JP4349082B2 - Printed wiring board manufacturing method and printed wiring board - Google Patents

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本発明は、プリント配線板の製造方法およびプリント配線板に関する。   The present invention relates to a printed wiring board manufacturing method and a printed wiring board.

近年、電子機器の小型化・軽量化・高速化の要求が高まり、プリント配線板の高密度化が進んでおり、近年、電気めっきを用いたセミアディティブ法によるプリント配線板の製造方法が注目されている。このセミアディティブ法は、例えば特許文献1にあるように回路を形成したい樹脂表面にレーザー等でIVHとなる穴を形成した後に、化学粗化やプラズマ処理等により数μmの凹凸を樹脂上に形成し、Pd触媒を付与し、1μm程度の無電解めっきを行い、パターン電気めっきレジストを形成し、パターン電気めっきにより回路形成を行った後にレジスト及び回路以外の部分に存在する給電層を除去する手法であり、サイドエッチングの大きいサブトラクティブ法に比べ、より微細な配線形成を可能とするものである。さらに、樹脂付き金属箔上にセミアディティブ法により回路形成を行う方法もある。近年は金属箔の厚みを薄くするために、例えば特許文献2及び3にあるように支持金属箔上に5μm以下の厚みの金属箔が形成されている引き剥がし可能なタイプの金属箔やエッチャブルタイプの銅箔が用いられる。この手法では、絶縁樹脂層の表面に無電解めっきを施す必要がなく、より信頼性の高いプリント配線板を作製できる。
特開平11-186716 特開平13-140090 特開平13-89892
In recent years, there has been an increasing demand for smaller, lighter, and faster electronic devices, and the density of printed wiring boards has been increasing. In recent years, a method for manufacturing printed wiring boards using a semi-additive method using electroplating has attracted attention. ing. In this semi-additive method, for example, as disclosed in Patent Document 1, after forming a hole to be IVH with a laser or the like on the surface of a resin on which a circuit is to be formed, an unevenness of several μm is formed on the resin by chemical roughening or plasma treatment. Then, Pd catalyst is applied, electroless plating of about 1 μm is performed, pattern electroplating resist is formed, circuit formation is performed by pattern electroplating, and then the power supply layer existing in portions other than the resist and the circuit is removed As compared with the subtractive method having a large side etching, finer wiring can be formed. Further, there is a method of forming a circuit on a metal foil with resin by a semi-additive method. In recent years, in order to reduce the thickness of the metal foil, for example, as disclosed in Patent Documents 2 and 3, a peelable type metal foil or etchable in which a metal foil having a thickness of 5 μm or less is formed on a supporting metal foil A type of copper foil is used. In this method, it is not necessary to perform electroless plating on the surface of the insulating resin layer, and a printed wiring board with higher reliability can be manufactured.
JP-A-11-186716 JP-A-13-140090 JP-A-13-89892

このように、樹脂付き金属箔上にセミアディティブ法により回路形成を行う場合、無電解銅めっきが過剰にエッチングされ、導体回路形状が損なわれる不具合が発生しやすい。特に無電解銅めっきの銅箔直上部分はエッチング速度が速くなりやすい傾向がある。以下このような現象をアンダーカットと呼ぶ。図1を用いてアンダーカットの定義を行う。ここで、符号1は電解銅、2は無電解銅、3は金属箔、4は樹脂を示す。図1において、導体回路は(a)のように矩形であることが電気特性の上からも導体回路の接着性の面からも望ましい。しかしながら実際に回路を形成する場合、(b)のように無電解銅めっき部分を中心に凹みを生じることがある。この無電解銅めっき部分の凹みをアンダーカットと呼ぶ。ここでパターン電気銅めっき部分と無電解銅めっき部分の幅の差Aをアンダーカット量と定義する。アンダーカットは銅箔の表面形状が平滑であると特に発生しやすい。ここでアンダーカットの発生要因は多岐にわたっており、一義的に定義するのが難しい。しかしながら発明者らは鋭意努力の末、アンダーカットの発生を防ぐため金属箔上のパラジウムの吸着量を調整することを見出した。本発明は、無電解銅めっきが過剰にエッチングされるアンダーカットの不具合を抑制し、尚且つ電気特性が良好なプリント配線板の製造方法を提供するものである。   Thus, when circuit formation is performed on a metal foil with a resin by a semi-additive method, the electroless copper plating is excessively etched, and a problem that the conductor circuit shape is impaired is likely to occur. In particular, the portion immediately above the copper foil of electroless copper plating tends to increase the etching rate. Hereinafter, such a phenomenon is referred to as undercut. Use Figure 1 to define the undercut. Here, the code | symbol 1 is electrolytic copper, 2 is electroless copper, 3 is metal foil, 4 shows resin. In FIG. 1, it is desirable that the conductor circuit is rectangular as shown in (a) from the viewpoint of electrical characteristics and the adhesiveness of the conductor circuit. However, when the circuit is actually formed, a dent may be generated around the electroless copper plating portion as shown in (b). This dent of the electroless copper plating part is called undercut. Here, the width difference A between the pattern electrolytic copper plating portion and the electroless copper plating portion is defined as the undercut amount. The undercut is particularly likely to occur when the surface shape of the copper foil is smooth. Here, the causes of undercuts are diverse and difficult to define uniquely. However, the inventors have found that the amount of palladium adsorbed on the metal foil is adjusted in order to prevent the occurrence of undercut as a result of diligent efforts. The present invention provides a method for manufacturing a printed wiring board that suppresses the problem of undercut that causes electroless copper plating to be etched excessively and that has good electrical characteristics.

本発明は以下(1)〜(7)に記載のことを特徴とする。   The present invention is characterized by the following (1) to (7).

(1) 絶縁樹脂上に固着された金属箔上にパラジウム触媒を付与し、無電解銅めっきを行い、無電解銅めっき上にパターン形成用のレジストを形成し、パターン電気めっきにより回路を形成した後、レジストを除去し、回路部以外の銅をエッチング除去する工程を有するプリント配線板の製造方法にであって、上記金属パラジウムの金属箔上への吸着量が0.05〜0.6μg/cm2の範囲であることを特徴とするプリント配線板の製造方法。 (1) A palladium catalyst was applied on a metal foil fixed on an insulating resin, electroless copper plating was performed, a resist for pattern formation was formed on the electroless copper plating, and a circuit was formed by pattern electroplating. Then, it is a manufacturing method of the printed wiring board which has a process of removing a resist and etching away copper other than a circuit part, Comprising: The adsorption amount on the metal foil of the said metal palladium is 0.05-0.6 microgram / cm < 2 > A method for producing a printed wiring board, characterized by being in a range.

(2) 前記回路部以外の銅をエッチング除去する工程に硫酸/過酸化水素を主成分とする薬液を用いることを特徴とする(1)に記載のプリント配線板の製造方法。 (2) The method for producing a printed wiring board according to (1), wherein a chemical solution mainly composed of sulfuric acid / hydrogen peroxide is used in the step of etching away copper other than the circuit portion.

(3) 前記硫酸の濃度が5〜300g/L、前記過酸化水素の濃度が5〜200g/Lであることを特徴とする(2)に記載のプリント配線板の製造方法。 (3) The method for producing a printed wiring board according to (2), wherein the concentration of the sulfuric acid is 5 to 300 g / L, and the concentration of the hydrogen peroxide is 5 to 200 g / L.

(4) 前記金属箔の表面粗さ(Rz)が両面とも2μm以下であることを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。 (4) The method for producing a printed wiring board according to any one of (1) to (3), wherein the surface roughness (Rz) of the metal foil is 2 μm or less on both sides.

(5) 前記金属箔の厚みが3μm以下であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。 (5) The method for producing a printed wiring board according to any one of (1) to (4), wherein the thickness of the metal foil is 3 μm or less.

(6) 導体回路トップ幅と金属箔上直上部の無電解銅めっき幅の差が、すなわち、アンダーカット量が、5μm以内であることを特徴とする(1)〜(5)のいずれかの方法で作製されたプリント配線板。 (6) The difference between the top width of the conductor circuit and the width of the electroless copper plating immediately above the metal foil, that is, the undercut amount is within 5 μm, Printed wiring board produced by the method.

(7) 絶縁樹脂上に固着された金属箔上に層間接続用の穴を形成し、金属箔上及び層間接続用の穴内にパラジウム触媒を付与し、無電解銅めっきを行い、無電解銅めっき上にパターン形成用のレジストを形成し、パターン電気めっきにより回路を形成した後、レジストを除去し、回路部以外の銅をエッチング除去する工程を有するプリント配線板の製造方法において、上記金属パラジウムの金属箔上への吸着量が0.05〜0.6μg/cm2の範囲であることを特徴とするプリント配線板の製造方法。 (7) A hole for interlayer connection is formed on the metal foil fixed on the insulating resin, a palladium catalyst is provided on the metal foil and in the hole for interlayer connection, electroless copper plating is performed, and electroless copper plating is performed. In the method of manufacturing a printed wiring board, the method includes forming a resist for pattern formation on the substrate, forming a circuit by pattern electroplating, removing the resist, and etching away copper other than the circuit portion. A method for producing a printed wiring board, wherein the amount of adsorption onto the metal foil is in the range of 0.05 to 0.6 μg / cm 2 .

以上のように本発明によれば、無電解銅めっきが過剰にエッチングされるアンダーカットの不具合を抑制し、尚且つ電気特性が良好なプリント配線板を製造することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to manufacture a printed wiring board that suppresses an undercut defect in which electroless copper plating is excessively etched and has good electrical characteristics.

以下、本発明の実施の形態を、図2を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

まず、2種類の層より成るコア基板を作製する。コア基板を作製する場合、図2(a)に示すようなプリプレグ5の両側に金属箔6を有する積層板を用いる方法が安価で好ましい。   First, a core substrate composed of two types of layers is produced. When producing the core substrate, a method using a laminate having metal foils 6 on both sides of the prepreg 5 as shown in FIG.

プリプレグは樹脂組成物を基材に含浸又は塗工してなるものであり、基材としては各種の電気絶縁材料用積層板に用いられている周知のものが使用できる。   The prepreg is obtained by impregnating or coating a resin composition on a base material, and as the base material, well-known ones used for various laminates for electrical insulating materials can be used.

基材の材質の例としては、Eガラス,Dガラス,Sガラス又はQガラス等の無機物繊維、ポリイミド、ポリエステル又はテトラフルオロエチレン等の有機繊維、及びそれらの混合物等が挙げられる。これらの基材は、例えば織布、不織布、ロービンク、チョップドストランドマット、サーフェシングマット等の形状を有するが、材質及び形状は、目的とする成形物の用途や性能により選択され必要により単独もしくは2種類以上の材質及び形状からの使用が可能である。基材の厚みには特に制限はないが、通常0.03〜0.5mm程度のものを使用し、シランカップリング剤等で表面処理したものや機械的に開繊処理を施したものは耐熱性や耐湿性、加工性の面から好適である。   Examples of the material of the substrate include inorganic fibers such as E glass, D glass, S glass, and Q glass, organic fibers such as polyimide, polyester, and tetrafluoroethylene, and mixtures thereof. These base materials have shapes such as woven fabric, non-woven fabric, low-ink, chopped strand mat, surfacing mat, etc., and the material and shape are selected depending on the intended use and performance of the molded product, and can be used alone or as required. It can be used from more than a variety of materials and shapes. There is no particular limitation on the thickness of the base material, but usually about 0.03 to 0.5 mm is used, and the surface treated with a silane coupling agent or the like or mechanically opened is heat resistant. From the viewpoint of properties, moisture resistance, and workability.

樹脂組成物は、プリント配線板の絶縁材料として用いられる公知慣例の樹脂組成物を用いることができる。通常、耐熱性、耐薬品性の良好な熱硬化性樹脂がベースとして用いられ、熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、マレイミド樹脂、イソシアネート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビニル樹脂などが例示されるが、これらに限定されるわけではない。熱硬化性樹脂は、1種類のものを単独で用いても良いし、2種類以上を混合して用いても良い。   As the resin composition, a known and customary resin composition used as an insulating material for a printed wiring board can be used. Usually, thermosetting resin with good heat resistance and chemical resistance is used as the base, and as thermosetting resin, phenol resin, epoxy resin, cyanate resin, maleimide resin, isocyanate resin, benzocyclobutene resin, vinyl resin However, the present invention is not limited to these examples. One type of thermosetting resin may be used alone, or two or more types may be mixed and used.

熱硬化性樹脂の中でも、エポキシ樹脂は耐熱性、耐薬品性、電気特性に優れ、比較的安価であることから、絶縁樹脂として広く用いられており特に重要である。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のジグリシジルエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などが例示される。エポキシ樹脂は、1種類のものを単独で用いても良いし、2種類以上を混合して用いても良い。また、このエポキシ樹脂とともに用いる硬化剤はエポキシ樹脂を硬化させるものであれば、限定することなく使用でき、例えば、多官能フェノール類、多官能アルコール類、アミン類、イミダゾール化合物、酸無水物、有機リン化合物及びこれらのハロゲン化物などがある。これらのエポキシ樹脂硬化剤は、1種類のものを単独で用いても良いし、2種類以上を混合して用いても良い。   Among thermosetting resins, epoxy resins are particularly important because they are widely used as insulating resins because they are excellent in heat resistance, chemical resistance and electrical properties and are relatively inexpensive. Epoxy resins include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins and other bisphenol type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, and bisphenol A novolak type epoxy resins. Type epoxy resin, cycloaliphatic epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, diglycidyl etherified product of biphenol, diglycidyl etherified product of naphthalenediol, diglycidyl etherified product of phenol, diglycidyl etherified product of alcohol, and these And alkyl-substituted products, halides, hydrogenated products, and the like. One type of epoxy resin may be used alone, or two or more types may be mixed and used. The curing agent used together with the epoxy resin can be used without limitation as long as it cures the epoxy resin. For example, polyfunctional phenols, polyfunctional alcohols, amines, imidazole compounds, acid anhydrides, organic There are phosphorus compounds and their halides. These epoxy resin curing agents may be used alone or in combination of two or more.

シアネート樹脂は、加熱によりトリアジン環を繰り返し単位とする硬化物を生成する樹脂であり、硬化物は誘電特性に優れるため、特に高周波特性が要求される場合などに用いられることが多い。シアネート樹脂としては、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン、ビス(4−シアナトフェニル)エタン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−シアナトフェニル)メタン、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、α,α’−ビス(4−シアナトフェニル)−m−ジイソプロピルベンゼン、フェノールノボラック及びアルキルフェノールノボラックのシアネートエステル化物等が挙げられる。その中でも、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパンは硬化物の誘電特性と硬化性のバランスが特に良好であり、コスト的にも安価であるため好ましい。またシアネートエステル化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を混合して用いてもよい。また、ここで用いられるシアネートエステル化合物は予め一部が三量体や五量体にオリゴマー化されていても構わない。さらに、シアネート樹脂に対して硬化触媒や硬化促進剤を入れても良い。硬化触媒としては、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛等の金属類が用いられ、具体的には、2−エチルヘキサン酸塩、ナフテン酸塩、オクチル酸塩等の有機金属塩及びアセチルアセトン錯体などの有機金属錯体として用いられる。これらは、単独で使用しても良いし、二種類以上を混合して使用しても良い。硬化促進剤としてはフェノール類を使用することが好ましく、ノニルフェノール、パラクミルフェノールなどの単官能フェノールや、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールSなどの二官能フェノールあるいはフェノールノボラック、クレゾールノボラックなどの多官能フェノールなどを用いることができる。これらは、単独で使用しても良いし、二種類以上を混合して使用しても良い。   The cyanate resin is a resin that generates a cured product having a triazine ring as a repeating unit by heating, and the cured product is excellent in dielectric characteristics, and is often used particularly when high-frequency characteristics are required. Examples of cyanate resins include 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, bis (4-cyanatophenyl) ethane, 2,2-bis (3,5-dimethyl-4-cyanatophenyl) methane, , 2-bis (4-cyanatophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, α, α′-bis (4-cyanatophenyl) -m-diisopropylbenzene, phenol novolac and Examples include cyanate esterified products of alkylphenol novolac. Among these, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane is preferable because it has a particularly good balance between the dielectric properties and curability of the cured product and is inexpensive. Moreover, a cyanate ester compound may be used individually by 1 type, and 2 or more types may be mixed and used for it. The cyanate ester compound used here may be partially oligomerized in advance to a trimer or a pentamer. Furthermore, a curing catalyst or a curing accelerator may be added to the cyanate resin. As the curing catalyst, metals such as manganese, iron, cobalt, nickel, copper, and zinc are used. Specifically, organic metal salts such as 2-ethylhexanoate, naphthenate, octylate, and acetylacetone are used. Used as organometallic complexes such as complexes. These may be used alone or in combination of two or more. Phenols are preferably used as the curing accelerator, and monofunctional phenols such as nonylphenol and paracumylphenol, bifunctional phenols such as bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol S, or polyfunctional phenols such as phenol novolac and cresol novolac. Etc. can be used. These may be used alone or in combination of two or more.

絶縁材料として用いられる樹脂組成物には、誘電特性、耐衝撃性、フィルム加工性などを考慮して、熱可塑性樹脂がブレンドされてあっても良い。熱可塑性樹脂としては、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル、変性ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリブタジエンなどが例示されるが、これらに限定されるわけではない。熱可塑性樹脂は、1種類のものを単独で用いても良いし、2種類以上を混合して用いても良い。   The resin composition used as the insulating material may be blended with a thermoplastic resin in consideration of dielectric properties, impact resistance, film processability, and the like. Examples of the thermoplastic resin include, but are not limited to, fluororesin, polyphenylene ether, modified polyphenylene ether, polyphenylene sulfide, polycarbonate, polyether imide, polyether ether ketone, polyarylate, polyamide, polyamide imide, and polybutadiene. I don't mean. One type of thermoplastic resin may be used alone, or two or more types may be mixed and used.

熱可塑性樹脂の中でも、ポリフェニレンエーテルおよび変性ポリフェニレンエーテルを配合すると、硬化物の誘電特性が向上するので有用である。ポリフェニレンエーテルおよび変性ポリフェニレンエーテルとしては、例えば、ポリ(2,6−ジメチル−1,4−フェニレン)エーテル、ポリ(2,6−ジメチル−1,4−フェニレン)エーテルとポリスチレンのアロイ化ポリマ、ポリ(2,6−ジメチル−1,4−フェニレン)エーテルとスチレン−ブタジエンコポリマのアロイ化ポリマ、ポリ(2,6−ジメチル−1,4−フェニレン)エーテルとスチレン−無水マレイン酸コポリマのアロイ化ポリマ、ポリ(2,6−ジメチル−1,4−フェニレン)エーテルとポリアミドのアロイ化ポリマ、ポリ(2,6−ジメチル−1,4−フェニレン)エーテルとスチレン−ブタジエン−アクリロニトリルコポリマのアロイ化ポリマなどが挙げられる。また、ポリフェニレンエーテルに反応性、重合性を付与するために、ポリマー鎖末端にアミノ基、エポキシ基、カルボキシル基、スチリル基、メタクリル基などの官能基を導入したり、ポリマー鎖側鎖にアミノ基、エポキシ基、カルボキシル基、スチリル基、メタクリル基などの官能基を導入したりしてもよい。   Among thermoplastic resins, blending polyphenylene ether and modified polyphenylene ether is useful because it improves the dielectric properties of the cured product. Examples of polyphenylene ether and modified polyphenylene ether include poly (2,6-dimethyl-1,4-phenylene) ether, poly (2,6-dimethyl-1,4-phenylene) ether and polystyrene alloyed polymer, poly Alloyed polymer of (2,6-dimethyl-1,4-phenylene) ether and styrene-butadiene copolymer, Alloyed polymer of poly (2,6-dimethyl-1,4-phenylene) ether and styrene-maleic anhydride copolymer Alloyed polymer of poly (2,6-dimethyl-1,4-phenylene) ether and polyamide, alloyed polymer of poly (2,6-dimethyl-1,4-phenylene) ether and styrene-butadiene-acrylonitrile copolymer, etc. Is mentioned. In addition, in order to impart reactivity and polymerizability to polyphenylene ether, functional groups such as amino groups, epoxy groups, carboxyl groups, styryl groups, and methacryl groups are introduced at the ends of polymer chains, or amino groups are introduced into the side chains of polymer chains. In addition, a functional group such as an epoxy group, a carboxyl group, a styryl group, or a methacryl group may be introduced.

熱可塑性樹脂の中でも、ポリアミドイミド樹脂は、耐熱性、耐湿性に優れることに加え、金属に対する接着性が良好であるので有用である。ポリアミドイミドの原料のうち、酸成分としては、無水トリメリット酸、無水トリメリット酸モノクロライド、アミン成分としては、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、ビス[4-(アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2’-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパンなどが例示されるが、これに限定されるわけではない。乾燥性を向上させるためにシロキサン変性としても良く、この場合、アミノ成分にシロキサンジアミンが用いられる。フィルム加工性を考慮すると、分子量は5万以上のものを用いるのが好ましい。   Among thermoplastic resins, polyamideimide resin is useful because it has excellent heat resistance and moisture resistance, and also has good adhesion to metal. Among the raw materials of polyamideimide, trimellitic anhydride and trimellitic anhydride monochloride are used as acid components, and metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′- as amine components. Examples include, but are not limited to, diaminodiphenylmethane, bis [4- (aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2′-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, and the like. In order to improve drying property, it may be modified with siloxane. In this case, siloxane diamine is used as the amino component. In consideration of film processability, it is preferable to use a molecular weight of 50,000 or more.

絶縁材料として用いられる樹脂組成物には、無機フィラーが混合されてあっても良い。無機フィラーとしては、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、クレー、タルク、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化亜鉛、溶融シリカ、ガラス粉、石英粉、シラスバルーンなどが挙げられる。これら無機フィラーは単独で使用しても良いし、2種類以上を混合して使用しても良い。   An inorganic filler may be mixed in the resin composition used as the insulating material. Examples of the inorganic filler include alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, clay, talc, antimony trioxide, antimony pentoxide, zinc oxide, fused silica, glass powder, quartz powder, and shirasu balloon. These inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more.

絶縁材料として用いられる樹脂組成物は、有機溶媒を含有しても良い。有機溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼンのような芳香族炭化水素系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン系溶媒;テトラヒドロフランのようなエーテル系溶媒;イソプロパノール、ブタノールのようなアルコール系溶媒;2−メトキシエタノール、2−ブトキシエタノールのようなエーテルアルコール系溶媒;N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドのようなアミド系溶媒などを、適宜、併用しても良い。プリプレグを作製する場合におけるワニス中の溶媒量は40〜80重量%の範囲とするのが好ましく、また、ワニスの粘度は20〜100cPの範囲とするのが好ましい。   The resin composition used as the insulating material may contain an organic solvent. Organic solvents include aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene and trimethylbenzene; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone; ether solvents such as tetrahydrofuran; isopropanol and butanol Suitable alcohol solvents; ether alcohol solvents such as 2-methoxyethanol and 2-butoxyethanol; amide solvents such as N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, etc. You may use together. When the prepreg is produced, the amount of solvent in the varnish is preferably in the range of 40 to 80% by weight, and the viscosity of the varnish is preferably in the range of 20 to 100 cP.

絶縁材料として用いられる樹脂組成物は難燃剤を含有しても良い。難燃剤としては、デカブロモジフェニルエーテル、テトラブロモビスフェノールA、テトラブロモ無水フタル酸、トリブロモフェノールなどの臭素化合物、トリフェニルフォスフェート、トリクレジルフォスフェート、トリキシリルフォスフェート、クレジルジフェニルフォスフェートなどのリン化合物、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウムなどの金属水酸化物、赤リン及びその変性物、三酸化アンチモン、五酸化アンチモンなどのアンチモン化合物、メラミン、シアヌール酸、シアヌール酸メラミンなどのトリアジン化合物など公知慣例の難燃剤を用いることができる。   The resin composition used as the insulating material may contain a flame retardant. Flame retardants include bromine compounds such as decabromodiphenyl ether, tetrabromobisphenol A, tetrabromophthalic anhydride, tribromophenol, triphenyl phosphate, tricresyl phosphate, trixyl phosphate, cresyl diphenyl phosphate, etc. Known metal compounds such as phosphorus compounds, magnesium hydroxide and aluminum hydroxide, red phosphorus and its modified products, antimony compounds such as antimony trioxide and antimony pentoxide, and triazine compounds such as melamine, cyanuric acid and melamine cyanurate Conventional flame retardants can be used.

絶縁材料として用いられる樹脂組成物に対して、さらに必要に応じて硬化剤、硬化促進剤、熱可塑性粒子、着色剤、紫外線不透過剤、酸化防止剤、還元剤などの各種添加剤や充填剤を加えて調合する。   Various additives and fillers such as curing agents, curing accelerators, thermoplastic particles, colorants, UV-opaque agents, antioxidants, reducing agents, etc., as necessary, for resin compositions used as insulating materials Add and mix.

通常、基材に対する樹脂組成物の付着量が、乾燥後のプリプレグの樹脂含有率で20〜90重量%となるように基材に含浸又は塗工した後、通常100〜200℃の温度で1〜30分加熱乾燥し、半硬化状態(Bステージ状態)のプリプレグを得る。このプリプレグを通常1〜20枚重ね、その両面に金属箔を配置した構成で加熱加圧する。成形条件としては通常の積層板の手法が適用でき、例えば多段プレス、多段真空プレス、連続成形、オートクレーブ成形機等を使用し、通常、温度100〜250℃、圧力2〜100kg/cm、加熱時間0.1〜5時間の範囲で成形したり、真空ラミネート装置などを用いてラミネート条件50〜150℃、0.1〜5MPaの条件で減圧下又は大気圧の条件で行う。絶縁層となるプリプレグ層の厚みは用途によって異なるが、通常0.1〜5.0mmの厚みのものが良い。 Usually, after impregnating or coating the base material so that the amount of the resin composition attached to the base material is 20 to 90% by weight in terms of the resin content of the dried prepreg, it is usually 1 at a temperature of 100 to 200 ° C. Heat-dry for ˜30 minutes to obtain a semi-cured (B-stage) prepreg. Usually, 1 to 20 sheets of this prepreg are stacked and heated and pressed in a configuration in which metal foils are arranged on both surfaces. As a molding condition, a method of a normal laminated plate can be applied. For example, a multi-stage press, a multi-stage vacuum press, continuous molding, an autoclave molding machine or the like is used, and a temperature is typically 100 to 250 ° C., a pressure is 2 to 100 kg / cm 2 , and heating is performed. Molding is performed for a time in the range of 0.1 to 5 hours, or by using a vacuum laminating apparatus or the like under the conditions of lamination at 50 to 150 ° C. and 0.1 to 5 MPa under reduced pressure or atmospheric pressure. Although the thickness of the prepreg layer which becomes an insulating layer changes with uses, the thing of the thickness of 0.1-5.0 mm is good normally.

本発明に用いる金属箔の表面粗さはJISB0601に示す10点平均粗さ(Rz)が両面とも2.0μm以下であることが電気特性上好ましい。金属箔には銅箔、ニッケル箔、アルミ箔などを用いることができるが、通常は銅箔を使用する。銅箔の製造条件は、硫酸銅浴の場合、硫酸50〜100g/L、銅30〜100g/L、液温20℃〜80℃、電流密度0.5〜100A/dmの条件、ピロリン酸銅浴の場合、ピロリン酸カリウム100〜700g/L、銅10〜50g/L、液温30℃〜60℃、pH8〜12、電流密度1〜10A/dmの条件が一般的によく用いられ、銅の物性や平滑性を考慮して各種添加剤をいれる場合もある。 As for the surface roughness of the metal foil used in the present invention, the 10-point average roughness (Rz) shown in JISB0601 is preferably 2.0 μm or less on both sides in view of electrical characteristics. Although copper foil, nickel foil, aluminum foil, etc. can be used for metal foil, copper foil is usually used. In the case of a copper sulfate bath, the production conditions of the copper foil are sulfuric acid 50-100 g / L, copper 30-100 g / L, liquid temperature 20 ° C.-80 ° C., current density 0.5-100 A / dm 2 , pyrophosphoric acid In the case of a copper bath, the conditions of potassium pyrophosphate 100-700 g / L, copper 10-50 g / L, liquid temperature 30 ° C.-60 ° C., pH 8-12, current density 1-10 A / dm 2 are commonly used. In some cases, various additives may be added in consideration of the physical properties and smoothness of copper.

さらに好ましくは、厚みが3.0μm以下のピーラブルタイプであり、かつ表面粗さRzが両面とも2.0μm以下である金属箔を用いる。ここで、ピーラブルタイプの金属箔とは、キャリアを有する金属箔であり、キャリアが引き剥がし可能な金属箔である。例えば、ピーラブルタイプの極薄銅箔の場合、厚み10〜50μmのキャリア箔上に剥離層となる金属酸化物或いは有機物層を形成し、その上に硫酸銅浴であれば硫酸50〜100g/L、銅30〜100g/L、液温20℃〜80℃、電流密度0.5〜100A/dmの条件、ピロリン酸銅浴であればピロリン酸カリウム100〜700g/L、銅10〜50g/L、液温30℃〜60℃、pH8〜12、電流密度1〜10A/dmの条件で厚み0.3〜3.0μmの金属箔を形成し、製造される。このような箔を給電層に用いた場合、後述するように配線形成性が良好である。尚、ピーラブルタイプの代わりにアルミキャリアやニッケルキャリアを有するエッチャブルタイプの銅箔を用いることもできる。 More preferably, a metal foil having a peelable type with a thickness of 3.0 μm or less and a surface roughness Rz of 2.0 μm or less on both sides is used. Here, the peelable type metal foil is a metal foil having a carrier, which is a metal foil that can be peeled off by the carrier. For example, in the case of a peelable type ultra-thin copper foil, a metal oxide or organic layer to be a release layer is formed on a carrier foil having a thickness of 10 to 50 μm, and a sulfuric acid 50 to 100 g / h is used on the copper sulfate bath. L, copper 30-100 g / L, liquid temperature 20 ° C.-80 ° C., current density 0.5-100 A / dm 2 condition, potassium pyrophosphate bath 100-700 g / L potassium pyrophosphate, copper 10-50 g / L, a liquid temperature of 30 ° C. to 60 ° C., a pH of 8 to 12, and a current density of 1 to 10 A / dm 2 are produced by forming a metal foil having a thickness of 0.3 to 3.0 μm. When such a foil is used for the power feeding layer, the wiring formability is good as described later. Note that an etchable type copper foil having an aluminum carrier or a nickel carrier may be used instead of the peelable type.

金属箔の樹脂接着面に行う防錆処理は、ニッケル、錫、亜鉛、クロム、モリブデン、コバルトのいずれか、若しくはそれらの合金を用いて行うことができる。これらはスパッタや電気めっき、無電解めっきにより金属箔上に薄膜形成を行うものであるが、コストの面から電気めっきが好ましい。具体的にはめっき層にニッケル、錫、亜鉛、クロム、モリブデン、コバルトの内一種類以上の金属塩を含むめっき層を用いてめっきを行う。金属イオンの析出を容易にするためにクエン酸塩、酒石酸塩、スルファミン酸等の錯化剤を必要量添加することも出来る。めっき液は通常酸性領域で用い、室温〜80℃の温度で行う。めっきは通常電流密度0.1〜10A/dm2、通電時間1〜60秒、好ましくは1〜30秒の範囲から適宜選択する。防錆処理金属の量は、金属の種類によって異なるが、合計で10〜2000μg/dm2が好適である。防錆処理が厚すぎるとエッチング阻害と電気特性の低下を引き起こし、薄すぎると樹脂とのピール強度低下の要因となりうる。 The antirust treatment performed on the resin adhesive surface of the metal foil can be performed using any of nickel, tin, zinc, chromium, molybdenum, cobalt, or an alloy thereof. In these methods, a thin film is formed on a metal foil by sputtering, electroplating or electroless plating, but electroplating is preferable from the viewpoint of cost. Specifically, plating is performed using a plating layer containing one or more metal salts of nickel, tin, zinc, chromium, molybdenum, and cobalt. In order to facilitate the precipitation of metal ions, a complexing agent such as citrate, tartrate or sulfamic acid can be added in the required amount. The plating solution is usually used in an acidic region and is performed at a temperature of room temperature to 80 ° C. The plating is appropriately selected from a range of usually a current density of 0.1 to 10 A / dm 2 and a current application time of 1 to 60 seconds, preferably 1 to 30 seconds. The amount of the rust-proofing metal varies depending on the type of metal, but is preferably 10 to 2000 μg / dm 2 in total. If the rust preventive treatment is too thick, it may cause etching inhibition and deterioration of electrical characteristics, and if it is too thin, it may cause a reduction in peel strength with the resin.

さらに、防錆処理上にクロメート処理層が形成されていると樹脂とのピール強度低下を抑制できるため有用である。具体的には六価クロムイオンを含む水溶液を用いて行われる。クロメート処理は単純な浸漬処理でも可能であるが、好ましくは陰極処理で行う。重クロム酸ナトリウム0.1〜50g/L、pH1〜13、浴温0〜60℃、電流密度0.1〜5A/dm、電解時間0.1〜100秒の条件で行うのが良い。重クロム酸ナトリウムの代わりにクロム酸或いは重クロム酸カリウムを用いて行うことも出来る。 Furthermore, if a chromate treatment layer is formed on the rust prevention treatment, it is useful because a reduction in peel strength with the resin can be suppressed. Specifically, it is performed using an aqueous solution containing hexavalent chromium ions. The chromate treatment can be performed by a simple immersion treatment, but is preferably performed by a cathode treatment. It is good to carry out on the conditions of sodium dichromate 0.1-50 g / L, pH 1-13, bath temperature 0-60 degreeC, current density 0.1-5 A / dm < 2 >, and electrolysis time 0.1-100 second. It can also carry out using chromic acid or potassium dichromate instead of sodium dichromate.

本発明においては、金属箔の最外層にさらにシランカップリング剤が吸着していることが好ましい。シランカップリング剤としては例えば、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2-(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性シラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン等のアミノ官能性シラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシシラン、ビニルトリス(2−メトキシエトキシ)シラン等のオレフィン官能性シラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリル官能性シラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のメタクリル官能性シラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性シランなどが用いられる。これらは単独で用いても良いし、複数を混合して用いても良い。これらのカップリング剤は、水などの溶媒に0.1〜15g/Lの濃度で溶解させて室温〜50℃の温度で金属箔に塗布したり、電着させたりして吸着させる。これらのシランカップリング剤は金属箔表面の防錆金属の水酸基と縮合結合することで皮膜を形成する。シランカップリング処理後は加熱、紫外線照射等によって安定的結合を形成する。加熱であれば100〜200℃の温度で2〜60秒乾燥させる。紫外線照射であれば200〜400nm、200〜2500mJ/cmの範囲で行う。 In the present invention, it is preferable that a silane coupling agent is further adsorbed on the outermost layer of the metal foil. Examples of silane coupling agents include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, epoxy-functional silanes such as 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, and N-2. Amino-functional silanes such as-(aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinylphenyltrimethoxysilane, vinyltris (2- Olefin functional silane such as methoxyethoxy) silane, acrylic functional silane such as 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, methacryl functional silane such as 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, etc. And mercapto-functional silane is used. These may be used alone or in combination. These coupling agents are dissolved in a solvent such as water at a concentration of 0.1 to 15 g / L and applied to a metal foil at a temperature of room temperature to 50 ° C. or electrodeposited to be adsorbed. These silane coupling agents form a film by condensation bonding with a hydroxyl group of a rust-preventing metal on the surface of the metal foil. After the silane coupling treatment, a stable bond is formed by heating, ultraviolet irradiation or the like. If it is heating, it is dried at a temperature of 100 to 200 ° C. for 2 to 60 seconds. In the case of ultraviolet irradiation, it is performed in the range of 200 to 400 nm and 200 to 2500 mJ / cm 2 .

樹脂組成物とシランカップリング剤の組み合わせは、加熱により樹脂組成物中の官能基とシランカップリング剤の官能基が化学反応するように選択することが好ましい。例えば、樹脂組成物中にエポキシ基が含まれる場合、シランカップリング剤としてアミノ官能性シランを選択すると効果がより顕著に発現される。これは、熱によりエポキシ基とアミノ基が容易に強固な化学結合を形成し、この結合が熱や水分に対して極めて安定であることに起因する。このように化学結合を形成する組み合わせとして、エポキシ基−アミノ基、エポキシ基−エポキシ基、エポキシ基−メルカプト基、エポキシ基−水酸基、エポキシ基−カルボキシル基、エポキシ基−シアナト基、アミノ基−水酸基、アミノ基−カルボキシル基、アミノ基−シアナト基などが例示される。   The combination of the resin composition and the silane coupling agent is preferably selected so that the functional group in the resin composition and the functional group of the silane coupling agent are chemically reacted by heating. For example, when an epoxy group is contained in the resin composition, the effect is more remarkably exhibited when aminofunctional silane is selected as the silane coupling agent. This is because the epoxy group and amino group easily form a strong chemical bond by heat, and this bond is extremely stable against heat and moisture. As a combination for forming a chemical bond in this manner, epoxy group-amino group, epoxy group-epoxy group, epoxy group-mercapto group, epoxy group-hydroxyl group, epoxy group-carboxyl group, epoxy group-cyanato group, amino group-hydroxyl group , Amino group-carboxyl group, amino group-cyanato group and the like.

樹脂組成物中に常温で液状のエポキシ樹脂を含む場合、溶融時の粘度が大幅に低下するため、接着界面における濡れ性が向上し、エポキシ樹脂とカップリング剤の化学反応が起こりやすくなり、その結果、強固なピール強度が得られる。具体的にはエポキシ当量200程度のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。   When the epoxy resin that is liquid at room temperature is included in the resin composition, the viscosity at the time of melting is greatly reduced, so that the wettability at the adhesion interface is improved, and the chemical reaction between the epoxy resin and the coupling agent is likely to occur. As a result, a strong peel strength can be obtained. Specifically, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and phenol novolac type epoxy resin having an epoxy equivalent of about 200 are preferable.

樹脂組成物に硬化剤を含む場合、硬化剤としては、特に加熱硬化型潜在性硬化剤を用いることが好ましい。すなわち、熱硬化性樹脂中の官能基とシランカップリング剤の官能基が化学反応する場合は、熱硬化性樹脂中の官能基とシランカップリング剤の官能基の反応温度が熱硬化性樹脂の硬化反応が開始される温度より低くなるように硬化剤を選択することが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂中の官能基とシランカップリング剤の官能基の反応を優先的、選択的に行うことができるため、金属箔と樹脂組成物の密着性がより高くなる。エポキシ樹脂を含む樹脂組成物に対する熱硬化型潜在性硬化剤としては、ジシアンジアミド、ジヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、アミン−エポキシアダクトなどの固体分散−加熱溶解型硬化剤や尿素化合物、オニウム塩類、ボロントリクロライド・アミン塩類、ブロックカルボン酸化合物などの反応性基ブロック型硬化剤が挙げられる。   When the curing agent is included in the resin composition, it is particularly preferable to use a thermosetting latent curing agent as the curing agent. That is, when the functional group in the thermosetting resin and the functional group of the silane coupling agent chemically react, the reaction temperature of the functional group in the thermosetting resin and the functional group of the silane coupling agent is the same as that of the thermosetting resin. It is preferable to select the curing agent so that it is lower than the temperature at which the curing reaction is initiated. Thereby, since reaction of the functional group in a thermosetting resin and the functional group of a silane coupling agent can be performed preferentially and selectively, the adhesiveness of metal foil and a resin composition becomes higher. Thermosetting latent curing agents for resin compositions containing epoxy resins include dicyandiamide, dihydrazide compounds, imidazole compounds, amine-epoxy adducts and other solid dispersion-heat-dissolving curing agents, urea compounds, onium salts, boron trichloride -Reactive group block type curing agents such as amine salts and block carboxylic acid compounds.

また、樹脂組成物硬化後1GHzにおける比誘電率が3.0以下または誘電正接が0.01以下である樹脂組成物を用いると、配線における誘電体損失の低減が可能となり、より一層伝送損失の小さい回路形成が可能となる。このような誘電特性に優れる樹脂としてはポリフェニレンエーテルやシアネートエステルが例示される。ポリフェニレンエーテルを配線板材料に用いる場合は、耐熱性や耐薬品性を向上させるために熱硬化性を付与する必要があるが、この一例として、ポリフェニレンエーテルにエポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、トリアジン−ビスマレイミド樹脂などの熱硬化性樹脂をブレンドする方法、ポリフェニレンエーテルの分子鎖中に二重結合やエポキシ基などの重合性官能基を導入する方法がある。   In addition, when a resin composition having a relative dielectric constant of 3.0 or less at 1 GHz or a dielectric loss tangent of 0.01 or less is used after the resin composition is cured, the dielectric loss in the wiring can be reduced, and transmission loss is further reduced. A small circuit can be formed. Examples of such a resin having excellent dielectric properties include polyphenylene ether and cyanate ester. When polyphenylene ether is used as a wiring board material, it is necessary to impart thermosetting properties in order to improve heat resistance and chemical resistance. For example, polyphenylene ether may be added to epoxy resin, cyanate ester resin, triazine-bis. There are a method of blending a thermosetting resin such as maleimide resin, and a method of introducing a polymerizable functional group such as a double bond or an epoxy group into the molecular chain of polyphenylene ether.

樹脂組成物中にシアネート樹脂を含む場合は、金属箔の防錆処理はニッケルを主成分として用いるのが好ましい。この組み合わせにおいては、耐熱劣化試験や耐湿劣化試験におけるピール強度の低下が少なく有用である。   When the cyanate resin is included in the resin composition, it is preferable to use nickel as a main component for the rust prevention treatment of the metal foil. This combination is useful in that there is little reduction in peel strength in the heat resistance deterioration test and moisture resistance deterioration test.

以上のような樹脂組成物と表面が粗し処理されていない金属箔とは従来公知の方法により積層一体化され、図2(a)に示す積層板を得ることができる。   The resin composition as described above and the metal foil whose surface is not roughened are laminated and integrated by a conventionally known method to obtain a laminate shown in FIG.

次に上記積層体に層間接続用の貫通スルーホール7を形成する(図2(b))。スルーホール径が100μm以上であればドリルによる加工が適しており、スルーホール径が100μm以下であればCOやCO、エキシマ等の気体レーザーやYAG等の固体レーザーが適している。 Next, through-holes 7 for interlayer connection are formed in the laminate (FIG. 2B). If the through hole diameter is 100 μm or more, processing by a drill is suitable, and if the through hole diameter is 100 μm or less, a gas laser such as CO 2 , CO, or excimer, or a solid laser such as YAG is suitable.

次いで金属箔上及びスルーホール内部に触媒核を付与する。触媒核の付与には、パラジウムイオン触媒であるアクチベーターネオガント(アトテック・ジャパン株式会社製、商品名)やパラジウムコロイド触媒であるHS201B(日立化成工業株式会社製、商品名)を使用する。パラジウム触媒を付与する場合、CLC-201(日立化成工業株式会社製、商品名)のようなコンディショニング処理を事前に行う。コンディショニングの種類や触媒の付与方法、付与時間によってパラジウム触媒の吸着量は大きく異なる。ここで接続信頼性を確保するために、スルーホール内にはパラジウムをつける必要があるが、後述するように銅箔上に過剰のパラジウムをつけると後のエッチング工程で不具合が発生する。また金属パラジウムの銅箔上への吸着量が低いと接続信頼性が低下する。本発明における上記パラジウム触媒の銅箔上への吸着量は0.05〜0.6μg/cm2の範囲であり、更に望ましくは0.05〜0.3μg/cm2の範囲である。パラジウム触媒を吸着させる際の処理温度は10〜40℃が好ましい。処理時間をコントロールすることにより、パラジウム触媒の銅箔上への吸着量をコントロールすることができる。 Next, catalyst nuclei are provided on the metal foil and inside the through hole. For providing the catalyst nucleus, an activator neogant (trade name, manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.), which is a palladium ion catalyst, and HS201B (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), which is a palladium colloid catalyst, are used. When the palladium catalyst is applied, conditioning treatment such as CLC-201 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is performed in advance. The amount of adsorption of the palladium catalyst varies greatly depending on the type of conditioning, the application method of the catalyst, and the application time. Here, in order to ensure connection reliability, it is necessary to attach palladium in the through hole. However, if excessive palladium is applied on the copper foil as will be described later, a problem occurs in a later etching process. Further, when the amount of metal palladium adsorbed on the copper foil is low, connection reliability is lowered. Adsorption onto a copper foil of the palladium catalyst in the present invention is in the range of 0.05~0.6μg / cm 2, more preferably in the range of 0.05~0.3μg / cm 2. The treatment temperature for adsorbing the palladium catalyst is preferably 10 to 40 ° C. By controlling the treatment time, the adsorption amount of the palladium catalyst on the copper foil can be controlled.

次に図2(c)に示すように触媒核を付与した金属箔上及びスルーホール内部に薄付けの無電解めっき層8を形成する。この無電解めっきには、CUST2000(日立化成工業株式会社製、商品名)やCUST201(日立化成工業株式会社製、商品名)等の市販の無電解銅めっきが使用できる。これらの無電解銅めっきは硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウムを主成分とする。めっきの厚さは次の電気めっきが行うことができる厚さであればよく、0.1〜1μm程度で十分である。   Next, as shown in FIG. 2C, a thin electroless plating layer 8 is formed on the metal foil provided with catalyst nuclei and in the through holes. For this electroless plating, commercially available electroless copper plating such as CUST2000 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name) or CUST201 (product name of Hitachi Chemical Co., Ltd.) can be used. These electroless copper platings are mainly composed of copper sulfate, formalin, complexing agent and sodium hydroxide. The thickness of the plating is not limited as long as the next electroplating can be performed, and about 0.1 to 1 μm is sufficient.

次に図2(d)に示すように無電解めっきを行った上にめっきレジスト9を形成する。めっきレジストの厚さは、その後めっきする導体の厚さと同程度かより厚い膜厚にするのが好適である。めっきレジストに使用できる樹脂には、PMER P−LA900PM(東京応化株式会社製、商品名)のような液状レジストや、HW−425(日立化成工業株式会社、商品名)、RY−3025(日立化成工業株式会社、商品名)等のドライフィルムがある。ビアホール上と導体回路となるべき個所はめっきレジストを形成しない。   Next, as shown in FIG. 2 (d), after performing electroless plating, a plating resist 9 is formed. The thickness of the plating resist is preferably set to a thickness that is about the same as or thicker than the conductor to be subsequently plated. Resins that can be used for the plating resist include liquid resists such as PMER P-LA900PM (trade name, manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.), HW-425 (trade name, Hitachi Chemical Co., Ltd.), RY-3025 (Hitachi Chemical). There are dry films such as Kogyo Co., Ltd. (trade name). A plating resist is not formed on the via hole and the portion to be a conductor circuit.

次に図2(e)に示すように電気めっきにより回路パターン10を形成する。電気めっきには、通常プリント配線板で使用される硫酸銅電気めっきが使用できる。めっきの厚さは、回路導体として使用できればよく、1〜100μmの範囲である事が好ましく、5〜50μmの範囲である事がより好ましい。   Next, as shown in FIG. 2E, a circuit pattern 10 is formed by electroplating. For the electroplating, copper sulfate electroplating usually used for printed wiring boards can be used. The plating thickness may be used as a circuit conductor, and is preferably in the range of 1 to 100 μm, and more preferably in the range of 5 to 50 μm.

次に図2(f)に示すようにアルカリ性剥離液や硫酸あるいは市販のレジスト剥離液を用いてレジストの剥離を行い、パターン部以外の銅をエッチング除去する。この場合高圧スプレー等によりエッチングを行うのが一般的であるが、配線の微細な部分はどうしても液の交換が悪くなる。従って銅とエッチング液の反応は拡散律速ではなく、反応律速であることが望ましい。銅とエッチング液の反応が反応律速であれば、拡散をそれ以上強めたとしてもエッチング速度は変わらない。即ち液交換の良い場所と悪い場所でのエッチング速度差が生じない。具体的には、過硫安系エッチング液や、過酸化水素とハロゲン元素を含まない酸とを主成分とするエッチング液を用いてもよい。特に、過酸化水素とハロゲン元素を含まない酸とを主成分とするエッチング液が好ましい。過硫安系エッチング液としては、例えば、ペルオキソ二硫酸アンモニウムが挙げられる、エッチング液中の酸化剤として過酸化水素を用いると、過酸化水素濃度を管理することで厳密なエッチング速度制御が可能になる。尚、エッチング液にハロゲン元素が混入すると、溶解反応が拡散律速になりやすい。ハロゲンを含まない酸としては、硝酸、硫酸、有機酸等が使用できるが、硫酸であることが安価で好ましい。更に硫酸と過酸化水素が主成分である場合には、それぞれの濃度を5〜300g/L,5〜200g/Lとする事がエッチング速度、液の安定性の面から好ましい。ここでパラジウム触媒が過剰に銅箔上に存在していると、パラジウム触媒の層が過剰にエッチングされる不具合が発生する。特に硫酸と過酸化水素が主成分であるエッチング液を用いた場合、この現象が顕著である。エッチング終了後、アンダーカットが片側5μm以内であることが好ましい。   Next, as shown in FIG. 2 (f), the resist is stripped using an alkaline stripping solution, sulfuric acid, or a commercially available resist stripping solution, and copper other than the pattern portion is removed by etching. In this case, etching is generally performed by high-pressure spraying or the like, but the exchange of the liquid is inevitably worsened for fine portions of the wiring. Therefore, it is desirable that the reaction between the copper and the etching solution is not diffusion-limited but reaction-limited. If the reaction between copper and the etchant is reaction-controlled, the etching rate does not change even if diffusion is further increased. That is, there is no difference in etching rate between a place where the liquid exchange is good and a place where the liquid exchange is bad. Specifically, an ammonium sulfate-based etching solution or an etching solution mainly containing hydrogen peroxide and an acid not containing a halogen element may be used. In particular, an etching solution mainly containing hydrogen peroxide and an acid not containing a halogen element is preferable. As the persulfate-based etching solution, for example, ammonium peroxodisulfate is used. When hydrogen peroxide is used as the oxidizing agent in the etching solution, the etching rate can be strictly controlled by controlling the hydrogen peroxide concentration. If a halogen element is mixed in the etching solution, the dissolution reaction tends to be diffusion-limited. As the acid not containing halogen, nitric acid, sulfuric acid, organic acid, and the like can be used, but sulfuric acid is preferable because it is inexpensive. Furthermore, when sulfuric acid and hydrogen peroxide are the main components, the respective concentrations are preferably 5 to 300 g / L and 5 to 200 g / L from the viewpoints of etching rate and liquid stability. Here, if the palladium catalyst is excessively present on the copper foil, a problem that the palladium catalyst layer is excessively etched occurs. This phenomenon is particularly noticeable when an etching solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide as main components is used. After the etching is completed, the undercut is preferably within 5 μm on one side.

以上示した方法により2層より成るコア基板が完成する。さらに4層板を作製する場合は、コア基板の表面の内層導体回路1を粗面化し、この銅パターンの上に形成される層間樹脂絶縁層との密着性を向上させる。具体的にはコア基板の上に針状の無電解めっきを形成する方法や内層銅パターンを酸化(黒化)−還元処理する方法、内層銅パターンをエッチングする方法等がある。   A two-layer core substrate is completed by the method described above. Further, when a four-layer board is produced, the inner layer conductor circuit 1 on the surface of the core substrate is roughened to improve the adhesion with the interlayer resin insulating layer formed on the copper pattern. Specifically, there are a method of forming acicular electroless plating on the core substrate, a method of oxidizing (blackening) -reducing the inner layer copper pattern, a method of etching the inner layer copper pattern, and the like.

次にコア基板の上に、図2(g)に示す様に片面金属箔付樹脂をラミネートとする。絶縁層11の厚みは10から100μm程度、望ましくは20から60μmがよく、金属箔12の厚みは0.3から3μmが好適である。片面金属箔付樹脂の作製に用いる樹脂、銅箔は積層板の時と同様のものを用い、樹脂ワニスを金属箔にキスコーター、ロールコーター、コンマコーター等を用いて塗布するか或いはフィルム状の樹脂を金属箔にラミネートして行う。樹脂ワニスを金属箔に塗布する場合は、その後、加熱ならびに乾燥させるが、条件は100〜200℃の温度で1〜30分とするのが適当であり、加熱、乾燥後の樹脂組成物中における残留溶剤量は、0.2〜10%程度が適当である。フィルム状の樹脂を金属箔にラミネートする場合は、50〜150℃、0.1〜5MPaの条件で真空或いは大気圧の条件が適当である。また、コア基板とプリプレグ、銅箔を積層プレスする方法もある。   Next, a resin with a single-sided metal foil is laminated on the core substrate as shown in FIG. The thickness of the insulating layer 11 is about 10 to 100 μm, preferably 20 to 60 μm, and the thickness of the metal foil 12 is preferably 0.3 to 3 μm. Resin used for the production of resin with single-sided metal foil, copper foil is the same as that for laminates, and resin varnish is applied to metal foil using a kiss coater, roll coater, comma coater, etc., or a film-like resin Is laminated to a metal foil. When the resin varnish is applied to the metal foil, it is then heated and dried, but the condition is suitably 1 to 30 minutes at a temperature of 100 to 200 ° C., and in the resin composition after heating and drying. The residual solvent amount is suitably about 0.2 to 10%. When laminating a film-like resin on a metal foil, vacuum or atmospheric pressure conditions are suitable under the conditions of 50 to 150 ° C. and 0.1 to 5 MPa. There is also a method of laminating and pressing a core substrate, a prepreg, and a copper foil.

次いで図2(h)に示す様に金属箔の上から層間樹脂絶縁層にIVH13を形成する。IVHを形成する方法としては、レーザーを用いるのが好適である。ここで用いることが出来るレーザーとしては、COやCO、エキシマ等の気体レーザーやYAG等の固体レーザーがある。COレーザーが容易に大出力を得られる事からφ50μm以上のIVHの加工に適している。φ50μm以下の微細なIVHを加工する場合は、より短波長で集光性のよいYAGレーザーが適している。 Next, as shown in FIG. 2 (h), IVH 13 is formed on the interlayer resin insulating layer from above the metal foil. As a method of forming IVH, it is preferable to use a laser. Examples of the laser that can be used here include gas lasers such as CO 2 , CO, and excimer, and solid lasers such as YAG. Since a CO 2 laser can easily obtain a large output, it is suitable for processing IVH of φ50 μm or more. When processing a fine IVH of φ50 μm or less, a YAG laser with a shorter wavelength and good condensing property is suitable.

次いで過マンガン酸塩、クロム酸塩、クロム酸のような酸化剤を用いてIVH内部の樹脂残さの除去を行う。   Next, the resin residue inside IVH is removed using an oxidizing agent such as permanganate, chromate, or chromic acid.

次いで金属箔上及びIVH内部に触媒核を付与する。ここでもパラジウム触媒の銅箔上への吸着量は0.05〜0.6μg/cm2の範囲であり、更に望ましくは0.05〜0.3μg/cm2の範囲である。 The catalyst nuclei are then applied on the metal foil and inside the IVH. Adsorption onto copper foil Again palladium catalyst is in the range of 0.05~0.6μg / cm 2, more preferably in the range of 0.05~0.3μg / cm 2.

次に図2(i)に示すように触媒核を付与した金属箔上及びIVH内部に薄付けの無電解めっき層14を形成する。この無電解めっきには、CUST2000(日立化成工業株式会社製、商品名)やCUST201(日立化成工業株式会社製、商品名)等の市販の無電解銅めっきが使用できる。これらの無電解銅めっきは硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウムを主成分とする。めっきの厚さは次の電気めっきが行うことができる厚さであればよく、0.1〜1μm程度で十分である。   Next, as shown in FIG. 2 (i), a thin electroless plating layer 14 is formed on the metal foil provided with catalyst nuclei and inside the IVH. For this electroless plating, commercially available electroless copper plating such as CUST2000 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name) or CUST201 (product name of Hitachi Chemical Co., Ltd.) can be used. These electroless copper platings are mainly composed of copper sulfate, formalin, complexing agent and sodium hydroxide. The thickness of the plating is not limited as long as the next electroplating can be performed, and about 0.1 to 1 μm is sufficient.

次に図2(j)に示すように無電解めっきを行った上にめっきレジスト15を形成する。めっきレジストの厚さは、その後めっきする導体の厚さと同程度かより厚い膜厚にするのが好適である。めっきレジストに使用できる樹脂には、PMER P−LA900PM(東京応化株式会社製、商品名)のような液状レジストや、HW−425(日立化成工業株式会社、商品名)、RY−3025(日立化成工業株式会社、商品名)等のドライフィルムがある。ビアホール上と導体回路となるべき個所はめっきレジストを形成しない。   Next, as shown in FIG. 2 (j), after performing electroless plating, a plating resist 15 is formed. The thickness of the plating resist is preferably set to a thickness that is about the same as or thicker than the conductor to be subsequently plated. Resins that can be used for the plating resist include liquid resists such as PMER P-LA900PM (trade name, manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.), HW-425 (trade name, Hitachi Chemical Co., Ltd.), RY-3025 (Hitachi Chemical). There are dry films such as Kogyo Co., Ltd. (trade name). A plating resist is not formed on the via hole and the portion to be a conductor circuit.

次に図2(k)に示すように電気めっきにより回路パターン16を形成する。電気めっきには、通常プリント配線板で使用される硫酸銅電気めっきが使用できる。めっきの厚さは、回路導体として使用できればよく、1〜100μmの範囲である事が好ましく、5〜50μmの範囲である事がより好ましい。   Next, as shown in FIG. 2 (k), a circuit pattern 16 is formed by electroplating. For the electroplating, copper sulfate electroplating usually used for printed wiring boards can be used. The plating thickness may be used as a circuit conductor, and is preferably in the range of 1 to 100 μm, and more preferably in the range of 5 to 50 μm.

次にアルカリ性剥離液や硫酸あるいは市販のレジスト剥離液を用いてレジストの剥離を行う。   Next, the resist is stripped using an alkaline stripping solution, sulfuric acid, or a commercially available resist stripping solution.

次にパターン部以外の銅を好ましくは10〜300g/Lの硫酸及び10〜200g/Lの過酸化水素を主成分とするエッチング液を用いて除去することで回路形成が終了する(図2(l))。エッチング終了後、アンダーカットが片側5μm以内であることが好ましい。   Next, the formation of the circuit is completed by removing the copper other than the pattern portion by using an etchant preferably containing 10 to 300 g / L sulfuric acid and 10 to 200 g / L hydrogen peroxide as main components (FIG. 2 ( l)). After the etching is completed, the undercut is preferably within 5 μm on one side.

さらに回路上に金めっきを行うことも出来る。金めっきの方法としては、SA―100(日立化成工業株式会社製、商品名)のような活性化処理液で導体界面の活性化処理を行い、NIPS―100(日立化成工業株式会社製、商品名)のような無電解ニッケルめっきを1〜10μm程度行い、HGS―100(日立化成工業株式会社製、商品名)のような置換金めっきを0.01〜0.1μm程度行った後にHGS−2000(日立化成工業株式会社製、商品名)のような無電解金めっきを0.1〜1μm程度行う。   Furthermore, gold plating can be performed on the circuit. As a gold plating method, the conductor interface is activated with an activation treatment solution such as SA-100 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name), and NIPS-100 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., product). Electroless nickel plating such as HGS-100 (made by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name) and HGS- Electroless gold plating such as 2000 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name) is performed for about 0.1 to 1 μm.

以下本発明の実施の形態を図3を用いて説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

比較例3
図3中、金属箔18となる金属箔を以下の様に作製した。
( Comparative Example 3 )
In FIG. 3, the metal foil used as the metal foil 18 was produced as follows.

(金属箔)
幅510mm、厚み35μmの電解銅箔(キャリア銅箔)の光択面に下記の条件でクロムめっきを連続的に行って1.0mg/dm2の厚さのクロムめっき層(剥離層)を形成した。クロムめっき形成後の表面粗度Rz=0.5μmであった。なお、表面粗さはJIS−B−0601に基づき測定した。
(Metal foil)
A chromium plating layer (peeling layer) with a thickness of 1.0 mg / dm 2 was formed by continuously performing chromium plating on the light selective surface of an electrolytic copper foil (carrier copper foil) having a width of 510 mm and a thickness of 35 μm under the following conditions. . The surface roughness after formation of the chrome plating was Rz = 0.5 μm. The surface roughness was measured based on JIS-B-0601.

クロムめっき条件
・ 液組成:三酸化クロム250g/L、硫酸2.5g/L
・浴温:25℃
・ アノード:鉛
・ 電流密度20A/dm2
次に下記に示す光択めっき条件で厚さ1.0μmの電気銅めっきを行った。電気銅めっき終了後の金属箔表面粗さRz=0.6μmであった。
Chromium plating conditions / solution composition: chromium trioxide 250 g / L, sulfuric acid 2.5 g / L
・ Bath temperature: 25 ° C
・ Anode: Lead ・ Current density 20A / dm 2
Next, electrolytic copper plating with a thickness of 1.0 μm was performed under the photoselective plating conditions shown below. The surface roughness of the metal foil after completion of the electrolytic copper plating was Rz = 0.6 μm.

硫酸銅めっき条件
・ 液組成:硫酸銅5水和物100g/L、硫酸150g/L、塩化物イオン30ppm
・浴温:25℃
・ アノード:鉛
・ 電流密度:10A/dm2
次に下記に示すように電気めっきにより亜鉛防錆処理を行った。
Copper sulfate plating conditions / solution composition: copper sulfate pentahydrate 100g / L, sulfuric acid 150g / L, chloride ion 30ppm
・ Bath temperature: 25 ° C
・ Anode: Lead ・ Current density: 10 A / dm 2
Next, as shown below, zinc rust prevention treatment was performed by electroplating.

・ 液組成:亜鉛20g/L,硫酸70g/L
・浴温:40℃
・ アノード:鉛
・ 電流密度:15A/dm2
・ 電解時間:10秒
次に引き続き下記に示すクロメート処理を行った。
・ Liquid composition: Zinc 20g / L, Sulfuric acid 70g / L
・ Bath temperature: 40 ℃
・ Anode: Lead ・ Current density: 15 A / dm 2
Electrolysis time: 10 seconds Next, the following chromate treatment was performed.

・ 液組成:クロム酸5.0g/L
・pH11.5
・浴温:55℃
・ アノード:鉛
・浸漬時間:5秒
次に下記に示すシランカップリング処理を行った。
・ Liquid composition: Chromic acid 5.0g / L
・ PH 11.5
・ Bath temperature: 55 ℃
-Anode: Lead-Immersion time: 5 seconds Next, the following silane coupling treatment was performed.

・ 液組成:3-アミノプロピルトリメトキシシラン5.0g/L
・ 液温25℃
・ 浸漬時間10秒
シランカップリング処理後、金属箔を120℃で乾燥してカップリング剤を金属箔表面に吸着させた。そのときの金属箔表面粗さはRz=0.6μmであった。
Liquid composition: 3-aminopropyltrimethoxysilane 5.0 g / L
Liquid temperature 25 ℃
Immersion time 10 seconds After the silane coupling treatment, the metal foil was dried at 120 ° C. to adsorb the coupling agent on the surface of the metal foil. At that time, the surface roughness of the metal foil was Rz = 0.6 μm.

次に、下記に示す樹脂組成物を作成した。 Next, the resin composition shown below was created.

(樹脂組成物)
ポリフェニレンエーテル樹脂(PKN4752、日本ジーイープラスチックス株式会社製商品名)20重量%、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン(ArocyB−10、旭チバ株式会社製商品名)40重量%、リン含有フェノール化合物(HCA-HQ、三光化学株式会社製商品名)8重量%、ナフテン酸マンガン(Mn含有量=6重量%、日本化学産業株式会社製)0.1重量%、2,2-ビス(4-グリシジルフェニル)プロパン(DER331L、ダウケミカル日本株式会社製商品名)32重量%をトルエンに80℃で加熱溶解させ、ポリフェニレンエーテル−シアネート系樹脂組成物ワニスを作製した。
(Resin composition)
20% by weight of polyphenylene ether resin (PKN4752, trade name manufactured by GE Plastics, Inc.), 40% by weight of 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane (ArocyB-10, trade name of Asahi Ciba Co., Ltd.), Phosphorus-containing phenol compound (HCA-HQ, trade name, manufactured by Sanko Chemical Co., Ltd.) 8% by weight, manganese naphthenate (Mn content = 6% by weight, manufactured by Nippon Chemical Industry Co., Ltd.) 0.1% by weight, 2,2- Bis (4-glycidylphenyl) propane (DER331L, trade name of Dow Chemical Japan Co., Ltd.) 32% by weight was dissolved in toluene at 80 ° C. to prepare a polyphenylene ether-cyanate resin composition varnish.

樹脂組成物を0.2mm厚のガラス布(坪量210g/m2)に含浸し120℃で5分間乾燥してプリプレグを得た。このプリプレグ4枚と上下に既に作成した金属箔を積層し、170℃、2.45MPaの条件で1時間プレス成形し、図3(a)に示すような絶縁層17と金属箔18よりなる銅張積層板を製造した。 A 0.2 mm thick glass cloth (basis weight 210 g / m 2 ) was impregnated with the resin composition and dried at 120 ° C. for 5 minutes to obtain a prepreg. The four prepregs and the metal foils already prepared on the top and bottom are laminated and press-molded at 170 ° C. and 2.45 MPa for 1 hour, and a copper made of the insulating layer 17 and the metal foil 18 as shown in FIG. A tension laminate was produced.

図3(b)に示すように、金属箔上から炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機L−500(住友重機械工業株式会社製、商品名)により、直径80μmの貫通スルーホール19をあけ、過マンガン酸カリウム65g/リットルと水酸化ナトリウム40g/リットルの混合水溶液に、液温70℃で20分間浸漬し、スミアの除去を行なった。   As shown in FIG. 3 (b), a through-hole 19 having a diameter of 80 μm was drilled from a metal foil with a carbon dioxide impact laser drilling machine L-500 (trade name, manufactured by Sumitomo Heavy Industries, Ltd.), and permanganate. Smear was removed by dipping in a mixed aqueous solution of potassium 65 g / liter and sodium hydroxide 40 g / liter at a liquid temperature of 70 ° C. for 20 minutes.

その後、パラジウム触媒であるHS-201B(日立化成工業株式会社製、商品名)を付与した後、CUST−201(日立化成工業株式会社製、商品名)を使用し、液温25℃、30分の条件で無電解銅めっきを行い、図3(c)に示すように厚さ0.5μmの無電解銅めっき層20を形成した。パラジウム触媒の付与条件を表1に示す。

Figure 0004349082
Thereafter, HS-201B (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), which is a palladium catalyst, was applied, and then CUST-201 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was used, and the liquid temperature was 25 ° C., 30 minutes. The electroless copper plating was performed under the conditions described above to form an electroless copper plating layer 20 having a thickness of 0.5 μm as shown in FIG. The conditions for applying the palladium catalyst are shown in Table 1.
Figure 0004349082

図3(d)に示すように、ドライフィルムフォトレジストであるRY−3025(日立化成工業株式会社製、商品名)を、無電解めっき層20の表面にラミネートし、電解銅めっきを行う箇所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像してめっきレジスト21を形成した。   As shown in FIG. 3D, a dry film photoresist, RY-3025 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), is laminated on the surface of the electroless plating layer 20, and a place where electrolytic copper plating is performed. The plating resist 21 was formed by exposing and developing ultraviolet rays through the masked photomask.

図3(e)に示すように、硫酸銅浴を用いて、液温25℃、電流密度1.0A/dm2の条件で、電解銅めっきを20μmほど行い、最小回路導体幅/回路導体間隔(L/S)=23/17μmとなるように回路パターン22を形成した。 As shown in Fig. 3 (e), using a copper sulfate bath, electrolytic copper plating is performed at a liquid temperature of 25 ° C and a current density of 1.0 A / dm 2 for about 20 µm. Minimum circuit conductor width / circuit conductor spacing The circuit pattern 22 was formed so that (L / S) = 23/17 μm.

次に図3(f)に示すように、レジスト剥離液であるHTO(ニチゴー・モートン株式会社製、商品名)でドライフィルムの除去を行った後にH2SO420g/L、H2210g/Lの組成のエッチング液を用いてパターン部以外の銅をエッチング除去した。エッチング後の最小回路導体幅/回路導体間隔(L/S)=20/20μmであった。 Next, as shown in FIG. 3 (f), after removing the dry film with HTO (trade name, manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.) which is a resist stripping solution, H 2 SO 4 20 g / L, H 2 O 2 Copper other than the pattern portion was removed by etching using an etching solution having a composition of 10 g / L. The minimum circuit conductor width / circuit conductor interval (L / S) after etching was 20/20 μm.

(実施例2)
パラジウム触媒であるHS-201B(日立化成工業株式会社製、商品名)の処理時間を2分とした以外は比較例3と同様に基板を作製した。
(Example 2)
A substrate was prepared in the same manner as in Comparative Example 3 except that the treatment time of HS-201B (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), which is a palladium catalyst, was set to 2 minutes.

比較例4
パラジウム触媒であるHS-201B(日立化成工業株式会社製、商品名)の付与条件を表2のように設定した他は比較例3と同様に基板を作製した。

Figure 0004349082
( Comparative Example 4 )
A substrate was prepared in the same manner as in Comparative Example 3 except that the application conditions of HS-201B (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), which is a palladium catalyst, were set as shown in Table 2.
Figure 0004349082

(実施例4)
パラジウム触媒にアルカリイオン触媒を用い、付与条件を表3のように設定した他は比較例3と同様に基板を作製した。

Figure 0004349082
(Example 4)
A substrate was prepared in the same manner as in Comparative Example 3 except that an alkali ion catalyst was used as the palladium catalyst and the application conditions were set as shown in Table 3.
Figure 0004349082

(実施例5)
パラジウム触媒であるアクチベーターネオガント834(アトテックジャパン株式会社製、商品名)の処理時間を1分とした以外は実施例4と同様に基板を作製した。
(Example 5)
A substrate was produced in the same manner as in Example 4 except that the treatment time of activator Neogant 834 (trade name, manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.), which is a palladium catalyst, was set to 1 minute.

(比較例1)
パラジウム触媒であるHS-201B(日立化成工業株式会社製、商品名)の処理時間を20分とした以外は比較例4と同様に基板を作製した。
(Comparative Example 1)
A substrate was prepared in the same manner as in Comparative Example 4 except that the treatment time of HS-201B (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), which is a palladium catalyst, was changed to 20 minutes.

(比較例2)
パラジウム触媒であるアクチベーターネオガント834(アトテックジャパン株式会社製、商品名)の処理時間を30秒とした以外は実施例4と同様に基板を作製した。
(Comparative Example 2)
A substrate was prepared in the same manner as in Example 4 except that the treatment time of activator Neogant 834 (trade name, manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.), which is a palladium catalyst, was changed to 30 seconds.

(測定条件)
(1) 銅箔上へのパラジウム吸着量
実施例2,4及び5、比較例1〜4の方法で作製した基板の導体部分(即ちレジストを形成しなかった部分)を単位面積(1dm2)切り取り、50%の王水に4時間浸漬させた後、原子吸光分光法により50%王水中のパラジウム触媒濃度を定量した。測定装置には偏光ゼーマン原子吸光分光光度計であるZ−6000(株式会社日立製作所製、商品名)を用いた。
(Measurement condition)
(1) Amount of palladium adsorbed on copper foil
The conductor part (that is, the part where the resist was not formed) of the substrate produced by the methods of Examples 2, 4 and 5 and Comparative Examples 1 to 4 was cut out in unit area (1 dm 2 ) and immersed in 50% aqua regia for 4 hours. After that, the palladium catalyst concentration in 50% aqua regia was quantified by atomic absorption spectroscopy. A Z-6000 (manufactured by Hitachi, Ltd., trade name), which is a polarized Zeeman atomic absorption spectrophotometer, was used as a measuring apparatus.

(2) アンダーカット量
基板を切断し、最小回路導体幅/回路導体間隔(L/S)=20/20μmの部分の配線のアンダーカット量の測定を行った。
(2) Undercut amount The substrate was cut, and the undercut amount of the wiring in the portion of the minimum circuit conductor width / circuit conductor interval (L / S) = 20/20 μm was measured.

(3) 配線剥がれ
最小回路導体幅/回路導体間隔(L/S)=20/20μmの部分において配線剥がれが発生しているかどうかの確認を行った。
(3) Wiring peeling It was confirmed whether or not wiring peeling occurred in the portion of the minimum circuit conductor width / circuit conductor interval (L / S) = 20/20 μm.

(4) 接続信頼性
実施例2,4及び5、比較例1〜4の方法で作製した基板の接続信頼性試験を行った。接続信頼性評価は図4に示すパターンを用いた。図4中、回路パターン23、絶縁層24、貫通スルーホール25であり、パターンの仕様を表4に示す。接続信頼性評価は−65℃30分→125℃30分を1サイクルとし、1000サイクル後の抵抗値変化が初期値の±10%以内であれば合格とした。

Figure 0004349082
(4) Connection reliability
The connection reliability test of the board | substrate produced by the method of Examples 2, 4, and 5, and Comparative Examples 1-4 was done. The pattern shown in FIG. 4 was used for connection reliability evaluation. In FIG. 4, a circuit pattern 23, an insulating layer 24, and a through-through hole 25 are shown. In connection reliability evaluation, −65 ° C. for 30 minutes → 125 ° C. for 30 minutes was defined as one cycle, and if the resistance value change after 1000 cycles was within ± 10% of the initial value, the connection was evaluated as acceptable.
Figure 0004349082

(結果)
表5に実施例2,4及び5、比較例1〜4の方法で作製した基板の評価結果を示す。表5に示した様に本発明により作成した基板はアンダーカット量が少なく、配線剥がれがなく、接続信頼性が良好であった。

Figure 0004349082
(result)
Table 5 shows the evaluation results of the substrates produced by the methods of Examples 2, 4 and 5, and Comparative Examples 1 to 4 . As shown in Table 5, the substrate produced according to the present invention had a small amount of undercut, no wiring peeling, and good connection reliability.
Figure 0004349082

アンダーカットを定義するのに用いた配線の断面図である。It is sectional drawing of the wiring used for defining an undercut. 本発明によるプリント配線板の製造工程の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing process of the printed wiring board by this invention. 実施例1のプリント配線板の製造工程を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the printed wiring board of Example 1. 接続信頼性評価パターンの断面図である。It is sectional drawing of a connection reliability evaluation pattern.

符号の説明Explanation of symbols

1 電解銅
2 無電解銅
3 金属箔
4 樹脂
5 プリプレグ
6 金属箔
7 貫通スルーホール
8 無電解めっき層
9 めっきレジスト
10 回路パターン
11 絶縁層
12 金属箔
13 IVH
14 無電解めっき層
15 めっきレジスト
16 回路パターン
17 絶縁層
18 銅箔
19 貫通スルーホール
20 無電解めっき層
21めっきレジスト
22回路パターン
23回路パターン
24絶縁層
25貫通スルーホール
1 Electrolytic copper
2 Electroless copper
3 Metal foil
4 Resin
5 prepreg
6 Metal foil
7 Through-hole
8 Electroless plating layer
9 Plating resist
10 Circuit pattern
11 Insulation layer
12 Metal foil
13 IVH
14 Electroless plating layer
15 Plating resist
16 Circuit pattern
17 Insulation layer
18 Copper foil
19 Through-hole
20 Electroless plating layer
21 plating resist
22 circuit patterns
23 circuit patterns
24 insulation layer
25 through holes

Claims (5)

絶縁樹脂上に固着された金属箔上にパラジウム触媒を付与し、無電解銅めっきを行い、無電解銅めっき上にパターン形成用のレジストを形成し、パターン電気めっきにより回路を形成した後、レジストを除去し、回路部以外の銅をエッチング除去する工程を有するプリント配線板の製造方法であって、上記金属パラジウムの金属箔上への吸着量が0.05〜0.3μg/cm2の範囲であって、前記回路部以外の銅をエッチング除去する工程に硫酸/過酸化水素を主成分とする薬液を用いることを特徴とするプリント配線板の製造方法。 After applying a palladium catalyst on the metal foil fixed on the insulating resin, electroless copper plating, forming a resist for pattern formation on the electroless copper plating, forming a circuit by pattern electroplating, and then resisting removal of the method for manufacturing a printed wiring board having the step of etching away the copper other than the circuit part, Tsu der range adsorption amount of 0.05~ 0.3 μg / cm 2 onto the metal foil of the metal palladium A method of manufacturing a printed wiring board comprising using a chemical solution mainly composed of sulfuric acid / hydrogen peroxide in the step of etching away copper other than the circuit portion . 前記硫酸の濃度が5〜300g/L、前記過酸化水素の濃度が5〜200g/Lであることを特徴とする請求項に記載のプリント配線板の製造方法。 The method for producing a printed wiring board according to claim 1 , wherein the sulfuric acid concentration is 5 to 300 g / L, and the hydrogen peroxide concentration is 5 to 200 g / L. 前記金属箔の表面粗さ(Rz)が両面とも2μm以下であることを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。 Method for manufacturing a printed wiring board according to any one of claims 1-2, characterized in that the surface roughness of the metal foil (Rz) is 2μm or less on both sides. 前記金属箔の厚みが3μm以下であることを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。 The thickness of the said metal foil is 3 micrometers or less, The manufacturing method of the printed wiring board in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 無電解銅めっき部分のアンダーカット量が5μm以内であることを特徴とする請求項1〜のいずれかの方法で作製されたプリント配線板。 Printed wiring board manufactured by the method of any of claims 1-4 in which the undercut amount of the electroless copper plating portion is equal to or is within 5 [mu] m.
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