JP4349637B2 - インターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード - Google Patents

Description

本発明はインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカードに関し、とりわけ標準インターフェイス以外に通信インターフェイスを別途拡張し、かつ前記通信インターフェイスと読取り／書込み装置との接続サイズの規格に対して自動補正する機能を備えたメモリカードに関する。

現在市場にて既存する小型のメモリカードは、例えばＳＤ、ＣＦ、ＳＭ、ＭＭＣ、_XＤ、ＭＳなど種類は極めて多く、これら小型のメモリカードの共通のニーズおよび特色は、サイズを極力小さくする一方で、容量を極力大型化するというものであり、容量の面ではすでに１ＧＢ以上に達している。
メモリカードは容量の面では顕著な飛躍を見せているものの、それぞれのメモリカードは原則的にそれ自身の特定基準のプロトコルにのみよりコンピュータ、電子製品などの読取り／書込み装置に接続されるにとどまり、異なるメモリカードをコンピュータに接続したい場合には、同じプロトコルのカードリーダを仲介させなければならず、コンピュータに直接接続することはできない。

上記の問題を解決するために、業界では二種類の接続インターフェイスを有するメモリカードの開発を試みている。
このうちの一つインターフェイスは単純にこのインターフェイスの外観形式に適合するコンバートモジュールを介してコンピュータに接続するものである。
上記手法は確かにメモリカードをコンピュータに直接接続できないという課題は解決している。しかし、より先進的な構想とは、メモリカード自身がもしコンピュータのインターフェイスポートに直接挿入され接続できるならば、使用上における利便性には更に顕著な向上が見られる、つまり、他のインターフェイスポートをメモリカードに直接付加するものであり、このインターフェイスポートはコンピュータのインターフェイスコネクタに直接挿入し接続することができる、というものである。
この構想を実現する前に、メモリカード自身の規格と現在コンピュータに常用されているインターフェイス各々の基準との相違を考慮しなければならない。

現在、コンピュータに最も普及しているインターフェイスコネクタはＵＳＢ（ユニバーサル・シリアル・バス）に属するものであり、もしメモリカードにＵＳＢが設けられていれば、多くのコンピュータに直接接続することが可能であるが、考慮を要することはメモリカード自身とＵＳＢインターフェイスポートとの間の規格の相違であり、この拡張インターフェイスの規格との融合とのために、メモリカードの本来のインターフェイスの正常使用に影響を及ぼすようなことがあってはならない。
図１８には、ＵＳＢインターフェイスプラグ（８０）が開示されており、このＵＳＢインターフェイスプラグ（８０）の先端は矩形の金属シェル（８１）であり、シェル（８１）内底面には絶縁板（８２）が設けられ、絶縁板（８２）上にはそれぞれデータ線Ｄ＋、Ｄ−、電源線ＶＣＣおよびＧＮＤである四組の端子（８２０）が設けられている。

ＵＳＢインターフェイスの形式をオス・メスで分けると、前記ＵＳＢインターフェイスプラグ（８０）はオス・プラグであり、通常はコンピュータ上に設けられているＵＳＢインターフェイスコネクタ（９０）（図１９に示す）はメス・ソケットであって、このＵＳＢインターフェイスコネクタ（９０）は矩形の金属ハウジング（９１）内の上端箇所に絶縁板（９２）が設けられ、絶縁板（９２）の上面とハウジング（９１）内部上面との間に隙間を有し、絶縁板（９２）の底面にはＵＳＢインターフェイスプラグ（８０）上の四組の端子（８２０）にそれぞれ対応している四組の弾性コンタクト（９２０）が設けられ、前記ハウジング（９１）の上・底端には、ハウジング（９１）に挿入されたＵＳＢインターフェイスプラグ（８０）を当接して固定するためのハウジング（９１）内部にそれぞれ突出した四組の位置決めバネ（９１０）が設けられている。

図２０には、ＵＳＢインターフェイスプラグ（８０）をＵＳＢインターフェイスコネクタ（９０）に挿入した後の状態が開示されている。
ＵＳＢインターフェイスプラグ（８０）のシェル（８１）がＵＳＢインターフェイスコネクタ（９０）のハウジング（９１）内に適正に挿入されると、シェル（８１）内の絶縁板（８２）はハウジング（９１）の内部底面と絶縁板（９２）との間に相対的に挿入され、絶縁板（９２）上の弾性コンタクト（９２０）が対応して絶縁板（８２）上の端子（８２０）に電気的に接触することで電気的に接続される。

上記の説明から理解できるように、ＵＳＢインターフェイスプラグ（８０）について言えば、そのシェル（８１）の作用は位置決めにあり、実質的に電気的に接続されるのは絶縁板（８２）およびその上の端子（８２０）である。
サイズの考慮を基本とするならば、メモリカード上にＵＳＢインターフェイスプラグを一体化したい場合、上部に端子（８２０）を設けることで、実際に電気的な接続目的を達成する絶縁板（８２）のみを選択することは可能である。
ただし、実際に電気的な接続目的を達成するための構造のみを選択したとしても、その規格は依然としてメモリカードとは適合しない。
図１９に示すように、このＵＳＢインターフェイスコネクタ（９０）のハウジング（９１）内部底面とその上方の絶縁板（９２）との間の隙間、つまりＵＳＢインターフェイスプラグ（８０）の絶縁板（８２）を挿入するための空間は、挿入しやすくするために、その空間の高さが概ね絶縁板（８２）の厚みよりも大きくなっているが、係止するための位置決めバネ（９１０）が別途設けられている。
ここでもし絶縁板（８２）をメモリカード上に一体化させるとなると、その厚みをハウジング（９１）内部底面とその上方の絶縁板（９２）との間の隙間に対応させなければならず、仮に厚み不足の場合、ガタが生じて接触不良を引き起こす可能性がある。
しかしメモリカード上に一体化する以上は、ＵＳＢインターフェイス自身の規格要求のみを満たすわけにはいかない。
ＳＤカードを例にとると、その幅／長さ／厚みは順に２４mm、３２mm、２．１mmとなるが、一方ＵＳＢインターフェイスコネクタ（９０）のハウジング（９１）内部底面とその上方の絶縁板（９２）との間の隙間は約２．５mmである。
換言するならば、ＵＳＢインターフェイスで電気的な接続を実現する部分のみをＳＤカードに一体化し、かつこのＳＤカードの規格に適合させる場合（厚みが２．１mm）、厚みについて言えば、ＵＳＢインターフェイスコネクタ（９０）内にしっかりと挿入して係止するには十分ではなく、ＵＳＢインターフェイスの基準に適合しなくなってしまうのは明らかである。

ＵＳＢインターフェイスプラグをメモリカード上に一体化した後に生じる規格の相違を補正するために、発明者は、これ以前に台湾特許出願番号第０９４１０９９６１号の「インターフェイス標準の補正機能を備えたメモリカードおよびその保護ケース」発明特許を出願することで、具体的な解決方法を提案している。
上記特許は主にメモリカードをその間に収容する保護ケースを提供するものである。
このメモリカードは一端に第１のインターフェイス接続ポートが設けられ、これに対向する他端には第２のインターフェイス接続ポートが設けられており、さらに保護カバーはその間にメモリカードを収容できるシェルとカバーとを有し、メモリカードの第２のインターフェイス接続ポートをシェル外部に露出させて、更にシェルはその開口の一縁端にて外側に延びて補正用パッドを形成しており、この補正用パッドはメモリカードの第２のインターフェイス接続ポートの底部に配設されるに適していることで、第２のインターフェイス接続ポートの厚みを補い、読取り／書込み装置に設けられている対応するインターフェイスコネクタのサイズ規格に適合させるものである。

上記の特許の内容から理解できるように、いわゆる第２のインターフェイス接続ポートはＵＳＢインターフェイスプラグであり、そして保護ケース上の補正用パッドで前記第２のインターフェイス接続ポートの厚みを補い、標準的なＵＳＢインターフェイスプラグの基本規格に適合させているので、読取り／書込み装置上の対応プロトコルのインターフェイスコネクタに完全に一致して堅固な挿入接続関係を得ることができ、そして構造が簡単で便利で実用的であるため、特許（台湾発明特許第１２４９８８４号）を取得している。

ただし上記の特許における補正手段はメモリカードの外部に設けられた保護ケースにより始めて功を奏するものであって、確かに構造が単純で使い勝手が良いとはいえ、補正手段をメモリカードに内蔵した方が、使用者にとってはより一層便利である。

したがって、本発明の主な目的は、メモリカードに内蔵した補正機構により、その一端に設けた通信インターフェイスポートの厚みの補正を行うことで、メモリカードが通信インターフェイスポートにより読取り／書込み装置のインターフェイスコネクタに挿入されたとき、このインターフェイスコネクタのサイズ規格に完全に一致して堅固な挿入接続関係を得ることができるインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカードを提供するものである。

上記目的を達成するために採用した主な技術的手法とは、前記メモリカードが、
第１端および対向する第２端と、第１端縁に隣接した位置に複数の溝が形成された第１表面および対向する第２表面とを有し、通信インターフェイスポートを構成するために、前記第１または第２表面は第２端上に複数の導電性コンタクトが設けられた平面状のシェルと、
前記シェル内に設けられ、回路基板上にメモリおよび関連回路が設けられており、複数の金属コンタクトが別に形成されており、メモリカードの標準インターフェイスを構成するために、各金属コンタクトが前記シェルの第１表面上の各溝の内側に対応して配設されている回路モジュールと、
前記シェル内に設けられて且つ第２端上に配設されるとともに、その上の通信インターフェイスポートに対応することにより、前記通信インターフェイスポート上の導電性コンタクトの高さを標準規格と同じまたは互換の高さまで自動的に補う補正機構と、を備えている。

前記補正機構がメモリカード内部に組み込まれているため、何らかの外付け補助部材を必要とせずとも、メモリカード上の通信インターフェイスポートと読取り／書込み装置上の対応プロトコルのインターフェイスコネクタとを一致させて、堅固な挿入接続効果を得ることができる。

前記補正機構はシェルにおける第２端に隣接した第１または第２表面に開口が形成され、通信インターフェイスポートとしての複数の導電性コンタクトがその上に設けられた支持体が前記開口内に設けられ、支持体とシェルの内部底面との間に支持されることで支持体上の導電性コンタクトを適当な高さまで持ち上げる一つ以上の付勢手段が更にシェル内における支持体下方に設けられている。

前記補正機構はシェルにおける第２端に隣接した第１または第２表面に開口が形成され、前記シェルにおける第２または第１表面上に設けられた導電性コンタクトに対向する押上げ支持体が前記開口の間を内側から外側に向けて貫設され、押上げ支持体が外側に向けて押上げられたとき、対向する位置上の導電性コンタクトを適当な高さまで押上げる一つ以上の付勢手段が更に押上げ支持体とシェルの内部底面との間に設けられている。

前記シェルにおける第２端に隣接した第１または第２表面に複数の貫通溝が形成されており、通信インターフェイスポートの導電性コンタクトを構成する金属片が各々の貫通溝内にそれぞれ設けられ、前記補正機構が前記各金属片の少なくとも一端上にそれぞれ設けられた付勢板からなり、各付勢板がシェルの対向する内部底面の間で押上げ支持されることで金属片に付勢力を付与し、通常の状態では各金属片は貫通溝から突出するとともに、適当な高さに位置させることで、対応プロトコルのインターフェイスコネクタに一致しており、各金属片はまた圧力を受けることでシェル内に収縮している。

前記シェルにおける第２端に隣接した第１または第２表面に複数の貫通溝が形成されており、通信インターフェイスポートの導電性コンタクトを構成する金属片が各々の貫通溝内にそれぞれ設けられ、前記補正機構が前記各金属片の下方にそれぞれ設けられた付勢手段からなり、各付勢手段が金属片とシェルの内部底面の間に押上げ支持され、金属片を通常の状態で貫通溝から突出させるとともに、適当な高さに位置させることで、対応プロトコルのインターフェイスコネクタに一致しており、各金属片はまた圧力を受けて、その下方の付勢手段を圧縮して貫通溝内に退避している。

前記金属片は導電性の付勢手段を介して回路モジュールに電気的に接続されている。

前記シェルの第２端の幅は第１端よりも狭くなっており、更にその幅がシェルの第１端と近似または同一であるとともに、シェルの中間部位置から第２端に摺動して、第２端の幅を第１端と同一または近似させることで、標準的なメモリカードに完全一致した外観となる平面状のスライドカバーがシェル上に覆設されている。

前記支持体はスライドカバーの押動方向に対向する角部にスライドカバーの摺動通過をさせやすくする斜面が形成され、前記スライドカバーが支持体を通過したとき、同時に支持体を圧してシェル内に収容する。

前記押上げ支持体はスライドカバーの押動方向に対向する上部角部にスライドカバーの摺動通過をさせやすくする斜面が形成され、前記スライドカバーが押上げ支持体を通過したとき、同時に押上げ支持体を押してシェル内に収容する。

前記付勢手段はスプリングである。

本発明は、既存のインターフェイスポート以外に通信インターフェイスポートを拡張する各種メモリカードに適用されるが、理解を助けるために、以下の実施例においてはＭＳ ＤＵＯカードを実施対象として説明を行うものとするが、これは単に実施可能な実施例の開示に過ぎず、本発明の応用対象を限定する意味を持たないことを予め合わせて言明しておく。

図１、図２に開示するＭＳ ＤＵＯメモリカードは平面状シェル（１０）の一面の一端上に標準インターフェイスポート（１１）が設けられ、更には同一面または反対面の他端上には通信インターフェイスポート（１２）が設けられている。
本実施例においては、前記通信インターフェイスポート（１２）はＵＳＢインターフェイスであるとともに、標準インターフェイスポート中における電気的接続部分の構造のみを採用している。つまりは絶縁板上に複数の端子を有するものとなっている。
このような状態において、通信インターフェイスポート（１２）を厚みにおいてはＭＳ ＤＵＯメモリカードの標準規格に適合させているが、ＵＳＢインターフェイスポートの幅はＭＳ ＤＵＯメモリカードよりも狭いので、通信インターフェイスポート（１２）はメモリカードのシェル（１０）の後端の中央または側辺に位置する可能性がある。
本実施例においては、前記通信インターフェイスポート（１２）はメモリカードのシェル（１０）の中央部に位置しており、ＭＳ ＤＵＯメモリカードは標準的なサイズであることから、通信インターフェイスポート（１２）を拡張させたとしても、従来の標準規格への適合はなされるべきである。
通信インターフェイスポート（１２）はシェル（１０）後部の空間を使用しているため、長さにおいてはＭＳ ＤＵＯメモリカードの標準規格に適合するものの、シェル（１０）の後部には切欠きが形成されることで、ＭＳ ＤＵＯメモリカードのサイズ規格に完全に適合する。つまりシェル（１０）上にもまた平面状のスライドカバー（２０）が被嵌されており、前記スライドカバー（２０）の高さ／幅はシェル（１０）の標準インターフェイスポート（１１）が設けられている一端に近似であり、前記スライドカバー（２０）はシェル（１０）の中間位置から通信インターフェイスポート（１２）が設けられている一端に向けて摺動可能とされることで、前記端の幅を補い、これを標準インターフェイスポート（１１）を有する一端に近づかせるとともに、前記シェル（１０）の外形サイズをメモリカードの標準規格に近似させる。通信インターフェイスポート（１２）を用いて読取り／書込み装置に挿入接続させたい場合には、スライドカバー（２０）を後方に押動移動させて、通信インターフェイスポート（１２）を露出させて読取り／書込み装置に挿入し接続する。

上記した構成が本発明の基本構造であるが、本発明の主要な技術的特徴については、前記通信インターフェイスポート（１２）と標準的なＵＳＢプラグとの間の規格の相違を補うところにある。

ＵＳＢインターフェイスに属する通信インターフェイスポート（１２）はメモリカードに一体化されており、ＭＳ ＤＵＯメモリカードを例にとれば、その標準厚みは１．６mmであるものの、ＵＳＢプラグの厚み（絶縁板の部分のみ）は約２．０mmであることから、その間には０．４mmの差が存在していることになる。
このような厚みにおける差は、通信インターフェイスポート（１２）をＵＳＢインターフェイスポートコネクタに接続するに当たっては、隙間があるためにガタが生じやすく、場合によってはデータの正常な伝送に影響を及ぼしてしまう。
よって本発明は、前記シェル（１０）内で且つ前記通信インターフェイスポート（１２）に対応する位置に補正機構を設けて、通信インターフェイスポート（１２）が使用される際には、前記厚みの差を自動的に補っている。その具体的な技術内容および実施可能な各種実施例は下記に詳記する。

まず、本発明に係る第１の好ましい実施例の詳細構造および動作方式を開示した図１乃至図５を参照されたい。
まず最初に図３に示されるものを参照されたい。このメモリカードのシェル（１０）内には回路モジュール（３０）および補正機構（当該図には図示せず）が設けられており、その外側にはスライドカバー（２０）が覆設されている。

前記シェル（１０）は平面状をなし、第１端（１０１）および対向する第２端（１０２）を有し、しかも対向して組み合わされる第２／第２シェル体（１３）／（１４）とからなり、第１シェル体（１３）の外表面は第１表面であり、第２シェル体（１４）の外表面は第２表面である。このうち、前記第１表面は第１端（１０１）に隣接した縁端に複数の溝（１３１）が形成され、前記第２表面は第２端（１０２）上に前記通信インターフェイスポート（１２）が設けられており、本実施例においては、前記通信インターフェイスポート（１２）は複数の導電性コンタクト（１２０）から構成され、各導電性コンタクト（１２０）は回路モジュール（３０）に電気的に接続されている。

前記回路モジュール（３０）は前記シェル（１０）内に設けられ、回路基板上にはメモリおよび関連回路が設けられており、しかも一端には複数の金属コンタクトが形成されており、各金属コンタクト（図示せず）は前記シェル（１０）の第１シェル体（１３）上の各溝（１３１）の内側に対応して配設されることで、前記標準インターフェイスポート（１１）を構成している。

前記補正機構は前記シェル（１０）内に設けられ且つ第２端（１０２）上に配設されるとともに、その上の通信インターフェイスポート（１２）に対応しており、本実施例においては、前記補正機構は第２シェル体（１４）の第２端（１０２）に隣接した位置に開口（１４１）が形成されており、前記開口（１４１）内には支持体（１５）が設けられ、しかも支持体（１５）の下方には一つ以上のスプリング（１６）が設けられている。

前記支持体（１５）のサイズは前記開口（１４１）間に貫設されるように前記開口（１４１）と一致しており、更に支持体（１５）の下縁周囲が外側に延びて連続したストッパ縁（１５０）を形成しており、前記ストッパ縁（１５０）は開口（１４１）よりも大きいため、前記支持体（１５）がそのストッパ縁（１５０）により開口（１４１）に規制されて、シェル（１０）から完全に脱離してしまうには至らない。更には、前記支持体（１５）上の表面は通信インターフェイスポート（１２）としての前記導電性コンタクト（１２０）の形成に供される。

更に前記スプリング（１６）は支持体（１５）とシェル（１０）の内部底面との間に支持されており、スプリング（１６）の押上げ付勢力により支持体（１５）を第２表面の外に突出させるが、これはその上の導電性コンタクト（１２０）もまた適当な高さ（図４に示すとおり）まで押上げられることで、前記メモリカードのシェル（１０）は通信インターフェイスポート（１２）を有する第２端（１０２）の厚みが補われて、対応プロトコルのインターフェイスコネクタと一致し、堅固な挿入接続効果が得られることを意味している。

メモリカードは一端にて通信インターフェイスポート（１２）が拡張されて、ＵＳＢインターフェイス規格に対応し、シェル（１０）の第２端（１０２）の幅が第１端（１０１）よりも狭くなっているため、標準インターフェイスポート（１１）を用いて読取り／書込み装置に挿入接続する場合、スライドカバー（２０）によりメモリカードを標準の規格に戻す。前記スライドカバー（２０）は金属または合成樹脂製で内側幅／内側高さがシェル（１０）に一致している断面が冂状であるケーシングであり、その両側壁底端はシェル（１０）に挟持されるためにそれぞれ水平方向に内側に延びて挟持部（２１）を形成している。またスライドカバー（２０）は一端が開放形状であり、他端が閉鎖形状をなしており、閉鎖端上には開口溝（２２）が形成されており、前記開口溝（２２）の位置および形状は、第２端（１０２）上の通信インターフェイスポート（１２）が開口溝（２２）から貫通して突出できるように、シェル（１０）の第２端（１０２）と一致している。

スライドカバー（２０）を極力密着させてシェル（１０）上に覆設するために、その第１／第２表面にスライドカバー（２０）の形状に一致した窪み部が形成され、そして幅および厚みにおいてシェル（１０）の第２端（１０２）に係合するようになっている。

メモリカードが標準インターフェイスポート（１１）を用いて読取り／書込み装置に挿入接続される際には、前掲したようにスライドカバー（２０）をシェル（１０）の第２端（１０２）まで押動移動させて（図２に示すとおり）、第２端（１０２）の幅を第１端（１０１）と同一となるよう補うことで、メモリカードに完全一致した外観となる。スライドカバー（２０）を第２端（１０２）を通過させやすくするための支持体（１５）にて、前記支持体（１５）はスライドカバー（２０）の押動方向に対向する角部に、スライドカバー（２０）の前縁を斜面（１５１）に沿ってスライドカバー（２０）を通過させる斜面（１５１）が形成されるとともに、そして勢いを借りて支持体（１５）をスライドカバー（２０）に圧入する（図５に示すとおり）。このとき支持体（１５）の下方のスプリング（１６）は圧縮状態となり、スライドカバー（２０）が戻されて支持体（１５）から離間したときに、支持体（１５）はスプリング（１６）の復帰付勢力により上方に押上げられる（図１に示すとおり）。

次に、本発明に係る第２の好ましい実施例を示す図６ないし図９を参照されたい。その基本構造は第１の好ましい実施例と略同じであるが、相違点は補正機構の設計の変化にある。

前出の実施例の相違点は、本実施例においては、通信インターフェイスポート（１２）の導電性コンタクト（１２０）がシェル（１０）の第１表面に直接形成されており、そして前記補正機構は第２シェル体（１４）にて第２端（１０２）に隣接した位置に開口（１４１）が形成されており、前記開口（１４１）内には押上げ支持体（１７）が設けられ、しかも押上げ支持体（１７）の下方には一つ以上のスプリング（１６）が設けられているところである。

前記押上げ支持体（１７）のサイズは前記開口（１４１）間を貫通して突出できるように前記開口（１４１）と一致しており、更に押上げ支持体（１７）の下縁周囲が外側に延びて連続したストッパ縁（１７０）を形成しており、前記ストッパ縁（１７０）は開口（１４１）よりも大きいため、前記押上げ支持体（１７）がそのストッパ縁（１７０）により開口（１４１）に規制されて、シェル（１０）から完全に脱離してしまうには至らない。また押上げ支持体（１７）はスライドカバー（２０）の押動方向に対向する角部に、スライドカバー（２０）を第２端（１０２）まで押動させたとき、前記押上げ支持体（１７）を通過させやすくするための斜面（１７１）が形成されている。

更に前記スプリング（１６）は押上げ支持体（１７）とシェル（１０）の内部上面との間に支持されており、スプリング（１６）の押上げ付勢力により押上げ支持体（１７）を第２表面の外に突出させるが、これはその上の導電性コンタクト（１２０）もまた適当な高さ（図８に示すとおり）まで押上げられることで、前記メモリカードのシェル（１０）は通信インターフェイスポート（１２）を有する第２端（１０２）の厚みが補われて、対応プロトコルのインターフェイスコネクタと一致し、堅固な挿入接続効果が得られることを意味している。

前出の実施例と同様に、スライドカバー（２０）がシェル（１０）の第２端（１０２）まで押動されたとき、第２端（１０２）の幅を第１端（１０１）と同一または近似するように補い、これと同時に、押上げ支持体（１７）もまたスライドカバー（２０）でシェル（１０）内に押し戻される（図９に示すとおり）。

更に、本発明に係る第３の好ましい実施例を示す図１０ないし図１３を参照されたい。その基本構造は第１の好ましい実施例と略同じであるが、相違点は補正機構の設計の変化にある。

本実施例においては、前記シェル（１０）における第２端に隣接した第２シェル体（１４）上に複数の長尺状の貫通溝（１４２）が形成されており、各貫通溝（１４２）内にはそれぞれ金属片（１２１）が設けられることで前記通信インターフェイスポート（１２）の導電性コンタクト（１２０）を構成しており、前記金属片は概ね弓状をなし、その両端部は貫通溝（１４２）よりも下に位置し、しかも貫通溝（１４２）の縁に当接して規制され、その中間部の突出部分は貫通溝（１４２）から露出している。また前記補正機構は前記各金属片（１２１）の少なくとも一端上の付勢板（１２２）からなり、本実施例においては、前記付勢板（１２２）はコの字状をなし、その上下の腕部がシェル（１０）における対向する内部底面の間で押上げ支持されるとともに、回路モジュール（３０）に電気的に接続されている。そして前記付勢板（１２２）は金属片（１２１）に貫通溝（１４２）内で伸縮する付勢力を付与しており、通常の状態では各金属片（１２１）は貫通溝（１４２）の外に突出するとともに、適当な高さに位置することで、前記通信インターフェイスポート（１２）に不足する厚みを補っている。

貫通溝（１４２）内の金属片（１２１）は弓状をなし、そのスライドカバー（２０）の押動方向に対向する一端が斜面を構成しているため、スライドカバー（２０）が通過しやすくなり、スライドカバー（２０）が各金属片（１２１）の上方に位置しているときに、同時に各金属片（１２１）をシェル（１０）内に押し戻し、そして一端の付勢板（１２２）もまた同時に圧縮される（図１３に示すとおり）。

また、本発明に係る第４の好ましい実施例を示す図１４ないし図１７を参照されたい。その構造は第３の好ましい実施例にかなり近いが、相違点は補正機構の設計の変化にある。

本実施例においては、シェル（１０）は第２シェル体（１４）の第２端（１０２）に隣接した位置に複数の長尺状の貫通溝（１４２）が形成されており、各貫通溝（１４２）内にはそれぞれ金属片（１２１）が設けられることで前記通信インターフェイスポート（１２）の導電性コンタクト（１２０）を構成しており、前記金属片は概ね弓状をなし、その両端部は貫通溝（１４２）よりも下に位置し、しかも貫通溝（１４２）の縁に当接して規制され、その中間部の突出部分は貫通溝（１４２）から露出している。

また前記補正機構は、前記各金属片（１２１）下方にそれぞれ設けられているスプリング（１６）により構成され、各金属片（１２１）は更にスプリング（１６）を介して回路モジュール（当該図には図示せず）に電気的に接続されている。そして前記スプリング（１６）は金属片（１２１）とシェル（１０）の内部底面との間で押上げ支持されることで、金属片（１２１）に貫通溝（１４２）内で伸縮する付勢力を付与しており、通常の状態では各金属片（１２１）はスプリング（１６）により押上げ支持されて貫通溝（１４２）の外に位置するとともに、適当な高さに位置することで、同様に前記通信インターフェイスポート（１２）に不足する厚みを補っている。

貫通溝（１４２）内の金属片（１２１）は弓状をなし、それのスライドカバー（２０）の押動方向に対向する一端が斜面を構成しているため、スライドカバー（２０）が通過しやすくなり、かつスライドカバー（２０）が各金属片（１２１）の上方まで押動されたとき、同時に各金属片（１２１）をシェル（１０）内に押し戻し、このときに金属片（１２１）の下方のスプリング（１６）が圧縮状態となる（図１７に示すとおり）。

上記から理解できるように、本発明は主にメモリカード内で且つ前記通信インターフェイスポートに対応した位置に厚み補正機構を設けることで、メモリカードにおける前記通信インターフェイスポート位置での厚みを自動的に補正して、メモリカードが通信インターフェイスポートにより読取り／書込み装置上の対応プロトコルのインターフェイスコネクタに挿入されたときに、前記インターフェイスコネクタのサイズ規格に完全に一致して堅固な結合関係を得ることができるものである。前記技術は例えば、ＣＦ^TM ｃａｒｄ、ＳＤ Ｍｅｍｏｒｙ Ｃａｒｄ、ｍｉｎｉ ＳＤ^TM Ｃａｒｄ、ｍｉｃｒｏＳＤ^TM Ｃａｒｄ、ＭＭＣ Ｃａｒｄ、ＭＭＣｐｌｕｓ^TM Ｃａｒｄ、ＭＭＣｍｏｂｉｌｅ ^TM Ｃａｒｄ、ＭＭＣｍｉｃｒｏ^TM Ｃａｒｄ、Ｍｅｍｏｒｙ Ｓｔｉｃｋ、Ｍｅｍｏｒｙ Ｓｔｉｃｋ ＰＲＯ、Ｍｅｍｏｒｙ Ｓｔｉｃｋ Ｄｕｏ、Ｍｅｍｏｒｙ Ｓｔｉｃｋ ＰＲＯ Ｄｕｏ、Ｍｅｍｏｒｙ Ｓｔｉｃｋ Ｍｉｃｒｏ、ｘＤ−Ｐｉｃｔｕｒｅ Ｃａｒｄｓ^TM またはＴ−Ｆｌａｓｈなどの各種メモリカードに適用される。

本発明の第１の好ましい実施例の立体図である。 本発明の第１の好ましい実施例の他の立体図である。 本発明の第１の好ましい実施例の分解図である。 本発明の第１の好ましい実施例の断面図である。 本発明の第１の好ましい実施例の断面および動作状態図である。 本発明の第２の好ましい実施例の立体図である。 本発明の第２の好ましい実施例の分解図である。 本発明の第２の好ましい実施例の断面図である。 本発明の第２の好ましい実施例の断面および動作状態図である。 本発明の第３の好ましい実施例の立体図である。 本発明の第３の好ましい実施例の分解図である。 本発明の第３の好ましい実施例の断面図である。 本発明の第３の好ましい実施例の断面および動作状態図である。 本発明の第４の好ましい実施例の立体図である。 本発明の第４の好ましい実施例の分解図である。 本発明の第４の好ましい実施例の断面図である。 本発明の第４の好ましい実施例の断面および動作状態図である。 ＵＳＢインターフェイスプラグの平面図である。 ＵＳＢインターフェイスコネクタの平面図である。 ＵＳＢインターフェイスプラグをＵＳＢインターフェイスコネクタに挿入して接続した状態の組合わせ平面図である。

符号の説明

１０ シェル
１０１ 第１端
１０２ 第２端
１１ 標準インターフェイスポート
１２ 通信インターフェイスポート
１２０ 導電性コンタクト
１２１ 金属片
１２２ 付勢板
１３ 第１シェル体
１３１ 溝
１４ 第２シェル体
１４１ 開口
１４２ 貫通溝
１５ 支持体
１５０、１７０ ストッパ縁
１５１、１７１ 斜面
１６ スプリング
１７ 押上げ支持体
２０ スライドカバー
２１ 挟持部
２２ 開口溝
３０ 回路モジュール
８０ ＵＳＢインターフェイスプラグ
８１ シェル
８２ 絶縁板
８２０ 端子
９０ ＵＳＢインターフェイスコネクタ
９１ ハウジング
９２ 絶縁板
９１０ 位置決めバネ
９２０ 弾性コンタクト

Claims (14)

1. 第１端および対向する第２端と、第１端縁に隣接した位置に複数の溝が形成された第１表面および対向する第２表面とを有し、通信インターフェイスポートを構成するために、前記第１または第２表面は第２端上に複数の導電性コンタクトが設けられた平面状のシェルと、
   前記シェル内に設けられ、回路基板上にメモリおよび関連回路が設けられており、複数の金属コンタクトが別に形成されており、メモリカードの標準インターフェイスを構成するために、各金属コンタクトが前記シェルの第１表面上の各溝の内側に対応して配設されている回路モジュールと、
   前記シェル内に設けられて且つ第２端上に配設されるとともに、その上の通信インターフェイスポートに対応することにより、第２端の厚みを自動的に補い、前記通信インターフェイスポートと対応プロトコルのインターフェイスコネクタとの堅固な連結関係を得る補正機構と、を備えたことを特徴とする、
   インターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード。
2. 前記補正機構はシェルにおける第２端に隣接した第１または第２表面に開口が形成され、通信インターフェイスポートとしての複数の導電性コンタクトがその上に設けられた支持体が前記開口内に設けられ、支持体とシェルの内部底面との間に支持されることで支持体上の導電性コンタクトを適当な高さまで持ち上げる一つ以上の付勢手段が更にシェル内における支持体下方に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載のインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード。
3. 前記支持体の下縁周囲が外側に延びて連続したストッパ縁を形成しており、開口に規制されて、シェルから完全に脱離してしまうには至らないように前記ストッパ縁は開口よりも大きいことを特徴とする、請求項２に記載のインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード。
4. 前記補正機構はシェルにおける第２端に隣接した第１または第２表面に開口が形成され、前記シェルにおける第２または第１表面上に設けられた導電性コンタクトに対向する押上げ支持体が前記開口の間を内側から外側に向けて貫設され、押上げ支持体が外側に向けて押上げられたとき、対向する位置上の導電性コンタクトを適当な高さまで押上げる一つ以上の付勢手段が更に押上げ支持体とシェルの内部底面との間に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載のインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード。
5. 前記押上げ支持体の下縁周囲が外側に延びて連続したストッパ縁を形成しており、開口に規制されて、シェルから完全に脱離してしまうには至らないよう前記ストッパ縁は開口よりも大きいことを特徴とする、請求項４に記載のインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード。
6. 前記シェルにおける第２端に隣接した第１または第２表面に複数の貫通溝が形成されており、通信インターフェイスポートの導電性コンタクトを構成する金属片が各々の貫通溝内にそれぞれ設けられ、
   前記補正機構が前記各金属片の少なくとも一端上にそれぞれ設けられた付勢板からなり、各付勢板がシェルの対向する内部底面の間で押上げ支持されることを特徴とする、請求項１に記載のインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード。
7. 前記シェルにおける第２端に隣接した第１または第２表面に複数の貫通溝が形成されており、通信インターフェイスポートの導電性コンタクトを構成する金属片が各々の貫通溝内にそれぞれ設けられ、
   前記補正機構が前記各金属片の下方にそれぞれ設けられた付勢手段からなり、付勢手段が金属片とシェルの内部底面の間に押上げ支持されることを特徴とする、請求項１に記載のインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード。
8. 前記金属片は導電性の付勢手段を介して回路モジュールに電気的に接続されていることを特徴とする、請求項７に記載のインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード。
9. 前記シェルの第２端の幅は第１端よりも狭くなっており、更にその幅がシェルの第１端と近似または同一であるとともに、シェルの中間部位置から第２端に摺動して、第２端の幅を第１端と同一または近似させることで、標準的なメモリカードに完全一致した外観となる平面状のスライドカバーがシェル上に覆設されていることを特徴とする、請求項１ないし８のいずれか一つに記載のインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード。
10. 前記スライドカバーは内側幅／内側高さがシェルに一致している断面が冂状であるケーシングであり、その両側壁底端はシェルに挟持されるためにそれぞれ水平方向に内側に延びて挟持部を形成しており、
    前記スライドカバーは一端が開放形状であり、他端が閉鎖形状をなしており、閉鎖端上には開口溝が形成されており、前記開口溝の位置および形状は、第２端上の通信インターフェイスポートが開口溝から貫通して突出できるように、シェルの第２端と一致していることを特徴とする、請求項９に記載のインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード。
11. 前記補正機構の支持体はスライドカバーの押動方向に対向する角部に斜面が形成されていることを特徴とする、請求項９に記載のインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード。
12. 前記補正機構の押上げ支持体はスライドカバーの押動方向に対向する角部に斜面が形成されていることを特徴とする、請求項９に記載のインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード。
13. 前記補正機構の前記付勢手段がスプリングであることを特徴とする、請求項９に記載のインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード。
14. 前記メモリカードはＣＦ^TM ｃａｒｄ、ＳＤ Ｍｅｍｏｒｙ Ｃａｒｄ、ｍｉｎｉ ＳＤ^TM Ｃａｒｄ、ｍｉｃｒｏＳＤ^TM Ｃａｒｄ、ＭＭＣ Ｃａｒｄ、ＭＭＣｐｌｕｓ ^TM Ｃａｒｄ、ＭＭＣｍｏｂｉｌｅ ^TM Ｃａｒｄ、ＭＭＣｍｉｃｒｏ ^TM Ｃａｒｄ、Ｍｅｍｏｒｙ Ｓｔｉｃｋ（登録商標）、Ｍｅｍｏｒｙ Ｓｔｉｃｋ ＰＲＯ、Ｍｅｍｏｒｙ Ｓｔｉｃｋ Ｄｕｏ、Ｍｅｍｏｒｙ Ｓｔｉｃｋ ＰＲＯ Ｄｕｏ、Ｍｅｍｏｒｙ Ｓｔｉｃｋ Ｍｉｃｒｏ、ｘＤ−Ｐｉｃｔｕｒｅ Ｃａｒｄｓ ^TM またはＴ−Ｆｌａｓｈであることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか一つに記載のインターフェイス規格を自動補正可能なメモリカード。
    

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