JP4350008B2 - Semiconductor device and camera module - Google Patents

Semiconductor device and camera module Download PDF

Info

Publication number
JP4350008B2
JP4350008B2 JP2004251882A JP2004251882A JP4350008B2 JP 4350008 B2 JP4350008 B2 JP 4350008B2 JP 2004251882 A JP2004251882 A JP 2004251882A JP 2004251882 A JP2004251882 A JP 2004251882A JP 4350008 B2 JP4350008 B2 JP 4350008B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold resin
external connection
semiconductor device
connection terminal
protrusion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004251882A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2006073585A (en
Inventor
政樹 脇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Semiconductor Ltd
Original Assignee
Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Semiconductor Ltd filed Critical Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority to JP2004251882A priority Critical patent/JP4350008B2/en
Publication of JP2006073585A publication Critical patent/JP2006073585A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4350008B2 publication Critical patent/JP4350008B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は半導体装置およびカメラモジュールに関する。   The present invention relates to a semiconductor device and a camera module.

近年、小型カメラが組み込まれた携帯電話機やハンディパソコン(携帯型パーソナルコンピュータ)が開発されている。例えば、小型カメラを備えた携帯電話機は、映像を小型カメラにより撮像して画像データとして取り込み、通話者が相手にその画像データを送信する。このような小型カメラは、一般的にCMOSセンサとして形成された撮像素子とレンズとにより構成される。   In recent years, mobile phones and handy personal computers (portable personal computers) incorporating small cameras have been developed. For example, a mobile phone equipped with a small camera captures an image with a small camera and captures it as image data, and a caller transmits the image data to the other party. Such a small camera is generally composed of an image sensor and a lens formed as a CMOS sensor.

携帯電話機やハンディパソコンはより一層の小型化が進められており、これらに使用される小型カメラにも小型化が要求されている。このようなカメラへの小型化の要求を満足するために、CMOSセンサとレンズとを一体的に配置したカメラモジュールが開発されている。   Mobile phones and handy personal computers are being further miniaturized, and miniaturization is also required for the small cameras used in them. In order to satisfy such a demand for miniaturization of a camera, a camera module in which a CMOS sensor and a lens are integrally arranged has been developed.

このようなカメラモジュールにはBCC(バンプチップキャリア)パッケージ型の半導体装置が含まれており、この半導体装置は半導体素子と、半導体素子を封止するモールド樹脂とで構成されている。BCCパッケージ型の特徴として、モールド樹脂に突起部が形成され、その表面に外部接続端子が形成される。また、半導体素子の電極に接続されたパターン配線がモールド樹脂の表面に露出している。パターン配線と、突起部上の外部接続端子とは、共通の金属膜で形成されている(例えば、特許文献1参照。)。   Such a camera module includes a BCC (bump chip carrier) package type semiconductor device, which is composed of a semiconductor element and a mold resin for sealing the semiconductor element. As a feature of the BCC package type, a protrusion is formed on the mold resin, and an external connection terminal is formed on the surface thereof. Moreover, the pattern wiring connected to the electrode of the semiconductor element is exposed on the surface of the mold resin. The pattern wiring and the external connection terminal on the protrusion are formed of a common metal film (see, for example, Patent Document 1).

このような半導体装置は、外部接続端子と配線基板の端子とを接続することにより、配線基板に実装される。しかし、パターン配線がモールド樹脂の外部に露出しているため、外部接続端子と配線基板の端子とをはんだにより接合するときに、はんだがパターン配線に接触することがあり、端子間の短絡が生じることがある。そのような短絡を防止するため、高精度の実装性が要求される。   Such a semiconductor device is mounted on a wiring board by connecting an external connection terminal and a terminal of the wiring board. However, since the pattern wiring is exposed to the outside of the mold resin, when the external connection terminal and the terminal of the wiring board are joined by solder, the solder may come into contact with the pattern wiring, causing a short circuit between the terminals. Sometimes. In order to prevent such a short circuit, high-precision mounting is required.

なお、半導体装置の表面に回路パターンが露出する場合、半導体装置の表面をフォトレジスト等の絶縁膜で全体的に被覆することは知られている(例えば特許文献1参照)。   In addition, when a circuit pattern is exposed on the surface of the semiconductor device, it is known that the surface of the semiconductor device is entirely covered with an insulating film such as a photoresist (for example, see Patent Document 1).

特開2004−103860号公報(第6−7頁、第5図)JP 2004-103860 A (page 6-7, FIG. 5)

本発明の目的は、パターン配線が外部に露出している場合でも配線基板への実装時に端子間の短絡を防止することができるようにした半導体装置およびカメラモジュールを提供することである。   An object of the present invention is to provide a semiconductor device and a camera module capable of preventing a short circuit between terminals when mounted on a wiring board even when a pattern wiring is exposed to the outside.

本発明による半導体装置は、半導体素子と、該半導体素子を封止するモールド樹脂と、該モールド樹脂の表面に突出形成された突起部と、該半導体素子の電極に電気的に接続され、該モールド樹脂の表面に形成されたパターン配線と、前記突起部上に形成され、前記パターン配線に接続された外部接続端子と、前記パターン配線を部分的に被覆するように、前記突起部上の外部接続端子のまわりに配置されたリング状の絶縁膜とを備えたことを特徴とするものである。   A semiconductor device according to the present invention includes a semiconductor element, a mold resin for sealing the semiconductor element, a protrusion formed on the surface of the mold resin, and an electrode electrically connected to the electrode of the semiconductor element. Pattern wiring formed on the surface of the resin, external connection terminals formed on the projection and connected to the pattern wiring, and external connection on the projection so as to partially cover the pattern wiring And a ring-shaped insulating film disposed around the terminal.

また、本発明によるカメラモジュールは、半導体素子と、該半導体素子を封止するモールド樹脂と、該モールド樹脂の表面に突出形成された突起部と、該半導体素子の電極に電気的に接続され、該モールド樹脂の表面に形成されたパターン配線と、前記突起部上に形成され、前記パターン配線に接続された外部接続端子と、前記パターン配線を部分的に被覆するように、前記突起部上の外部接続端子のまわりに配置されたリング状の絶縁膜とを備えた半導体装置を備えている。さらに、カメラモジュールは、該モールド樹脂に取り付けられ、撮像用レンズを担持するレンズホルダと、前記モールド樹脂に取り付けられ、前記モールド樹脂の開口を通じて前記撮像用レンズに対向する撮像面を有する撮像素子と、前記半導体装置の外部接続端子に接続される端子を有する配線基板とを備えたことを特徴とするものである。   The camera module according to the present invention is electrically connected to a semiconductor element, a mold resin for sealing the semiconductor element, a protrusion formed on the surface of the mold resin, and an electrode of the semiconductor element. A pattern wiring formed on the surface of the mold resin, an external connection terminal formed on the projection and connected to the pattern wiring, and the projection on the projection so as to partially cover the pattern wiring. The semiconductor device includes a ring-shaped insulating film disposed around the external connection terminal. Further, the camera module is attached to the mold resin and carries a lens for imaging, and an imaging element is attached to the mold resin and has an imaging surface facing the imaging lens through an opening of the mold resin. And a wiring board having a terminal connected to an external connection terminal of the semiconductor device.

この構成によれば、個々の突起部上の外部接続端子がリング状の絶縁膜で囲まれているため、半導体装置を配線基板などへ実装する際に、実装に使用されるはんだ材料などがパターン配線に接触し、短絡するのを防止できる。さらに、端子部実装強度の向上も図られる。   According to this configuration, since the external connection terminals on the individual protrusions are surrounded by the ring-shaped insulating film, the solder material used for mounting is patterned when the semiconductor device is mounted on a wiring board or the like. Contact with the wiring and short circuit can be prevented. Furthermore, the terminal portion mounting strength can be improved.

また、モールド樹脂の表面の一部である突起部のまわりの部分のみをリング状の絶縁膜で被覆するため、モールド樹脂の表面全体を被覆する場合と比べてコストがかからない。また、被覆されていないパターン配線の部分を用いて電気的試験を行なったり、追加部品を実装することが可能となる。   In addition, since only the portion around the protrusion, which is a part of the surface of the mold resin, is covered with the ring-shaped insulating film, the cost is lower than when the entire surface of the mold resin is covered. In addition, it is possible to perform an electrical test using a portion of the pattern wiring that is not covered or to mount an additional component.

このように、本発明によれば、小型の構造をもち、パターン配線が外部に露出している場合でも配線基板への実装時に端子間の短絡を防止することができるようになる。   As described above, according to the present invention, it is possible to prevent a short circuit between terminals at the time of mounting on a wiring board even when the pattern wiring is exposed to the outside with a small structure.

以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。図1は本発明による半導体装置を示す断面図であり、図2は図1の半導体装置の表面(下面)を示す平面図である。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing a surface (lower surface) of the semiconductor device of FIG.

図1及び図2において、半導体装置10は、半導体素子12と、半導体素子12を封止し、パッケージを形成するモールド樹脂14とからなる。半導体素子12はダイス付け材13とモールド樹脂14により封止されている。モールド樹脂14の表面(図1では下面)には突起部16が突出形成されている。突起部16はモールド樹脂14と同じ材料の部分である。   1 and 2, a semiconductor device 10 includes a semiconductor element 12 and a mold resin 14 that seals the semiconductor element 12 and forms a package. The semiconductor element 12 is sealed with a die attaching material 13 and a mold resin 14. Protrusions 16 project from the surface of the mold resin 14 (the lower surface in FIG. 1). The protrusion 16 is a portion made of the same material as the mold resin 14.

突起部16上には、突起部16の表面を覆う外部接続端子18が設けられている。さらに、パターン配線20がモールド樹脂14の表面に形成され、パターン配線20はワイヤ22によって半導体素子12の電極に電気的に接続されている。パターン配線20と、突起部16上の外部接続端子18とは、共通の金属膜で形成され、1つの外部接続端子18は1つのパターン配線20に電気的に接続されている。   An external connection terminal 18 that covers the surface of the protrusion 16 is provided on the protrusion 16. Further, the pattern wiring 20 is formed on the surface of the mold resin 14, and the pattern wiring 20 is electrically connected to the electrodes of the semiconductor element 12 by wires 22. The pattern wiring 20 and the external connection terminal 18 on the protrusion 16 are formed of a common metal film, and one external connection terminal 18 is electrically connected to one pattern wiring 20.

外部接続端子18はグリッドアレイ状に配置されており、図2には例として4列4行の外部接続端子18が示されている。図2において左上の2列2行の外部接続端子18についてみると、最も左側の列の外部接続端子18から延びるパターン配線20はその外部接続端子18から真横に延びているが、左から2番目の列の外部接続端子18から延びるパターン配線20は互いに近接し、かつ、最も左側の列の2つの外部接続端子18の間を通っている。従って、左から2番目の列の外部接続端子18から延びるパターン配線20は最も左側の列の外部接続端子18に近接している。   The external connection terminals 18 are arranged in a grid array, and FIG. 2 shows the external connection terminals 18 in 4 columns and 4 rows as an example. As for the external connection terminals 18 in the upper left two columns and two rows in FIG. 2, the pattern wiring 20 extending from the external connection terminal 18 in the leftmost column extends right side from the external connection terminal 18. The pattern wirings 20 extending from the external connection terminals 18 in the second row are adjacent to each other and pass between the two external connection terminals 18 in the leftmost row. Accordingly, the pattern wiring 20 extending from the external connection terminal 18 in the second column from the left is close to the external connection terminal 18 in the leftmost column.

さらに、パターン配線20を部分的に被覆するように外部接続端子18のまわりにはリング状の絶縁膜24が設けられている。リング状の絶縁膜24は外部接続端子18と、それに近接して他の外部接続端子18から延びるパターン配線20とがはんだを介して電気的に接触するのを防止する。すなわち、半導体装置10の外部接続端子18が配線基板の端子にはんだで接合されるときに、はんだが外部接続端子18(18a)からはみ出すように流れても、そのはんだが近接する他のはんだ外部接続端子18(18b)から延びるパターン配線20(20b)に接触せず、よって短絡が防止される。   Further, a ring-shaped insulating film 24 is provided around the external connection terminal 18 so as to partially cover the pattern wiring 20. The ring-shaped insulating film 24 prevents the external connection terminal 18 and the pattern wiring 20 extending from the other external connection terminal 18 in the vicinity thereof from coming into electrical contact via solder. That is, when the external connection terminal 18 of the semiconductor device 10 is joined to the terminal of the wiring board by solder, even if the solder flows so as to protrude from the external connection terminal 18 (18a), the other solder external to which the solder is close The pattern wiring 20 (20b) extending from the connection terminal 18 (18b) is not contacted, thereby preventing a short circuit.

例えば、2つの外部接続端子18間のピッチは0.5mm〜1.0mmであり、外部接続端子18の直径は0.3mm〜0.5mm、高さは0.05mm〜0.10mmであり、リング状の絶縁膜24の直径は0.5mm〜1.0mm、高さは0.03mm〜0.05mmである。   For example, the pitch between the two external connection terminals 18 is 0.5 mm to 1.0 mm, the diameter of the external connection terminals 18 is 0.3 mm to 0.5 mm, and the height is 0.05 mm to 0.10 mm. The ring-shaped insulating film 24 has a diameter of 0.5 mm to 1.0 mm and a height of 0.03 mm to 0.05 mm.

図3は図1及び図2の半導体装置の製造方法を示す図である。図1及び図2の半導体装置10はBCC(バンプチップキャリア)と呼ばれる半導体装置である。図3(A)において、銅フレーム30にレジスト31を塗布、パターンニングし、図3(B)において、銅フレーム30をエッチングし、凹部32を形成する。図3(C)において、レジスト31を除去し、レジスト33を塗布、パターンニングし、銅フレーム30にニッケルめっき(又はニッケルめっきとパラジウムめっき)をして、金属膜34を形成する。図3(D)において、レジスト33を剥離し、銅フレーム30と金属膜34とからなるリードフレームが完成する。金属膜34は、凹部32の表面の部分34a、凹部32の表面の部分34aと連続し、凹部32のまわりの高い表面の部分34bとなっている。   FIG. 3 is a view showing a method of manufacturing the semiconductor device of FIGS. The semiconductor device 10 in FIGS. 1 and 2 is a semiconductor device called a BCC (bump chip carrier). In FIG. 3A, a resist 31 is applied to the copper frame 30 and patterned, and in FIG. 3B, the copper frame 30 is etched to form a recess 32. In FIG. 3C, the resist 31 is removed, the resist 33 is applied and patterned, and the copper frame 30 is nickel-plated (or nickel-plated and palladium-plated) to form the metal film 34. In FIG. 3D, the resist 33 is peeled off, and a lead frame composed of the copper frame 30 and the metal film 34 is completed. The metal film 34 is continuous with the surface portion 34 a of the recess 32 and the surface portion 34 a of the recess 32, and forms a high surface portion 34 b around the recess 32.

図3(E)において、半導体素子36をダイス付け材35を用いてダイス付けする。図3(F)において、半導体素子36の電極と凹部32のまわりの高い表面の部分34bとをワイヤ37によってワイヤボンディングする。図3(G)において、ワイヤボンディングした半導体素子36をモールド樹脂38によって樹脂封止する。図3(H)において、エッチングにより銅フレーム30を除去し、半導体装置10を完成する。   In FIG. 3E, the semiconductor element 36 is diced using a dicing material 35. In FIG. 3F, the electrode of the semiconductor element 36 and the high surface portion 34 b around the recess 32 are wire-bonded by a wire 37. In FIG. 3G, the wire-bonded semiconductor element 36 is resin-sealed with a mold resin 38. In FIG. 3H, the copper frame 30 is removed by etching, and the semiconductor device 10 is completed.

半導体素子36は図1の半導体素子12に対応し、モールド樹脂38は図1のモールド樹脂14に対応する。凹部32に充填されたモールド樹脂38の部分は図1の突起部16となり、ダイス付け材35の部分は図1のダイス付け材13に対応する。凹部32の表面の金属膜34の部分34aは突起部16上の外部接続端子18となる。銅フレーム30を除去した後では、金属膜34の凹部32のまわりの高い表面の部分34bはモールド樹脂38の表面に露出し、図1のパターン配線20になる。   The semiconductor element 36 corresponds to the semiconductor element 12 of FIG. 1, and the mold resin 38 corresponds to the mold resin 14 of FIG. The portion of the mold resin 38 filled in the recess 32 becomes the protrusion 16 in FIG. 1, and the portion of the die attaching material 35 corresponds to the die attaching material 13 in FIG. A portion 34 a of the metal film 34 on the surface of the recess 32 becomes the external connection terminal 18 on the protrusion 16. After removing the copper frame 30, the high surface portion 34 b around the recess 32 of the metal film 34 is exposed on the surface of the mold resin 38 and becomes the pattern wiring 20 of FIG. 1.

図4は突起部16上の外部接続端子18のまわりに配置されたリング状の絶縁膜24を形成する工程を示す図である。実施例においては、フォトレジスト等の絶縁材料をインクジェットヘッド40を用いて突起部16のまわりに吐出し、印刷している。インクジェットヘッド40は定められたパターンで少量の絶縁材料を印刷するのに適している。スピンコートやスクリーン印刷等の手段によって絶縁膜24を形成することもできる。しかし、突起部16がある表面に絶縁膜24を形成するためには、インクジェット印刷法が安価で確実な方法である。リング状の絶縁膜24は熱可塑性樹脂で作られ、半導体装置10を配線基板に実装した後の加熱で溶融、固定されるようにするのが好ましい。   FIG. 4 is a diagram illustrating a process of forming a ring-shaped insulating film 24 disposed around the external connection terminal 18 on the protrusion 16. In the embodiment, an insulating material such as a photoresist is ejected around the protrusion 16 using the ink jet head 40 and printed. The inkjet head 40 is suitable for printing a small amount of insulating material in a defined pattern. The insulating film 24 can also be formed by means such as spin coating or screen printing. However, in order to form the insulating film 24 on the surface where the protrusions 16 are provided, the inkjet printing method is an inexpensive and reliable method. The ring-shaped insulating film 24 is preferably made of a thermoplastic resin, and is preferably melted and fixed by heating after the semiconductor device 10 is mounted on the wiring board.

図5はリング状の絶縁膜24の他の例を示す図である。図2に示す実施例においては、リング状の絶縁膜24は突起部16上の外部接続端子18の外周部に密着して設けられていたが、図5に示す実施例においては、リング状の絶縁膜24は突起部16上の外部接続端子18の外周部から隙間をあけて設けられている。この構成でも、リング状の絶縁膜24は上記したのと同様の短絡防止作用を果たすことができる。   FIG. 5 is a diagram showing another example of the ring-shaped insulating film 24. In the embodiment shown in FIG. 2, the ring-shaped insulating film 24 is provided in close contact with the outer peripheral portion of the external connection terminal 18 on the protruding portion 16, but in the embodiment shown in FIG. The insulating film 24 is provided with a gap from the outer periphery of the external connection terminal 18 on the protrusion 16. Even in this configuration, the ring-shaped insulating film 24 can perform the same short-circuit preventing effect as described above.

図6は本発明による半導体装置10を含むカメラモジュール50を示す図である。前に説明したのと同様に、半導体装置10は、半導体素子12と、半導体素子12を封止するモールド樹脂14と、モールド樹脂14の表面に突出形成された突起部16と、半導体素子12の電極に電気的に接続され、モールド樹脂14の表面に形成されたパターン配線20と、突起部16上に形成され、パターン配線20に接続された外部接続端子18と、パターン配線18を部分的に被覆するように突起部16上の外部接続端子18のまわりに配置されたリング状の絶縁膜24とを備えている。   FIG. 6 is a view showing a camera module 50 including the semiconductor device 10 according to the present invention. As described above, the semiconductor device 10 includes a semiconductor element 12, a mold resin 14 that seals the semiconductor element 12, a protrusion 16 that is formed to protrude from the surface of the mold resin 14, The pattern wiring 20 electrically connected to the electrode and formed on the surface of the mold resin 14, the external connection terminal 18 formed on the protrusion 16 and connected to the pattern wiring 20, and the pattern wiring 18 are partially connected. A ring-shaped insulating film 24 disposed around the external connection terminal 18 on the protrusion 16 is provided so as to cover.

カメラモジュール50は、前記半導体装置10のモールド樹脂14に取り付けられ、撮像用レンズ52を担持するレンズホルダ54と、モールド樹脂14に取り付けられ、モールド樹脂14の開口56を通じて撮像用レンズ52に対向する撮像面を有する撮像素子58とを有する。55はフィルタである。   The camera module 50 is attached to the mold resin 14 of the semiconductor device 10, is attached to the lens holder 54 that carries the imaging lens 52, and the mold resin 14, and faces the imaging lens 52 through the opening 56 of the mold resin 14. And an imaging device 58 having an imaging surface. Reference numeral 55 denotes a filter.

さらに、カメラモジュール50は、半導体装置10の外部接続端子18に接続される端子60を有する配線基板62を備える。配線基板62はフレキシブルプリント基板からなる。撮像素子58は配線基板62の開口部に配置され、バンプ64により半導体装置10のパターン配線18に接続されている。半導体装置10の外部接続端子18ははんだにより配線基板62の端子60に接続される。このため、溶融したはんだが突起部16上の外部接続端子18から外にはみ出し、上記したように他のパターン配線18に接触して、短絡を生じさせることがあるが、突起部16のまわりに配置されたリング状の絶縁膜24があるので、そのような短絡を防止することができる。   Further, the camera module 50 includes a wiring board 62 having a terminal 60 connected to the external connection terminal 18 of the semiconductor device 10. The wiring board 62 is made of a flexible printed board. The image sensor 58 is disposed in the opening of the wiring board 62 and is connected to the pattern wiring 18 of the semiconductor device 10 by the bumps 64. The external connection terminal 18 of the semiconductor device 10 is connected to the terminal 60 of the wiring board 62 by solder. For this reason, the melted solder may protrude from the external connection terminals 18 on the protrusions 16 and contact other pattern wirings 18 as described above to cause a short circuit. Since there is the ring-shaped insulating film 24 arranged, such a short circuit can be prevented.

図1は本発明による半導体装置を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device according to the present invention. 図2は図1の半導体装置の表面(下面)を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the surface (lower surface) of the semiconductor device of FIG. 図3は図1及び図2の半導体装置の製造方法を示す図である。FIG. 3 is a view showing a method of manufacturing the semiconductor device of FIGS. 図4は突起部のまわりに配置されたリング状の絶縁膜を形成する工程を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a process of forming a ring-shaped insulating film disposed around the protrusion. 図5はリング状の絶縁膜の他の例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing another example of a ring-shaped insulating film. 図6は本発明による半導体装置を含むカメラモジュールを示す図である。FIG. 6 is a view showing a camera module including a semiconductor device according to the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

10 半導体装置
12 半導体素子
14 モールド樹脂
16 突起部
18 外部接続端子
20 パターン配線
22 ワイヤ
24 絶縁膜
40 インクジェットヘッド
50 カメラモジュール
52 撮像用レンズ
54 レンズホルダ
56 開口
58 撮像素子
60 端子
62 配線基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor device 12 Semiconductor element 14 Mold resin 16 Protrusion part 18 External connection terminal 20 Pattern wiring 22 Wire 24 Insulating film 40 Inkjet head 50 Camera module 52 Imaging lens 54 Lens holder 56 Opening 58 Imaging element 60 Terminal 62 Wiring board

Claims (5)

半導体素子と、
該半導体素子を封止するモールド樹脂と、
該モールド樹脂の表面に突出形成された突起部と、
該半導体素子の電極に電気的に接続され、該モールド樹脂の表面に形成されたパターン配線と、
前記突起部上に形成され、前記パターン配線に接続された外部接続端子と、
前記パターン配線を部分的に被覆するように前記突起部上の外部接続端子のまわりに配置されたリング状の絶縁膜と
を備えたことを特徴とする半導体装置。
A semiconductor element;
A mold resin for sealing the semiconductor element;
A protrusion formed on the surface of the mold resin,
A pattern wiring electrically connected to the electrodes of the semiconductor element and formed on the surface of the mold resin;
An external connection terminal formed on the protrusion and connected to the pattern wiring;
And a ring-shaped insulating film disposed around the external connection terminal on the protrusion so as to partially cover the pattern wiring.
前記突起部のまわりのリング状の絶縁性膜はインクジェットにより形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。   2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the ring-shaped insulating film around the protrusion is formed by ink jetting. 前記リング状の絶縁膜は前記突起部上の外部接続端子の外周部から隙間をあけて設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the ring-shaped insulating film is provided with a gap from an outer peripheral portion of the external connection terminal on the protrusion. 前記リング状の絶縁膜は熱可塑性樹脂で作られ、該半導体装置を配線基板に実装した後の加熱で溶融、固定されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。   2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the ring-shaped insulating film is made of a thermoplastic resin, and is melted and fixed by heating after the semiconductor device is mounted on a wiring board. 半導体素子と、該半導体素子を封止するモールド樹脂と、該モールド樹脂の表面に突出形成された突起部と、該半導体素子の電極に電気的に接続され、該モールド樹脂の表面に形成されたパターン配線と、前記突起部上に形成され、前記パターン配線に接続された外部接続端子と、前記パターン配線を部分的に被覆するように前記突起部上の外部接続端子のまわりに配置されたリング状の絶縁膜とを備えた半導体装置と、
該モールド樹脂に取り付けられ、撮像用レンズを担持するレンズホルダと、
前記モールド樹脂に取り付けられ、前記モールド樹脂の開口を通じて前記撮像用レンズに対向する撮像面を有する撮像素子と、
前記半導体装置の外部接続端子に接続される端子を有する配線基板と
を備えたことを特徴とするカメラモジュール。
A semiconductor element, a mold resin for sealing the semiconductor element, a protrusion formed on the surface of the mold resin, and an electrode electrically connected to the electrode of the semiconductor element, formed on the surface of the mold resin A pattern wiring, an external connection terminal formed on the projection and connected to the pattern wiring, and a ring disposed around the external connection terminal on the projection so as to partially cover the pattern wiring A semiconductor device provided with an insulating film, and
A lens holder attached to the mold resin and carrying an imaging lens;
An imaging element attached to the mold resin and having an imaging surface facing the imaging lens through an opening of the mold resin;
A camera module comprising: a wiring board having a terminal connected to an external connection terminal of the semiconductor device.
JP2004251882A 2004-08-31 2004-08-31 Semiconductor device and camera module Expired - Fee Related JP4350008B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004251882A JP4350008B2 (en) 2004-08-31 2004-08-31 Semiconductor device and camera module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004251882A JP4350008B2 (en) 2004-08-31 2004-08-31 Semiconductor device and camera module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006073585A JP2006073585A (en) 2006-03-16
JP4350008B2 true JP4350008B2 (en) 2009-10-21

Family

ID=36153926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004251882A Expired - Fee Related JP4350008B2 (en) 2004-08-31 2004-08-31 Semiconductor device and camera module

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4350008B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006073585A (en) 2006-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7964945B2 (en) Glass cap molding package, manufacturing method thereof and camera module
KR100921419B1 (en) Camera module and method for manufacturing the same
US8299589B2 (en) Packaging device of image sensor
US6798031B2 (en) Semiconductor device and method for making the same
JP3695583B2 (en) Imaging semiconductor device and manufacturing method thereof
US8766408B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7576402B2 (en) Semiconductor device, method of manufacturing the same, and camera module
US20050116138A1 (en) Method of manufacturing a solid state image sensing device
US7547962B2 (en) Chip package with a ring having a buffer groove that surrounds the active region of a chip
JP2007142042A (en) Semiconductor package, manufacturing method thereof, semiconductor module, and electronic equipment
KR20060042872A (en) A method of surface mounting a semiconductor device
JP3614840B2 (en) Semiconductor device
CN109729241B (en) Camera module, extended wiring packaging photosensitive assembly thereof and manufacturing method thereof
JP4802491B2 (en) Sensor module and camera module using the same
JP4350008B2 (en) Semiconductor device and camera module
JP2005242242A (en) Image sensor package and camera module
JP4376160B2 (en) Printed circuit board and circuit unit using the printed circuit board
JP4802907B2 (en) Semiconductor mounting structure
JPH10150227A (en) Chip-type light emitting device
JP2007067134A (en) Mounting component, mounting structure, and manufacturing method of mounting structure
KR20050120142A (en) Camera module and method of fabricating the same using epoxy
JP2001267452A (en) Semiconductor device
JP4283801B2 (en) Camera module and manufacturing method thereof
JP2001358253A (en) Bga type semiconductor device
JP2005333034A (en) Semiconductor apparatus, its manufacturing method and packaging method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070720

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20080730

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090616

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090623

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090721

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731

Year of fee payment: 3

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees