JP4213536B2 - 高次高調波エックス線発生装置及びその発生方法、並びに高次高調波エックス線を利用したエックス線干渉計測装置 - Google Patents

高次高調波エックス線発生装置及びその発生方法、並びに高次高調波エックス線を利用したエックス線干渉計測装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4213536B2
JP4213536B2 JP2003278573A JP2003278573A JP4213536B2 JP 4213536 B2 JP4213536 B2 JP 4213536B2 JP 2003278573 A JP2003278573 A JP 2003278573A JP 2003278573 A JP2003278573 A JP 2003278573A JP 4213536 B2 JP4213536 B2 JP 4213536B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
order harmonic
rays
femtosecond laser
order
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003278573A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004273415A (ja
Inventor
チャン ヘ ナム
ドン グン イ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST
Original Assignee
Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST filed Critical Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST
Publication of JP2004273415A publication Critical patent/JP2004273415A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4213536B2 publication Critical patent/JP4213536B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G1/00X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20075Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials by measuring interferences of X-rays, e.g. Borrmann effect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S4/00Devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in wave ranges other than those covered by groups H01S1/00, H01S3/00 or H01S5/00, e.g. phonon masers, X-ray lasers or gamma-ray lasers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35Non-linear optics
    • G02F1/353Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
    • G02F1/354Third or higher harmonic generation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、高次高調波エックス線発生装置並びにその方法及び高次高調波エックス線を利用したエックス線干渉計測装置に関するものである。より詳細には、干渉性が優秀な高次高調波エックス線光源を発生させ、これを利用した超紫外線リソグラフィー用光学系の表面品質を検査できるエックス線干渉計測装置に関するものである。
干渉計は、同じ光源から出た光を適当な方法で二つまたはそれ以上の光行路に分けて、それを重ねて干渉させてその干渉縞を観測する装置のことである。干渉計は、主に波長の測定、長さまたは距離の情密な比較、光学的距離の比較等に主に利用されてきたが、最近は、光学系の表面品質等を検査する分野等にその応用分野が拡大している。
このような目的に使用されている干渉計には、「放射光加速器で生成されたエックス線を利用したエックス線干渉計測装置」または「白色光線を利用したエックス線干渉計測装置」等がある。
一方、メデッキ(Medecki)等の米国特許第5,835,217号(Phase-shifting point diffraction interferometer)は、図1に図示したように、干渉性を向上させるための針孔装置1を光源と照射光学系3の間に配置して、前記針孔装置1と照射光学系3の間にはビームを2つに分ける装置であるビーム分離器2を配置したエックス線干渉計測装置を開示している。
米国特許第5,835,217号明細書
しかし、放射光加速器で生成されたエックス線を利用したエックス線干渉計測装置は、光源に放射光加速器で生成されたエックス線を利用するため、光源を生成するために必ず放射光加速器を利用しなければならない。巨大な構造の(数百メーターの装置)放射光加速器は、その使用には産業的にも多くの制約があるだけではなく、大量の光学系を照射するのにも限界がある。
また、検査や測定に使用される干渉計は、光源が干渉性を帯びていなければならないが、前記の放射光加速器で生成されたエックス線を利用したエックス線干渉計測装置の場合には、光源の干渉性を向上させる為には追加の装置を使用しなければならない問題点があり、測定装置全体の構造が複雑になるだけではなく、試料に照射される光源の強さを相当に減少させる問題があった。
また、図1の装置は、針孔装置1を備えた白色光源を利用していて、白色光が持っている短い干渉距離を最大活用することによって優秀な干渉縞5を得ることができる長所がある反面、前記のように光源の干渉性を向上させる為に追加的装置である針孔装置1が必要であるという問題点がある。
本発明は、前記の問題点を解決するために、追加的な装置が無くてもコヒーレントなエックス線光源の高次高調波エックス線を生成する装置及び方法を提供することを目的する。
また、本発明は、干渉性が優秀な高次高調波エックス線光源とマイクロ薄膜にマイクロ微細孔を開けられる高出力フェムト秒レーザードリリング技術を利用して、構造が非常に簡単でありながらも、超紫外線リソグラフィー用光学系の表面品質を検査できる、エックス線干渉計測装置を提供することを目的とする。
本発明は、前記の目的を達成するために、高出力フェムト秒レーザー発生器10、前記高出力フェムト秒レーザー発生器10で発生するフェムト秒レーザーのエネルギー及びビームの大きさを調節するためのレーザービーム集束強度調節器11、前記フェムト秒レーザービームを集束して高次高調波エックス線を生成するアルゴン気体が満たされた標的20、及び前記アルゴン気体の圧力を調節するための気体圧力調節器21を備え、コヒーレントな高次高調波エックス線ビームを生成することを特徴とする高次高調波エックス線発生装置を提供する。
また、本発明は、高次高調波エックス線ビームの入射経路と垂直に配置され、基準ビームと照射ビームである回折ビームを生成する微細孔が開いた薄膜からなる干渉計板30、及び前記基準ビームと前記照射ビームの経路に配置され、これらの結合により生成された干渉縞を検出するエックス線検出器50を備えることを特徴とする、高次高調波エックス線を利用したエックス線干渉計測装置を提供する。
また、本発明は、高出力フェムト秒レーザー発生器10から発せられた高出力フェムト秒レーザー12をアルゴン気体が満たされた標的20に集束し、高次高調波エックス線を発生させる方法において、前記アルゴン気体の圧力を調節して長波長領域で透過される程度が非常に少ないエックス線フィルターを利用して、所定次数以下の長波長高調波の強さを減少させる段階と、前記高出力フェムト秒レーザービームの集束強さを調節することによって、前記所定次数以上の短波長高調波の強さを減少させる段階と、及び前記高出力フェムト秒レーザービームの大きさを調節して前記所定次数付近の高調波が、位相整合をなすようにする段階とを備え、コヒーレントな高次高調波エックス線を生成することを特徴とする高次高調波エックス線発生方法を提供する。
本発明によれば、高出力フェムト秒レーザーをアルゴン気体が満たされた標的に集束して適切な条件を維持することによって、コヒーレントなエックス線光源である高次高調波エックス線ビームを生成でき、また該高次高調波エックス線ビームを使用することによって、光源を作り出す装置の規模を従来の放射光加速器で生成された光源を利用する装置に比べて、約100分の1水準に画期的に減らすことができ、従来の技術に比べて装置が非常に簡略化されることによって産業的効用性を増大させられる。これは、従来の放射光加速器から出た光を利用する時に必要としたコヒーレントな光源を生成するための装置を使用しなくても具現が可能な為である。
さらに、本発明は、高次高調波エックス線光の優秀な干渉性によって、これを光源に使用するエックス線干渉計測装置の性能もまた優秀であるという長所がある。
本発明は、前記のように、装置の小規模化と優秀な性能によって実際の産業界に適用可能な有用性を有し、本発明の高次高調波エックス線干渉計測装置を利用すれば、超紫外線光学系の表面品質を検査することが可能である。このような光学系表面品質測定技術は、今後、超紫外線光学系を製作供給する技術的パターンになる。
以下、添付された図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。
図2は、本発明のコヒーレントな高次高調波エックス線発生器の構造図である。図示したように、本発明のコヒーレントな高次高調波エックス線発生器は、高出力フェムト秒レーザー発生器10、レーザービーム集束強度調節器11、標的20、及び気体圧力調節器21で構成される。
本発明では、コヒーレントなエックス線光源である高次高調波エックス線を生成するために、まず、レーザー発生器10で発生した高出力フェムト秒レーザー12をアルゴン気体が満たされた標的20に集束する。このようにアルゴン気体にレーザーを集束すると、レーザーパルスが持っているエネルギーによってアルゴン原子内の電子が移動するようになり、このような過程で高次高調波が放出されるようになる。高次高調波は、ポンピングレーザー波長の奇数次数毎に生じる為、その発生波長幅はとても広い。前記の標的20には、He、NeまたはXe気体を含むことができる。
ゆえに、本発明では、エックス線光の干渉する長さを延ばす為に、発生する高調波の次数範囲を、27次を中心に25次から29次に減らすことによって、4nm以下の線幅を持ったコヒーレントなエックス線ビームだけを生成させる。
ここで、高次高調波の発生波長範囲を減らす方法を下記に示す。まず、27次より長い波長の高調波の強さを気体圧力調節器21により、気体の圧力を適切に調節(中性気体による吸収)して長波長領域で透過する程度が非常に少ないエックス線フィルターを利用して急激に減少させる。次に、27次より短い波長領域の高調波は、レーザービーム集束強度調節器11によってレーザービームの集束強さを適切に調節して最大発生次数を29次以下になるようにすることによって除去する。最後に、レーザービームの集束条件(本発明では、入射レーザービームの大きさ調節)を27次付近の高調波が位相整合される条件に合わせることによって、27次高調波が、発生する高調波全体エネルギーの所定値以上を持つように出来る。
一例として、本発明の場合、レーザーのパルス幅は、20フェムト秒、レーザーパルス当りのエネルギーは、0.35mJとし、長さ4cm、直径350μmの中空のガラス管標的にアルゴン気体を満たして使用した時、27次高調波のエネルギーが、発生する高調波全体エネルギーの68%以上になることを確認した。
図3は、前記のように高出力フェムト秒レーザーで生成された高次高調波の超紫外線スペクトルを図示したものである。このように単一次数の高調波だけを集中的に発生させると全体高調波線幅が狭くなるため、従来技術で使用している単色光を作るための追加的な装置は必要なく、直ちにエックス線干渉計に利用できる長所がある。
図4は、本発明により発生された高次高調波の干渉性を測定した結果である。図4(a)は干渉縞の平面図であり、図4(b)はエックス線ビームの強度を示すグラフである。本発明では、図5に見られるように双針孔干渉計を構成して、高次高調波の干渉性を測定した。その結果、図4で干渉縞の最大値と最小値との差が明白に克明な対照を成すため(明暗比が1に近い高い値を持つことによって)高次高調波エックス線ビームの空間的干渉性がとても優れていることを示している。本発明による高次高調波エックス線ビームの空間的干渉性は、図4のように明暗比の高い干渉縞を作るため、干渉縞の位置を正確に数値的に定量化することに長所がある。このようなコヒーレントなエックス線光源は、干渉縞を利用するエックス線干渉計にいかなる追加的な加工なしに、直ちに利用出来ることを確認出来た。したがって、高次高調波ビームの優秀な空間的干渉性によって、従来技術の一つである放射光加速器で発生したエックス線光源を利用する装置とは異なり、干渉性向上の為の追加的な装置が不必要になる。
次に、コヒーレントな高次高調波エックス線を利用したエックス線干渉計測装置の構成について説明する。本発明のエックス線干渉計測装置は、基本的に高次高調波エックス線ビームを受け、2つに分ける針孔回折干渉計板30と干渉縞を検出するエックス線検出器50で構成される。
図5は、本発明のエックス線干渉計測装置の一実施形態を図示したものである。前記で説明した高出力フェムト秒レーザー発生器10と高次高調波エックス線が発生される標的20で構成された、高次高調波エックス線発生装置によって生成された高次高調波エックス線ビームを使用した例である。しかし、本発明で提案しているコヒーレントな高次高調波エックス線発生装置や方法以外に、異なる方法で高次高調波エックス線ビームを生成する装置をさらに具備する形態で具現出来ることは、当業者には自明なことである。
図5の実施形態は、大きく分けて、高出力フェムト秒レーザー発生器10、高次高調波エックス線が発生される標的20、ビームを2つに分ける針孔回折干渉計板30、エックス線フィルターのアルミニウムフィルター40及び干渉縞を検出するエックス線検出器50で構成される。
ここで、照射するビームと基準ビームである回折ビームを生成させる針孔回折干渉計板30は、高出力フェムト秒レーザードリリング技術を利用してマイクロ薄膜にマイクロ孔を形成したものである。エックス線干渉計測装置板の仕様やアルミニウムフィルターの仕様は、観測する干渉縞の可視度を最適化するのに重要な影響を及ぼす。本発明では、前もってシミュレーションを通して波面進行状態を確認した後、決定した。また、本発明では、針孔回折干渉計板30をアクチュエイターによりx-y 座標を自由に調節出来るようにした。このようにすると、高調波と針孔の相対位置を容易に調節が可能である。
一方、針孔回折干渉計板30とエックス線検出器50の間には、エックス線フィルターであるアルミニウムフィルター40を設置できる。これは、レーザー光によるノイズ成分を除去する役割を担当する。
図6は、アルミニウムフィルターの厚みを1μmにし、干渉計板の針孔を10μmにした状態で測定した、本発明の高調波エックス線ビームを利用して獲得した回折干渉縞と可視度を図示したものである。図6(a)は回折干渉縞の平面図であり、図6(b)はエックス線ビームの強度を示すグラフである。図6で確認できるように干渉縞の最大値と隣接した干渉縞の最小値の差によって決定される可視度は、干渉縞の全領域に渡って50%以上になる。
図7は、このような干渉縞情報を利用して高次高調波エックス線ビームの波面位相を再構成したものである。再構成された波面の模様は、球面波の波面模様と似ていてこの時の波面位相の半径は、1.19mであることが分かる。波面位相が分かれば高次高調波エックス線ビームの進行による強さ分布が分かるようになる。たとえば、あるエックス線光学系を経た後、高調波ビームの強さ分布がどのように変化するのかに対する予測が可能になる。図7に表示された高調波の波面位相情報は、エックス線ビームを利用する光学系を設計するのに必須的なビームの進行情報を提供する。
図8は、高次高調波エックス線ビームを生成するためのレーザービームの集束条件による再構成された波面の位相と球面波との波面位相差を図示したものである。図8において、(イ)の場合には、生成された高次高調波エックス線ビームの位相波面が球面波と相当な差がある場合に測定されたもので、球面波との位相差値を本発明による高次高調波エックス線干渉計測装置で充分に測定できることを示し、(ロ)は、レーザービームの集束条件を変化させ生成された高次高調波エックス線ビームの位相波面が球面波と似るようにした場合で、この時、エックス線ビームの全部分に渡ってλ/15より少ない位相差を示している。
誤差がとても少なく球面波に近く生成された高次高調波ビームは、ビーム自体だけでも基準球面波に用いられるため、測定しようとする超紫外線光学系を経たビームの位相波面が、球面波に比べてどれだけ外れているかを測定することによって、その超紫外線光学系の表面品質を知ることができる。これは、高次高調波エックス線ビームを加工なしにそのまま超紫外線光学系の表面品質測定に使用でき、また追加的な装置が不必要であることを示している。
従来のエックス線干渉計測装置の構造図である。 本発明の高次高調波エックス線発生装置の構造図である。 高出力フェムト秒レーザーで生成された高次高調波の超紫外線スペクトル図である。 高次高調波エックス線を利用した双針孔干渉実験結果を示した図とグラフである。 本発明のエックス線干渉計測装置の構造図である。 高次高調波エックス線ビームを利用した針孔回折干渉縞を示した図とグラフである。 干渉縞を利用して再構成された高次高調波エックス線ビームの位相波面の図である。 位相波面測定誤差及び高次高調波エックス線ビームの位相波面誤差を示したグラフである。
符号の説明
10…フェムト秒レーザー発生器、11…レーザービーム集束強度調節器、20…標的、21…気体圧力調節器、30…干渉計板、40…エックス線フィルター、50…エックス線検出器。

Claims (5)

  1. 高次高調波エックス線を利用したエックス線干渉計測装置であって、
    高次高調波エックス線ビームの入射経路に垂直に配置され、照射ビームと基準ビームである回折ビームを生成する微細孔が開いた薄膜からなる干渉計板と、前記基準ビームと前記照射ビームの経路に配置され、これらの結合によって生成された干渉縞を検出するエックス線検出器とを備え、前記干渉計板が、高出力フェムト秒レーザーによるドリリング技術を使用して微細孔を開けたマイクロ薄膜であり、当該エックス線干渉計測装置は、
    高出力フェムト秒レーザー発生器と、前記高出力フェムト秒レーザー発生器から発生するフェムト秒レーザーのエネルギー及びビームの大きさを調節するためのレーザービーム集束強度調節器と、前記フェムト秒レーザーのビームを集束して高次高調波エックス線を生成するアルゴン気体が満たされた標的と、前記アルゴン気体の圧力を調節するための気体圧力調節器とから成り、前記高次高調波エックス線ビームを生成する高次高調波エックス線発生装置をさらに備えることを特徴とする高次高調波エックス線を利用したエックス線干渉計測装置。
  2. 前記高次高調波エックス線ビームが、前記レーザービーム集束強度調節器及び前記気体圧力調節器の調節により、単一次数の高調波が集中的に発生するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の高次高調波エックス線を利用したエックス線干渉計測装置
  3. 前記干渉計板と前記エックス線検出器の間に垂直に配置され、前記フェムト秒レーザー光によるノイズ成分を除去するエックス線フィルターをさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の高次高調波エックス線を利用したエックス線干渉計測装置
  4. 前記フェムト秒レーザーのパルス幅が、約20フェムト秒で、パルス当りのエネルギーが、約0.35mJであることを特徴とする請求項3に記載の高次高調波エックス線を利用したエックス線干渉計測装置
  5. 前記干渉計板が、アクチュエイターによって、x−y軸上に移動可能であることを特徴とする請求項4に記載の高次高調波エックス線を利用したエックス線干渉計測装置
JP2003278573A 2003-03-06 2003-07-23 高次高調波エックス線発生装置及びその発生方法、並びに高次高調波エックス線を利用したエックス線干渉計測装置 Expired - Fee Related JP4213536B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030014134A KR100759023B1 (ko) 2003-03-06 2003-03-06 고차 조화파 엑스선 발생장치 및 방법, 그리고 고차조화파 엑스선을 이용한 바늘구멍 에돌이 간섭계

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004273415A JP2004273415A (ja) 2004-09-30
JP4213536B2 true JP4213536B2 (ja) 2009-01-21

Family

ID=32923808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003278573A Expired - Fee Related JP4213536B2 (ja) 2003-03-06 2003-07-23 高次高調波エックス線発生装置及びその発生方法、並びに高次高調波エックス線を利用したエックス線干渉計測装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6968038B2 (ja)
JP (1) JP4213536B2 (ja)
KR (1) KR100759023B1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7170030B2 (en) * 2003-09-12 2007-01-30 International Business Machines Corporation Method and apparatus for repair of reflective photomasks
JP2012515940A (ja) * 2009-01-26 2012-07-12 サントゥル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティ フィック セーエヌエールエス コヒーレントな紫外線または超紫外線の極短パルス発生システム
US8704198B2 (en) * 2009-12-14 2014-04-22 Massachusetts Institute Of Technology Efficient high-harmonic-generation-based EUV source driven by short wavelength light
KR101223811B1 (ko) * 2010-12-31 2013-01-17 부산대학교 산학협력단 급격하게 세기가 증가하는 레이저 펄스를 이용한 고출력 극초단 엑스선 펄스의 발생 방법
JP6031659B2 (ja) * 2012-03-16 2016-11-24 公立大学法人兵庫県立大学 短波長コヒーレント光源及び透過型の減光機構
KR101849978B1 (ko) 2012-12-18 2018-04-19 삼성전자 주식회사 극자외선 광 발생 장치 및 방법
US9609729B2 (en) * 2013-04-19 2017-03-28 Raytheon Company X-ray cells and other components having gas cells with thermally-induced density gradients
CN106908950B (zh) * 2017-03-16 2023-02-14 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种电磁辐射产生装置及其使用方法
JP7123323B2 (ja) 2018-02-21 2022-08-23 ギガフォトン株式会社 レーザシステム
CN110274708B (zh) * 2019-07-12 2020-04-10 西安交通大学 一种肿瘤细胞纳米级量子三维热成像系统
CN114301540A (zh) * 2021-12-31 2022-04-08 南京航空航天大学 基于空间叠加脉冲幅度调制的x射线通信方法及设备

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3961197A (en) * 1974-08-21 1976-06-01 The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration X-ray generator
JP3489974B2 (ja) 1996-09-05 2004-01-26 科学技術振興事業団 超短パルス光発生方法と発生装置
US5835217A (en) 1997-02-28 1998-11-10 The Regents Of The University Of California Phase-shifting point diffraction interferometer
JP2000188198A (ja) * 1998-12-21 2000-07-04 Agency Of Ind Science & Technol レ―ザ―プラズマx線源装置
JP2001023795A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Toyota Macs Inc X線発生装置
US6349128B1 (en) 2000-04-27 2002-02-19 Philips Electronics North America Corporation Method and device using x-rays to measure thickness and composition of thin films
US6706154B1 (en) * 2001-03-09 2004-03-16 Bayspec, Inc. Method for fabricating integrated optical components using ultraviolet laser techniques
JP3866063B2 (ja) * 2001-07-31 2007-01-10 独立行政法人科学技術振興機構 X線発生方法及びその装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040079191A (ko) 2004-09-14
US20040174955A1 (en) 2004-09-09
US6968038B2 (en) 2005-11-22
JP2004273415A (ja) 2004-09-30
KR100759023B1 (ko) 2007-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4213536B2 (ja) 高次高調波エックス線発生装置及びその発生方法、並びに高次高調波エックス線を利用したエックス線干渉計測装置
US11237486B2 (en) Radiation source
US11699889B2 (en) Hollow-core photonic crystal fiber based optical component for broadband radiation generation
Raimondi et al. Kirkpatrick–Baez active optics system at FERMI: system performance analysis
IL292444A (en) A method and device for creating an effective high harmonic
US20240061314A1 (en) Supercontinuum radiation source and associated metrology devices
NL2024462A (en) An illumination source and associated metrology apparatus
US20240004312A1 (en) Metrology apparatus based on high harmonic generation and associated method
US20230341325A1 (en) Wavefront metrology sensor and mask therefor, method for optimizing a mask and associated apparatuses
CN110088682A (zh) 辐射源设备和方法、光刻设备和检查设备
US20240004308A1 (en) Radiation source arrangement and metrology device
KR102375006B1 (ko) 고성능 euv 마스크의 위상 측정장치
EP4067968A1 (en) Methods and apparatuses for spatially filtering optical pulses
US20240152024A1 (en) Hollow-core optical fiber based radiation source
EP4174567A1 (en) Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
EP4086698A1 (en) Hollow-core optical fiber based radiation source
US20240134182A1 (en) Methods and apparatuses for spatially filtering optical pulses
US20220382124A1 (en) An illumination source and associated metrology apparatus
US20240004319A1 (en) Methods and apparatus for providing a broadband light source
EP3839621A1 (en) An illumination source and associated metrology apparatus
EP3796080A1 (en) Radiation source
KR20230146536A (ko) 원거리 필드에서 방사선을 분리하기 위한 어셈블리

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060808

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20061108

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20061113

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071127

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080227

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080303

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080527

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081014

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081030

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131107

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees