JP4242814B2 - 光学素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
光学システム構造100a中の光学システムは、固定ベース107a上に固定されたLED発光源106aを含み、LED発光源106aは固定された入射光の角度を有し、折り曲げられたピン(LED発光源106aのピン)は、プリント配線基板(PCB)118a上に固定される。
さらに重要な素子は、集積回路チップ124a上に設けられたセンサ128aであり、物体表面から反射された光線はレンズ120aを通り、物体表面の画像をセンサ128a上に表示する。光線誘導素子122aは、周囲を遮蔽して迷光を遮蔽するとともに、レンズ120aを固定する。
そして、図2に示すように、この照射システムにあっては、発光源44bがLEDであり、発光源44bを固定ベース46b上に固設している。 また、レンズセット30bは発光源44bとセンサ160bとの間に適当な光伝導ルートを形成し、発光源44bにとってこのレンズセット30bは、発光源44bから発射される光線を反射方式により所定角度で物体表面へ照射するように作用する。
また、組立工程においてセンサ160bに粉塵粒子が付着しないよう、その表面には一層の透明シリコンゴム190bが設けられる。物体表面の画像がセンサ160bの表面に結像されるように、レンズセット30b上にはレンズ32bが設けられる。プリント配線基板100bは発光源44bを固定すると同時に、導電フレーム170bによりセンサ160bを固定する。
また、各素子の間には異なる誤差があるため、特に発光源106a、44bを高精度に組立てなければ好適な結像品質を得ることはできなかった。しかし、完成品に存在する公差の組合わせにより、精確な結像品質を得ることは困難であった。
更に、公知の第2の光学システムのように、下カバー180bの組合せ工程においては、容易に粉塵粒子が透明シリコンゴム190bに付着するため、最も軽微で結像品質に影響を与え、最悪の場合には不良品を発生させて、生産コストが増大した。
本発明の第2の目的は、レンズの組合わせを減らして光の損失を低下させ、光効率を向上させる光学素子及びその製造方法を提供することにある。
本発明の第3の目的は、簡易な封止工程により、光学モジュールの機能を達成する光学素子及びその製造方法を提供することにある。
本発明の第4の目的は、簡易な封止工程により、粉塵粒子が付着することを防ぎ、製品収率を向上させて生産コストを低下させる光学素子構造及びその製造方法を提供することにある。
(1)発光素子およびセンサ素子を導電フレーム上に一体成形した後、封止技術を利用して光学モジュールに形成することにより組立工程が省略され、公差が組合わさることを防止して結像品質を向上することができる。
(2)導電フレームを折り曲げて発光素子を所定角度にすることにより、レンズの組合わせが光パイプとなって光が損失されることを防ぎ、光効率を向上させる。
(3)封止技術を利用して光学モジュールにすることにより、別に組立ててカバーするときに粉塵粒子が付着されることを防ぎ、産品収率を向上させて、生産コストを下げる。
(4)生産コストを下げ、製造技術を簡便にし、封止技術を使用することにより、本発明の光学素子のサイズを縮小し、応用できる層面を大幅に拡大する。
それらの図によると、光学素子構造は、導電フレーム125と、導電フレーム125に設けられたセンサ素子133と、センサ素子133を覆う絞り素子140と、導電フレーム125に設けられた発光素子136と、導電フレーム125上に一体成形された発光素子136および絞り素子140を封止する第一、第二の保護素子155とを備える。
前記保護素子155は透明であり、開口142に対応する位置に形成された凸弧部156と一体に成形されて、センサ素子133を保護している。
また、発光素子136に対応する位置に形成された円突部157は保護素子155であり、前記センサ素子133の保護素子155と同時に成形され、発光素子136を保護している。
ワイヤボンディングによりセンサ素子133を導電フレーム125に接続する。このセンサ素子133は相補型MOS(CMOS:Complementary Metal-Oxide Semiconductor)、フォトダイオード(PD:Photo Diode)、電荷結合素子(CCD:Charge Coupled Device)またはフォトマルチプライヤ(PM:Photo Multiplier)などのチップである。
同様に、発光素子136を導電フレーム125上に設ける。この発光素子136は発光ダイオードまたはレーザダイオードのチップで、その発光波長は400〜1000nmであり、ワイヤボンディングにより電気的接続がなされる。
図5に基づいて説明すると、先ずセンサ素子133を導電フレーム125上へ固定してから、ワイヤボンディングによりセンサ素子133を導電フレーム125に接続し、絞り素子140を導電フレーム125上に固定する。これは全体で一つの素子として見ることができ、後述する保護素子により全体が封止される。なお、絞り素子140は金属または耐高温プラスチック材料により製造される。
特に注意が必要な従来技術と異なる点は、この実施例の保護素子155を導電フレーム125に一体成形する方式により、センサ素子133および発光素子136を保護するという点である。尚、センサ素子133および発光素子136を保護する保護素子155は、第一、第二の保護素子として説明したが、その作用効果からすれば一つの保護素子と見ることができる。
そして、ワイヤボンディングにより発光素子136と導電フレーム125とを接続し、透明樹脂により形成された円突部157により発光素子136を保護する。前記円突部157の機能は、レンズに相当し、発光素子136の発光角度を変えて光線をさらに集中させることができる。また、前記凹部の形成により、発光素子136から発射される光線はさらに集中させることができる。
したがって、発光素子136を所定角度θに曲げて、発光素子136から発射される光線を適当な角度で物体表面へ照射することができる。このように、導電フレーム125(折曲部)を所定角度θへ曲げることによって、光路を変更できる。
図8に示すのは本発明を応用した実施例であり、この光学マウス20は同時に二つの光学素子を応用するが、その中の一つは位置情報を読取り、もう一つは指紋を識別する。
二つの光学素子が取得する画像の移動情報は、関連設計と合わせて同時に応用した効果を達成する。本発明は更に、情報家電(IA:Information Appliance)、電子産品、安全管理システムなどへ運用することができる。
Claims (18)
- 導電フレームと、
前記導電フレームに設けられたセンサ素子と、
前記センサ素子を覆い、前記センサ素子に対応する位置に開口が設けられた絞り素子と、
前記導電フレームに設けられた発光素子と、
前記発光素子を封止し、透明を呈して前記導電フレーム上に一体成形され、前記発光素子に対応する位置に円突部が突設され、前記円突部により前記発光素子の光を集光する第一の保護素子と、
前記絞り素子を封止し、透明を呈して前記導電フレーム上に一体成形され、前記開口に対応する位置に凸弧部が突設され、前記凸弧部により結像を行う第二の保護素子と、
を備えることを特徴とする光学素子。 - 前記発光素子は、発光ダイオードまたはレーザ発光ダイオードのチップであることを特徴とする請求項1記載の光学素子。
- 前記センサ素子は、相補型MOS(CMOS:Complementary Metal-Oxide Semiconductor)、フォトダイオード(PD:Photo Diode)、電荷結合素子(CCD:Charge Coupled Device)またはフォトマルチプライヤ(PM:Photo Multiplier)などのチップであることを特徴とする請求項1記載の光学素子。
- 前記保護素子は、エポキシ(Epoxy)樹脂または熱硬化性プラスチックからなることを特徴とする請求項1記載の光学素子。
- 前記発光素子から発射される光線を所定光路に沿わせて、前記センサ素子まで反射する光路誘導機構を備え、
前記光路誘導機構は、導電フレーム上に所定角度で一体成形されて下向きに曲げられる折曲部であることを特徴とする請求項1記載の光学素子。 - 前記所定角度を60〜70度にして、前記発光素子が発射する光源から物面または反射面までの投光角度を20〜30度にすることを特徴とする請求項5記載の光学素子。
- 前記光路誘導機構は、光路を変えることができる微構造がその上に形成された導電フレームを備えることを特徴とする請求項1記載の光学素子。
- 前記絞り素子は、前記導電フレームに一体形成され、導電フレームの一部を折り曲げることにより形成されることを特徴とする請求項1記載の光学素子。
- 前記絞り素子は前記導電フレームに組み立てられることを特徴とする請求項1記載の光学素子。
- 発光素子およびセンサ素子を導電フレーム上へ固定して配線するステップと、
開口を有する絞り素子を前記導電フレーム上へ結合して前記開口を前記センサ素子へ対応させるステップと、
前記発光素子および前記絞り素子を封止して前記導電フレーム上に一体成形するとともに、前記開口および前記発光素子に対応する位置に、結像を行う凸弧部および前記発光素子の光を集光する円突部が突設された、透明な保護素子を形成するステップと、
を含むことを特徴とする光学素子の製造方法。 - 更に、保護素子を形成するステップ後、前記導電フレームが露出した導電ピンをディップ型(DIP)にすることを特徴とする請求項10記載の光学素子の製造方法。
- 更に、保護素子を形成するステップ後、前記導電フレームが露出した表面実装部品型(SMD)の導電ピンにすることを特徴とする請求項10記載の光学素子の製造方法。
- 前記センサ素子は、CMOS、CCD、PDまたはPMのチップであることを特徴とする請求項10記載の光学素子の製造方法。
- 前記絞り素子は、埋込み式または粘着式により導電フレーム上に固定されることを特徴とする請求項10記載の光学素子の製造方法。
- 前記絞り素子は、前記導電フレームに一体形成され、導電フレームの一部を折り曲げることにより形成されることを特徴とする請求項10記載の光学素子の製造方法。
- 保護素子を形成するステップにおいて、エポキシ樹脂または熱硬化性プラスチックを金型に充填して全ての素子を封止すると同時に、光学レンズに相当する前記凸弧部および前記円突部を一体成形することを特徴とする請求項10記載の光学素子の製造方法。
- 前記導電フレームを折り曲げ、前記発光素子を所定角度にすることを特徴とする請求項10記載の光学素子の製造方法。
- 前記所定角度を60〜70度にして、前記発光素子から発射される光源から物面または反射面までの投光角度を20〜30度にすることを特徴とする請求項17記載の光学素子の製造方法。
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