JP4189115B2 - Liquid crystal display - Google Patents
Liquid crystal display Download PDFInfo
- Publication number
- JP4189115B2 JP4189115B2 JP2000136987A JP2000136987A JP4189115B2 JP 4189115 B2 JP4189115 B2 JP 4189115B2 JP 2000136987 A JP2000136987 A JP 2000136987A JP 2000136987 A JP2000136987 A JP 2000136987A JP 4189115 B2 JP4189115 B2 JP 4189115B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- common electrode
- supply line
- liquid crystal
- signal supply
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関し、特にアクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶を応用した表示装置は、低電力駆動および軽量という従来の表示装置には見られない特徴を有する。特に、各画素にスイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下「TFT」と称する。)を配置したアクティブマトリクス型液晶表示装置は、クロストークの少ない鮮明な画像表示が得られることから、ノートパソコンやカーナビゲーションのディスプレイなどに使用され、さらに近年では大型ディスプレイモニターとして急速に利用されるようになっている。
【0003】
一般にアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素電極およびスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス基板と、対向電極を備えた対向基板とが、液晶層を介して互いに対向するように配置されて構成される。図4は、従来の液晶表示装置80に含まれるアクティブマトリクス基板55の部分平面図であり、図5および図6はそれぞれ、図4のアクティブマトリクス基板55のD−D’およびA−A’に対応する液晶表示装置80の断面図である。以下、図4、図5および図6を用いて従来の液晶表示装置80について説明する。
【0004】
図5および図6に示されるように、液晶表示装置80はアクティブマトリクス基板55、対向基板60およびこれらの基板に挟持された液晶層70を有する。
【0005】
図4に示されるように、アクティブマトリクス基板55は、行方向に配列された走査信号供給線2、列方向に配列された映像信号供給線5、これらの配線2および5とTFT20を介して接続される行列状に配列された画素電極10、画素電極10の各行に対応するように設けられた共通電極28、共通電極28と電気的に接続する第1および第2共通電極信号供給線8および12を有する。共通電極28は、対応する行の画素電極10とそれぞれ対向し、これらの画素電極10との間に蓄積容量を形成する。TFT20は、図6に示されるように、基板1上に形成されたゲート電極32、ゲート電極32上に絶縁膜3を介して形成された半導体層4、半導体層4と電気的に接続されたソース電極35、およびドレイン電極9を有する。
【0006】
走査信号供給線2にはアドレス信号が供給され、映像信号供給線5にはフレーム走査期間毎に極性反転された映像表示信号が供給される。この映像表示信号は、アドレス信号でオン/オフされ制御されるスイッチング素子であるTFT20を介して、各画素の容量に書き込まれる。画素電極電圧と対向電極に供給される電圧との電位差によってそれぞれの画素電極上の液晶層70が励起され、液晶層70に含まれる液晶分子の配向を任意に変化させ、光透過率を調整して所望の画像を作り出す。画素電極への書き込みは、映像信号供給線5に同時に供給される信号を、走査信号供給線2に順次供給されるアドレス信号でサンプリングする線順次駆動によって行う。画素電極(容量)に書き込まれた表示信号は、次のフレームの走査時まで画素電極10と共通電極28との間に形成される蓄積容量により蓄積され、その電位が保持される。以上のようにして液晶表示装置80は駆動する。
【0007】
次に、アクティブマトリクス基板55の製造方法を簡単に説明する。まず、基板1に、TFT20のゲート電極32としても機能する走査信号供給線2、第1共通電極信号供給線8および共通電極28を形成し、その上に絶縁膜3を堆積する(図4および図5参照)。図5に示されるように、第1共通電極信号供給線8と共通電極28との距離Lが約4μm〜数10μm以下であるように、第1共通電極信号供給線8および共通電極28が小さなラインスペースをあけて近接して設けられる。従来は、フォトリソグラフィ技術によるパターニングの最小解像寸法を考慮して、第1共通電極信号供給線8と共通電極28との距離Lを約4μm以上としていた。また、Alを主成分とする共通電極28の抵抗(シート抵抗)は0.2Ω/□であるのに対して、画素電極10と同じITOからなる接続部13は抵抗30Ω/□と高い。従って、接続部13における抵抗が大きくなりすぎないように距離Lを数10μm以下としていた。
【0008】
次に、TFT20のソース、ドレインおよびチャネル領域を形成するための半導体層4を形成する(図6参照)。さらに映像信号供給線5およびこれから延出して形成されるソース電極35、ドレイン電極9および第2共通電極信号供給線12を形成する(図4〜図6参照)。
【0009】
さらに、TFT20を被覆するパッシベーション膜である絶縁膜6を形成し、コンタクトホール7に対応する部分を除去する(図5および図6参照)。この絶縁膜6上にコンタクトホール7を介してドレイン電極9と接続される画素電極10を形成する。また、これと同時にコンタクトホール7を介して共通電極28と第1共通電極信号供給線8とを電気的に接続するための接続部13を絶縁膜6上に形成する(図4および図5参照)。以上のようにしてアクティブマトリクス基板55を作製する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
液晶表示装置の製造工程においては基板に帯電が生じる場合がある。特に、一般的な成膜方法であるスパッタリング工程、CVD(化学気相堆積)工程、フォトリソグラフィ工程、およびドライエッチング工程において基板が電界にさらされたり、また、搬送途中に剥離帯電することによって、基板に帯電が生じやすい。
【0011】
上述した従来の液晶表示装置80の製造工程において、絶縁膜3を形成したときに基板帯電が生じると、共通電極28と第1共通電極信号供給線8との間で放電が生じ、共通電極28、第1共通電極信号供給線8および絶縁膜3が部分的に熱破壊し、パターンの不良やダストを生じることがある。
【0012】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、製造工程において放電により絶縁破壊されることが抑制された、歩留まり良く製造可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本願発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層が挟持され、前記一対の基板の一方が、画素電極と、前記画素電極に対向して設けられ対向する前記画素電極との間に蓄積容量を形成する共通電極とを有し、前記共通電極が共通電極信号供給線と電気的に接続されてなる液晶表示装置であって、前記共通電極と前記共通電極信号供給線とが200μm以上離間して設けられたことを特徴とする。
このように本発明によると、共通電極と共通電極信号供給線とが200μm以上離間して設けられているので、共通電極と共通電極信号供給線との間で放電が生じることがない。従って、絶縁膜、共通電極および共通電極信号供給線が熱破壊することがなく、液晶表示装置を歩留まり良く製造することが可能である。
【0014】
また、前記共通電極と前記共通電極信号供給線とが同一工程において形成されれば、共通電極および共通電極信号供給線を容易に作製することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の液晶表示装置90に含まれるアクティブマトリクス基板50の平面図の一例を示す。図2は、図1のB−B’線についての断面図である。図1のA−A’線についての断面図は、従来例として示した図6と同様である。従来の液晶表示装置80と実質的に同様の機能を有する部材は同じ参照符号で示し、その詳細な説明は省略する。なお、本願発明の液晶表示装置90は上述した従来の液晶表示装置80と同様に駆動する。図1は簡単のために、画素領域(表示に寄与する領域)が、2行2列の画素電極10からなる2×2マトリクスを有するとして示されているが、本発明はこれに限定されるものではない。以下、図1、図2および図6を用いて、本発明の液晶表示装置90について説明する。
【0016】
図2に示されるように、液晶表示装置90は、一対の基板であるアクティブマトリクス基板50および対向基板60と、これらの基板間に挟持された液晶層70とを有する。
【0017】
図1に示されるように、アクティブマトリクス基板50は、行列状に配列された画素電極10と、画素電極10と対向して蓄積容量を形成する共通電極11と、接続部13によって共通電極11と電気的に接続される第1共通電極信号供給線8とを有する。共通電極11は、画素電極10の各行にそれぞれ対応して設けられ、各行の画素電極10のそれぞれと対向して蓄積容量を形成する。特に本発明では図2に示されるように、共通電極11と共通電極信号供給線8との間に絶縁膜3を有し、共通電極11と共通電極信号供給線8とが電気的に分離しているときにおける共通電極11と共通電極信号供給線8との間の絶縁膜3に生じる電界強度を、絶縁膜3の耐電圧における電界強度未満に抑制するように、共通電極11と共通電極信号供給線8とが離間することに特徴を有する。
【0018】
以下に本発明の液晶表示装置90の製造方法の一例を図3を参照しながら簡単に説明する。
【0019】
まず、例えばガラスからなる基板1表面全体にAl/Ti薄膜を堆積する。フォトリソグラフィ工程において、このAl/Ti薄膜にレジスト塗布、露光および現像工程などを行った後に、ドライエッチングを行い、TFTのゲート電極32としても機能する走査信号供給線2、第1共通電極信号供給線8および共通電極11を形成する(工程102)。この工程102において共通電極11と第1共通電極信号供給線8とは、図1に示されるように距離Sだけ互いに離間するように形成される。共通電極11の端部22と共通電極信号供給線8との離間距離Sは、共通電極11と第1共通電極信号供給線8とが電気的に分離しているとき(接続電極13が形成される工程112以前の工程)における共通電極11と第1共通電極信号供給線8との間の絶縁膜3(後の工程104で形成される)に生じる電界強度が、絶縁膜3の耐電圧における電界強度未満に抑制されるように適宜決定される。離間距離Sは約200μm以上であることが好ましい。なお、走査信号供給線2、第1共通電極信号供給線8、および共通電極11はAl/Ti以外にも例えばTa、Mo、MoW、Cr、(Si、Cu、Nd、ZrおよびTaなどを含む)Al合金から形成され得る。
【0020】
次いで、基板1表面全体に例えばSiNx薄膜を堆積させ、絶縁膜3を形成する(工程104、図2および図6参照)。なお、絶縁膜3はSiNx以外にも例えばSiNxおよびSiO2の混合物、AlOx、およびTaOxから形成され得る。さらに絶縁膜3の上にSi薄膜を堆積する。フォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程(ドライエッチングまたはウェットエッチング)を行い、TFT20のソース、ドレインおよびチャネル領域を形成するための半導体層4を形成する(工程106、図6参照)。
【0021】
次いで、例えばAl/Ti薄膜を堆積し、フォトリソグラフィ工程、およびドライエッチング工程を行い、映像信号供給線5とこれから延出して形成されるソース電極35、ドレイン電極9および第2共通電極信号供給線12を形成する(工程108、図1、2および6参照)。なお、映像信号供給線5、ドレイン電極9および第2共通電極信号供給線12は、Al/Ti以外にも例えばTa、Mo、MoW、Cr、Al合金(Si、Cu、Nd、ZrおよびTaなどを含む)から形成され得る。
【0022】
さらに、例えばSiNx薄膜を基板全面に堆積して絶縁膜6を形成し、フォトリソグラフィ工程、およびドライエッチング工程を行い、絶縁膜3および6においてコンタクトホール7に対応する部分を除去する(工程110、図2および6参照)。なお、絶縁膜6はSiNx以外にも例えばSiC2、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、およびポリカーボネートから形成され得る。
【0023】
この絶縁膜6上にインジウム錫酸化物(ITO)薄膜を堆積し、フォトリソグラフィ工程、およびウェットエッチング工程を行い、画素電極10および接続部13を形成する(工程112)。画素電極10はコンタクトホール7を介してTFT20のドレイン電極9と接続される(図6参照)。接続部13はコンタクトホール7を介して共通電極11と第2共通電極信号供給線12とを接続する。以上のようにしてアクティブマトリクス基板50を作製する。
【0024】
さらに、当業者に公知の方法で対向基板60を作製し、アクティブマトリクス基板50と対向基板60との間に液晶層70を挟持して液晶表示装置90を完成する。
【0025】
上述のような製造方法によって作製された本発明の液晶表示装置90において、共通電極11と第1共通電極信号供給線8とが電気的に分離しているときにおける共通電極11と共通電極信号給線8との間の絶縁膜3に生じる電界強度を絶縁膜3の耐電圧における電界強度未満に抑制するように、共通電極11と第1共通電極信号供給線8とが距離Sだけ離間して形成されている。従って、絶縁膜3が堆積されたとき(図5の工程104)に、基板1に帯電が生じても、共通電極11と第1共通電極信号供給線8との間に設けられた絶縁膜3に生じる電界強度が絶縁膜3の耐電圧における電界強度未満である。よって、共通電極11と第1共通電極信号供給線8との間で放電が生じることがないので、絶縁膜3、共通電極11および第1共通電極信号供給線8が熱破壊することがない。
【0026】
さらに、共通電極11と第2共通電極信号供給線12との離間距離Vを上記距離Sと同様に設定することがより好ましい。このことにより、共通電極11と第2共通電極信号供給線12との間に形成される絶縁膜3、共通電極11および第2共通電極信号供給線12の破壊をさらに抑制することができる。なお共通電極11と第1共通電極信号供給線8との距離S、および共通電極11と第2共通電極信号供給線12との距離Vを上述のように離間して形成すると、接続部13における抵抗が大きくなりすぎることがある。接続部13における抵抗を許容範囲内に抑えるためには、接続部13の線幅を適宜広くすればよい。接続部13の線幅を広くするには、例えば、図7に示されるように、列方向に隣接する少なくとも2つの接続部13同士を一体成形してつなげればよい。一体成形する接続部13の数は適宜決定され、好ましくは3以上さらに好ましくは全てである。
【0027】
本実施形態では、第1共通電極信号供給線8および第2共通電極信号供給線12から共通通電極11に電位信号が供給されるが、共通電極および共通電極に電位信号を供給する共通電極信号供給線の形状はこれに限られない。例えば、第2共通電極信号供給線12を形成しないで、第1共通電極信号供給線8からのみ共通電極11に電位信号を供給してもよい。また、画素電極10に接続されるスイッチング素子にはTFT20に限らず、MIM素子およびバリスタなどが使用され得る。
【0028】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、製造工程において放電により絶縁破壊されることが抑制された、歩留まり良く製造可能な液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の液晶表示装置に含まれるアクティブマトリクス基板の一例を示す平面図である。
【図2】 図1のB−B’線に対応する液晶表示装置の断面図である。
【図3】 本発明の液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
【図4】 従来の液晶表示装置に含まれるアクティブマトリクス基板の平面図である。
【図5】 図4のD−D’線に対応する液晶表示装置の断面図である。
【図6】 図1および図4のA−A’線に対応する液晶表示装置の断面図である。
【図7】 本発明の液晶表示装置に含まれるアクティブマトリクス基板の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
1 基板
2 走査信号供給線
3 絶縁膜
4 半導体層
5 映像信号供給線
6 絶縁膜
7 コンタクトホール
8 第1共通電極信号供給線
9 ドレイン電極
10 画素電極
11、28 共通電極
12 第2共通電極信号供給線
13 接続部
20 TFT
22 端部
32 ゲート電極
35 ソース電極
50、55 アクティブマトリクス基板
70 液晶層
60 対向基板
80、90 液晶表示装置[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to an active matrix liquid crystal display device.
[0002]
[Prior art]
A display device using liquid crystal has characteristics not seen in conventional display devices, such as low power driving and light weight. In particular, an active matrix liquid crystal display device in which a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) is provided as a switching element in each pixel can provide a clear image display with little crosstalk. It is used as a display for car navigation, and in recent years, it has been rapidly used as a large display monitor.
[0003]
In general, an active matrix liquid crystal display device is configured by disposing an active matrix substrate having pixel electrodes and switching elements and a counter substrate having counter electrodes so as to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. 4 is a partial plan view of an
[0004]
As shown in FIGS. 5 and 6, the liquid crystal display device 80 includes an
[0005]
As shown in FIG. 4, the
[0006]
The scanning
[0007]
Next, a method for manufacturing the
[0008]
Next, the
[0009]
Further, an
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
In the manufacturing process of the liquid crystal display device, the substrate may be charged. In particular, when a substrate is exposed to an electric field in a sputtering process, a CVD (chemical vapor deposition) process, a photolithography process, and a dry etching process, which are general film forming methods, The substrate is likely to be charged.
[0011]
In the manufacturing process of the conventional liquid crystal display device 80 described above, if the substrate is charged when the
[0012]
The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device that can be manufactured with high yield, in which dielectric breakdown due to electric discharge is suppressed in the manufacturing process. .
[0013]
[Means for Solving the Problems]
The liquid crystal display device of the present invention, the liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates, one of the pair of substrates, and the picture element electrodes, the front Symbol pixel electrode opposing provided pairs toward the pixel electrode A liquid crystal display device having a common electrode forming a storage capacitor between the common electrode and a common electrode signal supply line, wherein the common electrode and the common electrode signal supply line are It is characterized by being spaced apart by 200 μm or more .
Thus, according to the present invention, Runode provided apart from the common electrode and the common electrode signal supply line is 200μm or more, causing no discharge between the common electrode and the common electrode signal supply line. Therefore, the insulating film, the common electrode, and the common electrode signal supply line are not thermally destroyed, and the liquid crystal display device can be manufactured with a high yield.
[0014]
Also, if the common electrode and said common electrode signal supply line formed in the same step, it is possible to easily prepare a common electrode and a common electrode signal supply line.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 shows an example of a plan view of an
[0016]
As shown in FIG. 2, the liquid
[0017]
As shown in FIG. 1, the
[0018]
An example of a method for manufacturing the liquid
[0019]
First, an Al / Ti thin film is deposited on the entire surface of the
[0020]
Next, for example, a SiN x thin film is deposited on the entire surface of the
[0021]
Next, for example, an Al / Ti thin film is deposited, a photolithography process and a dry etching process are performed, and the video
[0022]
Further, for example, an SiNx thin film is deposited on the entire surface of the substrate to form the insulating
[0023]
An indium tin oxide (ITO) thin film is deposited on the insulating
[0024]
Further, the counter substrate 60 is manufactured by a method known to those skilled in the art, and the liquid
[0025]
In the liquid
[0026]
Furthermore, it is more preferable to set the separation distance V between the
[0027]
In the present embodiment, a potential signal is supplied from the first common electrode
[0028]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a liquid crystal display device capable of being manufactured with a high yield, in which dielectric breakdown due to electric discharge is suppressed in the manufacturing process.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing an example of an active matrix substrate included in a liquid crystal display device of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device corresponding to the line BB ′ of FIG.
FIG. 3 is a diagram illustrating a method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention.
FIG. 4 is a plan view of an active matrix substrate included in a conventional liquid crystal display device.
FIG. 5 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device corresponding to the line DD ′ in FIG.
6 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device corresponding to the line AA ′ in FIGS. 1 and 4. FIG.
FIG. 7 is a plan view showing an example of an active matrix substrate included in the liquid crystal display device of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
22
Claims (2)
前記共通電極と前記共通電極信号供給線とが200μm以上離間して設けられた液晶表示装置。Liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates, the common one of the pair of substrates, to form the picture element electrodes, a storage capacitor between the front Symbol pixel electrode opposing provided pairs toward the pixel electrode A liquid crystal display device, wherein the common electrode is electrically connected to a common electrode signal supply line,
A liquid crystal display device in which the common electrode and the common electrode signal supply line are spaced apart by 200 μm or more .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000136987A JP4189115B2 (en) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | Liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000136987A JP4189115B2 (en) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | Liquid crystal display |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001318392A JP2001318392A (en) | 2001-11-16 |
JP2001318392A5 JP2001318392A5 (en) | 2006-04-27 |
JP4189115B2 true JP4189115B2 (en) | 2008-12-03 |
Family
ID=18644848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000136987A Expired - Fee Related JP4189115B2 (en) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | Liquid crystal display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4189115B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101306860B1 (en) | 2006-11-07 | 2013-09-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and method for manufacturing the same |
CN114333733B (en) * | 2022-01-28 | 2023-05-09 | 绵阳惠科光电科技有限公司 | Display device and shutdown discharge method |
-
2000
- 2000-05-10 JP JP2000136987A patent/JP4189115B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001318392A (en) | 2001-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101469028B1 (en) | Display device | |
JP2006338008A (en) | Array substrate having enhanced numerical aperture, method of manufacturing the same, and display apparatus having the same | |
JP2682997B2 (en) | Liquid crystal display device with auxiliary capacitance and method of manufacturing liquid crystal display device with auxiliary capacitance | |
JPH01217325A (en) | Liquid crystal display device | |
US6512556B1 (en) | Liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
US10598993B2 (en) | Liquid crystal display device | |
JPH10339888A (en) | Thin film transistor array and its production | |
US6876404B2 (en) | Liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
JPH05142570A (en) | Active matrix substrate | |
JPH0713196A (en) | Active matrix type liquid crystal display device | |
JPH04313729A (en) | Liquid crystal display device | |
JPH0611735A (en) | Display screen having optical mask and formation of screen | |
JP4189115B2 (en) | Liquid crystal display | |
JPH06258668A (en) | Matrix array substrate and its production and liquid crystal display device using the same | |
JP2711020B2 (en) | Liquid crystal display | |
JPH01277217A (en) | Active matrix type liquid crystal display element array | |
JP2677714B2 (en) | Active matrix substrate and manufacturing method thereof | |
JP2001255549A (en) | Liquid crystal display device | |
JPH0862629A (en) | Liquid crystal display device | |
KR0120399Y1 (en) | Liquid crystal display device | |
JP2862739B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP3719844B2 (en) | Liquid crystal display element | |
JP2687459B2 (en) | Thin film transistor matrix | |
JP2001091959A (en) | Liquid crystal display device and its manufacture | |
JPH03287235A (en) | Active matrix type liquid crystal display element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060201 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060201 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20061221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080825 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080902 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080912 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4189115 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130919 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |