JP4256454B2 - Wiring board manufacturing method and wiring board - Google Patents

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Description

本発明は配線基板の製造方法及び配線基板に係り、特に電極パッドとアライメントマークを有する配線基板の製造方法及び配線基板に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board and a wiring board, and more particularly to a method for manufacturing a wiring board having electrode pads and alignment marks and the wiring board.

例えば、半導体チップなどの実装部品を実装するための配線基板(電子部品)は、様々な形状・構造のものが提案されている。近年は、半導体チップの薄型化・小型化に伴い、半導体チップが実装される配線基板も薄型化・小型化の要求が著しくなっている。   For example, wiring boards (electronic components) for mounting mounting components such as semiconductor chips have been proposed in various shapes and structures. In recent years, with the thinning and miniaturization of semiconductor chips, the demand for thinning and miniaturization of wiring boards on which semiconductor chips are mounted has become significant.

例えば、上記の配線基板を薄型化して形成する方法としては、いわゆるビルドアップ法が知られている。ビルドアップ法とは、例えばエポキシ系の樹脂材料よりなるビルドアップ層(ビルドアップ樹脂)をコア基板上に積層することで、配線の層間絶縁層を形成し、配線基板を製造する方法である。   For example, a so-called build-up method is known as a method for forming the wiring board by reducing the thickness. The build-up method is a method for manufacturing a wiring board by forming an interlayer insulating layer of wiring by laminating a build-up layer (build-up resin) made of, for example, an epoxy resin material on a core substrate.

例えば、上記のコア基板は、プリプレグ材料などよりなり、配線基板の製造工程において、硬化される前の柔らかいビルドアップ層を支持し、また、ビルドアップ層の硬化に伴う反りを抑制する。しかし、上記のビルドアップ法において、さらに配線基板を薄型化しようとすると、配線基板のベースとなるコア基板の厚さが問題となる。   For example, the core substrate is made of a prepreg material or the like, supports a soft buildup layer before being hardened in the manufacturing process of the wiring board, and suppresses warpage accompanying hardening of the buildup layer. However, in the above build-up method, if the wiring board is further thinned, the thickness of the core board serving as the base of the wiring board becomes a problem.

そこで、ビルドアップ法においてさらに配線基板を薄型化するために、配線基板(ビルドアップ層)を支持する支持板上にビルドアップ法にて配線基板を形成した後、当該支持板を除去する方法が提案されていた(例えば特許文献1,2参照)。   Therefore, in order to further reduce the thickness of the wiring board in the build-up method, there is a method of removing the support plate after forming the wiring board on the support plate that supports the wiring board (build-up layer) by the build-up method. It has been proposed (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

しかし、例えば金属材料よりなる支持板と、樹脂材料よりなるビルドアップ層との密着力は強くなく、何らかの密着力向上のための対策が必要である。その一例として、金属の表面を粗化して樹脂との密着力を向上させる方法が検討されている。
特開2005−005742号公報 特開2006−186321号公報
However, for example, the adhesion between the support plate made of a metal material and the buildup layer made of a resin material is not strong, and some measures for improving the adhesion are necessary. As an example, a method for improving the adhesion with a resin by roughening the surface of a metal has been studied.
JP-A-2005-005742 JP 2006-186321 A

しかし、支持板を粗化処理すると、粗化処理された表面状態がそのまま配線基板の表面に転写されてしまう。例えば、配線基板側の支持板に接する表面に、アライメント(位置決め)に用いられるアライメントマークが形成されていると、アライメントマークの表面が粗化されてしまう。従って、配線基板の位置決めにおいてアライメントマークの認識が困難となり、加工精度の信頼性が低下してしまう懸念が生じていた。   However, when the support plate is roughened, the roughened surface state is transferred to the surface of the wiring board as it is. For example, if an alignment mark used for alignment (positioning) is formed on the surface in contact with the support board on the wiring board side, the surface of the alignment mark is roughened. Therefore, it is difficult to recognize the alignment mark in positioning the wiring board, and there is a concern that the reliability of the processing accuracy is lowered.

そこで、本発明では、上記の問題を解決した新規で有用な配線基板の製造方法を提供することを統括的課題としている。   Therefore, in the present invention, it is a general object to provide a novel and useful method of manufacturing a wiring board that solves the above problems.

上記の課題は、本発明の第1の観点からは、支持板の表面を粗化する第1の工程と、該支持板の表面にマスクパターンを形成し、該マスクパターンから露出する該支持板の表面を平滑化する第2の工程と、前記支持板に接するように、該支持板上に複数の導電パターンを形成する工程を含む第3の工程と、前記複数の導電パターンを覆うとともに、前記支持板に接するように樹脂層を形成する第4の工程と、前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一部に接続される別の導電パターンを形成する第5の工程と、前記支持板を除去する第6の工程とを有し、前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一部は、平滑化された前記支持板表面に形成されることにより平滑面とされることを特徴とする配線基板の製造方法により解決することができる。   From the first aspect of the present invention, the above-described problem is a first step of roughening the surface of the support plate, and the support plate that forms a mask pattern on the surface of the support plate and is exposed from the mask pattern Covering the plurality of conductive patterns, a second step of smoothing the surface, a third step including a step of forming a plurality of conductive patterns on the support plate so as to contact the support plate, A fourth step of forming a resin layer in contact with the support plate, a fifth step of forming another conductive pattern connected to at least a part of the plurality of conductive patterns, and the support plate. And a sixth step of removing, wherein at least a part of the plurality of conductive patterns is formed on the smoothed support plate surface to be a smooth surface. Can be solved by the manufacturing method Kill.

また上記の課題は、本発明の第2の観点からは、樹脂層と、その一面側が前記樹脂層から露出する導電パターンとを備えた配線基板であって、支持部材に形成されている粗化面上に前記樹脂層及び前記導電パターンを形成することにより、前記樹脂層の一面側と前記導電パターンの一部の露出面粗化面とし、前記支持部材に形成されている平滑化された非粗化面上に他の導電パターンを形成することにより、前記導電パターンの他の露出面を非粗化面としてなる配線基板により解決することができる。
Further, the above-mentioned problem is a roughening formed on a support member , which is a wiring board provided with a resin layer and a conductive pattern whose one side is exposed from the resin layer, from the second viewpoint of the present invention. By forming the resin layer and the conductive pattern on a surface, the one surface side of the resin layer and a part of the exposed surface of the conductive pattern are roughened, and the support member is smoothed. by forming the other conductive pattern on the non-roughened surface, the other exposed surface of the conductive pattern can be solved by a wiring board formed by the Hiara of surface.

本発明によれば、薄型化が可能となるとともにアライメントの精度が良好となる配線基板の製造方法を提供することが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the manufacturing method of the wiring board which can be reduced in thickness and the precision of alignment becomes favorable.

まず、従来の配線基板(電子部品)の製造方法の概略を図1に示す。図1を参照するに、従来は、例えばCuなどの金属材料よりなる支持板11上に、アライメントマーク(導電パターン)13と樹脂層12を形成した後、支持板11をエッチングするなどして除去して配線基板を形成していた。このため、支持板によって配線基板を製造する工程における樹脂層の反りなどを抑制しながら、製造される配線基板を薄型化することが可能となる。なお、本図では、電極パッドや配線構造などの構造体は図示を省略している。   First, the outline of the manufacturing method of the conventional wiring board (electronic component) is shown in FIG. Referring to FIG. 1, conventionally, after an alignment mark (conductive pattern) 13 and a resin layer 12 are formed on a support plate 11 made of a metal material such as Cu, the support plate 11 is removed by etching or the like. Thus, a wiring board was formed. For this reason, it becomes possible to reduce the thickness of the manufactured wiring board while suppressing warping of the resin layer in the process of manufacturing the wiring board by the support plate. In this figure, structures such as electrode pads and wiring structures are not shown.

しかし、上記の製造方法においては、例えば金属材料よりなる支持板11と、樹脂層12の密着性を良好とするために、支持板11の表面を粗化処理して表面粗さを大きくする場合があった。この場合、支持板11上の表面粗さが樹脂層12やアライメントマーク13など、配線基板側に転写されることになる。   However, in the above manufacturing method, for example, in order to improve the adhesion between the support plate 11 made of a metal material and the resin layer 12, the surface of the support plate 11 is roughened to increase the surface roughness. was there. In this case, the surface roughness on the support plate 11 is transferred to the wiring board side such as the resin layer 12 and the alignment mark 13.

例えば、アライメントマーク13の表面が粗化されて、表面粗さが大きい状態となると、アライメントマーク13の認識が困難となる問題が生じてしまう。例えば、支持板11を除去した後に、電極パッド(本図では図示省略)上に半田な どの接続部が形成される場合には、アライメントマークの認識が困難となると、配線基板の加工精度に問題が生じてしまう。   For example, when the surface of the alignment mark 13 is roughened and the surface roughness becomes large, there arises a problem that it is difficult to recognize the alignment mark 13. For example, when a connection portion such as solder is formed on an electrode pad (not shown in the figure) after removing the support plate 11, if the alignment mark is difficult to recognize, there is a problem in the processing accuracy of the wiring board. Will occur.

そこで、本発明では、以下に説明するように、支持板の、アライメントマークが接する領域と、樹脂層が接する領域の表面粗さが異なるようにしている。このため、樹脂層と支持板の密着力を確保しつつ、かつ、アライメントマークの表面粗さを小さくしてアライメントマークの認識が容易となるようにしていることが特徴である。   Therefore, in the present invention, as will be described below, the surface roughness of the region of the support plate where the alignment mark is in contact with the region where the resin layer is in contact is different. For this reason, it is characterized in that the adhesion of the resin layer and the support plate is ensured and the surface roughness of the alignment mark is reduced to facilitate the recognition of the alignment mark.

図2は、本発明による配線基板(電子部品)の製造方法の概略を示した図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。図2を参照するに、本図に示す場合、例えばCuよりなる支持板11の、配線基板に接する表面に、それぞれ表面粗さが異なる第1の領域(非粗化面)11Aと第2の領域(粗化面)11Bが形成されていることが特徴である。   FIG. 2 is a diagram showing an outline of a method of manufacturing a wiring board (electronic component) according to the present invention. However, the parts described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. Referring to FIG. 2, in the case shown in FIG. 2, the first region (non-roughened surface) 11A and the second surface having different surface roughness are provided on the surface of the support plate 11 made of Cu, for example, on the surface in contact with the wiring board. A region (roughened surface) 11B is formed.

例えば、第1の領域11Aは、通常の一般的な金属板(Cu板)の表面仕上げ程度の表面粗さ(Ra)であり、第2の領域11Bに比べて表面粗さが小さく、表面粗さを示すRaは100nm以下である。一方で、第2の領域11Bは、粗化処理されて形成されており、第1の領域100Aに比べて表面粗さが大きく、表面粗さを示すRaは、200nm〜600nm程度である。   For example, the first region 11A has a surface roughness (Ra) that is about the surface finish of a normal general metal plate (Cu plate), and has a smaller surface roughness than the second region 11B. Ra which shows this is 100 nm or less. On the other hand, the second region 11B is formed by roughening, has a surface roughness larger than that of the first region 100A, and Ra indicating the surface roughness is about 200 nm to 600 nm.

このため、平滑な第1の領域11Aの表面状態がアライメントマーク(導電パターン)13にそのまま転写されることになり、アライメントマーク13の表面粗さは小さくなる。従って、支持板11を除去した後のアライメントマークの認識が容易となり、アライメントの精度が良好となる効果を奏する。   For this reason, the surface state of the smooth first region 11A is transferred to the alignment mark (conductive pattern) 13 as it is, and the surface roughness of the alignment mark 13 is reduced. Therefore, the alignment mark after the support plate 11 is removed can be easily recognized, and the alignment accuracy is improved.

また、表面粗さが大きい、いわゆる粗化面である第2の領域11Bと、第2の領域11Bに接する樹脂層12との密着性が良好となり、配線基板の製造工程における樹脂層12の剥がれを抑制することができる。   Further, the adhesion between the second region 11B, which is a so-called roughened surface having a large surface roughness, and the resin layer 12 in contact with the second region 11B is improved, and the resin layer 12 is peeled off in the manufacturing process of the wiring board. Can be suppressed.

また、上記の図2では、図示を省略しているが、アライメントマークと同一平面上には、電極パッド(導電パターン)が形成され、当該電極パッドに接続されるビアプラグやパターン配線などの導電パターンが形成された後、支持板11がエッチングにより除去される。また、アライメントマークと電極パッドは兼用してもよく、電極パッドを用いてアライメントを行ってもよい。   Although not shown in FIG. 2, an electrode pad (conductive pattern) is formed on the same plane as the alignment mark, and a conductive pattern such as a via plug or a pattern wiring connected to the electrode pad. Is formed, the support plate 11 is removed by etching. Further, the alignment mark and the electrode pad may be used together, or alignment may be performed using the electrode pad.

このようにして、薄型化が容易であって、かつ、アライメントの精度が良好である配線基板(電子部品)を製造することができる。   In this way, it is possible to manufacture a wiring board (electronic component) that can be easily reduced in thickness and has good alignment accuracy.

また、支持板11に、表面粗さが異なる複数の領域を形成する場合には、例えば、1)支持板表面にアライメントマークまたは電極パッドなどの導電パターンを形成した後、当該導電パターンをマスクにして支持板表面を粗化処理する方法(第1の方法)と、支持板表面の全体を粗化処理した後、当該表面を覆うマスクパターンを形成し、当該マスクパターンから露出する粗化処理した面を、平滑化処理する方法(第2の方法)がある。   When a plurality of regions having different surface roughnesses are formed on the support plate 11, for example, 1) After forming a conductive pattern such as an alignment mark or an electrode pad on the surface of the support plate, the conductive pattern is used as a mask. The surface of the support plate is roughened (first method), and the entire surface of the support plate is roughened, then a mask pattern is formed to cover the surface, and the surface of the support plate is exposed to the roughening process. There is a method for smoothing the surface (second method).

次に、上記の第1の方法と第2の方法による配線基板の製造方法のさらに具体的な例について、以下の実施例1,実施例2において順に説明する。   Next, more specific examples of the method of manufacturing a wiring board by the first method and the second method will be described in order in the following first and second embodiments.

図3A〜図3Iは、本発明の実施例1による配線基板(電子部品)の製造方法を、手順を追って説明する図である。ただし、以下の図中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある(以下の実施例、図について同じ)。   FIG. 3A to FIG. 3I are diagrams for explaining a method of manufacturing a wiring board (electronic component) according to the first embodiment of the present invention, following the procedure. However, in the following drawings, the same reference numerals are given to the portions described above, and the description may be omitted (the same applies to the following examples and drawings).

まず、図3Aに示す工程において、例えば電解メッキ法により形成されるCu箔よりなる支持板101上に、レジストを用いたフォトリソグラフィ法により、開口部102A、102Bを有するマスクパターン102を形成する。なお、支持板101Aの表面は、一般的な金属板の表面状態とされており、Raが100nm以下の非粗化面(第1の領域)101Aとされている。上記の支持板は、金属箔(Cu箔)に限定されず、例えば、通常の金属板より構成してもよい。   First, in the step shown in FIG. 3A, a mask pattern 102 having openings 102A and 102B is formed on a support plate 101 made of Cu foil formed by, for example, electrolytic plating, by photolithography using a resist. Note that the surface of the support plate 101A is a surface state of a general metal plate, and Ra is a non-roughened surface (first region) 101A having a thickness of 100 nm or less. Said support plate is not limited to metal foil (Cu foil), For example, you may comprise from a normal metal plate.

次に、図3Bに示す工程において、開口部102A、102Bから露出する支持板101の表面(第1の領域101A)に接するように、アライメントマーク(導電パターン)103、電極パッド(導電パターン)104をそれぞれ形成する。すなわち、上記のアライメントマーク103と電極パッド104は、支持板101上の、表面粗さが小さい第1の領域(非粗化面)101Aに形成される。   Next, in the step shown in FIG. 3B, the alignment mark (conductive pattern) 103 and the electrode pad (conductive pattern) 104 are in contact with the surface (first region 101A) of the support plate 101 exposed from the openings 102A and 102B. Respectively. That is, the alignment mark 103 and the electrode pad 104 are formed in the first region (non-roughened surface) 101A having a small surface roughness on the support plate 101.

また、例えばアライメントマーク103と電極パッド104は、同一平面上に形成され、また、同様の工程、方法によって形成される。例えば、アライメントマーク103,電極パッド104は、導電材料よりなる支持板101を給電経路(電極)として、電解メッキ法により、形成される。また、アライメントマーク103や電極パッド104などの導電パターンは、例えば、Au層とNi層の積層構造(Au層が支持板101側)で構成されるが、これに限定されず、例えばAu層とNi層とCu層(Au層が支持板101側)や、またはAu層とCu層の積層構造(Au層が支持板101側)で構成するなど、様々な構造で構成することができる。   For example, the alignment mark 103 and the electrode pad 104 are formed on the same plane, and are formed by the same process and method. For example, the alignment mark 103 and the electrode pad 104 are formed by an electrolytic plating method using the support plate 101 made of a conductive material as a feeding path (electrode). In addition, the conductive pattern such as the alignment mark 103 and the electrode pad 104 is composed of, for example, a laminated structure of an Au layer and a Ni layer (the Au layer is on the support plate 101 side), but is not limited thereto. It can be configured in various structures such as a Ni layer and a Cu layer (Au layer is on the support plate 101 side) or a laminated structure of an Au layer and a Cu layer (Au layer is on the support plate 101 side).

次に、図3Cに示す工程において、支持板101上のマスクパターン102を除去する。ここで、マスクパターン102を除去した後に、例えば、蟻酸などの有機酸を含む薬液によるウェット処理を行い、支持板101の表面を粗化して、第1の領域101Aのうち、アライメントマーク103と電極パッド104(導電パターン)により覆われていない領域を粗化面(第2の領域)101Bとする。すなわち、アライメントマーク103と電極パッド104とよりなる導電パターンをマスクにしたウェット処理により、支持板101の表面(第2の領域)101Bを粗化する。この場合、第2の領域101Bの表面粗さRaは、200nm〜600nm(例えば400nm)とされることが好ましい。   Next, in the step shown in FIG. 3C, the mask pattern 102 on the support plate 101 is removed. Here, after removing the mask pattern 102, for example, a wet process using a chemical solution containing an organic acid such as formic acid is performed to roughen the surface of the support plate 101, so that the alignment mark 103 and the electrode in the first region 101A. A region not covered by the pad 104 (conductive pattern) is defined as a roughened surface (second region) 101B. That is, the surface (second region) 101B of the support plate 101 is roughened by a wet process using a conductive pattern composed of the alignment mark 103 and the electrode pad 104 as a mask. In this case, the surface roughness Ra of the second region 101B is preferably 200 nm to 600 nm (for example, 400 nm).

次に、図3Dに示す工程において、アライメントマーク103と電極パッド104を覆うとともに、支持板101の粗化面(第2の領域)101Bに接するように、例えばエポキシ系の樹脂材料を主成分とする樹脂層(ビルドアップ層)105を形成する。さらに、樹脂層105に、例えばレーザにより、電極パッド104に到達するビアホール105Aを形成する。   Next, in the step shown in FIG. 3D, an epoxy resin material, for example, is used as a main component so as to cover the alignment mark 103 and the electrode pad 104 and to come into contact with the roughened surface (second region) 101B of the support plate 101. A resin layer (build-up layer) 105 is formed. Further, via holes 105A reaching the electrode pads 104 are formed in the resin layer 105 by, for example, a laser.

次に、図3Eに示す工程において、まず、Cuの無電解メッキ法によって、樹脂層105の表面にシード層(図示せず)を形成した後、当該シード層上にレジストパターン(図示せず)を形成する。さらに、上記のシード層を給電経路とするCuの電解メッキ法により、ビアホールを埋設するビアプラグと当該ビアプラグに接続されるパターン配線よりなる導電パターン(別の導電パターン)106を形成する。導電パターン106の形成後にレジストパターンを剥離し、レジストパターンの剥離によって露出したシード層をエッチングにより除去する。   Next, in the step shown in FIG. 3E, first, a seed layer (not shown) is formed on the surface of the resin layer 105 by an electroless plating method of Cu, and then a resist pattern (not shown) is formed on the seed layer. Form. Further, a conductive pattern (another conductive pattern) 106 including a via plug in which a via hole is embedded and a pattern wiring connected to the via plug is formed by Cu electroplating using the seed layer as a power feeding path. After forming the conductive pattern 106, the resist pattern is peeled off, and the seed layer exposed by the peeling of the resist pattern is removed by etching.

次に、図3Fに示す工程において、図3D〜図3Eで先に説明した工程を繰り返して、樹脂層105上に、樹脂層105に相当する樹脂層107,109を順に積層し、導電パターン106に相当する導電パターン108,110を形成する。   Next, in the step shown in FIG. 3F, the steps described above with reference to FIGS. 3D to 3E are repeated to sequentially laminate resin layers 107 and 109 corresponding to the resin layer 105 on the resin layer 105, thereby forming the conductive pattern 106. Conductive patterns 108 and 110 corresponding to are formed.

さらに、樹脂層109上に、導電パターン110の一部が露出する開口部111Aを有する、ソルダーレジストよりなる絶縁層111を形成する。   Further, an insulating layer 111 made of a solder resist having an opening 111A from which a part of the conductive pattern 110 is exposed is formed on the resin layer 109.

次に、図3Gに示す工程において、Cuよりなる支持板101を、例えば薬液を用いたウェットエッチングにより除去する。このようにして、配線基板(電子部品)100を形成することができる。   Next, in the step shown in FIG. 3G, the support plate 101 made of Cu is removed, for example, by wet etching using a chemical solution. In this way, the wiring board (electronic component) 100 can be formed.

上記の配線基板100においては、アライメントマーク(導電パターン)103が、支持板101の非粗化面である第1の領域101Aに接するように形成されるため、アライメントマーク103の表面が平滑であり、例えば電極パッド104上に半田などの接続部を形成する場合のアライメントの精度が良好となる効果を奏する。また、樹脂層105は、支持板101の粗化面である第2の領域101Bに接するように形成されるため、支持板101と樹脂層105の密着力が良好となり、配線基板の製造工程において樹脂層の剥離が抑制されて信頼性の高い配線基板の製造が可能となる。また、アライメントマークと電極パッドとを、別途独立に形成してもよいが、複数形成される電極パッドうちの少なくとも一部をアライメントマークとして用いる(すなわち電極パッドとアライメントマークを兼用する)ようにしてもよい。   In the above-described wiring substrate 100, the alignment mark (conductive pattern) 103 is formed so as to be in contact with the first region 101A that is the non-roughened surface of the support plate 101. Therefore, the surface of the alignment mark 103 is smooth. For example, there is an effect that the accuracy of alignment is improved when a connection portion such as solder is formed on the electrode pad 104. Further, since the resin layer 105 is formed so as to be in contact with the second region 101B, which is the roughened surface of the support plate 101, the adhesion between the support plate 101 and the resin layer 105 is improved, and in the manufacturing process of the wiring board. The peeling of the resin layer is suppressed, and a highly reliable wiring board can be manufactured. In addition, the alignment mark and the electrode pad may be formed separately, but at least a part of the plurality of formed electrode pads is used as the alignment mark (that is, the electrode pad and the alignment mark are used together). Also good.

また、上記の配線基板100に、以下に示すように接続部を形成して、半導体チップなどの実装部品を実装してもよい。   Further, a connecting part may be formed on the wiring board 100 as described below, and a mounting component such as a semiconductor chip may be mounted.

例えば、図3Hに示すように、アライメントマーク103を用いてアライメントを行って、例えば印刷法または半田ボールの振り込みと、当該半田のリフローによって、電極パッド104上に、半田よりなる接続部112を形成する。   For example, as shown in FIG. 3H, alignment is performed using the alignment mark 103, and a connecting portion 112 made of solder is formed on the electrode pad 104 by, for example, printing or solder ball transfer and solder reflow. To do.

さらに、図3Iに示す工程において、接続部112に接続されるように、例えば半導体チップよりなる実装部品113を実装し、実装部品113と樹脂層105の間をアンダーフィルと呼ばれる樹脂材料114で埋設してもよい。   Further, in the step shown in FIG. 3I, a mounting component 113 made of, for example, a semiconductor chip is mounted so as to be connected to the connection portion 112, and a space between the mounting component 113 and the resin layer 105 is embedded with a resin material 114 called an underfill. May be.

また、実装部品113は、絶縁層111の開口部111Aから露出する導電パターン110に接続されるように実装してもよい。   Further, the mounting component 113 may be mounted so as to be connected to the conductive pattern 110 exposed from the opening 111 </ b> A of the insulating layer 111.

また、図4A〜図4Eは、本発明の実施例2による配線基板(電子部品)の製造方法を、手順を追って説明する図である。   4A to 4E are diagrams for explaining the procedure of the method for manufacturing a wiring board (electronic component) according to the second embodiment of the present invention.

まず、図4Aに示す工程において、例えばCuなどの金属材料よりなる支持板201の表面を、例えば、蟻酸などの有機酸を含む薬液によるウェット処理を行い、粗化面(第2の領域)201Bを形成する。この場合、第2の領域201Bの表面粗さRaは、200nm〜600nm(例えば400nm)とされることが好ましい。   First, in the process shown in FIG. 4A, the surface of the support plate 201 made of a metal material such as Cu is wet-treated with a chemical solution containing an organic acid such as formic acid, for example, to obtain a roughened surface (second region) 201B. Form. In this case, the surface roughness Ra of the second region 201B is preferably 200 nm to 600 nm (for example, 400 nm).

次に、図4Bに示す工程において、支持板201の第2の領域201B上に、開口部202A、202Bを有するマスクパターン202を形成する。   Next, in a step shown in FIG. 4B, a mask pattern 202 having openings 202A and 202B is formed on the second region 201B of the support plate 201.

次に、図4Cに示す工程において、上記のマスクパターン202の開口部202A,202Bから露出する第2の領域201Bを、例えば過硫酸ナトリウムを含む薬液のウェット処理により平滑化し、非粗化面(第1の領域201A)とする。例えば、第1の領域201Aの表面粗さRaは、100nm以下とされることが好ましい。   Next, in the step shown in FIG. 4C, the second region 201B exposed from the openings 202A and 202B of the mask pattern 202 is smoothed by, for example, a wet treatment with a chemical solution containing sodium persulfate, and a non-roughened surface ( The first area 201A). For example, the surface roughness Ra of the first region 201A is preferably 100 nm or less.

次に、図4Dに示す工程において、開口部202A、202Bから露出する支持板201の表面(第1の領域201A)に接するように、アライメントマーク203、電極パッド204をそれぞれ形成する。すなわち、上記のアライメントマーク203と電極パッド204は、支持板201上の、表面粗さが小さい第1の領域(非粗化面)201Aに形成される。例えばアライメントマーク203と電極パッド204は、実施例1に記載したアライメントマーク103と電極パッド104と同様にして形成することができる。   Next, in the step shown in FIG. 4D, an alignment mark 203 and an electrode pad 204 are formed so as to be in contact with the surface (first region 201A) of the support plate 201 exposed from the openings 202A and 202B. That is, the alignment mark 203 and the electrode pad 204 are formed on the first region (non-roughened surface) 201A having a small surface roughness on the support plate 201. For example, the alignment mark 203 and the electrode pad 204 can be formed in the same manner as the alignment mark 103 and the electrode pad 104 described in the first embodiment.

次に、図4Eに示す工程において、支持板201上のマスクパターン202を除去する。   Next, in the step shown in FIG. 4E, the mask pattern 202 on the support plate 201 is removed.

後は、実施例1の図3D以降の工程と同様の工程を実施することで、実施例1に示した樹脂層105,107,109、絶縁層111,導電パターン106,108,110、さらに、必要に応じて接続部112を形成して実装部品を実装することで、配線基板(電子部品)を製造することができる。   Thereafter, by performing the same processes as those in FIG. 3D and subsequent steps of the first embodiment, the resin layers 105, 107, 109, the insulating layer 111, the conductive patterns 106, 108, 110 shown in the first embodiment, A wiring board (electronic component) can be manufactured by forming the connecting portion 112 and mounting the mounting component as necessary.

本実施例においても、実施例1の場合と同様の効果を奏し、アライメントマーク203の表面が平滑であり、アライメントの精度が良好となるとともに、支持板201に接して形成される樹脂層の剥離が抑制される効果を奏する。   Also in this embodiment, the same effect as in the case of Embodiment 1 is obtained, the surface of the alignment mark 203 is smooth, the alignment accuracy is good, and the resin layer formed in contact with the support plate 201 is peeled off. There is an effect of suppressing.

また、上記の実施例1、実施例2では、アライメントマークと電極パッドがともに非粗化面に対応して形成されたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、アライメントマークと電極パッドのうち、少なくともアライメントマークが非粗化面に対応して形成されればよく、以下に示すように電極パッドが粗化面に対応して形成されてもよい。   In the first and second embodiments, both the alignment mark and the electrode pad are formed corresponding to the non-roughened surface, but the present invention is not limited to this. For example, at least the alignment mark of the alignment mark and the electrode pad only needs to be formed corresponding to the non-roughened surface, and the electrode pad may be formed corresponding to the roughened surface as described below.

図5A〜図5Kは、本発明の実施例3による配線基板(電子部品)の製造方法を示す図である。   5A to 5K are diagrams showing a method of manufacturing a wiring board (electronic component) according to Embodiment 3 of the present invention.

まず、図5Aに示す工程において、例えばCuなどの金属材料よりなる支持板301の表面を、例えば、蟻酸などの有機酸を含む薬液によるウェット処理を行い、粗化面(第2の領域)301Bを形成する。この場合、第2の領域301Bの表面粗さRaは、200nm〜600nm(例えば400nm)とされることが好ましい。   First, in the step shown in FIG. 5A, the surface of the support plate 301 made of a metal material such as Cu is wet-treated with a chemical solution containing an organic acid such as formic acid, for example, to obtain a roughened surface (second region) 301B. Form. In this case, the surface roughness Ra of the second region 301B is preferably 200 nm to 600 nm (for example, 400 nm).

次に、図5Bに示す工程において、支持板301の第2の領域301B上に、開口部302Aを有するマスクパターン302を形成する。   Next, in the step shown in FIG. 5B, a mask pattern 302 having an opening 302 </ b> A is formed on the second region 301 </ b> B of the support plate 301.

次に、図5Cに示す工程において、上記のマスクパターン302の開口部302Aから露出する第2の領域301Bを、例えば過硫酸ナトリウムを含む薬液のウェット処理により平滑化し、非粗化面(第1の領域301A)とする。例えば、第1の領域301Aの表面粗さRaは、100nm以下とされることが好ましい。   Next, in the step shown in FIG. 5C, the second region 301B exposed from the opening 302A of the mask pattern 302 is smoothed by, for example, a wet treatment with a chemical solution containing sodium persulfate, and the non-roughened surface (first surface) Region 301A). For example, the surface roughness Ra of the first region 301A is preferably 100 nm or less.

次に、図5Dに示す工程において、マスクパターン302を除去する。   Next, in the step shown in FIG. 5D, the mask pattern 302 is removed.

次に、図5Eに示す工程において、支持板301上に、開口部320A、320Bを有するマスクパターン320を形成する。この場合、開口部320Aからは第1の領域(非粗化面)301Aが、開口部320Bからは第2の領域301B(粗化面)が露出するようにする。すなわち、開口部320Aは、図5Cの工程で形成した開口部302Aに対応して形成される。   Next, in a step shown in FIG. 5E, a mask pattern 320 having openings 320A and 320B is formed on the support plate 301. In this case, the first region (non-roughened surface) 301A is exposed from the opening 320A, and the second region 301B (roughened surface) is exposed from the opening 320B. That is, the opening 320A is formed corresponding to the opening 302A formed in the step of FIG. 5C.

次に、図5Fに示す工程において、開口部320A、320Bから露出する支持板301の表面に接するように、アライメントマーク303、電極パッド304をそれぞれ形成する。すなわち、上記のアライメントマーク303は、支持板301上の、表面粗さが小さい第1の領域(非粗化面)301Aに、電極パッド304は表面粗さが大きい第2の領域301Bに形成される。例えばアライメントマーク303と電極パッド304は、実施例1に記載したアライメントマーク103と電極パッド104と同様にして形成することができる。   Next, in the step shown in FIG. 5F, an alignment mark 303 and an electrode pad 304 are formed so as to be in contact with the surface of the support plate 301 exposed from the openings 320A and 320B. That is, the alignment mark 303 is formed in the first region (non-roughened surface) 301A having a small surface roughness, and the electrode pad 304 is formed in the second region 301B having a large surface roughness. The For example, the alignment mark 303 and the electrode pad 304 can be formed in the same manner as the alignment mark 103 and the electrode pad 104 described in the first embodiment.

次に、図5Gに示す工程において、支持板301上のマスクパターン320を除去する。   Next, in the step shown in FIG. 5G, the mask pattern 320 on the support plate 301 is removed.

後は、実施例1の図3D以降の工程と同様の工程を実施することで、実施例1に示した樹脂層105,107,109、絶縁層111,導電パターン106,108,110、さらに、必要に応じて接続部112を形成して実装部品を実装することで、配線基板(電子部品)を製造することができる。   Thereafter, by performing the same processes as those in FIG. 3D and subsequent steps of the first embodiment, the resin layers 105, 107, 109, the insulating layer 111, the conductive patterns 106, 108, 110 shown in the first embodiment, A wiring board (electronic component) can be manufactured by forming the connecting portion 112 and mounting the mounting component as necessary.

本実施例においても、実施例1の場合と同様の効果を奏し、アライメントマーク303の表面が平滑であり、アライメントの精度が良好となるとともに、支持板301に接して形成される樹脂層の剥離が抑制される効果を奏する。   Also in the present embodiment, the same effect as in the case of the first embodiment is obtained, the surface of the alignment mark 303 is smooth, the alignment accuracy is good, and the resin layer formed in contact with the support plate 301 is peeled off. There is an effect of suppressing.

また、本実施例に示すように、電極パッドは必ずしもアライメントマークと同等の表面粗さである必要はなく、樹脂層と同程度の表面粗さであってもよい。   Further, as shown in the present embodiment, the electrode pad does not necessarily have the same surface roughness as the alignment mark, and may have the same surface roughness as the resin layer.

以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。   Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and various modifications and changes can be made within the scope described in the claims.

本発明によれば、薄型化が可能となるとともにアライメントの精度が良好となる配線基板の製造方法を提供することが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the manufacturing method of the wiring board which can be reduced in thickness and the precision of alignment becomes favorable.

従来の電子部品の製造方法の概略図である。It is the schematic of the manufacturing method of the conventional electronic component. 本発明による電子部品の製造方法の概略図である。It is the schematic of the manufacturing method of the electronic component by this invention. 実施例1による電子部品の製造方法を示す図(その1)である。FIG. 6 is a diagram (No. 1) illustrating a method for manufacturing an electronic component according to the first embodiment. 実施例1による電子部品の製造方法を示す図(その2)である。FIG. 6 is a second diagram illustrating a method for manufacturing an electronic component according to the first embodiment. 実施例1による電子部品の製造方法を示す図(その3)である。FIG. 6 is a diagram (No. 3) illustrating the method for manufacturing the electronic component according to the first embodiment. 実施例1による電子部品の製造方法を示す図(その4)である。FIG. 6 is a diagram (No. 4) illustrating the method for manufacturing the electronic component according to the first embodiment. 実施例1による電子部品の製造方法を示す図(その5)である。FIG. 10 is a diagram (No. 5) illustrating the method for manufacturing the electronic component according to the first embodiment. 実施例1による電子部品の製造方法を示す図(その6)である。FIG. 6 is a view (No. 6) illustrating the method for manufacturing the electronic component according to the first embodiment. 実施例1による電子部品の製造方法を示す図(その7)である。FIG. 7 is a view (No. 7) showing a method for manufacturing an electronic component according to Example 1. 実施例1による電子部品の製造方法を示す図(その8)である。FIG. 8 is a view (No. 8) illustrating the method for manufacturing the electronic component according to the first embodiment. 実施例1による電子部品の製造方法を示す図(その9)である。FIG. 9 is a diagram (No. 9) illustrating a method for manufacturing an electronic component according to Example 1. 実施例2による電子部品の製造方法を示す図(その1)である。FIG. 6 is a diagram (No. 1) illustrating a method for manufacturing an electronic component according to a second embodiment. 実施例2による電子部品の製造方法を示す図(その2)である。FIG. 6 is a second diagram illustrating the method for manufacturing an electronic component according to the second embodiment. 実施例2による電子部品の製造方法を示す図(その3)である。FIG. 10 is a third diagram illustrating the method of manufacturing the electronic component according to the second embodiment. 実施例2による電子部品の製造方法を示す図(その4)である。FIG. 6 is a diagram (No. 4) illustrating the method for manufacturing the electronic component according to the second embodiment. 実施例2による電子部品の製造方法を示す図(その5)である。FIG. 10 is a diagram (No. 5) illustrating the method for manufacturing the electronic component according to the second embodiment. 実施例3による電子部品の製造方法を示す図(その1)である。FIG. 10 is a diagram (No. 1) illustrating a method for manufacturing an electronic component according to a third embodiment. 実施例3による電子部品の製造方法を示す図(その2)である。FIG. 6 is a second diagram illustrating a method for producing an electronic component according to a third embodiment. 実施例3による電子部品の製造方法を示す図(その3)である。FIG. 11 is a diagram (No. 3) illustrating the method for manufacturing the electronic component according to the third embodiment. 実施例3による電子部品の製造方法を示す図(その4)である。FIG. 10 is a diagram (No. 4) illustrating the method for manufacturing the electronic component according to the third embodiment. 実施例3による電子部品の製造方法を示す図(その5)である。FIG. 6 is a diagram (No. 5) illustrating a method for manufacturing an electronic component according to a third embodiment. 実施例3による電子部品の製造方法を示す図(その6)である。FIG. 6 is a diagram (No. 6) illustrating a method for manufacturing an electronic component according to Example 3. 実施例3による電子部品の製造方法を示す図(その7)である。FIG. 7 is a view (No. 7) showing a method for manufacturing an electronic component according to Embodiment 3.

符号の説明Explanation of symbols

100 電子部品
101,201,301 支持板
101A,201A,301A 第1の領域(非粗化面)
101B,201B,301B 第2の領域(粗化面)
102,202,302,320 マスクパターン
103,203,303 アライメントマーク
104,204,304 電極パッド
105,107,109 樹脂層
106,108,110 導電パターン
111 絶縁層
112 接続部
113 実装部品
114 アンダーフィル
100 Electronic parts 101, 201, 301 Support plate 101A, 201A, 301A First region (non-roughened surface)
101B, 201B, 301B Second region (roughened surface)
102, 202, 302, 320 Mask pattern 103, 203, 303 Alignment mark 104, 204, 304 Electrode pad 105, 107, 109 Resin layer 106, 108, 110 Conductive pattern 111 Insulating layer 112 Connection 113 Mounting component 114 Underfill

Claims (8)

支持板の表面を粗化する第1の工程と、
該支持板の表面にマスクパターンを形成し、該マスクパターンから露出する該支持板の表面を平滑化する第2の工程と、
前記支持板に接するように、該支持板上に複数の導電パターンを形成する工程を含む第3の工程と、
前記複数の導電パターンを覆うとともに、前記支持板に接するように樹脂層を形成する第4の工程と、
前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一部に接続される別の導電パターンを形成する第5の工程と、
前記支持板を除去する第6の工程とを有し、
前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一部は、平滑化された前記支持板表面に形成されることにより平滑面とされることを特徴とする配線基板の製造方法。
A first step of roughening the surface of the support plate;
A second step of forming a mask pattern on the surface of the support plate and smoothing the surface of the support plate exposed from the mask pattern;
A third step including a step of forming a plurality of conductive patterns on the support plate so as to be in contact with the support plate;
A fourth step of covering the plurality of conductive patterns and forming a resin layer in contact with the support plate;
A fifth step of forming another conductive pattern connected to at least a part of the plurality of conductive patterns;
A sixth step of removing the support plate,
At least a part of the plurality of conductive patterns has a smooth surface by being formed on the smoothed support plate surface.
前記導電パターンは、アライメントマークと電極パッドを含む請求項1記載の配線基板の製造方法。   The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the conductive pattern includes an alignment mark and an electrode pad. 前記第3の工程は、
前記マスクパターンを除去する工程と、
前記平滑化された前記支持板の表面を含む、前記導電パターンの所定形成位置に開口部を有したレジストを形成する工程と、
前記レジストを介して、前記支持板に接するように、該支持板上に複数の導電パターンを形成する工程と、
前記導電パターンの形成後、前記レジストを除去する工程とを有する請求項1または2記載の配線基板の製造方法。
The third step includes
Removing the mask pattern;
Forming a resist having an opening at a predetermined formation position of the conductive pattern, including the smoothed surface of the support plate;
Forming a plurality of conductive patterns on the support plate so as to be in contact with the support plate via the resist;
The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, further comprising a step of removing the resist after forming the conductive pattern.
前記支持板の前記平滑化された表面に形成される前記導電パターンは、前記アライメントマークである請求項2または3記載の配線基板の製造方法。   4. The method for manufacturing a wiring board according to claim 2, wherein the conductive pattern formed on the smoothed surface of the support plate is the alignment mark. 前記複数の導電パターンは、前記支持板を給電経路とする電解メッキにより形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。   5. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the plurality of conductive patterns are formed by electrolytic plating using the support plate as a power feeding path. 6. 樹脂層と、その一面側が前記樹脂層から露出する導電パターンとを備えた配線基板であって、
支持部材に形成されている粗化面上に前記樹脂層及び前記導電パターンを形成することにより、前記樹脂層の一面側と前記導電パターンの一部の露出面粗化面とし、
前記支持部材に形成されている平滑化された非粗化面上に他の導電パターンを形成することにより、前記導電パターンの他の露出面を非粗化面としてなる配線基板。
A wiring board comprising a resin layer and a conductive pattern whose one side is exposed from the resin layer,
By forming the resin layer and the conductive pattern on the roughened surface formed on the support member, one surface side of the resin layer and a part of the exposed surface of the conductive pattern are roughened surfaces,
Wherein by forming another conductive pattern on the smoothed non-roughened surface on which is formed in the support member, the wiring board obtained by the other exposed surface Hiara of surfaces of the conductive pattern.
前記導電パターンは、アライメントマークと電極パッドを含む請求項6記載の配線基板。   The wiring board according to claim 6, wherein the conductive pattern includes an alignment mark and an electrode pad. 前記支持部材の粗化面が転写されることにより粗化面とさた前記導電パターンの露出面を前記電極ッドとし、
前記支持部材の非粗化面が転写されることにより非粗化面とされた前記導電パターンの露出面を前記アライメントマークとした請求項7記載の配線基板。
The exposed surface of the conductive pattern is a roughened surface by roughening surfaces of the support member is transferred to the electrode Pas head,
The wiring board according to claim 7, wherein the alignment mark is an exposed surface of the conductive pattern that has been made non-roughened by transferring the non-roughened surface of the support member.
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