JP4276135B2 - Nitride semiconductor growth substrate - Google Patents
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Description
本発明は、特性のよい窒化物半導体の層が形成可能な窒化物半導体成長用基板に関するものである。 The present invention relates to a nitride semiconductor growth substrate capable of forming a nitride semiconductor layer having good characteristics.
窒化物半導体は、遠赤外から紫外領域のバンドギャップを有するため、遠赤外から紫外領域での受光や発光素子用の材料として有望である。また、窒化物半導体は、原子結合力が強く、絶縁破壊電界が高く、飽和電子速度が大きいことから、耐高温・高出力・高周波トランジスタなどの電子デバイスの材料としても有望である。 Since a nitride semiconductor has a band gap from the far infrared to the ultraviolet region, it is promising as a material for light reception and light emitting elements from the far infrared to the ultraviolet region. Nitride semiconductors are also promising as materials for electronic devices such as high-temperature resistance, high-power, and high-frequency transistors because they have a strong atomic bonding force, a high dielectric breakdown electric field, and a high saturation electron velocity.
窒化物半導体を用いて実用的な素子を形成するためには、窒化物半導体の薄膜を所定の基板上に形成し、所定の素子構造を形成する必要がある。しかしながら、窒化物半導体を格子整合する大きな面積を有する基板が得られていない。現状では、サファイア、炭化珪素、シリコンなど、窒化物半導体とは格子不整合が大きな材料が、基板として用いられている。この中で、シリコン基板を用いると、基板上への窒化物半導体素子構造が、低コストで製造できる可能性を有している。また、シリコン系の集積回路と窒化物半導体素子とを、同一の基板上に形成できるなど、有利な点が多くある。 In order to form a practical element using a nitride semiconductor, it is necessary to form a nitride semiconductor thin film on a predetermined substrate to form a predetermined element structure. However, a substrate having a large area for lattice-matching a nitride semiconductor has not been obtained. At present, a material having a large lattice mismatch with a nitride semiconductor such as sapphire, silicon carbide, or silicon is used as the substrate. Among these, when a silicon substrate is used, there is a possibility that a nitride semiconductor device structure on the substrate can be manufactured at low cost. In addition, there are many advantages such that the silicon-based integrated circuit and the nitride semiconductor element can be formed on the same substrate.
しかしながら、サファイア基板や炭化珪素基板に比較し、シリコン基板の上に良質な窒化物半導体の薄膜を形成することは、次に示す理由により非常に困難である。まず、シリコンの熱膨張係数と窒化物半導体との熱膨張係数との間には大きな差がある。また、シリコンの格子定数と窒化物半導体の格子定数との間にも、差がある。加えて、窒化物半導体を気相成長するときに用いる原料ガスが、シリコンと化合物を形成しやすいため、シリコン基板の上には窒化物半導体が平坦に成長せず、高密度の欠陥が発生し、かつクラックが発生しやすい。 However, it is very difficult to form a high-quality nitride semiconductor thin film on a silicon substrate as compared with a sapphire substrate or a silicon carbide substrate for the following reason. First, there is a large difference between the thermal expansion coefficient of silicon and the thermal expansion coefficient of nitride semiconductors. There is also a difference between the lattice constant of silicon and the lattice constant of nitride semiconductors. In addition, since the source gas used for vapor phase growth of nitride semiconductors tends to form a compound with silicon, the nitride semiconductor does not grow flat on the silicon substrate, resulting in high density defects. In addition, cracks are likely to occur.
以上のような問題点を解消するために、シリコン基板の上に数十ｎｍから数百ｎｍの厚さの窒化アルミニウムの膜を緩衝層として形成し、この上に窒化物半導体を形成する技術が提案されている（非特許文献１参照）。この技術では、例えば、平坦な平面状態の窒化ガリウムの膜を、シリコン基板の上に形成することが容易になる。また、上記技術によれば、欠陥密度が低く、クラックの発生が抑制された状態で、窒化ガリウムの膜が形成されている。 In order to solve the above problems, there is a technique in which an aluminum nitride film having a thickness of several tens to several hundreds of nanometers is formed as a buffer layer on a silicon substrate, and a nitride semiconductor is formed thereon. It has been proposed (see Non-Patent Document 1). In this technique, for example, it becomes easy to form a flat planar gallium nitride film on a silicon substrate. According to the above technique, the gallium nitride film is formed in a state where the defect density is low and the generation of cracks is suppressed.
非特許文献１に示された技術では、窒化アルミニウムがシリコン基板の表面に、平坦に成長しやすいという特性を利用し、上述した効果を得ている。
なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を出願時までに発見するには至らなかった。
The applicant has not yet found prior art documents related to the present invention by the time of filing other than the prior art documents specified by the prior art document information described in this specification.
しかしながら、非特許文献１に記載された技術により作成した窒化ガリウムの膜においても、およそ１０10ｃｍ-2という高密度の転位が発生しており、サファイア基板や炭化珪素基板の上に形成した窒化ガリウム膜に比較して、転位の密度が高い状態である。このように、現状では、シリコン基板の上へ高品質な窒化物半導体の結晶成長が非常に困難な状態である。 However, even in the gallium nitride film produced by the technique described in Non-Patent Document 1, dislocations with a high density of approximately 10 10 cm −2 are generated, and nitride formed on a sapphire substrate or a silicon carbide substrate. Compared to the gallium film, the density of dislocations is higher. Thus, at present, it is very difficult to grow a high-quality nitride semiconductor crystal on a silicon substrate.
シリコンと窒化物半導体との大きな格子定数の差や結晶形の違いにより、シリコン基板の上に形成した窒化物半導体には高密度の欠陥が発生しやすく、これを用いた素子の特性を大きく阻害する。前述したように、従来の技術ではこの問題を解消するまでには至っていなく、いまだ、シリコン基板の上の窒化物半導体を用いた素子の実用化がなされていない。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、シリコン基板の上に高品質な窒化物半導体の層が形成できるようにすることを目的とする。
Due to the large lattice constant difference and crystal shape difference between silicon and nitride semiconductor, high density defects are likely to occur in the nitride semiconductor formed on the silicon substrate, which greatly impedes the characteristics of the device using this. To do. As described above, the conventional technology has not yet solved this problem, and an element using a nitride semiconductor on a silicon substrate has not yet been put into practical use.
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to enable a high-quality nitride semiconductor layer to be formed on a silicon substrate.
本発明に係る窒化物半導体成長用基板は、シリコン基板とこの上に形成され、所定の酸素組成比ｘ及び所定の窒素組成比ｙとされた酸窒化アルミニウムからなるＡｌＯxＮy層と、このＡｌＯxＮy層の上に形成された窒化アルミニウムからなるＡｌＮ層とを少なくとも備えるようにしたものである。
従って、シリコン基板の上に形成されている各層間の格子定数の差が小さく、転位の発生が抑制されるようになり、ＡｌＮ層においては、転位の密度の増加が抑制された状態となっている。
A nitride semiconductor growth substrate according to the present invention includes a silicon substrate, an AlO x N y layer formed on the silicon substrate and made of aluminum oxynitride having a predetermined oxygen composition ratio x and a predetermined nitrogen composition ratio y. And an AlN layer made of aluminum nitride formed on the AlO x N y layer.
Accordingly, the difference in lattice constant between the layers formed on the silicon substrate is small, and the generation of dislocations is suppressed. In the AlN layer, the increase in the density of dislocations is suppressed. Yes.
上記窒化物半導体成長用基板において、酸化アルミニウムからなり、シリコン基板とＡｌＯxＮy層との間に形成されたＡｌ2Ｏ3層を備えるようにしてもよい。
また、上記窒化物半導体成長用基板において、ＡｌＯxＮy層の酸素組成比ｘは、シリコン基板の側からＡｌＮ層の側にかけて減少し、ＡｌＯxＮy層の窒素組成比ｙは、シリコン基板の側からＡｌＮ層の側にかけて増加するようにすることで、各層間の格子定数の差がほぼない状態とすることができる。
The nitride semiconductor growth substrate may include an Al 2 O 3 layer made of aluminum oxide and formed between the silicon substrate and the AlO x N y layer.
Further, in the above-described substrate for nitride semiconductor growth, AlO x oxygen composition ratio x of the N y layer decreases from the side of the silicon substrate side towards the AlN layer, AlO x N y nitrogen composition ratio of the layer y is a silicon substrate By increasing it from the side of the AlN layer to the side of the AlN layer, there can be almost no difference in the lattice constant between the layers.
また、本発明に係る他の窒化物半導体成長用基板は、シリコン基板とこの上に形成された酸化アルミニウムからなるＡｌ2Ｏ3層と、このＡｌ2Ｏ3層の上に形成された窒化アルミニウムからなるＡｌＮ層とを少なくとも備えるようにしたものである。この窒化物半導体成長用基板の上に結晶成長した窒化物半導体は、高抵抗な状態が得られる。
なお、上述した窒化物半導体成長用基板において、ＡｌＮ層の上に酸化アルミニウムからなるキャップ層を備えることで、ＡｌＮ層の表面における自然酸化を抑制できるようになる。
Another nitride semiconductor growth substrate according to the present invention includes a silicon substrate, an Al 2 O 3 layer made of aluminum oxide formed thereon, and an aluminum nitride formed on the Al 2 O 3 layer. At least an AlN layer comprising: The nitride semiconductor grown on the nitride semiconductor growth substrate can be in a high resistance state.
In the nitride semiconductor growth substrate described above, the cap layer made of aluminum oxide is provided on the AlN layer, so that natural oxidation on the surface of the AlN layer can be suppressed.
以上説明したように、本発明によれば、シリコン基板の上にＡｌＯxＮy層を介してＡｌＮ層を備えておき、ＡｌＮ層における転位の密度を抑制するようにしたので、シリコン基板の上に高品質な窒化物半導体の層が形成できるようになるという優れた効果が得られる。 As described above, according to the present invention, the AlN layer is provided on the silicon substrate via the AlO x N y layer to suppress the dislocation density in the AlN layer. In addition, it is possible to obtain an excellent effect that a high-quality nitride semiconductor layer can be formed.
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態における窒化物半導体成長用基板の構成例を示す模式的な断面図である。図１に示す窒化物半導体成長用基板は、単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１の上に，酸化アルミニウムからなるＡｌ2Ｏ3層１０２，酸窒化アルミニウムからなるＡｌＯxＮy層１０３，窒化アルミニウムからなるＡｌＮ層１０４，及び酸化アルミニウムからなるＡｌ2Ｏ3キャップ層１０５を備えるようにしたものである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of a nitride semiconductor growth substrate in an embodiment of the present invention. The nitride semiconductor growth substrate shown in FIG. 1 includes an Al 2 O 3 layer 102 made of aluminum oxide, an AlO x N y layer 103 made of aluminum oxynitride, and aluminum nitride on a
ＡｌＯxＮy層１０３は、Ａｌ2Ｏ3層１０２の側からＡｌＮ層１０４の側にかけて、酸素の組成比ｘが減少し、窒素の組成比ｙが増加している層である。この変化は、連続的であってもよく、段階的（非連続）であってもよい。なお、Ａｌ2Ｏ3層１０２は、化学量論的組成の酸化アルミニウムから構成され、ＡｌＮ層１０４は、化学量論的組成の窒化アルミニウムから構成されたものである。
The AlO x N y layer 103 is a layer in which the oxygen composition ratio x decreases and the nitrogen composition ratio y increases from the Al 2 O 3 layer 102 side to the
以下、図１に示す窒化物半導体成長用基板の製造方法例について説明する。なお、以降に示す数値などは、すべて一例であり、以下に示した数値に本発明が限られるものではない。
まず、直径３インチのシリコン基板１０１を用意し、ＥＣＲ（Electro Cyclotron Resonance）プラズマを用いた反応性スパッタ法により、ターゲットにアルミニウムを用い、反応性ガスに酸素を用い、膜厚１０ｎｍ程度にＡｌ2Ｏ3層１０２が形成された状態とする。
Hereinafter, an example of a method for manufacturing the nitride semiconductor growth substrate shown in FIG. 1 will be described. In addition, the numerical values shown below are all examples, and the present invention is not limited to the numerical values shown below.
First, a
次に、同様の反応性スパッタ法により、反応性ガスに酸素と共に窒素を用い、供給する酸素ガスの量を変化させることで、Ａｌ2Ｏ3層１０２の上に膜厚１０ｎｍ程度のＡｌＯxＮy層１０３が形成された状態とする。
次に、上記同様の反応性スパッタ法により、反応性ガスに窒素を用い、ＡｌＯxＮy層１０３の上に膜厚１０ｎｍ程度のＡｌＮ層１０４が形成された状態とする。
Next, AlO x N having a thickness of about 10 nm is formed on the Al 2 O 3 layer 102 by changing the amount of oxygen gas to be supplied by using nitrogen together with oxygen as a reactive gas by the same reactive sputtering method. It is assumed that the y
Next, by the reactive sputtering method similar to the above, the
引き続いて、反応性ガスを酸素ガスとし、ＡｌＮ層１０４の上に膜厚５ｎｍ程度のＡｌ2Ｏ3キャップ層１０５が形成された状態とすることで、図１に示す窒化物半導体成長用基板が得られる。
上述したスパッタ法による各層の形成は、同じ装置内において、連続して行うようにしてもよい。例えば、供給する反応性ガスを、酸素から徐々に窒素へと変えるようにすることで、同じ装置内で連続して各層を形成することができる。また、各層を個別の装置で形成するようにしてもよいことは、いうまでもない。
Subsequently, the reactive gas is oxygen gas, and the Al 2 O 3 cap layer 105 having a thickness of about 5 nm is formed on the
The formation of each layer by the sputtering method described above may be performed continuously in the same apparatus. For example, each layer can be continuously formed in the same apparatus by gradually changing the reactive gas supplied from oxygen to nitrogen. It goes without saying that each layer may be formed by an individual apparatus.
ところで、Ａｌ2Ｏ3層１０２は、膜厚１〜２００ｎｍの範囲で形成されていればよく、より好ましくは、膜厚２〜２０ｎｍ程度に形成されていればよい。また、ＡｌＯxＮy層１０３は、膜厚１〜２００ｎｍの範囲で形成されていればよく、より好ましくは、膜厚２〜７０ｎｍ程度に形成されていればよい。また、ＡｌＮ層１０４は、膜厚１〜２００ｎｍの範囲で形成されていればよく、より好ましくは、膜厚２〜５０ｎｍ程度に形成されていればよい。
However, Al 2 O 3 layer 102 may be formed in a film thickness range of 1 to 200 nm, more preferably, it may be formed in a thickness of about 2 to 20 nm. The AlO x N y layer 103 only needs to be formed in a thickness range of 1 to 200 nm, and more preferably, a thickness of about 2 to 70 nm. Moreover, the
次に、図１に示した窒化物半導体成長用基板の上に、窒化ガリウム（ＧａＮ）の層を形成した場合について説明する。
図２の断面は、図１に示した窒化物半導体成長用基板の上に、ＧａＮ層１０６が形成された状態を示している。ＧａＮ層１０６は、例えば、以降に条件を示す有機金属気相成長法により形成できる。ＧａＮ層１０６は、まず、図１に示す窒化物半導体成長用基板を所定の成長炉中に搬入し、成長炉の中をアンモニア雰囲気として１０００℃まで昇温し、ここにソースガスとしてトリメチルガリウムを供給する。
Next, the case where a gallium nitride (GaN) layer is formed on the nitride semiconductor growth substrate shown in FIG. 1 will be described.
2 shows a state in which the
上述した有機金属気相成長法により、基板（Ａｌ2Ｏ3キャップ層１０５）の上に、ＧａＮ結晶が成長し、ＧａＮ層１０６が形成される。また、Ａｌ2Ｏ3キャップ層１０５が形成されていても、ＧａＮ層１０６が形成される。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の観察により、上記ＧａＮの結晶成長時には、Ａｌ2Ｏ3キャップ層１０５に部分的に開口部が形成されて下層のＡｌＮ層１０４が露出していることが判明している。このことから、上記開口部に露出しているＡｌＮ層１０４より、ＧａＮが結晶成長しているものと考えられる。
A GaN crystal grows on the substrate (Al 2 O 3 cap layer 105) by the metal organic chemical vapor deposition method described above, and a
Ａｌ2Ｏ3キャップ層１０５は、ＡｌＮ層１０４の表面に自然酸化膜が形成されることを抑制するために備えている。Ａｌ2Ｏ3キャップ層１０５を備えることで、ストイキオメトリーの乱れから発生する表面の不安定性を生じさせるＡｌＮ層１０４の表面の不規則な自然酸化が、防げるようになる。言い換えると、Ａｌ2Ｏ3キャップ層１０５により、ＡｌＮ層１０４の表面に、ストイキオメトリーの乱れが無く規則的な酸化膜が形成されている状態が得られるようになる。従って、Ａｌ2Ｏ3キャップ層１０５は、必ずしも必要はなく、例えば、ＡｌＮ層１０４の表面に自然酸化膜が形成されない状態が得られれば、Ａｌ2Ｏ3キャップ層１０５は無くてもよい。
The Al 2 O 3 cap layer 105 is provided for suppressing the formation of a natural oxide film on the surface of the
上述したことにより図１に示す窒化物半導体成長用基板の上に形成したＧａＮ層１０６は、転位密度が５×１０8ｃｍ-2程度となり、従来より得られているシリコン基板上のＧａＮ層の１×１０10ｃｍ-2に比較して、転位密度が大幅に減少している。
以下、図１に示す窒化物半導体成長用基板における、転位密度の低減効果について説明する。シリコンは、格子定数０．５４３０１ｎｍの立方晶であり、Ａｌ2Ｏ3は、格子定数０．４７５８ｎｍの六方晶であり、ＡｌＮは、格子定数０．３１１２ｎｍの六方晶であり、ＡｌＯxＮyは、Ａｌ2Ｏ3とＡｌＮとの間の格子定数の六方晶であり、ＧａＮは、格子定数０．３１８９ｎｍの六方晶である。
As described above, the
Hereinafter, the effect of reducing the dislocation density in the nitride semiconductor growth substrate shown in FIG. 1 will be described. Silicon is a cubic crystal having a lattice constant of 0.54301 nm, Al 2 O 3 is a hexagonal crystal having a lattice constant of 0.4758 nm, AlN is a hexagonal crystal having a lattice constant of 0.3112 nm, and AlO x N y is The hexagonal crystal has a lattice constant between Al 2 O 3 and AlN, and GaN is a hexagonal crystal having a lattice constant of 0.3189 nm.
従って、図１に示す窒化物半導体成長用基板では、各格子定数が、シリコン基板１０１＞Ａｌ2Ｏ3層１０２＞ＡｌＯxＮy層１０３＞ＡｌＮ層１０４となっている。
このように、図１に示す窒化物半導体成長用基板では、シリコン基板１０１からＡｌＮ層１０４にかけて、ＡｌＯxＮyからなる層を用いることで、各層の間で格子定数の差が小さくなるようにし、貫通転位の密度が従来に比較して小さくなるようにした。
Therefore, in the nitride semiconductor growth substrate shown in FIG. 1, the lattice constants are
As described above, in the nitride semiconductor growth substrate shown in FIG. 1, by using a layer made of AlO x N y from the
例えば、図１に示すように、酸素の組成比ｘが減少して窒素の組成比ｙが増加しているＡｌＯxＮy層１０３を用いるようにした。ＡｌＯxＮy層１０３は、Ａｌ2Ｏ3層１０２との界面近傍においては、ほぼ酸化アルミニウムの状態であり、ＡｌＮ層１０４との界面においては、ほぼ窒化アルミニウムの状態である。このため、Ａｌ2Ｏ3層１０２からＡｌＮ層１０４にかけて、各層間の格子定数の差が、ほぼない状態となる。
For example, as shown in FIG. 1, an AlO x N y layer 103 in which the oxygen composition ratio x decreases and the nitrogen composition ratio y increases is used. The AlO x N y layer 103 is almost in the state of aluminum oxide near the interface with the Al 2 O 3 layer 102, and is almost in the state of aluminum nitride at the interface with the
なお、ＡｌＯxＮy層１０３は、所定の酸素組成比ｘ及び所定の窒素組成比ｙとされていてもよいが、酸素組成比ｘがＡｌＮ層１０４の側にかけて減少し、窒素組成比ｙがＡｌＮ層１０４の側にかけて増加する状態とすることで、各層間の格子定数の差がほぼない状態が得られる。
The AlO x N y layer 103 may have a predetermined oxygen composition ratio x and a predetermined nitrogen composition ratio y. However, the oxygen composition ratio x decreases toward the
上述したように、図１に示す窒化物半導体成長用基板によれば、シリコン基板１０１の上に、ＡｌＯxＮy層１０３を介してＡｌＮ層１０４を備えるようにしたので、転位などの欠陥が抑制されたＧａＮ層１０６が形成できる。
また、図１に示す窒化物半導体成長用基板では、ＡｌＯxＮy層１０３を介してＡｌＮ層１０４を備えるようにしたので、反応性スパッタによりＡｌＮ層１０４が形成できるようになる。この結果、より高温が必要な有機金属気相成長法などを用いることなく、窒化物半導体の結晶成長を行う前に、ＡｌＮの層を用意しておくことが可能となる。
As described above, according to the nitride semiconductor growth substrate shown in FIG. 1, since the
In addition, since the nitride semiconductor growth substrate shown in FIG. 1 includes the
従来では、有機金属気相成長法によりＧａＮの層を結晶成長させる時に、前処理として、ＡｌＮの層を結晶成長させている。有機金属気相成長法によるＡｌＮの層の成長では、基板温度を１１００℃とする必要があり、ＧａＮの結晶成長温度である１０００℃より高い温度が必要となっていた。 Conventionally, when a GaN layer is grown by metal organic vapor phase epitaxy, an AlN layer is grown as a pretreatment. In the growth of the AlN layer by the metal organic chemical vapor deposition method, the substrate temperature needs to be 1100 ° C., and a temperature higher than 1000 ° C., which is the crystal growth temperature of GaN, is required.
これに対し、図１に示す窒化物半導体成長用基板を用いる場合、すでにＡｌＮの層が存在しているので、有機金属気相成長法によりＡｌＮの層を形成してからＧａＮの結晶成長を行う必要が無い。この結果、図１に示す窒化物半導体成長用基板用いることで、ＧａＮを結晶成長する際には、ＧａＮが結晶成長する温度にまでとすればよくなる。このことにより、例えば、基板を加熱するためのヒータの寿命を延長することができ、また、ＧａＮの層をより短い時間で形成することが可能となる。 On the other hand, when the nitride semiconductor growth substrate shown in FIG. 1 is used, since an AlN layer already exists, an AlN layer is formed by metal organic vapor phase epitaxy, and then GaN crystal growth is performed. There is no need. As a result, by using the nitride semiconductor growth substrate shown in FIG. 1, when GaN is crystal-grown, it is sufficient to reach the temperature at which GaN grows. Thereby, for example, the life of the heater for heating the substrate can be extended, and the GaN layer can be formed in a shorter time.
また、ＧａＮ層１０６のシート抵抗測定による絶縁性評価は、１０6Ω／ｓｑｒ以上と、高い絶縁性が得られている。
従来より得られているシリコン基板上のＧａＮ層の絶縁性は、１０3〜１０4Ω／ｓｑｒと低く、このＧａＮ層の上に電界効果トランジスタを形成すると、ＧａＮ層へのリーク電流が問題となる。従って、図１に示す窒化物半導体成長用基板の上にＧａＮ層１０６を形成することで、前述したように高い絶縁性が得られ、上述したリーク電流の問題も解消できるようになる。
Moreover, the insulation evaluation by the sheet resistance measurement of the
The insulation property of the GaN layer on the silicon substrate obtained conventionally is as low as 10 3 to 10 4 Ω / sqr, and when a field effect transistor is formed on this GaN layer, the leakage current to the GaN layer is a problem. Become. Therefore, by forming the
次に、本発明の実施の形態における窒化物半導体成長用基板の他の構成例について説明する。図３は、本実施の形態における窒化物半導体成長用基板の上に、ＧａＮ層２０６を形成した状態を示す模式的な断面図である。図３に示す窒化物半導体成長用基板は、シリコン基板１０１の上に、Ａｌ2Ｏ3層を用いずに、ＡｌＯxＮy層１０３を介してＡｌＮ層１０４を形成したものである。図３に示す窒化物半導体成長用基板は、図１に示す窒化物半導体成長用基板に比較してＡｌ2Ｏ3層のない点で異なり、他の構成は同様である。
Next, another configuration example of the nitride semiconductor growth substrate in the embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the
図３に示す窒化物半導体成長用基板の上に形成したＧａＮ層２０６は、転位密度が２×１０9ｃｍ-2程度となり、従来より得られているシリコン基板上のＧａＮ層の１×１０10ｃｍ-2に比較して、転位密度が大幅に減少している。ただし、図２に示したＧａＮ層１０６に比較すると、転位密度は高い状態となっている。
The
また、ＧａＮ層２０６のシート抵抗測定による絶縁性評価は、５×１０5Ω／ｓｑｒと、従来技術によるＧａＮ層に比較して、高い絶縁性が得られている。ただし、絶縁特性についても、ＧａＮ層１０６に比較すると低い状態となっている。
これらのことにより、図１，２に示したように、シリコン基板１０１の上に所定の厚さのＡｌ2Ｏ3層を用意しておくことで、より特性のよい窒化物半導体が得られることがわかる。
In addition, the insulation evaluation by measuring the sheet resistance of the
As a result, as shown in FIGS. 1 and 2, by preparing an Al 2 O 3 layer having a predetermined thickness on the
次に、図１，２に示した窒化物半導体成長用基板を用いた、電界効果トランジスタの構成例について説明する。図４は、本発明の窒化物半導体成長用基板を利用して形成した、高電子移動度トランジスタの構成を概略的に示す模式的な断面図である。図４に示すトランジスタは、図１に示す窒化物半導体成長用基板の上に形成されたバッファ層となるＧａＮ層１０６の上に、まず、例えば、アルミニウムとガリウムの組成比が３：７とされたアンドープのＡｌＧａＮからなる半導体層１０７を備える。
Next, a configuration example of a field effect transistor using the nitride semiconductor growth substrate shown in FIGS. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view schematically showing a configuration of a high electron mobility transistor formed using the nitride semiconductor growth substrate of the present invention. In the transistor shown in FIG. 4, first, for example, the composition ratio of aluminum and gallium is set to 3: 7 on the
また、図４に示すトランジスタは、半導体層１０７の上に、例えばシリコンが約１０18ｃｍ-3程度ドープされたｎ形のＡｌＧａＮからなる電子供給層１０８を備え、電子供給層１０８の上にアンドープのＡｌＧａＮからなる半導体層１０９を介して、ゲート電極１１０を備える。また、半導体層１０９の上において、ゲート電極１１０を挾むように、ソース電極１１１とドレイン電極１１２が備えられている。
The transistor shown in FIG. 4 includes an
ゲート電極１１０は、例えば、ニッケル層とこの上に形成された金層とから構成された積層構造の電極である。
また、ソース電極１１１及びドレイン電極１１２は、チタン層／アルミニウム層／チタン層／金層の順に積層して形成される。このように積層されて形成された後、加熱処理によるシンターで、ソース電極１１１及びドレイン電極は、半導体層１０７に形成されるチャネルとのオーミック接続を得ている。
The
The
図４に示すトランジスタでは、電子供給層１０８にドープされているドナー不純物から供給された電子が、半導体層１０７とＧａＮ層１０６とのヘテロ接合界面のＧａＮ層１０６側の近傍に蓄積してチャネルを形成している。このチャネルの厚さは非常に薄く、２次元電子チャネルと称されている。
In the transistor shown in FIG. 4, electrons supplied from a donor impurity doped in the
図４に示すトランジスタの電気的特性は、ホール測定によれば、上記２次元電子チャネルにおけるキャリアの移動度が１２００ｃｍ／Ｖｓであり、シート電子濃度が１．３×１０13ｃｍ-2である。これらの特性は、サファイア基板や炭化珪素基板の上に、同様のトランジスタを形成した場合とほぼ同様に良好な結果である。 As for the electrical characteristics of the transistor shown in FIG. 4, according to Hall measurement, the carrier mobility in the two-dimensional electron channel is 1200 cm / Vs, and the sheet electron concentration is 1.3 × 10 13 cm −2 . These characteristics are as good as those obtained when a similar transistor is formed on a sapphire substrate or silicon carbide substrate.
高電子移動度トランジスタでは、よく知られているように、ヘテロ接合面の界面近傍における半導体層の結晶性が、上述した各特性の良否に大きく関わっている。従って、上述した特性の結果は、図４に示すトランジスタでは、ヘテロ接合面の界面近傍における半導体層の結晶性がよいことを示している。
このように、図１に示した窒化物半導体成長用基板によれば、結晶性のより窒化物半導体の層が得られる。
In the high electron mobility transistor, as is well known, the crystallinity of the semiconductor layer in the vicinity of the interface of the heterojunction plane is greatly related to the quality of each of the above-described characteristics. Therefore, the result of the above-described characteristic indicates that the crystallinity of the semiconductor layer in the vicinity of the interface of the heterojunction surface is good in the transistor illustrated in FIG.
Thus, according to the nitride semiconductor growth substrate shown in FIG. 1, a nitride semiconductor layer can be obtained with higher crystallinity.
また、図４に示すトランジスタは、ピンチオフ状態でソース電極１１１とドレイン電極１１２との間に５０Ｖまでの電圧を印加しても、バッファリーク電流が数μＡ以下と、ほとんど流れない。このような特性のトランジスタは、高出力の用途として有用である。このように、図１に示した窒化物半導体成長用基板によれば、高い絶縁性を備えた状態のバッファ層が形成できる。
In the transistor shown in FIG. 4, even when a voltage of up to 50 V is applied between the
ところで、図５に示す窒化物半導体成長用基板を用いることで、高い絶縁性を備えた窒化物半導体の層（バッファ層）を形成することができる。図５に示す窒化物半導体成長用基板は、単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１の上に，酸化アルミニウムからなるＡｌ2Ｏ3層１０２，窒化アルミニウムからなるＡｌＮ層１０４，及び酸化アルミニウムからなるＡｌ2Ｏ3キャップ層１０５を備えるようにしたものである。Ａｌ2Ｏ3層１０２は、化学量論的組成の酸化アルミニウムから構成され、ＡｌＮ層１０４は、化学量論的組成の窒化アルミニウムから構成されたものである。
By using the nitride semiconductor growth substrate shown in FIG. 5, a nitride semiconductor layer (buffer layer) having high insulating properties can be formed. Nitride semiconductor growth substrate shown in FIG. 5, on the
図５に示す窒化物半導体成長用基板の上に形成したＧａＮ層３０６は、シート抵抗測定による絶縁性評価が１０6Ω／ｓｑｒ以上と、高い絶縁性が得られている。このように、シリコン基板１０１の上にＡｌ2Ｏ3層１０２を介してＡｌＮ層１０４を形成しておくことで、高い絶縁性を持つ窒化物半導体層が得られることがわかる。ただし、ＧａＮ層３０６は、転位密度が５×１０9ｃｍ-2程度となり、従来より得られているシリコン基板上のＧａＮ層の転位密度と同程度であり、転位密度の減小は得られていない。
The
なお、上述した実施の形態では、窒化物半導体としてＧａＮを例示したが、これに限るものではなく、ＡｌＧａＮやＩｎＧａＮなど、他の窒化物半導体にも同様に適用できる。また、適用可能な窒化物半導体の層においては、不純物の添加の有無や、添加された不純物によりキャリアの極性、及び半導体層の組成比には依存することなく、上述した効果が得られる。 In the above-described embodiment, GaN is exemplified as the nitride semiconductor. However, the present invention is not limited to this, and can be similarly applied to other nitride semiconductors such as AlGaN and InGaN. In the applicable nitride semiconductor layer, the above-described effects can be obtained without depending on the presence or absence of impurities, the polarity of carriers and the composition ratio of the semiconductor layers depending on the added impurities.
１０１…シリコン基板、１０２…Ａｌ2Ｏ3層、１０３…ＡｌＯxＮy層、１０４…ＡｌＮ層、１０５…Ａｌ2Ｏ3キャップ層。
101 ... silicon substrate, 102 ... Al 2 O 3 layer, 103 ... AlO x N y layer, 104 ... AlN layer, 105 ... Al 2 O 3 capping layer.
Claims (3)
シリコン基板とこの上に形成され、所定の酸素組成比ｘ及び所定の窒素組成比ｙとされた酸窒化アルミニウムからなるＡｌＯxＮy層と、
このＡｌＯxＮy層の上に形成された窒化アルミニウムからなるＡｌＮ層と、
前記ＡｌＮ層の上に形成された酸化アルミニウムからなるキャップ層と
を少なくとも備える
ことを特徴とする窒化物半導体成長用基板。 A nitride semiconductor growth substrate in which a nitride semiconductor layer is formed by crystal growth,
An AlO x N y layer formed of a silicon substrate and aluminum oxynitride formed on the silicon substrate and having a predetermined oxygen composition ratio x and a predetermined nitrogen composition ratio y;
An AlN layer made of aluminum nitride formed on the AlO x N y layer ;
A nitride semiconductor growth substrate comprising at least a cap layer made of aluminum oxide formed on the AlN layer .
酸化アルミニウムからなり、前記シリコン基板と前記ＡｌＯxＮy層との間に形成されたＡｌ2Ｏ3層
を備えることを特徴とする窒化物半導体成長用基板。 The nitride semiconductor growth substrate according to claim 1,
A nitride semiconductor growth substrate comprising an Al 2 O 3 layer made of aluminum oxide and formed between the silicon substrate and the AlO x N y layer.
前記ＡｌＯxＮy層の酸素組成比ｘは、前記シリコン基板の側から前記ＡｌＮ層の側にかけて減少し、
前記ＡｌＯxＮy層の窒素組成比ｙは、前記シリコン基板の側から前記ＡｌＮ層の側にかけて増加する
ことを特徴とする窒化物半導体成長用基板。 The nitride semiconductor growth substrate according to claim 1 or 2,
The oxygen composition ratio x of the AlO x N y layer decreases from the silicon substrate side to the AlN layer side,
The nitride semiconductor growth substrate, wherein the nitrogen composition ratio y of the AlO x N y layer increases from the silicon substrate side to the AlN layer side.
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