JP4239428B2

JP4239428B2 - Optical recording medium

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Publication number: JP4239428B2
Application number: JP2001132785A
Authority: JP
Inventors: 宏一保田; 正俊西野; 勝弘瀬尾
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-04-27
Filing date: 2001-04-27
Publication date: 2009-03-18
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板上に少なくとも相変化型記録層および光透過層を有し、光透過形成面層側からレーザー光を照射することによる相変化によって生じる反射率差または反射光位相差を利用した信号の記録、再生を行う光学記録媒体に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
オーディオ用、ビデオ用等、各種の情報を記録する光学記録媒体として、その記録もしくは再生をレーザー光を照射することによって行う光ディスク、光磁気ディスク、相変化記録媒体等の、再生専用型、追記型、書換え型等の各種光学記録媒体があるが、これらの光学記録媒体を構成する情報記録層には、データ情報、トラッキングサーボ信号等の記録がなされる位相ピット、プリグルーブ等の微細凹凸が形成されて成り、この微細凹凸上には、上記各光学記録媒体に応じた各種材料による成膜がなされている。
【０００３】
相変化型の光学記録媒体は、相変化前後においてレーザー光に対する反射率または反射光の位相が変化することを利用したものであり、外部磁界を必要とせず、反射光量の違いを検出して記録信号の再生を行うものである。
【０００４】
このように相変化型の光学記録媒体は、外部磁界を印加するための磁石を必要とせず、光学系を極めて簡素化できるという点においてドライブの作製が容易化し、装置の小型化、低コスト化にも有利である。
【０００５】
さらには、相変化型の光学記録媒体はレーザー光のパワーを変調するだけで、信号の記録および信号の消去を行うことが可能であり、信号消去と書換えを単一のビームによって同時に行う、１ビームオーバーライトも可能であるという利点を有している。
【０００６】
このような相変化型の光学記録媒体においては、記録層を形成する材料としては、一般的にカルコゲン系合金が適用されており、例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜等が挙げられる。
【０００７】
相変化型の光学記録媒体においては、結晶状態の上記材料による記録層を、所定のパワーを有するレーザー光を照射して非晶質（アモルファス）化させることによって記録ビットを形成し、これを再度結晶化させることによって、この記録ビットを消去するという方式が一般的に適用されている。
【０００８】
図１２〜図１４に相変化型の光学記録媒体１００の記録層１０１の一部を、レーザー光照射面側から見た図を示す。
上記記録層は、成膜直後の状態はアモルファス状態である場合が一般的であるため、図１２に示すように初期状態として、記録層１０１の全面を結晶化状態としておく。
次に、図１３に示すように、所定のパワーのレーザー光を記録層１０１面に照射して、結晶化部分１０１ａ中にアモルファス状態部分１０１ｂを形成することによって、記録ビット１０２を形成する。
次に、図１４に示すように、レーザー光を記録層１０１面に照射してアモルファス部分１０１ｂを結晶化させることによって記録ビット１０２が消去される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで図１３および図１４に示すように、アモルファス状態の記録ビット１０２を結晶化状態に変化させて記録ビット１０２を消去させる際においては、図１５に示すように、アモルファス状態部分１０１ｂと結晶化状態部分１０１ａとの界面から結晶が成長していき、最終的に記録ビット１０２の中央部分で結晶化が終了する。
【００１０】
このとき、例えばレーザー光の波長を４００ｎｍとし、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．を０．８５とした場合には、記録ビット１０２の幅Ｗは２００〔ｎｍ〕程度となり、かかる場合に、アモルファス状態部分１０１ｂと結晶化状態部分１０１ａとの界面から結晶化が進んでいくと、記録ビット１０２を完全に消去するためには、少なくともＷ／２＝１００〔ｎｍ〕程度の幅分の領域を結晶化することが必要となる。
【００１１】
実用的に相変化型の光学記録媒体においては、信号の書き換えを多数回行うものであり、今後さらに相変化型の光学記録媒体の信号記録と信号消去を迅速かつ確実に行うことが要求されているが、アモルファス状態から結晶化状態への変化が完全に行われず、部分的にアモルファス状態が残存してしまったりすると、継続的な信号書き換えにより信号が劣化するおそれがある。
【００１２】
また、今後さらに相変化型の光学記録媒体の記録効率や信号消去効率を向上させるためには、かかる記録ビットの消去、すなわちかかる部分におけるアモルファス状態から結晶化状態への変化の速度を高める必要がある。
【００１３】
そこで本発明においては、かかる記録ビットの消去におけるアモルファス状態部分の結晶化速度を高める構成の相変化型の光学記録媒体を提供することとした。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の光学記録媒体は、基板上に、少なくとも反射層、誘電体層、結晶化補助層、相変化型記録層、誘電体層、および光透過層が順次形成されて成る構成を有するものとし、結晶化補助層は、Ｓｂ_xＴｅ_1-x（０．７＜ｘ＜１）系の合金よりなるものとする。
【００１５】
本発明によれば、相変化型記録層に隣接して結晶化補助層を形成したことによって、記録ビットをアモルファス状態から結晶化状態に変化させる結晶化速度が高められ、記録ビットの消去効率の向上が図られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の光学記録媒体の実施形態について図を参照して説明するが、本発明の光学記録媒体は以下に示す例に限定されるものではない。
【００１７】
図１に、本発明の光学記録媒体１０の一例の概略断面図を示す。
光学記録媒体１０は、基板１上に、反射層２、第１の誘電体層３、結晶化補助層４、相変化型記録層５、第２の誘電体層６、および光透過層７が順次形成された構成を有する。
【００１８】
基板１としては、例えばガラス、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、紫外線硬化性樹脂等よりなるものとし、その他ガラス上に所定のプラスチックを成膜したもの等、従来公知のものを適宜適用することができるが、低コスト化、生産性の向上を図るためには、ポリカーボネート樹脂が好適である。
基板１は、光ディスクとして使用する際に必要な機械的な強度を確保し、かつ従来用いられているドライブに対応するため、０．３〜１．２〔ｍｍ〕の厚さとする。
【００１９】
反射層２としては、適用するレーザー光に対する反射率が高い材料により形成する。例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ等を適用することができ、熱伝導度制御等のため、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｇ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒを適宜加えた合金を適用することもできる。
【００２０】
また、反射層２上には、図２に示すように、反射層保護層８を形成した構成としてもよい。
反射層保護層８は、Ｓｉ，Ａｌの酸化物、窒化物、例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄により形成されるものとする。
この反射層保護層８は、後述する第１の誘電体層３中の成分、特に硫黄（Ｓ）が、反射層２の金属原子と反応してしまうことを回避する。
【００２１】
第１の誘電体層３、第２の誘電体層６としては、例えばＺｎＳや希土類硫化物と酸化物、窒化物、炭化物等の耐熱化合物の混合物を適用することができる。繰り返し記録特性を考慮すると、ＺｎＳをベースとした複数誘電体混合物を適用することが望ましい。
第１および第２の誘電体層３、６の膜厚は、通常５〜３００〔ｎｍ〕程度とする。
【００２２】
結晶化補助層４は、相変化型記録層５に形成された記録ビットの消去を行う際に、アモルファス状態から結晶化状態への変化を促進させるものである。
結晶化補助層４は、結晶核となり、相変化記録層５におけるアモルファス部分の結晶化のきっかけとなる。このため、相変化型記録層５と結晶構造が似ており、相変化型記録層５と屈折率が近い等の性質を有するものが望ましい。
本発明の光学記録媒体１０においては、結晶化補助層４は、Ｓｂ_xＴｅ_1-x系合金よりなるものとし、組成は特に０．７＜ｘ＜１と選定する。
【００２３】
相変化型記録層５は、ＳｂＴｅ系の合金より形成されるものとし、膜厚は５〜３０ｎｍ程度とする。
ＳｂＴｅ系の合金よりなる相変化型記録層５は、アモルファス状態から結晶化状態へ変化して記録ビットの消去が高速に行うことができるものである。
【００２４】
また、アモルファス状態の記録ビットの安定性を向上させたり、結晶化状態への変化の効率を向上させたりするため、相変化型記録層５は、Ａｇ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ａｕ，Ｖより選定される少なくとも一種の元素を合金中に添加してもよい。相変化型記録層５形成用材料としては、例えば、ＧｅＴｅＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の合金薄膜を適用できる。
【００２５】
特に、相変化型記録層５をＧｅ_aＳｂ_bＴｅ_cの３元合金よりなるものとした場合には、下記の組成を有しているものとする。
２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ≦１０〔ａｔｏｍ％〕
１−ａ＝ｂ＋ｃ
２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
【００２６】
また、相変化型記録層５をＧｅ_aＩｎ_dＳｂ_bＴｅ_cの４元合金より成るものとしたときには、下記の組成を有しているものとする。
２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕
１−（ａ＋ｄ）＝ｂ＋ｃ
２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
【００２７】
なお、記録の際にレーザー光を照射してアモルファス状態の記録ビットを形成するには、相変化型記録層５の融点以上まで加熱するので、記録ビット形成時には、結晶化補助層４と相変化型記録層５とが共に溶融し、これらがある程度混ざり合うと考えられる。
【００２８】
結晶化補助層４と相変化型記録層５とは組成が異なるので、繰り返し記録が行われ、両者が混ざり合うと相変化型記録層の組成５が経時的に変化してしまうおそれがある。
このような相変化型記録層５の組成変化を回避するために、結晶化補助層４は２ｎｍ以下の薄層に形成するものとする。
また、一方においては、相変化型記録層５の結晶化を促進させる結晶化補助層４としての機能を発揮するためには０．１〔ｎｍ〕以上の膜厚とすることが必要である。
【００２９】
なお、結晶化補助層４を膜厚ｄ＝０．５〔ｎｍ〕以下程度の薄層に形成する場合には、結晶化補助層４は、全体として層構造を形成せず、図３に示すように、複数の島状の結晶化補助部４ａの集合体により形成される。
かかる場合にも、結晶化補助部４ａと相変化型記録層５との界面から図３中矢印方向に結晶化が進んでいく。
【００３０】
本発明の光学記録媒体１０は、図１に示すように、光透過層７形成面側からレーザー光を照射し、信号の記録、再生を行うものであるから、光透過層７は、レーザー光に対して高い透過率を有し、かつ均一な膜厚に形成されているものであることが必要である。
すなわち、紫外線硬化性樹脂をスピンコートしたり、あるいは均一な膜厚を有するポリカーボネートシートを貼合わせたりすることによって形成することができる。
【００３１】
上記反射層２、第１の誘電体層３、第２の誘電体層６、結晶化補助層４、相変化型補助層５は、スパッタリング法等によって形成することができる。
この場合、各層を形成するターゲット材料を、異なる真空チャンバー内に設置したインライン装置で膜形成を行うことが、各層間の酸化や汚染を防止し、かつ生産性の向上を図る上で望ましい。
【００３２】
次に、本発明の光学記録媒体について具体的に〔実施例〕および〔比較例〕を挙げて説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
【００３３】
〔実施例１〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₉Ｔｅ₁合金薄膜、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ₄Ｓｂ_70.7Ｔｅ_25.3（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダム信号の繰り返し記録を行い、信号の書き換え回数とジッターとの関係について測定し、図４に示す。
図４に示すように、３０００回程度の書き換えを行うと、ジッターが１０％程度となった。
【００３４】
〔比較例１〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ単体薄膜、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ₄Ｓｂ_70.7Ｔｅ_25.3（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダム信号の繰り返し記録を行い、信号の書き換え回数とジッターとの関係について測定し、図５に示す。
図５に示すように、３００回程度の書き換えを行うと、ジッターが１０％程度となった。
【００３５】
上記〔実施例１〕と〔比較例１〕とを比較すると、結晶化補助層４としてＳｂ_xＴｅ_1-x（０．７＜ｘ＜１）系合金薄膜を形成した〔実施例１〕の光学記録媒体１０は、複数回書き換えに対する信号特性の安定性に優れていることがわかった。
また、実用的には、光学記録媒体に対する信号の書き換え回数は１０００回程度必要とされているので、結晶化補助層４としてとしてＳｂ単体を用いた上記〔比較例１〕の場合には信号特性の安定性が不充分であった。
【００３６】
〔実施例２〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₇₁Ｔｅ₂₉合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ₄Ｓｂ_70.7Ｔｅ_25.3（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、８Ｔマークを記録し、ＤＣ消去を行った。このときの記録線速〔ｍ／ｓｅｃ〕と消去比〔ｄＢ〕との関係について測定し、結果を図６に示す。
実用的に消去比は２６〔ｄＢ〕以上であればよいので、この例においては、記録線速５．４２〔ｍ／ｓｅｃ〕から１２．５〔ｍ／ｓｅｃ〕の範囲において、良好な消去比が得られた。
【００３７】
〔比較例２〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₇₀Ｔｅ₃₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ₄Ｓｂ_70.7Ｔｅ_25.3（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、８Ｔマークを記録し、ＤＣ消去を行った。このときの記録線速〔ｍ／ｓｅｃ〕と消去比〔ｄＢ〕との関係について測定し、結果を図７に示す。
この例においては、記録線速５．４２〔ｍ／ｓｅｃ〕から７．５〔ｍ／ｓｅｃ〕の範囲という極めて狭い範囲でのみしか実用的に必要とされる消去比の２６〔ｄＢ〕以上の数値が得られなかった。
【００３８】
上記〔実施例２〕と〔比較例２〕とを比較すると、結晶化補助層４としてＳｂ_xＴｅ_1-x（０．７＜ｘ＜１）系合金薄膜を形成した〔実施例２〕の光学記録媒体１０においては、特に記録線速を高くした場合においても良好な消去比が得られ、記録信号の消去効率が優れているということがわかった。
【００３９】
〔実施例３〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として２〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ₄Ｓｂ_70.7Ｔｅ_25.3（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダム信号の繰り返し記録を行い、信号の書き換え回数とジッターとの関係について測定し、図８に示す。
図８に示すように、２０００回程度の書き換えを行うと、ジッターが１０％程度となった。
【００４０】
〔比較例３〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として２．１〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ₄Ｓｂ_70.7Ｔｅ_25.3（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダム信号の繰り返し記録を行い、信号の書き換え回数とジッターとの関係について測定し、図９に示す。
図９に示すように、２００回程度の書き換えを行うと、ジッターが１０％程度となった。
【００４１】
上記〔実施例３〕と〔比較例３〕とを比較すると、結晶化補助層４としてＳｂ_xＴｅ_1-x（０．７＜ｘ＜１）系合金薄膜を、２〔ｎｍ〕よりも厚く形成した〔比較例３〕の光学記録媒体１０においては、複数回書き換えに対する信号特性が不安定であることがわかった。
これは、相変化型記録層５の組成変化が複数回書き換えを行ううちに比較的早期において生じたためである。
【００４２】
〔実施例４〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．１〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ₄Ｓｂ_70.7Ｔｅ_25.3（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、８Ｔマークを記録し、ＤＣ消去を行った。このときの記録線速〔ｍ／ｓｅｃ〕と消去比〔ｄＢ〕との関係について測定し、結果を図１０に示す。
実用的に消去比は２６〔ｄＢ〕以上であればよいので、この例においては、記録線速５．４２〔ｍ／ｓｅｃ〕から１２．４〔ｍ／ｓｅｃ〕の範囲において、良好な消去比が得られた。
【００４３】
〔比較例４〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．０９〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ₄Ｓｂ_70.7Ｔｅ_25.3（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、８Ｔマークを記録し、ＤＣ消去を行った。このときの記録線速〔ｍ／ｓｅｃ〕と消去比〔ｄＢ〕との関係について測定し、結果を図１１に示す。
この例においては、記録線速５．４２〔ｍ／ｓｅｃ〕から７．５〔ｍ／ｓｅｃ〕の範囲という極めて狭い範囲でのみしか実用的に必要とされる２６〔ｄＢ〕以上の消去比が得られなかった。
【００４４】
上記〔実施例４〕と〔比較例４〕とを比較すると、充分に広い範囲の記録線速において実用的に必要とされる消去比が得られるようにするためには、結晶化補助層４は、０．１〔ｎｍ〕以上の膜厚に形成することが必要であることがわかった。すなわち、結晶化補助層４を０．１〔ｎｍ〕以上の膜厚に形成したことにより、特に記録線速を高くした場合においても良好な消去比が得られることがわかった。
【００４５】
〔実施例５〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ₂Ｓｂ_72.9Ｔｅ_25.1（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ジッターを測定したところ８〔％〕であった。
この光学記録媒体１０を窒素置換したオーブン中で１００℃の加熱状態で１００時間保存後ジッターを測定したところジッターに変化はなかった。
【００４６】
〔比較例５〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ_1.9Ｓｂ_73.0Ｔｅ_25.1（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ジッターを測定したところ８〔％〕であった。
この光学記録媒体１０を窒素置換したオーブン中で１００℃の加熱状態で１００時間保存後ジッターを測定したところ、記録ビットの結晶化が進んだことにより、記録マークが部分的に消えてジッターが１５〔％〕に増加した。
【００４７】
上記〔実施例５〕と〔比較例５〕とを比較すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_cの３元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ≦１０〔ａｔｏｍ％〕の組成を有する〔実施例５〕においては、ジッターの変化がなく信号安定性が良好であったが、〔比較例５〕においては信号が劣化した。
【００４８】
〔実施例６〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ₁₀Ｓｂ_66.9Ｔｅ_23.1（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオーバーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であった。
【００４９】
〔比較例６〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ_10.1Ｓｂ_66.8Ｔｅ_23.1（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後ダイレクトオーバーライトしてジッターを測定したところ１５〔％〕であった。
【００５０】
上記〔実施例６〕と〔比較例６〕とを比較すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_cの３元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ≦１０〔ａｔｏｍ％〕の組成を有する〔実施例６〕においては、信号をダイレクトオーバーライトした場合にもジッターの変化がなく信号安定性が良好であったが、〔比較例６〕においてはジッターが増加し信号が劣化した。
【００５１】
〔実施例７〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ_4.0Ｓｂ_66.0Ｔｅ_30.0（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオーバーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であった。
【００５２】
〔比較例７〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ_4.0Ｓｂ_65.9Ｔｅ_30.1（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオーバーライトしてジッターを測定したところ１５〔％〕であった。
【００５３】
上記〔実施例７〕と〔比較例７〕とを比較すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_cの３元合金により形成する場合、２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０の組成とした〔実施例７〕においては、信号をダイレクトオーバーライトした場合にもジッターの変化がなく信号安定性が良好であったが、〔比較例７〕においてはジッターが増加し信号が劣化した。
【００５４】
〔実施例８〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ_4.0Ｓｂ_76.8Ｔｅ_19.2（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオーバーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であった。
【００５５】
〔比較例８〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ_4.0Ｓｂ_76.9Ｔｅ_19.1（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオーバーライトしてジッターを測定したところ１５〔％〕であった。
【００５６】
上記〔実施例８〕と〔比較例８〕とを比較すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_cの３元合金により形成する場合、２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０の組成とした〔実施例８〕においては、信号をダイレクトオーバーライトした場合にもジッターの変化がなく信号安定性が良好であったが、〔比較例８〕においてはジッターが増加し信号が劣化した。
【００５７】
〔実施例９〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ_1.0Ｉｎ_1.0Ｓｂ_72.0Ｔｅ_24.0（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオーバーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であった。この光学記録媒体１０を窒素置換したオーブン中で１００℃の加熱状態で１００時間保存後ジッターを測定したところ、ジッターに変化がなかった。
【００５８】
〔比較例９〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ_0.9Ｉｎ_0.9Ｓｂ_72.0Ｔｅ_24.0（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオーバーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であった。この光学記録媒体１０を窒素置換したオーブン中で１００℃の加熱状態で１００時間保存後ジッターを測定したところ、記録ビットの結晶化が進んだことにより、記録マークが部分的に消えてジッターが１５〔％〕に増加した。
【００５９】
上記〔実施例９〕と〔比較例９〕とを比較すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ_aＩｎ_dＳｂ_bＴｅ_cの４元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕の組成とした〔実施例９〕においては、ジッターの変化がなく信号安定性が良好であったが、〔比較例９〕においては信号が劣化した。
【００６０】
〔実施例１０〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ_10.0Ｉｎ_10.0Ｓｂ_60.0Ｔｅ_20.0（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオーバーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であった。
【００６１】
〔比較例１０〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ_10.1Ｉｎ_10.1Ｓｂ_59.8Ｔｅ_20.0（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオーバーライトしてジッターを測定したところ１５〔％〕であった。
【００６２】
上記〔実施例１０〕と〔比較例１０〕とを比較すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ_aＩｎ_dＳｂ_bＴｅ_cの４元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕の組成とした〔実施例１０〕においては、ジッターの変化がなく信号安定性が良好であったが、〔比較例１０〕においては信号が劣化した。
【００６３】
〔実施例１１〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ_4.0Ｉｎ_4.0Ｓｂ_63.3Ｔｅ_28.7（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオーバーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であった。
【００６４】
〔比較例１１〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ_4.0Ｉｎ_4.0Ｓｂ_63.2Ｔｅ_28.8（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオーバーライトしてジッターを測定したところ１５〔％〕であった。
【００６５】
上記〔実施例１１〕と〔比較例１１〕とを比較すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ_aＩｎ_dＳｂ_bＴｅ_cの４元合金により形成する場合、２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０の組成とした〔実施例１１〕においては、ジッターが低く信号安定性が良好であったが、〔比較例１１〕においては信号が劣化した。
【００６６】
〔実施例１２〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ_4.0Ｉｎ_4.0Ｓｂ_73.6Ｔｅ_18.4（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオーバーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であった。この光学記録媒体１０を窒素置換したオーブン中で１００℃の加熱状態で１００時間保存後ジッターを測定したところ、ジッターに変化がなかった。
【００６７】
〔比較例１２〕
ポリカーボネート製の基板１上に、反射層２として１００〔ｎｍ〕の膜厚のＡｇ合金薄膜、反射層保護層８として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＳｉ₃Ｎ₄薄膜、第１の誘電体層３として５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）、結晶化補助層４として０．４〔ｎｍ〕の膜厚のＳｂ₉₀Ｔｅ₁₀合金薄膜（数値はａｔｏｍ％）、相変化型記録層５として１０〔ｎｍ〕の膜厚のＧｅ_4.0Ｉｎ_4.0Ｓｂ_73.7Ｔｅ_18.3（数値はａｔｏｍ％）、第２の誘電体層６として１３５〔ｎｍ〕の膜厚のＺｎＳ₈₀−ＳｉＯ_{2 20}薄膜（数値はｍｏｌ％）を、それぞれスパッタリングプロセスにより形成し、光透過層７を、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすることにより形成し、相変化型の光学記録媒体１０を作製した。
この光学記録媒体１０に、ビット長０．１３〔μｍ〕で、ランダムデータを記録後、ダイレクトオーバーライトしてジッターを測定したところ８〔％〕であった。この光学記録媒体１０を窒素置換したオーブン中で１００℃の加熱状態で１００時間保存後ジッターを測定したところ、記録ビットの結晶化が進んだことにより、記録マークが部分的に消えてジッターが１５〔％〕に増加した。
【００６８】
上記〔実施例１２〕と〔比較例１２〕とを比較すると、相変化型記録層５を、Ｇｅ_aＩｎ_dＳｂ_bＴｅ_cの４元合金により形成する場合、２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕の組成とした〔実施例９〕においては、ジッターの変化がなく信号安定性が良好であったが、〔比較例９〕においては信号が劣化した。
【００６９】
上述したように、本発明によれば、相変化型記録層に隣接して結晶化補助層を形成したことによって、記録ビットを、アモルファス状態から結晶化状態に変化させる結晶化速度を高めることができ、記録線速を高くした場合にも消去比を高く維持することができ記録ビットの消去効率の向上が図られ、かつジッターが少なく、優れた信号安定性を有する光学記録媒体が提供された。
【００７０】
【発明の効果】
本発明によれば、相変化型記録層に隣接して結晶化補助層を形成し、結晶化補助層が、Ｓｂ_xＴｅ_1-x（０．７＜ｘ＜１）系の合金よりなるものとしたことにより、記録ビットを、アモルファス状態から結晶化状態に変化させる結晶化速度が高められ、広い範囲の記録線速において高い信号消去比が得られ、ジッターが少なく、優れた信号安定性を有する光学記録媒体が提供された。
特に記録線速を高くした場合においても高い信号消去比が得られることから、相変化光学記録媒体のさらなる高速記録化を図る上においても好適なものとすることができた。
【００７１】
また、本発明の相変化型の光学記録媒体によれば、相変化型記録層に隣接して設ける結晶化補助層の膜厚を、０．１ｎｍ以上２ｎｍ以下としたことにより、多数回信号書き換えを行った場合においてもジッターの増加が抑えられ、かつ広い範囲の記録線速において実用上充分な信号消去比が得られ、特に記録線速を速くした場合においても優れた信号消去比が実現でき、高密度記録の光学記録媒体に好適化することができた。
【００７２】
また、本発明によれば、相変化型記録層に隣接して設ける結晶化補助層が、Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_cの３元合金より成るものとし、かつ下記の組成を有しているものとしたことにより、ジッターが低く、保存特性に優れ信号安定性が良好な相変化型の光学記録媒体が得られた。
２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ≦１０〔ａｔｏｍ％〕
１−ａ＝ｂ＋ｃ
２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
【００７３】
また、本発明によれば、相変化型記録層に隣接して設ける結晶化補助層が、Ｇｅ_aＩｎ_dＳｂ_bＴｅ_cの４元合金より成るものとし、かつ下記の組成を有しているものとしたことにより、ジッターが低く、保存特性に優れ信号安定性が良好な相変化型の光学記録媒体が得られた。
２〔ａｔｏｍ％〕≦ａ＋ｄ≦２０〔ａｔｏｍ％〕
１−（ａ＋ｄ）＝ｂ＋ｃ
２．２０≦ｂ／ｃ≦４．０
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光学記録媒体の一例の概略断面図を示す。
【図２】本発明の光学記録媒体の他の一例の概略断面図を示す。
【図３】本発明の光学記録媒体の要部の概略断面図を示す。
【図４】本発明の実施例の光学記録媒体に対する信号の書き換え回数とジッターとの関係を示す。
【図５】比較例の光学記録媒体に対する信号の書き換え回数とジッターとの関係を示す。
【図６】本発明の実施例の光学記録媒体に対する信号の記録線速と信号消去比との関係を示す。
【図７】比較例の光学記録媒体に対する信号の記録線速と信号消去比との関係を示す。
【図８】本発明の実施例の光学記録媒体に対する信号の書き換え回数とジッターとの関係を示す。
【図９】比較例の光学記録媒体に対する信号の書き換え回数とジッターとの関係を示す。
【図１０】本発明の実施例の光学記録媒体に対する信号の記録線速と信号消去比との関係を示す。
【図１１】比較例の光学記録媒体に対する信号の記録線速と信号消去比との関係を示す。
【図１２】相変化型の光学記録媒体の記録層部分の概略平面図を示す。
【図１３】相変化型の光学記録媒体の記録層部分の信号記録状態の概略平面図を示す。
【図１４】相変化型の光学記録媒体の記録層部分の信号消去状態の概略平面図を示す。
【図１５】相変化型の光学記録媒体の記録層部分の信号消去における結晶化の模式図を示す。
【符号の説明】
１基板、２反射層、３第１の誘電体層、４結晶化補助層、５相変化型記録層、６第２の誘電体層、７光透過層、８反射層保護層、１０光学記録媒体[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention has at least a phase change recording layer and a light transmission layer on a substrate, and a signal using a reflectance difference or a reflected light phase difference caused by a phase change caused by irradiating laser light from the light transmission surface layer side. The present invention relates to an optical recording medium that performs recording and reproduction.
[0002]
[Prior art]
As an optical recording medium for recording various types of information such as audio and video, the recording or reproduction is performed by irradiating a laser beam, such as an optical disk, a magneto-optical disk, a phase change recording medium, etc. There are various types of optical recording media such as rewritable types, but the information recording layer that constitutes these optical recording media has fine irregularities such as phase pits and pregrooves on which data information, tracking servo signals, etc. are recorded. Thus, film formation is performed on the fine irregularities using various materials according to the optical recording media.
[0003]
Phase change type optical recording media use the fact that the reflectivity of laser light or the phase of reflected light changes before and after the phase change, and do not require an external magnetic field and detect the difference in the amount of reflected light for recording. The signal is reproduced.
[0004]
As described above, the phase change type optical recording medium does not require a magnet for applying an external magnetic field, and the optical system can be greatly simplified, thereby facilitating the manufacture of the drive, reducing the size and cost of the apparatus. Is also advantageous.
[0005]
Furthermore, the phase change type optical recording medium can perform signal recording and signal erasing only by modulating the power of the laser beam. Signal erasing and rewriting are simultaneously performed by a single beam. It has the advantage that beam overwriting is also possible.
[0006]
In such a phase change type optical recording medium, a chalcogen-based alloy is generally applied as a material for forming a recording layer. For example, Ge-Te-based, Ge-Te-Sb-based, In-- Examples thereof include Sb—Te, Ge—Sn—Te, and Ag—In—Sb—Te alloy thin films.
[0007]
In a phase change type optical recording medium, a recording bit is formed by irradiating a laser beam having a predetermined power to an amorphous state by irradiating a recording layer made of the above-described material in a crystalline state. A method of erasing the recording bit by crystallization is generally applied.
[0008]
FIGS. 12 to 14 show a part of the recording layer 101 of the phase change type optical recording medium 100 as viewed from the laser light irradiation surface side.
Since the recording layer is generally in an amorphous state immediately after film formation, the entire surface of the recording layer 101 is crystallized as an initial state as shown in FIG.
Next, as shown in FIG. 13, the recording bit 102 is formed by irradiating the surface of the recording layer 101 with laser light having a predetermined power to form an amorphous state portion 101b in the crystallized portion 101a.
Next, as shown in FIG. 14, the recording bit 102 is erased by irradiating the surface of the recording layer 101 with laser light to crystallize the amorphous portion 101b.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
13 and 14, when the recording bit 102 is erased by changing the recording bit 102 in the amorphous state to the crystallization state, the amorphous state portion 101b and the crystallization state are removed as shown in FIG. Crystals grow from the interface with the portion 101a, and finally crystallization ends at the central portion of the recording bit 102.
[0010]
At this time, for example, the wavelength of the laser beam is set to 400 nm, and the numerical aperture of the objective lens is N.P. A. Is 0.85, the width W of the recording bit 102 is about 200 [nm]. In this case, when crystallization proceeds from the interface between the amorphous state portion 101b and the crystallization state portion 101a, In order to completely erase the recording bit 102, it is necessary to crystallize at least a region corresponding to a width of about W / 2 = 100 [nm].
[0011]
In practical phase change optical recording media, signal rewriting is performed many times, and there will be a demand for more rapid and reliable signal recording and signal erasure of phase change optical recording media. However, if the amorphous state is not completely changed to the crystallized state and the amorphous state partially remains, the signal may be deteriorated by continuous signal rewriting.
[0012]
Further, in order to further improve the recording efficiency and signal erasing efficiency of the phase change optical recording medium in the future, it is necessary to increase the speed of erasure of such recording bits, that is, the change from the amorphous state to the crystallized state in such portions. is there.
[0013]
Therefore, the present invention provides a phase change type optical recording medium having a structure that increases the crystallization speed of the amorphous state portion in erasing the recording bit.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The optical recording medium of the present invention has a structure in which at least a reflective layer, a dielectric layer, a crystallization auxiliary layer, a phase change recording layer, a dielectric layer, and a light transmission layer are sequentially formed on a substrate. The crystallization auxiliary layer is made of Sb _x Te _1-x It is made of a (0.7 <x <1) alloy.
[0015]
According to the present invention, by forming the crystallization auxiliary layer adjacent to the phase change recording layer, the crystallization speed for changing the recording bit from the amorphous state to the crystallization state can be increased, and the erasing efficiency of the recording bit can be improved. Improvement is achieved.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the optical recording medium of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the optical recording medium of the present invention is not limited to the following examples.
[0017]
FIG. 1 shows a schematic sectional view of an example of the optical recording medium 10 of the present invention.
An optical recording medium 10 includes a reflective layer 2, a first dielectric layer 3, a crystallization auxiliary layer 4, a phase change recording layer 5, a second dielectric layer 6, and a light transmission layer 7 on a substrate 1. It has the structure formed sequentially.
[0018]
As the substrate 1, for example, glass, polycarbonate, acrylic resin, polyolefin resin, ultraviolet curable resin, or the like, and other conventionally known ones such as those obtained by forming a predetermined plastic film on glass can be appropriately applied. However, a polycarbonate resin is suitable for cost reduction and productivity improvement.
The substrate 1 has a thickness of 0.3 to 1.2 [mm] in order to ensure mechanical strength necessary for use as an optical disk and to cope with a conventionally used drive.
[0019]
The reflective layer 2 is formed of a material having a high reflectance with respect to the applied laser beam. For example, Au, Ag, Cu, Al or the like can be applied, and an alloy to which Ta, Ti, Cr, Mo, Mg, V, Nb, or Zr is appropriately added may be applied for thermal conductivity control or the like. it can.
[0020]
Further, as shown in FIG. 2, the reflective layer protective layer 8 may be formed on the reflective layer 2.
The reflective layer protective layer 8 is made of Si, Al oxide or nitride, for example, Si _Three N _Four It shall be formed by.
The reflective layer protective layer 8 avoids a component in the first dielectric layer 3 described later, particularly sulfur (S), from reacting with the metal atoms of the reflective layer 2.
[0021]
As the first dielectric layer 3 and the second dielectric layer 6, for example, a mixture of ZnS or a rare earth sulfide and a heat-resistant compound such as an oxide, nitride, or carbide can be applied. In consideration of repeated recording characteristics, it is desirable to apply a multiple dielectric mixture based on ZnS.
The film thicknesses of the first and second dielectric layers 3 and 6 are usually about 5 to 300 [nm].
[0022]
The crystallization auxiliary layer 4 promotes the change from the amorphous state to the crystallization state when the recording bits formed in the phase change recording layer 5 are erased.
The crystallization auxiliary layer 4 serves as a crystal nucleus and triggers the crystallization of the amorphous portion in the phase change recording layer 5. Therefore, it is desirable that the crystal structure is similar to that of the phase change recording layer 5 and has properties such as a refractive index close to that of the phase change recording layer 5.
In the optical recording medium 10 of the present invention, the crystallization auxiliary layer 4 includes Sb. _x Te _1-x It is assumed that the alloy is made of an alloy and the composition is particularly selected as 0.7 <x <1.
[0023]
The phase change recording layer 5 is made of an SbTe alloy and has a thickness of about 5 to 30 nm.
The phase change type recording layer 5 made of an SbTe-based alloy changes from an amorphous state to a crystallized state and can erase recorded bits at high speed.
[0024]
Further, in order to improve the stability of the recording bit in the amorphous state or improve the efficiency of the change to the crystallized state, the phase change recording layer 5 includes Ag, Ge, In, Sn, Zn, Au, At least one element selected from V may be added to the alloy. As the material for forming the phase change recording layer 5, for example, an alloy thin film of GeTeSb, InSbTe, or AgInSbTe can be applied.
[0025]
In particular, the phase change recording layer 5 is made of Ge. _a Sb _b Te _c When it is made of the ternary alloy, it has the following composition.
2 [atom%] ≦ a ≦ 10 [atom%]
1-a = b + c
2.20 ≦ b / c ≦ 4.0
[0026]
Further, the phase change recording layer 5 is made of Ge. _a In _d Sb _b Te _c When it is made of the quaternary alloy, it has the following composition.
2 [atom%] ≦ a + d ≦ 20 [atom%]
1- (a + d) = b + c
2.20 ≦ b / c ≦ 4.0
[0027]
In order to form a recording bit in an amorphous state by irradiating a laser beam during recording, heating is performed to the melting point of the phase change type recording layer 5 or higher. It is considered that the mold recording layer 5 is melted together and is mixed to some extent.
[0028]
Since the crystallization auxiliary layer 4 and the phase change recording layer 5 have different compositions, repeated recording is performed, and if both are mixed, the composition 5 of the phase change recording layer may change over time.
In order to avoid such a change in composition of the phase change recording layer 5, the crystallization auxiliary layer 4 is formed as a thin layer of 2 nm or less.
On the other hand, in order to exhibit the function as the crystallization auxiliary layer 4 for promoting the crystallization of the phase change recording layer 5, it is necessary to set the film thickness to 0.1 [nm] or more.
[0029]
In the case where the crystallization auxiliary layer 4 is formed as a thin layer with a film thickness d = 0.5 [nm] or less, the crystallization auxiliary layer 4 does not form a layer structure as a whole, and is shown in FIG. Thus, it is formed by an aggregate of a plurality of island-shaped crystallization auxiliary portions 4a.
Also in such a case, crystallization proceeds in the direction of the arrow in FIG. 3 from the interface between the crystallization auxiliary portion 4a and the phase change recording layer 5.
[0030]
As shown in FIG. 1, the optical recording medium 10 of the present invention irradiates a laser beam from the surface on which the light transmission layer 7 is formed, and records and reproduces a signal. Therefore, it is necessary that the film has a high transmittance and a uniform film thickness.
That is, it can be formed by spin-coating an ultraviolet curable resin or pasting together a polycarbonate sheet having a uniform film thickness.
[0031]
The reflective layer 2, the first dielectric layer 3, the second dielectric layer 6, the crystallization auxiliary layer 4, and the phase change auxiliary layer 5 can be formed by a sputtering method or the like.
In this case, it is desirable that the target material for forming each layer is formed by an in-line apparatus installed in different vacuum chambers in order to prevent oxidation and contamination between the respective layers and to improve productivity.
[0032]
Next, the optical recording medium of the present invention will be specifically described with reference to [Examples] and [Comparative Examples], but the present invention is not limited to the following examples.
[0033]
[Example 1]
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₉ Te ₁ As an alloy thin film, phase change type recording layer 5, Ge with a thickness of 10 [nm] _Four Sb _70.7 Te _25.3 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
A random signal is repeatedly recorded on the optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], and the relationship between the number of signal rewrites and the jitter is measured and shown in FIG.
As shown in FIG. 4, when rewriting was performed about 3000 times, the jitter was about 10%.
[0034]
[Comparative Example 1]
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, 5 [nm] ZnS as first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} Thin film (numerical value is mol%), Sb simple substance thin film having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4, Ge having a thickness of 10 [nm] as the phase change recording layer 5 _Four Sb _70.7 Te _25.3 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
A random signal is repeatedly recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], and the relationship between the number of signal rewrites and jitter is measured, and is shown in FIG.
As shown in FIG. 5, when rewriting was performed about 300 times, the jitter was about 10%.
[0035]
When [Example 1] and [Comparative Example 1] are compared, Sb is used as the crystallization auxiliary layer 4. _x Te _1-x It was found that the optical recording medium 10 of Example 1 in which a (0.7 <x <1) -based alloy thin film was formed was excellent in signal characteristic stability against multiple rewritings.
Further, practically, the number of signal rewrites to the optical recording medium is required to be about 1000 times. Therefore, in the case of the above [Comparative Example 1] in which Sb alone is used as the crystallization auxiliary layer 4, signal characteristics are obtained. The stability of was insufficient.
[0036]
[Example 2]
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₇₁ Te ₂₉ Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _Four Sb _70.7 Te _25.3 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
An 8T mark was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], and DC erasure was performed. The relationship between the recording linear velocity [m / sec] and the erase ratio [dB] at this time was measured, and the result is shown in FIG.
Since the erasure ratio may be practically 26 [dB] or more, in this example, the good erasure ratio is within the recording linear velocity range of 5.42 [m / sec] to 12.5 [m / sec]. was gotten.
[0037]
[Comparative Example 2]
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₇₀ Te ₃₀ Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _Four Sb _70.7 Te _25.3 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
An 8T mark was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], and DC erasure was performed. The relationship between the recording linear velocity [m / sec] and the erase ratio [dB] at this time was measured, and the result is shown in FIG.
In this example, an erasure ratio of 26 [dB] or more, which is practically required only in a very narrow range of a recording linear velocity of 5.42 [m / sec] to 7.5 [m / sec]. No numerical value was obtained.
[0038]
When [Example 2] and [Comparative Example 2] are compared, Sb is used as the crystallization auxiliary layer 4. _x Te _1-x In the optical recording medium 10 of [Example 2] in which a (0.7 <x <1) -based alloy thin film was formed, a good erasure ratio was obtained even when the recording linear velocity was increased, and the recording signal was erased. It turns out that efficiency is excellent.
[0039]
Example 3
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 2 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _Four Sb _70.7 Te _25.3 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
A random signal is repeatedly recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], and the relationship between the number of signal rewrites and the jitter is measured and shown in FIG.
As shown in FIG. 8, when rewriting was performed about 2000 times, the jitter was about 10%.
[0040]
[Comparative Example 3]
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 2.1 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _Four Sb _70.7 Te _25.3 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
A random signal is repeatedly recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], and the relationship between the number of signal rewrites and jitter is measured, and is shown in FIG.
As shown in FIG. 9, when rewriting was performed about 200 times, the jitter was about 10%.
[0041]
When [Example 3] and [Comparative Example 3] are compared, Sb is used as the crystallization auxiliary layer 4. _x Te _1-x In the optical recording medium 10 of [Comparative Example 3] in which the (0.7 <x <1) -based alloy thin film is formed thicker than 2 [nm], it is found that the signal characteristics with respect to multiple rewrites are unstable. It was.
This is because the composition change of the phase change type recording layer 5 occurred relatively early during rewriting several times.
[0042]
Example 4
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.1 nm as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _Four Sb _70.7 Te _25.3 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
An 8T mark was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], and DC erasure was performed. The relationship between the recording linear velocity [m / sec] and the erase ratio [dB] at this time was measured, and the result is shown in FIG.
Since the erasure ratio may be practically 26 [dB] or more, in this example, a good erasure ratio is obtained in the recording linear velocity range of 5.42 [m / sec] to 12.4 [m / sec]. was gotten.
[0043]
[Comparative Example 4]
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.09 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _Four Sb _70.7 Te _25.3 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
An 8T mark was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], and DC erasure was performed. The relationship between the recording linear velocity [m / sec] and the erasure ratio [dB] at this time was measured, and the result is shown in FIG.
In this example, an erasure ratio of 26 [dB] or more which is practically required only in a very narrow range of the recording linear velocity from 5.42 [m / sec] to 7.5 [m / sec]. It was not obtained.
[0044]
Comparing the above [Example 4] and [Comparative Example 4], in order to obtain a practically required erasure ratio in a sufficiently wide range of recording linear velocities, the crystallization auxiliary layer 4 It was found that it is necessary to form a film thickness of 0.1 [nm] or more. That is, it has been found that by forming the auxiliary crystallization layer 4 to a thickness of 0.1 [nm] or more, a good erase ratio can be obtained even when the recording linear velocity is increased.
[0045]
Example 5
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 ₂ Sb _72.9 Te _25.1 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
After recording random data with a bit length of 0.13 [μm] on this optical recording medium 10, the jitter was measured and found to be 8 [%].
The jitter was measured when the optical recording medium 10 was stored for 100 hours in a heated oven at 100 ° C. in an oven purged with nitrogen, and the jitter was not changed.
[0046]
[Comparative Example 5]
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _1.9 Sb _73.0 Te _25.1 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
After recording random data with a bit length of 0.13 [μm] on this optical recording medium 10, the jitter was measured and found to be 8 [%].
When the jitter was measured after the optical recording medium 10 was stored for 100 hours in an oven substituted with nitrogen at 100 ° C. for heating, the recording mark partially disappeared due to the progress of crystallization of the recording bit, and the jitter was 15 Increased to [%].
[0047]
When [Example 5] and [Comparative Example 5] are compared, the phase change recording layer 5 is _a Sb _b Te _c In [Example 5] having a composition of 2 [atom%] ≦ a ≦ 10 [atom%], the jitter was not changed and the signal stability was good. In Comparative Example 5], the signal deteriorated.
[0048]
Example 6
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _Ten Sb _66.9 Te _23.1 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
When random data was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], jitter was measured by direct overwriting and found to be 8 [%].
[0049]
[Comparative Example 6]
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _10.1 Sb _66.8 Te _23.1 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
When random data was recorded on the optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm] and then directly overwritten, the jitter was measured and found to be 15 [%].
[0050]
When [Example 6] and [Comparative Example 6] are compared, the phase change recording layer 5 is _a Sb _b Te _c In the case of [Example 6] having a composition of 2 [atom%] ≦ a ≦ 10 [atom%], there is no change in jitter even when the signal is directly overwritten. In [Comparative Example 6], the jitter increased and the signal deteriorated.
[0051]
Example 7
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _4.0 Sb _66.0 Te _30.0 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
When random data was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], jitter was measured by direct overwriting and found to be 8 [%].
[0052]
[Comparative Example 7]
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _4.0 Sb _65.9 Te _30.1 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
When random data was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], the jitter was measured by direct overwriting and found to be 15 [%].
[0053]
When [Example 7] and [Comparative Example 7] are compared, the phase change recording layer 5 is _a Sb _b Te _c In the case of the ternary alloy, the composition of 2.20 ≦ b / c ≦ 4.0 [Example 7] has no change in jitter even when the signal is directly overwritten, and the signal stability is improved. Although it was good, in [Comparative Example 7], jitter increased and the signal deteriorated.
[0054]
Example 8
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _4.0 Sb _76.8 Te _19.2 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
When random data was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], jitter was measured by direct overwriting and found to be 8 [%].
[0055]
[Comparative Example 8]
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _4.0 Sb _76.9 Te _19.1 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
When random data was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], the jitter was measured by direct overwriting and found to be 15 [%].
[0056]
When [Example 8] and [Comparative Example 8] are compared, the phase change recording layer 5 is _a Sb _b Te _c In the case of forming with a ternary alloy of 2.20 ≦ b / c ≦ 4.0 [Example 8], there is no change in jitter and signal stability even when the signal is directly overwritten. Although it was good, in [Comparative Example 8], jitter increased and the signal deteriorated.
[0057]
Example 9
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _1.0 In _1.0 Sb _72.0 Te _24.0 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
When random data was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], jitter was measured by direct overwriting and found to be 8 [%]. The jitter was measured after the optical recording medium 10 was stored for 100 hours in a heated oven at 100 ° C. in an oven purged with nitrogen, and there was no change in the jitter.
[0058]
[Comparative Example 9]
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _0.9 In _0.9 Sb _72.0 Te _24.0 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
When random data was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], jitter was measured by direct overwriting and found to be 8 [%]. When the jitter was measured after the optical recording medium 10 was stored for 100 hours in an oven substituted with nitrogen at 100 ° C. for heating, the recording mark partially disappeared due to the progress of crystallization of the recording bit, and the jitter was 15 Increased to [%].
[0059]
When [Example 9] and [Comparative Example 9] are compared, the phase change recording layer 5 is _a In _d Sb _b Te _c In [Example 9] having a composition of 2 [atom%] ≦ a + d ≦ 20 [atom%], the jitter was not changed and the signal stability was good. In Comparative Example 9], the signal deteriorated.
[0060]
Example 10
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _10.0 In _10.0 Sb _60.0 Te _20.0 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
When random data was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], jitter was measured by direct overwriting and found to be 8 [%].
[0061]
[Comparative Example 10]
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _10.1 In _10.1 Sb _59.8 Te _20.0 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
When random data was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], the jitter was measured by direct overwriting and found to be 15 [%].
[0062]
When [Example 10] and [Comparative Example 10] are compared, the phase change recording layer 5 is _a In _d Sb _b Te _c In [Example 10] having a composition of 2 [atom%] ≦ a + d ≦ 20 [atom%], the jitter was not changed and the signal stability was good. In Comparative Example 10], the signal deteriorated.
[0063]
Example 11
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _4.0 In _4.0 Sb _63.3 Te _28.7 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
When random data was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], jitter was measured by direct overwriting and found to be 8 [%].
[0064]
[Comparative Example 11]
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _4.0 In _4.0 Sb _63.2 Te _28.8 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
When random data was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], the jitter was measured by direct overwriting and found to be 15 [%].
[0065]
Comparing the above [Example 11] and [Comparative Example 11], the phase change recording layer 5 is _a In _d Sb _b Te _c In [Example 11] in which the composition was 2.20 ≦ b / c ≦ 4.0, the jitter was low and the signal stability was good, but [Comparative Example 11] In, the signal deteriorated.
[0066]
Example 12
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _4.0 In _4.0 Sb _73.6 Te _18.4 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
When random data was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], jitter was measured by direct overwriting and found to be 8 [%]. The jitter was measured after the optical recording medium 10 was stored for 100 hours in a heated oven at 100 ° C. in an oven purged with nitrogen, and there was no change in the jitter.
[0067]
[Comparative Example 12]
On the substrate 1 made of polycarbonate, an Ag alloy thin film having a thickness of 100 [nm] as the reflective layer 2 and an Si film having a thickness of 10 [nm] as the reflective layer protective layer 8 _Three N _Four Thin film, ZnS having a thickness of 5 nm as the first dielectric layer 3 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (numerical value is mol%), Sb having a thickness of 0.4 [nm] as the crystallization auxiliary layer 4 ₉₀ Te _Ten Alloy thin film (numerical value is atom%), Ge of 10 nm thickness as phase change recording layer 5 _4.0 In _4.0 Sb _73.7 Te _18.3 (Numerical value is atom%) ZnS having a film thickness of 135 nm as the second dielectric layer 6 ₈₀ -SiO _{2 20} A thin film (the numerical value is mol%) was formed by a sputtering process, and the light transmission layer 7 was formed by spin-coating an ultraviolet curable resin to produce a phase change optical recording medium 10.
When random data was recorded on this optical recording medium 10 with a bit length of 0.13 [μm], jitter was measured by direct overwriting and found to be 8 [%]. When the jitter was measured after the optical recording medium 10 was stored for 100 hours in an oven substituted with nitrogen at 100 ° C. for heating, the recording mark partially disappeared due to the progress of crystallization of the recording bit, and the jitter was 15 Increased to [%].
[0068]
When [Example 12] and [Comparative Example 12] are compared, the phase change recording layer 5 is _a In _d Sb _b Te _c In [Example 9] having a composition of 2 [atom%] ≦ a + d ≦ 20 [atom%], the jitter was not changed and the signal stability was good. In Comparative Example 9], the signal deteriorated.
[0069]
As described above, according to the present invention, by forming the crystallization auxiliary layer adjacent to the phase change recording layer, the crystallization speed for changing the recording bit from the amorphous state to the crystallization state can be increased. An optical recording medium capable of maintaining a high erasure ratio even when the recording linear velocity is increased, improving the erasing efficiency of recording bits, reducing jitter, and having excellent signal stability is provided. .
[0070]
【The invention's effect】
According to the present invention, the crystallization auxiliary layer is formed adjacent to the phase change recording layer, and the crystallization auxiliary layer is formed of Sb. _x Te _1-x By using a (0.7 <x <1) alloy, the crystallization speed for changing the recording bit from the amorphous state to the crystallization state can be increased, and high signal erasure can be achieved over a wide range of recording linear speeds. An optical recording medium having a high ratio, low jitter, and excellent signal stability was provided.
In particular, since a high signal erasure ratio can be obtained even when the recording linear velocity is increased, the phase change optical recording medium can be suitably used for higher speed recording.
[0071]
Further, according to the phase change type optical recording medium of the present invention, the signal rewriting is performed many times by setting the film thickness of the crystallization auxiliary layer provided adjacent to the phase change type recording layer to 0.1 nm or more and 2 nm or less. In this case, an increase in jitter can be suppressed and a practically sufficient signal erasure ratio can be obtained at a wide range of recording linear velocities, and an excellent signal erasure ratio can be realized even when the recording linear velocity is increased. Therefore, it was possible to optimize the optical recording medium for high-density recording.
[0072]
Further, according to the present invention, the crystallization auxiliary layer provided adjacent to the phase change type recording layer is made of Ge. _a Sb _b Te _c Thus, a phase change type optical recording medium having low jitter, excellent storage characteristics and good signal stability was obtained.
2 [atom%] ≦ a ≦ 10 [atom%]
1-a = b + c
2.20 ≦ b / c ≦ 4.0
[0073]
Further, according to the present invention, the crystallization auxiliary layer provided adjacent to the phase change type recording layer is made of Ge. _a In _d Sb _b Te _c Thus, a phase change type optical recording medium having low jitter, excellent storage characteristics and good signal stability was obtained.
2 [atom%] ≦ a + d ≦ 20 [atom%]
1- (a + d) = b + c
2.20 ≦ b / c ≦ 4.0
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of an optical recording medium of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of another example of the optical recording medium of the present invention.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the main part of the optical recording medium of the present invention.
FIG. 4 shows the relationship between the number of signal rewrites and jitter on the optical recording medium of the embodiment of the present invention.
FIG. 5 shows the relationship between the number of signal rewrites and jitter for an optical recording medium of a comparative example.
FIG. 6 shows a relationship between a signal recording linear velocity and a signal erasure ratio with respect to an optical recording medium according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 shows a relationship between a signal recording linear velocity and a signal erasure ratio with respect to an optical recording medium of a comparative example.
FIG. 8 shows the relationship between the number of signal rewrites and jitter on the optical recording medium of the embodiment of the present invention.
FIG. 9 shows the relationship between the number of signal rewrites and jitter for an optical recording medium of a comparative example.
FIG. 10 shows a relationship between a signal recording linear velocity and a signal erasure ratio with respect to the optical recording medium of the embodiment of the present invention.
FIG. 11 shows a relationship between a signal recording linear velocity and a signal erasure ratio with respect to an optical recording medium of a comparative example.
FIG. 12 is a schematic plan view of a recording layer portion of a phase change type optical recording medium.
FIG. 13 is a schematic plan view of a signal recording state of a recording layer portion of a phase change type optical recording medium.
FIG. 14 is a schematic plan view showing a signal erasing state of a recording layer portion of a phase change type optical recording medium.
FIG. 15 is a schematic diagram of crystallization in signal erasure of a recording layer portion of a phase change type optical recording medium.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate, 2 Reflective layer, 3 First dielectric layer, 4 Crystallization auxiliary layer, 5 Phase change type recording layer, 6 Second dielectric layer, 7 Light transmission layer, 8 Reflective layer protection layer, 10 Optical recording Medium

Claims

At least a reflective layer, a first dielectric layer, a crystallization auxiliary layer, a phase change recording layer, a second dielectric layer, and a light transmission layer are sequentially formed on the substrate,
The optical recording medium, wherein the crystallization auxiliary layer is made of an alloy of Sb _x Te _1-x (0.7 <x <1).

2. The optical recording medium according to claim 1, wherein the crystallization auxiliary layer has a thickness of 0.1 nm to 2 nm.

The optical recording medium according to claim 1, wherein the crystallization auxiliary layer includes a plurality of island-shaped crystallization auxiliary portions.

The phase change type recording layer is made of a ternary alloy of Ge _a Sb _b Te _c,
The optical recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the optical recording medium has the following composition.
2 [atom%] ≦ a ≦ 10 [atom%]
1-a = b + c
2.20 ≦ b / c ≦ 4.0

The phase change type recording layer is made of quaternary alloys of _{_{_{_{Ge a In d Sb b Te c}}}} ,
The optical recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the optical recording medium has the following composition.
2 [atom%] ≦ a + d ≦ 20 [atom%]
1- (a + d) = b + c
2.20 ≦ b / c ≦ 4.0