JP4218877B2 - 高周波発振型近接センサの設置方法および保護ブラケット - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波発振駆動するコイルのＱの変化から被検出体（検出対象物）の近接を検出する高周波発振型近接センサの設置方法および保護ブラケットに係り、特に高周波発振型近接センサにおけるコイルのＱの不本意な変化を抑えてその検出特性を維持する技術に関する。
【０００２】
【関連する背景技術】
被検出体の有無（接近）を非接触で検出する近接センサの一種に、高周波発振型近接センサがある。この種の高周波発振型近接センサは、例えば第６図にその概略構成を示すように発振回路２の一部に検出用コイル１を備えて構成される。そして上記検出用コイル１の近傍に導電性の被検出体Ｓ（例えば金属）が存在するとき、上記検出用コイル１のＱが変化することを利用して、上記被検出体Ｓの存在または近接を検出するように構成される。ここでＱは振動系の鋭さを表す量でありクオリティ・ファクタ（quality factor）とも呼ばれる。尚、コイルと発振回路とで形成される振動系のＱを単に“コイルのＱ”と表記することもある。
【０００３】
具体的には検出用コイル１の近傍に被検出体Ｓが存在すると、検出用コイル１と被検出体Ｓとの電磁誘導作用により前記検出用コイル１の抵抗成分Ｒや自己インダクタンス成分Ｌが変化し（検出用コイル１のＱが変化し）、この変化に伴って発振回路２の発振振幅や発振周波数が変化する。高周波発振型近接センサは、例えば上述した発振回路２の発振振幅を検波回路３にて検出し、この検波回路３の検出出力（前記高周波発振回路２の発振振幅）に応じて被検出体Ｓの存在または近接を検出する。そしてこの検出結果に応じて出力回路４の作動を制御し、例えばトランジスタ５を介してモニタ側の負荷ＲＬを選択的に駆動したり、或いはＬＥＤ（発光ダイオード）６を点灯駆動する等して、被検出体Ｓの存在または近接を通知（表示）するように構成される。尚、図中７は、発振回路２や検波回路３等に駆動電圧を供給する定電圧回路である（例えば特許文献１を参照）。
【０００４】
ちなみにこの種の高周波発振型近接センサは、通常、図７に例示するように高周波発振駆動される検出用コイル１を、黄銅等からなる筒状のケーシング１１の先端部に内蔵し、該ケーシング１１にてその全体をシールドした構造を有する。尚、図７において１２は検出用コイル１が巻回された断面Ｅ字形状をなすコアであり、１３はコア１２の開放端側を覆って前記検出用コイル１の前面に設けられた合成樹脂製の保護キャップである。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−３７４１５５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところでこのような構造の高周波発振型近接センサを使用する場合には、該高周波発振型近接センサ１０を外部からの衝撃から保護するべく、図７に示すように高周波発振型近接センサ１０を、例えば鉄製の筒状体からなる保護ブラケット２０に収納して用いることが多い。即ち、高周波発振型近接センサ１０のケーシング１１の構成材料は前述したように黄銅等からなり、一般的に鉄製の被検出物（検出対象物）に比較して柔らかい。この為、被検出体が高周波発振型近接センサ１０のセンサ面である先端部に接触したり、或いは衝突すると、ケーシング１１の先端部が変形したり、或いは次第に摩耗する等の不具合が生じ、所定の検出特性を維持することができなくなる虞がある。そこで保護ブラケット２０を用いて高周波発振型近接センサ１０を保護するようにしている。
【０００７】
しかしながらこのような保護ブラケット２０に高周波発振型近接センサ１０を装着すると、保護ブラケット２０の先端部に大きな渦電流損が発生することが否めない。尚、高周波発振型近接センサ１０を、被検出体の搬送路をなす鉄製の壁面等に取り付けて使用する場合にも同様な不具合が発生する。すると保護ブラケット２０や鉄製の壁面に生じた渦電流損に起因して検出用コイル１のＱが低下し、高周波発振型近接センサ１０を近接スイッチとして使用したときにスイッチがオン・オフする位置（オペーレーティング・ポイント；ＯＰ）が大きく変動すると言う不具合が発生する。ちなみに近接センサ１０の先端からオペーレーティング・ポイントＯＰまでの距離は、検出距離と称される。具体的には検出用コイル１のＱの低下に伴って、近接センサ１０による検出距離が伸びると共に、高周波発振型近接センサ１０における物体検出動作自体が不安定になると言う不具合が発生する。
【０００８】
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、その目的は、高周波発振型近接センサを保護ブラケットに収納して用いるような場合であっても、該高周波発振型近接センサにおけるコイルのＱの低下を招来することがなく、その検出特性を十分に維持することのできる高周波発振型近接センサの設置方法および保護ブラケットを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するべく本発明に係る高周波発振型近接センサの設置方法は、筒状のケーシングの先端部に内蔵したコイルを高周波発振駆動すると共に、上記コイルのＱの変化から被検出体の近接を検出する高周波発振型近接センサを、その先端部を前記被検出体の検出対象領域に向けて、前記高周波発振型近接センサにおける前記ケーシングの先端部を前記被検出体の接触による損傷から保護する役割を担う所定のセンサ保持体に取り付けるに際して、
前記センサ保持体に予め開口されて前記高周波発振型近接センサの先端部が位置付けられる開口部の周縁部またはその近傍に、前記センサ保持体よりも渦電流損の小さい非磁性体の固体材料からなり該高周波発振型近接センサにおける前記ケーシングの先端部周囲を囲繞または対峙する環状部材を設けることを特徴としている。
【００１０】
好ましくは前記センサ保持体は、高周波発振型近接センサにおける前記ケーシングの先端部を前記被検出体の接触による損傷から保護する役割を担うものであって、前記環状部材は、前記センサ保持体の開口部の周縁内壁面に埋め込んで設けられ、前記高周波発振型近接センサにおける前記ケーシングの先端部周縁に係合して該高周波発振型近接センサの取り付け位置を規制する役割を担うものである。
【００１１】
ちなみに前記センサ保持体よりも渦電流損の小さい固体材料からなる環状部材は、例えば前記センサ保持体が鉄鋼製やステンレス鋼製のものである場合には、銅や黄銅、或いはアルミニウムやアモルファス等の金属材料であることが望ましい。より好ましくは環状部材としてセンサ保持体よりも渦電流損の小さい導電性の固体材料を用いることが望ましい。更には環状部材が非磁性体であることが望ましい。このような渦電流損の小さい環状部材を前記センサ保持体の開口部に設けて高周波発振型近接センサの先端部を囲繞するようにすれば、該高周波発振型近接センサの先端部近傍における渦電流損を小さく抑え、またコイルのＱを高めることが可能となる。従って所定のセンサ保持体に高周波発振型近接センサを取り付けた場合であっても、該高周波発振型近接センサにおけるコイルのＱの低下を効果的に防止することが可能となる。
【００１２】
また本発明に係る高周波発振型近接センサの保護ブラケットは、筒状のケーシングの先端部にコイルを内蔵した構造を有し、上記コイルを高周波発振駆動すると共に、上記コイルのＱの変化から被検出体の近接を検出する高周波発振型近接センサの周囲を覆って設けられるものであって、
特に前記高周波発振型近接センサのケーシングよりも固い材料からなり、その内部に前記高周波発振型近接センサを収納して、前記高周波発振型近接センサにおける前記ケーシングの先端部を前記被検出体の接触による損傷から保護する役割を担う筒状の本体部と、この本体部よりも渦電流損の小さい非磁性体の固体材料からなり、上記本体部の先端周縁部に設けられて前記高周波発振型近接センサにおける前記ケーシングの先端部周囲を囲繞する環状部材とを具備した構造としたことを特徴としている。
【００１３】
好ましくは前記環状部材を、前記本体部の内壁面先端部に埋め込んで設け、この環状部材に前記高周波発振型近接センサにおける前記ケーシングの先端部周縁に係合して該高周波発振型近接センサの収納位置を規制する役割を持たせることが望ましい。この環状部材についても、例えば前記本体部が鉄製やステンレス鋼製のものである場合、銅や黄銅、或いはアルミニウムやアモルファス等の金属材料を用いることが望ましい。このような渦電流損の小さい環状部材を、その本体部の先端に設けた保護ブラケットによれば、高周波発振型近接センサの先端部近傍における渦電流損を小さく抑えることができる。この結果、高周波発振型近接センサにおけるコイルのＱの低下を招来することなしに該高周波発振型近接センサを外部衝撃等から効果的に保護することが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態に係る高周波発振型近接センサの設置方法および保護ブラケットについて説明する。
図１は本発明に係る保護ブラケット３０と、この保護ブラケット３０に装着して用いられる高周波発振型近接センサ１０との関係を示す図である。尚、高周波発振型近接センサ１０については、図７に示したものと同一部分には同一符号を付して示してある。
【００１５】
この保護ブラケット３０が特徴とするところは、高周波発振型近接センサ１０をその内部に収納して該高周波発振型近接センサ１０を保護する、例えば鉄製の筒状体からなる本体部３１の先端に、この本体部３１よりも渦電流損の小さい材料、例えば黄銅製の閉じた円環状をなす環状部材３２を設けた点にある。上記渦電流損は、交番磁束と交わった導体に渦電流が流れることによって失われる電力であって、磁束密度とその周波数の積の二乗に比例する。
【００１６】
この渦電流損は、導体が鉄などの強磁性体である場合には磁束密度が大きくなるため、銅などの非磁性体に比べて大きくなる傾向がある。ちなみに銅、アルミ、黄銅、ステンレス、および鉄の各渦電流損は、これらの金属板を、例えば直径１８ｍｍ、厚さ１ｍｍのものとし、３５０ｋＨzにて駆動されるコイルのコア先端より７ｍｍの距離においたとき、銅を基準として［１：１.２：２：８：１０］であった。
【００１７】
この実施形態においては、特に上記環状部材３２は、薄型のリング体３２ａの先端部の内側に、高周波発振型近接センサ１０の先端部の外径に等しい内径のフランジ３２ａを突出形成した形状を有する。そしてこの環状部材３２は、本体部３１の先端内周壁に設けられた大径の段差部３１ａの内側に嵌め込まれて該本体部３１と接合一体化されている。ちなみに環状部材３２は、高周波発振型近接センサ１０の先端周囲に少なくとも１ターンのコイルを形成して電気的に閉じた構造のものであれば良い。具体的には環状部材３２は、２ターン以上の閉じたコイルを形成したものや、その両端間に抵抗やコンデンサを接続したコイルに相当するものであっても良い。
【００１８】
このようにして本体部３１の先端部に接合一体化された環状部材３２は、保護ブラケット３０内に装着される高周波発振型近接センサ１０の検出用コイル１からの漏れ磁束に起因する保護ブラケット３０での渦電流損の発生を抑え、これによって上記検出用コイル１のＱの低下を防止する役割を担う。同時に上記環状部材３２は、前記フランジ３２ａを前記高周波発振型近接センサ１０の先端部に係合させて、該高周波発振型近接センサ１０の装着位置を規制する役割も担っている。
【００１９】
ちなみに高周波発振型近接センサ１０の外装体であるケーシング１１の外周面には、その先端部を避けてねじ部１１ａが刻設されている。前述したフランジ３２ａは、その内側面を上記ねじ部１１ａの端部に係合させることで、該高周波発振型近接センサ１０の先端部（センサ面）を保護ブラケット３０の先端部に、特に前記主体部３１の端面と同一面に位置付ける役割を果たしている。
【００２０】
このような環状部材３２を備えた保護ブラケット３０によれば、外部からの衝撃等から高周波発振型近接センサ１０を保護すると言う基本的な機能を備えることのみならず、高周波発振型近接センサ１０の検出用コイル１のＱの不本意な低下を抑制し、高周波発振型近接センサ１０が有する検出特性を安定に維持すると言う効果を奏する。
【００２１】
図２は上記環状部材３２による効果を確かめるべく、鉄製の被検出体（検出対象物）Ｓとの距離ＳＤに対する高周波発振型近接センサ１０単体での検出用コイル１のＱの変化（特性Ａ）と、本発明に係る保護ブラケット３０に高周波発振型近接センサ１０を装着した場合の検出用コイル１のＱの変化（特性Ｂ）とを対比して示したものである。尚、図２においては、図７に示した環状部材３２を備えていない従来の鉄製の保護ブラケット２０に高周波発振型近接センサ１０を装着した場合の検出用コイル１のＱの変化（特性Ｃ）と、本発明に係る保護ブラケット３０から環状部材３２を取り除いた本体部３１だけからなる保護ブラケットに高周波発振型近接センサ１０を装着した場合の検出用コイル１のＱの変化（特性Ｄ）とを比較対照として示してある。ここで用いた近接スイッチ本体の寸法は直径１８ｍｍ、長さ４５ｍｍである。また検出部のコイルコアは直径１３.６ｍｍ、長さ７.５ｍｍであり、このコアに介挿されるコイルは、内径７ｍｍ、外径１０.４ｍｍ、高さ３.４ｍｍ、巻き数５０ターンのものである。但し、これらの特性は、検出用コイル１の発振駆動周波数ｆを３５０ｋＨzとした場合の実験例を示している。
【００２２】
この図２に示されるように本発明に係る保護ブラケット３０を用いれば、高周波発振型近接センサ１０が本来的に有する特性Ａに示される検出用コイル１のＱを、特性Ｂに示すように若干高めることができる。ちなみに従来の保護ブラケット２０を用いた場合には、特性Ｃに示すように検出用コイル１のＱが大きく低下する。具体的にはＱの値が［１０６］となる物体検出距離を７.００ｍｍとして設定した高周波発振型近接センサ１０に対して、この高周波発振型近接センサ１０を従来の保護ブラケット２０に組み込んだ場合には、検出用コイル１のＱの低下に伴ってその検出距離が７.８５ｍｍと大きく延びる。これに対して本発明に係る保護ブラケット３０を用いた場合には、検出用コイル１のＱが若干高くなり、その検出距離が６.８５ｍｍと若干短くなるに過ぎない。
【００２３】
従って高周波発振型近接センサ１０の製品仕様としての検出特性を±１０％の誤差範囲内で保証するものとすれば、従来の保護ブラケット２０を用いた場合には、その検出距離が７.００ｍｍから７.８５ｍｍへと＋１２％も変化し、その保証範囲を外れることになる。この点、本発明に係る保護ブラケット３０を用いた場合には、その検出距離が７.００ｍｍから６.８５ｍｍへと−２％程度変化するだけであり、その動作特性を効果的に保証することが可能となる。
【００２４】
尚、本発明に係る保護ブラケット３０から環状部材３２を取り除いた本体部３１だけからなる保護ブラケットを用いた場合には、高周波発振型近接センサ１０の先端と保護ブラケットとの間に隙間が形成されるので、本発明に係る保護ブラケット３０を用いた場合と同様に、その動作特性を保証することができる。しかしながら環状部材３２を取り除いた場合には、Ｑの値が全体的に低下し、検出状態と非検出状態との差（マージン）が小さくなる点が好ましくない。また高周波発振型近接センサ１０の使用に伴って、保護ブラケットの本体部３１の先端と高周波発振型近接センサ１０の先端との間の隙間に次第に異物が入り込んだり、高周波発振型近接センサ１０の先端部を確実に保護することができない等の不具合が生じる。従って環状部材３２を備えた本発明に係る保護ブラケット３０の方が、実用的には断然優れていると言える。
【００２５】
尚、図３(ａ)は検出用コイル１の発振駆動周波数ｆを１００ｋＨzとした場合における上記検出用コイル１のＱの変化を示したものであり、また図３(ｂ)は検出用コイル１の発振駆動周波数ｆを１ＭＨzとした場合における検出用コイル１のＱの変化を示したものである。但し、特性Ａは高周波発振型近接センサ１０単体での検出用コイル１のＱの変化、特性Ｂは本発明に係る保護ブラケット３０に高周波発振型近接センサ１０を装着した場合の検出用コイル１のＱの変化、特性Ｃは従来の鉄製の保護ブラケット２０に高周波発振型近接センサ１０を装着した場合の検出用コイル１のＱの変化、そして特性Ｄは本発明に係る保護ブラケット３０から環状部材３２を取り除いた本体部３１だけからなる保護ブラケットに高周波発振型近接センサ１０を装着した場合の検出用コイル１のＱの変化をそれぞれ示している。これらの図３(ａ)(ｂ)にそれぞれ示されるように検出用コイル１の発振駆動周波数を変更した場合においても、同様な効果があることが認められた。
【００２６】
また図４は被検出体Ｓと高周波発振型近接センサ１０との距離ＳＤを一定に保ち、検出用コイル１の発振駆動周波数ｆを変化させたときの検出用コイル１のＱの変化を示したものである。この図４においても、特性Ａは高周波発振型近接センサ１０単体での検出用コイル１のＱの変化、特性Ｂは本発明に係る保護ブラケット３０に高周波発振型近接センサ１０を装着した場合の検出用コイル１のＱの変化、そして特性Ｃは従来の鉄製の保護ブラケット２０に高周波発振型近接センサ１０を装着した場合の検出用コイル１のＱの変化をそれぞれ示している。この図４に示されるように、検出用コイル１のＱは［Ｑ＝ωＬ／Ｒ］として発振駆動周波数ｆの影響を受けて変化するものの、高周波発振型近接センサ１０単体でのＱから殆ど変化しないことが確認できた。
【００２７】
また図２〜４にそれぞれ示されるように、発振駆動周波数が１００〜１０００ｋＨzの範囲において、本発明に係る環状部材３２付きの保護ブラケット３０を使用した場合には、近接センサ単体のときよりもコイルのＱの値がやや大きくなる方向に変化する。ちなみに両者のＱの値に変化が生じないのが最良ではあるが、Ｑが大きくなる方向への変化は、Ｑが小さくなる方向への変化よりもむしろ好ましい。特にＱの値が大きくなれば、検出状態と非検出状態との差（マージン）が大きくなるので、近接センサとしての動作はより安定し、好都合である。
【００２８】
尚、環状部材３２としては、磁場の浸透深さの短いもの、換言すれば磁場の遮蔽効果のあるもの（非磁性体）を用いることが好ましい。磁場の浸透深さについて考察した場合には、環状部材３２を黄銅で形成した場合には、少なくとも０.０７ｍｍ以上の厚みを有するものであれば良く、アモルファスで形成した場合には０.０１ｍｍ以上の厚みを持たせれば良い。従って実用的には環状部材３２の厚みを１ｍｍ程度とすれば十分なる効果が期待できる。
【００２９】
尚、ここで言う環状部材３２の厚みは、該環状部材３２の外半径と内半径との差を指す。またこの実施形態においては、環状部材３２の軸方向の長さは０.８ｍｍ以上あれば十分である。この環状部材３２の軸方向の設置位置については、コア１２の前面を基準として前方（被検出体側）へ５ｍｍ、後方へ１ｍｍ程度の範囲に環状部材３２の少なくとも一部分が入っていれば良い。このような寸法条件については、高周波発振形近接センサ１０の寸法・材質・構造等の各種要因によって異なるので、実験により最適な値を求めることが望ましい。
この環状部材３２の軸方向の設置位置については、コア１２の前面を基準としてに環状部材３２の少なくとも一部分が入っていれば良い。
【００３０】
かくしてこのような環状部材３２を備えた保護ブラケット３０によれば、高周波発振型近接センサ１０が本来的に持つ検出特性を損なうこと無しに該高周波発振型近接センサ１０を外部からの衝撃等に対して効果的に保護することが可能となるので、その実用的利点は多大である。特に保護ブラケット３０の主体部３１に対して、その先端部に渦電流損の小さい環状部材３２を組み込むだけの簡単な構造にて検出用コイル１のＱの低下を防止することができるので、保護ブラケット３０を安価に製作することができる等の優れた効果が奏せられる。
【００３１】
尚、ここでは高周波発振型近接センサ１０を収納して該高周波発振型近接センサ１０を外部からの衝撃等に対して保護する保護ブラケット３０について説明した。しかし高周波発振型近接センサ１０を所定の壁面等のセンサ保持体に取り付ける場合にも本発明を同様に適用することができる。即ち、図５に示すように、例えば被検出体の搬送路をなす鉄板や鉄骨部材等により構成された壁面４１に高周波発振型近接センサ１０を取り付ける場合には、通常、壁面４１にセンサ取り付け用の貫通孔（センサ取付孔）４２を開口し、壁面４１の裏側から上記貫通孔４２に高周波発振型近接センサ１０を嵌め込んで固定する。これらの寸法や位置関係も前述した実施形態と同様である。この場合、前述した鉄製のブラケットの場合と同様に壁面４１における貫通孔４２の開口縁部に渦電流損が発生し易くなる。
【００３２】
そこでこのような場合には、図５に示すように貫通孔４２の開口縁部に壁面４１よりも渦電流損の小さい黄銅等からなる前述した環状部材３２を嵌め込み、この環状部材３２に高周波発振型近接センサ１０の先端部を嵌合させて壁面４１への取り付けを行うようにすれば良い。このようにして高周波発振型近接センサ１０を壁面４１に取り付ければ、前述した保護ブラケット３０と同様に高周波発振型近接センサ１０における検出用コイル１のＱの低下を防止することができるので、高周波発振型近接センサ１０が有する検出特性を安定に維持することが可能となる。
【００３３】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。ここでは鉄製のブラケットの本体部３１の先端に黄銅の環状部材３２を取り付ける例について説明したが、ステンレス鋼製のブラケットに取り付ける場合にも同様に適用できる。また環状部材３２としては、ブラケットの本体部３１や壁面４１よりも渦電流損の小さいものであれば良く、例えば銅やアルミニウム、更にはアモルファスのようなものであっても良い。また環状部材３２の形状や厚み・長さ等についても高周波発振型近接センサ１０の仕様に応じて設定すれば十分である。
【００３４】
また検出用コイルの発振駆動周波数を１０ｋＨz程度と低くした特殊な高周波発振型近接センサ１０においては鉄製のブラケットに収納した際、逆に検出用コイル１のＱが高くなると言う現象が見られる。このような場合には、環状部材３２としてブラケットよりも渦電流損の大きいものを用い、これによって検出距離の減少を抑えることも有効である。
【００３５】
更には壁面４１に高周波発振型近接センサ１０を取り付ける場合には、図５に示したように貫通孔４２の開口縁部に環状部材３２を埋め込むことに代えて該環状部材３２を壁面４１の前面部に取り付け、高周波発振型近接センサ１０の先端部に同軸に対峙させるようにしても良い。また鉄製のブラケットの本体部３１の先端内周面に、例えば銅を７０〜１００μｍ程度の厚みでメッキし、この銅メッキ層を環状部材３２として用いることも可能である。更には所定厚みの銅テープを鉄製のブラケットの本体部３１の先端内周面に、その全周に亘って貼付し、この銅テープを環状部材３２として用いることも可能である。但し、この場合には、銅テープの両端間を半田付けする等して電気的に接続するようにすれば良い。その他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、高周波発振型近接センサが収納される保護ブラケットの先端部、または高周波発振型近接センサが取り付けられる金属製のハウジングのセンサ取付孔の開口縁部に、渦電流損の小さい環状部材を取り付けるので、高周波発振型近接センサにおける検出用コイルのＱの低下を防止し、該高周波発振型近接センサが有する検出特性を安定に維持することができると言う実用上多大なる効果が奏せられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る高周波発振型近接センサの保護ブラケットを示す概略構成図。
【図２】本発明に係る保護ブラケットの効果を説明するための物体検出距離に対するコイルのＱの変化を示す図。
【図３】本発明に係る保護ブラケットの効果を説明するための、検出用コイルの発振駆動周波数を変えたときの物体検出距離に対するコイルのＱの変化を示す図。
【図４】本発明に係る保護ブラケットの効果を説明するための、発振駆動周波数の変化に対するコイルのＱの変化を示す図。
【図５】本発明の別の実施形態を説明するための図。
【図６】高周波発振型近接センサの概略的な構成例を示す図。
【図７】従来の一般的な保護ブラケットの構成を示す図。
【符号の説明】
１ 検出用コイル
１０ 高周波発振型近接センサ
３０ 保護ブラケット
３１ 筒状の本体部
３２ 環状部材
４１ 壁面（ハウジング）
４２ 貫通孔（センサ取付孔）

Claims (4)

1. 筒状のケーシングの先端部にコイルを内蔵した構造を有し、上記コイルを高周波発振駆動すると共に、上記コイルのＱの変化から被検出体の近接を検出する高周波発振型近接センサを、その先端部を前記被検出体の検出対象領域に向けて、前記高周波発振型近接センサにおける前記ケーシングの先端部を前記被検出体の接触による損傷から保護する役割を担う所定のセンサ保持体に設置するに際して、
   前記センサ保持体に予め開口されて前記高周波発振型近接センサの先端部が位置付けられる開口部の周縁部またはその近傍に、前記センサ保持体よりも渦電流損の小さい非磁性体の固体材料からなり該高周波発振型近接センサにおける前記ケーシングの先端部周囲を囲繞または対峙する環状部材を設けることを特徴とする高周波発振型近接センサの設置方法。
2. 前記環状部材は、前記センサ保持体の開口部の周縁内壁面に埋め込んで設けられ、前記高周波発振型近接センサにおける前記ケーシングの先端部周縁に係合して該高周波発振型近接センサの取り付け位置を規制する役割を担うものである請求項１に記載の高周波発振型近接センサの設置方法。
3. 筒状のケーシングの先端部にコイルを内蔵した構造を有し、上記コイルを高周波発振駆動すると共に、上記コイルのＱの変化から被検出体の近接を検出する高周波発振型近接センサの周囲を覆って設けられる保護ブラケットであって、
   前記高周波発振型近接センサのケーシングよりも固い材料からなり、その内部に前記高周波発振型近接センサを収納して、前記高周波発振型近接センサにおける前記ケーシングの先端部を前記被検出体の接触による損傷から保護する役割を担う筒状の本体部と、
   この本体部よりも渦電流損の小さい非磁性体の固体材料からなり、上記本体部の先端周縁部に設けられて前記高周波発振型近接センサにおける前記ケーシングの先端部周囲を囲繞する環状部材と
   を具備したことを特徴とする高周波発振型近接センサの保護ブラケット。
4. 前記環状部材は、前記本体部の内壁面先端部に埋め込んで設けられ、前記高周波発振型近接センサにおける前記ケーシングの先端部周縁に係合して該高周波発振型近接センサの収納位置を規制する役割を担うものである請求項３に記載の高周波発振型近接センサの保護ブラケット。

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