JP4283366B2 - Plasma processing equipment - Google Patents

Plasma processing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP4283366B2
JP4283366B2 JP05261899A JP5261899A JP4283366B2 JP 4283366 B2 JP4283366 B2 JP 4283366B2 JP 05261899 A JP05261899 A JP 05261899A JP 5261899 A JP5261899 A JP 5261899A JP 4283366 B2 JP4283366 B2 JP 4283366B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
deposition
gas
substrate stage
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP05261899A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2000252261A (en
Inventor
米一 小河原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Canon Anelva Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Anelva Corp filed Critical Canon Anelva Corp
Priority to JP05261899A priority Critical patent/JP4283366B2/en
Publication of JP2000252261A publication Critical patent/JP2000252261A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4283366B2 publication Critical patent/JP4283366B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、プラズマによって基板の表面に所定の処理を施すプラズマ処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
プラズマによって基板の表面に所定の処理を施すことは、DRAM(Dynamic Random Access Memory)をはじめとする各種半導体デバイスや液晶ディスプレイ等の製造において盛んに行われている。例えば、基板の表面に微細な回路を形成する場合には、レジストパターンをマスクとしたエッチング工程において、プラズマによって基板をエッチングするプラズマエッチングが行われている。また、各種導電膜や絶縁膜の作成においては、プラズマ中での気相反応を利用したプラズマCVD(化学蒸着)の手法が実用化されている。
【0003】
図9は、従来のプラズマ処理装置の一例としてのプラズマエッチング装置の概略構成を示す正面図である。図9に示す装置は、排気系11を備えた処理チャンバー1と、処理チャンバー1内にプロセスガスを導入するプロセスガス導入系12と、導入されたプロセスガスにエネルギーを与えて処理チャンバー内にプラズマを形成するプラズマ形成手段と、プラズマによって処理される位置に基板を保持する基板ステージ2とを備えている。
【0004】
図9に示す装置では、高周波放電によってプラズマを形成するようになっている。即ち、プラズマ形成手段は、処理チャンバー1内に高周波電界を設定する高周波電源44によって構成されている。基板ステージ2は高周波放電のための下部電極4をその一部として備えており、下部電極4に高周波電源44が接続されている。
【0005】
また、下部電極4の上方には、上部電極5が設けられている。上部電極5は、処理チャンバー1とともに接地されている。上部電極5と下部電極4とは、一対の平行平板電極のように平行に対向している。
上部電極5は、処理チャンバー1内へのプロセスガスの供給経路にも兼用されている。即ち、上部電極5は、中空状であり、下面にガス吹き出し孔51を多数有する。プロセスガス導入系12の配管は上部電極5に接続されており、プロセスガスは、上部電極5の内部空間に一旦供給された後、ガス吹き出し孔51から吹き出して下方の放電空間に導入されるようになっている。
【0006】
基板ステージ2は、上面に基板9を載置して保持するようになっている。基板ステージ2は、基板9の温度を制御するための基板温度制御機構3を備えている。基板温度制御機構3は、基板ステージ2内に形成された空洞41に温媒を流通させるものであり、空洞41につながる温媒流入口42に接続された温媒供給管32と、空洞41につながる温媒流出口43に接続された温媒排出管33と、温媒供給管32と温媒排出管33との間に設けられたサーキュレータ31等から構成されている。
また、上記基板温度制御機構3による温度制御の精度を高めるため、基板9を静電気によって基板ステージ2に吸着する静電吸着機構45が設けられている。静電吸着機構45は、基板ステージ2の一部として上部に設けられた誘電体ブロック21内に埋設された吸着電極451と、吸着電極451に直流電圧を印加する吸着電源452とから主に構成されている。尚、基板ステージ2の周囲は、絶縁ブロック24で覆われている。
【0007】
図9に示す装置では、基板ステージ2上に基板9が載置されると、静電吸着機構45が動作して基板9が基板ステージ2に静電吸着される。その後、プロセスガス導入系12が動作してプロセスガスが所定の流量で導入され、この状態でプラズマ形成手段が動作する。即ち、高周波電源44が動作してプロセスガスに高周波放電が生じ、プラズマが形成される。このプラズマの作用によって、基板9の表面に所定の処理が施される。
例えばフッ化炭素系ガスを導入してプラズマを形成し、プラズマ中で生成されるフッ化炭素ラジカルやフッ素ラジカル等との反応を利用して基板9の表面をエッチングする。この際、プラズマと基板9との間に電界を設定してプラズマ中のイオンを基板9に入射させるリアクティブイオンビームエッチング(RIE)を行うと、異方性エッチングが行えるため好適である。
【0008】
具体的には、基板9に高周波電圧を与えて高周波とプラズマとの相互作用により基板9に負の自己バイアス電位を与える。この負の自己バイアス電位により基板9に垂直な電界が設定され、プラズマ中のイオンが垂直に入射する。そして、イオン入射によるエネルギーがラジカルのエッチング反応に作用し、イオンが入射した部分にのみ効率的にエッチングが行われる。この結果、レジストパターンの開口から垂直にエッチングが進行し、サイドエッチ等の問題のないエッチングが行われる。
【0009】
尚、基板ステージ2の基板保持面の周囲には、保護リング23が設けられている。保護リング23は、基板ステージ2の表面をプラズマから保護するためのものである。基板ステージ2の基板9によって覆われない表面部分は、処理の際にプラズマに晒される恐れがある。プラズマに晒されると、プラズマ中の活性種等の作用により表面がエッチングされ、基板ステージ2の材料のパーティクルが処理チャンバー1内に放出される。基板ステージ2の材料はステンレス等であり、基板9とは異なることが多い。従って、パーティクルが基板9の表面に付着すると、表面を汚損し、回路欠陥等を生じさせる場合がある。
そこで、プラズマに晒される恐れのある基板ステージ2の表面部分を覆うようにして、保護リング23が設けられている。保護リング23は、基板9と同様のシリコン等の材料であり、エッチングされても問題が無いようになっている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来のプラズマ処理装置では、基板ステージ2の表面や基板ステージ2の基板保持面の側方に存在する部材の表面に生成物が堆積する問題があった。この問題について、図10を使用して説明する。図10は、図9に示す従来のプラズマ処理装置の問題点を説明した図であり、図9に示す基板ステージ2の周辺部分を拡大した図である。
【0011】
前述したプラズマ処理装置の一例としてのプラズマエッチング装置では、エッチングの競合現象として生成物の堆積が生じている。例えば上述したようにフッ化炭素系ガスを導入してエッチングを行う場合、フッ素及び炭素から構成されている重合膜が生成物として堆積する。この場合、基板の表面等では堆積速度よりエッチング速度の方が遙かに高いため、このような膜が実際に堆積することはない。
【0012】
しかしながら、図10(1)に示すように、基板ステージ2の一部として設けられた誘電体ブロック21の側面には、生成物10が実際に堆積する。この理由は、図9に示す装置はRIEを行う装置であることに関係している。即ち、前述した通り、RIEでは、イオン入射のエネルギーを利用してエッチングを行う。従って、イオンが入射しないところでは、活性種が存在していてもエッチングが十分に進行しない。
図10(1)に示すように、誘電体ブロック21の上面(基板保持面)は基板9よりも少し小さく、従って、誘電体ブロック21の側面へのイオン入射は基板9によって遮蔽された状態となる。このため、誘電体ブロック21側面にはイオンが十分に入射せず、エッチングが十分に進行しない。この結果、堆積現象のみが専ら進行し、生成物10が堆積する。
堆積した生成物10は、内部応力等が原因で剥離する場合がある。剥離した生成物10は、パーティクルとなり、処理チャンバー1内を浮遊する。このパーティクルが基板9の表面に付着すると、回路の断線等の致命的な欠陥を発生させる場合がある。
【0013】
また、堆積した生成物10が基板9の搬入又は搬出の際などに飛散し、図10(2)に示すように基板保持面に付着することがある。基板保持面に生成物10が付着した状態で基板9が載置されると、基板ホルダー2と基板9との接触性が悪くなって基板温度制御機構3による温度制御の再現性が十分に得られなくなる。また、局所的に熱接触性の悪い部分ができるため、基板9の温度が不均一になり、プラズマ処理の均一性も悪くなる。さらに、プラズマに対する基板9の姿勢も変化するため、自己バイアス電位の与えられ方も不均一になり、この点もプラズマ処理の再現性や均一性を悪くする原因になる。
【0014】
このような生成物10の堆積は、上述したプラズマエッチング装置に限らず、他のプラズマ処理装置でも一般的に見られる現象である。例えば、プラズマ化学蒸着(CVD)装置では、もともと膜堆積用の装置であるため、基板の表面以外の不必要な場所への膜堆積が見られるし、アッシング(レジスト除去)装置などでも、除去したレジストの残査が生成物として堆積する現象が見られる。
本願の発明は、このようなプラズマ処理装置における生成物の堆積の問題を解決するために成されたものであり、生成物の堆積を抑制することで、パーティクルの発生や処理の再現性低下等の問題を未然に防ぐ技術的意義を有する。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の請求項1記載の発明は、排気系を備えた処理チャンバーと、処理チャンバー内にプロセスガスを導入するプロセスガス導入系と、導入されたプロセスガスにエネルギーを与えて処理チャンバー内にプラズマを形成するプラズマ形成手段と、プラズマによって処理される位置に基板を保持する基板ステージとを備えたプラズマ処理装置であって、前記基板ステージの表面又は基板ステージの基板保持面の側方に設けられた部材の表面に生成物が堆積するのを抑制するための堆積抑制用ガスを供給する堆積抑制用ガス供給系が設けられており、
堆積抑制用ガス供給系は、堆積抑制用ガスを基板ステージと基板との間を経由して基板ステージの側方に流出させるものであり、
基板ステージの基板保持面は、保持された基板に接触する突起と、基板に接触しない突起とを有する凹凸状に形成されており、基板に接触しない突起は、基板保持面の周縁に沿って延びる円周状の突起であり、基板に接触する突起は、この円周状の突起の内側に形成されているという構成を有する。
上記課題を解決するため、本願の請求項記載の発明は、上記請求項の構成において、前記基板に接触する突起は、均等間隔で設けられた複数の突起であるという構成を有する。
上記課題を解決するため、本願の請求項記載の発明は、上記請求項1又は2の構成において、基板を静電気によって基板ステージに吸着する静電吸着機構が設けられており、前記基板に接触する突起の基板に接触する面の全面積は、基板の裏面の面積の5%以上10%以下であるという構成を有する。
上記課題を解決するため、本願の請求項記載の発明は、上記請求項1乃至3いずれかの構成において、前記生成物は、処理チャンバー内に導入されたガスの反応により生成し堆積するものであり、前記堆積抑制用ガスは、プリカーサ濃度を低下させるものであるという構成を有する。
上記課題を解決するため、本願の請求項記載の発明は、上記請求項1乃至4いずれかの構成において、前記基板ステージは、当該基板ステージを所定の温度に維持して前記基板の温度を制御する基板温度制御機構を備えており、前記基板ステージと前記基板との間で熱を伝える熱伝達用のガスを前記基板ステージと前記基板との間に供給する熱伝達用ガス供給系が設けられており、この熱伝達用ガス供給系は、前記堆積抑制用ガス供給系が兼用されているという構成を有する。
上記課題を解決するため、本願の請求項記載の発明は、上記請求項1乃至5いずれかの構成において、前記基板ステージ内には当該基板ステージの側方に前記堆積抑制用ガスを導く側面用ガス供給路が設けられており、前記堆積抑制用ガス供給系は、前記基板ステージと基板との間を経由することに加えて、この側面用ガス供給路を経由させて基板ステージの側面から堆積抑制用ガスを供給するものであるという構成を有する。
上記課題を解決するため、本願の請求項記載の発明は、上記請求項1乃至6いずれかの構成において、前記堆積抑制用ガス供給系は、供給する堆積抑制用ガスの流量を調整する流量調整器を備えており、この流量調整器は、堆積抑制用ガスの流量を10cc/分以上50cc/分以下の流量とするものであるという構成を有する。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態について説明する。図1は、本願発明の第一の実施の形態のプラズマ処理装置の構成を示した断面概略図である。以下の説明では、従来の技術の説明と同様、プラズマ処理装置の一例としてプラズマエッチング装置を採り上げて説明する。
【0017】
図1に示すプラズマ処理装置は、図9に示す従来の装置と同様に、排気系11を備えた処理チャンバー1と、処理チャンバー1内にプロセスガスを導入するプロセスガス導入系12と、導入されたプロセスガスにエネルギーを与えて処理チャンバー1内にプラズマを形成するプラズマ形成手段と、プラズマによって処理される位置に基板9を保持する基板ステージ2とを備えている。
【0018】
処理チャンバー1は、不図示のゲートバルブを備えた気密な容器で、電気的には接地されている。そして、処理チャンバー1は排気系11により10-6〜10-7Torr程度に排気されるよう構成されている。排気系11は、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプを備え、不図示の排気速度調整器が設けられている。
プロセスガス導入系12は、プラズマ処理に必要なプロセスガスを所定の流量で導入できるようになっている。本実施形態の装置は、従来と同様にプラズマエッチングを行うようになっており、プロセスガスとしてフッ化炭素系ガスを導入するようになっている。具体的には、プロセスガス導入系12は、四フッ化炭素等のプロセスガスを溜めたガスボンベ121と、処理チャンバー1とガスボンベ121を繋ぐ配管122と、配管122に設けられたバルブ123や流量調整器124とから主に構成されている。
【0019】
基板ステージ2は、処理チャンバー1内のプラズマに晒される位置に基板9を保持する台状の部材であり、その上面に基板9を保持するようになっている。基板ステージ2は、基板9が直接保持される部材である誘電体ブロック21と、誘電体ブロック21を載せた下部電極4とから構成されている。
【0020】
基板ステージ2の上方には、従来の装置と同様に上部電極5が設けられている。本実施形態では、上部電極5は、絶縁材53を介して処理チャンバー1内に設けられている。上部電極5と下部電極4とは、一対の平行平板電極のように平行に対向している。
上部電極5は、処理チャンバー1内へのプロセスガスの供給経路にも兼用されている。即ち、上部電極5は、中空状であり、下面にガス吹き出し孔51を多数有する。プロセスガス導入系12の配管122は上部電極5に接続されており、プロセスガスは、上部電極5の内部空間に一旦供給された後、ガス吹き出し孔51から吹き出して下方の放電空間に導入されるようになっている。
【0021】
プラズマ形成手段には、プロセスガス導入系12より処理チャンバー1内に導入されたプロセスガスに高周波電力を印加して、高周波放電によりプラズマを形成するものが採用されている。具体的には、プラズマ形成手段は、上述した上部電極5に接続されたプラズマ用高周波電源52により構成されている。プラズマ用高周波電源52は、周波数13.56MHzで、出力が最大で2500W程度のものである。上部電極5とプラズマ用高周波電源52との間には不図示の整合器が設けられている。
【0022】
また、本実施形態の装置では、プラズマからイオンを引き出して基板9に垂直に入射させるよう基板9に対して垂直な電界を設定する電界設定手段が設けられている。電界設定手段としては、高周波電力とプラズマとの相互作用により基板9に負の自己バイアス電位を与えるものが採用される。具体的には、電界設定手段は、下部電極4に接続された高周波電源44により構成されている。自己バイアス電位を与えるものとして、基板9と高周波電源44との間に適当なキャパシタンスが必要である。本実施形態では、上述した誘電体ブロック21がこのキャパシタンスを与えている。
【0023】
高周波電源44によって下部電極4に高周波電圧を印加すると、このキャパシタンスの充放電にプラズマ中の電子とイオンが作用し、電子とイオンの移動度の違いによって基板9に負の自己バイアス電位が生じる。プラズマの空間電位は殆ど0Vであるため、プラズマと基板9との間に基板9にむかって徐々に電位が下がる電界が設定される。プラズマ中の正イオンはこの電界によって基板9に垂直に入射する。
また、従来の装置と同様に、上述した上部電極5にプラズマ用高周波電源52を設けずに、この高周波電源44によってプラズマを形成する場合もある。
【0024】
基板ステージ2は、従来の装置と同様に基板温度制御機構3を備えている。本実施形態では、室温より低い温媒を基板ステージ2内に流通させて基板ステージ2を介して基板9を冷却するようになっている。この温媒としては、水よりも融点の低い液体、例えば、住友3M社製FX−300やアウジモント社製ガルテンHT等が用いられる。この温媒を−20〜30℃程度の範囲の所定の温度に保つことにより、基板9は70〜120℃程度の範囲の所定の温度に冷却維持される。
【0025】
また、本実施形態では、従来の装置と同様に、基板9を静電気によって基板ステージ2に吸着する静電吸着機構45が設けられている。尚、基板ステージ2の周囲は、絶縁ブロック24で覆われている。絶縁ブロック24は、プラズマにより基板ステージ2が損傷するのを防ぐためのものであり、セラミック、ポリテトラフルオロエチレン(テフロン)等のフッ素樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性の絶縁体で形成されている。
【0026】
さて、本実施形態の大きな特徴点は、基板ステージ2の表面又は基板ステージ2の基板保持面の側方に設けられた部材の表面に生成物が堆積するのを防ぐための堆積抑制用ガスを供給する堆積抑制用ガス供給系25が設けられている点である。本実施形態の装置では、基板ステージ2の一部として設けた誘電体ブロック21の表面や保護リング23の内側面に生成物が堆積する恐れがあり、これらの面が「基板ステージの表面又は基板ステージの基板保持面の側方に設けられた部材の表面」(以下、堆積面と称す)に相当している。
【0027】
堆積抑制用ガス供給系25は、基板ステージ2内及び基板ステージ2と基板9との間の空間を経由して基板ステージ2の側方に堆積抑制用ガスを供給するようになっている。具体的には、堆積抑制用ガス供給系25は、堆積抑制用のガスを溜めたガスボンベ251と、ガスボンベ251と基板ステージ2を繋ぐ配管252と、配管252上に設けられたバルブ253や流量調整器254とから主に構成されている。
【0028】
基板ステージ2内には、基板ステージ2の上側の空間である基板ステージ2と基板9との間の空間に堆積抑制用ガスを供給するガス供給路255(以下、上側用ガス供給路)が形成されている。上側用ガス供給路255は、基板ステージ2の中心を垂直に貫くように設けられている。そして、この上側用ガス供給路255の下端開口に堆積抑制用ガス供給系25の配管252が気密に接続されており、堆積抑制用ガスがこの上側用ガス供給路255を経由して基板ステージ2と基板9との間に供給されるようになっている。
【0029】
本実施形態では、上記基板ステージ2と基板9との間に供給された堆積抑制用ガスが効率よく基板ステージ2の側方に流出するよう、基板保持面の形状に工夫を加えている。この点について、図1及び図2を使用して説明する。図2は、基板保持面の形状を説明する平面概略図である。
【0030】
基板ステージ2の基板保持面は、図1及び図2から分かるように、複雑な凹凸を成した面となっている。具体的には、図2に示すように、基板保持面の周縁に沿って延びるようにして周状突起29が設けられている。周状突起29は、幅が1.5mm程度の円周状である。また、周状突起29の内側には、複数の小突起28が設けられている。小突起28は、直径3mm程度の円柱状であり、約5mm程度の均等間隔で設けられている。尚、上側ガス供給路255の上端開口は、基板保持面の中央に位置している。
【0031】
周状突起29の高さは、小突起28のより少し低くなっている。このため、基板9が基板ステージ2に保持された際、小突起28の上端面は基板9の裏面に接触するものの、周状突起29の上端面は、基板9の裏面には接触しないようになっている。例えば、小突起28の高さは10μm程度、周状突起29の高さは5μm程度である。
堆積抑制用ガス供給系25によって基板ステージ2に供給された堆積抑制用ガスは、基板ステージ2内の上側用ガス供給路255を通って流れ、上端開口から基板9と基板ステージ2との間の空間に流出する。流出した堆積抑制用ガスは、小突起28の間をすり抜けるようにして流れ、周状突起29と基板9との間の隙間を通って基板ステージ2の側方に流出するようになっている。
【0032】
基板保持面が上述したような小突起28及び周状突起29からなる凹凸面でなく、通常の平坦面である場合でも、堆積抑制用ガスを流すことは可能である。というのは、鏡面加工等の特殊な処理を施さない限り、微視的には凹凸があって微小な隙間が形成されているから、上側用ガス供給路255を通して基板9と基板ステージ2との間に堆積抑制用ガスを供給すると、堆積抑制用ガスは微小な隙間を通って流れ、基板ステージ2の側方に流出させることができる。しかしながら、この場合、隙間が小さいためにコンダクタンスが小さく、小さい流量でしか堆積抑制用ガスを流せない。流量を多くしようとすると、圧力で基板9が基板ステージ2から浮いてしまう。
一方、本実施形態では、前述したように、小突起28及び周状突起29からなる相当程度大きな凹凸が基板保持面に形成されているので、堆積抑制用ガスのコンダクタンスが十分大きくなっている。このため、必要な流量で堆積抑制用ガスを流しても基板9が浮いてしまうことがない。
【0033】
尚、基板ステージ2上で処理された基板9は、吸着電源452の動作が停止された後、不図示の搬送ロボットのアームにより基板ステージ2から持ち上げられる。この場合、小突起28の基板9の裏面と接触する上端面の面積が基板9の裏面の面積の10%を超えると、小突起28の上端面上の残留電荷の影響が大きくなり、残留吸着力によって基板9が上手く持ち上げられない問題が生じる恐れがある。
【0034】
逆に、小突起28の上端面の全面積を小さくすると、コンダクタンスが大きくなって堆積抑制用ガスの流量を大きくできるが、基板9の静電吸着が十分でなくなる恐れがある。十分な静電吸着力を確保するには、小突起28の上端面の全面積が基板9の裏面の面積の5%を下回らないようにすることが好ましい。結局、十分な静電吸着力を確保しつつ十分な流量で堆積抑制用ガスを流すには、小突起28の上端面の全面積を基板9の裏面の面積の5〜10%程度にすることが好ましい。
【0035】
次に、上記堆積抑制用ガスの流出によって生成物10の堆積が抑制される状況について図3を用いて説明する。図3は、堆積抑制用ガスが生成物の堆積を抑制する状況について説明した断面概略部分図である。
前述したように、プラズマ処理装置では、生成物が特定の反応によって生成され、堆積面に堆積する。生成物は、最終的には堆積面での表面反応によって生成される場合が多い。この場合、最終的な生成物の前の段階の物質(プリカーサ)が、堆積面を臨む空間(以下、堆積空間)に飛来してきている。本実施形態の装置では、基板保持面からはみ出した基板9の周辺部と、保護リング23と、基板ステージ2とで囲まれた空間にプリカーサが飛来してきている。このプリカーサが堆積面に達し、堆積面での最終的な表面反応を経て生成物を堆積させる。
【0036】
ここで、上述したように基板ステージ2の側方に流出する堆積抑制用ガスは、堆積空間に供給され、この空間に飛来してきているプリカーサと混じり合う。この結果、堆積空間におけるプリカーサの濃度が低下し、プリカーサが堆積面に達して表面反応により生成物に変化する確率が減少する。また、基板ステージ2の側方に流出する堆積抑制用ガスは、堆積空間を経由して拡散し、最終的には排気系11によって排気される。この際、堆積抑制用ガスの分子は、堆積空間に飛来するプリカーサに衝突して押し返し、プリカーサが堆積面に到達するのを妨害することがある。このような物理的な作用によっても、堆積面での生成物の堆積が抑制される。
【0037】
また、本実施形態の装置では、基板保持面の周状突起29と基板9との間を通り基板9の裏面に沿って流れる堆積抑制用ガスの流れが存在する。この堆積抑制用ガスの流れは、基板9の周辺部の裏面や周状突起29の上端面に向かって飛来するプリカーサを押し返す作用がある。また、万が一、基板9の裏面や周状突起29の上端面に生成物が堆積しても、堆積抑制用ガスの流れによって容易に剥離する。このため、従来見られたような基板保持面への生成物の堆積によって基板9が持ち上がってしまうことがさらに効果的に防止されている。
【0038】
尚、生成物の堆積が抑制されるとはいっても、堆積面へのプリカーサの到達を完全にゼロにすることができないから、非常に低い堆積速度で生成物が堆積する。従って、非常に多くのプラズマ処理を繰り返すうちに、図3に示すように、生成物10が堆積することが避けられない。しかしながら、生成物10は、図3に示すように、基板ステージ2の基板保持面の周縁の高さよりも低い空間で堆積するのにとどまる。これは、前述した通り、基板ステージ2の基板保持面の周縁から基板9の裏面に沿って側方に流れる堆積抑制用ガスの物理的な作用によるものである。つまり、堆積抑制用ガスの流れによってプリカーサが押し返されるため、この基板ステージ2の基板保持面よりも上側の空間に生成物10が堆積することはない。従って、従来のように生成物10の堆積が基板9の裏面や基板ステージ2の基板保持面にまで達したりすることはない。
【0039】
また、周状突起29が設けられる構成は、この周状突起29が設けられない構成に比べ、基板ステージ2の側方に流出する堆積抑制用ガスの流速を速めることができる。即ち、周状突起29が存在することにより、基板保持面の周辺部分における堆積抑制用ガスの流路の断面積が小さくなる。この結果、周状突起29の上端面付近を流れる際の堆積抑制用ガスの流速は速くなる。このため、上記基板9の裏面や周状突起29の上端面への生成物の堆積抑制の効果がより高く得られるようになっている。
【0040】
また、本実施形態における堆積抑制用ガス供給系25は、基板温度制御機構3による熱を効率よく基板9に伝えるための熱伝達用ガス供給系に兼用されている。前述したように、本実施形態の装置では、基板ステージ2内に基板温度制御機構3が設けられており、基板ステージ2を介して基板9と熱交換を行うことにより基板9を所定の温度に調節するようになっている。この際、処理チャンバー1内は排気系11によって真空圧力となるので、従来の装置では、基板ステージ2と基板9との間の空間も真空圧力になる。従って、基板ステージ2と基板9との間の熱伝達効率が低下する。
【0041】
一方、本実施形態の装置では、堆積抑制用ガス供給系25によって供給された堆積抑制用ガスは、基板ステージ2と基板9との間の空間の圧力を上昇させる。この結果、基板ステージ2と基板9との間の熱伝達効率が向上し、基板温度制御機構3による温度制御の効率や精度が向上する。
本実施形態では、熱伝達用ガス供給系に兼用された堆積抑制用ガス供給系25は、堆積抑制用ガスとしてヘリウムを用いている。ヘリウムを採用することは、これが希ガスであるため、基板9と周状突起29との間から処理チャンバー1内に流出しても、プラズマ処理に影響を与えることが少ないためである。また、ヘリウムは、希ガスのなかでも熱伝達効率が大きいため、熱伝達用ガスとしても適している。
【0042】
尚、堆積抑制用ガス供給系25は、堆積抑制用ガスを流量10〜50cc/分で供給するようにすることが好ましい。熱伝達効率の向上のためにはより多くの堆積抑制用ガスを供給することが好ましいが、プラズマ処理への影響を考慮すると、処理チャンバー1内へ導入される全ガス流量(プロセスガス+堆積抑制用ガス)の10%程度が堆積抑制用ガスの流量の上限である。また、堆積抑制用ガスが10cc/分程度以下の流量であると、プリカーサ濃度の低下による生成物堆積抑制の効果が十分でなかったり、熱伝達効率向上の効果が十分でなかったりする恐れがある。
【0043】
次に、第一の実施形態のプラズマ処理装置における動作について説明する。
まず、基板9は不図示の搬送ロボットのアームにより不図示のゲートバルブを通して処理チャンバー1内に搬入される。基板ステージ2上に基板9が載置されると、静電吸着機構45が動作して、基板9は基板ステージ2に静電吸着される。処理チャンバー1内が排気系11によって所定の圧力まで排気されると、プロセスガス導入系12が動作し、四フッ化炭素等のプロセスガスが所定の流量で導入される。また、並行して堆積抑制用ガス供給系25により、堆積抑制用ガスが誘電体ブロック21と基板9との間に供給され、基板9と周状突起29との間から基板ステージ2の側方に流出する。
【0044】
プラズマ形成手段を構成するプラズマ用高周波電源52により上部電極5に高周波電力が印加されると、導入されたプロセスガスに高周波放電が生じ、プロセスガスがプラズマ化する。同時に、高周波電源44により下部電極4に高周波電圧を印加すると、高周波とプラズマとの相互作用により基板9の表面には負の自己バイアス電圧が生じる。この負の自己バイアス電圧により、基板9に垂直な電界が設定され、プラズマ中のイオンが垂直に入射する。プラズマ中では、フッ化炭素系のラジカルが生成される。そして、入射イオンのエネルギーを利用しながらこのラジカルとの反応により基板9の表面がエッチングされる。
【0045】
この際、前述したように、基板ステージ2の側方に堆積抑制用ガスが供給されることにより、生成物の堆積の原因物質であるプリカーサの濃度が減少し、生成物の堆積が防止される。このため、堆積した生成物の剥離に起因したパーテクルの発生が抑制される。また、従来見られたような生成物の堆積に起因した基板9の姿勢変化が無く、再現性に優れた処理を行うことができる。このようなことから、本実施形態では、従来の装置に比べ製品の歩留まりを飛躍的に向上させることができる。
【0046】
次に、本願発明の第二の実施形態のプラズマ処理装置について説明する。図4は、第二の実施形態のプラズマエッチング装置の構成を示す断面概略図である。
上述した第一の実施形態では、堆積抑制用ガスを誘電体ブロック21と基板9との間に供給し、基板ステージ2の側方にこの堆積抑制用ガスが流出するよう構成された。第二の実施形態では、堆積抑制用ガスを基板ステージ2の側面から基板ステージ2の側方に供給する構成になっている。
具体的には、基板ステージ2内には、基板ステージ2の側面から基板ステージ2の側方に堆積抑制用ガスを供給するガス供給路(以下、側面用ガス供給路)211が設けられている。図4及び図5を用いて側面用ガス供給路211の構成を説明する。図5は、図4に示す装置における一点鎖線X−Xにおける断面図である。
【0047】
側面用ガス供給路211は、図4及び図5に示すように、中央に設けられた円環状流路211Aと、円環状流路211Aから放射状に延びるようにして設けられた放射状流路211Bと、円環状流路211Aから垂直に下方に延びるようにして設けられた垂直流路211Cとからなっている。垂直流路211Cは基板ステージ2の下面に達しており、堆積抑制用ガス供給系27の配管272が接続されている。また、放射状流路211Bは、基板ステージ2の側面まで達しており、その先端がガス流出口211Dになっている。
【0048】
堆積抑制用ガス供給系27は、アルゴン等の堆積抑制用ガスを溜めたガスボンベ271と、ガスボンベ271と、基板ステージ2をつなぐ配管272と、配管272上に設けられたバルブ273や流量調節器274とから主に構成されている。配管272を通して堆積抑制用ガス供給系27が堆積抑制用ガスを供給すると、堆積抑制用ガスは、垂直流路211Cを上昇して円環状流路211Aに達し、円環状流路211A内に一旦溜まる。そして、堆積抑制用ガスは、円環状流路211Aから放射状流路211Bを経て基板ステージ2の側面のガス流出口211Dから流出し、基板ステージ2の側方に供給されるようになっている。
【0049】
次に、図6を用いて第二の実施形態において堆積抑制用ガスが生成物の堆積を抑制する状況について説明する。図6は、第二の実施形態において堆積抑制用ガスが生成物の堆積を抑制する状況について説明した断面概略部分図である。
前述したように、第二の実施形態においては、基板ステージ2の側面から堆積抑制用ガスが堆積空間に供給される。この結果、第一の実施形態の場合と同様に、堆積空間に飛来するプリカーサの濃度を低下させ、堆積面への生成物の堆積を防止する。
【0050】
この第二の実施形態においても、堆積面への生成物の堆積を完全にゼロにすることはできず、図6に示すように、非常に低い堆積速度で生成物10が堆積することが避けられない。生成物は、図6に示すように、基板ステージ2の側面のガス流出口211Dから下側の空間に堆積する。この理由は、ガス流出口211Dから上側の空間では、ガス流出口211Dからの堆積抑制用ガスの流れがあり、この流れの物理的な作用により生成物の堆積が殆どゼロになるからである。
【0051】
ここで、図3と図6とを比べると分かる通り、第二の実施形態では、第一の実施形態に比べて最終的な生成物10の堆積量は少ない。このことは、パーティクルの発生原因となる物質が少ないことを意味する。従って、第一の実施形態に比べて第二の実施形態の方がパーティクルの発生の確率がさらに小さくなっている。
【0052】
第二の実施形態における堆積抑制用ガスとしては、アルゴン等の希ガス又は不活性ガスが好適に用いられる。尚、この第二の実施形態においては、堆積抑制用ガスの流量は、10〜50cc/分とすることが好ましい。10cc/分より少ないと、堆積抑制用ガスの量が不足し、プリカーサ濃度の低下による生成物堆積抑制効果が十分得られない恐れがある。また、50cc/分より多いか又はプロセスガスの流量+堆積抑制用ガスの流量の10%より多いと、基板9の上方の空間に堆積抑制用ガスが拡散し、プラズマ処理に必要な反応を阻害する恐れがある。
【0053】
第二の実施形態においても、基板温度制御機構3による熱を効率よく基板9に伝えるための熱伝達用ガス供給系26が設けられている。但し、この熱伝達用ガス供給系26は、第一の実施形態と異なり、堆積抑制用ガス供給系に兼用されてはいない。熱伝達用ガス供給系26は、ヘリウム等の熱伝達用のガスを溜めたガスボンベ261と、ガスボンベ261と基板ステージ2とを繋ぐ配管262と、配管262上に設けられたバルブ263や流量調節器264とから主に構成されている。
基板ステージ2の中心には、第一の実施形態と同様に上側用ガス供給路255が設けられている。配管262と上側用ガス供給路255は気密に接続されており、熱伝達用ガスが誘電体ブロック21と基板9との間に供給されるようになっている。
【0054】
また、第二の実施形態では、供給された熱伝達用ガスは、堆積抑制の役割を持たないため、基板ステージ2の側方へ流出しないような構成になっている。具体的には、誘電体ブロック21の基板保持面は、第一の実施形態と同様に、小突起28と周状突起29とが形成されている。但し、第一の実施形態と異なり、周状突起29は小突起28と同じ高さであり、基板ステージ2に基板9が保持された際、小突起28の上端面とともに周状突起29の上端面も基板9の裏面に接するようになっている。従って、熱伝達用ガスが基板ステージ2と基板9との間に供給されると、この熱伝達用ガスは基板ステージ2の側方に流出しない。
【0055】
熱伝達用ガスが基板ステージ2の側方に流出しない構成であるため、熱伝達用ガスの供給量は、第一の実施形態における堆積防止用ガスに比べて少ない。即ち、基板9が基板ステージ2に静電吸着された後、熱伝達用ガス供給系26を動作させて所定量の熱伝達用ガスを供給し、基板9と基板ステージ2との間の空間の圧力が所定の値になったら、熱伝達用ガスの供給は止められる。
また、第二の実施形態では、生成物の堆積抑制という技術課題とは無関係に熱伝達用ガスの種類や流量を定めることができるというメリットもある。
【0056】
次に、本願発明の第三の実施形態のプラズマ処理装置について説明する。図7は、第三の実施形態のプラズマ処理装置の構成を示す断面概略図である。第三の実施形態の装置では、第一の堆積抑制用ガス供給系6及び第二の堆積抑制用ガス供給系7を備えている。
まず、第一の堆積抑制用ガス供給系6は、基板ステージ2と基板9との間に堆積抑制用ガスを供給するようになっている。そして、基板ステージ2と基板9との間に堆積抑制用ガスが供給されると、基板ステージ2の側方にこの堆積抑制用ガスが流出するようになっている。
【0057】
具体的には、基板ステージ2には、第一の実施形態と同様の上側用ガス供給路255が設けられている。この上側用ガス供給路255は、第一の堆積抑制用ガス供給系6の配管62と気密に接続されており、堆積抑制用ガスが基板ステージ2と基板9との間に供給されるようになっている。尚、第一の堆積抑制用ガス供給系6は、同様に、ヘリウム等の堆積抑制用ガスを溜めたガスボンベ61と、ガスボンベ61と基板ステージ2とをつなぐ配管62と、配管62上に設けられたバルブ63や流量調節器64とから主に構成されている。
【0058】
また、基板ステージ2の基板保持面には、同様に小突起28及び周状突起29が設けられている。小突起28及び周状突起29の構成は、第一の実施形態と同様である。即ち、第一の堆積抑制用ガス供給系6により上側用ガス供給路255を経由して誘電体ブロック21と基板9との間に堆積抑制用ガスが供給されると、堆積抑制用ガスは小突起28の間をすり抜けるようにして流れ、基板9と周状突起29との間から基板ステージ2の側方に流出するようになっている。
【0059】
一方、第二の堆積抑制用ガス供給系7は、基板ステージ2の側面から堆積抑制用ガスを供給するようになっている。具体的には、基板ステージ2には、第二の実施形態と同様に側面用ガス供給路211が設けられている。そして、この側面用ガス供給路211と第二の堆積抑制用ガス供給系7の配管72とが気密に接続されており、堆積抑制用ガスが基板ステージ2の側面から供給されるようになっている。尚、第二の堆積抑制用ガス供給系7は、同様に、アルゴン等の堆積抑制用ガスを溜めたガスボンベ71と、ガスボンベ71と基板ステージ2とをつなぐ配管72と、配管72上に設けられたバルブ73や流量調節器74とから主に構成されている。
【0060】
次に、図8を用いて第三の実施形態において堆積抑制用ガスが生成物の堆積を抑制する状況について説明する。図8は、第三の実施形態において堆積抑制用ガスが生成物の堆積を抑制する状況について説明した断面概略部分図である。
【0061】
第三の実施形態においても、第一の堆積抑制用ガス供給系6と第二の堆積抑制用ガス供給系7とから供給された堆積抑制用ガスにより、堆積空間に飛来するプリカーサの濃度が低下し、堆積面への生成物の堆積が抑制される。また、この際、第一の堆積抑制用ガス供給系6は、基板ステージ2の基板保持面の周縁(周状突起29の上端面)から基板2の裏面に沿って基板ステージ2の側方に向けて堆積防止用ガスを流出させるので、堆積抑制用ガスの物理的な作用により、基板9の裏面や基板保持面の周縁への生成物の堆積が特に抑制される。そして、極めて低い堆積速度で生成物が堆積するのが避けられないものの、第二の堆積抑制用ガス供給系7により、基板ステージ2の側面から堆積抑制用ガスが供給されるので、第二の実施形態の場合と同様、生成物の堆積は途中で停止し、パーティクルの発生がさらに抑制される。
【0062】
この第三の実施形態における第一の堆積抑制用ガス供給系6は、第一の実施形態の場合と同様、熱伝達用ガス供給系に兼用されている。即ち、第二の堆積防止用ガス供給系7はアルゴン等の希ガス又は不活性ガスを供給すれば足りるものの、第一の堆積防止用ガス供給系6はヘリウム等の熱伝達効率の良いガスを供給するよう構成されている。但し、堆積防止用ガスが二つの経路から供給されるため、第一の堆積防止用ガス供給系6のガス流量は、第一の実施形態における堆積抑制用ガス供給系7よりも少なくてよい。また、同様の理由から、第二の堆積防止用ガス供給系7のガス流量も第二の実施形態より少ない。第一の堆積防止用ガス供給系6のガス流量と第二の堆積防止用ガス供給系7のガス流量の合計は、前述したのと同様の理由から10〜50cc/分程度又は全ガス流量の10%以下であることが好ましい。尚、第一の堆積抑制用ガス供給系6のガス流量が少なくて済む構成は、大流量のガスの流れによる基板ステージ2からの基板9の浮き上がりの恐れを少なくする意味で好適な構成となっている。
【0063】
以上の説明では、プラズマエッチング装置を例に採り上げたが、本願の発明は、プラズマCVD装置やアッシング装置等の他のプラズマ処理装置にも同様に実施できる。
尚、請求項1の発明は、プリカーサ濃度を低下させることを必須条件としていない。これは、生成物の堆積がある種の反応の結果でない場合があり、前述した物理的作用のみからなる場合のようにプリカーサ濃度の低下によらない生成物堆積抑制の構成があり得ることを想定したものである。
【0064】
【発明の効果】
以上説明した通り、本願の請求項1の発明によれば、堆積抑制用ガスが供給されることにより、基板ステージの側方に存在する部材の表面に生成物が堆積することを防ぐことができる。この結果、生成物の剥離に起因したパーティクルの発生が抑制され、プラズマ処理の品質を向上させることができる。また、基板ステージの基板保持面や基板の裏面に沿って堆積抑制用ガスが流れるので、これらの面への生成物の堆積を物理的に抑制することもできる。従って、基板保持面への生成物の堆積による基板の姿勢変化等の問題も未然に防止され、再現性に優れたプラズマ処理が行える。さらに、周状突起により、基板ステージの側方に流出する堆積抑制用ガスの流速を早めることができるので、堆積抑制の効果がより高く得られる。
また、請求項の発明によれば、上記請求項1の発明の効果に加え、十分な静電吸着力を確保しつつ十分な流量で堆積抑制用ガスを流すことができる。
また、請求項の発明によれば、上記請求項1乃至3いずれかの発明の効果に加え、生成物の堆積がある種の反応の結果である場合、より好適な構成となる。
また、請求項の発明によれば、上記請求項1乃至4いずれかの発明の効果に加え、基板温度制御機構による基板の温度調整の効率や精度が向上するとともに、生成物の堆積抑制と熱伝達効率の向上とが一つのガス供給系で行えるため、装置の構成が簡略化される。
また、請求項の発明によれば、上記請求項1乃至5いずれかの発明の効果に加え、基板ステージの側面からも堆積防止用ガスが流出するので、基板ステージの側面への生成物の堆積がさらに物理的な作用によっても抑制される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明の第一の実施の形態のプラズマ処理装置の構成を示した断面概略図である。
【図2】図1のプラズマ処理装置における基板ステージ2の基板保持面の形状を説明する平面概略図である。
【図3】第一の実施形態において堆積抑制用ガスが生成物の堆積を抑制する状況について説明した断面概略部分図である。
【図4】第二の実施形態のプラズマ処理装置の構成を示す断面概略図である。
【図5】図4に示す装置の一点鎖線X−Xにおける断面図である。
【図6】第二の実施形態において堆積抑制用ガスが生成物の堆積を抑制する状況について説明した断面概略部分図である。
【図7】第三の実施形態のプラズマ処理装置の構成を示す断面概略図である。
【図8】第三の実施形態において堆積抑制用ガスが生成物の堆積を抑制する状況について説明した断面概略部分図である。
【図9】従来のプラズマ処理装置の一例としてのプラズマエッチング装置の概略構成を示す正面図である。
【図10】図9に示す従来のプラズマ処理装置の問題点を説明した図であり、図9に示す基板ステージ2の周辺部分を拡大した図である。
【符号の説明】
1 処理チャンバー
10 生成物
11 排気系
12 プロセスガス導入系
2 基板ステージ
21 誘電体ブロック
211 側面用ガス供給路
23 保護リング
24 絶縁ブロック
25 堆積抑制用ガス供給系
255 上側用ガス供給路
26 熱伝達用ガス供給系
27 堆積抑制用ガス供給系
28 小突起
29 周状突起
3 基板温度制御機構
4 下部電極
44 高周波電源
45 静電吸着機構
451 吸着電極
452 吸着電源
5 上部電極
51 ガス吹き出し孔
52 プラズマ用高周波電源
53 絶縁材
6 第一の堆積抑制用ガス供給系
7 第二の堆積抑制用ガス供給系
9 基板
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a plasma processing apparatus for performing a predetermined process on the surface of a substrate with plasma.
[0002]
[Prior art]
Applying a predetermined treatment to the surface of a substrate with plasma is actively performed in the manufacture of various semiconductor devices such as DRAM (Dynamic Random Access Memory) and liquid crystal displays. For example, when a fine circuit is formed on the surface of a substrate, plasma etching is performed in which the substrate is etched by plasma in an etching process using a resist pattern as a mask. Further, in the production of various conductive films and insulating films, a plasma CVD (chemical vapor deposition) technique using a gas phase reaction in plasma has been put into practical use.
[0003]
FIG. 9 is a front view showing a schematic configuration of a plasma etching apparatus as an example of a conventional plasma processing apparatus. The apparatus shown in FIG. 9 includes a processing chamber 1 having an exhaust system 11, a process gas introduction system 12 that introduces a process gas into the processing chamber 1, and plasma is introduced into the processing chamber by applying energy to the introduced process gas. And a substrate stage 2 for holding the substrate at a position to be processed by the plasma.
[0004]
In the apparatus shown in FIG. 9, plasma is formed by high frequency discharge. That is, the plasma forming means is constituted by a high-frequency power source 44 that sets a high-frequency electric field in the processing chamber 1. The substrate stage 2 includes a lower electrode 4 for high frequency discharge as a part thereof, and a high frequency power supply 44 is connected to the lower electrode 4.
[0005]
An upper electrode 5 is provided above the lower electrode 4. The upper electrode 5 is grounded together with the processing chamber 1. The upper electrode 5 and the lower electrode 4 face each other in parallel like a pair of parallel plate electrodes.
The upper electrode 5 is also used as a process gas supply path into the processing chamber 1. That is, the upper electrode 5 is hollow and has a large number of gas blowing holes 51 on the lower surface. The piping of the process gas introduction system 12 is connected to the upper electrode 5 so that the process gas is once supplied to the internal space of the upper electrode 5 and then blown out from the gas blowing holes 51 to be introduced into the lower discharge space. It has become.
[0006]
The substrate stage 2 is configured to place and hold the substrate 9 on the upper surface. The substrate stage 2 includes a substrate temperature control mechanism 3 for controlling the temperature of the substrate 9. The substrate temperature control mechanism 3 circulates a heating medium through a cavity 41 formed in the substrate stage 2, and a heating medium supply pipe 32 connected to a heating medium inlet 42 connected to the cavity 41, The heating medium discharge pipe 33 is connected to the connected hot medium outlet 43, and the circulator 31 is provided between the heating medium supply pipe 32 and the heating medium discharge pipe 33.
In addition, in order to improve the accuracy of temperature control by the substrate temperature control mechanism 3, an electrostatic chucking mechanism 45 that chucks the substrate 9 to the substrate stage 2 by static electricity is provided. The electrostatic adsorption mechanism 45 mainly includes an adsorption electrode 451 embedded in a dielectric block 21 provided as an upper part of the substrate stage 2 and an adsorption power source 452 that applies a DC voltage to the adsorption electrode 451. Has been. The periphery of the substrate stage 2 is covered with an insulating block 24.
[0007]
In the apparatus shown in FIG. 9, when the substrate 9 is placed on the substrate stage 2, the electrostatic adsorption mechanism 45 operates to electrostatically adsorb the substrate 9 to the substrate stage 2. Thereafter, the process gas introduction system 12 operates to introduce process gas at a predetermined flow rate, and the plasma forming means operates in this state. That is, the high frequency power supply 44 operates to generate high frequency discharge in the process gas, and plasma is formed. A predetermined process is performed on the surface of the substrate 9 by the action of the plasma.
For example, a fluorocarbon-based gas is introduced to form a plasma, and the surface of the substrate 9 is etched using a reaction with a fluorocarbon radical or a fluorine radical generated in the plasma. At this time, reactive ion beam etching (RIE) in which an electric field is set between the plasma and the substrate 9 and ions in the plasma are incident on the substrate 9 is preferable because anisotropic etching can be performed.
[0008]
Specifically, a high frequency voltage is applied to the substrate 9, and a negative self-bias potential is applied to the substrate 9 by the interaction between the high frequency and the plasma. An electric field perpendicular to the substrate 9 is set by this negative self-bias potential, and ions in the plasma are incident vertically. And the energy by ion incidence acts on radical etching reaction, and it etches efficiently only in the part into which ion entered. As a result, etching proceeds vertically from the opening of the resist pattern, and etching without problems such as side etching is performed.
[0009]
A protective ring 23 is provided around the substrate holding surface of the substrate stage 2. The protection ring 23 is for protecting the surface of the substrate stage 2 from plasma. The surface portion of the substrate stage 2 that is not covered by the substrate 9 may be exposed to plasma during processing. When exposed to plasma, the surface is etched by the action of active species or the like in the plasma, and particles of the material of the substrate stage 2 are released into the processing chamber 1. The material of the substrate stage 2 is stainless steel or the like and is often different from the substrate 9. Therefore, if the particles adhere to the surface of the substrate 9, the surface may be soiled to cause a circuit defect or the like.
Therefore, a protective ring 23 is provided so as to cover the surface portion of the substrate stage 2 that may be exposed to plasma. The protection ring 23 is made of a material such as silicon similar to that of the substrate 9 and does not have any problem even if it is etched.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
In the above-described conventional plasma processing apparatus, there is a problem that products are deposited on the surface of the substrate stage 2 or the surface of a member existing on the side of the substrate holding surface of the substrate stage 2. This problem will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a diagram for explaining the problems of the conventional plasma processing apparatus shown in FIG. 9, and is an enlarged view of the peripheral portion of the substrate stage 2 shown in FIG.
[0011]
In the plasma etching apparatus as an example of the plasma processing apparatus described above, product deposition occurs as an etching competition phenomenon. For example, when etching is performed by introducing a fluorocarbon gas as described above, a polymer film composed of fluorine and carbon is deposited as a product. In this case, since the etching rate is much higher than the deposition rate on the surface of the substrate or the like, such a film is not actually deposited.
[0012]
However, as shown in FIG. 10 (1), the product 10 is actually deposited on the side surface of the dielectric block 21 provided as a part of the substrate stage 2. The reason for this is related to the fact that the apparatus shown in FIG. 9 is an apparatus that performs RIE. That is, as described above, in RIE, etching is performed using the energy of ion incidence. Therefore, the etching does not proceed sufficiently even where active species are present, where ions are not incident.
As shown in FIG. 10A, the upper surface (substrate holding surface) of the dielectric block 21 is slightly smaller than the substrate 9, so that the ion incidence on the side surface of the dielectric block 21 is shielded by the substrate 9. Become. For this reason, ions are not sufficiently incident on the side surfaces of the dielectric block 21 and etching does not proceed sufficiently. As a result, only the deposition phenomenon proceeds and the product 10 is deposited.
The deposited product 10 may peel off due to internal stress or the like. The peeled product 10 becomes particles and floats in the processing chamber 1. If these particles adhere to the surface of the substrate 9, a fatal defect such as a circuit breakage may occur.
[0013]
Further, the accumulated product 10 may be scattered when the substrate 9 is carried in or out, and may adhere to the substrate holding surface as shown in FIG. When the substrate 9 is placed with the product 10 attached to the substrate holding surface, the contact between the substrate holder 2 and the substrate 9 is deteriorated, and the temperature control reproducibility by the substrate temperature control mechanism 3 is sufficiently obtained. It becomes impossible. In addition, since a portion having poor thermal contact is locally formed, the temperature of the substrate 9 becomes non-uniform, and the uniformity of the plasma processing also becomes poor. Further, since the attitude of the substrate 9 with respect to the plasma also changes, the manner in which the self-bias potential is applied becomes non-uniform, and this also causes the reproducibility and uniformity of the plasma processing to deteriorate.
[0014]
Such deposition of the product 10 is a phenomenon generally observed not only in the plasma etching apparatus described above but also in other plasma processing apparatuses. For example, since a plasma chemical vapor deposition (CVD) apparatus is originally a film deposition apparatus, film deposition on unnecessary places other than the surface of the substrate can be seen, and it has also been removed by an ashing (resist removal) apparatus. There is a phenomenon in which the residue of the resist is deposited as a product.
The invention of the present application was made to solve the problem of product deposition in such a plasma processing apparatus. By suppressing the product deposition, the generation of particles, the reduction in process reproducibility, etc. It has technical significance to prevent this problem.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 of the present application is directed to a processing chamber provided with an exhaust system, a process gas introduction system for introducing a process gas into the processing chamber, and energy introduced to the introduced process gas. A plasma processing apparatus comprising plasma forming means for forming plasma in a processing chamber and a substrate stage for holding a substrate at a position to be processed by the plasma, the surface of the substrate stage or the substrate holding surface of the substrate stage A deposition suppressing gas supply system for supplying a deposition suppressing gas for suppressing the deposition of the product on the surface of the member provided on the side of the
The deposition suppression gas supply system allows the deposition suppression gas to flow to the side of the substrate stage via the substrate stage and the substrate.
Substrate holding surface of substrate stage Is Protrusions that come in contact with the held substrate and protrusions that do not contact the substrate It is formed in an uneven shape having The protrusion that does not contact the substrate extends along the periphery of the substrate holding surface. Circumferential This is a protrusion that touches the substrate. Circumferential It has the structure of being formed inside the protrusion.
In order to solve the above problems, the claims of the present application 2 The invention described is the above claim. 1 In this configuration, the protrusions that come into contact with the substrate have a structure in which a plurality of protrusions are provided at equal intervals.
In order to solve the above problems, the claims of the present application 3 The invention described is the above claim. 1 or 2 In the configuration, an electrostatic chucking mechanism that chucks the substrate to the substrate stage by static electricity is provided, and the total area of the surface of the protrusion that contacts the substrate that contacts the substrate is 5% or more of the area of the back surface of the substrate 10. % Or less.
In order to solve the above problems, the claims of the present application 4 The invention described is the above claim. 1 to 3 In any one of the configurations, the product is generated and deposited by a reaction of a gas introduced into the processing chamber, and the deposition suppressing gas is configured to reduce a precursor concentration.
In order to solve the above problems, the claims of the present application 5 The invention described is the above claim. 1 to 4 In any one of the configurations, the substrate stage includes a substrate temperature control mechanism that controls the temperature of the substrate while maintaining the substrate stage at a predetermined temperature, and heat is applied between the substrate stage and the substrate. A heat transfer gas supply system for supplying a heat transfer gas to be transmitted between the substrate stage and the substrate is provided. The heat transfer gas supply system is also used as the deposition suppression gas supply system. It has the composition of being.
In order to solve the above problems, the claims of the present application 6 The invention described is the above claim. 1 to 5 In any one of the configurations, a side-side gas supply path that guides the deposition-inhibiting gas to the side of the substrate stage is provided in the substrate stage, and the deposition-inhibiting gas supply system includes the substrate stage and In addition to passing between the substrate and the substrate, the gas for suppressing deposition is supplied from the side surface of the substrate stage via the gas supply path for side surface.
In order to solve the above problems, the claims of the present application 7 The invention described is the above claim. 1 to 6 In any configuration, the deposition suppression gas supply system includes a flow rate regulator that adjusts a flow rate of the deposition suppression gas to be supplied. The flow rate regulator adjusts the flow rate of the deposition suppression gas to 10 cc / min. The flow rate is 50 cc / min or less.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. In the following description, a plasma etching apparatus will be described as an example of a plasma processing apparatus, as in the description of the prior art.
[0017]
The plasma processing apparatus shown in FIG. 1 is introduced into a processing chamber 1 having an exhaust system 11 and a process gas introduction system 12 for introducing a process gas into the processing chamber 1, similarly to the conventional apparatus shown in FIG. Plasma forming means for applying energy to the processed gas to form plasma in the processing chamber 1, and a substrate stage 2 for holding the substrate 9 at a position to be processed by the plasma.
[0018]
The processing chamber 1 is an airtight container having a gate valve (not shown) and is electrically grounded. Then, the processing chamber 1 is 10 by an exhaust system 11. -6 -10 -7 It is configured to exhaust to about Torr. The exhaust system 11 includes a vacuum pump such as a turbo molecular pump, and an exhaust speed regulator (not shown) is provided.
The process gas introduction system 12 can introduce a process gas necessary for plasma processing at a predetermined flow rate. The apparatus of this embodiment is designed to perform plasma etching as in the prior art, and introduces a fluorocarbon-based gas as a process gas. Specifically, the process gas introduction system 12 includes a gas cylinder 121 storing a process gas such as carbon tetrafluoride, a pipe 122 connecting the processing chamber 1 and the gas cylinder 121, a valve 123 provided in the pipe 122, and a flow rate adjustment. It is mainly composed of the device 124.
[0019]
The substrate stage 2 is a table-like member that holds the substrate 9 at a position exposed to plasma in the processing chamber 1, and holds the substrate 9 on the upper surface thereof. The substrate stage 2 includes a dielectric block 21 that is a member that directly holds the substrate 9 and a lower electrode 4 on which the dielectric block 21 is placed.
[0020]
An upper electrode 5 is provided above the substrate stage 2 as in the conventional apparatus. In the present embodiment, the upper electrode 5 is provided in the processing chamber 1 via an insulating material 53. The upper electrode 5 and the lower electrode 4 face each other in parallel like a pair of parallel plate electrodes.
The upper electrode 5 is also used as a process gas supply path into the processing chamber 1. That is, the upper electrode 5 is hollow and has a large number of gas blowing holes 51 on the lower surface. The piping 122 of the process gas introduction system 12 is connected to the upper electrode 5, and the process gas is once supplied to the internal space of the upper electrode 5, then blown out from the gas blowing holes 51 and introduced into the lower discharge space. It is like that.
[0021]
As the plasma forming means, one that applies high frequency power to the process gas introduced into the processing chamber 1 from the process gas introduction system 12 and forms plasma by high frequency discharge is adopted. Specifically, the plasma forming means is constituted by a plasma high-frequency power source 52 connected to the upper electrode 5 described above. The plasma high-frequency power source 52 has a frequency of 13.56 MHz and a maximum output of about 2500 W. A matching unit (not shown) is provided between the upper electrode 5 and the plasma high-frequency power source 52.
[0022]
Further, in the apparatus of the present embodiment, an electric field setting means for setting an electric field perpendicular to the substrate 9 is provided so that ions are extracted from the plasma and incident perpendicularly on the substrate 9. As the electric field setting means, one that applies a negative self-bias potential to the substrate 9 by the interaction between high-frequency power and plasma is employed. Specifically, the electric field setting means is configured by a high frequency power supply 44 connected to the lower electrode 4. An appropriate capacitance is required between the substrate 9 and the high-frequency power supply 44 to provide a self-bias potential. In the present embodiment, the above-described dielectric block 21 provides this capacitance.
[0023]
When a high frequency voltage is applied to the lower electrode 4 by the high frequency power supply 44, electrons and ions in the plasma act on the charge and discharge of this capacitance, and a negative self-bias potential is generated on the substrate 9 due to the difference in mobility between the electrons and ions. Since the space potential of the plasma is almost 0 V, an electric field in which the potential gradually decreases toward the substrate 9 is set between the plasma and the substrate 9. Positive ions in the plasma are vertically incident on the substrate 9 by this electric field.
Further, as in the case of the conventional apparatus, the high-frequency power source 44 may form plasma without providing the plasma high-frequency power source 52 on the upper electrode 5 described above.
[0024]
The substrate stage 2 includes a substrate temperature control mechanism 3 as in the conventional apparatus. In the present embodiment, a heating medium lower than room temperature is circulated in the substrate stage 2 to cool the substrate 9 via the substrate stage 2. As this heating medium, a liquid having a melting point lower than that of water, for example, FX-300 manufactured by Sumitomo 3M or Garten HT manufactured by Augmont is used. By keeping this heating medium at a predetermined temperature in the range of about −20 to 30 ° C., the substrate 9 is cooled and maintained at a predetermined temperature in the range of about 70 to 120 ° C.
[0025]
In the present embodiment, as in the conventional apparatus, an electrostatic adsorption mechanism 45 that adsorbs the substrate 9 to the substrate stage 2 by static electricity is provided. The periphery of the substrate stage 2 is covered with an insulating block 24. The insulating block 24 is for preventing the substrate stage 2 from being damaged by plasma, and is formed of a heat-resistant insulator such as ceramic, fluorine resin such as polytetrafluoroethylene (Teflon), polyimide resin or the like. .
[0026]
The major feature of the present embodiment is that a deposition suppressing gas for preventing the product from depositing on the surface of the substrate stage 2 or the surface of a member provided on the side of the substrate holding surface of the substrate stage 2 is used. This is the point that a deposition suppressing gas supply system 25 is provided. In the apparatus of the present embodiment, there is a risk that a product is deposited on the surface of the dielectric block 21 provided as a part of the substrate stage 2 or the inner side surface of the protective ring 23, and these surfaces are “the surface of the substrate stage or the substrate. This corresponds to the “surface of a member provided on the side of the substrate holding surface of the stage” (hereinafter referred to as a deposition surface).
[0027]
The deposition suppressing gas supply system 25 is configured to supply deposition suppressing gas to the side of the substrate stage 2 through the space inside the substrate stage 2 and between the substrate stage 2 and the substrate 9. Specifically, the deposition suppression gas supply system 25 includes a gas cylinder 251 in which deposition suppression gas is stored, a pipe 252 that connects the gas cylinder 251 and the substrate stage 2, a valve 253 provided on the pipe 252, and a flow rate adjustment. Mainly composed of a container 254.
[0028]
In the substrate stage 2, a gas supply path 255 (hereinafter referred to as “upper gas supply path”) for supplying a deposition suppression gas to a space between the substrate stage 2 and the substrate 9, which is a space above the substrate stage 2, is formed. Has been. The upper gas supply path 255 is provided so as to penetrate the center of the substrate stage 2 vertically. A pipe 252 of the deposition suppressing gas supply system 25 is connected to the lower end opening of the upper gas supply path 255 in an airtight manner, and the deposition suppressing gas passes through the upper gas supply path 255 to the substrate stage 2. And the substrate 9 are supplied.
[0029]
In the present embodiment, the shape of the substrate holding surface is devised so that the deposition suppressing gas supplied between the substrate stage 2 and the substrate 9 flows out to the side of the substrate stage 2 efficiently. This point will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a schematic plan view illustrating the shape of the substrate holding surface.
[0030]
As can be seen from FIGS. 1 and 2, the substrate holding surface of the substrate stage 2 is a surface having complicated irregularities. Specifically, as shown in FIG. 2, a circumferential protrusion 29 is provided so as to extend along the periphery of the substrate holding surface. The circumferential protrusion 29 has a circumferential shape with a width of about 1.5 mm. A plurality of small protrusions 28 are provided inside the circumferential protrusion 29. The small protrusions 28 have a columnar shape with a diameter of about 3 mm and are provided at an equal interval of about 5 mm. Note that the upper end opening of the upper gas supply path 255 is located at the center of the substrate holding surface.
[0031]
The height of the circumferential protrusion 29 is slightly lower than that of the small protrusion 28. Therefore, when the substrate 9 is held on the substrate stage 2, the upper end surface of the small protrusion 28 contacts the back surface of the substrate 9, but the upper end surface of the circumferential protrusion 29 does not contact the back surface of the substrate 9. It has become. For example, the height of the small protrusion 28 is about 10 μm, and the height of the circumferential protrusion 29 is about 5 μm.
The deposition suppression gas supplied to the substrate stage 2 by the deposition suppression gas supply system 25 flows through the upper gas supply path 255 in the substrate stage 2, and passes between the substrate 9 and the substrate stage 2 from the upper end opening. It flows out into space. The deposition suppressing gas that has flowed out flows through the small protrusions 28 and flows out to the side of the substrate stage 2 through the gap between the circumferential protrusions 29 and the substrate 9.
[0032]
Even when the substrate holding surface is not an uneven surface composed of the small protrusions 28 and the circumferential protrusions 29 as described above, but a normal flat surface, it is possible to flow the deposition suppressing gas. This is because unless there is a special process such as mirror finishing, there is microscopic unevenness and a minute gap is formed, so that the substrate 9 and the substrate stage 2 are connected through the upper gas supply path 255. When the deposition suppressing gas is supplied in the meantime, the deposition suppressing gas can flow through the minute gap and flow out to the side of the substrate stage 2. However, in this case, since the gap is small, the conductance is small, and the deposition suppressing gas can be flowed only at a small flow rate. If an attempt is made to increase the flow rate, the substrate 9 floats from the substrate stage 2 due to the pressure.
On the other hand, in the present embodiment, as described above, since a considerably large unevenness composed of the small protrusions 28 and the circumferential protrusions 29 is formed on the substrate holding surface, the conductance of the deposition suppressing gas is sufficiently large. For this reason, the substrate 9 does not float even if the deposition suppressing gas is flowed at a necessary flow rate.
[0033]
The substrate 9 processed on the substrate stage 2 is lifted from the substrate stage 2 by an arm of a transfer robot (not shown) after the operation of the suction power source 452 is stopped. In this case, if the area of the upper end surface of the small protrusion 28 that contacts the back surface of the substrate 9 exceeds 10% of the area of the back surface of the substrate 9, the effect of the residual charge on the upper end surface of the small protrusion 28 increases and the residual adsorption. There is a possibility that the substrate 9 may not be lifted well due to the force.
[0034]
Conversely, if the total area of the upper end surface of the small protrusion 28 is reduced, the conductance increases and the flow rate of the deposition suppressing gas can be increased, but there is a possibility that the electrostatic adsorption of the substrate 9 may not be sufficient. In order to ensure a sufficient electrostatic attraction force, it is preferable that the total area of the upper end surface of the small protrusion 28 does not fall below 5% of the area of the back surface of the substrate 9. Eventually, in order to allow the deposition suppressing gas to flow at a sufficient flow rate while ensuring a sufficient electrostatic attraction force, the total area of the upper end surface of the small protrusion 28 is set to about 5 to 10% of the area of the back surface of the substrate 9. Is preferred.
[0035]
Next, the situation where the deposition of the product 10 is suppressed by the outflow of the deposition suppressing gas will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional schematic partial view illustrating a situation where the deposition suppressing gas suppresses the accumulation of product.
As described above, in the plasma processing apparatus, a product is generated by a specific reaction and is deposited on a deposition surface. Often the product is ultimately produced by a surface reaction at the deposition surface. In this case, the substance (precursor) at the stage before the final product has been flying into the space facing the deposition surface (hereinafter, the deposition space). In the apparatus of the present embodiment, the precursor has come into the space surrounded by the peripheral portion of the substrate 9 that protrudes from the substrate holding surface, the protective ring 23, and the substrate stage 2. This precursor reaches the deposition surface and deposits the product through a final surface reaction at the deposition surface.
[0036]
Here, as described above, the deposition-inhibiting gas flowing out to the side of the substrate stage 2 is supplied to the deposition space and is mixed with the precursor flying into this space. As a result, the concentration of the precursor in the deposition space decreases, and the probability that the precursor reaches the deposition surface and changes to a product by a surface reaction decreases. Further, the deposition suppressing gas that flows out to the side of the substrate stage 2 diffuses through the deposition space and is finally exhausted by the exhaust system 11. At this time, the molecules of the deposition suppressing gas may collide with the precursor flying into the deposition space and push it back, preventing the precursor from reaching the deposition surface. Such physical action also suppresses product deposition on the deposition surface.
[0037]
Further, in the apparatus according to the present embodiment, there is a flow of the deposition suppressing gas that flows along the back surface of the substrate 9 passing between the circumferential protrusion 29 on the substrate holding surface and the substrate 9. The flow of the deposition suppressing gas has an action of pushing back the precursor flying toward the back surface of the peripheral portion of the substrate 9 and the upper end surface of the circumferential protrusion 29. Even if a product is deposited on the back surface of the substrate 9 or the upper end surface of the circumferential projection 29, it is easily peeled off by the flow of the deposition-inhibiting gas. For this reason, it is more effectively prevented that the substrate 9 is lifted by the deposition of the product on the substrate holding surface as has been conventionally seen.
[0038]
Even if the product deposition is suppressed, the precursor cannot reach the deposition surface completely, so that the product is deposited at a very low deposition rate. Accordingly, it is inevitable that the product 10 is deposited as shown in FIG. 3 while repeating a great number of plasma treatments. However, as shown in FIG. 3, the product 10 is only deposited in a space lower than the height of the peripheral edge of the substrate holding surface of the substrate stage 2. As described above, this is due to the physical action of the deposition suppressing gas that flows laterally along the back surface of the substrate 9 from the periphery of the substrate holding surface of the substrate stage 2. That is, since the precursor is pushed back by the flow of the deposition suppressing gas, the product 10 is not deposited in the space above the substrate holding surface of the substrate stage 2. Therefore, the deposition of the product 10 does not reach the back surface of the substrate 9 or the substrate holding surface of the substrate stage 2 as in the prior art.
[0039]
In addition, the configuration in which the circumferential protrusion 29 is provided can increase the flow rate of the deposition suppressing gas flowing out to the side of the substrate stage 2 as compared with the configuration in which the circumferential projection 29 is not provided. In other words, the presence of the circumferential protrusion 29 reduces the cross-sectional area of the deposition suppressing gas flow path in the peripheral portion of the substrate holding surface. As a result, the flow rate of the deposition suppressing gas when flowing in the vicinity of the upper end surface of the circumferential protrusion 29 is increased. For this reason, the effect of suppressing the accumulation of products on the back surface of the substrate 9 and the upper end surface of the circumferential projection 29 can be obtained more highly.
[0040]
In addition, the deposition suppressing gas supply system 25 in this embodiment is also used as a heat transfer gas supply system for efficiently transferring heat from the substrate temperature control mechanism 3 to the substrate 9. As described above, in the apparatus of this embodiment, the substrate temperature control mechanism 3 is provided in the substrate stage 2, and the substrate 9 is brought to a predetermined temperature by exchanging heat with the substrate 9 via the substrate stage 2. It comes to adjust. At this time, since the inside of the processing chamber 1 is vacuumed by the exhaust system 11, in the conventional apparatus, the space between the substrate stage 2 and the substrate 9 is also vacuumed. Therefore, the heat transfer efficiency between the substrate stage 2 and the substrate 9 is reduced.
[0041]
On the other hand, in the apparatus of this embodiment, the deposition suppressing gas supplied by the deposition suppressing gas supply system 25 increases the pressure in the space between the substrate stage 2 and the substrate 9. As a result, the heat transfer efficiency between the substrate stage 2 and the substrate 9 is improved, and the efficiency and accuracy of temperature control by the substrate temperature control mechanism 3 are improved.
In the present embodiment, the deposition suppressing gas supply system 25 that is also used as the heat transfer gas supplying system uses helium as the deposition suppressing gas. Helium is used because it is a rare gas, so that it does not affect the plasma processing even if it flows into the processing chamber 1 from between the substrate 9 and the circumferential projection 29. Helium is also suitable as a heat transfer gas because it has a high heat transfer efficiency among rare gases.
[0042]
The deposition suppressing gas supply system 25 preferably supplies the deposition suppressing gas at a flow rate of 10 to 50 cc / min. In order to improve the heat transfer efficiency, it is preferable to supply a larger amount of deposition suppression gas, but considering the influence on the plasma processing, the total gas flow rate introduced into the processing chamber 1 (process gas + deposition suppression) The upper limit of the flow rate of the deposition-inhibiting gas is about 10%. Further, when the deposition suppressing gas has a flow rate of about 10 cc / min or less, there is a possibility that the effect of suppressing the product deposition due to the decrease in the precursor concentration is insufficient or the effect of improving the heat transfer efficiency is not sufficient. .
[0043]
Next, the operation in the plasma processing apparatus of the first embodiment will be described.
First, the substrate 9 is carried into the processing chamber 1 through a gate valve (not shown) by an arm of a transfer robot (not shown). When the substrate 9 is placed on the substrate stage 2, the electrostatic attraction mechanism 45 operates to electrostatically attract the substrate 9 to the substrate stage 2. When the inside of the processing chamber 1 is evacuated to a predetermined pressure by the exhaust system 11, the process gas introduction system 12 operates and a process gas such as carbon tetrafluoride is introduced at a predetermined flow rate. In parallel, a deposition suppression gas is supplied between the dielectric block 21 and the substrate 9 by the deposition suppression gas supply system 25, and the side of the substrate stage 2 extends between the substrate 9 and the circumferential protrusion 29. To leak.
[0044]
When high frequency power is applied to the upper electrode 5 by the plasma high frequency power source 52 constituting the plasma forming means, high frequency discharge is generated in the introduced process gas, and the process gas is turned into plasma. At the same time, when a high frequency voltage is applied to the lower electrode 4 by the high frequency power supply 44, a negative self-bias voltage is generated on the surface of the substrate 9 due to the interaction between the high frequency and the plasma. By this negative self-bias voltage, an electric field perpendicular to the substrate 9 is set, and ions in the plasma are incident vertically. Fluorocarbon radicals are generated in the plasma. Then, the surface of the substrate 9 is etched by the reaction with the radicals using the energy of the incident ions.
[0045]
At this time, as described above, the deposition suppressing gas is supplied to the side of the substrate stage 2, whereby the concentration of the precursor, which is a causative substance of the product, is reduced, and the product is prevented from being deposited. . For this reason, generation | occurrence | production of the particle | grains resulting from peeling of the deposited product is suppressed. Further, there is no change in the posture of the substrate 9 due to the deposition of the product as seen in the past, and a process with excellent reproducibility can be performed. For this reason, in this embodiment, the yield of products can be dramatically improved as compared with conventional devices.
[0046]
Next, the plasma processing apparatus of 2nd embodiment of this invention is demonstrated. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the plasma etching apparatus of the second embodiment.
In the first embodiment described above, the deposition suppressing gas is supplied between the dielectric block 21 and the substrate 9, and the deposition suppressing gas flows out to the side of the substrate stage 2. In the second embodiment, the deposition suppressing gas is supplied from the side surface of the substrate stage 2 to the side of the substrate stage 2.
Specifically, in the substrate stage 2, a gas supply path (hereinafter referred to as a side surface gas supply path) 211 that supplies deposition suppression gas from the side surface of the substrate stage 2 to the side of the substrate stage 2 is provided. . The configuration of the side gas supply path 211 will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along one-dot chain line XX in the apparatus shown in FIG.
[0047]
As shown in FIGS. 4 and 5, the side gas supply path 211 includes an annular channel 211A provided in the center, and a radial channel 211B provided so as to extend radially from the annular channel 211A. The vertical channel 211C is provided so as to extend vertically downward from the annular channel 211A. The vertical channel 211 </ b> C reaches the lower surface of the substrate stage 2 and is connected to a pipe 272 of the deposition suppressing gas supply system 27. Further, the radial flow path 211B reaches the side surface of the substrate stage 2, and the tip thereof is a gas outlet 211D.
[0048]
The deposition suppression gas supply system 27 includes a gas cylinder 271 storing a deposition suppression gas such as argon, a gas cylinder 271, a pipe 272 connecting the substrate stage 2, a valve 273 provided on the pipe 272, and a flow rate regulator 274. And is composed mainly of. When the deposition suppression gas supply system 27 supplies the deposition suppression gas through the pipe 272, the deposition suppression gas ascends the vertical channel 211C, reaches the annular channel 211A, and temporarily accumulates in the annular channel 211A. . The deposition suppressing gas flows from the annular channel 211 </ b> A through the radial channel 211 </ b> B to the gas outlet 211 </ b> D on the side surface of the substrate stage 2 and is supplied to the side of the substrate stage 2.
[0049]
Next, a situation in which the deposition suppressing gas suppresses product deposition in the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic cross-sectional partial view illustrating a situation in which the deposition suppressing gas suppresses product deposition in the second embodiment.
As described above, in the second embodiment, the deposition suppressing gas is supplied from the side surface of the substrate stage 2 to the deposition space. As a result, as in the case of the first embodiment, the concentration of the precursor flying into the deposition space is reduced, and product accumulation on the deposition surface is prevented.
[0050]
Also in this second embodiment, the product deposition on the deposition surface cannot be completely zero, and as shown in FIG. 6, it is avoided that the product 10 is deposited at a very low deposition rate. I can't. As shown in FIG. 6, the product accumulates in a space below the gas outlet 211 </ b> D on the side surface of the substrate stage 2. This is because in the space above the gas outlet 211D, there is a flow of gas for suppressing deposition from the gas outlet 211D, and due to the physical action of this flow, product deposition is almost zero.
[0051]
Here, as can be seen by comparing FIG. 3 and FIG. 6, in the second embodiment, the final product 10 is deposited in a smaller amount than in the first embodiment. This means that there are few substances that cause the generation of particles. Therefore, the probability of the generation of particles is further reduced in the second embodiment compared to the first embodiment.
[0052]
As the deposition suppressing gas in the second embodiment, a rare gas such as argon or an inert gas is preferably used. In the second embodiment, the flow rate of the deposition suppressing gas is preferably 10 to 50 cc / min. If it is less than 10 cc / min, the amount of the deposition inhibiting gas is insufficient, and there is a possibility that the product deposition inhibiting effect due to the decrease in the precursor concentration cannot be obtained sufficiently. If the flow rate is higher than 50 cc / min or more than 10% of the flow rate of the process gas + the flow rate of the deposition suppression gas, the deposition suppression gas diffuses into the space above the substrate 9 and inhibits the reaction necessary for the plasma processing. There is a fear.
[0053]
Also in the second embodiment, a heat transfer gas supply system 26 for efficiently transferring heat from the substrate temperature control mechanism 3 to the substrate 9 is provided. However, unlike the first embodiment, the heat transfer gas supply system 26 is not also used as a deposition suppression gas supply system. The heat transfer gas supply system 26 includes a gas cylinder 261 storing a heat transfer gas such as helium, a pipe 262 connecting the gas cylinder 261 and the substrate stage 2, a valve 263 provided on the pipe 262, and a flow rate controller. H.264.
An upper gas supply path 255 is provided at the center of the substrate stage 2 as in the first embodiment. The pipe 262 and the upper gas supply path 255 are hermetically connected so that heat transfer gas is supplied between the dielectric block 21 and the substrate 9.
[0054]
Further, in the second embodiment, the supplied heat transfer gas does not play a role of suppressing deposition, and is thus configured not to flow out to the side of the substrate stage 2. Specifically, the substrate holding surface of the dielectric block 21 is formed with small protrusions 28 and circumferential protrusions 29 as in the first embodiment. However, unlike the first embodiment, the circumferential projection 29 has the same height as the small projection 28, and when the substrate 9 is held on the substrate stage 2, the circumferential projection 29 is positioned on the circumferential projection 29 together with the upper end surface of the small projection 28. The end surface is also in contact with the back surface of the substrate 9. Therefore, when the heat transfer gas is supplied between the substrate stage 2 and the substrate 9, the heat transfer gas does not flow out to the side of the substrate stage 2.
[0055]
Since the heat transfer gas does not flow to the side of the substrate stage 2, the amount of heat transfer gas supplied is smaller than the deposition preventing gas in the first embodiment. That is, after the substrate 9 is electrostatically attracted to the substrate stage 2, the heat transfer gas supply system 26 is operated to supply a predetermined amount of heat transfer gas, and the space between the substrate 9 and the substrate stage 2 is When the pressure reaches a predetermined value, the supply of the heat transfer gas is stopped.
In addition, the second embodiment has an advantage that the type and flow rate of the heat transfer gas can be determined regardless of the technical problem of suppressing the accumulation of products.
[0056]
Next, a plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the plasma processing apparatus of the third embodiment. The apparatus of the third embodiment includes a first deposition suppression gas supply system 6 and a second deposition suppression gas supply system 7.
First, the first deposition suppressing gas supply system 6 supplies a deposition suppressing gas between the substrate stage 2 and the substrate 9. When the deposition suppressing gas is supplied between the substrate stage 2 and the substrate 9, the deposition suppressing gas flows out to the side of the substrate stage 2.
[0057]
Specifically, the substrate stage 2 is provided with an upper gas supply path 255 similar to that of the first embodiment. The upper gas supply path 255 is airtightly connected to the pipe 62 of the first deposition suppressing gas supply system 6 so that the deposition suppressing gas is supplied between the substrate stage 2 and the substrate 9. It has become. Similarly, the first deposition suppressing gas supply system 6 is provided on the piping 62, a gas cylinder 61 storing a deposition suppressing gas such as helium, a pipe 62 connecting the gas cylinder 61 and the substrate stage 2, and the piping 62. The valve 63 and the flow controller 64 are mainly configured.
[0058]
Similarly, small protrusions 28 and circumferential protrusions 29 are provided on the substrate holding surface of the substrate stage 2. The configurations of the small protrusions 28 and the circumferential protrusions 29 are the same as those in the first embodiment. That is, when the deposition suppression gas is supplied between the dielectric block 21 and the substrate 9 via the upper gas supply path 255 by the first deposition suppression gas supply system 6, the deposition suppression gas is small. It flows so as to pass between the projections 28 and flows out from between the substrate 9 and the circumferential projection 29 to the side of the substrate stage 2.
[0059]
On the other hand, the second deposition suppression gas supply system 7 is configured to supply deposition suppression gas from the side surface of the substrate stage 2. Specifically, the substrate stage 2 is provided with a side gas supply path 211 as in the second embodiment. The side gas supply path 211 and the pipe 72 of the second deposition suppression gas supply system 7 are hermetically connected, and the deposition suppression gas is supplied from the side surface of the substrate stage 2. Yes. Similarly, the second deposition suppressing gas supply system 7 is provided on the piping 72, a gas cylinder 71 that stores a deposition suppressing gas such as argon, a pipe 72 that connects the gas cylinder 71 and the substrate stage 2, and the like. The valve 73 and the flow controller 74 are mainly configured.
[0060]
Next, the situation where the deposition suppressing gas suppresses the deposition of products in the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a schematic cross-sectional partial view illustrating a situation in which the deposition suppressing gas suppresses product deposition in the third embodiment.
[0061]
Also in the third embodiment, the concentration of the precursor flying into the deposition space is reduced by the deposition suppression gas supplied from the first deposition suppression gas supply system 6 and the second deposition suppression gas supply system 7. In addition, product accumulation on the deposition surface is suppressed. Further, at this time, the first deposition suppressing gas supply system 6 extends from the periphery of the substrate holding surface of the substrate stage 2 (the upper end surface of the circumferential protrusion 29) to the side of the substrate stage 2 along the back surface of the substrate 2. Since the deposition preventing gas is allowed to flow out, the deposition of the product on the back surface of the substrate 9 and the periphery of the substrate holding surface is particularly suppressed by the physical action of the deposition suppressing gas. Although it is inevitable that the product is deposited at an extremely low deposition rate, the second deposition suppression gas supply system 7 supplies the deposition suppression gas from the side surface of the substrate stage 2. As in the case of the embodiment, the product deposition stops halfway, and the generation of particles is further suppressed.
[0062]
The first deposition suppression gas supply system 6 in the third embodiment is also used as a heat transfer gas supply system, as in the first embodiment. That is, the second deposition preventing gas supply system 7 only needs to supply a rare gas such as argon or an inert gas, but the first deposition preventing gas supply system 6 uses a gas with good heat transfer efficiency such as helium. It is configured to supply. However, since the deposition preventing gas is supplied from the two paths, the gas flow rate of the first deposition preventing gas supply system 6 may be smaller than that of the deposition suppressing gas supply system 7 in the first embodiment. For the same reason, the gas flow rate of the second deposition preventing gas supply system 7 is smaller than that of the second embodiment. The sum of the gas flow rate of the first deposition preventing gas supply system 6 and the gas flow rate of the second deposition preventing gas supply system 7 is about 10 to 50 cc / min or the total gas flow rate for the same reason as described above. It is preferable that it is 10% or less. The configuration in which the gas flow rate of the first deposition suppressing gas supply system 6 is small is a preferable configuration in the sense of reducing the risk of the substrate 9 floating from the substrate stage 2 due to the flow of a large flow rate of gas. ing.
[0063]
In the above description, the plasma etching apparatus is taken as an example, but the invention of the present application can be similarly applied to other plasma processing apparatuses such as a plasma CVD apparatus and an ashing apparatus.
Note that the invention of claim 1 does not require the precursor concentration to be lowered. This assumes that product deposition may not be the result of a certain reaction, and that there may be a configuration of product deposition inhibition that does not depend on a decrease in precursor concentration, as in the case of only the physical action described above. It is a thing.
[0064]
【The invention's effect】
As described above, according to the invention of claim 1 of the present application, it is possible to prevent the product from being deposited on the surface of the member existing on the side of the substrate stage by supplying the deposition suppressing gas. . As a result, the generation of particles due to product peeling is suppressed, and the quality of the plasma treatment can be improved. In addition, since the deposition suppressing gas flows along the substrate holding surface of the substrate stage and the back surface of the substrate, it is possible to physically suppress the deposition of products on these surfaces. Accordingly, problems such as a change in the posture of the substrate due to the deposition of the product on the substrate holding surface can be prevented, and plasma processing with excellent reproducibility can be performed. Furthermore, since the circumferential protrusion can increase the flow rate of the deposition suppressing gas flowing out to the side of the substrate stage, the effect of suppressing deposition can be further enhanced.
Claims 3 According to the invention of the above Claim 1 In addition to the effects of the invention, the deposition-inhibiting gas can be flowed at a sufficient flow rate while ensuring a sufficient electrostatic attraction force.
Claims 4 According to the invention of claim 1 to 3 In addition to the effects of any invention, a more favorable configuration is obtained when product deposition is the result of a certain reaction.
Claims 5 According to the invention of claim 1 to 4 In addition to the effects of any of the inventions, the efficiency and accuracy of substrate temperature adjustment by the substrate temperature control mechanism can be improved, and product deposition suppression and heat transfer efficiency can be improved with a single gas supply system. Is simplified.
Claims 6 According to the invention of claim 1 to 5 In addition to the effects of any of the inventions, since the deposition preventing gas flows out from the side surface of the substrate stage, the deposition of the product on the side surface of the substrate stage is further suppressed by physical action.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a schematic plan view illustrating the shape of a substrate holding surface of a substrate stage 2 in the plasma processing apparatus of FIG.
FIG. 3 is a schematic partial sectional view illustrating a situation in which the deposition suppressing gas suppresses product deposition in the first embodiment.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a second embodiment.
5 is a sectional view taken along one-dot chain line XX of the apparatus shown in FIG.
FIG. 6 is a schematic partial sectional view illustrating a situation in which a deposition suppressing gas suppresses product deposition in the second embodiment.
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a third embodiment.
FIG. 8 is a schematic partial sectional view illustrating a situation in which a deposition suppressing gas suppresses product deposition in the third embodiment.
FIG. 9 is a front view showing a schematic configuration of a plasma etching apparatus as an example of a conventional plasma processing apparatus.
10 is a diagram for explaining a problem of the conventional plasma processing apparatus shown in FIG. 9, and is an enlarged view of a peripheral portion of the substrate stage 2 shown in FIG.
[Explanation of symbols]
1 Processing chamber
10 Product
11 Exhaust system
12 Process gas introduction system
2 Substrate stage
21 Dielectric block
211 Gas supply passage for side
23 Protective ring
24 Insulation block
25 Deposition control gas supply system
255 Upper gas supply path
26 Heat transfer gas supply system
27 Deposition control gas supply system
28 Small protrusions
29 Circumferential protrusion
3 Substrate temperature control mechanism
4 Lower electrode
44 High frequency power supply
45 Electrostatic adsorption mechanism
451 Adsorption electrode
452 Suction power supply
5 Upper electrode
51 Gas outlet
52 High frequency power supply for plasma
53 Insulation
6 First deposition suppression gas supply system
7 Second deposition suppression gas supply system
9 Board

Claims (7)

排気系を備えた処理チャンバーと、処理チャンバー内にプロセスガスを導入するプロセスガス導入系と、導入されたプロセスガスにエネルギーを与えて処理チャンバー内にプラズマを形成するプラズマ形成手段と、プラズマによって処理される位置に基板を保持する基板ステージとを備えたプラズマ処理装置であって、前記基板ステージの表面又は基板ステージの基板保持面の側方に設けられた部材の表面に生成物が堆積するのを抑制するための堆積抑制用ガスを供給する堆積抑制用ガス供給系が設けられており、
堆積抑制用ガス供給系は、堆積抑制用ガスを基板ステージと基板との間を経由して基板ステージの側方に流出させるものであり、
基板ステージの基板保持面は、保持された基板に接触する突起と、基板に接触しない突起とを有する凹凸状に形成されており、基板に接触しない突起は、基板保持面の周縁に沿って延びる円周状の突起であり、基板に接触する突起は、この円周状の突起の内側に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
A processing chamber equipped with an exhaust system, a process gas introduction system for introducing a process gas into the processing chamber, a plasma forming means for applying energy to the introduced process gas to form plasma in the processing chamber, and processing by plasma And a substrate stage for holding the substrate at a position where the product is deposited on a surface of the substrate stage or a member provided on a side of the substrate holding surface of the substrate stage. A deposition suppression gas supply system for supplying a deposition suppression gas for suppressing
The deposition suppression gas supply system allows the deposition suppression gas to flow to the side of the substrate stage via the substrate stage and the substrate.
Substrate holding surface of the substrate stage, a projection in contact with the substrate held, is formed in an uneven shape having projections and not in contact with the substrate, the projection does not contact the substrate, extends along the periphery of the substrate holding surface A plasma processing apparatus, wherein the projection is a circumferential projection, and the projection in contact with the substrate is formed inside the circumferential projection.
前記基板に接触する突起は、均等間隔で設けられた複数の突起であることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。  The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the protrusions contacting the substrate are a plurality of protrusions provided at equal intervals. 基板を静電気によって基板ステージに吸着する静電吸着機構が設けられており、前記基板に接触する突起の基板に接触する面の全面積は、基板の裏面の面積の5%以上10%以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマ処理装置。An electrostatic chucking mechanism for chucking the substrate to the substrate stage by static electricity is provided, and the total area of the surface of the protrusion contacting the substrate that contacts the substrate is 5% to 10% of the area of the back surface of the substrate. The plasma processing apparatus according to claim 1 , wherein the plasma processing apparatus is a plasma processing apparatus. 前記生成物は、処理チャンバー内に導入されたガスの反応により生成し堆積するものであり、前記堆積抑制用ガスは、プリカーサ濃度を低下させるものであることを特徴とする請求項1乃至3いずれかに記載のプラズマ処理装置。The said product is produced | generated and deposited by reaction of the gas introduce | transduced in the processing chamber, The said deposition suppression gas reduces a precursor density | concentration, The any one of Claim 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned. A plasma processing apparatus according to claim 1. 前記基板ステージは、当該基板ステージを所定の温度に維持して前記基板の温度を制御する基板温度制御機構を備えており、前記基板ステージと前記基板との間で熱を伝える熱伝達用のガスを前記基板ステージと前記基板との間に供給する熱伝達用ガス供給系が設けられており、この熱伝達用ガス供給系は、前記堆積抑制用ガス供給系が兼用されていることを特徴とする請求項1乃至4いずれかに記載のプラズマ処理装置。The substrate stage includes a substrate temperature control mechanism that controls the temperature of the substrate while maintaining the substrate stage at a predetermined temperature, and a heat transfer gas that transfers heat between the substrate stage and the substrate. Is provided between the substrate stage and the substrate, and the heat transfer gas supply system is also used as the deposition suppressing gas supply system. The plasma processing apparatus according to claim 1 . 前記基板ステージ内には当該基板ステージの側方に前記堆積抑制用ガスを導く側面用ガス供給路が設けられており、前記堆積抑制用ガス供給系は、前記基板ステージと基板との間を経由することに加えて、この側面用ガス供給路を経由させて基板ステージの側面から堆積抑制用ガスを供給するものであることを特徴とする請求項1乃至5いずれかに記載のプラズマ処理装置。The substrate stage is provided with a side gas supply path for guiding the deposition suppressing gas to the side of the substrate stage, and the deposition suppressing gas supply system passes between the substrate stage and the substrate. 6. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the deposition suppressing gas is supplied from the side surface of the substrate stage via the side surface gas supply path. 前記堆積抑制用ガス供給系は、供給する堆積抑制用ガスの流量を調整する流量調整器を備えており、この流量調整器は、堆積抑制用ガスの流量を10cc/分以上50cc/分以下の流量とするものであることを特徴とする請求項1乃至6いずれかに記載のプラズマ処理装置。The deposition suppression gas supply system includes a flow rate regulator that adjusts the flow rate of the deposition suppression gas to be supplied. The flow rate regulator adjusts the flow rate of the deposition suppression gas between 10 cc / min and 50 cc / min. The plasma processing apparatus according to claim 1 , wherein the plasma processing apparatus has a flow rate.
JP05261899A 1999-03-01 1999-03-01 Plasma processing equipment Expired - Fee Related JP4283366B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05261899A JP4283366B2 (en) 1999-03-01 1999-03-01 Plasma processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05261899A JP4283366B2 (en) 1999-03-01 1999-03-01 Plasma processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000252261A JP2000252261A (en) 2000-09-14
JP4283366B2 true JP4283366B2 (en) 2009-06-24

Family

ID=12919802

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP05261899A Expired - Fee Related JP4283366B2 (en) 1999-03-01 1999-03-01 Plasma processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4283366B2 (en)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4493863B2 (en) * 2001-01-25 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing apparatus, cleaning method thereof, and electrostatic chuck static elimination method
US6660662B2 (en) * 2001-01-26 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Method of reducing plasma charge damage for plasma processes
JP2004253789A (en) * 2003-01-29 2004-09-09 Kyocera Corp Electrostatic chuck
JP2004282047A (en) * 2003-02-25 2004-10-07 Kyocera Corp Electrostatic chuck
JP4640922B2 (en) * 2003-09-05 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment
US8097120B2 (en) * 2006-02-21 2012-01-17 Lam Research Corporation Process tuning gas injection from the substrate edge
JP4988402B2 (en) * 2007-03-30 2012-08-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ Plasma processing equipment
JP5284153B2 (en) * 2008-03-21 2013-09-11 日本碍子株式会社 Ceramic heater
KR101305760B1 (en) * 2008-03-21 2013-09-17 엔지케이 인슐레이터 엘티디 Ceramics heater
WO2013121538A1 (en) * 2012-02-15 2013-08-22 三菱電機株式会社 Semiconductor film manufacturing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device
JP6296787B2 (en) * 2013-12-25 2018-03-20 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10468264B2 (en) 2016-07-04 2019-11-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device
JP6427628B2 (en) * 2017-06-05 2018-11-21 芝浦メカトロニクス株式会社 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000252261A (en) 2000-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100234661B1 (en) Anisotropic etching apparatus
US20150340210A1 (en) Plasma processing method
JP2680338B2 (en) Electrostatic chuck device
TW569344B (en) Insulation-film etching system
JP4656364B2 (en) Plasma processing method
JP4283366B2 (en) Plasma processing equipment
JPH08264515A (en) Plasma treatment device, processing device and etching device
JP3121524B2 (en) Etching equipment
JPH11330215A (en) Method and device for controlling temperature of substrate
CN108335963B (en) Plasma processing apparatus
KR20170028849A (en) Focus ring and substrate processing apparatus
JP2007273596A (en) Plasma treatment electrode plate and plasma treatment device
US8545672B2 (en) Plasma processing apparatus
JP2010199475A (en) Cleaning method of plasma processing apparatus and storage medium
JP3062393B2 (en) Plasma processing equipment
JP2004095909A (en) Method and device for plasma treatment
JP4123428B2 (en) Etching method
JP2869384B2 (en) Plasma processing method
JP2017010993A (en) Plasma processing method
TW202129827A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JPH06124998A (en) Plasma process equipment
JP4602528B2 (en) Plasma processing equipment
JP4041722B2 (en) Plasma processing equipment
JP2010093293A (en) Insulating film etching apparatus
US20200144034A1 (en) Target object processing method and plasma processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060223

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060707

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070724

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070922

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080624

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080825

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090224

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090319

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140327

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees