JP4224658B2

JP4224658B2 - Semiconductor component cleaning agent and semiconductor component cleaning method

Info

Publication number: JP4224658B2
Application number: JP26645599A
Authority: JP
Inventors: 啓一別所; 誠樋上; 寿男小野; 克廣石川
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 1999-06-23
Filing date: 1999-09-21
Publication date: 2009-02-18
Anticipated expiration: 2019-09-21
Also published as: JP2001064680A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体用部品用洗浄剤および半導体部品の洗浄方法に関し、特に半導体製造工程において、化学的機械研磨（ＣＭＰ）の前後の半導体基板などの半導体部品の表面を清浄するために使用される半導体部品用洗浄剤および半導体部品の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス製造プロセスにおける新たな平坦化技術として、化学的機械研磨（ＣＭＰ）が注目されており、従来のリフロー技術やＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などのエッチバック技術に比べ工程が短縮でき、しかもパターン依存性を受けにくく、良好な平坦化が実現できるという利点がある。この種のＣＭＰは、例えば、多層でのメタル平坦化あるいは層間絶縁膜の平坦化などに適用されている。
従来から、層間絶縁膜の平坦化工程としての化学的機械研磨後の基板洗浄方法として、さまざまな方法が提案されている。最も汎用性の高いものとしては、半導体製造工程でよく使われるＲＣＡ洗浄が挙げられる。このＲＣＡ洗浄は、アンモニアと過酸化水素水と水の混合液による洗浄工程と、塩酸と過酸化水素水と水の混合液による洗浄工程からなるものである。
【０００３】
また、希フッ酸溶液での層間絶縁膜表面のエッチングや、アルカリ系研磨剤を用いる際、酸洗浄を行う方法なども提案されている。化学的機械研磨工程の後処理として現在最も多く使用されているのは、ブラシスクラブ洗浄後、例えば、アンモニア：過酸化水素：水（重量比）が１：１：５のアルカリ性洗浄液によるＳＣ１洗浄を行い、基板表面に研磨工程で付着した粒子の除去を行うというものである。
さらに、ＣＭＰ後の基板表面に吸着した金属不純物の洗浄として、クエン酸の水溶液が使用されること、さらには、クエン酸水溶液またはエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）などがフッ化水素とともに使用されることなどが知られている。また、クエン酸などの有機酸と錯化剤とを含む洗浄液も知られている。
【０００４】
しかしながら、上記洗浄液では、化学的機械研磨後に基板上に残った研磨粒子などの金属不純物を問題のないレベルまで除去することが難しいうえ、洗浄効果を出すためには高濃度にする必要があり、廃液処理など環境への負担が大きいという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、環境への負荷が少なく、かつ、化学的機械研磨（ＣＭＰ）前後に、半導体基板などの半導体部品上に残った、シリカ、アルミナなどのＣＭＰ研磨砥粒、ＣＭＰ中に含まれる金属不純物あるいは金属配線などに基づくＦｅ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｃｅ，Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉなどの不純物に対して洗浄効果の高い洗浄剤および半導体部品の洗浄方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、少なくともイタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体を主成分とし、化学的機械研磨前後の半導体部品洗浄に使用されることを特徴とする半導体部品用洗浄剤に関する。
ここで、組成物のＰＨは、好ましくは３〜９である。
また、上記（共）重合体の重量平均分子量は、好ましくは５，０００〜３０万である。
さらに、本発明の半導体部品洗浄剤は、好ましくはメタル配線を含む半導体部品の洗浄用である。
さらに、上記単量体成分は、
（ａ）イタコン酸（塩）、ならびに
（ｂ）カルボン酸（塩）基を有する単量体〔ただし、（ａ）成分を除く〕、水酸基を有する単量体およびエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体の群から選ばれた少なくとも１種の単量体、
からなるものであることが好ましい。
上記カルボン酸（塩）基を有する単量体〔ただし、（ａ）成分を除く〕は、アクリル酸（塩）および／またはメタクリル酸（塩）であることが好ましい。
また、半導体部品用洗浄剤は、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤およびノニオン系界面活性剤の群から選ばれた少なくとも１種の界面活性剤をさらに配合してなることが好ましい。
次に、本発明は、時期記載の半導体部品用洗浄剤を使用して半導体部品を洗浄することを特徴とする半導体部品の洗浄方法に関する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体部品用洗浄剤の主成分である（共）重合体は、イタコン酸（塩）、および、必要に応じて、これらと他の単量体からなる単量体成分を（共）重合することにより得ることができる。
ここで、イタコン酸（塩）は、イタコン酸、無水イタコン酸、およびこれらとの塩である。
他の単量体としては、カルボン酸（塩）基を有する単量体〔ただし、イタコン酸（塩）を除く〕、水酸基を有する単量体およびエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体の群から選ばれた少なくとも１種の単量体などが挙げられる。
【０００８】
カルボン酸（塩）基を有する単量体〔ただし、イタコン酸（塩）を除く〕としては、イタコン酸（塩）以外のカルボン酸基を含み重合可能な二重結合を有する単量体であれば特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、無水フマル酸、シトラコン酸、無水シトラコン酸、グルタコン酸、ビニル酢酸、アリル酢酸、フォスフィノカルボン酸、α−ハロアクリル酸、β−カルボン酸、またはこれらの塩類、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸オクチルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステル類などが挙げられる。好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸またはこれらの塩類がよい。
これらのイタコン酸（塩）以外のカルボン酸（塩）基を含み重合可能な二重結合を有する単量体は、１種単独で使用することも、あるいは２種以上を混合して用いることもできる。
【０００９】
水酸基を有する単量体としては、例えば、ビニルアルコール、アリルアルコール、メチルビニルアルコール、エチルビニルアルコール、ビニルグリコール酸などの不飽和アルコール類、ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブタンジオールモノ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールモノ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールモノ（メタ）アクリレート、ヒドロキシフェノキシエチル（メタ）アクリレートなどの水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル類が挙げられる。好ましくはヒドロキシエチル（メタ）アクリレートである。
【００１０】
エチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体としては、ポリオキシエチレンモノメタクリレート（アルキレンオキサイド２〜２０モル付加物）、および下記一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物、
ＣＨ₂＝ＣＲ¹−ＣＯＯ−（ＡＯ）−Ｒ²・・・・・（Ｉ）
（式中、Ｒ¹は水素原子またはメチル基、Ｒ²は、炭素数１〜１８の脂肪族基または芳香族基であり、Ａはメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基である）などが挙げられる。好ましくはポリオキシエチレンモノメタクリレート（エチレンオキサイド５モル付加物）である。
上記単量体は、１種または２種以上使用できる。
【００１１】
本発明のイタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体は、上記単量体成分のほかに、共重合可能なその他の単量体を共重合して得ることもできる。その他の単量体としては、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ｐ−メチルスチレンなどの芳香族ビニル化合物、ブタジエン、イソプレン、２−クロル−１，３−ブタジエン、１−クロル−１，３−ブタジエンなどの脂肪族共役ジエン、（メタ）アクリロニトリルなどのシアン化ビニル化合物、リン酸化合物などが挙げられる。上記単量体は、１種または２種以上使用できる。
これらその他の単量体を共重合させる場合には、単量体成分中に、３０モル％以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明の（共）重合体は、イタコン酸（塩）、および、必要に応じて、上記他の単量体からなる単量体成分を（共）重合することにより得ることができる。すなわち、本発明の（共）重合体は、イタコン酸（塩）の単独重合体でも、イタコン酸（塩）および他の単量体からなる単量体成分の共重合体でもよい。本発明の（共）重合体として、好ましくは、イタコン酸重合体、イタコン酸／アクリル酸共重合体、イタコン酸／メタクリル酸共重合体、イタコン酸／ポリオキシエチレンモノメタクリレート共重合体、イタコン酸／ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体である。
本発明のイタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体では、（共）重合体中のイタコン酸（塩）の割合が、好ましくは１０モル％以上、さらに好ましくは２０モル％以上である。１０モル％未満であると、メタルの洗浄能が低下する場合がある。
【００１３】
本発明において、イタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体の製造方法は、例えば、下記のとおりである。
すなわち、上記単量体成分を過酸化水素、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムなどの公知の重合開始剤の存在下、反応温度を、通常、２０〜２００℃、好ましくは４０〜１５０℃で、０．１〜２０時間、好ましくは１〜１５時間にわたり重合反応させ、（共）重合体を製造することができる。一つの処方として、重合に使用する単量体成分を逐次添加し重合を行うことができる。ここで、逐次重合とは、単位時間あたり一定量で、あるいは添加量を変量させて単量体成分を重合系に所定時間内に投入することである。
【００１４】
上記（共）重合反応において、反応を円滑に行うため重合溶媒を用いることができ、この重合溶媒としては、水、または水と混合可能な有機溶剤と水との混合物などを用いることができる。この有機溶剤の具体例としては、水と混合可能であれば特に限定されないが、例えば、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、アルコール類などが挙げられる。
【００１５】
さらに、本発明のイタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体の重量平均分子量は、好ましくは５，０００〜３０万である。５，０００未満では、洗浄効果が充分発揮されない場合があり、一方、３０万を超えると、ゲル化などを伴い、取り扱いが困難となる。
【００１６】
なお、本発明のイタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体は、半導体部品用洗浄剤の主成分とするために、水溶性であることが好ましい。水溶性にするためには、カチオン種の対イオンを有する（共）重合体とすればよい。カチオン種は、特に限定されるものでないが、水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニア、アミンなどが好ましい。上記アルカリ金属としては、ナトリウム、カリウムなどを、アルカリ土類金属としてはカルシウム、マグネシウムなどを、アミンとしてはメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ブチルアミンジブチルアミン、トリブチルアミンなどのアルキルアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミンなどのポリアミン、モルホリン、ピペリジンなどを例示することができる。好ましくは、水素、カリウム、アンモニア、アルキルアミンである。また、これらのカチオン種を有する（共）重合体（塩）を得るためには、好ましいカチオン種を有する単量体を（共）重合してもよいし、酸タイプの単量体を共重合したのち、該当するアルカリで中和してもよい。また、（共）重合体（塩）を種々のイオン交換技法により他種のカチオン種と相互に交換することも可能である。これら、カチオン種は１種単独で用いることも、２種以上併用することも可能である。
【００１７】
本発明の半導体部品用洗浄剤は、水および／または親水性有機溶剤（以下「溶剤」ともいう）中に、イタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体の濃度が０．１〜２０重量％、特に好ましくは１．０〜１０重量％となるように溶解して使用するものである。（共）重合体の濃度が０．１重量％未満では、洗浄効果は充分に発揮されず、一方、２０重量％を超えて高濃度にした場合、濃度に見合う効果が期待できず効率的でない。
【００１８】
上記溶剤としては、水のほか、アルコール、エーテル、ケトンなどの親水性有機溶剤が挙げられるが、なかでも、水を主成分とするもの、特に水が好ましい。上記親水性有機溶剤のうち、アルコール類の具体例としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール、ｎ−オクチルアルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレンモノメチルエーテルアセテート、ジアセトンアルコールなどを挙げることができる。また、エーテル類の具体例としては、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどを、ケトン類の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトンなどが挙げられる。
これらの親水性有機溶剤は、１種単独であるいは２種以上を併用することができる。
【００１９】
本発明の半導体部品用洗浄剤は、上記イタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体に、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、およびノニオン系界面活性剤の群から選ばれた少なくとも１種の界面活性剤をさらに配合してなるものでもよい。
アニオン系界面活性剤としては、例えば、高級アルコールの硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、脂肪族スルホン酸塩、脂肪族有機酸塩、リン酸系などが挙げられる。好ましくは、オレイン酸アンモニウムなどのオレイン酸塩、ラウリン酸塩、ロジン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩である。
カチオン系界面活性剤としては、ラウリルトリメチルアンモニウムクロライド、オクチルトリメチルアンモニウムブロマイド、ジオクチルジメチルアンモニウムクロライドなどが挙げられる。好ましくは、ラウリルトリメチルアンモニウムクロライドである。
【００２０】
ノニオン系界面活性剤としては、通常、ポリエチレングリコールのアルキルエステル型、トリエチレングリコールモノブチルエーテルなどのアルキルエーテル型、ポリオキシソルビタンエステルなどのエステル型、アルキルフェノール型などが挙げられる。好ましくは、トリエチレングリコールモノブチルエーテルである。
また、界面活性剤として、両性界面活性剤を使用することもでき、アニオン部分としてカルボン酸塩、硫酸エステル塩、スルホン酸塩、リン酸エステル塩を、カチオン部分としてアミン塩、第４級アンモニウム塩などを持つものが挙げられる。
【００２１】
上記界面活性剤の使用量は、洗浄剤組成物に対して、好ましくは０．００１〜１重量％、さらに好ましくは０．００５〜０．５重量％、特に好ましくは０．０１〜０．１重量％である。０．００１重量％未満であると、顕著な洗浄効果がみれない場合があり、一方、１重量％を超えても添加した量に見合う効果は得られず、かつ泡立ちの問題を生じる場合もある。
【００２２】
なお、本発明の半導体部品用洗浄剤には、他の公知の洗浄剤成分を併用することも可能である。他の洗浄剤成分としては、例えば、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸（ＣｙＤＴＡ）、ニトリロトリ酢酸（ＮＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−トリ酢酸（ＥＤＴＡ−ＯＨ）などの化合物およびその塩などのポリアミノカルボン酸類のほか、シュウ酸、クエン酸、アンモニア、過酸化水素、塩酸、フッ化水素などが挙げられる。一般に、これらの化合物は、遊離酸あるいは塩の形で用いられ、半導体製造用には特性に悪影響を及ぼさない、プロトンタイプ、アンモニウム塩、カリウム塩、アミン塩などの塩の形で使用することが好ましい。これらの化合物は、１種単独で使用することもできるし、２種以上使用することも可能である。また、これらの化合物の使用量は、特に制限はないが、通常、本発明の（共）重合体に対して、５倍重量以下である。
また、洗浄効果を上げるために、各種アルカリ溶液、オゾン水、酸化還元水などの機能水を併用してもよい。
【００２３】
本発明の半導体部品用洗浄剤は、主として、ＣＭＰ前後に半導体用部品上に残った研磨粒子に基づく金属不純物を除去するために使用されるが、使用方法としては特に制限はなく、公知の方法が採用できる。また、本発明の洗浄剤を使用して洗浄を行う前、あるいは後に、公知の洗浄剤の使用、あるいは浸漬洗浄、パドル洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、超音波洗浄などの公知の洗浄方法を実施することにより、さらに、金属不純物の除去効率を上げることも可能である。
本発明の洗浄剤のＰＨに特に制限はないが、好ましくは３〜９である。この範囲外では、洗浄能力が低下したり、金属部分の腐食が生じる場合があり、好ましくない。ＰＨは、対イオン種の種類を適宜選択すること、または酸、塩基を添加することにより調整することが可能である。例えば、対イオンに使用する、Ｈ^＋とアンモニアイオン（ＮＨ_３ ^＋）などのアルカリ成分の割合を変化させることでＰＨの調整を行うことができる。
また、使用温度は、通常、５〜５０℃である。
【００２４】
本発明の半導体部品用洗浄剤は、環境への負荷が少なく、かつ、化学的機械研磨前後に、半導体部品上に残った、シリカ、アルミナなどのＣＭＰ研磨砥粒、ＣＭＰ中に含まれる金属不純物あるいは金属配線などに基づくＦｅ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｃｅ，Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉなどの不純物に対して洗浄効果があるので、半導体基板、層間絶縁膜、メタル配線などの半導体部品の洗浄に有用である。
【００２５】
【実施例】
以下、実施例を挙げ、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例中の％および部は、特に断らない限り重量基準である。
また、実施例中における各種の測定は、以下のようにして実施した。
【００２６】
重量平均分子量
重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって判定した結果を、ポリスチレンスルホン酸ナトリウムを標準サンプルとして作成した検量線を用いて換算したものである。ここで、ＧＰＣの測定条件は、下記のとおりである。
カラム；▲１▼Ｇ３０００ＰＷＸＬ〔東ソー（株）製〕
カラム；▲２▼ＧＭＰＷＸＬ〔東ソー（株）製〕
カラム；▲３▼ＧＭＰＷＸＬ〔東ソー（株）製〕
カラムを▲１▼〜▲３▼の順に直列につなぎ、カラム▲１▼側より試料を導入する。
検出器；示差屈折計ＲＩ−８０２１〔東ソー（株）製〕
溶離液；水／アセトニトリル／硫酸ナトリウム＝２，１００／９００／１５（重量比）
流速；１．０ｍｌ／分
温度；４０℃
サンプル濃度；０．２％
サンプル注入量；４００μｌ
【００２７】
パーティクル除去能
ＪＳＲ（株）製ＣＭＰ用スラリー（商品名ＣＭＳ１１０２）に、シリコンウェハを１０分間浸漬し、浸漬後、水洗した。水洗後に付着していた汚染粒子（パーティクル）数は、４０，０００個／６インチウェハであった。このウェハを各種洗浄剤に１０分間浸漬し、水で洗浄後、ウェハ上に付着している粒子数（個／６インチウェハ）を測定した。粒子数の測定は、ケーエルエー・テンコール（株）製、サーフスキャン６４２０にて行った。ウェハ上に付着している粒子数を下記の基準で評価して、パーティクル除去能の評価結果とした。
○：１００（個／６インチウェハ）未満
△：１００〜３００（個／６インチウェハ）
×：３００（個／６インチウェハ）を超える
【００２８】
参考例１
２０％濃度のイタコン酸水溶液５００ｇ、３５％過酸化水素水９ｇを溶解したものを、水１０００ｇを仕込んだ内容積２リットルの容器中に、還流下で撹拌しながら１０時間かけて均等に滴下した。滴下終了後、２時間還流下で保ったのち、アンモニア水溶液で中和して対イオンを（ＮＨ₃ ⁺）とし、イタコン酸重合体のアンモニウム塩（Ａ）を得た。重合体（塩）の重量平均分子量は、５，０００であった。
参考例２
参考例１において、２０％濃度のイタコン酸水溶液５００ｇを２０％濃度のイタコン酸水溶液３６５ｇ、および２０％濃度のアクリル酸水溶液１３５ｇに変更した以外は、参考例１と同様に実施し、イタコン酸／アクリル酸共重合体（６０／４０モル比）のアンモニウム塩（Ｂ）を得た。共重合体（塩）の重量平均分子量は、１０，０００であった。
【００２９】
参考例３
参考例１において、３５％過酸化水素水９ｇを３５％過酸化水素水１２ｇに変更して、対イオンを（Ｈ⁺）とした以外は、参考例１と同様に実施し、イタコン酸重合体（Ｃ）を得た。重合体の重量平均分子量は、８，０００であった。
参考例４
参考例１において、２０％濃度のイタコン酸水溶液５００ｇを２０％濃度のイタコン酸水溶液４１０ｇおよび２０％濃度のメタクリル酸水溶液９０ｇに変更して、対イオンを（Ｈ⁺）とした以外は、参考例１と同様に実施し、イタコン酸／メタクリル酸共重合体（７５／２５モル比）（Ｄ）を得た。共重合体の重量平均分子量は、８，０００であった。
【００３０】
参考例５
参考例１において、２０％濃度のイタコン酸水溶液５００ｇを２０％濃度のイタコン酸水溶液４００ｇおよびポリオキシエチレンモノメタクリレート（エチレンオキサイド５モル付加物）１００ｇに変更して、対イオンを（Ｈ⁺）とした以外は、参考例１と同様に実施し、イタコン酸／ポリオキシエチレンモノメタクリレート共重合体（９０／１０モル比）（Ｅ）を得た。共重合体の重量平均分子量は、１５，０００であった。
参考例６
参考例１において、２０％濃度のイタコン酸水溶液５００ｇを２０％濃度のイタコン酸水溶液４３０ｇおよび２０％濃度のヒドロキシエチルメタクリレート水溶液７０ｇに変更して、対イオンを（Ｈ⁺）とした以外は、参考例１と同様に実施し、イタコン酸／ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体（８０／２０モル比）（Ｆ）を得た。共重合体の重量平均分子量は、１０，０００であった。
【００３１】
実施例１〜６（メタル除去能の測定）
ＳｉＯ₂膜付きシリコンウェハを、３％ＫＯＨ水溶液、３％Ｆｅ（ＮＯ₃）₂水溶液、３％ＣｕＳＯ₄水溶液に順次３分間浸漬し、かるく水洗して汚染処理を行った。この汚染したＳｉＯ₂膜付きシリコンウェハを、テクノス（株）製全反射蛍光Ｘ線装置（装置名；ＴＲＥＸ−６１０Ｔ）を用いてウェハ表面のＣｕ，Ｆｅ，Ｋの濃度を測定した。Ｃｕの表面濃度は、１００×１０¹⁰（原子／ｃｍ²）、Ｆｅの表面濃度は、１５，０００×１０¹⁰（原子／ｃｍ²）、Ｋの表面濃度は、９０×１０¹⁰（原子／ｃｍ²）であった。次に、参考例１〜６の共重合体（塩）（Ａ〜Ｆ）の２％水溶液を洗浄液として調製した。汚染したＳｉＯ₂膜付きシリコンウェハを、洗浄液中で４０℃、３分洗浄し、水洗、乾燥後、再びウェハ表面のＣｕ，Ｆｅ，Ｋの濃度を測定し、Ｃｕ，Ｆｅ，Ｋの除去能力を評価した。結果を表１に示す。
【００３２】
実施例７
実施例３において、参考例３の重合体（Ｃ）を用いて調製した３％水溶液にトリエチレングリコールモノブチルエーテルを０．０５％となるように添加した以外は、同様に実施した。結果を表１に示す。
実施例８
実施例３において、参考例３の重合体（Ｃ）を用いて調製した３％水溶液にラウリルトリメチルアンモニウムクロライドを０．０５％となるように添加した以外は、同様に実施した。結果を表１に示す。
実施例９
実施例３において、参考例３の重合体（Ｃ）を用いて調製した３％水溶液にオレイン酸アンモニウムを０．０５％となるように添加した以外は、同様に実施した。結果を表１に示す。
【００３３】
比較例１
実施例１において、参考例１の重合体水溶液の代わりに、クエン酸１０％水溶液を使用した以外は、同様に実施した。結果を表１に示す。
表１に示すように、本発明の洗浄剤は、クエン酸を使用した比較例よりも、Ｃｕ，Ｆｅ，Ｋの除去能力に優れていることが分かる。
【００３４】
【表１】

【００３５】
【発明の効果】
本発明の半導体部品用洗浄剤を使用して半導体部品を洗浄すると、環境への負荷が少なく、かつ、化学的機械研磨前後に半導体部品上に残存している金属不純物を効率良く除去できる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor component cleaning agent and a method for cleaning a semiconductor component, and in particular, is used in a semiconductor manufacturing process to clean the surface of a semiconductor component such as a semiconductor substrate before and after chemical mechanical polishing (CMP). The present invention relates to a cleaning agent for semiconductor components and a cleaning method for semiconductor components.
[0002]
[Prior art]
Chemical mechanical polishing (CMP) is attracting attention as a new planarization technology in semiconductor device manufacturing processes, and the process can be shortened compared to conventional reflow technologies and etch back technologies such as RIE (reactive ion etching). There is an advantage that good flattening can be realized without being subject to pattern dependency. This type of CMP is applied to, for example, multilevel metal planarization or interlayer insulation film planarization.
Conventionally, various methods have been proposed as a substrate cleaning method after chemical mechanical polishing as a step of planarizing an interlayer insulating film. As the most versatile one, there is RCA cleaning often used in the semiconductor manufacturing process. This RCA cleaning includes a cleaning process using a mixture of ammonia, hydrogen peroxide, and water and a cleaning process using a mixture of hydrochloric acid, hydrogen peroxide, and water.
[0003]
In addition, etching of the surface of the interlayer insulating film with a dilute hydrofluoric acid solution and a method of performing acid cleaning when using an alkaline abrasive have been proposed. The most frequently used post-treatment of the chemical mechanical polishing process is brush scrub cleaning, for example, SC1 cleaning with an alkaline cleaning solution of 1: 1: 5 ammonia: hydrogen peroxide: water (weight ratio). And removing particles adhering to the substrate surface in the polishing step.
Furthermore, an aqueous solution of citric acid is used for cleaning metal impurities adsorbed on the substrate surface after CMP, and further an aqueous citric acid solution or ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) is used with hydrogen fluoride. It has been known. A cleaning solution containing an organic acid such as citric acid and a complexing agent is also known.
[0004]
However, in the above cleaning liquid, it is difficult to remove metal impurities such as abrasive particles remaining on the substrate after chemical mechanical polishing to a level that does not cause a problem, and it is necessary to make the concentration high to obtain a cleaning effect, There is a problem that the burden on the environment is large, such as waste liquid treatment.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The object of the present invention is low in environmental impact and is contained in CMP abrasive grains such as silica and alumina, which remain on a semiconductor component such as a semiconductor substrate before and after chemical mechanical polishing (CMP). Another object of the present invention is to provide a cleaning agent having a high cleaning effect against impurities such as Fe, Mn, Al, Ce, Cu, W, and Ti based on metal impurities or metal wiring, and a method for cleaning semiconductor components.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is characterized in that a main component is a (co) polymer obtained by (co) polymerizing at least a monomer component containing itaconic acid (salt), and is used for cleaning semiconductor parts before and after chemical mechanical polishing. It relates to a cleaning agent for semiconductor parts.
Here, the PH of the composition is preferably 3-9.
The weight average molecular weight of the (co) polymer is preferably 5,000 to 300,000.
Furthermore, the semiconductor component cleaner of the present invention is preferably for cleaning semiconductor components including metal wiring.
Furthermore, the monomer component is
(A) Itaconic acid (salt), and (b) a monomer having a carboxylic acid (salt) group (except for the component (a)), a monomer having a hydroxyl group, and ethylene oxide or propylene oxide At least one monomer selected from the group of monomers having a skeleton,
It is preferable that it consists of.
The monomer having a carboxylic acid (salt) group (except for the component (a)) is preferably acrylic acid (salt) and / or methacrylic acid (salt).
Moreover, it is preferable that the semiconductor component cleaning agent is further blended with at least one surfactant selected from the group of anionic surfactants, cationic surfactants, and nonionic surfactants .
Next, the present invention relates to a method for cleaning a semiconductor component, wherein the semiconductor component is cleaned using a cleaning agent for a semiconductor component described in the period.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The (co) polymer, which is the main component of the cleaning agent for semiconductor parts of the present invention, contains itaconic acid (salt) and, if necessary, a monomer component composed of these and other monomers (co). It can be obtained by polymerization.
Here, itaconic acid (salt) is itaconic acid, itaconic anhydride, and salts thereof.
Other monomers include monomers having a carboxylic acid (salt) group (except for itaconic acid (salt)), monomers having a hydroxyl group, and monomers having a skeleton derived from ethylene oxide or propylene oxide. And at least one monomer selected from the group of monomers.
[0008]
The monomer having a carboxylic acid (salt) group (excluding itaconic acid (salt)) may be a monomer having a carboxylic acid group other than itaconic acid (salt) and having a polymerizable double bond. For example, (meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, fumaric acid, fumaric anhydride, citraconic acid, citraconic anhydride, glutaconic acid, vinyl acetic acid, allyl acetic acid, phosphinocarboxylic acid, α -Haloacrylic acid, beta-carboxylic acid, or salts thereof, (meth) acrylic acid alkyl esters such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, and the like. Acrylic acid, methacrylic acid or salts thereof are preferred.
These monomers having a carboxylic acid (salt) group other than itaconic acid (salt) and having a polymerizable double bond may be used alone or in combination of two or more. it can.
[0009]
Examples of the monomer having a hydroxyl group include unsaturated alcohols such as vinyl alcohol, allyl alcohol, methyl vinyl alcohol, ethyl vinyl alcohol, vinyl glycolic acid, hydroxymethyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxy Propyl (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, glycerol mono (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, polytetramethylene glycol mono (meth) acrylate, polytetramethylene glycol Di (meth) acrylate, butanediol mono (meth) acrylate, hexanediol mono (meth) acrylate, pentaerythritol mono Meth) acrylate, hydroxyl group-containing such as hydroxypropyl phenoxyethyl (meth) acrylate (meth) acrylic acid esters. Preferred is hydroxyethyl (meth) acrylate.
[0010]
As monomers having a skeleton derived from ethylene oxide or propylene oxide, polyoxyethylene monomethacrylate (alkylene oxide 2 to 20 mol addition product), and a compound having a structure represented by the following general formula (I),
_{^{CH 2 = CR 1 -COO- (AO}} ) -R 2 ····· (I)
(Wherein R ¹ is a hydrogen atom or a methyl group, R ² is an aliphatic group or an aromatic group having 1 to 18 carbon atoms, and A is a methylene group, a propylene group, or a tetramethylene group). It is done. Polyoxyethylene monomethacrylate (ethylene oxide 5 mol adduct) is preferred.
The said monomer can be used 1 type (s) or 2 or more types.
[0011]
The (co) polymer obtained by (co) polymerizing the monomer component containing itaconic acid (salt) according to the present invention is copolymerized with other copolymerizable monomers in addition to the above monomer component. You can also get it. Other monomers include aromatic vinyl compounds such as styrene, α-methylstyrene, vinyltoluene, and p-methylstyrene, butadiene, isoprene, 2-chloro-1,3-butadiene, 1-chloro-1,3. -Aliphatic conjugated dienes such as butadiene, vinyl cyanide compounds such as (meth) acrylonitrile, and phosphoric acid compounds. The said monomer can be used 1 type (s) or 2 or more types.
When these other monomers are copolymerized, it is preferably 30 mol% or less in the monomer component.
[0012]
The (co) polymer of the present invention can be obtained by (co) polymerizing itaconic acid (salt) and, if necessary, a monomer component composed of the other monomer. That is, the (co) polymer of the present invention may be a homopolymer of itaconic acid (salt) or a copolymer of monomer components composed of itaconic acid (salt) and other monomers. As the (co) polymer of the present invention, itaconic acid polymer, itaconic acid / acrylic acid copolymer, itaconic acid / methacrylic acid copolymer, itaconic acid / polyoxyethylene monomethacrylate copolymer, itaconic acid / Hydroxyethyl methacrylate copolymer.
In the (co) polymer obtained by (co) polymerizing the monomer component containing itaconic acid (salt) of the present invention, the proportion of itaconic acid (salt) in the (co) polymer is preferably 10 mol%. More preferably, it is 20 mol% or more. If it is less than 10 mol%, the metal cleaning ability may decrease.
[0013]
In the present invention, a method for producing a (co) polymer obtained by (co) polymerizing a monomer component containing itaconic acid (salt) is, for example, as follows.
That is, in the presence of a known polymerization initiator such as hydrogen peroxide, sodium persulfate, or potassium persulfate, the monomer component is usually reacted at a reaction temperature of 20 to 200 ° C., preferably 40 to 150 ° C. The polymerization reaction can be carried out for 1 to 20 hours, preferably 1 to 15 hours to produce a (co) polymer. As one prescription, polymerization can be carried out by sequentially adding monomer components used for polymerization. Here, the sequential polymerization means that the monomer component is charged into the polymerization system within a predetermined time at a constant amount per unit time or by changing the addition amount.
[0014]
In the (co) polymerization reaction, a polymerization solvent can be used in order to carry out the reaction smoothly. As this polymerization solvent, water or a mixture of water and an organic solvent that can be mixed with water can be used. Although it will not specifically limit as a specific example of this organic solvent if it can mix with water, For example, tetrahydrofuran, 1, 4- dioxane, alcohol, etc. are mentioned.
[0015]
Furthermore, the weight average molecular weight of the (co) polymer obtained by (co) polymerizing the monomer component containing the itaconic acid (salt) of the present invention is preferably 5,000 to 300,000. If it is less than 5,000 , the cleaning effect may not be sufficiently exhibited. On the other hand, if it exceeds 300,000 , it will be difficult to handle due to gelation and the like.
[0016]
The (co) polymer obtained by (co) polymerizing the monomer component containing itaconic acid (salt) of the present invention may be water-soluble in order to be a main component of the cleaning agent for semiconductor components. preferable. In order to make it water-soluble, a (co) polymer having a counter ion of a cationic species may be used. The cationic species is not particularly limited, but hydrogen, alkali metal, alkaline earth metal, ammonia, amine and the like are preferable. Examples of the alkali metal include sodium and potassium; examples of the alkaline earth metal include calcium and magnesium; examples of the amine include methylamine, ethylamine, propylamine, dimethylamine, diethylamine, triethylamine, butylamine dibutylamine, and tributylamine. Examples thereof include polyamines such as alkylamine, ethylenediamine, diethylenetriamine and triethylenetetramine, morpholine, piperidine and the like. Of these, hydrogen, potassium, ammonia, and alkylamine are preferable. In order to obtain a (co) polymer (salt) having these cationic species, a monomer having a preferred cationic species may be (co) polymerized, or an acid type monomer may be copolymerized. Then, you may neutralize with the applicable alkali. It is also possible to exchange (co) polymers (salts) with other cationic species by various ion exchange techniques. These cationic species can be used alone or in combination of two or more.
[0017]
The cleaning agent for semiconductor parts of the present invention is obtained by (co) polymerizing a monomer component containing itaconic acid (salt) in water and / or a hydrophilic organic solvent (hereinafter also referred to as “solvent”). ) It is used by dissolving so that the concentration of the polymer is 0.1 to 20% by weight, particularly preferably 1.0 to 10% by weight. When the concentration of the (co) polymer is less than 0.1% by weight, the cleaning effect is not sufficiently exhibited. On the other hand, when the concentration exceeds 20% by weight, an effect commensurate with the concentration cannot be expected and it is not efficient. .
[0018]
Examples of the solvent include water, and hydrophilic organic solvents such as alcohol, ether, and ketone. Among them, a solvent containing water as a main component, particularly water is preferable. Among the hydrophilic organic solvents, specific examples of alcohols include methanol, ethanol, n-propyl alcohol, i-propyl alcohol, n-butyl alcohol, sec-butyl alcohol, t-butyl alcohol, n-hexyl alcohol, Examples thereof include n-octyl alcohol, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene monomethyl ether acetate, diacetone alcohol and the like. . Specific examples of ethers include tetrahydrofuran and dioxane, and specific examples of ketones include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and diisobutyl ketone.
These hydrophilic organic solvents can be used alone or in combination of two or more.
[0019]
The cleaning agent for semiconductor components of the present invention comprises an anionic surfactant, a cationic surfactant, and a (co) polymer obtained by (co) polymerizing the monomer component containing the itaconic acid (salt). It may be formed by further blending at least one surfactant selected from the group of nonionic surfactants.
Examples of the anionic surfactants include sulfate esters of higher alcohols, alkylbenzene sulfonates, aliphatic sulfonates, aliphatic organic acid salts, and phosphates. Preferred are oleates such as ammonium oleate, laurates, rosinates, dodecylbenzenesulfonates, and polyoxyethylene alkyl ether sulfates.
Examples of the cationic surfactant include lauryltrimethylammonium chloride, octyltrimethylammonium bromide, and dioctyldimethylammonium chloride. Lauryltrimethylammonium chloride is preferable.
[0020]
Nonionic surfactants typically include polyethylene glycol alkyl ester type, alkyl ether type such as triethylene glycol monobutyl ether, ester type such as polyoxysorbitan ester, and alkylphenol type. Preferably, it is triethylene glycol monobutyl ether.
Moreover, an amphoteric surfactant can also be used as a surfactant, and a carboxylate, a sulfate ester salt, a sulfonate salt, a phosphate ester salt as an anion moiety, an amine salt, a quaternary ammonium salt as a cation moiety. Etc.
[0021]
The amount of the surfactant used is preferably 0.001 to 1% by weight, more preferably 0.005 to 0.5% by weight, particularly preferably 0.01 to 0.1% by weight based on the cleaning composition. % By weight. If the amount is less than 0.001% by weight, a remarkable cleaning effect may not be observed. On the other hand, if the amount exceeds 1% by weight, an effect commensurate with the amount added may not be obtained, and foaming may be caused.
[0022]
The semiconductor component cleaning agent of the present invention can be used in combination with other known cleaning agent components. Examples of other detergent components include ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), trans-1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid (CyDTA), nitrilotriacetic acid (NTA), diethylenetriaminepentaacetic acid (DTPA), and N- (2-hydroxy). In addition to polyaminocarboxylic acids such as ethyl) ethylenediamine-N, N ', N'-triacetic acid (EDTA-OH) and their salts, oxalic acid, citric acid, ammonia, hydrogen peroxide, hydrochloric acid, hydrogen fluoride Etc. In general, these compounds are used in the form of free acids or salts, and may be used in the form of salts such as proton types, ammonium salts, potassium salts, amine salts, etc. that do not adversely affect the properties for semiconductor production. preferable. These compounds can be used individually by 1 type, and can also be used 2 or more types. Moreover, the usage-amount of these compounds does not have a restriction | limiting in particular, Usually, it is 5 times weight or less with respect to the (co) polymer of this invention.
In order to improve the cleaning effect, functional water such as various alkaline solutions, ozone water, redox water may be used in combination.
[0023]
The semiconductor component cleaning agent of the present invention is mainly used for removing metal impurities based on abrasive particles remaining on the semiconductor component before and after CMP, but there is no particular limitation on the method of use, and a known method Can be adopted. In addition, before or after cleaning using the cleaning agent of the present invention, a known cleaning method such as the use of a known cleaning agent or immersion cleaning, paddle cleaning, spray cleaning, brush cleaning, ultrasonic cleaning, etc. is performed. By doing so, it is also possible to increase the removal efficiency of metal impurities.
Although there is no restriction | limiting in particular in PH of the cleaning agent of this invention, Preferably it is 3-9 . Outside this range, the cleaning ability may decrease and corrosion of the metal part may occur, which is not preferable. The pH can be adjusted by appropriately selecting the type of counter ion species or by adding an acid or a base. For example, the pH can be adjusted by changing the ratio of alkali components such as H ⁺ and ammonia ions (NH ₃ ⁺ ) used as counter ions.
The use temperature is usually 5 to 50 ° C.
[0024]
The cleaning agent for semiconductor parts of the present invention has a low environmental impact, and remains on the semiconductor parts before and after chemical mechanical polishing, such as CMP abrasive grains such as silica and alumina, and metal impurities contained in CMP. Alternatively, since it has a cleaning effect on impurities such as Fe, Mn, Al, Ce, Cu, W, and Ti based on metal wiring, it is useful for cleaning semiconductor components such as semiconductor substrates, interlayer insulating films, and metal wiring. .
[0025]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated further more concretely, this invention is not limited to a following example. In the examples,% and parts are based on weight unless otherwise specified.
Various measurements in the examples were performed as follows.
[0026]
Weight average molecular weight The weight average molecular weight (Mw) is obtained by converting the result of determination by gel permeation chromatography (GPC) using a calibration curve prepared using sodium polystyrenesulfonate as a standard sample. Here, the measurement conditions of GPC are as follows.
Column: (1) G3000PWXL [manufactured by Tosoh Corporation]
Column; (2) GMPWXL [manufactured by Tosoh Corporation]
Column; (3) GMPWXL [manufactured by Tosoh Corporation]
Columns are connected in series in the order of (1) to (3), and a sample is introduced from the column (1) side.
Detector: differential refractometer RI-8021 [manufactured by Tosoh Corporation]
Eluent: water / acetonitrile / sodium sulfate = 2,100 / 900/15 (weight ratio)
Flow rate; 1.0 ml / min temperature; 40 ° C
Sample concentration: 0.2%
Sample injection volume: 400 μl
[0027]
Particle removal ability A silicon wafer was immersed in a slurry for CMP (trade name: CMS1102) manufactured by JSR Corporation for 10 minutes, and then washed with water. The number of contaminating particles (particles) adhering after washing with water was 40,000 / 6 inches wafer. This wafer was immersed in various cleaning agents for 10 minutes, washed with water, and then the number of particles adhering on the wafer (pieces / 6 inches wafer) was measured. The number of particles was measured with Surfscan 6420 manufactured by KLA-Tencor Corporation. The number of particles adhering on the wafer was evaluated according to the following criteria to obtain an evaluation result of the particle removal ability.
○: Less than 100 (pieces / 6 inch wafer) Δ: 100 to 300 (pieces / 6 inch wafer)
×: Over 300 (pieces / 6-inch wafer)
Reference example 1
A solution containing 500 g of 20% itaconic acid aqueous solution and 9 g of 35% hydrogen peroxide solution was added dropwise evenly over 10 hours with stirring under reflux into a 2 liter container containing 1000 g of water. . After completion of the dropwise addition, the mixture was kept under reflux for 2 hours, and then neutralized with an aqueous ammonia solution to change the counter ion to (NH ₃ ⁺ ) to obtain an itaconic acid polymer ammonium salt (A). The weight average molecular weight of the polymer (salt) was 5,000.
Reference example 2
In Reference Example 1, the same procedure as in Reference Example 1 was carried out except that 500 g of the 20% strength itaconic acid aqueous solution was changed to 365% of the 20% strength itaconic acid aqueous solution and 135 g of the 20% strength acrylic acid aqueous solution. An ammonium salt (B) of an acrylic acid copolymer (60/40 molar ratio) was obtained. The weight average molecular weight of the copolymer (salt) was 10,000.
[0029]
Reference example 3
In Reference Example 1, itaconic acid polymer was prepared in the same manner as Reference Example 1 except that 9 g of 35% hydrogen peroxide water was changed to 12 g of 35% hydrogen peroxide water and the counter ion was (H ⁺ ). (C) was obtained. The weight average molecular weight of the polymer was 8,000.
Reference example 4
Reference Example 1 except that 500 g of 20% strength itaconic acid aqueous solution was changed to 410% of 20% strength itaconic acid aqueous solution and 90 g of 20% strength methacrylic acid aqueous solution to set the counter ion to (H ⁺ ). It implemented like 1 and itaconic acid / methacrylic acid copolymer (75/25 molar ratio) (D) was obtained. The weight average molecular weight of the copolymer was 8,000.
[0030]
Reference Example 5
In Reference Example 1, 500 g of 20% strength itaconic acid aqueous solution was changed to 400 g of 20% strength itaconic acid aqueous solution and 100 g of polyoxyethylene monomethacrylate (ethylene oxide 5 mol adduct), and the counter ion was changed to (H ⁺ ). Except that, it was carried out in the same manner as in Reference Example 1 to obtain an itaconic acid / polyoxyethylene monomethacrylate copolymer (90/10 molar ratio) (E). The copolymer had a weight average molecular weight of 15,000.
Reference Example 6
Reference Example 1 except that 500 g of a 20% strength itaconic acid aqueous solution was changed to 430 g of a 20% strength itaconic acid aqueous solution and 70 g of a 20% strength hydroxyethyl methacrylate aqueous solution, and the counter ion was changed to (H ⁺ ). It implemented like Example 1 and obtained the itaconic acid / hydroxyethyl methacrylate copolymer (80/20 molar ratio) (F). The weight average molecular weight of the copolymer was 10,000.
[0031]
Examples 1 to 6 (measurement of metal removal ability)
The silicon wafer with the SiO ₂ film was immersed in a 3% KOH aqueous solution, a 3% Fe (NO ₃ ) ₂ aqueous solution, and a 3% CuSO ₄ aqueous solution for 3 minutes in order, and washed with light water for contamination treatment. The contaminated silicon wafer with a SiO ₂ film was measured for Cu, Fe, and K concentrations on the wafer surface using a total reflection fluorescent X-ray apparatus (device name: TREX-610T) manufactured by Technos Corporation. The surface concentration of Cu is 100 × 10 ¹⁰ (atoms / cm ² ), the surface concentration of Fe is 15,000 × 10 ¹⁰ (atoms / cm ² ), and the surface concentration of K is 90 × 10 ¹⁰ (atoms / cm ² ). ² ). Next, a 2% aqueous solution of the copolymers (salts) (A to F) of Reference Examples 1 to 6 was prepared as a cleaning solution. The contaminated silicon wafer with a SiO ₂ film is washed in a cleaning solution at 40 ° C. for 3 minutes, washed with water, dried, and then the Cu, Fe, K concentration on the wafer surface is measured again to determine the ability to remove Cu, Fe, K. evaluated. The results are shown in Table 1.
[0032]
Example 7
In Example 3, it carried out similarly except having added triethylene glycol monobutyl ether to 0.05% to 3% aqueous solution prepared using the polymer (C) of Reference Example 3. The results are shown in Table 1.
Example 8
In Example 3, it carried out similarly except having added lauryl trimethyl ammonium chloride to 0.05% to 3% aqueous solution prepared using the polymer (C) of Reference Example 3. The results are shown in Table 1.
Example 9
In Example 3, it carried out similarly except having added ammonium oleate to 0.05% to 3% aqueous solution prepared using the polymer (C) of Reference Example 3. The results are shown in Table 1.
[0033]
Comparative Example 1
In Example 1, it carried out similarly except having used the 10% aqueous solution of citric acid instead of the polymer aqueous solution of Reference Example 1. The results are shown in Table 1.
As shown in Table 1, it can be seen that the cleaning agent of the present invention is superior in Cu, Fe, K removal ability than the comparative example using citric acid.
[0034]
[Table 1]

[0035]
【The invention's effect】
When the semiconductor component is cleaned using the semiconductor component cleaning agent of the present invention, the load on the environment is small, and metal impurities remaining on the semiconductor component before and after chemical mechanical polishing can be efficiently removed.

Claims

A semiconductor component comprising a (co) polymer obtained by (co) polymerizing at least a monomer component containing itaconic acid (salt) as a main component and used for cleaning semiconductor components before and after chemical mechanical polishing. Cleaning agent.

The cleaning agent for semiconductor parts according to claim 1, wherein the composition has a pH of 3 to 9.

The cleaning agent for semiconductor parts according to claim 1 or 2, wherein the (co) polymer has a weight average molecular weight of 5,000 to 300,000.

The cleaning agent for semiconductor parts according to any one of claims 1 to 3, which is used for cleaning semiconductor parts including metal wiring.

The monomer component is (a) itaconic acid (salt), and (b) a monomer having a carboxylic acid (salt) group (however, excluding component (a)), a monomer having a hydroxyl group, and ethylene oxide. Or the cleaning agent for semiconductor components in any one of Claims 1-4 which consists of at least 1 sort (s) of monomer chosen from the group of the monomer which has the skeleton derived from propylene oxide.

The cleaning agent for semiconductor parts according to claim 5 , wherein the monomer having a carboxylic acid (salt) group (excluding the component (a)) is acrylic acid (salt) and / or methacrylic acid (salt).

The semiconductor component according to any one of claims 1 to 6 , further comprising at least one surfactant selected from the group of an anionic surfactant, a cationic surfactant and a nonionic surfactant. Washing soap.

A method of cleaning a semiconductor component, comprising: cleaning the semiconductor component using the cleaning agent for a semiconductor component according to any one of claims 1 to 7 .