JP4297153B2 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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Description

この発明は半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

例えばＢＧＡ(ball grid array)と呼ばれる半導体装置には、ＬＳＩなどからなる半導体チップを該半導体チップのサイズよりもやや大きいサイズの中継基板(インターポーザ)の上面中央部に搭載し、中継基板の下面に半田ボールによる接続端子をマトリクス状に配置したものがある。ここで、中継基板は、半導体チップ上に形成された外部接続電極を他の回路基板にボンディングする際、接続強度および信頼性を得るために、再配線によりそのサイズおよびピッチを充分大きなものとするために用いられる。   For example, in a semiconductor device called a BGA (ball grid array), a semiconductor chip made of LSI or the like is mounted on the center of the upper surface of a relay substrate (interposer) slightly larger than the size of the semiconductor chip, and is mounted on the lower surface of the relay substrate. There is one in which connection terminals by solder balls are arranged in a matrix. Here, the relay substrate is sufficiently large in size and pitch by rewiring in order to obtain connection strength and reliability when bonding the external connection electrode formed on the semiconductor chip to another circuit substrate. Used for.

図３０は従来のこのような半導体装置の一例の断面図を示したものである。半導体チップ１は、シリコン基板２の周辺部に銅などからなる複数のバンプ電極３が設けられた構造となっている。   FIG. 30 is a sectional view showing an example of such a conventional semiconductor device. The semiconductor chip 1 has a structure in which a plurality of bump electrodes 3 made of copper or the like are provided on the periphery of a silicon substrate 2.

中継基板４は、サイズが半導体チップ１のシリコン基板２のサイズよりもやや大きいベースフィルム５を備えている。ベースフィルム５の上面には、半導体チップ１のバンプ電極３に接続される再配線６が設けられている。   The relay substrate 4 includes a base film 5 whose size is slightly larger than the size of the silicon substrate 2 of the semiconductor chip 1. A rewiring 6 connected to the bump electrode 3 of the semiconductor chip 1 is provided on the upper surface of the base film 5.

再配線６は、半導体チップ１のバンプ電極３に対応して設けられた第１の接続パッド７と、マトリクス状に設けられた第２の接続パッド８と、第１と第２の接続パッド７、８を接続する引き回し線９とからなっている。第２の接続パッド８の中央部に対応する部分におけるベースフィルム５には円孔１０が設けられている。   The rewiring 6 includes a first connection pad 7 provided corresponding to the bump electrode 3 of the semiconductor chip 1, a second connection pad 8 provided in a matrix, and the first and second connection pads 7. , 8 and a lead-out line 9 connecting them. A circular hole 10 is provided in the base film 5 in a portion corresponding to the central portion of the second connection pad 8.

そして、半導体チップ１は中継基板４の上面中央部に異方性導電接着剤１１を介して搭載されている。異方性導電接着剤１１は、熱硬化性樹脂１２中に多数の導電性粒子１３を含有させたものからなっている。   The semiconductor chip 1 is mounted on the center of the upper surface of the relay substrate 4 via an anisotropic conductive adhesive 11. The anisotropic conductive adhesive 11 is made of a thermosetting resin 12 containing a large number of conductive particles 13.

半導体チップ１を中継基板４上に搭載する場合には、まず、中継基板４の上面中央部にシート状の異方性導電接着剤１１を介して半導体チップ１を位置合わせしてただ単に載置する。   When the semiconductor chip 1 is mounted on the relay substrate 4, first, the semiconductor chip 1 is simply placed on the center of the upper surface of the relay substrate 4 with the sheet-like anisotropic conductive adhesive 11 being positioned. To do.

次に、熱硬化性樹脂１２が硬化する温度にて所定の圧力を加えてボンディングする。すると、バンプ電極３が熱硬化性樹脂１２を押し退けて第１の接続パッド７の上面に導電性粒子１３を介して導電接続され、且つ、半導体チップ１の下面が中継基板４の上面に熱硬化性樹脂１２を介して接着される。   Next, bonding is performed by applying a predetermined pressure at a temperature at which the thermosetting resin 12 is cured. Then, the bump electrode 3 pushes away the thermosetting resin 12 and is conductively connected to the upper surface of the first connection pad 7 via the conductive particles 13, and the lower surface of the semiconductor chip 1 is thermoset to the upper surface of the relay substrate 4. It adheres via the adhesive resin 12.

次に、半導体チップ１を含む中継基板４の上面全体にエポキシ系樹脂からなる樹脂封止膜１４を形成する。次に、円孔１０内およびその下方に半田ボール１５を第２の接続パッド８に接続させて形成する。この場合、第２の接続パッド８はマトリクス状に配置されているため、半田ボール１５もマトリクス状に配置される。   Next, a resin sealing film 14 made of an epoxy resin is formed on the entire top surface of the relay substrate 4 including the semiconductor chip 1. Next, solder balls 15 are formed in the circular hole 10 and below the circular holes 10 by being connected to the second connection pads 8. In this case, since the second connection pads 8 are arranged in a matrix, the solder balls 15 are also arranged in a matrix.

ここで、半田ボール１５のサイズは半導体チップ１のバンプ電極３のサイズより大きく、また、各半田ボール１５相互の接触を避けるため、その配置間隔をバンプ電極３の配置間隔より大きくする必要がある。そこで、半導体チップ１のバンプ電極３の数が増大した場合、各半田ボール１５に必要な配置間隔を得るため、その配置領域を半導体チップ１のサイズより大きくすることが必要となり、そのために、中継基板４のサイズを半導体チップ１のサイズよりもやや大きくしている。したがって、マトリクス状に配置された半田ボール１５のうち、周辺部の半田ボール１５は半導体チップ１の周囲に配置されている。   Here, the size of the solder balls 15 is larger than the size of the bump electrodes 3 of the semiconductor chip 1, and it is necessary to make the arrangement interval larger than the arrangement interval of the bump electrodes 3 in order to avoid contact between the solder balls 15. . Therefore, when the number of bump electrodes 3 of the semiconductor chip 1 is increased, it is necessary to make the arrangement area larger than the size of the semiconductor chip 1 in order to obtain a necessary arrangement interval for each solder ball 15, and for this reason, The size of the substrate 4 is slightly larger than the size of the semiconductor chip 1. Therefore, among the solder balls 15 arranged in a matrix, the peripheral solder balls 15 are arranged around the semiconductor chip 1.

ところで、上記従来の半導体装置の製造方法では、再配線６が形成された中継基板４を用い、位置合わせした後のボンディングにより、半導体チップ１のバンプ電極３の下面を中継基板４の再配線６の第１の接続パッド７の上面に異方性導電接着剤１１の導電性粒子１３を介して導電接続する構成としているので、半導体チップ１のバンプ電極３の数が増大し、バンプ電極３のサイズおよび配置間隔が小さくなると、位置合わせが極めて大変であるという問題があった。この場合、半導体チップ１のサイズを大きくすれば、バンプ電極３のサイズおよび配置間隔を大きくすることができることは当然であるが、そのようにすると、ウエハ状態からの半導体チップの取り数が激減し、極めて高価なものとなってしまう。また、半導体チップ１を１つずつ中継基板４上にボンディングして搭載しなければならず、製造工程が煩雑であるという問題があった。このようなことは、半導体チップを複数個備えたマルチチップモジュール型の半導体装置の場合も同様である。   By the way, in the above conventional semiconductor device manufacturing method, the relay substrate 4 on which the rewiring 6 is formed is used and the lower surface of the bump electrode 3 of the semiconductor chip 1 is bonded to the rewiring 6 of the relay substrate 4 by bonding after alignment. The number of bump electrodes 3 of the semiconductor chip 1 is increased and the number of bump electrodes 3 of the semiconductor chip 1 is increased because the conductive connection is made to the upper surfaces of the first connection pads 7 via the conductive particles 13 of the anisotropic conductive adhesive 11. When the size and the arrangement interval are small, there is a problem that alignment is extremely difficult. In this case, if the size of the semiconductor chip 1 is increased, it is natural that the size and the arrangement interval of the bump electrodes 3 can be increased. However, by doing so, the number of semiconductor chips taken from the wafer state is drastically reduced. It becomes extremely expensive. In addition, the semiconductor chips 1 must be bonded and mounted on the relay substrate 4 one by one, resulting in a problem that the manufacturing process is complicated. The same applies to a multi-chip module type semiconductor device having a plurality of semiconductor chips.

そこで、この発明は、ボンディングによることなく外部接続電極の配置間隔を大きくすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can increase the arrangement interval of external connection electrodes without using bonding.

請求項１に記載の発明は、各々が、半導体基板上に形成された複数の再配線、前記各再配線上に設けられた柱状電極および前記半導体基板上において前記柱状電極間に設けられ、その上面が前記柱状電極の上面と同一平面に位置する封止膜を有する複数の半導体構成体を相互に離間してベース板上に配置する工程と、前記ベース板上における前記複数の半導体構成体が離間された部分に側面封止膜を設ける工程と、前記複数の半導体構成体上および前記側面封止膜上に上層絶縁膜を形成する工程と、前記上層絶縁膜の前記柱状電極の上面中央部に対応する部分に開口部を形成する工程と、前記開口部を介して露出された前記柱状電極の上面を含む前記上層絶縁膜上に下地金属層を形成する工程と、前記下地金属層をメッキ電流路として、電解メッキを行って前記下地金属層上に上層金属層を積層し、前記上層絶縁膜の上面に、接続パッド部を有し且ついずれかの前記半導体構成体の対応する前記柱状電極に接続される上層再配線を、少なくともいずれかの前記上層再配線の接続パッド部が前記側面封止膜上に対応する領域の前記上層絶縁膜上に配置されるように形成する工程と、前記各半導体構成体間における前記上層絶縁膜および前記側面封止膜を切断して少なくともいずれかの前記上層再配線の接続パッド部が前記半導体構成体の周側面を覆う前記上層絶縁膜上に形成された前記半導体構成体を少なくとも１つ有する半導体装置を複数個得る工程とを有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記上層絶縁膜および前記側面封止膜を切断する工程は、前記半導体構成体が複数個含まれるように切断することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記上層絶縁膜は複数層であり、その層間に、前記各半導体構成体の柱状電極とそれに対応する前記上層再配線とを接続する複数組の層間再配線を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記上層再配線を含む前記上層絶縁膜の上面において前記上層再配線の接続パッド部を除く部分に最上層絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記上層再配線の接続パッド部上に突起状の接続端子を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記最上層絶縁膜上に電子部品を前記上層再配線の接続パッド部に接続させて設ける工程を有することを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記上層絶縁膜および前記側面封止膜を切断する工程は前記上層絶縁膜および前記側面封止膜を切断するとともに前記ベース板を切断し、前記半導体装置としてベース板を備えたものを得ることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、切断前の前記ベース板下に別のベース板を配置し、前記ベース板を切断した後に、前記別のベース板を取り除く工程を有することを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記各半導体構成体間における前記上層絶縁膜および前記側面封止膜を切断する工程の前に、前記ベース板を取り除く工程を有することを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、前記ベース板を取り除く工程に引き続き、前記半導体基板を薄くする工程を有することを特徴とすることを特徴とするものである。 The invention according to claim 1 is provided between each of the plurality of rewirings formed on the semiconductor substrate, the columnar electrodes provided on each of the rewirings, and the columnar electrodes on the semiconductor substrate, A step of disposing a plurality of semiconductor structures having a sealing film whose upper surface is located in the same plane as the upper surface of the columnar electrode on the base plate; and the plurality of semiconductor structures on the base plate, A step of providing a side surface sealing film on the separated portion ; a step of forming an upper insulating film on the plurality of semiconductor structures and on the side surface sealing film; and a central portion of the upper surface of the columnar electrode of the upper insulating film Forming an opening in a portion corresponding to the step, forming a base metal layer on the upper insulating film including the upper surface of the columnar electrode exposed through the opening, and plating the base metal layer Electrolysis as current path The upper metal layer laminated on the underlying metal layer performing Tsu key, on the upper surface of the upper insulating film and connected to a corresponding said columnar electrode of one of the semiconductor structure and having a connection pad portion the upper layer rewiring, forming such connection pad portions of at least one of the upper layer rewiring is disposed on the upper insulating film in a region corresponding to the said side sealing film, wherein the semiconductor structure The semiconductor structure in which the upper insulating film and the side surface sealing film in between are cut and at least one of the upper layer rewiring connection pad portions is formed on the upper insulating film covering the peripheral side surface of the semiconductor structure And a step of obtaining a plurality of semiconductor devices having at least one body.
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the step of cutting the upper insulating film and the side surface sealing film is performed so as to include a plurality of the semiconductor constructs. It is what.
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the upper insulating film is a plurality of layers, and the columnar electrodes of the semiconductor structures and the corresponding upper layer rewirings are provided between the upper insulating films. The method includes a step of forming a plurality of sets of interlayer rewirings to be connected.
According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, an uppermost layer insulating film is formed on the upper surface of the upper layer insulating film including the upper layer rewiring except a connection pad portion of the upper layer rewiring. It has the process, It is characterized by the above-mentioned.
According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect of the present invention, the method includes a step of forming a protruding connection terminal on the connection pad portion of the upper layer rewiring.
The invention described in claim 6 is characterized in that, in the invention described in claim 4, the electronic component is provided on the uppermost insulating film so as to be connected to the connection pad portion of the upper layer rewiring. It is.
The invention of claim 7 is the invention according to claim 1, wherein the base plate with the step of cutting the upper insulating film and the side surface sealing film for cutting the upper insulating film and said side sealing film And a semiconductor device provided with a base plate is obtained.
The invention according to claim 8 is the process according to claim 7, wherein another base plate is disposed under the base plate before cutting, and the base plate is removed after the base plate is cut. It is characterized by having.
According to a ninth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the step of removing the base plate before the step of cutting the upper insulating film and the side surface sealing film between the semiconductor structures is provided. It is characterized by having.
The invention described in claim 10 is characterized in that, in the invention described in claim 9, further comprising a step of thinning the semiconductor substrate subsequent to the step of removing the base plate.

この発明によれば、各々が、半導体基板上に形成された複数の再配線、前記各再配線上に設けられた柱状電極および前記半導体基板上において前記柱状電極間に設けられ、その上面が前記柱状電極の上面と同一平面に位置する封止膜を有する複数の半導体構成体を相互に離間してベース板上に配置する工程と、前記ベース板上における前記複数の半導体構成体が離間された部分に側面封止膜を設ける工程と、前記複数の半導体構成体上および前記側面封止膜上に上層絶縁膜を形成する工程と、前記上層絶縁膜の前記柱状電極の上面中央部に対応する部分に開口部を形成する工程と、前記開口部を介して露出された前記柱状電極の上面を含む前記上層絶縁膜上に下地金属層を形成する工程と、前記下地金属層をメッキ電流路として、電解メッキを行って前記下地金属層上に上層金属層を積層し、前記上層絶縁膜の上面に、接続パッド部を有し且ついずれかの前記半導体構成体の対応する前記柱状電極に接続される上層再配線を、少なくともいずれかの前記上層再配線の接続パッド部が前記側面封止膜上に対応する領域の前記上層絶縁膜上に配置されるように形成する工程と、前記各半導体構成体間における前記上層絶縁膜および前記側面封止膜を切断して少なくともいずれかの前記上層再配線の接続パッド部が前記半導体構成体の周側面を覆う前記上層絶縁膜上に形成された前記半導体構成体を少なくとも１つ有する半導体装置を複数個得る工程とを有するので、従来のようなボンディング工程がなく、したがってボンディングによることなく外部接続電極の配置間隔を大きくすることができる。また、半導体構成体はベース板上に配置する前に封止膜を有するものであるので、移動や保管の際に損傷したり特性変動したりするのを防止することができ、信頼性を向上することができる。 According to the present invention, each of the plurality of rewirings formed on the semiconductor substrate, the columnar electrodes provided on each of the rewirings, and the semiconductor substrate between the columnar electrodes, the upper surface of which is provided A step of disposing a plurality of semiconductor structures having a sealing film located on the same plane as the upper surface of the columnar electrode on the base plate, and the plurality of semiconductor structures on the base plate being separated from each other; Corresponding to a step of providing a side sealing film on the portion, a step of forming an upper insulating film on the plurality of semiconductor structures and the side sealing film, and a central portion of the upper surface of the columnar electrode of the upper insulating film Forming an opening in a part; forming a base metal layer on the upper insulating film including the upper surface of the columnar electrode exposed through the opening; and using the base metal layer as a plating current path , Electrolytic plating Performing upper metal layer laminated on the base metal layer, wherein the upper surface of the upper insulating film, the upper layer rewiring connected to the corresponding said columnar electrode of the semiconductor structure of any and having a connection pad portion Forming a connection pad portion of at least one of the upper layer rewirings on the upper insulating film in a region corresponding to the side surface sealing film, and Cutting the upper insulating film and the side surface sealing film, and at least the semiconductor structure in which the connection pad portion of at least one of the upper layer rewirings is formed on the upper insulating film covering the peripheral side surface of the semiconductor structure; And a step of obtaining a plurality of semiconductor devices having one, there is no conventional bonding step, and therefore the arrangement interval of the external connection electrodes is increased without bonding. Can. In addition, since the semiconductor structure has a sealing film before it is placed on the base plate, it can be prevented from being damaged or changed in characteristics during movement or storage, improving reliability. can do.

（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置は、シリコン、ガラス、セラミックス、樹脂、金属などからなる平面正方形状のベース板２１を備えている。ベース板２１の上面には、接着剤、粘着シート、両面接着テープなどからなる接着層２２が設けられている。
接着層２２の上面中央部には、ベース板２１のサイズよりもやや小さいサイズの平面正方形状の半導体構成体２３の下面が接着されている。この場合、半導体構成体２３は、ＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるものであり、接着層２２の上面中央部に接着されたシリコン基板（半導体基板）２４を備えている。シリコン基板２４の上面周辺部にはアルミニウムなどからなる複数の接続パッド２５が設けられ、接続パッド２５の中央部を除くシリコン基板２４の上面には酸化シリコンなどからなる絶縁膜２６が設けられている。 (First embodiment)
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device as a first embodiment of the present invention. The semiconductor device includes a planar square base plate 21 made of silicon, glass, ceramics, resin, metal, or the like. An adhesive layer 22 made of an adhesive, a pressure sensitive adhesive sheet, a double-sided adhesive tape, or the like is provided on the upper surface of the base plate 21.
At the center of the upper surface of the adhesive layer 22, the lower surface of the planar square semiconductor structure 23 having a size slightly smaller than the size of the base plate 21 is bonded. In this case, the semiconductor structure 23 is called a CSP (chip size package) and includes a silicon substrate (semiconductor substrate) 24 bonded to the center of the upper surface of the adhesive layer 22. A plurality of connection pads 25 made of aluminum or the like are provided on the periphery of the upper surface of the silicon substrate 24, and an insulating film 26 made of silicon oxide or the like is provided on the upper surface of the silicon substrate 24 except for the central portion of the connection pads 25. .

シリコン基板２４上に接続パッド２５および絶縁膜２６を設けてなるものは、通常、ウエハ状態の半導体基板をダイシングして個々のチップとなした場合に得られるものである。しかしながら、この発明では、ウエハ状態の半導体基板上に接続パッド２５および絶縁膜２６が形成された状態では、ダイシングを行わず、以下に説明するように、再配線を有する半導体構成体２３が得られる状態でウエハ状態の半導体基板をダイシングする。まず、半導体構成体２３の構成について説明する。   The connection pad 25 and the insulating film 26 provided on the silicon substrate 24 are usually obtained when a semiconductor substrate in a wafer state is diced into individual chips. However, in the present invention, in the state where the connection pad 25 and the insulating film 26 are formed on the semiconductor substrate in the wafer state, the dicing is not performed, and the semiconductor structure 23 having rewiring can be obtained as described below. The semiconductor substrate in a wafer state is diced. First, the configuration of the semiconductor structure 23 will be described.

シリコン基板２４上に形成された絶縁膜２６上にはポリイミドなどからなる保護膜２７が設けられている。接続パッド２５の中央部は、絶縁膜２６および保護膜２７に形成された開口部２８を介して露出されている。開口部２８を介して露出された接続パッド２５の上面から保護膜２７の上面の所定の箇所にかけて銅からなる下地金属層３１ａが設けられている。下地金属層３１ａの上面には銅からなる上層金属層３１ｂが設けられており、下地金属層３１ａおよび上層金属層３１ｂにより再配線３２が構成される。   A protective film 27 made of polyimide or the like is provided on the insulating film 26 formed on the silicon substrate 24. A central portion of the connection pad 25 is exposed through an opening 28 formed in the insulating film 26 and the protective film 27. A base metal layer 31 a made of copper is provided from the upper surface of the connection pad 25 exposed through the opening 28 to a predetermined location on the upper surface of the protective film 27. An upper metal layer 31b made of copper is provided on the upper surface of the base metal layer 31a, and the rewiring 32 is constituted by the base metal layer 31a and the upper metal layer 31b.

再配線３２のパッド部上面には銅からなる柱状電極３３が設けられている。再配線３２を含む保護膜２７の上面にはエポキシ系樹脂からなる封止膜（絶縁膜）３４がその上面が柱状電極３３の上面と面一となるように設けられている。このように、半導体構成体２３は、シリコン基板２４、接続パッド２５、絶縁膜２６を含み、さらに、保護膜２７、再配線３２、柱状電極３３、封止膜３４を含んで構成されている。   A columnar electrode 33 made of copper is provided on the upper surface of the pad portion of the rewiring 32. A sealing film (insulating film) 34 made of an epoxy resin is provided on the upper surface of the protective film 27 including the rewiring 32 so that the upper surface is flush with the upper surface of the columnar electrode 33. As described above, the semiconductor structure 23 includes the silicon substrate 24, the connection pad 25, and the insulating film 26, and further includes the protective film 27, the rewiring 32, the columnar electrode 33, and the sealing film 34.

半導体構成体２３の周囲における接着層２２の上面にはエポキシ系樹脂からなる封止膜（絶縁膜）３５がその上面が封止膜３４の上面と面一となるように設けられている。両封止膜３４、３５および柱状電極３３の上面には感光性ポリイミドなどからなる第１の上層絶縁膜３６が設けられている。第１の上層絶縁膜３６の柱状電極３３の上面中央部に対応する部分には開口部３７が設けられている。開口部３７を介して露出された柱状電極３３の上面から第１の上層絶縁膜３６の上面の所定の箇所にかけて第１の下地金属層３８ａおよび該第１の下地金属層３８ａ上に設けられた第１の上層金属層３８ｂからなる第１の上層再配線３９が設けられている。   A sealing film (insulating film) 35 made of an epoxy resin is provided on the upper surface of the adhesive layer 22 around the semiconductor structure 23 so that the upper surface is flush with the upper surface of the sealing film 34. A first upper insulating film 36 made of photosensitive polyimide or the like is provided on the upper surfaces of both the sealing films 34 and 35 and the columnar electrode 33. An opening 37 is provided in a portion of the first upper insulating film 36 corresponding to the center of the upper surface of the columnar electrode 33. Provided on the first base metal layer 38a and the first base metal layer 38a from the upper surface of the columnar electrode 33 exposed through the opening 37 to a predetermined position on the upper surface of the first upper insulating film 36. A first upper layer rewiring 39 made of the first upper metal layer 38b is provided.

第１の上層再配線３９を含む第１の上層絶縁膜３６の上面全体には感光性ポリイミドなどからなる第２の上層絶縁膜４１が設けられている。第２の上層絶縁膜４１の第１の上層再配線３９の接続パッド部に対応する部分には開口部４２が設けられている。開口部４２を介して露出された第１の上層再配線３９の接続パッド部の上面から第２の上層絶縁膜４１の上面の所定の箇所にかけて第２の下地金属層４３ａおよび該第２の下地金属層４３ａ上に設けられた第２の上層金属層４３ｂからなる第２の上層再配線４４が設けられている。   A second upper layer insulating film 41 made of photosensitive polyimide or the like is provided on the entire upper surface of the first upper layer insulating film 36 including the first upper layer rewiring 39. An opening 42 is provided in a portion corresponding to the connection pad portion of the first upper layer rewiring 39 of the second upper layer insulating film 41. From the upper surface of the connection pad portion of the first upper layer rewiring 39 exposed through the opening 42 to a predetermined position on the upper surface of the second upper layer insulating film 41, the second base metal layer 43a and the second base layer A second upper layer rewiring 44 made of the second upper metal layer 43b provided on the metal layer 43a is provided.

第２の上層再配線４４を含む第２の上層絶縁膜４１の上面全体には感光性ポリイミドなどからなる第３の上層絶縁膜４５が設けられている。第３の上層絶縁膜４５の第２の上層再配線４４の接続パッド部に対応する部分には開口部４６が設けられている。開口部４６内およびその上方には半田ボール（突起状の接続端子）４７が第２の上層再配線４４の接続パッド部に接続されて設けられている。複数の半田ボール４７は、第３の上層絶縁膜４５上にマトリクス状に配置されている。   A third upper layer insulating film 45 made of photosensitive polyimide or the like is provided on the entire upper surface of the second upper layer insulating film 41 including the second upper layer rewiring 44. An opening 46 is provided in a portion corresponding to the connection pad portion of the second upper layer rewiring 44 of the third upper layer insulating film 45. Solder balls (protruding connection terminals) 47 are provided in and above the opening 46 so as to be connected to the connection pad portion of the second upper layer rewiring 44. The plurality of solder balls 47 are arranged in a matrix on the third upper insulating film 45.

ところで、ベース板２１のサイズを半導体構成体２３のサイズよりもやや大きくしているのは、シリコン基板２４上の接続パッド２５の数の増加に応じて、半田ボール４７の配置領域を半導体構成体２３のサイズよりもやや大きくし、これにより、接続パッド２５のサイズおよび配置間隔を柱状電極３３のサイズおよび配置間隔よりも大きくするためである。   By the way, the size of the base plate 21 is made slightly larger than the size of the semiconductor structure 23 because the solder ball 47 is arranged in the semiconductor structure in accordance with the increase in the number of connection pads 25 on the silicon substrate 24. This is because the size and arrangement interval of the connection pads 25 are made larger than the size and arrangement interval of the columnar electrodes 33.

このため、マトリクス状に配置された第２の上層再配線４４の接続パッド部（第３の上層絶縁膜４５の開口部４６内の部分）は、半導体構成体２３に対応する領域のみでなく、半導体構成体２３の周側面に設けられた絶縁膜３５の領域上にも配置されている。つまり、マトリクス状に配置された半田ボール４７のうち、少なくとも最外周の半田ボール４７は半導体構成体２３よりも外側に位置する周囲に配置されている。   For this reason, the connection pad portion of the second upper layer rewiring 44 arranged in a matrix (portion in the opening 46 of the third upper layer insulating film 45) is not only the region corresponding to the semiconductor structure 23, It is also disposed on the region of the insulating film 35 provided on the peripheral side surface of the semiconductor structure 23. That is, among the solder balls 47 arranged in a matrix, at least the outermost solder balls 47 are arranged around the semiconductor structure 23.

この場合、変形例として、第２の上層再配線４４の接続パッド部を全て半導体構成体２３よりも外側に位置する周囲に配置するようにしてもよい。また、上層の再配線を１層として、つまり第１の再配線３９のみとして、少なくとも、最外周の接続パッド部を半導体構成体２３よりも外側に位置する周囲に配置することもできる。   In this case, as a modification, all the connection pad portions of the second upper layer rewiring 44 may be arranged around the semiconductor structure 23. Further, it is possible to arrange the upper layer rewiring as one layer, that is, only the first rewiring 39, and arrange at least the outermost connection pad portion around the semiconductor structure 23.

このように、この発明は、シリコン基板２４上に、接続パッド２５、絶縁膜２６を有するのみでなく、保護膜２７、再配線３２、柱状電極３３、封止膜３４などをも形成した半導体構成体２３に、上面を覆う第１の上層絶縁膜３６および該第１の上層絶縁膜３６上に形成された開口部３７を介して柱状電極３３に接続される第１の上層再配線３９、および周側面を覆う封止膜３５を設ける構成を特徴としている。   As described above, the present invention has a semiconductor structure in which not only the connection pad 25 and the insulating film 26 are formed on the silicon substrate 24 but also the protective film 27, the rewiring 32, the columnar electrode 33, the sealing film 34, and the like are formed. A first upper-layer insulating film 36 covering the upper surface, a first upper-layer rewiring 39 connected to the columnar electrode 33 via an opening 37 formed on the first upper-layer insulating film 36, and The configuration is characterized by providing a sealing film 35 covering the peripheral side surface.

通常、シリコン基板と回路基板の熱膨張係数の相違に起因して柱状電極に作用する応力を緩和するため、柱状電極の高さは１００〜２００μｍ必要であるが、上記の如く、この発明では、柱状電極３３上に第１の上層再配線３９および該第１の上層絶縁膜３６が形成されており、該第１の上層再配線３９および第１の上層絶縁膜３６が応力を緩和する作用を有するので、柱状電極３３の高さを５０〜１００μｍ程度と低いものにすることができる。勿論、柱状電極３３の高さを大きくするほど、応力緩和作用が大きくなるので、ボンディングする回路基板によっては、従来と同様の高さとしても差し支えない。   Usually, in order to relieve the stress acting on the columnar electrode due to the difference in thermal expansion coefficient between the silicon substrate and the circuit substrate, the height of the columnar electrode needs to be 100 to 200 μm. A first upper-layer rewiring 39 and the first upper-layer insulating film 36 are formed on the columnar electrode 33, and the first upper-layer rewiring 39 and the first upper-layer insulating film 36 act to relieve stress. Therefore, the height of the columnar electrode 33 can be as low as about 50 to 100 μm. Of course, as the height of the columnar electrode 33 is increased, the stress relaxation action is increased. Therefore, depending on the circuit board to be bonded, the height may be the same as the conventional one.

次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、図１に示すベース板２１を複数枚採取することができるベース板２１の上面全体に接着層２２が設けられたものを用意する。そして、接着層２２の上面の所定の複数箇所にそれぞれ半導体構成体２３のシリコン基板２４の下面を接着する。   Next, an example of a method for manufacturing this semiconductor device will be described. First, as shown in FIG. 2, a base plate 21 in which an adhesive layer 22 is provided on the entire upper surface of the base plate 21 from which a plurality of base plates 21 shown in FIG. Then, the lower surface of the silicon substrate 24 of the semiconductor structure 23 is bonded to a plurality of predetermined locations on the upper surface of the adhesive layer 22.

半導体構成体２３は、上述の如く、ＣＳＰと呼ばれるものであり、予め製造されている。ここで、半導体構成体２３の製造方法の一例について簡単に説明する。まず、ウエハ状態の半導体基板（切断前のシリコン基板２４）上に接続パッド２５、絶縁膜２６および保護膜２７が設けられたものを用意する。次に、開口部２８を介して露出された接続パッド２５の上面を含む保護膜２７の上面全体に下地金属層３１ａを形成する。   As described above, the semiconductor structure 23 is called a CSP and is manufactured in advance. Here, an example of a method for manufacturing the semiconductor structure 23 will be briefly described. First, a semiconductor substrate in which a connection pad 25, an insulating film 26, and a protective film 27 are provided on a semiconductor substrate in a wafer state (silicon substrate 24 before cutting) is prepared. Next, a base metal layer 31 a is formed on the entire upper surface of the protective film 27 including the upper surface of the connection pad 25 exposed through the opening 28.

次に、下地金属層３１ａの上面の所定の箇所に電解メッキにより上層金属層３１ｂを形成する。次に、再配線３２の接続パッド部上面に電解メッキにより柱状電極３３を形成する。次に、柱状電極３３および上層金属層３１ｂをマスクとして下地金属層３１ａの不要な部分をエッチングにより除去し、上層金属層３１ｂ下にのみ下地金属層３１ａを残存させ、該残存した下地金属層３１ａおよびこの下地金属層３１ａ上全面に形成された上層金属層３１ｂからなる再配線３２を形成する。   Next, the upper metal layer 31b is formed by electrolytic plating at a predetermined location on the upper surface of the base metal layer 31a. Next, the columnar electrode 33 is formed on the upper surface of the connection pad portion of the rewiring 32 by electrolytic plating. Next, unnecessary portions of the base metal layer 31a are removed by etching using the columnar electrode 33 and the upper metal layer 31b as a mask to leave the base metal layer 31a only under the upper metal layer 31b, and the remaining base metal layer 31a. And the rewiring 32 which consists of the upper metal layer 31b formed in the whole surface on this base metal layer 31a is formed.

次に、柱状電極３３および再配線３２を含む保護膜２７の上面全体に封止膜３４をその厚さが柱状電極３３の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極３３の上面は封止膜３４によって覆われている。次に、封止膜３４および柱状電極３３の上面側を適宜に研磨し、柱状電極３３の上面を露出させる。次に、ダンシング工程を経ると、図２に示す半導体構成体２３が複数個得られる。   Next, the sealing film 34 is formed on the entire upper surface of the protective film 27 including the columnar electrode 33 and the rewiring 32 so that the thickness thereof is larger than the height of the columnar electrode 33. Therefore, in this state, the upper surface of the columnar electrode 33 is covered with the sealing film 34. Next, the sealing film 34 and the upper surface side of the columnar electrode 33 are appropriately polished to expose the upper surface of the columnar electrode 33. Next, a plurality of semiconductor structures 23 shown in FIG. 2 are obtained through a dancing process.

さて、図２に示すように、接着層２２の上面の所定の複数箇所にそれぞれ半導体構成体２３のシリコン基板２４の下面を接着したら、次に、図３に示すように、複数の半導体構成体２３を含む接着層２２の上面にポリイミドやエポキシ系樹脂などからなる封止膜３５を印刷によりその厚さが半導体構成体２３の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、半導体構成体２３の上面は封止膜３５によって覆われている。次に、封止膜３５および半導体構成体２３の上面側を適宜に研磨することにより、図４に示すように、柱状電極３３の上面を露出させる。   Now, as shown in FIG. 2, once the lower surface of the silicon substrate 24 of the semiconductor structure 23 is bonded to a plurality of predetermined locations on the upper surface of the adhesive layer 22, respectively, next, as shown in FIG. A sealing film 35 made of polyimide, epoxy resin, or the like is formed on the upper surface of the adhesive layer 22 including 23 by printing so that its thickness is slightly larger than the height of the semiconductor structure 23. Therefore, in this state, the upper surface of the semiconductor structure 23 is covered with the sealing film 35. Next, the upper surface side of the sealing film 35 and the semiconductor structure 23 is appropriately polished to expose the upper surface of the columnar electrode 33 as shown in FIG.

ここで、図２に示す半導体構成体２３を製造する場合も、上述の如く、柱状電極３３および再配線３２を含む保護膜２７の上面に封止膜３４をその厚さが柱状電極３３の高さよりもやや厚くなるように形成し、次いで封止膜３４および柱状電極３３の上面側を適宜に研磨することにより、柱状電極３３の上面を露出させている。したがって、研磨工程は２回となる。   2 is manufactured, as described above, the sealing film 34 is formed on the upper surface of the protective film 27 including the columnar electrode 33 and the rewiring 32 so that the thickness thereof is higher than that of the columnar electrode 33. The upper surface of the columnar electrode 33 is exposed by appropriately polishing the upper surface side of the sealing film 34 and the columnar electrode 33. Therefore, the polishing process is performed twice.

そこで、次に、研磨工程を１回とすることができる場合について説明する。図２に示す状態において、半導体構成体２３として封止膜３４を備えていないものを用意する。つまり、接続パッド２５および絶縁膜２６が形成されたウエハ状態の半導体基板上に保護膜２７、再配線３２、柱状電極３３を形成した後、封止膜３４を形成することなく、これをダイシングする。   Then, next, the case where a grinding | polishing process can be made once is demonstrated. In the state shown in FIG. 2, a semiconductor structure 23 that does not include the sealing film 34 is prepared. That is, after forming the protective film 27, the rewiring 32, and the columnar electrode 33 on the semiconductor substrate in the wafer state on which the connection pad 25 and the insulating film 26 are formed, the dicing is performed without forming the sealing film 34. .

そして、図３に示す工程において、封止膜３４、３５を形成すべき領域に同一の封止材料によって同時に封止膜３４、３５を形成し、該封止膜３４、３５（但し、封止膜は一体化されており境界はない）と共に柱状電極３３の上面側を研磨すればよい。つまり、封止膜形成工程を１回とすることにより、研磨工程は１回とすることができる。   Then, in the step shown in FIG. 3, the sealing films 34 and 35 are simultaneously formed with the same sealing material in the regions where the sealing films 34 and 35 are to be formed. The film is integrated and has no boundary), and the upper surface side of the columnar electrode 33 may be polished. That is, the polishing process can be performed once by setting the sealing film forming process once.

ただし、研磨工程を１回とする場合には、図２に示す状態における半導体構成体２３の柱状電極３３の高さに電解メッキによる形成に伴うばらつきが生じるのに対し、研磨工程を２回とする場合には、図２に示す状態における半導体構成体２３の高さが均一となり、図２に示す状態における半導体構成体２３の高さを予め揃えておくことができる。   However, when the polishing process is performed once, the height of the columnar electrode 33 of the semiconductor structure 23 in the state shown in FIG. 2 varies due to formation by electrolytic plating, whereas the polishing process is performed twice. In this case, the height of the semiconductor structure 23 in the state shown in FIG. 2 becomes uniform, and the height of the semiconductor structure 23 in the state shown in FIG.

さて、図４に示す研磨工程が終了したら、次に、図５に示すように、面一となった両封止膜３４、３５および柱状電極３３の上面に第１の上層絶縁膜３６を形成する。この第１の上層絶縁膜３６は、感光性ポリイミド、感光性ポリベンザオキサゾール、感光性エポキシ樹脂、感光性ノボラック樹脂、感光性アクリル系かカルゾ樹脂などからなり、ドライフィルム化されている。したがって、このドライフィルム化されたものをラミネータによりラミネートすると、第１の上層絶縁膜３６が形成される。なお、後述する第２および第３の上層絶縁膜４１、４５の場合も同様であるが、印刷などの塗布法により形成するようにしてもよい。   When the polishing step shown in FIG. 4 is completed, a first upper insulating film 36 is formed on the upper surfaces of the sealing films 34 and 35 and the columnar electrode 33 that are flush with each other, as shown in FIG. To do. The first upper insulating film 36 is made of photosensitive polyimide, photosensitive polybenzoxazole, photosensitive epoxy resin, photosensitive novolac resin, photosensitive acrylic or calzo resin, and is formed into a dry film. Therefore, when this dry film is laminated by a laminator, the first upper insulating film 36 is formed. The same applies to the second and third upper-layer insulating films 41 and 45 described later, but they may be formed by a coating method such as printing.

次に、第１の上層絶縁膜３６の柱状電極３３の上面中央部に対応する部分に、フォトリソグラフィにより、開口部３７を形成する。次に、図６に示すように、開口部３７を介して露出された柱状電極３３の上面を含む第１の上層絶縁膜３６の上面全体に第１の下地金属層３８ａを形成する。この場合、第１の下地金属層３８ａは、無電解メッキにより形成された銅層のみからなっているが、スパッタにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成されたチタンなどの薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。これは、後述する第２の下地金属層４３ａの場合も同様である。   Next, an opening 37 is formed by photolithography at a portion corresponding to the center of the upper surface of the columnar electrode 33 of the first upper insulating film 36. Next, as shown in FIG. 6, a first base metal layer 38 a is formed on the entire upper surface of the first upper insulating film 36 including the upper surface of the columnar electrode 33 exposed through the opening 37. In this case, the first base metal layer 38a is composed of only a copper layer formed by electroless plating, but may be only a copper layer formed by sputtering, titanium formed by sputtering, or the like. A copper layer may be formed on the thin film layer by sputtering. The same applies to the case of the second base metal layer 43a described later.

次に、第１の下地金属層３８ａの上面にメッキレジスト膜５１をパターン形成する。この場合、第１の上層再配線３９形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜５１には開口部５２が形成されている。次に、第１の下地金属層３８ａをメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、メッキレジスト膜５１の開口部５２内の第１の下地金属層３８ａの上面に第１の上層金属層３８ｂ第１の上層再配線３９を形成する。図１および図６において、第１の上層絶縁膜３６の開口部３７内には第１の下地金属層３８ａのみが形成されているが、これは図示の都合上であって、実際には、第１の上層金属層３８ｂも形成される。   Next, a plating resist film 51 is patterned on the upper surface of the first base metal layer 38a. In this case, an opening 52 is formed in the plating resist film 51 in a portion corresponding to the first upper layer rewiring 39 formation region. Next, the first upper metal layer is formed on the upper surface of the first base metal layer 38a in the opening 52 of the plating resist film 51 by performing copper electroplating using the first base metal layer 38a as a plating current path. A first upper layer rewiring 39 is formed. In FIGS. 1 and 6, only the first base metal layer 38a is formed in the opening 37 of the first upper insulating film 36. However, this is for the convenience of illustration, and in practice, A first upper metal layer 38b is also formed.

ここで、第１の上層再配線３９は柱状電極３３上にメッキにより直接接合されるものであるため、第１の上層絶縁膜３６の開口部３７は、１０μｍ×１０μｍの方形または同面積の円形の面積を有していれば強度的に十分である。この種の露光機は数μｍの位置合わせ精度を有しており、通常、柱状電極３３の直径は１００〜１５０μｍ程度（ピッチは、通常、この２倍）であるので、従来の、柱状電極と再配線の接合をボンディングによる方法と比較すると、柱状電極のサイズおよび配置間隔が遙かに小さい場合にも適用でき、且つ、プロセスも効率的である。   Here, since the first upper layer rewiring 39 is directly bonded onto the columnar electrode 33 by plating, the opening 37 of the first upper layer insulating film 36 is a 10 μm × 10 μm square or a circular with the same area. It is sufficient in strength if it has an area of. This type of exposure machine has alignment accuracy of several μm, and the diameter of the columnar electrode 33 is normally about 100 to 150 μm (the pitch is usually twice this). Compared with bonding by rewiring, the method can be applied even when the size and arrangement interval of the columnar electrodes are much smaller, and the process is more efficient.

このように、この発明の方法によれば、柱状電極に上層の再配線を接合するための絶縁膜の開口部の幅を柱状電極の幅の１／２以下とすることが可能であり、これにより半導体構成体の柱状電極のサイズおよび配置間隔も小さいものとすることができるので、上層の再配線を有する本発明の半導体装置のサイズを一層小さいものとすることができる。   As described above, according to the method of the present invention, the width of the opening of the insulating film for joining the upper layer rewiring to the columnar electrode can be reduced to ½ or less of the width of the columnar electrode. Thus, the size and arrangement interval of the columnar electrodes of the semiconductor structure can be made small, so that the size of the semiconductor device of the present invention having the upper layer rewiring can be made smaller.

次に、メッキレジスト膜５１を剥離し、次いで、第１の上層金属層３８ｂをマスクとして第１の下地金属層３８ａの不要な部分をエッチングして除去すると、図７に示すように、第１の下地金属層３８ａおよび第１の上層金属層３８ｂからなる第１の上層再配線３９が形成される。   Next, the plating resist film 51 is peeled off, and then unnecessary portions of the first base metal layer 38a are removed by etching using the first upper metal layer 38b as a mask, as shown in FIG. The first upper layer rewiring 39 composed of the base metal layer 38a and the first upper metal layer 38b is formed.

次に、図８に示すように、第１の上層再配線３９を含む第１の上層絶縁膜３６の上面全体に感光性ポリイミドなどからなる第２の上層絶縁膜４１をパターン形成する。この場合、第２の上層絶縁膜４１の第１の上層再配線３９の接続パッド部に対応する部分には開口部４２が形成されている。次に、開口部４２を介して露出された第１の上層再配線３９の接続パッド部を含む第２の上層絶縁膜４１の上面全体に第２の下地金属層４３ａを無電解メッキにより形成する。   Next, as shown in FIG. 8, a second upper layer insulating film 41 made of photosensitive polyimide or the like is patterned on the entire upper surface of the first upper layer insulating film 36 including the first upper layer rewiring 39. In this case, an opening 42 is formed in a portion of the second upper insulating film 41 corresponding to the connection pad portion of the first upper layer rewiring 39. Next, a second base metal layer 43a is formed on the entire upper surface of the second upper insulating film 41 including the connection pad portion of the first upper redistribution 39 exposed through the opening 42 by electroless plating. .

次に、第２の下地金属層４３ａの上面にメッキレジスト膜５３をパターン形成する。この場合、第２の上層再配線４４形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜５３には開口部５４が形成されている。次に、第２の下地金属層４３ａをメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、メッキレジスト膜５３の開口部５４内の第２の下地金属層４３ａの上面に第２の上層金属層４３ｂを形成する。   Next, a plating resist film 53 is formed on the upper surface of the second base metal layer 43a. In this case, an opening 54 is formed in the plating resist film 53 in a portion corresponding to the second upper layer rewiring 44 formation region. Next, by performing copper electroplating using the second base metal layer 43a as a plating current path, a second upper metal layer is formed on the upper surface of the second base metal layer 43a in the opening 54 of the plating resist film 53. 43b is formed.

次に、メッキレジスト膜５３を剥離し、次いで、第２の上層再配線４４をマスクとして第２の下地金属層４３の不要な部分をエッチングして除去すると、図９に示すように、第２の下地金属層４３および第２の上層金属層４３ｂからなる第２の上層再配線４４が形成される。   Next, the plating resist film 53 is peeled off, and then unnecessary portions of the second base metal layer 43 are removed by etching using the second upper layer rewiring 44 as a mask, as shown in FIG. A second upper layer rewiring 44 composed of the base metal layer 43 and the second upper metal layer 43b is formed.

次に、図１０に示すように、第２の上層再配線４４を含む第２の上層絶縁膜４１の上面全体に感光性ポリイミドなどからなる第３の上層絶縁膜４５をパターン形成する。この場合、第３の上層絶縁膜４５の第２の上層再配線４４の接続パッド部に対応する部分には開口部４６が形成されている。次に、開口部４６内およびその上方に半田ボール４７を第２の上層再配線４４の接続パッド部に接続させて形成する。   Next, as shown in FIG. 10, a third upper layer insulating film 45 made of photosensitive polyimide or the like is patterned on the entire upper surface of the second upper layer insulating film 41 including the second upper layer rewiring 44. In this case, an opening 46 is formed in a portion corresponding to the connection pad portion of the second upper layer rewiring 44 of the third upper layer insulating film 45. Next, a solder ball 47 is formed in the opening 46 and above it by connecting it to the connection pad portion of the second upper layer rewiring 44.

次に、図１１に示すように、互いに隣接する半導体構成体２３間において、３層の絶縁膜４５、４１、３６、封止膜３５、接着層２２およびベース板２１を切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。   Next, as shown in FIG. 11, when the three insulating films 45, 41, and 36, the sealing film 35, the adhesive layer 22 and the base plate 21 are cut between the adjacent semiconductor structures 23, FIG. A plurality of the semiconductor devices shown are obtained.

このようにして得られた半導体装置では、半導体構成体２３の柱状電極３３に接続される第１の下地金属層３８および第１の上層再配線３９を無電解メッキ（またはスパッタ）および電解メッキにより形成し、第１の上層再配線３９の接続パッド部に接続される第２の下地金属層４３および第２の上層再配線４４を無電解メッキ（またはスパッタ）および電解メッキにより形成しているので、ボンディングによらないで、半導体構成体２３の柱状電極３３と第１の上層再配線３９との間および第１の上層再配線３９と第２の上層再配線４４との間を導電接続することができる。   In the semiconductor device thus obtained, the first base metal layer 38 and the first upper layer rewiring 39 connected to the columnar electrode 33 of the semiconductor structure 23 are formed by electroless plating (or sputtering) and electrolytic plating. The second base metal layer 43 and the second upper layer rewiring 44 that are formed and connected to the connection pad portion of the first upper layer rewiring 39 are formed by electroless plating (or sputtering) and electrolytic plating. Conductive connection between the columnar electrode 33 of the semiconductor structure 23 and the first upper layer rewiring 39 and between the first upper layer rewiring 39 and the second upper layer rewiring 44 without bonding. Can do.

また、上記製造方法では、ベース板２１上の接着層２２上の所定の複数箇所にそれぞれ半導体構成体２３を接着して配置し、複数の半導体構成体２３に対して第１〜第３の上層絶縁膜３６、４１、４５、第１、第２の下地金属層３８、４３、第１、第２の上層再配線３９、４４および半田ボール４７の形成を一括して行い、その後に分断して複数個の半導体装置を得ているので、製造工程を簡略化することができる。   Further, in the above manufacturing method, the semiconductor structure 23 is bonded and arranged at a plurality of predetermined positions on the adhesive layer 22 on the base plate 21, and the first to third upper layers are arranged with respect to the plurality of semiconductor structures 23. The insulating films 36, 41, 45, the first and second base metal layers 38, 43, the first and second upper layer rewirings 39, 44 and the solder balls 47 are collectively formed and then divided. Since a plurality of semiconductor devices are obtained, the manufacturing process can be simplified.

また、ベース板２１と共に複数の半導体構成体２３を搬送することができるので、これによっても製造工程を簡略化することができる。さらに、ベース板２１の外形寸法を一定にすると、製造すべき半導体装置の外形寸法に関係なく、搬送系を共有化することができる。   Moreover, since the several semiconductor structure 23 can be conveyed with the base plate 21, a manufacturing process can also be simplified by this. Furthermore, if the outer dimensions of the base plate 21 are made constant, the transport system can be shared regardless of the outer dimensions of the semiconductor device to be manufactured.

さらに、上記製造方法では、図２に示すように、再配線３２および柱状電極３３を備えたＣＳＰタイプの半導体構成体２３を接着層２２上に接着しているので、例えば、シリコン基板２４上に接続パッド２５、絶縁膜２６および保護膜２７を設けてなる通常の半導体チップを接着層２２上に接着して、半導体チップの周囲に設けられた封止膜上に再配線および柱状電極を形成する場合と比較して、コストを低減することができる。   Further, in the above manufacturing method, as shown in FIG. 2, since the CSP type semiconductor structure 23 including the rewiring 32 and the columnar electrode 33 is bonded onto the adhesive layer 22, for example, on the silicon substrate 24. A normal semiconductor chip provided with the connection pad 25, the insulating film 26 and the protective film 27 is bonded onto the adhesive layer 22, and rewiring and columnar electrodes are formed on the sealing film provided around the semiconductor chip. Compared with the case, the cost can be reduced.

例えば、切断前のベース板２１がシリコンウエハのように一定のサイズのほぼ円形状である場合、接着層２２上に接着された半導体チップの周囲に設けられた封止膜上に再配線および柱状電極を形成すると、処理面積が増大する。換言すれば、低密度処理になるため、一回当たりの処理枚数が低減し、スループットが低下するので、コストアップとなる。   For example, when the base plate 21 before cutting has a substantially circular shape of a certain size like a silicon wafer, rewiring and columnar shapes are formed on the sealing film provided around the semiconductor chip bonded on the adhesive layer 22. When the electrode is formed, the processing area increases. In other words, since low-density processing is performed, the number of processed sheets per process is reduced and throughput is lowered, resulting in an increase in cost.

これに対し、上記製造方法では、再配線３２および柱状電極３３を備えたＣＳＰタイプの半導体構成体２３を接着層２２上に接着した後に、ビルドアップしているので、プロセス数は増大するが、柱状電極３３を形成するまでは高密度処理のため、効率が良く、プロセス数の増大を考慮しても、全体の価格を低減することができる。   On the other hand, in the above manufacturing method, since the CSP type semiconductor structure 23 provided with the rewiring 32 and the columnar electrode 33 is bonded on the adhesive layer 22 and built up, the number of processes increases. Since the high-density processing is performed until the columnar electrode 33 is formed, the efficiency is high, and the overall price can be reduced even if the increase in the number of processes is taken into consideration.

次に、図１に示す半導体装置の製造方法の他の例について説明する。まず、図１２に示すように、紫外線透過性の透明樹脂板やガラス板などからなる別のベース板５５の上面全体に紫外線硬化型の粘着シートなどからなる接着層５６を接着し、接着層５６の上面に上述のベース板２１および接着層２２を接着したものを用意する。   Next, another example of the method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 will be described. First, as shown in FIG. 12, an adhesive layer 56 made of an ultraviolet curable adhesive sheet or the like is bonded to the entire upper surface of another base plate 55 made of an ultraviolet transparent transparent resin plate or glass plate. Prepared by adhering the base plate 21 and the adhesive layer 22 to the upper surface.

そして、図２〜図１０にそれぞれ示す製造工程を経た後に、図１３に示すように、３層の絶縁膜４５、４１、３６、封止膜３５、接着層２２、ベース板２１および接着層５６を切断し、別のベース板５５を切断しない。次に、別のベース板５５の下面側から紫外線を照射し、接着層５６を硬化させる。すると、分断されたベース板２１の下面に対する接着層５６による接着性が低下する。そこで、接着層５６上に存在する個片化されたものを１つずつ剥がしてピックアップすると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。   2 to 10, the insulating films 45, 41, 36, the sealing film 35, the adhesive layer 22, the base plate 21, and the adhesive layer 56 are formed as shown in FIG. 13. And the other base plate 55 is not cut. Next, the adhesive layer 56 is cured by irradiating ultraviolet rays from the lower surface side of another base plate 55. Then, the adhesiveness by the adhesive layer 56 with respect to the lower surface of the divided base plate 21 is lowered. Therefore, when the separated pieces existing on the adhesive layer 56 are peeled one by one and picked up, a plurality of semiconductor devices shown in FIG. 1 are obtained.

この製造方法では、図１３に示す状態において、接着層５６上に存在する個片化された半導体装置がバラバラとならないので、専用の半導体装置載置用トレーを用いることなく、そのまま、図示しない回路基板上への実装時に１つずつ剥がしてピックアップすることができる。また、別のベース板５５の上面に残存する接着性が低下した接着層５６を剥離すると、別のベース板５５を再利用することができる。さらに、別のベース板５５の外形寸法を一定にすると、製造すべき半導体装置の外形寸法に関係なく、搬送系を共有化することができる。   In this manufacturing method, the individual semiconductor devices present on the adhesive layer 56 do not fall apart in the state shown in FIG. 13, so that a circuit (not shown) is used as it is without using a dedicated semiconductor device mounting tray. When mounting on a substrate, it can be removed and picked up one by one. Further, when the adhesive layer 56 with reduced adhesion remaining on the upper surface of another base plate 55 is peeled off, the other base plate 55 can be reused. Furthermore, if the outer dimensions of the other base plate 55 are made constant, the transport system can be shared regardless of the outer dimensions of the semiconductor device to be manufactured.

なお、別のベース板５５として、膨張させることにより半導体装置を取り外す、通常のダイシングテープなどを用いることも可能であり、その場合には、接着層は紫外線硬化型でなくてもよい。また、別のベース板５５を研磨やエッチングにより除去するようにしてもよい。   In addition, it is also possible to use a normal dicing tape or the like in which the semiconductor device is removed by being expanded as another base plate 55. In this case, the adhesive layer may not be an ultraviolet curable type. Further, another base plate 55 may be removed by polishing or etching.

次に、図１に示す半導体装置の製造方法のさらに他の例について説明する。この製造方法では、図５に示す工程後に、図１４に示すように、開口部３７を介して露出された柱状電極３３の上面を含む第１の上層絶縁膜３６の上面全体に銅の無電解メッキにより第１の下地金属層３８ａを形成する。次に、第１の下地金属層３８ａをメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、第１の下地金属層３８ａの上面全体に第１の上層金属形成用層３８ｃを形成する。次に、第１の上層金属形成用層３８ｃの上面の第１の上層再配線形成領域に対応する部分にレジスト膜５７をパターン形成する。   Next, still another example of the method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 will be described. In this manufacturing method, after the step shown in FIG. 5, as shown in FIG. 14, the entire upper surface of the first upper insulating film 36 including the upper surface of the columnar electrode 33 exposed through the opening 37 is electrolessly coated with copper. A first base metal layer 38a is formed by plating. Next, the first upper metal layer 38c is formed on the entire upper surface of the first base metal layer 38a by performing copper electroplating using the first base metal layer 38a as a plating current path. Next, a resist film 57 is patterned on a portion corresponding to the first upper layer rewiring formation region on the upper surface of the first upper metal forming layer 38c.

次に、レジスト膜５７をマスクとして第１の上層金属形成用層３８ｃおよび第１の下地金属層３８ａの不要な部分をエッチングして除去すると、図１５に示すように、レジスト膜５７下にのみ第１の上層配線層３９が残存される。この後、レジスト膜５７を剥離する。なお、これと同様の形成方法により、第２の上層再配線４４を形成するようにしてもよい。   Next, when unnecessary portions of the first upper metal forming layer 38c and the first base metal layer 38a are removed by etching using the resist film 57 as a mask, as shown in FIG. 15, only under the resist film 57. The first upper wiring layer 39 remains. Thereafter, the resist film 57 is peeled off. The second upper layer rewiring 44 may be formed by the same formation method.

ところで、図２に示すベース板２１あるいは図１２に示す別のベース板５５をトレイ状とすることもできる。つまり、ベース板を、半導体構成体２３を配列する領域が周囲より陥没した受け皿のような形状とする。そして、このトレイ状のベース板の半導体構成体２３配列領域を囲む周囲の上面にメッキ電流路用金属層を設け、このメッキ電流路用金属層とメッキ電流路用の下地金属層（３８、４３）とを導電部材で接続して、電解メッキを行うようにしてもよい。この場合、トレイの外形サイズを同一としておくことにより、製造する半導体装置のサイズが異なる場合でも、同一の製造装置の使用が可能となり効率的となる。   By the way, the base plate 21 shown in FIG. 2 or another base plate 55 shown in FIG. 12 can be formed in a tray shape. That is, the base plate is shaped like a saucer in which the region where the semiconductor structures 23 are arranged is recessed from the surroundings. Then, a metal layer for a plating current path is provided on the upper surface surrounding the array region of the semiconductor structure 23 of the tray-shaped base plate, and the metal layer for the plating current path and the base metal layer (38, 43 for the plating current path). ) May be connected by a conductive member to perform electrolytic plating. In this case, by setting the same outer size of the tray, the same manufacturing apparatus can be used even when the size of the semiconductor device to be manufactured is different, which is efficient.

（第２実施形態）
図３に示す製造工程において、接着層２２を半導体構成体２３のシリコン基板２４の下面に設け、この接着層２２をベース板２１の上面の各所定の箇所に接着した場合には、図１６に示すこの発明の第２実施形態としての半導体装置が得られる。 (Second Embodiment)
In the manufacturing process shown in FIG. 3, when the adhesive layer 22 is provided on the lower surface of the silicon substrate 24 of the semiconductor structure 23 and this adhesive layer 22 is adhered to each predetermined location on the upper surface of the base plate 21, FIG. The semiconductor device as the second embodiment of the present invention shown is obtained.

このようにして得られた半導体装置では、シリコン基板２４の下面が接着層２２を介してベース板２１の上面に接着されているほかに、シリコン基板２４の側面などが封止膜３６を介してベース板２１の上面に接続されているので、半導体構成体２３のベース板２１に対する接合強度をある程度強くすることができる。   In the semiconductor device thus obtained, the lower surface of the silicon substrate 24 is bonded to the upper surface of the base plate 21 via the adhesive layer 22, and the side surface of the silicon substrate 24 is interposed via the sealing film 36. Since it is connected to the upper surface of the base plate 21, the bonding strength of the semiconductor structure 23 to the base plate 21 can be increased to some extent.

（第３、第４実施形態）
図１７はこの発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と異なる点は、ベース板２１および接着層２２を備えていないことである。 (Third and fourth embodiments)
FIG. 17 shows a sectional view of a semiconductor device as a third embodiment of the present invention. This semiconductor device is different from the semiconductor device shown in FIG. 1 in that the base plate 21 and the adhesive layer 22 are not provided.

この第３実施形態の半導体装置を製造する場合には、例えば図１０に示すように、半田ボール４７を形成した後に、ベース板２１を接着層２２から剥がしたりまたはベース板２１および接着層２２を研磨やエッチングなどにより除去するなどして取り除いた後に、互いに隣接する半導体構成体２３間において、３層の絶縁膜４５、４１、３６および封止膜３５を切断すると、図１７に示す半導体装置が複数個得られる。このようにして得られた半導体装置では、ベース板２１および接着層２２を備えていないので、その分だけ、薄型化することができる。   When manufacturing the semiconductor device according to the third embodiment, for example, as shown in FIG. 10, after forming the solder balls 47, the base plate 21 is peeled off from the adhesive layer 22, or the base plate 21 and the adhesive layer 22 are removed. After removing by polishing, etching, or the like and then removing the three insulating films 45, 41, and 36 and the sealing film 35 between the adjacent semiconductor structures 23, the semiconductor device shown in FIG. Several are obtained. Since the semiconductor device thus obtained does not include the base plate 21 and the adhesive layer 22, it can be reduced in thickness accordingly.

また、ベース板２１および接着層２２を研磨やエッチングなどにより除去した後に、シリコン基板２４および封止膜３５の下面側を適宜に研磨し、次いで互いに隣接する半導体構成体２３間において、３層の絶縁膜４５、４１、３６および封止膜３５を切断すると、図１８に示すこの発明の第４実施形態としての半導体装置が複数個得られる。このようにして得られた半導体装置では、さらに薄型化することができる。   Further, after removing the base plate 21 and the adhesive layer 22 by polishing, etching, or the like, the lower surface side of the silicon substrate 24 and the sealing film 35 is appropriately polished, and then between the adjacent semiconductor structures 23, three layers are formed. When the insulating films 45, 41, and 36 and the sealing film 35 are cut, a plurality of semiconductor devices as the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 18 are obtained. The semiconductor device thus obtained can be further reduced in thickness.

なお、半田ボール４７を形成する前に、ベース板２１および接着層２２を研磨やエッチングなどにより除去し（必要に応じてさらにシリコン基板２４および封止膜３５の下面側を適宜に研磨し）、次いで半田ボール４７を形成し、次いで互いに隣接する半導体構成体２３間において、３層の絶縁膜４５、４１、３６および封止膜３５を切断するようにしてもよい。   Before forming the solder balls 47, the base plate 21 and the adhesive layer 22 are removed by polishing, etching, or the like (further, the lower surfaces of the silicon substrate 24 and the sealing film 35 are appropriately polished) Next, solder balls 47 may be formed, and then the three insulating films 45, 41, 36 and the sealing film 35 may be cut between the adjacent semiconductor structures 23.

（第５実施形態）
図１９はこの発明の第５実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と異なる点は、接着層２２の下面に放熱用の金属層６１が接着されていることである。金属層６１は、厚さ数十μｍの銅箔などからなっている。 (Fifth embodiment)
FIG. 19 is a sectional view of a semiconductor device as a fifth embodiment of the present invention. This semiconductor device differs from the semiconductor device shown in FIG. 1 in that a metal layer 61 for heat dissipation is bonded to the lower surface of the adhesive layer 22. The metal layer 61 is made of a copper foil having a thickness of several tens of μm.

この第５実施形態の半導体装置を製造する場合には、例えば図１０に示すように、半田ボール４７を形成した後に、ベース板２１を研磨やエッチングなどにより除去し、次いで接着層２２の下面全体に金属層６１を接着し、次いで互いに隣接する半導体構成体２３間において、３層の絶縁膜４５、４１、３６、封止膜３５、接着層２２および金属層６１を切断すると、図１９に示す半導体装置が複数個得られる。   In the case of manufacturing the semiconductor device of the fifth embodiment, for example, as shown in FIG. 10, after forming the solder balls 47, the base plate 21 is removed by polishing or etching, and then the entire lower surface of the adhesive layer 22 is formed. When the metal layer 61 is bonded to each other, and then the three insulating films 45, 41, and 36, the sealing film 35, the adhesive layer 22 and the metal layer 61 are cut between the adjacent semiconductor structures 23, FIG. A plurality of semiconductor devices are obtained.

なお、接着層２２も研磨やエッチングなどにより除去し（必要に応じてさらにシリコン基板２４および封止膜３５の下面側を適宜に研磨し）、シリコン基板２４および封止膜３５の下面に新たな接着層を介して金属層６１を接着するようにしてもよい。   The adhesive layer 22 is also removed by polishing, etching, or the like (further, the lower surfaces of the silicon substrate 24 and the sealing film 35 are appropriately polished as necessary), and a new surface is added to the lower surfaces of the silicon substrate 24 and the sealing film 35. The metal layer 61 may be bonded through an adhesive layer.

（第６実施形態）
図１１に示す場合には、互いに隣接する半導体構成体２３間において切断したが、これに限らず、２個またはそれ以上の半導体構成体２３を１組として切断し、例えば、図２０に示すこの発明の第６実施形態のように、３個の半導体構成体２３を１組として切断し、マルチチップモジュール型の半導体装置を得るようにしてもよい。この場合、３個で１組の半導体構成体２３は同種、異種のいずれであってもよい。 (Sixth embodiment)
In the case shown in FIG. 11, the semiconductor structures 23 adjacent to each other are cut. However, the present invention is not limited to this, and two or more semiconductor structures 23 are cut as one set. As in the sixth embodiment of the invention, the three semiconductor structures 23 may be cut as one set to obtain a multichip module type semiconductor device. In this case, the set of three semiconductor structures 23 may be the same type or different types.

なお、図２０では、再配線３２、３９、４４下の下地金属層は、図示の都合上、省略している。また、第２の上層再配線４４の接続パッド部（半田ボール４７）が半導体構成体２３の周囲における封止膜３５上に配置されているか否か不明であるが、これは図示の都合上であり、実際には封止膜３５上に配置されている。このようなことは、後述する実施形態においても同様である。   In FIG. 20, the base metal layer under the rewirings 32, 39, and 44 is omitted for convenience of illustration. Further, it is unclear whether or not the connection pad portion (solder ball 47) of the second upper layer rewiring 44 is disposed on the sealing film 35 around the semiconductor structure 23, but this is for the convenience of illustration. In fact, it is disposed on the sealing film 35. This also applies to the embodiments described later.

ただし、例えば、図２０では、半導体構成体２３を接着層２２の上面に接着しているので、従来のようなボンディングと異なり、接着する際の位置合わせとしては高い精度は要求されず、したがって半導体構成体２３の配置間隔を可及的に小さくすることが可能となる。そこで、半導体構成体２３の配置間隔を可及的に小さくした場合には、第２の上層再配線４４の少なくとも一部が封止膜３５上に配置されるようにしてもよい。   However, in FIG. 20, for example, since the semiconductor structure 23 is bonded to the upper surface of the adhesive layer 22, unlike the conventional bonding, high accuracy is not required for alignment when bonding, and therefore the semiconductor It is possible to make the arrangement interval of the structural bodies 23 as small as possible. Therefore, when the arrangement interval of the semiconductor structures 23 is made as small as possible, at least a part of the second upper layer rewiring 44 may be arranged on the sealing film 35.

（第７実施形態）
図２０に示す場合には、第２の上層再配線４４の接続パッド部上に半田ボール４７のみを設けているが、これに限らず、例えば、図２１に示すこの発明の第７実施形態のように、第２の上層再配線４４の接続パッド部上に接続パッド６２を形成し、その上に半田ボール４７、ＬＳＩなどからなる半導体チップ６３、コンデンサや抵抗などからなるチップ部品６４を設けるようにしてもよい。 (Seventh embodiment)
In the case shown in FIG. 20, only the solder ball 47 is provided on the connection pad portion of the second upper layer rewiring 44. However, the present invention is not limited to this. For example, the seventh embodiment of the present invention shown in FIG. As described above, the connection pad 62 is formed on the connection pad portion of the second upper layer rewiring 44, and the solder ball 47, the semiconductor chip 63 made of LSI, etc., and the chip component 64 made of capacitor, resistance, etc. are provided thereon. It may be.

この場合、半導体チップ６３およびチップ部品６４は第３の上層絶縁膜４５の上面中央部に配置され、半田ボール４７は第３の上層絶縁膜４５の上面周辺部に配置されている。半導体チップ６３は、チップ本体６３ａの下面周辺部に複数のバンプ電極６３ｂが設けられた構造となっている。そして、半導体チップ６３のバンプ電極６３ｂは接続パッド６２に半田（図示せず）を介して導電接続されている。また、チップ本体６３ａと第３の上層絶縁膜４５との間には封止材６５が充填されている。チップ部品６４の両側の電極は接続パッド６２上に半田６６で接続されている。   In this case, the semiconductor chip 63 and the chip component 64 are arranged at the center of the upper surface of the third upper insulating film 45, and the solder balls 47 are arranged at the periphery of the upper surface of the third upper insulating film 45. The semiconductor chip 63 has a structure in which a plurality of bump electrodes 63b are provided around the lower surface of the chip body 63a. The bump electrode 63b of the semiconductor chip 63 is conductively connected to the connection pad 62 via solder (not shown). Further, a sealing material 65 is filled between the chip body 63a and the third upper insulating film 45. The electrodes on both sides of the chip component 64 are connected to the connection pads 62 by solder 66.

（第８実施形態）
図２１では、３個の半導体構成体２３を１組としたものの中央部上にチップ部品６４などを搭載し、周辺部上に半田ボール４７を形成しているが、これに限らず、例えば図２２に示すこの発明の第８実施形態のように、１個の半導体構成体２３の周囲における封止膜３５のサイズをある程度大きくし、第３の上層絶縁膜４５の中央部上に配置された接続パッド６２上にチップ部品６４などを搭載し、周辺部上に配置された接続パッド６２上に接続ピン６７の下部を半田（図示せず）を介して接続するようにしてもよい。この接続ピン６７は、接続パッド６２に半田付けされており、図示はしないが、回路基板に形成されたスルーホール内に挿入され、裏面側でスルーホールの周囲に形成されたパッド部に半田付けされるものである。 (Eighth embodiment)
In FIG. 21, a chip component 64 and the like are mounted on the center portion of a set of three semiconductor structures 23 and solder balls 47 are formed on the peripheral portion. As in the eighth embodiment of the present invention shown in FIG. 22, the size of the sealing film 35 around one semiconductor structure 23 is increased to some extent, and is disposed on the center of the third upper insulating film 45. A chip component 64 or the like may be mounted on the connection pad 62, and the lower portion of the connection pin 67 may be connected to the connection pad 62 disposed on the peripheral portion via solder (not shown). The connection pins 67 are soldered to the connection pads 62. Although not shown, the connection pins 67 are inserted into through holes formed in the circuit board and soldered to pad portions formed around the through holes on the back surface side. It is what is done.

（第９実施形態）
図２３はこの発明の第９実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。次に、この半導体装置の構造についてその製造方法と併せ説明する。まず、図２０を参照して説明すると、図２０において、半田ボール４７を形成せず、ベース板２１を除去してなるものを用意する。以下、この用意したものを半導体ブロック７１という。 (Ninth embodiment)
FIG. 23 is a sectional view showing a semiconductor device according to the ninth embodiment of the present invention. Next, the structure of this semiconductor device will be described together with its manufacturing method. First, a description will be given with reference to FIG. 20. In FIG. 20, a solder ball 47 is not formed and the base plate 21 is removed. Hereinafter, the prepared one is referred to as a semiconductor block 71.

次に、半導体ブロック７１の接着層２２の下面に、半導体ブロック７１よりもある程度大きめの放熱用の金属板７２の上面中央部を接着する。次に、半導体ブロック７１の周囲における金属板７２の上面に封止膜７３をモールド法や印刷法によりその上面が半導体ブロック７１の第３の上層絶縁膜４５の上面と面一となるように形成する。なお、接着層２２を除去し、モールド用の金型内に金属板７２を配置し、その上面中央部に半導体ブロック７１を配置するようにしてもよい。   Next, the central portion of the upper surface of the metal plate 72 for heat dissipation that is somewhat larger than the semiconductor block 71 is bonded to the lower surface of the adhesive layer 22 of the semiconductor block 71. Next, the sealing film 73 is formed on the upper surface of the metal plate 72 around the semiconductor block 71 so that the upper surface thereof is flush with the upper surface of the third upper insulating film 45 of the semiconductor block 71 by a molding method or a printing method. To do. Alternatively, the adhesive layer 22 may be removed, the metal plate 72 may be disposed in the mold for molding, and the semiconductor block 71 may be disposed at the center of the upper surface thereof.

次に、第３の上層絶縁膜４５および封止膜７３の上面に第３の上層再配線（第３の下地金属層を含む）７４を第２の上層再配線４４の接続パッド部に接続させて形成する。次に、第３の上層再配線７４を含む第３の上層絶縁膜４５の上面に第４の上層絶縁膜７５を形成する。次に、第４の上層絶縁膜７５の第３の上層再配線７４の接続パッド部に対応する部分に開口部７６を形成する。次に、開口部７６内およびその周囲における第４の上層絶縁膜７５上に接続パッド７７を第３の上層再配線７４の接続パッド部に接続させて形成する。   Next, a third upper layer rewiring (including a third base metal layer) 74 is connected to the connection pad portion of the second upper layer rewiring 44 on the upper surfaces of the third upper layer insulating film 45 and the sealing film 73. Form. Next, a fourth upper layer insulating film 75 is formed on the upper surface of the third upper layer insulating film 45 including the third upper layer rewiring 74. Next, an opening 76 is formed in a portion corresponding to the connection pad portion of the third upper layer rewiring 74 of the fourth upper layer insulating film 75. Next, a connection pad 77 is formed on the fourth upper layer insulating film 75 in and around the opening 76 so as to be connected to the connection pad portion of the third upper layer rewiring 74.

次に、半導体ブロック７１上における接続パッド７７の上面にコンデンサや抵抗などからなるチップ部品７８の両側の電極を半田７９を介して接続する。また、封止膜７３上における接続パッド７７の上面に接続ピン８０の下部を半田（図示せず）を介して接続する。かくして、図２３に示す半導体装置が得られる。   Next, electrodes on both sides of the chip component 78 made of a capacitor, a resistor, and the like are connected to the upper surface of the connection pad 77 on the semiconductor block 71 via solder 79. Further, the lower portion of the connection pin 80 is connected to the upper surface of the connection pad 77 on the sealing film 73 via solder (not shown). Thus, the semiconductor device shown in FIG. 23 is obtained.

（第１０実施形態）
図２４はこの発明の第１０実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。次に、この半導体装置の構造についてその製造方法と併せ説明する。まず、この場合も、図２０を参照して説明すると、図２０において、半田ボール４７を形成せず、ベース板２１および接着層２２を除去してなるものを用意する。以下、この用意したものを半導体ブロック８１という。ただし、第２の上層再配線（第２の下地金属層を含む）４４の配置は、図示の都合上、図２０と図２４とでは異なっている。また、図２４では、第３の上層絶縁膜４５の上面の各所定の箇所に接続パッド８２が第２の上層再配線４４の接続パッド部に接続されて形成されている。 (10th Embodiment)
FIG. 24 is a sectional view showing a semiconductor device according to the tenth embodiment of the present invention. Next, the structure of this semiconductor device will be described together with its manufacturing method. First, in this case as well, referring to FIG. 20, in FIG. 20, a solder ball 47 is not formed but the base plate 21 and the adhesive layer 22 are removed. Hereinafter, the prepared one is referred to as a semiconductor block 81. However, the arrangement of the second upper layer rewiring (including the second base metal layer) 44 is different between FIGS. 20 and 24 for the sake of illustration. In FIG. 24, connection pads 82 are formed at predetermined positions on the upper surface of the third upper layer insulating film 45 so as to be connected to the connection pad portions of the second upper layer rewiring 44.

次に、フレキシブル配線板８３を用意する。このフレキシブル配線板８３は、中央部に半導体ブロック８１よりもやや大きめの開口部８４を有するフィルム基板８５を備えている。フィルム基板８５の上面には配線８６が設けられている。配線８６の一端部は開口部８４内に突出され、接続端子８６ａとなっている。配線８６を含むフィルム基板８５の上面には保護膜８７が設けられている。保護膜８７の配線８６の他端部に対応する部分には開口部８８が設けられている。開口部８８を介して露出された配線８６の他端部上には半田ボール８９が設けられているが、フレキシブル配線板８３を用意した時点では半田ボール８９は形成されていない。   Next, a flexible wiring board 83 is prepared. The flexible wiring board 83 includes a film substrate 85 having an opening 84 that is slightly larger than the semiconductor block 81 at the center. A wiring 86 is provided on the upper surface of the film substrate 85. One end of the wiring 86 protrudes into the opening 84 and serves as a connection terminal 86a. A protective film 87 is provided on the upper surface of the film substrate 85 including the wiring 86. An opening 88 is provided in a portion corresponding to the other end of the wiring 86 of the protective film 87. A solder ball 89 is provided on the other end of the wiring 86 exposed through the opening 88, but when the flexible wiring board 83 is prepared, the solder ball 89 is not formed.

そして、フレキシブル配線板８３の接続端子８６ａを半導体ブロック８１上の周辺部に配置された接続パッド８２に半田（図示せず）を介して接続する。次に、半導体ブロック８１の周囲におけるフレキシブル配線板８３の下面に封止膜９０をモールド法や印刷法によりその下面が半導体ブロック７１のシリコン基板２４などの下面と面一となるように形成する。次に、半導体ブロック７１のシリコン基板２４などの下面および封止膜９０の下面に接着層９１を介して放熱用の金属板９２を接着する。   Then, the connection terminals 86a of the flexible wiring board 83 are connected to the connection pads 82 arranged in the peripheral portion on the semiconductor block 81 via solder (not shown). Next, a sealing film 90 is formed on the lower surface of the flexible wiring board 83 around the semiconductor block 81 so that the lower surface thereof is flush with the lower surface of the semiconductor block 71 such as the silicon substrate 24 by a molding method or a printing method. Next, a heat radiating metal plate 92 is bonded to the lower surface of the semiconductor block 71 such as the silicon substrate 24 and the lower surface of the sealing film 90 via the adhesive layer 91.

次に、半導体ブロック８１上の中央部に配置された接続パッド８２の上面にコンデンサや抵抗などからなるチップ部品９３の両側の電極を半田９４を介して接続する。また、フレキシブル配線板８３の開口部８８を介して露出された配線８６の他端部上に半田ボール８９を形成する。かくして、図２４に示す半導体装置が得られる。   Next, the electrodes on both sides of the chip component 93 made of a capacitor, a resistor, or the like are connected to the upper surface of the connection pad 82 disposed at the central portion on the semiconductor block 81 via the solder 94. A solder ball 89 is formed on the other end of the wiring 86 exposed through the opening 88 of the flexible wiring board 83. Thus, the semiconductor device shown in FIG. 24 is obtained.

（第１１実施形態）
なお、図２４に示す場合において、図２５に示すこの発明の第１０実施形態のように、周辺部の封止膜９０の厚さが半導体ブロック８１の周面近傍の封止膜９０の厚さよりも薄くなるようにしてもよい。この場合、封止膜９０はモールド法により形成する。 (Eleventh embodiment)
In the case shown in FIG. 24, the thickness of the sealing film 90 in the peripheral portion is larger than the thickness of the sealing film 90 in the vicinity of the peripheral surface of the semiconductor block 81 as in the tenth embodiment of the present invention shown in FIG. Also, it may be made thinner. In this case, the sealing film 90 is formed by a molding method.

（第１２実施形態）
図２６はこの発明の第１２実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。次に、この半導体装置の構造についてその製造方法と併せ説明する。まず、この場合も、図２０を参照して説明すると、図２０において、ベース板２１および接着層２２を除去してなるものを用意する。以下、この用意したものを半導体ブロック１０１という。この場合、半田ボール４７は形成されているが、図２０に示す場合よりも径がやや小さい半田ボール（４７Ａ）が形成されている。 (Twelfth embodiment)
FIG. 26 is a sectional view of a semiconductor device as a twelfth embodiment of the present invention. Next, the structure of this semiconductor device will be described together with its manufacturing method. First, in this case as well, referring to FIG. 20, a substrate is prepared by removing the base plate 21 and the adhesive layer 22 in FIG. Hereinafter, the prepared block is referred to as a semiconductor block 101. In this case, the solder ball 47 is formed, but a solder ball (47A) having a slightly smaller diameter than that shown in FIG. 20 is formed.

次に、フレキシブル配線板１０２を用意する。このフレキシブル配線板１０２は、半導体ブロック８１よりもある程度大きめのフィルム基板１０３を備えている。フィルム基板１０３の上面には配線１０４が設けられている。フィルム基板１０３の配線１０４の一端部に対応する部分にはスルーホール１０４が設けられている。配線１０４を含むフィルム基板１０３の上面には保護膜１０６が設けられている。保護膜１０６の配線１０４の他端部に対応する部分には開口部１０７が設けられている。開口部１０７を介して露出された配線１０６の他端部上には半田ボール１０８が設けられているが、フレキシブル配線板１０２を用意した時点では半田ボール１０８は形成されていない。   Next, the flexible wiring board 102 is prepared. The flexible wiring board 102 includes a film substrate 103 that is somewhat larger than the semiconductor block 81. A wiring 104 is provided on the upper surface of the film substrate 103. A through hole 104 is provided in a portion corresponding to one end of the wiring 104 of the film substrate 103. A protective film 106 is provided on the upper surface of the film substrate 103 including the wiring 104. An opening 107 is provided in a portion of the protective film 106 corresponding to the other end of the wiring 104. A solder ball 108 is provided on the other end portion of the wiring 106 exposed through the opening 107, but when the flexible wiring board 102 is prepared, the solder ball 108 is not formed.

そして、半導体ブロック１０１の半田ボール（４７Ａ）をフレキシブル配線板１０２のスルーホール１０５内に挿入し、リフロー処理により、半田４７Ａをスルーホール１０５内の配線１０４の一端部下面に接続させる。次に、半導体ブロック１０１の周囲におけるフレキシブル配線板１０２の下面に封止膜１０９をモールド法や印刷法によりその下面が半導体ブロック１０１のシリコン基板２４などの下面と面一となるように形成する。   Then, the solder ball (47A) of the semiconductor block 101 is inserted into the through hole 105 of the flexible wiring board 102, and the solder 47A is connected to the lower surface of one end of the wiring 104 in the through hole 105 by reflow processing. Next, a sealing film 109 is formed on the lower surface of the flexible wiring board 102 around the semiconductor block 101 so that the lower surface thereof is flush with the lower surface of the semiconductor block 101 such as the silicon substrate 24 by a molding method or a printing method.

次に、半導体ブロック１０１のシリコン基板２４などの下面および封止膜１０９の下面に接着層１１０を介して放熱用の金属板１１１を接着する。次に、フレキシブル配線板８１０２の開口部１０７を介して露出された配線１０４の他端部上に半田ボール１０８を形成する。かくして、図２６に示す半導体装置が得られる。   Next, a heat radiating metal plate 111 is bonded to the lower surface of the semiconductor block 101 such as the silicon substrate 24 and the lower surface of the sealing film 109 via the adhesive layer 110. Next, a solder ball 108 is formed on the other end of the wiring 104 exposed through the opening 107 of the flexible wiring board 8102. Thus, the semiconductor device shown in FIG. 26 is obtained.

（第１３実施形態）
図２７はこの発明の第１３実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図２０に示す半導体装置と大きく異なる点は、半田ボール４７を１つも備えておらず、その代わりに、フレキシブル配線板１２１を備えていることである。 (13th Embodiment)
FIG. 27 shows a sectional view of a semiconductor device as a thirteenth embodiment of the present invention. This semiconductor device is greatly different from the semiconductor device shown in FIG. 20 in that it does not include any solder balls 47 but includes a flexible wiring board 121 instead.

この場合のフレキシブル配線板１２１は、フィルム基板１２２の一面に配線１２３が設けられ、配線１２３の両端部からなる接続端子１２３ａ（他方は図示せず）を除く部分を含むフィルム基板１２２の一面に保護膜１２４が設けられた構造となっている。一方、第３の上層絶縁膜４５の上面の一端部には複数の接続端子１２５が所定の第２の上層再配線４４の接続パッド部に接続されて形成されている。そして、フレキシブル配線板１２１の一方の接続端子１２３ａは接続端子１２５に図示しない異方性導電接着剤または半田を介して接続されている。   In this case, the flexible wiring board 121 is provided with a wiring 123 on one surface of the film substrate 122 and is protected on one surface of the film substrate 122 including a portion excluding the connection terminals 123a (the other is not shown) composed of both ends of the wiring 123. The structure is provided with a film 124. On the other hand, a plurality of connection terminals 125 are formed on one end portion of the upper surface of the third upper-layer insulating film 45 so as to be connected to connection pad portions of a predetermined second upper-layer rewiring 44. Then, one connection terminal 123a of the flexible wiring board 121 is connected to the connection terminal 125 via an anisotropic conductive adhesive or solder (not shown).

また、残りの第２の上層再配線４４の接続パッド部上には接続パッド１２６が形成され、その上にはコンデンサや抵抗などからなるチップ部品１２７、ＣＳＰタイプの半導体構成体１２８が搭載されている。この場合、半導体構成体１２８は半導体構成体２３とほぼ同じような構造となっている。そして、半導体構成体１２８の柱状電極１２９の下面は接続パッド１２６の上面に半田（図示せず）を介して接続されている。   In addition, a connection pad 126 is formed on the connection pad portion of the remaining second upper layer rewiring 44, and a chip component 127 made of a capacitor, a resistor, etc., and a CSP type semiconductor structure 128 are mounted thereon. Yes. In this case, the semiconductor structure 128 has substantially the same structure as the semiconductor structure 23. The lower surface of the columnar electrode 129 of the semiconductor structure 128 is connected to the upper surface of the connection pad 126 via solder (not shown).

（第１４実施形態）
図２８はこの発明の第１４実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置では、例えば図２０に示すものにおいてベース板２１を除去したものからなる半導体ブロック１３１と、例えば図２１に示すものにおいてベース板２１および接着層２２を除去し且つ半田ボール４７を形成しないものからなる半導体ブロック１３２とが接着層２２を介して接着されている。この場合、上側の半導体ブロック１３２上には複数の半導体チップ６３のみが搭載されている。 (14th Embodiment)
FIG. 28 is a sectional view of a semiconductor device as a fourteenth embodiment of the present invention. In this semiconductor device, for example, the semiconductor block 131 formed by removing the base plate 21 in the one shown in FIG. 20 and the base plate 21 and the adhesive layer 22 in the one shown in FIG. 21 are removed and the solder balls 47 are not formed. The semiconductor block 132 made of a material is bonded via the adhesive layer 22. In this case, only a plurality of semiconductor chips 63 are mounted on the upper semiconductor block 132.

また、両半導体ブロック１３１は、例えば図２３に示す場合とほぼ同じフレキシブル配線板１２１を介して互いに接続されている。すなわち、上側の半導体ブロック１３２の第３の上層絶縁膜４５の上面の一端部には複数の接続端子１２５が所定の第２の上層再配線４４Ａの接続パッド部に接続されて形成されている。そして、フレキシブル配線板１２１の一方の接続端子１２３ａは接続端子１２５に図示しない異方性導電接着剤または半田を介して接続されている。   Moreover, both the semiconductor blocks 131 are connected to each other via, for example, the flexible wiring board 121 that is substantially the same as that shown in FIG. That is, a plurality of connection terminals 125 are formed at one end portion of the upper surface of the third upper insulating film 45 of the upper semiconductor block 132 so as to be connected to the connection pad portion of the predetermined second upper layer rewiring 44A. Then, one connection terminal 123a of the flexible wiring board 121 is connected to the connection terminal 125 via an anisotropic conductive adhesive or solder (not shown).

また、下側の半導体ブロック１３１の第３の上層絶縁膜４５の下面の一端部には所定の第２の上層再配線４４Ｂからなる接続端子が設けられている。そして、フレキシブル配線板１２１の他方の接続端子１２３ｂは所定の第２の上層再配線４４Ｂからなる接続端子に異方性導電接着剤（または半田）１３３を介して接続されている。   In addition, a connection terminal including a predetermined second upper layer rewiring 44B is provided at one end of the lower surface of the third upper layer insulating film 45 of the lower semiconductor block 131. The other connection terminal 123b of the flexible wiring board 121 is connected to a connection terminal made of a predetermined second upper layer rewiring 44B via an anisotropic conductive adhesive (or solder) 133.

（第１５実施形態）
図２９はこの発明の第１５実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図２８に示す場合と大きく異なる点は、フレキシブル配線板１２１を長くして下側の半導体ブロック１３１の第３の上層絶縁膜４５の下面に接着層１５１を介して接着したことである。 (Fifteenth embodiment)
FIG. 29 is a sectional view showing a semiconductor device according to the fifteenth embodiment of the present invention. In this semiconductor device, the main difference from the case shown in FIG. 28 is that the flexible wiring board 121 is lengthened and adhered to the lower surface of the third upper insulating film 45 of the lower semiconductor block 131 via the adhesive layer 151. It is.

この場合、半田ボール４７は、接着層１５１、保護膜１２４およびフィルム基板１２２に形成された開口部１５２を介してフィルム基板１２２の外側に突出されている。また、フレキシブル配線板１２１の他方の接続端子１２３ｂは、他方の半導体ブロック１３１の両端部の所定の第２の上層再配線４４Ｂからなる接続端子に、接着層１５１および保護膜１２４に形成された開口部１５３内に配置された半田１５４を介して接続されている。   In this case, the solder ball 47 protrudes outside the film substrate 122 through the adhesive layer 151, the protective film 124, and the opening 152 formed in the film substrate 122. Further, the other connection terminal 123b of the flexible wiring board 121 is an opening formed in the adhesive layer 151 and the protective film 124 in a connection terminal made of a predetermined second upper layer rewiring 44B at both ends of the other semiconductor block 131. They are connected via solder 154 disposed in the portion 153.

この発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図。1 is a cross-sectional view of a semiconductor device as a first embodiment of the present invention. 図１に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初の製造工程の断面図。Sectional drawing of the initial manufacturing process in an example of the manufacturing method of the semiconductor device shown in FIG. 図２に続く製造工程の断面図。Sectional drawing of the manufacturing process following FIG. 図３に続く製造工程の断面図。Sectional drawing of the manufacturing process following FIG. 図４に続く製造工程の断面図。Sectional drawing of the manufacturing process following FIG. 図５に続く製造工程の断面図。Sectional drawing of the manufacturing process following FIG. 図６に続く製造工程の断面図。Sectional drawing of the manufacturing process following FIG. 図７に続く製造工程の断面図。Sectional drawing of the manufacturing process following FIG. 図８に続く製造工程の断面図。Sectional drawing of the manufacturing process following FIG. 図９に続く製造工程の断面図。Sectional drawing of the manufacturing process following FIG. 図１０に続く製造工程の断面図。Sectional drawing of the manufacturing process following FIG. 図１に示す半導体装置の製造方法の他の例において、当初用意したものの断面図。Sectional drawing of what was prepared initially in the other example of the manufacturing method of the semiconductor device shown in FIG. 同他の例において、所定の製造工程の断面図。Sectional drawing of a predetermined manufacturing process in the other example. 図１に示す半導体装置の製造方法のさらに他の例において、所定の製造工程の断面図。Sectional drawing of a predetermined | prescribed manufacturing process in the further another example of the manufacturing method of the semiconductor device shown in FIG. 図１４に続く製造工程の断面図。FIG. 15 is a cross-sectional view of the manufacturing process following FIG. 14. この発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device as 2nd Embodiment of this invention. この発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device as 3rd Embodiment of this invention. この発明の第４実施形態としての半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device as 4th Embodiment of this invention. この発明の第５実施形態としての半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device as 5th Embodiment of this invention. この発明の第６実施形態としての半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device as 6th Embodiment of this invention. この発明の第７実施形態としての半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device as 7th Embodiment of this invention. この発明の第８実施形態としての半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device as 8th Embodiment of this invention. この発明の第９実施形態としての半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device as 9th Embodiment of this invention. この発明の第１０実施形態としての半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device as 10th Embodiment of this invention. この発明の第１１実施形態としての半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device as 11th Embodiment of this invention. この発明の第１２実施形態としての半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device as 12th Embodiment of this invention. この発明の第１３実施形態としての半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device as 13th Embodiment of this invention. この発明の第１４実施形態としての半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device as 14th Embodiment of this invention. この発明の第１５実施形態としての半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device as 15th Embodiment of this invention. 従来の半導体装置の一例の断面図。Sectional drawing of an example of the conventional semiconductor device.

符号の説明Explanation of symbols

２１ ベース板
２２ 接着層
２３ 半導体構成体
２４ シリコン基板
２５ 接続パッド
３１ 下地金属層
３２ 再配線
３３ 柱状電極
３４ 封止膜
３５ 封止膜
３６ 第１の上層絶縁膜
３８ 第１の下地金属層
３９ 第１の上層再配線
４１ 第２の上層絶縁膜
４３ 第２の下地金属層
４４ 第２の上層再配線
４５ 第３の上層絶縁膜
４７ 半田ボール DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 Base board 22 Adhesion layer 23 Semiconductor structure 24 Silicon substrate 25 Connection pad 31 Base metal layer 32 Redistribution 33 Columnar electrode 34 Sealing film 35 Sealing film 36 1st upper layer insulating film 38 1st base metal layer 39 1st 1 upper layer rewiring 41 second upper layer insulating film 43 second underlayer metal layer 44 second upper layer rewiring 45 third upper layer insulating film 47 solder ball

Claims (10)

各々が、半導体基板上に形成された複数の再配線、前記各再配線上に設けられた柱状電極および前記半導体基板上において前記柱状電極間に設けられ、その上面が前記柱状電極の上面と同一平面に位置する封止膜を有する複数の半導体構成体を相互に離間してベース板上に配置する工程と、
前記ベース板上における前記複数の半導体構成体が離間された部分に側面封止膜を設ける工程と、
前記複数の半導体構成体上および前記側面封止膜上に上層絶縁膜を形成する工程と、
前記上層絶縁膜の前記柱状電極の上面中央部に対応する部分に開口部を形成する工程と、
前記開口部を介して露出された前記柱状電極の上面を含む前記上層絶縁膜上に下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層をメッキ電流路として、電解メッキを行って前記下地金属層上に上層金属層を積層し、前記上層絶縁膜の上面に、接続パッド部を有し且ついずれかの前記半導体構成体の対応する前記柱状電極に接続される上層再配線を、少なくともいずれかの前記上層再配線の接続パッド部が前記側面封止膜上に対応する領域の前記上層絶縁膜上に配置されるように形成する工程と、
前記各半導体構成体間における前記上層絶縁膜および前記側面封止膜を切断して少なくともいずれかの前記上層再配線の接続パッド部が前記半導体構成体の周側面を覆う前記上層絶縁膜上に形成された前記半導体構成体を少なくとも１つ有する半導体装置を複数個得る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Each is provided with a plurality of rewirings formed on a semiconductor substrate, columnar electrodes provided on each of the rewirings, and between the columnar electrodes on the semiconductor substrate, and the upper surface thereof is the same as the upper surface of the columnar electrodes Arranging a plurality of semiconductor structures having a sealing film located in a plane on a base plate spaced apart from each other;
Providing a side surface sealing film on a portion of the base plate where the plurality of semiconductor structures are separated;
Forming an upper insulating film on the plurality of semiconductor structures and on the side surface sealing film;
Forming an opening in a portion corresponding to the center of the upper surface of the columnar electrode of the upper insulating film;
Forming a base metal layer on the upper insulating film including the upper surface of the columnar electrode exposed through the opening;
Electrolytic plating is performed using the base metal layer as a plating current path, an upper metal layer is laminated on the base metal layer , a connection pad portion is provided on the upper surface of the upper insulating film, and any one of the semiconductor structures of the upper re-wiring connected to a corresponding said column electrode, so that the connection pad portions of at least one of the upper layer rewiring is disposed on the upper insulating film in a region corresponding to the said side sealing film Forming, and
By cutting the upper insulating film and the side surface sealing film between the semiconductor structures, at least one of the upper layer rewiring connection pad portions is formed on the upper insulating film covering the peripheral side surface of the semiconductor structure. And a step of obtaining a plurality of semiconductor devices each having at least one semiconductor structure. 請求項１に記載の発明において、前記上層絶縁膜および前記側面封止膜を切断する工程は、前記半導体構成体が複数個含まれるように切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。 2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the step of cutting the upper insulating film and the side surface sealing film is performed so as to include a plurality of the semiconductor constituents. 請求項１に記載の発明において、前記上層絶縁膜は複数層であり、その層間に、前記各半導体構成体の柱状電極とそれに対応する前記上層再配線とを接続する複数組の層間再配線を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the first aspect of the present invention, the upper insulating film has a plurality of layers, and a plurality of sets of interlayer rewirings connecting the columnar electrodes of the respective semiconductor constructs and the corresponding upper layer rewirings are provided between the upper insulating films. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the step of forming. 請求項１に記載の発明において、前記上層再配線を含む前記上層絶縁膜の上面において前記上層再配線の接続パッド部を除く部分に最上層絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 2. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of forming an uppermost layer insulating film on a portion of the upper surface of the upper layer insulating film including the upper layer rewiring except a connection pad portion of the upper layer rewiring. Device manufacturing method. 請求項４に記載の発明において、前記上層再配線の接続パッド部上に突起状の接続端子を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。   5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, further comprising a step of forming a protruding connection terminal on the connection pad portion of the upper layer rewiring. 請求項４に記載の発明において、前記最上層絶縁膜上に電子部品を前記上層再配線の接続パッド部に接続させて設ける工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。   5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, further comprising a step of providing an electronic component on the uppermost insulating film so as to be connected to a connection pad portion of the upper layer rewiring. 請求項１に記載の発明において、前記上層絶縁膜および前記側面封止膜を切断する工程は前記上層絶縁膜および前記側面封止膜を切断するとともに前記ベース板を切断し、前記半導体装置としてベース板を備えたものを得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the invention of claim 1, the step of cutting the upper insulating film and the side sealing film cutting the base plate with cutting the upper insulating film and the side sealing film base as said semiconductor device A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: obtaining a substrate. 請求項７に記載の発明において、切断前の前記ベース板下に別のベース板を配置し、前記ベース板を切断した後に、前記別のベース板を取り除く工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。   8. The semiconductor device according to claim 7, further comprising a step of disposing another base plate under the base plate before cutting, and removing the another base plate after cutting the base plate. Manufacturing method. 請求項１に記載の発明において、前記各半導体構成体間における前記上層絶縁膜および前記側面封止膜を切断する工程の前に、前記ベース板を取り除く工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 2. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of removing the base plate before the step of cutting the upper insulating film and the side surface sealing film between the semiconductor structures. Production method. 請求項９に記載の発明において、前記ベース板を取り除く工程に引き続き、前記半導体基板を薄くする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。   10. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 9, further comprising a step of thinning the semiconductor substrate subsequent to the step of removing the base plate.
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