JP4189491B2 - 光電変換素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
C. Tang, Appl.Phys. Lett.,48巻、183頁、1986年
このようにして作製した素子において、対向電極に電圧を印加し、膜面に垂直方向から光を照射して光電流を観測した。波長543nm、光強度25μW/cm2を照射したときの、光照射による光電流と暗電流との比(コントラスト)を図3に示す。約104
〜105V/cmの電界印加時に大きなコントラストが得られ、その時の電流増大率は、20程度であった。
このようにして作製した素子において、対向電極に電圧を印加し、膜面に垂直方向から光を照射して光電流を観測した。波長543nm、光強度25μW/cm2を照射したときの、光照射による光電流と暗電流との比(コントラスト)を図5に示す。約104
〜105V/cmの電界印加時に大きなコントラストが得られ、その時の電流増大率は、300程度であった。
このようにして作製した素子において、対向電極に電圧を印加し、膜面に垂直方向から光を照射して光電流を観測した。波長543nm、光強度25μW/cm2を照射したときの、光照射による光電流と暗電流との比(コントラスト)を図7に示す。約104
〜105V/cmの電界印加時に大きなコントラストが得られ、その時の電流増大率は、50程度であった。
ITO電極を形成したガラス基板を、純水にて希釈した中性洗剤(井内盛栄堂社:ピュアソフト)にて超音波洗浄を行い、その後、純水中、超音波洗浄にて洗剤除去を行った。さらにその後、紫外線照射下オゾン洗浄器にて20分間紫外線照射洗浄を行った。このようにして洗浄した基板上に、N-メチル-3,4,9,10ペリレンテトラカルボン酸ジイミドを、毎分約2nmの速度で約30nmの厚さに真空蒸着を行った。引き続き、ペンタセンの薄膜を、真空蒸着法で毎分1.8nmの速度で約60nmの厚さに形成した。その後、N,N’-ジフェニル-N,N’-ジ(m-トリル)ベンジディン(TPD)を、毎分1.8nmの速度で約60nmの厚さに真空蒸着した。その後、対向電極としてアルミニウムを、毎分20nmの速度で約100nmの厚さに真空蒸着した。この素子に、ITO電極に正電圧、アルミニウム電極に負電圧を印加し、ITO電極側から光を照射して光電流を観測した。波長543nm、光強度25μW/cm2を照射したときの、光照射による光電流と暗電流との比(コントラスト)を図8に示す。3×105V/cmの電界印加時に最大のコントラストが得られ、その時の電流増大率は、10程度であった。
20・・・構造制御層
30・・・第1半導体層
40・・・第2半導体層
50・・・電極
60・・・電極
Claims (5)
- 基板上に構造制御層を介して有機半導体材料により形成されるp型又はn型の第1半導体層、該第1半導体層の上にpn接合される有機半導体材料により形成される第1半導体層と導電型の異なる第2半導体層及び該第1半導体層及び該第2半導体層の側面に接する電極を具備し、該電極は、該基板の面と垂直となる方向に該第1半導体層及び該第2半導体層の対向する二側面に対向配置され、該半導体層と垂直な方向から光が照射される光電変換素子であって、該構造制御層は該第1半導体層の濡れ性を低下させる材料からなるとともに、該第1半導体層が該構造制御層に制御されて突起状構造をとり、該第2半導体層が該突起状構造の間に入り込む形状で、pn接合を形成することを特徴とする光電変換素子。
- 請求項1に記載の光電変換素子において、p型半導体は、ペンタセン、テトラセン、チオフェン、フタロシアニン若しくはこれらの末端が置換された誘導体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン又はこれらの末端若しくはその側鎖が置換された誘導体のポリマーの中から選択される少なくとも一つの半導体であることを特徴とする光電変換素子。
- 請求項1に記載の光電変換素子において、n型半導体は、ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、フッ素化フタロシアニン又はこれらの末端が置換された誘導体の中から選択される少なくとも一つの半導体であることを特徴とする光電変換素子。
- 請求項1に記載の光電変換素子において、上記両電極間に電圧を印加する駆動電源を有する光電変換素子。
- 請求項1記載の光電変換素子において、上記構造制御層は、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン又は有機珪素化合物であることを特徴とする光電変換素子。
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