JP4258458B2 - Load drive circuit - Google Patents

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Description

本発明は、複数のトランジスタを制御して負荷を駆動する負荷駆動回路に関する。   The present invention relates to a load driving circuit that controls a plurality of transistors to drive a load.

従来より、リレーやモータ等の負荷を駆動する回路として負荷駆動回路がある。従来の負荷駆動回路の全体構成を図2に示す。負荷駆動回路は、NPN型トランジスタ11、ツェナーダイオード12および抵抗13を有するダイオード内蔵トランジスタ10とCPU30によって構成され、出力端子aを介して接続された負荷としてのリレー40を駆動する。   Conventionally, there is a load driving circuit as a circuit for driving a load such as a relay or a motor. The overall configuration of a conventional load driving circuit is shown in FIG. The load drive circuit is configured by a CPU 30 and a diode built-in transistor 10 having an NPN transistor 11, a Zener diode 12 and a resistor 13, and drives a relay 40 as a load connected via an output terminal a.

CPU30からハイレベルの制御信号が出力されると、NPN型トランジスタ11はオンし、電源端子VCCからリレー40を介してNPN型トランジスタ11に電流が流れる。また、CPU30からローレベルの制御信号が出力されると、NPN型トランジスタ11はオフし、リレー40には電流が流れない。   When a high level control signal is output from the CPU 30, the NPN transistor 11 is turned on, and a current flows from the power supply terminal VCC to the NPN transistor 11 via the relay 40. Further, when a low-level control signal is output from the CPU 30, the NPN transistor 11 is turned off and no current flows through the relay 40.

このように、NPN型トランジスタ11は、CPU30から抵抗31を介して入力される制御信号に応じて負荷としてのリレー40を駆動する。   As described above, the NPN transistor 11 drives the relay 40 as a load in accordance with the control signal input from the CPU 30 via the resistor 31.

また、負荷駆動回路がリレー等の誘導性の負荷の駆動を停止する場合、負荷からNPN型トランジスタ11のコレクタにサージが入力される。   When the load drive circuit stops driving an inductive load such as a relay, a surge is input from the load to the collector of the NPN transistor 11.

図3に、制御信号とサージ電圧の波形を示す。図に示すように制御信号がハイレベルからローレベルに変化すると、負荷からNPN型トランジスタ11のコレクタに、図に示す波形のサージ電圧が所定期間(例えば、数十msec)印加される。   FIG. 3 shows waveforms of the control signal and surge voltage. As shown in the figure, when the control signal changes from the high level to the low level, the surge voltage having the waveform shown in the figure is applied from the load to the collector of the NPN transistor 11 for a predetermined period (for example, several tens of milliseconds).

このようなサージからNPN型トランジスタ11を保護するために、ツェナーダイオード12が設けられている。すなわち、NPN型トランジスタ11のコレクタにサージが入力され、NPN型トランジスタ11のコレクターベース間の電圧がツェナーダイオード12のツェナー電圧よりも大きくなるとツェナーダイオード12に電流が流れる。そして、ツェナーダイオード12からNPN型トランジスタ11のベースに電流が流れ、NPN型トランジスタ11がオンし、サージ電流がNPN型トランジスタ11のコレクタ電流として流れる。このようにサージエネルギーが吸収され、NPN型トランジスタ11は保護される。   In order to protect the NPN transistor 11 from such a surge, a Zener diode 12 is provided. That is, when a surge is input to the collector of the NPN transistor 11 and the voltage between the collector and the base of the NPN transistor 11 becomes larger than the Zener voltage of the Zener diode 12, a current flows through the Zener diode 12. Then, a current flows from the Zener diode 12 to the base of the NPN transistor 11, the NPN transistor 11 is turned on, and a surge current flows as a collector current of the NPN transistor 11. In this way, surge energy is absorbed and the NPN transistor 11 is protected.

しかし、上記した回路構成では、例えば、NPN型トランジスタ11がショートモードで故障した場合、電源端子VCCからリレー40を介してNPN型トランジスタ11に電流が流れたままの状態に陥ってしまう。   However, in the above-described circuit configuration, for example, when the NPN transistor 11 fails in the short mode, a current flows into the NPN transistor 11 from the power supply terminal VCC via the relay 40.

このような状態を回避するために発明者らが検討した回路構成を図4に示す。図に示すように、ダイオード内蔵トランジスタ10と直列にダイオード内蔵トランジスタ20が接続されている。   FIG. 4 shows a circuit configuration studied by the inventors in order to avoid such a state. As shown in the figure, a diode built-in transistor 20 is connected in series with the diode built-in transistor 10.

負荷駆動回路は、ダイオード内蔵トランジスタ10、ダイオード内蔵トランジスタ20およびCPU30によって構成され、出力端子aを介して接続された負荷としてのリレー40を駆動する。   The load drive circuit is configured by the diode built-in transistor 10, the diode built-in transistor 20, and the CPU 30, and drives the relay 40 as a load connected via the output terminal a.

ダイオード内蔵トランジスタ20は、NPN型トランジスタ21、サージ保護用のツェナーダイオード22および抵抗23を備え、ダイオード内蔵トランジスタ10と同様の構成となっている。   The diode built-in transistor 20 includes an NPN transistor 21, a surge protection Zener diode 22 and a resistor 23, and has the same configuration as the diode built-in transistor 10.

ダイオード内蔵トランジスタ10のNPN型トランジスタ11のベースには、抵抗31を介してCPU30からの制御信号が入力され、ダイオード内蔵トランジスタ20のNPN型トランジスタ21のベースには、抵抗32を介してCPU30からの制御信号が入力される。   A control signal from the CPU 30 is input to the base of the NPN transistor 11 of the diode built-in transistor 10 via the resistor 31, and the base of the NPN transistor 21 of the diode built-in transistor 20 is input from the CPU 30 via the resistor 32. A control signal is input.

このような構成において、リレー40の駆動を開始する場合、CPU30からNPN型トランジスタ11、21の各ベースへハイレベルの制御信号が同時に出力される。これにより、NPN型トランジスタ11、12はそれぞれオンして、電源端子VCCからリレー40を介してNPN型トランジスタ11に電流が流れる。   In such a configuration, when driving the relay 40 is started, a high level control signal is simultaneously output from the CPU 30 to each base of the NPN transistors 11 and 21. As a result, the NPN transistors 11 and 12 are turned on, and a current flows from the power supply terminal VCC to the NPN transistor 11 via the relay 40.

また、リレー40の駆動を停止する場合、CPU30からNPN型トランジスタ11、21の各ベースへローレベルの制御信号が同時に出力される。これにより、NPN型トランジスタ11、12はそれぞれオフし、リレー40に電流は流れない。   When the driving of the relay 40 is stopped, a low level control signal is simultaneously output from the CPU 30 to each base of the NPN transistors 11 and 21. As a result, the NPN transistors 11 and 12 are turned off and no current flows through the relay 40.

この場合、NPN型トランジスタ11、21が直列に接続されているため、NPN型トランジスタ11、21の何れかがショートモードで故障しても、他方のトランジスタがオフして、リレー40に流れる電流は遮断される。   In this case, since the NPN transistors 11 and 21 are connected in series, even if one of the NPN transistors 11 and 21 fails in the short mode, the other transistor is turned off and the current flowing through the relay 40 is Blocked.

このような構成においても、リレー40の駆動を停止する場合、リレー40からNPN型トランジスタ11のコレクタへサージが入力される。このとき、ツェナーダイオード12によってNPN型トランジスタ11はオンするが、NPN型トランジスタ21がオフしているためNPN型トランジスタ11のエミッタがオープン状態となり、NPN型トランジスタ11からNPN型トランジスタ21へサージ電流が流れない。このため、ツェナーダイオード12によるNPN型トランジスタ11の保護機能が正常に機能しないといった問題が生じる。   Even in such a configuration, when the drive of the relay 40 is stopped, a surge is input from the relay 40 to the collector of the NPN transistor 11. At this time, the NPN transistor 11 is turned on by the Zener diode 12, but since the NPN transistor 21 is turned off, the emitter of the NPN transistor 11 is in an open state, and a surge current flows from the NPN transistor 11 to the NPN transistor 21. Not flowing. For this reason, there arises a problem that the protection function of the NPN transistor 11 by the Zener diode 12 does not function normally.

本発明は上記問題に鑑みたもので、負荷電流が流れたままの状態を回避するとともに、ツェナーダイオードによるトランジスタの保護機能を正常に機能させることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to avoid a state in which a load current remains flowing and to cause a transistor protection function by a Zener diode to function normally.

上記目的を達成するため、請求項1および2に記載の発明では、負荷に接続され当該負荷を駆動する第1のトランジスタと、第1のトランジスタと直列に接続され第1のトランジスタとともに負荷を駆動する第2のトランジスタと、第1のトランジスタおよび第2のトランジスタのオンオフを制御する制御回路と、を備えた負荷駆動回路であって、第1のトランジスタは、ツェナーダイオードを有し、当該ツェナーダイオードは負荷より第1のトランジスタへサージが入力されたときに第1のトランジスタをオンさせて第1のトランジスタから第2のトランジスタへサージ電流を流すようになっており、制御回路は、負荷の駆動を停止させる場合、第2のトランジスタをオンさせたまま第1のトランジスタをオフさせ、所定期間以上が経過した後、第2のトランジスタをオフさせることを特徴としている。   In order to achieve the above object, according to the first and second aspects of the present invention, a first transistor connected to a load and driving the load, and a first transistor connected in series with the first transistor and driving the load together with the first transistor. And a control circuit for controlling on / off of the first transistor and the second transistor, wherein the first transistor has a Zener diode, and the Zener diode When a surge is input from the load to the first transistor, the first transistor is turned on and a surge current flows from the first transistor to the second transistor. The control circuit drives the load. Is stopped, the first transistor is turned off while the second transistor is turned on, and a predetermined period or more has elapsed. After, it is characterized in that for turning off the second transistor.

このように、制御回路は、負荷の駆動を停止させる場合、第2のトランジスタをオンさせたまま第1のトランジスタをオフさせ、所定期間以上が経過した後、第2のトランジスタをオフさせるので、この所定期間内に第1のトランジスタから第2のトランジスタへサージ電流を流すことができ、負荷電流が流れたままの状態を回避するとともに、ツェナーダイオードによるトランジスタの保護機能を正常に機能させることができる。   Thus, when stopping the drive of the load, the control circuit turns off the first transistor while turning on the second transistor, and turns off the second transistor after a predetermined period or more has elapsed. A surge current can flow from the first transistor to the second transistor within the predetermined period, and a state in which the load current remains flowing can be avoided and the transistor protection function by the Zener diode can be normally functioned. it can.

本実施形態に係る負荷駆動回路は、図4に示したものと同様に、ダイオード内蔵トランジスタ10(第1のトランジスタ)、ダイオード内蔵トランジスタ20(第2のトランジスタ)およびCPU30(制御回路)によって構成されている。上記した構成では、リレー40の駆動を停止する場合、CPU30からNPN型トランジスタ11、21の各ベースへローレベルの制御信号が同時に出力される例を示したが、本実施形態では、CPU30からNPN型トランジスタ11、21へ出力される制御信号のタイミングが異なる。   The load driving circuit according to the present embodiment is configured by a diode built-in transistor 10 (first transistor), a diode built-in transistor 20 (second transistor), and a CPU 30 (control circuit), as shown in FIG. ing. In the above configuration, when the driving of the relay 40 is stopped, an example in which a low-level control signal is simultaneously output from the CPU 30 to each base of the NPN transistors 11 and 21 has been described. The timings of the control signals output to the type transistors 11 and 21 are different.

次に、図1を参照して、CPU30から出力される制御信号のタイムチャートを示す。CPU30は、図示しないメモリを備え、このメモリに予め記憶されたプログラムに基づいて図1に示す制御信号を出力する。   Next, a time chart of control signals output from the CPU 30 is shown with reference to FIG. The CPU 30 includes a memory (not shown), and outputs a control signal shown in FIG. 1 based on a program stored in advance in the memory.

まず、図1を参照して、CPU30から出力される制御信号のタイムチャートを示す。
(1)リレー40の駆動を開始する場合
CPU30は、NPN型トランジスタ11、21の各ベースへハイレベルの制御信号を同時に出力する。これにより、NPN型トランジスタ11、12は同時にオンし、電源端子VCCからリレー40を介してNPN型トランジスタ11に電流が流れる。
(2)リレー40の駆動を停止する場合
CPU30は、NPN型トランジスタ21のベースへハイレベルの制御信号を出力したままNPN型トランジスタ11のベースへローレベルの制御信号を出力する。すなわち、NPN型トランジスタ21をオンさせたままNPN型トランジスタ11をオフさせる。
First, a time chart of control signals output from the CPU 30 is shown with reference to FIG.
(1) When driving of the relay 40 is started The CPU 30 simultaneously outputs a high-level control signal to the bases of the NPN transistors 11 and 21. As a result, the NPN transistors 11 and 12 are simultaneously turned on, and a current flows from the power supply terminal VCC to the NPN transistor 11 via the relay 40.
(2) When driving the relay 40 is stopped The CPU 30 outputs a low level control signal to the base of the NPN transistor 11 while outputting a high level control signal to the base of the NPN transistor 21. That is, the NPN transistor 11 is turned off while the NPN transistor 21 is turned on.

このとき、リレー40に電流が流れなくなり、NPN型トランジスタ11のコレクタにサージが入力される。そして、NPN型トランジスタ11のコレクターベース間の電圧がツェナーダイオード12のツェナー電圧よりも大きくなるとツェナーダイオード12からNPN型トランジスタ11のベースに電流が流れる。これにより、NPN型トランジスタ11がオンし、サージ電流がNPN型トランジスタ11のコレクタ電流として流れる。このようにサージエネルギーが吸収され、NPN型トランジスタ11は保護される。   At this time, no current flows through the relay 40, and a surge is input to the collector of the NPN transistor 11. When the voltage between the collector and the base of the NPN transistor 11 becomes larger than the Zener voltage of the Zener diode 12, a current flows from the Zener diode 12 to the base of the NPN transistor 11. As a result, the NPN transistor 11 is turned on, and a surge current flows as the collector current of the NPN transistor 11. In this way, surge energy is absorbed and the NPN transistor 11 is protected.

そして、NPN型トランジスタ11をオフさせてから、NPN型トランジスタ11からNPN型トランジスタ21へサージ電流を流し終える所定期間(例えば、数十msec)以上が経過した後、CPU30は、NPN型トランジスタ11、21の各ベースへローレベルの制御信号を出力して、NPN型トランジスタ11、21をともにオフさせる。   Then, after the NPN transistor 11 is turned off and after a predetermined period (for example, several tens of msec) or more has passed since the surge current has passed from the NPN transistor 11 to the NPN transistor 21, the CPU 30 A low-level control signal is output to each base 21 to turn off both NPN transistors 11 and 21.

次に、リレー40の駆動を停止する場合のCPU30の処理について説明する。CPU30は、メモリに記憶されたプログラムに基づいてリレー40の駆動を停止するか否かを判定し、リレー40の駆動を停止すると判定した場合、以下の処理を行う。   Next, processing of the CPU 30 when stopping driving of the relay 40 will be described. The CPU 30 determines whether or not to stop driving of the relay 40 based on a program stored in the memory, and performs the following process when determining to stop driving of the relay 40.

まず、NPN型トランジスタ21をオンさせたままNPN型トランジスタ11をオフさせ、NPN型トランジスタ11がNPN型トランジスタ21へサージ電流を流し終える所定期間以上が経過したか否かを判定する。そして、サージ電流を流し終える所定期間以上が経過したと判定した場合、NPN型トランジスタ11とともにNPN型トランジスタ21をオフさせる。   First, the NPN transistor 11 is turned off while the NPN transistor 21 is turned on, and it is determined whether or not a predetermined period or longer has elapsed for the NPN transistor 11 to finish supplying a surge current to the NPN transistor 21. Then, when it is determined that a predetermined period or more in which the surge current has finished flowing has elapsed, the NPN transistor 21 is turned off together with the NPN transistor 11.

上記したように、CPU30は、リレー40の駆動を停止する場合、NPN型トランジスタ21をオンさせたままNPN型トランジスタ11をオフさせ、CPU30がNPN型トランジスタ21をオンさせたままNPN型トランジスタ11をオフさせてから、NPN型トランジスタ11がNPN型トランジスタ21へサージ電流を流し終える所定期間以上が経過した後、NPN型トランジスタ21をオフさせるので、負荷電流が流れたままの状態を回避するとともに、ツェナーダイオードによるトランジスタの保護機能を正常に機能させることができる。   As described above, when stopping the driving of the relay 40, the CPU 30 turns off the NPN transistor 11 while turning on the NPN transistor 21, and turns off the NPN transistor 11 while the CPU 30 turns on the NPN transistor 21. Since the NPN transistor 21 is turned off after a lapse of a predetermined period in which the NPN transistor 11 finishes flowing the surge current to the NPN transistor 21 after turning off, the state where the load current remains flowing is avoided, and The protection function of the transistor by the Zener diode can be normally functioned.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々なる形態で実施することができる。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, Based on the meaning of this invention, it can implement with a various form.

上記実施形態では、負荷としてリレー40を駆動する例を示したが、リレーに限定されることなく、例えば、モータやソレノイド等の負荷を駆動する回路に適用することができる。この場合、負荷によってサージ波形は異なるため、負荷の駆動を停止する際に、NPN型トランジスタ11をオフさせてからNPN型トランジスタ21をオフさせるまでの期間については、サージ波形を考慮して適宜設定すればよい。   Although the example which drives the relay 40 as load was shown in the said embodiment, it is not limited to a relay, For example, it can apply to the circuit which drives loads, such as a motor and a solenoid. In this case, since the surge waveform varies depending on the load, the period from when the NPN transistor 11 is turned off to when the NPN transistor 21 is turned off when driving the load is appropriately set in consideration of the surge waveform. do it.

また、上記実施形態において、所定期間は、CPU30がNPN型トランジスタ21をオンさせたままNPN型トランジスタ11をオフさせてから、NPN型トランジスタ11がNPN型トランジスタ21へサージ電流を流し終える一定期間として説明したが、例えば、サージ電流の電流値等に応じて変化するように構成してもよい。   In the above-described embodiment, the predetermined period is a fixed period in which the CPU 30 turns off the NPN transistor 11 while the NPN transistor 21 is turned on and then the NPN transistor 11 finishes flowing the surge current to the NPN transistor 21. Although described, for example, it may be configured to change according to the current value of the surge current or the like.

また、上記実施形態では、CPU30のメモリに記憶されたプログラムに基づいてCPU30から出力される制御信号によってNPN型トランジスタ11、21を制御する例を示したが、例えば、カウンター等のハードウェアを用いてNPN型トランジスタ11、21を制御する制御信号を生成する構成としてもよい。   In the above embodiment, the example in which the NPN transistors 11 and 21 are controlled by the control signal output from the CPU 30 based on the program stored in the memory of the CPU 30 has been described. For example, hardware such as a counter is used. The control signal for controlling the NPN transistors 11 and 21 may be generated.

また、上記実施形態では、NPN型トランジスタを用いて負荷駆動回路を構成した例を示したが、NPN型トランジスタに限定されることなく、例えば、NチャネルMOSFETを用いて構成した場合に適用してもよい。   Moreover, although the example which comprised the load drive circuit using the NPN type transistor was shown in the said embodiment, it is not limited to an NPN type transistor, For example, it applies to the case where it comprises using N channel MOSFET. Also good.

また、上記実施形態では、2つのトランジスタを直列接続して負荷駆動回路を構成した例を示したが、3つ以上のトランジスタを直列接続して構成してもよい。この場合、CPU30は、負荷の駆動を停止する際に、負荷に接続されたトランジスタをオフさせてから、このトランジスタがサージ電流を流し終える所定期間以上が経過した後、他の全てのトランジスタをオフするように制御すればよい。   In the above embodiment, the load driving circuit is configured by connecting two transistors in series. However, three or more transistors may be connected in series. In this case, when stopping the driving of the load, the CPU 30 turns off the transistors connected to the load, and then turns off all other transistors after a predetermined period of time during which the transistor finishes flowing the surge current. Control may be performed.

また、上記実施形態では、CPU30からNPN型トランジスタ11、21を制御する例を示したが、2つの異なるCPUからそれぞれNPN型トランジスタ11、21を制御するように構成してもよい。   Moreover, although the example which controls NPN type transistors 11 and 21 from CPU30 was shown in the said embodiment, you may comprise so that NPN type transistors 11 and 21 may be controlled from two different CPU, respectively.

また、上記実施形態では、2つのダイオード内蔵トランジスタを用いて負荷駆動回路を構成する例を示したが、ツェナーダイオードとトランジスタを別部品として構成してもよい。   Moreover, although the example which comprises a load drive circuit using two diode built-in transistors was shown in the said embodiment, you may comprise a Zener diode and a transistor as another components.

本発明の一実施形態に係る負荷駆動回路の制御を示すタイムチャートである。It is a time chart which shows control of the load drive circuit concerning one embodiment of the present invention. 従来の負荷駆動回路の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the conventional load drive circuit. 制御信号とサージ電圧の波形を示す図である。It is a figure which shows the waveform of a control signal and a surge voltage. 本発明の一実施形態に係る負荷駆動回路の全体構成を示す図である。It is a figure showing the whole load drive circuit composition concerning one embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

10…ダイオード内蔵トランジスタ(第1のトランジスタ)、
20…ダイオード内蔵トランジスタ(第2のトランジスタ)、
11、21…NPN型トランジスタ、
12、22…ツェナーダイオード、13、23…抵抗、
30…CPU(制御回路)、40…リレー(負荷)。
10 ... Transistor with built-in diode (first transistor),
20 ... Transistor with built-in diode (second transistor),
11, 21 ... NPN transistor,
12, 22 ... Zener diode, 13, 23 ... Resistance,
30 ... CPU (control circuit), 40 ... relay (load).

Claims (2)

負荷に接続され当該負荷を駆動する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタと直列に接続され前記第1のトランジスタとともに前記負荷を駆動する第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタのオンオフを制御する制御回路と、を備えた負荷駆動回路であって、
前記第1のトランジスタは、ツェナーダイオードを有し、当該ツェナーダイオードは前記負荷より前記第1のトランジスタへサージが入力されたときに前記第1のトランジスタをオンさせて前記第1のトランジスタから前記第2のトランジスタへサージ電流を流すようになっており、
前記制御回路は、前記負荷の駆動を停止させる場合、前記第2のトランジスタをオンさせたまま前記第1のトランジスタをオフさせ、所定期間以上が経過した後、前記第2のトランジスタをオフさせることを特徴とする負荷駆動回路。
A first transistor connected to and driving the load;
A second transistor connected in series with the first transistor and driving the load together with the first transistor;
A load driving circuit comprising: a control circuit that controls on / off of the first transistor and the second transistor;
The first transistor includes a Zener diode, and the Zener diode turns on the first transistor when a surge is input from the load to the first transistor, and the first transistor is turned on from the first transistor. The surge current is made to flow to transistor 2
When stopping driving the load, the control circuit turns off the first transistor while turning on the second transistor, and turns off the second transistor after a predetermined period or more has elapsed. A load driving circuit.
前記所定期間は、前記制御回路が前記第2のトランジスタをオンさせたまま前記第1のトランジスタをオフさせてから、前記第1のトランジスタが前記第2のトランジスタへサージ電流を流し終えるまでの期間であることを特徴とする請求項1に記載の負荷駆動回路。 The predetermined period is a period from when the control circuit turns off the first transistor with the second transistor turned on to when the first transistor finishes supplying a surge current to the second transistor. The load driving circuit according to claim 1, wherein:
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