JP4227516B2 - 容量式センサ並びに容量式センサの製造方法 - Google Patents

Description

従来技術
本発明は、該当する独立請求項の上位概念に記載された半導体構成素子、例えば特に湿度センサ、および半導体構成素子の製造方法に関する。

半導体構成素子に作用する媒体の量および／または種類を求める公知の多層半導体構成素子は、コンデンサ装置を有している。第１の電極と第２の電極の間にある層に媒体が作用する。湿度センサを構成する半導体構成素子の場合にこの媒体は、半導体構成素子を取り囲んでいる空気の湿気である。公知の湿度センサでは、空気の湿気は構造化された被覆電極を通って湿気に反応する層へ進入し、この層の誘電数（Dielektrizitaetszahl）を変化させる。これは２つの電極と湿気感応層によって構成されたコンデンサの、湿気に依存する容量変化につながり、この容量変化が評価される。

発明の利点
該当する独立請求項に記載された特徴部分の構成を有する本発明による半導体構成素子はこれに対して、低コストで製造可能な、孔が設けられた層を有しているという利点を有する。この層内に質的および／または量的に突き止められるべき媒体が達し、これによって多孔性の層の誘電数が変化する。このような層は有利には孔が設けられたシリコン層ないし多孔性のシリコン層である。ポリマー層が設けられている公知の容量性湿度センサと異なり、本発明による多孔性の層は湿度に依存する膨張（Aufquellen）を示さない。

本発明の半導体構成素子によって、このような多孔性の層を用いて気体状の媒体に対するセンサも液体状の媒体に対するセンサも低コストで製造可能である。これに加えてこのセンサは、長い寿命と高い信頼性を特徴とする。有利にはこの半導体構成素子は空気湿度（Luftfeuchtigkeit）を突き止めるセンサとして構成される。

本発明の方法は、本発明による半導体構成素子の少なくとも１つの多孔性の層を、１種または数種のエッチング媒体を用いて製造することを提案する。ここでこの１種または数種のエッチング媒体はフッ酸を含む。有利には本発明による半導体構成素子の出発層における気孔率は、多孔性の層を生成するために、半導体構成素子の上側と下側との間に電界を加え、それに伴う１種または数種のエッチング媒体を通過する電流によって生成される。気孔率、すなわち殊に全ての孔の中空室の総拡大と層の残りの材料の体積との割合は、相応の電圧を印加することによって容易かつ再現可能に調整設定される。殊にエッチング工程は、電圧の遮断によって充分に突然に停止される。これによって、製造プロセスが良好に制御される。

本発明の有利な実施形態では、孔を作成するための１種および／または数種のエッチング媒体はフッ酸（ＨＦ）、またはフッ酸を有する液体混合物または化合物である。

本発明の有利な実施形態では、この１種ないし数種のエッチング媒体に易揮発性の成分、有利にはアルコール、例えばエタノール、および／または精製水を、１種または数種のエッチング媒体を希釈するために添加する。

エタノールは、このエタノールを加えたエッチング媒体の表面張力を低下させる。これによってシリコン表面の湿れが改善され、エッチング媒体がエッチングされた孔へより良く進入する。さらに、エタノールをエッチング媒体に加えない場合より、エッチング工程の間に生じるブリスターが小さくなり、ブリスターは既に作成された孔を通してより良好に逃げることができる。

本発明の有利な実施形態では、エッチング媒体、エッチング媒体中のＨＦ−濃度および／またはエッチングされるべき領域のドーピングおよび／または温度および場合によってはエッチング方法の他のプロセスパラメータは次のように選択される。すなわちエッチング工程ないしは孔形成が適当な方法で調整され、および／または電圧の遮断によって、有利には十分に突然に停止されるように選択される。

図面
本発明による半導体構成素子と、本発明による半導体構成素子の製造方法を以下で湿度センサの例に即してより詳細に説明する。ここでは概略的な、必ずしも尺度は正確でない図面を用いる。ここで同一の、または同じ作用をする層または部分には同じ参照番号が付されている。

図１には、底面電極、構造化された被覆電極および２つの電極間に配置された、上部がエッチングされたポリマー層を有する公知の湿度センサが断面図で示されている。図２には、本発明による湿度センサの第１の実施形態の製造段階物が断面図で示されている。図３には、図２に示された第１の実施形態の第１の発展形態が断面図で示されている。図４には、図２に示された第１の実施形態の第２の発展形態が断面図で示されている。図５には、電気的接続部が設けられた、図３または図４の湿度センサの実施例が断面図並びに平面図で示されている。図６には、同じ高さに配置された２つの電極と、その上に設けられた遮蔽電極を有する本発明による湿度センサの第２の実施形態の第１の形態が断面図で示されている。図７には、遮蔽電極のない、図６に示された本発明による湿度センサが断面図で示されている。図８には、遮蔽電極および中間層のない、図６に示された本発明による湿度センサが断面図で示されている。図９には、プレートコンデンサの形をした図６〜図８に示された底面電極に対する第１の実施形態が平面図で示されている。図１０には、インターデジタル構造の形をした図６〜図８に示された底面電極に対する第１の実施形態が平面図で示されている。ここでこの底面電極は、相互にかみ合った２つの櫛形電極によって構成されている。図１１にはネット状の上部電極およびネット状の下部電極を有する本発明による別の湿度センサが断面図で示されている。

図１に示された公知の湿度センサ１００は、シリコン基板１０１、シリコン基板１０１内の適切にドーピングされた領域によって作成された底面電極ないしは下部電極１０２、上部がエッチングされたポリマー層１０３および構造化された被覆電極１０４を有している。構造化された被覆電極１０４の構造化部ないし開口部を介して空気はポリマー層１０３に達する。空気中に含まれている湿気は、ポリマー層１０２に達し、その誘電数に影響を与える。ポリマー層１０３の誘電数は、下部電極１０２、ポリマー層１０３およびプレートコンデンサを形成する構造化された被覆電極１０４を介して求められる。誘電数を介して目下の空気湿度が求められる。不利なことに、空気湿度の変化は、ポリマー層の収縮ないしは膨張につながる。これによって少し後に公知の湿度センサ１００が機械的に損傷してしまう恐れがある。さらに殊に自動車の領域における大量生産ではポリマーを用いて公知の湿度センサを構成することは相当にコストがかかり、高価になってしまう。

本発明による湿度センサの第１の実施形態に対する、図２に示された製造段階物２００は、シリコン基板１０１と、ドーピングされた領域によって作成された底面電極ないし下部電極１０２と、シリコン基板１０１の上面の上およびドーピングされた領域１０２の上に析出された、シリコンから成るいわゆる中間層２０１と、ドーピングされた領域によって形成された被覆電極ないし上部電極２０２と、マスク層２０３によって作成された、中間層２０１の上側のマスキング部とを有している。中間層２０１の上側のマスキングは、エッチング開口部２０４が下部電極１０２、中間層２０１および上部電極２０２上に作成されて設けられる。この製造段階物２００は、公知のシリコン半導体プロセスによって作成されるので、これに関してより詳細には検討しない。

有利にはそれぞれエッチング開口部２０４の下の領域に制限された、孔が開けられたないし多孔性の被覆電極２０２並びに孔が開けられたないし多孔性の中間層２０１を製造するために、図２に示された製造段階物２００は有利には、殊にフッ酸を有するエッチング媒体内に入れられる。製造段階物２００の上側と製造段階物２００の下側との間に電圧が印加される。この電圧によってエッチング媒体内に電流が生じる。このエッチング媒体は孔ないし開口部を、それぞれほぼエッチング開口部２０４の下方領域に制限して、被覆電極２０２および、後続の中間層２０１内に作成する。フッ酸を用いた電気化学的エッチングの結果は、図２に示された第１の実施形態に対する、図３に示された第１の発展形態３００である。方法パラメータはエッチングでは次のように調整される。すなわち、被覆電極２０２の該当する領域の気孔率と、中間層２０１の該当する領域３０１の気孔率がほぼ同じになるように調整される。気孔率とは殊に、該当する領域内に作成された孔によって与えられた中空室ないしは外部から進入可能な空間と、層の残りの材料の体積との、体積単位に関する割合のことである。

該当領域３０１において自身の下ないしは隣にある中間層２０１の気孔率とほぼ同じ気孔率を有する被覆電極２０２は本発明では次のようにして得られる。すなわちエッチング媒体内を流れる電流の電流強度を、被覆電極２０２内に孔を作成するあいだ、およびその下にある中間層２０１内に孔を作成するあいだほぼ同じにしておくことによって得られる。必要な場合には、被覆電極２０２内に孔を作成する電流強度の調整時に、この領域２０２が中間層２０１とは異なってドーピングされていることが考慮されるべきである。多孔性エッチングの深度は、その他のエッチングパラメータが一定の場合には有利には、電流がエッチング媒体内を流れる持続時間によって予め設定される。

図３に示された本発明の湿度センサは、多孔性の薄い上部電極２０２と、上部電極２０２と下部電極１０２とのあいだの中間層２０１内の多孔性領域３０１とを有するコンデンサを構成する。中間層２０１の多孔性領域３０１は、上部電極２０２を支持する。中間層２０１の厚さに対して薄い上部電極２０２の微細な孔によって、湿気を帯びた空気が中間層２０１の多孔性領域３０１に達する。これによって誘電数、ひいては上部電極と下部電極の間の評価可能な容量が実際の空気湿度に依存して変化する。

ドーピングによる気孔率の形式の依存性を所期のように利用することも可能である。例えば上部電極に対してｎ型ドーピングを使用することによって、垂直な孔が得られ、中間層に対してｐ型ドーピングを用いることによって細かく細分化された孔が得られる。

以後に図５に関連してより詳細に説明されるように、２つの電極はドープされた領域を介して導体路の形でコンタクトパッドないしコンタクト面またはセンサ上に集積された回路（図示されていない）と電気的に接続される。付加的にセンサ上に基準キャパシタンス（Referenzkapazitaet）を製造することができる。この基準キャパシタンスは例えば後続の金属化ステップ時に完全に平面状に金属によって覆われる。択一的に別個に重ねられるパシベーション層によって覆うこともできる。これによって基準キャパシタンスは湿気に反応しなくなる。

図４には、第１の実施形態の図２に示された製造段階物の第２の発展形態が示されている。第１の実施形態の図２に示された製造段階物の図３に示された第１の発展形態と異なって、図４に示された本発明の湿度センサは上部電極２０２ないしは上部中間層２０１の領域４０１において、上部電極２０２の下にある中間層２０１の気孔率より格段に低い気孔率を有している。これを実現するために、上部電極２０２ないしは上部電極を作成する相応のドーピング領域は時間制御されて、フッ酸内に電圧を印加することによって多孔性にエッチングされる。ここでは低い電流密度で作業される。これによって気孔率が低くなる。上部電極２０２の領域における中間層２０１が多孔性にエッチングされた後、電流密度は格段に上昇される。その下にある中間層はここで同じようにエッチングされるが、上部電極２０２の気孔率と比較して格段に高い気孔率でエッチングされる。多孔性にエッチングされた領域はラテラルにマスク層２０３によって制限される。第１の実施形態との違いは、既に説明したように中間層２０１が、上部電極２０２を作成するドーピング領域ないしドーピング層より格段に多孔性であるということである。本発明のこのような有利な実施形態では、本発明の湿度センサに作用する空気湿度の変化時に誘電数の変化が、所望のように一次的に、中間層２０１ないしは上部電極と下部電極との間の中間空間において生じる。本発明による多孔性エッチング時には、上部電極と下部電極との間の中間空間における多孔性の残部材料は依然として安定しており、上部電極を機械的に充分に支持するように注意されるべきである。

図５には、電気的接続部が設けられた図３または図４の湿度センサ５００の実施例が断面図並びに平面図で示されている。下部電極１０２は、適切な公知の貫通接触接続部５０１を介して、その外部接触のためにコンタクト面５０２と接続されている。上部電極２０２は、適切な公知のコンタクト路５０４を介してその外部接触のためにコンタクト面５０３と接続されている。外部接触を介して、上部電極２０２、下部電極１０２およびその間に設けられた多孔性の層３０１または４０２によって形成されたコンデンサの容量が定められる。上述したように、２つの電極間にある多孔性層の誘電数は、外部から多孔性層の孔内へ進入する実際の媒体に依存する。同じように、多孔性層の誘電数は該当する媒体の濃度に依存する。湿度センサのここに示した例では、空気の湿気は多孔性の上部電極２０２を介して多孔性領域３０１ないし４０２へ進入し、この結果コンデンサの容量が変化する。この変化は評価回路（図示されていない）に、コンタクト面５０２および５０３を介して供給される。これは容量変化および容量変化を生じさせた変化した空気湿度を求める、ないしは量的に定める。このために例えば、同じようにこの半導体構成素子上に統合された基準キャパシタンスを用いることができる（図示されていない）。

図５の上部が湿度センサ５００を断面図で示しているのに対し、湿度センサ５００は図５の下部に平面図で示されている。湿度センサ５００の平面図から、下部電極１０２および上部電極２０２が矩形の輪郭を有し、相互に平行して高さをずらして配置されていることがわかる。それらの輪郭はほぼ合致している。

図６に示された、本発明による湿度センサの第２の実施形態の第１の形態６００は、同じ高さに配置された２つの電極６０１および６０２を有している。図６に示された、第１の形態ないし半導体構成素子６００の断面図から、第１の電極６０１および第２の電極６０２が遮蔽電極６０３によって覆われていることが分かる。遮蔽電極６０３、遮蔽電極６０３の下の中間層２０１の領域および第１の電極６０１と第２の電極６０２との間の領域は説明した方法で多孔性に形成されている。遮蔽電極６０３内の孔、中間層２０１の多孔性領域（図示されていない）および電極６０１と６０２の間の多孔性領域（図示されていない）を介して、ここで前に示された湿度センサの実施例では、空気の湿気が第１の電極６０１と第２の電極６０２との間に達する。これによって、第１の電極６０１と第２の電極６０２との間の多孔性領域の誘電数が変化する。これは上述したコンデンサの容量を変化させる。容量のこの変化は公知の方法で空気の湿気を量的に定めるために評価される。

図７には、遮蔽電極６０３を有していない図６に示された本発明による湿度センサが示されている。図７に示された本発明による半導体構成素子７００の実施形態は、図６に示された実施例と同じように中間層２０１を有している。ここでこの中間層は上述の方法によって第１の電極６０１と第２の電極６０２の領域において多孔性に形成されている。同じように、図７における実施形態７００の第１の電極６０１と第２の電極６０２との間の領域は多孔性に形成されている。この結果、外部から半導体構成素子７００に作用する空気の湿気によって、２つの電極６０１および６０２の間の層の誘電数が変化する。ここでこの誘電数は記載したように空気の湿気を量的に求めるために評価される。

図８に示された湿度センサ８００は、図６に示された実施形態と次の点において異なる。すなわちこの湿度センサが遮蔽電極６０３（図６を参照）も、多孔性の中間層２０１（図７を参照）も有していないことである。すなわち図８に示された湿度センサ８００は、シリコン基板２０１と、適切にドーピングされた２つの領域のみを有する。ここでこの適切にドーピングされた領域は、第１の電極６０１と第２の電極６０２を作成する。湿度センサ８００は同じように２つの電極６０１および６０２との間に、多孔性の領域ないしは多孔性の層を有する（明確には示されていない）。図６および図７に示された半導体構成素子と同じように、外部から湿度センサ８００に作用する空気湿気は２つの電極６０１と６０２の間に達し、２つの電極間に設けられた多孔性層の誘電数を変化させる。これに付随する容量変化が同じように公知の方法で、目下、湿度センサに作用している空気の湿気を求めるために検出される。

図９には、プレートコンデンサを形成する、図６〜図８において断面図で示された電極に対する第１の実施形態９００が示されている。これはプレートコンデンサを構成する。プレートコンデンサ９００は、第１の底面電極９０１および第２の底面電極９０２を有している。

図１０には、図６〜図８において断面図で示された電極に対する第２の実施形態が示されている。この実施形態は、いわゆるインターデジタル構造体１０００を構成する、相互にかみ合った２つの櫛形電極１００１および１００２の形状を有している。

図１１には、本発明による別の湿度センサ１１００が断面図で示されている。図１１のシリコン基板１１０１およびシリコン中間層１１０２は、適切なｐ型ドーピングを有している。ｐ型ドープされたシリコン基板１１０１上には、平面図（図示されていない）ではネット状ないしは格子状の下部電極が、このような形状に相応してシリコン基板１１０１内にｎ型ドープされた領域によって構成されている。ここでこの下部電極は、この断面図では参照番号１１０３が付されている。

シリコン基板１１０１上およびｎ型ドープされた領域ないし下部電極１１０３上には、ｐ型ドープされたシリコン中間層１１０２が析出されている。このシリコン中間層１１０２には同じように、再びｎ型ドーピング領域が生じるようにｎ型ドーピングがされている。ｎ型ドープされた領域は同じように、平面図（図示されていない）ではネット状ないし格子状の上部電極を構成する。ここでこの上部電極は、図１１の断面図では参照番号１１０４が付けられている。ｎ型ドーピング領域の製造、および中間層の析出は公知の方法で行われるので、ここではより詳細に検討しない。

図１１の多孔性領域３０１を製造するために、図１１の上述した構造体を既に説明したように電気化学的にエッチングする。エッチング工程では、図１１に示した構造体の上側と下側との間の電圧差によって電流が流れる。ここでこの電流は図１１の構造体を取り囲んでいるエッチング媒体から出発してほぼ均等に、ｐ型ドープされたエピタキシャル析出中間層１１０２を通って流れ、ｎ型ドープされた電極を貫通する（durchsetzen）ことなく流れ過ぎる。言い換えれば電流密度はｎ型ドープされた電極内では中間層１１０２における電流密度と比べると、ほぼ無視できるものである。これは、エッチング工程時にほぼこの層１１０２内にのみ孔が生じ、格子状の電極１１０３および１１０４内には生じないという結果になる。すなわち中間層１１０２のみがエッチングマスク内のエッチング開口部２０４下で多孔性である；電極１１０３および１１０４はこれに対して多孔性ではない、ないしほぼ多孔性ではない。中間層１１０２内の多孔性領域３０１はこの場合、上述したように、中間層内に上方から進入した媒体（殊に空気）を量的および／または質的に定めるのに用いられる。その湿気ないし含水量は、殊に本発明に相応して湿度センサを構成する、図１１に示した構造体によって容量的に定められる。本発明のｎ型ドープされた電極１１０３および１１０４は次のような特徴を有している。すなわちこの電極は電気化学的エッチング時に攻撃されないという特徴である。従ってその電導性は、エッチング工程にもかかわらず十分に保たれる（材料の損害はない）。それに加えてｐ型ドーピング材料（殊にシリコン）内でｎ型ドーピング電極を用いることによって、漏れ電流をほぼ回避することができる。

底面電極、構造化された被覆電極および２つの電極間に配置された上部エッチングされたポリマー層を有する公知の湿度センサの断面図である。

本発明による湿度センサの第１の実施形態に対する製造段階物の断面図である。

図２に示された第１の実施形態に対する第１の発展形態の断面図である。

図２に示された第１の実施形態に対する第２の発展形態の断面図である。

電気的接続部が設けられた、図３または図４の湿度センサの実施例の断面図並びに平面図である。

同じ高さに配置された２つの電極と、その上に設けられた遮蔽電極を有する本発明による湿度センサの第２の実施形態に対する第１の形態の断面図である。

遮蔽電極のない、図６に示された本発明による湿度センサの断面図である。

遮蔽電極および中間層のない、図６に示された本発明による湿度センサの断面図である。

プレートコンデンサの形をした図６〜図８に示された底面電極に対する第１の実施形態の平面図である。

インターデジタル構造の形をした図６〜図８に示された底面電極に対する第１の実施形態の平面図である。この底面電極は相互にかみ合った２つの櫛形電極によって構成されている。

ネット状の上部電極およびネット状の下部電極を有する本発明による別の湿度センサの断面図である。

符号の説明

１００ 公知の湿度センサ
１０１ シリコン基板
１０２ 適切なドーピング領域によって作成された底面電極、下部電極
１０３ 上部エッチングされたポリマー層
１０４ 構造化された被覆電極、上部電極
２００ 本発明による湿度センサの第１の実施形態に対する製造段階物
２０１ シリコン中間層
２０２ 被覆電極、上部電極、ドーピング領域
２０３ マスク層
２０４ エッチング開口部
３００ 図２に示された第１の実施形態に対する第１の形態
３０１ エッチング開口部２０４の下の全体領域において底面電極１０２まで延在している、中間層２０１内の多孔性の領域
４００ 図２に示された第１の実施形態に対する第２の形態
４０１ エッチング開口部２０４下の領域においてほぼ被覆電極２０２の下側まで延在している、より低い気孔率を有する領域
４０２ エッチング開口部２０４下の領域においてほぼ底面電極１０２の下側まで延在している、領域４０１に関してより高い気孔率を有している領域
５００ 電気的接続部が設けられた図３または図４の湿度センサに対する実施例の断面図並びに平面図
５０１ 貫通接触接続部
５０２ 底面電極を接続するコンタクト面
５０３ 被覆電極の接触のためのコンタクト面
５０４ 被覆電極の接触のためのコンタクト路
６００ 同じ高さに配置された２つの電極とその上に設けられた遮蔽電極を有する、本発明による湿度センサの第２の実施形態に対する第１の形態
６０１ 第１の底面電極
６０２ 第２の底面電極
６０３ 遮蔽電極
７００ 遮蔽電極を有していない、図６に示された本発明による湿度センサ
８００ 遮蔽電極および中間層を有していない、図６に示された本発明による湿度センサ
９００ プレートコンデンサの形をした、図６〜図８に示された電極に対する第１の実施形態
９０１ 第１の底面電極
９０２ 第２の底面電極
１０００ 相互にかみ合っている２つの櫛形電極によって作成されたインターデジタル構造体の形をした、図６〜図８に示された電極に対する第２の実施形態
１００１ 櫛の形をした第１の底面電極
１００２ 櫛の形をした第１の底面電極
１１００ ネット状電極ないしは格子状電極を有する本発明による湿度センサの別の実施形態の例
１１０１ ｐ型ドープされたシリコン基板
１１０２ ｐ型ドープされたシリコン中間層
１１０３ ネット状の下部電極
１１０４ ネット状の上部電極

Claims (12)

1. 半導体基板（１０１）と、第１の電極（１０２）と、第２の電極（２０２）と、第１の層（２０１）を有する容量式センサであって、
   前記第１の層（２０１）は、半導体構成素子に外部から作用する媒体に対して、進入可能であり、
   前記第１の層（２０１）は、少なくとも部分的に前記第１の電極と第２の電極の間に配置されており、
   第１の多孔性層である前記第１の層（２０１）は孔（３０１）を有しており、当該孔に前記媒体が少なくとも部分的に達する形成の容量式センサにおいて、
   少なくとも１つの電極（１０２，２０２）はドーピングされた半導体層によって構成されており、
   前記第２の電極（２０２）は第２の多孔性層（４０１）であり、当該第２の多孔性層（４０１）を通じて前記媒体が前記第１の多孔性層（２０１）に達し、
   前記第２の多孔性層（４０１）の気孔率、すなわち材料に対する孔の体積の割合は、前記第１の多孔性層（２０１）の気孔率より低い、
   ことを特徴とする容量式センサ。
2. 前記媒体は、湿気を有している空気のような気体または液体である、請求項１記載の容量式センサ。
3. 前記半導体基板（１０１）はシリコンから成る、請求項１記載の容量式センサ。
4. 前記第１の電極および第２の電極（６０１, ６０２）は実質的に同じ高さに、相互に間隔を有して配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の容量式センサ。
5. 前記第１の電極および第２の電極（１００１, １００２）はインターデジタル構造体（１０００）を構成している、請求項１から４までのいずれか１項記載の容量式センサ。
6. 前記第１および／または第２の電極（１０２, ２０２）および／または前記第１の多孔性の層（３０１）は、第３の多孔性の層（６０３）によって覆われている、ないし保護されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の容量式センサ。
7. 前記容量式センサは湿度センサ（２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００）をあらわす、請求項１から６までのいずれか１項記載の容量式センサ。
8. 容量式センサの製造方法であって、
   第１の電極（１０２）と第２の電極（２０２）との間に少なくとも部分的に配置されている第１の層（２０１）である第１の多孔性の層（２０１）を少なくとも１つのエッチング媒体によるエッチングによって作成し、
   当該第１の層（２０１）は、半導体構成素子に外部から作用する媒体に対して進入可能であり、孔（３０１）を有しており、当該孔に前記媒体が少なくとも部分的に達し、
   少なくとも１つの電極（１０２，２０２）を作成するために半導体層をドーピングし、前記ドーピングされた半導体層をエッチングすることによって前記第２の電極（２０２）を第２の多孔性層（４０１）に作り変え、当該第２の多孔性層（４０１）を通じて前記媒体が前記第１の多孔性層（２０１）に達し、
   前記第２の多孔性層（４０１）の気孔率、すなわち材料に対する孔の体積の割合は、前記第１の多孔性層（２０１）の気孔率より低く、
   前記第１および第２の多孔性層（２０１ , ４０１）を、半導体構成素子の上側と下側との間で電界をかけ、かつ前記エッチング媒体を流れる電流を調整して作成する、
   ことを特徴とする、容量式センサの製造方法。
9. 前記エッチング媒体は少なくとも部分的にフッ酸から成る、請求項８記載の方法。
10. 前記エッチング媒体は少なくとも添加物を有しており、
    当該添加物はブリスター形成を減少させるための添加物、湿れ性を改善するための添加物および／または乾燥を改善するための添加物である、請求項８記載の方法。
11. 添加物として、エタノールを使用し、当該添加物の体積濃度は約３０％〜約９０％である、請求項１０記載の方法。
12. 前記第１および／または第２の多孔性の層（２０１, ４０１）の気孔率の程度および／または前記第１および／または第２の多孔性の層の孔の拡大を、プロセスパラメータ、すなわち前記エッチング媒体における電流密度、前記エッチング媒体におけるフッ酸濃度、前記エッチング媒体への添加物、温度、ドーピング、電流の持続時間のうちの１つまたは複数を変えることによって制御する、請求項８から１１までのいずれか１項記載の方法。

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