JP4339766B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
Z(MP−off) < Z(MN−off) (1)
低電位VLの保持条件は、
Z(MP−off) > Z(MN−on) (2)
と表すことができる。ここで、Zはインピーダンスを示し、その後ろの括弧内のMPはpチャネルトランジスタ、MNはnチャネルトランジスタを示し、onはそれらがオン状態、offはそれらがオフ状態にあることを示している。なお、ここでは、分かりやすくするため、オン状態、オフ状態の区別で示したが、式(1)では記憶ノードが高電位、式(2)では低電位であるので、例えば、式(1)のZ(MP−off)と式(2)のZ(MP−off)とでは、pチャネルトランジスタのドレイン電位は異なる。
Z(MP−on)> Z(MN−on) (3)
と表すことができる。
Z(MN−off)> Z(MP−off)> Z(MP−on)> Z(MN−on) (4)
と表すことができる。
Z(MN−off) > Z(MP−on) (5)
低電位VLの保持条件は、
Z(MN−off) < Z(MP−off) (6)
と表すことができる。
C0〜C2 キャパシタ
N1,N2 記憶ノード
WL,WL1,WLn ワード線
BL,/BL,BL1,/BL1,BLm,/BLm ビット線
PL プレート電極
PRG プリチャージ回路
PR,PSA,NSA 信号線
SA センスアンプ
MC メモリセル
SUB 半導体基板
CH チャネル部
ISO 素子分離領域
OX 絶縁膜
GND 電源
VH 高電位
VL 低電位
M1 第1金属層
M2 第2金属層
M3 第3金属層
M4 第4金属層
MU キャパシタC0の上部電極層
IL 層間膜
FG 第1ポリシリコン層
SG 第2ポリシリコン層
L 拡散層
CONT コンタクト層
VIA1 第1ビア層
VIA2 第2ビア層
VIA3 第3ビア層
Claims (7)
- キャパシタに情報を蓄積するメモリセルを含む半導体装置であって、
前記メモリセルは、
第1ビット線と前記キャパシタの第1電極とにソースドレイン経路が接続され、ゲート電極がワード線に接続された第1トランジスタと、
第2ビット線と前記キャパシタの第2電極とにソースドレイン経路が接続され、ゲート電極が前記ワード線に接続された第2トランジスタと、
前記キャパシタの第1電極と第1電源とにソースドレイン経路が接続され、ゲート電極が前記キャパシタの第2電極に接続された第3トランジスタと、
前記キャパシタの第2電極と前記第1電源とにソースドレイン経路が接続され、ゲート電極が前記キャパシタの第1電極に接続された第4トランジスタとを含んで構成され、
前記第1、第2トランジスタのオフ状態でのインピーダンスは、前記第3、第4トランジスタのオフ状態でのインピーダンスよりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1、第2トランジスタのチャネル長Lとチャネル幅Wとの比L/Wは、前記第3、第4トランジスタのチャネル長Lとチャネル幅Wとの比L/Wよりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1、第2トランジスタの閾値電圧は、前記第3、第4トランジスタの閾値電圧よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記キャパシタは電界効果型トランジスタで構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第3、第4トランジスタは、チャネル部の厚さが8nm以下である電界効果型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第3、第4トランジスタは、チャネル部の厚さが5nm以下である電界効果型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記キャパシタの第1電極と第2電極がいずれも金属であることを特徴とする半導体装置。
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