JPH03177668A - Solenoid drive unit - Google Patents
Solenoid drive unitInfo
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- Magnetically Actuated Valves (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はソレノイド駆動装置に関し、特にオートマチッ
ク車の変速ギアをはじめとする自動型各部の油圧制御用
電磁弁に用いられるソレノイドへ供給すべき励磁電流を
制御するソレノイド駆動装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field The present invention relates to a solenoid drive device, and in particular to a solenoid that controls an excitation current to be supplied to a solenoid used in a solenoid valve for hydraulic control of various parts of an automatic vehicle such as a transmission gear of an automatic vehicle. It relates to a drive device.
従来技術
従来、自動車電装用の電磁弁は第3図に示されているよ
うなヒステリシス特性を有していた。すなわち、電磁弁
は後述する電磁ソレノイドを含んで槽底されており、そ
のソレノイドへの励磁電流がある一定のレベルを越える
と、電磁弁がオンとなり、その後は励磁電流が多少低下
してもオン状態を保持し続けるというものである。Prior Art Conventionally, solenoid valves for automobile electrical equipment have had hysteresis characteristics as shown in FIG. In other words, the solenoid valve is located at the bottom of the tank and includes an electromagnetic solenoid (described later), and when the excitation current to the solenoid exceeds a certain level, the solenoid valve turns on, and after that it remains on even if the excitation current decreases a little. It is about maintaining the state.
よって、従来のソレノイド駆動装置ではそのヒステリシ
ス特性を利用し、まず、ソレノイドに励磁電流を流して
電磁弁をオンさせ、その後、そのオン状態を保持するの
に必要な最小電流値まで励磁電流を下げることにより、
省電力化及びソレノイドの発熱防止を図っている。Therefore, in conventional solenoid drive devices, the hysteresis characteristic is used to first apply an excitation current to the solenoid to turn on the solenoid valve, and then reduce the excitation current to the minimum current value required to maintain the on state. By this,
Efforts are being made to save power and prevent the solenoid from overheating.
その従来のソレノイド駆動装置の動作について第4図及
び第5図を用いて説明する。第4図は従来のソレノイド
駆動装置の主要部の回路図であり、第5図は第4図の回
路各部の動作を示す波形図である。The operation of the conventional solenoid drive device will be explained using FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a circuit diagram of the main parts of a conventional solenoid drive device, and FIG. 5 is a waveform diagram showing the operation of each part of the circuit shown in FIG.
第4図において、401は上述した電磁ソレノイドであ
り、このソレノイドに励磁電流を流すことにより図示せ
ぬ電磁弁がオン状態になるのである。In FIG. 4, reference numeral 401 is the above-mentioned electromagnetic solenoid, and by passing an excitation current through this solenoid, a solenoid valve (not shown) is turned on.
よって、このソレノイド401に与える励磁電流を制御
するために駆動トランジスタ402を介して電i!1W
VBが供給されている。また、トランジスタ402の動
作状態を制御するため、すなわちベース電流を変化せし
めるために、ロジック回路407及びトランジスタ4、
D3さらには差動増幅器404が設けられている。なお
、408はサージ電圧対策用のツェナダイオードである
。Therefore, in order to control the excitation current given to this solenoid 401, the electric current i! is applied via the drive transistor 402. 1W
VB is supplied. Further, in order to control the operating state of the transistor 402, that is, to change the base current, the logic circuit 407 and the transistor 4,
D3 is further provided with a differential amplifier 404. Note that 408 is a Zener diode for surge voltage countermeasures.
差動増幅器404は基準電圧’VREFとソレノイド4
01の端子電圧V Lとを比較し、端子電圧VLと基準
電圧V REPとの電圧差に対応する電圧を送出するも
のである。なお、413はフィルタ用のコンデンサであ
る。Differential amplifier 404 connects reference voltage 'VREF and solenoid 4
01 terminal voltage V L and sends out a voltage corresponding to the voltage difference between the terminal voltage V L and the reference voltage V REP. Note that 413 is a filter capacitor.
ロジック回路407は後述する信号を反転バッファ40
5及び406に印加するものであり、反転バッファ40
5.40Eiはその反転値の信号を夫々送出するもので
ある。A logic circuit 407 transfers a signal to be described later to an inversion buffer 40.
5 and 406, and the inversion buffer 40
5.40Ei respectively sends signals of the inverted values.
かかる構成の回路において、第5図に示されている信号
A、Bがロジック回路407から送出されるものとする
。信号Aは過励磁時間TKを規定する信号であり、その
過励磁時間TKは電磁弁が駆動されてオン状態になるま
でに必要な時間に設定されている。また、信号Bは電磁
弁がオン状態からオフ状態に移行する時間に設定されて
いる。つまり、信号Aがハイレベルのとき、トランジス
タ402がオンし、信号Bがハイレベルのとき、トラン
ジスタ402がオフすることになる。In the circuit having such a configuration, it is assumed that signals A and B shown in FIG. 5 are sent out from the logic circuit 407. Signal A is a signal that defines overexcitation time TK, and overexcitation time TK is set to the time required for the solenoid valve to be driven and turned on. Further, the signal B is set to the time when the solenoid valve shifts from the on state to the off state. That is, when the signal A is at a high level, the transistor 402 is turned on, and when the signal B is at a high level, the transistor 402 is turned off.
まず、信号Aがハイレベルになると、反転バッファ40
5の出力側はローレベルとなる。このとき、反転バッフ
ァ40Bの出力側はハイレベルであり、トランジスタ4
03がオン状態となる。First, when the signal A becomes high level, the inverting buffer 40
The output side of 5 becomes low level. At this time, the output side of the inverting buffer 40B is at a high level, and the transistor 4
03 is turned on.
すると、抵抗409によってトランジスタ402のベー
ス電流が増加し、トランジスタ402はオン状態となる
。よって、電圧VLが第5図のCに示されているように
上昇し、ソレノイド401に流れる励磁電流ILは同図
りに示されているように緩やかに上昇する。Then, the base current of the transistor 402 increases due to the resistor 409, and the transistor 402 is turned on. Therefore, the voltage VL increases as shown in FIG. 5C, and the excitation current IL flowing through the solenoid 401 gradually increases as shown in the same figure.
ここで、信号Aがハイレベルからローレベルに変化する
と、反転バッファ405の出力側はハイレベルとなる。Here, when the signal A changes from high level to low level, the output side of the inversion buffer 405 becomes high level.
このとき、反転バッファ40Bの出力側もハイレベルと
なっているため、トランジスタ403は能動領域で動作
する。これにより、ICが小さくなり、電圧VLは第5
図のCに示されているように低いレベルとなる。よって
、ソレノイド401に流れる電流値は緩やかに下降し、
同図りに示されているように小さくなる。At this time, since the output side of the inversion buffer 40B is also at a high level, the transistor 403 operates in the active region. As a result, the IC becomes smaller and the voltage VL becomes the fifth
The level becomes low as shown in C in the figure. Therefore, the current value flowing through the solenoid 401 gradually decreases,
As shown in the figure, it becomes smaller.
ここで、ソレノイド401の端子電圧VL、電流I L
が第5図のように一定の値になるのは、差動増幅器40
4並びにトランジスタ403及び402によって基準電
圧V REP一端子電圧VLとなるようにフィードバッ
クされているからである。Here, the terminal voltage VL of the solenoid 401 and the current I L
is a constant value as shown in FIG. 5 because of the differential amplifier 40.
4 and transistors 403 and 402 so that the reference voltage VREP becomes the one-terminal voltage VL.
次に、信号Bがローレベルからハイレベルに変化すると
、反転バッファ406の出力側はローレベルとなり、ト
ランジスタ403はオフとなる。このとき、バッファ4
05の出力側がハイレベルとなっているためトランジス
タダ402のベース電流が減少し、その後トランジスタ
402は完全にオフとなる。Next, when the signal B changes from low level to high level, the output side of the inversion buffer 406 becomes low level, and the transistor 403 is turned off. At this time, buffer 4
Since the output side of transistor 05 is at a high level, the base current of transistor 402 decreases, and thereafter transistor 402 is completely turned off.
これにより、ソレノイド401に流れる電流値は緩やか
に下降し、ついにはゼロとなる。As a result, the value of the current flowing through the solenoid 401 gradually decreases and finally reaches zero.
つまり、差動増幅器404→トランジスタ403→トラ
ンジスタ402→差動増幅器404のフィードバック系
により、ソレノイド401に電流を流して電磁弁のオン
状態を保ち、それとは無関係に信号A。In other words, the feedback system of differential amplifier 404→transistor 403→transistor 402→differential amplifier 404 causes current to flow through solenoid 401 to keep the solenoid valve in the ON state, and the signal A is output regardless of this.
Bによって電磁弁を強制的にオンオフ制御しているので
ある。このように、本装置では一定の過励磁時間後、励
磁電流を下げて電磁弁のオン状態を保持するという制御
を行っているため、省電力化及び電磁ソレノイドの発熱
を防止しているのである。B forcibly controls the solenoid valve on and off. In this way, this device controls the solenoid valve to remain on by lowering the excitation current after a certain overexcitation time, which saves power and prevents the solenoid from generating heat. .
しかし、上述した従来のソレノイド駆動装置においては
励磁電流を下げて電磁弁のオン状態を保持している際、
駆動トランジスタは能動領域で使用されることとなり、
その駆動トランジスタでの損失は
PV−ICIVCE−IL (VB−VL)と多く
、発熱量も多くなり、駆動トランジスタを熱破壊させる
おそれがあるという欠点があった。However, in the conventional solenoid drive device described above, when the excitation current is lowered to maintain the on state of the solenoid valve,
The drive transistor will be used in the active region,
The loss in the drive transistor is as large as PV-ICIVCE-IL (VB-VL), and the amount of heat generated is also large, which has the disadvantage that the drive transistor may be destroyed by heat.
発明の目的
本発明は上述した従来の欠点を解決するためになされた
ものであり、その目的は駆動トランジスタを熱破壊させ
ることのないソレノイド駆動装置を提供することである
。OBJECTS OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional drawbacks, and its purpose is to provide a solenoid drive device that does not cause thermal damage to the drive transistor.
発明の構成
本発明によるソレノイド駆動装置は、ソレノイドへ供給
すべき励磁電流を制御するソレノイド駆動装置であって
、前記ソレノイドへ供給すべき励磁電流をオンオフ制御
するスイッチング手段と、前記ソレノイドに流れる励磁
電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段によ
って検出された励磁電流が所定値より大なるとき前記ス
イッチング手段をオフ制御し、前記所定値より小なると
き前記スイッチング手段をオン制御する制御手段とを有
することを特徴とする。Structure of the Invention A solenoid drive device according to the present invention is a solenoid drive device that controls an excitation current to be supplied to a solenoid, and includes a switching device that controls on/off the excitation current to be supplied to the solenoid, and an excitation current flowing through the solenoid. current detection means for detecting the current, and control means for controlling the switching means to turn off when the excitation current detected by the current detection means is greater than a predetermined value, and to turn on the switching means when the excitation current is smaller than the predetermined value. It is characterized by having the following.
実施例 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。Example Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.
第1図は本発明によるソレノイド駆動装置の一実施例の
主要部の回路図であり、第2図は第1図の回路各部の動
作を示す波形図である。FIG. 1 is a circuit diagram of the main parts of an embodiment of the solenoid drive device according to the present invention, and FIG. 2 is a waveform diagram showing the operation of each part of the circuit shown in FIG.
本実施例の回路は、従来の回路、すなわち第4図の差動
増幅器404の代わりにチョッピング回路108及び電
流検出回路107が設けられている点に特徴がある。つ
まり、電流検出回路107によってソレノイドの励磁電
流ILを電圧値に変換し、これをチョッピング回路10
8内のコンパレータ109において基準電圧V REP
と比較してチョッピングを行っているのである。The circuit of this embodiment is characterized in that a chopping circuit 108 and a current detection circuit 107 are provided in place of the conventional circuit, that is, the differential amplifier 404 in FIG. That is, the current detection circuit 107 converts the solenoid excitation current IL into a voltage value, and the chopping circuit 10 converts the solenoid excitation current IL into a voltage value.
Reference voltage V REP at comparator 109 in 8
Chopping is performed by comparing it to .
図において、 101は電磁ソレノイドであり、このソ
レノイドに励磁電流を流すことにより図示せぬ電磁弁が
オン状態となる。このソレノイド101に与える励磁電
流を制御するため、第4図の回路と同様に駆動トランジ
スタ102.hランジスタ103等を含む励磁回路10
4が設けられている。In the figure, 101 is an electromagnetic solenoid, and by passing an exciting current through this solenoid, a solenoid valve (not shown) is turned on. In order to control the excitation current applied to this solenoid 101, drive transistor 102. Excitation circuit 10 including h transistor 103 etc.
4 are provided.
この励磁回路104内の駆動トランジスタ102を介し
て電源VBがソレノイド101に供給され、またトラン
ジスタ102のオンオフ状態を制御するためにトランジ
スタ103さらにはロジック回路112が設けられてい
る。A power supply VB is supplied to the solenoid 101 via a drive transistor 102 in this excitation circuit 104, and a transistor 103 and a logic circuit 112 are provided to control the on/off state of the transistor 102.
ロジック回路112は第4図と同様な信号を反転バッフ
ァ110及び111に印加するものであり、反転バッフ
ァ110.111はその反転値の信号を夫々送出するも
のである。Logic circuit 112 applies a signal similar to that shown in FIG. 4 to inverting buffers 110 and 111, and inverting buffers 110 and 111 send out signals of their inverted values, respectively.
また、コンパレータ109は電流検出回路107の出力
電圧と基準電圧V REFとを比較するものであり、電
流検出回路107の出力電圧が基準電圧VREFより低
いとき、その出力がハイレベルとなり、基準電圧V R
EFより高いとき、その出力がローレベルとなるもので
ある。したがって、電流検出回路107の出力電圧が基
準電圧V REFより低いとき、トランジスタ103が
オン、トランジスタ102がオンとなってソレノイド1
01に励磁電流を与える。Further, the comparator 109 compares the output voltage of the current detection circuit 107 and the reference voltage VREF, and when the output voltage of the current detection circuit 107 is lower than the reference voltage VREF, its output becomes a high level and the reference voltage V R
When it is higher than EF, its output becomes low level. Therefore, when the output voltage of the current detection circuit 107 is lower than the reference voltage V REF, the transistor 103 is turned on, the transistor 102 is turned on, and the solenoid 1 is turned on.
Apply excitation current to 01.
一方、電流検出回路107の出力電圧が基準電圧VRE
Pより高いとき、トランジスタ+03がオフ、トランジ
スタ102がオフとなってソレノイド+01への励磁電
流の供給を止める。つまり、このチョッピング回路10
8によって励磁回路104が断続的に制御され、励磁電
流は基準電圧V REFに応じた値になるようにフィー
ドバック制御されるのである。On the other hand, the output voltage of the current detection circuit 107 is the reference voltage VRE.
When the voltage is higher than P, transistor +03 is turned off, transistor 102 is turned off, and the supply of excitation current to solenoid +01 is stopped. In other words, this chopping circuit 10
8, the excitation circuit 104 is intermittently controlled, and the excitation current is feedback-controlled to a value that corresponds to the reference voltage V REF.
なお、チョッピング回路108内のプルアップ抵抗12
4はコンパレータ109の出力段がコレクタオブンの回
路構成である場合に必要となり、抵抗123はコンパレ
ータ109の出力にヒステリシス特性を持たせるために
設けられている。Note that the pull-up resistor 12 in the chopping circuit 108
4 is necessary when the output stage of the comparator 109 has a collector-object circuit configuration, and the resistor 123 is provided to give the output of the comparator 109 a hysteresis characteristic.
電流検出回路107はその内部の抵抗105及び119
によって電流ILを電圧に変換し、これを差動増幅器1
0B並びに抵抗118及び120からなる非反転増幅器
で増幅しているのである。The current detection circuit 107 has internal resistors 105 and 119.
The current IL is converted into a voltage by the differential amplifier 1.
A non-inverting amplifier consisting of 0B and resistors 118 and 120 is used for amplification.
かかる構成の回路において、第2図に示されている信号
A、Bがロジック回路112から送出されるものとする
。ここで、信号A及びBは第5図と同様の信号である。In the circuit having such a configuration, it is assumed that signals A and B shown in FIG. 2 are sent out from the logic circuit 112. Here, signals A and B are the same signals as in FIG.
よって、信号Aがハイレベルのとき、トランジスタ10
2がオンしく飽和領域)信号Bがハイレベルのとき、ト
ランジスタ!02がオフすることになる。Therefore, when signal A is at high level, transistor 10
2 is on and saturation region) When signal B is high level, the transistor! 02 will be turned off.
まず、信号Aがハイレベルになると、反転バッファ11
0の出力側はロウレベルとなる。このとき、信号Bはロ
ーレベル、反転バッファIllの出力側はハイレベルで
あり、トランジスタ+03がオン状態となる。First, when the signal A becomes high level, the inverting buffer 11
The output side of 0 becomes low level. At this time, the signal B is at a low level, the output side of the inversion buffer Ill is at a high level, and the transistor +03 is turned on.
すると、抵抗114によってトランジスタ102のベー
ス電流が上昇し、トランジスタ102はオン状態となる
。よって、電圧VLが第2図のCに示されているように
上昇し、ソレノイド401に流れる励磁電流ILは同図
りに示されているように緩やかに上昇する。Then, the base current of the transistor 102 increases due to the resistor 114, and the transistor 102 is turned on. Therefore, the voltage VL increases as shown in FIG. 2C, and the excitation current IL flowing through the solenoid 401 gradually increases as shown in the same figure.
励磁電流ILが上昇し、電流検出回路107の出力電圧
が基準電圧V REFより高くなると、コンパレータ1
09の出力がローレベルとなる。すると、トランジスタ
103がオフ、トランジスタ102がオフとなる。When the excitation current IL increases and the output voltage of the current detection circuit 107 becomes higher than the reference voltage V REF, the comparator 1
The output of 09 becomes low level. Then, the transistor 103 is turned off and the transistor 102 is turned off.
一方、トランジスタ1G2がオフになると励磁電流11
が下降していき、電流検出回路107の出力電圧が基準
電圧V REFより低くなり、コンパレータ109の出
力がハイレベルとなる。すると、トランジスタ103が
オン、トランジスタ102がオンとなり、再び励磁電流
ILが上昇する。On the other hand, when the transistor 1G2 is turned off, the exciting current 11
falls, the output voltage of the current detection circuit 107 becomes lower than the reference voltage V REF, and the output of the comparator 109 becomes high level. Then, the transistor 103 is turned on, the transistor 102 is turned on, and the excitation current IL rises again.
以下、トランジスタ102のオンオフが繰返され、電圧
V Lは第2図のCに示されているようにチョッピング
される。なお、このチョッピング状態に伴い、励磁電流
ILは第2図Cのように微動変化を繰返す。Thereafter, the transistor 102 is repeatedly turned on and off, and the voltage VL is chopped as shown at C in FIG. In addition, with this chopping state, the exciting current IL repeats slight fluctuations as shown in FIG. 2C.
このチョッピングされている状態は、信号Bがハイレベ
ルになると停止する。すなわち、信号Bがハイレベルに
なると反転バッファ111の出力側はローレベルになる
。すると、トランジスタ103はオフ状態となる。これ
により、励磁電流ILは第2図りのように緩やかに下降
する。また、反転バッファ110の出力側はハイレベル
となっているため、トランジスタ102はオフとなる。This chopped state stops when signal B becomes high level. That is, when the signal B becomes high level, the output side of the inversion buffer 111 becomes low level. Then, transistor 103 is turned off. As a result, the excitation current IL gradually decreases as shown in the second diagram. Furthermore, since the output side of the inversion buffer 110 is at a high level, the transistor 102 is turned off.
以後は信号Bがハイレベル、すなわち反転バッファH1
の出力側がローレベルになっている限り、トランジスタ
102はオフ状態のままとなる。そして、再び信号Aが
ハイレベル、信号Bがローレベルになるまでこのオフ状
態が続くこととなる。After that, signal B is at high level, that is, inversion buffer H1
As long as the output side of the transistor 102 is at a low level, the transistor 102 remains off. This off state continues until the signal A becomes high level and the signal B becomes low level again.
つまり、本発明では信号A及び信号Bによって電磁弁の
オン状態の期間のみトランジスタ102を繰返しオンオ
フさせて電圧VLをチョッピングしているため、トラン
ジスタ102における損失を低酸できるのである。That is, in the present invention, the voltage VL is chopped by repeatedly turning on and off the transistor 102 only during the on-state period of the electromagnetic valve using the signals A and B, so that the loss in the transistor 102 can be reduced.
すなわち、その損失は
PW −IC−VCE−K −IL −VCE(Sat
、)である。なお、V CE(sat、)は飽和(Sa
turatlOrl)電圧、Kはチョッピングのデユー
ティ率である。That is, the loss is PW -IC-VCE-K -IL -VCE(Sat
, ). Note that V CE (sat, ) is saturated (Sa
turatlOrl) voltage, K is the chopping duty rate.
よって、本発明によれば駆動トランジスタ102の発熱
を防止できるのである。Therefore, according to the present invention, it is possible to prevent the drive transistor 102 from generating heat.
また、以上はソレノイドを含む電磁弁の制御について説
明したが、第3図に示されているようなヒステリシス特
性を有するソレノイドの励磁制御について広く適用でき
ることは明らかである。Moreover, although the control of a solenoid valve including a solenoid has been described above, it is clear that the present invention can be widely applied to excitation control of a solenoid having hysteresis characteristics as shown in FIG.
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、省電力化及び電磁
ソレノイドの発熱を防止できるとともに、駆動トランジ
スタの熱破壊を防ぐことができるという効果がある。As described in detail, according to the present invention, it is possible to save power, prevent the electromagnetic solenoid from generating heat, and also prevent the drive transistor from being damaged by heat.
第1図は本発明の実施例によるソレノイド駆動装置の主
要部の回路図、第2図は第1図の回路各部の動作を示す
波形図、第3図は電磁弁のオンオフ特性図、第4図は従
来のソレノイド駆動装置の主要部の回路図、第5図は第
4図の回路各部の動作を示す波形図である。
主要部分の符号の説明
101・・・・・・ソレノイド
102.103・・・・・・トランジスタ107・・・
・・・電流検出回路
108・・・・・・チョッピング回路Fig. 1 is a circuit diagram of the main parts of a solenoid drive device according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a waveform diagram showing the operation of each part of the circuit in Fig. 1, Fig. 3 is an on-off characteristic diagram of a solenoid valve, and Fig. 4 is a diagram showing the operation of each part of the circuit of Fig. 1. The figure is a circuit diagram of the main parts of a conventional solenoid drive device, and FIG. 5 is a waveform diagram showing the operation of each part of the circuit of FIG. 4. Explanation of symbols of main parts 101... Solenoid 102, 103... Transistor 107...
...Current detection circuit 108...Chopping circuit
Claims (1)
ノイド駆動装置であって、前記ソレノイドへ供給すべき
励磁電流をオンオフ制御するスイッチング手段と、前記
ソレノイドに流れる励磁電流を検出する電流検出手段と
、この電流検出手段によって検出された励磁電流が所定
値より大なるとき前記スイッチング手段をオフ制御し、
前記所定値より小なるとき前記スイッチング手段をオン
制御する制御手段とを有することを特徴とするソレノイ
ド駆動装置。(1) A solenoid drive device that controls an excitation current to be supplied to a solenoid, comprising a switching means for controlling on/off the excitation current to be supplied to the solenoid, and a current detection means for detecting an excitation current flowing through the solenoid; When the excitation current detected by the current detection means is larger than a predetermined value, the switching means is turned off;
A solenoid drive device comprising: control means for turning on the switching means when the predetermined value is smaller than the predetermined value.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31823589A JPH03177668A (en) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | Solenoid drive unit |
Applications Claiming Priority (1)
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JP31823589A JPH03177668A (en) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | Solenoid drive unit |
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JPH03177668A true JPH03177668A (en) | 1991-08-01 |
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JP (1) | JPH03177668A (en) |
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1989
- 1989-12-07 JP JP31823589A patent/JPH03177668A/en active Pending
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