JP4342046B2

JP4342046B2 - Metal substrate type light emitting device

Info

Publication number: JP4342046B2
Application number: JP21526099A
Authority: JP
Inventors: 永清水; 則明坂本; 義幸小林
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1999-07-29
Filing date: 1999-07-29
Publication date: 2009-10-14
Anticipated expiration: 2019-07-29
Also published as: JP2001044580A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、混成集積回路装置であり、また発光素子を複数個実装させた光照射装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
まず光を大量に照射する必要がある場合、一般には電灯等が用いられている。しかし、軽薄短小および省電力を目的として、図６の様にプリント基板１に光素子２を実装させる場合がある。
【０００３】
この光素子は、半導体で形成された発光ダイオード（Light Emitting Diode）が主ではあるが、他に半導体レーザ等も考えられる。
【０００４】
この発光ダイオード２は、２本のリード３，４が用意され、一方のリード３には、発光ダイオードチップ５の裏面（アノードまたはカソード）が半田等で固着され、他方のリード４は、前記チップ表面の電極（カソードまたはアノード）と金属細線６を介して電気的に接続されている。また前記リード３，４、チップ５および金属細線６を封止する透明な樹脂封止体７がレンズも兼ねて形成されている。
【０００５】
一方、プリント基板１には、前記発光ダイオード２に電源を供給するための電極８，９が設けられ、ここに設けられたスルーホールに前記リードが挿入され、半田等を介して前記発光ダイオード２が実装されている。
【０００６】
例えば、特開平９−２５２６５１号公報には、この発光ダイオードを用いた光照射装置が説明されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した発光素子２は、樹脂封止体７、リード３，４等が組み込まれたパッケージで成るため、発光素子を大量に実装した場合、基板１のサイズが大きい、重量がある等の問題があった。また基板自身の放熱性が悪いために、装置全体として温度上昇を来す問題があった。そのため、発光素子である半導体チップ自身も温度上昇し、駆動能力を低下させる問題があった。
【０００８】
また発光ダイオード５は、チップの側面または裏面からも光が発光し、基板１側に向かう光が存在する。しかし基板１がプリント基板で成るため、効率の高い照射ができない問題もあった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述の課題に鑑みて成され、発光ダイオードの保護回路を構成する導電パターン表面を、光反射に優れた金属材料とすることで前記発光ダイオードの発射光の反射効率を向上させることができる。
【００１０】
また保護回路を構成する導電パターンおよびまたは半導体素子で囲まれた空き領域に、アイランド状の導電パターンを設け、この導電パターン表面を、光反射に優れた金属材料とすることで発光ダイオードから出る光の反射効率を向上させることができる。
【００１１】
また保護回路を構成する半導体素子は、ダイボンド、またはワイヤーボンディングされるため、ボンダーがマークを認識して位置合わせしている。このマーク表面も光反射に優れた金属材料とすることで、反射効率の向上が実現できる。
【００１２】
更には、前記半導体素子には、半導体素子劣化防止を目的として樹脂が塗布され、硬化されている。この硬化前の樹脂は、流動性を有するため、予期せぬ場所まで流れてしまう。例えばチップ抵抗にまで流れ、硬化することにより抵抗値の変動を起こしたり、配線の上まで流れ、硬化することにより配線がはがれたりする問題があった。その流れを防止するパターンが空き領域に設けられているため、このパターン上に光反射に優れた金属材料とすることで発光ダイオードから出る光の反射効率を向上させることができる。
【００１３】
以上述べたように、特にＡｌ主材料とする基板を採用することで、放熱性、軽重量性、加工性を実現でき、しかも反射効率の高い混成集積回路装置が実現できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を、図３、図４および図５を用い説明する。特にここでは、発光ダイオード１０の接続について説明する。
【００１５】
まず例えばプレス（カット）により打ち抜かれた金属から成る混成集積回路基板１１がある。この混成集積回路基板１１は、Ａｌ、ＣｕやＦｅ等が考えられる。
【００１６】
ここで混成集積回路基板として金属基板を用いた理由は、発光素子から発生する熱を効率良く外部に放出する事、発光素子の温度上昇を防止することにより、駆動能力を向上させる事、また基板の平坦性から、上方向以外に発光される光を効率よく基板１１で反射させて上方へ向かわせる事、また実装上のビス止め孔加工、放物面等の湾曲加工性等に優れる事等からである。またセラミックやプリント基板も考えられるが、セラミック基板は、衝撃に弱く、またプリント基板は、放熱性の点で劣る。しかしこれらも必要によっては、当然採用されても良い。
【００１７】
本発明では、加工性、軽量性が考慮されてＡｌが採用されている。この場合、その表面は、絶縁性向上から、陽極酸化により酸化物が形成され、この上に絶縁性樹脂１２が形成されてもよい。また前記酸化膜は省略されても良し、これ以外の膜を化学的に反応させて生成させても良い。Ａｌ表面は、平坦性を有するため、前記絶縁性樹脂との接着性を向上させるために粗面１３を機械的に、または化学的に生成させた方が良い。
【００１８】
またＡｌ基板１１の裏面は、機械的に弱いため傷が付きやすく、耐蝕性も無い。そのため必要により絶縁性樹脂１４を被覆しても良い。
【００１９】
ここで混成集積回路基板１１は、この上に設けられる第１の電極１５、第２の電極１６との短絡を考慮し全面に絶縁性樹脂１２が被着されている。ここで第１の電極１５、第２の電極１６は、発光ダイオードを直列に接続するので、連結電極とも呼称する。
【００２０】
ここでこの絶縁性樹脂膜１２は、発光ダイオードから発生する熱を金属基板１１に伝達させる場合、熱抵抗材料となる。そのため、できるだけその熱抵抗を下げるため、Ｓｉ酸化膜、酸化アルミニウム等のフィラーを混入させた絶縁性樹脂を採用する。また酸化アルミニウムの方が熱抵抗が低下することは言うまでもない。
【００２１】
また導電パターンは、前記連結電極１５、１６も含み、例えばＣｕ箔より成り、配線、チップのランド、ボンデイング用のパッド、必要によっては外部リード用の固着パッド等として機能し、第１の電極１５にはベアの発光ダイオード１５が設けられる。ここで発光ダイオードチップの裏面は、カソードタイプとアノードタイプの２種類があり、図１では、アノードタイプである。これは電源の向きを変えるだけで、アノードタイプも実現できる。そして前記発光ダイオード表面の電極と前記第２の電極１６は、金属細線１７で接続されている。従って、第１の配線２６から第２の配線２７の間は、複数の発光ダイオード１０が前記連結電極を介して直列接続されている。
【００２２】
ここで金属基板は、光照射装置として機能させるため、発光ダイオード１０を複数個点在させ、これらの駆動回路および／または保護回路は、図３では、外付けで実現しているが、これら駆動回路および／または保護回路を図４のＣの様に金属基板１１に実装させても良い。この場合、基板の周辺、特に角部およびその近傍に配線、ランド、ボンデイング用のパッド、外部との電気的接続パッド等がパターニングされ、配線間はチップコンデンサ、チップ抵抗および印刷抵抗等の部品、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ等が設けられて実現される。ここでは、パッケージされた素子が実装されても良いが、ベアチップの方が、放熱性、実装面積の点から優れる。これらは、全てを総称して回路素子と呼ぶ。
【００２３】
この回路素子は半田等のロウ材や銀ペースト等を介して電気的に固着され、あるいは印刷抵抗がスクリーン印刷等で形成されている。また中には、前記半導体チップと配線を電気的に接続するため、チップ上の電極とボンディング用パッドとの間には金属細線１７が電気的に接続され、パッドには、必要があれば、半田を介して外部リードが電気的に接続されている。また実装上の問題から、基板の両側に少なくとも２個のビス止め孔が設けられても良い。
【００２４】
ここで後述するが、図２の様に、混成集積回路基板１１をマトリックス状に配置するため、第１の配線２６の両端には、接続エリア１８〜２１を、第２の配線２７の両端には、接続エリア２２〜２５を設けている。このエリアは、接続手段２９、３０が金属細線であれば、ボンデイングエリアであり、ロウ材で固着できるリードであれば、ロウ材の形成エリアである。
【００２５】
また金属基板１１上のＣｕのパターンは、絶縁性フレキシブルシートに貼り合わされ、このフレキシブルシートが混成集積回路基板に貼り合わされる事で実現されても良い。
【００２６】
更に図３の具体的構造を説明する。
【００２７】
前述したとおり、金属基板１１の全面には絶縁性樹脂１２の膜が被着され、図では、第１の電極１５、第２の電極１６以外に、アイランド状の反射用電極３１〜３６を設けている。もちろんショートが考慮され、お互い所定の間隔で離間されている。ここでは、前述した駆動回路および／または保護回路が実装されない。また前記回路、前記第１の配線２６、第２の配線２７を除いて、金属基板１１の実質全領域を２種類の連結電極１５、１６で占有させても良い。
【００２８】
例えば、第１の電極１５ａまたは第１の電極１６ａは、反射用電極３１と一体で良いが、間にアイランド状の電極３１を設けることで、耐電圧特性の向上が可能となる。
【００２９】
この第１の電極１５、第２の電極１６は、Ｃｕの表面にＮｉが被着されている。これは、Ｃｕの酸化防止、および酸化により光反射効率が低下するため、比較的酸化されにくく、光反射性に優れ、また金属細線とのボンディング性が考慮され、光沢性のあるＮｉやＡｕが採用されている。またここでは、コストの面からＮｉが採用され、また金属基板１１の実質全域は、実質光沢性のあるＮｉが被着され、光反射板として活用される。ここでＮｉは、銅より成る導電パターンの上にメッキ等形成されるが、導電パターン自身を前記材料で構成しても良い。またボンディングポイントは、ボンディング可能な材料（Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ）が形成され、それ以外を光を反射しやすい材料、例えば銀や白金でカバーしても良い。ここでは、アルミ配線をボンデイングしているので、その表面はＮｉが採用されている。
【００３０】
一方、Ｎｉが採用された場合、ベアチップ状の発光ダイオード１０は、第１の電極１５とのコンタクト抵抗が考慮され、ランドの固着領域に相当するＮｉのみを取り除き、銀ペーストや半田等の導電性固着材を介してＣｕと電気的に固着される方が反射効率の向上を実現できる。ただし固着性を考慮し、このランド全域は、Ｎｉが被着されないようにしても良い。
【００３１】
また発光ダイオード１０と第２の電極１６は、チップ表面の電極と金属細線１７を介して接続されている。一般に、金属細線としてＡｌが採用される場合は、超音波を使ったボンディングでＮｉと接続することができる。
【００３２】
更には、図５の様に、少なくとも発光ダイオード１０を封止するように光透過性の樹脂が設けられる。これはレンズ３７として採用するものであり、効率良く基板から上方に発射させるため、凸状に形成されている。レンズ３７の材料は、発射光に対して透明な樹脂であれば良く、ここではシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等が採用される。両者は、共に加熱硬化型で、加熱硬化時の粘度が小さいため、レンズとして好ましい半球形状に安定して形成できない。シリコーン樹脂は、元々液状で、加熱硬化時もその粘度は、あまり変わらない。またエポキシ樹脂は、加熱硬化時にその粘度が低下する。そのため、本発明では、図５のように、発光ダイオード１０を囲むように、流れ防止手段３６を形成している。
【００３３】
エポキシ樹脂は、熱により徐々に黄変するが、シリコーン樹脂は、この変色が少ない。またエポキシ樹脂は、濡れ性が良く、逆にシリコーン樹脂は、はじきやすい性質を持つ。また硬化後のシリコーン樹脂は、ゴム状またはゲル状であり、エポキシ樹脂に比べて回路素子の接続手段である金属細線へのストレスが少ない。
【００３４】
つまり流れ防止手段としてシリコーン樹脂を使うと、ここに貯められた樹脂（シリコーン樹脂やエポキシ樹脂）は、はじきやすく表面張力によりレンズ状に形成される。逆にエポキシ樹脂を流れ防止手段として使用すると濡れ性が良いため、レンズ形状になりにくい。このレンズは、約１００度〜１５０度で仮硬化し、再度１５０度１時間で完全硬化させる。
【００３５】
また、レンズのサイズにより、金属細線１７の途中から第２の電極１６との接続部までを樹脂封止体で覆わず構成しても良いし、また図５の様に完全に覆っても良い。完全に覆えば、光集光能力の向上と同時に金属細線の接続部の信頼性も向上させることができる。
【００３６】
更に、レンズを２段に形成しても良い。これはレンズの指向性を高めるために実施されている。例えば、二段にするため、ともに濡れ性の少ないシリコーン樹脂が採用されている。特に濡れ性が悪くなければレンズ形状が実現できないからである。
【００３７】
一方、通称半田レジストと呼ばれる樹脂膜を全面に形成することがある。この場合、できるだけ光沢性のある膜を選択すれば、Ｎｉと同様に反射膜として活用できる。ただし、発光ダイオードの固着領域、金属細線の接続部は、当然取り除かれる。透明であれば、Ｎｉが主たる反射剤として機能し、色が付いているならば、できるだけ反射効率の優れた白から成る膜が好ましい。
【００３８】
以上、図３、図４は、点線の矢印で示すように、第１の電極１５と第２の電極１６との間に、発光ダイオード１０…が直列接続されているものである。
【００３９】
例えば、並列タイプであれば、金属細線１７のコンタクト抵抗、チップのコンタクト抵抗がばらつく。従って、数ある発光ダイオード１０の内、コンタクト抵抗の少ない発光ダイオードに電流が集中し、特定の発光ダイオードが異常に明るかったり、また破壊に至ったりする問題があるからである。
【００４０】
そのため図３、図４のように、第１の配線２６と第２の配線電極２７との間に発光ダイオード１０…を直列接続させ、発光ダイオード１０…に通過する電流値を一定にさせた。
【００４１】
ここで前説明と同様に、電極を金属基板の実質全域に配置させて反射板とすること、レンズを採用すること、ダイボンド領域のＮｉを取り除く等のポイントは、ここでも採用される。
【００４２】
図３で説明すれば、第１の配線２６と第２の配線２７との間には、Ｅ２〜Ｅ１２の１１枚の連結電極が形成されている。ただしＥ１とＥ１３は、第１の配線２６、第２の配線２７と一体であるので、第１の配線、第２の配線とし、連結電極と区別している。
【００４３】
まず１番目の電極Ｅ１に発光ダイオードＬＥＤ１のアノード（またはカソード）と成るチップ裏面を固着し、カソード（またはアノード）側の電極と２番目の電極Ｅ２を金属細線１７で接続している。また２番目の電極Ｅ２には、２番目の発光ダイオードＬＥＤ２のチップ裏面が固着され、チップ表面の電極と３番目の電極Ｅ３が金属細線で接続している。更には、３番目の電極Ｅ３には、３番目の発光ダイオードＬＥＤ３のチップ裏面が固着され、チップ表面の電極と４番目の電極Ｅ４が接続される。この様にして、順々に直列接続され、Ｎ番目の電極Ｅ（Ｎ）にはＮ番目の発光ダイオードＬＥＤ（Ｎ）のチップ裏面が接続され、最終的にはチップ表面の電極と（Ｎ＋１）番目の電極Ｅ（Ｎ＋１）の電極が金属細線を介して接続される。
【００４４】
このような接続形態を繰り返して直列接続が実現されている。この場合も、銅箔から成る電極を反射板とするため、Ｅ１〜Ｅ（Ｎ＋１）の電極表面にはＮｉが被覆され、基板全域を実質反射板とするために、（Ｎ＋１）個の電極で完全に覆われるようにパターニングされるか、またはこの電極で全てが覆われない場合は、空き領域にアイランド状の反射電極３１〜３５が設けられている。もちろんそれぞれがパターン的に分離されるように若干の隙間はある。
【００４５】
この構造によれば、直列接続された発光ダイオードのそれぞれに流れる電流は、理論的には同じ値を取るので、全ての発光ダイオードは、同じように光る。
【００４６】
ところが、途中のどれかが破壊され、電流が流れなくなると、全ての発光ダイオードは、発光を停止してしまう。
【００４７】
そのため、図２の様に、Ｖcライン４１とＧＮＤライン４２との間に基板を並列接続させている。
【００４８】
本来、例えば１２０個（Ｍ個）の発光ダイオードで光照射装置を実現したい場合、例えば１０（Ｓ）分割し、１２（Ｍ／Ｓ）個の発光ダイオードが直列接続された金属基板を１０（Ｓ）枚用意し、これを並列接続する。また図４の金属基板を採用すれば、保護回路となる定電流回路Ｃが設けられることで、全ての発光ダイオードの電流容量を統一させることができる。図３でも、定電流回路を採用できるが、この場合、発光ダイオードの入力側または出力側に外付けで設けなければ成らない。
【００４９】
以上、発光ダイオードが直列接続された複数の金属基板は、定電流回路により、電流値が決められるため、全ての発光ダイオードの明るさは、統一され、且つ金属基板個々の明るさも統一される。また混成集積回路基板の発光ダイオードの内、どれかが破壊しても、残りの基板が並列接続されているので、照射装置としてその機能を維持することができ、しかも壊れた金属基板のみを取り替えればよいので、最小限の修復ですむ。
【００５０】
一方、混成集積回路基板１１の上下側辺にそれぞれ一本づつ配線２６、２７が設けられ、電源ラインとなっている。そしてそれぞれは、左端から右端に延在させている。つまり図２の様に、横に混成集積回路基板１１を複数並列接続させるために、第１の配線２６と第２の配線２７を混成集積回路基板の右側辺から左側辺まで延在させている。その結果、混成集積回路基板１１ａの第１の配線２６（または第２の配線２７）の右端２２と混成集積回路基板１１ｂの第１の配線２６（または第２の配線２７）の左端１８とを最短距離で接続することができる。ここでは接続手段２９として金属細線を採用している。また接続手段は、半田等のロウ材により固着可能なリードでも良い。
【００５１】
また仮に、この複数枚の混成集積回路基板１１…を一枚で実現した場合、前述したように発光ダイオードの故障による修復ができないばかりか、接続手段の固着が装置で自動でできない問題、または設備的に大がかりになる問題が発生する。後者は、言うまでもなく、混成集積回路基板として大きな基板となり、チップを実装するマウンター、金属細線をボンディングするボンダーは、作業範囲が広い大がかりな装置を必要とする。また混成集積回路基板が大きいと、その熱容量が大きいために、基板自身の温度が上昇しづらくなる。その結果、半田付け性、ボンデイング性が低下する問題が発生する。
【００５２】
しかし、本願は、並列接続構造で複数枚の混成集積回路基板に分けてあるため、前記装置の作業性も従来通りで良く、更には基板が小さいために個々の混成集積回路基板の温度を上昇させることもでき、半田付け性、ホンディング性も改善される。
【００５３】
また、中心線５０に対して、第１の配線２６または第２の配線２７が左右対称に形成されている。
【００５４】
これは図２の様に、マトリックス状に配置した場合にメリットがでる。
【００５５】
ここでは、図面の都合上、２行、２列で説明する。つまり一行目の混成集積回路基板１１ａ、１１ｂは、第１の配線２６を上側辺に配置し、２行目の混成集積回路基板１１ｃ、１１ｄは、第１の配線２７を下側辺に配置している。これは、Ｖｃｃライン４１とＧＮＤライン４２の総合計本数を減らす為に、混成集積回路基板を１８０度反転させている。図２では、４本必要なところを３本で実現できる。
【００５６】
また反転させた際、混成集積回路基板１１ｂの接続領域２５と混成集積回路基板１１ｄの接続領域２２が、縦軸方向に対して位置が一致するように構成されている。これは中心線に対して左右対称に形成されることで実現される。
【００５７】
こうすれば、混成集積回路基板１１ｂの接続エリア２５（または接続エリア２４）と混成集積回路基板１１ｄの接続エリア２２（または接続エリア２３）は、位置が一致し、接続手段３０を介して、上下に接続することができる。
【００５８】
このことは、混成集積回路基板１１ｂの接続エリア２２（または接続エリア２３）と混成集積回路基板１１ｄの接続エリア２５（または接続エリア２４）は、位置が一致し、接続手段３０を介して、上下に接続することができる。
【００５９】
またここで配線２６、２７の両端にそれぞれ２つづつ接続エリアを設けている。ここでは混成集積回路基板１１を２行２列で配置しているので特に必要としないが、横方向に混成集積回路基板を更に増やした場合、横方向に接続する接続手段２９は、それぞれの混成集積回路基板に接続されるが、縦方向に接続手段３０で接続されないものが出てくる。図２では、接続手段３０により、ＧＮＤとして固定されているが、余ったエリアを利用して縦方向にも接続すれば、より安定した電位に固定させることができる。
【００６０】
ここで配線２６、２７に四角形で示した理由は、銅配線の上に、金属細線を接続手段として活用する場合は、Ｎｉが被覆され、リードか採用される場合は、ロウ材が被覆されるからであり、その領域を示した。つまり接続手段により、ロウ材やＮｉの被覆領域を示している。
【００６１】
また混成集積回路基板１１は、上辺をＶｃｃに、下辺をＧＮＤにするため、列方向を奇数列に配置している。図４を参照すれば判るように、第１の配線２６から下の第２の配線２７に接続するには、４つの発光ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥＤ４の列が奇数列設けられないと、簡略されたパターンと成らない。偶数列でも下の第２の配線２７に接続できるが、終端は、第１の配線２６側になるため、そこから第２の配線までをつなぐ余分な配線が必要となる。
【００６２】
以上、比較的サイズの小さい混成集積回路基板１１を並列に、また必要によってはマトリックス状に配置することで、全体の照射装置としてのサイズを任意に設定できる。また矩形以外でも、この混成集積回路基板を順番に配置し、並列接続することにより、実現が可能となる。
【００６３】
また図４の図番Ｃで示した領域にも特徴を有する。この部分を拡大したのが図１である。前述したように、この領域は、駆動回路や保護回路が形成される部分である。
【００６４】
図番５０は、トランジスタ、５１がツェナーダイオード、５２がチップ抵抗である。また５３は、前記半導体素子５０、５１のダイボンデイングの際に用いられる位置認識用のマークである。また５４，５５は、半導体素子の劣化を防止する目的で塗布された封止樹脂である。５６は、アイランド状に形成された導電パターンで、前記封止樹脂５４の流れ止めと成っている。５７も、封止樹脂５５の流れ止めである。また５８は、反射効率の向上のために設けられた導電パターンである。
【００６５】
この流れ止めは、以下の作用がある。つまり樹脂が配線の上に流れると硬化時に配線がはがれる。またチップ抵抗等の上に流れると抵抗値の変動を生じる。また組立の順序によっては、半田固着性、ボンディング性の劣化にもつながる。これらの問題を防止する目的で設けられている。
【００６６】
ここの第１の特徴は、前記マーク５３上も反射効率の優れた金属を被覆する事で、マークと反射板を兼ね備えさせた点である。更に第２の特徴は、樹脂流れ止め用のランドも流れ止めと反射板を兼ね備えさせた点である。従ってこれらは、別々に構成する必要が無くなり、パターン配置の効率が向上される。
【００６７】
特に封止樹脂５４、５５は、硬化前では流動性を有し、流れてしまう。この流れは予測できず、流れ止めに封止樹脂が当接してその流れが止まる。もちろん全ての封止樹脂が流れ止めに当接して、流れが止まるわけではなく、手前で止まることもある。
【００６８】
従って、回路Ｃが形成される領域の空き領域、ここでは配線６０や半導体素子で囲まれた空き領域に、反射手段を設けたので、より反射効率が向上することになる。
【００６９】
また回路Ｃの形成箇所、形成数は、限定されない。従って混成集積回路基板に点在して設けられる場合、これらの反射板を回路の中に構成することは、反射効率の向上の点で非常な効果を有する。
【００７０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、発光ダイオードの保護回路を構成する導電パターン表面を、光反射に優れた金属材料とすることで前記発光ダイオードの発射光の反射効率を向上させることができる。
【００７１】
また保護回路を構成する導電パターンおよびまたは半導体素子で囲まれた空き領域に、アイランド状の導電パターンを設け、この導電パターン表面を、光反射に優れた金属材料とすることで発光ダイオードから出る光の反射効率を向上させることができる。
【００７２】
また保護回路を構成する半導体素子は、ダイボンド、またはワイヤーボンディングされるため、ボンダーがマークを認識して位置合わせしている。このマーク表面も光反射に優れた金属材料とすることで、反射効率の向上が実現できる。
【００７３】
更には、前記半導体素子には、半導体素子劣化防止を目的として樹脂が塗布され、硬化されている。この硬化前の樹脂は、流動性を有するため、予期せぬ場所まで流れてしまう。例えばチップ抵抗にまで流れ、硬化することにより抵抗値の変動を起こしたり、配線の上まで流れ、硬化することにより配線がはがれたりする問題があった。その流れを防止するパターンが空き領域に設けられているため、このパターン上に光反射に優れた金属材料とすることで発光ダイオードから出る光の反射効率を向上させることができる。
【００７４】
以上述べたように、特にＡｌ主材料とする基板を採用することで、放熱性、軽重量性、加工性を実現でき、しかも反射効率の高い混成集積回路装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態である混成集積回路装置の部分図である。
【図２】本発明の実施の形態である混成集積回路装置の図である。
【図３】混成集積回路基板を説明する図である。
【図４】混成集積回路基板を説明する図である。
【図５】混成集積回路基板を説明する断面図である。
【図６】従来の照射装置を説明する図である。
【符号の説明】
１０発光ダイオード
１１混成集積回路基板
１２絶縁性樹脂
２６第１の配線
２７第２の配線
３７レンズ
５３マーク
５６，５７流れ止め[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a hybrid integrated circuit device and a light irradiation device in which a plurality of light emitting elements are mounted.
[0002]
[Prior art]
First, when it is necessary to irradiate a large amount of light, an electric lamp or the like is generally used. However, the optical element 2 may be mounted on the printed circuit board 1 as shown in FIG.
[0003]
The optical element is mainly a light emitting diode formed with a semiconductor, but a semiconductor laser or the like is also conceivable.
[0004]
The light-emitting diode 2 is provided with two leads 3 and 4, the back surface (anode or cathode) of the light-emitting diode chip 5 is fixed to one lead 3 with solder or the like, and the other lead 4 is connected to the chip. It is electrically connected to the surface electrode (cathode or anode) via a fine metal wire 6. A transparent resin sealing body 7 that seals the leads 3 and 4, the chip 5, and the fine metal wires 6 is also formed as a lens.
[0005]
On the other hand, the printed circuit board 1 is provided with electrodes 8 and 9 for supplying power to the light emitting diode 2, and the leads are inserted into through holes provided therein, and the light emitting diode 2 is connected via solder or the like. Has been implemented.
[0006]
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-252651 describes a light irradiation apparatus using this light emitting diode.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, since the light-emitting element 2 described above is composed of a package in which the resin sealing body 7, leads 3, 4 and the like are incorporated, when the light-emitting elements are mounted in large quantities, the size of the substrate 1 is large, the weight is high, etc. There was a problem. In addition, since the heat dissipation of the substrate itself is poor, there has been a problem that the temperature of the entire apparatus rises. For this reason, the temperature of the semiconductor chip itself, which is a light emitting element, also rises, and there is a problem that the driving ability is lowered.
[0008]
The light emitting diode 5 also emits light from the side surface or the back surface of the chip, and there is light directed toward the substrate 1 side. However, since the substrate 1 is a printed circuit board, there is a problem that the irradiation cannot be performed with high efficiency.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and improves the reflection efficiency of the emitted light of the light-emitting diode by using a metal material that is excellent in light reflection as the conductive pattern surface constituting the protection circuit of the light-emitting diode. Can do.
[0010]
In addition, an island-shaped conductive pattern is provided in a vacant area surrounded by a conductive pattern and / or a semiconductor element constituting the protection circuit, and the surface of the conductive pattern is made of a metal material that is excellent in light reflection. The reflection efficiency can be improved.
[0011]
Further, since the semiconductor elements constituting the protection circuit are die-bonded or wire-bonded, the bonder recognizes the mark and positions it. By making the mark surface also a metal material excellent in light reflection, the reflection efficiency can be improved.
[0012]
Further, a resin is applied to the semiconductor element and cured for the purpose of preventing deterioration of the semiconductor element. Since this resin before hardening has fluidity, it flows to an unexpected place. For example, there is a problem that the resistance value fluctuates by flowing up to the chip resistance and cured, or the wiring is peeled off by flowing and curing on the wiring. Since the pattern for preventing the flow is provided in the empty area, the reflection efficiency of light emitted from the light emitting diode can be improved by using a metal material having excellent light reflection on the pattern.
[0013]
As described above, by adopting a substrate made of an Al main material in particular, it is possible to realize a hybrid integrated circuit device that can realize heat dissipation, light weight, and workability and that has high reflection efficiency.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3, 4 and 5. FIG. In particular, connection of the light emitting diode 10 will be described here.
[0015]
First, there is a hybrid integrated circuit board 11 made of metal punched by, for example, pressing (cutting). The hybrid integrated circuit substrate 11 may be Al, Cu, Fe, or the like.
[0016]
The reason why the metal substrate is used as the hybrid integrated circuit board is that the heat generated from the light emitting element is efficiently released to the outside, the temperature rise of the light emitting element is prevented, and the driving capability is improved. From the flatness, the light emitted in the direction other than the upward direction is efficiently reflected by the substrate 11 and directed upward, and the screwing hole processing on the mounting, the bending workability of the paraboloid, etc. are excellent. Because. Ceramics and printed boards are also conceivable, but ceramic boards are vulnerable to impacts, and printed boards are inferior in terms of heat dissipation. However, these may naturally be adopted depending on necessity.
[0017]
In the present invention, Al is adopted in consideration of workability and lightness. In this case, an oxide may be formed on the surface of the surface by anodic oxidation to improve insulation, and the insulating resin 12 may be formed thereon. Further, the oxide film may be omitted, or a film other than this may be chemically reacted. Since the Al surface has flatness, it is better to generate the rough surface 13 mechanically or chemically in order to improve the adhesion with the insulating resin.
[0018]
Further, the back surface of the Al substrate 11 is mechanically weak and therefore easily scratched and has no corrosion resistance. Therefore, you may coat | cover the insulating resin 14 as needed.
[0019]
Here, the hybrid integrated circuit board 11 is covered with an insulating resin 12 over the entire surface in consideration of a short circuit with the first electrode 15 and the second electrode 16 provided thereon. Here, since the first electrode 15 and the second electrode 16 connect the light emitting diodes in series, they are also called connection electrodes.
[0020]
Here, the insulating resin film 12 becomes a heat resistance material when heat generated from the light emitting diode is transmitted to the metal substrate 11. Therefore, in order to reduce the thermal resistance as much as possible, an insulating resin mixed with a filler such as a Si oxide film or aluminum oxide is employed. It goes without saying that aluminum oxide has a lower thermal resistance.
[0021]
The conductive pattern also includes the connection electrodes 15 and 16 and is made of, for example, Cu foil, and functions as a wiring, a chip land, a bonding pad, and, if necessary, a fixing pad for an external lead. Is provided with a bare light emitting diode 15. Here, there are two types of the back surface of the light emitting diode chip, a cathode type and an anode type, and in FIG. This can be realized by simply changing the direction of the power supply. The electrode on the surface of the light emitting diode and the second electrode 16 are connected by a thin metal wire 17. Therefore, a plurality of light emitting diodes 10 are connected in series between the first wiring 26 and the second wiring 27 via the connection electrode.
[0022]
Here, in order for the metal substrate to function as a light irradiation device, a plurality of light emitting diodes 10 are interspersed, and these drive circuits and / or protection circuits are implemented externally in FIG. The circuit and / or the protection circuit may be mounted on the metal substrate 11 as shown in FIG. In this case, wiring, lands, pads for bonding, pads for electrical connection to the outside, etc. are patterned around the substrate, particularly corners and the vicinity thereof, and parts between the wiring such as chip capacitors, chip resistors and printing resistors, This is realized by providing a transistor, a diode, an IC, and the like. Here, a packaged element may be mounted, but the bare chip is superior in terms of heat dissipation and mounting area. These are collectively referred to as circuit elements.
[0023]
This circuit element is electrically fixed via a brazing material such as solder or silver paste, or a printing resistor is formed by screen printing or the like. Further, in order to electrically connect the semiconductor chip and the wiring, a thin metal wire 17 is electrically connected between the electrode on the chip and the bonding pad. External leads are electrically connected via solder. Further, at least two screwing holes may be provided on both sides of the substrate due to mounting problems.
[0024]
As will be described later, in order to arrange the hybrid integrated circuit board 11 in a matrix form as shown in FIG. 2, connection areas 18 to 21 are provided at both ends of the first wiring 26 and both ends of the second wiring 27. Provides connection areas 22-25. This area is a bonding area if the connecting means 29 and 30 are fine metal wires, and a brazing material formation area if the lead can be fixed with a brazing material.
[0025]
The Cu pattern on the metal substrate 11 may be realized by being bonded to an insulating flexible sheet and the flexible sheet being bonded to a hybrid integrated circuit board.
[0026]
Further, the specific structure of FIG. 3 will be described.
[0027]
As described above, a film of the insulating resin 12 is deposited on the entire surface of the metal substrate 11, and in the figure, in addition to the first electrode 15 and the second electrode 16, island-shaped reflective electrodes 31 to 36 are provided. ing. Of course, short-circuits are considered and they are separated from each other at a predetermined interval. Here, the drive circuit and / or the protection circuit described above are not mounted. Further, except for the circuit, the first wiring 26 and the second wiring 27, the substantially whole region of the metal substrate 11 may be occupied by two types of connection electrodes 15 and 16.
[0028]
For example, the first electrode 15a or the first electrode 16a may be integrated with the reflecting electrode 31, but by providing the island-shaped electrode 31 between them, the withstand voltage characteristic can be improved.
[0029]
The first electrode 15 and the second electrode 16 have Ni deposited on the surface of Cu. This is because the light reflection efficiency is lowered due to the oxidation prevention and oxidation of Cu, so that it is relatively difficult to oxidize, has excellent light reflectivity, and is considered to be bonded to a thin metal wire. It has been adopted. Further, here, Ni is adopted from the viewpoint of cost, and the substantially entire area of the metal substrate 11 is coated with substantially glossy Ni, and is used as a light reflecting plate. Here, Ni is formed by plating or the like on a conductive pattern made of copper, but the conductive pattern itself may be made of the above material. The bonding points may be covered with a material that can be bonded (Al, Ni, Cu, Au), and other materials that easily reflect light, such as silver or platinum. Here, since the aluminum wiring is bonded, the surface thereof is Ni.
[0030]
On the other hand, when Ni is adopted, the bare chip-shaped light emitting diode 10 takes into account the contact resistance with the first electrode 15 and removes only Ni corresponding to the land fixing region, and conducts conductivity such as silver paste or solder. Reflection efficiency can be improved by being electrically fixed to Cu via a fixing material. However, in consideration of adhesion, Ni may not be deposited on the entire land.
[0031]
The light emitting diode 10 and the second electrode 16 are connected to the electrode on the chip surface via a metal thin wire 17. In general, when Al is adopted as the thin metal wire, it can be connected to Ni by bonding using ultrasonic waves.
[0032]
Furthermore, as shown in FIG. 5, a light transmissive resin is provided so as to seal at least the light emitting diode 10. This is employed as the lens 37, and is formed in a convex shape in order to efficiently emit upward from the substrate. The material of the lens 37 may be a resin transparent to the emitted light, and here, a silicone resin, an epoxy resin, or the like is employed. Both of them are heat curable and have a low viscosity at the time of heat curing, so they cannot be stably formed into a hemispherical shape preferable as a lens. Silicone resin is originally liquid, and its viscosity does not change much even during heat curing. In addition, the viscosity of the epoxy resin decreases during heat curing. Therefore, in the present invention, the flow preventing means 36 is formed so as to surround the light emitting diode 10 as shown in FIG.
[0033]
Epoxy resins gradually turn yellow with heat, but silicone resins have less of this discoloration. Epoxy resins have good wettability, while silicone resins have the property of being easily repelled. Further, the cured silicone resin is in the form of rubber or gel, and has less stress on the fine metal wire that is the connection means of the circuit element than the epoxy resin.
[0034]
That is, when a silicone resin is used as the flow preventing means, the resin (silicone resin or epoxy resin) stored here is easily repelled and formed into a lens shape by surface tension. On the other hand, when an epoxy resin is used as a flow preventing means, the wettability is good, so that it is difficult to form a lens. This lens is temporarily cured at about 100 to 150 degrees, and then completely cured again at 150 degrees for 1 hour.
[0035]
Further, depending on the size of the lens, the middle part of the fine metal wire 17 to the connection part with the second electrode 16 may be configured not to be covered with the resin sealing body, or may be completely covered as shown in FIG. . If completely covered, it is possible to improve the light condensing capability and at the same time the reliability of the connecting portion of the fine metal wires.
[0036]
Further, the lens may be formed in two stages. This is done to increase the directivity of the lens. For example, a silicone resin with low wettability is used for two stages. This is because the lens shape cannot be realized unless the wettability is particularly bad.
[0037]
On the other hand, a resin film called a so-called solder resist may be formed on the entire surface. In this case, if a film that is as glossy as possible is selected, it can be used as a reflective film in the same manner as Ni. However, the fixing region of the light emitting diode and the connecting portion of the thin metal wire are naturally removed. If it is transparent, Ni functions as the main reflector, and if it is colored, a film made of white having a reflection efficiency as high as possible is preferable.
[0038]
3 and 4, the light emitting diodes 10 are connected in series between the first electrode 15 and the second electrode 16 as indicated by dotted arrows.
[0039]
For example, in the case of the parallel type, the contact resistance of the fine metal wire 17 and the contact resistance of the chip vary. Therefore, among the many light emitting diodes 10, current concentrates on the light emitting diodes with a small contact resistance, and there is a problem that the specific light emitting diodes are abnormally bright or broken.
[0040]
Therefore, as shown in FIGS. 3 and 4, the light emitting diodes 10 are connected in series between the first wiring 26 and the second wiring electrode 27, and the current value passing through the light emitting diodes 10 is made constant.
[0041]
Here, as in the previous description, the points such as arranging the electrodes over substantially the entire area of the metal substrate to form a reflector, employing a lens, and removing Ni in the die bond region are also employed here.
[0042]
Referring to FIG. 3, eleven connection electrodes E2 to E12 are formed between the first wiring 26 and the second wiring 27. However, since E1 and E13 are integral with the first wiring 26 and the second wiring 27, the first wiring and the second wiring 27 are distinguished from the connection electrode as the first wiring and the second wiring.
[0043]
First, the back surface of the chip to be the anode (or cathode) of the light emitting diode LED1 is fixed to the first electrode E1, and the cathode (or anode) side electrode and the second electrode E2 are connected by a thin metal wire 17. The second electrode E2 has a chip back surface of the second light-emitting diode LED2 fixed thereto, and the electrode on the chip surface and the third electrode E3 are connected by a thin metal wire. Furthermore, the chip back surface of the third light emitting diode LED3 is fixed to the third electrode E3, and the electrode on the chip surface and the fourth electrode E4 are connected. In this way, the N-th electrode E (N) is connected in series sequentially, and the chip back surface of the N-th light emitting diode LED (N) is connected to the N-th electrode E (N). The electrode of the second electrode E (N + 1) is connected via a fine metal wire.
[0044]
A series connection is realized by repeating such a connection form. Also in this case, since the electrode made of copper foil is used as a reflection plate, the electrode surfaces E1 to E (N + 1) are coated with Ni, and in order to use the entire substrate as a reflection plate, (N + 1) electrodes are used. When it is patterned so as to be completely covered or not entirely covered with this electrode, island-like reflective electrodes 31 to 35 are provided in the empty region. Of course, there is a slight gap so that each pattern is separated.
[0045]
According to this structure, the current flowing through each of the light emitting diodes connected in series theoretically takes the same value, so that all the light emitting diodes shine in the same manner.
[0046]
However, if any part of the device is destroyed and no current flows, all the light emitting diodes stop emitting light.
[0047]
Therefore, the substrate is connected in parallel between the Vc line 41 and the GND line 42 as shown in FIG.
[0048]
Originally, for example, when it is desired to realize a light irradiation device with 120 (M) light emitting diodes, for example, 10 (S) is divided, and a metal substrate on which 12 (M / S) light emitting diodes are connected in series is 10 (S). ) Prepare and connect them in parallel. If the metal substrate of FIG. 4 is adopted, the constant current circuit C serving as a protection circuit is provided, so that the current capacities of all the light emitting diodes can be unified. In FIG. 3, a constant current circuit can be employed, but in this case, it must be provided externally on the input side or output side of the light emitting diode.
[0049]
As described above, the current values of the plurality of metal substrates connected in series with the light emitting diodes are determined by the constant current circuit, so the brightness of all the light emitting diodes is unified and the brightness of each metal substrate is also unified. Even if one of the light-emitting diodes on the hybrid integrated circuit board breaks down, the remaining boards are connected in parallel, so that the function as an irradiation device can be maintained, and only the broken metal board is replaced. Minimal repair is required.
[0050]
On the other hand, wirings 26 and 27 are respectively provided on the upper and lower sides of the hybrid integrated circuit board 11 to form power supply lines. Each of them extends from the left end to the right end. That is, as shown in FIG. 2, in order to connect a plurality of the hybrid integrated circuit boards 11 in parallel, the first wiring 26 and the second wiring 27 are extended from the right side to the left side of the hybrid integrated circuit board. . As a result, the right end 22 of the first wiring 26 (or second wiring 27) of the hybrid integrated circuit board 11a and the left end 18 of the first wiring 26 (or second wiring 27) of the hybrid integrated circuit board 11b are connected. It can be connected in the shortest distance. Here, a thin metal wire is employed as the connecting means 29. The connecting means may be a lead that can be fixed by a brazing material such as solder.
[0051]
Further, if the plurality of hybrid integrated circuit boards 11 are realized by a single sheet, as described above, not only the light emitting diode cannot be repaired due to a failure, but also the problem that the connection means cannot be fixed automatically by the apparatus, or the equipment. The problem that becomes large scale occurs. Needless to say, the latter is a large substrate as a hybrid integrated circuit substrate, and a mounter for mounting a chip and a bonder for bonding a thin metal wire require a large-scale apparatus with a wide working range. Further, if the hybrid integrated circuit board is large, the heat capacity thereof is large, so that the temperature of the board itself is difficult to rise. As a result, there arises a problem that solderability and bondability are deteriorated.
[0052]
However, since the present application is divided into a plurality of hybrid integrated circuit boards in a parallel connection structure, the workability of the apparatus may be the same as before, and the temperature of each hybrid integrated circuit board is increased because the board is small. It can also be improved, and solderability and hondaability are also improved.
[0053]
Further, the first wiring 26 or the second wiring 27 is formed symmetrically with respect to the center line 50.
[0054]
This is advantageous when arranged in a matrix as shown in FIG.
[0055]
Here, for convenience of drawing, it will be described in two rows and two columns. That is, the hybrid integrated circuit boards 11a and 11b in the first row have the first wiring 26 arranged on the upper side, and the hybrid integrated circuit boards 11c and 11d in the second row have the first wiring 27 arranged on the lower side. ing. In order to reduce the total number of Vcc lines 41 and GND lines 42, the hybrid integrated circuit board is inverted 180 degrees. In FIG. 2, four necessary places can be realized with three.
[0056]
Further, when reversed, the connection region 25 of the hybrid integrated circuit board 11b and the connection region 22 of the hybrid integrated circuit board 11d are configured to coincide with each other in the vertical axis direction. This is realized by being formed symmetrically with respect to the center line.
[0057]
In this way, the connection area 25 (or connection area 24) of the hybrid integrated circuit board 11b and the connection area 22 (or connection area 23) of the hybrid integrated circuit board 11d coincide with each other, and the upper and lower sides are connected via the connection means 30. Can be connected to.
[0058]
This is because the connection area 22 (or connection area 23) of the hybrid integrated circuit board 11b and the connection area 25 (or connection area 24) of the hybrid integrated circuit board 11d coincide with each other. Can be connected to.
[0059]
Here, two connection areas are provided at both ends of the wirings 26 and 27, respectively. Here, since the hybrid integrated circuit board 11 is arranged in 2 rows and 2 columns, it is not particularly necessary. However, when the number of hybrid integrated circuit boards is further increased in the horizontal direction, the connection means 29 for connecting in the horizontal direction is connected to each hybrid circuit board. Some are connected to the integrated circuit board but are not connected by the connecting means 30 in the vertical direction. In FIG. 2, it is fixed as GND by the connecting means 30, but it can be fixed at a more stable potential if it is connected in the vertical direction using the remaining area.
[0060]
Here, the reason why the wirings 26 and 27 are shown as squares is that when a metal thin wire is used as a connecting means on a copper wiring, Ni is coated, and when a lead is used, a brazing material is coated. And showed its area. In other words, the brazing material or Ni covering region is shown by the connecting means.
[0061]
In the hybrid integrated circuit board 11, the column direction is arranged in odd columns so that the upper side is Vcc and the lower side is GND. As can be seen from FIG. 4, in order to connect the first wiring 26 to the second wiring 27 below, a simplified pattern is required unless four light emitting diodes LED1 to LED4 are provided in an odd number. It does not become. Even the even columns can be connected to the lower second wiring 27, but the termination is on the first wiring 26 side, so an extra wiring is required to connect the second wiring to the second wiring.
[0062]
As described above, the size of the entire irradiation apparatus can be arbitrarily set by arranging the hybrid integrated circuit boards 11 having relatively small sizes in parallel and, if necessary, in a matrix. In addition to the rectangular shape, the hybrid integrated circuit boards can be arranged in order and connected in parallel.
[0063]
Further, the region indicated by the figure number C in FIG. FIG. 1 is an enlarged view of this portion. As described above, this region is a portion where a drive circuit and a protection circuit are formed.
[0064]
Reference numeral 50 is a transistor, 51 is a Zener diode, and 52 is a chip resistor. Reference numeral 53 denotes a position recognition mark used when die-bonding the semiconductor elements 50 and 51. 54 and 55 are sealing resins applied for the purpose of preventing deterioration of the semiconductor element. 56 is a conductive pattern formed in an island shape, and serves as a flow stopper for the sealing resin 54. Reference numeral 57 denotes a flow stopper for the sealing resin 55. Reference numeral 58 denotes a conductive pattern provided for improving the reflection efficiency.
[0065]
This flow stop has the following effects. That is, when the resin flows on the wiring, the wiring is peeled off at the time of curing. In addition, when it flows over a chip resistor or the like, the resistance value fluctuates. In addition, depending on the assembling order, it may lead to deterioration of solder adhesion and bonding properties. It is provided for the purpose of preventing these problems.
[0066]
The first feature here is that the mark 53 is also covered with a metal having excellent reflection efficiency, so that the mark and the reflection plate are combined. Furthermore, the second feature is that the land for resin flow prevention also has a flow stop and a reflection plate. Therefore, it is not necessary to configure these separately, and the efficiency of pattern arrangement is improved.
[0067]
In particular, the sealing resins 54 and 55 have fluidity and flow before being cured. This flow cannot be predicted, and the flow stops when the sealing resin comes into contact with the flow stop. Of course, not all of the sealing resin abuts against the flow stop, and the flow does not stop, but may stop before this.
[0068]
Therefore, since the reflecting means is provided in the empty area where the circuit C is formed, here, the empty area surrounded by the wiring 60 and the semiconductor element, the reflection efficiency is further improved.
[0069]
Moreover, the formation location and the number of formation of the circuit C are not limited. Therefore, in the case where the reflectors are provided in a scattered manner on the hybrid integrated circuit board, configuring these reflectors in the circuit has a great effect in improving the reflection efficiency.
[0070]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, the reflection efficiency of the emitted light of the light emitting diode can be improved by making the surface of the conductive pattern constituting the protection circuit of the light emitting diode a metal material excellent in light reflection.
[0071]
In addition, an island-shaped conductive pattern is provided in a vacant area surrounded by a conductive pattern and / or a semiconductor element constituting the protection circuit, and the surface of the conductive pattern is made of a metal material that is excellent in light reflection. The reflection efficiency can be improved.
[0072]
Further, since the semiconductor elements constituting the protection circuit are die-bonded or wire-bonded, the bonder recognizes the mark and positions it. By making the mark surface also a metal material excellent in light reflection, the reflection efficiency can be improved.
[0073]
Further, a resin is applied to the semiconductor element and cured for the purpose of preventing deterioration of the semiconductor element. Since this resin before hardening has fluidity, it flows to an unexpected place. For example, there is a problem that the resistance value fluctuates by flowing up to the chip resistance and cured, or the wiring is peeled off by flowing and curing on the wiring. Since the pattern for preventing the flow is provided in the empty area, the reflection efficiency of light emitted from the light emitting diode can be improved by using a metal material having excellent light reflection on the pattern.
[0074]
As described above, by adopting a substrate made of an Al main material in particular, it is possible to realize a hybrid integrated circuit device that can realize heat dissipation, light weight, and workability and that has high reflection efficiency.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partial view of a hybrid integrated circuit device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram of a hybrid integrated circuit device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating a hybrid integrated circuit board.
FIG. 4 is a diagram illustrating a hybrid integrated circuit board.
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a hybrid integrated circuit substrate.
FIG. 6 is a diagram illustrating a conventional irradiation apparatus.
[Explanation of symbols]
10 Light emitting diode
11 Hybrid integrated circuit board
12 Insulating resin
26 First wiring
27 Second wiring
37 lenses
53 mark
56,57 Flow stop

Claims

A metal substrate type light emitting device in which N light emitting diodes are connected in series on a flat rectangular Al substrate,
(N + 1) Cu electrodes provided on an insulating film on the metal substrate and arranged along the extending direction of one side of the metal substrate ;
The N light emitting diodes electrically connected between the (N + 1) electrodes;
A constant current circuit for keeping a current flowing through the N light emitting diodes constant;
Adjacent to the (N + 1) electrodes and provided in the region where the island-shaped first Cu electrode provided along the extending direction of the one side and the constant current circuit is provided for the constant current circuit An island-like Cu electrode comprising an island-like second Cu electrode provided in a portion excluding a region where the provided Cu conductive pattern is formed;
A metal substrate type characterized in that a metal material excellent in light reflection is formed on the surface of the island-like Cu electrode , so that it is used as a reflection means for reflecting light from the light emitting diode, and the whole substrate emits light. Light-emitting device.

The metal substrate type light emitting device according to claim 1, wherein Ni, gold, silver, or platinum is formed on a surface of the island-shaped Cu electrode.