JP4201180B2 - ビーム中心検出装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、照射された光ビームの中心を検出する検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
測量分野では、走査レーザ光を受光し、その走査位置を検出するレベル検出装置が知られている（特許文献１参照）。レベル検出装置は、回転するレーザビームを射出する回転レーザレベルからの光（走査レーザ光）を受光し、レーザビームが形成する平面と略直角方向におけるレベル（水準高）を検出するものである。具体的には、レーザビームを受光し、受光ビームの中心位置を検出し、これに基づいてレーザビームの軌跡が生成する光の面のレベルを得る。レーザビームは通常、ビーム広がりを有するので、ビーム軌跡が生成する面の厚さ方向の中心を検出する。特許文献１の装置では、レーザビームが当たっている受光素子の面積に比例した信号が受光ユニットから出力され、この信号を処理することによってレーザビームの中心位置を算出する。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−２７０１６０号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、回転レーザレベルから射出されるレーザビームは、レーザレベルからの距離が離れるほどビーム広がりが大きくなる。したがって、回転レーザレベルとレベル検出装置との距離が長くなる（たとえば、数１００ｍ）と、レベル検出装置の受光素子の全てがレーザビーム幅に含まれてしまう。特許文献１の装置は、受光素子上にレーザビームが当たる領域と当たらない領域とを有することを前提に中心位置を求めるので、受光素子の全てがレーザビーム幅に含まれると、レベル検出することができない。
【０００５】
本発明は、光（レーザ）ビームに広がりが生じている場合でも光ビームの中心を正しく検出するようにしたビーム中心検出装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、光ビームの中心を検出するビーム中心検出装置に適用される。そして、一方向に複数のセンサが配列されたセンサ列を有する受光手段と、複数のセンサに対応して受光手段からそれぞれ出力される受光信号が所定の判定閾値以上か否かを判定する判定手段と、複数の全てのセンサに対応する全ての受光信号が判定手段によって第１判定閾値以上と判定された場合には、第１判定閾値より高い第２判定閾値へ変更することで、少なくともセンサ列の両端に位置する２つのセンサに対応する２つの受光信号が第２判定閾値未満に、かつ両端に位置する２つのセンサを除く他のセンサに対応する受光信号の少なくとも１つが第２判定閾値以上に、それぞれ判定手段で判定されるように第１判定閾値を変更する閾値変更手段と、判定手段によって第２判定閾値以上が判定された受光信号に対応するセンサの配列位置に基づいて中心を検出する中心検出手段とを備えることを特徴とする。
判定手段を比較回路で構成してもよく、この場合の閾値変更手段は、比較回路の比較基準信号レベルを変えるように構成するとよい。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を測量に使用される回転レーザレベルとレベル検出器を使用する変位測量システムを例に説明する。
図１は、本発明の一実施の形態によるビーム中心検出装置を用いた変位測量システムの全体構成図である。図１において、変位測量システムは、回転レーザレベル１と、ビーム中心検出装置３とを含む。回転レーザレベル１は、レーザビームを水平方向に発するレーザ光源部を備える。レーザ光源部は、鉛直方向の軸を回転軸として回転可能に構成され、その回転速度はたとえば、６００ｒｐｍ（＝１０ｒｐｓ）である。レーザ光源部或いはレーザを投光する光学系の一部が回転しながらレーザビームを射出することにより、回転レーザレベル１からのレーザビームの軌跡１１が光の平面２を形成する。
【０００８】
ビーム中心検出装置３は、回転レーザレベル１からのレーザビームを受光して当該ビームにおける鉛直方向の中心を検出する。回転レーザレベル１が１０ｒｐｓで回転しながらレーザビームを射出するので、ビーム中心検出装置３は０．１ｓｅｃごとにレーザビームを受光する。ビーム中心検出装置３は、光の平面２に対して垂直方向に配設され、光の平面２の鉛直方向のレベル（水準高）を計測する。図１においてレベル測定方向４は、鉛直方向に対応する。
【０００９】
図２は、回転レーザレベル１とビーム中心検出装置３との距離が近距離（たとえば、１０ｍ）で、ビーム中心検出装置３の位置におけるビーム広がりが大きくない場合のビーム中心検出装置３の拡大図である。図２において、ビーム中心検出装置３は、受光素子部３１と、測定結果表示部３２と、各種スイッチ３３とを有する。受光素子部３１は、図１のレベル測定方向４に対応して、図２の横方向より縦方向に長い受光面を有するように構成されている。ビーム広がりが大きくないので、回転レーザビームの軌跡１１Ａの幅は受光素子部３１の縦方向の受光範囲より狭い。したがって、軌跡１１Ａの上端および下端のそれぞれが、受光素子部３１の受光範囲内に存在する。
【００１０】
測定結果表示部３２は、受光素子部３１で受光されるレーザビームの中心位置などの計測結果を表示する。各種スイッチ３３は、ビーム中心検出装置３の電源ＯＮ／ＯＦＦや、測定精度設定操作などを行うための操作部材である。
【００１１】
レーザビームの中心位置を検出する動作について、ビーム中心検出装置３のブロック図（図３）を参照して説明する。受光素子部３１は、フォトダイオードなどのＮ個の受光素子が所定間隔（たとえば、１ｍｍピッチ）で並べて配列された受光素子群によって構成される。受光素子の配列方向は、レベル測定方向４（図１）に対応する。図３において、上から受光素子No.１、受光素子No.２、…の順に受光素子No.Ｎまで配列されている。受光素子部３１の各受光素子は、レーザビームを受光すると個別に受光信号（光電流）を出力するように構成されている。
【００１２】
各受光素子からの受光信号は、それぞれ負荷抵抗４１により電圧信号に変換される。この電圧信号は、コンデンサ４２で直流成分が除去されてアンプ４３へ入力される。コンデンサ４２の容量は、上述した０．１ｓｅｃごと（すなわち、周波数１０Ｈｚ）の受光信号を通過し、周波数１０Ｈｚ未満の低周波成分を遮断するようにあらかじめ設定されている。アンプ４３は、入力された受光信号を増幅してコンパレータ４４へ出力する。
【００１３】
コンパレータ４４は、入力された信号電圧が判定閾値より高い場合にＨレベルの信号を出力し、入力された信号電圧が判定閾値以下の場合にＬレベルの信号を出力する。判定閾値は、マイクロプロセッサ４６によって設定されている。すなわち、マイクロプロセッサ４６が判定閾値を示すデータを設定し、Ｄ／Ａコンバータ５１が設定データに応じた電圧信号を生成する。コンパレータ４４は、Ｄ／Ａコンバータ５１で生成された電圧信号を比較信号（判定閾値）とする。コンパレータ４４を設けることで、外乱光やノイズなどによる誤検出を回避できる。
【００１４】
なお、図３において図示を省略したが、上述した負荷抵抗４１、コンデンサ４２、アンプ４３、およびコンパレータ４４は、それぞれ各受光素子に対応してＮ個ずつ設けられている。各受光素子に同じ強さの光が入射されたとき、各アンプから出力される信号レベルが合致するように、Ｎ個のアンプ４３の増幅率がそれぞれ調節されている。Ｄ／Ａコンバータ５１による比較信号は、Ｎ個のコンパレータ４４に共通に与えられている。
【００１５】
Ｎ個のコンパレータ４４の出力信号（受光信号）は、それぞれマイクロプロセッサ４６へ並列に入力される。マイクロプロセッサ４６は、ビーム中心検出装置３の電源スイッチがＯＮされている間、常に受光信号をモニタする。マイクロプロセッサ４６は、Ｈレベルの信号を出力する複数のコンパレータ４４に対応する複数の受光素子のうち、配列の中央に位置する受光素子の位置を受光素子部３１で受光されるレーザビームの中心位置とする。
【００１６】
上述した判定閾値は、たとえば、回転レーザレベル１とビーム中心検出装置３との距離が１０ｍ、受光素子部３１の受光素子数Ｎが５０個の場合に、レーザビームの受光によりＨレベルの信号を出力するコンパレータ４４の数が１０個程度となるように設定するのが好ましい。つまり、レーザビームの軌跡１１Ａの幅が、受光素子１０個分に対応する。
【００１７】
図４は、受光素子部３１の受光素子群と、アンプ４３の出力信号分布曲線６１と、コンパレータ４４の判定閾値（基準レベル６２Ａ）との関係を示す図である。一般に、回転レーザレベル１から射出されるレーザビームは、ビームの中心で光パワーが最大となり、ビームの周辺に近づくにつれて光パワーが低下する。したがって、アンプ４３の出力信号分布曲線６１は、レーザビームの中心Ｂｃに対応する点Ｐにおいて最大となり、ビーム中心Ｂｃから上下に離れるにつれてそれぞれ低下する。マイクロプロセッサ４６にＨレベルが入力される信号は、出力信号分布曲線６１のうち基準レベル６２Ａを超える部分に相当する受光信号である。図４では、マイクロプロセッサ４６にＨレベルが入力される受光信号に対応する受光素子を黒で示している。マイクロプロセッサ４６は、受光素子部３１の黒色の部分をレーザビーム幅とみなし、その上端位置および下端位置からレーザビームの中心位置を演算する。
【００１８】
マイクロプロセッサ４６が液晶表示部４７に演算結果を表示する指示を出力することにより、測定結果表示部３２（図２）に計測結果が表示される。計測結果は、たとえば、ビームの中心が位置する方向を示す矢印マークなどを表示させる。矢印マークの他に、表示色や点滅速度を変えたりする表示を行ってもよい。外部出力用通信ライン４８は、計測結果を示す信号を外部機器へ送出するために使用される。
【００１９】
図５は、回転レーザレベル１とビーム中心検出装置３との距離が遠距離（たとえば、５００ｍ）で、ビーム中心検出装置３の位置におけるビーム広がりが大きい場合のビーム中心検出装置３の拡大図である。図５において、ビーム広がりが大きいので、回転レーザビームの軌跡１１Ｂの幅は受光素子部３１の縦方向の受光範囲より広い。したがって、軌跡１１Ｂの上端および下端のそれぞれが、受光素子部３１の受光範囲外に存在し、受光素子部３１の全受光素子でレーザビームが受光される。
【００２０】
従来は、このようにレーザビームの広がりが受光素子部３１より大きい場合にはビーム中心を検出することができなかった。本発明は、このようにビーム広がりが生じている場合の動作に特徴を有する。
【００２１】
図６は、ビーム広がりが大きい場合の受光素子部３１の受光素子群と、アンプ４３の出力信号分布曲線６６と、コンパレータ４４の判定閾値（基準レベル６２Ａ）との関係を示す図である。受光素子部３１の受光素子の全てでレーザビームが受光されるので、出力信号分布曲線６６の全体が基準レベル６２Ａを超える。マイクロプロセッサ４６は、このような場合にコンパレータ４４の判定閾値を高く変更する。
【００２２】
図７は、判定閾値変更後の受光素子部３１の受光素子群と、アンプ４３の出力信号分布曲線６６と、コンパレータ４４の判定閾値（基準レベル６２Ｂ）との関係を示す図である。出力信号分布曲線６６のうち基準レベル６２Ｂを超える部分に相当する受光信号が、Ｈレベルとしてマイクロプロセッサ４６に入力される。マイクロプロセッサ４６は、受光素子部３１の黒色の部分をレーザビーム幅とみなし、その上端位置および下端位置からレーザビームの中心位置を演算する。
【００２３】
以上説明したビーム中心検出装置３でビーム中心を演算する処理の流れについて、図８のフローチャートを参照して説明する。図８による処理は、ビーム中心検出装置３が電源ＯＮされている間、マイクロプロセッサ４６が繰り返し行う。
【００２４】
図８のステップＳ１１において、マイクロプロセッサ４６は、コンパレータ４４に対する判定閾値を設定してステップＳ１２へ進む。マイクロプロセッサ４６がＤ／Ａコンバータ５１に対して判定閾値を示すデータを出力すると、Ｄ／Ａコンバータ５１がデータに応じた比較信号を出力する。判定閾値は、マイクロプロセッサ４６内に前回の判定閾値が格納されている場合は、格納されている判定閾値が用いられる。電源ＯＮ直後で前回の判定閾値がマイクロプロセッサ４６に格納されていない場合は、あらかじめ定められている初期値を用いる。初期値は、基準レベル６２Ａに相当する値である。
【００２５】
ステップＳ１２において、マイクロプロセッサ４６は、Ｎ個のコンパレータ４４から入力される受光信号の中にＨレベルの信号があるか否かを判定する。マイクロプロセッサ４６は、Ｈレベルの信号が含まれている場合にステップＳ１２を肯定判定してステップＳ１３へ進み、Ｈレベルの信号が含まれていない場合にステップＳ１２を否定判定し、図８による処理を終了する。ステップＳ１２を否定判定する場合は、ビーム中心検出装置３の受光素子部３１に回転レーザレベル１からのレーザビームが当たっていない場合である。
【００２６】
ステップＳ１３において、マイクロプロセッサ４６は、Ｎ個のコンパレータ４４から入力される受光信号の全てがＨレベルか否かを判定する。マイクロプロセッサ４６は、全てがＨレベルの信号である場合にステップＳ１３を肯定判定してステップＳ１８へ進み、Ｌレベルの信号が含まれている場合にステップＳ１３を否定判定し、ステップＳ１４へ進む。ステップＳ１８へ進む場合は、図６に示した状態である。
【００２７】
ステップＳ１４において、マイクロプロセッサ４６は、受光素子No.１に対応するコンパレータ４４から入力される受光信号がＨレベルか否かを判定する。マイクロプロセッサ４６は、Ｈレベルの信号が入力されている場合にステップＳ１４を肯定判定してステップＳ１９へ進み、Ｌレベルの信号が入力されている場合にステップＳ１４を否定判定し、ステップＳ１５へ進む。ステップＳ１９へ進む場合は、回転レーザレベル１からのレーザビームが受光素子部３１の上側に偏って当たる場合である。
【００２８】
ステップＳ１５において、マイクロプロセッサ４６は、受光素子No.５０に対応するコンパレータ４４から入力される受光信号がＨレベルか否かを判定する。マイクロプロセッサ４６は、Ｈレベルの信号が入力されている場合にステップＳ１５を肯定判定してステップＳ１９へ進み、Ｌレベルの信号が入力されている場合にステップＳ１５を否定判定し、ステップＳ１６へ進む。ステップＳ１９へ進む場合は、回転レーザレベル１からのレーザビームが受光素子部３１の下側に偏って当たる場合である。
【００２９】
ステップＳ１６において、マイクロプロセッサ４６は、中心Ｃ＝（Ｄ＋Ｕ）／２を算出する。ここで、Ｄは、Ｈレベルの信号が入力されている下端の受光素子番号である。Ｕは、Ｈレベルの信号が入力されている上端の受光素子番号である。マイクロプロセッサ４６は、素子番号Ｃに対応する受光素子の配列位置をレーザビーム中心Ｂｃとする。マイクロプロセッサ４６は、レーザビーム中心Ｂｃを算出すると、液晶表示部４７に演算結果の表示を指示してステップＳ１７へ進む。
【００３０】
ステップＳ１７において、マイクロプロセッサ４６は、設定されている判定閾値をマイクロプロセッサ４６内のメモリに記憶し、図８による処理を終了する。
【００３１】
ステップＳ１８において、マイクロプロセッサ４６は、コンパレータ４４に対し、現在の判定閾値を所定値Ｘだけ高めるように設定してステップＳ１３へ戻る。これにより、判定閾値を基準レベル６２Ｂに相当する値に近づけるように、判定閾値が高められる。所定値Ｘは、１回の判定閾値変更処理で判定閾値を基準レベル６２Ａから基準レベル６２Ｂまで高めるような値でなくてもよい。すなわち、ステップＳ１３およびステップＳ１８の処理を繰り返しながら、判定閾値を徐々に高めるように所定値Ｘを設定してよい。
【００３２】
ステップＳ１９において、マイクロプロセッサ４６は、コンパレータ４４に対し、現在の判定閾値を所定値Ｘ／２だけ高めるように設定してステップＳ１４へ戻る。これにより、判定閾値を基準レベル６２Ｂに相当する値に近づけるように、判定閾値が高められる。ステップＳ１９では、受光素子部３１の上端（素子番号１）および下端（素子番号５０）のうち一方からの信号がＬレベルであるので、ステップＳ１８に比べて半分の変更幅（Ｘ／２）で判定閾値を少しずつ高めるようにする。
【００３３】
ステップＳ１６においてマイクロプロセッサ４６がレーザビーム中心Ｂｃを算出する場合、複数の検出結果の平均値を算出するとよい。上述したように、レーザビームは０．１ｓｅｃ間隔（１０Ｈｚ）で受光素子部３１に入力される。そこで、たとえば、５回分の検出結果の平均値をとってレーザビーム中心Ｂｃを得るようにすれば、０．５ｓｅｃごとに液晶表示部４７の表示を更新することができる。
【００３４】
以上説明した実施の形態によるビーム中心検出装置についてまとめる。
（１）コンパレータ４４の判定閾値を可変に構成し、受光素子部３１上の受光素子の全てでレーザビームが受光される場合（ステップＳ１３を肯定判定）に、コンパレータ４４の判定閾値を所定値Ｘずつ高く変更する（ステップＳ１８）ようにした。これにより、受光素子部３１の受光範囲をレベル測定方向４に広げる（すなわち、受光素子数を増やす）ことなく、回転レーザレベル１からのレーザビームに広がりが生じた場合でも、正確にビーム中心Ｂｃを算出することができる。とくに、回転レーザレベル１とビーム中心検出装置３との距離が数百ｍ以上離れている場合に有効である。
【００３５】
（２）上記（１）に加えて、受光素子部３１の上端（素子番号１）および下端（素子番号５０）のうち一方からの受光信号がマイクロプロセッサ４６に入力されない場合、上記（１）に比べて半分の変更幅（Ｘ／２）で少しずつ判定閾値を高めるようにした。これにより、判定閾値変更後にマイクロプロセッサ４６に入力される受光信号の数が急激に減少することが防止される。
【００３６】
（３）レベル測定方向４（図１）に沿って受光素子がＮ個（上記の例では５０個）並べて配列される受光素子部３１で回転レーザレベル１からのレーザビームを受光し、Ｎ個の受光信号をそれぞれＮ個のコンパレータ４４を介してマイクロプロセッサ４６へ並列に入力する。受光信号は、判定閾値より高い信号レベルのものがＨレベルの信号としてマイクロプロセッサ４６へ入力される。マイクロプロセッサ４６は、入力された信号の上下端に対応する素子番号（ＵおよびＤ）の中央に位置する受光素子位置をビーム中心Ｂｃとして算出する。これにより、デジタルピークホールド回路や高速Ａ／Ｄ変換回路を用いることなく、簡単な構成でビーム中心検出装置３を得ることができる。この結果、ビーム中心検出装置３のコスト低減および消費電力を削減する効果が得られる。消費電力を低減すると、ビーム中心検出装置３を電池駆動の場合に連続使用時間を長くすることができる。
【００３７】
（４）受光信号をコンパレータ４４を介してマイクロプロセッサ４６へ入力するようにしたので、回転レーザレベル１からのレーザビーム以外の外乱光による受光信号より高い判定閾値をコンパレータ４４に設定することにより、外乱光およびノイズによる信号がマイクロプロセッサ４６に入力されることを防止できる。この結果、正確にビーム中心Ｂｃを算出することができる。
【００３８】
上記説明において、マイクロプロセッサ４６がステップＳ１２を否定判定した場合に図８による処理を終了する例を説明したが、ステップＳ１１へ戻るようにしてもよい。
【００３９】
ステップＳ１９において、コンパレータ４４の判定閾値をＸ／２変化させるようにしたが、判定閾値の変更幅はＸ／２に限定されるものではなく、たとえば、Ｘ／４としてもよい。
【００４０】
上述したＤ／Ａコンバータ５１は、マイクロプロセッサ４６と別に構成される例を説明したが、マイクロプロセッサ４６がＤ／Ａ変換回路を内蔵している場合には、内蔵されるＤ／ＡコンバータをＤ／Ａコンバータ５１の代わりに使用してもよい。
【００４１】
上述した実施の形態では、複数の受光素子の数と同数のアンプおよびコンパレータをそれぞれ設ける構成を説明した。この代わりに、複数の受光素子に対してアンプおよびコンパレータを１つずつ設け、このアンプで複数の受光素子からの信号をそれぞれ増幅し、増幅後の信号をコンパレータでレベル判定するように構成してもよい。複数の受光素子からの信号の切り換えは、たとえば、リレー回路などを用いて順次切り換えるようにする。
【００４２】
また、複数の受光素子および複数のアンプに対してコンパレータを１つ設け、各アンプからの信号をコンパレータでそれぞれレベル判定するように構成してもよい。複数のアンプからの信号の切り換えは、たとえば、リレー回路などを用いて順次切り換えるようにする。
【００４３】
以上の説明では、コンパレータ４４を用いる例を説明したが、コンパレータ４４の代わりにＡ／Ｄ変換回路を使用する場合にも本発明を適用することができる。この場合には、Ａ／Ｄ変換後の受光信号（デジタル値）をマイクロプロセッサ４６に入力する。マイクロプロセッサ４６は、入力されるデジタル値が有効閾値より高い場合に受光信号とみなし、有効閾値より低い場合は受光信号とみなさない。この有効閾値は、上述したコンパレータ４４の判定閾値に対応する。
【００４４】
上述した説明では、レーザビームの中心で光パワーが最大となり、ビームの周辺に近づくにつれて光パワーが低下するガウス分布を例に説明した。本発明は、このような分布の他に、たとえば、ＴＥＭ１０モードの分布を有するビームの中心の検出にも適用できる。
【００４５】
特許請求の範囲における各構成要素と、発明の実施の形態における各構成要素との対応について説明する。一方向は、たとえば、レベル測定方向４が対応する。受光手段は、たとえば、受光素子部３１によって構成される。センサ列は、受光素子群が対応する。判定手段は、たとえば、コンパレータ４４によって構成される。閾値変更手段は、たとえば、マイクロプロセッサ４６およびＤ／Ａコンバータ５１によって構成される。中心検出手段は、たとえば、マイクロプロセッサ４６によって構成される。なお、本発明の特徴的な機能を損なわない限り、各構成要素は上記構成に限定されるものではない。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によるビーム中心検出装置は、光（レーザ）ビームに広がりが生じている場合でもビームの中心を正しく検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態によるビーム中心検出装置を用いた変位測量システムの全体構成図である。
【図２】ビーム広がりが大きくない場合のビーム中心検出装置の拡大図である。
【図３】ビーム中心検出装置のブロック図である。
【図４】受光素子部の受光素子群と、アンプの出力信号分布曲線と、コンパレータの判定閾値との関係を示す図である。
【図５】ビーム広がりが大きい場合のビーム中心検出装置の拡大図である。
【図６】受光素子部の受光素子群と、アンプの出力信号分布曲線と、コンパレータの判定閾値との関係を示す図である。
【図７】受光素子部の受光素子群と、アンプの出力信号分布曲線と、コンパレータの判定閾値との関係を示す図である。
【図８】ビーム中心を演算する処理の流れを説明するフローチャートである。
【符号の説明】
１…回転レーザレベル、 ２…光の平面、
３…ビーム中心検出装置、 ４…レベル測定方向、
１１（１１Ａ、１１Ｂ）…ビームの軌跡、
３１…受光素子部、 ３２…測定結果表示部、
４４…コンパレータ、 ４６…マイクロプロセッサ、
５１…Ｄ／Ａコンバータ

Claims (2)

1. 光ビームの中心を検出するビーム中心検出装置において、
   一方向に複数のセンサが配列されたセンサ列を有する受光手段と、
   前記複数のセンサに対応して前記受光手段からそれぞれ出力される受光信号が所定の判定閾値以上か否かを判定する判定手段と、
   前記複数の全てのセンサに対応する全ての受光信号が前記判定手段によって第１判定閾値以上と判定された場合には、前記第１判定閾値より高い第２判定閾値へ変更することで、少なくとも前記センサ列の両端に位置する２つのセンサに対応する２つの受光信号が前記第２判定閾値未満に、かつ前記両端に位置する２つのセンサを除く他のセンサに対応する受光信号の少なくとも１つが前記第２判定閾値以上に、それぞれ前記判定手段で判定されるように前記第１判定閾値を変更する閾値変更手段と、
   前記判定手段によって前記第２判定閾値以上が判定された受光信号に対応するセンサの配列位置に基づいて前記中心を検出する中心検出手段とを備えることを特徴とするビーム中心検出装置。
2. 請求項１に記載のビーム中心検出装置において、
   前記判定手段は、比較回路で構成され、
   前記閾値変更手段は、前記比較回路の比較基準信号レベルを変えることを特徴とするビーム中心検出装置。

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