JP4181542B2 - エネルギーハーベスティング回路及び方法 - Google Patents

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[関連出願の説明] 本出願は、２００２年８月１５日に出願された米国仮特許出願第６０/４０３,７８４号「ENERGY HARVESTING CIRCUITS AND ASSOCIATED METHODS」の利益を主張する。
本発明は、アンテナへのリジェネレーティブフィードバック(regenerative feedback)をもたらす回路部を有する「内在的同調アンテナ(inherently tuned antenna)」に関しており、リジェネレーティブフィードバックによって、アンテナの実効面積は、その物理的面積よりも非常に大きくされる。より詳細には、本発明によって、このような回路は、集積回路チップ又はダイ上等で小型化された形態で利用されるように構成される。それに関連する方法も提供される。
様々な目的で、ＲＦ信号のようなエネルギーが、空中を通って種々のタイプの受信アンテナに伝送ことは、長い間知られている。
Rudenbergは、「"Der Empfang Elektricscher Wellen in der Drahtlosen Telegraphie ("The Receipt of Electric Waves in the Wireless Telegraphy")" Annalen der Physik IV, 25, 1908, pp. 446-466」にて、１/４波長ホイップアンテナを具える非理想的タンク回路を用いたリジェネレーションにより、アンテナの実効面積をその幾何学的面積よりも大きくできることを明らかにした。彼は、１/４波長ホイップアンテナの線積分長を用いて、その実効面積が得られることを明らかにしている。彼は、平面波として近似できる入射場とアンテナが相互作用すると、電流が誘導されてアンテナに流れることを述べた。その電流は、リジェネレーションによって増加できて、アンテナ付近に場を生成する。その場は、入射場と相互作用して、入射場の力線が曲げられる。エネルギーが入射波面の比較的大部分から流れるように、力線が曲げられて、アンテナの幾何学的面積よりもかなり大きい波面の面積から、波面からアンテナへのエネルギーを吸収する効果が得られる。また、Flemingによる「"On Atoms of Action, Electricity, and Light", Philosophical Magazine 14, P.591 (1932)」、Bohrenによる「"How Can a particle Absorb More Than the Light Incident On It?", Am. J.Phys. 51, No.4, p.323 (1983)」、Paul等による「"Light Absorption by a Dipole", Sov. Phys. Usp. 26, No. 10, p. 923 (1983)」では、Rudenbergの教示が精緻化されており、これらの文献も参照のこと。これら文献の教示は全て、同調回路に、又は原子核物理学で起こる数学的に類似の状況にモデル化できるアンテナに関している。
リジェネレーションによってアンテナ回路のレジスタンスが低減し、その結果アンテナの電流が増加して、アンテナと場の相互作用が増すと考えられている。これによって、より大きくなった入射場の実効面積から、エネルギーが効率良く吸収される。これらの従来の開示は、物理現象を議論している一方で、如何にしてその効果を得るかについて教えていない。
米国特許第５,２９６,８６６号は、ロングワイヤーアンテナと、真空三極管のグリッド回路とに繋がれたディスクリートなインダクタ−キャパシタ同調回路で構成される真空管ラジオ受信機を含む１９２０年代の活動に関連して、リジェネレーションの利用を開示している。アノード回路のエネルギーの幾らかは、グリッド−アンテナ回路に正のフィードバックとして導入されると考えられている。これは、アンテナ−グリッド回路に負のレジスタンスを挿入することに類似していると考えられている。例えば、風によりアンテナが動くと、アンテナのインピーダンスが変化するが、そのことがが安定性を欠く原因となって、回路は、それに応答して発振すると考えられている。結果として、バッファチューブ回路を用いてアンテナ回路から分けられた第２増幅ステージに、リジェネレーションが起こると言われている。これは、スプリアス信号を低減すると考えられているが、結果として、感度をかなり低下させる。この特許は、正の電気特性の相殺を達成する観点から、負の誘導性リアクタントやレジスタンスを導入して性能を向上させるための試みについて、さらなる開示を含んでいる。しかしながら、安定性は、直流に変換するエネルギーハーベスティングでは重要ではなく、つまり、本発明では意図されていない。
この特許は、別個に設けられたタンク回路と、ディスクリートなインダクタと、ディスクリートなキャパシタとを用いてアンテナの実効面積を増加させることを開示している。
米国特許第５,２９６,８６６号は、アンテナ回路のインピーダンスを低減するように制御された方法で正のフィードバックを行っており、それによって不安定性を低減して、その他の構成よりも大きいと言われているアンテナの実効面積を得ている。しかしながら、この特許は、制御された方法で正のフィードバックを行うために、ディスクリートな回路構成を用いることを必要とする。より小さいアンテナでは、リジェネレーションを与えるためにディスクリートな回路部品を加えると、複雑さと費用が増す。それ故に、特に、例えば、ＣＭＯＳチップ等の集積回路チップのような基板上にある小さな平面アンテナでは、理想的な解決は得られない。
現在、電子チップのような基板上に形成された平面アンテナを用いて、携帯電話、ポケットベル(登録商標)やＲＦＩＤなどの、小さくて電子的な様々な最終用途に利用可能であるより小さなアンテナを開発することに、関心が持たれている。米国特許第４,５９８,２７６号、第６,３７３,４４７号及び第４,８５７,８９３号を概ね参照のこと。
米国特許第４,５９８,２７６号は、電子物品監視システムと、それに使用されるマーカとを開示している。マーカは、インダクティブ要素及びキャパシティブ要素を有する同調共振回路を含んでいる。同調共振回路は、誘電体の薄板上に形成されており、その薄板の対向する表面上に、導電性のマルチターンスパイラルが形成されている。キャパシティブ要素は、対向するスパイラル間の分布キャパシタンスの結果として生じていると考えられている。その回路は、少なくとも２つの所定の周波数で共振し、その後、それら周波数の受信によって出力信号が生成される。リジェネレーションを利用して、物理的面積よりも大きな同調共振回路の実効面積を生成することは開示されていない。
米国特許第６,３７３,４４７号には、集積回路チップ上に形成された１又は２以上のアンテナの利用が開示されており、それらアンテナは、チップ上のその他の回路構成に接続されている。アンテナの構成は、ループ、マルチターンループ、方形スパイラル、ロングワイヤ及びダイポールを含んでいる。アンテナに２以上のセグメントがあると、それらセグメントが選択的に相互に接続されることで、アンテナの実効長が変化するだろう。また、２つのアンテナを、絶縁層で隔てられた２つの別個のメタライゼーション層で形成することも可能であると考えられる。この発明の大きな欠点は、アンテナの伝送及び受信強度は、ループ領域におけるターン数に比例することである。リジェネレーションにより実効面積を増加させることは開示されていない。
米国特許第４,８５７,８９３号には、チップ上のトランスポンダの回路構成に含まれた平面アンテナの利用が開示されている。チップ上に磁気フィルムが設けられることで、トランスポンダの平面アンテナのターン数が低減可能となって、インダクタの製造が容易になると考えられている。アンテナは、マルチターンスパイラルコイルであって、その外形は１ｃｍ×１ｃｍである。高周波電流がコイルを通過する場合、磁気フィルムは、磁化困難方向に向けられて、各導体の周囲の２つの磁気フィルムは、ワンターンコイルを囲う磁気コアとして機能すると考えられている。磁気フィルムは、自由空間のインダクタンスに加えて、コイルのインダクタンスを増加させると考えられている。共振回路の利用は開示されていない。この試みの問題の１つは、集積回路用途において、インダクタンスとＱとが非常に高くて、小さな空芯インダクタを製造しなければならないことである。小さな空芯インダクタは、コイルのインダクタンスを増加させるために、透磁率が大きくて電気絶縁性を有するパーマロイの磁気フィルムやその他の適当な材料を堆積させることで作製される。アンテナコイルの間に磁気フィルム層を必要とすることから、このような試みは、チップ上のアンテナの複雑さとコストとを増加させて、アンテナのサイズを低減する可能性を制限する。
同時係属の米国特許出願第０９/９５１,０３２号は、引用を以て明らかに本明細書の一部となり、物理的面積よりも３００〜４００倍大きい実効面積を有するチップ上のアンテナを開示する。実効面積は、ＬＣタンク回路を用いて拡大されており、その回路は、スパイラルな導体のインダクタンスとキャパシタンスとで形成されている。これは、アンテナにて電極間キャパシタンスとインダクタンスとを用いて、ＬＣタンクを形成することで達成されている。これによって、ディスクリートな回路構成を加えることなく、物理的面積よりも実効面積が大きいアンテナが得られる。また、それによって、磁気フィルムを用いる必要性が無くなる。結果として、集積回路チップ上にアンテナを製造することが、このようなチップ上の非常に小さなアンテナを設計することと同様に容易になる。また、米国特許第６,２８９,２３７号を参照のこと。この特許の開示は、引用を以て本明細書の一部となる。
上述の開示があるにも拘わらず、空間でエネルギーを送受するのに利用される回路について、物理的面積よりも実効面積が非常に大きいことへの確かな且つ相当な必要が存在している。さらに、集積回路チップ上にこのような回路を設けるために、内在的同調アンテナと分布した電気的特性との利用を促進して、アンテナリジェネレーション技術を効率的に利用するようなシステム及び方法への要求が存在している。
本発明は、上述した要求を満たすものである。
本発明のある実施例では、エネルギーハーベスティング回路は、本明細書で定義されたような内在的同調アンテナを有しており、エネルギーハーベスティング回路の少なくとも一部は、アンテナにリジェネレーティブフィードバックをもたらすように構成されて、アンテナの実効面積は、物理的面積よりも非常に大きくなっている。その回路は、固有分布レジスタンスと併せて固有分布インダクタンスと固有分布キャパシタンスとを用いて、リジェネレーションのためのフィードバックをもたらすタンク回路を形成してもよい。回路は、動作的に負荷と関連付けられてもよい。
回路は、スタンドアロンユニットとして形成されてもよいが、別の実施例では、集積回路チップに形成されてもよい。
回路はタンク回路を含むのが好ましく、固有分布レジスタンスが用いられてアンテナがリジェネレートされるのが好ましい。フィードバックとリジェネレーションとに影響を与える特別な回路構成と手段とが与えられる。
アンテナは、平板状の基板上にある伝導コイルの形態をしており、反対側の面は接地面となっており、固有分布インピーダンス、固有分布キャパシタンス及び固有分布レジスタンスを有している。
また、エネルギーハーベスティング回路が用いられて、エネルギーが伝送されてもよい。
エネルギーハーベスティングに関する方法では、リジェネレーティブフィードバックをもたらす回路構成が用いられて、それによって、アンテナの実効面積が、アンテナの物理的面積よりも非常に大きくなる。
本発明の更なる目的は、適当な基板上に回路をプリントする技術を用いることで、このような回路を提供することである。
本発明の目的は、エネルギーハーベスティングとエネルギー伝送に適した独特な回路構成を与えることであり、回路の実効面積は、それらの物理的面積よりも非常に大きい。
本発明の別の目的は、同調共振回路を含んでおり、このようなフィードバックに影響を与える固有分布インダクタンス、固有分布キャパシタンス及び固有分布レジスタンスを用いる回路及び方法を提供することである。
本発明の更なる目的は、このような回路を、集積回路チップ又はダイ上に設けることである。
本発明の別の目的は、ディスクリートなキャパシタを使用しないで、このような回路を提供することである。
本発明の別の目的は、このような回路を、アンテナの伝導コイルの大きさと伝導率とに加えて、伝導コイルに隣接する材料の透磁率を考慮に入れて提供することである。
本発明の更なる目的は、所望のフィードバックを起こして、内在的同調アンテナへのリジェネレーションを確立する様々な手段を提供することである。
本発明の更なる目的は、このような回路が、空間を通じて伝送されて、エネルギーハーベスティング回路で受け取られるＲＦエネルギーを効率的に利用できることである。
本発明のさらに別の目的は、アンテナの実効的なエネルギーハーベスティング面積を、アンテナの物理的面積よりも大きく、そして、アンテナの物理的面積に依存しないようにすることである。
本発明のこれら及びその他の目的は、添付の図面と共に、本発明に関する以下の記載からより完全に理解されるであろう。
本明細書では、用語「内在的同調アンテナ」は、周囲に材料を伴った電気伝導性の物を意味しており、以下のものに限定されることはないが、オンチップの回路構成、導体、半導体、相互接続端子及びビアス(vias)を含んでおり、アンテナとして機能する。さらに、「内在的同調アンテナ」は、インダクタンス、キャパシタンス及びレジスタンスについて固有の(inherent)電気的特性を有しており、全体のインダクタンス及びキャパシタンスが結合されて、外部から供給されているエネルギーに応答して所望の周波数で共振し、そして、アンテナにリジェネレーティブフィードバックがもたらされる。これによって、アンテナの実効面積がその物理的面積よりも大きくなる。アンテナは、スタンドアロン型のアンテナ、又は集積回路チップ若しくはダイに統合されてもよく、さらなる電気的構成要素があっても無くてもよい。また、アンテナは、このような全ての構成要素の全インダクタンス、キャパシタンス及びレジスタンスを利用してよい。
本明細書では、用語「実効面積」は、伝送される波面について、その波面の電力が変換されて、実用上の目的に使用される波面領域を意味している。
本明細書では、用語「エネルギーハーベスティング」は、収集又は蓄積及び変換して、直ちに又はその後利用するために、アンテナ又は回路が、空間でエネルギーを受け取って、その一部を獲得することを意味する。
本明細書では、用語「空間内」又は「空間を通って」は、配線又はプリント回路ボードによる電気エネルギーの伝送とは対照的に、伝送が筐体内で又は部分的に筐体内で行われるか否かに拘わらず、エネルギー又は信号が、空気又は同様の媒体の中を通って伝送されていることを意味する。
(破線のボックスの内側に示す)図１の等価回路の内在的同調アンテナ(2)を見ると、アンテナ要素(4)と、インダクタンス(10)及びキャパシタンス(12)を含むタンク回路(6)と、グラウンド(16)とが示されている。任意の集中インピーダンス(18)も示されている。負荷(22)は、リード(24)を介して集中インピーダンスと、リード(32)を介してグラウンド(30)と電気的に接続されている。このエネルギーハーベスティング回路は、本明細書にて定義されているように、空間を通って受け取ったＲＦエネルギーを効率的に利用するように構成されている。回路(2)は、如何なる回路要素がさらに要求されるか否かに関係なく、集積回路ウェハ上に設けられてよい。分布自己及び寄生レジスタンス、インダクタンス及びキャパシタンスにより、効率的な固体三次元集積回路が得られる。寄生キャパシタンスは、アンテナの導体が、その他の回路要素、つまり、導体、半導体、相互接続端子又はビアスと近接することによって、分布キャパシタンス又はキャパシタンス効果がもたらされる無視できない容量効果と、デバイス又はダイのサイズが小さくなることによる類似した近接効果である。
第２の又はもう一つのリジェネレーティブソースは、負荷(22)と、アンテナ回路の等価インピーダンス(18)の不整合による定在波反射に起因する。
図１のタンク回路(6)は、分布インダクタンス(10)と分布キャパシタンス(12)とで設計上定められる特定の周波数で共振する。理想的な場合、共振すると、タンク回路(6)のインピーダンスは無限大を示して、アンテナから集中インピーダンス(18)にエネルギーが供給されるだろう。実際には、分布レジスタンスによって、離れたソースからエネルギーを受け取るアンテナは、タンク回路(6)とアンテナのレジスタンスとが組み合わされた結果アンテナに現れる電圧(エネルギー)で、エネルギーを伝送する。
図１の回路は、ＲＦ媒体に対してリジェネレーティブ「アンテナ」を示す特徴がある。この結果、その回路によって、アンテナの実効面積が、その物理的面積よりも非常に大きくなって、例えば、物理的面積の何倍も大きくなることも可能である。これは、内在的同調アンテナへのフィードバック又はリジェネレーションによって達成される。このリジェネレーティブソースは、例えば、ＣＭＯＳチップの狭いスペースに、タンク回路が非理想的に製造された直接的な結果である。相対的に非常に接近したチップの構成要素は、伝導要素の固有レジスタンスと共に、インダクタンス(10)及びキャパシタンス(12)を与える。伝導要素は、図１の理想的アンテナ要素(4)を形成する金属要素である。
リジェネレーションのためにフィードバックを確立する様々な好ましい手段が、本発明にて考慮される。現在において好ましい試みには、回路(2)の出力等価インピーダンス(18)と負荷(22)との間にインピーダンスの不整合を起こして、制御することがある。その不整合で生じるリジェネレーティブソースは、図２にて、符号(36)が付された等価回路の要素として示されている。
再度図１を参照すると、共振する実施例では、タンク回路(6)に加えて、ある程度の量のエネルギーがアンテナ(4)に送られると、幾らかのエネルギーが回路(2)に接続された負荷(22)に送られる。回路(2)の出力等価回路と負荷(22)との間にはインピーダンスの不整合があってよい。この不整合の結果、共振によってタンクのインピーダンスが高くなって、エネルギーが回路(2)に反射されて、そのエネルギーは、アンテナ(4)にて付加的な伝送を起こすであろう。図１のアンテナ回路(2)のリジェネレーション作用によって、エネルギーがアンテナ回路(2)で再伝送されて、それによってさらに実効面積が増加する。タンク回路(6)に亘る電圧降下、又は負荷(22)からの反射の何れかによるアンテナ(4)のリジェネレーション作用によって、伝送される近接場はアンテナ(4)の領域内に存在するだろう。そして、近接場によって、アンテナの実効面積は、物理的面積よりも非常に大きくされる。これは、例えば、タンク回路(6)と連結されるアンテナを形成する導体の実際の物理的面積に対して、約１０００倍から２０００倍のオーダーとなることも可能である。
もう一つの試みは、アンテナで生じた電力を共有することであろう。回路(2)の出力は、ある値Ｐである。意図的な不整合によって、この電力の一部αＰは、回路(2)に反射される。負荷(22)には、電力の差(62)である(１−α)Ｐが供給されるだろう。理想的な整合条件下では、α＝０であり、Ｐが負荷に供給される。作用的には利用できないが、α＝１では、電力は負荷に供給されない。０＜α＜１の範囲にて値を選択することで、ある最適値に実効面積が増加して、負荷(22)に供給される電力は最大になる。
負荷が整合した古典的なアンテナ理論では、利用できる電力の半分のみが負荷に提供され得る。現在のコンテクストでは、Ｐは、負荷に供給される電力の値であって、つまり、利用できる全電力の半分である。
更に別の試みでは、インダクタンスを介してアンテナコイルに至るであろう。
本発明では、伝導性のアンテナ要素の固有分布インダクタンス及び固有分布キャパシタンスを利用して、所望の共振タンク回路(ＬＣ)を得ることができる。所望の周波数は、ＬＣ積の関数である。伝導要素がより薄くなると、インダクタンスを増加させることで、ＬＣの値を一定にしてキャパシタンスを低減できるので好ましい。これは、アンテナの伝導要素間にさらに導体を加えることで行われてよい。これらの追加要素は、単一機能の導体、又は１若しくは２以上の追加のアンテナであってよい。
図２を参照すると、変更された形態の回路(2')が示されており、不整合による反射がリジェネレーティブソース(36)として示されている。それは、回路の電気的接点(42)(44)を有するリード(38)及びリード(40)の間に接続されたものとして表されている。
図３を参照すると、ＲＦ周波数エネルギーハーベスティング回路の集中線形モデルが示されている。変更された回路(2'')は、アンテナ(4)と、タンク回路(6)とを有しており、タンク回路(6)に亘って電圧が降下している。リジェネレーティブソース(36)に加えて、リジェネレーティブソース(48)が示されている。このソース(48)は、非理想的なタンク回路であるリジェネレーティブソースとして機能する。リジェネレーティブソース(36)(48)の両方は協動して、実効面積のリジェネレーティブ効果を増加させる。
図４を参照すると、変更されたエネルギーハーベスティング回路(2''')が示されており、リジェネレーティブソース(50)(52)は、夫々リジェネレーティブソース(36)(48)の代わりであって、入力(ｅIN)及びパラメータα及びβを用いてリジェネレーティブソース(36)(48)の定量化がされており、理想的なタンク回路と、ソースの理想的な整合との両方に合うような数学的形式で、非理想的な効果が与えられている。インピーダンス及び負荷インピーダンス点(54)は、ＬＣタンク(6)の電圧を代表する。表記ｅINは、アンテナの物理的面積で与えられるエネルギー量である。
また、図４には、非理想的な特性をもたらすレジスタンスを説明するために、レジスタンス(58)が示されている。実効インピーダンス(18)及びリジェネレーティブソース(50)の右側には、ソース(62)とインピーダンス(68)とが示されており、これらは、反射しないエネルギー(62)と、負荷で見られるソースの等価インピーダンス(68)とを夫々表している。
図４の回路では、２つのパラメータα及びβが導入されており、(1)βは、非理想的なタンク回路のレジスタンスによってアンテナで再伝送されるエネルギーの一部を特定し、(2)αは、出力端子に接続された不整合負荷から反射されるエネルギーの一部を特定する。
通常、α及びβは、複雑な関数であって、それらの具体的な値は、特定の条件下で、実験的に求められる。
説明のために、一般性を失うことなく、物理的面積で採取されたエネルギーは、電圧、ｅINとして言及されて、図４の等価ＲＦＥＨ回路を用いた議論が容易にされるであろう。ｅINと電力及びエネルギーとの関係は、単に比例関係である。
パラメータαは、図４の非理想的なタンク回路による輻射によって失われるｅINの一部を表す。エネルギー保存則から、０≦α≦１である。
パラメータβは、図４の負荷のインピーダンスと出力インピーダンスとの間でのインピーダンスの不整合で反射される負荷のエネルギーの一部を示す。エネルギー保存則から、０≦β≦１である。
表記「ｅout」は、実効面積を増加させるリジェネレーションの全エネルギーを意味している。
この回路で用いられるアンテナは、ディスクリートなキャパシタを用いることなく同調されることが理解されるであろう。図１乃至図４のＬ、Ｃ及びＲ要素の全ては、アンテナ(4)を形成する導体からもたらされる分布要素である。同調共振回路は、アンテナの固有分布インダクタンスＬと、固有分布キャパシタンスＣとを用いて作られており、それらはタンク回路を形成する。この同調回路は、アンテナの伝導コイルの大きさ及び伝導率と、伝導コイルの周囲にある材料の透磁率とを考慮して設計される。その他の導体及びポテンシャルの効果は、Ｌ(10)、Ｃ(12)及びＲ(58)をもたらす寄生分布要素を生じる。
図５Ａ及び図５Ｂを参照する。図５は、方形コイルアンテナ(70)の平面図である。方形コイルアンテナ(70)は、誘電体基板(72)上に載せられており、さらに、下側には、接地面(74)が横たわっている。図示した形態では、一般的なヘリカルアンテナ(70)は右回りで巻かれており、図５Ｂは、その断面図である。コイル自体の長さは、高周波(ＲＦ)ソースに電力を供給するエネルギーの波長の１/４であるのが好ましい。コイルには、トレース厚さとトレース幅とがあって、トレース幅は、トレース厚さよりも非常に大きい。また、基板(72)の表面積は、その厚さよりも非常に大きく、基板(72)は、誘電率が高い材料で作られている。アンテナ(70)のチューニングは、分布インダクタンスＬ及び分布キャパシタンスＣに依存する。アンテナの周波数は、一般的に、インダクタンスＬとキャパシタンスＣの積の平方根に反比例する。
図６を参照すると、アンテナの分布キャパシタンスが説明されており、分布キャパシタンスの２つの領域が考察される。分布キャパシタンスの第１形態は、ギャップ(84)を挟んだ部分(80)(82)の間のような、アンテナ(70)の伝導トレースの間で形成されている。更なる分布キャパシタンスは、ギャップ(92)で示されたように、例えばセグメント(80)(82)のような伝導電極トレースと、接地面(90)との間にある。それ故に、全体の分布キャパシタンスは、電極の伝導面積に基板(72)の誘電率を掛けて、それにより得られた値を、例えば伝導電極(80)(82)と基板のグラウンド(90)間の間隔(92)で割って求められる。これに、電極(70)の伝導面積に、基板(72)の誘電率を掛けて電極間の間隔(84)で割った値が加えられる。一般的に、(80)(82)のようなスパイラルアンテナの伝導トレースと基板のグラウンド(90)との間における寄生キャパシタンスは、間隔(84)を介したような伝導トレース間の寄生キャパシタンスより大きいであろう。これによって、スパイラルアンテナに関する設計の柔軟性が促進される。
例えば、応答周波数を同一にしたままで、アンテナのサイズを小さくしたい場合には、金属トレースの幅が小さくされてよい。そのようにすると、アンテナの伝導トレース(80)(82)と基板のグラウンド(90)の間の寄生キャパシタンスは、伝導トレースのサイズが小さくなることで低減される。このような低減は、様々な多数の方法で補償されてよく、補償は、例えば、アンテナのスパイラルな伝導トレースの設計を変更することで、伝導トレース間に高誘電率材料を堆積させることで、又は、基板材料(74)の透磁率を変えることで行われる。トレースが互いに接近して配置されると、(80)(82)のような導体間の分布キャパシタンスは増加する。
上記の説明より、エネルギーハーベスティングのための、そして、所望ならば再伝送するのための回路及びその方法に、本発明が関係していることが理解されるであろう。それは、導体(4)で形成された同調共振回路と、その同調共振回路のリジェネレーションのための固有の手段とで構成されており、回路の実効面積は、その物理的面積よりも非常に大きい。大気であろう空間を伝送するエネルギーは媒体として作用して、面積当たりのワット又はジュールで特徴付けられる波面を生成する。アンテナを用いることで、エネルギーを採取又は集めて、例えばセンシングのような特定の機能を実現する種々の電子機器や機械機器等に、又は、波面の空間のある物体を単に識別するために用いられる形態に変換できる。エネルギーが集められてさらに変換されるように利用される場合、空間にて入手できる「電力」を考えることがより容易になる。「エネルギー」が、それが利用される前のある期間に亘って集められると、空間にて入手できるエネルギーを考えることがより容易になる。しかしながら、ここで述べた容易さについて、これらのカテゴリの両方とも、「エネルギーハーベスティング」と称されるだろう。
[具体例１] 本発明は、集積回路チップ上に設けられる非常に小さな回路における利用に適していることは理解されるであろう。例えば、９１５ＭＨｚでの高周波(ＲＦ)でのエネルギーハーベスティングを仮定すると、アンテナの実効面積は、通常、ｋｘλ2よりも小さくならない。ここで、ｋは、１より小さい又は１と等しく、横のλは、その周波数の波長である。例えば、アンテナが典型的な半波長ダイポールである場合、実効面積は、λ2とほとんど同じである。９１５ＭＨｚでは、波長λは、略１２.９０８インチであってｋは０.１３と等しく、その結果、エネルギーハーベスティング用の半波長ダイポールのｋλ2は、２１.６６平方インチとなるだろう。半波長特性は、アンテナの大きさについて何らかの影響を及ぼす。しかしながら、本発明にて有利に利用されるアンテナの物理的大きさは、２１.６６平方インチよりもかなり小さいであろう。
第２例では、１/４波長「ホイップ」アンテナは、半波長ダイポールの半分の実効面積を有しており、その実効面積は、実効面積のｋが略０.０６５である場合、ゲインの１次関数である。これに基づくと、実効面積は、０.０６５λ2、即ち１０.８３平方インチになる。
１５６０ミクロンの正方形内にスパイラルが形成された、長さが略３.０７３インチの方形スパイラルアンテナを考えると、視点が問題となるが、製造された相補型金属酸化膜半導体(ＣＭＯＳ)ダイを、方形スパイラルと同じ大きさとすることができる。それ故に、１波長の正方形には、このようなダイが４４,１７０個収まるであろう。この状況は、図７Ａ及び図７Ｂに示されている。図７Ａは、外寸がλである正方形を、図７Ｂは、外寸が１５６０ミクロンである１つのチップ又はダイである。これによって、エネルギーハーベスティングの能力がある適切に設計されたアンテナと、半波長ダイポールのような典型的なアンテナと同じ量のエネルギーを採取するダイ又はチップのサイズとの関係が確立される。１波長の２乗は、効率の決定の基礎になる量として選択されて、ＳQEとして表される。
[具体例２] 更に比較をするために、テストアンテナとして、ＣＭＯＳチップ上にある１５６０ミクロンの２乗の平面アンテナを考える。アンテナは、９１５ＭＨｚの電流の周期の１/４、つまり波長の１/４に亘る完全な伝導経路を与えるように設計された。実験に用いられたテストアンテナは、略３.０７３インチの長さの方形スパイラルであって、スパイラルは、一辺が１５６０ミクロンの方形内に形成されている。結果として、導体の長さは１/４波長であるが、それは、典型的な１/４波長ホイップアンテナのようには見えない。１５６０ミクロンの外寸では、アンテナの物理的面積のミクロンは０.０６１４１７インチであって、スパイラルアンテナの物理的面積は０.００３７７２０９インチになる。
方形スパイラルの作製では、抵抗が０.０３Ωであるアルミニウムの伝導コイルが作られた。ＡＭＩ＿ＡＢＮ＿１.５μＣＭＯＳプロセスの一部として、伝導コイルは基板上に配置された。電極と電極間間隔の大きさについては、電極のトレースを１３.６ミクロンとし、電極間の間隔を１９.２ミクロンとした。基板はｐ型シリコンとした。基板の大きさは２.２平方ミクロンあって、その厚さは、０.３ミクロンであった。ダイは、黄銅の４つのＳＭＡ ＲＦコネクタに置かれたプリント回路ボードに接合された。このアレイで給電される電気回路は、同様なアンテナ/回路と直列に配置されたディスクリートなチャージポンプ(倍電圧器)であり、その結果の組み合わせは、並列に接続された２つの発光ダイオードに電力を供給した。このテストアンテナは、フィードバック又はリジェネレーションを目的としており、制御アンテナについて比較する基準として働いた。
「制御アンテナ」は、その物理面積が実効面積と等しいように選択された。結果として、採取されるエネルギーは、単に、物理面積と等しい実効面積に電力密度を掛けた積であろう。テストアンテナは、図５Ａに示すアンテナであると考えてよい。外寸が１５６０ミクロン掛ける１５６０ミクロンの方形スパイラルの領域は、２,４３３,６００平方ミクロンである。一方で、物理的面積は金属導体と考えてよく、この場合、１,０６３,２２３平方ミクロンとなるであろう。図５Ａに示されたタイプのテストアンテナは、伝送アンテナから８フィート離れた距離にて９１５ＭＨｚのＲＦフィールドに置かれた。送信機からの電力は略６ワットに、アンテナの指向性利得は略６にされた。等方的なケースでは、８フィートの球の全表面積は、４ｘ３.１４ｘＲ2＝４ｘ３.１４ｘ８2＝８０４.２５ｆｅｅｔ2である。最も有利な方向について、電力を供給するアンテナのゲインは略６であって、最も有利な方向で与えられる電力密度は、ｐｏｗｅｒ ｄｅｎｓｉｔｙ＝[６ｘ６ｗａｔｔｓ/８０４.２５ｆｅｅｔ2]＝０.０４４７６２２ｗａｔｔｓ/ｆｅｅｔ2となる。物理的面積として１５６０ミクロンの２乗を仮定すると、テストアンテナの物理的面積は、０.００００２６２ｆｅｅｔ2となる。故に、古典的な定義に基づいた採取エネルギー量は、０.０４４７６２２ｗａｔｔｓ/ｆｅｅｔ2ｘ０.００００２６２ｆｅｅｔ2＝１.１７２７７ｍｉｃｒｏｗａｔｔｓとなる。言及した大きさのスパイラルアンテナは、先述のＲＦ送信機及びアンテナのフィールドに配置された。単にアンテナ面積で捉えられる電力領域は、単純に制御アンテナの電力密度とアンテナの物理的面積と、つまり、ワット/平方インチ又はワット/ダイ面積に基づいて、１.１７２７７マイクロワットと見込まれるであろう。このケースでは、物理的サイズは、方形スパイラルの全面積と仮定された。
このような２つのアンテナは、アンテナと駆動される実際の負荷との間に幾らかの損失があった後、２.５０ミリワットの負荷を駆動した。負荷に供給される電力は２.５０ミリワットであり、各アンテナによって１.２５ミリワットの電力が与えられた。結果として、物理的面積に対する実効面積の比が(１.２５ｘ１０-3ｗａｔｔｓ/１.１７２５５ｘ１０-6ｗａｔｔｓ)＝１,０６６となるように電力を採取可能となった。その結果、アンテナの実効面積は、０.００００２６２ｆｅｅｔ2ｘ１,０６６＝０.０２７９２９２ｆｅｅｔ2となった。これらの結果、テストアンテナに関して、測定された電力は１.２５ミリワットであって、実効面積は１,０６６ＳQEであった。制御アンテナに関しては、測定された電力は１.１７２５５マイクロワットであって、実効面積は１ＳQEであった。故に、テストアンテナの実効面積は、１,０６６個のダイの幾何学的面積に等しく、概念的な制御アンテナの実効面積は、１.０個のダイの幾何学的面積に等しくなった。２つのアンテナの主な差は、テストアンテナでは、内在的同調回路と、内在的同調回路にフィードバックしてリジェネレーションを行う手段とが用いられていることであった。
本発明の回路を製造するために、種々の方法を利用できることは理解されるであろう。例えば、半導体製造技術が用いられてよく、機能的に完全な本発明のリジェネレーティブアンテナ回路のために必要な回路の全てを含むような単一のモノリシックチップアセンブリが、効率的に生成される。チップは、例えば、ＣＭＯＳデバイスとＭＥＭＳデバイスから選択されたデバイスの形態であってもよい。
本発明のハーベスティング回路を作製するもう１つの方法は、アンテナのような回路の構成要素をプリントすることである。物理的面積よりも大きい実効面積を有するプリントされたアンテナが、図８及び図９に示されている。この構成は、図８及び図９にて符号(110)で示されており、特定の電極と電極間の大きさを有するコイルのようなアンテナを、接地される基板上にプリントされた場合に、所望のアンテナ方形コイルと、ＬＣタンク回路が与えられるように設計することで得られる。基板(112)及びグラウンド(114)は、上述したタイプであってよい。非伝導性の基板(112)は、例えば、プラスチック樹脂のフィルムやガラスのような任意の適当な誘電体であってよい。基板(112)には、その反対側に配置された接地面(114)がある。コイル(110)に使用される適切な公知の伝導性の構成物には、例えば、伝導性エポキシと、伝導性インクとがある。プリント技術には、例えば、インクジェット又はシルクスクリーンのような通常の印刷手法が用いられてよい。プリントされたアンテナは、回路に結合されて用いられて、本発明の回路構成における所望のリジェネレーションを与える。例えばダイオードのような、アンテナと本明細書で開示した構成要素以外のその他の電気的構成要素が、基板(112)の上にプリントされて設けられて、本発明のプリントされたチャージデバイスを構成してもよい。
主たる焦点がエネルギーハーベスティングに置かれてきたが、本発明は、エネルギーの伝送にも利用できることが理解されるであろう。エネルギーを採取する動作中の電気回路は、一般的に、媒体を介して遠隔のデバイスと通信する必要がある。このような通信には、ＲＦアンテナが必要とされるだろう。アンテナは、シリコンチップ上に配置されて、それ故に寄生効果などの影響を受けるだろう。しかしながら、このような伝送アンテナは、エネルギーハーベスティングアンテナとして機能するように設計されていてもいなくともよい。
本発明は、様々な領域における用途にて、特に、集積回路チップ若しくはダイ内又は上における小型の用途に関して、広範に適用されることが理解されるであろう。用途には、例えば、携帯電話、ＲＦＩＤアプリケーション、テレビジョン、ポケットベル、電子カメラ、バッテリ充電器、センサ、医療機器、通信機器、軍事用機器、光電子工学及び輸送手段がある。
図１０は、複数のアンテナの各々が相応の基板上に配置された模様を示しており、アンテナ(130)(132)(134)は、対応する誘電体基板(136)(138)(140)と、接地面(142)(144)(146)と共に配置されており、空間を通じて供給されるエネルギーを効率的に採取する手段がもたらされている。この実施例では、タンク回路を用いたリジェネレーションで、幾何学的つまり物理的面積に対してアンテナの実効面積が大きくなるだけではなく、リジェネレーティブアンテナの束にあるアンテナ間のインダクタンス(150)(152)によるリジェネレーションで、実効面積が大きくなる。空間にてアンテナ(130)(132)(134)に達するエネルギー場は、符号(160)(162)(164)で示されており、９１５ＭＨｚのＲＦ場であってよい。各アンテナはエネルギーを採取して、その結果、それに電流が流れる。その後、電流によって磁場が生成されて、リジェネレーションアンテナの束において隣接するアンテナでは、電磁誘導による電流が増加する。この電流の増加によって、アンテナの場の相互作用が増加して、アンテナが個々に単独で用いられる場合よりも非常に大きな入射場の実効面積から、エネルギーが吸収される。
以上より、同調共振回路と、同調共振回路のリジェネレーションのための固有の手段とから構成されており、エネルギーを採取し伝送するための回路構成について、効率的な回路と、それに関する方法とが、本発明によってもたらされることが理解されるであろう。ここで、回路の実効面積は、その物理的面積よりも大きい。同調共振回路は、固有分布インダクタンスと、固有分布キャパシタンスで形成されて、それらはタンク回路を構成するのが好ましい。同調回路は、所望のフィードバックを与えてリジェネレーションが起こるように構成されており、その結果、物理的面積よりも実効面積が非常に大きくなる。幾つかの従来技術とは異なって、同調回路の構成要素として、ディスクリートなインダクタやキャパシタを用いる必要はない。また、複数の回路が、図１０に示すように束にされて、互いに協動するように使用されてもよい。
説明を目的として、本明細書にて特定の実施例について記載したが、当該技術分野における通常の知識を有する者には、添付の特許請求の範囲に定められた本発明の範囲から逸脱することなく、細部について種々の変更がなされてよいことが明らかであろう。
図１は、理想的な状態における本発明のハーベスティング等価回路の概略図である。 図２は、本発明のもう一つのハーベスティング等価回路の概略図であって、ソース/ロードインピータンスの不整合によるリジェネレーティブ伝送を説明する。 図３は、図２を拡張した本発明のもう一つの等価回路の概略図であって、非理想的なタンク回路によるリジェネレーションを含んでいる。 図４は、本発明の別の等価回路の概略図であって、負荷に供給された実際のソース電力から不整合のリジェネレーティブソースが分離されている。 図５Ａは、本発明のエネルギーハーベスティング回路の平面図であり、方形コイルを示している。 図５Ｂは、図５Ａの５Ｂ ５Ｂ線で破断した、図５Ａのエネルギーハーベスティング回路の断面図である。 図６は、本発明のエネルギーハーベスティング回路の断面図である。 図７Ａは、１波長の大きさであって、多数のＣＭＯＳチップ又はダイを含んでいる正方形の概略図である。 図７Ｂは、図７Ａに示すＣＭＯＳダイ又はチップの１つの概略図である。 図８は、集積チップ又はダイ上に形成されたリジェネレーティングアンテナの平面図である。 図９は、図８の９−９線で破断した断面図である。 図１０は、本発明の概略図であって、単一の製品ユニット内にある複数の内在的同調アンテナを示している。

Claims (27)

  1. 内在的同調アンテナと、前記内在的同調アンテナに電気的に接続されており、前記内在的同調アンテナで受け取られたエネルギーが送られる負荷とを具えており、
    前記内在的同調アンテナの少なくとも一部は、固有分布インダクタンスと固有分布キャパシタンスとを用いて、タンク回路を形成するように構成されており、
    前記内在的同調アンテナの等価インピーダンスと前記負荷との間のインピーダンス不整合によって生成されたリジェネレーティブフィードバックが、前記タンク回路を用いて前記内在的同調アンテナにもたらされ、
    前記内在的同調アンテナの実効面積は、その物理的面積よりも非常に大きいエネルギーハーベスティング回路。
  2. 前記エネルギーハーベスティング回路は、ディスクリートなキャパシタを要しない、請求項１のエネルギーハーベスティング回路。
  3. 前記内在的同調アンテナは、所定の幅、高さ及び伝導率を有する電気伝導コイルである、請求項１のエネルギーハーベスティング回路。
  4. 所定の透磁率を有する材料が、前記電気伝導コイルに隣接して堆積されている、請求項３のエネルギーハーベスティング回路。
  5. 前記エネルギーハーベスティング回路は、スタンドアロン回路である、請求項１のエネルギーハーベスティング回路。
  6. 前記エネルギーハーベスティング回路は、集積回路電子チップに形成されている、請求項１のエネルギーハーベスティング回路。
  7. 前記内在的同調アンテナの実効面積は、その物理的面積の約１０００倍から２０００倍大きい、請求項１のエネルギーハーベスティング回路。
  8. 前記電気伝導コイルは平面アンテナであって、
    ある面に前記電気伝導コイルが作製されており、反対の面に接地面が作製されている基板を含んでおり、
    前記内在的同調アンテナは、前記タンク回路を形成する前記固有分布インダクタンス及び前記固有分布キャパシタンスと、固有分布レジスタンスとを有しており、それらは、前記リジェネレーティブフィードバックをもたらすように構成されている、請求項３のエネルギーハーベスティング回路。
  9. 前記エネルギーハーベスティング回路は、前記電気伝導コイルと前記接地面との間で、前記固有分布キャパシタンスの少なくともほとんどの部分がもたらされるように構成されている、請求項８のエネルギーハーベスティング回路。
  10. 前記エネルギーハーベスティング回路は、前記電気伝導コイルのセグメント間にて、前記固有分布キャパシタンスの少なくともほとんどの部分がもたらされるように構成されている、請求項８のエネルギーハーベスティング回路。
  11. 前記エネルギーハーベスティング回路は、前記電気伝導コイルと前記接地面との間にて、前記固有分布キャパシタンスの一部がもたらされると共に、前記電気伝導コイルのセグメント間にて、前記固有分布キャパシタンスの一部がもたらされるように構成されている、請求項８のエネルギーハーベスティング回路。
  12. 前記エネルギーハーベスティング回路は、ＲＦエネルギーを受け取るように構成されている、請求項１のエネルギーハーベスティング回路。
  13. 前記エネルギーハーベスティング回路は、前記リジェネレーティブフィードバックに寄与する固有分布レジスタンスを有している、請求項１のエネルギーハーベスティング回路。
  14. 前記エネルギーハーベスティング回路は、前記インピーダンス不整合による定常波反射によって、前記リジェネレーティブフィードバックがもたらされるように構成されている、請求項１のエネルギーハーベスティング回路。
  15. 内在的同調アンテナと、前記内在的同調アンテナに電気的に接続されており、前記内在的同調アンテナで受け取られたエネルギーが送られる負荷とを有するエネルギーハーベスティング回路を与える工程と、
    固有分布インダクタンス及び固有分布キャパシタンスを用いて、前記内在的同調アンテナにタンク回路を形成する工程と、
    空間を通じて前記内在的同調アンテナにエネルギーを供給する工程と、
    前記タンク回路を用いて、前記内在的同調アンテナのエネルギー出力の一部を、前記内在的同調アンテナと前記負荷との間のインピーダンス不整合によって生成されたリジェネレーティブフィードバックとして前記内在的同調アンテナに与えて、前記内在的同調アンテナの実効面積を、その物理的面積よりも非常に大きくする工程とを含む、エネルギーハーベスティング方法。
  16. ディスクリートなキャパシタを要しない前記エネルギーハーベスティング回路を用いる工程を含む、請求項１５のエネルギーハーベスティング方法。
  17. 所定の幅、高さ及び伝導率を有する電気伝導コイルを、前記内在的同調アンテナに用いる工程を含む、請求項１５のエネルギーハーベスティング方法。
  18. 前記電気伝導コイルに隣接して堆積された所定の透磁率を有する材料を用いる工程を含む、請求項１７のエネルギーハーベスティング方法。
  19. 前記エネルギーハーベスティング回路として、スタンドアロン回路を用いる工程を含む、請求項１５のエネルギーハーベスティング方法。
  20. 前記エネルギーハーベスティング回路として、集積回路電子チップに形成された回路を用いる工程を含む、請求項１５のエネルギーハーベスティング方法。
  21. 前記エネルギーハーベスティング回路にて、前記内在的同調アンテナの実効面積を、その物理的面積の約１０００倍から２０００倍大きくする工程を含む、請求項１５のエネルギーハーベスティング方法。
  22. 前記電気伝導コイルとして平面アンテナを用いる工程と、
    ある面に前記電気伝導コイルが作製されており、反対の面に接地面が作製されている基板を用いる工程と、
    前記タンク回路を形成する前記固有分布インダクタンス及び前記固有分布キャパシタンスと、固有分布レジスタンスとを有する回路を用いて、前記リジェネレーティブフィードバックをもたらす工程を含む、請求項１７のエネルギーハーベスティング方法。
  23. 前記電気伝導コイルと前記接地面との間の前記固有分布キャパシタンスの少なくともほとんどの部分を用いる工程を含む、請求項２２のエネルギーハーベスティング方法。
  24. 前記電気伝導コイルのセグメント間の前記固有キャパシタンスの少なくともほとんどの部分を用いる工程を含む、請求項２２のエネルギーハーベスティング方法。
  25. 前記電気伝導コイルと前記接地面との間の前記固有分布キャパシタンスの一部と、前記伝導コイルのセグメント間の前記固有分布キャパシタンスの一部とを用いる工程を含む、請求項２２のエネルギーハーベスティング方法。
  26. 前記エネルギーハーベスティング回路は、前記リジェネレーティブフィードバックに寄与する固有分布レジスタンスを有している、請求項１５のエネルギーハーベスティング方法。
  27. 前記エネルギーハーベスティング回路は、前記インピーダンス不整合による定常波反射によって前記リジェネレーティブフィードバックがもたらされるように構成されている、請求項１５のエネルギーハーベスティング方法。
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