JP4241612B2

JP4241612B2 - Phosphorescent light emitting device having organic layer

Info

Publication number: JP4241612B2
Application number: JP2004508426A
Authority: JP
Inventors: ダシャン、キン; シアン、ゾウ; ヤン、ブロッホビッツ‐ニモート; マルティン、プファイファー
Original assignee: NovaLED GmbH
Current assignee: NovaLED GmbH
Priority date: 2002-05-24
Filing date: 2003-05-22
Publication date: 2009-03-18
Anticipated expiration: 2023-05-22
Also published as: AU2003273146A1; DE10224021A1; ES2270057T3; WO2003100880A2; JP2005527090A; KR100679381B1; KR20050016427A; WO2003100880A3; US7345300B2; US20060231843A1; DE10224021B4; EP1508176B1; DE50304580D1; CN100505368C; EP1508176A2; CN1663060A; ATE336081T1

Abstract

The invention relates to a light emitting component with organic layers and emission of triplet exciton states (phosphorescent light) with increased efficiency, having a layer sequence with a hole injecting contact (anode), one or more hole injecting and transporting layers, a system of layers in the light emission zone, one or more electron transport and injection layers and an electron injecting contact (cathode), characterized in that the light emitting zone comprises a series of heterojunctions with the materials A and B (ABAB . . . ) that form interfaces of the type "staggered type II", one material (A), having hole transporting or bipolar transport properties and the other material (B) having electron transporting or bi-polar transport properties, and at least one of the two materials A or B being mixed with a triplet emitter dopant that is able to efficiently convert its triplet exciton energy into light.

Description

本発明は、有機層を有する燐光発光素子、特に、請求項１および２の前文に記載されている発光領域の新規の構造の結果として電流および量子効率が高められた有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に関する。 The present invention relates to a phosphorescent light emitting device having an organic layer, in particular an organic light emitting diode (OLED) with increased current and quantum efficiency as a result of the novel structure of the light emitting region described in the preamble of claims 1 and 2. .

１９８７年にＴａｎｇ等によって低動作電圧が実証されて以来（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇｅｔａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１９８７）９１３）、有機発光ダイオードは面積の大きなディスプレイを実現する有望な候補とされている。これらは、好ましくは真空蒸着された（微分子ＯＬＥＤ）、または例えばスピンオン法で溶液から塗布された（高分子ＯＬＥＤ＝ＰＬＥＤ）有機材料で作成された薄い（通常１ｎｍから１μｍ）層の連続で構成されている。金属層による電気接点接続の後、有機薄膜は、例えばダイオード、発光ダイオード、フォトダイオードおよびトランジスタ等の多様な電子または光電子素子を形成し、これらの特性は無機物層に基づく既存の素子の特性に匹敵するものである。発光素子の接点は、通常、透明接点（例えば、インジウム錫酸化物―陽極としてのＩＴＯ）および陰極としての低仕事関数の金属接点である。また、ＯＬＥＤは半透明であり（薄型金属接点―ＩＴＯ構造）、その他のものは完全に透明である（両接点ＩＴＯ）。素子内の活性領域（発光領域または発光層または層の連続）から発光できるようにするためには、荷電担体を素子に注入し、有機層内で輸送しなければならない。印加電圧によって、陽極から有機材料へより良い正孔伝導率（正孔輸送材料）で正孔の注入を行い、陰極から電子伝導材料へ電子を注入する。荷電担体は発光領域に集まり、そこで再結合し、励起子を形成する。励起子は、発光またはそれらのエネルギーの分子への放出を伴って後に減衰する。 Since the low operating voltage was demonstrated by Tang et al. In 1987 (CW Tang et al. Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 913), organic light-emitting diodes are promising candidates for realizing large-area displays. It is said that. They are preferably composed of a succession of thin (usually 1 nm to 1 μm) layers made of organic material, eg vacuum-deposited (micromolecular OLEDs) or made from organic materials, eg from spin-on (polymer OLED = PLED) Has been. After electrical contact connection by the metal layer, the organic thin film forms various electronic or optoelectronic devices such as diodes, light emitting diodes, photodiodes and transistors, whose properties are comparable to those of existing devices based on inorganic layers. To do. The contacts of the light emitting element are usually transparent contacts (eg indium tin oxide—ITO as anode) and low work function metal contacts as cathode. Also, OLEDs are translucent (thin metal contacts-ITO structure) and others are completely transparent (both contacts ITO). In order to be able to emit light from the active region (light emitting region or light emitting layer or layer sequence) within the device, charge carriers must be injected into the device and transported within the organic layer. According to the applied voltage, holes are injected from the anode to the organic material with better hole conductivity (hole transport material), and electrons are injected from the cathode to the electron conductive material. Charge carriers collect in the light emitting region where they recombine to form excitons. The excitons decay later with emission or emission of their energy into the molecule.

以前から知られている無機ＬＥＤと比較した場合、このような有機分子に基づくＬＥＤには、有機材料を大きな、潜在的に柔軟性のある面積に応用することができるという利点がある。その結果として、非常に大きなディスプレイを製造することができる。また、有機材料は、その製造および有機層の製造の点で比較的安価である。さらに、これらは屈折率が低いので、発生した光を簡単に（効率良く）分離することができる。 Compared to previously known inorganic LEDs, LEDs based on such organic molecules have the advantage that organic materials can be applied to large, potentially flexible areas. As a result, very large displays can be manufactured. Organic materials are also relatively inexpensive in terms of their production and organic layer production. Furthermore, since they have a low refractive index, the generated light can be separated easily (efficiently).

ＯＬＥＤの通常の構造は、以下の有機層のいくつかまたはすべてを含んでいる（図１を参照）。
１．基板
２．底部電極、例えば正孔注入（陽極）、通常は透明
３．正孔注入層
４．正孔輸送層
４ａ．可能な限り遮断層、正孔側
５．発光層（ＥＬ）
６ａ．可能な限り遮断層、電子側
６．電子輸送層
７．電子注入層
８．上部電極、通常は低仕事関数の金属、電子注入（陰極）
９．周囲の影響（大気、水）を排除するためのカプセル化 The typical structure of an OLED includes some or all of the following organic layers (see FIG. 1):
1. Substrate 2. 2. bottom electrode, eg hole injection (anode), usually transparent Hole injection layer 4. Hole transport layer 4a. 4. Blocking layer as much as possible, hole side Light emitting layer (EL)
6a. 5. Blocking layer as much as possible, electronic side 6. electron transport layer Electron injection layer8. Top electrode, usually low work function metal, electron injection (cathode)
9. Encapsulation to eliminate ambient influences (air, water)

これは最も一般的な場合であり、通常は、（２、５および８を除く）いくつかの層は省略され、または１つの層自体に複数の特性を組み合わせている。上述の素子においては、光は透明な基部電極を通ってＯＬＥＤから出る。層構造が逆になっている構造（上部に陽極、陰極および基板を通して発光）（Ｇ．Ｇｕ，Ｖ．Ｂｕｌｏｖｉｃ，Ｐ．Ｅ．Ｂｕｒｒｏｗｓ，Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６８，２６０６（１９９６）、１９９６年３月６日出願の米国特許第５，７０３，４３６（Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ等）；１９９６年４月１５日出願の米国特許第５，７５７，０２６（Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ等）；１９９７年１０月２４日出願の米国特許第５，９６９，４７４（Ｍ．Ａｒａｉ）または陽極および陰極による他の構造も実証されている。 This is the most common case and usually some layers (except 2, 5 and 8) are omitted, or several properties are combined in one layer itself. In the device described above, light exits the OLED through a transparent base electrode. Structure in which layer structure is reversed (light emission through anode, cathode and substrate on top) (G. Gu, V. Burobic, PE Burrows, SR Forrest, Appl. Phys. Lett., 68, 2606 (1996), U.S. Pat. No. 5,703,436 (SR Forrest et al.) Filed Mar. 6, 1996; U.S. Pat. No. 5,757,026 filed Apr. 15, 1996 (SR). Forrest et al.); US Pat. No. 5,969,474 (M. Arai) filed Oct. 24, 1997, or other structures with anodes and cathodes have also been demonstrated.

Ｅｇｕｓａ等（１９９１年２月１２日出願の米国特許第５，０９３，６９８）およびＰｆｅｉｆｆｅｒ等（２０００年１１月２５日出願のドイツ特許出願第１００５８５７８．７）の場合のように、電荷輸送層（３および４、および、６および７）をドーピングすることによってそれらの伝導率を高めるようにしてもよい。その場合、電流および量子効率を高く維持するためには（電流効率＝電流毎の発光−ｃｄ／Ａ−量子効率＝注入された荷電担体毎に発せられる光子）、遮断層（４ａ、６ａ）が必要とされる。遮断層によって励起子の形成が妨げられる（ドイツ特許出願第１００５８５７８．７）。これらの遮断層は２つの重要な作業を果たさなければならない。
１．発光領域（５）から荷電担体輸送層への（電子は４へ、正孔は６へ）少数荷電担体の注入を防止しなければならない。ほとんどの場合において、荷電担体輸送層（４、６）は既にこの要件を満たしている。次に、遮断層の第２の特性が重要となる。
２．荷電担体輸送層（４の正孔、６の電子）多数荷電担体と、発光層および各荷電担体輸送層の界面の発光領域（５）で異なる符号を有する荷電担体との間における励起錯体の形成を防止しなければならない。非放射再結合する故にＯＬＥＤの効率を低下させるこれらの励起錯体は、励起錯体エネルギーが発光領域の励起子のエネルギーよりも低い場合に形成される。この場合、発光領域において励起錯体を励起子に変換させることはできない。この性質が原因で、輸送層（４、６）から発光領域（５）への多数荷電担体にとっては極めて大きなバリアとなる。前記バリアは、それらの輸送層（４）から発光領域（５）への正孔注入に対するＨＯＭＯ（最も高い占有分子軌道のエネルギー）差分および６から層５へのＬＵＭＯ（最も低い占有分子軌道のエネルギー）差分によって決定される。このプロセスを、適切な遮断層（４ａ、６ａ）を選択することによって防止するようにしてもよい。遮断層をそれらのＨＯＭＯ／ＬＵＭＯ位置に関連して適合させて、多数荷電担体が発光領域から出ることを妨害できるようにしなければならない。即ち、印加電圧下では、輸送層（４、６）の多数荷電担体は、遮断層（４ａ、６ａ）−中間バリアへの注入をあまり大きく妨げられることはない。同時に、発光領域（５）からの多数荷電担体は、遮断層（電子は４ａ、正孔は６ａ）−高いバリアとの界面で効果的に遮断されなければならない。尚、遮断層（４ａ、６ａ）から発光領域層（５）への多数荷電担体の注入に対するバリアの高さは励起錯体の形成を妨げるのに十分小さくなければならない、即ち低いバリアでなければならない。 Charge transport layers (as in Egusa et al. (US Pat. No. 5,093,698 filed on Feb. 12, 1991) and Pfeiffer et al. (German Patent Application No. 10058578.7 filed on Nov. 25, 2000)). Their conductivity may be increased by doping 3 and 4, and 6 and 7). In that case, in order to maintain high current and quantum efficiency (current efficiency = luminescence per current−cd / A−quantum efficiency = photons emitted for each injected charge carrier), the blocking layers (4a, 6a) Needed. The blocking layer prevents the formation of excitons (German Patent Application No. 10058578.7). These barrier layers must perform two important tasks.
1. The injection of minority charge carriers from the light emitting region (5) into the charge carrier transport layer (electrons to 4 and holes to 6) must be prevented. In most cases, the charge carrier transport layer (4, 6) already meets this requirement. Next, the second characteristic of the barrier layer becomes important.
2. Formation of exciplex between charge carrier transport layer (4 holes, 6 electrons) multiple charge carriers and charge carriers having different signs in the light emitting layer and the light emitting region (5) at the interface of each charge carrier transport layer Must be prevented. These exciplexes that reduce the efficiency of the OLED due to non-radiative recombination are formed when the exciplex energy is lower than the exciton energy of the light emitting region. In this case, the exciplex cannot be converted into excitons in the emission region. Due to this property, it becomes a very large barrier for the majority charge carriers from the transport layers (4, 6) to the light emitting region (5). Said barriers are the HOMO (highest occupied molecular orbital energy) difference for hole injection from their transport layer (4) to the light emitting region (5) and the LUMO (lowest occupied molecular orbital) energy from 6 to layer 5. ) Determined by the difference. This process may be prevented by selecting an appropriate barrier layer (4a, 6a). The blocking layer must be adapted in relation to their HOMO / LUMO position so that the majority charge carriers can be prevented from exiting the light emitting region. That is, under the applied voltage, the majority charge carriers in the transport layer (4, 6) are not significantly hindered from injection into the blocking layer (4a, 6a) -intermediate barrier. At the same time, the majority charge carriers from the light emitting region (5) must be effectively blocked at the barrier layer (electrons 4a, holes 6a) -high barrier interface. It should be noted that the height of the barrier against the injection of majority charge carriers from the blocking layers (4a, 6a) into the light emitting region layer (5) must be small enough to prevent the formation of exciplexes, ie a low barrier. .

最も簡単な場合においては、発光領域（５）は層を１つのみ備える（Ｔａｎｇｅｔａｌ．米国特許第４，３５６，４２９、１９８２、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇｅｔａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１９８７）９１３）。その結果、この層は電子および正孔輸送、励起子形成および減衰を兼ねている。これらの多様な要件のため、効率を最適化する適切な材料を発見することは困難である。一例として、標準的なエミッタ材料Ａｌｑ３（アルミニウムトリスキノレート）、ＨＯＭＯ＝−５．７ｅＶ、ＬＵＭＯ＝−２．９ｅＶ）は比較的良好な電子輸送体である。これは大きなストークスシフトを有する（吸収に関して赤方偏移した放射、従って再吸収はない）が、正孔伝導率が劣っている。従って、Ａｌｑ３をエミッタ材料とする素子においては、励起子形成が正孔輸送層（４または４ａ）との界面の近傍で起こる。そのため、この界面の選択は、ＯＬＥＤの効率にとっては極めて重要である。これは、界面再結合の効果が無機ＬＥＤよりもＯＬＥＤにとってはより重要であることの理由であり、有機層の荷電担体輸送は１種類の荷電担体に限定されていることが多く、有機分子の荷電担体は無機の場合よりも大きく局部集中するので（両種類の荷電担体の荷電担体密度の間に大きな重なりがある）、再結合領域は、荷電担体が遮断される内部界面に通常は近接している。 In the simplest case, the light emitting region (5) comprises only one layer (Tang et al. US Pat. No. 4,356,429, 1982, CW Tang et al. Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 913). As a result, this layer also serves for electron and hole transport, exciton formation and decay. Because of these diverse requirements, it is difficult to find suitable materials that optimize efficiency. As an example, the standard emitter material Alq3 (aluminum triskinolate), HOMO = −5.7 eV, LUMO = −2.9 eV) is a relatively good electron transporter. It has a large Stokes shift (redshifted emission with respect to absorption and hence no reabsorption), but poor hole conductivity. Therefore, in an element using Alq3 as an emitter material, exciton formation occurs in the vicinity of the interface with the hole transport layer (4 or 4a). Therefore, the selection of this interface is extremely important for the efficiency of the OLED. This is the reason why the effect of interfacial recombination is more important for OLEDs than for inorganic LEDs, and the charge carrier transport in the organic layer is often limited to one type of charge carrier, Since charge carriers are concentrated more locally than in inorganic cases (there is a large overlap between the charge carrier densities of both types of charge carriers), the recombination region is usually close to the internal interface where the charge carriers are blocked. ing.

すべての有機材料において、光ルミネセンス量子効率（放射再結合する励起子の比率）は、分子が密に詰まって存在している場合には、いわゆる集合消光、発光の効率低下によって制限される。従って、純粋なＡｌｑ３層の光ルミネセンス量子効率は、溶液中のＡｌｑ３よりも低い（＞５０％）、１０から２５％となる（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇｅｔａｌ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６５（１９８９）３６１０；Ｈ．Ｍａｔｔｏｕｓｓｉｅｔａｌ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．８６（１９９９）２６４２）。 In all organic materials, the photoluminescence quantum efficiency (ratio of excitons that radiatively recombine) is limited by so-called collective quenching and reduced emission efficiency when molecules are closely packed. Thus, the photoluminescence quantum efficiency of a pure Alq3 layer is lower (> 50%) than Alq3 in solution and is 10 to 25% (CW Tang et al. J. Appl. Phys. 65 ( 1989) 3610; H. Mattoussi et al., J. Appl. Phys., 86 (1999) 2642).

従って、多くの場合、さらなるエミッタ分子が発光領域と混合される（文献においてはドーピングと呼ばれることも多いが、伝導率を高めるための上述のドーピングとは区別する必要がある）（Ｔａｎｇｅｔａｌ．米国特許第４７６９２９２、１９８８、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇｅｔａｌ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６５（１９８９）３６１０）。これには、エミッタが集中して存在することがなくなり、発光の量子効率が高くなるという利点がある。１００％までの光ルミネセンス量子効率が観測されている（Ｈ．Ｍａｔｔｏｕｓｓｉｅｔａｌ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．８６（１９９９）２６４２）。エミッタドーパントは荷電担体輸送には加えられない。エミッタドーパント上での励起子形成は以下の２通りで行われる。
１．エミッタ分子が荷電担体トラップとして作用する場合は直接エミッタ分子にて
２．ホスト分子からのエネルギーの伝達によって
このようにして、一重項励起子状態から放射するエミッタドーパント（例えば、ＨＯＭＯ＝−５．４ｅＶ、ＬＵＭＯ＝−２．７ｅＶのクマリン６等のクマリンのようなキナクリドンまたはレーザ色素）を用いて、例えば、純粋なＡｌｑ３をエミッタとするＯＬＥＤに対して通常５ｃｄ／Ａから１０ｃｄ／Ａまで（Ｊ．Ｂｌｏｃｈｗｉｔｚｅｔａｌ．Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．１２７（２００２）１６９）ＯＬＥＤの電流および量子効率を高めることができる。濃度は、通常１ｍｏｌ％である。スピンが０で、およそ２５％までのみの二極荷電担体注入の場合に形成される上述の一重項励起子では、エネルギーの伝達はいわゆるサースタープロセス（ｔｈｉｒｓｔｅｒｐｒｏｃｅｓｓ）によって行われる。このプロセスの範囲は１％のドーピング濃度にほぼ相当する。 Thus, in many cases, further emitter molecules are mixed with the light-emitting region (often referred to as doping in the literature, but need to be distinguished from the above-described doping to increase conductivity) (Tang et al. U.S. Pat. No. 4,769,292, 1988, C. W. Tang et al., J. Appl., Phys., 65 (1989) 3610). This has the advantage that the emitters are not concentrated and the quantum efficiency of light emission is increased. Photoluminescence quantum efficiencies up to 100% have been observed (H. Mattoussi et al. J. Appl. Phys. 86 (1999) 2642). The emitter dopant is not added to charge carrier transport. Exciton formation on the emitter dopant is performed in the following two ways.
1. When the emitter molecule acts as a charge carrier trap, In this way, by the transfer of energy from the host molecule, an emitter dopant radiating from the singlet exciton state (eg, quinacridone such as coumarins such as HOMO = −5.4 eV, LUMO = −2.7 eV coumarin 6 or Laser dyes), for example, typically from 5 cd / A to 10 cd / A for OLEDs with pure Alq3 emitter (J. Blochwitz et al. Synth. Met. 127 (2002) 169) OLED current and Quantum efficiency can be increased. The concentration is usually 1 mol%. In the above-described singlet excitons formed in the case of bipolar charge carrier injection with only 0 spin and up to approximately 25%, energy transfer takes place by the so-called thirster process. This process range corresponds approximately to a doping concentration of 1%.

ＯＬＥＤの効率を高めるさらなる方法としては、三重項状態を放射することが可能な分子を混合することである（励起子スピン＝１）（強力なスピン軌道結合を有する分子）（Ｔｈｏｍｐｓｏｎｅｔａｌ．米国特許第６３０３２３８Ｂ１、１９９７）。これらは、およそ７５％の確率で形成される。従って、一重項および三重項状態を混合する特定の材料に対して理論的に１００％のＯＬＥＤの内部効率が可能である（Ｔ．Ｔｓｕｔｓｕｉｅｔａｌ．Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．ＰｈｙｓＢ．３８（１９９９）Ｌ１５０２；Ｃ．Ａｄａｃｈｉｅｔａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７７（２０００）、９０４）。しかし、有機分子の三重項励起子には、一重項励起子と比較するといくつかの欠点がある。 A further way to increase the efficiency of OLEDs is to mix molecules capable of emitting triplet states (exciton spin = 1) (molecules with strong spin orbit coupling) (Thompson et al. USA). Patent 6303238B1, 1997). These are formed with a probability of approximately 75%. Thus, theoretically 100% internal efficiency of OLEDs is possible for certain materials that mix singlet and triplet states (T. Tsutsui et al. Jpn. J. Appl. PhysB. 38 (1999). L1502; C. Adachi et al. Appl.Phys.Lett.77 (2000), 904). However, triplet excitons of organic molecules have several disadvantages compared to singlet excitons.

１．三重項励起子の寿命は長いため、その拡散距離も長い。従って、三重項励起子は、非放射再結合を行う素子内の場所（欠陥、不純物、接点等）により到達しやすい。それらの長い寿命（通常は一重項励起子の１００倍以上）のため、励起子密度は、励起子間消滅が役割を果たす値まで到達する。このプロセスは主に高電流密度の効率を制限する（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏｅｔａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７５（１９９９）４、Ｃ．Ａｄａｃｈｉｅｔａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７７（２０００）、９０４）。 1. Since the lifetime of triplet excitons is long, its diffusion distance is also long. Therefore, triplet excitons are likely to arrive at locations (defects, impurities, contacts, etc.) within the device that perform non-radiative recombination. Due to their long lifetime (usually more than 100 times that of singlet excitons), the exciton density reaches a value where inter-exciton annihilation plays a role. This process primarily limits the efficiency of high current density (MA Baldo et al. Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 4, C. Adachi et al. Appl. Phys. Lett. 77 (2000). 904).

２．エネルギー伝達はより遅く、範囲が小さい（デクスタープロセス（ＤｅｘｔｅｒＰｒｏｃｅｓｓ））。従って、エミッタ分子を混合する場合におけるドーピング濃度は、およそ８ｍｏｌ％でなければならない。そのため、電気トラップのこの高密度によって電流輸送を妨害し、「集合消光」は、一重項励起子エミッタの場合よりも重大な問題となる。 2. Energy transfer is slower and has a smaller range (Dexter Process). Therefore, the doping concentration when mixing emitter molecules must be approximately 8 mol%. Thus, this high density of electrical traps interferes with current transport, and “collective quenching” is a more serious problem than with singlet exciton emitters.

３．長い三重項励起子の寿命を考慮して、界面での三重項励起子の密度は、大きな値を取るようにしてもよい。従って、三重項励起子飽和が発生する場合がある。この「界面励起子飽和プロセス」によって、入ってくる荷電担体からのさらなる励起子の形成が減少し、そのために荷電担体が重なり領域から出ることができる。従って、界面領域は、そこで励起子の形成を最も効率良く行うことができても、励起子に対して限られた容量しか有さない。そのため、ＯＬＥＤの効率が低下する。 3. In consideration of the long triplet exciton lifetime, the density of triplet excitons at the interface may take a large value. Therefore, triplet exciton saturation may occur. This “interface exciton saturation process” reduces the formation of further excitons from the incoming charge carriers, so that the charge carriers can exit the overlap region. Thus, the interface region has only a limited capacity for excitons, even though exciton formation can be most efficiently performed there. As a result, the efficiency of the OLED is reduced.

４．三重項励起子結合エネルギーは一重項励起子よりも大きい（およそ０．５ｅＶに対して１．５ｅＶまで）。従って、発光領域（５）の材料またはそれぞれ隣接する輸送層（４、または４ａ、６または６ａ）の材料では、スピン＝１の界面荷電担体対（「三重項励起錯体」、一方の荷電担体は発光領域（５）の材料の上、他方は隣接する層、例えば、４、または正孔の４ａ、６、または電子の６ａ）から両側の層の層励起子へのエネルギーの伝達が可能となる。輸送層の上で生成された三重項励起子は非放射再結合する、即ちＯＬＥＤの効率を低下させる。一重項励起子とは対照的に、このプロセスは、（層４、４ａ、６、６ａへの）荷電担体注入のための高いバリアが存在する場合でも三重項励起子に対しては可能である。 4). Triplet exciton binding energy is greater than singlet exciton (up to about 1.5 eV versus about 0.5 eV). Thus, in the material of the light emitting region (5) or the material of the respective transport layer (4, 4a, 6 or 6a) respectively, the spin = 1 interface charge carrier pair (“triplet exciplex”, one charge carrier is Allows the transfer of energy from the material of the light-emitting region (5) to the layer excitons of the layers on the other side, for example from the adjacent layer, for example 4 or 4a, 6 of holes or 6a of electrons) . Triplet excitons generated on the transport layer recombine non-radiatively, i.e. reduce the efficiency of the OLED. In contrast to singlet excitons, this process is possible for triplet excitons even in the presence of a high barrier for charge carrier injection (to layers 4, 4a, 6, 6a). .

三重項ＯＬＥＤの効率化のための遮断層の意味については、Ａｄａｃｈｉ等およびＩｋａｉ等によって示されている（Ｃ．Ａｄａｃｈｉｅｔａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７７（２０００）、９０４）（Ｍ．Ｉｋａｉｅｔａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７９（２００１）、１５６）。前者によれば、（周囲の層のバンドギャップがより大きな結果として）発光領域に励起子が「閉じ込められること」によって、発光領域の厚さが小さい（２．５ｎｍまでの厚さ）場合でも、量子効率を非常に高くすることができることが示されている。このような小さな厚さの場合、励起子が遮断することなく、効率が大幅に低下した。しかし、発光層の幅が小さいと、三重項間消滅がより大きな役割を果たし、高い電流密度で効率を最小限にする。第２のグループ（Ｉｋａｉ等）は、ゲスト分子としての三重項エミッタドーパントＩｒ（ｐｐｙ）３に正孔輸送母材を使用した（Ｉｒ（ｐｐｙ）３ − ファク（ｆａｃ）−トリス（２−フェニルピリジン、ＨＯＭＯ＝−５．２．．−５．６ｅＶ、ＬＵＭＯ＝−２．８．．−３．０ｅＶ − 緑色スペクトル域として最も知られている三重項エミッタ）。さらに、非常に効率の良い励起子および正孔遮断器（高バンドギャップおよび低ＨＯＭＯ）を使用した。それによって、２０％のほとんど理論上の限界まで極めて高い量子効率を可能にした（光の分離作用による簡単な幾何光学計算より予測された限界、導波効果は無視）。 The meaning of the blocking layer for the efficiency of the triplet OLED is shown by Adachi et al. And Ikai et al. (C. Adachi et al. Appl. Phys. Lett. 77 (2000), 904) (M. Ikai). et al. Appl. Phys. Lett. 79 (2001), 156). According to the former, even when the thickness of the light emitting region is small (thickness up to 2.5 nm) due to the “confinement” of excitons in the light emitting region (as a result of the larger band gap of the surrounding layers) It has been shown that quantum efficiency can be very high. In the case of such a small thickness, the efficiency was greatly reduced without exciton blocking. However, when the width of the emissive layer is small, triplet annihilation plays a larger role, minimizing efficiency at high current densities. The second group (Ikai et al.) Used a hole transport matrix for the triplet emitter dopant Ir (ppy) 3 as a guest molecule (Ir (ppy) 3 -fac-tris (2-phenylpyridine) HOMO = −5.2 ...− 5.6 eV, LUMO = −2.8.−3.0 eV—triplet emitter, best known as the green spectral range), and very efficient excitons And hole blockers (high band gap and low HOMO) were used, which allowed extremely high quantum efficiencies up to almost the theoretical limit of 20% (predicted by simple geometric optics calculations with light separation) Limit, the waveguiding effect is ignored).

内部では、小さな電流密度についてのみであるが、１００％の量子効率が存在することが明らかとなった。この素子に対しては、適切な遮断層材料を選択することが重要である。この複雑さを考慮すると、Ｉｒ（ｐｐｙ）３とは異なるエミッタシステムおよびＴＣＴＡとは異なる母材に同様に対応する遮断層材料を発見することは困難である（トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン、ＨＯＭＯ＝−５．９ｅＶ、ＬＵＭＯ＝−２．７ｅＶ）。使用された遮断層材料（「スターバースト」形のフッ化フェニレン）は、極めて低いＨＯＭＯ位置と（４ｅＶよりも大きな）極めて大きなバンドギャップとを兼ね備えている。この大きなバンドギャップには、電子輸送層（ＬＵＭＯおよそ−３ｅＶ）から遮断層（ＬＵＭＯ−２．６ｅＶ、バリア０．４ｅＶ）内へ電子をあまり良く注入することができないという欠点もある。ＯＬＥＤの動作電圧が低い場合には、発光層（５）へ電子を段階的に注入する方が良い。それについては、ＩＴＯから正孔輸送材料への正孔注入に示されている（例えば、ＭＴＤＡＴＡにおいて、スターバーストディストリビューター（ｓｔａｒｂｕｒｓｔｄｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒ）、注入層、例えばＨＯＭＯ＝−５．０ｅＶ、ＬＵＭＯ＝−３．４ｅＶのフタロシアニンＺｎＰｃを介してＨＯＭＯ＝−５．１ｅＶ、ＬＵＭＯ＝−１．９ｅＶ、例えば、Ｄ．Ａｍｍｅｒｍａｎｎｅｔａｌ．Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｐｔ．１, ３４（１９９５）１２９３）。しかし、遮断層（６ａ）を介しての電子輸送層（６）からエミッタ層（５）への段階的電子注入の場合、６ａまたは５の界面は、高い電子および正孔の密度をそこで記録できるので、より重要なものとなる。 Internally, it was found that there is 100% quantum efficiency, but only for small current densities. For this device, it is important to select an appropriate barrier layer material. Given this complexity, it is difficult to find a barrier layer material that similarly corresponds to an emitter system different from Ir (ppy) 3 and a matrix different from TCTA (tris (N-carbazolyl) triphenylamine). HOMO = −5.9 eV, LUMO = −2.7 eV). The barrier layer material used ("starburst" type phenylene fluoride) combines a very low HOMO position with a very large band gap (greater than 4 eV). This large band gap also has the disadvantage that electrons cannot be injected very well from the electron transport layer (LUMO approximately -3 eV) into the blocking layer (LUMO-2.6 eV, barrier 0.4 eV). When the operating voltage of the OLED is low, it is better to inject electrons into the light emitting layer (5) step by step. It is shown in hole injection from ITO to hole transport material (eg in MTDATA, starburst distributor, injection layer, eg HOMO = −5.0 eV, LUMO = −3). HOMO = −5.1 eV, LUMO = −1.9 eV via 4 eV phthalocyanine ZnPc, eg, D. Ammermann et al. Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1, 34 (1995) 1293). However, in the case of stepped electron injection from the electron transport layer (6) to the emitter layer (5) via the blocking layer (6a), the interface of 6a or 5 can record high electron and hole densities there. So it will be more important.

高電流密度の三重項エミッタの問題を回避する方法の１つは、燐光性増感剤と共に増感蛍光を使用することである（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏｅｔａｌ．Ｎａｔｕｒｅ４０３（２０００）、７５０；Ｂ．Ｗ．Ｄ’Ａｎｄｒａｄｅｅｔａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７９（２００１）１０４５、Ｆｏｒｒｅｓｔｅｔａｌ．米国特許第６３１０３６０Ｂ１、１９９９）。この場合、適切な一重項エミッタドーパントの一重項励起子の蛍光から発光される。しかし、母材での三重項状態は、さらなる燐光性増感剤ドーパントによって一重項エミッタドーパントへ転移される（そこで三重項および一重項状態が混合される）。原則として、この方法でも１００％の内部量子効率が可能である。従って、一重項放射の利点をより高い電流密度で活用することができる。恐らくは関連する３つの分子の複雑な相互作用のため、この方法を実施することでは目立った結果は得られていない。 One way to avoid the problem of high current density triplet emitters is to use sensitized fluorescence with a phosphorescent sensitizer (MA Baldo et al. Nature 403 (2000), 750; B.W.D'Andrade et al.Appl.Phys.Lett.79 (2001) 1045, Forrest et al., U.S. Patent No. 6,310,360 B1, 1999). In this case, light is emitted from the fluorescence of singlet excitons of a suitable singlet emitter dopant. However, the triplet state in the matrix is transferred to a singlet emitter dopant by the further phosphorescent sensitizer dopant (where the triplet and singlet states are mixed). In principle, even 100% internal quantum efficiency is possible with this method. Therefore, the advantage of singlet radiation can be exploited at a higher current density. Performing this method has not yielded noticeable results, probably due to the complex interactions of the three molecules involved.

三重項ＯＬＥＤの効率を高めるさらなる方法がＨｕ等（Ｗ．Ｈｕｅｔａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７７（２０００）４２７１）より知られている。これは、上述のように、エミッタ層として純粋な層を有する赤色放射ＯＬＥＤ（５、ユウロピウム錯体Ｅｕ（ＤＢＭ）３ＴＰＰＯ）に対して、「励起子を閉じ込める」正孔遮断層を使用している。三重項励起子の長寿命のため、自由な正孔による励起子の消滅は重要なプロセスである。従って、Ｗｕ等は発光領域（５）の多層構造を有するＯＬＥＤを提示している。発光領域は、エミッタ自体および遮断層材料ＢＣＰ（バソクプロイン）：｛ＢＣＰ２．５ｎｍ／Ｅｕ（ＤＥＭ）３ＴＰＰＯ２．５ｎｍ｝_ηを含む複数の（ｎ倍）小さな単位で構成されている。動作電圧の増大を伴うが、２倍の効率が確実にした。この場合の２つの半導体間の界面はタイプＩである（「タイプＩヘテロ接合」、図２左側を見よ）。この配列は、材料Ａ（ここではＥｕ錯体ＨＯＭＯ＝６．４ｅＶ、ＬＵＭＯ＝３．６ｅＶ）およびＢ（ここではＢＣＰ、ＨＯＭＯ＝６．７ｅＶ、ＬＵＭＯ＝３．２ｅＶ）のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯレベルが両方の種類の荷電担体を材料Ｂとの界面で遮断するようになっている場合に、発生する（従って、両方の種類の荷電担体が材料Ａにあることが好ましい）。Ｈｕ等によるマルチヘテロ接合素子においては、材料Ａの右側では正孔密度が高く（陰極の方向においてＥｕ錯体とＢＣＰとの界面で正孔が遮断される）、材料Ａの左側では電子密度が高くなる。従って、正孔および電子密度の重なりは、両方が層Ａの厚さによって分離されるため最適ではない。Ｈｕ等は、ＢＣＰ中間層が発光層における正孔密度を最小にすると論じている。しかし、これはＯＬＥＤの動作電圧を高くするため望ましくない。さらに、高い効率を達成するためには、三重項ＯＬＥＤにエミッタドーピング方法（「集合消光」）が必要とされる。三重項ＯＬＥＤに対しては、タイプＩマルチヘテロ接合を容易に実現することができないが、これは極めて高いバンドギャップを有する遮断層材料を使用することを前提としているためである。 A further method for increasing the efficiency of triplet OLEDs is known from Hu et al. (W. Hu et al. Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 4271). This uses a hole blocking layer that “confines excitons”, as described above, for a red emitting OLED (5, europium complex Eu (DBM) 3TPPO) that has a pure layer as the emitter layer. Due to the long lifetime of triplet excitons, extinction of excitons by free holes is an important process. Therefore, Wu et al. Presents an OLED having a multilayer structure of light emitting regions (5). The light emitting region is composed of a plurality of (n times) small units including the emitter itself and the blocking layer material BCP (Bathocuproin): {BCP 2.5 nm / Eu (DEM) 3 TPPO 2.5 nm} _η . With an increase in operating voltage, twice the efficiency was ensured. The interface between the two semiconductors in this case is type I (“Type I heterojunction”, see the left side of FIG. 2). This arrangement shows that the HOMO and LUMO levels of materials A (here Eu complex HOMO = 6.4 eV, LUMO = 3.6 eV) and B (here BCP, HOMO = 6.7 eV, LUMO = 3.2 eV) are both Occurs when the type of charge carrier is intended to be blocked at the interface with material B (thus it is preferred that both types of charge carriers be in material A). In a multi-heterojunction device such as Hu, the hole density is high on the right side of the material A (holes are blocked at the interface between the Eu complex and BCP in the cathode direction), and the electron density is high on the left side of the material A. Become. Therefore, the hole and electron density overlap is not optimal because both are separated by the thickness of layer A. Hu et al. Argue that the BCP interlayer minimizes the hole density in the emissive layer. However, this is undesirable because it increases the operating voltage of the OLED. Further, to achieve high efficiency, emitter doping methods (“collective quenching”) are required for triplet OLEDs. For triplet OLEDs, a Type I multi-heterojunction cannot be easily realized because it is assumed that a barrier layer material having a very high band gap is used.

通常のＯＬＥＤにおいては、図１に示されているように、正孔遮断層（６ａ）の機能は、正孔がエミッタ領域（５）から出ることを効率良く妨げることである。三重項エミッタＯＬＥＤの場合、発光領域は通常、高いバンドギャップを有する母材を含んでいる（例えば、ＣＢＰ − ジカルバゾル−ビフェニル二極輸送材料、ＨＯＭＯ＝−６．３ｅＶ、ＬＵＭＯ＝−３．０ｅＶ；ＢＣＰ、ＯＸＤ７−ビス（ブチルフェニル）オキサジアゾール、ＨＯＭＯ＝−６．４ｅＶ、ＬＵＭＯ＝−２．９ｅＶ、ＴＡＺ−フェニル（ナフチル）フェニルトリアゾール＝典型的な電子輸送体、ＴＣＴＡ−トリ（カルバゾリル）トリフェニルアミン正孔輸送材料）。バンドギャップは３．２から３．５ｅＶである（これらの材料は光励起の下で青い光を発する）。これらの母材はより小さなバンドギャップを有する三重項エミッタドーパントと混合される（例えばＩｒ（ｐｐｙ）_３のような緑色放射に対してはおよそ２．４ｅＶ）。これらの材料のバンドギャップ間におけるこの大きな差は、三重項励起子の性質、即ち、有機材料での三重項励起子の励起子結合エネルギーが高いことに関連している。従って、ホスト分子での三重項励起子は、対応するバンドギャップよりもエネルギーが低い。それでもなおホストからドーパントへ三重項励起子のエネルギーを効率良く伝達することを可能とするためには、ドーパントもより低いバンドギャップを有していなければならない。従って、緑色一重項エミッタドーパントのための典型的な母材、Ａｌｑ３は、実際にはもはや三重項エミッタドーパントのホストとして適切ではない。発光領域ホスト分子の高いバンドギャップのために、層を遮断するには高いバンドギャップを有する材料を使用しなければならない。（層５から６ａへの）正孔遮断材料の一例としては、ＢＣＰまたはＢＰｈｅｎ（ＢＰｈｅｎ−バソフェナントロリン、バンドギャップおよそ３．５ｅＶ、ＨＯＭＯ＝−６．４ｅＶ、ＬＵＭＯ＝−３．０ｅＶ）。ＢＰｈｅｎのバンドギャップは典型的な母材（例えば、ＴＣＴＡ：３．４ｅＶから３．２ｅＶ）よりも少し大きいが、正孔を効率的に遮断することができなければならず、従ってそのＨＯＭＯも低くなければならない。三重項放射ＯＬＥＤに典型的なこの配列の場合、材料ＡおよびＢの間の界面（Ａ＝５の放射層材料、Ｂ＝６ａの遮断層材料）によって、いわゆるねじれタイプIIヘテロ接合が形成される（図２右側を見られたい）。この界面の不可欠な特性は、（異なる側でのみ）同一の界面で両方の種類の荷電担体、即ち陽極から陰極へ向かう正孔および陰極から陽極へ向かう電子が遮断されることである。両方の種類の荷電担体の高まった密度は分子の単層によってのみ分けられるので、界面再結合が可能である。Ａの励起子内のこれらの界面励起子を転送し、後にＡ内の三重項ドーパント（例えば、ＴＣＴＡ内のＩｒ（ｐｐｙ）３）を転送することが可能であれば、発光に関してはこの再結合は効率的である。ここで、電子はＡ内の既に正電荷を帯びた分子に移動するので、（高いＬＵＭＯバリアが存在していても）（Ａからの三重項放射につながる）ＢからＡへの電子の移動が多くの場合においてエネルギー面で好ましいということを考慮に入れなければならない。Ａでのエネルギー安定三重項状態に直ちに到達することができるため、ＡのＬＵＭＯレベルに到達する必要はない。当然、同じ議論でＢに励起子を形成することも可能である。しかし、Ｂは遮断層材料であるため、その三重項状態から放射再結合することができない。このためにＯＬＥＤの効率が低下する。従って、（１．５ｅＶまでの）三重項励起子の高い結合エネルギーのために、三重項状態からの効率の良い発光が可能な材料（前の例においてはＡ）でのみ三重項励起子を形成することができるねじれタイプIIヘテロ接合をＯＬＥＤにおいて容易に形成することが不可能となる。 In a normal OLED, as shown in FIG. 1, the function of the hole blocking layer (6a) is to effectively prevent holes from leaving the emitter region (5). In the case of triplet emitter OLEDs, the light emitting region typically includes a host material with a high band gap (eg, CBP-dicarbazol-biphenyl bipolar transport material, HOMO = -6.3 eV, LUMO = -3.0 eV; BCP, OXD7-bis (butylphenyl) oxadiazole, HOMO = −6.4 eV, LUMO = −2.9 eV, TAZ-phenyl (naphthyl) phenyltriazole = typical electron transporter, TCTA-tri (carbazolyl) tri Phenylamine hole transport material). The band gap is 3.2 to 3.5 eV (these materials emit blue light under photoexcitation). These matrixes are mixed with a triplet emitter dopant having a smaller bandgap (eg, approximately 2.4 eV for green radiation such as Ir (ppy) ₃ ). This large difference between the band gaps of these materials is related to the nature of triplet excitons, ie, the high exciton binding energy of triplet excitons in organic materials. Thus, triplet excitons in the host molecule have lower energy than the corresponding band gap. Nevertheless, in order to be able to efficiently transfer triplet exciton energy from the host to the dopant, the dopant must also have a lower band gap. Thus, the typical matrix for green singlet emitter dopant, Alq3, is no longer suitable as a host for triplet emitter dopants in practice. Due to the high band gap of the light emitting region host molecules, a material with a high band gap must be used to block the layer. An example of a hole blocking material (from layer 5 to 6a) is BCP or BPhen (BPhen-vasophenanthroline, band gap approximately 3.5 eV, HOMO = −6.4 eV, LUMO = −3.0 eV). The band gap of BPhen is slightly larger than a typical base material (eg, TCTA: 3.4 eV to 3.2 eV), but it must be able to block holes efficiently and therefore has a low HOMO. There must be. In this arrangement typical of triplet emitting OLEDs, the interface between materials A and B (A = 5 emitting layer material, B = 6a blocking layer material) forms a so-called twisted type II heterojunction. (See the right side of Figure 2). An essential property of this interface is that both types of charge carriers are blocked at the same interface (only on the different side), ie holes from the anode to the cathode and electrons from the cathode to the anode. Interfacial recombination is possible because the increased density of both types of charge carriers is only separated by a monolayer of molecules. If it is possible to transfer these interfacial excitons in the excitons of A and later transfer a triplet dopant in A (eg Ir (ppy) 3 in TCTA), this recombination for emission Is efficient. Here, since the electrons move to the already positively charged molecules in A (even if there is a high LUMO barrier), the transfer of electrons from B to A (leading to triplet emission from A) It must be taken into account that in many cases it is favorable in terms of energy. Since the energy stable triplet state at A can be reached immediately, it is not necessary to reach A's LUMO level. Of course, excitons can be formed in B in the same argument. However, since B is a barrier layer material, it cannot radiatively recombine from its triplet state. This reduces the efficiency of the OLED. Therefore, due to the high binding energy of triplet excitons (up to 1.5 eV), triplet excitons are formed only with materials that can efficiently emit light from the triplet state (A in the previous example). It becomes impossible to easily form a twisted type II heterojunction in an OLED that can.

従って、本発明の目的は、発生したすべての三重項励起子が発光することができる、または素子内のすべての荷電担体が予め再結合して三重項励起子を形成する素子構造を提案することである。 Accordingly, an object of the present invention is to propose a device structure in which all generated triplet excitons can emit light or all charge carriers in the device recombine in advance to form triplet excitons. It is.

本発明によれば、この目的は請求項１、１２および１３に記載されている特徴によって達成される。従属請求項は有利な改良に関するものである。 According to the invention, this object is achieved by the features described in claims 1 , 12 and 13 . The dependent claims relate to advantageous refinements.

本発明によれば、三重項励起子の発生は、２つの材料Ａ（正孔輸送材料または二極輸送材料）およびＢ（電子輸送材料または二極輸送材料）の間の「ねじれタイプIIヘテロ接合」型の少なくとも１つの内部界面で起こる。ＡおよびＢの間のエネルギー配置は、Ａの正孔とＢ型の直接隣接する分子の電子を含む全スピン１（三重項）を有する界面荷電担体対が、Ａおよび／またはＢで三重項励起子に効率良く変換されることを可能にするのに十分なエネルギーを有するようになされている。素子構造のために、Ａおよび／またはＢで発生したすべての三重項励起子を効率良く可視光に変換することができる。 According to the present invention, the generation of triplet excitons is a “twisted type II heterojunction between two materials A (hole transport material or bipolar transport material) and B (electron transport material or bipolar transport material). Occurs at least one internal interface of the type. The energy configuration between A and B is such that the interfacial charged carrier pair with total spin 1 (triplet) containing the holes of A and the electrons of the B type immediately adjacent molecule is triplet excited at A and / or B. It is designed to have enough energy to allow it to be efficiently converted into a child. Due to the device structure, all triplet excitons generated in A and / or B can be efficiently converted into visible light.

タイプII型のマルチヘテロ接合（「ねじれタイプII」）が発光領域（５）に提供されている。発光領域（５）の構造は、材料Ａ−材料Ｂ−材料Ａ−材料Ｂ．．．（［ＡＢ］_ｎ）の配置に対応しており、以下のような実施の形態および特性が可能である。
・材料Ａは正孔輸送材料（および三重項エミッタドーパントのホスト）であり、材料Ｂは電子輸送材料（および三重項エミッタドーパントのホスト）である。
・材料Ａは二極輸送材料（および三重項エミッタドーパントのホスト）であってもよく、材料Ｂは電子輸送材料（および三重項エミッタドーパントのホスト）である。
・材料Ａは正孔輸送材料（および三重項エミッタドーパントのホスト）であってもよく、材料Ｂは二極輸送材料（および三重項エミッタドーパントのホスト）である。 A type II multi-heterojunction ("twisted type II") is provided in the light emitting region (5). The structure of the light emitting region (5) is as follows: Material A-Material B-Material A-Material B. . . ([AB] _n ), and the following embodiments and characteristics are possible.
Material A is a hole transport material (and triplet emitter dopant host) and Material B is an electron transport material (and triplet emitter dopant host).
Material A may be a bipolar transport material (and host of triplet emitter dopant), and Material B is an electron transport material (and host of triplet emitter dopant).
Material A may be a hole transport material (and triplet emitter dopant host) and Material B is a bipolar transport material (and triplet emitter dopant host).

材料ＡまたはＢの一方のみが三重項エミッタドーパントでドーピングされる場合も本発明の範囲内である。ＡおよびＢの間のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯレベルのエネルギー配列は、「ねじれタイプIIヘテロ接合」型でなければならない（図２右側、図３）。従って、それぞれの界面ＡＢで、正孔は陽極から陰極へ向かう途中で停止し、電子は陰極から陽極へ向かう途中で停止する。（主にバリア高さによって決定される）遮断効率は、電子および正孔に対して異なってもよい。本発明の特殊な場合においては、１つの型の荷電担体は遮断されない。この場合は、界面も「ねじれタイプIIヘテロ接合」型とみなされる。発光領域の界面の数ｎは１以上としてもよい（例えば、図３においてはｎ＝３）。ｎ＝１の場合、構造を本発明の範囲内とするためにはＡおよびＢの両方の材料を三重項エミッタドーパントでドーピングしなければならない。層ＡＢＡＢＡＢ．．．の層厚は同一である必要はなく、むしろ発光領域における荷電担体の均一な分布が可能になり、かつ、各内部界面での荷電担体の密度が高くなるように選択されなければならない。この非同一の分布は、特に材料ＡおよびＢのいずれかが２種類の荷電担体のいずれか（例えば、図３に示されたエネルギーレベル配列の場合の正孔）に対してより強力な遮断となっている場合には重要である。従って、（例における材料Ｂの）対応する層厚は、十分な荷電担体が突き抜けることが可能な厚さでなければならない。 It is within the scope of the present invention if only one of materials A or B is doped with a triplet emitter dopant. The energy sequence at the HOMO and LUMO levels between A and B must be of the “twisted type II heterojunction” type (right side of FIG. 2, FIG. 3). Accordingly, at each interface AB, holes stop on the way from the anode to the cathode, and electrons stop on the way from the cathode to the anode. The blocking efficiency (mainly determined by the barrier height) may be different for electrons and holes. In the special case of the invention, one type of charge carrier is not blocked. In this case, the interface is also regarded as a “twisted type II heterojunction” type. The number n of the interfaces of the light emitting regions may be 1 or more (for example, n = 3 in FIG. 3). When n = 1, both A and B materials must be doped with a triplet emitter dopant in order for the structure to be within the scope of the present invention. Layer ABABAB. . . The layer thicknesses of the layers need not be the same, but rather should be selected so that a uniform distribution of charge carriers in the light emitting region is possible and the density of charge carriers at each internal interface is high. This non-identical distribution is particularly strong when either material A and B has a stronger blocking for either of the two types of charge carriers (eg, holes in the case of the energy level arrangement shown in FIG. 3). It is important if it is. The corresponding layer thickness (of material B in the example) must therefore be such that sufficient charge carriers can penetrate.

関連する層の一方のみを三重項エミッタドーパントでドーピングする場合（図３のように材料Ａのみ）、他方の層は、ヘテロ接合界面の電子および正孔の密度を高く維持する働きをする。即ち、この材料は、電子輸送材料である場合には効率良く正孔を遮断しなければならず、正孔輸送材料である場合には効率良く電子を遮断しなければならない。また、ドーピングされていない材料は、三重項エミッタでドーピングされた材料よりも大きなバンドギャップを有していなければならない。さらに、ドーピングされていない材料の三重項励起子のエネルギーは、ドーピングされた材料の三重項励起子のエネルギーよりも大きいかまたはそれと同等でなければならない。そのため、ドーピングされていない材料（例えば、Ｂ）に励起子が形成された場合、これが隣の界面ＡＢに拡散することができ、そのエネルギーをドーピングされた材料（ここではＡ）の三重項励起子へ放出することができ、または（ここではＡ内の）三重項エミッタドーパントへ三重項励起子エネルギーを効率的に直接移動させることができるようになる。Ｂの三重項励起子の寿命が長いため、このエネルギーの伝達は、ほとんど１００％の確率で行われる。 When only one of the relevant layers is doped with a triplet emitter dopant (only material A as in FIG. 3), the other layer serves to maintain a high electron and hole density at the heterojunction interface. That is, when this material is an electron transport material, it must block holes efficiently, and when it is a hole transport material, it must block electrons efficiently. Also, the undoped material must have a larger band gap than the material doped with the triplet emitter. Furthermore, the triplet exciton energy of the undoped material must be greater than or equal to the triplet exciton energy of the doped material. Thus, if an exciton is formed in an undoped material (eg, B), it can diffuse to the adjacent interface AB and its energy is triplet exciton of the doped material (here A). Or triplet exciton energy can be efficiently transferred directly to the triplet emitter dopant (here in A). Due to the long lifetime of B triplet excitons, this energy transfer is almost 100% probable.

内部界面ＡＢでの励起子密度が非常に高いために「界面励起子飽和」の効果が顕著な場合、ここに提供された構造によって同様に、第１の界面領域ＡＢから出た荷電担体は、再結合して隣の界面ＡＢで三重項励起子を形成することができる。 If the effect of “interface exciton saturation” is significant due to the very high exciton density at the internal interface AB, the structure provided here also gives the charge carriers emanating from the first interface region AB Recombination can form triplet excitons at the adjacent interface AB.

「ねじれタイプIIヘテロ接合」型の複数の界面から構成される発光領域（５）の構造は以下を同時に可能にする。
・すべての正孔および電子が反対側の接点に到達せずに再結合することができる。
・すべての正孔および電子が発光領域の活性界面の近傍で再結合する。
・すべての励起子が発光領域から出ることができない。
・すべての励起子は、それらのエネルギーを発光領域全体または発光領域の一部にある三重項エミッタドーパントへ伝達することができる発光領域の範囲で発生する。 The structure of the light emitting region (5) composed of a plurality of “twisted type II heterojunction” interfaces enables the following simultaneously.
-All holes and electrons can recombine without reaching the opposite contact.
• All holes and electrons recombine near the active interface in the light emitting region.
• Not all excitons can leave the emission region.
• All excitons are generated in the region of the light emitting region that can transfer their energy to the triplet emitter dopant in the entire light emitting region or part of the light emitting region.

本発明は、上述の従来の三重項ＯＬＥＤの問題のすべてを回避することを可能とし、（低動作電圧等の）さらなる特性を最適化するために必要とされる材料の選択をさらに制限することなく、このようなＯＬＥＤの可能な限り最も高い効率を得ることを可能にする。 The present invention makes it possible to avoid all the problems of the above-mentioned conventional triplet OLEDs and to further limit the selection of materials needed to optimize further properties (such as low operating voltage). Without making it possible to obtain the highest possible efficiency of such OLEDs.

代表的な実施の形態を用いて本発明について図面を参照して説明する。
本発明の好ましい実施の形態を以下に示す。発光領域（５）内のマルチヘテロ接合の一般的な場合が示されている。 The present invention will be described with reference to the drawings using typical embodiments.
Preferred embodiments of the present invention are shown below. The general case of a multi-heterojunction in the light emitting region (5) is shown.

三重項励起子が放射されるＯＬＥＤは以下の層を含んでいる。 An OLED from which triplet excitons are emitted includes the following layers.

例１
１．基板
２．底部電極、例えば正孔注入（陽極）
３．正孔注入層
４．正孔輸送層（ＨＴＬ）
４ａ．可能な限り遮断層、正孔側
発光領域＝マルチヘテロ接合（ｎ＝３）
５Ａ１ｄ．エミッタドーパントでドーピングされた正孔輸送層（または二極輸送材料）
５Ｂ１ｄまたは５Ｂ１ｕ．可能な限りエミッタドーパントでドーピングされた電子輸送層（または二極輸送材料）
５Ａ２ｄ．エミッタドーパントでドーピングされた正孔輸送層（または二極輸送材料）
５Ｂ２ｄまたは５Ｂ２ｕ．可能な限りエミッタドーパントでドーピングされた電子輸送層（または二極輸送材料）
５Ａ３ｄ．エミッタドーパントでドーピングされた正孔輸送層（または二極輸送材料）
５Ｂ３ｄまたは５Ｂ３ｕ．可能な限りエミッタドーパントでドーピングされた電子輸送層（または二極輸送材料）
６．電子輸送層（ＥＴＬ）
７．電子注入層
８．上部電極（陰極）
９．カプセル化
界面層ＡＢＡＢ．．．は、「ねじれタイプIIヘテロ接合」型である。 Example 1
1. Substrate 2. Bottom electrode, eg hole injection (anode)
3. Hole injection layer 4. Hole transport layer (HTL)
4a. Blocking layer as much as possible, hole side emission region = multi-heterojunction (n = 3)
5A1d. Hole transport layer doped with emitter dopant (or bipolar transport material)
5B1d or 5B1u. Electron transport layer (or bipolar transport material) doped with emitter dopant as much as possible
5A2d. Hole transport layer doped with emitter dopant (or bipolar transport material)
5B2d or 5B2u. Electron transport layer (or bipolar transport material) doped with emitter dopant as much as possible
5A3d. Hole transport layer doped with emitter dopant (or bipolar transport material)
5B3d or 5B3u. Electron transport layer (or bipolar transport material) doped with emitter dopant as much as possible
6). Electron transport layer (ETL)
7). Electron injection layer 8. Upper electrode (cathode)
9. Encapsulated interface layer ABAB. . . Is a “twisted type II heterojunction” type.

典型的に今説明した実施の形態を実現する場合、以下の材料順序となる（図４を参照）。これらの材料は、本発明による層シーケンスを実証することを目的とする例である。 Typically, when implementing the embodiment just described, the following material sequence is used (see FIG. 4): These materials are examples intended to demonstrate the layer sequence according to the invention.

例２
１．ガラス基板
２．ＩＴＯ陽極
４．１００ｎｍのＦ４−ＴＣＮＱでドーピングされたスターバースト（ＭＴＤＡＴＡ）（伝導率が上昇）
４ａ．ＴＰＤ（トリフェニルジアミン）５ｎｍ、ＨＯＭＯ＝−５．４ｅＶ、ＬＵＭＯ＝−２．４ｅＶ、発光領域＝マルチヘテロ接合（ｎ＝３）
５Ａ１ｄ．１０ｎｍの三重項エミッタとしてのＩｒ（ｐｐｙ）３でドーピングされたＴＣＴＡ
５Ｂ１ｕ．ＢＰｈｅｎ５ｎｍ
５Ａ２ｄ．ＴＣＴＡ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３１５ｎｍ
５Ｂ２ｕ．ＢＰｈｅｎ５ｎｍ
５Ａ３ｄ．ＴＣＴＡ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３２ｎｍ
５Ｂ３ｕ．ＢＰｈｅｎ１０ｎｍ
６．Ａｌｑ３４０ｎｍ
７．ＬｉＦ（フッ化リチウム）１ｎｍ
８．アルミニウム（陰極）
この場合、界面ＡＢは、界面ＡＢで正孔がより効率的に遮断されるように実現される。これは、材料Ａのみがエミッタドーパントでドーピングされるために、材料Ａにおいてはより高い荷電担体密度でなければならないので、必要である。しかし、さらに重要なことは、Ｂにおける三重項励起子がＡのものよりも大きなエネルギーを有することである。従って、Ｂで発生した励起子を、後にＡで励起子（またはＡのエミッタドーパント）に変換することができる。 Example 2
1. 1. Glass substrate ITO anode 4. 100nm F4-TCNQ doped starburst (MTDATA) (increased conductivity)
4a. TPD (triphenyldiamine) 5 nm, HOMO = −5.4 eV, LUMO = −2.4 eV, light emitting region = multi-heterojunction (n = 3)
5A1d. TCTA doped with Ir (ppy) 3 as a 10 nm triplet emitter
5B1u. BPhen 5nm
5A2d. TCTA: Ir (ppy) 3 15 nm
5B2u. BPhen 5nm
5A3d. TCTA: Ir (ppy) 3 2 nm
5B3u. BPhen 10nm
6). Alq3 40nm
7). LiF (lithium fluoride) 1nm
8). Aluminum (cathode)
In this case, the interface AB is realized such that holes are blocked more efficiently at the interface AB. This is necessary because only material A is doped with the emitter dopant, so material A must have a higher charge carrier density. More importantly, however, the triplet exciton in B has a higher energy than that of A. Thus, excitons generated at B can later be converted to excitons (or A emitter dopant) at A.

図４のエネルギーレベル配列から以下のことが明らかである。
・内部三重項エミッタドープ層ＴＣＴＡ（５Ａ２、層５Ａ１および５Ａ３に関しても同じ説明が当てはまる）で発生した励起子は、ＢＰｈｅｎの三重項状態がより大きなエネルギーを有しているため、内部三重項エミッタドープ層ＴＣＴＡから出ることができない。
・層５Ｂ１および５Ｂ２発生した励起子を、両方向にＴＣＴＡとの界面、即ちＩｒ（ｐｐｙ）３へ拡散することができ、そこでＴＣＴＡまたはＩｒ（ｐｐｙ）３の三重項励起子に変換することができる（これらの三重項励起子のエネルギーはより低い）。三重項励起子は発光を伴って再結合する。
・発光領域を貫通する正孔は、後に５Ａ３と５Ｂ３との界面で再結合して、三重項励起子を形成すること、主に５Ａ３のもの（ここではＴＣＴＡ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）を形成することができる。
・発光領域を貫通する電子は、後に５Ａ１と４Ａとの界面で再結合することができ、正孔が前記界面にある（正孔は５Ａ１との界面４ａで弱く遮断されている）。そこで、（５Ａ１の）ＴＣＴＡまたはＩｒ（ｐｐｙ）３で励起子を形成することができる。 The following is clear from the energy level arrangement of FIG.
The exciton generated in the internal triplet emitter doped layer TCTA (the same description applies to 5A2, layers 5A1 and 5A3) has a higher energy in the triplet state of BPhen, so the internal triplet emitter doping Cannot exit layer TCTA.
The excitons generated in layers 5B1 and 5B2 can diffuse in both directions to the interface with TCTA, ie Ir (ppy) 3, where they can be converted into triplet excitons of TCTA or Ir (ppy) 3 (The energy of these triplet excitons is lower). Triplet excitons recombine with light emission.
-Holes penetrating the light emitting region will recombine later at the interface between 5A3 and 5B3 to form triplet excitons, mainly 5A3 (here TCTA: Ir (ppy) 3) can do.
Electrons penetrating the light emitting region can later recombine at the interface between 5A1 and 4A, and the holes are at the interface (the holes are weakly blocked at the interface 4a with 5A1). Thus, excitons can be formed with TCTA (of 5A1) or Ir (ppy) 3.

各種の層の厚さは、発光領域内で正孔と電子との良好なバランスが取られるように選択される（遮断効果と荷電担体輸送とのバランス）。従って、最後のＴＣＴＡ、即ちＩｒ（ｐｐｙ）３層（５Ａ３）の厚さは層５Ａ１および５Ａ２の厚さよりも小さい。これによって、ＴＣＴＡは電子注入に関しては比較的低いバリアを有するが、電子の移動性が低いため、他のエミッタドープ層（５Ａ１および５Ａ２）への良好な電子注入が可能となる。しかし、層５Ａ３の厚さは、前記層に到達する残りの正孔がそこに存在する電子と再結合することができるのに十分に大きなものである。形成されたすべての励起子は、三重項エミッタドーパントを介して減衰することができる発光領域の一部に到達することができるため、すべての注入された正孔および電子は発光領域内で再結合し、後に放射減衰する。発光領域内の遮断層および電子輸送材料（ＢＰｈｅｎ）が同一のまたは異なる三重項エミッタドーパントで同様にドーピングされる場合、ＯＬＥＤは同様に良好に機能する。 The thicknesses of the various layers are selected so that a good balance between holes and electrons is achieved in the light emitting region (balance between blocking effect and charge carrier transport). Thus, the thickness of the last TCTA, Ir (ppy) 3 layer (5A3), is smaller than the thickness of layers 5A1 and 5A2. This allows TCTA to have a relatively low barrier with respect to electron injection, but because of its low electron mobility, good electron injection into the other emitter-doped layers (5A1 and 5A2) is possible. However, the thickness of layer 5A3 is large enough so that the remaining holes reaching the layer can recombine with the electrons present there. All formed excitons can reach a part of the emission region that can be attenuated via the triplet emitter dopant, so that all injected holes and electrons recombine within the emission region. And later attenuated by radiation. OLEDs perform equally well when the blocking layer and the electron transport material (BPhen) in the light emitting region are similarly doped with the same or different triplet emitter dopants.

２つの上記の例においてはｎ＝３であったヘテロ接合の数は、より大きくても小さくても良い。ｎ＝１の場合、本発明による構造を実現するためには、ヘテロ接合の材料ＡおよびＢの両方とも三重項エミッタドーパントでドーピングしなければならない。代表的な材料を用いた好ましい代表的な実施の形態は以下の通りである（図５を参照）。 The number of heterojunctions where n = 3 in the two above examples may be larger or smaller. When n = 1, both heterojunction materials A and B must be doped with a triplet emitter dopant in order to realize the structure according to the invention. A preferred exemplary embodiment using representative materials is as follows (see FIG. 5).

例３
１．基板
２．底部電極、例えばＩＴＯ陽極
３．正孔注入層、例えばフタロシアニン
４．正孔輸送層、例えばＭＴＤＡＴＡ：Ｆ４−ＴＣＮＱ
４ａ．正孔側の遮断層、例えばＴＰＤ
発光領域＝マルチヘテロ接合（ｎ＝１）
５Ａ１ｄ．エミッタドーパント、例えばＴＣＴＡ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３でドーピングされた正孔輸送層
５Ｂ１ｄ．エミッタドーパント、例えばＢＰｈｅｎ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３でドーピングされた電子輸送層および正孔遮断層
６ａ．電子側の遮断層、例えばＢＣＰ
６．電子輸送層、例えばＡｌｑ３
７．電子注入層、例えばＬｉｆ
８．上部電極（陰極）、例えばアルミニウム Example 3
1. Substrate 2. 2. bottom electrode, eg ITO anode 3. hole injection layer, for example phthalocyanine Hole transport layer, eg MTDATA: F4-TCNQ
4a. Hole side blocking layer, eg TPD
Light emitting region = multi-heterojunction (n = 1)
5A1d. A hole transport layer 5B1d. Doped with an emitter dopant, eg TCTA: Ir (ppy) 3. Electron transport and hole blocking layers 6a. Doped with emitter dopants, eg BPhen: Ir (ppy) 3. Electronic side blocking layer, eg BCP
6). Electron transport layer, eg Alq3
7). Electron injection layer, eg, Lif
8). Upper electrode (cathode), for example aluminum

このＯＬＥＤ構造の励起子形成も同様に界面５Ａ１および５Ｂ１の近傍で行われる（この界面は「ねじれタイプIIヘテロ接合」を形成するため）。界面励起子はそれらのエネルギーを層５Ａ１または５Ｂ１の三重項励起子へ伝達することができる。両方の層は三重項エミッタドーパントでドーピングされる。これらはそこで拡散することができるが、４ａおよび６ａとの界面で停止するため、ドーピングされた層内で放射減衰する。両方とも三重項エミッタでドーピングされた正孔輸送材料および電子輸送材料を使用することによって、すべての励起子が放射再結合することができる。 The exciton formation of this OLED structure is similarly performed in the vicinity of the interfaces 5A1 and 5B1 (because this interface forms a “twisted type II heterojunction”). The interface excitons can transfer their energy to the triplet excitons in the layer 5A1 or 5B1. Both layers are doped with a triplet emitter dopant. They can diffuse there, but stop at the interface with 4a and 6a and thus radiatively decay in the doped layer. By using a hole transport material and an electron transport material both doped with a triplet emitter, all excitons can be radiatively recombined.

図６は、代表的な実施の形態の例３によるサンプルの電流効率／電流密度特性曲線を示している。正確なＯＬＥＤ構造は次のとおりである。ＩＴＯ／１００ｎｍのｐドープＭＴＤＡＴＡ（４）／１０ｎｍのＩｒ（ｐｐｙ）３ドープＴＣＴＡ（５Ａ１ｄ）／１０ｎｍのＩｒ（ｐｐｙ）３ドープＢＰｈｅｎ（５Ｂ１ｄ）／４０ｎｍのＢＰｈｅｎ（６）／１ｍのＬｉＦ（７）／Ａｌ（８）。この実施の形態においては、層（４）は正孔輸送および遮断層特性を兼ね備えている。 FIG. 6 shows a current efficiency / current density characteristic curve of a sample according to Example 3 of the representative embodiment. The exact OLED structure is as follows. ITO / 100 nm p-doped MTDATA (4) / 10 nm Ir (ppy) 3-doped TCTA (5A1d) / 10 nm Ir (ppy) 3-doped BPhen (5B1d) / 40 nm BPhen (6) / 1 m LiF (7) / Al (8). In this embodiment, layer (4) has both hole transport and blocking layer properties.

代表的な材料を用いたさらなる代表的な実施の形態が以下に示されており、その光電子特性が（発光領域にヘテロ接合のない）標準的なサンプルと比較されている。 Further exemplary embodiments using exemplary materials are shown below, and their optoelectronic properties are compared to a standard sample (no heterojunction in the light emitting region).

例４
１．基板
２．ＩＴＯ陽極
４．ＭＴＤＡＴＡ：Ｆ４−ＴＣＮＱ１００ｎｍ
発光領域＝マルチヘテロ接合（ｎ＝２）
５Ａ１ｄ．ＴＣＴＡＩｒ（ｐｐｙ）３２０ｎｍ
５Ｂ１ｕ．１０ｎｍ
５Ａ２ｄ．ＴＣＴＡ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３１．５ｎｍ
５Ｂ２ｕ．ＢＰｈｅｎ２０ｎｍ
６．Ａｌｑ３３０ｎｍ
７．ＬｉＦ１ｎｍ
８．アルミニウム
（ｉ）ＭＴＤＡＴＡは既に効率的に電子を遮断し、（ｉｉ）マルチヘテロ接合の最後の層（５Ｂ２）は同様に既に正孔のための遮断層として機能しているので、この構造においては遮断層を省略した。 Example 4
1. Substrate 2. ITO anode 4. MTDATA: F4-TCNQ 100nm
Light emitting region = multi-heterojunction (n = 2)
5A1d. TCTA Ir (ppy) 3 20nm
5B1u. 10nm
5A2d. TCTA: Ir (ppy) 3 1.5 nm
5B2u. BPhen 20nm
6). Alq3 30nm
7). LiF 1nm
8). Aluminum (i) MTDATA already effectively blocks electrons, and (ii) the last layer (5B2) of the multi-heterojunction is already functioning as a blocking layer for holes, so in this structure The barrier layer was omitted.

標準的な構造は以下を備えている。
標準的な構造
２：ＩＴＯ
４：ＭＴＤＡＴＡ：Ｆ４ＴＣＮＱ１００ｎｍ
５：ＴＣＴＡ：Ｉｒｐｐｙ２０ｎｍ
６ａ：ＢＰｈｅｎ２０ｎｍ
６：Ａｌｑ３３０ｎｍ
７：ＬｉＦ１ｎｍ
８：Ａｌ The standard structure comprises:
Standard structure 2: ITO
4: MTDATA: F4TCNQ 100 nm
5: TCTA: Irppy 20 nm
6a: BPhen 20nm
6: Alq3 30 nm
7: LiF 1 nm
8: Al

図６において、これら２つのＯＬＥＤの効率を（電流密度の関数として）比較した。マルチヘテロ接合のない場合の効率は高くても２０ｃｄ／Ａであり、マルチヘテロ接合（ｎ＝２）のある場合の効率は４０ｃｄ／Ａよりも高い。ＯＬＥＤ内で他の材料を用いずに、２の因数によってＯＬＥＤ効率を上げることができた。図６は、例３によるＯＬＥＤの効率曲線を補足的に示している。これは、効率の倍増をも示している。 In FIG. 6, the efficiency of these two OLEDs was compared (as a function of current density). The efficiency without a multi-heterojunction is at most 20 cd / A, and the efficiency with a multi-heterojunction (n = 2) is higher than 40 cd / A. OLED efficiency could be increased by a factor of 2 without using other materials in the OLED. FIG. 6 supplementarily shows the efficiency curve of the OLED according to Example 3. This also shows a doubling of efficiency.

サンプルの絶対層厚はほぼ同一であり、有機層の屈折率はわずかに異なるのみであるので、電流効率の向上は微小空洞効果に起因する可能性はない。従って、順方向に輝度が高まることは期待できない。 Since the absolute layer thickness of the samples is almost the same and the refractive index of the organic layer is only slightly different, the improvement in current efficiency cannot be attributed to the microcavity effect. Therefore, it cannot be expected that the luminance increases in the forward direction.

ＯＬＥＤの発光領域におけるヘテロ接合は、一重項励起子状態の放射を行うＯＬＥＤより知られている。本発明とは対照的に、これらは通常、いわゆる多量子井戸構造においてドーピングされていない層を使用している（Ｙ．Ｏｈｍｏｒｉｅｔａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６２（１９９３）３２５０；Ｙ．Ｏｈｍｏｒｉｅｔａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６３（１９９３）１８７１）。これらの量子井戸構造（超格子または多層構造と呼ばれることもある）は、ＯＬＥＤの発光スペクトルが影響を受けることができるように設計されている。しかし、このような構造（例えば、ＴＰＦと交互のＡｌｑ３；この界面もタイプIIの１つである）はＯＬＥＤの効率を大幅に高めるものではないことが判明している。Ｍｏｒｉ等（Ｔ．Ｍｏｒｉｅｔａｌ．Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｄ ― Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３２（１９９９）１１９８）は、発光領域における一重項エミッタドーパントを有するＯＬＥＤでの積層構造の効果を調査し、ＯＬＥＤの効率が低下することも確認している。従って、多層発光領域タイプIIは、一重項放射の場合においては、上述の三重項放射の場合と異なる機能をする。これは、上述のように、三重項励起子の寿命の方が長いことおよび励起子結合エネルギーが高まったことに関連している。これは、一重項励起子がタイプIIの界面を比較的容易に構成することができ、そこで界面の一方の側、即ち好ましくは一重項励起子状態の放射再結合の収率がより高い側のみで励起子が形成されるためである。しかし、三重項励起子の結合エネルギーはより高いため、これらの三重項励起子は界面の両方の材料で形成される。この特許で提案されている構造に基づく素子には、正孔および電子を効率的に「収集」し、それらを光に変換することができるという利点がある。 Heterojunctions in the light emitting region of OLEDs are known from OLEDs that emit in the singlet exciton state. In contrast to the present invention, these typically use undoped layers in so-called multi-quantum well structures (Y. Ohmori et al. Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 3250; Y. Ohmori). et al. Appl.Phys.Lett.63 (1993) 1871). These quantum well structures (sometimes called superlattices or multilayer structures) are designed so that the emission spectrum of the OLED can be affected. However, it has been found that such a structure (eg Alq3 alternating with TPF; this interface is also a type II) does not significantly increase the efficiency of the OLED. Mori et al. (T. Mori et al. J. Phys. D—Appl. Phys. 32 (1999) 1198) investigated the effect of stacked structures in OLEDs with singlet emitter dopants in the emission region. It has also been confirmed that the decrease. Therefore, the multilayer light emitting region type II functions differently in the case of singlet radiation than in the case of triplet radiation described above. This is related to the longer lifetime of triplet excitons and the increased exciton binding energy, as described above. This is because singlet excitons can relatively easily construct a Type II interface, where only one side of the interface, preferably the side with the higher yield of radiative recombination in the singlet exciton state. This is because excitons are formed. However, because triplet excitons have higher binding energies, these triplet excitons are formed of both materials at the interface. Devices based on the structure proposed in this patent have the advantage of being able to efficiently “collect” holes and electrons and convert them to light.

Ｈｕａｎｇ等による論文（Ｊ．Ｓ．ＨｕａｎｇＪｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４０（２００１）６６３０）では多量子井戸構造を提示しており、スピロ−ＴＡＤ（安定した種類の材料ＴＰＤ）およびＡｌｑ３（即ち、タイプIIの界面）を用いて、標準的な構造の発光領域（５）を構成している。その場合においても効率の明らかな向上は見られなかった（４．５Ｖの動作電圧で４から４．５ｃｄ／Ａ）。一方、Ｈｕａｎｇ等（Ｊ．Ｓ．Ｈｕａｎｇｅｔａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７３（１９９８）３３４８）によって、発光領域（５）におけるＡｌｑ３およびＡｌｑ３でドーピングされたルブレン（オレンジ色の一重項エミッタ金型）を用いた多層構造の場合には、効率の明らかな向上があることが分かった。この構造は、ルブレンドープ層の励起子のみが収集されるＩ型ヘテロ接合を形成するため、この特許に一致するものではない。一重項エミッタＯＬＥＤに対するさらなる取り組みとしては、Ｓａｋａｍｏｔｏ等によるものがある（Ｇ．Ｓａｋａｍｏｔｏｅｔａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７５（１９９９）７６６）。Ｓａｋａｍｏｔｏは、陽極／正孔注入層／ルブレンでドーピングされた正孔輸送層／電子輸送層およびルブレンでドーピングされたエミッタ層（Ａｌｑ３）／陰極のような層シーケンスを有するＯＬＥＤ構造を提示した。この素子の効率は、発光層のみがルブレンでドーピングされた素子と比較すると若干の向上が可能なだけであった。主な効果は、ＯＬＥＤの寿命が延びたことであった。発光層Ａｌｑ３の自由正孔の密度が低下したことによって安定性が高くなるが、そのためにＡｌｑ３の不可逆的酸化が低下する。二重ドープＯＬＥＤの効率の僅かな向上は、発光層における正孔および電子のバランスが向上したことによるものと考えられる。 The paper by Huang et al. (JS Huang Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 6630) presents a multi-quantum well structure, and spiro-TAD (a stable type of material TPD) and Alq3 (ie , Type II interface) to form a light emitting region (5) having a standard structure. Even in that case, no clear improvement in efficiency was observed (4 to 4.5 cd / A at an operating voltage of 4.5 V). On the other hand, Huang et al. (JS Huang et al. Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 3348) doped rubrene (orange singlet emitter mold with Alq3 and Alq3 in the light emitting region (5). In the case of a multilayer structure using), it has been found that there is a clear improvement in efficiency. This structure is not consistent with this patent because it forms a type I heterojunction where only the excitons of the lubroop layer are collected. A further approach to singlet emitter OLEDs is by Sakamoto et al. (G. Sakamoto et al. Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 766). Sakamoto presented an OLED structure with a layer sequence such as anode / hole injection layer / rubrene doped hole transport layer / electron transport layer and rubrene doped emitter layer (Alq3) / cathode. The efficiency of this device could only be slightly improved compared to a device in which only the light emitting layer was doped with rubrene. The main effect was that the lifetime of the OLED was extended. Although the stability is increased by reducing the density of free holes in the light emitting layer Alq3, the irreversible oxidation of Alq3 is reduced. The slight improvement in the efficiency of the double-doped OLED is thought to be due to the improved balance of holes and electrons in the light emitting layer.

上述の例は、ここに示した概念を説明するものである。専門家は、ここにそのすべてを詳細に記載することのできない本発明に合致する多くのさらなる代表的な実施の形態を提案してもよい。例えば、材料Ｃが材料Ａと同様の特性（正孔輸送または二極輸送）を有し、材料Ｄが材料Ｂと同様の特性（電子輸送または二極輸送）を有し、且つ界面がタイプIIである場合、素子構造ＡＢＡＢ．．．はＡＢＣＤ．．．型であってもよいことは明らかである。 The above example illustrates the concept presented here. The expert may propose a number of further exemplary embodiments consistent with the present invention, not all of which can be described in detail here. For example, material C has the same properties (hole transport or bipolar transport) as material A, material D has the same properties (electron transport or bipolar transport) as material B, and the interface is type II. The device structure ABAB. . . Is ABCD. . . It is clear that it may be a mold.

エネルギーレベルに対する印加電圧、バンドの曲がりまたは界面効果影響のない、序説で説明された公知のＯＬＥＤ構造の概略エネルギー図を示している。FIG. 2 shows a schematic energy diagram of a known OLED structure described in the introduction without applied voltage, band bending or interface effect effects on energy level. 右側の「Ｉ型ヘテロ接合」に対応するエネルギーレベル配列と共に材料ＡおよびＢ間における概略エネルギー図を左側に示しており、ＡおよびＢの間の界面の「ねじれタイプIIヘテロ接合」配列に対しても同様であり、この例においては正孔遮断効果がより大きく（より高いバリア）示されている。A schematic energy diagram between materials A and B is shown on the left, with an energy level arrangement corresponding to the right "Type I heterojunction", for the "twisted type II heterojunction" arrangement of the interface between A and B The hole blocking effect is shown to be larger (higher barrier) in this example. ｎ＝３（ＡＢＡＢＡＢ）の「ねじれタイプIIヘテロ接合」型のマルチヘテロ接合構造の概略エネルギー図を示しており、ここでは材料Ａのみが三重項エミッタドーパントでドーピングされ、完全にするため、周囲の層のエネルギー位置が均等に示されている（４または４ａ、６または６ａ）。FIG. 6 shows a schematic energy diagram of a “twisted type II heterojunction” type multi-heterojunction structure with n = 3 (ABABAB), where only material A is doped with a triplet emitter dopant and is The energy positions of the layers are shown equally (4 or 4a, 6 or 6a). （以下の）例２で説明されるような配列、ＡＢＡＢＡＢ構造における概略的な状態を示している。FIG. 2 shows the schematic state in an array, ABABAB structure as described in Example 2 (below). （以下の）例３で説明されるような配列、ＡＢ構造（ＡおよびＢはドーピングされている）における概略的な状態を示している。Fig. 4 shows the schematic state in an arrangement, AB structure (A and B are doped) as described in Example 3 (below). 標準的なＯＬＥＤ、例４のＯＬＥＤ（ｎ＝２）および例３のＯＬＥＤ（ｎ＝１、ドーピングされた正孔輸送層およびドーピングされた電子輸送層を有する）についての電流密度特性曲線に対する電流効率曲線を示している。Current efficiency versus current density characteristic curve for standard OLED, OLED of Example 4 (n = 2) and OLED of Example 3 (n = 1, with doped hole transport layer and doped electron transport layer) A curve is shown.

Explanation of symbols

１基板
２陽極または陰極
３（伝導率を高めるために可能な限りドーピングされた）正孔注入層
４（伝導率を高めるために可能な限りドーピングされた）正孔輸送層
４ａ正孔側の遮断層
５発光層、様々な層を含んでもよい
５Ａ１ｄ、５Ａ２ｄ、５Ａ３ｄエミッタドーパントでドーピングされたＡ型のマルチヘテロ接合材料（正孔輸送）
５Ｂ１ｄ、５Ｂ２ｄ、５Ｂ３ｄエミッタドーパントでドーピングされたＢ型のマルチヘテロ接合材料（電子輸送および正孔遮断）
５Ｂ１ｕ、５Ｂ２ｕ、５Ｂ３ｕエミッタドーパントでドーピングされたＢ型のマルチヘテロ接合材料（電子輸送および正孔遮断）
６ａ電子側の遮断層
６（伝導率を高めるために可能な限りドーピングされた）電子輸送層
７（伝導率を高めるために可能な限りドーピングされた）電子注入層
８陰極
９カプセル化
Ａヘテロ接合の第１の部分
Ｂヘテロ接合の第２の部分 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode or cathode 3 Hole injection layer 4 (doped as much as possible to increase conductivity) Hole transport layer 4a (doped as much as possible to increase conductivity) Hole transport layer 4a Hole side blocking Layer 5 Light-emitting layer, may include various layers 5A1d, 5A2d, 5A3d A-type multi-heterojunction material doped with emitter dopant (hole transport)
5B1d, 5B2d, 5B3d B-type multi-heterojunction material doped with emitter dopant (electron transport and hole blocking)
5B1u, 5B2u, 5B3u B-type multi-heterojunction material doped with emitter dopant (electron transport and hole blocking)
6a Electron side blocking layer 6 Electron transport layer 7 (doped as much as possible to increase conductivity) 7 Electron injection layer 8 (doped as much as possible to increase conductivity) 8 Cathode 9 Encapsulation A Heterojunction First part B of the heterojunction second part

Claims

Having an organic layer, emitting triplet exciton states (phosphorescence) with increased efficiency and having a hole injection contact (anode), one or more hole injection and transport layers, and a plurality of layers in the light emitting region A light emitting device having a layer sequence comprising a system, one or more electron transport and injection layers, and an electron injection contact (cathode),
The light emitting region includes a multi-heterojunction laminate (ABAB...) In which materials A and B heterojunctioned to each other at a “twisted type II” type interface are formed , and one material (A) is It has hole transport or bipolar transport properties, the other material (B) has electron transport or bipolar transport properties, and at least one of the two materials A and B has its triplet exciton energy efficient. And a triplet emitter dopant capable of converting light into a light emitting device.

The light emitting device according to claim 1 , wherein the heterojunction occurs in the light emitting region between 2 times (A1, B1, A2, B2) and 10 times ([AB] ₁₀ ) .

The light emitting device according to claim 1, wherein both materials of the multi-heterostructure in the light emitting region are mixed with the same triplet emitter dopant by doping.

Multi material A heterostructure is mixed with one triplet emitter dopant, material B is characterized in that it is mixed with other triplet emitter dopant, the light emitting device according to claim 1 or 2.

Material A (or material B) is mixed with a triplet emitter dopant, material B (or A) is not mixed with the dopant, and the lowest triplet state energy in B (or A) is the material A (or The energy of the triplet state of B) is at least as large as that of the triplet exciton of B so that it can be efficiently transferred to the triplet exciton of A. Or the light emitting element of 2 .

Material A (or material B) is mixed with a triplet emitter dopant, and material B (or A) is mixed with an emitter dopant that can efficiently emit light from a singlet state, most of the B (or A). The energy of the low triplet state is at least as large as the energy of the triplet state of material A (or B), so that the energy of the triplet exciton of B is efficiently transferred to the triplet exciton of A. characterized in that it can be light emitting device of claim 1 or 2.

Materials A and B and the emitter dopant, characterized in that it is selected so as to be able to perform efficient energy transfer from the singlet and triplet excitons of A and B to the emitter dopant, claim 1 The light emitting element in any one of thru | or 6.

The thickness of the individual layers (A1, B1, A2, B2,...) In the light emitting region is selected to achieve the maximum efficiency and the lowest operating voltage of the OLED , The light emitting device according to claim 1.

The layer sequence includes a blocking layer between the innermost hole transport layer and the first light-emitting layer (A1), wherein a barrier against electron injection from A1 to the hole transport layer exists. The light emitting device according to claim 1.

The layer sequence further includes a blocking layer between the innermost electron transport layer and the last light emitting layer (Bn), wherein a barrier to hole injection from the light emitting layer to the electron transport layer exists. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device is characterized in that

The interface between A and B can block holes (or electrons) at the interface from A to B (or B to A) and interface from B to A (or A to B) Can interfere with electrons (or holes) at low (barrier to charge carrier injection <0.2 eV) and material B (or A) has a larger bandgap than material A (or B) The light-emitting element according to claim 1, wherein

Having an organic layer, emitting triplet exciton states (phosphorescence) with increased efficiency and having a hole injection contact (anode), one or more hole injection and transport layers, and a plurality of layers in the light emitting region A light emitting device having a layer sequence comprising a system, one or more electron transport and injection layers, and an electron injection contact (cathode), wherein the light emitting regions are heterojunction with each other at a "twisted type II " type interface Multi-heterojunction stack (ABCD) formed of the formed materials A to D, one material (A) has hole transport or bipolar transport properties, and the other material (B) has electron transport Alternatively, the material C has the same characteristics as the material A (hole transport or bipolar transport), and the material D has the same characteristics as the material B (electron transport or bipolar transport). And at least one of the materials A and B and the materials C and D is a triplet thereof. Characterized in that it is mixed with a triplet emitter dopant capable of converting the elevators energy efficient light-emitting element.

Having an organic layer, emitting triplet exciton states (phosphorescence) with increased efficiency and having a hole injection contact (anode), one or more hole injection and transport layers, and a plurality of layers in the light emitting region A light emitting device having a layer sequence comprising a system, one or more electron transport and injection layers, and an electron injection contact (cathode), wherein the light emitting regions are formed of materials A and B, respectively, II "type interface having two layers (AB) heterojunctioned with each other, one material (A) has hole transport or bipolar transport properties and the other material (B) has electron transport or A light emitting device characterized in that the materials A and B have bipolar transport properties and are mixed with a triplet emitter dopant capable of efficiently converting their triplet exciton energy into light.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 13 , wherein the organic layer has a thickness in a range of 1.5 nm to 100 nm .

The light emitting device according to any one of claims 1 to 14, wherein the layer includes micromolecules vacuum-deposited .