JP4249896B2

JP4249896B2 - Strobe device

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Publication number: JP4249896B2
Application number: JP2000392964A
Authority: JP
Inventors: 弥佐々木
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2000-12-25
Filing date: 2000-12-25
Publication date: 2009-04-08
Anticipated expiration: 2020-12-25
Also published as: JP2002196400A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ストロボ装置にかかり、特に、カメラによる撮影時等に用いるストロボ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
被写体を撮影するカメラは、昼夜を問わず撮影を可能とするため、ストロボ装置を取り付け可能なものが多い。近年の技術発展に伴って最近では、電子的なカメラや簡易カメラに、ストロボ装置を備えているものも数多く市販されている。このストロボ装置は、被写体を撮影するとき、一定の明るさを得るために、所定の発光量で光を照射しなければならない。このため、電源を効率的に利用している。
【０００３】
図８には、ストロボ装置の発光部分周辺の回路例を示した。ストロボ発光のためのバルブＸｅの一端はダイオードＤ１及び抵抗Ｒ１９、そしてトランスＴ２を有する電源部を介してプラス電源側（Ｂａｔｔ＋）接続され、他端はトランジスタ（ＩＧＢＴ）Ｑ７を介してマイナス電源側（Ｂａｔｔ−）に接続されている。また、バルブＸｅはトランスＴ１及びコンデンサＣ１０を介してマイナス電源側（Ｂａｔｔ−）に接続されている。また、バルブＸｅの一端側で、ダイオードＤ１と抵抗Ｒ１９の間はマイナス電源側（Ｂａｔｔ−）に並列接続されたコンデンサＣ４，Ｃ５のプラス側が接続されている。
【０００４】
この回路では、端子ＦＣＴにパルス信号を印加することで、電源部のトランジスタＱ１１がパルス駆動して、トランスＴ２が作動し、バルブＸｅを発光させる電力を貯留するコンデンサＣ４，Ｃ５が充電される。充電の完了により、コンデンサＣ４，Ｃ５に蓄えられた充電電圧は抵抗Ｒ２１を介して接続されたコンデンサＣ８に蓄電される。このコンデンサＣ８に蓄電された電圧はトランジスタＱ７（ＩＧＢＴ）のゲート印加電圧に用いられる。
【０００５】
発光は、端子ＦＴをハイレベルに設定することで、トランジスタＱ２をオンして、ダイオードＤ２を介して接続されたトランジスタＱ１２をオンする。これにより、コンデンサＣ８に蓄えられていた電荷はトランジスタＱ１２を通過し、並列接続されたコンデンサＣ１１及び抵抗Ｒ１７、そして抵抗Ｒ７を順に経た後にトランジスタＱ７（ＩＧＢＴ）のゲートへと至り、ゲート側にある入力容量が満たされるとオンして発光に至る。
【０００６】
ここで、トランジスタＱ２にはダイオードＤ２及び抵抗Ｒ２４を介してトランジスタＱ１が接続されており、トランジスタＱ２がオンすることによって、トランジスタＱ１がオンして、測光のためのフォトトランジスタＰＴ１へ電力が供給される。フォトトランジスタＰＴ１の測光側は、抵抗Ｒ２５を介してコンパレータＵ１のマイナス側に接続されている。また、フォトトランジスタＰＴ１の測光側は、積分回路を構成する抵抗ＲＴ１及びコンデンサＣＴ１を介してマイナス電源側（Ｂａｔｔ−）に接続されている。
【０００７】
コンパレータＵ１のプラス側は、被写体からの光（調光量）の基準光量を設定するための設定回路に接続されている。この設定回路は、端子ＶＳＴに、抵抗Ｒ１４、半固定抵抗ＶＲ１及び抵抗Ｒ１５が直列に接続されてマイナス電源側（Ｂａｔｔ−）に至る構成とされており、半固定抵抗ＶＲ１の調整による分圧の値が基準となる。このため、端子ＶＳＴをハイレベルに設定することで、コンパレータＵ１のプラス側に基準電圧が入力される。
【０００８】
バルブＸｅが発光して被写体からの光量により、積分回路（抵抗ＲＴ１及びコンデンサＣＴ１）が作用してコンパレータＵ１のマイナス側の電位が徐々に上昇し、十分な光量すなわち、コンパレータＵ１のマイナス側の電位がプラス側の電位（基準光量）以上になると、コンパレータＵ１がハイレベル信号を出力する。これにより、コンパレータＵ１の出力側に、抵抗Ｒ１３を介して接続されたトランジスタＱ９がオンして、プラス電源側（Ｂａｔｔ＋）の電力がトランジスタＱ９を通過してトランジスタＱ１３のゲート側へ供給されてトランジスタＱ１３がオンされる。これによって、抵抗Ｒ１７と抵抗Ｒ７の間がマイナス電源側（Ｂａｔｔ−）となり、トランジスタＱ７（ＩＧＢＴ）のゲートへの印加電力が消失し、トランジスタＱ７（ＩＧＢＴ）はオフされる。これによって、バルブＸｅの発光が終了する。
【０００９】
従って、端子ＦＴの信号でトランジスタＱ２，Ｑ１２が作動し、コンデンサＣ８の電荷がコンデンサＣ１１、及び抵抗Ｒ１７とＲ７を介して供給されることでトランジスタＱ７（ＩＧＢＴ）が作動されて、バルブＸｅが発光する。
【００１０】
発光が開始されると、被写体からの光量が基準光量に至るまですなわち、抵抗Ｒ１４，半固定抵抗ＶＲ１，及び抵抗Ｒ１５による分圧による電荷に至るまで、コンパレータＵ１はハイレベルの出力を維持し、トランジスタＱ９，Ｑ１３が作動しない。積分回路における入力容量が満たされると、被写体からの光量が基準光量に至ることとなり、コンパレータＵ１がローレベル信号を出力し、トランジスタＱ９，Ｑ１３が作動する。これによって、バルブＸｅが消灯される。このように、コンパレータＵ１を用いて消灯時期を判断している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、カメラ装置の小型化や低価格化が叫ばれており、周辺装置であるストロボ装置も例外ではない。上記のように、バルブＸｅのオンオフさせるための一部の機能として判断回路すなわちコンパレータを用いているが、コンパレータは高コストであり、回路のコスト高を招いていた。
【００１２】
本発明は、上記事実を考慮して、単純構成でかつ操作が容易な回路構成のストロボ装置を得ることが目的である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項１に記載の発明のストロボ装置は、電流が供給されることにより発光する発光管と、前記発光管の発光状態を表す信号を積分する積分回路と、前記発光管に流れる電流をスイッチングする切替素子を通電状態または非通電状態に維持するように制御するラッチ回路と、基準値が入力されかつ該基準値と前記積分信号に基づいて、前記ラッチ回路を制御するＭＯＳ型ＦＥＴで構成した判断回路と、を備えたストロボ装置であって、前記ラッチ回路は、ＰＮＰ型トランジスタ及びＮＰＮ型トランジスタから構成され、前記ＰＮＰ型トランジスタのコレクタを前記ＮＰＮ型トランジスタのベースに接続し、前記ＰＮＰ型トランジスタのベースを前記ＮＰＮ型トランジスタのコレクタに接続し、かつ前記ＰＮＰ型トランジスタのエミッタとベースとを抵抗を介して接続し、前記ＰＮＰ型トランジスタのエミッタからベースの内部通過電流による電流経路を構成した後に、前記エミッタから前記抵抗を介して前記ベースへ至る電流経路に移行することにより、前記切替素子を通電状態に維持すると共に、前記判断回路の前記ＭＯＳ型ＦＥＴがオンされることにより、前記切換素子を非通電状態に維持することを特徴としている。
【００１４】
ストロボ装置は、発光管の発光で被写体が照明される。積分回路は、発光管の発光状態を表す信号（例えば、発光量を測光した結果の信号）を積分する。発光管は、トランジスタなどの切替素子により流れる電流がスイッチングされ、この切替素子はラッチ回路によって、通電状態または非通電状態に維持するように制御される。このラッチ回路は、ＭＯＳ型ＦＥＴで構成された判断回路により制御される。判断回路は、基準値が入力されかつ基準値と積分信号に基づいて、ラッチ回路を制御する。例えば、積分信号が基準値を超えたときに、切替素子が通電状態から非通電状態に移行するように、ラッチ回路を制御する。また、積分信号が基準値以内のとき、切替素子が通電状態を維持するように、ラッチ回路を制御する。これによって、コンパレータなどのＩＣを用いることなく、ＭＯＳ型ＦＥＴによる判断という単純な構成で実現することができる。
ラッチ回路を、ＰＮＰ型トランジスタ及びＮＰＮ型トランジスタから構成することにより、より単純な構成によるラッチ回路を構成することができる。
前記ＰＮＰ型トランジスタは、その動作からエミッタからベースの内部通過電流による電流経路を構成できる。この電流経路は、ベースの電位上昇と共に解消されるが、エミッタから抵抗を介してベースへ至る電流経路を構成することで、その電流経路に移行することができ、切替素子を通電状態に維持することが可能となる。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のストロボ装置において、前記積分信号が前記ＭＯＳ型ＦＥＴのゲートに入力されるように前記積分回路と前記ＭＯＳ型ＦＥＴを接続したことを特徴とする。
【００１６】
すなわち、前記判断回路の具体的な構成では、積分信号をＭＯＳ型ＦＥＴのゲートに入力することで、基準値の比較を行うことができる。これにより、積分信号が基準値を超えたときにＭＯＳ型ＦＥＴが作動し、ラッチ回路を制御できる。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載のストロボ装置において、前記判断回路は、前記基準値を調整するために、前記ＭＯＳ型ＦＥＴのソース電位を調整する調整部を含むことを特徴とする。
【００１８】
積分信号は、発光量の検出に相当する。したがって、積分信号を判断するしきい値としての基準値を調整することで、発光量を調整することができる。このため、ＭＯＳ型ＦＥＴのソース電位を調整する調整部を備えれば、基準値を調整でき、発光管による発光量を調整することが可能となる。
【００１９】
なお、前記調整部は、固定抵抗と半固定抵抗とが直列に接続され、該直列接続の分圧抵抗により前記ＭＯＳ型ＦＥＴのソース電位を調整することができる。
【００２４】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のストロボ装置において、前記ラッチ回路に電源供給する供給回路をさらに備え、前記供給回路は、トランジスタを含み、前記ラッチ回路が前記切替素子を非通電状態に維持するより以前に、前記トランジスタがオフすることを特徴とする。
【００２５】
前記ラッチ回路には供給回路から電源供給される。供給回路は、トランジスタを含み、ラッチ回路が切替素子を非通電状態に維持するより以前に、前記トランジスタがオフするように構成する。これによって、ラッチ回路により制御する切替素子の状態を確実にコントロールすることができる。
【００２６】
この場合、前記ラッチ回路のトランジスタにおける電圧より前記供給回路のトランジスタにおける電圧が大きくすることが好ましい。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態の一例を詳細に説明する。本実施の形態はカメラに内蔵されたストロボ装置に本発明を適用したものである。
【００２８】
図２及び図３に示すように、カメラ６０は、撮影レンズ６４を備えたボデー６２を有している。このボデー６２には、撮影指示のためのレリーズボタン６６、被写体を照明するためのストロボ発光部６８、周囲の明るさ等を検出するための測光部７１、被写体を参照するためのファインダ７４、及び撮影光量を調整するための絞り調節部７６を備えている。この絞り調節部７６の周囲には、ＬＥＤ４４が設けられている。また、測光部７１は、ストロボ光を検出するための検出部７０と、周囲の明るさを検出するための検出部７２を備えている。なお、ボデー６２には、ストロボ装置１０（図５）を含む各種電子回路が内蔵されている。
【００２９】
図４に概念構成を示すように、絞り調節部７６は、カメラ構造を簡略化するために、手動による絞り調整を可能とするための機構である。絞り調節部７６は、位置指標８０Ａを有する円形プレート８０を備えており、軸８２Ａを有するピニオンギヤ８２が取り付けられている。これらは、軸８２Ａの中心を軸として回転可能（図４の矢印Ｘ方向）にボデー６２へ取り付けられている。ピニオンギヤ８２の近傍にはプレート８４が設けられており、ピニオンギヤ８２にプレート８４のラック部８４Ａが噛み合わされている。このプレート８４は一方向（図４の矢印Ｙ方向）への移動が可能に構成されている。
【００３０】
プレート８４は突起部８４Ｂを備えており、その突起部８４Ｂは絞りプレート８６の長穴８６Ｂに挿入されている。絞りプレート８６は一方の端部付近に設けられた穿孔８６Ａによりボデー６２に軸支される。これにより、絞りプレート８６は穿孔８６Ａを中心として回転可能（図４の矢印Ｚ方向）にボデー６２へ取り付けられる。他方の端部付近には、複数（本実施の形態では４つ）の大きさが異なる穿孔８６Ｃ、８６Ｄ、８６Ｅ、８６Ｆが設けられている。これらの穿孔８６Ｃ〜８６Ｆは、穿孔８６Ａから被写体からの光線の光軸８８までを半径とする円周上に設けられている。
【００３１】
以上の構成により、円形プレート８０を回転すると、ピニオンギヤ８２が回転（図４の矢印Ｘ方向）し、噛み合わされたラック部８４Ａに作用してプレート８４が一方向（図４の矢印Ｙ方向）へ移動する。この移動により、突起部８４Ｂが絞りプレート８６の長穴８６Ｂを移動させ、絞りプレート８６が穿孔８６Ａを中心として回転（図４の矢印Ｚ方向）される。これにより、大きさが異なる穿孔８６Ｃ〜８６Ｆの何れかが、被写体からの光線の光軸８８上に移動される。
【００３２】
この絞り調節部７６により、適切な絞りを操作させるため、測光部７１の測光結果に対応する穿孔８６Ｃ〜８６Ｆの何れに調整可能なように、絞り調節部７６の周囲に設けられたＬＥＤ４４を点灯させることができる。そして、円形プレート８０の位置指標８０Ａを対応（円形プレート８０を回転）させることで適切な絞りの位置あわせが可能となる。
【００３３】
なお、図示は省略したが、本実施の形態のカメラ６０は、撮影レンズ６４を前後させることで、カメラ本体の電源が投入される機能を備えている。また、カメラ６０は、当該カメラで各種指示入力をするための入力装置や撮影結果等を表示するために表示装置を設けることが可能である。また、写真フィルムの装填及び離脱のための機構等の各種機構が設けられているが、汎用的かつ一般的な構成であるため、詳細な説明を省略する。写真フィルムとは、被写体を撮影後、現像処理されて、ネガ画像またはポジ画像が可視化されたフィルムをいう。
【００３４】
図５には、カメラに内蔵された電装系について、主にストロボ発光に関係する部分をまとめストロボ装置１０としてブロック図で示した。ストロボ装置１０は、カメラ６０の各種処理を行うためのＭＰＵ（中央処理装置）１２を備えており、ＢＣユニット１４、及びマイコン周辺ユニット１６に接続されている。ＢＣユニット１４はバッテリチェックのための電気回路部であり、マイコン周辺ユニット１６はＭＰＵ１２の動作に必要な電気回路部である。ＭＰＵ１２には、動作指示等のためのメインスイッチ１８，レリーズスイッチ２０，シンクロスイッチ２２，及び展開スイッチ２４、そして、測光後の絞り調整指示のためのＬＥＤ４４，動作表示のためのＬＥＤ４６が接続されている。
【００３５】
また、ＭＰＵ１２には、メインコンデンサ３８に接続された充電ユニット２６，写真フィルムを給送するための給送モータ４０に接続されたモータドライバ２８，発光管４２に接続されかつフォトトランジスタ３２を含んだ発光ユニット３０，Ｃｄｓ３６を含んだ測光ユニット３４，が接続されている。
【００３６】
図１には、ストロボ装置１０の詳細回路図を示した。ストロボ装置１０は、バッテリＶＴを備えており、プラス側が電源端子ＶＢに接続され、マイナス側がグランド端子ＧＮＤに接続される。電源端子ＶＢは、ヒューズＲ１１６を介して３つの端子に接続される、この各端子は電源ＶＢ１，ＶＢ２，ＶＢ３として機能する。グランド端子ＧＮＤは、主に信号の接地側として使用されるグランドＳＧＮＤ、主に電力の接地側として使用されるグランドＰＧＮＤに接続される。これらのグランドは、アイソレーションすることが好ましい。
【００３７】
モータドライバ２８は、写真フィルム給送のための給送モータ４０に接続されており、コンデンサＣ１１１を備えている。コンデンサＣ１１１は、一端が電源ＶＢ３に接続され、他端がグランドＳＧＮＤに接続されている。コンデンサＣ１１１の電源ＶＢ３側は、ＰＮＰ型のトランジスタＱ１１２のエミッタに接続されている。トランジスタＱ１１２のベースは、抵抗Ｒ１１１を介してトランジスタＱ１１２のエミッタに接続されかつ抵抗Ｒ１１２を介して電解効果型のトランジスタ（ＦＥＴ）Ｑ１１１のドレインに接続されている。トランジスタＱ１１１のソースはグランドＰＧＮＤに接続され、ゲートは抵抗Ｒ１１１を介してグランドＰＧＮＤに接続されている。
【００３８】
また、トランジスタＱ１１２のコレクタは、電解効果型のトランジスタＱ１１５のドレインに接続されている。トランジスタＱ１１５のゲートはトランジスタＱ１１２のドレインと抵抗Ｒ１１２の間に接続され、ソースはグランドＰＧＮＤに接続されている。また、トランジスタＱ１１２のコレクタは、コンデンサＣ１１４を介してグランドＰＧＮＤに接続されかつ、給送モータ４０を介してグランドＰＧＮＤに接続されている。
【００３９】
マイコン周辺ユニット１６は、レギュレータＩＣ１１２を備えている。レギュレータＩＣ１１２は、入力側電源端子に電源ＶＢ２が接続され、接地側端子にグランドＳＧＮＤが接続されている。また、レギュレータＩＣ１１２の出力側は、電源ＶＣとして機能する。電源ＶＣは、コンデンサＣ１１３を介してグランドＳＧＮＤに接続され、ダイオードＤ１１３と抵抗Ｒ１１８とコンデンサＣ１１２とを介してグランドＳＧＮＤに接続されている。この抵抗Ｒ１１８とコンデンサＣ１１２との間は抵抗Ｒ１１０を介してグランドＳＧＮＤに接続されている。また、電源ＶＣは、抵抗Ｒ１１７及びコンデンサＣ１１５を介してグランドＳＧＮＤに接続されている。
【００４０】
ＭＰＵ１２は、電源供給のための端子ＶＣＣに電源ＶＣが接続されている。また、接地のための端子ＶＳＳ，ＣＮＶＳＳはグランドＳＧＮＤに接続されている。端子ＸＩＮは、抵抗Ｒ１１７とコンデンサＣ１１５の間に接続され、端子ＲＥＳＥＴは、抵抗Ｒ１１８とコンデンサＣ１１２の間に接続されている。また、端子ＭＯＴＯＲは、トランジスタＱ１１１のゲートに接続されている。また、ＭＰＵ１２の端子ＧＩＥＤは、動作表示のためのＬＥＤ４６を構成する抵抗Ｒ１１３及び発光ダイオードＤ１１２を介して電源ＶＣに接続されている。
【００４１】
また、ＭＰＵ１２の端子ＢＣ＿ＡＤ，ＢＣ＿ＤＭＹは、ＢＣユニット１４に接続されている。ＢＣユニット１４は、ＰＮＰ型のトランジスタＱ１１４を備えており、トランジスタＱ１１４のエミッタは抵抗Ｒ１１９を介してベースに接続されかつ電源ＶＢ３に接続され、ベースは抵抗Ｒ１１１０を介してＭＰＵ１２の端子ＢＣ＿ＤＭＹに接続されている。トランジスタＱ１１４のコレクタは、抵抗Ｒ１１５，Ｒ１１４を介してグランドＰＧＮＤに接続されている。この抵抗Ｒ１１５，Ｒ１１４の間は、ＭＰＵ１２の端子ＢＣ＿ＡＤに接続されている。
【００４２】
また、ＭＰＵ１２の端子ＳＭは、メインスイッチ１８を介してグランドＳＧＮＤに接続されている。同様に、端子ＳＰはレリーズスイッチ２０を介して、端子ＳＳＹはシンクロスイッチ２２を介して、端子ＳＣＡＭは展開スイッチ２４を介してグランドＳＧＮＤに接続されている。
【００４３】
メインスイッチ１８の端子ＳＭ側は、測光ユニット３４に接続されている。測光ユニット３４は、Ｃｄｓ３６を備えており、Ｃｄｓ３６の一端がメインスイッチ１８の端子ＳＭ側に接続され、他端が抵抗Ｒ１４５と半固定抵抗Ｒ１４４を介して電源ＶＣが接続されている。このＣｄｓ３６の他端は、ＭＰＵ１２の端子ＩＮＤ＿ＡＤに接続されかつコンデンサＣ１４１を介してグランドＳＧＮＤに接続されている。
【００４４】
ＭＰＵ１２の端子ＩＮＤ＿ＩＥＤ１，ＩＮＤ＿ＩＥＤ２，ＩＮＤ＿ＩＥＤ３は、測光後の絞り調整指示のためのＬＥＤ４４に接続されている。ＬＥＤ４４は、発光ダイオードＤ１４１，Ｄ１４２，Ｄ１４３を備えており、ＭＰＵ１２の端子ＩＮＤ＿ＩＥＤ１が抵抗Ｒ１４１と発光ダイオードＤ１４１を介して電源ＶＣに接続されている。ＭＰＵ１２の端子ＩＮＤ＿ＩＥＤ２は、抵抗Ｒ１４２と発光ダイオードＤ１４２を介して電源ＶＢ３に接続され，ＩＮＤ＿ＩＥＤ３は、抵抗Ｒ１４３と発光ダイオードＤ１４３を介して電源ＶＢ３に接続されている。
【００４５】
また、ＭＰＵ１２の端子ＶＭＣ＿ＡＤ、ＥＣＴ、ＣＨＧ＿ＯＮは、充電ユニット２６に接続されている。充電ユニット２６は、トランスＴ１２１を備えており、トランスＴ１２１の１次側巻線の一端は電源ＶＢ１に接続され、他端は電解効果型のトランジスタＱ１２１のドレインに接続されている。トランジスタＱ１２１のソースはグランドＰＧＮＤに接続され、ゲートは抵抗Ｒ１２２を介してグランドＰＧＮＤに接続されている。また、トランスＴ１２１の２次側巻線の一端はダイオードＤ１２１を介してメインコンデンサ３８に接続され、他端はグランドＰＧＮＤに接続されている。
【００４６】
ダイオードＤ１２１のカソード側は、抵抗Ｒ１２３，半固定抵抗Ｒ１２４，抵抗Ｒ１２６を介してグランドＰＧＮＤに接続されている。半固定抵抗Ｒ１２４の分割端はＭＰＵ１２の端子ＶＭＣ＿ＡＤに接続されると共に、コンデンサＣ１２１を介してグランドＰＧＮＤに接続されている。ダイオードＤ１２１のアノード側（トランスＴ１２１の２次巻線の一端）は、トランジスタユニットＱ１２３に接続されている。トランジスタユニットＱ１２３は、ベース・エミッタ間が抵抗で接続されかつベースに抵抗が直列に接続されたＰＮＰトランジスタを含んで構成され、エミッタ側が電源ＶＣに、ベース側がＭＰＵ１２の端子ＣＨＧ＿ＯＮに接続されている。コレクタ側は、抵抗Ｒ１２５を介して、ＭＰＵ１２の端子ＥＣＴに接続されている。
【００４７】
ＭＰＵ１２の端子ＦＴ、ＡＳＴ＿ＯＮ、ＡＳＴ＿ＯＦＦは、発光ユニット３０に接続されている。発光ユニット３０は、発光管４２（ＰＵ１３１）に接続されたトランスＴ１３１を備えている。トランスＴ１３１の一次側巻線及び２次側巻線は、発光管４２を介して、ダイオードＤ１２１のカソード側に接続されている。このトランスＴ１３１の一次側巻線は、一端がダイオードＤ１２１のカソード側に接続された抵抗Ｒ１３５とコンデンサＣ１３２とが直列に接続されてグランドＳＧＮＤへ至る構成の、抵抗Ｒ１３５とコンデンサＣ１３２との間にも接続されている。トランスＴ１３１の共通側は、ＮＰＮ側のトランジスタＱ１３５（ＩＧＢＴ）のエミッタに接続されている。トランジスタＱ１３５のエミッタは、グランドＰＧＮＤに接続され、ベースは、抵抗Ｒ１３７を介してグランドＰＧＮＤに接続されている。
【００４８】
ダイオードＤ１２１のカソード側は、抵抗Ｒ１３１０，Ｒ１３４を介してグランドＰＧＮＤに接続されている。抵抗Ｒ１３１０，Ｒ１３４の間には、他端がグランドＰＧＮＤに接続されたコンデンサＣ１３１の一端が接続され、かつトランジスタユニットＱ１３１が接続されている。トランジスタユニットＱ１３１は、ベース・エミッタ間が抵抗ＲＡで接続されかつベースに抵抗ＲＢが直列に接続されたＰＮＰトランジスタを含んで構成され、エミッタ側が抵抗Ｒ１３１０，Ｒ１３４の間に接続され、ベース側がＭＰＵ１２の端子ＦＴに接続されている。トランジスタＱ１３１のコレクタ側は、ＰＮＰ型のトランジスタＱ１３２のエミッタに接続されかつ抵抗Ｒ１３２，Ｒ１３９を介してトランジスタＱ１３２のベースに接続されている。トランジスタＱ１３２のコレクタは抵抗Ｒ１３１を介してＮＰＮ型のトランジスタＱ１３３のベースに接続されている。このトランジスタＱ１３３のベースは、ＭＰＵ１２の端子ＡＳＴ＿ＯＦＦにも接続されている。
【００４９】
トランジスタＱ１３３のエミッタはグランドＳＧＮＤに接続され、コレクタは、抵抗Ｒ１３２，Ｒ１３９の間に接続されている。また、抵抗Ｒ１３２，Ｒ１３９の間は、電界果型のトランジスタＱ１３４のドレインに接続されかつ、抵抗Ｒ１３６を介してトランジスタＱ１３５のベースに接続されている。トランジスタＱ１３４のソースは、半固定抵抗Ｒ１３３を介してグランドＳＧＮＤに接続されている。
【００５０】
トランジスタＱ１３４のソースは、抵抗Ｒ１３１１を介してフォトトランジスタＱ１３６（フォトトランジスタ３２）のコレクタ側にも接続されている。フォトトランジスタＱ１３６のエミッタは、トランジスタＱ１３４のゲートに接続されると共に、抵抗Ｒ１３８及びコンデンサＣ１３４を介してグランドＳＧＮＤに接続されている。抵抗Ｒ１３８及びコンデンサＣ１３４の間は、抵抗Ｒ１３０及びコンデンサＣ１３５の各々を介してグランドＳＧＮＤに接続されている。
【００５１】
また、フォトトランジスタＱ１３６のコレクタはコンデンサＣ１３６を介してグランドＳＧＮＤに接続されると共に、トランジスタユニットＱ１３７に接続されている。トランジスタユニットＱ１３７は、ベース・エミッタ間が抵抗で接続されかつベースに抵抗が直列に接続されたＰＮＰトランジスタを含んで構成され、エミッタ側が電源ＶＣに接続され、ベース側がＭＰＵ１２の端子ＡＳＴ＿ＯＮに接続されている。トランジスタユニットＱ１３７のコレクタ側は、フォトトランジスタＱ１３６のコレクタに接続されている。
【００５２】
なお、トランジスタＱ１３５が本発明の切替素子に相当し、トランジスタＱ１３２とトランジスタＱ１３３を含む構成で本発明のラッチ回路を構成し、トランジスタユニットＱ１３１は、ラッチ回路に電源を供給する供給回路に相当し、トランジスタＱ１３４が本発明の判断回路に相当する。また、コンデンサＣ１３５，Ｃ１３４が本発明の積分回路を構成し、この積分回路には抵抗Ｒ１３０，Ｒ１３８を含ませることができる。これらの抵抗は、相反則不規の解消のために適宜抵抗値を選択して用いることができる。
【００５３】
次の本実施の形態の作用を説明する。ここでは、カメラ６０の動作の流れ、及びストロボ装置１０の発光に関係する流れに従って説明する。
【００５４】
〔カメラの動作〕
まず、ストロボ装置１０のバッテリＶＴが、電源端子ＶＢ（プラス側）、及びグランド端子ＧＮＤ（マイナス側）に接続されると、電源ＶＢ１，ＶＢ２，ＶＢ３が形成され、かつ接地側としてグランドＳＧＮＤ及びグランドＰＧＮＤが形成される。これにより、ＭＰＵ１２に電源供給され、ＭＰＵ１２の制御下で、ＢＣユニット１４、マイコン周辺ユニット１６、ＬＥＤ４４，ＬＥＤ４６、メインコンデンサ３８、充電ユニット２６、モータドライバ２８、発光ユニット３０、及び測光ユニット３４に作動可能なように電源供給がなされる。
【００５５】
カメラ６０の図示しないスイッチが投入されると、メインスイッチ１８がオンして、ＭＰＵ１２の端子ＳＭがローレベル（Ｌ）になり、ＭＰＵ１２では、図６に示す処理ルーチンが実行される。まず、ステップ１００では、バッテリチェック処理が実行される。このバッテリチェック処理は、バッテリＶＴの電源容量を検査する処理であり、端子ＢＣ＿ＤＭＹをローレベル（Ｌ）に設定したときの（抵抗Ｒ１１５と抵抗Ｒ１１４による）分圧を測定し、測定結果が所定値未満のとき表示や警報等のバッテリ残量不足の処理を実行して本ルーチンを終了する。所定値以上のときはバッテリ容量が十分であるので、次の処理へ移行する。
【００５６】
ステップ１０２では、ストロボ充電処理が実行される。ストロボ充電処理は、メイン・コンデンサＣ１３３を充電する処理であり、端子ＣＨＧ＿ＯＮをローレベル（Ｌ）にすることで、充電を開始させる。詳細には、端子ＣＨＧ＿ＯＮをローレベル（Ｌ）にして、トランジスタユニットＱ１２３をオンさせ、ＦＣＴからＬ／オープンのパルスを出力することで、トランジスタＱ１２１をパルス駆動させる。これにより、トランスＴ１２１が作動し、発光管４２を発光させる電力を貯留するメイン・コンデンサＣ１３３に、トランスＴ１２１及びダイオードＤ１２１を介して電流が供給され、メイン・コンデンサＣ１３３が充電される。また、端子ＶＭＣ＿ＡＤに入力される（抵抗Ｒ１２３，Ｒ１２４，Ｒ１２６による）分圧を測定しつつ、測定結果から端子ＩＮＤ＿ＬＥＤ１〜ＩＮＤ＿ＬＥＤ３をローレベル（Ｌ）にすることでＬＥＤ４４を点灯したり点滅したりして充電状態を表示させる。また、測定結果から充電電圧に至ると、充電を終了し（端子ＣＨＧ＿ＯＮをハイレベル（Ｈ）に設定）、次の処理へ移行する。
【００５７】
次のステップ１０４では、測光処理が実行される。測光処理は、撮影時の絞り調整を促すための光量測定処理であり、Ｃｄｓ３６からの信号が入力される端子ＩＮＤ＿ＡＤの電圧を測定しつつ、測定結果から端子ＩＮＤ＿ＬＥＤ１〜ＩＮＤ＿ＬＥＤ３をローレベル（Ｌ）にすることでＬＥＤ４４を点灯したり点滅したりして測光状態を表示させる。この後に次の処理へ移行する。
【００５８】
次のステップ１０６では、ストロボタイマ充電処理が実行される。ストロボタイマ充電処理は、前回の充電終了から所定時間（例えば１５秒）を経過したときに、上記ステップ１０２と同様の充電処理を実行する。次のステップ１０８では、端子ＳＰがローレベル（Ｌ）になったか否かを判別することにより、レリーズボタン６６が押圧されてレリーズスイッチ２０がオンすることによる、撮影指示がなされたか否かが判断される。このステップ１０８で否定されると、ステップ１０４へ戻り、上記処理を繰り返す。一方、ステップ１０８で肯定されると、ステップ１１０へ進み、上記ステップ１００と同様にバッテリチェック処理が実行される。
【００５９】
次のステップ１１２では、撮影処理が実行される。撮影処理は、被写体を撮影するときの図示しないカメラシャッタ等の機構的な制御を実施する処理であり、この処理が終了すると、次のステップ１１４において、フィルム展開処理が実行される。フィルム展開処理は、撮影済みの写真フィルムのコマを搬送し、次の未撮影のコマを撮影位置に搬送する処理である。フィルム展開処理では、端子ＭＯＴＯＲを一定時間ハイレベル（Ｈ）に設定することによりモータ４０を駆動させる。
【００６０】
次に、撮影時におけるストロボ装置の発光に関係する動作を詳細に説明する。
【００６１】
〔発光準備〕
まず、メイン・コンデンサＣ１３３の充電が完了すると、発光準備として、メイン・コンデンサＣ１３３に蓄えられた充電電圧は抵抗Ｒ１３１０と抵抗Ｒ１３４にて分圧され、コンデンサＣ１３１に蓄電される。このコンデンサＣ１３１に蓄電された電圧はトランジスタＱ１３５（ＩＧＢＴ）のゲート印加電圧に用いられる。
【００６２】
ＭＰＵ１２では、図７に示す処理ルーチンが所定時間毎に実行される。カメラ６０のレリーズボタン６６が押圧されると、レリーズスイッチ２０がオンして、ステップ１２０は肯定されてステップ１２２へ進み、否定されると、本ルーチンを終了する。
【００６３】
〔発光時〕
ステップ１２２では、端子ＡＳＴ＿ＯＦＦをローレベル（Ｌ）に設定する。これにより、トランジスタＱ１３２とＱ１３３から構成されるラッチ回路は、非動作となる。次のステップ１２４では、端子ＦＴをローレベル（Ｌ）に設定する。これにより、コンデンサＣ１３１に蓄えられていた電荷はトランジスタＱ１３１を通過し、トランジスタＱ１３２のエミッタそしてベースを通過して、抵抗Ｒ１３９、抵抗Ｒ１３６を順に経た後にトランジスタＱ１３５のゲートへと至る。これにより、発光指示によるときの第１電流経路が形成される。
【００６４】
このトランジスタＱ１３５は、ゲート側にある入力容量が満たされるとオンし、コンデンサＣ１３２、トランスＴ１３１、及びトランジスタＱ１３５のトリガ電流ループ、コンデンサＣ１３３、発光管４２（ＰＵ１３１）、トランスＴ１３１、及びトランジスタＱ１３５の発光電流ループのいずれもが形成され、発光管４２へ電流が供給されて発光に至る。
【００６５】
このとき、トランジスタＱ１３２は、トランジスタＱ１３５の入力容量が満たされるまでの間はベース電流が流れてオンし、これが満たされると電流が流れずにオフする。これにより、トランジスタＱ１３５のゲートには抵抗Ｒ１３２を通じて電位が印加される状態に切り替わる。すなわち、トランジスタＱ１３２のエミッタ、ベース、抵抗Ｒ１３９を介して抵抗Ｒ１３６へ至る第１電流経路から、抵抗Ｒ１３２を介して抵抗Ｒ１３６へ至る第２電流経路へ切り替わり、発光を維持すべく、トランジスタＱ１３５のゲートへ電位が印加される。
【００６６】
発光管４２の発光が開始されると、その発光量を調整する。その発光量を調整するための調光回路は、フォトトランジスタＱ１３６及び積分回路を含んで構成される。具体的には、抵抗Ｒ１３８，１３０とコンデンサＣ１３４，１３５により構成される積分回路、トランジスタユニットＱ１３７，フォトトランジスタＱ１３６、コンデンサＣ１３６から構成されている。この調光回路は、発光ノイズが大量に発生している発光直後を回避した後（例えば１５μｓｅｃ）に、作動させる。なお、トランジスタユニットＱ１３７と、フォトトランジスタＱ１３６は、調光回路のうち光量測定部分として機能する。
【００６７】
そこで、ステップ１２６で、所定時間（例えば１５μｓｅｃ）待機した後に、次のステップ１２８において、端子ＡＳＴ＿ＯＮをローレベル（Ｌ）に設定する。これにより、トランジスタユニットＱ１３７が作動して、フォトトランジスタＱ１３６が作動可能となり、光量測定部分に電源が供給され、さらに判断回路として機能するトランジスタＱ１３４にも電源が供給されることになる。この後に、ステップ１３０では、端子ＡＳＴ＿ＯＦＦをオープンする。これにより、ラッチ回路が機能される。
【００６８】
発光管４２の発光後に十分な光量が被写体に照射されると、トランジスタＱ１３４のゲート電位が上昇してオンする。これにより、トランジスタＱ１３２がオンして、トランジスタＱ１３３がオン（ラッチ回路がオン）することにより、トランジスタＱ１３５がオフに至り、発光は停止する。また、ラッチ回路はコンデンサＣ１３１の電荷をトランジスタＱ１３１がオフするまで、放出（ディスチャージ）し、これにより、再発光を防止する。
【００６９】
なお、トランジスタＱ１３４のゲート電位が上昇してオンするための基準値は、トランジスタＱ１３４のソースに直列接続された半固定抵抗Ｒ１３３の抵抗値で決定できる。このため、発光量の調整を、この抵抗Ｒ１３３により調整することができる。
【００７０】
また、積分回路を構成している抵抗Ｒ１３８は、適宜必要に応じて使用される。すなわち、相反則不軌を解消するための写真フィルムの感材に対応する抵抗値が選択されるものである。従って、相反則不軌を考慮しない場合は不要である。
【００７１】
ここで、トランジスタＱ１３１のベース・エミッタ間抵抗ＲＡ、ベース抵抗ＲＢはトランジスタＱ１３２，トランジスタＱ１３３のいずれもが確実にオンする電位を供給できるように、ラッチ回路に用いられるトランジスタ（Ｑ１３２，Ｑ１３３）の（ベース抵抗／ベース・エミッタ間抵抗＋１）×ベース・エミッタ間電圧より、トランジスタＱ１３１の（ベース抵抗／ベース・エミッタ間抵抗＋１）×ベース・エミッタ間電圧の方が大きくなる関係としている。
【００７２】
この場合の各抵抗値の一例としては、抵抗ＲＡ：１０ｋ、ＲＢ：４．７ｋ、Ｒ１３１：３．３ｋ、Ｒ１３２：１ｋ、Ｒ１３６：３３、Ｒ１３９：３３が設定できる。
【００７３】
〔発光終了〕
発光管４２の発光終了は、上記に示した被写体に十分な照射量を与え、調光回路にて、発光停止した場合のほか、メインコンデンサＣ１３３に蓄えられていた電荷が放出され、発光管４２（ＰＵ１３１）内に発光維持電流が流れなくなった場合に発生する。そこで、ステップ１３２では、端子ＦＴをローレベル（Ｌ）から一定時間（例えば７ｍｓｅｃ）待機した後に、次のステップ１３４で、端子ＦＴをオープンする。これにより、トランジスタＱ１３５（ＩＧＢＴ）をオフさせる。そして、発光量の調整を終了させるため（調光回路を非作動とするため）、ステップ１３６で、端子ＡＳＴ＿ＯＮをオープンに設定し、次のステップ１３８において、端子ＡＳＴ＿ＯＦＦをローレベル（Ｌ）に設定する。
【００７４】
このように、本実施の形態では、被写体に照射されたストロボ光の総和に比べて出力される積分信号が所定値（基準値）以上となることを判別する判断回路をＭＯＳ型ＦＥＴで構成しているので、判断回路にコンパレータを用いるのに比べて低コストでストロボ装置を形成することができる。また、ＭＯＳ型ＦＥＴを用いることで、通常のトランジスタを用いる場合に比べて積分値の影響を極力抑制することができる。さらに、ＭＯＳ型ＦＥＴのソースを半固定抵抗を介してグランドに接続しているので、ＭＯＳ型ＦＥＴにおける判断レベルをソース電位を調整することで可変可能に構成することができる。
【００７５】
また、本実施の形態では、発光管への供給電流を制御するトランジスタＱ１３５を作動させるための構成として、トランジスタＱ１３２（エミッタ・ベース間）と抵抗Ｒ１３９を経て抵抗Ｒ１３６を介する第１電流経路と、抵抗Ｒ１３２を経て抵抗Ｒ１３６を介する第２電流経路（抵抗Ｒ１３２のバイパス）を切り替わるように形成しているので、抵抗Ｒ１３２でトランジスタＱ１３２をプルアップすることができ、バイパスコンデンサや、プルアップ抵抗を設けることなく回路を構成することができ、部品削減が可能となる。
【００７６】
さらに、本実施の形態では、コンデンサＣ１３１の電位が降下するとラッチ回路よりトランジスタＱ１３１が速くオフするように、トランジスタＱ１３１のベース−エミッタ間の抵抗値、及びベース抵抗値を選択しているので、ダイオード等の電圧降下部品を非使用で安定動作を実現することができる。
【００７７】
なお、上記の実施の形態では、カメラに内蔵したストロボ装置に本発明を適用した場合を説明したが、本発明はカメラ内蔵型に限定されるものではなく、ストロボ装置単体にも容易に適用可能である。
【００７８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、判断回路は基準値が入力されかつ基準値と積分信号に基づきラッチ回路を制御するＭＯＳ型ＦＥＴで構成された判断回路を備えているので、コンパレータなどのＩＣを用いることなく、ＭＯＳ型ＦＥＴによる判断という単純な構成で実現することができる、という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかるストロボ装置の一例を示した回路図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかるストロボ装置を内蔵したカメラの一例を示した斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかるストロボ装置を内蔵したカメラの一例を示した上面図である。
【図４】カメラの絞り調節部の概念構成図である。
【図５】カメラに内蔵されたストロボ装置を含む電装系の構成を示したブロック図である。
【図６】カメラの動作の流れを示したフローチャートである。
【図７】カメラ動作によるストロボ発光に関係する処理の流れを示したフローチャートである。
【図８】従来のストロボ装置の発光部分周辺を模式的に示した回路図である。
【符号の説明】
１０ストロボ装置
１４ＢＣユニット
１６マイコン周辺ユニット
１８メインスイッチ
２０レリーズスイッチ
２６充電ユニット
２８モータドライバ
３０発光ユニット
３２フォトトランジスタ
３４測光ユニット
３６Ｃｄｓ
３８メインコンデンサ
４０給送モータ
４２発光管
６０カメラ
６６レリーズボタン
６８ストロボ発光部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a strobe device, and more particularly to a strobe device used at the time of photographing with a camera.
[0002]
[Prior art]
Many cameras that shoot a subject can be mounted day or night, so that a strobe device can be attached. Along with recent technological development, many electronic cameras and simple cameras equipped with a strobe device are commercially available. This strobe device has to irradiate light with a predetermined light emission amount in order to obtain a certain brightness when photographing a subject. For this reason, the power supply is efficiently used.
[0003]
FIG. 8 shows a circuit example around the light emitting portion of the strobe device. One end of the bulb Xe for strobe light emission is connected to the positive power supply side (Batt +) through a power supply unit having a diode D1, a resistor R19, and a transformer T2, and the other end is connected to a negative power supply side (through a transistor (IGBT) Q7 ( Batt-). The valve Xe is connected to the negative power supply side (Batt−) via the transformer T1 and the capacitor C10. On the one end side of the valve Xe, the positive side of capacitors C4 and C5 connected in parallel to the negative power source side (Batt-) is connected between the diode D1 and the resistor R19.
[0004]
In this circuit, by applying a pulse signal to the terminal FCT, the transistor Q11 of the power supply section is pulse-driven, the transformer T2 is activated, and the capacitors C4 and C5 that store the power for causing the bulb Xe to emit light are charged. When the charging is completed, the charging voltage stored in the capacitors C4 and C5 is stored in the capacitor C8 connected through the resistor R21. The voltage stored in the capacitor C8 is used as a voltage applied to the gate of the transistor Q7 (IGBT).
[0005]
For light emission, by setting the terminal FT to a high level, the transistor Q2 is turned on, and the transistor Q12 connected via the diode D2 is turned on. As a result, the charge stored in the capacitor C8 passes through the transistor Q12, passes through the capacitor C11 and the resistor R17 connected in parallel, and then the resistor R7, and then reaches the gate of the transistor Q7 (IGBT) and is on the gate side. When the input capacity is satisfied, it turns on and emits light.
[0006]
Here, the transistor Q2 is connected to the transistor Q1 via the diode D2 and the resistor R24. When the transistor Q2 is turned on, the transistor Q1 is turned on and power is supplied to the phototransistor PT1 for photometry. The The photometric side of the phototransistor PT1 is connected to the negative side of the comparator U1 via a resistor R25. The photometric side of the phototransistor PT1 is connected to the negative power supply side (Batt−) via a resistor RT1 and a capacitor CT1 constituting an integrating circuit.
[0007]
The plus side of the comparator U1 is connected to a setting circuit for setting a reference light amount of light (dimmed light amount) from the subject. This setting circuit is configured such that a resistor R14, a semi-fixed resistor VR1 and a resistor R15 are connected in series to a terminal VST and reach the negative power supply side (Batt−). The value is the standard. For this reason, the reference voltage is input to the plus side of the comparator U1 by setting the terminal VST to the high level.
[0008]
The integrating circuit (resistor RT1 and capacitor CT1) is activated by the light emitted from the bulb Xe and the amount of light from the subject, so that the negative potential of the comparator U1 gradually rises, and a sufficient amount of light, that is, the negative potential of the comparator U1. Becomes equal to or higher than the positive potential (reference light amount), the comparator U1 outputs a high level signal. As a result, the transistor Q9 connected to the output side of the comparator U1 via the resistor R13 is turned on, and the power on the positive power supply side (Batt +) is supplied to the gate side of the transistor Q13 through the transistor Q9. Q13 is turned on. As a result, the portion between the resistor R17 and the resistor R7 becomes the negative power supply side (Batt−), the power applied to the gate of the transistor Q7 (IGBT) is lost, and the transistor Q7 (IGBT) is turned off. Thereby, the light emission of the bulb Xe ends.
[0009]
Accordingly, the transistors Q2 and Q12 are activated by the signal at the terminal FT, and the charge of the capacitor C8 is supplied via the capacitor C11 and the resistors R17 and R7, whereby the transistor Q7 (IGBT) is activated and the valve Xe emits light. To do.
[0010]
When the light emission is started, the comparator U1 maintains a high level output until the amount of light from the subject reaches the reference amount of light, that is, until the light is divided by the resistor R14, the semi-fixed resistor VR1, and the resistor R15. Transistors Q9 and Q13 do not operate. When the input capacity in the integration circuit is satisfied, the amount of light from the subject reaches the reference amount of light, the comparator U1 outputs a low level signal, and the transistors Q9 and Q13 are activated. Thereby, the valve Xe is turned off. In this way, the turn-off time is determined using the comparator U1.
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
However, the downsizing and cost reduction of camera devices are screamed, and the strobe device, which is a peripheral device, is no exception. As described above, the determination circuit, that is, the comparator is used as a part of the function for turning on and off the valve Xe. However, the comparator is expensive, and the cost of the circuit is increased.
[0012]
An object of the present invention is to obtain a strobe device having a simple configuration and easy circuit operation in consideration of the above facts.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
  In order to achieve the above object, a strobe device according to a first aspect of the present invention includes an arc tube that emits light when supplied with an electric current, an integration circuit that integrates a signal representing the light emission state of the arc tube, and the light emission. A latch circuit for controlling the switching element for switching the current flowing through the tube to be kept in an energized state or a non-energized state; and a reference value is inputted and the latch circuit is controlled based on the reference value and the integral signal Judgment circuit composed of MOS FETThe strobe device includes a PNP transistor and an NPN transistor, the collector of the PNP transistor is connected to the base of the NPN transistor, and the base of the PNP transistor is connected to the NPN transistor. After connecting to the collector of the transistor and connecting the emitter and base of the PNP type transistor via a resistor to form a current path from the emitter of the PNP type transistor to the internal current passing through the base, The switching element is maintained in the energized state by shifting to the current path through the base, and the switching element is maintained in the non-energized state by turning on the MOS FET of the determination circuit. It is characterized bying.
[0014]
  In the strobe device, the subject is illuminated by light emitted from the arc tube. The integration circuit integrates a signal indicating the light emission state of the arc tube (for example, a signal obtained by measuring the light emission amount). In the arc tube, a current flowing through a switching element such as a transistor is switched, and this switching element is controlled by a latch circuit so as to be maintained in an energized state or a non-energized state. This latch circuit is controlled by a determination circuit composed of a MOS type FET. The determination circuit receives the reference value and controls the latch circuit based on the reference value and the integration signal. For example, the latch circuit is controlled so that the switching element shifts from the energized state to the non-energized state when the integral signal exceeds the reference value. Also, the integral signal is the referenceLess thanThe latch circuit is controlled so that the switching element maintains the energized state. As a result, it is possible to realize a simple configuration of determination by a MOS type FET without using an IC such as a comparator.
  By configuring the latch circuit from a PNP transistor and an NPN transistor, a latch circuit having a simpler configuration can be configured.
  The PNP transistor can form a current path based on the internal passing current from the emitter to the base due to its operation. This current path is canceled as the potential of the base increases, but by forming a current path from the emitter to the base via the resistor, the current path can be shifted to maintain the switching element in the energized state. It becomes possible.
[0015]
According to a second aspect of the present invention, in the strobe device according to the first aspect, the integration circuit and the MOS type FET are connected so that the integration signal is input to a gate of the MOS type FET. To do.
[0016]
That is, in the specific configuration of the determination circuit, the reference value can be compared by inputting the integration signal to the gate of the MOS FET. As a result, when the integral signal exceeds the reference value, the MOS type FET operates and the latch circuit can be controlled.
[0017]
According to a third aspect of the present invention, in the strobe device according to the first or second aspect, the determination circuit includes an adjustment unit that adjusts a source potential of the MOS FET in order to adjust the reference value. It is characterized by including.
[0018]
The integration signal corresponds to detection of the light emission amount. Therefore, the light emission amount can be adjusted by adjusting the reference value as a threshold value for determining the integral signal. For this reason, if the adjustment part which adjusts the source electric potential of MOS type FET is provided, a reference value can be adjusted and it becomes possible to adjust the light-emission amount by an arc tube.
[0019]
In the adjusting unit, a fixed resistor and a semi-fixed resistor are connected in series, and the source potential of the MOS FET can be adjusted by the series-connected voltage dividing resistor.
[0024]
  Claim4The invention described in claim1 toClaimAny one of 3The strobe device according to claim 1, further comprising a supply circuit that supplies power to the latch circuit, the supply circuit including a transistor, and before the latch circuit maintains the switching element in a non-energized state, the transistor It is turned off.
[0025]
The latch circuit is supplied with power from a supply circuit. The supply circuit includes a transistor, and is configured such that the transistor is turned off before the latch circuit maintains the switching element in a non-energized state. Thereby, the state of the switching element controlled by the latch circuit can be reliably controlled.
[0026]
In this case, it is preferable that the voltage of the transistor of the supply circuit is larger than the voltage of the transistor of the latch circuit.
[0027]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an example of an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In this embodiment, the present invention is applied to a strobe device built in a camera.
[0028]
As shown in FIGS. 2 and 3, the camera 60 includes a body 62 having a photographing lens 64. The body 62 includes a release button 66 for shooting instructions, a strobe light emitting unit 68 for illuminating the subject, a photometric unit 71 for detecting ambient brightness, a finder 74 for referring to the subject, and An aperture adjustment unit 76 for adjusting the amount of photographing light is provided. An LED 44 is provided around the aperture adjustment unit 76. The photometry unit 71 includes a detection unit 70 for detecting strobe light and a detection unit 72 for detecting ambient brightness. The body 62 incorporates various electronic circuits including the strobe device 10 (FIG. 5).
[0029]
As shown in the conceptual configuration in FIG. 4, the diaphragm adjustment unit 76 is a mechanism for enabling manual diaphragm adjustment in order to simplify the camera structure. The aperture adjustment unit 76 includes a circular plate 80 having a position index 80A, and a pinion gear 82 having a shaft 82A is attached. These are attached to the body 62 so as to be rotatable about the center of the shaft 82A (in the direction of arrow X in FIG. 4). A plate 84 is provided in the vicinity of the pinion gear 82, and the rack portion 84 </ b> A of the plate 84 is meshed with the pinion gear 82. The plate 84 is configured to be movable in one direction (the arrow Y direction in FIG. 4).
[0030]
The plate 84 includes a protruding portion 84B, and the protruding portion 84B is inserted into the elongated hole 86B of the aperture plate 86. The aperture plate 86 is pivotally supported on the body 62 by a perforation 86A provided near one end. Thereby, the aperture plate 86 is attached to the body 62 so as to be rotatable about the perforation 86A (in the direction of arrow Z in FIG. 4). Near the other end, a plurality of (four in this embodiment) perforations 86C, 86D, 86E, and 86F having different sizes are provided. These perforations 86C to 86F are provided on a circumference having a radius from the perforation 86A to the optical axis 88 of the light beam from the subject.
[0031]
  With the above configuration, when the circular plate 80 is rotated, the pinion gear 82 rotates (in the direction of arrow X in FIG. 4) and acts on the meshed rack portion 84A so that the plate 84 is in one direction (in the direction of arrow Y in FIG. 4).Move toMove. By this movement, the protrusion 84B moves the elongated hole 86B of the aperture plate 86, and the aperture plate 86 is rotated about the hole 86A (in the direction of arrow Z in FIG. 4). Thereby, any of the perforations 86C to 86F having different sizes is moved on the optical axis 88 of the light beam from the subject.
[0032]
In order to operate an appropriate aperture by the aperture adjusting unit 76, the LED 44 provided around the aperture adjusting unit 76 is turned on so that the apertures 86C to 86F corresponding to the photometric result of the photometric unit 71 can be adjusted. Can be made. By matching the position index 80A of the circular plate 80 (rotating the circular plate 80), it is possible to appropriately adjust the position of the diaphragm.
[0033]
Although not shown, the camera 60 according to the present embodiment has a function of turning on the power of the camera body by moving the photographing lens 64 back and forth. Further, the camera 60 can be provided with an input device for inputting various instructions with the camera, and a display device for displaying the photographing result and the like. Various mechanisms such as a mechanism for loading and unloading a photographic film are provided, but since it is a general-purpose and general configuration, detailed description thereof is omitted. A photographic film is a film in which a negative image or a positive image is visualized after being photographed and developed.
[0034]
FIG. 5 is a block diagram showing a part of the electronic system built in the camera, which is mainly related to strobe light emission, as a strobe device 10. The strobe device 10 includes an MPU (Central Processing Unit) 12 for performing various processes of the camera 60, and is connected to a BC unit 14 and a microcomputer peripheral unit 16. The BC unit 14 is an electric circuit unit for battery check, and the microcomputer peripheral unit 16 is an electric circuit unit necessary for the operation of the MPU 12. Connected to the MPU 12 are a main switch 18 for operating instructions and the like, a release switch 20, a sync switch 22 and a deployment switch 24, an LED 44 for instructing aperture adjustment after metering, and an LED 46 for displaying operations. Yes.
[0035]
The MPU 12 includes a charging unit 26 connected to the main capacitor 38, a motor driver 28 connected to a feeding motor 40 for feeding photographic film, a light emitting tube 42, and a phototransistor 32. A light emitting unit 30 and a photometric unit 34 including Cds 36 are connected.
[0036]
FIG. 1 shows a detailed circuit diagram of the strobe device 10. The strobe device 10 includes a battery VT, the positive side is connected to the power supply terminal VB, and the negative side is connected to the ground terminal GND. The power supply terminal VB is connected to three terminals via the fuse R116, and these terminals function as power supplies VB1, VB2, and VB3. The ground terminal GND is connected to a ground SGND that is mainly used as a signal ground side and a ground PGND that is mainly used as a power ground side. These grounds are preferably isolated.
[0037]
The motor driver 28 is connected to a feeding motor 40 for feeding a photographic film, and includes a capacitor C111. The capacitor C111 has one end connected to the power supply VB3 and the other end connected to the ground SGND. The power supply VB3 side of the capacitor C111 is connected to the emitter of a PNP transistor Q112. The base of the transistor Q112 is connected to the emitter of the transistor Q112 via a resistor R111 and to the drain of a field effect transistor (FET) Q111 via a resistor R112. The source of the transistor Q111 is connected to the ground PGND, and the gate is connected to the ground PGND via the resistor R111.
[0038]
The collector of the transistor Q112 is connected to the drain of the field effect transistor Q115. The gate of the transistor Q115 is connected between the drain of the transistor Q112 and the resistor R112, and the source is connected to the ground PGND. The collector of the transistor Q112 is connected to the ground PGND via the capacitor C114 and is connected to the ground PGND via the feeding motor 40.
[0039]
  The microcomputer peripheral unit 16 includes a regulator IC 112. In the regulator IC 112, the power supply VB2 is connected to the input side power supply terminal, and the ground SGND is connected to the ground side terminal.ButIt is connected. The output side of the regulator IC 112 functions as a power supply VC. The power supply VC is connected to the ground SGND via the capacitor C113, and is connected to the ground SGND via the diode D113, the resistor R118, and the capacitor C112. The resistor R118 and the capacitor C112 are connected to the ground SGND via the resistor R110. The power source VC is connected to the ground SGND via a resistor R117 and a capacitor C115.
[0040]
In the MPU 12, a power source VC is connected to a terminal VCC for power supply. The terminals VSS and CNVSS for grounding are connected to the ground SGND. The terminal XIN is connected between the resistor R117 and the capacitor C115, and the terminal RESET is connected between the resistor R118 and the capacitor C112. The terminal MOTOR is connected to the gate of the transistor Q111. Further, the terminal GIED of the MPU 12 is connected to the power source VC via the resistor R113 and the light emitting diode D112 that constitute the LED 46 for operation display.
[0041]
Further, terminals BC_AD and BC_DMY of the MPU 12 are connected to the BC unit 14. The BC unit 14 includes a PNP transistor Q114. The emitter of the transistor Q114 is connected to the base via the resistor R119 and connected to the power supply VB3, and the base is connected to the terminal BC_DMY of the MPU 12 via the resistor R1110. ing. The collector of the transistor Q114 is connected to the ground PGND via resistors R115 and R114. The resistor R115, R114 is connected to the terminal BC_AD of the MPU 12.
[0042]
The terminal SM of the MPU 12 is connected to the ground SGND via the main switch 18. Similarly, the terminal SP is connected to the ground SGND via the release switch 20, the terminal SSY is connected to the sync switch 22, and the terminal SCAM is connected to the ground SGND via the expansion switch 24.
[0043]
The terminal SM side of the main switch 18 is connected to the photometry unit 34. The photometry unit 34 includes a Cds 36, one end of the Cds 36 is connected to the terminal SM side of the main switch 18, and the other end is connected to a power source VC via a resistor R145 and a semi-fixed resistor R144. The other end of the Cds 36 is connected to the terminal IND_AD of the MPU 12 and is connected to the ground SGND via the capacitor C141.
[0044]
The terminals IND_IED1, IND_IED2, and IND_IED3 of the MPU 12 are connected to an LED 44 for an aperture adjustment instruction after photometry. The LED 44 includes light emitting diodes D141, D142, and D143, and the terminal IND_IED1 of the MPU 12 is connected to the power source VC via the resistor R141 and the light emitting diode D141. The terminal IND_IED2 of the MPU 12 is connected to the power source VB3 via the resistor R142 and the light emitting diode D142, and IND_IED3 is connected to the power source VB3 via the resistor R143 and the light emitting diode D143.
[0045]
Further, the terminals VMC_AD, ECT, and CHG_ON of the MPU 12 are connected to the charging unit 26. The charging unit 26 includes a transformer T121. One end of the primary side winding of the transformer T121 is connected to the power supply VB1, and the other end is connected to the drain of the field effect transistor Q121. The source of the transistor Q121 is connected to the ground PGND, and the gate is connected to the ground PGND via the resistor R122. One end of the secondary winding of the transformer T121 is connected to the main capacitor 38 via the diode D121, and the other end is connected to the ground PGND.
[0046]
The cathode side of the diode D121 is connected to the ground PGND via a resistor R123, a semi-fixed resistor R124, and a resistor R126. The divided end of the semi-fixed resistor R124 is connected to the terminal VMC_AD of the MPU 12, and is connected to the ground PGND via the capacitor C121. The anode side of diode D121 (one end of the secondary winding of transformer T121) is connected to transistor unit Q123. The transistor unit Q123 is configured to include a PNP transistor in which a base and an emitter are connected by a resistor and a resistor is connected in series to the base. The emitter side is connected to the power source VC and the base side is connected to the terminal CHG_ON of the MPU 12. The collector side is connected to the terminal ECT of the MPU 12 via the resistor R125.
[0047]
  Terminals FT, AST_ON, and AST_OFF of the MPU 12 are connected to the light emitting unit 30. The light emitting unit 30 includes a transformer T131 connected to the arc tube 42 (PU131). The primary winding and the secondary winding of the transformer T131 are connected to the cathode side of the diode D121 via the arc tube 42. The primary side winding of the transformer T131 is also connected between the resistor R135 and the capacitor C132, in which one end of the resistor R135 connected to the cathode side of the diode D121 and the capacitor C132 are connected in series to reach the ground SGND. It is connected. The common side of the transformer T131 is connected to the emitter of the NPN-side transistor Q135 (IGBT). Transistor Q135 emittersIs connected to the ground PGND, and the base is connected to the ground PGND via a resistor R137.
[0048]
The cathode side of the diode D121 is connected to the ground PGND via resistors R1310 and R134. Between the resistors R1310 and R134, one end of a capacitor C131 whose other end is connected to the ground PGND is connected, and a transistor unit Q131 is connected. The transistor unit Q131 includes a PNP transistor in which a base and an emitter are connected by a resistor RA and a resistor RB is connected in series to the base, an emitter side is connected between the resistors R1310 and R134, and a base side is the MPU12. Connected to terminal FT. The collector side of the transistor Q131 is connected to the emitter of a PNP transistor Q132, and is connected to the base of the transistor Q132 via resistors R132 and R139. The collector of the transistor Q132 is connected to the base of an NPN transistor Q133 via a resistor R131. The base of the transistor Q133 is also connected to the terminal AST_OFF of the MPU 12.
[0049]
  Transistor Q133EmitterIs connected to the ground SGND,collectorIs connected between the resistors R132 and R139. Also, between the resistors R132 and R139, the electricWorldIt is connected to the drain of the fruit type transistor Q134 and is connected to the base of the transistor Q135 via the resistor R136. The source of the transistor Q134 is connected to the ground SGND via a semi-fixed resistor R133.
[0050]
  The source of the transistor Q134 is connected to the phototransistor Q136 (phototransistor 32) via the resistor R1311.collectorIt is also connected to the side. Phototransistor Q136EmitterIs the transistor Q134GateAnd to the ground SGND via the resistor R138 and the capacitor C134. The resistor R138 and the capacitor C134 are connected to the ground SGND via the resistor R130 and the capacitor C135.
[0051]
  Also, the phototransistor Q136collectorAre connected to the ground SGND via the capacitor C136 and to the transistor unit Q137. The transistor unit Q137 is configured to include a PNP transistor in which the base and the emitter are connected by a resistor and the resistor is connected in series to the base, the emitter side is connected to the power source VC, and the base side is connected to the terminal AST_ON of the MPU 12. Yes. The collector side of the transistor unit Q137 is connected to the phototransistor Q136.collectorIt is connected to the.
[0052]
The transistor Q135 corresponds to the switching element of the present invention, and the latch circuit of the present invention is configured with the configuration including the transistors Q132 and Q133. The transistor unit Q131 corresponds to a supply circuit that supplies power to the latch circuit. The transistor Q134 corresponds to the determination circuit of the present invention. Capacitors C135 and C134 constitute an integrating circuit of the present invention, and this integrating circuit can include resistors R130 and R138. These resistors can be used by appropriately selecting resistance values in order to eliminate the reciprocity irregularity.
[0053]
Next, the operation of the present embodiment will be described. Here, a description will be given according to a flow of operation of the camera 60 and a flow related to light emission of the strobe device 10.
[0054]
[Camera operation]
First, when the battery VT of the strobe device 10 is connected to the power supply terminal VB (plus side) and the ground terminal GND (minus side), the power supplies VB1, VB2, and VB3 are formed, and the ground SGND and the ground are used as the ground side. PGND is formed. As a result, power is supplied to the MPU 12, and the BC unit 14, the microcomputer peripheral unit 16, the LED 44, the LED 46, the main capacitor 38, the charging unit 26, the motor driver 28, the light emitting unit 30, and the photometric unit 34 are operated under the control of the MPU 12. Power is supplied as possible.
[0055]
  When a switch (not shown) of the camera 60 is turned on, the main switch 18 is turned on and the terminal SM of the MPU 12 becomes low level (L), and the MPU 12 executes the processing routine shown in FIG. First, in step 100, a battery check process is executed. This battery check process is a process for inspecting the power supply capacity of the battery VT, and the resistor BC115And the resistance R114), and when the measurement result is less than a predetermined value, a process for insufficient battery remaining such as display or alarm is executed, and this routine is terminated. When it is equal to or greater than the predetermined value, the battery capacity is sufficient, and the process proceeds to the next process.
[0056]
In step 102, a strobe charging process is executed. The strobe charging process is a process of charging the main capacitor C133, and charging is started by setting the terminal CHG_ON to a low level (L). More specifically, the terminal CHG_ON is set to a low level (L), the transistor unit Q123 is turned on, and an L / open pulse is output from the FCT, thereby driving the transistor Q121 in pulses. As a result, the transformer T121 is activated, and a current is supplied to the main capacitor C133 that stores power for causing the arc tube 42 to emit light via the transformer T121 and the diode D121, and the main capacitor C133 is charged. Further, the LED 44 is turned on or blinked by measuring the partial pressure (by the resistors R123, R124, R126) input to the terminal VMC_AD and setting the terminals IND_LED1 to IND_LED3 to the low level (L) from the measurement result. To display the charge status. When the charging voltage is reached from the measurement result, the charging is terminated (the terminal CHG_ON is set to the high level (H)), and the process proceeds to the next process.
[0057]
In the next step 104, photometry processing is executed. The photometry process is a light quantity measurement process for prompting aperture adjustment at the time of photographing. While measuring the voltage of the terminal IND_AD to which a signal from the Cds 36 is input, the terminals IND_LED1 to IND_LED3 are set to a low level (L) from the measurement result. As a result, the LED 44 is turned on or blinked to display the photometric state. After this, the process proceeds to the next process.
[0058]
In the next step 106, a strobe timer charging process is executed. The strobe timer charging process executes the same charging process as in step 102 when a predetermined time (for example, 15 seconds) has elapsed since the end of the previous charging. In the next step 108, it is determined whether or not a shooting instruction is given by pressing the release button 66 and turning on the release switch 20 by determining whether or not the terminal SP is at a low level (L). Is done. If the result in step 108 is negative, the process returns to step 104 and the above processing is repeated. On the other hand, if the result in step 108 is affirmative, the process proceeds to step 110, and the battery check process is executed as in step 100.
[0059]
In the next step 112, photographing processing is executed. The photographing process is a process for performing mechanical control such as a camera shutter (not shown) when photographing a subject. When this process ends, a film unfolding process is executed in the next step 114. The film unfolding process is a process of conveying a photographed photographic film frame and conveying the next unphotographed frame to the photographing position. In the film development process, the motor 40 is driven by setting the terminal MOTOR to a high level (H) for a predetermined time.
[0060]
Next, operations related to light emission of the strobe device at the time of photographing will be described in detail.
[0061]
[Preparation for light emission]
First, when the charging of the main capacitor C133 is completed, the charging voltage stored in the main capacitor C133 is divided by the resistor R1310 and the resistor R134 and stored in the capacitor C131 as preparation for light emission. The voltage stored in the capacitor C131 is used as the gate applied voltage of the transistor Q135 (IGBT).
[0062]
In the MPU 12, the processing routine shown in FIG. 7 is executed every predetermined time. When the release button 66 of the camera 60 is pressed, the release switch 20 is turned on, and step 120 is affirmed and the process proceeds to step 122, and when the result is negative, this routine is terminated.
[0063]
[When flashing]
In step 122, the terminal AST_OFF is set to a low level (L). As a result, the latch circuit composed of the transistors Q132 and Q133 is inoperative. In the next step 124, the terminal FT is set to a low level (L). As a result, the charge stored in the capacitor C131 passes through the transistor Q131, passes through the emitter and base of the transistor Q132, passes through the resistor R139 and the resistor R136 in this order, and then reaches the gate of the transistor Q135. As a result, a first current path when a light emission instruction is issued is formed.
[0064]
The transistor Q135 is turned on when the input capacitance on the gate side is satisfied, and the capacitor C132, the transformer T131, the trigger current loop of the transistor Q135, the capacitor C133, the arc tube 42 (PU131), the light emission of the transformer T131, and the transistor Q135. All of the current loops are formed, and current is supplied to the arc tube 42 to cause light emission.
[0065]
At this time, the transistor Q132 is turned on with the base current flowing until the input capacitance of the transistor Q135 is satisfied, and is turned off without flowing the current when this is satisfied. As a result, the gate of the transistor Q135 is switched to a state in which a potential is applied through the resistor R132. That is, the first current path reaching the resistor R136 via the emitter, base and resistor R139 of the transistor Q132 is switched to the second current path reaching the resistor R136 via the resistor R132, and the gate of the transistor Q135 is maintained in order to maintain light emission. A potential is applied.
[0066]
When light emission of the arc tube 42 is started, the light emission amount is adjusted. The dimming circuit for adjusting the light emission amount includes a phototransistor Q136 and an integration circuit. Specifically, it is composed of an integration circuit composed of resistors R138 and 130 and capacitors C134 and 135, a transistor unit Q137, a phototransistor Q136, and a capacitor C136. This dimming circuit is operated after avoiding immediately after light emission in which a large amount of light emission noise is generated (for example, 15 μsec). Note that the transistor unit Q137 and the phototransistor Q136 function as a light amount measurement portion in the dimming circuit.
[0067]
Therefore, after waiting for a predetermined time (for example, 15 μsec) in step 126, the terminal AST_ON is set to a low level (L) in the next step 128. As a result, the transistor unit Q137 is activated, the phototransistor Q136 is operable, power is supplied to the light quantity measurement portion, and power is also supplied to the transistor Q134 functioning as a determination circuit. Thereafter, in step 130, the terminal AST_OFF is opened. As a result, the latch circuit functions.
[0068]
When a sufficient amount of light is irradiated to the subject after the light emission from the arc tube 42, the gate potential of the transistor Q134 rises and turns on. Accordingly, the transistor Q132 is turned on and the transistor Q133 is turned on (the latch circuit is turned on), whereby the transistor Q135 is turned off and light emission is stopped. The latch circuit discharges (discharges) the charge of the capacitor C131 until the transistor Q131 is turned off, thereby preventing re-emission.
[0069]
  The reference value for turning on the gate potential of the transistor Q134 is set to the source of the transistor Q134.seriesIt can be determined by the resistance value of the connected semi-fixed resistor R133. For this reason, the amount of light emission can be adjusted by this resistor R133.
[0070]
Also, the resistor R138 constituting the integrating circuit is used as necessary. That is, the resistance value corresponding to the photosensitive material of the photographic film for eliminating the reciprocity failure is selected. Therefore, it is unnecessary when reciprocity failure is not considered.
[0071]
Here, the base-emitter resistance RA and the base resistance RB of the transistor Q131 are such that the transistor (Q132, Q133) used in the latch circuit (Q132, Q133) can be supplied with a potential for reliably turning on both the transistor Q132 and the transistor Q133. The relationship of (base resistance / base-emitter resistance + 1) × base-emitter voltage of the transistor Q131 is larger than the base resistance / base-emitter resistance + 1) × base-emitter voltage.
[0072]
As an example of each resistance value in this case, resistors RA: 10k, RB: 4.7k, R131: 3.3k, R132: 1k, R136: 33, R139: 33 can be set.
[0073]
  [End of flash]
  When the light emission of the arc tube 42 is completed, a sufficient amount of irradiation is given to the above-described subject, and the light stored in the main capacitor C133 is released in addition to the case where the light emission is stopped by the dimming circuit. This occurs when the light emission sustaining current stops flowing in (PU131). Therefore, in step 132, after waiting for a certain time (for example, 7 msec) from the low level (L), the terminal FT is opened in the next step 134. This turns off the transistor Q135 (IGBT).SoThen, in order to finish the adjustment of the light emission amount (in order to deactivate the dimming circuit), in step 136, the terminal AST_ON is set to open, and in the next step 138, the terminal AST_OFF is set to the low level (L). Set.
[0074]
  As described above, in this embodiment, the determination circuit for determining that the integrated signal output compared to the total sum of the strobe lights irradiated on the subject is equal to or greater than a predetermined value (reference value) is configured by a MOS FET. Therefore, a strobe device can be formed at a lower cost than using a comparator for the determination circuit. Also, by using a MOS FET, a normal transistor is used.CaseIntegral value compared toofThe influence can be suppressed as much as possible. Furthermore, since the source of the MOS type FET is connected to the ground via a semi-fixed resistor, the judgment level in the MOS type FET can be made variable by adjusting the source potential.
[0075]
Further, in the present embodiment, as a configuration for operating the transistor Q135 for controlling the supply current to the arc tube, a first current path through the transistor R132 via the transistor Q132 (emitter-base) and the resistor R139, Since the second current path via the resistor R136 (the bypass of the resistor R132) is switched via the resistor R132, the transistor Q132 can be pulled up by the resistor R132, and a bypass capacitor and a pullup resistor are provided. The circuit can be configured without any problem, and the number of parts can be reduced.
[0076]
Further, in this embodiment, the resistance value between the base and the emitter of the transistor Q131 and the base resistance value are selected so that the transistor Q131 is turned off faster than the latch circuit when the potential of the capacitor C131 drops. Stable operation can be realized without using voltage drop components such as.
[0077]
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a strobe device built in a camera has been described. However, the present invention is not limited to a camera built-in type, and can be easily applied to a strobe device alone. It is.
[0078]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the determination circuit includes a determination circuit that is configured by a MOS FET that receives a reference value and controls the latch circuit based on the reference value and the integration signal. There is an effect that it can be realized with a simple configuration of determination by a MOS FET without using an IC.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a strobe device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing an example of a camera incorporating a strobe device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a top view showing an example of a camera with a built-in strobe device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a conceptual configuration diagram of a diaphragm adjustment unit of a camera.
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of an electrical system including a strobe device built in the camera.
FIG. 6 is a flowchart showing a flow of operation of the camera.
FIG. 7 is a flowchart showing a flow of processing related to strobe light emission by a camera operation.
FIG. 8 is a circuit diagram schematically showing the periphery of a light emitting portion of a conventional strobe device.
[Explanation of symbols]
10 Strobe device
14 BC unit
16 Microcomputer peripheral unit
18 Main switch
20 Release switch
26 Charging unit
28 Motor driver
30 Light emitting unit
32 phototransistor
34 Metering unit
36 Cds
38 Main capacitor
40 Feed motor
42 arc tube
60 cameras
66 Release button
68 Flash unit

Claims

An arc tube that emits light when supplied with an electric current;
An integrating circuit for integrating a signal representing the light emission state of the arc tube;
A latch circuit for controlling the switching element for switching the current flowing through the arc tube to maintain an energized state or a non-energized state;
A determination circuit configured by a MOS FET that receives a reference value and controls the latch circuit based on the reference value and the integration signal;
A flash device provided with,
The latch circuit includes a PNP transistor and an NPN transistor, the collector of the PNP transistor is connected to the base of the NPN transistor, the base of the PNP transistor is connected to the collector of the NPN transistor, In addition, the emitter and base of the PNP transistor are connected via a resistor, and a current path is formed from the emitter of the PNP transistor through an internal current passing through the base, and then the emitter reaches the base via the resistor. A strobe that maintains the switching element in an energized state by shifting to a current path, and maintains the switching element in a non-energized state by turning on the MOS FET of the determination circuit. apparatus.

2. The strobe device according to claim 1, wherein the integration circuit and the MOS FET are connected so that the integration signal is input to a gate of the MOS FET.

3. The strobe device according to claim 1, wherein the determination circuit includes an adjustment unit that adjusts a source potential of the MOS FET in order to adjust the reference value. 4.

The power supply circuit further includes a supply circuit that supplies power to the latch circuit, the supply circuit including a transistor, wherein the transistor is turned off before the latch circuit maintains the switching element in a non-energized state. The strobe device according to any one of claims 1 to 3.