JP4334406B2 - 半導体製造装置 - Google Patents

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本発明は、半導体デバイスの製造等に用いられる高周波誘導加熱方式の半導体製造装置に係り、特にワークコイルの取付構造に関するものである。
半導体デバイス等の製造には、図6のようなCVD装置が一般的に用いられている。被成膜基板(ウェーハ)1は、カーボンにSiCをコートした円盤状のサセプタ2の上に置かれ、反応室としてのベルジャ3により外気から遮断されている。サセプタ2の下部には渦巻き状の形状を有するワークコイル4があり、その両端に高周波発振機8からフィーダ9を通して供給された高周波電流を流すことによって、サセプタ2は誘導加熱され、その上に置かれたウェーハ1も高温に加熱される。このような状態でノズル5を通して反応ガス及びキャリアガスを流しつつ、排気口21から排気することにより、ウェーハ1の表面にCVD膜が成膜される。
ワークコイル4は、反応ガスとの接触による腐食や反応副生成物の付着を防止するように、石英製のワークコイルカバー6により覆われている。またサセプタ2は、回転機構7により回転され、ウェーハ1の表面に均一な成膜が実現される。
このようなCVD装置では、サセプタ2とワークコイル4の距離によりサセプタ2に供給される誘導加熱パワーが変化する。サセプタ2の温度均一性は成膜に大きな影響を及ぼすが、ワークコイル4の各点の高さを適切に調整することにより均一な温度分布を得ることができる。
図7及び図8に従来のワークコイル固定法の一例を示す。ワークコイル4の下部には、支持ボルト10が溶接されている。チャンバベース11の上には支持棒12がスタッドボルト20によって立てられ、その上に支持板13がボルト19で固定されている。支持板13は絶縁材料でできており、例えばSiN等のセラミックスが使用される。支持板13には支持ボルト挿通用のボルト孔があいており、このボルト孔に支持ボルト10を通し、上下の固定ナット14をスパナ等の工具を用いて固く締め付けることによって、ワークコイル4の高さを固定する。
図9に示すように、ウェーハ1は、成膜時には高温のサセプタ2からの輻射により温度が上昇し、成膜終了時は常温付近に戻る熱サイクルを繰り返す。この熱サイクルが、ワークコイル4を固定する固定ナット14にも繰り返し印加される。
一方、CVD成膜条件を変えた場合には、均一な温度分布を得る条件も変るので、ワークコイル4の高さを調整し直す必要がある。また、サセプタ2を交換したときにも、サセプタ2の寸法や抵抗率の違いにより、同様な調整が必要になる。
特開平10−316490号公報(図1、図2)
しかしながら、上述した従来の様なワークコイルの固定方法では、次のような問題があった。
成膜時は温度が上昇し、成膜終了時は常温付近に戻る熱サイクルを何度か繰り返すと、固定ナットが弛んでワークコイルの高さが変化してしまう。この変化を緩和するため、固定ナットを2重にして弛みを抑えるような方法も用いられているが、完全には解決できない。
一方、CVD成膜条件を変えたり、サセプタを交換したりする様な場合、上下の固定ナットを弛め、高さを調整し直して、再び締め付ける作業を行わなければならない。この場合、一般に、固定ナットは弛まないように堅く締められており、更にサセプタからの熱によって焼き付いているときがある。このため、固定ナットを弛めるのは容易ではなく、調整作業が大変で長時間を要するという問題があった。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、熱サイクルに起因するワークコイルの固定位置の経時変化を低減するとともに、サセプタ交換時などで要請されるサセプタに対するワークコイルの距離調整が容易な半導体製造装置を提供することにある。
第1の発明は、基板を処理する反応室と、前記反応室内に前記基板を載置するサセプタと、前記サセプタを高周波誘導加熱してサセプタに載置された前記基板を加熱するワークコイルと、前記ワークコイルを支持する支持ボルトと、前記支持ボルト挿通用のボルト孔を有し、該ボルト孔に前記支持ボルトを挿通固定することにより前記ワークコイルを固定する支持板と、前記支持板の両面から支持ボルトにはめられ、前記支持板を締め付けて支持ボルトを支持板に固定し、かつ、前記支持ボルトの前記支持板への固定位置によって前記サセプタに対するワークコイルの距離を調整する一対の固定ナットと、前記固定ナットをロックして該固定ナットの弛みを規制する規制手段とを備えた半導体製造装置である。
基板処理時の熱サイクルに起因して固定ナットが弛んでも、規制手段によって固定ナットの回動が規制されるので、支持ボルトの支持板への固定位置の変動が少なく、サセプタに対するワークコイルの固定位置の経時変化を低減できる。また、固定ナットの弛みを許容する規制手段の存在によって、支持ボルトを支持板に固定するために、固定ナットで支持板を固く締め付ける必要がないので、サセプタ交換時等にサセプタに対するワークコイルの距離調整が容易となる。
第2の発明は、第1の発明において、前記規制手段は、前記支持板の端部から外周の一部がはみ出した一対の固定ナットの外周部に設けられるロック孔と、前記支持板の端部から外れた一対の固定ナットのロック孔間に挿通係止されて、前記固定ナットが回動したとき、前記固定ナットの回動とともに回動して前記支持板の端部に当たって前記固定ナットの回動を規制するロックピンとから構成されている半導体製造装置である。
固定ナットにロック孔を設けてロックピンを挿して止めるという簡単な構成で、固定ナットの弛みを規制することができる。
なお、この場合において、支持板にあけられる支持ボルト挿通用のボルト孔は支持板の端部側に偏椅して設け、偏椅して設けられたボルト孔に挿通される支持ボルトに、支持板の両面から一対の固定ナットがはめられるとき、その一対の固定ナットの外周の一部が支持板の端部からはみ出すようになっていることが好ましい。
第3の発明は、第2の発明において、前記ロック孔が2個以上設けられている半導体製造装置である。
ロック孔が2個以上設けられていると、固定ナットの締付け時、2個以上のロック孔のうち、少なくとも1個が支持板の端部からはみ出す確率が、1個の場合に比して高くなるため、固定ナットの締付け角度にあまり気を配る必要がなくなり、固定ナットの締付けが容易になる。
第4の発明は、第2又は第3の発明において、前記ロックピンが取り外しが可能な構造である半導体製造装置である。
ロックピンが取り外しが可能であると、サセプタ交換時等、サセプタに対するワークコイルの距離調整が一層容易となる。
第5の発明は、第2ないし第4の発明において、前記支持ボルトを通すためのボルト孔に対向した支持板の端部に切欠きを設け、その切欠きに前記ロックピンが係合するようになっている半導体製造装置である。
支持板の端部に切欠きを設けると、固定ナットの支持板端部からのはみ出し度合いを低減、ないし解消することができる。したがって、支持板側のボルト孔に変更、ないし大幅な変更を施す必要がなくなり、既存部品を有効利用できる。
第6の発明は、第2ないし第4の発明において、前記ロック孔が長孔で形成されている半導体製造装置である。
ロック孔が長孔で形成されていると、1つのロック孔の支持板端部からのはみ出し範囲が拡大し、一対の固定ナットのロック孔が合致しやすくなるので、固定ナットを締めつける時、ロック孔の位置を気にしなくともよくなるので、使い勝手が向上する。
第7の発明は第1の発明において、前記規制手段は、前記一対の固定ナットの外周部に設けられたロック孔と、前記支持板に前記ロック孔に対向するように設けられた長孔と、前記長孔を挟んで前記ロック孔間に挿通係止されて、前記固定ナットが回動したとき、前記固定ナットの回動とともに回動して前記長孔の端部に当たって前記固定ナットの回動を規制するロックピンとから構成されている半導体製造装置である。固定ナットの外周の一部を支持板からはみ出したり、支持板の端部に切欠きを入れたりしなくても、固定ナットの回動が規制でき、ワークコイルの距離調整が容易となる。
第8の発明は、第2の発明において、前記一対の固定ナットのうち少なくとも前記ロックピンの頭部がはめられる側の固定ナットのロック孔が、前記ロックピンを前記固定ナットの外周から前記ロック孔に挿入することが可能な開口部と、前記ロックピンの頭部を沈める座ぐりとを有することを特徴とする半導体製造装置である。ロック孔が、外周に開口部を有していると、ロックピンの軸方向の空間がわずかであってもロック孔へのロックピンの挿入が可能になり、作業性が向上する。また、ロック孔が座ぐりを有していると、ロックピンが固定ナットから容易に外れることがない。
第9の発明は、第1の発明において、前記規制手段は、前記一対の固定ナットの表面にそれぞれ設けられるロック溝と、略コの字型を成してその開口部に弾性により内方に向かう一対の挟着部を有し、前記一対の固定ナットのロック溝に前記挟着部が係止されて、前記固定ナットが回動したとき前記固定ナットの回動とともに回動して前記支持板の端部に当たって前記固定ナットの回動を規制するロック金具と、から構成されている半導体製造装置である。
コの字型のロック金具を用いると、固定ナットの端が必ずしも支持板の外にはみ出す必要がないので、ロックピンを用いるときよりも比較的小さな固定ナットで良く、支持板と固体ナットの大きさの制約が緩和される。
第10の発明は、第1の発明において、前記支持ボルトが鉛直方向に設けられ、前記支持ボルトにはめられる前記一対の固定ナットのうち、上方の固定ナットは多角ナットで構成され、下方の固定ナットは外周に1箇所以上の係止溝を有するナットで構成され、前記規制手段は、略コ字型を成して、その開口部の上下に内方に向かう一対の係止部を有し、上方の係止部には前記固定ナットをはめて固定ナットの回動を規制する多角穴と、その多角穴に前記支持ボルトを挿入自在とするための開口部とが設けられ、下方の係止部には前記下方の固定ナットの前記係止溝に係合して、下方の固定ナットの回動を規制する係止片が設けられている請求項1に記載の半導体製造装置である。
コの字型のロック金具を用いると、固定ナットの端が必ずしも支持板の外にはみ出す必要がないので、ロックピンを用いるときよりも比較的小さな固定ナットで良く、支持板と固体ナットの大きさの制約が緩和される。
本発明によれば、ワークコイルのサセプタに対する距離を長期にわたり安定に保持することができ、しかもワークコイルのサセプタに対する距離の調整が必要な場合には、その調整を容易に行うことができる。
以下に本発明の半導体製造装置をCVD装置に適用した実施の形態を説明する。なお、CVD装置は図6に示した構造と同じ構成をしており、またワークコイルを固定する固定機構は、基本的には、図7に示した機構と同じ構成をしているので、これらの構成は、ここでは省略する。
図2は、CVD装置におけるワークコイル固定法を実施するための第1の実施の形態によるワークコイル固定機構の底面図である。
円盤状のサセプタの下部に、サセプタを高周波誘導加熱するための渦巻き状の形状を有するワークコイル4が水平に配置される。ワークコイル4は、ワークコイル4を固定するための水平に配置された支持板13に固定される。支持板13は、長方形をしており、ワークコイル4の下部に、ワークコイル4の径方向に延在し、ワークコイル4の周方向に等間隔に複数枚配置される。ここでは120度間隔で3枚の支持板13が配置されている。支持板13は、その長手方向両端がチャンバベース上の支持棒にボルト19で固定される。また、支持板13に挿通される支持ボルト10にはめられた上下の固定ナット14に、支持板13が締付けられることにより、支持ボルト10が固定され、その結果ワークコイル4が支持板13に固定される。支持ボルト10の固定箇所は、1枚の支持板13あたり、4点としている。1枚の支持板13の上を、渦巻き状の形状を有するワークコイル4が4回通過するから、この通過するワークコイル部を固定するためである。また、熱膨張の影響を低減するために、4点は千鳥状に配置とするとよい。
ここで、図8に示す従来例の固定方法と異なる点は、支持板13にあけられる支持ボルト挿通用のボルト孔が、支持板13の幅方向の端部側に偏椅して設けられ、偏椅して設けられたボルト孔に挿通される支持ボルト10に、支持板13の両面から一対の固定ナット14がはめられるとき、その一対の固定ナット14の外周の一部が支持板13の幅方向端部からはみ出すように構成されている点である。
規制手段は支持板13の幅方向端部からはみ出した一対の固定ナット14の外周に設けられて、支持板13の幅方向端部が一対の固定ナット14の回動を止めるストッパになって、一対の固定ナット14の弛みを規制するようになっている。上述した固定方法を図1を用いて詳しく説明する。ここでは、便宜上、2点の固定場所のみを示す。
図1はワークコイル固定方法を実施するための第1の実施の形態によるワークコイル固定機構の要部説明図であって、(a)は側面図、(b)は底面図である
図1に示すように、ワークコイル固定機構は、支持ボルト10と支持板13とを有する。支持ボルト10は、ワークコイル4を支持する各点に、ワークコイル4の高さを調整するために溶接接続され、下部方向に伸びている。支持板13は、ワークコイル4を固定するために設けられ、支持ボルト挿通用のボルト孔15が、前述したように支持板13の幅方向端部側に偏椅してあけられている。ワークコイル4に溶接接続された支持ボルト10は、支持板13のボルト孔15に挿通される。
1本の支持ボルト10には、支持板13を挟んで上下に一対の固定ナット14がはめてある。固定ナット14は、その中心部に支持ボルト用のボルト孔22があけられ、支持板13の幅方向端部からはみ出す外周部に、ロック孔16があけられて構成されている。ロック孔16の数は、ロック孔16が固定ナット14の締付け角度位置を制限する関係から、固定ナット14の外周部に均等に複数個あけられていることが好ましい。少なくとも2個とすることが好ましいが、多いほどよい。図示例では、固定ナット14が何れの角度位置にあっても、必ず1つのロック孔16が支持板13の幅方向端部からはみ出すように8個としている。ここで、ロック孔16のはみ出し具合は、ロック孔16の少なくとも1個の孔の全体が、もしくは孔の一部が、ワークコイル4の高さ固定位置において、支持板13の端部から外れて、端部から外れている孔の全体もしくは孔の一部からロックピン17が挿入できるようになっていればよい。
上下の固定ナット14の、このはみ出したロック孔16に係脱自在に貫通して、ロックピン17が通してある。ロックピン17は、頭部17aとこれよりも径の小さい胴部17bとを有する。頭部17aはロック孔16の径よりも大きく形成される。ロックピン17を、ロック孔16に挿通すると、ロックピン17の自重によって頭部17aがロック孔16に引っ掛かって、通常の使用状態で落下しないようになっている。ロックピン17をロック孔16に係合させることにより、上下の固定ナット14を一体に連結することができる。また、ロックピン17をロック孔16から引き出すことにより、ロックピン17を容易に取り外すことが可能であり、ロックピン17をロック孔16から抜くことにより、上下の固定ナット14の連結を解除することができる。
上述したロック孔16とロックピン17とから、本発明の規制手段が構成される。
次に、上述したワークコイル固定機構を用いた実施の形態のワークコイル高さ調整の手順を説明する。
ワークコイル4の高さの調整は、従来と同様に固定ナット14を回転し、ワークコイル4が所定の高さになったところで、上下の固定ナット14で支持板13を締めつける。支持ボルト10にはめた上下各1個の固定ナット14で、支持板13を挟み込むことにより、支持ボルト10の支持板13への固定位置が決められて、ワークコイル4の各点が定められた高さに固定される。なお、支持ボルト10にはめる固定ナット13は、上下各1個以上であってもよい。
ただし、ここでは、従来のように固く締め付ける必要はない。大きな緩みがない程度に締めつけ、上下の固定ナット14のロック孔16が垂直方向で一致するように合わせて、合致したロック孔16間にロックピン17を通す。
このようにすることにより、固定ナット14の回転は、図3に示すように、θの範囲に規制される。固定ナット14が回転しようとすると、ロック孔16間に通されたロックピン17もその回転にしたがって回転するが、支持板13の幅方向の端部13aにぶつかって、それ以上の角度の固定ナット14の回転が止められるからである。規制角度θは、支持板13の幅方向端部13aからはみ出した固定ナット14の外周と、支持板13の幅方向端部13aとが交わる2つの交点に、ナット14の回転中心からそれぞれ伸ばした直線間のなす角度よりも、若干小さい角度である。その若干小さい角度は、ロック孔16の位置、ロックピン17の遊びにより決定される。
このように、固定ナット14の回転はロックピン17によって規制されるので、サセプタ2からの熱サイクルによる緩みが生じたとしても、θの範囲内に止まる。ロックピン数を8つとした場合の本実施の形態では、θの範囲内に止まることによるワークコイル4の高さの変化は0.5mm以下である。この程度の変化は、サセプタ2の温度には殆ど影響を与えず、ワークコイル4の温度分布を常に一定に保つことができる。従って、従来のように、固定ナット14が弛んでワークコイル4の高さが変化してしまうことも、固定ナットを2重にし、強固に締着して弛みを抑えるような方法もとる必要もない。
また、CVD成膜条件を変えたり、サセプタを交換したりする様な場合において、ワークコイル4の高さを調整しようとするときには、ロックピン17を固定ナット14のロック孔16から抜き取った後、固定ナット14を回転して行う。この場合、固定ナット14は固く締め付けられていないので、容易に回転することができ、作業は極めて容易に行える。したがって、従来のように固定ナットが堅く締められていたり、サセプタからの熱によって固定ナットが焼き付いていたりする場合と比べて、調整作業を短時間にすることができる。
ところで、上述した実施の形態では、支持ボルト10に、支持板13の両面から一対の固定ナット14がはめられるとき、その一対の固定ナット14の外周の一部を支持板13の幅方向端部から、はみ出すようにしている。この場合、固定ナット14の回転角をより狭く制限するには、ロック孔の数を増加してロック孔間の距離を短くしてやればよい。しかし、ロック孔間の距離を短くすると、固定ナットの強度が落ちるため、好ましくない。そこで、ロック孔間の距離を短くしないで、回転角をより狭く制限することができれば、ワークコイル4の高さの変化をより低減できるので好ましい。
また、上述した実施の形態では、ロック孔16を支持板13の幅方向端部から完全にはみ出させる必要がある。そうすると、既存の支持板13は使えなくなり、新たに幅方向端部側に偏椅したボルト孔15をあけた支持板13が必要になる。また、そのボルト孔15に合わせるためにワークコイル4への支持ボルト位置の変更も必要となる。支持ボルト10はワークコイル4に溶接で取り付けているため、この変更作業は大変である。このため、既存設備の有効利用が図れなくなる。
図4に示す第2の実施の形態は、ロック孔間の間隔を縮めることなく、回転角をより狭く制限し、しかも既存設備を有効利用できるようにしたものである。この実施の形態では、支持ボルトを通すためのボルト孔15に対応した支持板13の幅方向端部13aにボルト孔15側に凹んだ切欠き13bを設けて、ボルト孔15を支持板13の幅方向端部13a側に偏椅させなくても、固定ナット14の外周部に設けたロック孔16が、支持板13の幅方向端部13a、すなわち切欠き13aからはみ出すようになっている。
このように支持板13の幅方向端部13aにロックピン17が納まる切欠き13bを設けると、切欠きを設けない場合に比して、ロックピン17の遊び角度を小さくできるので、固定ナット14の弛みによる回転角をより狭く制限することができる。
また、支持板13の幅方向端部13aにロックピン17が納まる切欠き13bを設けると、固定ナット14の、支持板13の端部13aからのはみ出し度合いを低減、ないし解消することができる。したがって、支持板13の端部を切り欠くだけでよく、支持板13側のボルト孔15の位置に変更、ないし大幅な変更を施す必要がなくなり、また、ワークコイル4への支持ボルト10の取付け箇所も変更する必要がなくなるので、既存部品を有効利用でき、固定ナット14のロック孔16の新規形成と、ロックピン17の追加のみで済ますことができ、経済的である。
ところで、第1、第2の実施の形態では、固定ナット14を締め付けるとき、固定ナット14の外周部に設けた複数のロック孔16のうちの少なくとも1つが、支持板13の幅方向端部よりはみ出している必要がある。そのため、固定ナット14の締付けにより固定ナット14が任意の角度位置に来ても、必ずロック孔16の一つが支持板13の幅方向端部よりはみ出す位置に来るように、ロック孔の数を多く(実施の形態では8個)設ける必要がある。しかし、この場合でも、上下の固定ナット14のロック孔16同士を上下方向で合致させる必要があるため、上下の固定ナット14同士を、上下のロック孔16の対向位置を無視して、独立して締め付けることが出来ず、改善の余地がある。
図5に示す第3の実施の形態は、ロック孔の位置に気を使うことなく、上下の固定ナット14を独立して締め付けることができるようにしたものである。そのために、固定ナット14の外周部に設けるロック孔を長孔18としている。ここでは長孔18は、固定ナット14の外周部に4個設けている。第1、第2の実施の形態に示す8つのロック孔16のうち、隣同士の2つのロック孔16をまとめて、1つの長孔18としたものである。これによれば、8つのロック孔を設けた場合と比べて、上下の固定ナット14がいずれの角度位置にあっても、上下の長孔18は必ず重なる部分が存在するので、固定ナット位置調整による上下のロック孔の位置合せが不要となるので、ロック作業が容易となる。
上述した第1〜第3の実施の形態では、いずれも支持板13の端部を利用し、この端部にロックピン17を当接させることによって、固定ナット14の弛みを規制している。しかし、支持板13の端部を用いず、支持板の他の部分を利用することも可能である。例えば、支持板13に貫通孔をあけ、そこにロックピン17を通すようにして、固定ナット14の回転を制限することも可能である。この場合、支持板13にあける貫通孔は、長孔とすると良い。これにより、固定ナット14の外周部の一部を支持板13の端部からはみ出させる必要もなくなる。
また、上述した第1〜第3の実施の形態の他に、さらに第4、第5及び第6の実施の形態によるワークコイル固定機構を採用することもできる。
図10は、第4の実施の形態を示したもので、固定ナット24のロック孔26が座ぐり25と開口部27とを有する方式である。すなわち、ロックピン17を固定ナット24の外周からロック孔26に挿入することが可能な開口部27と、ロックピン17の頭部17aを沈める座ぐり25とを有する。開口部27がないロック孔の場合、ロックピン17をロック孔に挿入するには、固定ナット24の上部にロックピン17の長さ以上程度の空間が必要である。しかし、ロック孔26に通じる開口部27を設けることにより、この開口部27を介して水平方向からロックピン17をロック孔26へ挿入できるので、固定ナット24の上部の空間がわずかであっても、ロックピン17のロック孔26への挿入が可能になり、作業性が向上する利点がある。また、座ぐり25にロックピン17の頭部17aが沈む形ではめられるので、ロックピン17が固定ナット24から外れることはない。なお、対になっている下部の固定ナットは、開口部のない固定ナットでも良いし、開口部を有する固定ナットを使用しても良い。また、対になっている下部の固定ナットは、座ぐりを有する必要はないが、上下部の固定ナットを共通化するために、開口部27と座ぐり25を有する上部の固定ナット24と同一のものを使用しても良い。
図11は、第5の実施の形態を示したもので、固定ナット34がロック孔を有しないもので、代りにロック溝35を有する方式である。また、ロックピンの代りにロック金具36を用いている。図11ではロック溝35は1個のみ示しているが、これは前述したロック孔16、26と同様に固定ナット34の周辺部に複数個設けてある。ロック金具36は、1枚の金属板を側面略コの字型に折り曲げて形成しており、対向した開口部に内向きに湾曲させた金属の弾性を利用する挟着部37を形成する。この挟着部37により、上下の固定ナット34を挟着する。挟着部37の間隔は、常態として、支持板13の上下に固定ナット34を重ねたときの上下のロック溝35間の距離よりも狭くなるように設定している。挟着方法は、上下の固定ナット34のロック溝35の位置を合わせた後、支持板13の側面から上下の固定ナット34及び支持板13を挟み込むようにロック金具36を押し込み、挟着部37をロック溝35に落とし込み固定する。このようにすることにより、前述したロック孔方式と同様な効果が得られる。この方式の利点は、固定ナット34の端が必ずしも支持板13の外に出る必要がなく、比較的小さな固定ナット34でよく、支持板13と固定ナット34の大きさの制約が緩和されることである。
図12〜図14は、第6の実施の形態を示したもので、第5の実施の形態のロック金具を変形したものである。支持ボルト10にはめられる上下一対の固定ナット41、42のうち、上方の固定ナット41は、多角形のナットで構成される。ここでは一般的に用いられる六角ナット41が用いられている。一方、下方の固定ナット45は、略円形ナットで構成され、その外周側面の複数箇所、ここでは4箇所に、径方向に延びる係止溝としてのロック溝49が鉛直方向に切り欠かれている。
上下の固定ナット41、42は、支持板13を跨いで、図12に示すような規制手段としてのロック金具45により連結されている。ロック金具45は、図14に示すように、長方形状の金属板であって、金属板を垂直に立てた状態で、その長手方向の上部を幅方向にわたって水平方向に折り曲げて、垂直部に対する水平部を上方の係止部として形成する。また、垂直部の下部に、水平部と同じ方向に折り曲げて下方の係止部となる係止片46を後述するように形成する。このようにして、ロック金具45は、略コ字型の開口部の上下に内方に向かう一対の係止部を有する。
そして、上方の係止部には、その先端寄りに、六角ナット41の外形よりも幾分大きく、かつ自由な回転ができない程度の大きさの多角穴としての六角穴46を形成し、六角穴46に六角ナット41をはめて六角ナット41の回動を規制するようになっている。その六角穴46の六辺のうち、上方の係止部先端に位置する一辺には、支持ボルト10の直径よりも少し大きな幅の開口部47を形成し、その開口部47から六角穴46内に支持ボルト10を挿入できるようになっている。
また、下方の係止部には、垂直部の途中に、垂直部の一側から中心部までを食い込む矩形状の切欠き48を形成し、垂直部の下部にL字部を形成する。そのL字部の突出部を、垂直状態を維持したまま、その付根位置から水平部の存在する側と同じ側に向けて90度折り曲げ、下方の係止部となる係止片46を形成する。この下方の係止片46は、下方の固定ナット42のロック溝49に係合して、下方の固定ナット42の回動を規制するようになっている。
次に、このようなロック金具45を用いてワークコイル高さ調整の手順を説明する。ワークコイル4の高さの調整は、支持ボルト10にはめた上部固定ナット41及び下部固定ナット42を回転し、枠コイル4が所定の高さになったところで、支持板13に固定するように締める。但し、ここでは、固く締める必要はない。大きな緩みがない程度に締めた後、上部固定ナット41の六角形の方向をロック金具45の六角穴46の方向と一致させるようにし、下部固定ナット42のロック溝49の方向は、ロック金具45の係止片46の方向を向くようにしておく。
そしてロック金具45をセットする。手順としては、まずロック金具45の上部の水平部を水平姿勢にして、上部固定ナット41の上面よりも少し高い位置からロック金具45の開口部47を通して、ワークコイル4の支持ボルト10を六角孔46の中に入れる。その後、ロック金具45を下に移動し、その六角穴46を上部固定ナット41に合うように落とし込む。一方、ロック金具45の下方の係止片46は下部固定ナット42のロック溝49に差し込む。
このようにすることにより、上部固定ナット41及び下部固定ナット42が熱サイクル等により回転しようとしても、ロック金具45により連結されているため、ある程度の角度以上は回転することができず、従ってワークコイル4の高さを常に一定に保つことができる。
次に、ワークコイル4の高さを調整する場合には、ロック金具45を上方に動かし、上部固定ナット41の上面よりも高い位置から水平方向に移動して抜き取る。その後、上部固定ナット41及び下部固定ナット42を回転して高さの調整を行なう。この場合、上部固定ナット41及び下部固定ナット42は固く締め付けられていないので、容易に回転することができ、作業は極めて容易に行える。
なお、ここでは、上部固定ナット41は六角形としたが、四角形や八角形等、任意の多角形で良い。また、下部固定ナット42のロック溝49は4箇所設けたが、これは1箇所以上であれば何箇所でも良い。但し、高さ調整を行なう上では多いほうが調整が容易である。
このようにすることにより、前述したロック孔方式と同様な効果が得られる。この方式の利点は、固定ナット34の端が必ずしも支持板13の外に出る必要がなく、比較的小さな固定ナット34でよく、支持板13と固定ナット34の大きさの制約が緩和されることである。
以上述べたように、実施の形態によれば、熱サイクルに起因する支持ボルトの弛みによって生じるワークコイルの高さの経時変化がなくなり、ワークコイルの高さを長期にわたり安定に保持できる。また、CVD成膜条件を変えたり、サセプタを交換したりする様な場合であっても、ワークコイルの高さの調整を容易に行うことができる。
なお、本発明の半導体製造装置としては、熱CVD装置やプラズマCVD装置などのCVD装置の他に、高周波誘導加熱コイルを使用するエピタキシャル成長装置、または熱拡散装置などの薄膜形成装置にも適用できる。
第1の実施の形態によるワークコイル固定機構の一例を示す要部の説明図であって、(a)は断面図、(b)は底面図である。 第1の実施の形態によるワークコイル固定機構を示す底面図である。 第1の実施の形態による固定ナットの回転角の規制領域を示す説明図である。 第2の実施の形態によるワークコイル固定機構を説明する固定ナットの平面図である。 第3の実施の形態による固定ナットの平面図である。 実施の形態と従来例とに共通したCVD装置の概略的な断面図である。 実施の形態と従来例とに共通したワークコイル固定機構を説明する断面図である。 従来例のワークコイル固定機構を説明する底面図である。 成膜時の熱サイクルを示す説明図である。 第4の実施の形態によるワークコイル固定機構を示す説明図であり、(a)は平面図、(b)は正面図である。 第5の実施の形態によるワークコイル固定機構を示す説明図であり、(a)は平面図、(b)は側面図である。 第6の実施の形態によるワークコイル固定機構の一例を示す要部図であり、支持板の左半分は断面図、支持板の右半分は正面図である。 図12の矢視図であって、(a)はA−A矢視平面図、(b)はB−B矢視底面図である。 第6の実施の形態によるロック金具の斜視図である。
符号の説明
1 ウェーハ
2 サセプタ
3 ベルジャ(反応室)
4 ワークコイル
10 支持ボルト
13 支持板
14 固定ナット
15 ボルト孔
16 ロック孔
17 ロックピン
18 長孔

Claims (7)

  1. 基板を処理する反応室と、
    前記反応室内に前記基板を載置するサセプタと、
    前記サセプタを高周波誘導加熱してサセプタに載置された前記基板を加熱するワークコイルと、
    前記ワークコイルを支持する支持ボルトと、
    前記支持ボルト挿通用のボルト孔を有し、該ボルト孔に前記支持ボルトを挿通固定することにより前記ワークコイルを固定する支持板と、
    前記支持板の両面から支持ボルトにはめられ、前記支持板を締め付けて支持ボルトを支持板に固定し、かつ、前記支持ボルトの前記支持板への固定位置によって前記サセプタに対するワークコイルの距離を調整する一対の固定ナットと、
    前記固定ナットをロックして、該固定ナットの弛みを規制する規制手段と
    を備え、
    前記規制手段は、
    前記支持板の端部から外周の一部がはみ出した前記一対の固定ナットの外周に設けられるロック孔と、
    前記一対の固定ナットのロック孔間に挿通係止されて、前記固定ナットが回動したとき、前記固定ナットの回動とともに回動して前記支持板の端部に当たって前記固定ナットの回動を規制するロックピンと
    から構成されていることを特徴とする半導体製造装置。
  2. 前記支持ボルトを通すためのボルト孔に対向した支持板の端部に切欠きを設け、その切欠きに前記ロックピンが係合するようになっていることを特徴とする請求項に記載の半導体製造装置。
  3. 前記ロック孔が長孔で形成されていることを特徴とする請求項又はに記載の半導体製造装置。
  4. 基板を処理する反応室と、
    前記反応室内に前記基板を載置するサセプタと、
    前記サセプタを高周波誘導加熱してサセプタに載置された前記基板を加熱するワークコ
    イルと、
    前記ワークコイルを支持する支持ボルトと、
    前記支持ボルト挿通用のボルト孔を有し、該ボルト孔に前記支持ボルトを挿通固定することにより前記ワークコイルを固定する支持板と、
    前記支持板の両面から支持ボルトにはめられ、前記支持板を締め付けて支持ボルトを支持板に固定し、かつ、前記支持ボルトの前記支持板への固定位置によって前記サセプタに対するワークコイルの距離を調整する一対の固定ナットと、
    前記固定ナットをロックして、該固定ナットの弛みを規制する規制手段と
    を備え、
    前記規制手段は、
    前記一対の固定ナットの外周部に設けられたロック孔と、
    前記支持板に前記ロック孔に対向するように設けられた長孔と、
    前記長孔を挟んで前記ロック孔間に挿通係止されて、前記固定ナットが回動したとき、前記固定ナットの回動とともに回動して前記長孔の端部に当たって前記固定ナットの回動を規制するロックピンと
    から構成されていることを特徴とする半導体製造装置。
  5. 前記一対の固定ナットのうち少なくとも前記ロックピンの頭部がはめられる側の固定ナットのロック孔が、
    前記ロックピンを前記固定ナットの外周から前記ロック孔に挿入することが可能な開口部と、
    前記ロックピンの頭部を沈める座ぐりと
    を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
  6. 基板を処理する反応室と、
    前記反応室内に前記基板を載置するサセプタと、
    前記サセプタを高周波誘導加熱してサセプタに載置された前記基板を加熱するワークコイルと、
    前記ワークコイルを支持する支持ボルトと、
    前記支持ボルト挿通用のボルト孔を有し、該ボルト孔に前記支持ボルトを挿通固定することにより前記ワークコイルを固定する支持板と、
    前記支持板の両面から支持ボルトにはめられ、前記支持板を締め付けて支持ボルトを支持板に固定し、かつ、前記支持ボルトの前記支持板への固定位置によって前記サセプタに対するワークコイルの距離を調整する一対の固定ナットと、
    前記固定ナットをロックして、該固定ナットの弛みを規制する規制手段と
    を備え、
    前記規制手段は、
    前記一対の固定ナットの表面にそれぞれ設けられるロック溝と、
    略コの字型を成してその開口部に弾性により内方に向かう一対の挟着部を有し、前記一対の固定ナットのロック溝に前記挟着部が係止されて、前記固定ナットが回動したとき前記固定ナットの回動とともに回動して前記支持板の端部に当たって前記固定ナットの回動を規制するロック金具と
    から構成されていることを特徴とする記載の半導体製造装置。
  7. 基板を処理する反応室と、
    前記反応室内に前記基板を載置するサセプタと、
    前記サセプタを高周波誘導加熱してサセプタに載置された前記基板を加熱するワークコイルと、
    前記ワークコイルを支持する支持ボルトと、
    前記支持ボルト挿通用のボルト孔を有し、該ボルト孔に前記支持ボルトを挿通固定する
    ことにより前記ワークコイルを固定する支持板と、
    前記支持板の両面から支持ボルトにはめられ、前記支持板を締め付けて支持ボルトを支持板に固定し、かつ、前記支持ボルトの前記支持板への固定位置によって前記サセプタに対するワークコイルの距離を調整する一対の固定ナットと、
    前記固定ナットをロックして、該固定ナットの弛みを規制する規制手段と
    を備え、
    前記支持ボルトが鉛直方向に設けられ、
    前記支持ボルトにはめられる前記一対の固定ナットのうち、上方の固定ナットは多角ナットで構成され、下方の固定ナットは外周に1箇所以上の係止溝を有するナットで構成され、
    前記規制手段は、略コ字型を成して、その開口部の上下に内方に向かう一対の係止部を有し、上方の係止部には前記固定ナットをはめて固定ナットの回動を規制する多角穴と、その多角穴に前記支持ボルトを挿入自在とするための開口部とが設けられ、下方の係止部には前記下方の固定ナットの前記係止溝に係合して、下方の固定ナットの回動を規制する係止片が設けられている
    ことを特徴とする半導体製造装置。
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CN106637392A (zh) * 2016-11-10 2017-05-10 中国电子科技集团公司第四十八研究所 均匀性可调的硅外延反应设备加热装置及其调节方法
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