JP4336780B2 - Ion source - Google Patents

Ion source Download PDF

Info

Publication number
JP4336780B2
JP4336780B2 JP2006105898A JP2006105898A JP4336780B2 JP 4336780 B2 JP4336780 B2 JP 4336780B2 JP 2006105898 A JP2006105898 A JP 2006105898A JP 2006105898 A JP2006105898 A JP 2006105898A JP 4336780 B2 JP4336780 B2 JP 4336780B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma generation
electrode
axis
substantially parallel
plane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006105898A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007280782A (en
Inventor
順三 石川
耕自 松田
秀樹 藤田
滋樹 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyoto University
Nissin Ion Equipment Co Ltd
Original Assignee
Kyoto University
Nissin Ion Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyoto University, Nissin Ion Equipment Co Ltd filed Critical Kyoto University
Priority to JP2006105898A priority Critical patent/JP4336780B2/en
Publication of JP2007280782A publication Critical patent/JP2007280782A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4336780B2 publication Critical patent/JP4336780B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

この発明は、被照射物にイオンビームを照射してイオン注入、イオンドーピング(登録商標)等の処理を施すイオンビーム照射装置等に用いられるイオン源に関する。   The present invention relates to an ion source used in an ion beam irradiation apparatus or the like that irradiates an irradiation object with an ion beam and performs processes such as ion implantation and ion doping (registered trademark).

生成プラズマ密度を高めるために、磁界および反射電極を用いるイオン源が従来から提案されている(例えば特許文献1参照)。   In order to increase the generated plasma density, an ion source using a magnetic field and a reflective electrode has been conventionally proposed (see, for example, Patent Document 1).

これを図12を参照して説明すると、このイオン源は、バーナス型イオン源と呼ばれるものであり、原料ガス6が導入されるプラズマ生成容器2と、このプラズマ生成容器2内の一方側に設けられた電子放出用のU字状のフィラメント8と、プラズマ生成容器2内の他方側に設けられた電子反射用の反射電極10と、プラズマ生成容器2の前方壁面に設けられたイオン引出し孔4とを備えている。イオン引出し孔4の前方近傍には、プラズマ生成容器2内で生成されたプラズマ12からイオンビーム16を引き出す引出し電極14が設けられている。   This will be described with reference to FIG. 12. This ion source is called a Bernas ion source, and is provided on the plasma generation container 2 into which the source gas 6 is introduced and on one side of the plasma generation container 2. The U-shaped filament 8 for electron emission, the reflection electrode 10 for electron reflection provided on the other side in the plasma generation container 2, and the ion extraction hole 4 provided on the front wall surface of the plasma generation container 2. And. In the vicinity of the front of the ion extraction hole 4, an extraction electrode 14 for extracting an ion beam 16 from the plasma 12 generated in the plasma generation container 2 is provided.

フィラメント8にはその加熱用のフィラメント電源20が接続されており、フィラメント8の一端とプラズマ生成容器2間には、フィラメント8を負極側にして、アーク放電用のアーク電源22が接続されている。反射電極10は、図示例のようにどこにも接続せずに浮遊電位にする場合と、フィラメント8の一端に接続してフィラメント電位にする場合がある。いずれの場合も、反射電極10はプラズマ生成容器2に対して負電位になる。反射電極10を浮遊電位にしても、反射電極10は、主にフィラメント8から放出されたアーク電圧相当のエネルギーの高い電子で帯電するので負電位に帯電するからである。   A filament power supply 20 for heating is connected to the filament 8, and an arc power supply 22 for arc discharge is connected between one end of the filament 8 and the plasma generation vessel 2 with the filament 8 being on the negative electrode side. . The reflective electrode 10 may have a floating potential without being connected anywhere as in the illustrated example, or may be connected to one end of the filament 8 to have a filament potential. In either case, the reflective electrode 10 has a negative potential with respect to the plasma generation container 2. This is because even if the reflective electrode 10 is set to a floating potential, the reflective electrode 10 is charged with a high energy equivalent to the arc voltage emitted from the filament 8, and thus is charged to a negative potential.

プラズマ生成容器2の外部には、プラズマ生成容器2内において、フィラメント8と反射電極10とを結ぶ線に沿う方向に磁界24を発生させる電磁石(図示省略)が配置されている。磁界24の向きは、図示とは逆でも良い。   An electromagnet (not shown) that generates a magnetic field 24 in a direction along a line connecting the filament 8 and the reflective electrode 10 is disposed outside the plasma generation container 2. The direction of the magnetic field 24 may be opposite to that illustrated.

このイオン源は、プラズマ12の密度を高めるために、イオンビーム16の引出し方向とは直角方向に磁界24を加えて、フィラメント8から放出された電子をラーマー運動によって磁力線に拘束し、かつ、負電位の反射電極10によって電子を反射して(換言すれば、押し返して。以下同様)、電子と原料ガス分子との衝突確率を高めて、プラズマ12の生成効率を高めるようにしている。   In this ion source, in order to increase the density of the plasma 12, a magnetic field 24 is applied in a direction perpendicular to the extraction direction of the ion beam 16, the electrons emitted from the filament 8 are constrained by magnetic field lines by Larmor motion, and negative. Electrons are reflected by the potential reflecting electrode 10 (in other words, pushed back, the same applies hereinafter) to increase the collision probability between the electrons and the source gas molecules, thereby increasing the generation efficiency of the plasma 12.

特開2001−176409号公報(段落0016−0021、図1)JP 2001-176409 A (paragraphs 0016-0021, FIG. 1)

上記イオン源においては、アーク電源22の出力電圧および反射電極10の上記負電位によって、プラズマ生成容器2内に、その中央付近で電位が高く、フィラメント8および反射電極10付近で電位が低い電位分布が生じる。その等電位面26の概略例を図12中に示す。この電位分布によって、プラズマ生成容器2内に、特にイオン引出し孔4からフィラメント8付近にかけての領域に、イオンビーム16の引出し方向と交差する方向の電界28が生じる。反射電極10付近についてもほぼ同様である。   In the ion source, due to the output voltage of the arc power source 22 and the negative potential of the reflective electrode 10, the potential distribution is high in the plasma generation vessel 2 near its center and low in the vicinity of the filament 8 and the reflective electrode 10. Occurs. A schematic example of the equipotential surface 26 is shown in FIG. Due to this potential distribution, an electric field 28 in the direction intersecting with the extraction direction of the ion beam 16 is generated in the plasma generation container 2, particularly in a region from the ion extraction hole 4 to the vicinity of the filament 8. The same applies to the vicinity of the reflective electrode 10.

そのために、プラズマ12中のイオンは、イオンビーム16の進行方向とは異なる方向の運動エネルギー成分を受ける。このエネルギー成分は、イオンビーム16として引き出された後も残り、イオンビーム16の発散要因となる。即ち、イオンビーム16の平行性を低下させる要因となる。この問題は、イオンビーム16を低エネルギー(例えば5keV程度以下)で引き出す場合により顕著になる。上記進行方向と異なる方向のエネルギー成分の影響が相対的に大きくなるからである。   Therefore, ions in the plasma 12 receive a kinetic energy component in a direction different from the traveling direction of the ion beam 16. This energy component remains even after being extracted as the ion beam 16 and becomes a divergence factor of the ion beam 16. That is, it becomes a factor of reducing the parallelism of the ion beam 16. This problem becomes more prominent when the ion beam 16 is extracted with low energy (for example, about 5 keV or less). This is because the influence of energy components in a direction different from the traveling direction becomes relatively large.

平行性の悪いイオンビーム16は、被照射物の処理に好ましくない結果をもたらす。例えば、被照射物の表面に半導体デバイスを形成する場合、被照射物の表面には、通常、半導体デバイスを構成する絶縁膜や導電膜等の凹凸が存在する。イオンビーム16の平行性が悪いと、この凹凸の側部に、イオンビーム16が入射しない陰の部分が生じてしまい、しかも陰の部分の大きさが被照射物の面内において互いに異なり、従って所望のイオン注入を行うことができなくなる。被照射物がより大型化およびその表面に形成される半導体デバイスがより微細化すると、この陰の問題はより深刻になる。   The ion beam 16 having poor parallelism has an unfavorable result in the processing of the irradiated object. For example, when a semiconductor device is formed on the surface of an object to be irradiated, the surface of the object to be irradiated usually has irregularities such as an insulating film or a conductive film constituting the semiconductor device. When the parallelism of the ion beam 16 is poor, a shadow portion where the ion beam 16 is not incident is generated on the side of the unevenness, and the size of the shadow portion is different from each other in the plane of the irradiation object, and accordingly. The desired ion implantation cannot be performed. This shadow problem becomes more serious as the irradiated object becomes larger and the semiconductor device formed on the surface thereof becomes finer.

そこでこの発明は、平行性の良いイオンビームを引き出すことができるイオン源を提供することを主たる目的としている。   Therefore, the main object of the present invention is to provide an ion source that can extract an ion beam with good parallelism.

この発明に係る第1のイオン源は、一点で互いに直交する三つの軸をx軸、y軸およびz軸とすると、x軸に沿う方向にイオンビームを引き出すイオン源であって、
陽極を兼ねていて内部でプラズマを生成するための容器であって、前記イオンビームの引出し方向を前方とすると前方部が開いているプラズマ生成容器と、
前記プラズマ生成容器の後方部内にプラズマ生成容器から電気的に絶縁して設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状に広がっていて電子を放出する熱陰極と、
前記プラズマ生成容器の前方部内にプラズマ生成容器から電気的に絶縁して設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状をしていて前記熱陰極の一端と実質的に同電位に保たれ、電子を反射すると共に前記プラズマからイオンを引き出す多孔状の反射電極と、
前記プラズマ生成容器内であって前記反射電極の後方近傍に設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状をしていて前記プラズマ生成容器と実質的に同電位に保たれる多孔状の制御電極と、
前記反射電極の前方近傍にプラズマ生成容器から電気的に絶縁して設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状をしていて前記反射電極よりも正電位に保たれて、反射電極を通過して来るイオンを減速して通過させる多孔状の減速電極と、
前記プラズマ生成容器内に、x軸に実質的に平行な磁界を発生させる第1コイルと、
前記減速電極の前方に設けられていて、減速電極を通過して来るイオンを加速してイオンビームとして引き出す引出し電極系と、
前記引出し電極系を含む領域に、x軸に実質的に平行な磁界を発生させると共に、前記第1コイルと協働して、前記減速電極と引出し電極系との間の領域に、x軸に沿う方向においてイオンの進行方向に向けて減衰している磁界を発生させる第2コイルとを備えていることを特徴としている。
A first ion source according to the present invention is an ion source that extracts an ion beam in a direction along an x axis, where three axes orthogonal to each other at one point are an x axis, a y axis, and a z axis.
A container that also serves as an anode and generates plasma inside thereof, and a plasma generation container that is open at the front when the ion beam extraction direction is forward; and
A hot cathode that is electrically insulated from the plasma generation container in the rear part of the plasma generation container, spreads in a plane substantially parallel to the yz plane, and emits electrons;
It is provided in the front part of the plasma generation vessel so as to be electrically insulated from the plasma generation vessel, has a surface shape substantially parallel to the yz plane, and is maintained at substantially the same potential as one end of the hot cathode. A porous reflective electrode that reflects electrons and draws ions from the plasma;
A porous shape that is provided in the plasma generation vessel and in the vicinity of the back of the reflective electrode, has a plane substantially parallel to the yz plane, and is maintained at substantially the same potential as the plasma generation vessel. A control electrode of
The reflective electrode is provided in the vicinity of the front of the reflective electrode so as to be electrically insulated from the plasma generation vessel, has a surface shape substantially parallel to the yz plane, and is maintained at a positive potential more than the reflective electrode. A porous deceleration electrode that decelerates and passes ions passing through
A first coil for generating a magnetic field substantially parallel to the x-axis in the plasma generation vessel;
An extraction electrode system which is provided in front of the deceleration electrode and accelerates ions passing through the deceleration electrode to draw out as an ion beam;
A magnetic field substantially parallel to the x-axis is generated in the region including the extraction electrode system, and in cooperation with the first coil, the region between the deceleration electrode and the extraction electrode system is And a second coil that generates a magnetic field that is attenuated in the direction along which ions travel.

プラズマ生成容器に対して、熱陰極、反射電極、制御電極および減速電極を上記のように配置することによって、プラズマ生成容器内において発生する電界を、特にイオンの引出し口である前方部付近において発生する電界を、x軸に対して平行に近づけることができる。しかも、第1コイルによって、x軸に実質的に平行な磁界を発生させることができる。このように、電界および磁界を、x軸に対して平行に近づけることができるので、プラズマ生成容器内において、イオンビームの発散要因となる電界および磁界を減少させることができる。その結果、イオンビームの平行性を良くすることができる。   By arranging the hot cathode, reflection electrode, control electrode, and deceleration electrode as described above for the plasma generation vessel, the electric field generated in the plasma generation vessel is generated, particularly in the vicinity of the front part, which is the ion extraction port. The electric field can be made parallel to the x-axis. In addition, the first coil can generate a magnetic field substantially parallel to the x-axis. Thus, since the electric field and the magnetic field can be made parallel to the x-axis, the electric field and the magnetic field that cause the divergence of the ion beam in the plasma generation container can be reduced. As a result, the ion beam parallelism can be improved.

更に、上記第1コイルおよび第2コイルが協働して、減速電極と引出し電極系との間の領域に、x軸に沿う方向においてイオンの進行方向に向けて減衰している磁界を発生させることによって、イオンが持つ磁気モーメントが保存される現象を利用して、イオンが持つ発散速度成分を減少させることができる。その結果、この理由からも、イオンビームの平行性を良くすることができる。   Furthermore, the first coil and the second coil cooperate to generate a magnetic field that is attenuated in the direction along the x-axis in the direction of ion travel in the region between the deceleration electrode and the extraction electrode system. Thus, the divergence rate component of the ions can be reduced by utilizing the phenomenon that the magnetic moment of the ions is preserved. As a result, the parallelism of the ion beam can be improved also for this reason.

前記プラズマ生成容器は、絶縁物を介して、後方部にある第1部分とその前方にある第2部分とに分けられていて、第1部分は前記熱陰極の一端と実質的に同電位に保たれ、第2部分の後方部内に、yz平面に実質的に平行な面状をしていて第2部分と実質的に同電位に保たれる多孔状の第2制御電極が設けられていても良い。   The plasma generation vessel is divided into a first part at the rear part and a second part at the front part through an insulator, and the first part has substantially the same potential as one end of the hot cathode. In the rear part of the second part, a porous second control electrode having a surface shape substantially parallel to the yz plane and maintained at substantially the same potential as the second part is provided. Also good.

前記熱陰極は、フィラメントでも良いし、傍熱型陰極でも良い。   The hot cathode may be a filament or an indirectly heated cathode.

この発明に係る第2のイオン源は、一点で互いに直交する三つの軸をx軸、y軸およびz軸とすると、x軸に沿う方向にイオンビームを引き出すイオン源であって、
陽極を兼ねていて内部でプラズマを生成するための容器であって、前記イオンビームの引出し方向を前方とすると前方部が開いているプラズマ生成容器と、
前記プラズマ生成容器の前方部内にプラズマ生成容器から電気的に絶縁して設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状に広がっていて、電子を放出すると共に前記プラズマからイオンを引き出す電極を兼ねる多孔状のフィラメントと、
前記プラズマ生成容器内であって前記フィラメントの後方近傍に設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状をしていて前記プラズマ生成容器と実質的に同電位に保たれる多孔状の制御電極と、
前記プラズマ生成容器の後方部内にプラズマ生成容器から電気的に絶縁して設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状をしていて電子を反射する反射電極と、
前記フィラメントの前方近傍にプラズマ生成容器から電気的に絶縁して設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状をしていて前記フィラメントよりも正電位に保たれて、フィラメントを通過して来るイオンを減速して通過させる多孔状の減速電極と、
前記プラズマ生成容器内に、x軸に実質的に平行な磁界を発生させる第1コイルと、
前記減速電極の前方に設けられていて、減速電極を通過して来るイオンを加速してイオンビームとして引き出す引出し電極系と、
前記引出し電極系を含む領域に、x軸に実質的に平行な磁界を発生させると共に、前記第1コイルと協働して、前記減速電極と引出し電極系との間の領域に、x軸に沿う方向においてイオンの進行方向に向けて減衰している磁界を発生させる第2コイルとを備えていることを特徴としている。
A second ion source according to the present invention is an ion source for extracting an ion beam in a direction along the x-axis, assuming that three axes orthogonal to each other at one point are an x-axis, a y-axis, and a z-axis.
A container that also serves as an anode and generates plasma inside thereof, and a plasma generation container that is open at the front when the ion beam extraction direction is forward; and
An electrode that is electrically insulated from the plasma generation container in the front portion of the plasma generation container, extends in a plane substantially parallel to the yz plane, emits electrons, and extracts ions from the plasma A porous filament that doubles as
A porous shape that is provided in the plasma generation vessel and in the vicinity of the rear of the filament, has a plane substantially parallel to the yz plane, and is maintained at the same potential as the plasma generation vessel. A control electrode;
A reflective electrode that is electrically insulated from the plasma generation container in the rear part of the plasma generation container, has a surface shape substantially parallel to the yz plane, and reflects electrons;
It is provided in the vicinity of the front of the filament so as to be electrically insulated from the plasma generation vessel, has a surface shape substantially parallel to the yz plane, is maintained at a positive potential than the filament, and passes through the filament. A porous deceleration electrode that decelerates and passes incoming ions;
A first coil for generating a magnetic field substantially parallel to the x-axis in the plasma generation vessel;
An extraction electrode system which is provided in front of the deceleration electrode and accelerates ions passing through the deceleration electrode to draw out as an ion beam;
A magnetic field substantially parallel to the x-axis is generated in the region including the extraction electrode system, and in cooperation with the first coil, the region between the deceleration electrode and the extraction electrode system is And a second coil that generates a magnetic field that is attenuated in the direction along which ions travel.

この第2のイオン源も、基本的には上記第1のイオン源と同様の作用によって、イオンビームの平行性を良くすることができる。   This second ion source can also improve ion beam parallelism basically by the same action as the first ion source.

請求項1に記載の発明によれば、プラズマ生成容器内において発生する電界および磁界を、イオンビーム引出し方向に対して平行に近づけることができるので、イオンビームの発散要因となる電界および磁界を減少させて、イオンビームの平行性を良くすることができる。更に、イオンの進行方向に向けて減衰している磁界を発生させることによって、イオンが持つ発散速度成分を減少させることができるので、この理由からも、イオンビームの平行性を良くすることができる。上記両作用効果が相俟って、平行性の良いイオンビームを引き出すことができる。   According to the first aspect of the present invention, the electric field and magnetic field generated in the plasma generation container can be made parallel to the ion beam extraction direction, so that the electric field and magnetic field that cause the ion beam divergence are reduced. Thus, the parallelism of the ion beam can be improved. Furthermore, since the divergent velocity component of the ions can be reduced by generating a magnetic field that is attenuated in the direction of ion travel, the parallelism of the ion beam can also be improved for this reason. . Combined with the above two effects, an ion beam with good parallelism can be extracted.

請求項2に記載の発明によれば、熱陰極と第2制御電極とが互いに実質的に平行に配置されることになり、熱陰極から放出される電子をイオンビーム引出し方向に対して平行に近づけることができるので、イオンビーム引出し方向と直交する方向におけるプラズマの均一性を高めることが可能になる。その結果、イオンビームの均一性を良くすることができる、という更なる効果を奏する。   According to the second aspect of the present invention, the hot cathode and the second control electrode are disposed substantially parallel to each other, and electrons emitted from the hot cathode are parallel to the ion beam extraction direction. Since they can be close to each other, it is possible to improve the uniformity of plasma in a direction orthogonal to the ion beam extraction direction. As a result, there is a further effect that the uniformity of the ion beam can be improved.

請求項5に記載の発明によれば、請求項1の上記効果と同様の効果に加えて更に次のような効果を奏する。即ち、フィラメント付近のプラズマ密度の高い領域からイオンを引き出すことができるので、しかもフィラメントから放出された電子がイオンの空間電荷を中和してイオン飽和電流が大きく取れるので、イオンひいてはイオンビームをより多く引き出すことができる。更に、フィラメントと制御電極とが互いに実質的に平行に配置されることになり、フィラメントから放出される電子をイオンビーム引出し方向に対して平行に近づけることができるので、イオンビーム引出し方向と直交する方向におけるプラズマの均一性を高めることが可能になる。その結果、イオンビームの均一性を良くすることができる。   According to invention of Claim 5, in addition to the effect similar to the said effect of Claim 1, there exist the following effects further. That is, ions can be extracted from a region with a high plasma density near the filament, and the electrons emitted from the filament neutralize the space charge of the ions to obtain a large ion saturation current. You can draw a lot. Furthermore, since the filament and the control electrode are arranged substantially in parallel with each other, the electrons emitted from the filament can be made parallel to the ion beam extraction direction, so that they are orthogonal to the ion beam extraction direction. It becomes possible to improve the uniformity of the plasma in the direction. As a result, the uniformity of the ion beam can be improved.

この明細書および図面においては、各構成要素の向き、イオンビームの進行方向等を表すために、一点で互いに直交する三つの軸、即ちx軸、y軸およびz軸を用いている。このx軸、y軸およびz軸は、一点で互いに直交する軸であれば良く、必ずしも図示例の方向に限られるものではない。例えば、x軸を水平方向、垂直方向またはそれらから傾いた方向に取っても良い。   In this specification and the drawings, three axes orthogonal to each other at one point, that is, the x axis, the y axis, and the z axis are used in order to represent the direction of each component, the traveling direction of the ion beam, and the like. The x-axis, y-axis, and z-axis need only be axes that are orthogonal to each other at a single point, and are not necessarily limited to the illustrated example. For example, the x-axis may be taken in the horizontal direction, the vertical direction, or a direction inclined therefrom.

図1は、この発明に係るイオン源の一実施形態を示す断面図である。このイオン源は、x軸に沿う方向にイオンビーム90を引き出すイオン源である。沿う方向とは、例えば、平行または実質的に平行な方向である。   FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of an ion source according to the present invention. This ion source is an ion source that extracts the ion beam 90 in the direction along the x-axis. The direction along is, for example, a parallel or substantially parallel direction.

このイオン源は、陽極を兼ねるものであって、原料ガス34が導入され、内部でプラズマ40を生成するためのプラズマ生成容器30を備えている。プラズマ生成容器30は、例えば、円筒状、角筒状等の筒状または箱状をしており、その前方部32が開いている。この明細書では、イオンビーム90の引出し方向を前方、その反対方向を後方と呼んでいる。このプラズマ生成容器30内、後述するイオン輸送容器74内およびイオンビーム90の経路は、図示しない真空排気装置によって真空排気される。   This ion source also serves as an anode, and includes a plasma generation container 30 into which a source gas 34 is introduced and for generating a plasma 40 therein. The plasma generation container 30 has, for example, a cylindrical shape such as a cylindrical shape or a rectangular tube shape, or a box shape, and a front portion 32 thereof is open. In this specification, the extraction direction of the ion beam 90 is referred to as the front, and the opposite direction is referred to as the rear. The plasma generation vessel 30, the ion transport vessel 74 described later, and the path of the ion beam 90 are evacuated by a vacuum evacuation device (not shown).

プラズマ生成容器30は、この実施形態では、絶縁物61を介して、後方部にある第1部分36とその前方にある第2部分38とに分けられている。但しこのように構成することは必須ではない。第1部分36は、後述するフィラメント42の一端に電気的に接続されていて、それと実質的に同電位に保たれる。なお、この明細書において、「実質的に同電位」には、同電位の状態も含まれている。   In this embodiment, the plasma generation container 30 is divided into a first portion 36 at the rear portion and a second portion 38 at the front portion thereof via an insulator 61. However, such a configuration is not essential. The first portion 36 is electrically connected to one end of a filament 42 described later, and is maintained at substantially the same potential as that. Note that in this specification, “substantially the same potential” includes a state of the same potential.

熱陰極の一例として、プラズマ生成容器30の後方部内に、絶縁物60によってプラズマ生成容器30(より具体的には、その第1部分36)から電気的に絶縁されていて、電子を放出するフィラメント42が設けられている。フィラメント42は、例えば図3に示す例のように、yz平面に実質的に平行な面状に広がっている。フィラメント42は、図3に示す例では、細い棒状のフィラメントをyz平面に沿って多数回折り返した構造をしているが、細い板状のフィラメントをこれと同様に折り返した構造でも良い。あるいは、フィラメント42は、例えば図3のフィラメント42と同様の外形を有する平板状のもの等でも良い。   As an example of a hot cathode, a filament that is electrically insulated from the plasma generation vessel 30 (more specifically, the first portion 36 thereof) by an insulator 60 in the rear portion of the plasma generation vessel 30 and emits electrons. 42 is provided. For example, as illustrated in FIG. 3, the filament 42 extends in a plane substantially parallel to the yz plane. In the example shown in FIG. 3, the filament 42 has a structure in which a number of thin rod-like filaments are folded back along the yz plane, but a structure in which a thin plate-like filament is folded in the same manner may be used. Alternatively, the filament 42 may be, for example, a flat plate having the same outer shape as the filament 42 of FIG.

フィラメント42には、それを加熱する例えば直流のフィラメント電源68が接続されている。このフィラメント電源68の出力電圧V1 は、例えば、10V〜15V程度であるが、それに限られるものではない。 For example, a DC filament power supply 68 for heating the filament 42 is connected. The output voltage V 1 of the filament power supply 68 is, for example, about 10V to 15V, but is not limited thereto.

フィラメント42の一端とプラズマ生成容器30(より具体的には、その第2部分38)との間には、前者を負極側にして、両者42、30間でアーク放電を発生させる直流のアーク電源70が接続されている。このアーク電源70の出力電圧V2 は、例えば、40V〜120V程度であるが、それに限られるものではない。この出力電圧V2 によって、フィラメント42から放出された電子を加速して原料ガス分子に衝突させて原料ガス34を電離させてプラズマ40を生成する。 A direct-current arc power source between the one end of the filament 42 and the plasma generation vessel 30 (more specifically, the second portion 38), with the former being on the negative electrode side and generating arc discharge between the two 42 and 30. 70 is connected. Output voltage V 2 of the arc power supply 70 is, for example, is about 40V~120V, not limited thereto. With this output voltage V 2 , electrons emitted from the filament 42 are accelerated and collide with the source gas molecules to ionize the source gas 34 to generate the plasma 40.

プラズマ生成容器30の前方部32内に、絶縁物62によってプラズマ生成容器30(より具体的には、その第2部分38)から電気的に絶縁されていて、yz平面に実質的に平行な面状をしている多孔状の反射電極48が設けられている。多孔状というのは、例えば、多数の小孔を有する板状またはメッシュ状等の意味である。後述する他の電極も同様である。この反射電極48は、フィラメント42の一端に電気的に接続されていて、それと実質的に同電位に保たれる。この反射電極48は、プラズマ生成容器30内の電子(主としてフィラメント42から放出された電子)を反射すると共に、多孔状をしていて、プラズマ40からイオン52を引き出す働きをする。   A surface that is electrically insulated from the plasma generation vessel 30 (more specifically, the second portion 38 thereof) by an insulator 62 in the front portion 32 of the plasma generation vessel 30 and is substantially parallel to the yz plane. A porous reflective electrode 48 is provided. The term “porous” means, for example, a plate shape or a mesh shape having a large number of small holes. The same applies to other electrodes described later. The reflective electrode 48 is electrically connected to one end of the filament 42 and is maintained at substantially the same potential as that. The reflective electrode 48 reflects electrons (mainly electrons emitted from the filament 42) in the plasma generation container 30 and has a porous shape to extract ions 52 from the plasma 40.

プラズマ生成容器30(より具体的には、その第2部分38)内であって反射電極48の後方近傍に、yz平面に実質的に平行な面状をしている多孔状の制御電極46が設けられている。この制御電極46は、プラズマ生成容器30(より具体的には、その第2部分38)に電気的に接続されていて、それと実質的に同電位に保たれる。   A porous control electrode 46 having a planar shape substantially parallel to the yz plane is provided in the plasma generation container 30 (more specifically, the second portion 38) and in the vicinity of the rear of the reflective electrode 48. Is provided. The control electrode 46 is electrically connected to the plasma generation container 30 (more specifically, the second portion 38), and is maintained at substantially the same potential as that.

更にこの実施形態では、プラズマ生成容器30の第2部分38の後方部内に、yz平面に実質的に平行な面状をしている多孔状の第2制御電極44が設けられている。この第2制御電極44は、第2部分38に電気的に接続されていて、それと実質的に同電位に保たれる。   Furthermore, in this embodiment, a porous second control electrode 44 having a planar shape substantially parallel to the yz plane is provided in the rear part of the second portion 38 of the plasma generation container 30. The second control electrode 44 is electrically connected to the second portion 38 and is maintained at substantially the same potential as that.

反射電極48の前方近傍に、絶縁物62によってプラズマ生成容器30(より具体的には、その第2部分38)から電気的に絶縁されていて、yz平面に実質的に平行な面状をしている多孔状の減速電極50が設けられている。この減速電極50は、後述する減速電源72によって反射電極48よりも正電位に保たれて、反射電極48を通過して来るイオン52を減速させて通過させる。   In the vicinity of the front side of the reflective electrode 48, the insulator 62 is electrically insulated from the plasma generation vessel 30 (more specifically, the second portion 38), and has a surface shape substantially parallel to the yz plane. A porous deceleration electrode 50 is provided. The deceleration electrode 50 is maintained at a positive potential with respect to the reflection electrode 48 by a deceleration power source 72 to be described later, and decelerates and passes the ions 52 passing through the reflection electrode 48.

減速電極50と反射電極48との間には、前者を正極側にして、減速電極50を反射電極48よりも正電位に保つ直流の減速電源72が接続されている。この減速電源72の出力電圧V3 は、例えば、前記出力電圧V2 よりも数十V程度高い電圧、より具体的には70V〜150V程度であるが、それに限られるものではない。必要とするイオン52のエネルギーに応じて決めれば良い。 Connected between the deceleration electrode 50 and the reflective electrode 48 is a direct current deceleration power source 72 that keeps the deceleration electrode 50 at a positive potential relative to the reflective electrode 48 with the former being on the positive electrode side. The output voltage V 3 of the deceleration power source 72 is, for example, a voltage that is several tens of volts higher than the output voltage V 2 , more specifically about 70 V to 150 V, but is not limited thereto. What is necessary is just to determine according to the energy of the required ion 52. FIG.

プラズマ生成容器30の外側周囲には、プラズマ生成容器30内に、x軸に実質的に平行な磁界を発生させる第1コイル54が設けられている。この磁界の概略の様子を磁力線58で示す。磁界の向きは図示とは逆でも良い。第1コイル54は、この実施形態では、二つの互いに直列接続されたコイル54a、54bを有しており、両コイル54a、54bには、直流の励磁電源56から、上記磁界を発生させる励磁電流が供給される。両コイル54a、54bは、例えば、ヘルムホルツコイルである。第1コイル54は、このようなコイル54a、54bの代わりに、一つのソレノイドコイル等で構成しても良い。   A first coil 54 that generates a magnetic field substantially parallel to the x-axis is provided in the plasma generation container 30 around the outside of the plasma generation container 30. An outline of this magnetic field is indicated by magnetic lines of force 58. The direction of the magnetic field may be opposite to that shown in the figure. In this embodiment, the first coil 54 has two coils 54a and 54b connected in series with each other, and both the coils 54a and 54b have an excitation current for generating the magnetic field from a DC excitation power source 56. Is supplied. Both coils 54a and 54b are Helmholtz coils, for example. The first coil 54 may be composed of a single solenoid coil or the like instead of the coils 54a and 54b.

減速電極50の前方には、減速電極50を通過して来るイオン52を加速してイオンビーム90として引き出す引出し電極系76が設けられている。この実施形態では、減速電極50の前方に、イオン52を輸送するための、プラズマ生成容器30よりも大きい筒状のイオン輸送容器74が設けられており、このイオン輸送容器74の前方部に引出し電極系76が設けられている。減速電極50、イオン輸送容器74および引出し電極系76の引出し電極78は、互いに電気的に接続されていて実質的に同電位に保たれる。但し、このイオン輸送容器74を特別に設けずに、他の真空容器(ビームライン容器等)内でイオン52を輸送するようにしても良い。   In front of the deceleration electrode 50, an extraction electrode system 76 that accelerates and extracts the ions 52 passing through the deceleration electrode 50 as an ion beam 90 is provided. In this embodiment, a cylindrical ion transport container 74 larger than the plasma generation container 30 for transporting ions 52 is provided in front of the deceleration electrode 50, and is drawn out to the front part of the ion transport container 74. An electrode system 76 is provided. The deceleration electrode 50, the ion transport container 74, and the extraction electrode 78 of the extraction electrode system 76 are electrically connected to each other and maintained at substantially the same potential. However, the ions 52 may be transported in another vacuum container (such as a beam line container) without specially providing the ion transport container 74.

引出し電極系76は、この実施形態では、引出し電極78、抑制電極79および接地電極80を有している。各電極78〜80は、この例では多孔状の電極であるが、スリット状のイオン引出し孔を有するものでも良い。引出し電極78には直流の加速電源82から、イオンビーム90加速用の正の加速電圧V4 が印加される。抑制電極79には直流の抑制電源84から、逆流電子抑制用の負の抑制電圧V5 が印加される。接地電極80は電気的に接地されている。電極78、79、80間は、絶縁物63、64によって電気的に絶縁されている。但し、引出し電極系76の構成は、この例のものに限られるものではない。 In this embodiment, the extraction electrode system 76 includes an extraction electrode 78, a suppression electrode 79, and a ground electrode 80. Each of the electrodes 78 to 80 is a porous electrode in this example, but may have a slit-shaped ion extraction hole. A positive acceleration voltage V 4 for accelerating the ion beam 90 is applied to the extraction electrode 78 from a DC acceleration power supply 82. A negative suppression voltage V 5 for suppressing backflow electrons is applied to the suppression electrode 79 from a DC suppression power supply 84. The ground electrode 80 is electrically grounded. The electrodes 78, 79, 80 are electrically insulated by insulators 63, 64. However, the configuration of the extraction electrode system 76 is not limited to this example.

加速電圧V4 は、例えば、1kV〜40kV程度であるが、これに限られるものではなく、必要とするイオンビーム90のエネルギーに応じて決めれば良い。抑制電圧V5 は、例えば、1kV〜2kV程度であるが、これに限られるものではない。 The acceleration voltage V 4 is, for example, about 1 kV to 40 kV, but is not limited to this, and may be determined according to the required energy of the ion beam 90. Inhibit voltage V 5 it is, for example, is about 1KV~2kV, not limited to this.

引出し電極系76の外側周囲付近には、引出し電極系76を含む領域に、x軸に実質的に平行な磁界を発生させると共に、第1コイル54と協働して、減速電極50と引出し電極系76(より具体的には、その引出し電極78)との間の領域に、x軸に沿う方向においてイオン52の進行方向に向けて減衰している磁界を発生させる第2コイル86が設けられている。この第2コイル86は第1コイル54と同方向の磁界を発生させる。この磁界の概略の様子を、上記磁力線58で示している。   In the vicinity of the outer periphery of the extraction electrode system 76, a magnetic field substantially parallel to the x axis is generated in a region including the extraction electrode system 76, and in cooperation with the first coil 54, the deceleration electrode 50 and the extraction electrode In a region between the system 76 (more specifically, its extraction electrode 78), a second coil 86 is provided that generates a magnetic field that is attenuated in the direction of travel of the ions 52 in the direction along the x-axis. ing. The second coil 86 generates a magnetic field in the same direction as the first coil 54. The outline of this magnetic field is indicated by the magnetic field lines 58.

第2コイル86は、この実施形態では、直流の励磁電源88a〜88cによってそれぞれ励磁される三つのリング状のコイル86a〜86cを有しており、各コイル86a〜86cは互いに同方向の磁界を発生させる。第2コイル86は、必ずしもこの実施形態のものに限られるものではないが、上記のような磁界を発生させる観点から、複数のコイルで構成し、かつ各コイルに励磁電流を独立して供給する直流の励磁電源をそれぞれ設けるのが好ましい。   In this embodiment, the second coil 86 includes three ring-shaped coils 86a to 86c that are excited by DC excitation power supplies 88a to 88c, respectively, and the coils 86a to 86c generate magnetic fields in the same direction. generate. The second coil 86 is not necessarily limited to that of this embodiment, but from the viewpoint of generating the magnetic field as described above, the second coil 86 is composed of a plurality of coils and independently supplies an excitation current to each coil. A direct current excitation power source is preferably provided.

このイオン源においては、前記所定の箇所を真空排気すると共に、プラズマ生成容器30内に所望の原料ガス34を導入し、かつ前記所定の箇所に電圧を印加すると、プラズマ生成容器30内でアーク放電が生じて原料ガス34が電離されてプラズマ40が生成される。そしてこのプラズマ40から、前記イオン52が引き出され、それが磁力線58に沿って引出し電極系76まで輸送され、かつ引出し電極系76によって加速されて、イオンビーム90として引き出される。   In this ion source, when the predetermined portion is evacuated, a desired source gas 34 is introduced into the plasma generation vessel 30 and a voltage is applied to the predetermined portion, arc discharge is generated in the plasma generation vessel 30. Is generated, the source gas 34 is ionized, and the plasma 40 is generated. Then, the ions 52 are extracted from the plasma 40, transported to the extraction electrode system 76 along the magnetic field lines 58, accelerated by the extraction electrode system 76, and extracted as the ion beam 90.

このイオン源の動作時のx軸に沿う方向における電位分布の一例を図2に示す。この図において、フィラメント電源68の出力電圧V1 は小さく、かつ説明に必要がないので無視している。後述する図5においても同様である。プラズマ生成容器30内に生成されるプラズマ40(図1参照)は、通常、プラズマ生成容器30の電位よりも若干(例えば数十V程度)高いプラズマ電位Vp を有している。プラズマ40と近接する第2制御電極44、制御電極46および反射電極48等の近傍には、イオンシースが形成される。プラズマ生成容器30と実質的に同電位である第2制御電極44および制御電極46の近傍で電位が低下しているのはそのためである。 An example of the potential distribution in the direction along the x-axis during operation of this ion source is shown in FIG. In this figure, the output voltage V 1 of the filament power supply 68 is small and neglected because it is not necessary for explanation. The same applies to FIG. 5 described later. The plasma 40 (see FIG. 1) generated in the plasma generation container 30 usually has a plasma potential V p slightly higher (for example, about several tens of volts) than the potential of the plasma generation container 30. An ion sheath is formed in the vicinity of the second control electrode 44, the control electrode 46, the reflective electrode 48, and the like that are close to the plasma 40. This is why the potential is lowered in the vicinity of the second control electrode 44 and the control electrode 46 which are substantially the same potential as the plasma generation vessel 30.

減速電極50を通して引き出されるイオン52のエネルギーは、Vp −V3 [eV]となり、減速電源72の出力電圧V3 を調整することによって、このイオン52のエネルギーを非常に小さく(例えば1eV〜数eV程度に)することができる。そのように小さくする理由は後述する。 The energy of the ions 52 extracted through the deceleration electrode 50 becomes V p −V 3 [eV]. By adjusting the output voltage V 3 of the deceleration power source 72, the energy of the ions 52 is very small (for example, 1 eV to several eV). The reason for making it smaller will be described later.

このイオン源においては、フィラメント42、第2制御電極44、制御電極46、反射電極48および減速電極50を、yz平面に実質的に平行に配置しているので、プラズマ生成容器30内等には、図2中に代表例を示すように、互いに実質的に平行かつx軸に対して実質的に直角方向の等電位面92が形成される。従って、プラズマ生成容器30内において発生する電界94を、特にイオン52の引出し口である前方部32付近において発生する電界94を、x軸に対して平行に近づけることができる。しかも、第1コイル54によって、x軸に実質的に平行な磁界を発生させることができる。このように、電界および磁界を、x軸に対して平行に近づけることができるので、プラズマ生成容器30内において、イオンビーム90の発散要因となる電界および磁界を減少させることができる。その結果、イオンビーム90の平行性を良くすることができる。これが第1の作用効果である。   In this ion source, the filament 42, the second control electrode 44, the control electrode 46, the reflection electrode 48, and the deceleration electrode 50 are disposed substantially parallel to the yz plane. 2, equipotential surfaces 92 that are substantially parallel to each other and substantially perpendicular to the x-axis are formed. Therefore, the electric field 94 generated in the plasma generation container 30, particularly the electric field 94 generated in the vicinity of the front portion 32, which is an extraction port for the ions 52, can be made parallel to the x axis. In addition, the first coil 54 can generate a magnetic field substantially parallel to the x-axis. As described above, since the electric field and the magnetic field can be made parallel to the x-axis, the electric field and the magnetic field that cause the divergence of the ion beam 90 in the plasma generation container 30 can be reduced. As a result, the parallelism of the ion beam 90 can be improved. This is the first effect.

更に、第1コイル54および第2コイル86が協働して、減速電極50と引出し電極系76との間の領域に、x軸に沿う方向においてイオン52の進行方向に向けて減衰している磁界を発生させることによって、以下に詳述するイオン52が持つ磁気モーメントが保存される現象を利用して、イオン52が持つ発散速度成分を減少させることができる。その結果、この理由からも、イオンビーム90の平行性を良くすることができる。これが第2の作用効果である。   Furthermore, the first coil 54 and the second coil 86 cooperate to attenuate toward the traveling direction of the ions 52 in the direction along the x-axis in the region between the deceleration electrode 50 and the extraction electrode system 76. By generating a magnetic field, the divergence rate component of the ions 52 can be reduced by utilizing the phenomenon that the magnetic moment of the ions 52 described below is preserved. As a result, also for this reason, the parallelism of the ion beam 90 can be improved. This is the second effect.

従って、このイオン源によれば、上記第1および第2の作用効果が相俟って、平行性の良いイオンビーム90を引き出すことができる。また、後述する図11も参照すれば分かるように、減速電極50から引き出されるイオン52を磁界によって広げて、減速電極50よりも大面積のイオンビーム90を引き出すことができる。従って、大型の被照射物にも容易に対応することができる。   Therefore, according to this ion source, the ion beam 90 having good parallelism can be extracted by combining the first and second functions and effects. Further, as can be seen from FIG. 11 described later, the ions 52 extracted from the deceleration electrode 50 can be expanded by a magnetic field, and an ion beam 90 having a larger area than the deceleration electrode 50 can be extracted. Therefore, it is possible to easily cope with a large object to be irradiated.

上記磁気モーメントの保存について詳述すると、次の非特許文献1および2にも記載されているように、磁界(磁束密度)B[T]がイオンの進行方向に変化している場合、数1の条件が満たされているとき、数2で表されるイオンの磁気モーメントμは保存される。ここで、Mはイオンの質量数[AMU]、Zは荷数、Uはエネルギー[eV]、Lは系の特性長(ここでは磁界を減衰させている空間のイオン進行方向の距離)[m]、mはイオンの質量、vr はイオン速度の磁界に直交する成分である。 The preservation of the magnetic moment will be described in detail. As described in Non-Patent Documents 1 and 2 below, when the magnetic field (magnetic flux density) B [T] changes in the ion traveling direction, Formula 1 When the condition (2) is satisfied, the magnetic moment μ of the ion expressed by Equation 2 is preserved. Here, M is the ion mass number [AMU], Z is the load number, U is the energy [eV], and L is the characteristic length of the system (here, the distance in the ion traveling direction of the space in which the magnetic field is attenuated) [m. ], m is the mass of the ion, v r is a component orthogonal to the magnetic field of the ion velocity.

[数1]
BL≫1.5×10-4√(MU)/Z
[Equation 1]
BL >> 1.5 × 10 −4 √ (MU) / Z

[数2]
μ=mvr 2 /2B
[Equation 2]
μ = mv r 2 / 2B

上記磁気モーメントμが保存される性質を利用することによって、磁界が減衰する方向にイオンを輸送すれば、イオン速度の磁界に直交する成分vr が減少し、その分、磁界に平行な成分vx が増加する(換言すれば、vr がvx に変換される)。このような性質をイオン源から引き出すイオンの平行化に用いることについては非特許文献1および2には記載されていないが、このイオン源ではこの性質に着目して、それをイオン52が持つ発散速度成分を減少させることに利用している。従って、イオン52がイオン輸送容器74内の減衰磁界を通過している間に、x軸に直交する方向の速度成分vx 、即ち発散速度成分は減少する。 By utilizing the property that the magnetic moment μ is conserved, if the ions are transported in the direction in which the magnetic field is attenuated, the component v r orthogonal to the magnetic field of the ion velocity is reduced, and accordingly, the component v parallel to the magnetic field is reduced. x increases (in other words, v r is converted to v x ). The use of such a property for collimating ions extracted from the ion source is not described in Non-Patent Documents 1 and 2, but in this ion source, focusing on this property, the divergence of ions 52 is included. It is used to reduce the speed component. Therefore, the velocity component v x in the direction orthogonal to the x-axis, that is, the divergence velocity component decreases while the ions 52 pass through the decaying magnetic field in the ion transport container 74.

[非特許文献1]
石川順三著、アイオニクス叢書、「イオン源工学」、第一刷、アイオニクス株式会社、昭和61年5月31日、頁94−95
[非特許文献2]
執筆委員 高木俊宜、電気学会大学講座、「電子・イオンビーム工学」、初版、社団法人電気学会、1995年3月1日、頁99
[Non-Patent Document 1]
Junzo Ishikawa, Ionics Series, “Ion Source Engineering”, First Printing, Ionics Corporation, May 31, 1986, pp. 94-95
[Non-Patent Document 2]
Writer Toshiyoshi Takagi, University of Electrical Engineers, “Electron / Ion Beam Engineering”, First Edition, The Institute of Electrical Engineers of Japan, March 1, 1995, page 99

上記第1コイル54、第2コイル86によって発生させる磁界およびその磁界中におけるイオン52の軌道をシミュレーションした結果の例を次に説明する。   Next, an example of the result of simulating the magnetic field generated by the first coil 54 and the second coil 86 and the trajectory of the ions 52 in the magnetic field will be described.

図6は、xz平面内の磁界のベクトル図である。このベクトルをつなぐと、図1に示した磁力線58に相当するものになる。この例では、各コイル54a、54b、86a、86b、86cの起磁力を、それぞれ、10,000A、10,000A、1,500A、1,250A、2,250Aとした。磁界は、第1コイル54を構成するコイル54a、54b間の領域でx軸に実質的に平行になり、コイル54bとコイル86a間の領域で発散して減衰し、コイル86bの前後付近からコイル86cにかけての領域で再びx軸に実質的に平行になっていることが分かる。   FIG. 6 is a vector diagram of a magnetic field in the xz plane. When this vector is connected, it corresponds to the magnetic field line 58 shown in FIG. In this example, the magnetomotive force of each of the coils 54a, 54b, 86a, 86b, 86c is set to 10,000A, 10,000A, 1,500A, 1,250A, 2,250A, respectively. The magnetic field is substantially parallel to the x-axis in the region between the coils 54a and 54b constituting the first coil 54, diverges and attenuates in the region between the coil 54b and the coil 86a, and the coil starts from the vicinity of the coil 86b. It can be seen that the region extending to 86c is substantially parallel to the x-axis again.

図6の例におけるx軸上の磁束密度の変化を図7に示す。x=0mにおける磁束密度B0 は約0.37T、x=0.1mにおける磁束密度B1 は約0.04Tであり、両地点間で、特にx=0mからx=0.02m間で、磁界は急激に減衰していることが分かる。 FIG. 7 shows changes in the magnetic flux density on the x-axis in the example of FIG. The magnetic flux density B 0 at x = 0 m is about 0.37 T, and the magnetic flux density B 1 at x = 0.1 m is about 0.04 T. Between both points, particularly between x = 0 m and x = 0.02 m, It can be seen that the magnetic field decays rapidly.

図6の磁界分布の場合に、コイル54a、54bの中間付近から、イオン52を初期発散角θ0 =60度で放出したときのイオン52の軌道を図9および図11に示す。このときのイオン52は、質量数11のホウ素イオン11+ 、そのエネルギーUは0.5eVとした。 FIG. 9 and FIG. 11 show the trajectory of the ion 52 when the ion 52 is emitted at an initial divergence angle θ 0 = 60 degrees from the vicinity of the middle of the coils 54a and 54b in the case of the magnetic field distribution of FIG. At this time, the ions 52 are boron ions 11 B + having a mass number of 11, and the energy U is 0.5 eV.

イオン52は、図8に示すように、点Pから初期発散角θ0 =60度で円錐状に6方向に(図8では2方向のみ図示)放出した。なお、この初期発散角θ0 =60度というのは、上記減速電極50から引き出されるイオン52がそのような大きな発散角を持っているという意味ではなく、上記磁気モーメントの保存によって発散角が小さくなることを明確にするために、敢えて大きく誇張した例である。 As shown in FIG. 8, the ions 52 were discharged from the point P in six directions in a conical shape at an initial divergence angle θ 0 = 60 degrees (only two directions are shown in FIG. 8). Note that the initial divergence angle θ 0 = 60 degrees does not mean that the ions 52 extracted from the deceleration electrode 50 have such a large divergence angle, and the divergence angle is reduced by preserving the magnetic moment. This is an example of a great exaggeration to clarify that.

上記の場合、上記数1に示す系の特性長Lを0.02mと見ると、質量数Mは11、イオンのエネルギーUは0.5eV、荷数Zは1であるから、数1から次式が導かれる。   In the above case, when the characteristic length L of the system shown in Equation 1 is 0.02 m, the mass number M is 11, the ion energy U is 0.5 eV, and the load number Z is 1. The formula is derived.

[数3]
B≫0.012[T]
[Equation 3]
B >> 0.012 [T]

また、同様に上記数1に示す系の特性長Lを0.15mと見ると、質量数Mは11、イオンのエネルギーUは0.5eV、荷数Zは1であるから、数1から次式が導かれる。   Similarly, when the characteristic length L of the system shown in the above equation 1 is 0.15 m, the mass number M is 11, the ion energy U is 0.5 eV, and the load number Z is 1. The formula is derived.

[数4]
B≫0.0023[T]
[Equation 4]
B >> 0.0023 [T]

図7に示したように、x=0〜0.15mにおいて磁束密度Bは十分に大きいので、この例では上記数3および数4の条件を満たしていることが分かる。この場合、仮にイオン52のエネルギーUが大きいと、数1の条件を満たすためには減衰領域の磁束密度Bは大きくなる。これを避けるために、この実施例のイオン源では減速電極50を設けて、イオン52を減速してそのエネルギーUを小さくするようにしている。   As shown in FIG. 7, since the magnetic flux density B is sufficiently large at x = 0 to 0.15 m, it can be seen that the conditions of the above equations 3 and 4 are satisfied in this example. In this case, if the energy U of the ions 52 is large, the magnetic flux density B in the attenuation region increases to satisfy the condition of Equation 1. In order to avoid this, the ion source of this embodiment is provided with a decelerating electrode 50 to decelerate ions 52 and reduce their energy U.

従って、このイオン源においては、上記磁気モーメントμが保存されることになり、図9からも分かるように、イオン52の発散角θはコイル54bとコイル86a間で急激に小さくなっている。具体的には、図10に示すように、初期発散角θ0 =60度であったものが、x=0.1mの点における発散角θ1 は約17度まで減少して、平行化されていることが分かる。実際は、上記減速電極50から引き出されるイオン52の初期発散角θ0 は60度よりも遙かに小さいので、発散角θ1 が0度に極めて近くなるように平行化される。 Therefore, in this ion source, the magnetic moment μ is preserved, and as can be seen from FIG. 9, the divergence angle θ of the ions 52 is rapidly reduced between the coil 54b and the coil 86a. Specifically, as shown in FIG. 10, the initial divergence angle θ 0 = 60 degrees is reduced to about 17 degrees, and the divergence angle θ 1 at the point of x = 0.1 m is reduced to be parallelized. I understand that Actually, since the initial divergence angle θ 0 of the ions 52 extracted from the deceleration electrode 50 is much smaller than 60 degrees, they are parallelized so that the divergence angle θ 1 is very close to 0 degrees.

なお、図9に示しているイオン52は、一見するとz軸方向に上下運動をしているかのように見えるけれどもそうではなく、イオン52は、その進行方向の軸を中心にしてラーマー直径を半径に持つ包絡円を描くように運動して、その進行方向(磁界Bの方向)とは一定の傾きを保って螺旋軌道を取る。そのピッチは磁界に逆比例する。図11の場合も同様である。   Although the ion 52 shown in FIG. 9 seems to move up and down in the z-axis direction at first glance, the ion 52 has a radius of Larmor around the axis in the traveling direction. It moves so as to draw an envelope circle, and takes a spiral orbit while maintaining a constant inclination with respect to its traveling direction (direction of magnetic field B). The pitch is inversely proportional to the magnetic field. The same applies to the case of FIG.

図9では、イオン52は、第2コイル86を通過した後で発散しているけれども、これは図9の例では引出し電極系76に加速電圧V4 を印加しておらず、イオン52は0.5eVのエネルギーしか有していないからであり、加速電圧V4 を印加すると例えば図11に示す例のように、イオン52はイオンビーム90としてx軸に実質的に平行に引き出される。図11は、加速電圧V4 を5kVにした例であり、この場合のイオンビーム90は、発散角が1.7×10-3度まで平行化されている。これよりも低い加速電圧V4 でも、即ち5keVより低いエネルギーのイオンビーム90でも、平行性を非常に良くすることができる。 In FIG. 9, the ions 52 diverge after passing through the second coil 86. However, in the example of FIG. 9, the acceleration voltage V 4 is not applied to the extraction electrode system 76 and the ions 52 are 0. This is because it has an energy of .5 eV, and when the acceleration voltage V 4 is applied, the ions 52 are extracted as an ion beam 90 substantially parallel to the x-axis as in the example shown in FIG. FIG. 11 shows an example in which the acceleration voltage V 4 is 5 kV. In this case, the ion beam 90 is collimated to a divergence angle of 1.7 × 10 −3 degrees. Even with an acceleration voltage V 4 lower than this, that is, with an ion beam 90 having an energy lower than 5 keV, the parallelism can be made very good.

また、図11からも分かるように、減速電極50から引き出されたイオン52を磁界によって広げて、減速電極50よりも大面積のイオンビーム90を引き出すことができる。従って、大型の被照射物にも容易に対応することができる。   As can also be seen from FIG. 11, the ions 52 extracted from the deceleration electrode 50 can be expanded by a magnetic field, and an ion beam 90 having a larger area than the deceleration electrode 50 can be extracted. Therefore, it is possible to easily cope with a large object to be irradiated.

再び図1を参照して、この実施形態のように、プラズマ生成容器30を第1部分36と第2部分38とに分けて、第2部分38の後方部内に第2制御電極44を設けると、フィラメント42と第2制御電極44とが互いに実質的に平行に配置されることになり、フィラメント42から放出される電子をイオンビーム引出し方向に対して平行に近づけることができるので、イオンビーム引出し方向と直交する方向におけるプラズマ40の均一性を高めることが可能になる。その結果、イオンビーム90の均一性を良くすることができる。   Referring to FIG. 1 again, as in this embodiment, the plasma generation container 30 is divided into a first portion 36 and a second portion 38, and a second control electrode 44 is provided in the rear portion of the second portion 38. The filament 42 and the second control electrode 44 are disposed substantially in parallel with each other, and the electrons emitted from the filament 42 can be made parallel to the ion beam extraction direction. It becomes possible to improve the uniformity of the plasma 40 in the direction orthogonal to the direction. As a result, the uniformity of the ion beam 90 can be improved.

熱陰極として、フィラメント42の代わりに、yz平面に実質的に平行な例えば板状の陰極を、その背後からフィラメント等によって加熱する傍熱型陰極を用いても良い。   As the hot cathode, instead of the filament 42, for example, a plate-like cathode substantially parallel to the yz plane may be used, and an indirectly heated cathode that is heated from behind by a filament or the like may be used.

次に、この発明に係るイオン源の他の実施形態を、図4および図5を参照して説明する。図1および図2に示した上記実施形態と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下においては上記実施形態との相違点を主体に説明する。   Next, another embodiment of the ion source according to the present invention will be described with reference to FIGS. Portions that are the same as or correspond to those in the above-described embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and differences from the above-described embodiment will be mainly described below.

図4に示すイオン源では、プラズマ生成容器30は分割していない。このプラズマ生成容器30の前方部32内に、絶縁物62によってプラズマ生成容器30から電気的に絶縁されていて、yz平面に実質的に平行な面状に広がっている多孔状のフィラメント42が設けられている。このフィラメント42は、例えば、図3に示した例のように、細い棒状または細い板状のフィラメントをyz平面に沿って多数回折り返した構造をしている。そのようなフィラメント42は、多数の隙間43を有しているので、これもこの明細書では多孔状の範疇に含めている。これ以外に、フィラメント42は、多数の小孔を有する平板状のもの、またはメッシュ状のもの等でも良い。   In the ion source shown in FIG. 4, the plasma generation container 30 is not divided. A porous filament 42 that is electrically insulated from the plasma generation container 30 by an insulator 62 and extends in a plane substantially parallel to the yz plane is provided in the front portion 32 of the plasma generation container 30. It has been. For example, as shown in FIG. 3, the filament 42 has a structure in which a thin rod-like or thin plate-like filament is folded back many times along the yz plane. Since such a filament 42 has a large number of gaps 43, it is also included in the porous category in this specification. In addition, the filament 42 may be a flat plate having a large number of small holes or a mesh.

このフィラメント42は、上記フィラメント電源68によって加熱されて電子を放出すると共に、多孔状をしていて上記プラズマ40から上記イオン52を引き出す働きをする。   The filament 42 is heated by the filament power source 68 to emit electrons, and has a porous shape to extract the ions 52 from the plasma 40.

このフィラメント42の後方近傍および前方近傍には、上記制御電極46および減速電極50がそれぞれ設けられている。この場合、制御電極46は、フィラメント42との間でアーク放電を発生させる放電用陽極を兼ねている。減速電極50は、フィラメント42を通過して来るイオン52を減速させて通過させる。   The control electrode 46 and the deceleration electrode 50 are provided near the rear and front of the filament 42, respectively. In this case, the control electrode 46 also serves as a discharge anode that generates arc discharge with the filament 42. The deceleration electrode 50 decelerates and passes the ions 52 passing through the filament 42.

プラズマ生成容器30の後方部内に、絶縁物65によってプラズマ生成容器30から電気的に絶縁されていて、yz平面に実質的に平行な面状をしている反射電極49が設けられている。この反射電極49は、上記反射電極48と違ってイオン52を通過させる必要はないので、単なる平板状のもの等でも良い。   A reflective electrode 49 that is electrically insulated from the plasma generation container 30 by the insulator 65 and has a surface shape substantially parallel to the yz plane is provided in the rear part of the plasma generation container 30. Unlike the reflective electrode 48, the reflective electrode 49 need not allow the ions 52 to pass therethrough, and may be a simple flat plate or the like.

この反射電極49は、図4に示す例のように、フィラメント42の一端に接続してフィラメント電位にしても良いし、どこにも接続せずに浮遊電位にしても良い。浮遊電位にしても負電位に帯電することは前述したとおりである。いずれの場合も、この反射電極49は、プラズマ生成容器30に対して負電位になり、プラズマ生成容器30内の電子(主としてフィラメント42からの電子)を反射させる働きをする。   As shown in the example shown in FIG. 4, the reflective electrode 49 may be connected to one end of the filament 42 to have a filament potential, or may not be connected anywhere and may have a floating potential. As described above, even when the floating potential is used, the negative potential is charged. In either case, the reflective electrode 49 has a negative potential with respect to the plasma generation container 30 and functions to reflect electrons (mainly electrons from the filament 42) in the plasma generation container 30.

各種電源68、70等、第1コイル54、第2コイル86、引出し電極系76等については、上記実施形態と同様である。   The various power sources 68 and 70, the first coil 54, the second coil 86, the extraction electrode system 76, and the like are the same as in the above embodiment.

この実施形態のイオン源の動作時のx軸に沿う方向における電位分布の一例を図5に示す。第2制御電極44の部分を除いて、図2に示した電位分布と同様の電位分布をしている。   An example of the potential distribution in the direction along the x-axis during the operation of the ion source of this embodiment is shown in FIG. Except for the second control electrode 44, the potential distribution is the same as the potential distribution shown in FIG.

この実施形態のイオン源も、基本的には、上記実施形態のイオン源と同様の作用効果を奏する。即ち、このイオン源においては、反射電極49、制御電極46、フィラメント42および減速電極50を、yz平面に実質的に平行に配置しているので、プラズマ生成容器30内には、図5中に代表例を示すように、互いに実質的に平行かつx軸に対して実質的に直角方向の等電位面92が形成される。従って、プラズマ生成容器30内において発生する電界94を、特にイオン52の引出し口である前方部32付近において発生する電界94を、x軸に対して平行に近づけることができる。しかも、第1コイル54によって、x軸に実質的に平行な磁界を発生させることができる。このように、電界および磁界を、x軸に対して平行に近づけることができるので、プラズマ生成容器30内において、イオンビーム90の発散要因となる電界および磁界を減少させることができる。その結果、イオンビーム90の平行性を良くすることができる。これが第1の作用効果である。   The ion source of this embodiment also basically has the same effects as the ion source of the above embodiment. That is, in this ion source, the reflective electrode 49, the control electrode 46, the filament 42, and the deceleration electrode 50 are disposed substantially parallel to the yz plane. As shown in a representative example, equipotential surfaces 92 that are substantially parallel to each other and substantially perpendicular to the x-axis are formed. Therefore, the electric field 94 generated in the plasma generation container 30, particularly the electric field 94 generated in the vicinity of the front portion 32, which is an extraction port for the ions 52, can be made parallel to the x axis. In addition, the first coil 54 can generate a magnetic field substantially parallel to the x-axis. As described above, since the electric field and the magnetic field can be made parallel to the x-axis, the electric field and the magnetic field that cause the ion beam 90 to diverge can be reduced in the plasma generation container 30. As a result, the parallelism of the ion beam 90 can be improved. This is the first effect.

更に、第1コイル54および第2コイル86が協働して、減速電極50と引出し電極系76との間の領域に、x軸に沿う方向においてイオン52の進行方向に向けて減衰している磁界を発生させることによって、上述したイオン52が持つ磁気モーメントが保存される現象を利用して、イオン52が持つ発散速度成分を減少させることができる。その結果、この理由からも、イオンビーム90の平行性を良くすることができる。これが第2の作用効果である。   Furthermore, the first coil 54 and the second coil 86 cooperate to attenuate toward the traveling direction of the ions 52 in the direction along the x-axis in the region between the deceleration electrode 50 and the extraction electrode system 76. By generating a magnetic field, the divergence rate component of the ions 52 can be reduced by utilizing the phenomenon that the magnetic moment of the ions 52 described above is preserved. As a result, also for this reason, the parallelism of the ion beam 90 can be improved. This is the second effect.

従って、このイオン源によれば、上記第1および第2の作用効果が相俟って、平行性の良いイオンビーム90を引き出すことができる。また、前述した図11も参照すれば分かるように、減速電極50から引き出されるイオン52を磁界によって広げて、減速電極50よりも大面積のイオンビーム90を引き出すことができる。従って、大型の被照射物にも容易に対応することができる。   Therefore, according to this ion source, the ion beam 90 having good parallelism can be extracted by combining the first and second functions and effects. As can be seen from FIG. 11 described above, the ions 52 extracted from the deceleration electrode 50 can be expanded by a magnetic field, and an ion beam 90 having a larger area than the deceleration electrode 50 can be extracted. Therefore, it is possible to easily cope with a large object to be irradiated.

それに加えて、この実施形態のイオン源では、次のような更なる効果を奏する。即ち、プラズマ40はフィラメント42付近で密度が高く、そのプラズマ密度の高い領域からイオン52を引き出すことができるので、しかもフィラメント42から放出された電子がイオン52の空間電荷を中和してイオン飽和電流が大きく取れるので、イオン52ひいてはイオンビーム90をより多く引き出すことができる。更に、フィラメント42と制御電極46とが互いに実質的に平行に配置されることになり、フィラメント42から放出される電子をイオンビーム引出し方向に対して平行に近づけることができるので、イオンビーム引出し方向と直交する方向におけるプラズマ40の均一性を高めることが可能になる。その結果、イオンビーム90の均一性を良くすることができる。   In addition, the ion source of this embodiment has the following further effects. That is, since the plasma 40 has a high density near the filament 42 and ions 52 can be extracted from the high plasma density region, the electrons emitted from the filament 42 neutralize the space charge of the ions 52 and ion saturation. Since a large electric current can be taken, ions 52 and hence ion beam 90 can be extracted more. Furthermore, the filament 42 and the control electrode 46 are disposed substantially in parallel with each other, and the electrons emitted from the filament 42 can be brought close to parallel to the ion beam extraction direction. It is possible to improve the uniformity of the plasma 40 in the direction orthogonal to the direction. As a result, the uniformity of the ion beam 90 can be improved.

この発明に係るイオン源の一実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one Embodiment of the ion source which concerns on this invention. 図1のイオン源の動作時のx軸に沿う方向における電位分布の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the electric potential distribution in the direction in alignment with the x-axis at the time of operation | movement of the ion source of FIG. フィラメントの一例を示す正面図である。It is a front view which shows an example of a filament. この発明に係るイオン源の他の実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows other embodiment of the ion source which concerns on this invention. 図4のイオン源の動作時のx軸に沿う方向における電位分布の一例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a potential distribution in a direction along the x axis when the ion source of FIG. 4 is operated. 図1および図4のイオン源におけるxz平面内の磁界のベクトルをシミュレーションした結果の一例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a result of simulating a magnetic field vector in the xz plane in the ion source of FIGS. 1 and 4. 図6の例におけるx軸上の磁束密度の変化の様子を示す図である。It is a figure which shows the mode of the change of the magnetic flux density on the x-axis in the example of FIG. イオンの初期発散角を示す図である。It is a figure which shows the initial divergence angle of ion. 図6の磁界分布の場合にイオンを初期発散角60度で放出したときのイオンの軌道をシミュレーションした結果の一例を示す図であり、この例では引出し電極系に加速電圧は印加していない。FIG. 7 is a diagram showing an example of simulation results of ion trajectories when ions are emitted at an initial divergence angle of 60 degrees in the case of the magnetic field distribution of FIG. 6. In this example, no acceleration voltage is applied to the extraction electrode system. 図9の例におけるイオンの発散角の変化の様子を示す図である。It is a figure which shows the mode of the change of the divergence angle of the ion in the example of FIG. 図6の磁界分布の場合にイオンを初期発散角60度で放出したときのイオンの軌道をシミュレーションした結果の他の例を示す図であり、この例では引出し電極系に5kVの加速電圧を印加している。FIG. 7 is a diagram showing another example of simulation results of ion trajectories when ions are emitted at an initial divergence angle of 60 degrees in the case of the magnetic field distribution of FIG. 6. In this example, an acceleration voltage of 5 kV is applied to the extraction electrode system. is doing. 従来のイオン源の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the conventional ion source.

符号の説明Explanation of symbols

30 プラズマ生成容器
32 前方部
36 第1部分
38 第2部分
40 プラズマ
42 フィラメント(熱陰極)
44 第2制御電極
46 制御電極
48、49 反射電極
50 減速電極
52 イオン
54 第1コイル
58 磁力線
76 引出し電極系
86 第2コイル
90 イオンビーム
30 Plasma generation vessel 32 Front portion 36 First portion 38 Second portion 40 Plasma 42 Filament (hot cathode)
44 Second control electrode 46 Control electrode 48, 49 Reflection electrode 50 Deceleration electrode 52 Ion 54 First coil 58 Magnetic field line 76 Extraction electrode system 86 Second coil 90 Ion beam

Claims (5)

一点で互いに直交する三つの軸をx軸、y軸およびz軸とすると、x軸に沿う方向にイオンビームを引き出すイオン源であって、
陽極を兼ねていて内部でプラズマを生成するための容器であって、前記イオンビームの引出し方向を前方とすると前方部が開いているプラズマ生成容器と、
前記プラズマ生成容器の後方部内にプラズマ生成容器から電気的に絶縁して設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状に広がっていて電子を放出する熱陰極と、
前記プラズマ生成容器の前方部内にプラズマ生成容器から電気的に絶縁して設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状をしていて前記熱陰極の一端と実質的に同電位に保たれ、電子を反射すると共に前記プラズマからイオンを引き出す多孔状の反射電極と、
前記プラズマ生成容器内であって前記反射電極の後方近傍に設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状をしていて前記プラズマ生成容器と実質的に同電位に保たれる多孔状の制御電極と、
前記反射電極の前方近傍にプラズマ生成容器から電気的に絶縁して設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状をしていて前記反射電極よりも正電位に保たれて、反射電極を通過して来るイオンを減速して通過させる多孔状の減速電極と、
前記プラズマ生成容器内に、x軸に実質的に平行な磁界を発生させる第1コイルと、
前記減速電極の前方に設けられていて、減速電極を通過して来るイオンを加速してイオンビームとして引き出す引出し電極系と、
前記引出し電極系を含む領域に、x軸に実質的に平行な磁界を発生させると共に、前記第1コイルと協働して、前記減速電極と引出し電極系との間の領域に、x軸に沿う方向においてイオンの進行方向に向けて減衰している磁界を発生させる第2コイルとを備えていることを特徴とするイオン源。
An ion source for extracting an ion beam in a direction along the x-axis when three axes orthogonal to each other at one point are defined as an x-axis, a y-axis, and a z-axis,
A container that also serves as an anode and generates plasma inside thereof, and a plasma generation container that is open at the front when the ion beam extraction direction is forward; and
A hot cathode that is electrically insulated from the plasma generation container in the rear part of the plasma generation container, spreads in a plane substantially parallel to the yz plane, and emits electrons;
It is provided in the front part of the plasma generation vessel so as to be electrically insulated from the plasma generation vessel, has a surface shape substantially parallel to the yz plane, and is maintained at substantially the same potential as one end of the hot cathode. A porous reflective electrode that reflects electrons and draws ions from the plasma;
A porous shape that is provided in the plasma generation vessel and in the vicinity of the back of the reflective electrode, has a plane substantially parallel to the yz plane, and is maintained at substantially the same potential as the plasma generation vessel. A control electrode of
The reflective electrode is provided in the vicinity of the front of the reflective electrode so as to be electrically insulated from the plasma generation vessel, has a surface shape substantially parallel to the yz plane, and is maintained at a positive potential more than the reflective electrode. A porous deceleration electrode that decelerates and passes ions passing through
A first coil for generating a magnetic field substantially parallel to the x-axis in the plasma generation vessel;
An extraction electrode system which is provided in front of the deceleration electrode and accelerates ions passing through the deceleration electrode to draw out as an ion beam;
A magnetic field substantially parallel to the x-axis is generated in the region including the extraction electrode system, and in cooperation with the first coil, the region between the deceleration electrode and the extraction electrode system is An ion source comprising: a second coil that generates a magnetic field that is attenuated in a direction along which ions travel in a direction along the direction.
前記プラズマ生成容器は、絶縁物を介して、後方部にある第1部分とその前方にある第2部分とに分けられていて、第1部分は前記熱陰極の一端と実質的に同電位に保たれ、第2部分の後方部内に、yz平面に実質的に平行な面状をしていて第2部分と実質的に同電位に保たれる多孔状の第2制御電極が設けられている請求項1記載のイオン源。   The plasma generation vessel is divided into a first part at the rear part and a second part at the front part through an insulator, and the first part has substantially the same potential as one end of the hot cathode. A porous second control electrode is provided in the rear part of the second part, and has a planar shape substantially parallel to the yz plane and is maintained at substantially the same potential as the second part. The ion source according to claim 1. 前記熱陰極がフィラメントである請求項1または2記載のイオン源。   The ion source according to claim 1, wherein the hot cathode is a filament. 前記熱陰極が傍熱型陰極である請求項1または2記載のイオン源。   The ion source according to claim 1, wherein the hot cathode is an indirectly heated cathode. 一点で互いに直交する三つの軸をx軸、y軸およびz軸とすると、x軸に沿う方向にイオンビームを引き出すイオン源であって、
陽極を兼ねていて内部でプラズマを生成するための容器であって、前記イオンビームの引出し方向を前方とすると前方部が開いているプラズマ生成容器と、
前記プラズマ生成容器の前方部内にプラズマ生成容器から電気的に絶縁して設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状に広がっていて、電子を放出すると共に前記プラズマからイオンを引き出す電極を兼ねる多孔状のフィラメントと、
前記プラズマ生成容器内であって前記フィラメントの後方近傍に設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状をしていて前記プラズマ生成容器と実質的に同電位に保たれる多孔状の制御電極と、
前記プラズマ生成容器の後方部内にプラズマ生成容器から電気的に絶縁して設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状をしていて電子を反射する反射電極と、
前記フィラメントの前方近傍にプラズマ生成容器から電気的に絶縁して設けられていて、yz平面に実質的に平行な面状をしていて前記フィラメントよりも正電位に保たれて、フィラメントを通過して来るイオンを減速して通過させる多孔状の減速電極と、
前記プラズマ生成容器内に、x軸に実質的に平行な磁界を発生させる第1コイルと、
前記減速電極の前方に設けられていて、減速電極を通過して来るイオンを加速してイオンビームとして引き出す引出し電極系と、
前記引出し電極系を含む領域に、x軸に実質的に平行な磁界を発生させると共に、前記第1コイルと協働して、前記減速電極と引出し電極系との間の領域に、x軸に沿う方向においてイオンの進行方向に向けて減衰している磁界を発生させる第2コイルとを備えていることを特徴とするイオン源。
An ion source for extracting an ion beam in a direction along the x-axis when three axes orthogonal to each other at one point are defined as an x-axis, a y-axis, and a z-axis,
A container that also serves as an anode and generates plasma inside thereof, and a plasma generation container that is open at the front when the ion beam extraction direction is forward; and
An electrode that is electrically insulated from the plasma generation container in the front portion of the plasma generation container, extends in a plane substantially parallel to the yz plane, emits electrons, and extracts ions from the plasma A porous filament that doubles as
A porous shape that is provided in the plasma generation vessel and in the vicinity of the rear of the filament, has a plane substantially parallel to the yz plane, and is maintained at the same potential as the plasma generation vessel. A control electrode;
A reflective electrode that is electrically insulated from the plasma generation container in the rear part of the plasma generation container, has a surface shape substantially parallel to the yz plane, and reflects electrons;
It is provided in the vicinity of the front of the filament so as to be electrically insulated from the plasma generation vessel, has a surface shape substantially parallel to the yz plane, is maintained at a positive potential than the filament, and passes through the filament. A porous deceleration electrode that decelerates and passes incoming ions;
A first coil for generating a magnetic field substantially parallel to the x-axis in the plasma generation vessel;
An extraction electrode system which is provided in front of the deceleration electrode and accelerates ions passing through the deceleration electrode to draw out as an ion beam;
A magnetic field substantially parallel to the x-axis is generated in the region including the extraction electrode system, and in cooperation with the first coil, the region between the deceleration electrode and the extraction electrode system is An ion source comprising: a second coil that generates a magnetic field that is attenuated in a direction along which ions travel in a direction along the direction.
JP2006105898A 2006-04-07 2006-04-07 Ion source Active JP4336780B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006105898A JP4336780B2 (en) 2006-04-07 2006-04-07 Ion source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006105898A JP4336780B2 (en) 2006-04-07 2006-04-07 Ion source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007280782A JP2007280782A (en) 2007-10-25
JP4336780B2 true JP4336780B2 (en) 2009-09-30

Family

ID=38682012

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006105898A Active JP4336780B2 (en) 2006-04-07 2006-04-07 Ion source

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4336780B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106887374B (en) * 2017-01-05 2018-08-17 信利(惠州)智能显示有限公司 A kind of ion implantation device
US20230162941A1 (en) * 2021-11-22 2023-05-25 Applied Materials, Inc. Shield For Filament In An Ion Source

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007280782A (en) 2007-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5040723B2 (en) Ion source
KR101984742B1 (en) Ion source device and ion beam generating method
JP4179337B2 (en) Ion source and operation method thereof
JP4793696B2 (en) Method and apparatus for selective pre-dispersion of an extracted ion beam in an ion implantation system
US7791041B2 (en) Ion source, ion implantation apparatus, and ion implantation method
US5241244A (en) Cyclotron resonance ion engine
Takeiri Negative ion source development for fusion application
US7439526B2 (en) Beam neutralization in low-energy high-current ribbon-beam implanters
JPH11283552A (en) Device and method for ion implantation, ion-beam source and variable slit mechanism
JP4582065B2 (en) Analysis electromagnet, control method thereof, and ion implantation apparatus
JP4336780B2 (en) Ion source
JP5634992B2 (en) Ion beam irradiation apparatus and ion beam divergence suppression method
KR20190119503A (en) Ion source, ion beam irradiation apparatus, and operational method for ion source
Bryzgunov et al. Efficiency improvement of an electron collector intended for electron cooling systems using a Wien filter
JP2007035370A (en) Manufacturing method of ion beam irradiation device and semiconductor device
CN113841216A (en) Ion source and neutron generator
Malferrari et al. Modification of anisotropic plasma diffusion via auxiliary electrons emitted by a carbon nanotubes-based electron gun in an electron cyclotron resonance ion source
JP7065162B2 (en) Ion source device
JP5495236B2 (en) Ion beam irradiation apparatus and ion beam divergence suppression method
JP2001126656A (en) Ion implantation device
JP2007080691A (en) Deflection electromagnet and ion beam irradiation device
JP4034304B2 (en) X-ray generator having an emitter formed on a semiconductor structure
JPH08236030A (en) Negative ion source
JP2007317491A (en) Method and apparatus for ionizing cluster
JP2005294090A (en) Ion implantation device

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090519

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090526

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090604

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350