JP4176676B2 - 弁装置 - Google Patents
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Description
一端に弁体(11)を具備する弁軸(12)の他端近傍には、第1,第2永久磁石(21)(22)が埋設されており、第1永久磁石(21)のN極は後述のアクチュエータ(30)側に向いていると共に、他方の第2永久磁石(22)のS極はアクチュエータ(30)側に向いている。
前記弁軸(12)の側方に配設されたアクチュエータ(30)のヨーク(31)は、その両端部に位置するサイド磁極部(34)(36)を備えていると共に、該サイド磁極部(34)(36)の相互間には中央磁極部(35)が位置している。又、該中央磁極部(35)は、外周に電磁コイル(38)が巻回されたコア(37)の先端に位置しており、更に、コア(37)の後端とヨーク(31)の間にはギャップ(39)が形成されている。
このものでは、電磁コイル(38)が非通電状態にあるときには、磁気ギャップ(39)の磁気抵抗は、第1永久磁石(21)及び第2永久磁石(22)の磁力に対して大きいから、第1永久磁石(21)のN極→一方のサイド磁極部(34)→ヨーク(31)内→他方のサイド磁極部(36)→第2永久磁石(22)のS極→第2永久磁石(22)のN極→補助ヨーク(32)→第1永久磁石(21)のS極の如く周回する磁路と、第1永久磁石(21)のN極→中央磁極部(35)→第2永久磁石(22)のS極→第2永久磁石(22)のN極→補助ヨーク(32)→着磁部材第1永久磁石(21)のS極の如く周回する磁路が形成されるように、第1永久磁石(21)及び第2永久磁石(22)は弁軸12と共に所定位置に位置づけられる。
(A).弁体(11)の閉弁力が低下すると、該弁体(11)によるシール性能が悪くなってガス漏れが発生する心配がある。
(B).弁体(11)の開弁力が低下すると、開弁時に於ける弁体(11)の開度低下を来たし、ガスの流量不足が生じる。
『軸方向に往復移動して弁体(11)を開閉させる弁軸(12)と、
前記弁軸(12)に設けられた永久磁石部と、
前記永久磁石部との間で作用する磁力の前記軸方向成分によって前記弁軸(12)を前記往復移動させる電磁石装置と、を具備するリニアアクチュエータ式の弁装置』に於いて、温度上昇に伴なって弁体(11)によるシール性が低下するのを防止すること、また温度上昇に伴なって弁体(11)の開度が低下するのを防止することをその課題とする。
上記課題を解決する為の請求項1に係る発明の技術的手段は、
『前記弁体(11)を閉弁させる方向の軸方向付勢力をバネ圧として前記弁軸(12)に作用させる為の第1のバネ装置を備え、
前記第1のバネ装置は、温度上昇に伴なって前記バネ圧を増加させるように形状変化する第1の形状記憶部材を具備する』ことである。
上記技術的手段によれば、弁体(11)を開閉させる駆動力としては、弁軸(12)に設けられた永久磁石部と電磁石装置との間で作用する磁力以外に、弁軸(12)を閉弁方向に付勢する為の第1のバネ装置からのバネ圧も作用する。
そして、既述従来例で説明したように、弁軸(12)に設けられた永久磁石部の磁力が温度上昇に伴なって弱くなって弁体(11)の閉弁力が低下しそうになると、第1の形状記憶部材が、第1のバネ装置のバネ圧を増加させるように形状変化し、該バネ圧によって弁軸(12)を閉方向へ付勢する力が増加し、これにより、弁体(11)の閉弁力の低下が抑えられてシール性の低下が防止される。
『前記弁体(11)を開弁させる方向の軸方向付勢力をバネ圧として前記弁軸(12)に作用させる為の第2のバネ装置を備え、
前記第2のバネ装置は、温度上昇に伴なって前記バネ圧を増加させるように形状変化する第2の形状記憶部材を具備する』ことである。
上記技術的手段によれば、弁軸(12)に設けられた永久磁石部の磁力が温度上昇に伴なって低下することに起因して弁体(11)の開弁力が低下しそうになると、第2の形状記憶部材が、第2のバネ装置のバネ圧(弁軸(12)を開弁方向に付勢に付勢する力)を増加させるように形状変化し、これにより、第2のバネ装置による弁体(11)の開弁付勢力が増加する。よって、第2のバネ装置による弁体(11)の開弁付勢力が増加する分、温度上昇に基づく該弁体(11)の開度低下を防止することができる。
『前記第1の形状記憶部材は、前記弁体(11)で開閉される弁口を具備する流路に設けられており、
前記第2の形状記憶部材は、前記電磁石装置への通電に基づく発生熱が伝達される領域に配設され、
前記第2のバネ装置は前記第1のバネ装置より弱いバネ圧に設定されている』ものとすることができる。
上記技術的手段によれば、温度上昇に伴なって第1のバネ装置のバネ力が増加して弁体(11)の閉弁力低下が防止される。尚、温度上昇に伴なって第2のバネ装置のバネ圧が変化して弁体(11)の開弁付勢力が増加するが、第2のバネ装置のバネ圧は第1のバネ装置のバネ圧より弱く設定されている。従って、第2のバネ装置のバネ圧変化による弁体(11)の閉弁力低下の影響は少ないことから、該第2のバネ装置のバネ圧と第1のバネ装置のバネ圧の合力は、弁体(11)の閉弁力を増加させる方向に変化し、これにより、弁体(11)の閉弁力低下が防止される。
請求項1に係る発明は、弁体(11)を開弁させる方向の軸方向付勢力を第2のバネ装置から弁軸(12)に付与したが、該第2のバネ装置に代えて、第1のバネ装置と同方向のバネ圧(閉弁方向付勢力)を弁軸(12)に付与する構成を採用することができる。
この為に採用した請求項2に係る発明の技術的手段は、
『前記弁体(11)を閉弁させる方向の軸方向付勢力をバネ圧として前記弁軸(12)に作用させる為の第1のバネ装置と第3のバネ装置を備え、
前記第1のバネ装置は、温度上昇に伴なって前記バネ圧を増加させるように形状変化する第1の形状記憶部材を具備しており、前記第3のバネ装置は、温度上昇に伴なって前記バネ圧を低減させるように形状変化する第3の形状記憶部材を具備し、
前記第1の形状記憶部材は、前記弁体(11)で開閉される弁口を具備する流路に設けられており、
前記第3の形状記憶部材は、前記電磁石装置への通電に基づく発生熱が伝達される領域に配設され、
前記第3のバネ装置は前記第1のバネ装置より弱いバネ圧に設定されている』ことである。
上記技術的手段によれば、温度上昇に伴なって請求項1の発明と同様の作用が得られ、これにより、第1のバネ装置のバネ力が増加して弁体(11)の閉弁力低下が防止される。
尚、弁体(11)が開弁すると、これに伴なって流路に流れる流体によって第1の形状記憶部材が冷却されて温度低下することから、流路に流体が流れ始めた後(弁体(11)が開弁した後)は、第1のバネ装置による弁体(11)の閉弁付勢力が小さくなることは、上記請求項1に係る発明と同様である。
温度上昇に伴なって第1のバネ装置のバネ圧が増加して弁軸(12)を閉弁方向へ付勢する力が増大するから、弁体(11)の閉弁力低下が抑えられてシール性の低下が防止される。
また、温度上昇に伴なって第2のバネ装置のバネ圧が増加して弁軸(12)を開方向に付勢する力が増大するから、温度上昇に基づく弁体(11)の開度低下を防止することができる。
さらに、既述したように、温度上昇に伴なって弁体(11)の開弁度が低下するのが防止できると共に、閉弁時に於ける弁体(11)の閉弁力低下を防止することができる。
図1は本発明の実施の形態に係る弁装置をガス流路に配設した状態の断面図である。
弁箱(5)の側壁(53)には一次流路(51)が接続されていると共に、底壁(54)には二次流路(52)に繋がる弁口(50)が形成されている。
弁箱(5)内に配設された弁体(11)は、前記弁口(50)に対して接離動作するリフト弁であり、該弁体(11)は弁軸(12)の下端に取付けられている。
前記弁軸(12)の下端近傍は、弁体(11)に結合される小径軸部(120)になっていると共に、該小径軸部(120)の上方の大径フランジ部(121)には、下方閉弁バネ(14)の一端が着座している。
ヨーク(31)の両端は既述従来のものと同様に、サイド磁極部(34A)(36A)になっており、これらサイド磁極部(34A)(36A)の相互間にはコア(37)の一端たる中央磁極部(35A)が位置していると共に、該コア(37)の他端は前記ヨーク(31)の内面に当接している。従って、電磁コイル(38)が通電状態になると、コア(37)内に形成される磁力線が、該コア(37)とヨーク(31)の当接部→該ヨーク(31)内→ヨーク(31)の両端のサイド磁極部(34A)(36A)→弁軸(12)内の経路で延びるように形成される。
図1は、電磁コイル(38)に通電しない閉弁状態を示しており、この状態では電磁コイル(38)が非通電状態にあることから、アクチュエータ(30)の各磁極(34A)(35A)(36A)は磁化されていない。
この状態では、弁軸(12)のN極域(124)→ヨーク(31)のサイド磁極部(36A)→ヨーク(31)内→コア(37)内→コア(37)の中央磁極部(35A)→弁軸(12)のS極域(125)→弁軸(12)のN極域(124)と循環する閉じた磁路で磁力線が形成される。これにより、永久磁石部(126)のS極域(125)とN極域(124)が中央磁極部(35A)と一方のサイド磁極部(36A)の対向位置に維持され、これにより、永久磁石部(126)と上記中央磁極部(35A)及びサイド磁極部(36A)との磁気吸着力が弁体(11)を閉弁状態に維持する力(閉弁力)として作用する。又、弁軸(12)の先端近傍に設けられた下方閉弁バネ(14)の付勢力も弁体(11)の閉弁力として作用し、前記磁気吸着力及び下方閉弁バネ(14)の付勢力の合力によって、弁体(11)が閉弁状態に維持される。尚、本実施の形態では、温度が高くない状態では、永久磁石部(126)と中央磁極部(35A)及びサイド磁極部(36A)との磁気吸着力だけで弁体(11)を確実に閉弁状態に維持するのに必要な閉弁付勢力が確保できるようになっている。
尚、上記開弁状態で電磁コイル(38)への通電を遮断すると、アクチュエータ(30)のコア(37)やヨーク(31)が消磁状態に復帰して図1の閉弁状態に戻る。
次に、本発明の第2実施形態に係る弁装置の構成を図3,図4に基づいて説明する。
第2実施形態に係る弁装置は、第1実施形態の閉弁バネ(19)に代えて、弁軸(12)を閉弁方向に付勢するバネ定数の小さな上方閉弁バネ(17)と上方バネ受け(18)の組合せを採用したものであり、該上方バネ受け(18)はアクチュエータ(30)の電磁コイル(38)の発生熱が伝達される領域、具体的には、弁軸(12)に外嵌したシリンダ(43)の上部に配設されている。その他の構成は既述第1実施形態のものと同様になっている。
図5は、弁軸(12)に対して直径方向に形成した貫通孔(H)に第1,第2永久磁石(128)(129)を、相互の極性が逆になる姿勢に装填したものである。このものでも、アクチュエータ(30)の一方のサイド磁極部(34A)、中央磁極部(35A)及び他方のサイド磁極部(36A)側に第1永久磁石(128)のS極と第2永久磁石(129)のN極が対向しているから、既述した第1,第2実施形態のものと同様に、アクチュエータ(30)と弁軸(12)の永久磁石部の間に作用する磁気的な力によって弁軸(12)が軸方向に移動し、これにより、弁体(11)が開閉する。そして、このものでも、弁箱(5)内に設けられた下方バネ受け(15)とシリンダ(43)上部に設けられた上方バネ受け(18)の機能によって、既述第2実施形態と同様の作用・効果が得られる。
1.第1実施形態の形状記憶合金製のコイルバネからなる開弁バネ(19)に代えて、下方バネ受け(15)と下方閉弁バネ(14)の組合せと同様の構造を採用してもよい。
2.第1実施形態の永久磁石部(126)に代えて図5の第1,第2永久磁石(128)(129)を適用できることは言うまでもない。
3.第2実施形態の下方バネ受け(15)及び下方閉弁バネ(14)の組合せや、上方バネ受け(18)及び上方閉弁バネ(17)の組合せに代えて、温度上昇に伴なって自由長が長くなる形状記憶合金製のコイルバネを採用してもよい。
4.上下のバネ受け(15)(14)に代えて、温度変化によって長さが変化するワックスペレット式のシリンダ装置を使用してもよい。
(12)・・・弁軸
(14)・・・下方閉弁バネ
(15)・・・下方バネ受け
(17)・・・上方閉弁バネ
(18)・・・上方バネ受け
(19)・・・開弁バネ
(126)・・・永久磁石部
Claims (2)
- 軸方向に往復移動して弁体(11)を開閉させる弁軸(12)と、
前記弁軸(12)に設けられた永久磁石部と、
前記永久磁石部との間で作用する磁力の前記軸方向成分によって前記弁軸(12)を前記往復移動させる電磁石装置と、を具備するリニアアクチュエータ式の弁装置に於いて、
前記弁体(11)を閉弁させる方向の軸方向付勢力をバネ圧として前記弁軸(12)に作用させる為の第1のバネ装置と、前記弁体(11)を開弁させる方向の軸方向付勢力をバネ圧として前記弁軸(12)に作用させる為の第2のバネ装置とを備え、
前記第1のバネ装置は、温度上昇に伴なって前記バネ圧を増加させるように形状変化する第1の形状記憶部材を、前記第2のバネ装置は、温度上昇に伴なって前記バネ圧を増加させるように形状変化する第2の形状記憶部材を具備し、
前記第1の形状記憶部材は、前記弁体(11)で開閉される弁口を具備する流路に設けられており、
前記第2の形状記憶部材は、前記電磁石装置への通電に基づく発生熱が伝達される領域に配設され、
前記第2のバネ装置は前記第1のバネ装置より弱いバネ圧に設定されている、リニアアクチュエータ式の弁装置。 - 軸方向に往復移動して弁体(11)を開閉させる弁軸(12)と、
前記弁軸(12)に設けられた永久磁石部と、
前記永久磁石部との間で作用する磁力の前記軸方向成分によって前記弁軸(12)を前記往復移動させる電磁石装置と、を具備するリニアアクチュエータ式の弁装置に於いて、
前記弁体(11)を閉弁させる方向の軸方向付勢力をバネ圧として前記弁軸(12)に作用させる為の第1のバネ装置と第3のバネ装置を備え、
前記第1のバネ装置は、温度上昇に伴なって前記バネ圧を増加させるように形状変化する第1の形状記憶部材を具備しており、前記第3のバネ装置は、温度上昇に伴なって前記バネ圧を低減させるように形状変化する第3の形状記憶部材を具備し、
前記第1の形状記憶部材は、前記弁体(11)で開閉される弁口を具備する流路に設けられており、
前記第3の形状記憶部材は、前記電磁石装置への通電に基づく発生熱が伝達される領域に配設され、
前記第3のバネ装置は前記第1のバネ装置より弱いバネ圧に設定されている、リニアアクチュエータ式の弁装置。
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