JP4278162B2 - Antireflection film - Google Patents
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Description
本発明は、カーブミラー、バックミラー、ゴーグル、窓ガラス、及びパソコン・ワープロ等のディスプレイ、その他商業用ディスプレイ等の各種表面における光の反射防止に適用される低屈折率ＳｉＯ2 膜が形成された反射防止フィルムに関する。 The present invention, curved mirrors, rearview mirror, goggles, window glasses, and a display such as a personal computer, a word processor, a low refractive index SiO 2 film which is applied to the anti-reflection of light at the various surfaces of the other such commercial display is formed The present invention relates to an antireflection film .
近年、ワープロ、コンピュータ、テレビ等の各種ディスプレイや各種光学レンズ、光学物品、自動車、電車等の窓ガラスの表面における光の反射防止をするために、これらの物品の表面に、反射防止フィルムを貼着することが行われている。 In recent years, in order to prevent light reflection on the surface of various displays such as word processors, computers, televisions, various optical lenses, optical articles, automobiles, trains, etc., an antireflection film has been applied to the surfaces of these articles. It is done to wear.
反射防止膜として、例えば、ガラス上に形成された膜厚０．１μｍ程度のＭｇＦ2 の薄膜の場合を説明する。入射光が薄膜に垂直に入射する場合に、特定の波長をλ0 とし、この波長に対する反射防止膜の屈折率をｎ0 、反射防止膜の厚みをｈ、および基板の屈折率をｎg とすると、反射防止膜が光の反射を１００％防止し、光を１００％透過するための条件は、次の式（１）および式（２）の関係を満たすことが必要であることは既に知られている（サイエンスライブラリ 物理学＝９「光学」７０〜７２頁、昭和５５年，株式会社サイエンス社発行）。 As the antireflection film, for example, a case of an MgF 2 thin film having a thickness of about 0.1 μm formed on glass will be described. When incident light is perpendicularly incident on the thin film, the specific wavelength is λ 0 , the refractive index of the antireflection film for this wavelength is n 0 , the thickness of the antireflection film is h, and the refractive index of the substrate is ng . Then, it is already known that the condition for the antireflection film to prevent light reflection by 100% and to transmit light by 100% needs to satisfy the relationship of the following expressions (1) and (2). (Science Library Physics = 9 “Optics”, pages 70-72, published by Science Co., Ltd. in 1980).
ガラスの屈折率ｎg ＝約１．５であり、ＭｇＦ2 膜の屈折率ｎ0 ＝１．３８、入射光の波長λ0 ＝５５００Å（基準）と既に知られているので、これらの値を前記式（２）に代入すると、反射防止膜の厚みｈは約０．１μｍ前後の光学薄膜が最適であると計算される。したがって、従来このような厚みの光学薄膜が反射防止膜に使用されていた。このような光学薄膜の形成には、真空蒸着処理、スパッタリング処理、イオンプレーティング、プラズマＣＶＤ等の真空処理が適していることが知られている。 Since the refractive index ng of glass is about 1.5, the refractive index n 0 of the MgF 2 film is 1.38, and the wavelength of incident light λ 0 is 5500 mm (reference), these values are Substituting into the above formula (2), it is calculated that an optical thin film having an antireflection film thickness h of about 0.1 μm is optimal. Therefore, conventionally, an optical thin film having such a thickness has been used as an antireflection film. It is known that vacuum processing such as vacuum deposition processing, sputtering processing, ion plating, and plasma CVD is suitable for forming such an optical thin film.
また、前記式（１）によれば、光の反射を１００％防止するためには、上層膜の屈折率がその下層膜の屈折率の約平方根の値になるような材料を選択すればよいことが分かり、従来、このような原理を利用して、上層膜の屈折率をその下層膜の屈折率よりも低い値とすること、即ち、基板上に高屈折率層、低屈折率層の順に薄膜を設けることにより光の反射防止が行われていた。 In addition, according to the above formula (1), in order to prevent light reflection by 100%, a material in which the refractive index of the upper layer film is approximately the square root of the refractive index of the lower layer film may be selected. Thus, conventionally, using such a principle, the refractive index of the upper layer film is set lower than the refractive index of the lower layer film, that is, the high refractive index layer and the low refractive index layer on the substrate. In order to prevent reflection of light, a thin film was sequentially provided.
従来、ＳｉＯ2 膜は一般に低屈折率の膜として知られていることから反射防止膜等によく用いられているが、種々の層構成とした反射防止膜において、さらに低い低屈折率膜が要望されている。 Conventionally, SiO 2 film is generally used as an antireflection film because it is generally known as a film having a low refractive index. However, a lower low refractive index film is desired among antireflection films having various layer structures. Has been.
そこで本発明は、ＳｉＯ2 膜とするための原料を用い、しかもその屈折率が本来のＳｉＯ2 膜よりも低い屈折率のＳｉＯ2 膜を形成した反射防止フィルムを提供することを目的とする。 The present invention uses a material for a SiO 2 film, moreover an object to provide an antireflection film whose refractive index is SiO 2 film was formed of lower refractive index than the original SiO 2 film.
本発明は、基材上にＩＴＯ層と、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基のＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換された原料を用いたＣＶＤ法により形成された低屈折率ＳｉＯ 2 膜が順次積層されてなる反射防止フィルムであって、前記Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基のＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換された原料は、ＨＭＤＳＯ、ＴＭＤＳＯ、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ＴＥＯＳ、ＭＴＭＯＳ、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシランのＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換されたものから選ばれた１種以上の化合物を含むことを特徴とする反射防止フィルムである。 The present invention was formed by a CVD method using an ITO layer and a raw material in which part or all of H atoms of an alkyl group having 1 to 4 Si atoms and carbon atoms were substituted with F atoms on a substrate . An antireflective film in which low refractive index SiO 2 films are sequentially laminated, wherein the Si atoms and carbon atoms are partially or entirely substituted with F atoms by 1 to 4 alkyl atoms. , HMDSO, TMDSO, octamethylcyclotetrasiloxane, TEOS, MTMOS, methyl silane, dimethyl silane, trimethyl silane, diethyl silane, propyl silane, and phenyl silane with some or all of the H atoms replaced by F atoms An antireflection film comprising one or more compounds .
ＳｉＯ2 成膜原料に炭素原子が１〜４個のアルキル基のＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換されてなる低屈折率要素が導入されて成膜されることにより、ＳｉＯ2 膜自体の屈折率よりもさらに低い屈折率の膜となる。本発明の低屈折率要素が導入されたＳｉＯ2 膜は本来のＳｉＯ2 膜よりも低屈折率であるので、反射防止膜の上層膜として有用である。 By low refractive index elements carbon atoms in the SiO 2 film forming material is a part or the whole of the H atoms of 1 to 4 alkyl groups comprising substituted in F atoms are deposited is introduced, SiO 2 film The film has a refractive index lower than its own refractive index. Since the SiO 2 film into which the low refractive index element of the present invention is introduced has a lower refractive index than the original SiO 2 film, it is useful as an upper layer film of the antireflection film.
Ｓｉ原子、及び炭素原子が１〜４のアルキル基のＨ原子の一部または全部がＦ原子に置き変わったものを原料とすることにより、ＳｉＯ2 膜に導入されるＦ原子はＣ原子と結合し、加水分解されることがなく、低屈折率効果が長期間維持される。 By using Si atoms and those in which some or all of the H atoms of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms are replaced with F atoms, the F atoms introduced into the SiO 2 film are bonded to the C atoms. However, the low refractive index effect is maintained for a long time without being hydrolyzed.
本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜の製造方法は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基のＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換されているものを含むガス、及びＯ原子を含むガスを原料ガスとし、ＣＶＤ法により基材上に薄膜を形成することを特徴とする。 The method for producing a low refractive index SiO 2 film according to the present invention includes a gas containing an Si atom and a carbon atom having 1 to 4 alkyl groups partially or entirely substituted with F atoms, and O A gas containing atoms is used as a raw material gas, and a thin film is formed on a substrate by a CVD method.
本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜の製造方法のさらに限定した方法は、（１）Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基のＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換されているものを含む有機化合物の揮発ガス、及びＯ原子を含むガスとからなる混合ガスを１０-3〜１ｍｍＨｇ（Ｔｏｒｒ）の真空条件に維持された真空チャンバー内に導入して、グロー放電によりプラズマ流とし、（２）前記プラズマ流を該真空チャンバー内に配置された基材上に接触させることにより、基材上に薄膜を形成することを特徴とする。 A further limited method for producing a low refractive index SiO 2 film of the present invention is as follows: (1) A part or all of H atoms of an alkyl group having 1 to 4 Si atoms and carbon atoms are substituted with F atoms. A mixed gas composed of a volatile gas of an organic compound containing a gas and a gas containing O atoms is introduced into a vacuum chamber maintained at a vacuum condition of 10 −3 to 1 mmHg (Torr), and a plasma flow is generated by glow discharge. (2) A thin film is formed on the substrate by bringing the plasma flow into contact with the substrate disposed in the vacuum chamber.
本発明のＣＶＤ法により形成される膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基のＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換されているものを含む有機化合物の揮発ガス、及びＯ原子を含むガスとからなる混合ガスを使用して形成されているので、形成されたＣＶＤ膜は、Ｓｉ原子が酸化された実質的に無機質のＳｉＯ2 膜であって、該ＳｉＯ2 膜中に炭素原子が１〜４個のアルキル基のＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換されているもの、即ち、低屈折率要素が導入された膜となり、低屈折率要素を含むガスを使用しない膜に比べて、本来のＳｉＯ2 膜よりも低屈折率の膜となる。また、得られた低屈折率膜は、高硬度で付着強度の高い膜となる。 The film formed by the CVD method of the present invention is a volatile gas of an organic compound containing one in which Si atoms and carbon atoms are partially or wholly substituted with F atoms of 1 to 4 alkyl groups, In addition, the formed CVD film is a substantially inorganic SiO 2 film in which Si atoms are oxidized, and the SiO 2 film In which part or all of H atoms of an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms are substituted with F atoms, that is, a film having a low refractive index element introduced therein, and a gas containing a low refractive index element Compared to a film that does not use, the film has a lower refractive index than the original SiO 2 film. The obtained low refractive index film is a film having high hardness and high adhesion strength.
本発明の炭素原子が１〜４個のアルキル基のＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換されてなる低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ2 膜は、該低屈折率要素が導入されていないＳｉＯ2 膜よりも低屈折率となる。 The low refractive index SiO 2 film into which a low refractive index element in which part or all of H atoms of an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms are substituted with F atoms is introduced is the low refractive index element. The refractive index is lower than that of the SiO 2 film in which no is introduced.
図１は本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜を製造するためのプラズマＣＶＤ装置の構成例を模式的に示したものである。図１において１は、その内部を所望の真空度に設定することができる真空チャンバーである。該真空チャンバー１内に、ウェッブ２の巻出し及び巻取りを行うことができ、ウェッブ２の正走行及び逆走行機能が付与された一対のロール３、４を含む巻出巻取機構が配置されている。ロール３及びロール４の間を走行するウェッブ２の面に対してプラズマＣＶＤ処理を行うためのプラズマゾーン５が配置されている。該プラズマゾーン５には、混合原料ガスを噴出する部分と平板電極６と、ウェッブ２を安定して走行させることができ且つアースされている成膜ドラム７が含まれる。前記平板電極６としては、不活性ガスを噴出させることでプラズマを生成するガス噴出電極を用いることができる。
FIG. 1 schematically shows a configuration example of a plasma CVD apparatus for producing a low refractive index SiO 2 film of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a vacuum chamber in which the inside can be set to a desired degree of vacuum. In the vacuum chamber 1, an unwinding and winding mechanism including a pair of
本発明のＣＶＤ法により低屈折率ＳｉＯ2 膜を形成するための原料には、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基のＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換されているものを含むガス、及びＯ原子を含むガスが使用される。 In the raw material for forming a low refractive index SiO 2 film by the CVD method of the present invention, part or all of H atoms of an alkyl group having 1 to 4 Si atoms and carbon atoms are substituted with F atoms. A gas containing one and a gas containing O atoms are used.
Ｓｉ原料及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含む原料は、低屈折率膜の主原料である。炭素原子が１〜４個のアルキル基、特にメチル基、エチル基は本来のＳｉＯ2 膜の屈折率よりも、屈折率を低下させる目的で導入される。Ｓｉ原料及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含む原料は、真空チャンバー内に導入される際にはガス化される。本発明において、ガス化原料のアルキル基の炭素原子数を１〜４個と限定した理由は、炭素原子数が５個以上のアルキル基を有する原料だと、ＣＶＤの際に蒸気となり難く、低屈折率膜を形成することが困難となるからである。 The Si raw material and the raw material containing an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms are main raw materials for the low refractive index film. Alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, particularly methyl groups and ethyl groups, are introduced for the purpose of lowering the refractive index than that of the original SiO 2 film. The Si raw material and the raw material containing an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms are gasified when introduced into the vacuum chamber. In the present invention, the reason why the number of carbon atoms in the alkyl group of the gasification raw material is limited to 1 to 4 is that if it is a raw material having an alkyl group having 5 or more carbon atoms, it is difficult to become vapor during CVD, and low This is because it becomes difficult to form a refractive index film.
本発明では、上記主原料としてのＳｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含む原料において、炭素原子が１〜４個のアルキル基のＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換されたものを含む原料が使用されることにより、Ｆ原子が安定にＣ原子に結合し、低屈折率効果を安定に維持する特性を有する。 In the present invention, in the raw material containing the Si atom and the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms as the main material, part or all of the H atoms of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms are substituted with F atoms. By using the raw material including the above-mentioned one, the F atom is stably bonded to the C atom, and the low refractive index effect is stably maintained.
このようなガス化可能なＳｉ原料及び炭素原子が１〜４個のアルキル基のＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換されたものを含む原料には、ＨＭＤＳＯ、ＴＭＤＳＯ、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ＴＥＯＳ、ＭＴＭＯＳ、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシランのＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換されたものが挙げられる。 Examples of such raw materials that can be gasified include raw materials including HMDSO, TMDSO, octamethylcyclotetratetrafluorocarbon, and raw materials including those in which some or all of H atoms of 1 to 4 carbon atoms are substituted with F atoms. Examples include siloxane, TEOS, MTMOS, methyl silane, dimethyl silane, trimethyl silane, diethyl silane, propyl silane, and phenyl silane in which part or all of the H atoms are substituted with F atoms.
Ｏ原子を含むガスは、Ｓｉ原料を酸化させてＳｉＯ2 とするために使用される。
上記の各ガスからなる混合ガスには、望ましい性質を付与する目的でさらに他のガス状物質を添加してもよい。
上記Ｓｉ原料ガスを含む混合ガスを真空チャンバーへ導入する流量（ＳＬＭ）比は、１：０．１〜２０が望ましい。
プラズマＣＶＤを行う際には真空チャンバー内は１０-3〜１ｍｍＨｇ（Ｔｏｒｒ）の圧力に維持することが望ましい。
A gas containing O atoms is used to oxidize the Si raw material into SiO 2 .
Other gaseous substances may be added to the mixed gas composed of the above gases for the purpose of imparting desirable properties.
The flow rate (SLM) ratio for introducing the mixed gas containing the Si source gas into the vacuum chamber is preferably 1: 0.1 to 20.
When performing plasma CVD, it is desirable to maintain the inside of a vacuum chamber at a pressure of 10 −3 to 1 mmHg (Torr).
本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜が形成された製品の好ましい形態として反射防止フィルムを例にして以下に説明する。基材としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材を用いる（東レ株式会社製、商品名：ルミラーＴ−６０、厚さ：１００μｍ）。該ＰＥＴ基材上にＩＴＯ層、ＳｉＯ2 層、ＩＴＯ層、ＳｉＯ2 層の順に、膜厚をそれぞれ、１２５Å、２５０Å、１０００Å、８００Åとなるように順次積層する。ＩＴＯ層の形成方法はどのような手段でも構わないが、一般的にはスパッタ法が適用できる。ＩＴＯ層の代わりにＴｉＯ2 層などの高屈折率材料を用いることも可能である。その場合、ＳｉＯ2 層の下層の屈折率がＳｉＯ2 層の屈折率よりも高いほど反射防止の効果が付与され、反射防止フィルムとしての性能が向上する。しかも、ＩＴＯ層を用いた場合には、フィルムの導電性が付与されるため、電磁波シールド性及び帯電防止性が発揮される。さらにその上に、表面のはっ水性を高くして指紋などの汚れが付かないようにする防汚コートの目的でフッ素系樹脂を１００Å以下の膜厚でウェットコートしてもよい。 As a preferred form of the product having the low refractive index SiO 2 film of the present invention, an antireflection film will be described below as an example. A polyethylene terephthalate (PET) substrate is used as the substrate (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name: Lumirror T-60, thickness: 100 μm). The ITO layer, the SiO 2 layer, the ITO layer, and the SiO 2 layer are sequentially laminated on the PET substrate so that the film thicknesses are 125 mm, 250 mm, 1000 mm, and 800 mm, respectively. Any method may be used for forming the ITO layer, but sputtering is generally applicable. It is also possible to use a high refractive index material such as a TiO 2 layer instead of the ITO layer. In that case, as the refractive index of the lower layer of the SiO 2 layer is higher than the refractive index of the SiO 2 layer, an antireflection effect is given, and the performance as an antireflection film is improved. In addition, when an ITO layer is used, the film is imparted with electrical conductivity, and thus exhibits electromagnetic shielding properties and antistatic properties. Furthermore, a fluorine-based resin may be wet-coated with a film thickness of 100 mm or less for the purpose of an anti-fouling coating that increases the water repellency of the surface and prevents dirt such as fingerprints.
上記反射防止フィルムにおいて、基材上のハードコート層上に最初に形成するＩＴＯ層とＳｉＯ2 層を有機系材料のウエットコートで置き換えることも可能である。ＩＴＯをスパッタリングして成膜するには時間がかかり、それが生産コストを引き上げる要因となっているので、このような成膜手段の代替はコスト面で有利である。上記有機系材料のウエットコート膜上に成膜するＩＴＯ層はあまり密着性が良くない。このような場合には有機層とＩＴＯ層の間に接着剤に相当する他の物質を薄く（通常は１００Å以下）形成してもよい。 In the antireflection film, the ITO layer and the SiO 2 layer that are initially formed on the hard coat layer on the substrate can be replaced with a wet coat of an organic material. Since it takes time to form a film by sputtering ITO, and this increases the production cost, such an alternative to the film forming means is advantageous in terms of cost. The ITO layer formed on the wet coating film of the organic material has poor adhesion. In such a case, another substance corresponding to the adhesive may be thinly formed (usually 100 mm or less) between the organic layer and the ITO layer.
もし、それほど高い反射防止特性を必要としない場合（低反射性フィルムを得る場合）には、ハードコート層上にＳｉＯ2 層のみを形成してもよい。このような層構成は、ＬＣＤ用の反射防止フィルムにおいてコスト面から多用されている。この場合には、基材として光学特性が優れた、即ち、複屈折を持たないＴＡＣ（富士フィルム株式会社製、商品名：フジタック、厚さ：１００μｍ）が用いられる。 If so high antireflection properties are not required (when obtaining a low reflective film), only the SiO 2 layer may be formed on the hard coat layer. Such a layer structure is frequently used in the antireflection film for LCD from the viewpoint of cost. In this case, a TAC (Fuji Film Co., Ltd., trade name: Fujitack, thickness: 100 μm) having excellent optical characteristics, that is, having no birefringence is used as the base material.
プラズマＣＶＤ法により本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜を形成する方法を、次の実施例により示す。 A method for forming the low refractive index SiO 2 film of the present invention by plasma CVD will be described by the following examples.
基材として、ＰＥＴフィルム（東レ株式会社製、商品名：ルミラーＴ−６０、厚さ：１００μｍ）を用いた。原料ガスとして、Ｏ2 、Ａｒを用いた。また、モノマー材料としてＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）のＣＨ3 基のＨをＦで置換したものを用いた。ガスの流量は、Ｏ2 ：３０ｓｃｃｍ、Ａｒ：３０ｓｃｃｍとした。Ａｒガスをキャリアーガスとしてモノマー材料をバブリングしてモノマー材料を、４０ｍＴｏｒｒに圧力が調整されたプラズマＣＶＤ装置の真空チャンバー内に供給した。バブリングの温度は室温とした。 As the substrate, a PET film (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name: Lumirror T-60, thickness: 100 μm) was used. O 2 and Ar were used as source gases. In addition, a monomer material in which H of CH 3 group of HMDSO (hexamethyldisiloxane) was substituted with F was used. The gas flow rates were O 2 : 30 sccm and Ar: 30 sccm. The monomer material was bubbled using Ar gas as a carrier gas, and the monomer material was supplied into a vacuum chamber of a plasma CVD apparatus whose pressure was adjusted to 40 mTorr. The bubbling temperature was room temperature.
１００Ｗ、１３．５６ＭＨZ の電力を上部電極とアース電極の間に印加することによりプラズマを生成した。成膜時間は１０分とした。得られたＳｉＯ2 膜の屈折率をエリプソメトリーで評価したところ、１．４０であった。 100W, to produce a plasma by applying a power of 13.56MH Z between the upper electrode and the ground electrode. The film formation time was 10 minutes. When the refractive index of the obtained SiO 2 film was evaluated by ellipsometry, it was 1.40.
本実施例１と下記の比較例１のＳｉＯ2 膜は、両者とも初期の屈折率は１．４０であるのに対して、高温高湿下（８０℃、９５％ＲＨ）で３日間放置した結果、本実施例１は屈折率に変化がないのに対し、下記比較例１は屈折率が１．４５まで上昇した。したがって、Ｆ原子を導入したＳｉＯ2 膜において、ＣＦ4 を用いるよりも、ＨＭＤＳＯのＣＨ3 基のＨ原子をＦ原子で置換したものを用いた方が、耐高温高湿性がある。 Both the SiO 2 films of Example 1 and Comparative Example 1 below had an initial refractive index of 1.40, whereas they were allowed to stand at high temperature and high humidity (80 ° C., 95% RH) for 3 days. As a result, the refractive index of Example 1 did not change, whereas the refractive index of Comparative Example 1 below increased to 1.45. Therefore, in the SiO 2 film into which F atoms are introduced, it is more resistant to high temperature and high humidity when the H atom of the CH 3 group of HMDSO is replaced with F atoms than with CF 4 .
基材として、ＰＥＴフィルム（東レ株式会社製、商品名：ルミラーＴ−６０、厚さ１００μｍ）を用いた。原料ガスとして、Ｏ2 、Ａｒ、ＣＦ4 を用いた。また、モノマー材料としてＨＭＤＳＯ（ヘキサラメチルジシロキサン）を用いた。ガスの流量は、Ｏ2 ：３０ｓｃｃｍ、Ａｒ：３０ｓｃｃｍ、ＣＦ4 ：３０ｓｃｃｍとした。Ａｒガスをキャリアーガスとしてモノマー材料をバブリングしてモノマー材料を、４０ｍＴｏｒｒに圧力が調整されたプラズマＣＶＤ装置の真空チャンバー内に供給した。バブリングの温度は室温とした。 A PET film (trade name: Lumirror T-60, thickness 100 μm) manufactured by Toray Industries, Inc. was used as the substrate. O 2 , Ar, and CF 4 were used as source gases. In addition, HMDSO (hexaramethyldisiloxane) was used as the monomer material. The gas flow rates were O 2 : 30 sccm, Ar: 30 sccm, and CF 4 : 30 sccm. The monomer material was bubbled using Ar gas as a carrier gas, and the monomer material was supplied into a vacuum chamber of a plasma CVD apparatus whose pressure was adjusted to 40 mTorr. The bubbling temperature was room temperature.
１００Ｗ、１３．５６ＭＨZ の電力を上部電極とアース電極の間に印加することによりプラズマを生成した。成膜時間は１０分とした。得られたＳｉＯ2 膜の屈折率をエリプソメトリーで評価したところ、Ｆ原子を導入したＳｉＯ2 膜の屈折率は１．４０であった。 100W, to produce a plasma by applying a power of 13.56MH Z between the upper electrode and the ground electrode. The film formation time was 10 minutes. When the refractive index of the obtained SiO 2 film was evaluated by ellipsometry, the refractive index of the SiO 2 film into which F atoms were introduced was 1.40.
カーブミラー、バックミラー、ゴーグル、窓ガラス、及びパソコン・ワープロ等のディスプレイ、その他商業用ディスプレイ等の各種表面における光の反射防止膜に適用される本発明の反射防止フィルムにおける低屈折率ＳｉＯ2 膜は、加水分解されることがなく、低屈折率効果が長期間維持されるので有用である。 Low refractive index SiO 2 film in the antireflective film of the present invention applied to an antireflective film for light on various surfaces such as curved mirrors, rearview mirrors, goggles, window glass, personal computers and word processors, and other commercial displays Is useful because it is not hydrolyzed and the low refractive index effect is maintained for a long time.
１ 真空チャンバー
２ ウェッブ
３、４ ロール
５ プラズマゾーン
６ 平板電極
７ 成膜ドラム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (7)
前記Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基のＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換された原料は、ＨＭＤＳＯ、ＴＭＤＳＯ、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ＴＥＯＳ、ＭＴＭＯＳ、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシランのＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換されたものから選ばれた１種以上の化合物を含むことを特徴とする反射防止フィルム。The raw materials in which part or all of H atoms of the alkyl group having 1 to 4 Si atoms and carbon atoms are substituted with F atoms are HMDSO, TMDSO, octamethylcyclotetrasiloxane, TEOS, MTMOS, methylsilane, and dimethylsilane. An antireflective film comprising one or more compounds selected from those in which some or all of H atoms of trimethylsilane, diethylsilane, propylsilane, and phenylsilane are substituted with F atoms.
前記Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基のＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換された原料は、ＨＭＤＳＯ、ＴＭＤＳＯ、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ＴＥＯＳ、ＭＴＭＯＳ、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシランのＨ原子の一部または全部がＦ原子に置換されたものから選ばれた１種以上の化合物を含むことを特徴とする反射防止フィルム。The raw materials in which part or all of H atoms of the alkyl group having 1 to 4 Si atoms and carbon atoms are substituted with F atoms are HMDSO, TMDSO, octamethylcyclotetrasiloxane, TEOS, MTMOS, methylsilane, and dimethylsilane. An antireflective film comprising one or more compounds selected from those in which some or all of H atoms of trimethylsilane, diethylsilane, propylsilane, and phenylsilane are substituted with F atoms.
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