JP4162420B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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JP4162420B2
JP4162420B2 JP2002113364A JP2002113364A JP4162420B2 JP 4162420 B2 JP4162420 B2 JP 4162420B2 JP 2002113364 A JP2002113364 A JP 2002113364A JP 2002113364 A JP2002113364 A JP 2002113364A JP 4162420 B2 JP4162420 B2 JP 4162420B2
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聡 山本
毅 三橋
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光正 児玉
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a unit for a substrate handling device with improved reliability, the substrate handling device and a method for assembling the device. <P>SOLUTION: This unit (cells 12 and 13) for the substrate handling device is provided with a substrate carrying means for each of a plurality of treatment parts individually, that is, the cell 12 is provided with a carrying mechanism 17 for the heat treatment parts 16A-16C and the carrying mechanism 18 for SC and the cell 13 is provided with the carrying mechanism 19 for the heat treatment parts 16C-16E and the carrying mechanism 20 for the SC. Thus, since it is sufficient to carry a substrate to the corresponding treatment parts (heat treatment parts and SC) by the single carrying mechanism 17-20, burdens of the respective carrying mechanisms 17-20 are reduced, the MTBF of the respective carrying mechanisms 17-20 is increased and reliability is improved. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に基板と称する）を、複数の処理部でそれぞれ基板処理を行う基板処理装置用ユニットおよび基板処理装置並びにその装置の組立方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成して、塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。
【０００３】
これを図１８の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗ又は後述する処理部１０４での処理が完了した基板Ｗが収納されるカセットＣが複数個載置されるカセット載置台１０１と、この各カセットＣの前を水平移動し、各カセットＣと後述する処理部１０４間で基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構１０８ａとを備えたインデクサ１０３と、複数の処理部１０４と、複数の処理部１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板搬送経路１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７間で基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０６とから構成されている。
【０００４】
外部処理装置１０７は、基板処理装置とは別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス１０６に対して着脱可能に構成されている。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置の場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光処理を行う露光装置となる。
【０００５】
また、基板搬送経路１０５上を搬送する搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ１０３と基板搬送経路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板搬送経路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置台１０９ｂがそれぞれ配設されている。
【０００６】
上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカセットから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出して、搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台１０９ａまで搬送する。搬送機構１０８ｂは、載置台１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４から基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部１０４に基板Ｗを搬入する。
【０００７】
このように露光までの一連の処理が終了すると、搬送機構１０８ｂは、処理部１０４で処理された基板Ｗを載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８ｃに基板Ｗを渡すために、上述した載置台１０９ｂに基板Ｗを載置する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂに載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０７から基板Ｗを搬出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、外部処理装置１０７までの処理とは逆の手順で基板Ｗの受け渡しおよび処理が行われる。そして、払出部１０２から払い出されて、一連の基板処理が終了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の基板処理装置では、この基板処理装置のＭＴＢＦ（平均故障間動作時間：相隣る故障間における動作時間の期待値）を高くすることができず、基板処理装置の信頼性が低いという問題がある。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、信頼性を向上させた基板処理装置用ユニットおよび基板処理装置並びにその装置の組立方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために、発明者が鋭意研究をした結果、次のような知見を得た。すなわち、従来の基板処理装置では、図１８に示すように、単一の搬送機構１０８ｂでもって、複数個の処理部１０４や載置台１０９ａ，１０９ｂに対して基板Ｗを搬送しており、単一の搬送機構１０８ｂは、基板処理装置での処理の高速化のために、複数個の処理部１０４や載置台１０９ａ，１０９ｂに対して素早く移動して基板Ｗを迅速に搬送しなければならないし、単一の搬送機構１０８ｂで複数個の処理部１０４や載置台１０９ａ，１０９ｂに対して基板搬送を行わなければならないことから、単一の搬送機構１０８ｂにはかなりの負担がかかっており、単一の搬送機構１０８ｂのＭＴＢＦ（平均故障間動作時間：相隣る故障間における動作時間の期待値）が低くなっているという現象が存在することを解明した。そして、この単一の搬送機構１０８ｂのＭＴＢＦが低いことによって、基板処理装置等の信頼性が低下しているという因果関係があることを見出したのである。
【００１１】
このような知見に基づく本発明は次のような構成を採る。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に一連の処理を施す基板処理装置において、当該基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理装置用ユニットを備え、前記基板処理装置用ユニットは、基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、前記各処理部との間で基板の受渡しを行うための複数個の基板搬送手段と、前記複数個の処理部と前記複数個の基板搬送手段とが内部に収納される外枠とを備え、前記外枠は、その上側および下側を、他の基板処理装置用ユニットの外枠が連結可能に共通化した構成としており、前記基板処理装置用ユニットが上下方向に複数段に構成され、処理すべき基板を収納した基板収納手段から基板を投入し、且つ、一連の処理を施した基板を前記基板収納手段に戻すように払い出す単一のインデクサと、当該基板処理装置とそれとは別体の外部処理装置とを連結するものであって、当該外部処理装置に対して基板を搬入出する単一のインターフェイスとを備え、前記複数段の基板処理装置用ユニットを、前記インデクサと前記インターフェイスとの間に設け、前記単一のインデクサは、当該インデクサに隣接する前記複数段の基板処理装置用ユニットそれぞれに対して基板を搬入出するものであり、前記単一のインターフェイスは、当該インターフェイスに隣接する前記複数段の基板処理装置用ユニットそれぞれに対して基板を搬入出するものであり、基板の受け渡しを行うための載置部と基板を仮置きするための複数のバッファとを前記複数段の基板処理装置用ユニットごとに備えていることを特徴とするものである。
【００１２】
（作用・効果）請求項１に記載の発明によれば、基板に一連の処理を施す基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理装置用ユニットは、基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、この各処理部との間で基板の受渡しを行うための複数個の基板搬送手段とを備えているので、各基板搬送手段の負担が小さくでき、各基板搬送手段のＭＴＢＦ（平均故障間動作時間：相隣る故障間における動作時間の期待値）を高くすることができ、信頼性を向上させることができる。また、基板処理装置用ユニットは、複数の処理部と各処理部に個別に設けられた基板搬送手段とを備えていることから、それだけで基板に所定の処理を施すことができ、基板処理装置を構成する単位ユニットとして取り扱うことができる。基板処理装置は、上述の基板処理装置用ユニットを複数個用いて構成されているので、基板処理装置用ユニットの増減が容易で自在に行え、要求されるスループットに応じて自由に基板処理装置を構成することができる。また、基板処理装置用ユニットが上下方向に複数段に構成されているので、基板処理装置の占有面積を小さくすることができ、基板処理装置の省フットプリント化が可能である。
【００１３】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記複数個の処理部は、基板に塗布液を塗布する塗布部と、基板を熱処理するための熱処理部とを含むことを特徴とするものである。
【００１４】
（作用・効果）請求項２に記載の発明によれば、複数個の処理部は、基板に塗布液を塗布する塗布部と、基板を熱処理するための熱処理部とを含むので、基板に対して塗布処理および熱処理が行えるユニットを実現できる。
【００１５】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記複数個の処理部は、塗布液が塗布された基板を現像する現像部と、基板を熱処理するための熱処理部とを含むことを特徴とするものである。
【００１６】
（作用・効果）請求項３に記載の発明によれば、複数個の処理部は、塗布液が塗布された基板を現像する現像部と、基板を熱処理するための熱処理部とを含むので、基板に対して現像処理および熱処理が行えるユニットを実現できる。
【００１７】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記複数個の基板搬送手段は、塗布液や現像液などの処理液で処理された基板を扱う処理液用の基板搬送手段と、熱処理された基板を扱う熱処理用の基板搬送手段とに区別されていることを特徴とするものである。
【００１８】
（作用・効果）請求項４に記載の発明によれば、処理液用の基板搬送手段は塗布液や現像液などの処理液で処理された基板を扱い、熱処理用の基板搬送手段は熱処理された基板を扱うように区別しているので、熱処理された基板を扱うことで昇温される熱処理用の基板搬送手段が、塗布液や現像液などの処理液で基板を処理する処理部に基板を直接に搬送することがないし、熱処理用の基板搬送手段から基板への熱伝導によって温度変化した基板を、処理液で基板を処理する処理部に搬送することを防止でき、熱分離することができる。
【００１９】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板搬送手段は、固定した昇降軸周りに回転可能で、前記昇降軸に沿って昇降移動可能で、かつ回転半径方向に進退移動可能に構成された、基板を保持する基板保持部を備えていることを特徴とするものである。
【００２０】
（作用・効果）請求項５に記載の発明によれば、基板搬送手段は、固定した昇降軸方向とその軸周り方向と回転半径方向とに移動する基板保持部を備えているので、基板を３方向に移動させる搬送機構を簡易な構成で実現することができる。
【００２５】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記基板処理装置用ユニットは、基板上に形成される処理膜の下部に反射防止膜を形成するＢＡＲＣ部および基板に対して熱処理を行う熱処理部を備えたもの、または、基板上に形成された処理膜の上部に反射防止膜を形成するＴＡＲＣ部および前記熱処理部を備えたもの、または、基板に処理液を塗布する塗布部および前記熱処理部を備えたもの、または、処理液が塗布された基板を現像する現像部および前記熱処理部を備えたものであることを特徴とするものである。
【００２６】
（作用・効果）請求項６に記載の発明によれば、基板処理装置用ユニットは、ＢＡＲＣ部および熱処理部を備えたもの、ＴＡＲＣ部および熱処理部を備えたもの、塗布部および熱処理部を備えたもの、あるいは、現像部および熱処理部を備えたものであるとしているので、基板に対してＢＡＲＣおよび熱処理が行えるユニット、基板に対してＴＡＲＣおよび熱処理が行えるユニット、基板に対して塗布処理および熱処理が行えるユニット、あるいは、基板に対して現像処理および熱処理が行えるユニットを実現できる。
【００２７】
また、請求項７に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、水平面内で隣接する複数個の前記基板処理装置用ユニットの境界部に、基板を受け渡すための基板受け渡し部が設けられていることを特徴とするものである。
【００２８】
（作用・効果）請求項７に記載の発明によれば、水平面内で隣接する複数個の基板処理装置用ユニットの境界部に、基板を受け渡すための基板受け渡し部が設けられているので、基板受け渡し部に対して同じ距離でアクセス可能である。
【００２９】
また、請求項８に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、隣接する複数個の前記基板処理装置用ユニットの前記処理部および前記基板搬送手段の配置が左右対称であることを特徴とするものである。
【００３０】
（作用・効果）請求項８に記載の発明によれば、隣接する複数個の基板処理装置用ユニットの処理部および基板搬送手段の配置を左右対称としているので、基板搬送を左流れまたは右流れのどちらでも行うことができ、基板処理装置の配置の自由度を向上させることができる。
【００３３】
なお、本明細書中の「用力用の母管」とは、基板処理装置で必要とされる、電力や窒素（Ｎ2 ）ガスや純水や排気系や排液系などの各種の管・ケーブルのうちの少なくとも１つ以上が管内に挿入されたものである。
【００３４】
本明細書は次のような課題解決手段も開示している。
（１）基板に一連の処理を施す基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理装置用ユニットであって、
基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、前記各処理部との間で基板の受渡しを行うための複数個の基板搬送手段とが収納される、他とは分離独立した個別のフレームを備えていることを特徴とする基板処理装置用ユニット。
【００３５】
従来例の基板処理装置では、大枠の単一のフレームに対して、装備予定している処理部や基板搬送手段等を取り付けていくことで、基板処理装置を構成するというように、大枠のフレームを共用していることから、処理部を増減するという基板処理装置の仕様変更要求があると、その要求に従って大枠のフレーム自体を作り変える等の必要があり、大幅な設計変更が必至であるという問題があった。しかしこれに対して、前記（１）に記載の基板処理装置用ユニットによれば、処理部とそれに対応する基板搬送手段とが収納される、他とは分離独立した個別のフレームを備えているので、処理部を増減するという基板処理装置の仕様変更要求があったとしても、基板処理装置用ユニット自体を増減することによってその要求に対応することができ、従来例装置のような大幅な設計変更は必要ないし、基板処理装置の自由度を向上させることができる。
【００３６】
（２）前記（１）に記載の基板処理装置用ユニットであって、
上下方向に複数個の前記処理部を階層配置し、
前記処理部に基板を搬送する基板搬送手段を各階の前記処理部ごとに個別に備え、
前記基板搬送手段は、少なくとも同一階内での基板搬送を行うことを特徴とする基板処理装置用ユニット。
【００３７】
前記（２）に記載の基板処理装置用ユニットによれば、上下方向に複数個の処理部が階層配置され、処理部に基板を搬送する基板搬送手段を各階の処理部ごとに個別に備えられ、基板搬送手段は、少なくとも同一階内での基板搬送を行うことができるので、搬送経路を多階層に持つことができ、基板処理装置の省フットプリント化が可能となる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図であり、図２は、基板処理装置の１階側を平面視したときのブロック図であり、図３は、基板処理装置の２階側を平面視したときのブロック図である。なお、紙面の都合上、図１ではカセット載置台の図示を省略する。また、図２，３については、後述する上下に階層構造で構成された熱処理部やＩＦ用載置台などについては展開平面図で表す。なお、説明の都合上、図２，図３の各図に記載した後述するインデクサやインターフェイスは、本実施例装置にそれぞれが１つ備えられたものであり、各階に設けられたものでないことに留意されたい。また、本実施例では、フォトリソグラフィ工程において基板を回転させながらレジスト塗布を行うスピンコータ、およびレジスト塗布されて、さらに露光処理が行われた基板を回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパを例に採って、基板処理を説明する。
【００３９】
本実施例に係る基板処理装置は、図１〜３に示すように、インデクサ１と処理ブロック３とインターフェイス４とから構成されている。インターフェイス４は、本実施例に係る基板処理装置と別体の装置とを連結するように構成されている。本実施例の場合には、インターフェイス４は、レジスト塗布および現像処理を行う基板処理装置と、基板の露光処理を行う露光装置（例えば、ステップ露光を行うステッパなど）とを連結するように構成されている。
【００４０】
インデクサ１（以下、適宜『ＩＤ』と略記する）は、図２，３に示すように、カセット載置台２とＩＤ用搬送経路７とＩＤ用搬送機構８とから構成されている。カセット載置台２は、複数枚（例えば２５枚）の未処理基板Ｗまたは処理済基板を収納したカセットＣが複数個（図１では４個）載置可能に構成されている。また、ＩＤ用搬送経路７は、複数個のカセットＣが載置されるカセット載置台２に沿って水平方向に形成されている。ＩＤ用搬送機構８は、図示しない水平移動機構、昇降機構および回動機構を備えており、ＩＤ用搬送経路７上において、水平移動および昇降移動を行うことによって、カセット載置台２上のカセットＣと処理ブロック３との間で基板の受け渡しを行うことができるように構成されている。
【００４１】
次に、ＩＤ用搬送機構８の具体的構成について、図４を参照して説明する。ＩＤ用搬送機構８は、図４（ａ）の平面図、および図４（ｂ）の右側面図に示すように、ＩＤ用搬送経路７の長手方向（ｙ方向）である矢印ＲＡの方向にアーム基台８ａを移動可能に構成するｙ軸移動機構８ｂ、矢印ＲＢの方向（ｚ方向）にアーム基台８ａを昇降移動可能に構成するｚ軸昇降機構８ｃ、およびｚ軸周り（矢印ＲＣの方向）にアーム基台８ａを回転可能に構成する回転駆動機構８ｄを備えている。このアーム基台８ａには基板Ｗを保持するアーム８ｅが備えられており、このアーム８ｅは、回転半径方向である矢印ＲＤの方向に進退移動可能に構成されている。
【００４２】
ｙ軸移動機構８ｂは、図４（ａ）に示すように、螺軸８ｆと、この螺軸８ｆを軸心周りに回転させるモータ８ｇとを備えており、この螺軸８ｆには上述したｚ軸昇降機構８ｃが取り付けられている。モータ８ｇの回転によって、螺軸８ｆに取り付けられたｚ軸昇降機構８ｃが矢印ＲＡの水平方向に移動される。
【００４３】
ｚ軸昇降機構８ｃは、図４（ｂ）に示すように、ｙ軸移動機構８ｂと同じく、螺軸８ｈと、この螺軸８ｈを軸心周りに回転させるモータ８ｉとを備えており、この螺軸８ｈには上述した回転駆動機構８ｄが取り付けられている。モータ８ｉの回転によって、螺軸８ｈに取り付けられた回転駆動機構８ｄが矢印ＲＢの方向に移動される。
【００４４】
回転駆動機構８ｄは、図４（ｂ）に示すように、上述したアーム基台８ａ、このアーム基台８ａを軸心周りに回転させるモータ８ｊ、および、アーム基台８ａとモータ８ｊとを支持する支持部材８ｋを備えている。モータ８ｊの回転によって、アーム基台８ａがアーム８ｅとともに矢印ＲＣの方向に回転される。
【００４５】
このように構成されることで、アーム基台８ａのアーム８ｅに保持された基板Ｗは、矢印ＲＡの方向に移動し、矢印ＲＢの方向に移動し、矢印ＲＣの方向に回転し、矢印ＲＤ方向に進退移動可能となる。これにより基板Ｗは、カセット載置台２と、処理ブロック３（図２，３参照）との間で搬送される。
【００４６】
図１〜３に戻って、処理ブロック３の具体的構成について説明する。処理ブロック３は、図２，３に示すように、第１の処理ユニット９と第２の処理ユニット１０と第３の処理ユニット１１とから構成されており、インデクサ１側から第１の処理ユニット９，第２の処理ユニット１０，第３の処理ユニット１１の順に並んで配設されている。
【００４７】
また、上述した第１〜第３の処理ユニット９〜１１は、例えば、１階部分と２階部分とからなる２段構成になっている。図２に示すように、第１の処理ユニット９の１階には、基板Ｗ上に形成されたフォトレジスト膜からの光の反射を防止するために下地用の反射防止膜（Bottom Ant-Reflection Coating）（以下、『ＢＡＲＣ』と呼ぶ）を基板Ｗに塗布形成するＢＡＲＣセル１２が配設されている。第２の処理ユニット１０の１階には、基板Ｗを回転させながらフォトレジスト膜を基板Ｗに塗布形成するスピンコータ（Spin Coater）（以下、『ＳＣ』と呼ぶ）のためのＳＣセル１３が配設されている。第３の処理ユニット１１の１階には、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するエッジ露光処理（Edge Exposure Unit）（以下、『ＥＥ』と呼ぶ）をするためのＰＥＢセル１４が配設されている。
【００４８】
一方、図３に示すように、第１の処理ユニット９の２階には、露光処理後の基板Ｗを回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパ（Spin Developer）（以下、『ＳＤ』と呼ぶ）のためのＳＤセル１５Ａが配設されている。第２の処理ユニット１０の２階には、第１の処理ユニット９の２階のＳＤセル１５Ａと同様のＳＤセル１５Ｂが配設されている。第３の処理ユニット１１の２階には、露光処理後の基板Ｗを加熱する（Post Exposure Bake）（以下、『ＰＥＢ』と呼ぶ）ためのＰＥＢセル１４が配設されている。
【００４９】
以上のように、１階にあるＢＡＲＣセル１２とインデクサ１側で２階にあるＳＤセル１５Ａとで第１の処理ユニット９を、１階にあるＳＣセル１３とインターフェイス４側で２階にあるＳＤセル１５Ｂとで第２の処理ユニット１０を、２階側にあるＰＥＢセル１４と１階側にあるＰＥＢセル１４とで第３の処理ユニット１１をそれぞれ構成している。
【００５０】
なお、上述したＢＡＲＣセル１２とＳＤセル１５ＡとＳＣセル１３とＳＤセル１５Ｂとのそれぞれが本発明における基板処理装置用ユニットに相当する。
【００５１】
次に、ＢＡＲＣセル１２の具体的構成について説明する。ＢＡＲＣセル１２は、図２に示すように、３つの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃと、これらの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構１７と、ＢＡＲＣ（反射防止膜）を基板Ｗにそれぞれ塗布する２つのＳＣと、熱処理部１６Ａおよび２つのＳＣ間で基板Ｗの受け渡しを行うＳＣ用搬送機構１８とから構成されている。
【００５２】
なお、２つのＳＣが本発明における処理部に相当し、さらに本発明におけるＢＡＲＣ部に相当する。また、ＢＡＲＣセル１２に単一のＳＣを設ける場合には、この単一のＳＣが本発明における処理部に相当し、さらに本発明におけるＢＡＲＣ部に相当することになる。また、ＳＣ用搬送機構１８の負担にならない範囲でＢＡＲＣセル１２に３つ以上のＳＣを設ける場合には、その設けた個数分のＳＣが本発明における処理部に相当し、さらに本発明におけるＢＡＲＣ部に相当することになる。
【００５３】
３つの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃは、図２に示すような位置で熱処理部用搬送機構１７を挟んで、それぞれが配設されており、各々の熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃは上下に階層構造でそれぞれ構成されている。
【００５４】
インデクサ１側に配設されている熱処理部１６Ａは、熱処理を行わずに基板Ｗを載置して基板を受け渡す（以下、『Ｐａｓｓ』と呼ぶ）ためのＰａｓｓ，加熱しながら基板Ｗとフォトレジスト膜との密着性を向上させるためのアドヒージョン処理（Adhesion）（以下、『ＡＨＬ』と呼ぶ）をそれぞれ行うための４つのＡＨＬ，加熱された基板を冷却して常温に保つ（以下、『ＣＰ』と呼ぶ）をそれぞれ行うための２つのＣＰを上から順に積層することで、構成されている。なお、ＡＨＬ（アドヒージョン）処理では、ＨＭＤＳ〔(CH3)3SiNHSi(CH3)3〕を蒸気状にしてレジスト塗布前の基板Ｗを塗布する。この熱処理部１６Ａは、Ｐａｓｓ、ＡＨＬ、ＣＰを使って、インデクサ１にあるＩＤ用搬送機構８と、熱処理部用搬送機構１７と、ＳＣ用搬送機構１８との間で基板を受け渡す機能をも備えている。即ち、ＩＤ用搬送機構８と熱処理部用搬送機構１７とは、Ｐａｓｓを介して受け渡しを行う構成となっており、Ｐａｓｓには、ＩＤ用搬送機構８と熱処理部用搬送機構１７とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入できるように開口部１６ａが形成されている（図９参照）。また、熱処理部用搬送機構１７とＳＣ用搬送機構１８とは、ＣＰを介して受け渡しを行う構成となっており、ＣＰには、熱処理部用搬送機構１７とＳＣ用搬送機構１８とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入できるように開口部１６ａが形成されている（図９参照）。なお、ＡＨＬは、熱処理部用搬送機構１７としか基板の受け渡しを行わないので、熱処理部用搬送機構１７が進入できるように熱処理部用搬送機構１７に対峙した面にのみ開口部１６ａが形成されている（図９参照）。この熱処理部１６Ａ内のＰａｓｓ、および後述する熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｆ，１６Ｈ内のＰａｓｓは、本発明における基板受け渡し部に相当する。
【００５５】
ＳＣ側とは逆方向、すなわち奥側に配設されている熱処理部１６Ｂは、熱処理部用搬送機構１７側に開口部１６ａ（図１，９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構１７は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｂに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｂから基板Ｗを搬出する。また、ＢＡＲＣ処理後の基板Ｗを加熱してベーク処理（以下、『ＨＰ』と呼ぶ）をそれぞれ行うための７つのＨＰを上から順に積層することで、熱処理部１６Ｂは構成されている。
【００５６】
第２の処理ユニット１０側に配設されている熱処理部１６Ｃを、ＢＡＲＣセル１２以外にＳＣセル１３とも共有しており、インデクサ１側にある熱処理部１６Ａと同様のＰａｓｓ，奥側にある熱処理部１６Ｂと同様の３つのＨＰ，熱処理部１６Ａと同様の３つのＣＰを上から順に積層することで、この熱処理部１６Ｃは構成されている。このうち、本実施形態の構成においては、３つのＣＰは、ＢＡＲＣセル１２用として用いられ、３つのＨＰは、ＳＣセル１３用として用いられる。この熱処理部１６ＣのＰａｓｓには、熱処理部用搬送機構１７と後述するＳＣセル１３内に配置された熱処理部用搬送機構１９との間で基板の受け渡しが可能なように、それぞれ熱処理部用搬送機構１７、熱処理部用搬送機構１９に対峙した面のみ開口部１６ａが形成されている（図９参照）。熱処理部１６Ｃを構成する３つのＣＰには、熱処理部用搬送機構１７とのみ基板の受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構１７と対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。同様に、熱処理部１６Ｃを構成する３つのＨＰには、熱処理部用搬送機構１９とのみ基板の受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構１９と対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。
【００５７】
なお、上述した３個の熱処理部１６Ａ〜１６Ｃが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当する。また、ＢＡＲＣセル１２に単一の熱処理部（例えば、熱処理部１６Ａ〜１６Ｃのうちの１つ）を設ける場合には、この単一の熱処理部が本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当することになる。また、熱処理部用搬送機構１７の負担にならない範囲でＢＡＲＣセル１２に複数個の熱処理部を設ける場合には、その複数個の熱処理部が本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当することになる。
【００５８】
ＢＡＲＣセル１２内のＳＣは、上述したように基板Ｗを回転させながらＢＡＲＣ処理を行うように構成されている。詳述すると、基板Ｗを保持して水平面内に回転させるスピンチャック，反射防止液を吐出するノズルなどから構成されている。このスピンチャックに保持されて回転している基板Ｗの中心に向けてノズルから反射防止液を吐出することで、基板Ｗの遠心力により反射防止膜が基板Ｗの中心から全面にわたって塗布形成される。
【００５９】
熱処理部用搬送機構１７とＳＣ用搬送機構１８と、後述する熱処理部用搬送機構１９とＳＣ用搬送機構２０とＥＥ用搬送機構２１と熱処理部用搬送機構２３とＳＤ用搬送機構２４とは同じ構成からなる。これらの搬送機構の具体的構成については後で説明する。
【００６０】
次に、ＳＣセル１３の具体的構成について説明する。ＳＣセル１３は、図２に示すように、ＢＡＲＣセル１２と同じく、３つの熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅと、これらの熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構１９と、フォトレジスト液を基板Ｗにそれぞれ塗布する２つのＳＣと、熱処理部１６Ｄおよび２つのＳＣ間で基板Ｗの受け渡しを行うＳＣ用搬送機構２０とから構成されている。
【００６１】
ＢＡＲＣセル１２と同じく、３つの熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅは、図２に示すような位置で熱処理部用搬送機構１９を挟んで、それぞれが配設されており、各々の熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅは上下に階層構造でそれぞれ構成されている。
【００６２】
第３の処理ユニット１１側に配設されている熱処理部１６Ｄは、Ｐａｓｓ，６つのＨＰを上から順に積層することで、構成されている。この熱処理部１６Ｄは、Ｐａｓｓを通じて、熱処理部用搬送機構１９と、後述するＰＥＢセル１４内に配置されたＥＥ用搬送機構２１との間で基板を受け渡す機能をも備えている。即ち、熱処理部用搬送機構１９とＥＥ用搬送機構２１とは、Ｐａｓｓを介して受け渡しを行う構成となっており、Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構１９とＥＥ用搬送機構２１とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入できるように開口部１６ａが形成されている（図９参照）。また、６つのＣＰには、それぞれ熱処理部用搬送機構１９とＳＣ用搬送機構２０とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入できるように開口部１６ａが形成されている（図１、図９参照）。
【００６３】
ＳＣ側と逆方向（奥側）に配設されている熱処理部１６Ｅは、熱処理部用搬送機構１７側に開口部１６ａ（図１，９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構１９は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｅに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｅから基板Ｗを搬出する。ＢＡＲＣセル１２内の熱処理部１６Ｂとほぼ同じような構成で、３つのＨＰ，４つのＣＰを上から順に積層することで、熱処理部１６Ｅは構成されている。
【００６４】
第１の処理ユニット９側に配設されている熱処理部１６Ｃを、上述したようにＳＣセル１３以外にＢＡＲＣセル１２とも共有している。つまり、熱処理部１６ＣはＢＡＲＣセル１２内の熱処理部１６Ｃでもある。熱処理部１６Ｃの構成については説明を省略する。
【００６５】
なお、上述した３個の熱処理部１６Ｃ〜１６Ｅが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当する。また、ＳＣセル１３に単一の熱処理部（例えば、熱処理部１６Ｃ〜１６Ｅのうちの１つ）を設ける場合には、この単一の熱処理部が本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当することになる。また、熱処理部用搬送機構１７の負担にならない範囲でＳＣセル１３に複数個の熱処理部を設ける場合には、その複数個の熱処理部が本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当することになる。
【００６６】
ＳＣセル１３内のＳＣは、反射防止液の替わりにフォトレジスト液を吐出してフォトレジスト膜を塗布形成する以外には、ＢＡＲＣセル１２内のＳＣと同様の構成をしているので、ＳＣセル１３内のＳＣの説明を省略する。
【００６７】
なお、ＳＣセル１３内の２つのＳＣが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における塗布部に相当する。また、ＳＣセル１３に単一のＳＣを設ける場合には、この単一のＳＣが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における塗布部に相当することになる。また、ＳＣ用搬送機構２０の負担にならない範囲でＳＣセル１３に３つ以上のＳＣを設ける場合には、その設けた個数分のＳＣが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における塗布部に相当することになる。
【００６８】
次に、１階側にあるＰＥＢセル１４の具体的構成について説明する。ＰＥＢセル１４の１階部分は、図２に示すように、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するエッジ露光処理（『ＥＥ』）をそれぞれ行うための２つのエッジ露光処理部ＥＥと、熱処理部１６Ｄ，２つのエッジ露光処理部ＥＥ，およびインターフェイス４内の後述するＩＦ用載置台３０間で基板Ｗの受け渡しを行うＥＥ用搬送機構２１とから構成されている。
【００６９】
２つのエッジ露光処理部ＥＥは、図２に示すような位置でＥＥ用搬送機構２１の奥側に、それぞれが互いに上下に積層された状態で配設されている。他の熱処理部１６と同様に、各エッジ露光処理部ＥＥには、ＥＥ用搬送機構２１側に開口部１６ａ（図１，９参照）がそれぞれ設けられている。そして、ＥＥ用搬送機構２１は、この開口部１６ａを介して、エッジ露光処理部ＥＥに基板Ｗを搬入して、エッジ露光処理部ＥＥから基板Ｗを搬出する。
【００７０】
次に、２階側にあるＰＥＢセル１４の具体的構成について説明する。ＰＥＢセル１４の２階部分は、図３に示すように、露光処理後の基板Ｗをそれぞれ加熱する８つのＰＥＢと、４つのＣＰと、これらのＰＥＢ，ＣＰ，インターフェイス４内の後述するＩＦ用載置台３０，およびＳＤセル１５Ｂ内の後述する熱処理部１６Ｆ間で基板Ｗの受け渡しを行うＰＥＢ用搬送機構２２とから構成されている。
【００７１】
８つのＰＥＢ，４つのＣＰのうち、４つのＰＥＢと，２つのＣＰとが上から順に積層された状態で、図３に示すような位置でＰＥＢ用搬送機構２２の奥側に配設されている。同様に、残りの４つのＰＥＢと，２つのＣＰとが上から順に積層された状態で、図３に示すような位置でＰＥＢ用搬送機構２２の手前側に配設されている。各ＰＥＢ，ＣＰには、ＰＥＢ用搬送機構２２側に開口部１６ａ（図１，９参照）がそれぞれ設けられている。そして、ＰＥＢ用搬送機構２２は、この開口部１６ａを介して、各ＰＥＢ，ＣＰに基板Ｗを搬入して、各ＰＥＢ，ＣＰから基板Ｗを搬出する。ＰＥＢ用搬送機構２２の具体的構成についても後で説明する。
【００７２】
次に、ＳＤセル１５Ｂの具体的構成について説明する。インターフェイス４側にあるＳＤセル１５Ｂは、図３に示すように、３つの熱処理部１６Ｆ、１６Ｇ，１６Ｈと、これらの熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ，１６Ｈ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構２３と、露光処理後の基板Ｗを回転させながら現像処理をそれぞれ行う２つのＳＤと、熱処理部１６Ｆおよび２つのＳＤ間で基板Ｗの受け渡しを行うＳＤ用搬送機構２４とから構成されている。
【００７３】
なお、２つのＳＤが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における現像部に相当する。また、ＳＤセル１５Ｂに単一のＳＤを設ける場合には、この単一のＳＤが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における現像部に相当することになる。また、ＳＤ用搬送機構２４の負担にならない範囲でＳＤセル１５Ｂに３つ以上のＳＤを設ける場合には、その設けた個数分のＳＤが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における現像部に相当することになる。
【００７４】
第３の処理ユニット１１側、すなわちインターフェイス４側に配設されている熱処理部１６Ｆは、Ｐａｓｓ，４つのＣＰを上から順に積層することで、構成されている。この熱処理部１６Ｆは、Ｐａｓｓを通じて、熱処理部用搬送機構２３と、ＰＥＢ用搬送機構２２との間で基板を受け渡す機能をも備えている。即ち、熱処理部用搬送機構２３とＰＥＢ用搬送機構２２とは、Ｐａｓｓを介して受け渡しを行う構成となっており、Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構２３とＰＥＢ用搬送機構２２とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入できるように開口部１６ａが形成されている（図１、図９参照）。また、４つのＣＰには、それぞれ熱処理部用搬送機構２３とＳＣ用搬送機構２４とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入できるように開口部１６ａが形成されている（図１、図９参照）。
【００７５】
ＳＤ側とは逆方向、すなわち奥側に配設されている熱処理部１６Ｇは、熱処理部用搬送機構２３側に開口部１６ａ（図１，９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構２３は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｇに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｇから基板Ｗを搬出する。また、３つのＨＰ，２つのＣＰを上から順に積層することで、熱処理部１６Ｇは構成されている。
【００７６】
インデクサ１側にあるＳＤセル１５Ａ側に配設されている熱処理部１６Ｈを、ＳＤセル１５Ｂ以外にＳＤセル１５Ａとも共有しており、この熱処理部１６Ｈは、上段からそれぞれ、Ｐａｓｓと、２つのＨＰと、２つのＣＰとを積層して構成されている。このうち、本実施形態の構成においては、この５段のうちの下から２段目のＣＰと下から４段目のＨＰとは、ＳＤ１５Ｂ用として用いられ、下から１段目のＣＰと下から３段目のＨＰとは、ＳＤセル１５Ａ用として用いられる。この熱処理部１６ＨのＰａｓｓには、熱処理部用搬送機構２３と後述するＳＤセル１５Ａ内に配置された熱処理部用搬送機構２３との間で基板の受け渡しが可能なように、それぞれ熱処理部用搬送機構２３、熱処理部用搬送機構２３に対峙した面にのみ開口部１６ａが形成されている（図１、図９参照）。熱処理部１６Ｈを構成するＳＤセル１５Ｂ用として用いられるＣＰとＨＰには、ＳＤセル１５Ｂ内に配置された熱処理部用搬送機構２３とのみ基板の受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構２３と対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。同様に、熱処理部１６Ｈを構成するＳＤセル１５Ａ用として用いられるＣＰとＨＰには、ＳＤセル１５Ａ内に配置される熱処理部用搬送機構２３とのみ基板の受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構２３と対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。
【００７７】
なお、上述した熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ，１６Ｈが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当する。また、ＳＤセル１５Ｂに単一の熱処理部（例えば、熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ，１６Ｈのうちの１つ）を設ける場合には、この単一の熱処理部が本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当することになる。また、熱処理部用搬送機構２３の負担にならない範囲でＳＤセル１５Ｂに複数個の熱処理部を設ける場合には、その複数個の熱処理部が本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当することになる。
【００７８】
インデクサ１側にあるＳＤセル１５Ａは、それぞれの構成が左右逆（ｙｚ平面に対して左右対称）に配設されている以外には、インターフェイス４側にあるＳＤセル１５Ｂと同様の構成をしているので、ＳＤセル１５Ａの説明を省略する。なお、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆは、ＣＰにおいて、熱処理部用搬送機構２３とＳＤ用搬送機構２４との間で基板を受け渡す機能を有するとともに、Ｐａｓｓにおいて熱処理部用搬送機構２３とＩＤ用搬送機構８との間で基板を受け渡す機能をも果たす。即ち、熱処理部１６ＦのＣＰは、熱処理部用搬送機構２３とＳＤ用搬送機構２４とに対峙する面にのみ開口部１６ａが形成され、Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構２３とＩＤ用搬送機構８とに対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。また、２つのＳＤセル１５を設けた理由は、一方のＳＤセル１５内にある２つのＳＤで基板Ｗがともに処理されているときに、ＰＥＢ後の別の基板Ｗを他方のＳＤセル１５内にあるＳＤで処理するためである。
【００７９】
このように、処理ブロック３は、ＢＡＲＣセル１２とＳＤセル１５Ａとからなる第１の処理ユニット９、ＳＣセル１３とＳＤセル１５Ｂとからなる第２の処理ユニット１０、２階側にあるＰＥＢセル１４と１階側にあるＰＥＢセル１４とからなる第３の処理ユニット１１から構成されている。
【００８０】
そして、１階側に関しては、熱処理部用搬送機構１７と熱処理部用搬送機構１９とが、熱処理部１６（１６Ａ〜１６Ｅ）のうち、熱処理部１６Ｃに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１７，１９がその熱処理部１６Ｃを共有し、熱処理部用搬送機構１７とＳＣ用搬送機構１８とが、熱処理部１６Ａに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１７，１８がその熱処理部１６Ａを共有し、熱処理部用搬送機構１９とＳＣ用搬送機構２０とＥＥ用搬送機構２１とが、熱処理部１６Ｄに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１９，２０，２１がその熱処理部１６Ｄを共有する。つまり、これらの熱処理部１６Ａ，１６Ｃ，１６Ｄと、これらの搬送機構１７〜２１とを連ねることで、各熱処理部１６・ＳＣ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２５を構成している。また、処理部搬送経路２５は、図２中の矢印の方向で基板Ｗが受け渡されて搬送される。また、これらの搬送機構１７〜２０によって共有された熱処理部１６Ａ，１６Ｃ，１６Ｄが配設されている位置は、本発明における境界部に相当する。
【００８１】
２階側に関しては、ＳＤセル１５ＡおよびＳＤセル１５Ｂの各々の熱処理部用搬送機構２３が、熱処理部１６（１６Ｆ〜１６Ｇ）のうち、熱処理部１６Ｈに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２３がその熱処理部１６Ｈを共有し、ＰＥＢ用搬送機構２２とＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３とＳＤセル１５Ｂ内のＳＤ用搬送機構２４とが、ＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２２〜２４がその熱処理部１６Ｆを共有し、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部用搬送機構２３とＳＤセル１５Ａ内のＳＤ用搬送機構２４とが、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２３，２４がその熱処理部１６Ｆを共有する。つまり、これらの熱処理部１６Ｆ，１６Ｈと、これらの搬送機構２２〜２４を連ねることで、各熱処理部１６・ＳＤ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２６を構成している。また、処理部搬送経路２６は、図３中の矢印の方向で基板Ｗが受け渡されて搬送される。また、これらの搬送機構２２〜２４によって共有された熱処理部１６Ｆ，１６Ｈが配設されている位置も、本発明における境界部に相当する。
【００８２】
つまり、処理部搬送経路２５，２６が、上下に２階の階層構造で構成されていることになる。また、１階の処理部搬送経路２５および２階の処理部搬送経路２６が、インデクサ１にそれぞれ連結されるとともに、１階の処理部搬送経路２５および２階の処理部搬送経路２６が、インターフェイス４にそれぞれ連結されていることにより、これらの処理部搬送経路２５，２６が交互に逆方向に折り返して連結される。これらの処理部搬送経路２５，２６が交互に逆方向に折り返して連結されることにより、処理部搬送経路２５は、基板Ｗが順方向に搬送される行き専用経路で構成され、処理部搬送経路２６は、基板Ｗが逆方向に搬送される帰り専用経路で構成される。
【００８３】
次に、熱処理部用搬送機構１７，１９，２３，ＳＣ用搬送機構１８，２０，ＥＥ用搬送機構２１，ＳＤ用搬送機構２４の具体的構成について、図５〜図７を参照して説明する。なお、上述したように、これらの搬送機構は同じ構成からなるので、熱処理部用搬送機構１７のみについて説明する。熱処理部用搬送機構１７は、図５（ａ）の平面図、および図５（ｂ）の右側面図に示すように、固定した昇降軸であるｚ軸周り（矢印ＲＥの方向）にアーム基台１７ａを回転可能に構成する回転駆動機構１７ｂと、固定した昇降軸であるｚ軸（矢印ＲＦの方向）に沿ってアーム基台１７ａを昇降移動可能に構成するｚ軸昇降機構１７ｃとを備えている。このアーム基台１７ａには基板Ｗを保持するアーム１７ｄが備えられており、このアーム１７ｄは、回転半径方向である矢印ＲＧ方向に進退移動可能に構成されている。このアーム１７ｄは、本発明における基板保持部に相当する。
【００８４】
ＩＤ用搬送機構８の回転駆動機構８ｄと同様に、回転駆動機構１７ｂは、図５（ｂ）に示すように、上述したアーム基台１７ａ、アーム基台１７ａを軸心周りに回転させるモータ１７ｅ、および、アーム基台１７ａとモータ１７ｅとを支持する支持部材１７ｆを備えている。モータ１７ｅの回転によって、アーム基台１７ａがアーム１７ｄとともに矢印ＲＥの方向に回転される。
【００８５】
ｚ軸昇降機構１７ｃは、図５（ｂ）に示すように、螺軸１７ｇと、この螺軸１７ｇを軸心周りに回転させるモータ１７ｈとを備えており、この螺軸１７ｇには上述した回転駆動機構１７ｂが取り付けられている。モータ１７ｈの回転によって、螺軸１７ｇに取り付けられた回転駆動機構１７ｂが矢印ＲＦの方向に移動される。また、このｚ軸昇降機構１７ｃは、上述したように固定されているので、ＩＤ用搬送機構８のｚ軸昇降機構８ｃのようにｙ軸方向（矢印ＲＡの方向）には移動されない。
【００８６】
このように構成されることで、アーム基台１７ａのアーム１７ｄに保持された基板Ｗは、矢印ＲＥの方向に回転し、矢印ＲＦの方向に移動し、矢印ＲＧ方向に進退移動可能となる。また、ｚ軸昇降機構１７ｃは、図６（ａ）に示すように、熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ側への３方向以外である手前側への方向、すなわちＳＣ側への方向の所定位置に固定される。これにより基板Ｗは、熱処理部用搬送機構１７によって熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ間で受け渡される。
【００８７】
熱処理部用搬送機構１７と同様に、熱処理部用搬送機構１９，熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構１９ｃ，２３ｃについても、図６（ａ）に示すような方向、すなわち熱処理部用搬送機構１９の場合はＳＣ側、熱処理部用搬送機構２３の場合はＳＤ側への方向の所定位置に固定される。
【００８８】
ＳＣ用搬送機構１８，インデクサ１側にあるＳＤセル１５Ａ内のＳＤ用搬送機構２４のｚ軸昇降機構１８ｃ，２４ｃについては、図６（ｂ）に示すような方向、すなわちインデクサ１側への方向の所定位置に固定され、これにより基板Ｗは、これらの各搬送機構１８，２４によって，ＳＣ用搬送機構１８の場合はＳＣと熱処理部１６Ａとの間で、ＳＤ用搬送機構２４の場合はＳＤと熱処理部１６Ｆとの間でそれぞれ受け渡される。
【００８９】
ＳＣ用搬送機構２０，インターフェイス４側にあるＳＤセル１５Ｂ内のＳＤ用搬送機構２４のｚ軸昇降機構２０ｃ，２４ｃについては、図７（ａ）に示すような方向、すなわちインターフェイス４側への方向の所定位置に固定され、これにより基板Ｗは、これらの各搬送機構２０，２４によって，ＳＣ用搬送機構２０の場合はＳＣと熱処理部１６Ｄとの間で、ＳＤ用搬送機構２４の場合はＳＤと熱処理部１６Ｆとの間でそれぞれ受け渡される。
【００９０】
ＥＥ用搬送機構２１のｚ軸昇降機構２１ｃについては、図７（ｂ）に示すような方向、すなわち手前側への方向の所定位置に固定され、これにより基板Ｗは、ＥＥ用搬送機構２１によって，熱処理部１６ＤとＥＥとインターフェイス４内の後述するＩＦ用載置台３０との間で受け渡される。
【００９１】
これらの搬送機構１７〜２０，２３，２４は、本発明における基板搬送手段に相当する。
【００９２】
次に、ＰＥＢ用搬送機構２２の具体的構成について、図８を参照して説明する。ＰＥＢ用搬送機構２２は、図８（ａ）の平面図、図８（ｂ）の側面図、および図８（ｃ）の正面図に示すように、矢印ＲＨの方向に（ｚ方向）にアーム基台２２ａを昇降移動可能に構成する筒状のｚ軸昇降機構２２ｂ、そのｚ軸昇降機構２２ｂをｚ軸周り（矢印ＲＩの方向）に回転可能に構成するモータ２２ｃを備えている。このアーム基台２２ａには基板Ｗを保持するアーム２２ｄが備えられており、このアーム２２ｄは、回転半径方向である矢印ＲＪ方向に進退移動可能に構成されている。
【００９３】
筒状のｚ軸昇降機構２２ｂは、図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、空洞になっており、この空洞部に上述したアーム基台２２ａが収容されている。また、アーム２２ｄが進退移動する際に通過することができるように、ｚ軸昇降機構２２ｂに開口部２２ｅが設けられている。さらに、ｚ軸昇降機構２２ｂは、図８（ｂ）に示すように、螺軸２２ｆと、この螺軸２２ｆを軸心周りに回転させるモータ２２ｇとを備えており、この螺軸２２ｆにはアーム基台２２ａが取り付けられている。モータ２２ｇの回転によって、螺軸２２ｆに取り付けられたアーム基台２２ａが矢印ＲＨの方向に移動される。
【００９４】
ｚ軸昇降機構２２ｂの底部には、上述したモータ２２ｃが取り付けられており、モータ２２ｃの回転によって、ｚ軸昇降機構２２ｂ自体が、ｚ軸昇降機構２２ｂ内に収容されたアーム基台２２ａおよびアーム２２ｄとともに矢印ＲＩの方向に回転される。
【００９５】
このように構成されることで、アーム基台２２ａのアーム２２ｄに保持された基板Ｗは、矢印ＲＩの方向に回転し、矢印ＲＨの方向に移動し、矢印ＲＪ方向に進退移動可能となる。これにより基板Ｗは、ＰＥＢ用搬送機構２２によって、ＰＥＢ，ＣＰ，インターフェイス４内の後述するＩＦ用載置台３０，およびＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆ間で受け渡される。
【００９６】
また、搬送機構１７〜２１，２３，２４の場合には、固定した昇降軸で構成されたｚ軸昇降機構が取り付けられている方向には基板Ｗを受け渡すことができないが、ＰＥＢ用搬送機構２２の場合には、固定されたｚ軸昇降機構の替わりに筒状のｚ軸昇降機構２２ｂが取り付けられており、そのｚ軸昇降機構２２ｂ自体が回転可能となっているので、水平面内の全ての方向に基板Ｗを受け渡すことができる。
【００９７】
その反面、ｚ軸昇降機構２２ｂがｚ軸周り（矢印ＲＩの方向）に回転するので、搬送機構１７〜２１，２３，２４と比較して、構造が複雑になってしまう。また、搬送機構１７〜２１，２３，２４の場合には、固定した昇降軸で構成されたｚ軸昇降機構が取り付けられている方向以外から搬送機構１７〜２１，２３，２４を保守することができるのに対し、ＰＥＢ用搬送機構２２の場合には、ｚ軸昇降機構２２ｂが筒状になっており、その開口部２２ｅからしかＰＥＢ用搬送機構２２を保守することができない。従って、保守性の面においても搬送機構１７〜２１，２３，２４の方がＰＥＢ用搬送機構２２よりも優れている。
【００９８】
次に、熱処理部１６（１６Ａ〜１６Ｇ）の具体的構成について、図９，１０を参照して説明する。なお、図９では熱処理部１６の周辺にある搬送機構などについては、図示を省略する。図９に示すように、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆと、熱処理部１６Ａとが２階部分から１階部分まで上から順に積層されている。同様に、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部１６Ｇと、熱処理部１６Ｂとが上から順に積層されており、熱処理部１６Ｈと、熱処理部１６Ｃとが上から順に積層されており、ＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆと、熱処理部１６Ｄとが上から順に積層されており、ＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｇと、熱処理部１６Ｅとが上から順に積層されている。
【００９９】
各熱処理部１６の底部には、レール２７がそれぞれ敷かれており、各々のレール２７は、定常位置でもある各搬送機構１７〜２０，２３，２４の手前の位置Ｃから退避位置Ｄまで延在するようにそれぞれ構成されている。各々のレール２７に各熱処理部１６が搭載されているので、実施例装置、特に各搬送機構１７〜２０，２３，２４をそれぞれ保守（メンテナンス）するときには、図１０に示すように、各々のレール２７上で各熱処理部１６を定常位置Ｃから退避位置Ｄまでそれぞれ移動することで、メンテナンスゾーンＥが確保される。
【０１００】
図１〜３に戻って、インターフェイス４の具体的構成について説明する。インターフェイス４（以下、適宜『ＩＦ』と略記する）は、ＩＦ用搬送経路２８とＩＦ用搬送機構２９とＩＦ用載置台３０とから構成されている。ＩＦ用搬送経路２８は、図２，３に示すように、インデクサ１のＩＤ用搬送経路７と平行に形成されている。ＩＦ用搬送機構２９は、ＩＦ用搬送経路２８上を移動することで、ＩＦ用載置台３０と、図２，３中の二点鎖線で示した露光装置（ステッパ）ＳＴＰとの間で基板Ｗを搬送する。この露光装置ＳＴＰは、本実施例装置とは別体の装置で構成されるとともに、かつ本実施例装置に連設可能に構成されており、本実施例装置と露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行わないときには、本実施例装置のインターフェイス４から露光装置ＳＴＰを退避させてもよい。
【０１０１】
ＩＦ用搬送機構２９の具体的構成については、図４に示したＩＤ用搬送機構８のｚ軸昇降機構８ｃの取り付け位置が相違する以外には、ＩＤ用搬送機構８と同様の構成であるので、その説明を省略する。
【０１０２】
ＩＦ用載置台３０は、図１に示すように、２階側にあるＰＥＢセル１４のＰＥＢ用搬送機構２２，ＩＦ用搬送機構２９間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２階専用のＰａｓｓと、１階側にあるＰＥＢセル１４のＥＥ用搬送機構２１，ＩＦ用搬送機構２９間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する１階専用のＰａｓｓとが積層されている。両Ｐａｓｓ間および２階専用のＰａｓｓの上側には、基板Ｗをそれぞれ仮置きするための複数のバッファ（以下、『ＢＦ』と呼ぶ）がそれぞれ積層されている。２階専用のＰａｓｓ，２階専用の複数の各ＢＦ，１階専用のＰａｓｓ，１階専用の各ＢＦが、熱処理部１６と同様に２階部分から１階部分まで上から順に積層されている。
【０１０３】
両Ｐａｓｓは、ＰＥＢセル１４側とＩＦ用搬送機構２９側との両方向にそれぞれ開口されており、これらの開口を介して、１階側のＰＥＢセル１４内のＥＥ用搬送機構２１、および２階側のＰＥＢセル１４内のＰＥＢ用搬送機構２２と、ＩＦ用搬送機構２９との間で基板Ｗの受け渡しがそれぞれ行われる。また、１階専用のＢＦおよび２階専用のＢＦは、それぞれ少なくともＩＦ用搬送機構２９側に開口されており、この開口を介してＩＦ用搬送機構２９との間で基板の受け渡しが行われる。
【０１０４】
続いて、基板処理装置用ユニットとしてのＢＡＲＣセル１２とＳＣセル１３とＳＤセル１５Ａ，１５Ｂのそれぞれのフレーム構成について、図１１，図１２を用いて説明する。図１１は、基板処理装置用ユニットとしてのＢＡＲＣセル１２とＳＣセル１３とＳＤセル１５Ａ，１５Ｂのそれぞれのフレーム構成を示す概略斜視図であり、図１２は、基板処理装置用ユニットとしてのセルを、左右に２個、上下に２個組み上げた状態を示す概略斜視図である。
【０１０５】
すなわち、図１１に示すように、各セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂの右側面に開口部Ｆａを、左側面に開口部Ｆｂを、正面に開口部Ｆｃを、背面に開口部Ｆｄをそれぞれ設ける。これら開口部Ｆａ〜Ｆｄが設けられることで、開口部Ｆａ〜Ｆｄ以外の各セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂの外壁部分が、外枠のフレームＦとしてそれぞれ構成される。この実施例では、例えば、各セル１２，１３，１５Ａ，１５ＢのフレームＦを同一形状で同一大きさのものとしている。また、各セル１２，１３，１５Ａ，１５ＢのフレームＦの上面の四隅には、上方向に突出した嵌合ピンＰ１がそれぞれ設けられている。また、各セル１２，１３，１５Ａ，１５ＢのフレームＦの下面の四隅には、上述の嵌合ピンＰ１に嵌合させるための嵌合穴Ｐ２がそれぞれ設けられている。上下に積み上げる２つのセルのフレームＦ同士を、下側に位置させるフレームＦの上面の嵌合ピンＰ１と、このフレームＦに積み上げて上側に位置させるフレームＦの下面の嵌合穴Ｐ２とを勘合させて積み上げることで、上下方向に多数段のセルを組み上げていくことができるようになっている。本実施例では、例えば、ＢＡＲＣセル１２の上にＳＤセル１５Ａを積み上げ、ＳＣセル１３の上にＳＤセル１５Ｂを積み上げている。
【０１０６】
なお、上述した嵌合ピンＰ１および嵌合穴Ｐ２からなる嵌合部材で上下方向のセル同士を連結させているが、例えば金具などの接続部材や、ボルトおよびナットなどの締結部材などで、上下方向のセル同士を連結させるようにしてもよい。
【０１０７】
さらに、図１２に示すように、左右方向に隣接する２つのセルのフレームＦ同士を、互いに接続部材ｆ（例えば金具）で連結することで、一方のセルの右側面における開口部Ｆａが他方のセルの左側面における開口部Ｆｂに一致し、隣接するセルが連通接続される。これによって各セル内の処理部搬送経路２５，２６も、セル間にまたがって連通接続される。このように構成することで、基板処理装置用ユニットとしてのセル（例えば、セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂ）を、左右方向（基板Ｗの搬送方向）および上下方向に並べて配設することができる。また、基板の処理枚数に応じて、各セルを増加させることも容易に行うことができるし、必要であればセルを削減することも容易に行うことができる。
【０１０８】
なお、上述した接続部材ｆで左右方向に隣接するセル同士を連結させているが、嵌合ピンＰ１および嵌合穴Ｐ２からなる嵌合部材や、ボルトおよびナットなどの締結部材などで、左右方向に隣接するセル同士を連結させるようにしてもよい。
【０１０９】
続いて、この実施例の基板処理装置を組み立てる組立方法について、図１１〜図１３を用いて説明する。図１３（ａ）は、用力用の母管をセルに取り付けた状態を示す概略斜視図であり、図１３（ｂ）は、用力用の母管とセルとを接続した状態を示す概略斜視図である。なお、図１１〜図１３には、説明の便宜上、フレームＦ内に収納される処理部（ＳＣ、ＳＤ、熱処理部１６Ａ〜１６Ｈ）などの図示を省略している。
【０１１０】
まず、図１１に示す基板処理装置用ユニットとしてのセル（例えば、セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂ）を、図１２に示すように、相互に連結して装置本体ＦＨを組み立てる。具体的には、ＢＡＲＣセル１２上にＳＤセル１５Ａを積み上げ、ＳＣセル１３上にＳＤセル１５Ｂを積み上げ、これらを左右方向（基板Ｗの搬送方向）に並べて連結させる。なお、組み上げの順番はこれに限定されるものではなく、セルを左右方向に連結させて１階部分を完成させてから、その上にセルを積み上げるなど、作業効率の良いように任意の順番に行えば良い。上述した装置本体ＦＨの組み立てが本発明における組立過程に相当する。
【０１１１】
また、多段（本実施例では例えば２段）に積み上げたうちの最下位のセルの下面側の四隅などに車輪部を設けたりして、移動性を向上させてもよい。各セルを個別に搬送し、現地で各セルを連結させて組み上げるようにしてもよいが、例えば、セルを多段（例えば２段）に積み上げて予め所定の大きさまで組み上げておき、その最下位のセルに上述の車輪部を設けて移動させ、多段に組まれたセルを現地で左右方向に連結させたり、あるいは、セルを左右方向に連結させて予め所定の大きさまで組み上げておき、その最下位のセルに上述の車輪部を設けて移動させ、左右方向に連結されたセルを現地で多段（例えば２段）に積み上げたりして、組み上げるようにしてもよい。
【０１１２】
次に、図１３（ａ）に示すように、用力用の母管ＢＫを、セル間を貫通するように通す。例えば、用力用の母管ＢＫを、ＢＡＲＣセル１２およびＳＣセル１３の背面側に並設させる。用力用の母管ＢＫとは、例えば、基板処理装置で必要とされる、電力や窒素（Ｎ2 ）ガスや純水や排気系や排液系などの各種の管・ケーブルが管内に一括して挿入されたものである。この用力用の母管ＢＫの管内に通された、電力や窒素（Ｎ2 ）ガスや純水や排気系や排液系などの各種の管・ケーブルの一端は、用力用の母管ＢＫの外周部の各コネクタ部Ｃまで接続されていて、その他端は、この基板処理装置を設置する施設側に接続されている。上述した用力用の母管ＢＫの貫通が本発明における貫通過程に相当する。
【０１１３】
次に、図１３（ｂ）に示すように、各セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂと用力用の母管ＢＫとを接続する。例えば、各セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂからの各種の管・ケーブルＣＡを、用力用の母管ＢＫの外周部の各コネクタ部Ｃに接続する。上述した各セルと用力用の母管ＢＫとの接続が本発明における接続過程に相当する。
【０１１４】
このようにして基板処理装置を組み立てることで、基板処理装置を効率良く組み上げることができ、各セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂからの各種の管・ケーブルＣＡなどが散在することもないので、作業者などの安全性を向上させることができる。
【０１１５】
続いて、本実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理について、図１４，図１５のフローチャートおよび図１６を参照して説明する。なお、各処理において複数枚の基板Ｗが並行して行われるが、１枚の基板Ｗのみに注目して説明する。
【０１１６】
（ステップＳ１）インデクサでの搬送
カセット載置台２に載置されたカセットから１枚の基板Ｗを取り出すために、ＩＤ用搬送機構８のｙ軸移動機構８ｂは、ｚ軸昇降機構８ｃごとアーム基台８ａをＩＤ用搬送経路７上で矢印ＲＡの方向に移動させて、ｚ軸昇降機構８ｃはアーム基台８ａを矢印ＲＢの方向に下降させつつ、回転駆動機構８ｄはアーム基台８ａを矢印ＲＣの方向に回転させる。そして、アーム８ｅを矢印ＲＤの方向に前進させて、前進されたアーム８ｅがカセット内の１枚の基板Ｗを保持する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム８ｅを矢印ＲＤの方向に後退させる。
【０１１７】
（ステップＳ２）Ｐａｓｓでの受け渡し
ＩＤ用搬送機構８は、ＢＡＲＣセル１２内の熱処理部用搬送機構１７に基板Ｗを渡すために、ＢＡＲＣセル１２内の熱処理部１６ＡのＰａｓｓに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、ＩＤ用搬送機構８のｙ軸移動機構８ｂは、ｚ軸昇降機構８ｃごとアーム基台８ａをＩＤ用搬送経路７上で移動させて、ｚ軸昇降機構８ｃおよび回転駆動機構８ｄは、アーム基台８ａを上昇および回転させる。そして、アーム８ｅを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム８ｅを後退させる。
【０１１８】
（ステップＳ３）ＡＨＬ処理
Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃは、回転駆動機構１７ｂごとアーム基台１７ａを矢印ＲＦの方向に上昇させて、回転駆動機構１７ｂはアーム基台１７ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム１７ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄを後退させる。
【０１１９】
そして、熱処理部１６ＡのＡＨＬで処理するために、Ｐａｓｓの下に積層されているＡＨＬまで移動するように、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃは、回転駆動機構１７ｂごとアーム基台１７ａを下降させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、ＡＨＬの開口部１６ａを通して、基板ＷをＡＨＬに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。
【０１２０】
ＡＨＬに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗとフォトレジスト膜との密着性を向上させるためにＡＨＬ（アドヒージョン）処理が行われる。
【０１２１】
なお、ＡＨＬから次のＣＰに基板Ｗを渡すときも、熱処理部用搬送機構１７によって行われるので、ＡＨＬ処理が終了するまで、ＡＨＬの前で熱処理部用搬送機構１７を待機させてもよいが、処理効率を向上させるために、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂはアーム基台１７ａを昇降および回転させて、ＡＨＬ処理が終了するまでの間、他の基板Ｗを搬送してもよい。
【０１２２】
（ステップＳ４）ＣＰ処理
ＡＨＬ処理が終了すると、ＡＨＬに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂはアーム基台１７ａを昇降および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、ＡＨＬの開口部１６ａを通して、基板ＷをＡＨＬから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄを後退させる。
【０１２３】
そして、熱処理部１６ＡのＣＰで処理するために、ＡＨＬの下に積層されているＣＰまで移動するように、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃは、回転駆動機構１７ｂごとアーム基台１７ａを下降させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。
【０１２４】
ＣＰに載置された基板Ｗに対して、ＡＨＬで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つためにＣＰ処理が行われる。
【０１２５】
（ステップＳ５）ＢＡＲＣ処理
ＣＰ処理が終了すると、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１８のｚ軸昇降機構１８ｃは、回転駆動機構１８ｂごとアーム基台１８ａを矢印ＲＦの方向に昇降させて、回転駆動機構１８ｂはアーム基台１８ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム１８ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１８ｄを後退させる。
【０１２６】
そして、ＢＡＲＣセル１２内のＳＣで処理するために、ＳＣ用搬送機構１８のｚ軸昇降機構１８ｃおよび回転駆動機構１８ｂは、アーム基台１８ａを下降および回転させる。そして、アーム１８ｄを前進させて、基板ＷをＳＣのスピンチャック（図示省略）に載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１８ｄを後退させる。
【０１２７】
ＳＣに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながら反射防止膜を塗布形成するＢＡＲＣ処理が行われる。
【０１２８】
（ステップＳ６）ＣＰでの受け渡し
ＢＡＲＣ処理が終了すると、ＳＣに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１８のｚ軸昇降機構１８ｃおよび回転駆動機構１８ｂは、アーム基台１８ａを下降および回転させる。そして、アーム１８ｄを前進させて、基板ＷをＳＣから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１８ｄを後退させる。
【０１２９】
そして、熱処理部１６ＡのＣＰに搬入するために、ＳＣ用搬送機構１８のｚ軸昇降機構１８ｃおよび回転駆動機構１８ｂは、アーム基台１８ａを上昇および回転させる。そして、アーム１８ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１８ｄを後退させる。このとき、基板Ｗを冷却する必要があれば、このＣＰでＣＰ処理を行ってもよい。
【０１３０】
（ステップＳ７）ＨＰ処理
ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂは、アーム基台１７ａを昇降および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄを後退させる。
【０１３１】
そして、ＢＡＲＣセル１２内の熱処理部１６ＢのＨＰで処理するために、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂは、アーム基台１７ａを昇降および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、ＨＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＨＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。
【０１３２】
ＨＰに載置された基板Ｗに対して、ＢＡＲＣ処理後の基板Ｗを加熱するＨＰ（ベーク）処理が行われる。
【０１３３】
（ステップＳ８）Ｐａｓｓでの受け渡し
ＨＰ処理が終了すると、ＨＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂは、アーム基台１７ａを昇降および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、ＨＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＨＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄを後退させる。
【０１３４】
そして、ＳＣセル１３内の熱処理部用搬送機構１９に基板Ｗを渡すために、熱処理部用搬送機構１７は、熱処理部１６ＣのＰａｓｓに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、熱処理部用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂは、アーム基台１７ａを上昇および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。
【０１３５】
（ステップＳ９）ＣＰでの受け渡し
Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１９のｚ軸昇降機構１９ｃは、回転駆動機構１９ｂごとアーム基台１９ａを矢印ＲＦの方向に上昇させて、回転駆動機構１９ｂはアーム基台１９ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム１９ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１９ｄを後退させる。
【０１３６】
そして、熱処理部１６ＤのＣＰに搬入するために、熱処理部用搬送機構１９のｚ軸昇降機構１９ｃおよび回転駆動機構１９ｂは、アーム基台１９ａを下降および回転させる。そして、アーム１９ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１９ｄを後退させる。ＣＰでは、基板に冷却処理が行われる。
【０１３７】
（ステップＳ１０）ＳＣ処理
ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構２０のｚ軸昇降機構２０ｃは、回転駆動機構２０ｂごとアーム基台２０ａを矢印ＲＦの方向に昇降させて、回転駆動機構２０ｂはアーム基台２０ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム２０ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２０ｄを後退させる。
【０１３８】
そして、ＳＣセル１３内のＳＣで処理するために、ＳＣ用搬送機構２０のｚ軸昇降機構２０ｃおよび回転駆動機構２０ｂは、アーム基台２０ａを下降および回転させる。そして、アーム２０ｄを前進させて、基板ＷをＳＣのスピンチャック（図示省略）に載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２０ｄを後退させる。
【０１３９】
ＳＣに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながらレジスト塗布を行うＳＣ処理が行われる。
【０１４０】
（ステップＳ１１）ＣＰでの受け渡し
ＳＣ処理が終了すると、ＳＣに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構２０のｚ軸昇降機構２０ｃおよび回転駆動機構２０ｂは、アーム基台２０ａを下降および回転させる。そして、アーム２０ｄを前進させて、基板ＷをＳＣから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２０ｄを後退させる。
【０１４１】
そして、熱処理部１６ＤのＣＰに搬入するために、ＳＣ用搬送機構１８のｚ軸昇降機構１８ｃおよび回転駆動機構１８ｂは、アーム基台２０ａを上昇および回転させる。そして、アーム２０ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２０ｄを後退させる。このとき、基板Ｗを冷却する必要があれば、このＣＰでＣＰ処理を行ってもよい。
【０１４２】
（ステップＳ１２）ＨＰ処理
ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１９のｚ軸昇降機構１９ｃおよび回転駆動機構１９ｂは、アーム基台１９ａを昇降および回転させる。そして、アーム１９ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１９ｄを後退させる。
【０１４３】
そして、ＳＣセル１３内の熱処理部１６ＥのＨＰで処理するために、熱処理部用搬送機構１９のｚ軸昇降機構１９ｃおよび回転駆動機構１９ｂは、アーム基台１９ａを昇降および回転させる。そして、アーム１９ｄを前進させて、ＨＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＨＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１９ｄを後退させる。
【０１４４】
ＨＰに載置された基板Ｗに対して、ＳＣ処理後の基板Ｗを加熱するＨＰ（ベーク）処理が行われる。
【０１４５】
（ステップＳ１３）ＣＰ処理
ＨＰ処理が終了すると、ＨＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１９のｚ軸昇降機構１９ｃおよび回転駆動機構１９ｂは、アーム基台１９ａを昇降および回転させる。そして、アーム１９ｄを前進させて、ＨＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＨＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１９ｄを後退させる。
【０１４６】
そして、熱処理部１６ＤのＣＰで処理するために、熱処理部用搬送機構１９のｚ軸昇降機構１９ｃおよび回転駆動機構１９ｂは、アーム基台１９ａを昇降および回転させる。そして、アーム１９ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１９ｄを後退させる。
【０１４７】
ＣＰに載置された基板Ｗに対して、ＨＰで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つためにＣＰ処理が行われる。
【０１４８】
（ステップＳ１４）Ｐａｓｓでの受け渡し
ＣＰ処理が終了すると、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１９のｚ軸昇降機構１９ｃは、回転駆動機構１９ｂごとアーム基台１９ａを矢印ＲＦの方向に昇降させて、回転駆動機構１９ｂはアーム基台１９ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム１９ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２１ｄを後退させる。
【０１４９】
そして、ＰＥＢセル１４内のＥＥ用搬送機構２１に基板を渡すために、熱処理部用搬送機構１９は、熱処理部１６ＤのＰａｓｓに基板を載置する。具体的に説明すると、熱処理部用搬送機構１９のｚ軸昇降機構１９ｃおよび回転駆動機構１９ｂは、アーム基台１９ａを上昇および回転させる。そして、アーム１９ｄを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通じて、基板ＷをＰａｓｓに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１９ｄを後退させる。
【０１５０】
（ステップＳ１５）ＥＥ処理
Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、ＥＥ用搬送機構２１のｚ軸昇降機構２１ｃは、回転駆動機構２１ｂごとアーム基台２１ａを矢印ＲＦの方向に上昇させて、回転駆動機構２１ｂはアーム基台２１ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム２１ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２１ｄを後退させる。
【０１５１】
そして、１階側にあるＰＥＢセル１４内のＥＥで処理するために、ＥＥ用搬送機構２１のｚ軸昇降機構２１ｃおよび回転駆動機構２１ｂは、アーム基台２１ａを昇降および回転させる。そして、アーム２１ｄを前進させて、ＥＥの開口部１６ａを通して、基板ＷをＥＥに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２１ａを後退させる。
【０１５２】
ＥＥに載置された基板Ｗに対して、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するＥＥ（エッジ露光）処理が行われる。
【０１５３】
（ステップＳ１６）Ｐａｓｓでの受け渡し
ＥＥでのエッジ露光処理が終了すると、ＥＥに載置された基板Ｗを受け取るために、ＥＥ用搬送機構２１のｚ軸昇降機構２１ｃは、回転駆動機構２１ｂごとアーム基台２１ａを矢印ＲＦの方向に昇降させて、回転駆動機構２１ｂはアーム基台２１ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム２１ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、ＥＥの開口部１６ａを通して、基板ＷをＥＥから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２１ｄを後退させる。
【０１５４】
そして、インターフェイス４内のＩＦ用搬送機構２９に基板Ｗを渡すために、ＥＥ用搬送機構２１は、ＩＦ用載置台３０の下方のＰａｓｓに基板を載置する。具体的に説明すると、ＥＥ用搬送機構２１のｚ軸昇降機構２１ｃおよび回転駆動機構２１ｂは、アーム基台２１ａを上昇および回転させる。そして、アーム２１ｄを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通じて、基板ＷをＰａｓｓに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２１ｄを後退させる。
【０１５５】
（ステップＳ１７）ＢＦでの仮置き
Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、ＩＦ用搬送機構２９のｙ軸移動機構２９ｂは、ｚ軸昇降機構２９ｃごとアーム基台２９ａをＩＦ用搬送経路２８上で矢印ＲＡの方向に移動させて、ｚ軸昇降機構２９ｃはアーム基台２９ａを矢印ＲＢの方向に昇降させつつ、回転駆動機構２９ｄはアーム基台２９ａを矢印ＲＣの方向に回転させる（図４参照）。そして、アーム２９ｅを矢印ＲＤの方向に前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓから搬出する（図４参照）。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２９ｅを矢印ＲＤの方向に後退させる（図４参照）。そして、露光装置ＳＴＰにおける処理時間との関係で、基板Ｗに待ち時間が発生する場合には、ＩＦ用搬送機構２９を上昇させて１階専用のＢＦに基板Ｗを収納する。なお、基板Ｗに待ち時間が発生せずにそのまま露光処理が行われる場合には、このＢＦでの仮置きは省略される。
【０１５６】
（ステップＳ１８）インターフェイスでの搬送
ＢＦに載置された基板Ｗを受け取るために（もし、前述のステップＳ１７のＢＦでの仮置きが省略される場合にはＰａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために）、ＩＦ用搬送機構２９のｙ軸移動機構２９ｂは、ｚ軸昇降機構２９ｃごとアーム基台２９ａをＩＦ用搬送経路２８上で矢印ＲＡの方向に移動させて、ｚ軸昇降機構２９ｃはアーム基台２９ａを矢印ＲＢの方向に昇降させつつ、回転駆動機構２９ｄはアーム基台２９ａを矢印ＲＣの方向に回転させる。そして、アーム２９ｅを矢印ＲＤの方向に前進させて、ＰａｓｓもしくはＢＦの開口を通して、基板ＷをＰａｓｓもしくはＢＦから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２９ｅを矢印ＲＤの方向に後退させる。
【０１５７】
（ステップＳ１９）露光処理
インターフェイス４に連結された露光装置ＳＴＰで処理するために、ＩＦ用搬送機構２９のｙ軸移動機構２９ｂは、ｚ軸昇降機構２９ｃごとアーム基台２９ａをＩＦ用搬送経路２８上で移動させて、ｚ軸昇降機構２９ｃおよび回転駆動機構２９ｄは、アーム基台２９ａを昇降および回転させる。そして、アーム２９ｅを前進させて、露光装置ＳＴＰに搬入する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２９ｅを後退させる。露光装置ＳＴＰに搬入された基板Ｗに対して、基板Ｗの露光処理が行われる。
【０１５８】
（ステップＳ２０）インターフェイスでの搬送
露光処理が終了すると、露光装置ＳＴＰから搬出するために、ＩＦ用搬送機構２９のｙ軸移動機構２９ｂは、ｚ軸昇降機構２９ｃごとアーム基台２９ａをＩＦ用搬送経路２８上で移動させて、ｚ軸昇降機構２９ｃおよび回転駆動機構２９ｄは、アーム基台２９ａを昇降および回転させる。そして、アーム２９ｅを前進させて、基板Ｗを露光装置ＳＴＰから取り出す。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２９ｅを後退させる。
【０１５９】
（ステップＳ２１）Ｐａｓｓでの受け渡し
２階側にあるＰＥＢセル１４内のＰＥＢ用搬送機構２２に渡すために、インターフェイス４内のＩＦ用載置台３０にある２階専用のＰａｓｓに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、ＩＦ用搬送機構２９のｙ軸移動機構２９ｂは、ｚ軸昇降機構２９ｃごとアーム基台２９ａをＩＦ用搬送経路２８上で移動させて、ｚ軸昇降機構２９ｃおよび回転駆動機構２９ｄは、アーム基台２９ａを上昇および回転させる。そして、アーム２９ｅを前進させて、ＰａｓｓもしくはＢＦの開口を通して、基板ＷをＰａｓｓに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２９ｅを後退させる。
【０１６０】
もし、ＰＥＢ用搬送機構２２に渡すための時間調整が必要な事態が生じたような場合には、ＩＦ用搬送機構２９によって、２階専用のＢＦに基板Ｗを搬送して時間調整を行い、ＰＥＢ用搬送機構２２に受け渡せるようになった時点で、ＩＦ用搬送機構２９によって当該ＢＦからＰａｓｓまで基板Ｗを搬送する。
【０１６１】
（ステップＳ２２）ＰＥＢ処理
ＰａｓｓもしくはＢＦに載置された基板Ｗを受け取るために、ＰＥＢ用搬送機構２２のｚ軸昇降機構２２ｂは、アーム基台２２ａを矢印ＲＨの方向に昇降させて、モータ２２ｃはｚ軸昇降機構２２ｂごとアーム基台２２ａを矢印ＲＩの方向に回転させる。そして、開口部２２ｅを通して、アーム２２ｄを矢印ＲＪの方向に前進させて、基板ＷをＰａｓｓもしくはＢＦから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２２ｄを後退させる。
【０１６２】
そして、２階側にあるＰＥＢセル１４内のＰＥＢで処理するために、ＰＥＢ用搬送機構２２のｚ軸昇降機構２２ｂおよびモータ２２ｃはアーム基台２２ａを昇降および回転させる。そして、開口部２２ｅを通して、アーム２２ｄを前進させて、基板ＷをＰＥＢに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２２ａを後退させる。
【０１６３】
ＰＥＢに載置された基板Ｗに対して、露光処理後の基板Ｗを加熱するＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理が行われる。
【０１６４】
（ステップＳ２３）ＣＰ処理
ＰＥＢ処理が終了すると、ＰＥＢに載置された基板Ｗを受け取るために、ＰＥＢ用搬送機構２２のｚ軸昇降機構２２ｂおよびモータ２２ｃはアーム基台２２ａを昇降および回転させる。そして、アーム２２ｄを前進させて、ＰＥＢの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰＥＢから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２２ｄを後退させる。
【０１６５】
そして、２階側にあるＰＥＢセル１４内のＣＰで処理するために、ＰＥＢの下に積層されているＣＰまで移動するように、ＰＥＢ用搬送機構２２のｚ軸昇降機構２２ｂは、アーム基台２２ａを下降させる。そして、アーム２２ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２２ｄを後退させる。
【０１６６】
ＣＰに載置された基板Ｗに対して、ＰＥＢで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つためにＣＰ処理が行われる。
【０１６７】
（ステップＳ２４）Ｐａｓｓでの受け渡し
ＣＰ処理が終了すると、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＰＥＢ用搬送機構２２のｚ軸昇降機構２２ｂおよびモータ２２ｃはアーム基台２２ａを昇降および回転させる。そして、アーム２２ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２２ｄを後退させる。
【０１６８】
そして、ＳＤセル１５Ｂ内のＳＤ用搬送機構２４に渡すために、ＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６ＦのＰａｓｓに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、ＰＥＢ用搬送機構２２のｚ軸昇降機構２２ｂおよびモータ２２ｃはアーム基台２２ａを上昇および回転させる。そして、アーム２２ｄを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２２ａを後退させる。
【０１６９】
なお、ＳＤセル１５Ｂ内にある２つのＳＤで基板Ｗがともに処理されているときには、ＰＥＢ用搬送機構２２がＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６ＦのＰａｓｓに基板Ｗを載置して、Ｐａｓｓに載置された基板ＷをＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３が受け取り、さらに、ＳＤセル１５Ａ，１５Ｂが共有する熱処理部１６ＨのＰａｓｓにＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３が基板Ｗを載置して、Ｐａｓｓに載置された基板ＷをＳＤセル１５Ａ内の熱処理部用搬送機構２３が受け取り、さらに、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部１６ＦのＣＰにＳＤセル１５Ａ内の熱処理部用搬送機構２３が基板Ｗを載置して、ＳＤセル１５Ａ内のＳＤ用搬送機構２４が受け取った後にＳＤセル１５Ａ内のＳＤに載置して、ＳＤでＳＤ（現像）処理を行ってもよい。
【０１７０】
（ステップＳ２５）ＣＰでの受け渡し
Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃは、回転駆動機構２３ｂごとアーム基台２３ａを矢印ＲＦの方向に上昇させて、回転駆動機構２３ｂはアーム基台２３ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム２３ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２３ｄを後退させる。
【０１７１】
そして、熱処理部１６ＦのＣＰに載置するために、熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃおよび回転駆動機構２３ｂは、アーム基台２３ａを下降および回転させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２３ｄを後退させる。当該ＣＰでは、基板Ｗがより高精度に常温程度の温度になるように温度調整するようにしてもかまわない。
【０１７２】
（ステップＳ２６）ＳＤ処理
ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＤ用搬送機構２４のｚ軸昇降機構２４ｃは、回転駆動機構２４ｂごとアーム基台２４ａを矢印ＲＦの方向に上昇させて、回転駆動機構２４ｂはアーム基台２４ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム２４ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２４ｄを後退させる。
【０１７３】
そして、ＳＤセル１５Ｂ内のＳＤで処理するために、ＳＤ用搬送機構２４のｚ軸昇降機構２４ｃおよび回転駆動機構２４ｂは、アーム基台２４ａを下降および回転させる。そして、アーム２４ｄを前進させて、基板ＷをＳＤのスピンチャック（図示省略）に載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２４ｄを後退させる。
【０１７４】
ＳＤに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながら現像処理を行うＳＤ（現像）処理が行われる。
【０１７５】
（ステップＳ２７）ＣＰでの受け渡し
ＳＤ処理が終了すると、ＳＤに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＤ用搬送機構２４のｚ軸昇降機構２４ｃおよび回転駆動機構２４ｂは、アーム基台２４ａを下降および回転させる。そして、アーム２４ｄを前進させて、基板ＷをＳＤから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２４ｄを後退させる。
【０１７６】
そして、ＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３に基板Ｗを渡すために、ＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６ＦのＣＰに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、ＳＤ用搬送機構２４のｚ軸昇降機構２４ｃおよび回転駆動機構２４ｂは、アーム基台２４ａを上昇および回転させる。そして、アーム２４ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰ上に載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２４ｄを後退させる。
【０１７７】
（ステップＳ２８）ＨＰ処理
ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃは、回転駆動機構２３ｂごとアーム基台２３ａを矢印ＲＦの方向に上昇させて、回転駆動機構２３ｂはアーム基台２３ａを矢印ＲＥの方向に回転させる。そして、アーム２３ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて、ＣＰの開口部２３ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２３ｄを後退させる。
【０１７８】
そして、ＳＤセル１５Ｂ内の熱処理部１６ＧのＨＰで処理するために、熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃおよび回転駆動機構２３ｂは、アーム基台２３ａを昇降および回転させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、ＨＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＨＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２３ｄを後退させる。
【０１７９】
ＨＰに載置された基板Ｗに対して、ＳＤ処理後の基板Ｗを加熱するＨＰ（ベーク）処理が行われる。
【０１８０】
（ステップＳ２９）ＣＰ処理
ＨＰ処理が終了すると、ＨＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃおよび回転駆動機構２３ｂは、アーム基台２３ａを昇降および回転させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、ＨＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＨＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２３ｄを後退させる。
【０１８１】
そして、熱処理部１６ＧのＣＰに基板Ｗで処理するために、ＨＰの下に積層されているＣＰまで移動するように、熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃは、アーム基台２３ａを下降させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２３ｄを後退させる。
【０１８２】
ＣＰに載置された基板Ｗに対して、ＨＰで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つためにＣＰ処理が行われる。
【０１８３】
（ステップＳ３０）Ｐａｓｓでの受け渡し
ＣＰ処理が終了すると、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃおよび回転駆動機構２３ｂは、アーム基台２３ａを昇降および回転させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、ＣＰの開口部１６ａを通して、基板ＷをＣＰから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２３ｄを後退させる。
【０１８４】
そして、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部用搬送機構２３に渡すために、熱処理部１６ＨのＰａｓｓに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、基板Ｗを熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃおよび回転駆動機構２３ｂは、アーム基台２３ａを昇降および回転させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２３ｄを後退させる。
【０１８５】
（ステップＳ３１）Ｐａｓｓでの受け渡し
Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＤセル１５Ａ内にある熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃおよび回転駆動機構２３ｂは、アーム基台２３ａを昇降および回転させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２３ｄを後退させる。
【０１８６】
そして、インデクサ１内のＩＤ用搬送機構８に渡すために、ＳＤセル１５Ａ内の熱処理部１６ＦのＰａｓｓに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、ＳＤセル１５Ａ内にある熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構２３ｃおよび回転駆動機構２３ｂは、アーム基台２３ａを上昇および回転させる。そして、アーム２３ｄを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２３ｄを後退させる。
【０１８７】
（ステップＳ３２）インデクサでの搬送
Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを搬出するために、ＩＤ用搬送機構８のｙ軸移動機構８ｂは、ｚ軸昇降機構８ｃごとアーム基台８ａをＩＤ用搬送経路７上で移動させて、ｚ軸昇降機構８ｃおよび回転駆動機構８ｄは、アーム基台８ａを上昇および回転させる。そして、アーム８ｅを前進させて、Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板ＷをＰａｓｓから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム８ｅを後退させる。
【０１８８】
カセット載置台２に載置されたカセットに基板を収納するために、ＩＤ用搬送機構８のｙ軸移動機構８ｂは、ｚ軸昇降機構８ｃごとアーム基台８ａをＩＤ用搬送経路７上で移動させて、ｚ軸昇降機構８ｃおよび回転駆動機構８ｄは、アーム基台８ａを下降および回転させる。そして、アーム８ｅを前進させて、前進されたアーム８ｅがカセットに処理済でもある基板Ｗを収納する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム８ｅを後退させる。
【０１８９】
カセット内に所定枚数だけ処理済の基板Ｗが収納されると、カセットは、一連の基板処理が終了する。
【０１９０】
上述したように本実施例の基板処理装置用ユニットとしての各セル１２，１３，１５Ａ，１５Ｂは、基板Ｗに所定の処理を施す複数個の処理部と、各処理部との間で基板Ｗの受渡しを行うための複数個の基板搬送手段とを備えている。つまり、ＢＡＲＣセル１２では熱処理部１６Ａ〜１６Ｃに対する熱処理部用搬送機構１７とＳＣに対するＳＣ用搬送機構１８とを備えているし、ＳＣセル１３では熱処理部１６Ｃ〜１６Ｅに対する熱処理部用搬送機構１９とＳＣに対するＳＣ用搬送機構２０とを備えているし、ＳＤセル１５Ｂでは熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ，１６Ｈに対する熱処理部用搬送機構２３とＳＤに対するＳＤ用搬送機構２４とを備えているし、ＳＤセル１５Ａでは熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ，１６Ｈに対する熱処理部用搬送機構２３とＳＤに対するＳＤ用搬送機構２４とを備えている。したがって、従来例装置のように単一の基板搬送手段で複数個の処理部に対して基板搬送を行う必要がなく、各搬送機構１７〜２０，２３，２４の負担が小さくでき、各搬送機構１７〜２０，２３，２４のＭＴＢＦ（平均故障間動作時間：相隣る故障間における動作時間の期待値）を高くすることができ、基板処理装置用ユニットの信頼性を向上させることができる。
【０１９１】
また、基板処理装置用ユニットの一例としてのＳＣセル１３は、複数個の処理部として、基板Ｗに塗布液（例えばフォトレジスト液）を塗布するＳＣと、基板Ｗを熱処理するための熱処理部１６Ｃ〜１６Ｅとを備えているので、基板Ｗに対して塗布処理および熱処理が行えるユニットを実現できる。
【０１９２】
また、基板処理装置用ユニットの一例としてのＳＤセル１５Ａ，１５Ｂは、複数個の処理部として、塗布液が塗布された基板を現像するＳＤと、基板Ｗを熱処理するための熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ，１６Ｈとを備えているので、基板Ｗに対して現像処理および熱処理が行えるユニットを実現できる。
【０１９３】
ＳＣ用の基板搬送手段としてのＳＣ用搬送機構１８，２０でそれに対応するＳＣに基板搬送を行い、ＳＤ用の基板搬送手段としてのＳＤ用搬送機構２４でそれに対応するＳＤに基板搬送を行い、熱処理用の基板搬送手段としての熱処理部用搬送機構１７，１９，２３でそれに対応する熱処理部（熱処理部１６Ａ〜１６Ｃ、熱処理部１６Ｃ〜１６Ｅ、熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ）に基板搬送を行うこととしているので、熱処理部にアクセスすることで昇温される熱処理部用搬送機構１７，１９，２３で基板ＷをＳＣまたはＳＤに搬送することがないし、熱処理部用搬送機構１７，１９，２３から基板Ｗへの熱伝導によって基板温度が変化してＳＣまたはＳＤにその温度変化した基板Ｗが搬送されることを防止でき、熱分離することができる。
【０１９４】
また、各搬送機構１７〜２１，２３，２４は、固定した昇降軸周りに回転可能、昇降軸に沿って昇降移動可能、かつ回転半径方向に進退移動可能に構成された、基板を保持するためのアーム（例えば、熱処理部用搬送機構１７の場合はアーム１７ｄ）を備えている。アームによって保持される基板Ｗは、アームとともに、固定した昇降軸であるｚ軸周り（矢印ＲＥの方向）に回転し、固定した昇降軸であるｚ軸（矢印ＲＦの方向）に沿って昇降移動し、かつ回転半径方向（矢印ＲＧ方向）に進退移動可能となる。
【０１９５】
このように基板Ｗが移動することで、同一水平面内に連ねられた基板受け渡し部でもある、１階の熱処理部１６Ａ，１６Ｃ，１６Ｄが配設されている各位置（２階の場合には熱処理部１６Ｆ，１６Ｈが配設されている位置）を介して、同一水平面内に連ねられた搬送機構１７〜２１，２３，２４は基板を受け渡すことがそれぞれ可能となる。また、このように同一水平面内にこれらの熱処理部１６と搬送機構１７〜２１，２３，２４とを連ねることで、連ねられた熱処理部１６および搬送機構１７〜２１，２３，２４間で基板Ｗが搬送される。
【０１９６】
すなわち、これら搬送機構１７〜２１，２３，２４のうち、１階側にある搬送機構１７〜２１と、熱処理部１６Ａ，１６Ｃ，１６Ｄとを連ねることで、各熱処理部１６・ＳＣ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２５を構成している。また、これら搬送機構１７〜２１，２３，２４のうち、２階側にある搬送機構２３，２４（，ＰＥＢ用搬送機構２２）と、これらの熱処理部１６Ｆ，１６Ｈとを連ねることで、各熱処理部１６・ＳＤ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２６を構成している。
【０１９７】
このように処理部搬送経路２５，２６を構成しているので、これら搬送機構１７〜２１，２３，２４は、水平面内に関して、回転半径方向に進退移動可能のアームの他には、従来のように水平面内に移動させる、例えば螺軸などのような機構を必要としない。従って、螺軸などのような機構が処理部搬送経路２５，２６に沿って配設されることがない。これによって、処理部搬送経路２５，２６のような基板搬送経路の設計を自由に設定することができる。
【０１９８】
また、これら搬送機構１７〜２１，２３，２４にそれぞれ備えられているアームおよびアーム基台（熱処理部用搬送機構１７の場合はアーム基台１７ａ）が固定した昇降軸のｚ軸昇降機構（熱処理部用搬送機構１７の場合はｚ軸昇降機構１７ｃ）を取り付けているので、固定した昇降軸で構成されたｚ軸昇降機構が取り付けられている方向以外から搬送機構１７〜２１，２３，２４を簡易に保守することができる。また、アーム基台が、固定した昇降軸周りに回転可能に構成された回転駆動機構（熱処理部用搬送機構１７の場合は回転駆動機構１７ｂ）、昇降軸に沿って昇降移動可能のｚ軸昇降機構、および回転半径方向に進退移動可能のアームのような３つの機構を備えるのみなので、搬送機構１７〜２１，２３，２４をそれぞれ簡易に構成することができる。
【０１９９】
また、搬送機構１７〜２１，２３，２４および熱処理部１６を、それぞれに上下にも階層構造で配設し、各階（１階，２階）において搬送機構１７〜２１，２３，２４と熱処理部１６とを同一水平面内にそれぞれ連ねることで、処理部搬送経路２５，２６をそれぞれ構成している。
【０２００】
また、図２，３に示すように、さらには、図２，３をよりブロック化した図１７に示すように、第１〜第３の処理ユニット９〜１１の手前側には薬液処理のＳＣまたはＳＤが配設されており、第１〜第３の処理ユニット９〜１１の奥側には熱処理部１６が配設されている。すなわち、１階側においては熱処理部１６Ａ〜１６ＤとＳＣとを処理部搬送経路２５に沿って配設し、熱処理部１６Ａ〜１６ＤとＳＣとが熱的に区画されている、つまり、熱分離されている。また、２階側においては熱処理部１６Ｆ〜１６ＨとＳＤとを処理部搬送経路２６に沿って配設し、熱処理部１６Ｆ〜１６ＨとＳＤとが熱的に区画されている。このように区画することで、ＳＣまたはＳＤのような薬液処理部が熱処理部１６によって影響を受けずに、それぞれの基板処理を行うことができる。
【０２０１】
また、基板処理装置用ユニットの一例としてのＢＡＲＣセル１２，ＳＣセル１３，ＳＤセル１５Ａ，１５Ｂは、複数の処理部（ＳＣ，ＳＤ，熱処理部等）と各処理部に個別に設けられた搬送機構１７〜２０，２３，２４とを備えていることから、それだけで基板Ｗに所定の処理を施すことができ、基板Ｗに一連の処理を施す基板処理装置を構成する単位ユニットとして取り扱うことができる。基板処理装置は、基板処理装置用ユニットを複数個用いて構成されているので、基板処理装置用ユニットの増減が容易で自在に行え、要求されるスループットに応じて自由に基板処理装置を構成することができる。
【０２０２】
また、基板処理装置用ユニットが上下方向に多段に構成されているので、基板処理装置の占有面積を小さくすることができ、基板処理装置の省フットプリント化が可能である。
【０２０３】
基板処理装置用ユニットは、ＢＡＲＣ用のＳＣおよび熱処理部１６Ａ〜１６Ｃを備えたＢＡＲＣセル１２、ＳＣおよび熱処理部１６Ｃ〜１６Ｅを備えたＳＣセル１３、あるいは、ＳＤおよび熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ，１６Ｈを備えたＳＤセル１５Ａ，１５Ｂとしているので、基板Ｗに対してＢＡＲＣおよび熱処理が行えるユニット、基板Ｗに対して塗布処理および熱処理が行えるユニット、あるいは、基板Ｗに対して現像処理および熱処理が行えるユニットを実現できる。
【０２０４】
また、基板処理装置用ユニットを、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、基板Ｗ上に形成されたフォトレジスト膜の上部に反射防止膜（Top Ant-Reflection Coating）（以下、『ＴＡＲＣ』と呼ぶ）を基板Ｗに塗布形成するＴＡＲＣ部と、基板Ｗを熱処理するための熱処理部とを備えたＴＡＲＣセルとしてもよい。この場合には、基板Ｗに対してＴＡＲＣおよび熱処理が行えるユニットを実現できる。
【０２０５】
また、水平面内で隣接する複数個の基板処理装置用ユニットの境界部、つまり、ＢＡＲＣセル１２とＳＣセル１３との境界に、基板Ｗを受け渡すための基板受け渡し部としての熱処理部１６Ｃの「Ｐａｓｓ」が設けられ、ＳＤセル１５Ａ，１５Ｂの境界に熱処理部１６Ｈの「Ｐａｓｓ」が設けられているので、「Ｐａｓｓ」に対して同じ距離でアクセス可能である。
【０２０６】
隣接する複数個（本実施例では例えば２個）の基板処理装置用ユニットの処理部および基板搬送手段の配置を左右対称としている、つまり、１階側で隣接するＢＡＲＣセル１２およびＳＣセル１３の処理部および基板搬送手段の配置や、２階側で隣接するＳＤセル１５Ａ，１５Ｂの処理部および基板搬送手段の配置を左右対称としているので、各階層での基板搬送を左流れまたは右流れのどちらでも行うことができ、基板処理装置の配置の自由度を向上させることができる。
【０２０７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０２０８】
（１）上述した本実施例では、基板処理として、フォトリソグラフィ工程におけるレジスト塗布および現像処理を例に採って説明したが、上述した基板処理に限定されない。例えば、基板を処理液に浸漬して洗浄処理、エッチング処理、乾燥処理を含む処理を施す薬液処理や、上述した浸漬タイプ以外のエッチング処理（例えばドライエッチングやプラズマエッチングなど）や、上述した浸漬タイプ以外であって基板を回転させて洗浄する洗浄処理（例えばソニック洗浄や化学洗浄など）、エッチング処理や、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理や、スパッタリング処理や、化学気相成長（ＣＶＤ）処理や、アッシング処理などのように、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板を通常の手法でもって行う基板処理であれば、本発明に適用することができる。
【０２０９】
（２）上述した本実施例では、本発明における基板受け渡し部に、熱処理部１６と、載置台であるＰａｓｓとの両方を配設したが、Ｐａｓｓを有さない熱処理部１６のみを基板受け渡し部に配設してもよいし、Ｐａｓｓのみを基板受け渡し部に配設してもよい。
【０２１０】
（３）上述した本実施例では、ＰＥＢ用搬送機構２２は、搬送機構１７〜２１，２３，２４とは別の搬送機構で構成したが、搬送機構１７〜２１，２３，２４と同じ搬送機構で構成してもよい。この場合には、ＰＥＢ用搬送機構２２についても、固定した昇降軸で構成されたｚ軸昇降機構が取り付けられている方向以外から、保守することができる。
【０２１１】
（４）上述した本実施例では、搬送機構１７〜２１，２３，２４は、回転半径方向（矢印ＲＧ方向）に進退移動可能に構成されたアームを備えており、このアームが進退移動することと、載置台でもあるＰａｓｓに載置することとで、Ｐａｓｓを介して互いに受け渡す各搬送機構がある程度離間しても、基板Ｗの受け渡しが可能である。その一方で、各搬送機構は固定した昇降軸で構成されたｚ軸昇降機構をそれぞれ備えているので、搬送機構１７〜２１，２３，２４によって搬送される基板Ｗは、回転半径方向以外には水平面内に移動することができない。従って、基板Ｗの受け渡しを行うことができないほど、Ｐａｓｓを介して互いに受け渡す各搬送機構が離間している場合には、Ｐａｓｓを水平面内に移動するように構成してもよい。Ｐａｓｓを構成する手段については、特に限定されないが、例えば隣接する２つの搬送機構に延在する、図９に示すようなレールにＰａｓｓを搭載して、そのレール上をＰａｓｓが移動することで、基板Ｗの受け渡しを行ってもよい。
【０２１２】
（５）上述した本実施例では、図２，３，１７に示すように、第１〜第３の処理ユニット９〜１１の奥側に熱処理部１６が、手前側に薬液処理のＳＣまたはＳＤがそれぞれ配設されることで、熱処理部１６とＳＣ／ＳＤとが熱的に区画されていたが、それぞれの配設位置については上記図２，３，１７に限定されない。
【０２１３】
また、薬液処理部が熱処理部によって影響を受けない、または影響を受けても薬液処理部に支障がない場合には、薬液処理部と熱処理部とが必ずしも熱的に区画されている必要はない。また、上述した本実施例では、上下に階層構造でそれぞれの熱処理部や搬送機構などを構成したが、１階のみからなる基板処理装置についても、本発明を適用することができる。
【０２１４】
（６）上述した本実施例では、搬送機構１７〜２１，２３，２４の各アーム基台は、固定した昇降軸であるｚ軸（矢印ＲＦの方向）に沿って構成されていたが、必ずしも固定されている必要はない。また、搬送機構１７〜２１，２３，２４の各アーム基台は、昇降移動可能に構成されていたが、必ずしも昇降移動可能に構成されている必要はなく、水平面内に回転可能、かつアームが回転半径方向に進退移動可能であればよい。また、水平面内に回転させる方法は、図５に示すようなモータに限定されず、例えば鉛直軸を別途備え、この鉛直軸をアーム基台に貫くように構成し、この鉛直軸を回転させることで、水平面内に回転させてもよい。
【０２１５】
（７）上述した本実施例では、本発明における基板受け渡し部に各熱処理部１６Ｃ，１６Ｈをそれぞれ配設し、配設された各々の熱処理部と、搬送機構１７〜２１，２３，２４とを同一水平面内に連ねて構成していたが、必ずしも同一水平面内に並べて配設する必要はなく、例えば、上下に階層構造で配設された搬送機構１７〜２１，２３，２４と、基板受け渡し部とを並べて配設し、基板受け渡し部を昇降移動可能に構成することで、各搬送機構１７〜２１，２３，２４間での基板の受け渡しを行ってもよい。
【０２１６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、複数個の処理部ごとに個別に基板搬送手段を備えているので、各基板搬送手段の負担が小さくでき、各基板搬送手段のＭＴＢＦ（平均故障間動作時間：相隣る故障間における動作時間の期待値）を高くすることができ、信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】本実施例に係る基板処理装置の１階側を平面視したときのブロック図である。
【図３】本実施例に係る基板処理装置の２階側を平面視したときのブロック図である。
【図４】本実施例に係るＩＤ用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）はＩＤ用搬送機構の平面図、（ｂ）はその右側面図である。
【図５】本実施例に係る熱処理部用／ＳＣ用／ＥＥ用／ＳＤ用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）はそれらの搬送機構の平面図、（ｂ）はその右側面図である。
【図６】本実施例に係る搬送機構が固定される場所および周辺の位置関係を示す図であって、（ａ）は熱処理部用搬送機構が固定された場合の平面図、（ｂ）はインデクサ側にあるＳＣ用／ＳＤ用搬送機構が固定された場合の平面図である。
【図７】本実施例に係る搬送機構が固定される場所および周辺の位置関係を示す図であって、（ａ）はインターフェイス側にあるＳＣ用／ＳＤ用搬送機構が固定された場合の平面図、（ｂ）はＥＥ用搬送機構が固定された場合の平面図である。
【図８】本実施例に係るＰＥＢ用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）はＰＥＢ用搬送機構の平面図、（ｂ）はその側面図、（ｃ）はその正面図である。
【図９】本実施例に係る熱処理部の概略構成を示す斜視図である。
【図１０】本実施例に係る熱処理部が退避位置にまで移動したときの様子を示す側面図である。
【図１１】基板処理装置用ユニットとしての各セルのフレーム構成を示す概略斜視図である。
【図１２】基板処理装置用ユニットとしてのセルを、左右に２個、上下に２個組み上げた状態を示す概略斜視図である。
【図１３】（ａ）は用力用の母管をセルに取り付けた状態を示す概略斜視図であり、（ｂ）は用力用の母管とセルとを接続した状態を示す概略斜視図である。
【図１４】本実施例に係る基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図１５】本実施例に係る基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図１６】一連の基板処理中の各処理における基板の位置とその基板を搬送する搬送機構との関係を示した図である。
【図１７】本実施例に係る処理部搬送経路およびその周辺部の平面ブロック図である。
【図１８】従来の基板処理装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１２，１３，１５ａ，１５Ｂ … セル（基板処理装置用ユニット）
１６Ａ〜１６Ｇ … 熱処理部（処理部）
１７，１９，２３ … 熱処理部用搬送機構（基板搬送手段）
１７ｄ，１９ｄ，２３ｄ … アーム（基板保持部）
１８，２０ … ＳＣ用搬送機構（基板搬送手段）
１８ｄ，２０ｄ … アーム（基板保持部）
２４ … ＳＤ用搬送機構（基板搬送手段）
２４ｄ … アーム（基板保持部）
２５，２６ … 処理部搬送経路
ＢＫ … 母管
ＳＣ … スピンコータ（処理部）
ＳＤ … スピンデベロッパ（処理部）
Ｗ … 基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing in which a substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) such as a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, or a substrate for an optical disk is processed by a plurality of processing units. The present invention relates to an apparatus unit, a substrate processing apparatus, and an assembly method of the apparatus.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, such a substrate processing apparatus is used in, for example, a photolithography process in which a photoresist film is applied and formed on a substrate, an exposure process is performed on the applied substrate, and the exposed substrate is developed. It has been.
[0003]
This is shown in the plan view of FIG. 18 and will be described below. This substrate processing apparatus includes a cassette mounting table 101 on which a plurality of cassettes C in which a plurality of unprocessed (for example, 25) substrates W or substrates W that have been processed in the processing unit 104 described later are stored are mounted. And an indexer 103 including a transport mechanism 108a that horizontally moves in front of each cassette C and transfers the substrate W between each cassette C and a processing unit 104 described later, a plurality of processing units 104, and a plurality of processing units 104 A substrate transport path 105 that is a path for transporting the substrate W between the processing units 104 and an interface 106 that relays the transfer of the substrate W between the processing unit 104 and the external processing apparatus 107 are configured.
[0004]
The external processing apparatus 107 is a separate apparatus from the substrate processing apparatus, and is configured to be detachable from the interface 106 of the substrate processing apparatus. When the substrate processing apparatus is an apparatus that performs the above-described resist coating and development processing, the external processing apparatus 107 is an exposure apparatus that performs exposure processing of the substrate W.
[0005]
Further, a transport mechanism 108b for transporting on the substrate transport path 105 and a transport mechanism 108c for transporting on the transport path of the interface 106 are provided. In addition, a mounting table 109 a is disposed at a connecting portion between the indexer 103 and the substrate transport path 105, and a mounting table 109 b is disposed at a connecting portion between the substrate transport path 105 and the interface 106.
[0006]
In the substrate processing apparatus described above, substrate processing is performed in the following procedure. One substrate is taken out from the cassette containing the unprocessed substrates W by the transport mechanism 108a and transported to the mounting table 109a in order to transfer the substrate W to the transport mechanism 108b. The transport mechanism 108b receives the substrate W placed on the mounting table 109a, and then performs a predetermined process (for example, a process such as resist coating) in each processing unit 104. Each substrate W is loaded. When each predetermined process ends, the transport mechanism 108b unloads the substrate W from each of the processing units 104, and loads the substrate W into another processing unit 104 to perform the next processing.
[0007]
When a series of processing up to exposure is thus completed, the transport mechanism 108b transports the substrate W processed by the processing unit 104 to the placement unit 109b. In order to transfer the substrate W to the transport mechanism 108c, the substrate W is mounted on the mounting table 109b described above. The transport mechanism 108 c receives the substrate W placed on the placement table 109 b and then transports it to the external processing apparatus 107. After carrying in the external processing apparatus 107 and completing a predetermined process (for example, an exposure process or the like), the transport mechanism 108c unloads the substrate W from the external processing apparatus 107 and transports it to the placement unit 109b. Thereafter, the substrate W is transferred and processed in the reverse order of the processing up to the external processing apparatus 107. And it pays out from the discharge part 102, A series of board | substrate processes are complete | finished.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
That is, in the conventional substrate processing apparatus, the MTBF (average operation time between failures: an expected value of operation time between adjacent failures) cannot be increased, and the reliability of the substrate processing apparatus is low. There is a problem.
[0009]
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a unit for a substrate processing apparatus, a substrate processing apparatus, and an assembling method of the apparatus, which have improved reliability.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above-mentioned problems, the inventors have conducted intensive research and as a result, have obtained the following knowledge. That is, in the conventional substrate processing apparatus, as shown in FIG. 18, a single transfer mechanism 108b transfers a substrate W to a plurality of processing units 104 and mounting tables 109a and 109b. The transport mechanism 108b must move quickly to the plurality of processing units 104 and the mounting tables 109a and 109b to quickly transport the substrate W in order to speed up the processing in the substrate processing apparatus. Since the single transfer mechanism 108b has to transfer the substrate to the plurality of processing units 104 and the mounting tables 109a and 109b, the single transfer mechanism 108b is considerably burdened. It has been clarified that there is a phenomenon that the MTBF (average operation time between faults: expected value of operation time between adjacent faults) of the transport mechanism 108b is low. The present inventors have found that there is a causal relationship that the reliability of the substrate processing apparatus or the like is lowered due to the low MTBF of the single transport mechanism 108b.
[0011]
  The present invention based on such knowledge adopts the following configuration.
  That is, the invention described in claim 1 is a substrate processing apparatus for performing a series of processing on a substrate.In the substrate processing apparatusA unit for a substrate processing apparatus which is a unit unit for configuringWith,The substrate processing unit isA plurality of processing units for performing a predetermined process on the substrate; a plurality of substrate transfer means for transferring the substrate between the processing units; the plurality of processing units and the plurality of substrate transfers; And an outer frame in which the means is housed, and the outer frame has a configuration in which the upper side and the lower side are shared so that the outer frame of another substrate processing unit can be connectedThe substrate processing unit is configured in a plurality of stages in the vertical direction, the substrate is loaded from the substrate storing means storing the substrate to be processed, and the substrate subjected to a series of processing is returned to the substrate storing means. A single indexer that dispenses, and the substrate processing apparatus and a separate external processing apparatus, and a single interface for carrying the substrate in and out of the external processing apparatus. The plurality of stages of substrate processing apparatus units are provided between the indexer and the interface, and the single indexer is a substrate for each of the plurality of stages of substrate processing apparatus units adjacent to the indexer. The single interface is connected to each of the multiple stages of substrate processing apparatus units adjacent to the interface. Is intended to transfer substrates into and out of, and a plurality of buffers for temporarily placing a mounting portion and a substrate for receiving and transferring the substrates to each substrate processing apparatus for units of said plurality of stagesIt is characterized by this.
[0012]
  (Operation / Effect) According to the first aspect of the present invention, the substrate processing apparatus unit, which is a unit unit for constituting a substrate processing apparatus for performing a series of processes on a substrate, performs a plurality of processes on a substrate. Since each processing unit and a plurality of substrate transfer means for transferring the substrate between the processing units are provided, the burden on each substrate transfer unit can be reduced, and the MTBF of each substrate transfer unit (Average operation time between failures: expected value of operation time between adjacent failures) can be increased, and reliability can be improved.In addition, since the substrate processing apparatus unit includes a plurality of processing units and a substrate transfer unit individually provided in each processing unit, the substrate processing apparatus can perform a predetermined process by itself. Can be handled as a unit unit. Since the substrate processing apparatus is configured by using a plurality of the above-described substrate processing apparatus units, the number of substrate processing apparatus units can be easily increased and decreased, and the substrate processing apparatus can be freely set according to the required throughput. Can be configured. Further, since the substrate processing apparatus unit is configured in a plurality of stages in the vertical direction, the area occupied by the substrate processing apparatus can be reduced, and the footprint of the substrate processing apparatus can be reduced.
[0013]
  The invention according to claim 2 provides the substrate processing apparatus according to claim 1.In placeThe plurality of processing units include an application unit that applies a coating liquid to the substrate and a heat treatment unit that heat-treats the substrate.
[0014]
(Operation / Effect) According to the invention described in claim 2, since the plurality of processing units include a coating unit for applying the coating liquid to the substrate and a heat treatment unit for heat-treating the substrate, Thus, a unit capable of performing coating treatment and heat treatment can be realized.
[0015]
  Further, the invention according to claim 3 is the substrate processing apparatus according to claim 1.In placeThe plurality of processing units include a developing unit that develops the substrate coated with the coating liquid and a heat treatment unit that heat-treats the substrate.
[0016]
(Operation / Effect) According to the invention described in claim 3, the plurality of processing units include a developing unit for developing the substrate coated with the coating liquid and a heat treatment unit for heat treating the substrate. A unit capable of performing development processing and heat treatment on the substrate can be realized.
[0017]
  According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects.In placeThe plurality of substrate transfer means includes a substrate transfer means for processing liquid that handles a substrate processed with a processing liquid such as a coating solution or a developer, and a substrate transfer means for heat treatment that handles a heat-treated substrate. It is characterized by being distinguished by
[0018]
(Operation / Effect) According to the invention described in claim 4, the substrate transport means for the treatment liquid handles a substrate treated with a treatment liquid such as a coating solution or a developer, and the substrate transport means for the heat treatment is heat treated. Therefore, the substrate transfer means for heat treatment, which is heated by handling the heat-treated substrate, transfers the substrate to the processing unit that processes the substrate with a processing solution such as a coating solution or a developing solution. It is not transported directly, and it is possible to prevent the substrate whose temperature has been changed by heat conduction from the substrate transport means for heat treatment to the processing unit from being transported to the processing unit for processing the substrate with the processing liquid, and to be thermally separated. .
[0019]
  The invention according to claim 5 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4.In placeThe substrate transport means is configured to be capable of rotating about a fixed lifting shaft, movable up and down along the lifting shaft, and configured to move back and forth in the rotational radius direction. It is characterized by having.
[0020]
(Operation / Effect) According to the invention described in claim 5, the substrate transport means includes the substrate holding portion that moves in the fixed ascending / descending axis direction, the direction around the axis, and the rotational radius direction. A transport mechanism that moves in three directions can be realized with a simple configuration.
[0025]
  Claims6The invention described in claim1The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus unit includes a BARC unit that forms an antireflection film below a processing film formed on the substrate and a heat treatment unit that performs heat treatment on the substrate. Or a TARC portion that forms an antireflection film on the top of the treatment film formed on the substrate and the heat treatment portion, or a coating portion that applies a treatment liquid to the substrate and the heat treatment portion, Alternatively, the image forming apparatus includes a developing unit that develops the substrate coated with the processing liquid and the heat treatment unit.
[0026]
  (Action / Effect) Claim6According to the invention described in (1), the substrate processing apparatus unit includes a BARC unit and a heat treatment unit, a TARC unit and a heat treatment unit, a coating unit and a heat treatment unit, or a development unit and Since it is provided with a heat treatment section, a unit capable of performing BARC and heat treatment on a substrate, a unit capable of performing TARC and heat treatment on a substrate, a unit capable of applying and heat treating a substrate, or a substrate On the other hand, a unit capable of developing processing and heat treatment can be realized.
[0027]
  Claims7The invention described in claim1In the substrate processing apparatus described in (1), a substrate transfer section for transferring a substrate is provided at a boundary portion between a plurality of the substrate processing apparatus units adjacent in a horizontal plane.
[0028]
  (Action / Effect) Claim7According to the invention described in (4), since the substrate transfer portion for transferring the substrate is provided at the boundary portion between the plurality of substrate processing apparatus units adjacent in the horizontal plane, the same distance to the substrate transfer portion. It is accessible at.
[0029]
  Claims8The invention described in claim1In the substrate processing apparatus according to the item 1, the arrangement of the processing units and the substrate transfer means of the plurality of adjacent units for the substrate processing apparatus is bilaterally symmetric.
[0030]
  (Action / Effect) Claim8According to the invention described in the above, since the arrangement of the processing units and substrate transfer means of a plurality of adjacent substrate processing apparatus units is symmetric, substrate transfer can be performed in either the left flow or the right flow, The degree of freedom of arrangement of the substrate processing apparatus can be improved.
[0033]
Note that the “utility mother pipe” in this specification refers to electric power and nitrogen (N2 ) At least one or more of various pipes / cables such as gas, pure water, exhaust system and drainage system are inserted into the pipe.
[0034]
The present specification also discloses means for solving the following problems.
(1) A substrate processing apparatus unit which is a unit unit for constituting a substrate processing apparatus for performing a series of processing on a substrate,
A plurality of processing units for performing predetermined processing on a substrate and a plurality of substrate transfer means for transferring the substrate between the processing units are housed in separate frames that are separate and independent from each other. A unit for a substrate processing apparatus, comprising:
[0035]
In the substrate processing apparatus of the conventional example, a large-frame frame is configured such that a processing unit or a substrate transfer means, etc. to be equipped are attached to a single large-frame frame to constitute the substrate processing apparatus. Therefore, if there is a request to change the specifications of the substrate processing equipment to increase or decrease the processing unit, it is necessary to remodel the large frame itself according to the request, and it is necessary to make a significant design change There was a problem. However, according to the substrate processing apparatus unit described in the above (1), the processing unit and the corresponding substrate transfer means are accommodated, and the individual frame is provided separately and independently from the others. Therefore, even if there is a request to change the specification of the substrate processing apparatus to increase or decrease the processing unit, it can respond to the request by increasing or decreasing the unit for the substrate processing apparatus itself, and the drastic design like the conventional apparatus No change is necessary, and the degree of freedom of the substrate processing apparatus can be improved.
[0036]
(2) The substrate processing apparatus unit according to (1),
A plurality of the processing units are arranged in a hierarchy in the vertical direction,
A substrate transport means for transporting a substrate to the processing unit is individually provided for each processing unit on each floor,
A substrate processing apparatus unit, wherein the substrate transport means transports a substrate at least within the same floor.
[0037]
According to the substrate processing apparatus unit described in (2) above, a plurality of processing units are arranged in a hierarchy in the vertical direction, and substrate transport means for transporting the substrate to the processing unit is individually provided for each processing unit on each floor. Since the substrate transfer means can transfer the substrate at least within the same floor, the transfer path can have multiple layers, and the footprint of the substrate processing apparatus can be reduced.
[0038]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment, FIG. 2 is a block diagram when the first floor side of the substrate processing apparatus is viewed in plan, and FIG. 3 is a substrate processing apparatus. It is a block diagram when the 2nd floor side is seen in a plane. For the sake of space, the cassette mounting table is not shown in FIG. 2 and 3, a heat treatment unit and an IF mounting table that are configured in a hierarchical structure in the upper and lower sides, which will be described later, are shown in an exploded plan view. For convenience of explanation, an indexer and an interface described later in each of FIGS. 2 and 3 are provided in the apparatus of this embodiment, and are not provided on each floor. Please keep in mind. Further, in this embodiment, a spin coater that performs resist coating while rotating the substrate in the photolithography process, and a spin developer that performs development processing while rotating the resist-coated and further exposed substrate are taken as examples. The substrate processing will be described.
[0039]
The substrate processing apparatus according to the present embodiment includes an indexer 1, a processing block 3, and an interface 4, as shown in FIGS. The interface 4 is configured to connect the substrate processing apparatus according to this embodiment and a separate apparatus. In this embodiment, the interface 4 is configured to connect a substrate processing apparatus that performs resist coating and development processing and an exposure apparatus that performs exposure processing of the substrate (for example, a stepper that performs step exposure). ing.
[0040]
The indexer 1 (hereinafter abbreviated as “ID” as appropriate) includes a cassette mounting table 2, an ID transport path 7, and an ID transport mechanism 8, as shown in FIGS. The cassette mounting table 2 is configured such that a plurality (four in FIG. 1) of cassettes C storing a plurality of (for example, 25) unprocessed substrates W or processed substrates can be mounted. The ID transport path 7 is formed in a horizontal direction along the cassette mounting table 2 on which a plurality of cassettes C are mounted. The ID transport mechanism 8 includes a horizontal movement mechanism, an elevating mechanism, and a rotation mechanism (not shown). By performing horizontal movement and elevating movement on the ID transport path 7, the cassette C on the cassette mounting table 2 is moved. And the processing block 3 can be transferred.
[0041]
Next, a specific configuration of the ID transport mechanism 8 will be described with reference to FIG. As shown in the plan view of FIG. 4A and the right side view of FIG. 4B, the ID transport mechanism 8 is arranged in the direction of the arrow RA, which is the longitudinal direction (y direction) of the ID transport path 7. A y-axis moving mechanism 8b configured to move the arm base 8a; a z-axis lifting mechanism 8c configured to move the arm base 8a up and down in the direction of the arrow RB (z direction); Direction) is provided with a rotation drive mechanism 8d configured to rotate the arm base 8a. The arm base 8a is provided with an arm 8e for holding the substrate W, and the arm 8e is configured to be movable back and forth in the direction of the arrow RD that is the rotational radius direction.
[0042]
As shown in FIG. 4A, the y-axis moving mechanism 8b includes a screw shaft 8f and a motor 8g that rotates the screw shaft 8f around the axis thereof. A shaft raising / lowering mechanism 8c is attached. The rotation of the motor 8g moves the z-axis lifting mechanism 8c attached to the screw shaft 8f in the horizontal direction indicated by the arrow RA.
[0043]
As shown in FIG. 4B, the z-axis elevating mechanism 8c includes a screw shaft 8h and a motor 8i that rotates the screw shaft 8h around the axis, similar to the y-axis moving mechanism 8b. The rotational drive mechanism 8d described above is attached to the screw shaft 8h. The rotation drive mechanism 8d attached to the screw shaft 8h is moved in the direction of the arrow RB by the rotation of the motor 8i.
[0044]
As shown in FIG. 4B, the rotational drive mechanism 8d supports the arm base 8a, the motor 8j that rotates the arm base 8a around the axis, and the arm base 8a and the motor 8j. The supporting member 8k is provided. By rotation of the motor 8j, the arm base 8a is rotated together with the arm 8e in the direction of the arrow RC.
[0045]
With this configuration, the substrate W held by the arm 8e of the arm base 8a moves in the direction of arrow RA, moves in the direction of arrow RB, rotates in the direction of arrow RC, and moves to arrow RD. It can move forward and backward in the direction. As a result, the substrate W is transported between the cassette mounting table 2 and the processing block 3 (see FIGS. 2 and 3).
[0046]
Returning to FIGS. 1 to 3, the specific configuration of the processing block 3 will be described. As shown in FIGS. 2 and 3, the processing block 3 includes a first processing unit 9, a second processing unit 10, and a third processing unit 11, and the first processing unit from the indexer 1 side. 9, the second processing unit 10 and the third processing unit 11 are arranged in this order.
[0047]
In addition, the first to third processing units 9 to 11 described above have, for example, a two-stage configuration including a first floor portion and a second floor portion. As shown in FIG. 2, the first floor of the first processing unit 9 has a base anti-reflection film (Bottom Ant-Reflection) for preventing reflection of light from the photoresist film formed on the substrate W. A BARC cell 12 for coating and forming a coating (hereinafter referred to as “BARC”) on the substrate W is disposed. On the first floor of the second processing unit 10, an SC cell 13 for a spin coater (hereinafter referred to as “SC”) that coats and forms a photoresist film on the substrate W while rotating the substrate W is arranged. It is installed. On the first floor of the third processing unit 11, PEB for performing an edge exposure unit (hereinafter referred to as “EE”) for exposing an edge portion of the substrate W before the exposure process. A cell 14 is provided.
[0048]
On the other hand, as shown in FIG. 3, the second floor of the first processing unit 9 is a spin developer (hereinafter referred to as “SD”) that performs development processing while rotating the substrate W after exposure processing. An SD cell 15A is provided. On the second floor of the second processing unit 10, an SD cell 15B similar to the SD cell 15A on the second floor of the first processing unit 9 is disposed. On the second floor of the third processing unit 11, a PEB cell 14 for heating the substrate W after exposure processing (Post Exposure Bake) (hereinafter referred to as “PEB”) is disposed.
[0049]
As described above, the BARC cell 12 on the first floor and the SD cell 15A on the second floor on the indexer 1 side have the first processing unit 9 on the second floor on the SC cell 13 on the first floor and the interface 4 side. The SD cell 15B constitutes the second processing unit 10, and the PEB cell 14 on the second floor side and the PEB cell 14 on the first floor side constitute the third processing unit 11, respectively.
[0050]
Each of the BARC cell 12, the SD cell 15A, the SC cell 13, and the SD cell 15B described above corresponds to a substrate processing apparatus unit in the present invention.
[0051]
Next, a specific configuration of the BARC cell 12 will be described. As shown in FIG. 2, the BARC cell 12 includes three heat treatment units 16A, 16B, and 16C, a heat treatment unit transfer mechanism 17 that transfers the substrate W between the heat treatment units 16A, 16B, and 16C, and a BARC ( The SC is composed of two SCs that respectively apply an antireflection film to the substrate W, and an SC transport mechanism 18 that transfers the substrate W between the heat treatment unit 16A and the two SCs.
[0052]
Two SCs correspond to the processing unit in the present invention, and further correspond to the BARC unit in the present invention. When a single SC is provided in the BARC cell 12, the single SC corresponds to the processing unit in the present invention, and further corresponds to the BARC unit in the present invention. Further, when three or more SCs are provided in the BARC cell 12 within a range that does not impose a burden on the SC transport mechanism 18, the number of SCs provided corresponds to the processing unit in the present invention, and the BARC in the present invention. It will correspond to the part.
[0053]
The three heat treatment units 16A, 16B, and 16C are arranged at positions as shown in FIG. 2 with the heat treatment unit transfer mechanism 17 interposed therebetween, and the respective heat treatment units 16A, 16B, and 16C are arranged vertically. Each is composed of a structure.
[0054]
The heat treatment unit 16A disposed on the indexer 1 side passes the substrate W by placing the substrate W without performing the heat treatment, and passes the substrate (hereinafter referred to as “Pass”). Four AHLs for performing an adhesion process (hereinafter referred to as “AHL”) for improving adhesion to the resist film, respectively, and the heated substrate is cooled and kept at room temperature (hereinafter referred to as “CP”). The two CPs for performing each of the above are stacked in order from the top. In AHL (adhesion) processing, HMDS [(CHThree)ThreeSiNHSi (CHThree)Three] Is vaporized to apply the substrate W before application of the resist. The heat treatment section 16A has a function of transferring a substrate among the ID transport mechanism 8, the heat treatment section transport mechanism 17, and the SC transport mechanism 18 in the indexer 1 using Pass, AHL, and CP. I have. In other words, the ID transport mechanism 8 and the heat treatment part transport mechanism 17 are configured to deliver via Pass, and the ID is opposed to the ID transport mechanism 8 and the heat treatment part transport mechanism 17. An opening 16a is formed so that each transport mechanism can enter only the surface (see FIG. 9). Further, the heat treatment section transport mechanism 17 and the SC transport mechanism 18 are configured to deliver via the CP. The CP faces the heat treatment section transport mechanism 17 and the SC transport mechanism 18. An opening 16a is formed so that each transport mechanism can enter only the surface (see FIG. 9). Since the AHL only transfers the substrate to and from the heat treatment unit conveyance mechanism 17, the opening 16a is formed only on the surface facing the heat treatment unit conveyance mechanism 17 so that the heat treatment unit conveyance mechanism 17 can enter. (See FIG. 9). The Pass in the heat treatment portion 16A and the Pass in heat treatment portions 16C, 16D, 16F, and 16H described later correspond to the substrate transfer portion in the present invention.
[0055]
In the heat treatment part 16B disposed in the opposite direction to the SC side, that is, on the back side, an opening 16a (see FIGS. 1 and 9) is provided in each layer on the heat treatment part transport mechanism 17 side. The heat treatment unit transport mechanism 17 carries the substrate W into the heat treatment unit 16B through the opening 16a and carries the substrate W out of the heat treatment unit 16B. Further, the heat treatment unit 16B is configured by sequentially stacking seven HPs for performing the baking process (hereinafter referred to as “HP”) by heating the substrate W after the BARC process, respectively.
[0056]
The heat treatment part 16C disposed on the second treatment unit 10 side is shared with the SC cell 13 in addition to the BARC cell 12, and the heat treatment on the back side and the heat treatment part 16A similar to the heat treatment part 16A on the indexer 1 side. The heat treatment part 16C is configured by laminating three HPs similar to the part 16B and three CPs similar to the heat treatment part 16A in order from the top. Among these, in the configuration of the present embodiment, three CPs are used for the BARC cell 12 and three HPs are used for the SC cell 13. The heat treatment unit 16C has a Pass for heat treatment unit conveyance so that the substrate can be transferred between the heat treatment unit conveyance mechanism 17 and a heat treatment unit conveyance mechanism 19 disposed in the SC cell 13 described later. The opening 16a is formed only on the surface facing the mechanism 17 and the heat-treating-portion transport mechanism 19 (see FIG. 9). In the three CPs constituting the heat treatment section 16C, openings 16a are formed only on the surface facing the heat treatment section transport mechanism 17 so that the substrate can be transferred only to the heat treatment section transport mechanism 17. Similarly, in the three HPs constituting the heat treatment section 16C, openings 16a are formed only on the surface facing the heat treatment section transport mechanism 19 so that the substrate can be transferred only to the heat treatment section transport mechanism 19. ing.
[0057]
Note that the three heat treatment parts 16A to 16C described above correspond to the treatment part in the present invention, and further correspond to the heat treatment part in the present invention. When a single heat treatment part (for example, one of the heat treatment parts 16A to 16C) is provided in the BARC cell 12, this single heat treatment part corresponds to the treatment part in the present invention. It corresponds to the heat treatment part. Further, when a plurality of heat treatment parts are provided in the BARC cell 12 within a range that does not impose a burden on the heat treatment part transport mechanism 17, the plurality of heat treatment parts correspond to the treatment parts in the present invention. It will correspond to the part.
[0058]
The SC in the BARC cell 12 is configured to perform the BARC process while rotating the substrate W as described above. More specifically, it includes a spin chuck that holds the substrate W and rotates it in a horizontal plane, a nozzle that discharges antireflection liquid, and the like. By discharging the antireflection liquid from the nozzle toward the center of the rotating substrate W held by the spin chuck, an antireflection film is applied and formed over the entire surface from the center of the substrate W by the centrifugal force of the substrate W. .
[0059]
The heat treatment part transport mechanism 17, the SC transport mechanism 18, the heat treatment part transport mechanism 19, the SC transport mechanism 20, the EE transport mechanism 21, the heat treatment part transport mechanism 23, and the SD transport mechanism 24 described later are the same. Consists of configuration. Specific configurations of these transport mechanisms will be described later.
[0060]
Next, a specific configuration of the SC cell 13 will be described. As shown in FIG. 2, the SC cell 13 has three heat treatment parts 16C, 16D, and 16E, and a transfer for the heat treatment part that transfers the substrate W between the heat treatment parts 16C, 16D, and 16E, as in the BARC cell 12. The mechanism 19 includes two SCs for respectively applying a photoresist solution to the substrate W, and an SC transport mechanism 20 for transferring the substrate W between the heat treatment unit 16D and the two SCs.
[0061]
Similar to the BARC cell 12, the three heat treatment sections 16C, 16D, and 16E are disposed with the heat treatment section transport mechanism 19 in between, as shown in FIG. 2, and the respective heat treatment sections 16C, 16D. , 16E are arranged in a hierarchical structure in the vertical direction.
[0062]
The heat treatment section 16D disposed on the third processing unit 11 side is configured by laminating Pass, six HPs in order from the top. The heat treatment section 16D also has a function of passing the substrate between the heat treatment section transport mechanism 19 and an EE transport mechanism 21 disposed in the PEB cell 14 to be described later through Pass. In other words, the heat treatment section transport mechanism 19 and the EE transport mechanism 21 are configured to deliver via the Pass, and the heat treatment section transport mechanism 19 and the EE transport mechanism 21 are opposed to the Pass. An opening 16a is formed so that each transport mechanism can enter only the surface (see FIG. 9). The six CPs are formed with openings 16a so that the respective transport mechanisms can enter only the surfaces facing the heat treatment section transport mechanism 19 and the SC transport mechanism 20, respectively (FIGS. 1 and 2). 9).
[0063]
The heat treatment section 16E disposed in the direction opposite to the SC side (the back side) is provided with an opening 16a (see FIGS. 1 and 9) in each layer on the heat treatment section transport mechanism 17 side. Then, the transport mechanism 19 for the thermal processing section carries the substrate W into the thermal processing section 16E through the opening 16a and unloads the substrate W from the thermal processing section 16E. The heat treatment unit 16E is configured by laminating three HPs and four CPs in order from the top in a configuration substantially similar to the heat treatment unit 16B in the BARC cell 12.
[0064]
The heat treatment section 16C disposed on the first processing unit 9 side is shared with the BARC cell 12 in addition to the SC cell 13 as described above. That is, the heat treatment part 16 </ b> C is also the heat treatment part 16 </ b> C in the BARC cell 12. The description of the configuration of the heat treatment unit 16C is omitted.
[0065]
In addition, the three heat treatment parts 16C-16E mentioned above correspond to the process part in this invention, and also correspond to the heat treatment part in this invention. In addition, when the SC cell 13 is provided with a single heat treatment part (for example, one of the heat treatment parts 16C to 16E), this single heat treatment part corresponds to the treatment part in the present invention. It corresponds to the heat treatment part. In addition, when a plurality of heat treatment parts are provided in the SC cell 13 within a range that does not impose a burden on the heat treatment part transport mechanism 17, the plurality of heat treatment parts correspond to the treatment parts in the present invention. It will correspond to the part.
[0066]
Since the SC in the SC cell 13 has the same configuration as the SC in the BARC cell 12 except that a photoresist film is applied and formed by discharging a photoresist liquid instead of the antireflection liquid, the SC cell The description of the SC in 13 is omitted.
[0067]
Two SCs in the SC cell 13 correspond to the processing unit in the present invention, and further correspond to the coating unit in the present invention. Further, when a single SC is provided in the SC cell 13, this single SC corresponds to the processing section in the present invention and further corresponds to the coating section in the present invention. In addition, when three or more SCs are provided in the SC cell 13 within a range that does not impose a burden on the SC transport mechanism 20, the provided number of SCs corresponds to the processing unit in the present invention, and the coating in the present invention. It will correspond to the part.
[0068]
Next, a specific configuration of the PEB cell 14 on the first floor side will be described. As shown in FIG. 2, the first floor portion of the PEB cell 14 has two edge exposure processes for performing an edge exposure process (“EE”) for exposing an edge part of the substrate W before the exposure process. The unit EE includes a heat treatment unit 16D, two edge exposure processing units EE, and an EE transport mechanism 21 that transfers a substrate W between IF mounting tables 30 described later in the interface 4.
[0069]
The two edge exposure processing units EE are disposed on the back side of the EE transport mechanism 21 at positions as shown in FIG. As with the other heat treatment sections 16, each edge exposure processing section EE is provided with an opening 16a (see FIGS. 1 and 9) on the EE transport mechanism 21 side. Then, the transport mechanism 21 for EE carries the substrate W into the edge exposure processing unit EE through the opening 16a and carries the substrate W out of the edge exposure processing unit EE.
[0070]
Next, a specific configuration of the PEB cell 14 on the second floor side will be described. As shown in FIG. 3, the second floor portion of the PEB cell 14 includes eight PEBs for heating the substrate W after the exposure processing, four CPs, and these PEBs, CPs, and IFs described later in the interface 4. It is composed of a mounting table 30 and a PEB transport mechanism 22 that transfers a substrate W between heat treatment units 16F described later in the SD cell 15B.
[0071]
Among the 8 PEBs and 4 CPs, 4 PEBs and 2 CPs are stacked in order from the top, and are arranged on the back side of the PEB transport mechanism 22 at the position shown in FIG. Yes. Similarly, the remaining four PEBs and two CPs are sequentially stacked from above, and are disposed on the front side of the PEB transport mechanism 22 at a position as shown in FIG. Each PEB and CP is provided with an opening 16a (see FIGS. 1 and 9) on the PEB transport mechanism 22 side. Then, the PEB transport mechanism 22 carries the substrate W into the PEBs and CPs through the opening 16a, and unloads the substrates W from the PEBs and CPs. A specific configuration of the PEB transport mechanism 22 will also be described later.
[0072]
Next, a specific configuration of the SD cell 15B will be described. As shown in FIG. 3, the SD cell 15B on the interface 4 side includes three heat treatment units 16F, 16G, and 16H, and a heat treatment unit transfer mechanism that transfers the substrate W between the heat treatment units 16F, 16G, and 16H. 23, two SDs that perform development processing while rotating the substrate W after the exposure processing, and an SD transport mechanism 24 that transfers the substrate W between the heat treatment unit 16F and the two SDs.
[0073]
Two SDs correspond to the processing unit in the present invention, and further correspond to the developing unit in the present invention. When a single SD is provided in the SD cell 15B, this single SD corresponds to the processing unit in the present invention and further corresponds to the developing unit in the present invention. Further, when three or more SDs are provided in the SD cell 15B within a range that does not impose a burden on the SD transport mechanism 24, the number of SDs provided corresponds to the processing unit in the present invention, and further the development in the present invention. It will correspond to the part.
[0074]
The heat treatment unit 16F disposed on the third processing unit 11 side, that is, the interface 4 side is configured by sequentially laminating Pass and four CPs from the top. The heat treatment section 16F also has a function of delivering a substrate between the heat treatment section transport mechanism 23 and the PEB transport mechanism 22 through Pass. That is, the heat treatment part transport mechanism 23 and the PEB transport mechanism 22 are configured to deliver via the Pass, and the heat treatment part transport mechanism 23 and the PEB transport mechanism 22 are opposed to the Pass. An opening 16a is formed so that each transport mechanism can enter only the surface (see FIGS. 1 and 9). The four CPs are formed with openings 16a so that the respective transport mechanisms can enter only the surfaces facing the heat treatment section transport mechanism 23 and the SC transport mechanism 24 (FIGS. 1 and 2). 9).
[0075]
In the heat treatment part 16G disposed in the opposite direction to the SD side, that is, on the back side, an opening 16a (see FIGS. 1 and 9) is provided in each layer on the heat treatment part transport mechanism 23 side. Then, the transport mechanism 23 for the heat treatment part carries the substrate W into the heat treatment part 16G through the opening 16a and carries the substrate W out of the heat treatment part 16G. Further, the heat treatment section 16G is configured by laminating three HPs and two CPs in order from the top.
[0076]
The heat treatment part 16H arranged on the SD cell 15A side on the indexer 1 side is shared with the SD cell 15A in addition to the SD cell 15B. The heat treatment part 16H is composed of Pass and two HPs from the upper stage, respectively. And two CPs are laminated. Among these, in the configuration of the present embodiment, the CP of the second stage from the bottom and the HP of the fourth stage from the bottom of these five stages are used for SD15B, and the CP and the first stage from the bottom are the same. The third stage HP is used for the SD cell 15A. The heat treatment unit 16H has a pass for heat treatment unit conveyance so that the substrate can be transferred between the heat treatment unit conveyance mechanism 23 and a heat treatment unit conveyance mechanism 23 disposed in the SD cell 15A described later. The opening 16a is formed only on the surface facing the mechanism 23 and the heat treatment part transport mechanism 23 (see FIGS. 1 and 9). The CP and HP used for the SD cell 15B constituting the heat treatment unit 16H can transfer the substrate only to the heat treatment unit transfer mechanism 23 arranged in the SD cell 15B. The opening 16a is formed only on the surface facing the surface. Similarly, the CP and HP used for the SD cell 15A constituting the heat treatment portion 16H are for the heat treatment portion so that the substrate can be transferred only to the heat treatment portion transport mechanism 23 arranged in the SD cell 15A. An opening 16 a is formed only on the surface facing the transport mechanism 23.
[0077]
In addition, the heat processing parts 16F, 16G, and 16H mentioned above correspond to the processing part in this invention, and also correspond to the heat processing part in this invention. Further, when a single heat treatment part (for example, one of the heat treatment parts 16F, 16G, 16H) is provided in the SD cell 15B, this single heat treatment part corresponds to the treatment part in the present invention. This corresponds to the heat treatment part in the present invention. Further, in the case where a plurality of heat treatment parts are provided in the SD cell 15B within a range that does not impose a burden on the heat treatment part transport mechanism 23, the plurality of heat treatment parts correspond to the treatment parts in the present invention. It will correspond to the part.
[0078]
The SD cell 15A on the indexer 1 side has the same configuration as that of the SD cell 15B on the interface 4 side, except that each configuration is arranged in the left and right direction (symmetric with respect to the yz plane). Therefore, the description of the SD cell 15A is omitted. The heat treatment unit 16F in the SD cell 15A has a function of delivering a substrate between the heat treatment unit transport mechanism 23 and the SD transport mechanism 24 in the CP, and the heat treatment unit transport mechanism 23 and the ID in the Pass. It also fulfills the function of transferring the substrate to / from the transport mechanism 8. That is, the CP of the heat treatment section 16F has an opening 16a formed only on the surface facing the heat treatment section transport mechanism 23 and the SD transport mechanism 24, and the heat treatment section transport mechanism 23 and the ID transport mechanism are provided in the Pass. Opening 16 a is formed only on the surface facing 8. The reason why the two SD cells 15 are provided is that when the substrate W is processed together by two SDs in one SD cell 15, another substrate W after PEB is placed in the other SD cell 15. This is because processing is performed with SD in
[0079]
As described above, the processing block 3 includes the first processing unit 9 including the BARC cell 12 and the SD cell 15A, the second processing unit 10 including the SC cell 13 and the SD cell 15B, and the PEB cell on the second floor side. 14 and a third processing unit 11 composed of a PEB cell 14 on the first floor side.
[0080]
And about the 1st floor side, the conveyance mechanism 17 for heat processing parts and the conveyance mechanism 19 for heat processing parts deliver the board | substrate W with respect to the heat processing part 16C among the heat processing parts 16 (16A-16E), The transfer mechanisms 17 and 19 share the heat treatment unit 16C, and the transfer mechanism 17 for the heat treatment unit and the transfer mechanism 18 for the SC transfer the substrate W to the heat treatment unit 16A. 17 and 18 share the heat treatment section 16A, and the heat treatment section transport mechanism 19, the SC transport mechanism 20, and the EE transport mechanism 21 deliver the substrate W to the heat treatment section 16D. The transport mechanisms 19, 20, and 21 share the heat treatment unit 16D. That is, by connecting the heat treatment units 16A, 16C, and 16D and the transfer mechanisms 17 to 21, a processing unit transfer path 25 that is a path for transferring the substrate W between the heat treatment units 16 and SC is configured. ing. Further, the substrate W is transferred and conveyed in the direction of the arrow in FIG. Moreover, the position where the heat treatment parts 16A, 16C, and 16D shared by these transport mechanisms 17 to 20 are disposed corresponds to the boundary part in the present invention.
[0081]
Regarding the second floor side, each heat treatment part transport mechanism 23 of the SD cell 15A and the SD cell 15B delivers the substrate W to the heat treatment part 16H among the heat treatment parts 16 (16F to 16G). These transport mechanisms 23 share the heat treatment section 16H, and the PEB transport mechanism 22, the heat treatment section transport mechanism 23 in the SD cell 15B, and the SD transport mechanism 24 in the SD cell 15B are included in the SD cell 15B. By transferring the substrate W to the heat treatment unit 16F, the transfer mechanisms 22 to 24 share the heat treatment unit 16F, and the heat treatment unit transfer mechanism 23 in the SD cell 15A and the SD for use in the SD cell 15A. The transfer mechanism 24 delivers the substrate W to the heat treatment unit 16F in the SD cell 15A, so that the transfer mechanisms 23 and 24 share the heat treatment unit 16F. . That is, by connecting these heat treatment units 16F and 16H and these transfer mechanisms 22 to 24, a processing unit transfer path 26 which is a path for transferring the substrate W between the heat treatment units 16 and SD is configured. Further, the substrate W is transferred and conveyed in the direction of the arrow in FIG. In addition, the positions where the heat treatment parts 16F and 16H shared by these transport mechanisms 22 to 24 are disposed also correspond to the boundary part in the present invention.
[0082]
That is, the processing unit conveyance paths 25 and 26 are configured in a hierarchical structure of two floors up and down. Further, the first floor processing section transport path 25 and the second floor processing section transport path 26 are connected to the indexer 1, respectively, and the first floor processing section transport path 25 and the second floor processing section transport path 26 are connected to the interface. 4, these processing unit transport paths 25 and 26 are alternately connected in the reverse direction. These processing unit transport paths 25 and 26 are alternately folded and connected in the opposite direction, whereby the processing unit transport path 25 is configured as a dedicated path for transporting the substrate W in the forward direction. Reference numeral 26 denotes a return-only path through which the substrate W is transported in the reverse direction.
[0083]
Next, specific configurations of the heat treatment unit transport mechanisms 17, 19, 23, the SC transport mechanisms 18, 20, the EE transport mechanism 21, and the SD transport mechanism 24 will be described with reference to FIGS. . As described above, since these transport mechanisms have the same configuration, only the heat treatment part transport mechanism 17 will be described. As shown in the plan view of FIG. 5 (a) and the right side view of FIG. 5 (b), the heat treatment part transport mechanism 17 has an arm base around the z-axis (in the direction of the arrow RE), which is a fixed lift axis. A rotation driving mechanism 17b configured to rotate the table 17a, and a z-axis lifting mechanism 17c configured to move the arm base 17a up and down along the z axis (direction of arrow RF) which is a fixed lifting shaft. ing. The arm base 17a is provided with an arm 17d for holding the substrate W, and the arm 17d is configured to be movable back and forth in the direction of the arrow RG, which is the rotational radius direction. The arm 17d corresponds to the substrate holding part in the present invention.
[0084]
Similar to the rotational drive mechanism 8d of the ID transport mechanism 8, the rotational drive mechanism 17b is configured by a motor 17e that rotates the arm base 17a and the arm base 17a described above around the axis as shown in FIG. And a support member 17f that supports the arm base 17a and the motor 17e. The rotation of the motor 17e rotates the arm base 17a together with the arm 17d in the direction of the arrow RE.
[0085]
As shown in FIG. 5B, the z-axis elevating mechanism 17c includes a screw shaft 17g and a motor 17h that rotates the screw shaft 17g around the axis, and the screw shaft 17g includes the rotation described above. A drive mechanism 17b is attached. By rotation of the motor 17h, the rotation drive mechanism 17b attached to the screw shaft 17g is moved in the direction of the arrow RF. Further, since the z-axis lifting mechanism 17c is fixed as described above, it is not moved in the y-axis direction (the direction of the arrow RA) unlike the z-axis lifting mechanism 8c of the ID transport mechanism 8.
[0086]
With this configuration, the substrate W held on the arm 17d of the arm base 17a rotates in the direction of the arrow RE, moves in the direction of the arrow RF, and can move forward and backward in the direction of the arrow RG. Further, as shown in FIG. 6A, the z-axis lifting mechanism 17c is at a predetermined position in the direction toward the front side other than the three directions toward the heat treatment parts 16A, 16B, and 16C, that is, in the direction toward the SC side. Fixed. As a result, the substrate W is transferred between the heat treatment parts 16A, 16B, and 16C by the heat treatment part transport mechanism 17.
[0087]
Similarly to the heat treatment part conveyance mechanism 17, the heat treatment part conveyance mechanism 19 and the z-axis elevating mechanisms 19c and 23c of the heat treatment part conveyance mechanism 23 are also in the directions shown in FIG. In the case of the mechanism 19, it is fixed at a predetermined position in the direction toward the SC side, and in the case of the transport mechanism 23 for the heat treatment section, it is fixed in the direction toward the SD side.
[0088]
Regarding the z transport mechanism 18c, 24c of the SD transport mechanism 24 in the SD cell 15A on the SC transport mechanism 18, the indexer 1 side, the direction as shown in FIG. 6B, that is, the direction toward the indexer 1 side. Accordingly, the substrate W is moved between the SC and the heat treatment unit 16A in the case of the SC transport mechanism 18 and the SD in the case of the SD transport mechanism 24 by the transport mechanisms 18 and 24. And the heat treatment unit 16F.
[0089]
The z-axis elevating mechanisms 20c and 24c of the SD transport mechanism 24 in the SD cell 15B on the SC transport mechanism 20 and interface 4 side are in the direction as shown in FIG. 7A, that is, the direction toward the interface 4 side. Accordingly, the substrate W is moved between the SC and the heat treatment unit 16D in the case of the SC transport mechanism 20 and the SD in the case of the SD transport mechanism 24 by the transport mechanisms 20 and 24. And the heat treatment unit 16F.
[0090]
The z-axis elevating mechanism 21c of the EE transport mechanism 21 is fixed at a predetermined position in the direction as shown in FIG. 7B, that is, the direction toward the front side, whereby the substrate W is moved by the EE transport mechanism 21. , The heat treatment units 16D and EE and the IF mounting table 30 described later in the interface 4 are transferred.
[0091]
These transport mechanisms 17 to 20, 23, and 24 correspond to the substrate transport means in the present invention.
[0092]
Next, a specific configuration of the PEB transport mechanism 22 will be described with reference to FIG. As shown in the plan view of FIG. 8 (a), the side view of FIG. 8 (b), and the front view of FIG. 8 (c), the PEB transport mechanism 22 is armed in the direction of the arrow RH (z direction). A cylindrical z-axis elevating mechanism 22b configured to move the base 22a up and down, and a motor 22c configured to rotate the z-axis elevating mechanism 22b around the z axis (in the direction of arrow RI) are provided. The arm base 22a is provided with an arm 22d for holding the substrate W, and the arm 22d is configured to be movable back and forth in the direction of the arrow RJ, which is the rotational radius direction.
[0093]
As shown in FIGS. 8A to 8C, the cylindrical z-axis lifting mechanism 22b is hollow, and the above-described arm base 22a is accommodated in the hollow portion. Further, an opening 22e is provided in the z-axis lifting mechanism 22b so that the arm 22d can pass when moving forward and backward. Further, as shown in FIG. 8B, the z-axis elevating mechanism 22b includes a screw shaft 22f and a motor 22g that rotates the screw shaft 22f around the axis, and the screw shaft 22f includes an arm. A base 22a is attached. The rotation of the motor 22g moves the arm base 22a attached to the screw shaft 22f in the direction of the arrow RH.
[0094]
The above-described motor 22c is attached to the bottom of the z-axis lifting mechanism 22b. The rotation of the motor 22c causes the z-axis lifting mechanism 22b itself to move to the arm base 22a and the arm housed in the z-axis lifting mechanism 22b. It is rotated in the direction of arrow RI together with 22d.
[0095]
With this configuration, the substrate W held by the arm 22d of the arm base 22a rotates in the direction of the arrow RI, moves in the direction of the arrow RH, and can move forward and backward in the direction of the arrow RJ. As a result, the substrate W is transferred by the PEB transport mechanism 22 between the PEB, CP, the IF mounting table 30 (to be described later) in the interface 4, and the heat treatment unit 16F in the SD cell 15B.
[0096]
Further, in the case of the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24, the substrate W cannot be delivered in the direction in which the z-axis lift mechanism constituted by the fixed lift shaft is attached, but the PEB transport mechanism In the case of 22, the cylindrical z-axis lifting mechanism 22b is attached instead of the fixed z-axis lifting mechanism, and the z-axis lifting mechanism 22b itself is rotatable. The substrate W can be delivered in the direction of.
[0097]
On the other hand, since the z-axis elevating mechanism 22b rotates around the z-axis (in the direction of the arrow RI), the structure becomes complicated as compared with the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24. In the case of the transport mechanisms 17 to 21, 23, and 24, the transport mechanisms 17 to 21, 23, and 24 can be maintained from directions other than the direction in which the z-axis lift mechanism composed of the fixed lift shaft is attached. On the other hand, in the case of the PEB transport mechanism 22, the z-axis lifting mechanism 22b has a cylindrical shape, and the PEB transport mechanism 22 can be maintained only from the opening 22e. Accordingly, in terms of maintainability, the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24 are superior to the PEB transport mechanism 22.
[0098]
Next, a specific configuration of the heat treatment section 16 (16A to 16G) will be described with reference to FIGS. In FIG. 9, the illustration of the transport mechanism and the like around the heat treatment unit 16 is omitted. As shown in FIG. 9, the heat treatment part 16F in the SD cell 15A and the heat treatment part 16A are laminated in order from the second floor part to the first floor part. Similarly, the heat treatment part 16G and the heat treatment part 16B in the SD cell 15A are laminated in order from the top, the heat treatment part 16H and the heat treatment part 16C are laminated in order from the top, and the heat treatment in the SD cell 15B. The part 16F and the heat treatment part 16D are laminated in order from the top, and the heat treatment part 16G in the SD cell 15B and the heat treatment part 16E are laminated in order from the top.
[0099]
Rails 27 are laid on the bottom of each heat treatment section 16, and each rail 27 extends from a position C in front of each of the transport mechanisms 17 to 20, 23, 24, which is also a steady position, to a retracted position D. Each is configured to do. Since each heat treatment part 16 is mounted on each rail 27, when maintaining the apparatus of the embodiment, in particular, each of the transport mechanisms 17 to 20, 23, 24, as shown in FIG. 27, the heat treatment section 16 is moved from the normal position C to the retreat position D, so that the maintenance zone E is secured.
[0100]
Returning to FIGS. 1 to 3, a specific configuration of the interface 4 will be described. The interface 4 (hereinafter abbreviated as “IF” as appropriate) includes an IF transport path 28, an IF transport mechanism 29, and an IF mounting table 30. As shown in FIGS. 2 and 3, the IF transport path 28 is formed in parallel with the ID transport path 7 of the indexer 1. The IF transport mechanism 29 moves on the IF transport path 28 so that the substrate W is placed between the IF mounting table 30 and the exposure apparatus (stepper) STP indicated by the two-dot chain line in FIGS. Transport. The exposure apparatus STP is configured as a separate device from the apparatus of the present embodiment, and is configured to be connected to the apparatus of the present embodiment, and the substrate between the apparatus of the present embodiment and the exposure apparatus STP. When W is not delivered, the exposure apparatus STP may be retracted from the interface 4 of the present embodiment apparatus.
[0101]
The specific configuration of the IF transport mechanism 29 is the same as that of the ID transport mechanism 8 except that the attachment position of the z-axis lifting mechanism 8c of the ID transport mechanism 8 shown in FIG. 4 is different. The description is omitted.
[0102]
As shown in FIG. 1, the IF mounting table 30 mounts the substrate W in order to transfer the substrate W between the PEB transport mechanism 22 and the IF transport mechanism 29 of the PEB cell 14 on the second floor side. There is a Pass dedicated to the second floor and a Pass dedicated to the first floor on which the substrate W is placed in order to transfer the substrate W between the EE transport mechanism 21 and the IF transport mechanism 29 of the PEB cell 14 on the first floor side. Are stacked. A plurality of buffers (hereinafter referred to as “BF”) for temporarily placing the substrates W are stacked between the two passes and above the exclusive pass for the second floor. The second floor dedicated pass, the plurality of second floor dedicated BFs, the first floor dedicated BF, and the first floor dedicated BF are stacked in order from the second floor part to the first floor part in the same manner as the heat treatment section 16. .
[0103]
Both Passes are opened in both directions on the PEB cell 14 side and the IF transport mechanism 29 side, and through these openings, the EE transport mechanism 21 in the PEB cell 14 on the first floor side, and the second floor The substrate W is transferred between the PEB transport mechanism 22 in the side PEB cell 14 and the IF transport mechanism 29. The first floor dedicated BF and the second floor dedicated BF are each opened to at least the IF transport mechanism 29 side, and the substrate is transferred to and from the IF transport mechanism 29 through the opening.
[0104]
Next, the frame configurations of the BARC cell 12, the SC cell 13, and the SD cells 15A and 15B as the substrate processing apparatus unit will be described with reference to FIGS. FIG. 11 is a schematic perspective view showing the frame structure of each of the BARC cell 12, SC cell 13 and SD cells 15A and 15B as a substrate processing unit, and FIG. 12 shows the cell as the substrate processing unit. FIG. 2 is a schematic perspective view showing a state where two pieces are assembled on the left and right sides and two pieces are assembled on the upper and lower sides.
[0105]
That is, as shown in FIG. 11, an opening Fa is provided on the right side of each cell 12, 13, 15A, 15B, an opening Fb is provided on the left side, an opening Fc is provided on the front, and an opening Fd is provided on the back. . By providing these openings Fa to Fd, the outer wall portions of the cells 12, 13, 15A and 15B other than the openings Fa to Fd are configured as the frame F of the outer frame. In this embodiment, for example, the frames F of the cells 12, 13, 15A, and 15B have the same shape and the same size. In addition, fitting pins P1 projecting upward are provided at the four corners of the upper surface of the frame F of each cell 12, 13, 15A, 15B. Further, fitting holes P2 for fitting the fitting pins P1 are provided at the four corners of the lower surface of the frame F of each of the cells 12, 13, 15A, 15B. The fitting pins P1 on the upper surface of the frame F for positioning the frames F of the two cells stacked up and down on the lower side and the fitting holes P2 on the lower surface of the frame F positioned on the upper side of the frame F are combined. By stacking them, it is possible to assemble a number of cells in the vertical direction. In this embodiment, for example, the SD cell 15A is stacked on the BARC cell 12, and the SD cell 15B is stacked on the SC cell 13.
[0106]
Note that the cells in the vertical direction are connected to each other by the fitting member including the fitting pin P1 and the fitting hole P2 described above. For example, the connection member such as a metal fitting or the fastening member such as a bolt and nut You may make it connect the cell of a direction.
[0107]
Furthermore, as shown in FIG. 12, by connecting the frames F of two cells adjacent in the left-right direction to each other with a connecting member f (for example, a metal fitting), the opening Fa on the right side surface of one cell is the other. The cells adjacent to the opening Fb on the left side surface of the cell are connected in communication. As a result, the processing unit transport paths 25 and 26 in each cell are also connected in communication across the cells. With this configuration, cells (for example, the cells 12, 13, 15A, and 15B) as the substrate processing unit can be arranged side by side in the left-right direction (the transport direction of the substrate W) and the up-down direction. . Further, each cell can be easily increased according to the number of processed substrates, and the number of cells can be easily reduced if necessary.
[0108]
In addition, although the cells adjacent in the left-right direction are connected by the connecting member f described above, the left-right direction is determined by a fitting member composed of the fitting pin P1 and the fitting hole P2, or a fastening member such as a bolt and a nut. The cells adjacent to each other may be connected.
[0109]
Subsequently, an assembly method for assembling the substrate processing apparatus of this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 13A is a schematic perspective view showing a state where the working mother pipe is attached to the cell, and FIG. 13B is a schematic perspective view showing a state where the working mother pipe is connected to the cell. It is. In FIG. 11 to FIG. 13, for convenience of explanation, illustration of processing units (SC, SD, heat treatment units 16 </ b> A to 16 </ b> H) accommodated in the frame F is omitted.
[0110]
First, as shown in FIG. 12, cells (for example, cells 12, 13, 15A, 15B) as the substrate processing apparatus unit shown in FIG. 11 are connected to each other to assemble the apparatus main body FH. Specifically, the SD cell 15A is stacked on the BARC cell 12, the SD cell 15B is stacked on the SC cell 13, and these are aligned and connected in the left-right direction (the transport direction of the substrate W). Note that the order of assembly is not limited to this, and the cells are connected in the left-right direction to complete the first floor, and then stacked on top of the cells in any order to improve work efficiency. Just do it. The assembly of the apparatus main body FH described above corresponds to the assembly process in the present invention.
[0111]
In addition, the mobility may be improved by providing wheel portions at four corners on the lower surface side of the lowest cell among the multi-stage (for example, two stages in this embodiment). Each cell may be transported individually, and each cell may be connected and assembled on site. For example, cells are stacked in multiple stages (for example, two stages) and assembled to a predetermined size in advance, and the lowest The above-mentioned wheel part is provided to the cell and moved, and the cells assembled in multiple stages are connected in the left and right direction on the site, or the cells are connected in the left and right direction and assembled to a predetermined size in advance, and the lowest The above-mentioned wheel portion may be provided in the cell and moved, and the cells connected in the left-right direction may be stacked in multiple stages (for example, two stages) on the site, and assembled.
[0112]
Next, as shown in FIG. 13A, the working mother pipe BK is passed through the cells. For example, the mother tube BK for utility is arranged side by side on the back side of the BARC cell 12 and the SC cell 13. The utility tube BK is, for example, electric power or nitrogen (N2 ) Various pipes and cables such as gas, pure water, exhaust system and drainage system are inserted into the pipe at once. Electric power and nitrogen (N2 ) One end of various pipes and cables such as gas, pure water, exhaust system and drainage system are connected to each connector part C of the outer periphery of the main pipe BK for utility, and the other end is this substrate processing It is connected to the facility where the equipment is installed. The penetration of the utility pipe BK described above corresponds to the penetration process in the present invention.
[0113]
Next, as shown in FIG. 13B, each of the cells 12, 13, 15A, 15B is connected to the mother pipe BK for utility. For example, various pipes / cables CA from each of the cells 12, 13, 15A, 15B are connected to the respective connector portions C on the outer peripheral portion of the utility pipe BK. The connection between the above-described cells and the utility pipe BK corresponds to the connection process in the present invention.
[0114]
By assembling the substrate processing apparatus in this way, the substrate processing apparatus can be efficiently assembled, and various pipes / cables CA from the cells 12, 13, 15A, 15B are not scattered. Can improve the safety of the person or the like.
[0115]
Next, a series of substrate processing in the photolithography process in the substrate processing apparatus of this embodiment will be described with reference to the flowcharts of FIGS. 14 and 15 and FIG. Note that a plurality of substrates W are performed in parallel in each process, but only one substrate W will be described.
[0116]
(Step S1) Transport by indexer
In order to take out one substrate W from the cassette mounted on the cassette mounting table 2, the y-axis moving mechanism 8 b of the ID transport mechanism 8 moves the arm base 8 a together with the z-axis lifting mechanism 8 c along the ID transport path 7. The z-axis raising / lowering mechanism 8c moves the arm base 8a in the direction of the arrow RB while moving the arm base 8a in the direction of the arrow RB while the z-axis elevating mechanism 8c moves the arm base 8a in the direction of the arrow RC. The arm 8e is advanced in the direction of the arrow RD, and the advanced arm 8e holds one substrate W in the cassette. Thereafter, the arm 8e is retracted in the direction of the arrow RD while holding the substrate W.
[0117]
(Step S2) Pass by Pass
The ID transport mechanism 8 places the substrate W on the pass of the heat treatment unit 16 </ b> A in the BARC cell 12 in order to deliver the substrate W to the heat treatment unit transport mechanism 17 in the BARC cell 12. More specifically, the y-axis moving mechanism 8b of the ID transport mechanism 8 moves the arm base 8a along the ID transport path 7 together with the z-axis lift mechanism 8c, and the z-axis lift mechanism 8c and the rotation drive mechanism. 8d raises and rotates the arm base 8a. Then, the arm 8e is advanced, and the substrate W is placed on the Pass through the Pass opening 16a. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 8e is moved backward.
[0118]
(Step S3) AHL processing
In order to receive the substrate W placed on the Pass, the z-axis elevating mechanism 17c of the heat treatment unit transport mechanism 17 raises the arm base 17a together with the rotation drive mechanism 17b in the direction of the arrow RF, thereby rotating the rotation drive mechanism 17b. Rotates the arm base 17a in the direction of the arrow RE. Then, the arm 17d is advanced in the direction of the arrow RG, and the substrate W is unloaded from the Pass through the Pass opening 16a. Thereafter, the arm 17d is moved backward while the substrate W is held.
[0119]
Then, the z-axis elevating mechanism 17c of the heat treatment unit transport mechanism 17 is moved together with the rotary drive mechanism 17b so as to move to the AHL stacked under the Pass in order to perform processing with the AHL of the heat treatment unit 16A. 17a is lowered. Then, the arm 17d is advanced, and the substrate W is placed on the AHL through the opening 16a of the AHL. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 17d is moved backward.
[0120]
An AHL (adhesion) process is performed on the substrate W placed on the AHL in order to improve the adhesion between the substrate W and the photoresist film.
[0121]
In addition, when the substrate W is transferred from the AHL to the next CP, since it is performed by the heat treatment unit transport mechanism 17, the heat treatment unit transport mechanism 17 may be waited in front of the AHL until the AHL process is completed. In order to improve the processing efficiency, the z-axis elevating mechanism 17c and the rotation drive mechanism 17b of the heat treatment part transport mechanism 17 move the arm base 17a up and down until another AHL process is completed. W may be conveyed.
[0122]
(Step S4) CP processing
When the AHL process is completed, the z-axis elevating mechanism 17c and the rotation drive mechanism 17b of the heat treatment unit transport mechanism 17 move the arm base 17a up and down to receive the substrate W placed on the AHL. Then, the arm 17d is advanced to carry the substrate W out of the AHL through the opening 16a of the AHL. Thereafter, the arm 17d is moved backward while the substrate W is held.
[0123]
Then, the z-axis elevating mechanism 17c of the heat treatment unit transport mechanism 17 is moved together with the rotary drive mechanism 17b so as to move to the CP stacked below the AHL for processing by the CP of the heat treatment unit 16A. 17a is lowered. Then, the arm 17d is advanced, and the substrate W is placed on the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 17d is moved backward.
[0124]
CP processing is performed on the substrate W placed on the CP in order to cool the substrate W heated by the AHL and keep it at room temperature.
[0125]
(Step S5) BARC processing
When the CP processing is completed, in order to receive the substrate W placed on the CP, the z-axis lifting mechanism 18c of the SC transport mechanism 18 lifts and lowers the arm base 18a together with the rotation driving mechanism 18b in the direction of the arrow RF. The rotation drive mechanism 18b rotates the arm base 18a in the direction of the arrow RE. Then, the arm 18d is advanced in the direction of the arrow RG, and the substrate W is unloaded from the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the arm 18d is moved backward while the substrate W is held.
[0126]
Then, in order to perform processing by the SC in the BARC cell 12, the z-axis lifting mechanism 18c and the rotation driving mechanism 18b of the SC transport mechanism 18 lower and rotate the arm base 18a. Then, the arm 18d is advanced to place the substrate W on the SC spin chuck (not shown). Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 18d is moved backward.
[0127]
A BARC process is performed on the substrate W placed on the SC by coating and forming an antireflection film while rotating the substrate W.
[0128]
(Step S6) Delivery by CP
When the BARC process is completed, in order to receive the substrate W placed on the SC, the z-axis elevating mechanism 18c and the rotation driving mechanism 18b of the SC transport mechanism 18 lower and rotate the arm base 18a. Then, the arm 18d is advanced to carry the substrate W out of the SC. Thereafter, the arm 18d is moved backward while the substrate W is held.
[0129]
And in order to carry in CP of heat processing part 16A, the z-axis raising / lowering mechanism 18c and the rotational drive mechanism 18b of the SC conveyance mechanism 18 raise and rotate the arm base 18a. Then, the arm 18d is advanced, and the substrate W is placed on the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 18d is moved backward. At this time, if it is necessary to cool the substrate W, CP processing may be performed with this CP.
[0130]
(Step S7) HP processing
In order to receive the substrate W placed on the CP, the z-axis elevating mechanism 17c and the rotation driving mechanism 17b of the heat treatment part transport mechanism 17 elevate and rotate the arm base 17a. Then, the arm 17d is advanced, and the substrate W is unloaded from the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the arm 17d is moved backward while the substrate W is held.
[0131]
And in order to process with HP of the heat processing part 16B in the BARC cell 12, the z-axis raising / lowering mechanism 17c and the rotational drive mechanism 17b of the conveyance mechanism 17 for heat processing parts raise / lower and rotate the arm base 17a. Then, the arm 17d is advanced, and the substrate W is placed on the HP through the HP opening 16a. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 17d is moved backward.
[0132]
An HP (baking) process for heating the substrate W after the BARC process is performed on the substrate W placed on the HP.
[0133]
(Step S8) Pass by Pass
When the HP process is completed, in order to receive the substrate W placed on the HP, the z-axis elevating mechanism 17c and the rotation driving mechanism 17b of the heat treatment unit transport mechanism 17 move the arm base 17a up and down. Then, the arm 17d is advanced, and the substrate W is unloaded from the HP through the HP opening 16a. Thereafter, the arm 17d is moved backward while the substrate W is held.
[0134]
Then, in order to transfer the substrate W to the thermal processing unit transport mechanism 19 in the SC cell 13, the thermal processing unit transport mechanism 17 places the substrate W on the pass of the thermal processing unit 16 </ b> C. More specifically, the z-axis elevating mechanism 17c and the rotation drive mechanism 17b of the heat treatment part transport mechanism 17 raise and rotate the arm base 17a. Then, the arm 17d is advanced, and the substrate W is placed on the Pass through the Pass opening 16a. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 17d is moved backward.
[0135]
(Step S9) Delivery by CP
In order to receive the substrate W placed on the Pass, the z-axis elevating mechanism 19c of the heat treatment unit transport mechanism 19 raises the arm base 19a together with the rotation drive mechanism 19b in the direction of the arrow RF, thereby rotating the rotation drive mechanism 19b. Rotates the arm base 19a in the direction of the arrow RE. Then, the arm 19d is advanced in the direction of the arrow RG, and the substrate W is unloaded from the Pass through the Pass opening 16a. Thereafter, the arm 19d is moved backward while the substrate W is held.
[0136]
And in order to carry in to CP of heat processing part 16D, the z-axis raising / lowering mechanism 19c and the rotational drive mechanism 19b of the conveyance mechanism 19 for heat processing parts lower and rotate the arm base 19a. Then, the arm 19d is advanced, and the substrate W is placed on the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 19d is moved backward. In CP, the substrate is cooled.
[0137]
(Step S10) SC processing
In order to receive the substrate W placed on the CP, the z-axis lifting mechanism 20c of the SC transport mechanism 20 moves the arm base 20a up and down in the direction of the arrow RF together with the rotation driving mechanism 20b, and the rotation driving mechanism 20b The arm base 20a is rotated in the direction of the arrow RE. Then, the arm 20d is advanced in the direction of the arrow RG, and the substrate W is unloaded from the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the arm 20d is moved backward while the substrate W is held.
[0138]
Then, in order to perform processing by the SC in the SC cell 13, the z-axis lifting mechanism 20c and the rotation driving mechanism 20b of the SC transport mechanism 20 lower and rotate the arm base 20a. Then, the arm 20d is advanced to place the substrate W on the SC spin chuck (not shown). Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 20d is moved backward.
[0139]
SC processing for applying a resist while rotating the substrate W is performed on the substrate W placed on the SC.
[0140]
(Step S11) Delivery by CP
When the SC process is completed, in order to receive the substrate W placed on the SC, the z-axis lifting mechanism 20c and the rotation driving mechanism 20b of the SC transport mechanism 20 lower and rotate the arm base 20a. Then, the arm 20d is advanced to carry the substrate W out of the SC. Thereafter, the arm 20d is moved backward while the substrate W is held.
[0141]
And in order to carry in to CP of heat processing part 16D, the z-axis raising / lowering mechanism 18c and the rotational drive mechanism 18b of the SC conveyance mechanism 18 raise and rotate the arm base 20a. Then, the arm 20d is advanced, and the substrate W is placed on the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 20d is moved backward. At this time, if it is necessary to cool the substrate W, CP processing may be performed with this CP.
[0142]
(Step S12) HP processing
In order to receive the substrate W placed on the CP, the z-axis elevating mechanism 19c and the rotation driving mechanism 19b of the heat treatment unit transport mechanism 19 elevate and rotate the arm base 19a. Then, the arm 19d is advanced, and the substrate W is unloaded from the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the arm 19d is moved backward while the substrate W is held.
[0143]
And in order to process with HP of the heat processing part 16E in SC cell 13, the z-axis raising / lowering mechanism 19c and the rotational drive mechanism 19b of the conveyance mechanism 19 for heat processing parts raise / lower and rotate the arm base 19a. Then, the arm 19d is advanced, and the substrate W is placed on the HP through the opening 16a of the HP. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 19d is moved backward.
[0144]
HP (baking) processing for heating the substrate W after SC processing is performed on the substrate W placed on the HP.
[0145]
(Step S13) CP processing
When the HP process is completed, in order to receive the substrate W placed on the HP, the z-axis elevating mechanism 19c and the rotation driving mechanism 19b of the heat treatment part transport mechanism 19 elevate and rotate the arm base 19a. Then, the arm 19d is advanced, and the substrate W is unloaded from the HP through the HP opening 16a. Thereafter, the arm 19d is moved backward while the substrate W is held.
[0146]
And in order to process by CP of heat processing part 16D, the z-axis raising / lowering mechanism 19c and the rotational drive mechanism 19b of the heat processing part conveyance mechanism 19 raise / lower and rotate the arm base 19a. Then, the arm 19d is advanced, and the substrate W is placed on the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 19d is moved backward.
[0147]
CP processing is performed on the substrate W placed on the CP in order to cool the substrate W heated by HP and keep it at room temperature.
[0148]
(Step S14) Delivery by Pass
When the CP process is completed, in order to receive the substrate W placed on the CP, the z-axis elevating mechanism 19c of the heat treatment part transport mechanism 19 moves the arm base 19a together with the rotation drive mechanism 19b in the direction of the arrow RF. The rotation drive mechanism 19b rotates the arm base 19a in the direction of the arrow RE. Then, the arm 19d is advanced in the direction of the arrow RG, and the substrate W is unloaded from the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the arm 21d is moved backward while the substrate W is held.
[0149]
Then, in order to transfer the substrate to the EE transport mechanism 21 in the PEB cell 14, the heat treatment unit transport mechanism 19 places the substrate on the pass of the heat treatment unit 16D. More specifically, the z-axis elevating mechanism 19c and the rotation drive mechanism 19b of the heat treatment part transport mechanism 19 raise and rotate the arm base 19a. Then, the arm 19d is advanced, and the substrate W is placed on the Pass through the Pass opening 16a. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 19d is moved backward.
[0150]
(Step S15) EE processing
In order to receive the substrate W placed on the Pass, the z-axis lifting mechanism 21c of the EE transport mechanism 21 raises the arm base 21a together with the rotation drive mechanism 21b in the direction of the arrow RF, and the rotation drive mechanism 21b The arm base 21a is rotated in the direction of the arrow RE. Then, the arm 21d is advanced in the direction of the arrow RG, and the substrate W is unloaded from the Pass through the Pass opening 16a. Thereafter, the arm 21d is moved backward while the substrate W is held.
[0151]
In order to perform processing by EE in the PEB cell 14 on the first floor side, the z-axis elevating mechanism 21c and the rotation driving mechanism 21b of the EE transport mechanism 21 move the arm base 21a up and down. Then, the arm 21d is advanced, and the substrate W is placed on the EE through the opening 16a of the EE. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 21a is retracted.
[0152]
The substrate W placed on the EE is subjected to an EE (edge exposure) process that exposes an edge portion of the substrate W before the exposure process.
[0153]
(Step S16) Pass by Pass
When the edge exposure process in EE is completed, in order to receive the substrate W placed on the EE, the z-axis lifting mechanism 21c of the EE transport mechanism 21 moves the arm base 21a together with the rotation drive mechanism 21b in the direction of the arrow RF. The rotary drive mechanism 21b rotates the arm base 21a in the direction of the arrow RE. Then, the arm 21d is advanced in the direction of the arrow RG, and the substrate W is unloaded from the EE through the EE opening 16a. Thereafter, the arm 21d is moved backward while the substrate W is held.
[0154]
Then, in order to transfer the substrate W to the IF transport mechanism 29 in the interface 4, the EE transport mechanism 21 places the substrate on the Pass below the IF mounting table 30. More specifically, the z-axis lifting mechanism 21c and the rotation drive mechanism 21b of the EE transport mechanism 21 raise and rotate the arm base 21a. Then, the arm 21d is advanced, and the substrate W is placed on the Pass through the Pass opening 16a. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 21d is moved backward.
[0155]
(Step S17) Temporary placement at BF
In order to receive the substrate W placed on the Pass, the y-axis moving mechanism 29b of the IF transport mechanism 29 moves the arm base 29a together with the z-axis lifting mechanism 29c on the IF transport path 28 in the direction of the arrow RA. The z-axis elevating mechanism 29c moves the arm base 29a in the direction of the arrow RB while the rotary drive mechanism 29d rotates the arm base 29a in the direction of the arrow RC (see FIG. 4). Then, the arm 29e is advanced in the direction of the arrow RD, and the substrate W is unloaded from the Pass through the Pass opening 16a (see FIG. 4). Thereafter, the arm 29e is retracted in the direction of the arrow RD while holding the substrate W (see FIG. 4). When a waiting time occurs in the substrate W due to the processing time in the exposure apparatus STP, the IF transport mechanism 29 is raised and the substrate W is stored in the BF dedicated for the first floor. In addition, when the exposure process is performed as it is without causing a waiting time for the substrate W, the temporary placement in the BF is omitted.
[0156]
(Step S18) Transport at the interface
In order to receive the substrate W placed on the BF (to receive the substrate W placed on the Pass if the temporary placement at the BF in step S17 is omitted), the IF transport mechanism 29, the y-axis moving mechanism 29b moves the arm base 29a in the direction of the arrow RA on the IF transport path 28 together with the z-axis lifting mechanism 29c, and the z-axis lifting mechanism 29c moves the arm base 29a in the direction of the arrow RB. The rotary drive mechanism 29d rotates the arm base 29a in the direction of the arrow RC while moving up and down in the direction. Then, the arm 29e is advanced in the direction of the arrow RD, and the substrate W is unloaded from the Pass or BF through the Pass or BF opening. Thereafter, the arm 29e is retracted in the direction of the arrow RD while holding the substrate W.
[0157]
(Step S19) Exposure processing
In order to perform processing by the exposure apparatus STP connected to the interface 4, the y-axis moving mechanism 29b of the IF transport mechanism 29 moves the arm base 29a along the IF transport path 28 together with the z-axis lifting mechanism 29c. The z-axis elevating mechanism 29c and the rotational drive mechanism 29d move the arm base 29a up and down and rotate. Then, the arm 29e is advanced and carried into the exposure apparatus STP. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 29e is retracted. An exposure process for the substrate W is performed on the substrate W carried into the exposure apparatus STP.
[0158]
(Step S20) Transport at the interface
When the exposure process is completed, the y-axis moving mechanism 29b of the IF transport mechanism 29 moves the arm base 29a along the IF transport path 28 together with the z-axis lifting mechanism 29c in order to carry it out of the exposure apparatus STP. The z-axis elevating mechanism 29c and the rotational drive mechanism 29d move the arm base 29a up and down and rotate. Then, the arm 29e is advanced to take out the substrate W from the exposure apparatus STP. Thereafter, the arm 29e is moved backward while the substrate W is held.
[0159]
(Step S21) Pass by Pass
In order to pass to the PEB transport mechanism 22 in the PEB cell 14 on the second floor side, the substrate W is mounted on the second floor dedicated pass in the IF mounting table 30 in the interface 4. More specifically, the y-axis moving mechanism 29b of the IF transport mechanism 29 moves the arm base 29a along the IF transport path 28 together with the z-axis lift mechanism 29c, and thereby the z-axis lift mechanism 29c and the rotation drive mechanism. 29d raises and rotates the arm base 29a. Then, the arm 29e is advanced, and the substrate W is placed on the Pass through the opening of the Pass or BF. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 29e is retracted.
[0160]
If there is a situation where it is necessary to adjust the time for passing to the PEB transport mechanism 22, the IF transport mechanism 29 transports the substrate W to the BF dedicated to the second floor and adjusts the time. At the point of time when it can be delivered to the PEB transport mechanism 22, the IF transport mechanism 29 transports the substrate W from the BF to the Pass.
[0161]
(Step S22) PEB processing
In order to receive the substrate W placed on the Pass or BF, the z-axis lifting mechanism 22b of the PEB transport mechanism 22 moves the arm base 22a up and down in the direction of the arrow RH, and the motor 22c moves to the z-axis lifting mechanism 22b. The arm base 22a is rotated in the direction of the arrow RI. Then, the arm 22d is advanced in the direction of the arrow RJ through the opening 22e, and the substrate W is unloaded from the Pass or BF. Thereafter, the arm 22d is moved backward while the substrate W is held.
[0162]
In order to perform processing with PEB in the PEB cell 14 on the second floor side, the z-axis lifting mechanism 22b and the motor 22c of the PEB transport mechanism 22 move the arm base 22a up and down. Then, the arm 22d is advanced through the opening 22e to place the substrate W on the PEB. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 22a is moved backward.
[0163]
A PEB (Post Exposure Bake) process for heating the substrate W after the exposure process is performed on the substrate W placed on the PEB.
[0164]
(Step S23) CP processing
When the PEB processing is completed, the z-axis lifting mechanism 22b and the motor 22c of the PEB transport mechanism 22 move the arm base 22a up and down to receive the substrate W placed on the PEB. Then, the arm 22d is advanced to carry the substrate W out of the PEB through the PEB opening 16a. Thereafter, the arm 22d is moved backward while the substrate W is held.
[0165]
The z-axis elevating mechanism 22b of the PEB transport mechanism 22 is moved to the arm base so as to move to the CP stacked under the PEB for processing by the CP in the PEB cell 14 on the second floor side. 22a is lowered. Then, the arm 22d is advanced, and the substrate W is placed on the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 22d is moved backward.
[0166]
CP processing is performed on the substrate W placed on the CP in order to cool the substrate W heated by PEB and keep it at room temperature.
[0167]
(Step S24) Delivery by Pass
When the CP process is completed, the z-axis lifting mechanism 22b and the motor 22c of the PEB transport mechanism 22 move the arm base 22a up and down in order to receive the substrate W placed on the CP. Then, the arm 22d is advanced, and the substrate W is unloaded from the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the arm 22d is moved backward while the substrate W is held.
[0168]
Then, in order to pass to the SD transport mechanism 24 in the SD cell 15B, the substrate W is placed on the pass of the heat treatment unit 16F in the SD cell 15B. More specifically, the z-axis lifting mechanism 22b and the motor 22c of the PEB transport mechanism 22 raise and rotate the arm base 22a. Then, the arm 22d is advanced, and the substrate W is placed on the Pass through the Pass opening 16a. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 22a is moved backward.
[0169]
When the substrate W is being processed by two SDs in the SD cell 15B, the PEB transport mechanism 22 places the substrate W on the pass of the heat treatment unit 16F in the SD cell 15B and places it on the pass. The heat treatment part transport mechanism 23 in the SD cell 15B receives the placed substrate W, and further, the heat treatment part transport mechanism 23 in the SD cell 15B is transferred to the Pass of the heat treatment part 16H shared by the SD cells 15A and 15B. And the substrate W placed on the Pass is received by the heat treatment unit transport mechanism 23 in the SD cell 15A, and further, the CP of the heat treatment unit 16F in the SD cell 15A is used for the heat treatment unit in the SD cell 15A. After the transport mechanism 23 places the substrate W and the SD transport mechanism 24 in the SD cell 15A receives it, it places it on the SD in the SD cell 15A, and performs SD (development) processing with SD. It may be.
[0170]
(Step S25) Delivery by CP
In order to receive the substrate W placed on the Pass, the z-axis elevating mechanism 23c of the heat treatment unit transport mechanism 23 raises the arm base 23a together with the rotation drive mechanism 23b in the direction of the arrow RF, thereby rotating the rotation drive mechanism 23b. Rotates the arm base 23a in the direction of the arrow RE. Then, the arm 23d is advanced in the direction of the arrow RG, and the substrate W is unloaded from the Pass through the Pass opening 16a. Thereafter, the arm 23d is moved backward while the substrate W is held.
[0171]
And in order to place in CP of heat processing part 16F, z axis raising / lowering mechanism 23c and rotation drive mechanism 23b of conveyance mechanism 23 for heat processing parts lower and rotate arm base 23a. Then, the arm 23d is advanced to place the substrate W on the CP. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 23d is moved backward. In the CP, the temperature may be adjusted so that the substrate W has a temperature of about room temperature with higher accuracy.
[0172]
(Step S26) SD processing
In order to receive the substrate W placed on the CP, the z-axis elevating mechanism 24c of the SD transport mechanism 24 raises the arm base 24a together with the rotation drive mechanism 24b in the direction of the arrow RF, and the rotation drive mechanism 24b The arm base 24a is rotated in the direction of the arrow RE. Then, the arm 24d is advanced in the direction of the arrow RG, and the substrate W is unloaded from the CP through the Pass opening 16a. Thereafter, the arm 24d is moved backward while the substrate W is held.
[0173]
Then, in order to perform processing with SD in the SD cell 15B, the z-axis lifting mechanism 24c and the rotation driving mechanism 24b of the SD transport mechanism 24 lower and rotate the arm base 24a. Then, the arm 24d is advanced to place the substrate W on the SD spin chuck (not shown). Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 24d is moved backward.
[0174]
An SD (development) process is performed on the substrate W placed on the SD to perform a development process while rotating the substrate W.
[0175]
(Step S27) Delivery by CP
When the SD process is completed, in order to receive the substrate W placed on the SD, the z-axis elevating mechanism 24c and the rotation driving mechanism 24b of the SD transport mechanism 24 lower and rotate the arm base 24a. Then, the arm 24d is advanced to carry the substrate W out of the SD. Thereafter, the arm 24d is moved backward while the substrate W is held.
[0176]
Then, in order to transfer the substrate W to the heat treatment unit transport mechanism 23 in the SD cell 15B, the substrate W is placed on the CP of the heat treatment unit 16F in the SD cell 15B. More specifically, the z-axis elevating mechanism 24c and the rotation drive mechanism 24b of the SD transport mechanism 24 raise and rotate the arm base 24a. Then, the arm 24d is advanced, and the substrate W is placed on the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 24d is moved backward.
[0177]
(Step S28) HP processing
In order to receive the substrate W placed on the CP, the z-axis raising / lowering mechanism 23c of the heat treatment part transport mechanism 23 raises the arm base 23a together with the rotation driving mechanism 23b in the direction of the arrow RF, thereby rotating the rotation driving mechanism 23b. Rotates the arm base 23a in the direction of the arrow RE. Then, the arm 23d is advanced in the direction of the arrow RG, and the substrate W is unloaded from the CP through the opening 23a of the CP. Thereafter, the arm 23d is moved backward while the substrate W is held.
[0178]
And in order to process with HP of the heat processing part 16G in SD cell 15B, the z-axis raising / lowering mechanism 23c and the rotational drive mechanism 23b of the heat processing part conveyance mechanism 23 raise / lower and rotate the arm base 23a. Then, the arm 23d is advanced, and the substrate W is placed on the HP through the HP opening 16a. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 23d is moved backward.
[0179]
An HP (baking) process for heating the substrate W after the SD process is performed on the substrate W placed on the HP.
[0180]
(Step S29) CP processing
When the HP process is completed, in order to receive the substrate W placed on the HP, the z-axis elevating mechanism 23c and the rotation driving mechanism 23b of the heat treatment part transport mechanism 23 move the arm base 23a up and down. Then, the arm 23d is advanced, and the substrate W is unloaded from the HP through the HP opening 16a. Thereafter, the arm 23d is moved backward while the substrate W is held.
[0181]
Then, the z-axis elevating mechanism 23c of the heat treatment unit transport mechanism 23 moves the arm base 23a so that the CP of the heat treatment unit 16G moves to the CP stacked under the HP in order to process with the substrate W. Lower. Then, the arm 23d is advanced, and the substrate W is placed on the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 23d is moved backward.
[0182]
CP processing is performed on the substrate W placed on the CP in order to cool the substrate W heated by HP and keep it at room temperature.
[0183]
(Step S30) Pass by Pass
When the CP process is completed, in order to receive the substrate W placed on the CP, the z-axis elevating mechanism 23c and the rotation driving mechanism 23b of the heat treatment unit transport mechanism 23 move the arm base 23a up and down. Then, the arm 23d is advanced, and the substrate W is unloaded from the CP through the opening 16a of the CP. Thereafter, the arm 23d is moved backward while the substrate W is held.
[0184]
Then, the substrate W is placed on the pass of the heat treatment part 16H in order to pass to the heat treatment part transport mechanism 23 in the SD cell 15A. More specifically, the z-axis elevating mechanism 23c and the rotation drive mechanism 23b of the substrate processing mechanism 23 for the heat treatment part move the arm base 23a up and down. Then, the arm 23d is advanced, and the substrate W is placed on the Pass through the Pass opening 16a. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 23d is moved backward.
[0185]
(Step S31) Pass by Pass
In order to receive the substrate W placed on the Pass, the z-axis elevating mechanism 23c and the rotation driving mechanism 23b of the heat treatment unit transport mechanism 23 in the SD cell 15A move the arm base 23a up and down. Then, the arm 23d is advanced, and the substrate W is unloaded from the Pass through the Pass opening 16a. Thereafter, the arm 23d is moved backward while the substrate W is held.
[0186]
Then, in order to pass to the ID transport mechanism 8 in the indexer 1, the substrate W is placed on the pass of the heat treatment unit 16F in the SD cell 15A. More specifically, the z-axis elevating mechanism 23c and the rotation drive mechanism 23b of the heat treatment part transport mechanism 23 in the SD cell 15A raise and rotate the arm base 23a. Then, the arm 23d is advanced, and the substrate W is placed on the Pass through the Pass opening 16a. Thereafter, the holding of the substrate W is released and the arm 23d is moved backward.
[0187]
(Step S32) Transport by the indexer
In order to carry out the substrate W placed on the Pass, the y-axis moving mechanism 8b of the ID transport mechanism 8 moves the arm base 8a along the ID transport path 7 together with the z-axis lifting mechanism 8c, and z The shaft elevating mechanism 8c and the rotational drive mechanism 8d raise and rotate the arm base 8a. Then, the arm 8e is advanced, and the substrate W is unloaded from the Pass through the Pass opening 16a. Thereafter, the arm 8e is moved backward while the substrate W is held.
[0188]
In order to store the substrate in the cassette mounted on the cassette mounting table 2, the y-axis moving mechanism 8b of the ID transport mechanism 8 moves the arm base 8a along the ID transport path 7 together with the z-axis lifting mechanism 8c. Thus, the z-axis lifting mechanism 8c and the rotation drive mechanism 8d lower and rotate the arm base 8a. Then, the arm 8e is advanced, and the advanced arm 8e stores the processed substrate W in the cassette. Thereafter, the arm 8e is moved backward while the substrate W is held.
[0189]
When a predetermined number of processed substrates W are stored in the cassette, the cassette finishes a series of substrate processing.
[0190]
As described above, each of the cells 12, 13, 15 A, and 15 B as the substrate processing apparatus unit of the present embodiment has a plurality of processing units that perform predetermined processing on the substrate W and the substrate W between the processing units. And a plurality of substrate transfer means for delivering the above. That is, the BARC cell 12 includes a heat treatment part transport mechanism 17 for the heat treatment parts 16A to 16C and an SC transport mechanism 18 for the SC, and the SC cell 13 includes a heat treatment part transport mechanism 19 for the heat treatment parts 16C to 16E. The SD cell 15B includes an SC transport mechanism 20 for the heat treatment sections 16F, 16G, and 16H, and an SD transport mechanism 24 for the SD, and the SD cell 15A. Includes a heat treatment part transport mechanism 23 for the heat treatment parts 16F, 16G, and 16H and an SD transport mechanism 24 for the SD. Therefore, it is not necessary to carry a substrate to a plurality of processing units with a single substrate carrying means as in the conventional apparatus, and the burden on each of the carrying mechanisms 17 to 20, 23, 24 can be reduced. The MTBF (average operation time between failures: expected value of operation time between adjacent failures) of 17 to 20, 23, and 24 can be increased, and the reliability of the substrate processing apparatus unit can be improved.
[0191]
The SC cell 13 as an example of a unit for a substrate processing apparatus includes a SC for applying a coating liquid (for example, a photoresist solution) to the substrate W as a plurality of processing units, and a heat treatment unit 16C for heat treating the substrate W. ˜16E, a unit capable of performing a coating process and a heat treatment on the substrate W can be realized.
[0192]
The SD cells 15A and 15B as an example of a unit for a substrate processing apparatus include, as a plurality of processing units, an SD for developing a substrate coated with a coating solution and a heat treatment unit 16F and 16G for heat treating the substrate W. , 16H, a unit capable of developing and heat-treating the substrate W can be realized.
[0193]
The SC transport mechanisms 18 and 20 as SC substrate transport means perform substrate transport to the corresponding SC, the SD transport mechanism 24 as SD substrate transport means performs substrate transport to the corresponding SD, The substrate is transferred to the corresponding heat treatment units (heat treatment units 16A to 16C, heat treatment units 16C to 16E, heat treatment units 16F and 16G) by the heat treatment unit conveyance mechanisms 17, 19, and 23 as the substrate conveyance means for heat treatment. Therefore, the substrate W is not transported to the SC or SD by the thermal processing unit transport mechanisms 17, 19, 23 which are heated by accessing the thermal processing unit, and from the thermal processing unit transport mechanisms 17, 19, 23 to the substrate. It is possible to prevent the temperature of the substrate from changing due to heat conduction to W and transporting the substrate W whose temperature has changed to SC or SD, and to perform thermal separation.
[0194]
Each of the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24 holds a substrate configured to be rotatable around a fixed lifting shaft, movable up and down along the lifting shaft, and movable back and forth in the rotational radius direction. Arm (for example, arm 17d in the case of the heat treatment part transport mechanism 17). The substrate W held by the arm rotates together with the arm around the z-axis (in the direction of the arrow RE) that is a fixed lifting axis, and moves up and down along the z-axis (in the direction of the arrow RF) that is a fixed lifting axis. In addition, it is possible to move forward and backward in the direction of the radius of rotation (direction of arrow RG).
[0195]
As the substrate W moves in this manner, each position where the first floor heat treatment units 16A, 16C, and 16D, which are also substrate transfer units connected in the same horizontal plane, are disposed (heat treatment in the case of the second floor). The transport mechanisms 17 to 21, 23, 24 connected in the same horizontal plane can pass the substrate through the positions 16 </ b> F and 16 </ b> H). In addition, by connecting these heat treatment units 16 and the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24 in the same horizontal plane as described above, the substrate W is connected between the connected heat treatment units 16 and the transport mechanisms 17-21, 23, 24. Is transported.
[0196]
That is, among these transport mechanisms 17 to 21, 23, 24, the transport mechanisms 17 to 21 on the first floor side and the heat treatment units 16A, 16C, and 16D are connected to each other, so that the substrate W is disposed between the heat treatment units 16 and SC. The processing section transport path 25, which is the path for transporting Further, among these transport mechanisms 17 to 21, 23, 24, the transport mechanisms 23, 24 (, PEB transport mechanism 22) on the second floor side and these heat treatment units 16 F, 16 H are connected to each heat treatment. A processing unit transport path 26, which is a path for transporting the substrate W between the units 16 and SD, is configured.
[0197]
Since the processing unit transport paths 25 and 26 are configured in this manner, the transport mechanisms 17 to 21, 23 and 24 are not limited to the conventional arm other than the arm that can move forward and backward in the rotational radial direction with respect to the horizontal plane. For example, a mechanism such as a screw shaft is not required. Therefore, a mechanism such as a screw shaft is not provided along the processing unit conveyance paths 25 and 26. As a result, the design of the substrate transport path such as the processing section transport paths 25 and 26 can be freely set.
[0198]
Also, the z-axis lifting mechanism (heat treatment) of the lifting shaft fixed to the arms and arm bases (arm base 17a in the case of the heat treatment part transport mechanism 17) provided in the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24, respectively. In the case of the partial transport mechanism 17, the z-axis lifting mechanism 17 c) is attached, so that the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24 are moved from directions other than the direction in which the z-axis lifting mechanism composed of a fixed lifting shaft is attached. Easy maintenance. The arm base is configured to be rotatable about a fixed lifting shaft (rotation driving mechanism 17b in the case of the heat treatment part transport mechanism 17), and z-axis lifting that can be moved up and down along the lifting shaft. Since only the mechanism and three mechanisms such as an arm that can move forward and backward in the rotational radius direction are provided, the transport mechanisms 17 to 21, 23, and 24 can be simply configured.
[0199]
Further, the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24 and the heat treatment unit 16 are respectively arranged in a hierarchical structure on the upper and lower sides, and the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24 and the heat treatment unit are provided on each floor (first floor, second floor). 16 are connected to each other in the same horizontal plane, so that the processing section transport paths 25 and 26 are configured.
[0200]
Further, as shown in FIGS. 2 and 3, further, as shown in FIG. 17, which is a block diagram of FIGS. 2 and 3, a chemical treatment SC is provided on the front side of the first to third processing units 9 to 11. Or SD is arrange | positioned and the heat processing part 16 is arrange | positioned in the back | inner side of the 1st-3rd process units 9-11. That is, on the first floor side, the heat treatment parts 16A to 16D and SC are arranged along the treatment part transport path 25, and the heat treatment parts 16A to 16D and SC are thermally partitioned, that is, thermally separated. ing. On the second floor side, the heat treatment units 16F to 16H and SD are disposed along the treatment unit conveyance path 26, and the heat treatment units 16F to 16H and SD are thermally partitioned. By partitioning in this way, each substrate processing can be performed without the chemical processing unit such as SC or SD being affected by the heat treatment unit 16.
[0201]
Further, the BARC cell 12, SC cell 13, SD cells 15A and 15B as an example of a substrate processing unit are a plurality of processing units (SC, SD, heat treatment unit, etc.) and a transport provided individually in each processing unit. Since the mechanisms 17 to 20, 23, and 24 are provided, the substrate W can be subjected to a predetermined process by itself, and can be handled as a unit unit constituting a substrate processing apparatus that performs a series of processes on the substrate W. it can. Since the substrate processing apparatus is configured by using a plurality of substrate processing apparatus units, the number of the substrate processing apparatus units can be easily increased and decreased, and the substrate processing apparatus can be freely configured according to the required throughput. be able to.
[0202]
Further, since the substrate processing apparatus units are configured in multiple stages in the vertical direction, the area occupied by the substrate processing apparatus can be reduced, and the footprint of the substrate processing apparatus can be reduced.
[0203]
The substrate processing unit includes a BARC cell 12 having an SC for BARC and heat treatment units 16A to 16C, an SC cell 13 having an SC and heat treatment units 16C to 16E, or an SD and heat treatment units 16F, 16G, and 16H. Since the SD cells 15A and 15B are provided, a unit capable of performing BARC and heat treatment on the substrate W, a unit capable of performing coating treatment and heat treatment on the substrate W, or a unit capable of performing development processing and heat treatment on the substrate W. Can be realized.
[0204]
In addition, in order to reduce standing waves and halation generated during exposure, the substrate processing apparatus unit has an anti-reflective coating (Top Ant-Reflection Coating) (hereinafter referred to as “Top Ant-Reflection Coating”) on the photoresist film formed on the substrate W. A TARC cell including a TARC portion for applying and forming “TARC” on the substrate W and a heat treatment portion for heat treating the substrate W may be used. In this case, a unit capable of performing TARC and heat treatment on the substrate W can be realized.
[0205]
In addition, in the thermal processing section 16C as a substrate transfer section for transferring the substrate W to the boundary portion between a plurality of substrate processing apparatus units adjacent in the horizontal plane, that is, the boundary between the BARC cell 12 and the SC cell 13. Since “Pass” is provided, and “Pass” of the heat treatment part 16H is provided at the boundary between the SD cells 15A and 15B, it is possible to access “Pass” at the same distance.
[0206]
The arrangement of the processing units and substrate transfer means of a plurality of adjacent (for example, two in this embodiment) substrate processing apparatus units is symmetrical, that is, the BARC cell 12 and the SC cell 13 adjacent on the first floor side. Since the arrangement of the processing unit and the substrate transfer means and the arrangement of the processing unit and the substrate transfer means of the SD cells 15A and 15B adjacent on the second floor side are symmetric, the substrate transfer at each level is made to flow left or right. Either can be performed, and the degree of freedom of arrangement of the substrate processing apparatus can be improved.
[0207]
The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.
[0208]
(1) In the present embodiment described above, the resist application and the development process in the photolithography process have been described as examples of the substrate processing, but are not limited to the above-described substrate processing. For example, a chemical solution process for performing a process including a cleaning process, an etching process, and a drying process by immersing the substrate in a processing liquid, an etching process other than the above-described immersion type (for example, dry etching or plasma etching), or the above-described immersion type Other than the above, a cleaning process (for example, sonic cleaning or chemical cleaning) that rotates the substrate to rotate, an etching process, a chemical mechanical polishing (CMP) process, a sputtering process, a chemical vapor deposition (CVD) process, The present invention can be applied to any substrate processing in which a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk are processed by a usual method, such as an ashing process.
[0209]
(2) In the present embodiment described above, both the heat treatment unit 16 and Pass as the mounting table are disposed in the substrate transfer unit in the present invention, but only the heat treatment unit 16 having no Pass is provided in the substrate transfer unit. Alternatively, only Pass may be provided in the substrate transfer section.
[0210]
(3) In the above-described embodiment, the PEB transport mechanism 22 is configured by a transport mechanism different from the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24, but is the same transport mechanism as the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24. You may comprise. In this case, the PEB transport mechanism 22 can also be maintained from a direction other than the direction in which the z-axis lifting mechanism composed of the fixed lifting shaft is attached.
[0211]
(4) In the present embodiment described above, the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24 include an arm configured to move forward and backward in the rotational radius direction (arrow RG direction), and the arm moves forward and backward. In addition, the substrate W can be transferred even if the transfer mechanisms that transfer to each other via the Pass are separated to some extent by being mounted on the Pass that is also the mounting table. On the other hand, since each transport mechanism is provided with a z-axis lift mechanism composed of a fixed lift shaft, the substrate W transported by the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24 is not in the rotational radius direction. Cannot move in the horizontal plane. Accordingly, when the transfer mechanisms that pass through the Pass are separated from each other such that the transfer of the substrate W cannot be performed, the Pass may be moved in a horizontal plane. The means for configuring the Pass is not particularly limited. For example, the Pass is mounted on a rail as illustrated in FIG. 9 that extends to two adjacent transport mechanisms, and the Pass moves on the rail. The delivery of the substrate W may be performed.
[0212]
(5) In the present embodiment described above, as shown in FIGS. 2, 3, and 17, the heat treatment section 16 is located on the back side of the first to third treatment units 9 to 11, and the chemical treatment SC or SD is located on the front side. The heat treatment section 16 and the SC / SD are thermally partitioned by being arranged, but the arrangement positions are not limited to those shown in FIGS.
[0213]
In addition, when the chemical treatment unit is not affected by the heat treatment unit, or even if the chemical treatment unit is not affected by the influence, the chemical treatment unit and the heat treatment unit do not necessarily have to be thermally partitioned. . Further, in the present embodiment described above, the respective heat treatment units and transfer mechanisms are configured in a hierarchical structure on the top and bottom, but the present invention can also be applied to a substrate processing apparatus consisting of only the first floor.
[0214]
(6) In the above-described embodiment, each arm base of the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24 is configured along the z-axis (the direction of the arrow RF) that is a fixed lifting axis, It does not have to be fixed. The arm bases of the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24 are configured to be movable up and down, but are not necessarily configured to be movable up and down, can rotate in a horizontal plane, It only needs to be able to move forward and backward in the direction of the radius of rotation. Further, the method of rotating in the horizontal plane is not limited to the motor as shown in FIG. 5, and for example, a vertical axis is separately provided, the vertical axis is configured to penetrate the arm base, and the vertical axis is rotated. Then, it may be rotated in a horizontal plane.
[0215]
(7) In the present embodiment described above, the respective heat treatment sections 16C and 16H are disposed in the substrate transfer section in the present invention, and the respective heat treatment sections disposed and the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24 are provided. Although it is configured to be connected in the same horizontal plane, it is not always necessary to arrange them side by side in the same horizontal plane. For example, transport mechanisms 17 to 21, 23, 24 arranged in a hierarchical structure above and below, and a substrate transfer unit May be arranged side by side, and the substrate delivery section may be configured to be movable up and down, so that the substrates may be delivered between the transport mechanisms 17 to 21, 23, 24.
[0216]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, according to the present invention, since the substrate transfer means is individually provided for each of the plurality of processing units, the burden on each substrate transfer means can be reduced, and the MTBF ( Average operation time between failures: expected value of operation time between adjacent failures) can be increased, and reliability can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is a block diagram when the first floor side of the substrate processing apparatus according to the embodiment is viewed in plan.
FIG. 3 is a block diagram when the second floor side of the substrate processing apparatus according to the present embodiment is viewed in plan view.
4A and 4B are diagrams illustrating a schematic configuration of an ID transport mechanism according to the present embodiment, in which FIG. 4A is a plan view of the ID transport mechanism, and FIG. 4B is a right side view thereof.
5A and 5B are diagrams showing a schematic configuration of a heat treatment part / SC / EE / SD transport mechanism according to the present embodiment, in which FIG. 5A is a plan view of the transport mechanism, and FIG. It is a right view.
6A and 6B are diagrams illustrating a positional relationship between a place where the transport mechanism according to the present embodiment is fixed and its surroundings, in which FIG. 6A is a plan view when the transport mechanism for the heat treatment unit is fixed, and FIG. It is a top view when the SC / SD transport mechanism on the indexer side is fixed.
7A and 7B are diagrams showing a positional relationship between a place where the transport mechanism according to the embodiment is fixed and its surroundings, and FIG. 7A is a plan view when the SC / SD transport mechanism on the interface side is fixed. FIG. 4B is a plan view when the EE transport mechanism is fixed.
8A and 8B are diagrams illustrating a schematic configuration of a PEB transport mechanism according to the present embodiment, in which FIG. 8A is a plan view of the PEB transport mechanism, FIG. 8B is a side view thereof, and FIG. It is.
FIG. 9 is a perspective view illustrating a schematic configuration of a heat treatment unit according to the present embodiment.
FIG. 10 is a side view showing a state when the heat treatment part according to the present embodiment has moved to the retracted position.
FIG. 11 is a schematic perspective view showing a frame configuration of each cell as a unit for a substrate processing apparatus.
FIG. 12 is a schematic perspective view showing a state in which two cells as a unit for a substrate processing apparatus are assembled on the left and right and two on the upper and lower sides.
FIG. 13A is a schematic perspective view showing a state in which the utility mother pipe is attached to the cell, and FIG. 13B is a schematic perspective view showing a state in which the utility mother pipe is connected to the cell. .
FIG. 14 is a flowchart showing a series of substrate processing in a photolithography process in the substrate processing apparatus according to the embodiment.
FIG. 15 is a flowchart showing a series of substrate processing in a photolithography process in the substrate processing apparatus according to the embodiment.
FIG. 16 is a diagram illustrating a relationship between a position of a substrate and a transport mechanism that transports the substrate in each processing in a series of substrate processing.
FIG. 17 is a plan block diagram of a processing unit transport path and its peripheral portion according to the present embodiment.
FIG. 18 is a block diagram showing a configuration of a conventional substrate processing apparatus.
[Explanation of symbols]
12, 13, 15a, 15B ... cell (unit for substrate processing apparatus)
16A-16G ... Heat treatment part (treatment part)
17, 19, 23... Heat treatment part transport mechanism (substrate transport means)
17d, 19d, 23d ... arm (substrate holding part)
18, 20 ... SC transport mechanism (substrate transport means)
18d, 20d ... Arm (substrate holding part)
24 ... SD transport mechanism (substrate transport means)
24d ... Arm (substrate holding part)
25, 26 ... Processing section transport path
BK ... Mother pipe
SC ... Spin coater (processing section)
SD: Spin developer (processing unit)
W ... Substrate

Claims (8)

基板に一連の処理を施す基板処理装置において、
当該基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理装置用ユニットを備え、
前記基板処理装置用ユニットは、
基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、
前記各処理部との間で基板の受渡しを行うための複数個の基板搬送手段と、
前記複数個の処理部と前記複数個の基板搬送手段とが内部に収納される外枠とを備え、
前記外枠は、その上側および下側を、他の基板処理装置用ユニットの外枠が連結可能に共通化した構成としており、
前記基板処理装置用ユニットが上下方向に複数段に構成され、
処理すべき基板を収納した基板収納手段から基板を投入し、且つ、一連の処理を施した基板を前記基板収納手段に戻すように払い出す単一のインデクサと、
当該基板処理装置とそれとは別体の外部処理装置とを連結するものであって、当該外部処理装置に対して基板を搬入出する単一のインターフェイスとを備え、
前記複数段の基板処理装置用ユニットを、前記インデクサと前記インターフェイスとの間に設け、
前記単一のインデクサは、当該インデクサに隣接する前記複数段の基板処理装置用ユニットそれぞれに対して基板を搬入出するものであり、
前記単一のインターフェイスは、当該インターフェイスに隣接する前記複数段の基板処理装置用ユニットそれぞれに対して基板を搬入出するものであり、基板の受け渡しを行うための載置部と基板を仮置きするための複数のバッファとを前記複数段の基板処理装置用ユニットごとに備えている
ことを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus for performing a series of processing on a substrate,
Comprising a substrate processing apparatus for unit is a unit unit for constituting the substrate processing apparatus,
The substrate processing unit is
A plurality of processing units for performing predetermined processing on the substrate;
A plurality of substrate transfer means for delivering a substrate to and from each of the processing units;
An outer frame in which the plurality of processing units and the plurality of substrate transfer means are housed;
The outer frame has a configuration in which the upper side and the lower side are shared so that the outer frame of another substrate processing apparatus unit can be connected ,
The substrate processing apparatus unit is configured in a plurality of stages in the vertical direction,
A single indexer that throws in a substrate from the substrate storage means that stores the substrate to be processed and returns the substrate subjected to a series of processing back to the substrate storage means;
The substrate processing apparatus is connected to an external processing apparatus separate from the substrate processing apparatus, and includes a single interface for carrying the substrate in and out of the external processing apparatus,
The multi-stage substrate processing apparatus unit is provided between the indexer and the interface,
The single indexer is for loading and unloading a substrate with respect to each of the multiple-stage substrate processing apparatus units adjacent to the indexer,
The single interface carries a substrate in and out of each of the plurality of stages of substrate processing apparatus adjacent to the interface, and temporarily places a placement unit and a substrate for transferring the substrate. A plurality of buffers for each of the plurality of units for the substrate processing apparatus.
A substrate processing apparatus. 請求項１に記載の基板処理装置において、
前記複数個の処理部は、基板に塗布液を塗布する塗布部と、基板を熱処理するための熱処理部とを含むことを特徴とする基板処理装置。 Oite the substrate processing equipment according to claim 1,
The plurality of processing units, a substrate processing equipment which comprises a coating unit for coating a coating liquid on a substrate, and a heat treatment unit for heat-treating the substrate. 請求項１に記載の基板処理装置において、
前記複数個の処理部は、塗布液が塗布された基板を現像する現像部と、基板を熱処理するための熱処理部とを含むことを特徴とする基板処理装置。 Oite the substrate processing equipment according to claim 1,
The plurality of processing units, a substrate processing equipment which comprises a developing unit for developing the substrate on which the coating liquid has been applied, a heat treatment section for thermally processing a substrate. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記複数個の基板搬送手段は、塗布液や現像液などの処理液で処理された基板を扱う処理液用の基板搬送手段と、熱処理された基板を扱う熱処理用の基板搬送手段とに区別されていることを特徴とする基板処理装置。 Oite the substrate processing equipment as claimed in any one of claims 3,
The plurality of substrate transfer means are classified into a substrate transfer means for processing liquid that handles a substrate processed with a processing solution such as a coating solution and a developer, and a substrate transfer means for heat treatment that handles a heat-treated substrate. the substrate processing equipment, characterized by that. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板搬送手段は、固定した昇降軸周りに回転可能で、前記昇降軸に沿って昇降移動可能で、かつ回転半径方向に進退移動可能に構成された、基板を保持する基板保持部を備えていることを特徴とする基板処理装置。 Oite the substrate processing equipment as claimed in any of claims 4,
The substrate transport means includes a substrate holding portion that holds the substrate, which is configured to be rotatable around a fixed lifting shaft, to be moved up and down along the lifting shaft, and to be movable back and forth in the rotational radius direction. the substrate processing equipment, characterized in that there. 請求項１に記載の基板処理装置において、The substrate processing apparatus according to claim 1,
前記基板処理装置用ユニットは、基板上に形成される処理膜の下部に反射防止膜を形成するＢＡＲＣ部および基板に対して熱処理を行う熱処理部を備えたもの、または、基板上に形成された処理膜の上部に反射防止膜を形成するＴＡＲＣ部および前記熱処理部を備えたもの、または、基板に処理液を塗布する塗布部および前記熱処理部を備えたもの、または、処理液が塗布された基板を現像する現像部および前記熱処理部を備えたものであることを特徴とする基板処理装置。  The substrate processing apparatus unit includes a BARC unit for forming an antireflection film below a processing film formed on the substrate and a heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate, or formed on the substrate. A TARC part for forming an antireflection film on the upper part of the treatment film and the heat treatment part, or a treatment part for applying a treatment liquid to the substrate and a heat treatment part, or a treatment liquid was applied. A substrate processing apparatus comprising: a developing unit that develops a substrate; and the heat treatment unit. 請求項１に記載の基板処理装置において、The substrate processing apparatus according to claim 1,
水平面内で隣接する複数個の前記基板処理装置用ユニットの境界部に、基板を受け渡すための基板受け渡し部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。  A substrate processing apparatus, wherein a substrate transfer section for transferring a substrate is provided at a boundary portion between a plurality of units for a substrate processing apparatus adjacent in a horizontal plane. 請求項１に記載の基板処理装置において、The substrate processing apparatus according to claim 1,
隣接する複数個の前記基板処理装置用ユニットの前記処理部および前記基板搬送手段の  Of the plurality of adjacent units for the substrate processing apparatus and the substrate transfer means 配置が左右対称であることを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus characterized in that the arrangement is symmetrical.
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