JP4190959B2 - 光ファイバグレーティングの製造方法および製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信分野や光ファイバセンサなどに用いられる光ファイバグレーテイングの製造方法および製造装置に関し、特に、所望の波長帯域幅を有する光ファイバグレーテイングを安定かつ安価に量産することができる光ファイバグレーティングの製造方法および製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
光ファイバグレーテイングは、一般に、水素浸漬処理を行った光ファイバに、干渉露光法、位相マスク法、強度マスク法、ステップバイステップ法などの公知の方法によって、光ファイバの側面より、光ファイバの長さ方向にそって所定の周期で紫外光を照射することにより作製される。
【0003】
すなわち、光ファイバに紫外線を照射すると、ゲルマニウムGeを添加した石英ガラスのうち、露光された部分の屈折率が上昇するため、光ファイバの長さ方向に沿って屈折率が所定の周期で変動し、グレーテイング部が形成される。
【0004】
この光ファイバグレーティングは、形成する屈折率変化の周期により、大きく二つに分けられる。一方は、長周期ファイバグレーテイングと呼ばれるもので、光ファイバ中を導波してきた導波モードを同方向に伝搬するクラッドモードに結合させるデバイスである。
【0005】
他方は、短周期ファイバグレーテイング(ファイバブラッググレーティング)と呼ばれるもので、導波モードを逆方向に進行する導波モードに結合させるデバイスである。
【0006】
マスク法により光ファイバグレーティング(以下、FGという)を作製する場合、長周期FGは強度マスクを、短周期FGは位相マスクを使用する。この時、得られるFGの屈折率変化の周期は、使用するマスクの周期によって決定されるため、所望の周期のFGを作製するためには、これに対応した周期変化を有するマスクを用意する必要があった。特に、位相マスクは高価であるため、数多くの位相マスクを用意するには、多額の費用が必要であった。
【0007】
この解決策として、特許文献1には、屈折率変化を生じさせる波長の光を光導波路の一部に照射して屈折率変化を形成した後に、一定周期のマスクを使ってFGを作製するという方法が「模式的」に記述されている。
【0008】
【特許文献1】
特開平09−311238
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、実際に特許文献1に記載された方法で作製する場合、屈折率変化の形成中にその屈折率変化量を把握することができないため、サンプル毎にばらつきが大きく、実用上大きな問題となる。特に、屈折率の変化量が多く必要な場合には、ばらつきも大きくなってしまうといった問題があった。
【0010】
ここで、図17に、上述した特許文献1に示す方法で実際に作製した4本のFGの透過特性を示す。具体的には、予め、帯域が2nmになる条件を出しておき、その後光ファイバの長手方向に紫外光の非干渉光の照射量を変えながら帯域が2nmになるように照射した後、干渉光をユニフオームマスクに照射して露光し、FGを作製した。
【0011】
4本のそれぞれのFGは、光ファイバの位置と屈折率の変化量の関係が線形となるように、紫外線の照射量を光ファイバの長手方向に変えながら紫外線をFG全体に照射した後、ユニフォームマスクを使って露光を行った。
【0012】
その結果、この4本のサンプルでは、それぞれ波長帯域幅が例えば1.8〜2.4nmと大きくばらつくことが確認された。すなわち、上述した製造方法では、30%のばらつきが生じるので、安定した所望の特性を有するFGを作製することができなかった。即ち、歩留まりの悪化など、実用上の支障が発生するといった問題があった。
【0013】
特に、必要な露光量が多い場合には、ばらつきも大きくなってしまう。図17において、長波長側のばらつきが大きいこともこれを反映している。
【0014】
さらに、一定周期のマスクを使って、数nm〜数十nmの波長帯域幅の広いチャープトFGを作製する場合には、さらに多い露光量が必要となるため、ばらつきはこれ以上に大きくなってしまうといった問題があった。
【0015】
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的としては、所望の波長帯域幅を有する光ファイバグレーティングを安定かつ安価に量産することができる光ファイバグレーティングの製造方法および製造装置を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、上記課題を解決するため、紫外光に対して光感受性を有する添加物を添加したコアと該コアを覆うクラッドとを備える光ファイバに、水素又は重水素を拡散させる水素充填工程と、紫外光域で単色発光する干渉性光源からの紫外光を、複数の凹溝を有する回折パターンが刻まれた位相マスクを介して前記光ファイバに照射し、照射した紫外光を前記光ファイバの長手方向に走査速度を変化させながら走査し、干渉縞の濃淡に応じた周期的に変動する屈折率を前記光ファイバに形成する回折パターン照射工程と、紫外光を前記光ファイバに照射し、周期的ではない屈折率変化を前記光ファイバに形成する非干渉露光工程と、前記非干渉露光工程後、前記光ファイバを加熱して内部に拡散されている水素又は重水素を外部に放出させる脱水素工程とを有し、前記非干渉露光工程は、前記光ファイバの長手方向の一部分に照射した非干渉光を長手方向に走査する走査工程と、前記光ファイバの一端から照射した光を他端から出射させ、該出射光のレベルと波長を測定する測定工程と、前記測定工程により測定された出射光のレベルが所定のレベルよりも低くなる波長の帯域幅が所望の幅になるまで前記走査工程による走査を繰り返すように制御する制御工程とを有し、前記回折パターン照射工程は、前記非干渉露光工程後の前記光ファイバの屈折率変化のAC成分量を揃えるために、前記回折パターン照射工程でのAC成分量を前記光ファイバの長手方向に変化させることを要旨とする。
【0017】
非干渉露光工程でファイバに当てる光は必ずしも、周期的な強度分布をもたない光でなくてもよく、光を走査することによって、時間的な積分値として強度分布が残らなければよい。
【0018】
請求項2記載の発明は、上記課題を解決するため、前記回折パターン照射工程は、前記位相マスクとして、前記複数の凹溝が一定間隔で刻まれたユニフォームマスク、前記複数の凹溝の周期変化が線形な線形チャープマスク、前記複数の凹溝の周期変化が非線形な非線形チャープマスクの何れか1つを用いることを要旨とする。
【0019】
請求項3記載の発明は、上記課題を解決するため、前記非干渉露光工程は、前記光源としてエキシマランプ、又は、レーザ光源を用いることを要旨とする。
【0020】
請求項4記載の発明は、上記課題を解決するため、前記制御工程は、前記走査工程により走査される非干渉光の走査速度を光ファイバの長手方向の位置に応じて変化するように制御することを要旨とする。
【0021】
請求項5記載の発明は、上記課題を解決するため、紫外光に対して光感受性を有する添加物を添加したコアと該コアを覆うクラッドとを備える光ファイバに、水素又は重水素を拡散させる水素充填手段と、紫外光域で単色発光する干渉性光源からの紫外光を、複数の凹溝を有する回折パターンが刻まれた位相マスクを介して前記光ファイバに照射し、照射した紫外光を前記光ファイバの長手方向に走査速度を変化させながら走査し、干渉縞の濃淡に応じた周期的に変動する屈折率を前記光ファイバに形成する回折パターン照射手段と、紫外光を前記光ファイバに照射し、周期的ではない屈折率変化を前記光ファイバに形成する非干渉露光手段と、前記非干渉露光手段により紫外光を前記光ファイバに照射した後、前記光ファイバを加熱して内部に拡散されている水素又は重水素を外部に放出させる脱水素手段とを有し、前記非干渉露光手段は、前記光ファイバの長手方向の一部分に照射した非干渉光を長手方向に走査する走査手段と、前記光ファイバの一端から照射した光を他端から出射させ、該出射光のレベルと波長を測定する測定手段と、前記測定手段により測定された出射光のレベルが所定のレベルよりも低くなる波長の帯域幅が所望の幅になるまで前記走査手段による走査を繰り返すように制御する制御手段とを有し、回折パターン照射手段は、前記非干渉露光手段により屈折率変化が形成された後の前記光ファイバの屈折率変化のAC成分量を揃えるために、前記回折パターン照射手段でのAC成分量を前記光ファイバの長手方向に変化させることを要旨とする。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【0023】
(第1の実施の形態)
図1は本発明の実施の形態に係る光ファイバグレーティングの製造方法を説明するための製造工程フローである。図1に示す製造工程フロー、図2〜図9に示す各工程の説明図を参照して、光ファイバグレーティングの製造方法について説明する。
【0024】
(1)水素充填工程
図1に示す水素充填工程P1では、光ファイバをリール等に巻いて、高圧容器11内に光ファイバを収納する。
【0025】
高圧容器11内には高圧水素(H2)17を充填し、例えば100気圧に加圧した状態で、温度を55℃に保って、1週間放置して、水素を光ファイバ13のクラッドを通過してコアに至るまで拡散させる。この目的としては、得られる屈折率変化量を短時間の露光で大きくすることができるからである。
【0026】
(2)回折パターン照射工程
図3に示す回折パターン照射工程P2に用いる各部の構成を説明する。
【0027】
光源21はレーザダイオードLDであり、光源21から出射されたコヒーレント紫外光がアイソレータ23を介してサーキュレータ25の端子T1に入射し、端子T2から光スイッチSW1のコモン端子Cに入力される。
【0028】
光スイッチSW1,SW2は1回路5接点の光スイッチを有しており、光スイッチSW1,SW2のそれぞれのコモン端子C間には、FG部27を形成すべき光ファイバ13が接続されている。この時の光ファイバ13の形状としては、数メートルに切断加工して中間部の被覆を除去し、被覆15a,15bを残したものである。FG部27が形成されるべき部位の光路の上流側には位相マスク29およびミラー31が設けられており、レーザ光源33から照射されたレーザ光がミラー31で反射され、さらに位相マスク29で回折されてFG部27に到達する。
【0029】
また、サーキュレータ25の端子T3には光スイッチSW2の第4端子が接続されており、光スイッチSW2のコモン端子Cはアイソレータ35を介してOSA(スペクトラムアナライザ)37に接続されている。
【0030】
さらに、ミラー31はミラー駆動部39に固定されており、このミラー駆動部39は光ファイバ13の長手方向に対して自在に移動できるようにガイドライン41上に取り付けられている。上述したレーザ光源33から出射されたレーザ光はミラー31で直交方向に反射され、位相マスク29により回折されてFG部27に照射される。
【0031】
制御部43には、ミラー駆動部39、シャッター、OSA37が接続されており、後述するフローチャートに従って制御が実行される。
【0032】
図4に示す回折パターン照射工程P2の拡大図のように、上記工程P1を経た光ファイバ13に干渉性を有する干渉性UVレーザ光45を照射してFG部27を形成する。そのレーザ光源33としては、例えばエキシマレーザやアルゴンイオンレーザの第2高調波等が挙げられる。
【0033】
ここでFG部27の具体的な形成方法の一例として、位相マスク29を使用した短周期のFG部27の例を示す。
【0034】
まず、水素充填済みの光ファイバ13の所定位置に、複数の凹溝が一定間隔で刻まれた位相マスク29を配置し、この位相マスク29を介して干渉性UVレーザ光45を照射する。これにより光ファイバ13のコア13a内に干渉縞が生じ、その高輝度点で屈折率ΔNbの上昇が生じる。このようにしてコア13a内に一定周期からなるFG部27が形成される。
【0035】
なお、FG部27の形成方法としては、上記の位相マスク29を使用する方法以外にも、強度変調マスクを使用する方法や、或いは1本ずつUVレーザ光をコア13aに照射してFG部27を形成する方法もある。
【0036】
この結果、図5に示すような透過率−波長特性を有するFG部27が光ファイバ13上に形成される。回折パターン照射工程P2を経た段階では、図5に示すような波長1549.5nm付近を中心にした極めて急峻な透過スペクトルを有しているFG部27が得られる。
【0037】
図6に示すように、屈折率の交流変動を表すAC成分はその照射時間により変化するので、マスク露光の際に光ファイバ13上でミラー31を移動させてビームをスキャンさせる場合には、そのスキャン速度を変化させることで、AC成分を長手方向に変化させることができる。
【0038】
ミラー側を移動(走査)させる場合、ミラー31の直後にスリットを設ける場合には、ミラー31とスリットおよびミラー駆動部39を一つのガイドライン41上に乗せ、ミラー駆動部39を光ファイバ13の長手方向に移動させて走査する。
【0039】
なお、光ファイバ13を移動させる場合は、位相マスク29と光ファイバ13の相対位置が動かないように固定し、一体化させて移動させる必要がある。
【0040】
上述したように、FG部27は光ファイバ13の屈折率を変化させることにより形成される。ここで、図6を参照して、本実施の形態において使用するFG部図6において、AC成分(Δn(AC))はFG部27での屈折率の変調成分の半分の量であり、平均(Δn(平均))はAC成分の半分の量までの変化量であり、DC成分(Δn(DC))は変調成分の下限の量である。
【0041】
(3)非干渉露光工程
まず、図7に示す非干渉露光工程P3に用いる各部の構成は、図3に示す回折パターン照射工程P2に用いる構成から位相マスク29を取り去ったことにあり、ミラー31に反射したレーザ光を直接に光ファイバ13のFG部27に照射することにある。
【0042】
ここで、図8に示すフローチャートを参照して、非干渉露光工程P3における制御動作について説明する。
【0043】
まず、ステップS5では、レーザ光源33と光源21をONにしておく。次にステップ7として、露光前の透過光の強度をリファレンスとして、OSA37にとりこむ。この時、光スイッチSW1,SW2は、図9に示す表のように、それぞれ透過モードに設定されている。
【0044】
光源21から出射されたLED光は、サーキュレータ25の端子T1から端子T2、光スイッチSW1のコモン端子Cから端子1、光ファイバ13に形成されたFG部27、光スイッチSW2の端子1からコモン端子C、アイソレータ35を伝搬してOSA37に入力される。OSA37では、内部に設けられたフォトダイオードPD(図示しない)により光電変換され、スペクトル解析された結果を表す波長−透過率特性信号が制御部43に出力される。
【0045】
次に、ステップS10では、制御部43は、シャッターをOPENに制御してミラー31に向かってレーザ光を照射する。同時に、ミラー駆動部39に起動信号を与えて1回のスキャン動作を開始させる。この結果、ミラー駆動部39はFG部27の紙面右端Paから左端Pbに向かって移動するので、レーザ光源33から出射されたレーザ光が移動中のミラー31に反射してFG部27の紙面右端Paから左端Pbに照射される。
【0046】
次いで、ステップS20では、制御部43は、シャッターをCLOSE制御してレーザ光の照射を停止する。同時に、ミラー駆動部39に初期位置停止信号を与える。この結果、ミラー駆動部39は初期位置となるFG部27の紙面右端Paまで戻って停止する。
【0047】
次いで、ステップS30では、制御部43は、透過光の強度をOSA37で測定し、OSA37から、リファレンスとの差を信号として入力する。
【0048】
次いで、ステップS40では、制御部43は、OSA37から入力した波長−透過率特性信号から信号レベルが例えば−3dB以下となる波長のうち最も短い最低波長min λ1を抽出する。
【0049】
次いで、ステップS50では、制御部43は、OSA37から入力した波長−透過率特性信号から信号レベルが例えば−3dB以下となる波長のうち最も長い最高波長max λ2を抽出する。
【0050】
次いで、ステップS60では、制御部43は、ステップS40,S50で抽出した最高波長max λ2から最低波長min λ1を引いた差を波長帯域の幅Δλとして求め、この波長帯域幅Δλが目標とする例えば2nmを越えたかどうかを判断する。この時、波長帯域幅Δλが目標とする例えば2nmに到達していない場合にはステップS10に戻って上述した処理を繰り返す。
【0051】
一方、ステップS60において、波長帯域幅Δλが目標とする例えば2nmに到達した場合には処理を停止する。この結果、図10に示すように、波長−透過率特性が−3dB以下であり波長帯域幅が2nmのFG部27が光ファイバ13上に形成される。
【0052】
なお、図10に示す波長−透過率特性グラフは3回の同様な実験を行った際の実験結果であり、どの実験でも波長帯域幅が2nmのFG部27が光ファイバ13上に形成される。
【0053】
(4)脱水素工程
図11に示す脱水素工程P4では、オーブン51内に光ファイバ13を収納し、高温加熱(例:温度120℃)した状態で、例えば12時間放置することにより、光ファイバ13中に拡散した水素53あるいは重水素をオーブン51内へ放出させることができる。
【0054】
これにより、光ファイバ13中の水素あるいは重水素の残留濃度は十分低減しているので、長時間保管しても特性の変化を殆ど生じない。
【0055】
(実験例1)
本発明の第1の実施の形態を適用可能な実験例として、中心周期1071.0nmのユニフォームマスクを使って、100mm露光した場合を取り上げる。
【0056】
まず、ユニフォームマスクを使って回折パターン照射工程を行う。次いで、非干渉露光工程として、光ファイバ13の位置と屈折率変化量の関係が線形になるように、制御部43は、スキャン速度vを光ファイバの長手方向xに変えながら紫外線を照射し、複数回スキャンさせることによりFG部27を作製する。
【0057】
この場合、例えば50回前後のスキャンで、波長が短波長側で+0.5nm、長波長側で+2.5nm変化するように、すなわち、波長帯域幅が2.0nmになるように条件出しを行っている。これは、屈折率変化量にして、短波長側が4.7×10-4、長波長側が2.3×10-3で、FG部27の両側での変調成分以外の屈折率変化量の差は1.9×10-3である。
【0058】
FG部27の波長帯域λは、屈折率変化の周期A、実効屈折率nを用いて、
【数1】
λ=2nΛ (1)
と書き表すことができる。形成される屈折率変化の周期Λは、ユニフォームマスクの周期dの1/2、即ちΛ=d/2という関係があるので、FG部27の波長帯域は、λ=ndとなる。
【0059】
ここで、実効屈折率がΔnだけ変化した場合を考えると、実効屈折変化量Δnと波長帯域幅Δλは、
【数2】
Δn=Δλ/d (2)
という関係が成り立つ。
【0060】
従って、波長変化が例えば0.5nmの場合、
【数3】
Δn=0.5nm/1071nm=4.7×10-4 (3)
となる。同様に、波長帯域幅が例えば2.5nmの場合、Δn=2.3×10-3となり、屈折率変化量の差は、これらの差を取って1.9×10-3となる。
【0061】
また、
【数4】
Δ(Δn)=Δ(Δλ)/d=2.0/1071=1.9×10-3 (4)
としても求められる。
【0062】
ここで、図10に、波長帯域幅が2.0nmになるまでスキャンして露光することにより作製した3本の光ファイバ13のFG部27の透過スペクトルを示す。
【0063】
これは、ユニフォームマスクを使って露光した後に、照射量をFG部27の長手方向に変えながら波長帯域幅が2nmになるまで紫外線を照射して作製した3本のFG部の透過及び反射特性である。
【0064】
各サンプルのスキャン回数は、実験の結果、51回、47回、43回とばらつきがある。それぞれのスペクトルを見ると、各サンプルの波長帯域が重なり、安定して所望の特性が得られていることが確認できる。
【0065】
但し、回折パターン照射工程では主にAC成分が、非干渉露光工程では主にDC成分が増大するが、非干渉露光工程においてもAC成分が若干変化するため、最終的なAC成分量を揃えたい場合、予め、回折パターン照射工程でのAC成分量をファイバの長手方向に変えておく必要がある。
【0066】
回折パターン照射工程において、スキャン露光する場合、そのスキャン速度を長手方向に変えることにより、AC成分を長手方向に変えておくことができる。
【0067】
図12に、ユニフォームマスクを使って、線形チャープFGを作製する時のファイバ上の位置と、屈折率変化周期の関係を示す。斜線で示す所望の周期との差が必要な屈折率変化、即ち露光量である。スキャン速度vを光ファイバの長手方向xに変えることで、紫外線の照射量を変化させることができる。
【0068】
(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態に係る光ファイバグレーティングの製造方法について説明する。
【0069】
本実施の形態では、図3に示す位相マスク29に代わって、図13に示すように、現在所有している中心周期1072.0nm、チャープ率0.014nm/mmのチャープマスクを用いて、光ファイバ13の長手方向に100mmだけ露光した場合を例にして説明する。なお、図13に示す斜線部分は露光量を示している。
【0070】
図14は、このチャープマスクを用いて作製したFG部27の透過スペクトルを示している。
【0071】
このチャープマスクを使って作製したFG部27の透過及び反射特性は、図14に示すように、中心波長が1551.1nmとなり、波長帯域幅が、
【数5】
チヤープ率×長さ×実効屈折率(〜1.45)≒〜2.0nm (5)
となる特性が得られる。
【0072】
このチャープマスクを使って回折パターン照射工程を行った後に、非干渉露光工程として、光ファイバ13上の位置xと屈折率nの変化量の関係が線形となるように、スキャン速度vを光ファイバ13の長手方向xに変えながら紫外線を照射し、複数回スキャンさせることによりFG部27を作製する。
【0073】
第2の実施の形態では、第1の実施の形態と同様に、光ファイバの長手方向への50回のスキャンで、波長が、短波長側で+0.5nm、長波長側で+2.5nm変化するように、即ち、波長帯域幅が2.0+2.0=4.0nmになるように条件出しを行っている。
【0074】
図15に、波長帯域幅が4.0nmになるまでスキャンして非干渉露光することにより作製したFG部27の透過スペクトルを示す。
【0075】
このチャープマスクを使って回折パターン照射工程を行った後に、照射量をFG部27の長手方向に変えながら波長帯域幅が4nmになるまで紫外線を照射して作成したので、このようなFG部27の透過特性を得ることができる。
【0076】
但し、上述したように、非干渉露光工程においてもAC成分が若干変化するため、図14とは異なり、回折パターン照射工程でのAC成分量を光ファイバ13の長手方向に変えている。図14と図15とを比較すると、波長帯域の中心波長が約1.5nm長波長側にシフトし、波長帯域幅が2.0nmから4.0nmに変化していることが確認できる。また、波長帯域のばらつきも小さい。
【0077】
このチャープマスクを用いて回折パターン照射工程のみを行って、FG部27を作製する場合にもDC成分は僅かに存在するが、この場合のDC成分の量は非常に小さく、FG部の領域内におけるDC成分量の差は大きくとも10-5のオーダである。従って、非干渉露光工程を経て意図的にDC成分を与えた場合とは明らかに異なる。
【0078】
このように、回折パターン照射工程の後に、透過率−波長帯域幅の特性変化をモニターしながら所望の特性になるまで非干渉露光工程を行い、その際、DC成分量を調整することで、1つのマスクを使って、所望の特性を有するFG部27を容易にかつ安定して作製することができる。
【0079】
さらに、モニターされる特性の変化を見ながら、非干渉露光工程におけるスキャン速度vの関数、位相マスク29のスリット幅等を変更することにより、より精度の高いFG部27を製造することができる。
【0080】
(第3の実施の形態)
本発明の第3の実施の形態に係る光ファイバグレーティングの製造方法について説明する。
【0081】
図16に示すユニフォームマスクを用いて、二次の波長分散補償に用いるFG部27など、周期の変化が一定ではない非線形なFG部27を作製する場合について説明する。なお、図16に示す斜線部分は露光量を示している。
【0082】
このユニフォームマスクを使って回折パターン照射工程を行った後に、非干渉露光工程として、光ファイバ13上の位置xと屈折率nの変化量の関係が所望の関係となるように、スキャン速度vを光ファイバ13の長手方向xに変えながら紫外線を照射し、複数回スキャンさせることによりFG部27を作製する。
【0083】
第3の実施の形態では、第1の実施の形態と同様に、光ファイバの長手方向への50回のスキャンで、波長が、短波長側で0nm、中心波長で3nm、長波長側で0nm変化するように条件出しを行っている。
【0084】
このように、スキャン速度vを光ファイバの長手方向xに変えることで、紫外線の照射量を増大することができ、複数回スキャンさせてFG部27を作製するので、図16に示すように、光ファイバ上の位置xと屈折率nの変化量の関係を所望の円弧形状の非線形にすることができる。
【0085】
上述した実施の形態によれば、特性のばらつきが小さく、所望の特性をもつ光ファイバグレーティングを安定して作製することができる。また、所有しているマスクの中で、所望の周期に近いマスクを用いることで、必要な屈折率変化量を抑えることができ、所望の特性をさらに安定して作製することができる。
【0086】
二次分散補償に用いる光ファイバグレーティングなど、周期の変化が一定ではない非線形な光ファイバグレーティングを作製する際にも、非線形なチヤープ率をもつような特別なマスクを使う必要がなくなる。
【0087】
【発明の効果】
請求項1又は5記載の本発明によれば、非干渉露光時に、光ファイバの長手方向の一部分に照射した紫外光を長手方向に走査し、光ファイバの一端から照射した光を他端から出射させ、出射光のレベルと波長を測定し、測定された出射光のレベルが所定のレベルよりも低くなる波長の帯域幅が所望の幅になるまで走査を繰り返すように制御することで、特性のばらつきが小さく、所望の特性をもつ光ファイバグレーティングを安定して作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る光ファイバグレーティングの製造方法を説明するための製造工程フローである。
【図2】水素充填工程を説明するための図である。
【図3】回折パターン照射工程に用いる各部の構成を説明するための図である。
【図4】回折パターン照射工程を説明するための図である。
【図5】光ファイバ上に形成されたFG部の透過率−波長特性を示すグラフである。
【図6】屈折率の交流変動及び直流成分を示すグラフである。
【図7】非干渉露光工程に用いる各部の構成を説明するための図である。
【図8】非干渉露光工程における制御動作について説明するためのフローチャートである。
【図9】光スイッチSW1,SW2により設定されるモードを示す表である。
【図10】ユニフォームマスクを使ってチャープFGを作製する実験を3回行った結果、光ファイバ上に形成されたFG部の透過率−波長特性を示すグラフである。
【図11】脱水素工程を説明するための図である。
【図12】ユニフォームマスクを用いて露光した場合に光ファイバ上の位置xと屈折率nの変化量の関係を線形にしたことを示すグラフである。
【図13】チャープマスクを用いて露光した場合に、光ファイバ上の位置xと屈折率nの変化量の関係を線形にしたことを示すグラフである。
【図14】チャープマスクを用いて作製したFG部の透過スペクトルを示すグラフである。
【図15】波長帯域幅が4.0nmになるまでスキャンして非干渉露光することにより作製したFG部の透過スペクトルを示すグラフである。
【図16】ユニフォームマスクを用いて露光した場合に、光ファイバ上の位置xと屈折率nの変化量の関係を円弧形状の非線形にしたことを示すグラフである。
【図17】従来の方法に従って作製したFG部の透過スペクトルを示すグラフである。
【符号の説明】
13…光ファイバ
21…光源
23…アイソレータ
25…サーキュレータ
27…FG部
29…位相マスク
31…ミラー
33…エキシマランプ光
33…レーザ光源
35…アイソレータ
37…OSA
39…ミラー駆動部
41…ガイドライン
43…制御部
Claims (5)
- 紫外光に対して光感受性を有する添加物を添加したコアと該コアを覆うクラッドとを備える光ファイバに、水素又は重水素を拡散させる水素充填工程と、
紫外光域で単色発光する干渉性光源からの紫外光を、複数の凹溝を有する回折パターンが刻まれた位相マスクを介して前記光ファイバに照射し、照射した紫外光を前記光ファイバの長手方向に走査速度を変化させながら走査し、干渉縞の濃淡に応じた周期的に変動する屈折率を前記光ファイバに形成する回折パターン照射工程と、
紫外光を前記光ファイバに照射し、周期的ではない屈折率変化を前記光ファイバに形成する非干渉露光工程と、
前記非干渉露光工程後、前記光ファイバを加熱して内部に拡散されている水素又は重水素を外部に放出させる脱水素工程とを有し、
前記非干渉露光工程は、
前記光ファイバの長手方向の一部分に照射した非干渉光を長手方向に走査する走査工程と、
前記光ファイバの一端から照射した光を他端から出射させ、該出射光のレベルと波長を測定する測定工程と、
前記測定工程により測定された出射光のレベルが所定のレベルよりも低くなる波長の帯域幅が所望の幅になるまで前記走査工程による走査を繰り返すように制御する制御工程とを有し、
前記回折パターン照射工程は、前記非干渉露光工程後の前記光ファイバの屈折率変化のAC成分量を揃えるために、前記回折パターン照射工程でのAC成分量を前記光ファイバの長手方向に変化させることを特徴とする光ファイバグレーティングの製造方法。 - 前記回折パターン照射工程は、
前記位相マスクとして、前記複数の凹溝が一定間隔で刻まれたユニフォームマスク、前記複数の凹溝の周期変化が線形な線形チャープマスク、前記複数の凹溝の周期変化が非線形な非線形チャープマスクの何れか1つを用いることを特徴とする請求項1記載の光ファイバグレーティングの製造方法。 - 非干渉露光工程は、
前記光源としてエキシマランプ、又は、レーザ光源を用いることを特徴とする請求項1記載の光ファイバグレーティングの製造方法。 - 前記制御工程は、
前記走査工程により走査される非干渉光の走査速度を光ファイバの長手方向の位置に応じて変化するように制御することを特徴とする請求項1記載の光ファイバグレーティングの製造方法。 - 紫外光に対して光感受性を有する添加物を添加したコアと該コアを覆うクラッドとを備える光ファイバに、水素又は重水素を拡散させる水素充填手段と、
紫外光域で単色発光する干渉性光源からの紫外光を、複数の凹溝を有する回折パターンが刻まれた位相マスクを介して前記光ファイバに照射し、照射した紫外光を前記光ファイバの長手方向に走査速度を変化させながら走査し、干渉縞の濃淡に応じた周期的に変動する屈折率を前記光ファイバに形成する回折パターン照射手段と、
紫外光を前記光ファイバに照射し、周期的ではない屈折率変化を前記光ファイバに形成する非干渉露光手段と、
前記非干渉露光手段により紫外光を前記光ファイバに照射した後、前記光ファイバを加熱して内部に拡散されている水素又は重水素を外部に放出させる脱水素手段とを有し、
前記非干渉露光手段は、
前記光ファイバの長手方向の一部分に照射した非干渉光を長手方向に走査する走査手段と、
前記光ファイバの一端から照射した光を他端から出射させ、該出射光のレベルと波長を測定する測定手段と、
前記測定手段により測定された出射光のレベルが所定のレベルよりも低くなる波長の帯域幅が所望の幅になるまで前記走査手段による走査を繰り返すように制御する制御手段とを有し、
前記回折パターン照射手段は、前記非干渉露光手段により屈折率変化が形成された後の前記光ファイバの屈折率変化のAC成分量を揃えるために、前記回折パターン照射手段でのAC成分量を前記光ファイバの長手方向に変化させることを特徴とする光ファイバグレーティングの製造装置。
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