JP4162420B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板(以下、単に基板と称する)を、複数の処理部でそれぞれ基板処理を行う基板処理装置用ユニットおよび基板処理装置並びにその装置の組立方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成して、塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。
【0003】
これを図18の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚(例えば25枚)の基板W又は後述する処理部104での処理が完了した基板Wが収納されるカセットCが複数個載置されるカセット載置台101と、この各カセットCの前を水平移動し、各カセットCと後述する処理部104間で基板Wの受け渡しを行う搬送機構108aとを備えたインデクサ103と、複数の処理部104と、複数の処理部104間で基板Wを搬送する経路である基板搬送経路105と、処理部104および外部処理装置107間で基板Wの受け渡しを中継するインターフェイス106とから構成されている。
【0004】
外部処理装置107は、基板処理装置とは別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス106に対して着脱可能に構成されている。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置の場合、この外部処理装置107は、基板Wの露光処理を行う露光装置となる。
【0005】
また、基板搬送経路105上を搬送する搬送機構108bと、インターフェイス106の搬送経路上を搬送する搬送機構108cとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ103と基板搬送経路105との連結部には載置台109a、基板搬送経路105とインターフェイス106との連結部には載置台109bがそれぞれ配設されている。
【0006】
上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Wを収納したカセットから1枚の基板を搬送機構108aが取り出して、搬送機構108bに基板Wを渡すために、載置台109aまで搬送する。搬送機構108bは、載置台109aに載置された基板Wを受け取った後、各処理部104内で所定の処理(例えば、レジスト塗布などの処理)をそれぞれ行うために、それらの処理部104に基板Wをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、搬送機構108bはそれらの処理部104から基板Wをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部104に基板Wを搬入する。
【0007】
このように露光までの一連の処理が終了すると、搬送機構108bは、処理部104で処理された基板Wを載置部109bまで搬送する。搬送機構108cに基板Wを渡すために、上述した載置台109bに基板Wを載置する。搬送機構108cは、載置台109bに載置された基板Wを受け取った後、外部処理装置107まで搬送する。外部処理装置107に搬入して、所定の処理(例えば、露光処理などの処理)が終了すると、搬送機構108cは外部処理装置107から基板Wを搬出して、載置部109bまで搬送する。後は、外部処理装置107までの処理とは逆の手順で基板Wの受け渡しおよび処理が行われる。そして、払出部102から払い出されて、一連の基板処理が終了する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の基板処理装置では、この基板処理装置のMTBF(平均故障間動作時間:相隣る故障間における動作時間の期待値)を高くすることができず、基板処理装置の信頼性が低いという問題がある。
【0009】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、信頼性を向上させた基板処理装置用ユニットおよび基板処理装置並びにその装置の組立方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために、発明者が鋭意研究をした結果、次のような知見を得た。すなわち、従来の基板処理装置では、図18に示すように、単一の搬送機構108bでもって、複数個の処理部104や載置台109a,109bに対して基板Wを搬送しており、単一の搬送機構108bは、基板処理装置での処理の高速化のために、複数個の処理部104や載置台109a,109bに対して素早く移動して基板Wを迅速に搬送しなければならないし、単一の搬送機構108bで複数個の処理部104や載置台109a,109bに対して基板搬送を行わなければならないことから、単一の搬送機構108bにはかなりの負担がかかっており、単一の搬送機構108bのMTBF(平均故障間動作時間:相隣る故障間における動作時間の期待値)が低くなっているという現象が存在することを解明した。そして、この単一の搬送機構108bのMTBFが低いことによって、基板処理装置等の信頼性が低下しているという因果関係があることを見出したのである。
【0011】
このような知見に基づく本発明は次のような構成を採る。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に一連の処理を施す基板処理装置において、当該基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理装置用ユニットを備え、前記基板処理装置用ユニットは、基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、前記各処理部との間で基板の受渡しを行うための複数個の基板搬送手段と、前記複数個の処理部と前記複数個の基板搬送手段とが内部に収納される外枠とを備え、前記外枠は、その上側および下側を、他の基板処理装置用ユニットの外枠が連結可能に共通化した構成としており、前記基板処理装置用ユニットが上下方向に複数段に構成され、処理すべき基板を収納した基板収納手段から基板を投入し、且つ、一連の処理を施した基板を前記基板収納手段に戻すように払い出す単一のインデクサと、当該基板処理装置とそれとは別体の外部処理装置とを連結するものであって、当該外部処理装置に対して基板を搬入出する単一のインターフェイスとを備え、前記複数段の基板処理装置用ユニットを、前記インデクサと前記インターフェイスとの間に設け、前記単一のインデクサは、当該インデクサに隣接する前記複数段の基板処理装置用ユニットそれぞれに対して基板を搬入出するものであり、前記単一のインターフェイスは、当該インターフェイスに隣接する前記複数段の基板処理装置用ユニットそれぞれに対して基板を搬入出するものであり、基板の受け渡しを行うための載置部と基板を仮置きするための複数のバッファとを前記複数段の基板処理装置用ユニットごとに備えていることを特徴とするものである。
【0012】
(作用・効果)請求項1に記載の発明によれば、基板に一連の処理を施す基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理装置用ユニットは、基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、この各処理部との間で基板の受渡しを行うための複数個の基板搬送手段とを備えているので、各基板搬送手段の負担が小さくでき、各基板搬送手段のMTBF(平均故障間動作時間:相隣る故障間における動作時間の期待値)を高くすることができ、信頼性を向上させることができる。また、基板処理装置用ユニットは、複数の処理部と各処理部に個別に設けられた基板搬送手段とを備えていることから、それだけで基板に所定の処理を施すことができ、基板処理装置を構成する単位ユニットとして取り扱うことができる。基板処理装置は、上述の基板処理装置用ユニットを複数個用いて構成されているので、基板処理装置用ユニットの増減が容易で自在に行え、要求されるスループットに応じて自由に基板処理装置を構成することができる。また、基板処理装置用ユニットが上下方向に複数段に構成されているので、基板処理装置の占有面積を小さくすることができ、基板処理装置の省フットプリント化が可能である。
【0013】
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記複数個の処理部は、基板に塗布液を塗布する塗布部と、基板を熱処理するための熱処理部とを含むことを特徴とするものである。
【0014】
(作用・効果)請求項2に記載の発明によれば、複数個の処理部は、基板に塗布液を塗布する塗布部と、基板を熱処理するための熱処理部とを含むので、基板に対して塗布処理および熱処理が行えるユニットを実現できる。
【0015】
また、請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記複数個の処理部は、塗布液が塗布された基板を現像する現像部と、基板を熱処理するための熱処理部とを含むことを特徴とするものである。
【0016】
(作用・効果)請求項3に記載の発明によれば、複数個の処理部は、塗布液が塗布された基板を現像する現像部と、基板を熱処理するための熱処理部とを含むので、基板に対して現像処理および熱処理が行えるユニットを実現できる。
【0017】
また、請求項4に記載の発明は、請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、前記複数個の基板搬送手段は、塗布液や現像液などの処理液で処理された基板を扱う処理液用の基板搬送手段と、熱処理された基板を扱う熱処理用の基板搬送手段とに区別されていることを特徴とするものである。
【0018】
(作用・効果)請求項4に記載の発明によれば、処理液用の基板搬送手段は塗布液や現像液などの処理液で処理された基板を扱い、熱処理用の基板搬送手段は熱処理された基板を扱うように区別しているので、熱処理された基板を扱うことで昇温される熱処理用の基板搬送手段が、塗布液や現像液などの処理液で基板を処理する処理部に基板を直接に搬送することがないし、熱処理用の基板搬送手段から基板への熱伝導によって温度変化した基板を、処理液で基板を処理する処理部に搬送することを防止でき、熱分離することができる。
【0019】
また、請求項5に記載の発明は、請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板搬送手段は、固定した昇降軸周りに回転可能で、前記昇降軸に沿って昇降移動可能で、かつ回転半径方向に進退移動可能に構成された、基板を保持する基板保持部を備えていることを特徴とするものである。
【0020】
(作用・効果)請求項5に記載の発明によれば、基板搬送手段は、固定した昇降軸方向とその軸周り方向と回転半径方向とに移動する基板保持部を備えているので、基板を3方向に移動させる搬送機構を簡易な構成で実現することができる。
【0025】
また、請求項6に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記基板処理装置用ユニットは、基板上に形成される処理膜の下部に反射防止膜を形成するBARC部および基板に対して熱処理を行う熱処理部を備えたもの、または、基板上に形成された処理膜の上部に反射防止膜を形成するTARC部および前記熱処理部を備えたもの、または、基板に処理液を塗布する塗布部および前記熱処理部を備えたもの、または、処理液が塗布された基板を現像する現像部および前記熱処理部を備えたものであることを特徴とするものである。
【0026】
(作用・効果)請求項6に記載の発明によれば、基板処理装置用ユニットは、BARC部および熱処理部を備えたもの、TARC部および熱処理部を備えたもの、塗布部および熱処理部を備えたもの、あるいは、現像部および熱処理部を備えたものであるとしているので、基板に対してBARCおよび熱処理が行えるユニット、基板に対してTARCおよび熱処理が行えるユニット、基板に対して塗布処理および熱処理が行えるユニット、あるいは、基板に対して現像処理および熱処理が行えるユニットを実現できる。
【0027】
また、請求項7に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、水平面内で隣接する複数個の前記基板処理装置用ユニットの境界部に、基板を受け渡すための基板受け渡し部が設けられていることを特徴とするものである。
【0028】
(作用・効果)請求項7に記載の発明によれば、水平面内で隣接する複数個の基板処理装置用ユニットの境界部に、基板を受け渡すための基板受け渡し部が設けられているので、基板受け渡し部に対して同じ距離でアクセス可能である。
【0029】
また、請求項8に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、隣接する複数個の前記基板処理装置用ユニットの前記処理部および前記基板搬送手段の配置が左右対称であることを特徴とするものである。
【0030】
(作用・効果)請求項8に記載の発明によれば、隣接する複数個の基板処理装置用ユニットの処理部および基板搬送手段の配置を左右対称としているので、基板搬送を左流れまたは右流れのどちらでも行うことができ、基板処理装置の配置の自由度を向上させることができる。
【0033】
なお、本明細書中の「用力用の母管」とは、基板処理装置で必要とされる、電力や窒素(N2 )ガスや純水や排気系や排液系などの各種の管・ケーブルのうちの少なくとも1つ以上が管内に挿入されたものである。
【0034】
本明細書は次のような課題解決手段も開示している。
(1)基板に一連の処理を施す基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理装置用ユニットであって、
基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、前記各処理部との間で基板の受渡しを行うための複数個の基板搬送手段とが収納される、他とは分離独立した個別のフレームを備えていることを特徴とする基板処理装置用ユニット。
【0035】
従来例の基板処理装置では、大枠の単一のフレームに対して、装備予定している処理部や基板搬送手段等を取り付けていくことで、基板処理装置を構成するというように、大枠のフレームを共用していることから、処理部を増減するという基板処理装置の仕様変更要求があると、その要求に従って大枠のフレーム自体を作り変える等の必要があり、大幅な設計変更が必至であるという問題があった。しかしこれに対して、前記(1)に記載の基板処理装置用ユニットによれば、処理部とそれに対応する基板搬送手段とが収納される、他とは分離独立した個別のフレームを備えているので、処理部を増減するという基板処理装置の仕様変更要求があったとしても、基板処理装置用ユニット自体を増減することによってその要求に対応することができ、従来例装置のような大幅な設計変更は必要ないし、基板処理装置の自由度を向上させることができる。
【0036】
(2)前記(1)に記載の基板処理装置用ユニットであって、
上下方向に複数個の前記処理部を階層配置し、
前記処理部に基板を搬送する基板搬送手段を各階の前記処理部ごとに個別に備え、
前記基板搬送手段は、少なくとも同一階内での基板搬送を行うことを特徴とする基板処理装置用ユニット。
【0037】
前記(2)に記載の基板処理装置用ユニットによれば、上下方向に複数個の処理部が階層配置され、処理部に基板を搬送する基板搬送手段を各階の処理部ごとに個別に備えられ、基板搬送手段は、少なくとも同一階内での基板搬送を行うことができるので、搬送経路を多階層に持つことができ、基板処理装置の省フットプリント化が可能となる。
【0038】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図であり、図2は、基板処理装置の1階側を平面視したときのブロック図であり、図3は、基板処理装置の2階側を平面視したときのブロック図である。なお、紙面の都合上、図1ではカセット載置台の図示を省略する。また、図2,3については、後述する上下に階層構造で構成された熱処理部やIF用載置台などについては展開平面図で表す。なお、説明の都合上、図2,図3の各図に記載した後述するインデクサやインターフェイスは、本実施例装置にそれぞれが1つ備えられたものであり、各階に設けられたものでないことに留意されたい。また、本実施例では、フォトリソグラフィ工程において基板を回転させながらレジスト塗布を行うスピンコータ、およびレジスト塗布されて、さらに露光処理が行われた基板を回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパを例に採って、基板処理を説明する。
【0039】
本実施例に係る基板処理装置は、図1〜3に示すように、インデクサ1と処理ブロック3とインターフェイス4とから構成されている。インターフェイス4は、本実施例に係る基板処理装置と別体の装置とを連結するように構成されている。本実施例の場合には、インターフェイス4は、レジスト塗布および現像処理を行う基板処理装置と、基板の露光処理を行う露光装置(例えば、ステップ露光を行うステッパなど)とを連結するように構成されている。
【0040】
インデクサ1(以下、適宜『ID』と略記する)は、図2,3に示すように、カセット載置台2とID用搬送経路7とID用搬送機構8とから構成されている。カセット載置台2は、複数枚(例えば25枚)の未処理基板Wまたは処理済基板を収納したカセットCが複数個(図1では4個)載置可能に構成されている。また、ID用搬送経路7は、複数個のカセットCが載置されるカセット載置台2に沿って水平方向に形成されている。ID用搬送機構8は、図示しない水平移動機構、昇降機構および回動機構を備えており、ID用搬送経路7上において、水平移動および昇降移動を行うことによって、カセット載置台2上のカセットCと処理ブロック3との間で基板の受け渡しを行うことができるように構成されている。
【0041】
次に、ID用搬送機構8の具体的構成について、図4を参照して説明する。ID用搬送機構8は、図4(a)の平面図、および図4(b)の右側面図に示すように、ID用搬送経路7の長手方向(y方向)である矢印RAの方向にアーム基台8aを移動可能に構成するy軸移動機構8b、矢印RBの方向(z方向)にアーム基台8aを昇降移動可能に構成するz軸昇降機構8c、およびz軸周り(矢印RCの方向)にアーム基台8aを回転可能に構成する回転駆動機構8dを備えている。このアーム基台8aには基板Wを保持するアーム8eが備えられており、このアーム8eは、回転半径方向である矢印RDの方向に進退移動可能に構成されている。
【0042】
y軸移動機構8bは、図4(a)に示すように、螺軸8fと、この螺軸8fを軸心周りに回転させるモータ8gとを備えており、この螺軸8fには上述したz軸昇降機構8cが取り付けられている。モータ8gの回転によって、螺軸8fに取り付けられたz軸昇降機構8cが矢印RAの水平方向に移動される。
【0043】
z軸昇降機構8cは、図4(b)に示すように、y軸移動機構8bと同じく、螺軸8hと、この螺軸8hを軸心周りに回転させるモータ8iとを備えており、この螺軸8hには上述した回転駆動機構8dが取り付けられている。モータ8iの回転によって、螺軸8hに取り付けられた回転駆動機構8dが矢印RBの方向に移動される。
【0044】
回転駆動機構8dは、図4(b)に示すように、上述したアーム基台8a、このアーム基台8aを軸心周りに回転させるモータ8j、および、アーム基台8aとモータ8jとを支持する支持部材8kを備えている。モータ8jの回転によって、アーム基台8aがアーム8eとともに矢印RCの方向に回転される。
【0045】
このように構成されることで、アーム基台8aのアーム8eに保持された基板Wは、矢印RAの方向に移動し、矢印RBの方向に移動し、矢印RCの方向に回転し、矢印RD方向に進退移動可能となる。これにより基板Wは、カセット載置台2と、処理ブロック3(図2,3参照)との間で搬送される。
【0046】
図1〜3に戻って、処理ブロック3の具体的構成について説明する。処理ブロック3は、図2,3に示すように、第1の処理ユニット9と第2の処理ユニット10と第3の処理ユニット11とから構成されており、インデクサ1側から第1の処理ユニット9,第2の処理ユニット10,第3の処理ユニット11の順に並んで配設されている。
【0047】
また、上述した第1〜第3の処理ユニット9〜11は、例えば、1階部分と2階部分とからなる2段構成になっている。図2に示すように、第1の処理ユニット9の1階には、基板W上に形成されたフォトレジスト膜からの光の反射を防止するために下地用の反射防止膜(Bottom Ant-Reflection Coating)(以下、『BARC』と呼ぶ)を基板Wに塗布形成するBARCセル12が配設されている。第2の処理ユニット10の1階には、基板Wを回転させながらフォトレジスト膜を基板Wに塗布形成するスピンコータ(Spin Coater)(以下、『SC』と呼ぶ)のためのSCセル13が配設されている。第3の処理ユニット11の1階には、露光処理前に基板Wの端縁(エッジ)部分を露光するエッジ露光処理(Edge Exposure Unit)(以下、『EE』と呼ぶ)をするためのPEBセル14が配設されている。
【0048】
一方、図3に示すように、第1の処理ユニット9の2階には、露光処理後の基板Wを回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパ(Spin Developer)(以下、『SD』と呼ぶ)のためのSDセル15Aが配設されている。第2の処理ユニット10の2階には、第1の処理ユニット9の2階のSDセル15Aと同様のSDセル15Bが配設されている。第3の処理ユニット11の2階には、露光処理後の基板Wを加熱する(Post Exposure Bake)(以下、『PEB』と呼ぶ)ためのPEBセル14が配設されている。
【0049】
以上のように、1階にあるBARCセル12とインデクサ1側で2階にあるSDセル15Aとで第1の処理ユニット9を、1階にあるSCセル13とインターフェイス4側で2階にあるSDセル15Bとで第2の処理ユニット10を、2階側にあるPEBセル14と1階側にあるPEBセル14とで第3の処理ユニット11をそれぞれ構成している。
【0050】
なお、上述したBARCセル12とSDセル15AとSCセル13とSDセル15Bとのそれぞれが本発明における基板処理装置用ユニットに相当する。
【0051】
次に、BARCセル12の具体的構成について説明する。BARCセル12は、図2に示すように、3つの熱処理部16A,16B,16Cと、これらの熱処理部16A,16B,16C間で基板Wの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構17と、BARC(反射防止膜)を基板Wにそれぞれ塗布する2つのSCと、熱処理部16Aおよび2つのSC間で基板Wの受け渡しを行うSC用搬送機構18とから構成されている。
【0052】
なお、2つのSCが本発明における処理部に相当し、さらに本発明におけるBARC部に相当する。また、BARCセル12に単一のSCを設ける場合には、この単一のSCが本発明における処理部に相当し、さらに本発明におけるBARC部に相当することになる。また、SC用搬送機構18の負担にならない範囲でBARCセル12に3つ以上のSCを設ける場合には、その設けた個数分のSCが本発明における処理部に相当し、さらに本発明におけるBARC部に相当することになる。
【0053】
3つの熱処理部16A,16B,16Cは、図2に示すような位置で熱処理部用搬送機構17を挟んで、それぞれが配設されており、各々の熱処理部16A,16B,16Cは上下に階層構造でそれぞれ構成されている。
【0054】
インデクサ1側に配設されている熱処理部16Aは、熱処理を行わずに基板Wを載置して基板を受け渡す(以下、『Pass』と呼ぶ)ためのPass,加熱しながら基板Wとフォトレジスト膜との密着性を向上させるためのアドヒージョン処理(Adhesion)(以下、『AHL』と呼ぶ)をそれぞれ行うための4つのAHL,加熱された基板を冷却して常温に保つ(以下、『CP』と呼ぶ)をそれぞれ行うための2つのCPを上から順に積層することで、構成されている。なお、AHL(アドヒージョン)処理では、HMDS〔(CH3)3SiNHSi(CH3)3〕を蒸気状にしてレジスト塗布前の基板Wを塗布する。この熱処理部16Aは、Pass、AHL、CPを使って、インデクサ1にあるID用搬送機構8と、熱処理部用搬送機構17と、SC用搬送機構18との間で基板を受け渡す機能をも備えている。即ち、ID用搬送機構8と熱処理部用搬送機構17とは、Passを介して受け渡しを行う構成となっており、Passには、ID用搬送機構8と熱処理部用搬送機構17とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入できるように開口部16aが形成されている(図9参照)。また、熱処理部用搬送機構17とSC用搬送機構18とは、CPを介して受け渡しを行う構成となっており、CPには、熱処理部用搬送機構17とSC用搬送機構18とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入できるように開口部16aが形成されている(図9参照)。なお、AHLは、熱処理部用搬送機構17としか基板の受け渡しを行わないので、熱処理部用搬送機構17が進入できるように熱処理部用搬送機構17に対峙した面にのみ開口部16aが形成されている(図9参照)。この熱処理部16A内のPass、および後述する熱処理部16C,16D,16F,16H内のPassは、本発明における基板受け渡し部に相当する。
【0055】
SC側とは逆方向、すなわち奥側に配設されている熱処理部16Bは、熱処理部用搬送機構17側に開口部16a(図1,9参照)が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構17は、この開口部16aを介して、熱処理部16Bに基板Wを搬入して、熱処理部16Bから基板Wを搬出する。また、BARC処理後の基板Wを加熱してベーク処理(以下、『HP』と呼ぶ)をそれぞれ行うための7つのHPを上から順に積層することで、熱処理部16Bは構成されている。
【0056】
第2の処理ユニット10側に配設されている熱処理部16Cを、BARCセル12以外にSCセル13とも共有しており、インデクサ1側にある熱処理部16Aと同様のPass,奥側にある熱処理部16Bと同様の3つのHP,熱処理部16Aと同様の3つのCPを上から順に積層することで、この熱処理部16Cは構成されている。このうち、本実施形態の構成においては、3つのCPは、BARCセル12用として用いられ、3つのHPは、SCセル13用として用いられる。この熱処理部16CのPassには、熱処理部用搬送機構17と後述するSCセル13内に配置された熱処理部用搬送機構19との間で基板の受け渡しが可能なように、それぞれ熱処理部用搬送機構17、熱処理部用搬送機構19に対峙した面のみ開口部16aが形成されている(図9参照)。熱処理部16Cを構成する3つのCPには、熱処理部用搬送機構17とのみ基板の受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構17と対峙する面にのみ開口部16aが形成されている。同様に、熱処理部16Cを構成する3つのHPには、熱処理部用搬送機構19とのみ基板の受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構19と対峙する面にのみ開口部16aが形成されている。
【0057】
なお、上述した3個の熱処理部16A〜16Cが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当する。また、BARCセル12に単一の熱処理部(例えば、熱処理部16A〜16Cのうちの1つ)を設ける場合には、この単一の熱処理部が本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当することになる。また、熱処理部用搬送機構17の負担にならない範囲でBARCセル12に複数個の熱処理部を設ける場合には、その複数個の熱処理部が本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当することになる。
【0058】
BARCセル12内のSCは、上述したように基板Wを回転させながらBARC処理を行うように構成されている。詳述すると、基板Wを保持して水平面内に回転させるスピンチャック,反射防止液を吐出するノズルなどから構成されている。このスピンチャックに保持されて回転している基板Wの中心に向けてノズルから反射防止液を吐出することで、基板Wの遠心力により反射防止膜が基板Wの中心から全面にわたって塗布形成される。
【0059】
熱処理部用搬送機構17とSC用搬送機構18と、後述する熱処理部用搬送機構19とSC用搬送機構20とEE用搬送機構21と熱処理部用搬送機構23とSD用搬送機構24とは同じ構成からなる。これらの搬送機構の具体的構成については後で説明する。
【0060】
次に、SCセル13の具体的構成について説明する。SCセル13は、図2に示すように、BARCセル12と同じく、3つの熱処理部16C,16D,16Eと、これらの熱処理部16C,16D,16E間で基板Wの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構19と、フォトレジスト液を基板Wにそれぞれ塗布する2つのSCと、熱処理部16Dおよび2つのSC間で基板Wの受け渡しを行うSC用搬送機構20とから構成されている。
【0061】
BARCセル12と同じく、3つの熱処理部16C,16D,16Eは、図2に示すような位置で熱処理部用搬送機構19を挟んで、それぞれが配設されており、各々の熱処理部16C,16D,16Eは上下に階層構造でそれぞれ構成されている。
【0062】
第3の処理ユニット11側に配設されている熱処理部16Dは、Pass,6つのHPを上から順に積層することで、構成されている。この熱処理部16Dは、Passを通じて、熱処理部用搬送機構19と、後述するPEBセル14内に配置されたEE用搬送機構21との間で基板を受け渡す機能をも備えている。即ち、熱処理部用搬送機構19とEE用搬送機構21とは、Passを介して受け渡しを行う構成となっており、Passには、熱処理部用搬送機構19とEE用搬送機構21とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入できるように開口部16aが形成されている(図9参照)。また、6つのCPには、それぞれ熱処理部用搬送機構19とSC用搬送機構20とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入できるように開口部16aが形成されている(図1、図9参照)。
【0063】
SC側と逆方向(奥側)に配設されている熱処理部16Eは、熱処理部用搬送機構17側に開口部16a(図1,9参照)が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構19は、この開口部16aを介して、熱処理部16Eに基板Wを搬入して、熱処理部16Eから基板Wを搬出する。BARCセル12内の熱処理部16Bとほぼ同じような構成で、3つのHP,4つのCPを上から順に積層することで、熱処理部16Eは構成されている。
【0064】
第1の処理ユニット9側に配設されている熱処理部16Cを、上述したようにSCセル13以外にBARCセル12とも共有している。つまり、熱処理部16CはBARCセル12内の熱処理部16Cでもある。熱処理部16Cの構成については説明を省略する。
【0065】
なお、上述した3個の熱処理部16C〜16Eが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当する。また、SCセル13に単一の熱処理部(例えば、熱処理部16C〜16Eのうちの1つ)を設ける場合には、この単一の熱処理部が本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当することになる。また、熱処理部用搬送機構17の負担にならない範囲でSCセル13に複数個の熱処理部を設ける場合には、その複数個の熱処理部が本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当することになる。
【0066】
SCセル13内のSCは、反射防止液の替わりにフォトレジスト液を吐出してフォトレジスト膜を塗布形成する以外には、BARCセル12内のSCと同様の構成をしているので、SCセル13内のSCの説明を省略する。
【0067】
なお、SCセル13内の2つのSCが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における塗布部に相当する。また、SCセル13に単一のSCを設ける場合には、この単一のSCが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における塗布部に相当することになる。また、SC用搬送機構20の負担にならない範囲でSCセル13に3つ以上のSCを設ける場合には、その設けた個数分のSCが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における塗布部に相当することになる。
【0068】
次に、1階側にあるPEBセル14の具体的構成について説明する。PEBセル14の1階部分は、図2に示すように、露光処理前に基板Wの端縁(エッジ)部分を露光するエッジ露光処理(『EE』)をそれぞれ行うための2つのエッジ露光処理部EEと、熱処理部16D,2つのエッジ露光処理部EE,およびインターフェイス4内の後述するIF用載置台30間で基板Wの受け渡しを行うEE用搬送機構21とから構成されている。
【0069】
2つのエッジ露光処理部EEは、図2に示すような位置でEE用搬送機構21の奥側に、それぞれが互いに上下に積層された状態で配設されている。他の熱処理部16と同様に、各エッジ露光処理部EEには、EE用搬送機構21側に開口部16a(図1,9参照)がそれぞれ設けられている。そして、EE用搬送機構21は、この開口部16aを介して、エッジ露光処理部EEに基板Wを搬入して、エッジ露光処理部EEから基板Wを搬出する。
【0070】
次に、2階側にあるPEBセル14の具体的構成について説明する。PEBセル14の2階部分は、図3に示すように、露光処理後の基板Wをそれぞれ加熱する8つのPEBと、4つのCPと、これらのPEB,CP,インターフェイス4内の後述するIF用載置台30,およびSDセル15B内の後述する熱処理部16F間で基板Wの受け渡しを行うPEB用搬送機構22とから構成されている。
【0071】
8つのPEB,4つのCPのうち、4つのPEBと,2つのCPとが上から順に積層された状態で、図3に示すような位置でPEB用搬送機構22の奥側に配設されている。同様に、残りの4つのPEBと,2つのCPとが上から順に積層された状態で、図3に示すような位置でPEB用搬送機構22の手前側に配設されている。各PEB,CPには、PEB用搬送機構22側に開口部16a(図1,9参照)がそれぞれ設けられている。そして、PEB用搬送機構22は、この開口部16aを介して、各PEB,CPに基板Wを搬入して、各PEB,CPから基板Wを搬出する。PEB用搬送機構22の具体的構成についても後で説明する。
【0072】
次に、SDセル15Bの具体的構成について説明する。インターフェイス4側にあるSDセル15Bは、図3に示すように、3つの熱処理部16F、16G,16Hと、これらの熱処理部16F,16G,16H間で基板Wの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構23と、露光処理後の基板Wを回転させながら現像処理をそれぞれ行う2つのSDと、熱処理部16Fおよび2つのSD間で基板Wの受け渡しを行うSD用搬送機構24とから構成されている。
【0073】
なお、2つのSDが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における現像部に相当する。また、SDセル15Bに単一のSDを設ける場合には、この単一のSDが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における現像部に相当することになる。また、SD用搬送機構24の負担にならない範囲でSDセル15Bに3つ以上のSDを設ける場合には、その設けた個数分のSDが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における現像部に相当することになる。
【0074】
第3の処理ユニット11側、すなわちインターフェイス4側に配設されている熱処理部16Fは、Pass,4つのCPを上から順に積層することで、構成されている。この熱処理部16Fは、Passを通じて、熱処理部用搬送機構23と、PEB用搬送機構22との間で基板を受け渡す機能をも備えている。即ち、熱処理部用搬送機構23とPEB用搬送機構22とは、Passを介して受け渡しを行う構成となっており、Passには、熱処理部用搬送機構23とPEB用搬送機構22とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入できるように開口部16aが形成されている(図1、図9参照)。また、4つのCPには、それぞれ熱処理部用搬送機構23とSC用搬送機構24とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入できるように開口部16aが形成されている(図1、図9参照)。
【0075】
SD側とは逆方向、すなわち奥側に配設されている熱処理部16Gは、熱処理部用搬送機構23側に開口部16a(図1,9参照)が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構23は、この開口部16aを介して、熱処理部16Gに基板Wを搬入して、熱処理部16Gから基板Wを搬出する。また、3つのHP,2つのCPを上から順に積層することで、熱処理部16Gは構成されている。
【0076】
インデクサ1側にあるSDセル15A側に配設されている熱処理部16Hを、SDセル15B以外にSDセル15Aとも共有しており、この熱処理部16Hは、上段からそれぞれ、Passと、2つのHPと、2つのCPとを積層して構成されている。このうち、本実施形態の構成においては、この5段のうちの下から2段目のCPと下から4段目のHPとは、SD15B用として用いられ、下から1段目のCPと下から3段目のHPとは、SDセル15A用として用いられる。この熱処理部16HのPassには、熱処理部用搬送機構23と後述するSDセル15A内に配置された熱処理部用搬送機構23との間で基板の受け渡しが可能なように、それぞれ熱処理部用搬送機構23、熱処理部用搬送機構23に対峙した面にのみ開口部16aが形成されている(図1、図9参照)。熱処理部16Hを構成するSDセル15B用として用いられるCPとHPには、SDセル15B内に配置された熱処理部用搬送機構23とのみ基板の受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構23と対峙する面にのみ開口部16aが形成されている。同様に、熱処理部16Hを構成するSDセル15A用として用いられるCPとHPには、SDセル15A内に配置される熱処理部用搬送機構23とのみ基板の受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構23と対峙する面にのみ開口部16aが形成されている。
【0077】
なお、上述した熱処理部16F,16G,16Hが本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当する。また、SDセル15Bに単一の熱処理部(例えば、熱処理部16F,16G,16Hのうちの1つ)を設ける場合には、この単一の熱処理部が本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当することになる。また、熱処理部用搬送機構23の負担にならない範囲でSDセル15Bに複数個の熱処理部を設ける場合には、その複数個の熱処理部が本発明における処理部に相当し、さらに本発明における熱処理部に相当することになる。
【0078】
インデクサ1側にあるSDセル15Aは、それぞれの構成が左右逆(yz平面に対して左右対称)に配設されている以外には、インターフェイス4側にあるSDセル15Bと同様の構成をしているので、SDセル15Aの説明を省略する。なお、SDセル15A内の熱処理部16Fは、CPにおいて、熱処理部用搬送機構23とSD用搬送機構24との間で基板を受け渡す機能を有するとともに、Passにおいて熱処理部用搬送機構23とID用搬送機構8との間で基板を受け渡す機能をも果たす。即ち、熱処理部16FのCPは、熱処理部用搬送機構23とSD用搬送機構24とに対峙する面にのみ開口部16aが形成され、Passには、熱処理部用搬送機構23とID用搬送機構8とに対峙する面にのみ開口部16aが形成されている。また、2つのSDセル15を設けた理由は、一方のSDセル15内にある2つのSDで基板Wがともに処理されているときに、PEB後の別の基板Wを他方のSDセル15内にあるSDで処理するためである。
【0079】
このように、処理ブロック3は、BARCセル12とSDセル15Aとからなる第1の処理ユニット9、SCセル13とSDセル15Bとからなる第2の処理ユニット10、2階側にあるPEBセル14と1階側にあるPEBセル14とからなる第3の処理ユニット11から構成されている。
【0080】
そして、1階側に関しては、熱処理部用搬送機構17と熱処理部用搬送機構19とが、熱処理部16(16A〜16E)のうち、熱処理部16Cに対して基板Wの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構17,19がその熱処理部16Cを共有し、熱処理部用搬送機構17とSC用搬送機構18とが、熱処理部16Aに対して基板Wの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構17,18がその熱処理部16Aを共有し、熱処理部用搬送機構19とSC用搬送機構20とEE用搬送機構21とが、熱処理部16Dに対して基板Wの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構19,20,21がその熱処理部16Dを共有する。つまり、これらの熱処理部16A,16C,16Dと、これらの搬送機構17〜21とを連ねることで、各熱処理部16・SC間で基板Wを搬送する経路である処理部搬送経路25を構成している。また、処理部搬送経路25は、図2中の矢印の方向で基板Wが受け渡されて搬送される。また、これらの搬送機構17〜20によって共有された熱処理部16A,16C,16Dが配設されている位置は、本発明における境界部に相当する。
【0081】
2階側に関しては、SDセル15AおよびSDセル15Bの各々の熱処理部用搬送機構23が、熱処理部16(16F〜16G)のうち、熱処理部16Hに対して基板Wの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構23がその熱処理部16Hを共有し、PEB用搬送機構22とSDセル15B内の熱処理部用搬送機構23とSDセル15B内のSD用搬送機構24とが、SDセル15B内の熱処理部16Fに対して基板Wの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構22〜24がその熱処理部16Fを共有し、SDセル15A内の熱処理部用搬送機構23とSDセル15A内のSD用搬送機構24とが、SDセル15A内の熱処理部16Fに対して基板Wの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構23,24がその熱処理部16Fを共有する。つまり、これらの熱処理部16F,16Hと、これらの搬送機構22〜24を連ねることで、各熱処理部16・SD間で基板Wを搬送する経路である処理部搬送経路26を構成している。また、処理部搬送経路26は、図3中の矢印の方向で基板Wが受け渡されて搬送される。また、これらの搬送機構22〜24によって共有された熱処理部16F,16Hが配設されている位置も、本発明における境界部に相当する。
【0082】
つまり、処理部搬送経路25,26が、上下に2階の階層構造で構成されていることになる。また、1階の処理部搬送経路25および2階の処理部搬送経路26が、インデクサ1にそれぞれ連結されるとともに、1階の処理部搬送経路25および2階の処理部搬送経路26が、インターフェイス4にそれぞれ連結されていることにより、これらの処理部搬送経路25,26が交互に逆方向に折り返して連結される。これらの処理部搬送経路25,26が交互に逆方向に折り返して連結されることにより、処理部搬送経路25は、基板Wが順方向に搬送される行き専用経路で構成され、処理部搬送経路26は、基板Wが逆方向に搬送される帰り専用経路で構成される。
【0083】
次に、熱処理部用搬送機構17,19,23,SC用搬送機構18,20,EE用搬送機構21,SD用搬送機構24の具体的構成について、図5〜図7を参照して説明する。なお、上述したように、これらの搬送機構は同じ構成からなるので、熱処理部用搬送機構17のみについて説明する。熱処理部用搬送機構17は、図5(a)の平面図、および図5(b)の右側面図に示すように、固定した昇降軸であるz軸周り(矢印REの方向)にアーム基台17aを回転可能に構成する回転駆動機構17bと、固定した昇降軸であるz軸(矢印RFの方向)に沿ってアーム基台17aを昇降移動可能に構成するz軸昇降機構17cとを備えている。このアーム基台17aには基板Wを保持するアーム17dが備えられており、このアーム17dは、回転半径方向である矢印RG方向に進退移動可能に構成されている。このアーム17dは、本発明における基板保持部に相当する。
【0084】
ID用搬送機構8の回転駆動機構8dと同様に、回転駆動機構17bは、図5(b)に示すように、上述したアーム基台17a、アーム基台17aを軸心周りに回転させるモータ17e、および、アーム基台17aとモータ17eとを支持する支持部材17fを備えている。モータ17eの回転によって、アーム基台17aがアーム17dとともに矢印REの方向に回転される。
【0085】
z軸昇降機構17cは、図5(b)に示すように、螺軸17gと、この螺軸17gを軸心周りに回転させるモータ17hとを備えており、この螺軸17gには上述した回転駆動機構17bが取り付けられている。モータ17hの回転によって、螺軸17gに取り付けられた回転駆動機構17bが矢印RFの方向に移動される。また、このz軸昇降機構17cは、上述したように固定されているので、ID用搬送機構8のz軸昇降機構8cのようにy軸方向(矢印RAの方向)には移動されない。
【0086】
このように構成されることで、アーム基台17aのアーム17dに保持された基板Wは、矢印REの方向に回転し、矢印RFの方向に移動し、矢印RG方向に進退移動可能となる。また、z軸昇降機構17cは、図6(a)に示すように、熱処理部16A,16B,16C側への3方向以外である手前側への方向、すなわちSC側への方向の所定位置に固定される。これにより基板Wは、熱処理部用搬送機構17によって熱処理部16A,16B,16C間で受け渡される。
【0087】
熱処理部用搬送機構17と同様に、熱処理部用搬送機構19,熱処理部用搬送機構23のz軸昇降機構19c,23cについても、図6(a)に示すような方向、すなわち熱処理部用搬送機構19の場合はSC側、熱処理部用搬送機構23の場合はSD側への方向の所定位置に固定される。
【0088】
SC用搬送機構18,インデクサ1側にあるSDセル15A内のSD用搬送機構24のz軸昇降機構18c,24cについては、図6(b)に示すような方向、すなわちインデクサ1側への方向の所定位置に固定され、これにより基板Wは、これらの各搬送機構18,24によって,SC用搬送機構18の場合はSCと熱処理部16Aとの間で、SD用搬送機構24の場合はSDと熱処理部16Fとの間でそれぞれ受け渡される。
【0089】
SC用搬送機構20,インターフェイス4側にあるSDセル15B内のSD用搬送機構24のz軸昇降機構20c,24cについては、図7(a)に示すような方向、すなわちインターフェイス4側への方向の所定位置に固定され、これにより基板Wは、これらの各搬送機構20,24によって,SC用搬送機構20の場合はSCと熱処理部16Dとの間で、SD用搬送機構24の場合はSDと熱処理部16Fとの間でそれぞれ受け渡される。
【0090】
EE用搬送機構21のz軸昇降機構21cについては、図7(b)に示すような方向、すなわち手前側への方向の所定位置に固定され、これにより基板Wは、EE用搬送機構21によって,熱処理部16DとEEとインターフェイス4内の後述するIF用載置台30との間で受け渡される。
【0091】
これらの搬送機構17〜20,23,24は、本発明における基板搬送手段に相当する。
【0092】
次に、PEB用搬送機構22の具体的構成について、図8を参照して説明する。PEB用搬送機構22は、図8(a)の平面図、図8(b)の側面図、および図8(c)の正面図に示すように、矢印RHの方向に(z方向)にアーム基台22aを昇降移動可能に構成する筒状のz軸昇降機構22b、そのz軸昇降機構22bをz軸周り(矢印RIの方向)に回転可能に構成するモータ22cを備えている。このアーム基台22aには基板Wを保持するアーム22dが備えられており、このアーム22dは、回転半径方向である矢印RJ方向に進退移動可能に構成されている。
【0093】
筒状のz軸昇降機構22bは、図8(a)〜(c)に示すように、空洞になっており、この空洞部に上述したアーム基台22aが収容されている。また、アーム22dが進退移動する際に通過することができるように、z軸昇降機構22bに開口部22eが設けられている。さらに、z軸昇降機構22bは、図8(b)に示すように、螺軸22fと、この螺軸22fを軸心周りに回転させるモータ22gとを備えており、この螺軸22fにはアーム基台22aが取り付けられている。モータ22gの回転によって、螺軸22fに取り付けられたアーム基台22aが矢印RHの方向に移動される。
【0094】
z軸昇降機構22bの底部には、上述したモータ22cが取り付けられており、モータ22cの回転によって、z軸昇降機構22b自体が、z軸昇降機構22b内に収容されたアーム基台22aおよびアーム22dとともに矢印RIの方向に回転される。
【0095】
このように構成されることで、アーム基台22aのアーム22dに保持された基板Wは、矢印RIの方向に回転し、矢印RHの方向に移動し、矢印RJ方向に進退移動可能となる。これにより基板Wは、PEB用搬送機構22によって、PEB,CP,インターフェイス4内の後述するIF用載置台30,およびSDセル15B内の熱処理部16F間で受け渡される。
【0096】
また、搬送機構17〜21,23,24の場合には、固定した昇降軸で構成されたz軸昇降機構が取り付けられている方向には基板Wを受け渡すことができないが、PEB用搬送機構22の場合には、固定されたz軸昇降機構の替わりに筒状のz軸昇降機構22bが取り付けられており、そのz軸昇降機構22b自体が回転可能となっているので、水平面内の全ての方向に基板Wを受け渡すことができる。
【0097】
その反面、z軸昇降機構22bがz軸周り(矢印RIの方向)に回転するので、搬送機構17〜21,23,24と比較して、構造が複雑になってしまう。また、搬送機構17〜21,23,24の場合には、固定した昇降軸で構成されたz軸昇降機構が取り付けられている方向以外から搬送機構17〜21,23,24を保守することができるのに対し、PEB用搬送機構22の場合には、z軸昇降機構22bが筒状になっており、その開口部22eからしかPEB用搬送機構22を保守することができない。従って、保守性の面においても搬送機構17〜21,23,24の方がPEB用搬送機構22よりも優れている。
【0098】
次に、熱処理部16(16A〜16G)の具体的構成について、図9,10を参照して説明する。なお、図9では熱処理部16の周辺にある搬送機構などについては、図示を省略する。図9に示すように、SDセル15A内の熱処理部16Fと、熱処理部16Aとが2階部分から1階部分まで上から順に積層されている。同様に、SDセル15A内の熱処理部16Gと、熱処理部16Bとが上から順に積層されており、熱処理部16Hと、熱処理部16Cとが上から順に積層されており、SDセル15B内の熱処理部16Fと、熱処理部16Dとが上から順に積層されており、SDセル15B内の熱処理部16Gと、熱処理部16Eとが上から順に積層されている。
【0099】
各熱処理部16の底部には、レール27がそれぞれ敷かれており、各々のレール27は、定常位置でもある各搬送機構17〜20,23,24の手前の位置Cから退避位置Dまで延在するようにそれぞれ構成されている。各々のレール27に各熱処理部16が搭載されているので、実施例装置、特に各搬送機構17〜20,23,24をそれぞれ保守(メンテナンス)するときには、図10に示すように、各々のレール27上で各熱処理部16を定常位置Cから退避位置Dまでそれぞれ移動することで、メンテナンスゾーンEが確保される。
【0100】
図1〜3に戻って、インターフェイス4の具体的構成について説明する。インターフェイス4(以下、適宜『IF』と略記する)は、IF用搬送経路28とIF用搬送機構29とIF用載置台30とから構成されている。IF用搬送経路28は、図2,3に示すように、インデクサ1のID用搬送経路7と平行に形成されている。IF用搬送機構29は、IF用搬送経路28上を移動することで、IF用載置台30と、図2,3中の二点鎖線で示した露光装置(ステッパ)STPとの間で基板Wを搬送する。この露光装置STPは、本実施例装置とは別体の装置で構成されるとともに、かつ本実施例装置に連設可能に構成されており、本実施例装置と露光装置STPとの間で基板Wの受け渡しを行わないときには、本実施例装置のインターフェイス4から露光装置STPを退避させてもよい。
【0101】
IF用搬送機構29の具体的構成については、図4に示したID用搬送機構8のz軸昇降機構8cの取り付け位置が相違する以外には、ID用搬送機構8と同様の構成であるので、その説明を省略する。
【0102】
IF用載置台30は、図1に示すように、2階側にあるPEBセル14のPEB用搬送機構22,IF用搬送機構29間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2階専用のPassと、1階側にあるPEBセル14のEE用搬送機構21,IF用搬送機構29間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する1階専用のPassとが積層されている。両Pass間および2階専用のPassの上側には、基板Wをそれぞれ仮置きするための複数のバッファ(以下、『BF』と呼ぶ)がそれぞれ積層されている。2階専用のPass,2階専用の複数の各BF,1階専用のPass,1階専用の各BFが、熱処理部16と同様に2階部分から1階部分まで上から順に積層されている。
【0103】
両Passは、PEBセル14側とIF用搬送機構29側との両方向にそれぞれ開口されており、これらの開口を介して、1階側のPEBセル14内のEE用搬送機構21、および2階側のPEBセル14内のPEB用搬送機構22と、IF用搬送機構29との間で基板Wの受け渡しがそれぞれ行われる。また、1階専用のBFおよび2階専用のBFは、それぞれ少なくともIF用搬送機構29側に開口されており、この開口を介してIF用搬送機構29との間で基板の受け渡しが行われる。
【0104】
続いて、基板処理装置用ユニットとしてのBARCセル12とSCセル13とSDセル15A,15Bのそれぞれのフレーム構成について、図11,図12を用いて説明する。図11は、基板処理装置用ユニットとしてのBARCセル12とSCセル13とSDセル15A,15Bのそれぞれのフレーム構成を示す概略斜視図であり、図12は、基板処理装置用ユニットとしてのセルを、左右に2個、上下に2個組み上げた状態を示す概略斜視図である。
【0105】
すなわち、図11に示すように、各セル12,13,15A,15Bの右側面に開口部Faを、左側面に開口部Fbを、正面に開口部Fcを、背面に開口部Fdをそれぞれ設ける。これら開口部Fa〜Fdが設けられることで、開口部Fa〜Fd以外の各セル12,13,15A,15Bの外壁部分が、外枠のフレームFとしてそれぞれ構成される。この実施例では、例えば、各セル12,13,15A,15BのフレームFを同一形状で同一大きさのものとしている。また、各セル12,13,15A,15BのフレームFの上面の四隅には、上方向に突出した嵌合ピンP1がそれぞれ設けられている。また、各セル12,13,15A,15BのフレームFの下面の四隅には、上述の嵌合ピンP1に嵌合させるための嵌合穴P2がそれぞれ設けられている。上下に積み上げる2つのセルのフレームF同士を、下側に位置させるフレームFの上面の嵌合ピンP1と、このフレームFに積み上げて上側に位置させるフレームFの下面の嵌合穴P2とを勘合させて積み上げることで、上下方向に多数段のセルを組み上げていくことができるようになっている。本実施例では、例えば、BARCセル12の上にSDセル15Aを積み上げ、SCセル13の上にSDセル15Bを積み上げている。
【0106】
なお、上述した嵌合ピンP1および嵌合穴P2からなる嵌合部材で上下方向のセル同士を連結させているが、例えば金具などの接続部材や、ボルトおよびナットなどの締結部材などで、上下方向のセル同士を連結させるようにしてもよい。
【0107】
さらに、図12に示すように、左右方向に隣接する2つのセルのフレームF同士を、互いに接続部材f(例えば金具)で連結することで、一方のセルの右側面における開口部Faが他方のセルの左側面における開口部Fbに一致し、隣接するセルが連通接続される。これによって各セル内の処理部搬送経路25,26も、セル間にまたがって連通接続される。このように構成することで、基板処理装置用ユニットとしてのセル(例えば、セル12,13,15A,15B)を、左右方向(基板Wの搬送方向)および上下方向に並べて配設することができる。また、基板の処理枚数に応じて、各セルを増加させることも容易に行うことができるし、必要であればセルを削減することも容易に行うことができる。
【0108】
なお、上述した接続部材fで左右方向に隣接するセル同士を連結させているが、嵌合ピンP1および嵌合穴P2からなる嵌合部材や、ボルトおよびナットなどの締結部材などで、左右方向に隣接するセル同士を連結させるようにしてもよい。
【0109】
続いて、この実施例の基板処理装置を組み立てる組立方法について、図11〜図13を用いて説明する。図13(a)は、用力用の母管をセルに取り付けた状態を示す概略斜視図であり、図13(b)は、用力用の母管とセルとを接続した状態を示す概略斜視図である。なお、図11〜図13には、説明の便宜上、フレームF内に収納される処理部(SC、SD、熱処理部16A〜16H)などの図示を省略している。
【0110】
まず、図11に示す基板処理装置用ユニットとしてのセル(例えば、セル12,13,15A,15B)を、図12に示すように、相互に連結して装置本体FHを組み立てる。具体的には、BARCセル12上にSDセル15Aを積み上げ、SCセル13上にSDセル15Bを積み上げ、これらを左右方向(基板Wの搬送方向)に並べて連結させる。なお、組み上げの順番はこれに限定されるものではなく、セルを左右方向に連結させて1階部分を完成させてから、その上にセルを積み上げるなど、作業効率の良いように任意の順番に行えば良い。上述した装置本体FHの組み立てが本発明における組立過程に相当する。
【0111】
また、多段(本実施例では例えば2段)に積み上げたうちの最下位のセルの下面側の四隅などに車輪部を設けたりして、移動性を向上させてもよい。各セルを個別に搬送し、現地で各セルを連結させて組み上げるようにしてもよいが、例えば、セルを多段(例えば2段)に積み上げて予め所定の大きさまで組み上げておき、その最下位のセルに上述の車輪部を設けて移動させ、多段に組まれたセルを現地で左右方向に連結させたり、あるいは、セルを左右方向に連結させて予め所定の大きさまで組み上げておき、その最下位のセルに上述の車輪部を設けて移動させ、左右方向に連結されたセルを現地で多段(例えば2段)に積み上げたりして、組み上げるようにしてもよい。
【0112】
次に、図13(a)に示すように、用力用の母管BKを、セル間を貫通するように通す。例えば、用力用の母管BKを、BARCセル12およびSCセル13の背面側に並設させる。用力用の母管BKとは、例えば、基板処理装置で必要とされる、電力や窒素(N2 )ガスや純水や排気系や排液系などの各種の管・ケーブルが管内に一括して挿入されたものである。この用力用の母管BKの管内に通された、電力や窒素(N2 )ガスや純水や排気系や排液系などの各種の管・ケーブルの一端は、用力用の母管BKの外周部の各コネクタ部Cまで接続されていて、その他端は、この基板処理装置を設置する施設側に接続されている。上述した用力用の母管BKの貫通が本発明における貫通過程に相当する。
【0113】
次に、図13(b)に示すように、各セル12,13,15A,15Bと用力用の母管BKとを接続する。例えば、各セル12,13,15A,15Bからの各種の管・ケーブルCAを、用力用の母管BKの外周部の各コネクタ部Cに接続する。上述した各セルと用力用の母管BKとの接続が本発明における接続過程に相当する。
【0114】
このようにして基板処理装置を組み立てることで、基板処理装置を効率良く組み上げることができ、各セル12,13,15A,15Bからの各種の管・ケーブルCAなどが散在することもないので、作業者などの安全性を向上させることができる。
【0115】
続いて、本実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理について、図14,図15のフローチャートおよび図16を参照して説明する。なお、各処理において複数枚の基板Wが並行して行われるが、1枚の基板Wのみに注目して説明する。
【0116】
(ステップS1)インデクサでの搬送
カセット載置台2に載置されたカセットから1枚の基板Wを取り出すために、ID用搬送機構8のy軸移動機構8bは、z軸昇降機構8cごとアーム基台8aをID用搬送経路7上で矢印RAの方向に移動させて、z軸昇降機構8cはアーム基台8aを矢印RBの方向に下降させつつ、回転駆動機構8dはアーム基台8aを矢印RCの方向に回転させる。そして、アーム8eを矢印RDの方向に前進させて、前進されたアーム8eがカセット内の1枚の基板Wを保持する。その後、基板Wを保持した状態でアーム8eを矢印RDの方向に後退させる。
【0117】
(ステップS2)Passでの受け渡し
ID用搬送機構8は、BARCセル12内の熱処理部用搬送機構17に基板Wを渡すために、BARCセル12内の熱処理部16AのPassに基板Wを載置する。具体的に説明すると、ID用搬送機構8のy軸移動機構8bは、z軸昇降機構8cごとアーム基台8aをID用搬送経路7上で移動させて、z軸昇降機構8cおよび回転駆動機構8dは、アーム基台8aを上昇および回転させる。そして、アーム8eを前進させて、Passの開口部16aを通して、基板WをPassに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム8eを後退させる。
【0118】
(ステップS3)AHL処理
Passに載置された基板Wを受け取るために、熱処理部用搬送機構17のz軸昇降機構17cは、回転駆動機構17bごとアーム基台17aを矢印RFの方向に上昇させて、回転駆動機構17bはアーム基台17aを矢印REの方向に回転させる。そして、アーム17dを矢印RGの方向に前進させて、Passの開口部16aを通して、基板WをPassから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム17dを後退させる。
【0119】
そして、熱処理部16AのAHLで処理するために、Passの下に積層されているAHLまで移動するように、熱処理部用搬送機構17のz軸昇降機構17cは、回転駆動機構17bごとアーム基台17aを下降させる。そして、アーム17dを前進させて、AHLの開口部16aを通して、基板WをAHLに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム17dを後退させる。
【0120】
AHLに載置された基板Wに対して、基板Wとフォトレジスト膜との密着性を向上させるためにAHL(アドヒージョン)処理が行われる。
【0121】
なお、AHLから次のCPに基板Wを渡すときも、熱処理部用搬送機構17によって行われるので、AHL処理が終了するまで、AHLの前で熱処理部用搬送機構17を待機させてもよいが、処理効率を向上させるために、熱処理部用搬送機構17のz軸昇降機構17cおよび回転駆動機構17bはアーム基台17aを昇降および回転させて、AHL処理が終了するまでの間、他の基板Wを搬送してもよい。
【0122】
(ステップS4)CP処理
AHL処理が終了すると、AHLに載置された基板Wを受け取るために、熱処理部用搬送機構17のz軸昇降機構17cおよび回転駆動機構17bはアーム基台17aを昇降および回転させる。そして、アーム17dを前進させて、AHLの開口部16aを通して、基板WをAHLから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム17dを後退させる。
【0123】
そして、熱処理部16AのCPで処理するために、AHLの下に積層されているCPまで移動するように、熱処理部用搬送機構17のz軸昇降機構17cは、回転駆動機構17bごとアーム基台17aを下降させる。そして、アーム17dを前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCPに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム17dを後退させる。
【0124】
CPに載置された基板Wに対して、AHLで加熱された基板Wを冷却して常温に保つためにCP処理が行われる。
【0125】
(ステップS5)BARC処理
CP処理が終了すると、CPに載置された基板Wを受け取るために、SC用搬送機構18のz軸昇降機構18cは、回転駆動機構18bごとアーム基台18aを矢印RFの方向に昇降させて、回転駆動機構18bはアーム基台18aを矢印REの方向に回転させる。そして、アーム18dを矢印RGの方向に前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCPから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム18dを後退させる。
【0126】
そして、BARCセル12内のSCで処理するために、SC用搬送機構18のz軸昇降機構18cおよび回転駆動機構18bは、アーム基台18aを下降および回転させる。そして、アーム18dを前進させて、基板WをSCのスピンチャック(図示省略)に載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム18dを後退させる。
【0127】
SCに載置された基板Wに対して、基板Wを回転させながら反射防止膜を塗布形成するBARC処理が行われる。
【0128】
(ステップS6)CPでの受け渡し
BARC処理が終了すると、SCに載置された基板Wを受け取るために、SC用搬送機構18のz軸昇降機構18cおよび回転駆動機構18bは、アーム基台18aを下降および回転させる。そして、アーム18dを前進させて、基板WをSCから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム18dを後退させる。
【0129】
そして、熱処理部16AのCPに搬入するために、SC用搬送機構18のz軸昇降機構18cおよび回転駆動機構18bは、アーム基台18aを上昇および回転させる。そして、アーム18dを前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCPに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム18dを後退させる。このとき、基板Wを冷却する必要があれば、このCPでCP処理を行ってもよい。
【0130】
(ステップS7)HP処理
CPに載置された基板Wを受け取るために、熱処理部用搬送機構17のz軸昇降機構17cおよび回転駆動機構17bは、アーム基台17aを昇降および回転させる。そして、アーム17dを前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCPから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム17dを後退させる。
【0131】
そして、BARCセル12内の熱処理部16BのHPで処理するために、熱処理部用搬送機構17のz軸昇降機構17cおよび回転駆動機構17bは、アーム基台17aを昇降および回転させる。そして、アーム17dを前進させて、HPの開口部16aを通して、基板WをHPに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム17dを後退させる。
【0132】
HPに載置された基板Wに対して、BARC処理後の基板Wを加熱するHP(ベーク)処理が行われる。
【0133】
(ステップS8)Passでの受け渡し
HP処理が終了すると、HPに載置された基板Wを受け取るために、熱処理部用搬送機構17のz軸昇降機構17cおよび回転駆動機構17bは、アーム基台17aを昇降および回転させる。そして、アーム17dを前進させて、HPの開口部16aを通して、基板WをHPから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム17dを後退させる。
【0134】
そして、SCセル13内の熱処理部用搬送機構19に基板Wを渡すために、熱処理部用搬送機構17は、熱処理部16CのPassに基板Wを載置する。具体的に説明すると、熱処理部用搬送機構17のz軸昇降機構17cおよび回転駆動機構17bは、アーム基台17aを上昇および回転させる。そして、アーム17dを前進させて、Passの開口部16aを通して、基板WをPassに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム17dを後退させる。
【0135】
(ステップS9)CPでの受け渡し
Passに載置された基板Wを受け取るために、熱処理部用搬送機構19のz軸昇降機構19cは、回転駆動機構19bごとアーム基台19aを矢印RFの方向に上昇させて、回転駆動機構19bはアーム基台19aを矢印REの方向に回転させる。そして、アーム19dを矢印RGの方向に前進させて、Passの開口部16aを通して、基板WをPassから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム19dを後退させる。
【0136】
そして、熱処理部16DのCPに搬入するために、熱処理部用搬送機構19のz軸昇降機構19cおよび回転駆動機構19bは、アーム基台19aを下降および回転させる。そして、アーム19dを前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCPに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム19dを後退させる。CPでは、基板に冷却処理が行われる。
【0137】
(ステップS10)SC処理
CPに載置された基板Wを受け取るために、SC用搬送機構20のz軸昇降機構20cは、回転駆動機構20bごとアーム基台20aを矢印RFの方向に昇降させて、回転駆動機構20bはアーム基台20aを矢印REの方向に回転させる。そして、アーム20dを矢印RGの方向に前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCPから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム20dを後退させる。
【0138】
そして、SCセル13内のSCで処理するために、SC用搬送機構20のz軸昇降機構20cおよび回転駆動機構20bは、アーム基台20aを下降および回転させる。そして、アーム20dを前進させて、基板WをSCのスピンチャック(図示省略)に載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム20dを後退させる。
【0139】
SCに載置された基板Wに対して、基板Wを回転させながらレジスト塗布を行うSC処理が行われる。
【0140】
(ステップS11)CPでの受け渡し
SC処理が終了すると、SCに載置された基板Wを受け取るために、SC用搬送機構20のz軸昇降機構20cおよび回転駆動機構20bは、アーム基台20aを下降および回転させる。そして、アーム20dを前進させて、基板WをSCから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム20dを後退させる。
【0141】
そして、熱処理部16DのCPに搬入するために、SC用搬送機構18のz軸昇降機構18cおよび回転駆動機構18bは、アーム基台20aを上昇および回転させる。そして、アーム20dを前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCPに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム20dを後退させる。このとき、基板Wを冷却する必要があれば、このCPでCP処理を行ってもよい。
【0142】
(ステップS12)HP処理
CPに載置された基板Wを受け取るために、熱処理部用搬送機構19のz軸昇降機構19cおよび回転駆動機構19bは、アーム基台19aを昇降および回転させる。そして、アーム19dを前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCPから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム19dを後退させる。
【0143】
そして、SCセル13内の熱処理部16EのHPで処理するために、熱処理部用搬送機構19のz軸昇降機構19cおよび回転駆動機構19bは、アーム基台19aを昇降および回転させる。そして、アーム19dを前進させて、HPの開口部16aを通して、基板WをHPに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム19dを後退させる。
【0144】
HPに載置された基板Wに対して、SC処理後の基板Wを加熱するHP(ベーク)処理が行われる。
【0145】
(ステップS13)CP処理
HP処理が終了すると、HPに載置された基板Wを受け取るために、熱処理部用搬送機構19のz軸昇降機構19cおよび回転駆動機構19bは、アーム基台19aを昇降および回転させる。そして、アーム19dを前進させて、HPの開口部16aを通して、基板WをHPから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム19dを後退させる。
【0146】
そして、熱処理部16DのCPで処理するために、熱処理部用搬送機構19のz軸昇降機構19cおよび回転駆動機構19bは、アーム基台19aを昇降および回転させる。そして、アーム19dを前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCPに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム19dを後退させる。
【0147】
CPに載置された基板Wに対して、HPで加熱された基板Wを冷却して常温に保つためにCP処理が行われる。
【0148】
(ステップS14)Passでの受け渡し
CP処理が終了すると、CPに載置された基板Wを受け取るために、熱処理部用搬送機構19のz軸昇降機構19cは、回転駆動機構19bごとアーム基台19aを矢印RFの方向に昇降させて、回転駆動機構19bはアーム基台19aを矢印REの方向に回転させる。そして、アーム19dを矢印RGの方向に前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCPから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム21dを後退させる。
【0149】
そして、PEBセル14内のEE用搬送機構21に基板を渡すために、熱処理部用搬送機構19は、熱処理部16DのPassに基板を載置する。具体的に説明すると、熱処理部用搬送機構19のz軸昇降機構19cおよび回転駆動機構19bは、アーム基台19aを上昇および回転させる。そして、アーム19dを前進させて、Passの開口部16aを通じて、基板WをPassに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム19dを後退させる。
【0150】
(ステップS15)EE処理
Passに載置された基板Wを受け取るために、EE用搬送機構21のz軸昇降機構21cは、回転駆動機構21bごとアーム基台21aを矢印RFの方向に上昇させて、回転駆動機構21bはアーム基台21aを矢印REの方向に回転させる。そして、アーム21dを矢印RGの方向に前進させて、Passの開口部16aを通して、基板WをPassから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム21dを後退させる。
【0151】
そして、1階側にあるPEBセル14内のEEで処理するために、EE用搬送機構21のz軸昇降機構21cおよび回転駆動機構21bは、アーム基台21aを昇降および回転させる。そして、アーム21dを前進させて、EEの開口部16aを通して、基板WをEEに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム21aを後退させる。
【0152】
EEに載置された基板Wに対して、露光処理前に基板Wの端縁(エッジ)部分を露光するEE(エッジ露光)処理が行われる。
【0153】
(ステップS16)Passでの受け渡し
EEでのエッジ露光処理が終了すると、EEに載置された基板Wを受け取るために、EE用搬送機構21のz軸昇降機構21cは、回転駆動機構21bごとアーム基台21aを矢印RFの方向に昇降させて、回転駆動機構21bはアーム基台21aを矢印REの方向に回転させる。そして、アーム21dを矢印RGの方向に前進させて、EEの開口部16aを通して、基板WをEEから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム21dを後退させる。
【0154】
そして、インターフェイス4内のIF用搬送機構29に基板Wを渡すために、EE用搬送機構21は、IF用載置台30の下方のPassに基板を載置する。具体的に説明すると、EE用搬送機構21のz軸昇降機構21cおよび回転駆動機構21bは、アーム基台21aを上昇および回転させる。そして、アーム21dを前進させて、Passの開口部16aを通じて、基板WをPassに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム21dを後退させる。
【0155】
(ステップS17)BFでの仮置き
Passに載置された基板Wを受け取るために、IF用搬送機構29のy軸移動機構29bは、z軸昇降機構29cごとアーム基台29aをIF用搬送経路28上で矢印RAの方向に移動させて、z軸昇降機構29cはアーム基台29aを矢印RBの方向に昇降させつつ、回転駆動機構29dはアーム基台29aを矢印RCの方向に回転させる(図4参照)。そして、アーム29eを矢印RDの方向に前進させて、Passの開口部16aを通して、基板WをPassから搬出する(図4参照)。その後、基板Wを保持した状態でアーム29eを矢印RDの方向に後退させる(図4参照)。そして、露光装置STPにおける処理時間との関係で、基板Wに待ち時間が発生する場合には、IF用搬送機構29を上昇させて1階専用のBFに基板Wを収納する。なお、基板Wに待ち時間が発生せずにそのまま露光処理が行われる場合には、このBFでの仮置きは省略される。
【0156】
(ステップS18)インターフェイスでの搬送
BFに載置された基板Wを受け取るために(もし、前述のステップS17のBFでの仮置きが省略される場合にはPassに載置された基板Wを受け取るために)、IF用搬送機構29のy軸移動機構29bは、z軸昇降機構29cごとアーム基台29aをIF用搬送経路28上で矢印RAの方向に移動させて、z軸昇降機構29cはアーム基台29aを矢印RBの方向に昇降させつつ、回転駆動機構29dはアーム基台29aを矢印RCの方向に回転させる。そして、アーム29eを矢印RDの方向に前進させて、PassもしくはBFの開口を通して、基板WをPassもしくはBFから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム29eを矢印RDの方向に後退させる。
【0157】
(ステップS19)露光処理
インターフェイス4に連結された露光装置STPで処理するために、IF用搬送機構29のy軸移動機構29bは、z軸昇降機構29cごとアーム基台29aをIF用搬送経路28上で移動させて、z軸昇降機構29cおよび回転駆動機構29dは、アーム基台29aを昇降および回転させる。そして、アーム29eを前進させて、露光装置STPに搬入する。その後、基板Wの保持を解除してアーム29eを後退させる。露光装置STPに搬入された基板Wに対して、基板Wの露光処理が行われる。
【0158】
(ステップS20)インターフェイスでの搬送
露光処理が終了すると、露光装置STPから搬出するために、IF用搬送機構29のy軸移動機構29bは、z軸昇降機構29cごとアーム基台29aをIF用搬送経路28上で移動させて、z軸昇降機構29cおよび回転駆動機構29dは、アーム基台29aを昇降および回転させる。そして、アーム29eを前進させて、基板Wを露光装置STPから取り出す。その後、基板Wを保持した状態でアーム29eを後退させる。
【0159】
(ステップS21)Passでの受け渡し
2階側にあるPEBセル14内のPEB用搬送機構22に渡すために、インターフェイス4内のIF用載置台30にある2階専用のPassに基板Wを載置する。具体的に説明すると、IF用搬送機構29のy軸移動機構29bは、z軸昇降機構29cごとアーム基台29aをIF用搬送経路28上で移動させて、z軸昇降機構29cおよび回転駆動機構29dは、アーム基台29aを上昇および回転させる。そして、アーム29eを前進させて、PassもしくはBFの開口を通して、基板WをPassに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム29eを後退させる。
【0160】
もし、PEB用搬送機構22に渡すための時間調整が必要な事態が生じたような場合には、IF用搬送機構29によって、2階専用のBFに基板Wを搬送して時間調整を行い、PEB用搬送機構22に受け渡せるようになった時点で、IF用搬送機構29によって当該BFからPassまで基板Wを搬送する。
【0161】
(ステップS22)PEB処理
PassもしくはBFに載置された基板Wを受け取るために、PEB用搬送機構22のz軸昇降機構22bは、アーム基台22aを矢印RHの方向に昇降させて、モータ22cはz軸昇降機構22bごとアーム基台22aを矢印RIの方向に回転させる。そして、開口部22eを通して、アーム22dを矢印RJの方向に前進させて、基板WをPassもしくはBFから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム22dを後退させる。
【0162】
そして、2階側にあるPEBセル14内のPEBで処理するために、PEB用搬送機構22のz軸昇降機構22bおよびモータ22cはアーム基台22aを昇降および回転させる。そして、開口部22eを通して、アーム22dを前進させて、基板WをPEBに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム22aを後退させる。
【0163】
PEBに載置された基板Wに対して、露光処理後の基板Wを加熱するPEB(Post Exposure Bake)処理が行われる。
【0164】
(ステップS23)CP処理
PEB処理が終了すると、PEBに載置された基板Wを受け取るために、PEB用搬送機構22のz軸昇降機構22bおよびモータ22cはアーム基台22aを昇降および回転させる。そして、アーム22dを前進させて、PEBの開口部16aを通して、基板WをPEBから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム22dを後退させる。
【0165】
そして、2階側にあるPEBセル14内のCPで処理するために、PEBの下に積層されているCPまで移動するように、PEB用搬送機構22のz軸昇降機構22bは、アーム基台22aを下降させる。そして、アーム22dを前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCPに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム22dを後退させる。
【0166】
CPに載置された基板Wに対して、PEBで加熱された基板Wを冷却して常温に保つためにCP処理が行われる。
【0167】
(ステップS24)Passでの受け渡し
CP処理が終了すると、CPに載置された基板Wを受け取るために、PEB用搬送機構22のz軸昇降機構22bおよびモータ22cはアーム基台22aを昇降および回転させる。そして、アーム22dを前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCPから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム22dを後退させる。
【0168】
そして、SDセル15B内のSD用搬送機構24に渡すために、SDセル15B内の熱処理部16FのPassに基板Wを載置する。具体的に説明すると、PEB用搬送機構22のz軸昇降機構22bおよびモータ22cはアーム基台22aを上昇および回転させる。そして、アーム22dを前進させて、Passの開口部16aを通して、基板WをPassに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム22aを後退させる。
【0169】
なお、SDセル15B内にある2つのSDで基板Wがともに処理されているときには、PEB用搬送機構22がSDセル15B内の熱処理部16FのPassに基板Wを載置して、Passに載置された基板WをSDセル15B内の熱処理部用搬送機構23が受け取り、さらに、SDセル15A,15Bが共有する熱処理部16HのPassにSDセル15B内の熱処理部用搬送機構23が基板Wを載置して、Passに載置された基板WをSDセル15A内の熱処理部用搬送機構23が受け取り、さらに、SDセル15A内の熱処理部16FのCPにSDセル15A内の熱処理部用搬送機構23が基板Wを載置して、SDセル15A内のSD用搬送機構24が受け取った後にSDセル15A内のSDに載置して、SDでSD(現像)処理を行ってもよい。
【0170】
(ステップS25)CPでの受け渡し
Passに載置された基板Wを受け取るために、熱処理部用搬送機構23のz軸昇降機構23cは、回転駆動機構23bごとアーム基台23aを矢印RFの方向に上昇させて、回転駆動機構23bはアーム基台23aを矢印REの方向に回転させる。そして、アーム23dを矢印RGの方向に前進させて、Passの開口部16aを通して、基板WをPassから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム23dを後退させる。
【0171】
そして、熱処理部16FのCPに載置するために、熱処理部用搬送機構23のz軸昇降機構23cおよび回転駆動機構23bは、アーム基台23aを下降および回転させる。そして、アーム23dを前進させて、基板WをCPに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム23dを後退させる。当該CPでは、基板Wがより高精度に常温程度の温度になるように温度調整するようにしてもかまわない。
【0172】
(ステップS26)SD処理
CPに載置された基板Wを受け取るために、SD用搬送機構24のz軸昇降機構24cは、回転駆動機構24bごとアーム基台24aを矢印RFの方向に上昇させて、回転駆動機構24bはアーム基台24aを矢印REの方向に回転させる。そして、アーム24dを矢印RGの方向に前進させて、Passの開口部16aを通して、基板WをCPから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム24dを後退させる。
【0173】
そして、SDセル15B内のSDで処理するために、SD用搬送機構24のz軸昇降機構24cおよび回転駆動機構24bは、アーム基台24aを下降および回転させる。そして、アーム24dを前進させて、基板WをSDのスピンチャック(図示省略)に載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム24dを後退させる。
【0174】
SDに載置された基板Wに対して、基板Wを回転させながら現像処理を行うSD(現像)処理が行われる。
【0175】
(ステップS27)CPでの受け渡し
SD処理が終了すると、SDに載置された基板Wを受け取るために、SD用搬送機構24のz軸昇降機構24cおよび回転駆動機構24bは、アーム基台24aを下降および回転させる。そして、アーム24dを前進させて、基板WをSDから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム24dを後退させる。
【0176】
そして、SDセル15B内の熱処理部用搬送機構23に基板Wを渡すために、SDセル15B内の熱処理部16FのCPに基板Wを載置する。具体的に説明すると、SD用搬送機構24のz軸昇降機構24cおよび回転駆動機構24bは、アーム基台24aを上昇および回転させる。そして、アーム24dを前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCP上に載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム24dを後退させる。
【0177】
(ステップS28)HP処理
CPに載置された基板Wを受け取るために、熱処理部用搬送機構23のz軸昇降機構23cは、回転駆動機構23bごとアーム基台23aを矢印RFの方向に上昇させて、回転駆動機構23bはアーム基台23aを矢印REの方向に回転させる。そして、アーム23dを矢印RGの方向に前進させて、CPの開口部23aを通して、基板WをCPから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム23dを後退させる。
【0178】
そして、SDセル15B内の熱処理部16GのHPで処理するために、熱処理部用搬送機構23のz軸昇降機構23cおよび回転駆動機構23bは、アーム基台23aを昇降および回転させる。そして、アーム23dを前進させて、HPの開口部16aを通して、基板WをHPに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム23dを後退させる。
【0179】
HPに載置された基板Wに対して、SD処理後の基板Wを加熱するHP(ベーク)処理が行われる。
【0180】
(ステップS29)CP処理
HP処理が終了すると、HPに載置された基板Wを受け取るために、熱処理部用搬送機構23のz軸昇降機構23cおよび回転駆動機構23bは、アーム基台23aを昇降および回転させる。そして、アーム23dを前進させて、HPの開口部16aを通して、基板WをHPから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム23dを後退させる。
【0181】
そして、熱処理部16GのCPに基板Wで処理するために、HPの下に積層されているCPまで移動するように、熱処理部用搬送機構23のz軸昇降機構23cは、アーム基台23aを下降させる。そして、アーム23dを前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCPに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム23dを後退させる。
【0182】
CPに載置された基板Wに対して、HPで加熱された基板Wを冷却して常温に保つためにCP処理が行われる。
【0183】
(ステップS30)Passでの受け渡し
CP処理が終了すると、CPに載置された基板Wを受け取るために、熱処理部用搬送機構23のz軸昇降機構23cおよび回転駆動機構23bは、アーム基台23aを昇降および回転させる。そして、アーム23dを前進させて、CPの開口部16aを通して、基板WをCPから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム23dを後退させる。
【0184】
そして、SDセル15A内の熱処理部用搬送機構23に渡すために、熱処理部16HのPassに基板Wを載置する。具体的に説明すると、基板Wを熱処理部用搬送機構23のz軸昇降機構23cおよび回転駆動機構23bは、アーム基台23aを昇降および回転させる。そして、アーム23dを前進させて、Passの開口部16aを通して、基板WをPassに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム23dを後退させる。
【0185】
(ステップS31)Passでの受け渡し
Passに載置された基板Wを受け取るために、SDセル15A内にある熱処理部用搬送機構23のz軸昇降機構23cおよび回転駆動機構23bは、アーム基台23aを昇降および回転させる。そして、アーム23dを前進させて、Passの開口部16aを通して、基板WをPassから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム23dを後退させる。
【0186】
そして、インデクサ1内のID用搬送機構8に渡すために、SDセル15A内の熱処理部16FのPassに基板Wを載置する。具体的に説明すると、SDセル15A内にある熱処理部用搬送機構23のz軸昇降機構23cおよび回転駆動機構23bは、アーム基台23aを上昇および回転させる。そして、アーム23dを前進させて、Passの開口部16aを通して、基板WをPassに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム23dを後退させる。
【0187】
(ステップS32)インデクサでの搬送
Passに載置された基板Wを搬出するために、ID用搬送機構8のy軸移動機構8bは、z軸昇降機構8cごとアーム基台8aをID用搬送経路7上で移動させて、z軸昇降機構8cおよび回転駆動機構8dは、アーム基台8aを上昇および回転させる。そして、アーム8eを前進させて、Passの開口部16aを通して、基板WをPassから搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム8eを後退させる。
【0188】
カセット載置台2に載置されたカセットに基板を収納するために、ID用搬送機構8のy軸移動機構8bは、z軸昇降機構8cごとアーム基台8aをID用搬送経路7上で移動させて、z軸昇降機構8cおよび回転駆動機構8dは、アーム基台8aを下降および回転させる。そして、アーム8eを前進させて、前進されたアーム8eがカセットに処理済でもある基板Wを収納する。その後、基板Wを保持した状態でアーム8eを後退させる。
【0189】
カセット内に所定枚数だけ処理済の基板Wが収納されると、カセットは、一連の基板処理が終了する。
【0190】
上述したように本実施例の基板処理装置用ユニットとしての各セル12,13,15A,15Bは、基板Wに所定の処理を施す複数個の処理部と、各処理部との間で基板Wの受渡しを行うための複数個の基板搬送手段とを備えている。つまり、BARCセル12では熱処理部16A〜16Cに対する熱処理部用搬送機構17とSCに対するSC用搬送機構18とを備えているし、SCセル13では熱処理部16C〜16Eに対する熱処理部用搬送機構19とSCに対するSC用搬送機構20とを備えているし、SDセル15Bでは熱処理部16F,16G,16Hに対する熱処理部用搬送機構23とSDに対するSD用搬送機構24とを備えているし、SDセル15Aでは熱処理部16F,16G,16Hに対する熱処理部用搬送機構23とSDに対するSD用搬送機構24とを備えている。したがって、従来例装置のように単一の基板搬送手段で複数個の処理部に対して基板搬送を行う必要がなく、各搬送機構17〜20,23,24の負担が小さくでき、各搬送機構17〜20,23,24のMTBF(平均故障間動作時間:相隣る故障間における動作時間の期待値)を高くすることができ、基板処理装置用ユニットの信頼性を向上させることができる。
【0191】
また、基板処理装置用ユニットの一例としてのSCセル13は、複数個の処理部として、基板Wに塗布液(例えばフォトレジスト液)を塗布するSCと、基板Wを熱処理するための熱処理部16C〜16Eとを備えているので、基板Wに対して塗布処理および熱処理が行えるユニットを実現できる。
【0192】
また、基板処理装置用ユニットの一例としてのSDセル15A,15Bは、複数個の処理部として、塗布液が塗布された基板を現像するSDと、基板Wを熱処理するための熱処理部16F,16G,16Hとを備えているので、基板Wに対して現像処理および熱処理が行えるユニットを実現できる。
【0193】
SC用の基板搬送手段としてのSC用搬送機構18,20でそれに対応するSCに基板搬送を行い、SD用の基板搬送手段としてのSD用搬送機構24でそれに対応するSDに基板搬送を行い、熱処理用の基板搬送手段としての熱処理部用搬送機構17,19,23でそれに対応する熱処理部(熱処理部16A〜16C、熱処理部16C〜16E、熱処理部16F,16G)に基板搬送を行うこととしているので、熱処理部にアクセスすることで昇温される熱処理部用搬送機構17,19,23で基板WをSCまたはSDに搬送することがないし、熱処理部用搬送機構17,19,23から基板Wへの熱伝導によって基板温度が変化してSCまたはSDにその温度変化した基板Wが搬送されることを防止でき、熱分離することができる。
【0194】
また、各搬送機構17〜21,23,24は、固定した昇降軸周りに回転可能、昇降軸に沿って昇降移動可能、かつ回転半径方向に進退移動可能に構成された、基板を保持するためのアーム(例えば、熱処理部用搬送機構17の場合はアーム17d)を備えている。アームによって保持される基板Wは、アームとともに、固定した昇降軸であるz軸周り(矢印REの方向)に回転し、固定した昇降軸であるz軸(矢印RFの方向)に沿って昇降移動し、かつ回転半径方向(矢印RG方向)に進退移動可能となる。
【0195】
このように基板Wが移動することで、同一水平面内に連ねられた基板受け渡し部でもある、1階の熱処理部16A,16C,16Dが配設されている各位置(2階の場合には熱処理部16F,16Hが配設されている位置)を介して、同一水平面内に連ねられた搬送機構17〜21,23,24は基板を受け渡すことがそれぞれ可能となる。また、このように同一水平面内にこれらの熱処理部16と搬送機構17〜21,23,24とを連ねることで、連ねられた熱処理部16および搬送機構17〜21,23,24間で基板Wが搬送される。
【0196】
すなわち、これら搬送機構17〜21,23,24のうち、1階側にある搬送機構17〜21と、熱処理部16A,16C,16Dとを連ねることで、各熱処理部16・SC間で基板Wを搬送する経路である処理部搬送経路25を構成している。また、これら搬送機構17〜21,23,24のうち、2階側にある搬送機構23,24(,PEB用搬送機構22)と、これらの熱処理部16F,16Hとを連ねることで、各熱処理部16・SD間で基板Wを搬送する経路である処理部搬送経路26を構成している。
【0197】
このように処理部搬送経路25,26を構成しているので、これら搬送機構17〜21,23,24は、水平面内に関して、回転半径方向に進退移動可能のアームの他には、従来のように水平面内に移動させる、例えば螺軸などのような機構を必要としない。従って、螺軸などのような機構が処理部搬送経路25,26に沿って配設されることがない。これによって、処理部搬送経路25,26のような基板搬送経路の設計を自由に設定することができる。
【0198】
また、これら搬送機構17〜21,23,24にそれぞれ備えられているアームおよびアーム基台(熱処理部用搬送機構17の場合はアーム基台17a)が固定した昇降軸のz軸昇降機構(熱処理部用搬送機構17の場合はz軸昇降機構17c)を取り付けているので、固定した昇降軸で構成されたz軸昇降機構が取り付けられている方向以外から搬送機構17〜21,23,24を簡易に保守することができる。また、アーム基台が、固定した昇降軸周りに回転可能に構成された回転駆動機構(熱処理部用搬送機構17の場合は回転駆動機構17b)、昇降軸に沿って昇降移動可能のz軸昇降機構、および回転半径方向に進退移動可能のアームのような3つの機構を備えるのみなので、搬送機構17〜21,23,24をそれぞれ簡易に構成することができる。
【0199】
また、搬送機構17〜21,23,24および熱処理部16を、それぞれに上下にも階層構造で配設し、各階(1階,2階)において搬送機構17〜21,23,24と熱処理部16とを同一水平面内にそれぞれ連ねることで、処理部搬送経路25,26をそれぞれ構成している。
【0200】
また、図2,3に示すように、さらには、図2,3をよりブロック化した図17に示すように、第1〜第3の処理ユニット9〜11の手前側には薬液処理のSCまたはSDが配設されており、第1〜第3の処理ユニット9〜11の奥側には熱処理部16が配設されている。すなわち、1階側においては熱処理部16A〜16DとSCとを処理部搬送経路25に沿って配設し、熱処理部16A〜16DとSCとが熱的に区画されている、つまり、熱分離されている。また、2階側においては熱処理部16F〜16HとSDとを処理部搬送経路26に沿って配設し、熱処理部16F〜16HとSDとが熱的に区画されている。このように区画することで、SCまたはSDのような薬液処理部が熱処理部16によって影響を受けずに、それぞれの基板処理を行うことができる。
【0201】
また、基板処理装置用ユニットの一例としてのBARCセル12,SCセル13,SDセル15A,15Bは、複数の処理部(SC,SD,熱処理部等)と各処理部に個別に設けられた搬送機構17〜20,23,24とを備えていることから、それだけで基板Wに所定の処理を施すことができ、基板Wに一連の処理を施す基板処理装置を構成する単位ユニットとして取り扱うことができる。基板処理装置は、基板処理装置用ユニットを複数個用いて構成されているので、基板処理装置用ユニットの増減が容易で自在に行え、要求されるスループットに応じて自由に基板処理装置を構成することができる。
【0202】
また、基板処理装置用ユニットが上下方向に多段に構成されているので、基板処理装置の占有面積を小さくすることができ、基板処理装置の省フットプリント化が可能である。
【0203】
基板処理装置用ユニットは、BARC用のSCおよび熱処理部16A〜16Cを備えたBARCセル12、SCおよび熱処理部16C〜16Eを備えたSCセル13、あるいは、SDおよび熱処理部16F,16G,16Hを備えたSDセル15A,15Bとしているので、基板Wに対してBARCおよび熱処理が行えるユニット、基板Wに対して塗布処理および熱処理が行えるユニット、あるいは、基板Wに対して現像処理および熱処理が行えるユニットを実現できる。
【0204】
また、基板処理装置用ユニットを、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、基板W上に形成されたフォトレジスト膜の上部に反射防止膜(Top Ant-Reflection Coating)(以下、『TARC』と呼ぶ)を基板Wに塗布形成するTARC部と、基板Wを熱処理するための熱処理部とを備えたTARCセルとしてもよい。この場合には、基板Wに対してTARCおよび熱処理が行えるユニットを実現できる。
【0205】
また、水平面内で隣接する複数個の基板処理装置用ユニットの境界部、つまり、BARCセル12とSCセル13との境界に、基板Wを受け渡すための基板受け渡し部としての熱処理部16Cの「Pass」が設けられ、SDセル15A,15Bの境界に熱処理部16Hの「Pass」が設けられているので、「Pass」に対して同じ距離でアクセス可能である。
【0206】
隣接する複数個(本実施例では例えば2個)の基板処理装置用ユニットの処理部および基板搬送手段の配置を左右対称としている、つまり、1階側で隣接するBARCセル12およびSCセル13の処理部および基板搬送手段の配置や、2階側で隣接するSDセル15A,15Bの処理部および基板搬送手段の配置を左右対称としているので、各階層での基板搬送を左流れまたは右流れのどちらでも行うことができ、基板処理装置の配置の自由度を向上させることができる。
【0207】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【0208】
(1)上述した本実施例では、基板処理として、フォトリソグラフィ工程におけるレジスト塗布および現像処理を例に採って説明したが、上述した基板処理に限定されない。例えば、基板を処理液に浸漬して洗浄処理、エッチング処理、乾燥処理を含む処理を施す薬液処理や、上述した浸漬タイプ以外のエッチング処理(例えばドライエッチングやプラズマエッチングなど)や、上述した浸漬タイプ以外であって基板を回転させて洗浄する洗浄処理(例えばソニック洗浄や化学洗浄など)、エッチング処理や、化学機械研磨(CMP)処理や、スパッタリング処理や、化学気相成長(CVD)処理や、アッシング処理などのように、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板を通常の手法でもって行う基板処理であれば、本発明に適用することができる。
【0209】
(2)上述した本実施例では、本発明における基板受け渡し部に、熱処理部16と、載置台であるPassとの両方を配設したが、Passを有さない熱処理部16のみを基板受け渡し部に配設してもよいし、Passのみを基板受け渡し部に配設してもよい。
【0210】
(3)上述した本実施例では、PEB用搬送機構22は、搬送機構17〜21,23,24とは別の搬送機構で構成したが、搬送機構17〜21,23,24と同じ搬送機構で構成してもよい。この場合には、PEB用搬送機構22についても、固定した昇降軸で構成されたz軸昇降機構が取り付けられている方向以外から、保守することができる。
【0211】
(4)上述した本実施例では、搬送機構17〜21,23,24は、回転半径方向(矢印RG方向)に進退移動可能に構成されたアームを備えており、このアームが進退移動することと、載置台でもあるPassに載置することとで、Passを介して互いに受け渡す各搬送機構がある程度離間しても、基板Wの受け渡しが可能である。その一方で、各搬送機構は固定した昇降軸で構成されたz軸昇降機構をそれぞれ備えているので、搬送機構17〜21,23,24によって搬送される基板Wは、回転半径方向以外には水平面内に移動することができない。従って、基板Wの受け渡しを行うことができないほど、Passを介して互いに受け渡す各搬送機構が離間している場合には、Passを水平面内に移動するように構成してもよい。Passを構成する手段については、特に限定されないが、例えば隣接する2つの搬送機構に延在する、図9に示すようなレールにPassを搭載して、そのレール上をPassが移動することで、基板Wの受け渡しを行ってもよい。
【0212】
(5)上述した本実施例では、図2,3,17に示すように、第1〜第3の処理ユニット9〜11の奥側に熱処理部16が、手前側に薬液処理のSCまたはSDがそれぞれ配設されることで、熱処理部16とSC/SDとが熱的に区画されていたが、それぞれの配設位置については上記図2,3,17に限定されない。
【0213】
また、薬液処理部が熱処理部によって影響を受けない、または影響を受けても薬液処理部に支障がない場合には、薬液処理部と熱処理部とが必ずしも熱的に区画されている必要はない。また、上述した本実施例では、上下に階層構造でそれぞれの熱処理部や搬送機構などを構成したが、1階のみからなる基板処理装置についても、本発明を適用することができる。
【0214】
(6)上述した本実施例では、搬送機構17〜21,23,24の各アーム基台は、固定した昇降軸であるz軸(矢印RFの方向)に沿って構成されていたが、必ずしも固定されている必要はない。また、搬送機構17〜21,23,24の各アーム基台は、昇降移動可能に構成されていたが、必ずしも昇降移動可能に構成されている必要はなく、水平面内に回転可能、かつアームが回転半径方向に進退移動可能であればよい。また、水平面内に回転させる方法は、図5に示すようなモータに限定されず、例えば鉛直軸を別途備え、この鉛直軸をアーム基台に貫くように構成し、この鉛直軸を回転させることで、水平面内に回転させてもよい。
【0215】
(7)上述した本実施例では、本発明における基板受け渡し部に各熱処理部16C,16Hをそれぞれ配設し、配設された各々の熱処理部と、搬送機構17〜21,23,24とを同一水平面内に連ねて構成していたが、必ずしも同一水平面内に並べて配設する必要はなく、例えば、上下に階層構造で配設された搬送機構17〜21,23,24と、基板受け渡し部とを並べて配設し、基板受け渡し部を昇降移動可能に構成することで、各搬送機構17〜21,23,24間での基板の受け渡しを行ってもよい。
【0216】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、複数個の処理部ごとに個別に基板搬送手段を備えているので、各基板搬送手段の負担が小さくでき、各基板搬送手段のMTBF(平均故障間動作時間:相隣る故障間における動作時間の期待値)を高くすることができ、信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。
【図2】本実施例に係る基板処理装置の1階側を平面視したときのブロック図である。
【図3】本実施例に係る基板処理装置の2階側を平面視したときのブロック図である。
【図4】本実施例に係るID用搬送機構の概略構成を示す図であって、(a)はID用搬送機構の平面図、(b)はその右側面図である。
【図5】本実施例に係る熱処理部用/SC用/EE用/SD用搬送機構の概略構成を示す図であって、(a)はそれらの搬送機構の平面図、(b)はその右側面図である。
【図6】本実施例に係る搬送機構が固定される場所および周辺の位置関係を示す図であって、(a)は熱処理部用搬送機構が固定された場合の平面図、(b)はインデクサ側にあるSC用/SD用搬送機構が固定された場合の平面図である。
【図7】本実施例に係る搬送機構が固定される場所および周辺の位置関係を示す図であって、(a)はインターフェイス側にあるSC用/SD用搬送機構が固定された場合の平面図、(b)はEE用搬送機構が固定された場合の平面図である。
【図8】本実施例に係るPEB用搬送機構の概略構成を示す図であって、(a)はPEB用搬送機構の平面図、(b)はその側面図、(c)はその正面図である。
【図9】本実施例に係る熱処理部の概略構成を示す斜視図である。
【図10】本実施例に係る熱処理部が退避位置にまで移動したときの様子を示す側面図である。
【図11】基板処理装置用ユニットとしての各セルのフレーム構成を示す概略斜視図である。
【図12】基板処理装置用ユニットとしてのセルを、左右に2個、上下に2個組み上げた状態を示す概略斜視図である。
【図13】(a)は用力用の母管をセルに取り付けた状態を示す概略斜視図であり、(b)は用力用の母管とセルとを接続した状態を示す概略斜視図である。
【図14】本実施例に係る基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図15】本実施例に係る基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図16】一連の基板処理中の各処理における基板の位置とその基板を搬送する搬送機構との関係を示した図である。
【図17】本実施例に係る処理部搬送経路およびその周辺部の平面ブロック図である。
【図18】従来の基板処理装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
12,13,15a,15B … セル(基板処理装置用ユニット)
16A〜16G … 熱処理部(処理部)
17,19,23 … 熱処理部用搬送機構(基板搬送手段)
17d,19d,23d … アーム(基板保持部)
18,20 … SC用搬送機構(基板搬送手段)
18d,20d … アーム(基板保持部)
24 … SD用搬送機構(基板搬送手段)
24d … アーム(基板保持部)
25,26 … 処理部搬送経路
BK … 母管
SC … スピンコータ(処理部)
SD … スピンデベロッパ(処理部)
W … 基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing in which a substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) such as a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, or a substrate for an optical disk is processed by a plurality of processing units. The present invention relates to an apparatus unit, a substrate processing apparatus, and an assembly method of the apparatus.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, such a substrate processing apparatus is used in, for example, a photolithography process in which a photoresist film is applied and formed on a substrate, an exposure process is performed on the applied substrate, and the exposed substrate is developed. It has been.
[0003]
This is shown in the plan view of FIG. 18 and will be described below. This substrate processing apparatus includes a cassette mounting table 101 on which a plurality of cassettes C in which a plurality of unprocessed (for example, 25) substrates W or substrates W that have been processed in the
[0004]
The
[0005]
Further, a
[0006]
In the substrate processing apparatus described above, substrate processing is performed in the following procedure. One substrate is taken out from the cassette containing the unprocessed substrates W by the
[0007]
When a series of processing up to exposure is thus completed, the
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
That is, in the conventional substrate processing apparatus, the MTBF (average operation time between failures: an expected value of operation time between adjacent failures) cannot be increased, and the reliability of the substrate processing apparatus is low. There is a problem.
[0009]
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a unit for a substrate processing apparatus, a substrate processing apparatus, and an assembling method of the apparatus, which have improved reliability.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above-mentioned problems, the inventors have conducted intensive research and as a result, have obtained the following knowledge. That is, in the conventional substrate processing apparatus, as shown in FIG. 18, a
[0011]
The present invention based on such knowledge adopts the following configuration.
That is, the invention described in
[0012]
(Operation / Effect) According to the first aspect of the present invention, the substrate processing apparatus unit, which is a unit unit for constituting a substrate processing apparatus for performing a series of processes on a substrate, performs a plurality of processes on a substrate. Since each processing unit and a plurality of substrate transfer means for transferring the substrate between the processing units are provided, the burden on each substrate transfer unit can be reduced, and the MTBF of each substrate transfer unit (Average operation time between failures: expected value of operation time between adjacent failures) can be increased, and reliability can be improved.In addition, since the substrate processing apparatus unit includes a plurality of processing units and a substrate transfer unit individually provided in each processing unit, the substrate processing apparatus can perform a predetermined process by itself. Can be handled as a unit unit. Since the substrate processing apparatus is configured by using a plurality of the above-described substrate processing apparatus units, the number of substrate processing apparatus units can be easily increased and decreased, and the substrate processing apparatus can be freely set according to the required throughput. Can be configured. Further, since the substrate processing apparatus unit is configured in a plurality of stages in the vertical direction, the area occupied by the substrate processing apparatus can be reduced, and the footprint of the substrate processing apparatus can be reduced.
[0013]
The invention according to
[0014]
(Operation / Effect) According to the invention described in
[0015]
Further, the invention according to
[0016]
(Operation / Effect) According to the invention described in
[0017]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects.In placeThe plurality of substrate transfer means includes a substrate transfer means for processing liquid that handles a substrate processed with a processing liquid such as a coating solution or a developer, and a substrate transfer means for heat treatment that handles a heat-treated substrate. It is characterized by being distinguished by
[0018]
(Operation / Effect) According to the invention described in
[0019]
The invention according to
[0020]
(Operation / Effect) According to the invention described in
[0025]
Claims6The invention described in claim1The substrate processing apparatus according to
[0026]
(Action / Effect) Claim6According to the invention described in (1), the substrate processing apparatus unit includes a BARC unit and a heat treatment unit, a TARC unit and a heat treatment unit, a coating unit and a heat treatment unit, or a development unit and Since it is provided with a heat treatment section, a unit capable of performing BARC and heat treatment on a substrate, a unit capable of performing TARC and heat treatment on a substrate, a unit capable of applying and heat treating a substrate, or a substrate On the other hand, a unit capable of developing processing and heat treatment can be realized.
[0027]
Claims7The invention described in claim1In the substrate processing apparatus described in (1), a substrate transfer section for transferring a substrate is provided at a boundary portion between a plurality of the substrate processing apparatus units adjacent in a horizontal plane.
[0028]
(Action / Effect) Claim7According to the invention described in (4), since the substrate transfer portion for transferring the substrate is provided at the boundary portion between the plurality of substrate processing apparatus units adjacent in the horizontal plane, the same distance to the substrate transfer portion. It is accessible at.
[0029]
Claims8The invention described in claim1In the substrate processing apparatus according to the
[0030]
(Action / Effect) Claim8According to the invention described in the above, since the arrangement of the processing units and substrate transfer means of a plurality of adjacent substrate processing apparatus units is symmetric, substrate transfer can be performed in either the left flow or the right flow, The degree of freedom of arrangement of the substrate processing apparatus can be improved.
[0033]
Note that the “utility mother pipe” in this specification refers to electric power and nitrogen (N2 ) At least one or more of various pipes / cables such as gas, pure water, exhaust system and drainage system are inserted into the pipe.
[0034]
The present specification also discloses means for solving the following problems.
(1) A substrate processing apparatus unit which is a unit unit for constituting a substrate processing apparatus for performing a series of processing on a substrate,
A plurality of processing units for performing predetermined processing on a substrate and a plurality of substrate transfer means for transferring the substrate between the processing units are housed in separate frames that are separate and independent from each other. A unit for a substrate processing apparatus, comprising:
[0035]
In the substrate processing apparatus of the conventional example, a large-frame frame is configured such that a processing unit or a substrate transfer means, etc. to be equipped are attached to a single large-frame frame to constitute the substrate processing apparatus. Therefore, if there is a request to change the specifications of the substrate processing equipment to increase or decrease the processing unit, it is necessary to remodel the large frame itself according to the request, and it is necessary to make a significant design change There was a problem. However, according to the substrate processing apparatus unit described in the above (1), the processing unit and the corresponding substrate transfer means are accommodated, and the individual frame is provided separately and independently from the others. Therefore, even if there is a request to change the specification of the substrate processing apparatus to increase or decrease the processing unit, it can respond to the request by increasing or decreasing the unit for the substrate processing apparatus itself, and the drastic design like the conventional apparatus No change is necessary, and the degree of freedom of the substrate processing apparatus can be improved.
[0036]
(2) The substrate processing apparatus unit according to (1),
A plurality of the processing units are arranged in a hierarchy in the vertical direction,
A substrate transport means for transporting a substrate to the processing unit is individually provided for each processing unit on each floor,
A substrate processing apparatus unit, wherein the substrate transport means transports a substrate at least within the same floor.
[0037]
According to the substrate processing apparatus unit described in (2) above, a plurality of processing units are arranged in a hierarchy in the vertical direction, and substrate transport means for transporting the substrate to the processing unit is individually provided for each processing unit on each floor. Since the substrate transfer means can transfer the substrate at least within the same floor, the transfer path can have multiple layers, and the footprint of the substrate processing apparatus can be reduced.
[0038]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment, FIG. 2 is a block diagram when the first floor side of the substrate processing apparatus is viewed in plan, and FIG. 3 is a substrate processing apparatus. It is a block diagram when the 2nd floor side is seen in a plane. For the sake of space, the cassette mounting table is not shown in FIG. 2 and 3, a heat treatment unit and an IF mounting table that are configured in a hierarchical structure in the upper and lower sides, which will be described later, are shown in an exploded plan view. For convenience of explanation, an indexer and an interface described later in each of FIGS. 2 and 3 are provided in the apparatus of this embodiment, and are not provided on each floor. Please keep in mind. Further, in this embodiment, a spin coater that performs resist coating while rotating the substrate in the photolithography process, and a spin developer that performs development processing while rotating the resist-coated and further exposed substrate are taken as examples. The substrate processing will be described.
[0039]
The substrate processing apparatus according to the present embodiment includes an
[0040]
The indexer 1 (hereinafter abbreviated as “ID” as appropriate) includes a cassette mounting table 2, an
[0041]
Next, a specific configuration of the
[0042]
As shown in FIG. 4A, the y-
[0043]
As shown in FIG. 4B, the z-
[0044]
As shown in FIG. 4B, the
[0045]
With this configuration, the substrate W held by the
[0046]
Returning to FIGS. 1 to 3, the specific configuration of the
[0047]
In addition, the first to
[0048]
On the other hand, as shown in FIG. 3, the second floor of the
[0049]
As described above, the
[0050]
Each of the
[0051]
Next, a specific configuration of the
[0052]
Two SCs correspond to the processing unit in the present invention, and further correspond to the BARC unit in the present invention. When a single SC is provided in the
[0053]
The three
[0054]
The
[0055]
In the
[0056]
The
[0057]
Note that the three
[0058]
The SC in the
[0059]
The heat treatment
[0060]
Next, a specific configuration of the
[0061]
Similar to the
[0062]
The
[0063]
The
[0064]
The
[0065]
In addition, the three
[0066]
Since the SC in the
[0067]
Two SCs in the
[0068]
Next, a specific configuration of the
[0069]
The two edge exposure processing units EE are disposed on the back side of the
[0070]
Next, a specific configuration of the
[0071]
Among the 8 PEBs and 4 CPs, 4 PEBs and 2 CPs are stacked in order from the top, and are arranged on the back side of the
[0072]
Next, a specific configuration of the
[0073]
Two SDs correspond to the processing unit in the present invention, and further correspond to the developing unit in the present invention. When a single SD is provided in the
[0074]
The
[0075]
In the
[0076]
The
[0077]
In addition, the
[0078]
The
[0079]
As described above, the
[0080]
And about the 1st floor side, the
[0081]
Regarding the second floor side, each heat treatment
[0082]
That is, the processing
[0083]
Next, specific configurations of the heat treatment
[0084]
Similar to the
[0085]
As shown in FIG. 5B, the z-
[0086]
With this configuration, the substrate W held on the
[0087]
Similarly to the heat treatment
[0088]
Regarding the
[0089]
The z-
[0090]
The z-
[0091]
These
[0092]
Next, a specific configuration of the
[0093]
As shown in FIGS. 8A to 8C, the cylindrical z-
[0094]
The above-described
[0095]
With this configuration, the substrate W held by the
[0096]
Further, in the case of the
[0097]
On the other hand, since the z-
[0098]
Next, a specific configuration of the heat treatment section 16 (16A to 16G) will be described with reference to FIGS. In FIG. 9, the illustration of the transport mechanism and the like around the
[0099]
[0100]
Returning to FIGS. 1 to 3, a specific configuration of the
[0101]
The specific configuration of the
[0102]
As shown in FIG. 1, the IF mounting table 30 mounts the substrate W in order to transfer the substrate W between the
[0103]
Both Passes are opened in both directions on the
[0104]
Next, the frame configurations of the
[0105]
That is, as shown in FIG. 11, an opening Fa is provided on the right side of each
[0106]
Note that the cells in the vertical direction are connected to each other by the fitting member including the fitting pin P1 and the fitting hole P2 described above. For example, the connection member such as a metal fitting or the fastening member such as a bolt and nut You may make it connect the cell of a direction.
[0107]
Furthermore, as shown in FIG. 12, by connecting the frames F of two cells adjacent in the left-right direction to each other with a connecting member f (for example, a metal fitting), the opening Fa on the right side surface of one cell is the other. The cells adjacent to the opening Fb on the left side surface of the cell are connected in communication. As a result, the processing
[0108]
In addition, although the cells adjacent in the left-right direction are connected by the connecting member f described above, the left-right direction is determined by a fitting member composed of the fitting pin P1 and the fitting hole P2, or a fastening member such as a bolt and a nut. The cells adjacent to each other may be connected.
[0109]
Subsequently, an assembly method for assembling the substrate processing apparatus of this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 13A is a schematic perspective view showing a state where the working mother pipe is attached to the cell, and FIG. 13B is a schematic perspective view showing a state where the working mother pipe is connected to the cell. It is. In FIG. 11 to FIG. 13, for convenience of explanation, illustration of processing units (SC, SD,
[0110]
First, as shown in FIG. 12, cells (for example,
[0111]
In addition, the mobility may be improved by providing wheel portions at four corners on the lower surface side of the lowest cell among the multi-stage (for example, two stages in this embodiment). Each cell may be transported individually, and each cell may be connected and assembled on site. For example, cells are stacked in multiple stages (for example, two stages) and assembled to a predetermined size in advance, and the lowest The above-mentioned wheel part is provided to the cell and moved, and the cells assembled in multiple stages are connected in the left and right direction on the site, or the cells are connected in the left and right direction and assembled to a predetermined size in advance, and the lowest The above-mentioned wheel portion may be provided in the cell and moved, and the cells connected in the left-right direction may be stacked in multiple stages (for example, two stages) on the site, and assembled.
[0112]
Next, as shown in FIG. 13A, the working mother pipe BK is passed through the cells. For example, the mother tube BK for utility is arranged side by side on the back side of the
[0113]
Next, as shown in FIG. 13B, each of the
[0114]
By assembling the substrate processing apparatus in this way, the substrate processing apparatus can be efficiently assembled, and various pipes / cables CA from the
[0115]
Next, a series of substrate processing in the photolithography process in the substrate processing apparatus of this embodiment will be described with reference to the flowcharts of FIGS. 14 and 15 and FIG. Note that a plurality of substrates W are performed in parallel in each process, but only one substrate W will be described.
[0116]
(Step S1) Transport by indexer
In order to take out one substrate W from the cassette mounted on the cassette mounting table 2, the y-
[0117]
(Step S2) Pass by Pass
The
[0118]
(Step S3) AHL processing
In order to receive the substrate W placed on the Pass, the z-
[0119]
Then, the z-
[0120]
An AHL (adhesion) process is performed on the substrate W placed on the AHL in order to improve the adhesion between the substrate W and the photoresist film.
[0121]
In addition, when the substrate W is transferred from the AHL to the next CP, since it is performed by the heat treatment
[0122]
(Step S4) CP processing
When the AHL process is completed, the z-
[0123]
Then, the z-
[0124]
CP processing is performed on the substrate W placed on the CP in order to cool the substrate W heated by the AHL and keep it at room temperature.
[0125]
(Step S5) BARC processing
When the CP processing is completed, in order to receive the substrate W placed on the CP, the z-
[0126]
Then, in order to perform processing by the SC in the
[0127]
A BARC process is performed on the substrate W placed on the SC by coating and forming an antireflection film while rotating the substrate W.
[0128]
(Step S6) Delivery by CP
When the BARC process is completed, in order to receive the substrate W placed on the SC, the z-
[0129]
And in order to carry in CP of
[0130]
(Step S7) HP processing
In order to receive the substrate W placed on the CP, the z-
[0131]
And in order to process with HP of the
[0132]
An HP (baking) process for heating the substrate W after the BARC process is performed on the substrate W placed on the HP.
[0133]
(Step S8) Pass by Pass
When the HP process is completed, in order to receive the substrate W placed on the HP, the z-
[0134]
Then, in order to transfer the substrate W to the thermal processing
[0135]
(Step S9) Delivery by CP
In order to receive the substrate W placed on the Pass, the z-
[0136]
And in order to carry in to CP of
[0137]
(Step S10) SC processing
In order to receive the substrate W placed on the CP, the z-
[0138]
Then, in order to perform processing by the SC in the
[0139]
SC processing for applying a resist while rotating the substrate W is performed on the substrate W placed on the SC.
[0140]
(Step S11) Delivery by CP
When the SC process is completed, in order to receive the substrate W placed on the SC, the z-
[0141]
And in order to carry in to CP of
[0142]
(Step S12) HP processing
In order to receive the substrate W placed on the CP, the z-
[0143]
And in order to process with HP of the
[0144]
HP (baking) processing for heating the substrate W after SC processing is performed on the substrate W placed on the HP.
[0145]
(Step S13) CP processing
When the HP process is completed, in order to receive the substrate W placed on the HP, the z-
[0146]
And in order to process by CP of
[0147]
CP processing is performed on the substrate W placed on the CP in order to cool the substrate W heated by HP and keep it at room temperature.
[0148]
(Step S14) Delivery by Pass
When the CP process is completed, in order to receive the substrate W placed on the CP, the z-
[0149]
Then, in order to transfer the substrate to the
[0150]
(Step S15) EE processing
In order to receive the substrate W placed on the Pass, the z-
[0151]
In order to perform processing by EE in the
[0152]
The substrate W placed on the EE is subjected to an EE (edge exposure) process that exposes an edge portion of the substrate W before the exposure process.
[0153]
(Step S16) Pass by Pass
When the edge exposure process in EE is completed, in order to receive the substrate W placed on the EE, the z-
[0154]
Then, in order to transfer the substrate W to the
[0155]
(Step S17) Temporary placement at BF
In order to receive the substrate W placed on the Pass, the y-
[0156]
(Step S18) Transport at the interface
In order to receive the substrate W placed on the BF (to receive the substrate W placed on the Pass if the temporary placement at the BF in step S17 is omitted), the
[0157]
(Step S19) Exposure processing
In order to perform processing by the exposure apparatus STP connected to the
[0158]
(Step S20) Transport at the interface
When the exposure process is completed, the y-
[0159]
(Step S21) Pass by Pass
In order to pass to the
[0160]
If there is a situation where it is necessary to adjust the time for passing to the
[0161]
(Step S22) PEB processing
In order to receive the substrate W placed on the Pass or BF, the z-
[0162]
In order to perform processing with PEB in the
[0163]
A PEB (Post Exposure Bake) process for heating the substrate W after the exposure process is performed on the substrate W placed on the PEB.
[0164]
(Step S23) CP processing
When the PEB processing is completed, the z-
[0165]
The z-
[0166]
CP processing is performed on the substrate W placed on the CP in order to cool the substrate W heated by PEB and keep it at room temperature.
[0167]
(Step S24) Delivery by Pass
When the CP process is completed, the z-
[0168]
Then, in order to pass to the
[0169]
When the substrate W is being processed by two SDs in the
[0170]
(Step S25) Delivery by CP
In order to receive the substrate W placed on the Pass, the z-
[0171]
And in order to place in CP of
[0172]
(Step S26) SD processing
In order to receive the substrate W placed on the CP, the z-
[0173]
Then, in order to perform processing with SD in the
[0174]
An SD (development) process is performed on the substrate W placed on the SD to perform a development process while rotating the substrate W.
[0175]
(Step S27) Delivery by CP
When the SD process is completed, in order to receive the substrate W placed on the SD, the z-
[0176]
Then, in order to transfer the substrate W to the heat treatment
[0177]
(Step S28) HP processing
In order to receive the substrate W placed on the CP, the z-axis raising /
[0178]
And in order to process with HP of the
[0179]
An HP (baking) process for heating the substrate W after the SD process is performed on the substrate W placed on the HP.
[0180]
(Step S29) CP processing
When the HP process is completed, in order to receive the substrate W placed on the HP, the z-
[0181]
Then, the z-
[0182]
CP processing is performed on the substrate W placed on the CP in order to cool the substrate W heated by HP and keep it at room temperature.
[0183]
(Step S30) Pass by Pass
When the CP process is completed, in order to receive the substrate W placed on the CP, the z-
[0184]
Then, the substrate W is placed on the pass of the
[0185]
(Step S31) Pass by Pass
In order to receive the substrate W placed on the Pass, the z-
[0186]
Then, in order to pass to the
[0187]
(Step S32) Transport by the indexer
In order to carry out the substrate W placed on the Pass, the y-
[0188]
In order to store the substrate in the cassette mounted on the cassette mounting table 2, the y-
[0189]
When a predetermined number of processed substrates W are stored in the cassette, the cassette finishes a series of substrate processing.
[0190]
As described above, each of the
[0191]
The
[0192]
The
[0193]
The
[0194]
Each of the
[0195]
As the substrate W moves in this manner, each position where the first floor
[0196]
That is, among these
[0197]
Since the processing
[0198]
Also, the z-axis lifting mechanism (heat treatment) of the lifting shaft fixed to the arms and arm bases (
[0199]
Further, the
[0200]
Further, as shown in FIGS. 2 and 3, further, as shown in FIG. 17, which is a block diagram of FIGS. 2 and 3, a chemical treatment SC is provided on the front side of the first to
[0201]
Further, the
[0202]
Further, since the substrate processing apparatus units are configured in multiple stages in the vertical direction, the area occupied by the substrate processing apparatus can be reduced, and the footprint of the substrate processing apparatus can be reduced.
[0203]
The substrate processing unit includes a
[0204]
In addition, in order to reduce standing waves and halation generated during exposure, the substrate processing apparatus unit has an anti-reflective coating (Top Ant-Reflection Coating) (hereinafter referred to as “Top Ant-Reflection Coating”) on the photoresist film formed on the substrate W. A TARC cell including a TARC portion for applying and forming “TARC” on the substrate W and a heat treatment portion for heat treating the substrate W may be used. In this case, a unit capable of performing TARC and heat treatment on the substrate W can be realized.
[0205]
In addition, in the
[0206]
The arrangement of the processing units and substrate transfer means of a plurality of adjacent (for example, two in this embodiment) substrate processing apparatus units is symmetrical, that is, the
[0207]
The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.
[0208]
(1) In the present embodiment described above, the resist application and the development process in the photolithography process have been described as examples of the substrate processing, but are not limited to the above-described substrate processing. For example, a chemical solution process for performing a process including a cleaning process, an etching process, and a drying process by immersing the substrate in a processing liquid, an etching process other than the above-described immersion type (for example, dry etching or plasma etching), or the above-described immersion type Other than the above, a cleaning process (for example, sonic cleaning or chemical cleaning) that rotates the substrate to rotate, an etching process, a chemical mechanical polishing (CMP) process, a sputtering process, a chemical vapor deposition (CVD) process, The present invention can be applied to any substrate processing in which a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk are processed by a usual method, such as an ashing process.
[0209]
(2) In the present embodiment described above, both the
[0210]
(3) In the above-described embodiment, the
[0211]
(4) In the present embodiment described above, the
[0212]
(5) In the present embodiment described above, as shown in FIGS. 2, 3, and 17, the
[0213]
In addition, when the chemical treatment unit is not affected by the heat treatment unit, or even if the chemical treatment unit is not affected by the influence, the chemical treatment unit and the heat treatment unit do not necessarily have to be thermally partitioned. . Further, in the present embodiment described above, the respective heat treatment units and transfer mechanisms are configured in a hierarchical structure on the top and bottom, but the present invention can also be applied to a substrate processing apparatus consisting of only the first floor.
[0214]
(6) In the above-described embodiment, each arm base of the
[0215]
(7) In the present embodiment described above, the respective
[0216]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, according to the present invention, since the substrate transfer means is individually provided for each of the plurality of processing units, the burden on each substrate transfer means can be reduced, and the MTBF ( Average operation time between failures: expected value of operation time between adjacent failures) can be increased, and reliability can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is a block diagram when the first floor side of the substrate processing apparatus according to the embodiment is viewed in plan.
FIG. 3 is a block diagram when the second floor side of the substrate processing apparatus according to the present embodiment is viewed in plan view.
4A and 4B are diagrams illustrating a schematic configuration of an ID transport mechanism according to the present embodiment, in which FIG. 4A is a plan view of the ID transport mechanism, and FIG. 4B is a right side view thereof.
5A and 5B are diagrams showing a schematic configuration of a heat treatment part / SC / EE / SD transport mechanism according to the present embodiment, in which FIG. 5A is a plan view of the transport mechanism, and FIG. It is a right view.
6A and 6B are diagrams illustrating a positional relationship between a place where the transport mechanism according to the present embodiment is fixed and its surroundings, in which FIG. 6A is a plan view when the transport mechanism for the heat treatment unit is fixed, and FIG. It is a top view when the SC / SD transport mechanism on the indexer side is fixed.
7A and 7B are diagrams showing a positional relationship between a place where the transport mechanism according to the embodiment is fixed and its surroundings, and FIG. 7A is a plan view when the SC / SD transport mechanism on the interface side is fixed. FIG. 4B is a plan view when the EE transport mechanism is fixed.
8A and 8B are diagrams illustrating a schematic configuration of a PEB transport mechanism according to the present embodiment, in which FIG. 8A is a plan view of the PEB transport mechanism, FIG. 8B is a side view thereof, and FIG. It is.
FIG. 9 is a perspective view illustrating a schematic configuration of a heat treatment unit according to the present embodiment.
FIG. 10 is a side view showing a state when the heat treatment part according to the present embodiment has moved to the retracted position.
FIG. 11 is a schematic perspective view showing a frame configuration of each cell as a unit for a substrate processing apparatus.
FIG. 12 is a schematic perspective view showing a state in which two cells as a unit for a substrate processing apparatus are assembled on the left and right and two on the upper and lower sides.
FIG. 13A is a schematic perspective view showing a state in which the utility mother pipe is attached to the cell, and FIG. 13B is a schematic perspective view showing a state in which the utility mother pipe is connected to the cell. .
FIG. 14 is a flowchart showing a series of substrate processing in a photolithography process in the substrate processing apparatus according to the embodiment.
FIG. 15 is a flowchart showing a series of substrate processing in a photolithography process in the substrate processing apparatus according to the embodiment.
FIG. 16 is a diagram illustrating a relationship between a position of a substrate and a transport mechanism that transports the substrate in each processing in a series of substrate processing.
FIG. 17 is a plan block diagram of a processing unit transport path and its peripheral portion according to the present embodiment.
FIG. 18 is a block diagram showing a configuration of a conventional substrate processing apparatus.
[Explanation of symbols]
12, 13, 15a, 15B ... cell (unit for substrate processing apparatus)
16A-16G ... Heat treatment part (treatment part)
17, 19, 23... Heat treatment part transport mechanism (substrate transport means)
17d, 19d, 23d ... arm (substrate holding part)
18, 20 ... SC transport mechanism (substrate transport means)
18d, 20d ... Arm (substrate holding part)
24 ... SD transport mechanism (substrate transport means)
24d ... Arm (substrate holding part)
25, 26 ... Processing section transport path
BK ... Mother pipe
SC ... Spin coater (processing section)
SD: Spin developer (processing unit)
W ... Substrate
Claims (8)
当該基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理装置用ユニットを備え、
前記基板処理装置用ユニットは、
基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、
前記各処理部との間で基板の受渡しを行うための複数個の基板搬送手段と、
前記複数個の処理部と前記複数個の基板搬送手段とが内部に収納される外枠とを備え、
前記外枠は、その上側および下側を、他の基板処理装置用ユニットの外枠が連結可能に共通化した構成としており、
前記基板処理装置用ユニットが上下方向に複数段に構成され、
処理すべき基板を収納した基板収納手段から基板を投入し、且つ、一連の処理を施した基板を前記基板収納手段に戻すように払い出す単一のインデクサと、
当該基板処理装置とそれとは別体の外部処理装置とを連結するものであって、当該外部処理装置に対して基板を搬入出する単一のインターフェイスとを備え、
前記複数段の基板処理装置用ユニットを、前記インデクサと前記インターフェイスとの間に設け、
前記単一のインデクサは、当該インデクサに隣接する前記複数段の基板処理装置用ユニットそれぞれに対して基板を搬入出するものであり、
前記単一のインターフェイスは、当該インターフェイスに隣接する前記複数段の基板処理装置用ユニットそれぞれに対して基板を搬入出するものであり、基板の受け渡しを行うための載置部と基板を仮置きするための複数のバッファとを前記複数段の基板処理装置用ユニットごとに備えている
ことを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus for performing a series of processing on a substrate,
Comprising a substrate processing apparatus for unit is a unit unit for constituting the substrate processing apparatus,
The substrate processing unit is
A plurality of processing units for performing predetermined processing on the substrate;
A plurality of substrate transfer means for delivering a substrate to and from each of the processing units;
An outer frame in which the plurality of processing units and the plurality of substrate transfer means are housed;
The outer frame has a configuration in which the upper side and the lower side are shared so that the outer frame of another substrate processing apparatus unit can be connected ,
The substrate processing apparatus unit is configured in a plurality of stages in the vertical direction,
A single indexer that throws in a substrate from the substrate storage means that stores the substrate to be processed and returns the substrate subjected to a series of processing back to the substrate storage means;
The substrate processing apparatus is connected to an external processing apparatus separate from the substrate processing apparatus, and includes a single interface for carrying the substrate in and out of the external processing apparatus,
The multi-stage substrate processing apparatus unit is provided between the indexer and the interface,
The single indexer is for loading and unloading a substrate with respect to each of the multiple-stage substrate processing apparatus units adjacent to the indexer,
The single interface carries a substrate in and out of each of the plurality of stages of substrate processing apparatus adjacent to the interface, and temporarily places a placement unit and a substrate for transferring the substrate. A plurality of buffers for each of the plurality of units for the substrate processing apparatus.
A substrate processing apparatus.
前記複数個の処理部は、基板に塗布液を塗布する塗布部と、基板を熱処理するための熱処理部とを含むことを特徴とする基板処理装置。 Oite the substrate processing equipment according to claim 1,
The plurality of processing units, a substrate processing equipment which comprises a coating unit for coating a coating liquid on a substrate, and a heat treatment unit for heat-treating the substrate.
前記複数個の処理部は、塗布液が塗布された基板を現像する現像部と、基板を熱処理するための熱処理部とを含むことを特徴とする基板処理装置。 Oite the substrate processing equipment according to claim 1,
The plurality of processing units, a substrate processing equipment which comprises a developing unit for developing the substrate on which the coating liquid has been applied, a heat treatment section for thermally processing a substrate.
前記複数個の基板搬送手段は、塗布液や現像液などの処理液で処理された基板を扱う処理液用の基板搬送手段と、熱処理された基板を扱う熱処理用の基板搬送手段とに区別されていることを特徴とする基板処理装置。 Oite the substrate processing equipment as claimed in any one of claims 3,
The plurality of substrate transfer means are classified into a substrate transfer means for processing liquid that handles a substrate processed with a processing solution such as a coating solution and a developer, and a substrate transfer means for heat treatment that handles a heat-treated substrate. the substrate processing equipment, characterized by that.
前記基板搬送手段は、固定した昇降軸周りに回転可能で、前記昇降軸に沿って昇降移動可能で、かつ回転半径方向に進退移動可能に構成された、基板を保持する基板保持部を備えていることを特徴とする基板処理装置。 Oite the substrate processing equipment as claimed in any of claims 4,
The substrate transport means includes a substrate holding portion that holds the substrate, which is configured to be rotatable around a fixed lifting shaft, to be moved up and down along the lifting shaft, and to be movable back and forth in the rotational radius direction. the substrate processing equipment, characterized in that there.
前記基板処理装置用ユニットは、基板上に形成される処理膜の下部に反射防止膜を形成するBARC部および基板に対して熱処理を行う熱処理部を備えたもの、または、基板上に形成された処理膜の上部に反射防止膜を形成するTARC部および前記熱処理部を備えたもの、または、基板に処理液を塗布する塗布部および前記熱処理部を備えたもの、または、処理液が塗布された基板を現像する現像部および前記熱処理部を備えたものであることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus unit includes a BARC unit for forming an antireflection film below a processing film formed on the substrate and a heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate, or formed on the substrate. A TARC part for forming an antireflection film on the upper part of the treatment film and the heat treatment part, or a treatment part for applying a treatment liquid to the substrate and a heat treatment part, or a treatment liquid was applied. A substrate processing apparatus comprising: a developing unit that develops a substrate; and the heat treatment unit.
水平面内で隣接する複数個の前記基板処理装置用ユニットの境界部に、基板を受け渡すための基板受け渡し部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus, wherein a substrate transfer section for transferring a substrate is provided at a boundary portion between a plurality of units for a substrate processing apparatus adjacent in a horizontal plane.
隣接する複数個の前記基板処理装置用ユニットの前記処理部および前記基板搬送手段の Of the plurality of adjacent units for the substrate processing apparatus and the substrate transfer means 配置が左右対称であることを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus characterized in that the arrangement is symmetrical.
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