JP4189115B2 - Liquid crystal display - Google Patents

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広顕 米倉
光宏 宇野
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関し、特にアクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶を応用した表示装置は、低電力駆動および軽量という従来の表示装置には見られない特徴を有する。特に、各画素にスイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下「TFT」と称する。)を配置したアクティブマトリクス型液晶表示装置は、クロストークの少ない鮮明な画像表示が得られることから、ノートパソコンやカーナビゲーションのディスプレイなどに使用され、さらに近年では大型ディスプレイモニターとして急速に利用されるようになっている。
【0003】
一般にアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素電極およびスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス基板と、対向電極を備えた対向基板とが、液晶層を介して互いに対向するように配置されて構成される。図4は、従来の液晶表示装置80に含まれるアクティブマトリクス基板55の部分平面図であり、図5および図6はそれぞれ、図4のアクティブマトリクス基板55のD−D’およびA−A’に対応する液晶表示装置80の断面図である。以下、図4、図5および図6を用いて従来の液晶表示装置80について説明する。
【0004】
図5および図6に示されるように、液晶表示装置80はアクティブマトリクス基板55、対向基板60およびこれらの基板に挟持された液晶層70を有する。
【0005】
図4に示されるように、アクティブマトリクス基板55は、行方向に配列された走査信号供給線2、列方向に配列された映像信号供給線5、これらの配線2および5とTFT20を介して接続される行列状に配列された画素電極10、画素電極10の各行に対応するように設けられた共通電極28、共通電極28と電気的に接続する第1および第2共通電極信号供給線8および12を有する。共通電極28は、対応する行の画素電極10とそれぞれ対向し、これらの画素電極10との間に蓄積容量を形成する。TFT20は、図6に示されるように、基板1上に形成されたゲート電極32、ゲート電極32上に絶縁膜3を介して形成された半導体層4、半導体層4と電気的に接続されたソース電極35、およびドレイン電極9を有する。
【0006】
走査信号供給線2にはアドレス信号が供給され、映像信号供給線5にはフレーム走査期間毎に極性反転された映像表示信号が供給される。この映像表示信号は、アドレス信号でオン/オフされ制御されるスイッチング素子であるTFT20を介して、各画素の容量に書き込まれる。画素電極電圧と対向電極に供給される電圧との電位差によってそれぞれの画素電極上の液晶層70が励起され、液晶層70に含まれる液晶分子の配向を任意に変化させ、光透過率を調整して所望の画像を作り出す。画素電極への書き込みは、映像信号供給線5に同時に供給される信号を、走査信号供給線2に順次供給されるアドレス信号でサンプリングする線順次駆動によって行う。画素電極(容量)に書き込まれた表示信号は、次のフレームの走査時まで画素電極10と共通電極28との間に形成される蓄積容量により蓄積され、その電位が保持される。以上のようにして液晶表示装置80は駆動する。
【0007】
次に、アクティブマトリクス基板55の製造方法を簡単に説明する。まず、基板1に、TFT20のゲート電極32としても機能する走査信号供給線2、第1共通電極信号供給線8および共通電極28を形成し、その上に絶縁膜3を堆積する(図4および図5参照)。図5に示されるように、第1共通電極信号供給線8と共通電極28との距離Lが約4μm〜数10μm以下であるように、第1共通電極信号供給線8および共通電極28が小さなラインスペースをあけて近接して設けられる。従来は、フォトリソグラフィ技術によるパターニングの最小解像寸法を考慮して、第1共通電極信号供給線8と共通電極28との距離Lを約4μm以上としていた。また、Alを主成分とする共通電極28の抵抗(シート抵抗)は0.2Ω/□であるのに対して、画素電極10と同じITOからなる接続部13は抵抗30Ω/□と高い。従って、接続部13における抵抗が大きくなりすぎないように距離Lを数10μm以下としていた。
【0008】
次に、TFT20のソース、ドレインおよびチャネル領域を形成するための半導体層4を形成する(図6参照)。さらに映像信号供給線5およびこれから延出して形成されるソース電極35、ドレイン電極9および第2共通電極信号供給線12を形成する(図4〜図6参照)。
【0009】
さらに、TFT20を被覆するパッシベーション膜である絶縁膜6を形成し、コンタクトホール7に対応する部分を除去する(図5および図6参照)。この絶縁膜6上にコンタクトホール7を介してドレイン電極9と接続される画素電極10を形成する。また、これと同時にコンタクトホール7を介して共通電極28と第1共通電極信号供給線8とを電気的に接続するための接続部13を絶縁膜6上に形成する(図4および図5参照)。以上のようにしてアクティブマトリクス基板55を作製する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
液晶表示装置の製造工程においては基板に帯電が生じる場合がある。特に、一般的な成膜方法であるスパッタリング工程、CVD(化学気相堆積)工程、フォトリソグラフィ工程、およびドライエッチング工程において基板が電界にさらされたり、また、搬送途中に剥離帯電することによって、基板に帯電が生じやすい。
【0011】
上述した従来の液晶表示装置80の製造工程において、絶縁膜3を形成したときに基板帯電が生じると、共通電極28と第1共通電極信号供給線8との間で放電が生じ、共通電極28、第1共通電極信号供給線8および絶縁膜3が部分的に熱破壊し、パターンの不良やダストを生じることがある。
【0012】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、製造工程において放電により絶縁破壊されることが抑制された、歩留まり良く製造可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本願発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層が挟持され前記一対の基板の一方が、素電極と、前記画素電極に対向して設けられ対向する記画素電極との間に蓄積容量を形成する共通電極とを有し、前記共通電極が共通電極信号供給線と電気的に接続されてなる液晶表示装置であって、前記共通電極と前記共通電極信号供給線とが200μm以上離間して設けられたことを特徴とする。
このように本発明によると、共通電極と共通電極信号供給線とが200μm以上離間して設けられているので、共通電極と共通電極信号供給線との間で放電が生じることがない。従って、絶縁膜、共通電極および共通電極信号供給線が熱破壊することがなく、液晶表示装置を歩留まり良く製造することが可能である。
【0014】
た、前記共通電極と前記共通電極信号供給線とが同一工程において形成されれば、共通電極および共通電極信号供給線を容易に作製することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の液晶表示装置90に含まれるアクティブマトリクス基板50の平面図の一例を示す。図2は、図1のB−B’線についての断面図である。図1のA−A’線についての断面図は、従来例として示した図6と同様である。従来の液晶表示装置80と実質的に同様の機能を有する部材は同じ参照符号で示し、その詳細な説明は省略する。なお、本願発明の液晶表示装置90は上述した従来の液晶表示装置80と同様に駆動する。図1は簡単のために、画素領域(表示に寄与する領域)が、2行2列の画素電極10からなる2×2マトリクスを有するとして示されているが、本発明はこれに限定されるものではない。以下、図1、図2および図6を用いて、本発明の液晶表示装置90について説明する。
【0016】
図2に示されるように、液晶表示装置90は、一対の基板であるアクティブマトリクス基板50および対向基板60と、これらの基板間に挟持された液晶層70とを有する。
【0017】
図1に示されるように、アクティブマトリクス基板50は、行列状に配列された画素電極10と、画素電極10と対向して蓄積容量を形成する共通電極11と、接続部13によって共通電極11と電気的に接続される第1共通電極信号供給線8とを有する。共通電極11は、画素電極10の各行にそれぞれ対応して設けられ、各行の画素電極10のそれぞれと対向して蓄積容量を形成する。特に本発明では図2に示されるように、共通電極11と共通電極信号供給線8との間に絶縁膜3を有し、共通電極11と共通電極信号供給線8とが電気的に分離しているときにおける共通電極11と共通電極信号供給線8との間の絶縁膜3に生じる電界強度を、絶縁膜3の耐電圧における電界強度未満に抑制するように、共通電極11と共通電極信号供給線8とが離間することに特徴を有する。
【0018】
以下に本発明の液晶表示装置90の製造方法の一例を図3を参照しながら簡単に説明する。
【0019】
まず、例えばガラスからなる基板1表面全体にAl/Ti薄膜を堆積する。フォトリソグラフィ工程において、このAl/Ti薄膜にレジスト塗布、露光および現像工程などを行った後に、ドライエッチングを行い、TFTのゲート電極32としても機能する走査信号供給線2、第1共通電極信号供給線8および共通電極11を形成する(工程102)。この工程102において共通電極11と第1共通電極信号供給線8とは、図1に示されるように距離Sだけ互いに離間するように形成される。共通電極11の端部22と共通電極信号供給線8との離間距離Sは、共通電極11と第1共通電極信号供給線8とが電気的に分離しているとき(接続電極13が形成される工程112以前の工程)における共通電極11と第1共通電極信号供給線8との間の絶縁膜3(後の工程104で形成される)に生じる電界強度が、絶縁膜3の耐電圧における電界強度未満に抑制されるように適宜決定される。離間距離Sは約200μm以上であることが好ましい。なお、走査信号供給線2、第1共通電極信号供給線8、および共通電極11はAl/Ti以外にも例えばTa、Mo、MoW、Cr、(Si、Cu、Nd、ZrおよびTaなどを含む)Al合金から形成され得る。
【0020】
次いで、基板1表面全体に例えばSiNx薄膜を堆積させ、絶縁膜3を形成する(工程104、図2および図6参照)。なお、絶縁膜3はSiNx以外にも例えばSiNxおよびSiO2の混合物、AlOx、およびTaOxから形成され得る。さらに絶縁膜3の上にSi薄膜を堆積する。フォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程(ドライエッチングまたはウェットエッチング)を行い、TFT20のソース、ドレインおよびチャネル領域を形成するための半導体層4を形成する(工程106、図6参照)。
【0021】
次いで、例えばAl/Ti薄膜を堆積し、フォトリソグラフィ工程、およびドライエッチング工程を行い、映像信号供給線5とこれから延出して形成されるソース電極35、ドレイン電極9および第2共通電極信号供給線12を形成する(工程108、図1、2および6参照)。なお、映像信号供給線5、ドレイン電極9および第2共通電極信号供給線12は、Al/Ti以外にも例えばTa、Mo、MoW、Cr、Al合金(Si、Cu、Nd、ZrおよびTaなどを含む)から形成され得る。
【0022】
さらに、例えばSiNx薄膜を基板全面に堆積して絶縁膜6を形成し、フォトリソグラフィ工程、およびドライエッチング工程を行い、絶縁膜3および6においてコンタクトホール7に対応する部分を除去する(工程110、図2および6参照)。なお、絶縁膜6はSiNx以外にも例えばSiC2、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、およびポリカーボネートから形成され得る。
【0023】
この絶縁膜6上にインジウム錫酸化物(ITO)薄膜を堆積し、フォトリソグラフィ工程、およびウェットエッチング工程を行い、画素電極10および接続部13を形成する(工程112)。画素電極10はコンタクトホール7を介してTFT20のドレイン電極9と接続される(図6参照)。接続部13はコンタクトホール7を介して共通電極11と第2共通電極信号供給線12とを接続する。以上のようにしてアクティブマトリクス基板50を作製する。
【0024】
さらに、当業者に公知の方法で対向基板60を作製し、アクティブマトリクス基板50と対向基板60との間に液晶層70を挟持して液晶表示装置90を完成する。
【0025】
上述のような製造方法によって作製された本発明の液晶表示装置90において、共通電極11と第1共通電極信号供給線8とが電気的に分離しているときにおける共通電極11と共通電極信号給線8との間の絶縁膜3に生じる電界強度を絶縁膜3の耐電圧における電界強度未満に抑制するように、共通電極11と第1共通電極信号供給線8とが距離Sだけ離間して形成されている。従って、絶縁膜3が堆積されたとき(図5の工程104)に、基板1に帯電が生じても、共通電極11と第1共通電極信号供給線8との間に設けられた絶縁膜3に生じる電界強度が絶縁膜3の耐電圧における電界強度未満である。よって、共通電極11と第1共通電極信号供給線8との間で放電が生じることがないので、絶縁膜3、共通電極11および第1共通電極信号供給線8が熱破壊することがない。
【0026】
さらに、共通電極11と第2共通電極信号供給線12との離間距離Vを上記距離Sと同様に設定することがより好ましい。このことにより、共通電極11と第2共通電極信号供給線12との間に形成される絶縁膜3、共通電極11および第2共通電極信号供給線12の破壊をさらに抑制することができる。なお共通電極11と第1共通電極信号供給線8との距離S、および共通電極11と第2共通電極信号供給線12との距離Vを上述のように離間して形成すると、接続部13における抵抗が大きくなりすぎることがある。接続部13における抵抗を許容範囲内に抑えるためには、接続部13の線幅を適宜広くすればよい。接続部13の線幅を広くするには、例えば、図7に示されるように、列方向に隣接する少なくとも2つの接続部13同士を一体成形してつなげればよい。一体成形する接続部13の数は適宜決定され、好ましくは3以上さらに好ましくは全てである。
【0027】
本実施形態では、第1共通電極信号供給線8および第2共通電極信号供給線12から共通通電極11に電位信号が供給されるが、共通電極および共通電極に電位信号を供給する共通電極信号供給線の形状はこれに限られない。例えば、第2共通電極信号供給線12を形成しないで、第1共通電極信号供給線8からのみ共通電極11に電位信号を供給してもよい。また、画素電極10に接続されるスイッチング素子にはTFT20に限らず、MIM素子およびバリスタなどが使用され得る。
【0028】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、製造工程において放電により絶縁破壊されることが抑制された、歩留まり良く製造可能な液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の液晶表示装置に含まれるアクティブマトリクス基板の一例を示す平面図である。
【図2】 図1のB−B’線に対応する液晶表示装置の断面図である。
【図3】 本発明の液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
【図4】 従来の液晶表示装置に含まれるアクティブマトリクス基板の平面図である。
【図5】 図4のD−D’線に対応する液晶表示装置の断面図である。
【図6】 図1および図4のA−A’線に対応する液晶表示装置の断面図である。
【図7】 本発明の液晶表示装置に含まれるアクティブマトリクス基板の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
1 基板
2 走査信号供給線
3 絶縁膜
4 半導体層
5 映像信号供給線
6 絶縁膜
7 コンタクトホール
8 第1共通電極信号供給線
9 ドレイン電極
10 画素電極
11、28 共通電極
12 第2共通電極信号供給線
13 接続部
20 TFT
22 端部
32 ゲート電極
35 ソース電極
50、55 アクティブマトリクス基板
70 液晶層
60 対向基板
80、90 液晶表示装置
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to an active matrix liquid crystal display device.
[0002]
[Prior art]
A display device using liquid crystal has characteristics not seen in conventional display devices, such as low power driving and light weight. In particular, an active matrix liquid crystal display device in which a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) is provided as a switching element in each pixel can provide a clear image display with little crosstalk. It is used as a display for car navigation, and in recent years, it has been rapidly used as a large display monitor.
[0003]
In general, an active matrix liquid crystal display device is configured by disposing an active matrix substrate having pixel electrodes and switching elements and a counter substrate having counter electrodes so as to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. 4 is a partial plan view of an active matrix substrate 55 included in a conventional liquid crystal display device 80. FIGS. 5 and 6 are respectively DD ′ and AA ′ of the active matrix substrate 55 of FIG. 4 is a cross-sectional view of a corresponding liquid crystal display device 80. FIG. Hereinafter, a conventional liquid crystal display device 80 will be described with reference to FIGS. 4, 5, and 6.
[0004]
As shown in FIGS. 5 and 6, the liquid crystal display device 80 includes an active matrix substrate 55, a counter substrate 60, and a liquid crystal layer 70 sandwiched between these substrates.
[0005]
As shown in FIG. 4, the active matrix substrate 55 is connected to the scanning signal supply lines 2 arranged in the row direction, the video signal supply lines 5 arranged in the column direction, and these wirings 2 and 5 via the TFT 20. Pixel electrodes 10 arranged in a matrix, common electrodes 28 provided so as to correspond to the rows of the pixel electrodes 10, first and second common electrode signal supply lines 8 electrically connected to the common electrodes 28, and Twelve. The common electrode 28 faces the pixel electrode 10 in the corresponding row, and forms a storage capacitor between the pixel electrode 10. As shown in FIG. 6, the TFT 20 is electrically connected to the gate electrode 32 formed on the substrate 1, the semiconductor layer 4 formed on the gate electrode 32 via the insulating film 3, and the semiconductor layer 4. A source electrode 35 and a drain electrode 9 are provided.
[0006]
The scanning signal supply line 2 is supplied with an address signal, and the video signal supply line 5 is supplied with a video display signal whose polarity is inverted every frame scanning period. This video display signal is written into the capacitance of each pixel via the TFT 20 which is a switching element that is turned on / off by an address signal and controlled. The liquid crystal layer 70 on each pixel electrode is excited by the potential difference between the pixel electrode voltage and the voltage supplied to the counter electrode, and the orientation of the liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer 70 is arbitrarily changed to adjust the light transmittance. To produce the desired image. Writing to the pixel electrode is performed by line sequential driving in which signals simultaneously supplied to the video signal supply line 5 are sampled by an address signal sequentially supplied to the scanning signal supply line 2. The display signal written in the pixel electrode (capacitance) is accumulated by a storage capacitor formed between the pixel electrode 10 and the common electrode 28 until the next frame is scanned, and the potential is held. The liquid crystal display device 80 is driven as described above.
[0007]
Next, a method for manufacturing the active matrix substrate 55 will be briefly described. First, the scanning signal supply line 2, the first common electrode signal supply line 8, and the common electrode 28 that also function as the gate electrode 32 of the TFT 20 are formed on the substrate 1, and the insulating film 3 is deposited thereon (FIG. 4 and FIG. 4). (See FIG. 5). As shown in FIG. 5, the first common electrode signal supply line 8 and the common electrode 28 are small so that the distance L between the first common electrode signal supply line 8 and the common electrode 28 is about 4 μm to several tens of μm or less. Providing close proximity with a line space. Conventionally, the distance L between the first common electrode signal supply line 8 and the common electrode 28 is set to about 4 μm or more in consideration of the minimum resolution dimension of patterning by the photolithography technique. Further, the resistance (sheet resistance) of the common electrode 28 containing Al as a main component is 0.2Ω / □, whereas the connection portion 13 made of the same ITO as the pixel electrode 10 has a high resistance of 30Ω / □. Therefore, the distance L is set to several tens of μm or less so that the resistance at the connecting portion 13 does not become too large.
[0008]
Next, the semiconductor layer 4 for forming the source, drain and channel regions of the TFT 20 is formed (see FIG. 6). Further, the video signal supply line 5 and the source electrode 35, the drain electrode 9 and the second common electrode signal supply line 12 formed so as to extend therefrom are formed (see FIGS. 4 to 6).
[0009]
Further, an insulating film 6 that is a passivation film covering the TFT 20 is formed, and a portion corresponding to the contact hole 7 is removed (see FIGS. 5 and 6). A pixel electrode 10 connected to the drain electrode 9 through the contact hole 7 is formed on the insulating film 6. At the same time, a connecting portion 13 for electrically connecting the common electrode 28 and the first common electrode signal supply line 8 through the contact hole 7 is formed on the insulating film 6 (see FIGS. 4 and 5). ). The active matrix substrate 55 is produced as described above.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
In the manufacturing process of the liquid crystal display device, the substrate may be charged. In particular, when a substrate is exposed to an electric field in a sputtering process, a CVD (chemical vapor deposition) process, a photolithography process, and a dry etching process, which are general film forming methods, The substrate is likely to be charged.
[0011]
In the manufacturing process of the conventional liquid crystal display device 80 described above, if the substrate is charged when the insulating film 3 is formed, a discharge occurs between the common electrode 28 and the first common electrode signal supply line 8, and the common electrode 28. The first common electrode signal supply line 8 and the insulating film 3 may be partially thermally destroyed, resulting in pattern defects and dust.
[0012]
The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device that can be manufactured with high yield, in which dielectric breakdown due to electric discharge is suppressed in the manufacturing process. .
[0013]
[Means for Solving the Problems]
The liquid crystal display device of the present invention, the liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates, one of the pair of substrates, and the picture element electrodes, the front Symbol pixel electrode opposing provided pairs toward the pixel electrode A liquid crystal display device having a common electrode forming a storage capacitor between the common electrode and a common electrode signal supply line, wherein the common electrode and the common electrode signal supply line are It is characterized by being spaced apart by 200 μm or more .
Thus, according to the present invention, Runode provided apart from the common electrode and the common electrode signal supply line is 200μm or more, causing no discharge between the common electrode and the common electrode signal supply line. Therefore, the insulating film, the common electrode, and the common electrode signal supply line are not thermally destroyed, and the liquid crystal display device can be manufactured with a high yield.
[0014]
Also, if the common electrode and said common electrode signal supply line formed in the same step, it is possible to easily prepare a common electrode and a common electrode signal supply line.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 shows an example of a plan view of an active matrix substrate 50 included in a liquid crystal display device 90 of the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. A cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 1 is the same as FIG. 6 shown as the conventional example. Members having substantially the same functions as those of the conventional liquid crystal display device 80 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. The liquid crystal display device 90 of the present invention is driven in the same manner as the conventional liquid crystal display device 80 described above. For the sake of simplicity, FIG. 1 shows that a pixel region (region contributing to display) has a 2 × 2 matrix of pixel electrodes 10 of 2 rows and 2 columns, but the present invention is limited to this. It is not a thing. Hereinafter, the liquid crystal display device 90 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 6.
[0016]
As shown in FIG. 2, the liquid crystal display device 90 includes a pair of substrates, an active matrix substrate 50 and a counter substrate 60, and a liquid crystal layer 70 sandwiched between these substrates.
[0017]
As shown in FIG. 1, the active matrix substrate 50 includes a pixel electrode 10 arranged in a matrix, a common electrode 11 that forms a storage capacitor opposite to the pixel electrode 10, and a common electrode 11 formed by a connection portion 13. The first common electrode signal supply line 8 is electrically connected. The common electrode 11 is provided corresponding to each row of the pixel electrodes 10 and forms a storage capacitor so as to face each of the pixel electrodes 10 of each row. In particular, in the present invention, as shown in FIG. 2, the insulating film 3 is provided between the common electrode 11 and the common electrode signal supply line 8, and the common electrode 11 and the common electrode signal supply line 8 are electrically separated. The common electrode 11 and the common electrode signal so that the electric field strength generated in the insulating film 3 between the common electrode 11 and the common electrode signal supply line 8 is less than the electric field strength at the withstand voltage of the insulating film 3. It is characterized in that it is separated from the supply line 8.
[0018]
An example of a method for manufacturing the liquid crystal display device 90 of the present invention will be briefly described below with reference to FIG.
[0019]
First, an Al / Ti thin film is deposited on the entire surface of the substrate 1 made of glass, for example. In the photolithography process, the Al / Ti thin film is subjected to resist coating, exposure and development processes, and then subjected to dry etching to supply the scanning signal supply line 2 that also functions as the gate electrode 32 of the TFT, and the first common electrode signal supply. The line 8 and the common electrode 11 are formed (step 102). In this step 102, the common electrode 11 and the first common electrode signal supply line 8 are formed so as to be separated from each other by a distance S as shown in FIG. The separation distance S between the end 22 of the common electrode 11 and the common electrode signal supply line 8 is when the common electrode 11 and the first common electrode signal supply line 8 are electrically separated (the connection electrode 13 is formed). The electric field strength generated in the insulating film 3 (formed in the subsequent step 104) between the common electrode 11 and the first common electrode signal supply line 8 in the step before the step 112) is the withstand voltage of the insulating film 3. It is determined appropriately so as to be suppressed below the electric field strength. The separation distance S is preferably about 200 μm or more. The scanning signal supply line 2, the first common electrode signal supply line 8, and the common electrode 11 include, for example, Ta, Mo, MoW, Cr, (Si, Cu, Nd, Zr, Ta, etc.) in addition to Al / Ti. ) Can be formed from an Al alloy.
[0020]
Next, for example, a SiN x thin film is deposited on the entire surface of the substrate 1 to form the insulating film 3 (see step 104, FIG. 2 and FIG. 6). In addition to SiN x , the insulating film 3 can be formed of, for example, a mixture of SiN x and SiO 2 , AlO x , and TaO x . Further, a Si thin film is deposited on the insulating film 3. A photolithography step and an etching step (dry etching or wet etching) are performed to form the semiconductor layer 4 for forming the source, drain, and channel regions of the TFT 20 (step 106, see FIG. 6).
[0021]
Next, for example, an Al / Ti thin film is deposited, a photolithography process and a dry etching process are performed, and the video signal supply line 5 and the source electrode 35, the drain electrode 9 and the second common electrode signal supply line which are formed extending therefrom. 12 (see step 108, FIGS. 1, 2 and 6). The video signal supply line 5, the drain electrode 9, and the second common electrode signal supply line 12 are not limited to Al / Ti, for example, Ta, Mo, MoW, Cr, Al alloy (Si, Cu, Nd, Zr, Ta, etc.) Including).
[0022]
Further, for example, an SiNx thin film is deposited on the entire surface of the substrate to form the insulating film 6, and a photolithography process and a dry etching process are performed to remove portions corresponding to the contact holes 7 in the insulating films 3 and 6 (process 110, (See FIGS. 2 and 6). The insulating film 6 can be made of, for example, SiC 2 , acrylic resin, polyimide, polyamide, and polycarbonate other than SiN x .
[0023]
An indium tin oxide (ITO) thin film is deposited on the insulating film 6, and a photolithography process and a wet etching process are performed to form the pixel electrode 10 and the connection portion 13 (process 112). The pixel electrode 10 is connected to the drain electrode 9 of the TFT 20 through the contact hole 7 (see FIG. 6). The connecting portion 13 connects the common electrode 11 and the second common electrode signal supply line 12 through the contact hole 7. The active matrix substrate 50 is produced as described above.
[0024]
Further, the counter substrate 60 is manufactured by a method known to those skilled in the art, and the liquid crystal display device 90 is completed by sandwiching the liquid crystal layer 70 between the active matrix substrate 50 and the counter substrate 60.
[0025]
In the liquid crystal display device 90 of the present invention manufactured by the manufacturing method as described above, the common electrode 11 and the common electrode signal supply when the common electrode 11 and the first common electrode signal supply line 8 are electrically separated from each other. The common electrode 11 and the first common electrode signal supply line 8 are separated by a distance S so that the electric field strength generated in the insulating film 3 between the line 8 and the electric field strength at the withstand voltage of the insulating film 3 is suppressed below. Is formed. Therefore, when the insulating film 3 is deposited (step 104 in FIG. 5), the insulating film 3 provided between the common electrode 11 and the first common electrode signal supply line 8 even if the substrate 1 is charged. Is less than the electric field strength at the withstand voltage of the insulating film 3. Therefore, since no discharge is generated between the common electrode 11 and the first common electrode signal supply line 8, the insulating film 3, the common electrode 11, and the first common electrode signal supply line 8 are not thermally destroyed.
[0026]
Furthermore, it is more preferable to set the separation distance V between the common electrode 11 and the second common electrode signal supply line 12 in the same manner as the distance S. As a result, it is possible to further suppress the breakdown of the insulating film 3, the common electrode 11, and the second common electrode signal supply line 12 formed between the common electrode 11 and the second common electrode signal supply line 12. When the distance S between the common electrode 11 and the first common electrode signal supply line 8 and the distance V between the common electrode 11 and the second common electrode signal supply line 12 are formed as separated as described above, Resistance may be too high. In order to suppress the resistance at the connection portion 13 within an allowable range, the line width of the connection portion 13 may be increased as appropriate. In order to increase the line width of the connecting portion 13, for example, as shown in FIG. 7, at least two connecting portions 13 adjacent in the column direction may be integrally formed and connected. The number of connection parts 13 to be integrally formed is appropriately determined, preferably 3 or more, more preferably all.
[0027]
In the present embodiment, a potential signal is supplied from the first common electrode signal supply line 8 and the second common electrode signal supply line 12 to the common through electrode 11, but a common electrode signal that supplies a potential signal to the common electrode and the common electrode. The shape of the supply line is not limited to this. For example, the potential signal may be supplied to the common electrode 11 only from the first common electrode signal supply line 8 without forming the second common electrode signal supply line 12. Further, the switching element connected to the pixel electrode 10 is not limited to the TFT 20, and an MIM element and a varistor can be used.
[0028]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a liquid crystal display device capable of being manufactured with a high yield, in which dielectric breakdown due to electric discharge is suppressed in the manufacturing process.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing an example of an active matrix substrate included in a liquid crystal display device of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device corresponding to the line BB ′ of FIG.
FIG. 3 is a diagram illustrating a method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention.
FIG. 4 is a plan view of an active matrix substrate included in a conventional liquid crystal display device.
FIG. 5 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device corresponding to the line DD ′ in FIG.
6 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device corresponding to the line AA ′ in FIGS. 1 and 4. FIG.
FIG. 7 is a plan view showing an example of an active matrix substrate included in the liquid crystal display device of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Scan signal supply line 3 Insulating film 4 Semiconductor layer 5 Video signal supply line 6 Insulating film 7 Contact hole 8 First common electrode signal supply line 9 Drain electrode 10 Pixel electrodes 11 and 28 Common electrode 12 Second common electrode signal supply Line 13 Connection 20 TFT
22 End 32 Gate electrode 35 Source electrodes 50 and 55 Active matrix substrate 70 Liquid crystal layer 60 Counter substrate 80 and 90 Liquid crystal display device

Claims (2)

一対の基板間に液晶層が挟持され前記一対の基板の一方が、素電極と、前記画素電極に対向して設けられ対向する記画素電極との間に蓄積容量を形成する共通電極とを有し、前記共通電極が共通電極信号供給線と電気的に接続されてなる液晶表示装置であって、
前記共通電極と前記共通電極信号供給線とが200μm以上離間して設けられた液晶表示装置。
Liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates, the common one of the pair of substrates, to form the picture element electrodes, a storage capacitor between the front Symbol pixel electrode opposing provided pairs toward the pixel electrode A liquid crystal display device, wherein the common electrode is electrically connected to a common electrode signal supply line,
A liquid crystal display device in which the common electrode and the common electrode signal supply line are spaced apart by 200 μm or more .
前記共通電極と前記共通電極信号供給線とが同一工程において形成された請求項1に記載の液晶表示装置。  The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the common electrode and the common electrode signal supply line are formed in the same process.
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