JP4293113B2 - 炭酸ガスレーザ装置 - Google Patents
炭酸ガスレーザ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4293113B2 JP4293113B2 JP2004324588A JP2004324588A JP4293113B2 JP 4293113 B2 JP4293113 B2 JP 4293113B2 JP 2004324588 A JP2004324588 A JP 2004324588A JP 2004324588 A JP2004324588 A JP 2004324588A JP 4293113 B2 JP4293113 B2 JP 4293113B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon dioxide
- discharge
- reflection mirror
- laser device
- optical component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 110
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 title claims description 55
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 title claims description 53
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 40
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 21
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 7
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 6
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 230000008859 change Effects 0.000 description 32
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002042 time-of-flight secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000007516 diamond turning Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- -1 that is Chemical compound 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Lasers (AREA)
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係わる炭酸ガスレーザ装置を示す構成図である。図1において、真空容器1の内部に充填されているレーザ媒質2のエネルギーを励起してレーザ光3を生成するための放電電極4が配設されている。放電電極4が生成したレーザ光3の光軸上に全反射鏡5、部分反射鏡6が配設されている。部分反射鏡の6の構造については後述する。尚、図1に示した構成は、レーザ光3と、放電が発生する方向と、レーザ媒質2が放電電極4の電極間を通過する方向とが、それぞれ垂直に交わるため、3軸直交型と呼ばれる。
同様に、部分反射鏡6は、ブロック12、ブロック13、ブロック14によって固定されるとともに、部分反射鏡6の外径部分とブロック13の内径部分とをOリング15によってシールし、部分反射鏡6の外側面とブロック14の真空容器側面との間をOリング16よってシールすることで、真空容器1の内部の気密性を保ち、外部から空気が流入しないよう構成している。
尚、全反射鏡5の真空容器1側面とブロック7の外側面との当接面同士、及び部分反射鏡6の真空容器1側面とブロック12の外側面との当接面同士は、それぞれ0.5μm程度の平面度を有する超精密加工が施されているので、外気と遮断する機能を有している。
熱交換器18の内部に冷却水を循環させてレーザ媒質2を冷却する冷却装置41が配設されている。尚、図示していないが、この冷却装置41は全反射鏡5及び部分反射鏡6を効果的に冷却するために全反射鏡5と当接しているブロック8や部分反射鏡6と当接しているブロック13の内部に冷却水を循環させる構造を採用することも出来る。
一般に、炭酸ガスレーザ装置の使用によって、部分反射鏡6の表面に付着物が付着するが、これはたとえば真空容器内部に存在する有機材料、組立て時に生じるごみ、手の油等が付着したものである。そしてその付着物は、炭酸ガスのレーザ光3の部分反射鏡6としての光吸収率を上昇させ、レーザ光3を出力する際に部分反射鏡6に熱を発生させ、部分反射鏡6の内部に温度差が生じることで屈折率の変化を生じさせ、熱レンズといわれるビーム特性変化を発生させる。
ビームの特性変化を小さくしようとした場合、真空容器1内に存在するゴミ等を少なくする手法が一般的である。そしてそのゴミ等を除去すべく、図示しないが、光触媒やサイクロン式の採用によって真空容器1内のゴミ除去を行うことができる。しかし、それでも経時変化によって部分反射鏡6の光吸収率が増加し、それによる屈折率の変化が生じてビームの特性変化が生じてしまうという問題があった。
炭酸ガスをレーザ媒質とした赤外線領域のレーザ光3の光学部品の材料としては、一般にZnSe(セレン化亜鉛)が使用されている。
また、炭酸ガスレーザ装置のレーザ媒質にはCO2が利用されるが、CO2は放電によりCO2→CO+1/2・O 2(式1)という化学変化により活性酸素が生成される。
部分反射鏡6の材料であるZnSeに紫外線が照射されると、活性酸素と結びついて、ZnSe+O2+e→Zn++SeO2(式2)という化学変化をして、酸化セレンが生じることが明らかになった。
図2は、本発明の実施の形態1に係わる炭酸ガスレーザ装置の放電により発光された光のスペクトル図である。縦軸はその出力、横軸は波長を示している。380nm未満の波長領域が紫外線となるが、スペクトル図には紫外線の波長領域の光エネルギーが検出されていることが示されている。
つまり、真空容器1内のゴミ等をいくら排除してもレーザ媒質2と部分反射鏡6の材質自体で化学変化が生じ、それによって部分反射鏡6に膜が形成させることになる。
図4は、部分反射鏡6が酸化セレン膜に皮膜される前後のレーザ光のビーム形状の変化を示す図である。
放電電極4の電極間の電位差に起因した放電によって、レーザ媒質2が光を放出する際に同時に紫外線が放出してセレン化亜鉛を材料とする部分反射鏡に到達する。すると式2の反応によって放電面側表面に酸化セレンが生成される。すると、酸化セレンとセレン化亜鉛の光の吸収率の差から部分反射鏡6の放電面側で光のエネルギー密度の大きい中心付近の温度が特に上昇し、それによってレーザ光3のビーム特性が変化し、初期には
実線で示されていたものが、酸化セレン膜に皮膜されると一点破線に示された形状となる。
図6は、本発明の実施の形態2に係わる炭酸ガスレーザ装置を示す構成図である。尚、表示していない部分については実施の形態1と同じであり、図6中、図1と同一符号は同一又は相当部分を示す。
ブロック26の内部には、円筒状の空洞部が構成され、その中に、ブロック26と真空容器1に対向した面とが密着する透過型光学部品27、透過型光学部品27の真空容器1に対向した面と接触して真空容器1に充填されたレーザ媒質1の漏れを防ぐOリング28、Oリング29を挟んで透過型光学部品27を固定するリングネジ30が構成されている。
ブロック26と透過型光学部品27との互いの接触面は超平面加工(例えば、ダイヤモンドターニング加工)が実施され、固定された状態でも光学部品にひずみが生じないよう配慮されている。ブロック26の透過型光学部品27より大気側は雌ネジが切ってあり、リングネジ30が螺合するように構成されている。リングネジ30は回転することで、透過型光学部品27との距離を縮めることができる。リングネジ30と透過型光学部品27との間にはOリング29が配設され、リングネジ30を締め付けたときのクッションとして、また線膨張や機械歪からのクッションとして使用されている。ブロック26の中央部はレーザ光3が通過するよう、ブロック26、リングネジ30の中央部は、レーザ光3が通過する円形の空洞が存在する。
図7(a)は、本発明の実施の形態3に係わる炭酸ガスレーザ装置を示す構成を示している。実施の形態2と相違する点は、ブロック26と、ブロック13との間にブロック32は配設されている。ブロック32は、ガスとしてオゾンガス31を流入させる入口部32aと流出させる出口部32bとを有し、出口部32bと接続し、オゾンガス31を運ぶ配管33、配管33と接続してオゾンガス31を循環させるために圧力を与えるポンプ34、ポンプ34と、配管35を経由して接続され、オゾンを生成する生成機36、生成機と接続され入口部32aと接続された配管37が構成として追加されている。
図8は、本発明の実施の形態4に係わる炭酸ガスレーザ装置を示す構成図である。尚、表示していない部分については実施の形態1〜3と同じであり、図7中、図1、図6、図7と同一符号は同一又は相当部分を示す。
実施の形態1〜4では部分反射鏡6に独自のコーティングの膜を施して、酸化を防止することで、部分反射鏡6における光の吸収率変化を抑制する方法を述べた。しかし、ZnSe+O2+e→Zn++SeO2(式2)という化学反応は、紫外線と活性酸素が結びついて、酸化を発生させるには酸素と結びつく元素、すなわちセレンが最表面に存在していなければならない。
Claims (6)
- 真空容器の内部に設けられた一対の放電電極と、前記真空容器の内部を循環する炭酸ガスを含むレーザ媒質と、前記レーザ媒質と外気とを隔てるように設けられ、前記一対の放電電極の放電エネルギーによって励起された前記レーザ媒質が放出した赤外線を反射及び通過をさせるとともに、前記放電電極側のセレン化亜鉛で構成された面が酸化防止コーティング膜によって覆われた部分反射鏡を備えたことを特徴とする炭酸ガスレーザ装置。
- 真空容器の内部に設けられた一対の放電電極と、
前記真空容器の内部を循環する炭酸ガスを含むレーザ媒質と、
前記一対の放電電極の放電エネルギーによって励起された前記レーザ媒質が放出した紫外線を吸収する紫外線吸収媒体と前記レーザ媒質とを隔てるように設けられ、前記一対の放電電極の放電エネルギーによって励起された前記レーザ媒質が放出した赤外線を通過させる透過型光学部品と、
前記紫外線吸収媒体と外気とを隔てるように前記透過型光学部品に対向して設けられ、前記透過型光学部品を通過した前記赤外線を反射及び通過をさせるとともに、前記透過型光学部品側のセレン化亜鉛で構成された面が酸化防止コーティング膜によって覆われた部分反射鏡と
を備えたことを特徴とする炭酸ガスレーザ装置。 - 前記酸化防止コーティング膜は、ダイヤモンドコーティングまたはダイヤモンドライクカーボンから成ることを特徴とする請求項1または2に記載の炭酸ガスレーザ装置。
- 前記酸化防止コーティング膜は、前記セレン化亜鉛で構成された面に予め生成された酸化セレン膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の炭酸ガスレーザ装置。
- 前記酸化セレン膜は、酸素雰囲気中で60℃以上の高温に加熱し、前記放電電極側のセレン化亜鉛で構成された面に紫外線を照射することによって生成されたものであることを特徴とする請求項4に記載の炭酸ガスレーザ装置。
- 前記透過型光学部品の素材はダイヤモンドであることを特徴とする請求項1または2に記載の炭酸ガスレーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004324588A JP4293113B2 (ja) | 2004-11-09 | 2004-11-09 | 炭酸ガスレーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004324588A JP4293113B2 (ja) | 2004-11-09 | 2004-11-09 | 炭酸ガスレーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006135205A JP2006135205A (ja) | 2006-05-25 |
JP4293113B2 true JP4293113B2 (ja) | 2009-07-08 |
Family
ID=36728462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004324588A Active JP4293113B2 (ja) | 2004-11-09 | 2004-11-09 | 炭酸ガスレーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4293113B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4256432B2 (ja) | 2007-04-26 | 2009-04-22 | ファナック株式会社 | レーザ装置 |
JP5257287B2 (ja) * | 2009-07-27 | 2013-08-07 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置 |
JP5419739B2 (ja) * | 2010-02-03 | 2014-02-19 | 三菱電機株式会社 | ガスレーザ装置 |
-
2004
- 2004-11-09 JP JP2004324588A patent/JP4293113B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006135205A (ja) | 2006-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10887973B2 (en) | High brightness laser-produced plasma light source | |
US5510158A (en) | Process for oxidation of an article | |
JP5270820B2 (ja) | 長寿命エキシマーレーザ光学素子 | |
US20180172240A1 (en) | Plasma Cell for Providing VUV Filtering in a Laser-Sustained Plasma Light Source | |
JP5033126B2 (ja) | 照射ユニット内の光学表面の洗浄化処理および後処理の方法 | |
KR101790074B1 (ko) | 방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
KR20210097130A (ko) | 물-종결형 광학기기를 갖는 웨이퍼 검사 시스템 | |
KR20010053391A (ko) | 마이크로리소그래피-투사 조명 장치의 세정방법 | |
EP2335118B1 (en) | Protection module for euv lithography apparatus, and euv lithography apparatus | |
US10916356B2 (en) | Reflective optical element | |
US20150028231A1 (en) | Laser apparatus | |
US20090224179A1 (en) | Connection device | |
JP4293113B2 (ja) | 炭酸ガスレーザ装置 | |
JP5448402B2 (ja) | ガスフロー式spfを備えた極端紫外光源装置 | |
US8980533B2 (en) | Supply apparatus which supplies radicals, lithography apparatus, and method of manufacturing article | |
KR100423716B1 (ko) | 레이저발진기 | |
US9778574B2 (en) | Apparatus, a device and a device manufacturing method | |
CN104428654A (zh) | 自清洁光学系统 | |
JP3734043B2 (ja) | 露光装置 | |
WO2023042543A1 (ja) | レーザ加工装置 | |
JPH1110101A (ja) | 光洗浄装置 | |
US20230108886A1 (en) | Gas laser apparatus and electronic device manufacturing method | |
US20240035163A1 (en) | Method and apparatus for deposition of at least one layer, optical element and optical arrangement | |
WO2023241885A1 (en) | Viewport assembly for an extreme ultraviolet light source | |
WO2020194572A1 (ja) | ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090317 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090330 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4293113 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130417 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130417 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140417 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |