に示した液晶表示装置と同様の構造を備える。
(Embodiment 5)
FIG. 37 is a schematic cross-sectional view for explaining
まず、図2〜図9に示した製造方法を実施した後、図26に示した工程を実施する。さらに、図34および図35に示した工程を実施した後、図37に示すように、有機絶縁膜18の表面に析出したセリウム水酸化物30(図35参照)を除去するため、矢印34で示すように酸素プラズマ(酸素を反応ガスとするプラズマ)を用いて表面処理を実施する。この表面処理の処理条件としては、たとえば処理を行なっている反応容器への反応ガスとしての酸素の流量を0.5リットル/分(500sccm)、RFパワーを1200W、反応容器内の圧力を220Paとして、処理時間を120秒とすることができる。このような酸素プラズマを用いた処理によっても、有機絶縁膜18の表面からセリウム水酸化物30を除去することができる。
First, after the manufacturing method shown in FIGS. 2 to 9 is performed, the process shown in FIG. 26 is performed. Further, after performing the steps shown in FIGS. 34 and 35, as shown in FIG. 37, the cerium hydroxide 30 (see FIG. 35) deposited on the surface of the organic insulating
この後、本発明の実施の形態4における製造方法と同様に、図29に示した工程および図30に示した工程と同様の工程を実施することにより、図1に示したような構造の液晶表示装置を得ることができる。 Thereafter, in the same manner as in the manufacturing method according to the fourth embodiment of the present invention, the liquid crystal having the structure shown in FIG. 1 is obtained by performing the steps shown in FIG. 29 and the step shown in FIG. A display device can be obtained.
このように、下地電極20a、20bを形成するためのクロム膜56(図34参照)のエッチング後に、レジスト膜58を除去することなくそのまま続けて酸素プラズマによる表面処理を行なうことにより、有機絶縁膜18の表面に微量に析出したセリウム水酸化物30(図35参照)を除去することができる。また、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態4の場合と同様に、レジスト膜58で反射電極4が覆われているため、酸素プラズマによる表面処理を行なっても、アルミニウム系合金膜によって形成された反射電極4に酸素プラズマによる処理に起因するダメージが発生する可能性を低減できる。
In this way, after etching the chromium film 56 (see FIG. 34) for forming the
また、図37に示した工程では、セリウム水酸化物30を除去するために酸素プラズマを用いたが、セリウム水酸化物30を除去することができれば他の方法を用いてもよい。たとえば、セリウム水酸化物30を除去するため、通常のドライエッチングに使用される4フッ化炭素ガス(CF4)、トリフルオロメタンガス(CHF3)、6フッ化硫黄ガス(SF6)、塩素ガス(Cl2)などのエッチングガスを用いてドライエッチング処理を行なってもよい。この場合も、図37に示したような酸素プラズマを用いた表面処理を実施した場合と同様の効果を得ることができる。なお、上述した実施の形態では、クロムを画素電極の下地電極20a、20bの材料として用い、また、ITOを透過電極3の材料として用いた場合を示しているが、クロムおよびITOを他の用途に用いる場合であっても、先にクロム膜を成膜、エッチング加工し、その後ITO膜の成膜を行なうような工程であれば、本発明を適用できる。
In the step shown in FIG. 37, oxygen plasma is used to remove the
(実施の形態6)
図38は、本発明による液晶表示装置の実施の形態6を示す断面模式図である。図38を参照して、本発明による液晶表示装置の実施の形態6を説明する。
(Embodiment 6)
FIG. 38 is a schematic sectional
図38に示すように、液晶表示装置は、基本的には図1に示した液晶表示装置と同様の構造を備えるが、図1に示したクロム膜からなる下地電極20a、20bに代えて、モリブデン(Mo)系合金膜からなる下地電極63a、63bが形成されている点が異なる。モリブデン系合金膜は、反射電極4を構成するアルミニウム系合金膜および透過電極3を構成するITO膜との両方と電気的導通を図ることができる。また、モリブデン系合金膜は、有機絶縁膜18に形成されたコンタクトホール19a、19cを介して下層の電極16cおよび配線21と低抵抗の接続部を安定して形成することができる。なお、ここでモリブデン系合金膜とは、モリブデンを主成分とする合金膜(金属膜)をいう。
As shown in FIG. 38, the liquid crystal display device basically has the same structure as the liquid crystal display device shown in FIG. 1, but instead of the
図39〜図43は、図38に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図39〜図43を参照して、図38に示した液晶表示装置の製造方法を説明する。 39 to 43 are schematic cross-sectional views for explaining a method of manufacturing the liquid crystal display device shown in FIG. A manufacturing method of the liquid crystal display device shown in FIG. 38 will be described with reference to FIGS.
まず、図2〜図6に示した工程を実施した後、図39に示すようにモリブデン系合金膜64およびアルミニウム系合金膜57を、スパッタリング法を用いて連続的に形成する。モリブデン系合金膜64の膜厚はたとえば50nm程度とすることができる。また、アルミニウム系合金膜57の膜厚はたとえば150nm程度とすることができる。
First, after carrying out the steps shown in FIGS. 2 to 6, as shown in FIG. 39, a molybdenum-based
次に、図40に示すように、画素電極および端子電極5を形成する工程における1回目の写真製版加工工程によりレジスト膜58を形成する。このレジスト膜58は、反射電極4(図38参照)を形成するためのエッチングにおけるマスクとして作用する。
Next, as shown in FIG. 40, a resist
そして、このレジスト膜58をマスクとして用いて、ウエットエッチングによりアルミニウム系合金膜57を部分的に除去する。このウエットエッチングにおいて用いるエッチング液としては、たとえばリン酸と酢酸との水溶液等を用いることができる。この後レジスト膜58を除去する。この結果、図41に示すように、反射電極4を形成することができる。
Then, using the resist
次に、図26に示した工程と同様に、下地電極63a、63b(図38参照)を形成するためのレジスト膜58(図26参照)を、2回目の写真製版加工工程を実施することによって形成する。このレジスト膜58をマスクとして用いてモリブデン系合金膜64を部分的にウエットエッチングにより除去する。このエッチングにおいて用いるエッチング液としては、たとえばリン酸と硝酸と酢酸との水溶液などを用いることができる。この後レジスト膜58を除去する。この結果、図42に示すように、下地電極63a、63bを形成することができる。また、下地電極63a、63bの端部側壁によって構成される開口部22においては、有機絶縁膜18に形成されたコンタクトホール19bが露出している。
Next, similarly to the process shown in FIG. 26, the resist film 58 (see FIG. 26) for forming the
次に、図29に示した工程と同様の工程を実施することにより、アモルファス状態のITO膜59(図29参照)を形成する。このITO膜59上に3回目の写真製版加工工程によりレジスト膜58(図29参照)を形成する。このレジスト膜58をマスクとしてITO膜59をウエットエッチングにより部分的に除去する。その後レジスト膜58を除去する。なお、このエッチングにおいて用いるエッチング液としては、たとえばシュウ酸系のエッチング液を用いることができる。この結果、図43に示すようにITO膜からなる透過電極3および端子電極5を形成することができる。このようにして、合計3回の写真製版加工により半透過型の液晶表示装置における画素電極(透過電極3、端子電極5、下地電極63a)と端子電極(下地電極63bおよび端子電極5)とを形成することができる。
Next, an amorphous ITO film 59 (see FIG. 29) is formed by performing a process similar to the process shown in FIG. A resist film 58 (see FIG. 29) is formed on the
この後、図16に示した工程後の工程と同様に、配向膜28aの形成工程、カラーフィルタ23、対向電極24および配向膜28bが形成された対向ガラス基板25を準備する工程、ガラス基板1と上述の対向ガラス基板25とをシール剤26を介して貼り合わせる工程、対向ガラス基板25とガラス基板1との間に形成された間隙に液晶27を注入封止する工程を実施することにより、図38に示すような液晶表示装置を得ることができる。
Thereafter, similarly to the step after the step shown in FIG. 16, the step of forming the
このように、下地電極63a、63bを構成する材料としてモリブデン系合金膜を用いることにより、クロム膜からなる下地電極20a、20bを形成するために使用していたセリウムを含むクロム膜用のエッチング液をエッチング工程において使用する必要がなくなる。このため、セリウム水酸化物30(図35参照)が発生することはない。そして、このように有機絶縁膜18上にセリウム水酸化物がない状態で、アモルファス状態のITO膜を成膜するので、セリウム水酸化物の存在に起因するアモルファス状態のITO膜の部分的な結晶化を抑制することができる。このため、ITO膜をエッチングする際に、通常のシュウ酸系のエッチング液を用いても、結晶化したITO膜が残渣として残存することはない。
Thus, by using a molybdenum-based alloy film as a material constituting the
また、モリブデン系合金膜やモリブデン膜は、上述したクロムと同様に反射電極4を構成するアルミニウム系合金膜および透過電極3を構成するITOとの両方と問題なく電気的な導通を図ることができる。さらに、モリブデン系合金膜やモリブデン膜は、有機絶縁膜18に形成されたコンタクトホール19aを介して下層の電極16cと低抵抗の接続部を形成することができる。つまり、モリブデンは下地電極63a、63bの材料として適した材料である。
In addition, the molybdenum-based alloy film and the molybdenum film can be electrically connected to both the aluminum-based alloy film constituting the
ここで、本発明に従った液晶表示装置の一例としての図1に示した半透過型の液晶表示装置の特徴的な構成を要約すれば、液晶表示装置は、基板としてのガラス基板1と、ガラス基板1上に形成された下地導電体膜としての下地電極20aと、反射電極4と、透過電極3とを備える。反射電極4は、下地電極20a上に、下地電極20aと電気的に接続するように形成されている。たとえば、反射電極4は下地電極20aに接触するとともに下地電極20aの一部(下地電極20a端部37の上部表面)が露出するように形成されていてもよい。反射電極4は、液晶27を駆動する電界を形成するためのものである。透過電極3は、ガラス基板1上において反射電極4が形成された領域以外の領域(反射電極4と重ならない領域)に位置する部分(コンタクトホール19bの内部に位置する部分)と、下地電極20aの一部(端部37)に電気的に接続する部分(たとえば、透過電極3において下地電極20aと接触する部分、より具体的には下地電極20aの端部37上に乗り上げてその上部表面と接触する端部38)を含む。透過電極3は、液晶27を駆動する電界を形成するためのものである。下地電極20aを構成する材料は、透過電極3および反射電極4の両方と接触することにより電気的導通をとることが可能な材料であることが好ましい。
Here, to summarize the characteristic configuration of the transflective liquid crystal display device shown in FIG. 1 as an example of the liquid crystal display device according to the present invention, the liquid crystal display device includes a
このようにすれば、下地電極20aから透過電極3および反射電極4のそれぞれに電荷を供給できる。このため、下地電極20aをガラス基板1上の導電層(電極16c)に接続するために1つのコンタクトホール19aを形成すればよい。したがって、導電層(電極16c)と透過電極3および反射電極4のそれぞれとを接続するために、図21に示すように2つのコンタクトホール19a、19dを形成する場合より、コンタクトホールの数を少なくできる。このようなコンタクトホールが形成された部分は、反射電極4における光の反射効率が他の部分より低い。そのため、本発明に従った液晶表示装置ではコンタクトホールが形成された部分により光の反射効率が低下する程度を軽減できる。この結果、相対的に反射効率の良い(十分な光量を確保できる)液晶表示装置を実現できる。
In this way, charges can be supplied from the
また、下地電極20a下に位置する導電層(電極16c)と、透過電極3および反射電極4とを下地電極20aを介して電気的に接続することができる。そのため、透過電極3または反射電極4の材料として、電極16cとの接続部の電気抵抗値が高くなるような材料を用いても、下地電極20aの材料を適宜選択することにより、電極16cと下地電極20aとの接続部の接続コンタクト抵抗値を十分小さくできる。このため、電極16cと透過電極3および反射電極4との電気的接続を確実に行なうことができる。
In addition, the conductive layer (
上記液晶表示装置において、下地電極20aの一部(端部37)は、下地電極20aの端部に位置していてもよい。
In the liquid crystal display device, a part (end portion 37) of the
この場合、下地電極20aの端部37に下地電極20aと透過電極3との電気的な接続部が位置することになる。そのため、上記接続部が下地電極20aのたとえば中央部に位置する場合より、透過電極3と下地電極20aとの重なる領域の面積(つまり、透過電極3のうち下地電極20aの存在により光を透過できない領域の面積)を小さくできる。この結果、透過電極3において有効に光を透過する部分の面積の割合を大きくできるので、液晶表示装置において十分な光量を確保することができる。
In this case, the electrical connection portion between the
上記液晶表示装置では、透過電極3において下地電極20aの一部(端部37)と電気的に接続する部分(端部37の表面と接触する部分)が透過電極3の端部に位置していてもよい。
In the liquid crystal display device, a portion of the
この場合、透過電極3と下地電極20aとの重なる領域の面積を最も小さくできる。このため、透過電極3において有効に光を透過する部分の面積の割合を最も大きくできるので、液晶表示装置において十分な光量を確保することができる。
In this case, the area of the region where the
上記液晶表示装置は、図31に示すように、反射電極4と液晶27を介して対向し、透過電極3と同じ材料により構成される対向電極24を備えていてもよい。透過電極3は、図31に示すように反射電極4の全体を覆うように形成されていてもよい。
As shown in FIG. 31, the liquid crystal display device may include a
この場合、反射電極4を覆う透過電極3と対向電極24とが同じ材料により構成されるので、液晶27を駆動中にいわゆる電池効果は起こらない。このため、電池効果による電圧に起因して、いわゆる液晶の焼付き不良が発生する可能性を低減できる。
In this case, since the
上記液晶表示装置は、透過電極3下に下地膜としての有機絶縁膜18を備えていてもよい。上述した本発明の実施の形態2〜6における製造方法により形成された液晶表示装置のように、透過電極3は有機絶縁膜18にセリウム水酸化物を介することなく接触するように形成されていることが好ましい。
The liquid crystal display device may include an organic insulating
この場合、透過電極3における光の透過率が、セリウム水酸化物の存在に起因して低下するという問題の発生を抑制できる。
In this case, it is possible to suppress the occurrence of the problem that the light transmittance in the
上記液晶表示装置において、ガラス基板1は、反射電極4および透過電極3が形成された表示画素領域と、端子領域とを含むことが好ましい。液晶表示装置は、端子領域において、ガラス基板1上に形成され、下地電極20aと同一レイヤにより構成される端子用下地導電体膜としての下地電極20bと、下地電極20b上に形成され、透過電極3と同一レイヤにより構成される端子電極5とを備えていることが好ましい。
In the liquid crystal display device, the
この場合、下地電極20b下に位置する下層導電層(配線21)と、端子電極5とを下地電極20bを介して電気的に接続することができる。そのため、端子電極5の材料として、配線21との接続部の電気抵抗値が高くなるような材料を用いても、下地電極20bの材料を適宜選択することにより、配線21と下地電極20bとの接続部の接続コンタクト抵抗値を十分小さくできる。このため、配線21と端子電極5との電気的接続を確実に行なうことができる。
In this case, the lower conductive layer (wiring 21) located under the
また、下地電極20aおよび透過電極3と同時に、下地電極20bおよび端子電極5を形成できるので、この下地電極20bおよび端子電極5を形成するために製造工程数が増加することはない。その為、液晶表示装置の製造コストが増大することを避けることができる。
Further, since the
上記液晶表示装置において、端子電極5はスズ添加酸化インジウム(ITO)を含んでいてもよい。
In the liquid crystal display device, the
この場合、ITO膜は耐腐食性に優れ、また接触抵抗も安定しているため、端子電極5の材料として特に適している。
In this case, the ITO film is particularly suitable as a material of the
上記液晶表示装置において、下地電極20aは、クロム(Cr)を主成分とする金属およびモリブデン(Mo)を主成分とする金属の少なくともいずれか一方を含んでいてもよい。反射電極4は、アルミニウムを主成分とする金属(たとえばアルミニウムまたはアルミニウム系合金)および銀を主成分とする金属(たとえば銀または銀系合金)の少なくともいずれか一方を含んでいてもよい。透過電極3はスズ添加酸化インジウム(ITO)を含んでいてもよい。
In the liquid crystal display device, the
この場合、アルミニウムや銀は、光の反射率が高いため、反射電極4の材料として適している。また、スズ添加酸化インジウムは透明性導電材料であるため、光を透過させる透過電極3の材料として適している。そして、クロムまたはモリブデンは、上記したアルミニウムや銀およびスズ添加酸化インジウムと電気的に接続可能な材料であるため、下地電極20aの材料として適している。
In this case, aluminum or silver is suitable as a material for the
また、本発明に従った液晶表示装置の製造方法の一例である、半透過型の液晶表示装置の製造方法では、上述した実施の形態2において説明したように、図2に示すような構造がその表面に形成されたガラス基板1を準備する工程の後、ガラス基板1上に(具体的にはガラス基板1上に形成された有機絶縁膜18上に)、クロムを主成分とする金属膜としてのクロム膜56を形成する工程(図7に示した工程)を実施する。このクロム膜56は、液晶表示装置の画素を構成する画素電極(透過電極3および反射電極4)の下地導電体膜(下地電極20a)となるべき膜である。そして、クロム膜56をウエットエッチングにより部分的に除去することにより基板の一部(具体的には有機絶縁膜18の表面の一部)を露出させる加工工程(図26および図27に示した工程)を実施する。そして、図29に示すように、基板の露出した部分(有機絶縁膜18の露出した部分)上に透明性導電体膜としてのITO膜59を形成する工程を実施する。そして、図30に示すように、透明性導電体膜(ITO膜59)をエッチングにより部分的に除去することにより、基板の一部(具体的には有機絶縁膜18の表面の一部)を露出させる工程を実施する。加工工程において用いられるエッチング液60(図27参照)は、リン酸、硝酸、酢酸および塩酸からなる群から選択される少なくとも1つを0.1規定以上含有する硝酸第二セリウムアンモニウムの水溶液である。
In addition, in the method for manufacturing a transflective liquid crystal display device, which is an example of the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the structure as shown in FIG. After the step of preparing the
このようにすれば、加工工程の後エッチング液をガラス基板1上から除去するときにも、エッチング液がリン酸などを十分含んでいるので、エッチング液を安定して酸性に保つことができる。このため、ガラス基板1表面にセリウム水酸化物が析出残存する可能性を低減できる。したがって、ガラス基板1上に透過電極3を形成する場合に、セリウム水酸化物の存在に起因して透過電極3での光の透過率が低下する可能性を低減できる。
In this way, even when the etching solution is removed from the
また、本発明に従った液晶表示装置の製造方法の一例である、半透過型の液晶表示装置の製造方法では、上述した実施の形態2において説明したように、ガラス基板1を準備する工程(図2に示すような構造がその表面に形成されたガラス基板1を準備する工程)の後、有機絶縁膜18が形成されたガラス基板1上に(つまり有機絶縁膜18上に)、クロムを主成分とする金属膜としてのクロム膜56を形成する工程(図7に示した工程)を実施する。なお、このクロム膜56は、液晶表示装置の画素を構成する画素電極(透過電極3および反射電極4)の下地導電体膜(下地電極20a)となるべき膜である。そして、クロム膜56をウエットエッチングにより部分的に除去することにより基板の一部(つまり有機絶縁膜18の表面の一部)を露出させる加工工程(図26および図27に示した工程)を実施する。そして、図29に示すように、基板の露出した部分(有機絶縁膜18の露出した部分)上に透明性導電体膜としてのITO膜59を形成する工程を実施する。そして、図30に示すように、透明性導電体膜(ITO膜59)をエッチングにより部分的に除去することにより、基板の一部(具体的には有機絶縁膜18の表面の一部)を露出させる工程を実施する。加工工程において用いられるエッチング液は、過塩素酸を10質量%以上含有する硝酸第二セリウムアンモニウムの水溶液である。
Further, in the method for manufacturing a transflective liquid crystal display device, which is an example of the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, as described in the second embodiment, the step of preparing the glass substrate 1 ( After the step of preparing the
このようにすれば、加工工程の後エッチング液をガラス基板1上から除去するときにも、エッチング液が過塩素酸を十分含んでいるので、エッチング液を安定して酸性に保つことができる。このため、ガラス基板1表面にセリウム水酸化物が析出残存する可能性を低減できる。したがって、上述した液晶表示装置の製造方法と同様に、ガラス基板1上に透過電極3を形成する場合、セリウム水酸化物の存在に起因して透過電極3での光の透過率が低下する可能性を低減できる。なお、透明性導電体膜としてITO以外の材料からなる膜を用いてもよい。
In this way, even when the etching solution is removed from the
また、本発明に従った液晶表示装置の製造方法の一例である、半透過型の液晶表示装置の製造方法では、上述した実施の形態4および5において説明したように、図2に示すような構造が表面に形成されたのガラス基板1を準備する工程の後、ガラス基板1上に(ガラス基板1上に形成された有機絶縁膜18上に)、クロムを主成分とする金属膜としてのクロム膜56を形成する工程(図7に示した工程)を実施する。なお、クロム膜56は液晶表示装置の画素を構成する画素電極(透過電極3および反射電極4)の下地導電体膜(下地電極20a)となるべき膜である。そして、クロム膜56上にマスク層としてのレジスト膜58を形成する工程(図26に示した工程)を実施する。さらに、レジスト膜58が存在する状態で、クロム膜56を部分的にエッチングにより除去する加工工程(図34に示した工程)を実施する。加工工程の後、レジスト膜58が存在する状態でクロム膜56が形成されたガラス基板1の表面(具体的には、クロム膜56が形成された有機絶縁膜18の表面)を洗浄する表面処理工程(図36または図37に示した工程)を実施する。
Further, in the method for manufacturing a transflective liquid crystal display device, which is an example of the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, as described in the fourth and fifth embodiments, as shown in FIG. After the step of preparing the
このようにすれば、加工工程の後、ガラス基板1上にセリウム水酸化物が析出していても、表面処理工程によりそのセリウム水酸化物を除去することができる。このため、セリウム水酸化物の析出に起因する不具合の発生確率を低減できる。
If it does in this way, even if a cerium hydroxide has precipitated on
また、表面処理工程を実施するときにはレジスト膜58が形成されたままの状態であるので、この表面処理により反射電極4などが損傷を受ける可能性を低減できる。
Further, since the resist
上記液晶表示装置の製造方法において、表面処理工程では、燐酸、硝酸、酢酸および塩酸からなる群から選択される少なくとも1つを含有する水溶液(エッチング液33)でガラス基板1の表面(具体的には有機絶縁膜18の表面)を洗浄してもよい。 In the liquid crystal display device manufacturing method, in the surface treatment step, the surface of the glass substrate 1 (specifically, an aqueous solution (etching solution 33) containing at least one selected from the group consisting of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, and hydrochloric acid). May clean the surface of the organic insulating film 18).
この場合、酸性溶液である水溶液(エッチング液33)でガラス基板1の表面を洗浄することになる。そして、セリウム水酸化物は酸性溶液により溶解されるため、表面処理工程によりガラス基板1の表面からセリウム水酸化物を確実に除去することができる。
In this case, the surface of the
上記液晶表示装置の製造方法において、表面処理工程では、酸素を反応ガスとして用いたプラズマ(酸素プラズマ)をガラス基板1の表面(具体的には有機絶縁膜18の表面)に接触させることによりガラス基板1の表面(有機絶縁膜18の表面)を洗浄してもよい。 In the manufacturing method of the liquid crystal display device, in the surface treatment step, a glass (oxygen plasma) using oxygen as a reactive gas is brought into contact with the surface of the glass substrate 1 (specifically, the surface of the organic insulating film 18). The surface of the substrate 1 (the surface of the organic insulating film 18) may be cleaned.
また、上記液晶表示装置の製造方法において、表面処理工程では、4フッ化炭素ガス(CF4)、トリフルオロメタンガス(CHF3)、6フッ化硫黄ガス(SF6)および塩素ガス(Cl2)からなる群から選択される少なくとも1つを反応ガスとして用いたプラズマをガラス基板1の表面(具体的には有機絶縁膜18の表面)に接触させることにより、ガラス基板1の表面(有機絶縁膜18の表面)を洗浄してもよい。 In the method for manufacturing a liquid crystal display device, in the surface treatment step, carbon tetrafluoride gas (CF 4 ), trifluoromethane gas (CHF 3 ), sulfur hexafluoride gas (SF 6 ), and chlorine gas (Cl 2 ). The surface of the glass substrate 1 (organic insulating film) is brought into contact with the surface of the glass substrate 1 (specifically, the surface of the organic insulating film 18) by using plasma using at least one selected from the group consisting of 18 surfaces) may be cleaned.
この場合、上述のような酸素や4フッ化炭素ガスなどを反応ガスとして用いたプラズマにより、セリウム水酸化物をガラス基板1の表面から容易に除去することができる。
In this case, cerium hydroxide can be easily removed from the surface of the
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above-described embodiment but by the scope of claims, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims.
1 ガラス基板、2 薄膜電界効果トランジスタ、3 透過電極、4 反射電極、5 端子電極、6 下地膜、7a,7b ソース/ドレイン領域、8 チャネル領域、9 下部電極、10,17 絶縁膜、11 蓄積容量、12 ゲート電極、13 共通電極、14 保護膜、15a〜15c,19a〜19d コンタクトホール、16a〜16c 電極、18 有機絶縁膜、20a,20b,63a,63b 下地電極、21 配線、22 開口部、23 カラーフィルタ、24 対向電極、25 対向ガラス基板、26 シール剤、27 液晶、28a,28b 配向膜、29a,29b ポリシリコン膜、30 セリウム水酸化物、31 結晶化したITO膜、33,60,62 エッチング液、34 矢印、35,36 側面、37,38 端部、51 シリコン窒化膜、52 シリコン酸化膜、53,55 モリブデン膜、54,57 アルミニウム系合金膜、56 クロム膜、58 レジスト膜、59 ITO膜、61 延在部、64 モリブデン系合金膜。
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記基板上に形成された下地導電体膜と、
前記下地導電体膜上に、前記下地導電体膜の一部以外の部分を覆うことにより、前記下地導電体膜と電気的に接続するように形成された反射電極と、
前記基板上において前記反射電極が形成された領域以外の領域に位置する部分と、前記下地導電体膜において前記反射電極により覆われていない前記一部の上に形成されることにより、前記下地導電体膜と電気的に接続する部分とを含む透過電極とを備える、液晶表示装置。 A substrate,
An underlying conductor film formed on the substrate;
A reflective electrode formed on the base conductor film so as to be electrically connected to the base conductor film by covering a portion other than a part of the base conductor film;
A portion located in a region other than the region where the reflective electrode is formed in the substrate by being formed on the underlying conductor the reflection is not covered by the electrode and the part in the membrane, the electroconductive base A liquid crystal display device comprising: a transmissive electrode including a portion electrically connected to the body membrane .
前記透過電極は、前記反射電極の全体を覆うように形成されている、請求項1または2に記載の液晶表示装置。 The reflective electrode is opposed to the liquid crystal via a liquid crystal, and includes a counter electrode made of the same material as the transmissive electrode,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the transmissive electrode is formed so as to cover the entirety of the reflective electrode.
前記透過電極は前記下地膜にセリウム水酸化物を介することなく接触するように形成されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 A base film is provided under the transmissive electrode,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the transmissive electrode is formed so as to be in contact with the base film without a cerium hydroxide interposed therebetween.
前記端子領域において、前記基板上に形成され、前記下地導電体膜と同一レイヤにより構成される端子用下地導電体膜と、
前記端子用下地導電体膜上に形成され、前記透過電極と同一レイヤにより構成される端子電極とを備える、請求項1〜5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 The substrate includes a display pixel region in which the reflective electrode and the transmissive electrode are formed, and a terminal region,
In the terminal region, a base conductor film for terminals formed on the substrate and configured by the same layer as the base conductor film;
6. The liquid crystal display device according to claim 1, further comprising: a terminal electrode formed on the terminal base conductor film and configured by the same layer as the transmissive electrode. 7.
前記反射電極は、アルミニウムおよび銀の少なくともいずれか一方を含み、
前記透過電極はスズ添加酸化インジウムを含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 The underlying conductor film includes at least one of a metal mainly composed of chromium and a metal mainly composed of molybdenum,
The reflective electrode includes at least one of aluminum and silver,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the transmissive electrode includes tin-added indium oxide.
前記クロムを主成分とする金属膜上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層が存在する状態で、前記クロムを主成分とする金属膜を、硝酸第2セリウムアンモニウムのエッチング液を用いて部分的に除去する加工工程と、
前記加工工程の後、前記マスク層が存在する状態で前記クロムを主成分とする金属膜が形成された基板の表面を、燐酸、硝酸、酢酸および塩酸からなる群から選択される少なくとも1つを含有する水溶液を用いて洗浄する表面処理工程とを備える、液晶表示装置の製造方法。 Forming a metal film mainly composed of chromium on the substrate;
Forming a mask layer on the chromium-based metal film;
A processing step of partially removing the chromium-containing metal film using a ceric ammonium nitrate etchant in the presence of the mask layer;
After the processing step, at least one selected from the group consisting of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, and hydrochloric acid is formed on the surface of the substrate on which the metal film mainly composed of chromium is formed in the presence of the mask layer. A method for producing a liquid crystal display device, comprising: a surface treatment step of washing using an aqueous solution containing the aqueous solution .
前記クロムを主成分とする金属膜上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層が存在する状態で、前記クロムを主成分とする金属膜を、硝酸第2セリウムアンモニウムのエッチング液を用いて部分的に除去する加工工程と、
前記加工工程の後、前記マスク層が存在する状態で前記クロムを主成分とする金属膜が形成された基板の表面を、酸素を反応ガスとして用いたプラズマを前記基板の表面に接触させることにより洗浄する表面処理工程とを備える、液晶表示装置の製造方法。 Forming a metal film mainly composed of chromium on the substrate;
Forming a mask layer on the chromium-based metal film;
A processing step of partially removing the chromium-based metal film using a ceric ammonium nitrate etchant in the presence of the mask layer;
After the processing step, the surface of the substrate on which the metal film mainly composed of chromium is formed in the state where the mask layer is present is brought into contact with the surface of the substrate using plasma using oxygen as a reactive gas. I Ru and a Riarai purification to surface treatment step, a method of manufacturing a liquid crystal display device.
前記クロムを主成分とする金属膜上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層が存在する状態で、前記クロムを主成分とする金属膜を、硝酸第2セリウムアンモニウムのエッチング液を用いて部分的に除去する加工工程と、
前記加工工程の後、前記マスク層が存在する状態で前記クロムを主成分とする金属膜が形成された基板の表面を、4フッ化炭素ガス、トリフルオロメタンガス、6フッ化硫黄ガスおよび塩素ガスからなる群から選択される少なくとも1つを反応ガスとして用いたプラズマを前記基板の表面に接触させることにより洗浄する、液晶表示装置の製造方法。 Forming a metal film mainly composed of chromium on the substrate;
Forming a mask layer on the chromium-based metal film;
A processing step of partially removing the chromium-containing metal film using a ceric ammonium nitrate etchant in the presence of the mask layer;
After the processing step, the surface of the substrate on which the metal film mainly composed of chromium is formed in the state where the mask layer is present is formed using carbon tetrafluoride gas, trifluoromethane gas, sulfur hexafluoride gas, and chlorine gas. to Riarai purification by a plasma using at least one selected from the group as a reaction gas to be contacted with the surface of the substrate made of, method of manufacturing a liquid crystal display device.
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