JP4260835B2 - High frequency module parts - Google Patents
High frequency module parts Download PDFInfo
- Publication number
- JP4260835B2 JP4260835B2 JP2006305806A JP2006305806A JP4260835B2 JP 4260835 B2 JP4260835 B2 JP 4260835B2 JP 2006305806 A JP2006305806 A JP 2006305806A JP 2006305806 A JP2006305806 A JP 2006305806A JP 4260835 B2 JP4260835 B2 JP 4260835B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer substrate
- acoustic wave
- frequency module
- surface acoustic
- module component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Transceivers (AREA)
Description
本発明は、たとえば携帯電話などの通信機器に用いて好適な、セラミック多層基板に表面弾性波ベア素子(SAW素子)が直接フリップチップ実装された回路モジュールであって、特に、SAW素子が安定かつ高い特性を示すように実装された、より小型で信頼性の高い高周波モジュール部品に関する。 The present invention is a circuit module in which a surface acoustic wave bare element (SAW element) is directly flip-chip mounted on a ceramic multilayer substrate, which is suitable for use in communication equipment such as a cellular phone. The present invention relates to a smaller and more reliable high-frequency module component mounted so as to exhibit high characteristics.
一般的に電子機器においては小型化の市場要求が常にあり、使用される部品についても小型化、軽量化が常に要求されているが、特に、近年急速に普及している携帯電話に代表される携帯型の機器においてこの傾向は顕著に見られ、使用される部品に対する小型化、軽量化の要求が大きい。
その結果、このような携帯型の機器に使用される部品において特に高密度化が進み、要求に対応した小型化、軽量化がなされてきている。
In general, there is always a market demand for downsizing electronic devices, and parts used are always required to be downsized and lightened. In particular, it is represented by mobile phones that have been rapidly spreading in recent years. This tendency is prominent in portable devices, and there is a great demand for miniaturization and weight reduction of components used.
As a result, the density of parts used in such portable devices has been particularly increased, and miniaturization and weight reduction corresponding to demands have been made.
このような小型化の要求に対応する手段の1つとして、回路のモジュール化が挙げられる。
モジュール部品は、様々な部品を搭載した集合素子であって小型化の点で有効なのはもちろんであるが、回路を機能ごとにまとめるために、従来のディスクリート部品を一つ一つ搭載して回路を形成していく手法に比べて、機器の構造がシンプルになり、信頼性、特性に優れるものを提供できるようになるという利点もある。また、従来のデスクリート部品においては各部品ごとの特性を組み合わせて、機能を果たしていくために、設計が複雑になっているが、モジュール化することによってモジュールごとに特性仕様が決まっているために、機器の設計の構造化ができ、開発の短期間化、省力化が可能となる。
One means for meeting such a demand for miniaturization is modularization of a circuit.
Module parts are collective elements on which various parts are mounted, and of course they are effective in terms of miniaturization, but in order to organize the circuits by function, the conventional discrete parts are mounted one by one. Compared to the forming method, there is also an advantage that the structure of the device becomes simple and it is possible to provide a device having excellent reliability and characteristics. In addition, the conventional discrete parts combine the characteristics of each part to perform the functions, and the design is complicated, but the characteristics specifications are determined for each module by modularization. This makes it possible to structure the design of the equipment, shorten the development period, and save labor.
また、このような小型化の要求に対応するために、素子を搭載する基板においても、導体層が複数層ある多層基板が、導体層が単層の基板に代わって用いられるようになっている。特に、携帯電話などの通信機器に用いられる高周波回路を構成するための基板としては、絶縁層を電気的に絶縁体のセラミックで形成し、導体層を銀などで形成したセラミック多層基板が用いられるようになっている。
セラミック多層基板は、一般的な樹脂多層基板と比べて、高周波での損失が少ない、熱伝導がよい、寸法精度がよい、信頼性に優れるなどの特徴を有する。また、内導体をコイル形状にする、あるいは平行に対向させることで、それぞれ内部にインダクタあるいはキャパシタを形成することができる。これらの素子は、低損失で寸法精度がよいことから素子のQ(quality factor)も高く、公差も小さく、非常に特性が高い。
これらの特徴は、高周波回路を形成するのに非常に有効であり、その結果、セラミック多層基板上に様々な部品を搭載し高特性の高周波回路を形成した、携帯電話などに適用して好適な小型の高周波モジュール部品が開発されている。
Further, in order to meet such a demand for miniaturization, a multilayer substrate having a plurality of conductor layers is used instead of a substrate having a single conductor layer in a substrate on which an element is mounted. . In particular, as a substrate for constituting a high-frequency circuit used in communication equipment such as a mobile phone, a ceramic multilayer substrate in which an insulating layer is formed of an electrically insulating ceramic and a conductive layer is formed of silver or the like is used. It is like that.
The ceramic multilayer substrate has characteristics such as less loss at high frequency, good heat conduction, good dimensional accuracy, and excellent reliability as compared with a general resin multilayer substrate. Moreover, an inductor or a capacitor can be formed in the inside by making the inner conductor into a coil shape or facing in parallel. Since these elements have low loss and good dimensional accuracy, the elements have high Q (quality factor), small tolerances, and very high characteristics.
These characteristics are very effective for forming a high-frequency circuit, and as a result, suitable for application to a mobile phone or the like in which various components are mounted on a ceramic multilayer substrate to form a high-frequency circuit. Small high-frequency module components have been developed.
ところで、実際の携帯電話の回路における回路のモジュール化はいくつかの機能で行われており、現在は、たとえば、パワーアンプ部分、デュアルバンド型携帯電話のアンテナスイッチ部分などが各機能ごとにモジュール化されている。
このようなモジュール部品の例を図8に示す。
図8は、アンテナスイッチングモジュールの構造を示す図である。
図8においては、基板901上にダイオード素子やインダクタ素子、抵抗素子などのチップ部品914が搭載されている。そして、これらの部品および基板を覆うようにシールドケース915が配置されている。また、基板901の側面には外部導体909が形成され、内部および表面には内部導体910aおよび表面導体910bが、各々形成配置されていて、キャパシタ912、インダクタ913などを形成している。また、これらの導体910はビアホール911により基板の層を貫通して上下に接続されている。
By the way, the modularization of circuits in actual mobile phone circuits has been performed with several functions. Currently, for example, the power amplifier part and the antenna switch part of the dual-band mobile phone are modularized for each function. Has been.
An example of such a module component is shown in FIG.
FIG. 8 is a diagram showing the structure of the antenna switching module.
In FIG. 8,
前述したように、携帯電話などの通信機器においては、現在においても単機能ごとのモジュール化は行われているが、より広範な機能がモジュール化されれば、前述したようなモジュール化の利点をさらに引き出させることになり有効である。
そして、より広範な機能をモジュール化するためには、このような通信機器に通常使用されている表面弾性波フィルタ(SAWフィルタ)などの表面弾性波素子(SAW素子)を加えたモジュール化が重要である。
SAWフィルタは、素子表面を表面波が伝播することにより櫛型電極との間で共振子が形成される現象を、フィルター等の用途に適用した素子である。この表面波は非常に敏感なために、素子表面は封止構造をとるのが実用上一般的であり、SAW素子は通常パッケージに封止されたいわゆるパッケージ部品の形態で使用されることが多い(例えば特許文献1参照)。
In order to modularize a wider range of functions, it is important to add a module that includes a surface acoustic wave element (SAW element) such as a surface acoustic wave filter (SAW filter) that is usually used in such communication devices. It is.
A SAW filter is an element in which a phenomenon in which a resonator is formed with a comb-shaped electrode due to propagation of surface waves on the element surface is applied to a use such as a filter. Since this surface wave is very sensitive, it is generally practical to take a sealing structure on the element surface, and the SAW element is often used in the form of a so-called package component that is usually sealed in a package. (For example, refer to Patent Document 1).
このようなSAW素子をモジュール部品に適用する場合、図9に示すように、SAW素子のパッケージ品917を搭載してモジュール化を行うことも可能である。しかしながら、パッケージ品917を多層基板上に搭載してモジュール部品を構成した場合、図9からも明らかなようにその小型化、低背化には制限があり、十分な小型化、低背化ができない。
特に、セラミック多層基板はインダクタンス、キャパシタンスが内蔵できるという特徴を有する反面、本来低背化が難しいという不利益がある。従って、さらに高さのあるパッケージ品917を搭載すると、低背化の要求に十分に応えられえなくなり、一層問題が顕著となる。
When such a SAW element is applied to a module component, as shown in FIG. 9, it is possible to mount a
In particular, the ceramic multilayer substrate has a feature that an inductance and a capacitance can be built in, but has a disadvantage that it is difficult to reduce the height. Therefore, if the
また、パッケージ品917を搭載する場合はベアチップを搭載する場合と比べて広い占有面積を必要とする。特にSAW素子は、使用部品の中でも最も背の高い部品のひとつであり、また、占有面積も広い。
したがって、SAW素子はパッケージ形態のものを使用せずに、ベアチップの状態で直接セラミック多層基板に搭載することが望まれいる。
しかしながら、ベアチップのSAW素子を直接セラミック多層基板に搭載した高周波モジュール部品を実現するためには、さらに以下に記載するような種々の課題があり、改善が望まれている。
Further, when the
Therefore, it is desired that the SAW element is directly mounted on the ceramic multilayer substrate in a bare chip state without using a package form.
However, in order to realize a high-frequency module component in which a bare chip SAW element is directly mounted on a ceramic multilayer substrate, there are various problems as described below, and improvements are desired.
前述したように、SAW素子の特性は櫛型電極にかかる圧力、表面の状態に非常に敏感であり、実質的にこの櫛型電極に封止部材や製造段階での接触してはならない。したがって、このSAW素子をベアチップ状態で多層基板上に実装する場合、この櫛型電極面に対して機密性の高い空間を確保する必要がある。
しかしながら、一般的な樹脂封止はすべての空間に樹脂を満たすことを主旨としていて、この場合、SAWの櫛型電極表面をも覆うことになり、SAW素子の特性に重大な悪影響を与えることになる。
As described above, the characteristics of the SAW element are very sensitive to the pressure applied to the comb electrode and the surface state, and the comb electrode should not substantially contact the sealing member or the manufacturing stage. Therefore, when this SAW element is mounted on a multilayer substrate in a bare chip state, it is necessary to secure a highly confidential space with respect to the comb-shaped electrode surface.
However, general resin sealing is intended to fill the entire space with resin, and in this case, the surface of the SAW comb electrode is also covered, which has a serious adverse effect on the characteristics of the SAW element. Become.
仮に、封止樹脂によりそのような空間を確保した場合においても、このような金−金接合する部品とハンダ接合する部品を同時に実装するモジュール部品においては、封止樹脂の接合が弱くなり多層基板から剥離する可能性がある。
これは以下のような理由による。
まず、金−金接合によってSAWチップをフリップチップ搭載し、同時にハンダ付け部品を搭載するためには、たとえば銀焼結体とその上にニッケル層、金層を形成するようにしている場合が多い。このようにした場合、表面導体層はある程度の厚みを持って表面に凹凸を形成することになる。この凹凸のために、封止樹脂が多層基板から剥離する可能性がある。
また、多層基板の表面には通常導体パターンが形成されているが、金導体は材質的に樹脂と剥離を生じ易い。つまり、基板の凹凸とは別の原因により、やはり封止樹脂が多層基板から剥離する可能性がある。
特に、図10に示すように、側面に導体920を形成したようなモジュールにおいては、樹脂封止を行うと特に封止樹脂と基板との接合が不安定となり、剥離する可能性が高い。これは、側面に導体を形成することにより、基板表面の凹凸が増大するためと考えられる。
Even if such a space is ensured by the sealing resin, in the module component in which such a gold-gold bonding component and a solder bonding component are simultaneously mounted, the bonding of the sealing resin becomes weak and the multilayer substrate There is a possibility of peeling from.
This is due to the following reasons.
First, in order to mount a SAW chip by flip-chip bonding by gold-gold bonding and simultaneously mount a soldered component, for example, a silver sintered body and a nickel layer and a gold layer are often formed thereon. . In such a case, the surface conductor layer has irregularities on the surface with a certain thickness. Due to the unevenness, the sealing resin may be peeled off from the multilayer substrate.
In addition, a conductor pattern is usually formed on the surface of the multilayer substrate, but the gold conductor is easily peeled off from the resin in terms of material. That is, there is a possibility that the sealing resin may peel from the multilayer substrate due to a cause different from the unevenness of the substrate.
In particular, as shown in FIG. 10, in a module in which the
さらにまた、ハンダ付け部品とSAW素子との混載を行うモジュール部品においては、ハンダ付け部分のラウンド周辺にハンダが盛られているが、ハンダに含有されるスズは高温で移動を起こし易く、わずかな隙間でも毛管現象によってその隙間を伝わることがある。そしてこのようなスズの移動が、外周部付近から樹脂セラミック界面を伝わり外部まで伝わると、クラックを引き起こすことになり、初期のSAW素子の封止の目的は果たさなくなるという問題が生じる。なお、このような問題は、混載を意図しないSAWの単品では生じず、ハンダ付け部品とSAW素子とを混載する場合において固有に生じる問題である。 Furthermore, in the module parts in which the soldered parts and the SAW elements are mixedly mounted, the solder is piled up around the rounds of the soldered parts, but the tin contained in the solder tends to move at a high temperature and is slightly Even a gap may be transmitted through the gap by capillary action. Then, if such tin movement is transmitted from the vicinity of the outer peripheral portion to the outside through the resin ceramic interface, a crack is caused, and there arises a problem that the initial purpose of sealing the SAW element is not fulfilled. Note that such a problem does not occur in a single SAW product that is not intended to be mixed and is inherently generated when a soldered component and a SAW element are mixedly mounted.
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、
セラミック多層基板に直接ベア表面波弾性素子がフリップチップ搭載された高周波モジュール部品であって、特に、樹脂封止を、SAW素子の特性を維持するような空間を確保しながら、かつ、多層基板と接合性よく適切に行うことにより、SAW素子が安定かつ高い特性を示すような高周波モジュール部品を提供することにある。
The present invention has been made in view of such problems, and the object of the present invention is to
A high-frequency module component in which a bare surface acoustic wave elastic element is directly flip-chip mounted on a ceramic multilayer substrate. In particular, the resin sealing is performed while ensuring a space for maintaining the characteristics of the SAW element, and with the multilayer substrate. It is an object of the present invention to provide a high-frequency module component in which a SAW element exhibits stable and high characteristics by performing appropriately with good bonding properties.
前記課題を解決するために、本発明に係る高周波モジュール部品は、少なくとも1の表面弾性波素子(SAW素子)と、前記表面弾性波素子に接続される電気回路が作り込まれた多層基板と、前記表面弾性波素子を被覆して封止するように前記多層基板の前記表面弾性波素子搭載面に形成される封止部材と、前記多層基板に設けられる前記電気回路の入出力端子とを有するモジュール部品であって、前記多層基板は、前記表面弾性波素子搭載面の、周囲側面から所定距離以内の周縁領域に、導体パターンが存在しないように形成され、前記表面弾性波素子は、櫛形電極が前記多層基板の前記素子搭載面に対向するように前記多層基板上に搭載され、前記封止部材は、少なくとも前記周縁領域において前記多層基板と固着され、前記表面弾性波素子の前記櫛形電極と前記多層基板との間の空間を維持するように前記表面弾性波素子を被覆して封止し、前記入出力端子は、前記多層基板の前記表面弾性波素子搭載面の反対側の面に設けられている。 In order to solve the above problems, a high-frequency module component according to the present invention includes at least one surface acoustic wave element (SAW element), a multilayer substrate in which an electric circuit connected to the surface acoustic wave element is built, A sealing member formed on the surface acoustic wave element mounting surface of the multilayer substrate so as to cover and seal the surface acoustic wave element; and an input / output terminal of the electric circuit provided on the multilayer substrate. In the module component, the multilayer substrate is formed such that a conductor pattern does not exist in a peripheral region within a predetermined distance from a peripheral side surface of the surface acoustic wave device mounting surface, and the surface acoustic wave device includes a comb electrode Is mounted on the multilayer substrate so as to face the element mounting surface of the multilayer substrate, and the sealing member is fixed to the multilayer substrate at least in the peripheral region, and the surface acoustic wave The surface acoustic wave element is covered and sealed so as to maintain a space between the comb-shaped electrode of the child and the multilayer substrate, and the input / output terminal is provided on the surface acoustic wave element mounting surface of the multilayer substrate. It is provided on the opposite surface.
好適にはSAW素子は、フリップチップ方式などのフェイスダウンボンディングにより、ベアチップの状態で多層基板に金−金接合されて実装される。
望ましくは、前記周縁領域は、前記多層基板の周囲側面からの距離が100μm以内程度の領域である。
また好適には、前記多層基板は、内部にインダクタおよびキャパシタ(LC回路)が形成された低温同時燒結基板(LTCC基板)である。
Preferably, the SAW element is mounted by gold-gold bonding to the multilayer substrate in a bare chip state by face-down bonding such as a flip chip method.
Preferably, the peripheral region is a region whose distance from the peripheral side surface of the multilayer substrate is about 100 μm or less.
Preferably, the multilayer substrate is a low-temperature simultaneous sintering substrate (LTCC substrate) in which an inductor and a capacitor (LC circuit) are formed.
このような構成の高周波モジュール部品においては、封止部材と多層基板とは周縁領域において金属体である導体パターンを介さずに直接的に接合されるので、強固に接着され、封止部材が剥離する可能性が低くなる。その結果、SAW素子の櫛型電極に対して形成されている空間は安定的に確保され、SAW素子の特性は安定し、また所望の高い特性が確保できる。
また本発明では、封止部材と多層基板とは周縁領域において強固に接着されることから、ハンダ付け部品とSAW素子との混載を行う高周波モジュール部品であったとしても、ハンダに含有されるスズの移動によるクラックの発生などの不都合がほとんどない。
In the high-frequency module component having such a configuration, the sealing member and the multi-layer substrate are directly bonded to each other in the peripheral region without using a conductive pattern that is a metal body, so that the sealing member is peeled off firmly. Less likely to do. As a result, the space formed for the comb electrode of the SAW element is stably secured, the characteristics of the SAW element are stabilized, and desired high characteristics can be secured.
In the present invention, since the sealing member and the multilayer substrate are firmly bonded in the peripheral region, even if the soldering component and the SAW element are mixedly mounted, the tin contained in the solder There is almost no inconvenience such as the generation of cracks due to the movement of.
好適には、前記多層基板は、前記周縁領域においてさらに内部導体をも含まないように形成されている。
このような構成の高周波モジュール部品においては、周縁部において多層基板表面の凹凸がさらに減少され比較的平坦な面が確保されるので、より一層封止部材と多層基板が強固に接着され、SAW素子の特性が安定する。
Preferably, the multilayer substrate is formed so as not to further include an internal conductor in the peripheral region.
In the high-frequency module component having such a configuration, the unevenness on the surface of the multilayer substrate is further reduced at the peripheral portion, and a relatively flat surface is secured. Therefore, the sealing member and the multilayer substrate are further firmly bonded, and the SAW element The characteristics are stable.
また好適には、複数の前記表面弾性波素子を有し、前記封止部材は、前記複数の表面弾性波素子各々の前記櫛形電極と前記多層基板との間の各空間が、連続した1の空間として形成されるように当該複数の表面弾性波素子を被覆して封止している。
このような構成の高周波モジュール部品においては、複数のSAW素子を実装する場合に、非常に高密度に実装することができる。また、構造が簡単でより容易な方法により製造できることが予測される。さらに、実装したSAW素子間での特性のばらつきが押さえられる。
Preferably, the sealing member includes a plurality of the surface acoustic wave elements, and the sealing member includes one continuous space between the comb-shaped electrode of each of the plurality of surface acoustic wave elements and the multilayer substrate. The plurality of surface acoustic wave elements are covered and sealed so as to be formed as a space.
The high-frequency module component having such a configuration can be mounted at a very high density when a plurality of SAW elements are mounted. It is also expected that the structure is simple and can be manufactured by an easier method. In addition, variations in characteristics among mounted SAW elements are suppressed.
また好適には、前記封止部材は、前記表面弾性波素子に対して、前記櫛形電極が形成されている面の反対側の面にのみ固着し、当該表面弾性波素子の側面には付着しないように、前記表面弾性波素子を被覆して封止している。
このような構成の高周波モジュール部品においては、SAW素子に対して側面から何ら力が作用しないので、櫛型電極および圧電素子からなるSAW素子の特性から外圧的な要因を排除することができ、SAW素子の特性を安定させることができる。また、複数のSAW素子が装着される場合に、複数のSAW素子間において特性のばらつきを押さえられ、モジュール部品全体としての特性が確保される。
また、好ましくは、前記封止部材は、前記多層基板に接する面の反対側の面が平滑になるように成形されている。
この平滑度は、たとえばピックアンドプレース装置により吸着可能な程度の平滑度であることが望ましい。このような構成であれば、本発明に係る高周波モジュール部品は、ピックアンドプレース装置により容易に吸着され、たとえば携帯電話などの機器の組立て作業の自動化が容易になる。
Preferably, the sealing member is fixed to the surface acoustic wave element only on the surface opposite to the surface on which the comb-shaped electrode is formed, and does not adhere to the side surface of the surface acoustic wave element. As described above, the surface acoustic wave element is covered and sealed.
In the high-frequency module component having such a configuration, no force acts on the SAW element from the side surface, so that an external pressure factor can be eliminated from the characteristics of the SAW element including the comb-shaped electrode and the piezoelectric element. The characteristics of the element can be stabilized. Further, when a plurality of SAW elements are mounted, variation in characteristics among the plurality of SAW elements is suppressed, and characteristics as a whole module component are ensured.
Preferably, the sealing member is formed so that a surface opposite to a surface in contact with the multilayer substrate is smooth.
The smoothness is desirably smooth enough to be absorbed by, for example, a pick-and-place apparatus. With such a configuration, the high-frequency module component according to the present invention is easily adsorbed by the pick-and-place apparatus, and for example, it is easy to automate the assembly work of a device such as a mobile phone.
以上説明してきたように、本発明によれば、樹脂封止を、SAW素子の特性を維持するような空間を確保しながら、かつ、多層基板と接合性よく適切に行うことが可能になる。その結果本発明では、セラミック多層基板に直接ベア表面波弾性素子がフリップチップ搭載された高周波モジュール部品であって、SAW素子が安定かつ高い特性を示す高周波モジュール部品を提供することができる。 As described above, according to the present invention, resin sealing can be appropriately performed while ensuring a space for maintaining the characteristics of the SAW element and with good bonding properties to the multilayer substrate. As a result, according to the present invention, it is possible to provide a high-frequency module component in which a bare surface acoustic wave elastic element is directly flip-chip mounted on a ceramic multilayer substrate, and the SAW element exhibits stable and high characteristics.
本発明の実施形態について、図1〜図7を参照して説明する。
本実施形態においては、世界的に広く使用されているGMSデュアルバンド型携帯電話に適用して望ましい、ベアチップSAWフィルタを2個搭載した高周波モジュール部品について説明する。
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
In the present embodiment, a high-frequency module component on which two bare chip SAW filters are mounted, which is desirable when applied to a GMS dual-band mobile phone widely used worldwide, will be described.
まず、そのGSMデュアルバンド型携帯電話器の回路の概略構成について、図1を参照して説明する。
図1は、GSMデュアルバンド型携帯電話のブロック図である。
送信信号I/Q(ベースバンド信号のI信号及びQ信号)は、I/Qモジュレータ137に入力される。このI/Qモジュレータ137には、IFVCO1220から分周期DIV138、90°シフタを介してIF信号が入力され、変調される。IQモジュレータ137から出力された信号は、位相検出器133を介して混合器132に入力される。位相検出器133には、ローパスフィルタ134,135を介して900VCOおよび1800VCO136が接続されている。また、混合器132には、同様に900VCOおよび1800VCO117が接続されている。
First, a schematic configuration of the circuit of the GSM dual-band mobile phone will be described with reference to FIG.
FIG. 1 is a block diagram of a GSM dual-band mobile phone.
The transmission signal I / Q (I signal and Q signal of the baseband signal) is input to the I / Q modulator 137. The IF signal is input to the I / Q modulator 137 from the IFVCO 1220 via a division cycle DIV138, 90 ° shifter and modulated. The signal output from the IQ modulator 137 is input to the
混合器132から出力された信号は、900MHzまたは1800MHzに変調されており、バルントランス131を介してそれぞれパワーアンプ129、カップラ125、ローパスフィルタ104、T/Rスイッチ103という経路でダイプレクサ102に入力されるか、パワーアンプ130、カップラ126、ローパスフィルタ124、T/Rスイッチ123という経路でダイプレクサ102に入力される。ダイプレクサ102に入力された信号は、アンテナ101から送信される。
The signal output from the
同様に、アンテナ101からダイプレクサ102に入力された900MHzまたは1800MHzの受信信号は、T/Rスイッチ103またはT/Rスイッチ123を介して、バンドパスフィルタ105、アンプ106、バルントランス107という経路で混合器111に入力されるか、バンドパスフィルタ108、アンプ109、バルントランス110という経路で混合器111に入力される。混合器111には、900VCOおよび1800VCO117が接続されている。
Similarly, a 900 MHz or 1800 MHz reception signal input from the
混合器111から出力されIF変調された信号は、バンドパスフィルタ112、アンプ113を介して混合器114に入力される。混合器114には、IFVCO120が接続されている。混合器114から出力された信号は、自動利得制御器115を介して、I/Qでモジュレータ116に入力され復調される。なお、I/Qデモジュレータ116には、IFVCO120から分周期DIV138、90°シフタを介してIF信号が入力され、変調される。また、IFVCO120、900VCOおよび1800VCO117には、それぞれIFPLL119、RFPLL118が接続されている。
The IF-modulated signal output from the
このような回路において、部分回路のモジュール化は、いくつかの機能、ブロックで行われているが、本実施形態においては、ダイプレクサ102、T/Rスイッチ103,ローパスフィルタ104、SAWフィルタ105,T/Rスイッチ123,ローパスフィルタ124およびSAWフィルタ108で構成されるアンテナスイッチング部をセラミック基板上に回路モジュールとして搭載する場合について例示し、本発明を説明する。
図2は、そのアンテナスイッチング部の回路図、換言すれば本実施形態の高周波モジュール部品の回路図である。
以後、このような回路をモジュール化した高周波モジュール部品について説明する。
In such a circuit, the modularization of the partial circuit is performed by several functions and blocks. In the present embodiment, the
FIG. 2 is a circuit diagram of the antenna switching unit, in other words, a circuit diagram of the high-frequency module component of the present embodiment.
Hereinafter, a high-frequency module component obtained by modularizing such a circuit will be described.
図3は、その高周波モジュール部品(アンテナスイッチングモジュール)1の構造を示す図である。
まず、高周波モジュール部品1の構造について説明する。
図3に示すように、高周波モジュール部品1は、セラミック多層基板10、2個のSAW素子21、ハンダ接合素子22および封止部材30を有する。
FIG. 3 is a diagram showing the structure of the high-frequency module component (antenna switching module) 1.
First, the structure of the high
As shown in FIG. 3, the high-
セラミック多層基板10は、アルミナガラス複合セラミックを絶縁層とし、内導体層を15層有するLTCC基板である。
このセラミック多層基板10には、その内部導体層あるいは表面層に所望の導体パターン13が形成されることにより、また、層間を貫通するビアホール(スルーホール)が形成されることにより、所望のインダクタおよびキャパシタ、これらインダクタおよびキャパシタや搭載された部品を相互に接続する信号配線、これら各素子に電力を供給する電源ライン、および、これら各素子に基準電位を提供するGNDラインなどが形成される。
The
In the
このセラミック多層基板10の部品搭載面11には、SAW素子21、ハンダ接合素子22が搭載されている。
SAW素子21は、ベアチップとして提供され、その櫛型電極がセラミック多層基板10の部品搭載面11に対向するように金−金結合によりフリップチップ実装されている。
このSAW素子21の接合状態について図4を参照して説明する。
図4に示すように、SAW素子21は、燒結銀層23、Ni層24およびAuめっき層25からなる端子上に、ハンダボール26を介してSAW素子21のAuバンプ27が位置するように配置されている。この状態で、SAW素子21側から超音波をかけながら600gの加重を印加することにより、金バンプと基板の金表面との接合が図られる。
そしてこの時、櫛型電極形成面28と部品搭載面11との間には、図3および図4に示すように、空隙31が形成されるようにSAW素子21を実装する。
A
The
The bonding state of the
As shown in FIG. 4, the
At this time, the
また、セラミック多層基板10の部品搭載面11とは反対側の底面12には、実現された回路に対する入出力端子15が形成される。
なお、高周波モジュール部品1においては、入出力端子15は全て底面12に設けられ、セラミック多層基板10の側面には入出力端子を含む一切の導体は設けない。
An input /
In the high-
なお、高周波モジュール部品1において、これらセラミック多層基板10に搭載されるSAW素子21およびハンダ接合素子22、および、セラミック多層基板10表面あるいは内部に形成されるキャパシタ、インダクタあるいは配線などの各機能部品は、いずれも、セラミック多層基板10の側面から所定の距離a以内に入る周縁領域(導体配置禁止領域)を避けて配置あるいは形成される。
このことを図5を参照して説明する。
図5は、セラミック多層基板10を部品搭載面11から見た図であり、斜線で示す領域が導体配置禁止領域14である。なお、所定の距離aは、好ましくは100μm以上である。
この領域14においては、部品搭載面11には導体パターンは形成されない。また、セラミック多層基板10の内部においても、実質的に導体層は形成されない。
したがって、SAW素子21、接合素子22、キャパシタ、インダクタあるいは配線などの各機能部品は、いずれも禁止領域14で囲まれたセラミック多層基板10の内部領域に配置される。
In the high-
This will be described with reference to FIG.
FIG. 5 is a view of the
In this
Accordingly, each functional component such as the
そして、このように構成されたセラミック多層基板10に対して、SAW素子21およびハンダ接合素子22を含む部品搭載面11を全て被覆するように、セラミック多層基板10の部品搭載面11に封止部材30が樹脂モールドにより形成されている。
この際封止部材30は、SAW素子21とセラミック多層基板10の部品搭載面11との間に設けられた空隙31を、各SAW素子21ごとに確保するように形成されている。
また、この封止部材30は、図3に示すように、セラミック多層基板10に搭載されている全部品を被覆するように、SAW素子21およびハンダ接合素子22の中の最も背の高い部品よりもわずかに高く形成される。そしてその上面32は、セラミック多層基板10の部品搭載面11と並行で、高周波モジュール部品1が部品としてピックアンドプレイス装置などにより吸引搬送される際に適切に吸引され搬送される得る程度の平滑度、平坦度で形成されている。
Then, the
At this time, the sealing member 30 is formed so as to secure a
Further, as shown in FIG. 3, the sealing member 30 is higher than the tallest component in the
高周波モジュール部品1はこのような構造を有する。
なお、本実施形態において、高周波モジュール部品1の外形は約5.4mm×4mm、セラミック多層基板10の厚みh1は0.8mm、高周波モジュール部品1全体の高さh2は1.6mmである。
The high
In the present embodiment, the high
次に、このような構造の高周波モジュール部品1の製造工程について説明する。
まず、セラミック多層基板10を形成する。
セラミック多層基板の形成は、まず、アルミナナとガラスをベースとする粉体に有機バインダーと有機溶液を混合し、これをドクターブレード法によってキャリアテープに塗布する。
次に、これを乾燥し、約10cm角になるようにシートを切り分ける。
このシートに、レーザによってスルーホールとなる部分を穿孔する。
得られたシートにスクリーン印刷によって、銀粉体パターンを塗布する。このとき印刷に用いる銀粉体はおおむね0.1μmから1μmの粒径の粉体で、有機バインダー及び溶剤によってスクリーン印刷が可能なペースト状のものである。
このシートを、キャリアテープがら剥離して、プレスによって積層圧着する。圧力は,500〜700kg/cm2である。このプレス処理によって、表面の銀導体層の平滑化も行なう。
そして、これを所定の個片に切り分けて、900℃で15分間の焼成を行う。焼成時にセラミック、内部導体、表面層導体は一括焼結する。
Next, the manufacturing process of the high
First, the
To form a ceramic multilayer substrate, first, an organic binder and an organic solution are mixed with powder based on alumina and glass, and this is applied to a carrier tape by a doctor blade method.
Next, this is dried, and the sheet is cut into about 10 cm square.
A portion that becomes a through hole is drilled in this sheet by a laser.
A silver powder pattern is applied to the obtained sheet by screen printing. At this time, the silver powder used for printing is generally a powder having a particle diameter of 0.1 μm to 1 μm, and is a paste that can be screen-printed with an organic binder and a solvent.
The sheet is peeled off from the carrier tape and laminated and pressed by a press. The pressure is 500 to 700 kg / cm 2 . By this press treatment, the surface silver conductor layer is also smoothed.
Then, this is cut into predetermined pieces and baked at 900 ° C. for 15 minutes. During firing, the ceramic, inner conductor and surface layer conductor are sintered together.
次に、ニッケル無電解メッキを2μm施し、金無電解メッキを0.5μm施す。
これに所定のSMT部品を搭載し、リフロー炉を通過させてハンダ付けを行なう。
そして、洗浄処理を行なった後、ベア状態のSAW素子を金−金接合によって搭載する。
Next, 2 μm of nickel electroless plating is applied, and 0.5 μm of gold electroless plating is applied.
Predetermined SMT parts are mounted on this and soldered by passing through a reflow furnace.
After performing the cleaning process, the bare SAW element is mounted by gold-gold bonding.
次に、この混載モジュールに、樹脂モールドを行なう。
樹脂モールドは、Bステージ状態の樹脂をあらかじめ型押ししてから形成する方法、また、メタルマスクを用いてペースト状樹脂を印刷塗布する方法のいずれかにより行うのが好適である。
まず、型押しする方法においては、PETフィルム上にドクターブレード法によってエポキシ樹脂を約200μm程度塗布し、70℃で溶剤を乾燥させ、Bステージ状態の流動性がある程度ある状態に保持する。
続いて、このPET上の樹脂に、モジュールの凹凸を再現した型を80℃に加熱し押し当てて、冷却後引き離す。これにより樹脂には、押し型によって明瞭な凹凸が形成される。
次に、モジュールと同じサイズにPETフィルムごと切り分け、モジュールと合わせこみ、120℃で同じくPETフィルムごと加熱圧着し、その後PETフィルムを剥離して、170℃で1時間加熱硬化させる。
Next, resin molding is performed on the mixed module.
The resin mold is preferably performed by either a method of forming a resin in a B-stage state after embossing in advance, or a method of printing and applying a paste-like resin using a metal mask.
First, in the method of embossing, about 200 μm of an epoxy resin is applied on a PET film by a doctor blade method, the solvent is dried at 70 ° C., and the B stage state fluidity is maintained to some extent.
Subsequently, a mold that reproduces the irregularities of the module is heated to 80 ° C. and pressed against the resin on the PET, and then separated after cooling. Thereby, clear irregularities are formed in the resin by the pressing die.
Next, the PET film is cut into the same size as the module, combined with the module, and heat-pressed together with the PET film at 120 ° C. After that, the PET film is peeled off, followed by heat curing at 170 ° C. for 1 hour.
また、印刷塗布の方法においては、モジュール部品全体に相当する部分が開いているメタルマスクをモジュール部品表面に押し当て、ペースト状の樹脂を印刷塗布する。このとき、印刷塗布は、通常のゴムのスキージで単一方向にむかって行ってもよいが、スクレパーで押し込むように塗布するのが好適である。 In the printing application method, a metal mask having an open portion corresponding to the entire module component is pressed against the surface of the module component, and a paste-like resin is printed and applied. At this time, the printing application may be performed in a single direction with a normal rubber squeegee, but it is preferable to apply the printing so as to be pushed in with a scraper.
このように、本実施形態の高周波モジュール部品1においては、フリップ搭載したSAW素子21とセラミック多層基板10との間に空隙31を確保した状態で封止部材30によるモールドを行っている。したがって、SAW素子21の櫛型電極形成面28を適切に保護することができ、高特性のSAW素子21を実現できる。
As described above, in the high-
また、セラミック多層基板10は、部品搭載面11の周囲から100μm以内の周縁領域には表面パターンを形成しないように構成されている。したがって、この周縁領域14において、封止部材30は非常に強固にセラミック多層基板10と接着され、封止部材30が剥離するおそれが非常に少なくなっている。
また、セラミック多層基板10は、その周縁領域14において内部導体をも形成しないように構成されている。従って、部品搭載面11の凹凸を最小限に留めることができ、この点からも封止部材30は非常に強固にセラミック多層基板10と接着され、封止部材30が剥離するおそれが軽減されている。
さらに、セラミック多層基板10においては、側面に導体を一切設けていない。従って、側面導体の存在に起因する封止部材30の接着状態の不安定さを回避でき、この点からも封止部材30が剥離するおそれが軽減されている。
このように、本実施形態の高周波モジュール部品1においては、封止部材30がセラミック多層基板10に非常に強固に安定して接着されているので、SAW素子21とセラミック多層基板10との間の空間を適切に確保することができる。その結果、安定したSAW素子21の特性を維持することができる。
The
Further, the
Furthermore, in the
As described above, in the high-
また、高周波モジュール部品1においては、ユーザー用端子導体を底面にのみに形成する構造としているので、側面端子を有するモジュールに比べて、実装時の占有面積を少なくすることができる。
In addition, since the high-
また、高周波モジュール部品1においては、封止部材の上面が平坦になるように形成されているので、高周波モジュール部品1は以前同様にピックアンドプレ−ス装置などにより吸着することができ、たとえば携帯電話などの装置の組立て工程に投入することができる上に、封止部内部の機密性維持や空間保持機能などを実現することができ有効である。
すなわち、高周波モジュール部品1においては、モールド構造が吸着用途と封止機能とかねているので、従来のような金属シールドケースを利用する必要がなく、より軽量で安価なモジュール部品を提供することができる。
Moreover, in the high
That is, in the high-
また、高周波モジュール部品1においては、セラミック基板の表面導体を金めっき層で処理を行っているので、ハンダ接合、金−金接合の両方が可能となる。すなわち、SAW素子などの金−金接合によるフリップチップ搭載と、他の部品のハンダ接合とを混載することができる。
Moreover, in the high
なお、本実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって本発明を何ら限定するものではない。本実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含み、また、任意好適な種々の改変が可能である。
たとえば、SAW素子近傍に形成する空隙の形態は、図3に示す各SAW素子21ごとに空間31を確保するような形態に限定されるものではない。本発明の主旨は、SAW素子21の櫛型電極に対して気密性の高い空間(空隙)を封止部材30により確保することにあり、より具体的な形態としては種々の形態が考えられる。
In addition, this embodiment is described in order to make an understanding of this invention easy, and does not limit this invention at all. Each element disclosed in the present embodiment includes all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention, and various suitable modifications are possible.
For example, the form of the gap formed in the vicinity of the SAW element is not limited to a form that secures the
たとえば、図6に示すように、複数のSAW素子21がセラミック多層基板10上に実装されている場合には、それら複数のSAW素子21に対して1つの空間33を形成するようにしてもよい。すなわち、SAW素子21を近接させて部品搭載面11上に配置し、各SAW素子21における櫛型電極形成面28とセラミック多層基板10との間の空間を、連続した共通の1つの空間として形成するようにしてもよい。
本発明に係る高周波モジュール部品は、入出力端子が底面に配置されており実装面積が小さく済むことを、その特徴の1つとする。そのような高周波モジュール部品において複数の高周波モジュール部品1を近接して配置した場合には、このように共通の空間を形成することにより、封止部材30の構成が簡単になり、封止部材30の製造工程も簡単になる。また、各高周波モジュール部品1に独立して高周波モジュール部品1を形成する場合に比べて、高周波モジュール部品1をより近接して配置することができ、高周波モジュール部品の小型化、高密度化に有効である。
このような構成の高周波モジュール部品2も、本発明の範囲内であることは明らかである。
For example, as shown in FIG. 6, when a plurality of
One of the features of the high-frequency module component according to the present invention is that the input / output terminals are arranged on the bottom surface and the mounting area can be reduced. When a plurality of high-
It is clear that the high-
また、たとえば図7に示すように、SAW素子21を被覆、封止する際に、封止部材30がSAW素子21の上面(天板)にのみ接触して側面には接触しない構成としても良い。すなわち、SAW素子21に対して上面にのみ圧力が加わり側面には圧力が加わらないような構成としてもよい。
SAW素子21は、一般的には圧電基板上に櫛型電極を形成して構成されており、圧力に対しては非常に敏感な素子である。従って、このような構成とすることにより、横からの圧力による特性の変化を防ぐことができ、各SAW素子21の特性のばらつきを少なくすることができる。
なお、実験により、上面および側面に封止部材30を接触させてSAW素子21を実装した場合と、上面のみ封止部材30を接触させてSAW素子21を実装した場合の、中心周波数の分散(σ)を比較すると、前者が1.2であったのに対して後者は0.8程度であり、その効果が有効であることが判明した。
このような構成の高周波モジュール部品3も、本発明の範囲内であることは明らかである。
For example, as shown in FIG. 7, when the
The
In addition, by experiment, dispersion | distribution of center frequency (when the
It is obvious that the high-
以下、本発明をさらに具体的な実施例に基づき説明する。
本発明に係る高周波モジュール部品を製造し、導体配置禁止領域の幅および端子電極の設置場所に対する高周波モジュール部品としての構造の安定さについて、実験を行い検証した。
高周波モジュール部品の製造方法は、実施形態において前述した方法と同じであり、導体配置禁止領域の幅aが0μm、100μm、200μmおよび300μmの高周波モジュール部品1を各々製造した。
また、構造の安定さの比較実験のために、導体配置禁止領域が300μmの高周波モジュール部品に対しては、側面電極を有する同様の高周波モジュール部品も同様に製造し、実験を行った。
なお、この側面電極を有する高周波モジュールは、本実施形態の高周波モジュール部品と同様にセラミック、内部導体、表面層導体を一括燒結した後の燒結体に、ゴム転写によって新たにペーストを塗布して、さらに焼成処理を行なって形成したものである。
Hereinafter, the present invention will be described based on more specific examples.
The high-frequency module component according to the present invention was manufactured, and the stability of the structure as the high-frequency module component with respect to the width of the conductor placement prohibited region and the installation location of the terminal electrode was tested and verified.
The method for manufacturing the high-frequency module component is the same as the method described above in the embodiment, and the high-
Further, for a comparative experiment of the stability of the structure, a similar high-frequency module component having a side electrode was similarly manufactured and tested for a high-frequency module component having a conductor placement prohibition region of 300 μm.
In addition, the high-frequency module having the side electrode, like the high-frequency module component of the present embodiment, a new paste is applied by rubber transfer to the sintered body after the ceramic, internal conductor, and surface layer conductor are collectively sintered, Further, it is formed by performing a baking treatment.
検証は、各条件ごとに100個の高周波モジュール部品について、−40℃、85℃(各温度での持続時間を30分。温度の切り替え時間を30秒とする)の条件で熱衝撃試験を行い、各高周波モジュール部品について、200サイクル経過後の外観観察を行ない、封止部材30とセラミック多層基板10の接着界面に亀裂のあるものの数をカウントした。
実験結果を表1に示す。
In the verification, a thermal shock test is performed on 100 high-frequency module parts for each condition under the conditions of −40 ° C. and 85 ° C. (the duration at each temperature is 30 minutes and the temperature switching time is 30 seconds). The appearance of each high-frequency module component was observed after 200 cycles, and the number of cracks at the bonding interface between the sealing member 30 and the
The experimental results are shown in Table 1.
表1に示すように、側面電極を有する高周波モジュール部品については、導体配置禁止領域を十分確保したとしても封止部材とセラミック多層基板との剥離が多数発生して、構造的に安定でないことが判明した。
底面電極を有する高周波モジュール部品については、おおむね良好な結果が得られた。導体配置禁止領域を200μm以上確保したものについては、封止部材とセラミック多層基板との剥離は皆無であり、特に好ましい結果であった。
また、導体配置禁止領域を周囲より100μmあれば、1%の不具合であるので、ほぼ剥離は生じないと言っても過言ではなく、これも実用に耐え得ることが判明した。
すなわち、表面導体および内部導体の形成位置は、周辺部のおおむね100μmの範囲を避ければよく、より信頼性を考慮すれのであれば、200μm以上が望ましい。
As shown in Table 1, for high-frequency module parts having side electrodes, even if a sufficient conductor disposition prohibiting area is secured, a large number of peelings between the sealing member and the ceramic multilayer substrate occur, and the structure is not stable. found.
In general, good results were obtained for the high-frequency module component having the bottom electrode. For the case where the conductor disposition prohibited region was secured at 200 μm or more, there was no peeling between the sealing member and the ceramic multilayer substrate, which was a particularly preferable result.
Further, it is not an exaggeration to say that almost no peeling occurs if the conductor placement prohibited area is 100 μm from the periphery, so it has been found that this can also be practically used.
That is, the formation position of the surface conductor and the inner conductor may be avoided in the range of about 100 μm in the peripheral portion, and is preferably 200 μm or more if more reliability is taken into consideration.
1、2,3…高周波モジュール部品
10…セラミック多層基板
11…部品搭載面
12…底面
13…導体パターン
14…導体配置禁止領域
15…入出力端子
21…SAW素子
22…ハンダ接合素子
23…Al−Cu合金層
24…Ni層
25…Auめっき層
26…ハンダボール
27…Auバンプ
28…櫛型電極形成面
30…封止樹脂
31、33,34…空隙(空間)
32…上面
DESCRIPTION OF
32 ... Upper surface
Claims (8)
前記表面弾性波素子に接続される電気回路が作り込まれた多層基板と、
前記表面弾性波素子を被覆して封止するように前記多層基板の前記表面弾性波素子搭載面に形成される封止部材と、
前記多層基板に設けられる前記電気回路の入出力端子と
を有するモジュール部品であって、
前記多層基板は、前記表面弾性波素子搭載面の、周囲側面から所定距離以内の周縁領域に、導体パターンが存在しないように形成されるとともに、当該周縁領域においてはさらに内部導体をも含まないように形成され、
前記表面弾性波素子は、櫛形電極が前記多層基板の前記表面弾性波素子搭載面に対向するように前記多層基板上に搭載され、
前記封止部材は、少なくとも前記周縁領域において前記多層基板と固着され、前記複数の表面弾性波素子の前記櫛形電極と前記多層基板との間の各空間を維持するとともに、当該各空間が連続した1の空間として形成されるように前記複数の表面弾性波素子を被覆して封止し、
前記入出力端子は、前記多層基板の前記表面弾性波素子搭載面の反対側の面に設けられている
高周波モジュール部品。 A plurality of surface acoustic wave elements;
A multilayer substrate in which an electric circuit connected to the surface acoustic wave element is built;
A sealing member formed on the surface acoustic wave element mounting surface of the multilayer substrate so as to cover and seal the surface acoustic wave element;
A module component having an input / output terminal of the electric circuit provided on the multilayer substrate,
The multilayer substrate, the surface acoustic wave element mounting surface, the peripheral region within a predetermined distance from the circumferential side, is formed such that there is a conductor pattern Rutotomoni, so as not to include the inner conductor further in the peripheral region Formed into
The surface acoustic wave device is mounted on the multilayer substrate such that the comb-shaped electrode faces the surface acoustic wave device mounting surface of the multilayer substrate,
The sealing member is fixed to the multilayer substrate at least in the peripheral region, maintains the spaces between the comb electrodes of the surface acoustic wave elements and the multilayer substrate, and the spaces are continuous. Covering and sealing the plurality of surface acoustic wave elements so as to be formed as one space,
The input / output terminal is a high frequency module component provided on a surface of the multilayer substrate opposite to the surface acoustic wave element mounting surface.
請求請1に記載の高周波モジュール部品。 The peripheral region is a region whose distance from the peripheral side surface of the multilayer substrate is within 100 μm.
The high-frequency module component according to claim 1 .
請求請1又は2に記載の高周波モジュール部品。 The sealing member is fixed to each of the plurality of surface acoustic wave elements only on the surface opposite to the surface on which the comb-shaped electrode is formed, and does not adhere to the side surface of each surface acoustic wave element. As described above, the plurality of surface acoustic wave elements are covered and sealed
The high-frequency module component according to claim 1 or 2 .
請求請1〜3のいずれかに記載の高周波モジュール部品。 Each of the plurality of surface acoustic wave elements is mounted on the multilayer substrate by face-down bonding.
The high-frequency module component according to any one of claims 1 to 3.
請求請4に記載の高周波モジュール部品。 Each of the plurality of surface acoustic wave elements is flip-chip mounted on the multilayer substrate by gold-gold bonding.
The high-frequency module component according to claim 4 .
請求請1〜5のいずれかに記載の高周波モジュール部品。 The sealing member is formed so that the surface opposite to the surface in contact with the multilayer substrate is smooth.
The high-frequency module component according to any one of claims 1 to 5 .
請求請1〜6のいずれかに記載の高周波モジュール部品。 The multilayer substrate is a low-temperature simultaneous sintered substrate in which an inductor and a capacitor are formed.
The high-frequency module component according to any one of claims 1 to 6 .
請求項1〜7のいずれかに記載の高周波モジュール部品。 The sealing member is formed by a resin mold.
The high-frequency module component according to claim 1 .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006305806A JP4260835B2 (en) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | High frequency module parts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006305806A JP4260835B2 (en) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | High frequency module parts |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001316853A Division JP3948925B2 (en) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | High frequency module parts |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007097205A JP2007097205A (en) | 2007-04-12 |
JP4260835B2 true JP4260835B2 (en) | 2009-04-30 |
Family
ID=37982225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006305806A Expired - Fee Related JP4260835B2 (en) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | High frequency module parts |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4260835B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5729640B2 (en) * | 2011-02-14 | 2015-06-03 | 日立金属株式会社 | Circuit board and communication device using the same |
-
2006
- 2006-11-10 JP JP2006305806A patent/JP4260835B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007097205A (en) | 2007-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9743519B2 (en) | High-frequency component and high-frequency module including the same | |
JP4367414B2 (en) | Component built-in module and manufacturing method thereof | |
JP4172566B2 (en) | Surface electrode structure of ceramic multilayer substrate and method of manufacturing surface electrode | |
US7701728B2 (en) | Electronic component module and radio comunications equipment | |
WO2014017228A1 (en) | Module | |
TWI649841B (en) | High frequency module and manufacturing method thereof | |
JPWO2006011508A1 (en) | COMPOSITE ELECTRONIC COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | |
KR101740816B1 (en) | Chip inductor | |
JPH11127055A (en) | Composite electronic component | |
JP2002084155A (en) | Method of manufacturing high-frequency module component including surface acoustic wave element | |
JP3948925B2 (en) | High frequency module parts | |
JP2007294829A (en) | High-frequency circuit module, and method of manufacturing the same | |
JP2001127588A (en) | Surface acoustic wave branching filter | |
TWI521655B (en) | High frequency module and high frequency module carrying device | |
JP4260835B2 (en) | High frequency module parts | |
JP2006156482A (en) | Circuit module and its manufacturing method | |
JP2002261581A (en) | High-frequency module component | |
WO2021033418A1 (en) | High-frequency module | |
JP2005235807A (en) | Stacked electronic component and its manufacturing method | |
JP4484544B2 (en) | Manufacturing method of high frequency module | |
JP4067760B2 (en) | High frequency electronic circuit module and multilayer board for module | |
JP2003008393A (en) | High frequency module component | |
JP2003051733A (en) | High frequency module component | |
JP2007266898A (en) | High-frequency module and manufacturing method therefor | |
WO2013099360A1 (en) | Module and component equipped with module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20061218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081007 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090106 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090204 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4260835 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |