JP4241324B2 - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、半導体素子を回路基板に実装した半導体装置及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a circuit board and a manufacturing method thereof.
近年、半導体素子のさらなる高速化に伴い、その信号素線が増加している。このため、半導体素子の端子の狭ピッチ化が進み、回路基板上の配線パターンとの接続時に、高精度なアライメントが必要となっている。
このため、半導体素子に、アライメント用の溝あるいは突起を形成するとともに、回路基板上にアライメント用のバンプあるいは窪みを形成し、これらを互いに嵌合させ、半導体素子の端子と回路基板の配線パターンとの位置決めを行うことが知られている(例えば、特許文献1、2参照)。
Therefore, an alignment groove or protrusion is formed on the semiconductor element, and an alignment bump or depression is formed on the circuit board, and these are fitted to each other. It is known to perform positioning (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
しかしながら、上記の技術では、半導体素子及び回路基板に、アライメント専用の溝や突起などを形成しなければならず、コストアップを招くとともに生産性が低下してしまう。 However, in the above technique, grooves and protrusions dedicated for alignment must be formed on the semiconductor element and the circuit board, leading to an increase in cost and a decrease in productivity.
この発明は、コストアップや生産性の低下を招くことなく、端子と配線パターンとを高精度に位置決めして信頼性の高い接続状態を確保することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。 The present invention provides a semiconductor device that can position a terminal and a wiring pattern with high accuracy and ensure a highly reliable connection state without incurring an increase in cost or a reduction in productivity, and a method for manufacturing the same. The purpose is that.
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、複数の配線パターンを有する回路基板上に複数の端子を有する半導体素子を、前記配線パターンと前記端子とを接続させて実装してなる半導体装置であって、前記配線パターン及び前記端子は、その一部が、前記配線パターンが延びる方向において前記配線パターンと前記端子とが接続する接続方向と交差する方向へ相対的に位置がずらされ、これら位置がずらされた前記配線パターン及び前記端子が、互いに係合して前記半導体素子の位置決めをする位置決め部とされていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a semiconductor device of the present invention is a semiconductor device in which a semiconductor element having a plurality of terminals is mounted on a circuit board having a plurality of wiring patterns by connecting the wiring patterns and the terminals. In the apparatus, a part of the wiring pattern and the terminal are relatively shifted in a direction intersecting a connection direction in which the wiring pattern and the terminal are connected in a direction in which the wiring pattern extends , The wiring patterns and the terminals that are shifted in position are engaged with each other to form a positioning portion that positions the semiconductor element.
このように、半導体素子の端子と回路基板の配線パターンとが、半導体素子を位置決めする位置決め部とされているので、位置決めのために別個の突起や溝などの位置決め手段を設ける必要がなくされる。
これにより、コストアップ及び生産性の低下を招くことなく、端子と配線パターンとが高精度に位置決めされて信頼性の高い接続状態が確保された半導体装置とすることができる。
In this way, since the terminals of the semiconductor element and the wiring pattern of the circuit board serve as a positioning portion for positioning the semiconductor element, it is not necessary to provide positioning means such as a separate protrusion or groove for positioning. .
Thereby, it is possible to obtain a semiconductor device in which a terminal and a wiring pattern are positioned with high accuracy and a highly reliable connection state is ensured without causing an increase in cost and a decrease in productivity.
また、本発明は、前記位置決め部の前記配線パターンが、前記端子に対して前記配線パターンと前記端子との接続方向と交差する方向へずらされ、この位置がずらされた前記配線パターンが位置決めを行う位置決めパターンとされていることが好ましい。
このように、配線パターンの位置をずらして位置決めパターンとするだけで、極めて容易にかつ低コストにて高精度な位置決めを可能とすることができる。
In the present invention, the wiring pattern of the positioning portion is shifted with respect to the terminal in a direction intersecting the connection direction of the wiring pattern and the terminal, and the wiring pattern shifted in position is positioned. The positioning pattern to be performed is preferably used.
Thus, by simply shifting the position of the wiring pattern to form a positioning pattern, it is possible to perform positioning with high accuracy at an extremely easy and low cost.
さらに、前記半導体素子は、前記端子が前記位置決めパターンの側面に当接することにより位置決めされることが好ましい。
このように、端子を位置決めパターンの側面に当接させるだけで、半導体素子を容易に位置決めすることができる。
Furthermore, it is preferable that the semiconductor element is positioned by contacting the terminal with a side surface of the positioning pattern.
In this way, the semiconductor element can be easily positioned simply by bringing the terminal into contact with the side surface of the positioning pattern.
また、前記半導体素子は、前記端子が、一対の前記位置決めパターン間に配設されることにより位置決めされることが好ましい。
このように、端子を一対の位置決めパターン間に配設させるだけで、半導体素子を容易に位置決めすることができる。
Moreover, it is preferable that the said semiconductor element is positioned by arrange | positioning the said terminal between a pair of said positioning pattern.
In this way, the semiconductor element can be easily positioned simply by arranging the terminals between the pair of positioning patterns.
また、前記半導体素子は、前記端子が配列された複数列の端子列を有し、少なくとも一種の端子列が他の一種の端子列よりも端子間のピッチが狭くされていることが好ましい。
特に、ピッチの狭い端子列を有していても、端子と配線パターンとを確実に位置決めして接合させることができる。
The semiconductor element preferably has a plurality of terminal rows in which the terminals are arranged, and at least one type of terminal row has a pitch between terminals narrower than that of another type of terminal row.
In particular, even if the terminal row has a narrow pitch, the terminal and the wiring pattern can be reliably positioned and joined.
さらに、それぞれの前記端子列あるいは少なくとも一つの端子列の両端が前記位置決め部とされていることが好ましい。そして、前記端子列の対角位置における一端が前記位置決め部とされていることが好ましい。また、前記端子列の両端を除く一部が前記位置決め部とされていることが好ましい。
このように、それぞれの端子列あるいは少なくとも一つの端子列の両端、端子列の対角位置における一端、もしくは端子列の両端を除く一部にて端子と配線パターンとが係合されることにより、半導体素子の位置決めが容易にかつ高精度に行われる。
Furthermore, it is preferable that both ends of each terminal row or at least one terminal row are the positioning portions. And it is preferable that the one end in the diagonal position of the said terminal row | line | column is made into the said positioning part. Moreover, it is preferable that a part except for both ends of the terminal row is the positioning portion.
In this way, by engaging the terminal and the wiring pattern at each terminal row or both ends of at least one terminal row, one end at the diagonal position of the terminal row, or a part other than both ends of the terminal row, The positioning of the semiconductor element is performed easily and with high accuracy.
しかも、前記配線パターンは、前記端子よりも接続部分における幅寸法が小さくされていることが好ましい。
このように、端子よりも配線パターンの幅寸法が小さく、配線パターンから端子がずれおちそうな場合でも、半導体素子を高精度に位置決めして端子と配線パターンとを確実に接合させることができる。
Moreover, it is preferable that the wiring pattern has a width dimension at the connection portion smaller than that of the terminal.
Thus, even when the width dimension of the wiring pattern is smaller than the terminal and the terminal is likely to be shifted from the wiring pattern, the semiconductor element can be positioned with high accuracy and the terminal and the wiring pattern can be reliably bonded.
また、前記端子の端面にろう材であるはんだが設けられていることが好ましい。
このように、端子の端面がはんだを設けることにより球面状となり、配線パターンからずれおちそうな場合でも、半導体素子を高精度に位置決めして端子と配線パターンとを確実に接合させることができる。
Moreover, it is preferable that the solder which is a brazing material is provided in the end surface of the said terminal.
Thus, even if the end surface of the terminal becomes spherical by providing solder and is likely to be displaced from the wiring pattern, the semiconductor element can be positioned with high accuracy and the terminal and the wiring pattern can be reliably bonded.
本発明の半導体装置の製造方法は、複数の配線パターンを有する回路基板上に複数の端子を有する半導体素子を、前記配線パターンと前記端子とを接続させて実装する半導体装置の製造方法であって、互いに接続される前記端子及び前記配線パターンの一部を、互いの相対位置が予め前記配線パターンの延びる方向において前記配線パターンと前記端子とが接続する接続方向と交差する方向にずらした位置決め部としておき、前記半導体素子を前記回路基板に配置させた際に、前記位置決め部にて前記端子と前記配線パターンとを係合させて前記半導体素子の位置決めを行い、前記配線パターンと前記端子との接続箇所を加熱加圧し、これら配線パターンと端子とを接合させることを特徴とする。
A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor element having a plurality of terminals is mounted on a circuit board having a plurality of wiring patterns by connecting the wiring patterns and the terminals. A positioning part in which the terminals connected to each other and a part of the wiring pattern are shifted in a direction crossing the connecting direction in which the wiring pattern and the terminal are connected in advance in the direction in which the wiring pattern extends. When the semiconductor element is arranged on the circuit board, the positioning of the semiconductor element is performed by engaging the terminal and the wiring pattern in the positioning portion, and the wiring pattern and the terminal The connection portion is heated and pressed to join these wiring patterns and terminals.
このように、位置決め部とした端子と回路基板の配線パターンとによって半導体素子を確実かつ高精度に位置決めして回路基板上へ実装することができる。
つまり、位置決めのために別個の突起や溝などの位置決め手段を設けることによるコストアップ及び生産性の低下を招くことなく、端子と配線パターンとが高精度に位置決めされて信頼性の高い接続状態が確保された半導体装置を製造することができる。
In this way, the semiconductor element can be reliably and accurately positioned and mounted on the circuit board by the terminal serving as the positioning portion and the wiring pattern of the circuit board.
In other words, the terminal and the wiring pattern are positioned with high accuracy and a highly reliable connection state without incurring an increase in cost and a decrease in productivity due to the provision of positioning means such as separate protrusions and grooves for positioning. A secured semiconductor device can be manufactured.
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。
(第1実施形態)
まず、第1実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
図1は、半導体装置を備えた液晶表示装置を示す液晶表示装置の斜視図、図2は、半導体素子と回路基板との接続箇所を示す半導体装置の断面図、図3は、半導体素子の端子と回路基板の配線パターンとの位置関係を示す平面図である。
The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.
(First embodiment)
First, the semiconductor device and the manufacturing method thereof according to the first embodiment will be described.
FIG. 1 is a perspective view of a liquid crystal display device showing a liquid crystal display device including the semiconductor device, FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor device showing a connection portion between the semiconductor element and the circuit board, and FIG. It is a top view which shows the positional relationship of a circuit board and the wiring pattern of a circuit board.
図1に示すように、半導体装置10は、COF(Chip on Film)式の回路基板11と、この回路基板11に表面実装された半導体素子12とから構成されている。
この回路基板11と半導体素子12とからなる半導体装置10は、液晶パネル13に接続されており、液晶パネル13は、半導体装置10によって駆動され、画像信号に基づいて液晶パネル13に画像等を表示させる。
As shown in FIG. 1, the
The
図2及び図3に示すように、半導体素子12は、素子本体12aの下面に、複数の端子15が配列されている。
この半導体素子12は、入力側の端子列と出力側の端子列とを有しており、入力側の端子列側に図示しないマザーボードから画像信号などの入力信号が入力され、出力側の端子列側から液晶パネル13へ駆動信号が出力される。
なお、出力側の端子列は、入力側の端子列よりも端子15同士のピッチが狭くされている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
The
In the output side terminal row, the pitch between the
これら端子15は、ニッケルからなる金属層15aの端面に、ろう材であるはんだ15bが設けられている。なお、このはんだ15bとしては、鉛を含まない、いわゆる鉛フリーはんだが用いられている。
そして、このように、はんだ15bを設けることにより、バンプとなる端子15は、その端面が球面形状とされている。
These
In this way, by providing the
なお、この半導体素子12の端子15を形成する方法としては、電解メッキあるいは無電解メッキのいずれでも良いが、端子15の幅寸法を小さくして、端子間ピッチを狭くすることができる点で、無電解メッキによる形成方法が好ましい。
In addition, as a method of forming the
ここで、無電解メッキによる端子15の形成方法について説明する。
まず、半導体素子12の端子15が形成されるパッド(図示略)を覆うように絶縁膜を形成し、さらに絶縁膜上にレジスト層を形成する。レジスト層には例えば、フォトリソグラフィ、スクリーン印刷あるいはインクジェット方式などにより、パッド外周を超えない形状で開口部が形成される。レジスト層をマスクとして絶縁膜に開口部を形成後、この貫通孔内に金属層15aを無電解メッキにより形成する。その後、レジスト層を除去し、金属層15aの表面に、金等からなる表面層を介してはんだ15bを付着させる。
Here, a method of forming the
First, an insulating film is formed so as to cover a pad (not shown) on which the
回路基板11には、その表面のレジストを除去した素子実装領域21を有し、この素子実装領域21に、上記構造の半導体素子12が実装される。
また、この回路基板11の素子実装領域21には、配線パターン22が延ばされ、半導体素子12の端子15に接続される端部が端子列に沿って配列されている。
これら配線パターン22のうち、それぞれの両端を除くものは、半導体素子12の端子15と同一ピッチに形成されている。
The
Further, a
Of these
また、配線パターン22のうち、それぞれの端子列における両端のものは、半導体素子12を素子実装領域21に配設する際に、対向する端子15よりも配線パターン22と端子15との接続方向と交差する方向へ相対的に外側にずれた位置に設けられ、このように位置が外側にずらされた配線パターン22が、位置決めパターン22aとされている。
つまり、この位置決めパターン22a及びこの位置決めパターン22aに対応する端子15が、半導体素子12の位置決めを行う位置決め部とされている。
Further, among the
That is, the positioning pattern 22a and the
次に、上記半導体装置10を製造する場合について説明する。
回路基板11に半導体素子12を実装する際には、図示しない実装装置の把持機構によって半導体素子12を把持し、ステージに保持された回路基板11の素子実装領域21へ配設する。
なお、このとき、回路基板11に対する半導体素子12の位置を、CCDカメラ等の撮像装置によって監視し、半導体素子12を回路基板11の素子実装領域21へ位置決めしながら配設する。
Next, a case where the
When the
At this time, the position of the
そして、このように、半導体素子12を回路基板11の素子実装領域21へ配設すると、半導体素子12の各端子15が、回路基板11の配線パターン22上に当接される。
次いで、この半導体素子12と回路基板11との接続部分を加熱加圧することにより、端子15の端面のはんだ15bを溶融させ、配線パターン22に端子15を接続させる。
When the
Next, the connecting portion between the
ここで、この半導体素子12の端子15は、その端面にはんだ15bが設けられて球面状のバンプとされ、しかも、回路基板11がCOF式であることで配線パターン22が細くされているので、半導体素子12の端子15が配線パターン22からずれおちる恐れがある。
Here, since the terminal 15 of the
しかしながら、回路基板11の配線パターン22のうち、それぞれの両端のものが、半導体素子12を素子実装領域21に配設した際に、対向する端子15よりも外側にずれた位置に設けられた位置決めパターン22aとされているので、半導体素子12のそれぞれ両端の端子15が、位置決めパターン22aの側面に当接して係合し、半導体素子12の位置決めが行われ、他の端子15の配線パターン22からのずれおちが確実に防止される。
その後、回路基板11と半導体素子12との接続箇所に樹脂を充填する。なお、接続箇所に充填する樹脂を半導体素子12の接続前に先塗りしておいても良い。
However, among the
Thereafter, the connecting portion between the
このように、上記実施形態に係る半導体装置及びその製造方法によれば、端子15に対して配線パターン22を、配線パターン22と端子15との接続方向と交差する方向へずらした位置決めパターン22aとし、実装時に、端子15を位置決めパターン22aの側面に当接させて係合させるだけで位置決めを行わせるので、位置決めのために別個の突起や溝などの位置決め手段を設ける必要がなくされる。
Thus, according to the semiconductor device and the manufacturing method thereof according to the above-described embodiment, the
これにより、コストアップ及び生産性の低下を招くことなく、端子15と配線パターン22とが高精度に位置決めされて信頼性の高い接続状態が確保された半導体装置10とすることができる。
特に、出力側の端子列のように、ピッチの狭い端子列を有していても、端子15と配線パターン22とを確実に位置決めして接合させることができる。
Thus, the
In particular, the terminal 15 and the
しかも、COF式の回路基板11に半導体素子12を実装させる構造のために、端子15よりも配線パターン22の幅寸法が小さく、配線パターン22から端子15がずれおちそうな場合でも、半導体素子12を高精度に位置決めして端子15と配線パターン22とを確実に接合させることができる。
In addition, because of the structure in which the
また、端子15の端面がはんだ15bを設けることにより球面状にされ、配線パターン22からずれおちそうな場合でも、半導体素子12を高精度に位置決めして端子15と配線パターン22とを確実に接合させることができる。
Further, even when the end surface of the terminal 15 is made spherical by providing the
(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
図4は、半導体素子と回路基板との接続箇所を示す半導体装置の断面図、図5は、半導体素子の端子と回路基板の配線パターンとの位置関係を示す平面図である。
図4及び図5に示すように、この第2実施形態に係る半導体装置10を構成する回路基板11は、その配線パターン22のうち、それぞれの両端のものが、半導体素子12を素子実装領域21に配設した際に、対向する端子15よりも内側にずれた位置に設けられ、この内側にずらされた配線パターン22が、位置決めパターン22aとされ、この部分が位置決め部とされている。
(Second Embodiment)
Next, a semiconductor device and a manufacturing method thereof according to the second embodiment will be described.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the semiconductor device showing the connection location between the semiconductor element and the circuit board, and FIG. 5 is a plan view showing the positional relationship between the terminals of the semiconductor element and the wiring pattern of the circuit board.
As shown in FIGS. 4 and 5, the
そして、このような位置決めパターン22aを有する回路基板11に半導体素子12を実装した場合は、回路基板11の配線パターン22のうち、それぞれの両端のものが、対向する端子15よりも内側にずれた位置に設けられた位置決めパターン22aとされているので、半導体素子12のそれぞれ両端の端子15が、位置決めパターン22aの側面に当接し、他の端子15の配線パターン22からのずれおちが確実に防止される。
When the
(第3実施形態)
次に、第3実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
図6は、半導体素子と回路基板との接続箇所を示す半導体装置の断面図、図7は、半導体素子の端子と回路基板の配線パターンとの位置関係を示す平面図である。
図6及び図7に示すように、この第3実施形態に係る半導体装置10を構成する回路基板11は、その配線パターン22のうち、半導体装置12のそれぞれ両端の端子15に対向する部分に、一対の配線パターン22からなる位置決めパターン22aが設けられ、この部分が位置決め部とされている。
これら位置決めパターン22aは、半導体素子12を素子実装領域21に配設した際に、対向する端子15の外側及び内側にずれた位置に設けられている。
(Third embodiment)
Next, a semiconductor device and a manufacturing method thereof according to the third embodiment will be described.
FIG. 6 is a cross-sectional view of the semiconductor device showing the connection location between the semiconductor element and the circuit board, and FIG. 7 is a plan view showing the positional relationship between the terminals of the semiconductor element and the wiring pattern of the circuit board.
As shown in FIGS. 6 and 7, the
These positioning patterns 22 a are provided at positions shifted to the outside and the inside of the opposing
そして、このような位置決めパターン22aを有する回路基板11に半導体素子12を実装した場合は、一対の位置決めパターン22aの間に、対向する端子15が入り込むことにより、他の端子15がそれぞれ対向する配線パターン22に高精度に位置決めされ、他の端子15の配線パターン22からのずれおちが確実に防止される。
そして、このように、一対の位置決めパターン22aを配設した場合、端子15を位置決めパターン22aの間に入り込ませることにより、半導体素子12をより効果的に位置決めすることができる。
When the
In this manner, when the pair of positioning patterns 22a are provided, the
なお、上記第1から第3実施形態では、いずれも位置決めパターン22aを有する位置決め部を、入力側及び出力側のそれぞれの端子列における両端に配設したが、位置決め部の位置としては、それぞれの端子列における両端に限定されない。 In each of the first to third embodiments, the positioning portion having the positioning pattern 22a is disposed at both ends of each terminal row on the input side and the output side. It is not limited to both ends in the terminal row.
ここで、第3実施形態を例にとって、位置決め部の配設位置について他の例を説明する。
図8に示すものは、位置決めパターン22aを、半導体素子12の対角位置における各端子列の一端に設けて位置決め部としたものである。
また、図9に示すものは、位置決めパターン22aを、入力側の端子列の両端位置に設けて位置決め部としたものである。さらに、図10に示すものは、位置決めパターン22aを、それぞれの端子列の内側の一部に設けて位置決め部としたものである。
Here, another example of the arrangement position of the positioning portion will be described by taking the third embodiment as an example.
In FIG. 8, the positioning pattern 22 a is provided at one end of each terminal row at the diagonal position of the
Further, in FIG. 9, the positioning pattern 22a is provided at both end positions of the terminal row on the input side to form a positioning portion. Further, in FIG. 10, the positioning pattern 22a is provided on a part of the inside of each terminal row to form a positioning portion.
そして、これら図8から図10に示すように位置決め部を配設した場合にも、端子15と配線パターン22との高精度な位置決めを行うことができる。
なお、図9では、入力側の端子列の両端位置に位置決めパターン22aを設けたが、これら位置決めパターン22aを、出力側の端子列の両端位置に設けても良い。
また、図10に示したように端子列の内側、つまり両端を除いた位置に位置決めパターン22aを設ける場合には、半導体素子12の端子15のうち、電気的な配線として使わないものを選択するのが好ましい。
Even when the positioning portions are disposed as shown in FIGS. 8 to 10, the terminal 15 and the
In FIG. 9, the positioning patterns 22a are provided at both end positions of the input side terminal row. However, these positioning patterns 22a may be provided at both end positions of the output side terminal row.
Further, as shown in FIG. 10, when the positioning pattern 22a is provided inside the terminal row, that is, at a position excluding both ends, the
また、上記の例では、ニッケルからなる金属層15aに、ろう材としてはんだ15bを設けたが、必ずしもはんだ15bを設ける必要はない。
つまり、本実施形態の半導体装置及びその製造方法は、配線パターン22の表面を金として、金属層15aの端面に金からなる金属層を設け、配線パターン22に端子15を当接した状態にて超音波振動を付与し、端子15と配線パターン22を接続する超音波振動による接続にも適応可能である。
また、金属層15aとしては、ニッケルに限らず、例えば、ニッケルと銅を積層させたものでも、あるいはニッケル、銅、錫を積層させたものでも良い。
In the above example, the
That is, in the semiconductor device and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, the surface of the
Further, the
なお、位置決めパターン22aとなる配線パターン22及び位置決めパターン22aととともに位置決めをする端子15は、配線として使用しないものに限らず、配線として使用するものでも良い。また、位置決めパターン22aとする配線に使用しない配線パターン22及び位置決めに使用する端子15を余分に形成しても良く、この場合でも、単に、同一構造、同一形状の配線パターン22及び端子15を余分に設けるだけなので、コストアップを招くようなことがない。
Note that the
10…半導体装置、11…回路基板、12…半導体素子、15…端子、15b…はんだ、22…配線パターン、22a…位置決めパターン。
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記配線パターン及び前記端子は、その一部が、前記配線パターンが延びる方向において前記配線パターンと前記端子とが接続する接続方向と交差する方向へ相対的に位置がずらされ、これら位置がずらされた前記配線パターン及び前記端子が、互いに係合して前記半導体素子の位置決めをする位置決め部とされていることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device formed by mounting a semiconductor element having a plurality of terminals on a circuit board having a plurality of wiring patterns by connecting the wiring patterns and the terminals,
A part of the wiring pattern and the terminal are relatively shifted in a direction intersecting a connection direction in which the wiring pattern and the terminal are connected in a direction in which the wiring pattern extends , and these positions are shifted. The semiconductor device is characterized in that the wiring pattern and the terminal are engaged with each other to form a positioning portion for positioning the semiconductor element.
互いに接続される前記端子及び前記配線パターンの一部を、互いの相対位置が予め前記配線パターンの延びる方向において前記配線パターンと前記端子とが接続する接続方向と交差する方向にずらした位置決め部としておき、
前記半導体素子を前記回路基板に配置させた際に、前記位置決め部にて前記端子と前記配線パターンとを係合させて前記半導体素子の位置決めを行い、
前記配線パターンと前記端子との接続箇所を加熱加圧し、これら配線パターンと端子とを接合させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A semiconductor device manufacturing method for mounting a semiconductor element having a plurality of terminals on a circuit board having a plurality of wiring patterns by connecting the wiring patterns and the terminals,
Positioning portions in which the terminals connected to each other and a part of the wiring pattern are shifted in a direction crossing the connecting direction in which the wiring pattern and the terminal are connected in advance in the direction in which the wiring pattern extends. Every
When the semiconductor element is disposed on the circuit board, the positioning of the semiconductor element is performed by engaging the terminal and the wiring pattern at the positioning portion,
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: heating and pressurizing a connection portion between the wiring pattern and the terminal, and bonding the wiring pattern and the terminal.
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