JP2004015019A - Substrate handling device - Google Patents

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JP2004015019A
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Inventor
Kenji Sugimoto
杉本　憲司
Sanenobu Matsunaga
松永　実信
Masakazu Sanada
真田　雅和
Katsuji Yoshioka
吉岡　勝司
Kaoru Aoki
青木　薫
Moritaka Yano
矢野　守隆
Satoshi Yamamoto
山本　聡
Takeshi Mihashi
三橋　毅
Takashi Nagao
長尾　隆
Mitsumasa Kodama
児玉　光正
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate handling device in which a footprint is reduced and a means for carrying a substrate can be maintained conveniently. <P>SOLUTION: Heat treatment sections 16A and 16F, 16B and 16G, 16C and 16H, 16D and 16F and 16E and 16G are disposed vertically in a hierarchic structure such that a substrate can be delivered to/from each carrying mechanism. The stacked heat treatment sections 16A-16F are mounted on each rail 27 extended from a steady-state position C facing each carrying mechanism to a retreat position D. Each carrying mechanism can be maintained conveniently by moving each of heat treatment sections 16A-16F from the steady-state position C to the retreat position D and ensuring a common maintenance zone for maintaining each carrying mechanism. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）に対して処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成して、塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。
これを図１７の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗ、または後述する処理部１０４での処理が完了した処理済の基板Ｗが収納されるカセットＣが複数個載置されるカセット載置台１０２と、この各カセットＣの前を水平移動し、各カセットＣ・処理部１０４間で基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構１０８ａとを備えたインデクサ１０３と、複数の処理部１０４と、複数の処理部１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板搬送経路１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７間で基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０６とから構成されている。
【０００３】
インデクサ１０３は、カセット載置台１０２に置かれたカセットＣから未処理の基板を順に取り出して処理部１０４に払い出す一方、処理済の基板を処理部１０４から受け取って、所定のカセットＣに処理済基板を順に収納するように構成されている。
【０００４】
インターフェイス１０６は、処理部１０４と外部処理装置１０７とを連結する。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置の場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光処理を行う露光装置となる。
【０００５】
また、基板搬送経路１０５上を搬送する搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ１０３と基板搬送経路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板搬送経路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置台１０９ｂがそれぞれ配設されている。
【０００６】
上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカセットＣをカセット載置台１０２に載置して、このカセットＣから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出して、搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台１０９ａまで搬送する。搬送機構１０８ｂは、載置台１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４から基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部１０４に基板Ｗを搬入する。
【０００７】
露光前の一連の処理が終了すると、搬送機構１０８ｂは、搬送機構１０８ｃに基板Ｗを渡すために、載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂに載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０９から基板Ｗを搬出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、搬送機構１０８ｂによって各処理部１０４に基板Ｗが搬送され、露光後の一連の基板処理（例えば、加熱処理、冷却処理、現像処理）が行われ、カセット載置台１０２に置かれた所定のカセットＣに処理済基板を順に収納して、一連の基板処理が終了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の基板処理装置では、装置の複雑化に伴って上述した搬送機構のような基板搬送手段が保守し難くなる問題がある。
【０００９】
つまり、従来の基板処理装置では、図１７に示すように搬送機構１０８ｂが各処理部１０４に沿うように基板搬送経路１０５上に配設されているので、各処理部１０４が邪魔になって保守し難くなる。たしかに、図１８（ａ），あるいは図１８（ｂ）に示すように、基板搬送経路１０５を装置の側面に沿わせて配設することで、搬送機構１０８ｂを保守することも考えられる。その一方で、基板処理を効率良く、かつ大量の基板について処理を行うためには装置が複雑化してしまう。従って、図１８に示すような基板処理装置を実現しようとすると基板搬送経路が長大化してしまい、装置を設置する床面積（フットプリント）を軽減することができない。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、フットプリントを軽減して、かつ基板を搬送する基板搬送手段を簡易に保守することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、前記処理部間で基板を搬送する複数の基板搬送手段を備え、少なくとも２つの前記基板搬送手段が同じ処理部に対して基板の受け渡しを行うことで、それらの基板搬送手段がその処理部を共用するように構成するとともに、前記共用される処理部を定常位置から退避位置にまで移動可能に構成することで、前記処理部の定常位置に設定された領域を、前記複数の基板搬送手段を保守するための共通の保守領域としたことを特徴とするものである。
【００１２】
〔作用・効果〕請求項１に記載の発明によれば、少なくとも２つの基板搬送手段が同じ処理部に対して基板の受け渡しを行うことで、それらの基板搬送手段がその処理部を共用するように構成する。そして、共用される処理部を定常位置から退避位置にまで移動可能に構成することで、その処理部の定常位置に設定された領域を、それらの基板搬送手段を保守するための共通の保守領域とする。このように構成することで、共用される処理部を定常位置から退避位置にまで移動するだけで、上述した共通の保守領域を確保することができ、その結果、共用する各基板搬送機構をそれぞれ簡易に保守することができる。また、それらの基板搬送手段が処理部を共用するように構成しているので、基板を搬送する経路である基板搬送経路などの長大化などを行わずに、装置を設置する床面積（フットプリント）を軽減することもできる。
【００１３】
また、請求項２に記載の発明は、基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、前記処理部間で基板を搬送する複数の基板搬送手段を上下に階層構造で配設し、前記複数の基板搬送手段からの基板の受け渡しをそれぞれ行えるように、前記複数の処理部を上下に階層構造で配設するとともに、階層構造で配設された前記処理部を定常位置から退避位置にまで移動可能に構成することで、前記複数の処理部の定常位置に設定された領域を、前記複数の基板搬送手段を保守するための共通の保守領域としたことを特徴とするものである。
【００１４】
〔作用・効果〕請求項２に記載の発明によれば、複数の基板搬送手段を上下に階層構造で配設し、それらの基板搬送手段からの基板の受け渡しをそれぞれ行えるように、複数の処理部を上下に階層構造で配設する。そして、それらの処理部を定常位置から退避位置にまで移動可能に構成することで、それらの処理部の定常位置に設定された領域を、それらの基板搬送手段を保守するための共通の保守領域とする。このように構成することで、階層構造の処理部を定常位置から退避位置にまで移動するだけで、上述した共通の保守領域を確保することができ、その結果、上下に階層構造で配設された各基板搬送機構をそれぞれ簡易に保守することができる。また、それらの基板搬送手段からの基板の受け渡しをそれぞれ行えるように、上下に階層構造で処理部を配設しているので、基板を搬送する経路である基板搬送経路などの長大化などを行わずに、フットプリントを軽減することもできる。
【００１５】
このような請求項１または請求項２に記載の発明に係る基板処理装置の場合において、下記のように構成するのが好ましい。すなわち、移動可能に構成される処理部は、基板に対して熱処理を行う熱処理部であるのが好ましい（請求項３に記載の発明）。この場合、処理部は熱処理部で構成されているので、基板を処理するための処理液などの液体が収納されていない熱処理部において、熱処理部を退避位置にまで容易に移動させることができる。もちろん、液体が収納されているような処理部についても本発明を適用することができるし、液体窒素等の冷媒によって基板に対して熱処理を行う熱処理についても本発明を適用することができる。
【００１６】
また、移動可能に構成される処理部を移動させる手法については、例えば移動可能に構成される処理部の定常位置から退避位置まで延在する軌道を配設し、処理部を軌道上に移動可能に搭載することで、処理部を退避位置にまで移動可能にする手法（請求項４に記載の発明）や、処理部を水平面内で定常位置から退避位置まで移動可能に構成することで、処理部を退避位置にまで移動可能にする手法（請求項５に記載の発明）や、処理部を定常位置から退避位置まで傾倒可能に構成することで、処理部を退避位置にまで移動可能にする手法（請求項６に記載の発明）などが挙げられる。いずれの手法においても、処理部を退避位置にまで移動することで、基板搬送手段を簡易に保守することができる。
【００１７】
本発明は、次のような課題解決手段も開示している。
【００１８】
（１）基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、前記処理部間で基板を搬送する複数の基板搬送手段を備え、少なくとも２つの前記基板搬送手段が同じ処理部に対して基板の受け渡しを行うことで、それらの基板搬送手段がその処理部を共用するように構成するとともに、前記複数の基板搬送手段からの受け渡し方向以外の方向に退避させるように、前記共用される処理部を構成することで、前記処理部の受渡位置に設定された領域を、前記各基板搬送手段を保守するための共通の保守領域としたことを特徴とする基板処理装置。
【００１９】
前記（１）の発明によれば、複数の基板搬送手段からの受け渡し方向以外の方向に退避させるように、共用される処理部を構成することで、その処理部の受渡位置に設定された領域を、それらの基板搬送手段を保守するための共通の保守領域とする。このように構成することで、共用される処理部を受け渡し方向以外の方向に退避させるだけで、上述した共通の保守領域を確保することができ、その結果、共用する各基板搬送機構をそれぞれ簡易に保守することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図であり、図２は、基板処理装置の１階を平面視したときのブロック図であり、図３は、基板処理装置の２階を平面視したときのブロック図である。なお、紙面の都合上、図１では基板を多段に収納したカセットを載置するカセット載置台の図示を省略する。また、図２，図３については、後述する上下に階層構造で配設された熱処理部やインターフェイス用載置台などについては展開平面図で表す。なお、説明の都合上、図２，図３の各図に記載した後述するインデクサやインターフェイスは、本実施例装置にそれぞれが１つ備えられたものであり、各階に設けられたものでないことに留意されたい。また、本実施例では、フォトリソグラフィ工程において基板を回転させながらレジスト塗布を行うスピンコータ、およびレジスト塗布されて、さらに露光処理が行われた基板を回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパを例に採って、基板処理を説明する。
【００２１】
本実施例に係る基板処理装置は、図１〜図３に示すように、インデクサ１とプロセスユニット３とインターフェイス４とから構成されている。本実施例の場合には、インターフェイス４は、レジスト塗布および現像処理などを行うプロセスユニット３と、基板の露光処理を行う外部処理装置としての露光装置（例えば、ステップ露光を行うステッパなど）とを連結する。
【００２２】
次に、インデクサ１の具体的構成について説明する。インデクサ１は、図１〜図３に示すように、カセット載置台２とインデクサ用搬送経路７とインデクサ用搬送機構８とから構成されている。カセット載置台２は、複数枚（例えば２５枚）の未処理の基板Ｗまたは処理済の基板Ｗを収納したカセットＣが複数個（図２，図３では４個）載置可能に構成されている。また、搬送経路７は、複数個のカセットＣが載置されるカセット載置台２に沿って水平方向に形成されている。搬送機構８は、昇降移動および搬送経路７上を水平移動することで、カセット載置台２上のカセットＣとプロセスユニット３との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができるように構成されている。さらに具体的に説明すると、搬送機構８は、カセット載置台２に載置されたカセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出してプロセスユニット３に払い出す一方、処理済の基板Ｗをプロセスユニット３から受け取って、カセット載置台６に置かれた所定のカセットＣに処理済の基板Ｗを順に収納する。
【００２３】
次に、インデクサ用搬送機構８の具体的構成について、図４を参照して説明する。搬送機構８は、図４（ａ）の平面図、および図４（ｂ）の右側面図に示すように、インデクサ用搬送経路７の方向（ｙ方向）である矢印ＲＡの方向にアーム基台８ａを水平移動させるｙ軸移動機構８ｂと、矢印ＲＢの方向（ｚ方向）にアーム基台８ａを昇降移動させるｚ軸昇降機構８ｃと、ｚ軸周り（矢印ＲＣの方向）にアーム基台８ａを回転させる回転駆動機構８ｄとを備えている。このアーム基台８ａには基板Ｗを保持するアーム８ｅが備えられており、このアーム８ｅは、回転半径方向（矢印ＲＤの方向）に進退移動可能に構成されている。
【００２４】
ｙ軸移動機構８ｂは、図４（ａ）に示すように、螺軸８ｆと、この螺軸８ｆを軸心周りに回転させるモータ８ｇとを備えており、この螺軸８ｆには上述したｚ軸昇降機構８ｃの基部が螺合されている。モータ８ｇの回転によって、螺軸８ｆに取り付けられたｚ軸昇降機構８ｃが水平方向に移動する。
【００２５】
ｚ軸昇降機構８ｃは、図４（ｂ）に示すように、ｙ軸移動機構８ｂと同じく、螺軸８ｈと、この螺軸８ｈを軸心周りに回転させるモータ８ｉとを備えており、この螺軸８ｈには上述した回転駆動機構８ｄの基部が螺合されている。モータ８ｉの回転によって、螺軸８ｈに取り付けられた回転駆動機構８ｄが昇降移動する。
【００２６】
回転駆動機構８ｄは、図４（ｂ）に示すように、上述したアーム基台８ａと、このアーム基台８ａを軸心周りに回転させるモータ８ｊと、アーム基台８ａとモータ８ｊとを支持する支持部材８ｋとを備えている。モータ８ｊの回転によって、アーム基台８ａがアーム８ｅとともに水平面内で回転する。
【００２７】
このように構成されることで、アーム基台８ａのアーム８ｅに保持された基板Ｗは、カセット載置台２に沿った水平移動，昇降移動，水平面内の回転移動，水平面内の進退移動がそれぞれ可能となる。
【００２８】
図１〜図３に戻って、プロセスユニット３の具体的構成について説明する。プロセスユニット３は、図２，図３に示すように、インデクサ１側から順に配置された第１の処理ユニット９，第２の処理ユニット１０，第３の処理ユニット１１から構成されている。
【００２９】
また、上述した第１〜第３の処理ユニット９〜１１は、１階から２階にわたって貫くようにそれぞれ配置されている。第１の処理ユニット９の１階には、図２に示すように、基板Ｗ上に形成されたフォトレジスト膜からの光の反射を防止するために下地用の反射防止膜（Ｂｏｔｔｏｍ　Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　Ｃｏａｔｉｎｇ）を基板Ｗに塗布形成するスピンコータ（Ｓｐｉｎ　Ｃｏａｔｅｒ）（図２中に符号『ＳＣ』で示す）や熱処理部などを含む反射防止膜形成用セル１２が配設されている。第２の処理ユニット１０の１階には、基板Ｗを回転させながらフォトレジスト膜を基板Ｗに塗布形成するスピンコータや熱処理部などを含むレジスト膜形成用セル１３が配設されている。第３の処理ユニット１１の１階には露光処理後の基板Ｗを加熱する（Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｂａｋｅ）（図３中に符号『ＰＥＢ』で示す）ための露光後加熱用セル１４が配設されている。
【００３０】
一方、第１の処理ユニット９の２階には、図３に示すように、露光処理後の基板Ｗを回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパ（Ｓｐｉｎ　Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）（図３中に符号『ＳＤ』で示す）や熱処理部などを含む現像用セル１５Ａが配設されている。第２の処理ユニット１０の２階には、第１の処理ユニット９と同様の現像用セル１５Ｂが配設されている。第３の処理ユニット１１の２階には、同ユニット１１の１階と同様の露光後加熱用セル１４が配設されている。
【００３１】
以上のように、反射防止膜形成用セル１２とインデクサ１側にある現像用セル１５Ａとで第１の処理ユニット９を、レジスト膜形成用セル１３とインターフェイス４側にある現像用セル１５Ｂとで第２の処理ユニット１０を、１階および２階に設けられた２つの露光後加熱用セル１４で第３の処理ユニット１１を、それぞれ構成している。
【００３２】
次に、反射防止膜形成用セル１２の具体的構成について説明する。反射防止膜形成用セル１２は、図２に示すように、３つの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃと、これらの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構１７と、反射防止膜を基板Ｗにそれぞれ塗布する２つのスピンコータＳＣと、熱処理部１６Ａおよび２つのスピンコータＳＣ間で基板Ｗの受け渡しを行う反射防止膜形成処理用搬送機構１８とから構成されている。
【００３３】
３つの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃは、図２に示すように、熱処理部用搬送機構１７に対向するように、その周囲の３箇所に配設されており、各々の熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃは上下に階層構造でそれぞれ配設されている。
【００３４】
インデクサ１に隣接して配設されている熱処理部１６Ａは、加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つための２つの冷却部（図２，図３中に符号『ＣＰ』で示す），基板Ｗとフォトレジスト膜との密着性を向上させるための処理を行う４つのアドヒージョン（Ａｄｈｅｓｉｏｎ）処理部（図２，図３中に符号『ＡＨＬ』で示す），熱処理を行わずに基板Ｗを載置して基板Ｗを受け渡すための基板載置部（図２，図３中に符号『Ｐａｓｓ』で示す）を下から順に積層することで構成されている。なお、アドヒージョン処理では、ＨＭＤＳ〔（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３〕を蒸気状にしてレジスト塗布前の基板Ｗを処理する。
【００３５】
この熱処理部１６Ａは、基板載置部Ｐａｓｓ、アドヒージョン処理部ＡＨＬ、冷却部ＣＰを使って、インデクサ１にあるインデクサ用搬送機構８と、熱処理部用搬送機構１７と、反射防止膜形成処理用搬送機構１８との間で基板Ｗを受け渡す機能をも備えている。すなわち、インデクサ用搬送機構８と熱処理部用搬送機構１７とは、基板載置部Ｐａｓｓを介して受け渡しを行う構成となっており、基板載置部Ｐａｓｓには、インデクサ用搬送機構８と熱処理部用搬送機構１７とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図９参照）。また、熱処理部用搬送機構１７と反射防止膜形成処理用搬送機構１８とは、冷却部ＣＰを介して受け渡しを行う構成となっており、冷却部ＣＰには、熱処理部用搬送機構１７と反射防止膜形成処理用搬送機構１８とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図９参照）。なお、アドヒージョン処理部ＡＨＬは、熱処理部用搬送機構１７としか基板Ｗの受け渡しを行わないので、熱処理部用搬送機構１７が進入することができるように熱処理部用搬送機構１７に対峙した面にのみ開口部１６ａが形成されている（図９参照）。
【００３６】
熱処理部１６Ｂには、熱処理部用搬送機構１７に面して開口部１６ａ（図１，図９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構１７は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｂに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｂから基板Ｗを搬出する。また、基板Ｗを加熱するための７つの加熱部（図２，図３中に符号『ＨＰ』で示す）を下から順に積層することで、熱処理部１６Ｂは構成されている。
【００３７】
熱処理部１６Ｃは、反射防止膜形成用セル１２とレジスト膜形成用セル１３とにまたがって配設されている。このように配設されることで、反射防止膜形成用セル１２以外にレジスト膜形成用セル１３も、この熱処理部１６Ｃを共用している。この熱処理部１６Ｃは、熱処理部１６Ａと同様の３つの冷却部ＣＰ，熱処理部１６Ｂと同様の３つの加熱部ＨＰ，熱処理部１６Ａと同様の基板載置部Ｐａｓｓを下から順に積層することで構成されている。
【００３８】
このうち、本実施形態の構成においては、３つのＣＰは、必要に応じて反射防止膜形成用セル１２用として用いられ、３つの加熱部ＨＰは、レジスト膜形成用セル１３用として用いられる。この熱処理部１６Ｃの基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構１７と後述するレジスト膜形成用セル１３内に配置された熱処理部用搬送機構１９との間で基板Ｗの受け渡しが可能なように、それぞれ熱処理部用搬送機構１７および熱処理部用搬送機構１９に対峙した面にのみ開口部１６ａが形成されている（図９参照）。熱処理部１６Ｃを構成する３つの冷却部ＣＰには、熱処理部用搬送機構１７のみ基板Ｗの受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構１７に対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。同様に、熱処理部１６Ｃを構成する３つの加熱部ＨＰには、熱処理部用搬送機構１９のみ基板Ｗの受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構１９に対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。
【００３９】
反射防止膜形成用セル１２内のスピンコータＳＣは、上述したように基板Ｗを回転させながら反射防止膜形成処理を行うように構成されている。詳述すると、基板Ｗを保持して水平面内に回転させるスピンチャック，反射防止液を吐出するノズルなどから構成されている。このスピンチャックに保持されて回転している基板Ｗの中心に向けてノズルから反射防止液を吐出することで、基板Ｗの遠心力により反射防止膜が基板Ｗの中心から全面にわたって塗布形成される。
【００４０】
熱処理部用搬送機構１７と反射防止膜形成処理用搬送機構１８と、後述する熱処理部用搬送機構１９とレジスト膜形成処理用搬送機構２０とエッジ露光用搬送機構２１と熱処理部用搬送機構２３と現像用搬送機構２４とは同じ構成からなる。これらの搬送機構の具体的構成については後で説明する。
【００４１】
次に、レジスト膜形成用セル１３の具体的構成について説明する。レジスト膜形成用セル１３は、図２に示すように、反射防止膜形成用セル１２と同じく、３つの熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅと、これらの熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構１９と、フォトレジスト液を基板Ｗにそれぞれ塗布する２つのスピンコータＳＣと、熱処理部１６Ｄおよび２つのスピンコータＳＣ間で基板Ｗの受け渡しを行うレジスト膜形成処理用搬送機構２０とから構成されている。
【００４２】
反射防止膜形成用セル１２と同じく、３つの熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅは、図２に示すように、熱処理部用搬送機構１９に対向するように、その周囲の３箇所に配設されており、各々の熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅは上下に階層構造でそれぞれ配設されている。
【００４３】
第３の処理ユニット１１に隣接して配設されている熱処理部１６Ｄは、６つの冷却部ＣＰ，基板載置部Ｐａｓｓを下から順に積層することで構成されている。
【００４４】
この熱処理部１６Ｄは、基板載置部Ｐａｓｓを通じて、熱処理部用搬送機構１９と後述する露光後加熱用セル１４内に配置されたエッジ露光用搬送機構２１との間で基板Ｗの受け渡しを行う機能をも備えている。すなわち、熱処理部用搬送機構１９とエッジ露光用搬送機構２１とは、基板載置部Ｐａｓｓを介して受け渡しを行う構成となっており、基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構１９とエッジ露光用搬送機構２１とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図９参照）。また、６つの冷却部ＣＰには、それぞれ熱処理部用搬送機構１９とレジスト膜形成処理用搬送機構２０とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図１，図９参照）。
【００４５】
熱処理部１６Ｅには、熱処理部用搬送機構１７に面して開口部１６ａ（図１，図９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構１９は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｅに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｅから基板Ｗを搬出する。反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部１６Ｂとほぼ同じような構成で、４つの冷却部ＣＰ，３つの加熱部ＨＰを下から順に積層することで、熱処理部１６Ｅは構成されている。
【００４６】
上述したように熱処理部１６Ｃは、反射防止膜形成用セル１２とレジスト膜形成用セル１３とにまたがって配設されており、レジスト膜形成用セル１３以外に反射防止膜形成用セル１２も、この熱処理部１６Ｃを共用している。つまり、熱処理部１６Ｃは反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部１６Ｃでもある。熱処理部１６Ｃの構成については説明を省略する。
【００４７】
レジスト膜形成用セル１３内のスピンコータＳＣは、フォトレジスト液を吐出してフォトレジスト膜を塗布形成する以外には、反射防止膜形成用セル１２内のスピンコータＳＣと同様の構成をしているので、レジスト膜形成用セル１３内のスピンコータＳＣの説明を省略する。
【００４８】
次に、１階部分の露光後加熱用セル１４の具体的構成について説明する。露光後加熱用セル１４の１階部分は、図２に示すように、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するエッジ露光処理（Ｅｄｇｅ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｕｎｉｔ）をそれぞれ行うための２つのエッジ露光部（図２中に符号『ＥＥ』で示す）と、熱処理部１６Ｄ，２つのエッジ露光部ＥＥ，およびインターフェイス４内の後述するインターフェイス用載置台３０間で基板Ｗの受け渡しを行うエッジ露光用搬送機構２１とから構成されている。
【００４９】
２つのエッジ露光部ＥＥは、図２に示すような位置で、それぞれが互いに上下に積層された状態で配設されている。他の熱処理部１６と同様に、各エッジ露光部ＥＥには、エッジ露光用搬送機構２１に面して開口部１６ａ（図１，図９参照）がそれぞれ設けられている。そして、エッジ露光用搬送機構２１は、この開口部１６ａを介して、エッジ露光部ＥＥに基板Ｗを搬入して、エッジ露光部ＥＥから基板Ｗを搬出する。
【００５０】
次に、２階部分の露光後加熱用セル１４の具体的構成について説明する。露光後加熱用セル１４の２階部分は、図３に示すように、露光処理後の基板Ｗをそれぞれ加熱する８つの露光後加熱部（図３中に符号『ＰＥＢ』で示す）と、４つの冷却部ＣＰと、これらの露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰ，インターフェイス４内の後述するインターフェイス用載置台３０，および現像用セル１５Ｂ内の後述する熱処理部１６Ｆ間で基板Ｗの受け渡しを行う露光後加熱用搬送機構２２とから構成されている。
【００５１】
８つの露光後加熱部ＰＥＢ，４つの冷却部ＣＰのうち、それぞれ半数（２つの冷却部ＣＰ，４つの露光後加熱部ＰＥＢ）が下から順に積層された状態で、図３に示すように、露光後加熱用搬送機構２２に対向するように、それぞれが配設されている。各露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰには、露光後加熱用搬送機構２２に面して開口部１６ａ（図１，図９参照）がそれぞれ設けられている。そして、露光後加熱用搬送機構２２は、この開口部１６ａを介して、各露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰに基板Ｗを搬入して、各露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰから基板Ｗを搬出する。露光後加熱用搬送機構２２の具体的構成についても後で説明する。
【００５２】
次に、現像用セル１５（１５Ａ，１５Ｂ）の具体的構成について説明する。現像用セル１５のうち、インターフェイス４側にある現像用セル１５Ｂは、図３に示すように、３つの処理部１６Ｆ、１６Ｇ，１６Ｈと、これらの熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ，１６Ｈ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構２３と、露光処理後の基板Ｗを回転させながら現像処理をそれぞれ行う２つのスピンデベロッパＳＤと、熱処理部１６Ｆおよび２つのスピンデベロッパＳＤ間で基板Ｗの受け渡しを行う現像用搬送機構２４とから構成されている。
【００５３】
３つの熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ，１６Ｈは、図３に示すように、熱処理部用搬送機構２３に対向するように、その周囲の３箇所に配設されており、熱処理部１６Ｆ，１６Ｇは上下に階層構造でそれぞれ配設されている。
【００５４】
第３の処理ユニット１１に隣接、すなわちインターフェイス４側に配設されている熱処理部１６Ｆは、４つの冷却部ＣＰ，基板載置部Ｐａｓｓを下から順に積層することで構成されている。
【００５５】
この熱処理部１６Ｆは、基板載置部Ｐａｓｓを通じて、熱処理部用搬送機構２３と露光後加熱用搬送機構２２との間で基板Ｗを受け渡す機能をも備えている。すなわち、熱処理部用搬送機構２３と露光後加熱用搬送機構２２とは、基板載置部Ｐａｓｓを介して受け渡しを行う構成となっており、基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構２３と露光後加熱用搬送機構２２とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図１，図９参照）。また、４つのＣＰには、それぞれ熱処理部用搬送機構２３と現像用搬送機構２４とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図１，図９参照）。
【００５６】
熱処理部１６Ｇには、熱処理部用搬送機構２３に面して開口部１６ａ（図１，図９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構２３は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｇに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｇから基板Ｗを搬出する。また、２つの冷却部ＣＰ，３つの加熱部ＨＰを下から順に積層することで、熱処理部１６Ｇは構成されている。
【００５７】
熱処理部１６Ｈは、現像用セル１５Ａ，１５Ｂにまたがって配設されている。このように配設されることで、現像用セル１５Ｂ以外に現像用セル１５Ａも、この熱処理部１６Ｈを共用している。この熱処理部１６Ｈは、２つの冷却部ＣＰ，２つの加熱部ＨＰ，１つの基板載置部Ｐａｓｓを下から順に積層することで構成されている。
【００５８】
このうち、本実施形態の構成においては、下から２段目の冷却部ＣＰと下から４段目の加熱部ＨＰとは、現像用セル１５Ｂ用として用いられ、下から１段目の冷却部ＣＰと下から３段目の加熱部ＨＰとは、現像用セル１５Ａ用として用いられる。この熱処理部１６Ｈの基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構２３と後述する現像用セル１５Ａ内に配置される熱処理部用搬送機構２３との間で基板Ｗの受け渡しが可能なように、それぞれ熱処理部用搬送機構２３，熱処理部用搬送機構２３に対峙した面にのみ開口部１６ａが形成されている（図１，図９参照）。熱処理部１６Ｈを構成する現像用セル１５Ｂとして用いられる冷却部ＣＰと加熱部ＨＰには、現像用セル１５Ｂ内に配置された熱処理部用搬送機構２３のみ基板Ｗの受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構２３に対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。同様に、熱処理部１６Ｈを構成する現像用セル１５Ａ用として用いられる冷却部ＣＰと加熱部ＨＰには、現像用セル１５Ａ内に配置された熱処理部用搬送機構２３のみ基板Ｗの受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構２３に対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。
【００５９】
インデクサ１側にある現像用セル１５Ａは、それぞれの構成が現像用セル１５Ｂに対して左右逆（ｙｚ平面に対して左右対称）に配設されている以外には、インターフェイス４側にある現像用セル１５Ｂと同様の構成をしているので、現像用セル１５Ａの説明を省略する。なお、現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆは、冷却部ＣＰにおいて、熱処理部用搬送機構２３と現像用搬送機構２４との間で基板Ｗを受け渡す機能を有するとともに、基板載置部Ｐａｓｓにおいて熱処理部用搬送機構２３とインデクサ用搬送機構８との間で基板Ｗを受け渡す機能をも果たす。すなわち、熱処理部１６Ｆの冷却部ＣＰは、熱処理部用搬送機構２３と現像用搬送機構２４とに対峙する面にのみ開口部１６ａが形成され、基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構２３とインデクサ用搬送機構８とに対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。また、２つの現像用セル１５（現像用セル１５Ａ，１５Ｂ）を設けた理由は、一方の現像用セル１５内にある２つのスピンデベロッパＳＤで基板Ｗがともに処理されているときに、露光後加熱処理後の別の基板Ｗを他方の現像用セル１５内にあるスピンデベロッパＳＤで処理するためである。
【００６０】
このように、プロセスユニット３は、反射防止膜形成用セル１２と現像用セル１５Ａとからなる第１の処理ユニット９、レジスト膜形成用セル１３と現像用セル１５Ｂとからなる第２の処理ユニット１０、２階部分の露光後加熱用セル１４と１階部分の露光後加熱用セル１４とからなる第３の処理ユニット１１から構成されている。
【００６１】
そして、１階部分に関しては、熱処理部用搬送機構１７と熱処理部用搬送機構１９とが、熱処理部１６（１６Ａ〜１６Ｇ）のうち、熱処理部１６Ｃに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１７，１９がその熱処理部１６Ｃを共用し、熱処理部用搬送機構１７と反射防止膜形成処理用搬送機構１８とが、熱処理部１６Ａに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１７，１８がその熱処理部１６Ａを共用し、熱処理部用搬送機構１９とレジスト膜形成処理用搬送機構２０とエッジ露光用搬送機構２１とが、熱処理部１６Ｄに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１９，２０，２１がその熱処理部１６Ｄを共用する。つまり、これらの熱処理部１６Ａ，１６Ｃ，１６Ｄを介在させて、これらの搬送機構１７〜２１を並べて配設することで、各熱処理部１６・スピンコータＳＣ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２５を構成している。また、処理部搬送経路２５は、図２中の矢印の方向で基板Ｗが受け渡されて搬送される。
【００６２】
２階部分に関しては、現像用セル１５Ａ、および現像用セル１５Ｂの各々の熱処理部用搬送機構２３が、熱処理部１６（１６Ａ〜１６Ｇ）のうち、熱処理部１６Ｈに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２３がその熱処理部１６Ｈを共用し、露光後加熱用搬送機構２２と現像用セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３と現像用セル１５Ｂ内の現像用搬送機構２４とが、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２２〜２４がその熱処理部１６Ｆを共用し、現像用セル１５Ａ内の熱処理部用搬送機構２３と現像用セル１５Ａ内の現像用搬送機構２４とが、現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２３，２４がその熱処理部１６Ｆを共用する。つまり、これらの熱処理部１６Ｆ，１６Ｈを介在させて、これらの搬送機構２２〜２４を並べて配設することで、各熱処理部１６・スピンデベロッパＳＤ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２６を構成している。また、処理部搬送経路２６は、図３中の矢印の方向で基板Ｗが受け渡されて搬送される。
【００６３】
つまり、処理部搬送経路２５，２６が、上下に２階の階層構造で配設されていることになる。また、１階の処理部搬送経路２５および２階の処理部搬送経路２６の一端側（図２，図３では左側）が、インデクサ１にそれぞれ連結されている。また、１階の処理部搬送経路２５および２階の処理部搬送経路２６の他端側（図２，図３では右側）が、インターフェイス４にそれぞれ連結されている。これらの処理部搬送経路２５，２６は、基板の搬送方向が互いに逆方向に設定されることにより、処理部搬送経路２５は、基板Ｗが順方向（本実施例では、インデクサ１から出て行く方向）に搬送される行き専用経路を構成し、処理部搬送経路２６は、基板Ｗが逆方向（本実施例では、インデクサ１に戻って行く方向）に搬送される帰り専用経路を構成している。
【００６４】
次に、搬送機構１７〜２１，２３，２４の具体的構成について、図５〜図７を参照して説明する。なお、上述したように、これらの搬送機構は同じ構成からなるので、熱処理部用搬送機構１７のみについて説明する。熱処理部用搬送機構１７は、図５（ａ）の平面図、および図５（ｂ）の右側面図に示すように、ｚ軸周り（矢印ＲＥの方向）にアーム基台１７ａを回転させる回転駆動機構１７ｂと、アーム基台１７ａを矢印ＲＦの方向（ｚ方向）に昇降移動させるｚ軸昇降機構１７ｃとを備えている。このアーム基台１７ａには基板Ｗを保持するアーム１７ｄが備えられており、このアーム１７ｄは、回転半径方向（矢印ＲＧの方向）に進退移動可能に構成されている。
【００６５】
インデクサ用搬送機構８の回転駆動機構８ｄと同様に、回転駆動機構１７ｂは、図５（ｂ）に示すように、アーム基台１７ａを回転させるモータ１７ｅと、アーム基台１７ａとモータ１７ｅとを支持する支持部材１７ｆとを備えている。
【００６６】
ｚ軸昇降機構１７ｃは、図５（ｂ）に示すように、螺軸１７ｇと、この螺軸１７ｇを回転させるモータ１７ｈとを備えており、この螺軸１７ｇには上述した回転駆動機構１７ｂの基部が螺合されている。モータ１７ｈの回転によって、螺軸１７ｇに取り付けられた回転駆動機構１７ｂが昇降移動する。また、このｚ軸昇降機構１７ｃは、装置基台上に立設固定されているので、インデクサ用搬送機構８のｚ軸昇降機構８ｃのように水平方向には移動しない。
【００６７】
このように構成されることで、アーム基台１７ａのアーム１７ｄに保持された基板Ｗは、水平面内での回転移動、昇降移動、および進退移動がそれぞれ可能となる。また、ｚ軸昇降機構１７ｃは、図６（ａ）に示すように、熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃの３方向以外であるスピンコータＳＣの方向に面して固定される。これにより基板Ｗは、熱処理部用搬送機構１７によって熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ間で受け渡される。
【００６８】
熱処理部用搬送機構１７と同様に、熱処理部用搬送機構１９，熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構１９ｃ，２３ｃについても、図６（ａ）に示すような方向、すなわち熱処理部用搬送機構１９の場合はスピンコータＳＣ、熱処理部用搬送機構２３の場合はスピンデベロッパＳＤの方向に面して固定される。
【００６９】
反射防止膜形成処理用搬送機構１８，インデクサ１側にある現像用セル１５Ａ内の現像用搬送機構２４のｚ軸昇降機構１８ｃ，２４ｃについては、図６（ｂ）に示すような方向、すなわちインデクサ１の方向に面して固定され、これにより基板Ｗは、これらの各搬送機構１８，２４によって，反射防止膜形成処理用搬送機構１８の場合はスピンコータＳＣと熱処理部１６Ａとの間で、現像用搬送機構２４の場合はスピンデベロッパＳＤと熱処理部１６Ｆとの間でそれぞれ受け渡される。
【００７０】
レジスト膜形成処理用搬送機構２０，インターフェイス４側にある現像用セル１５Ｂ内の現像用搬送機構２４のｚ軸昇降機構２０ｃ，２４ｃについては、図７（ａ）に示すような方向、すなわちインターフェイス４の方向に面して固定され、これにより基板Ｗは、これらの各搬送機構２０，２４によって，レジスト膜形成処理用搬送機構２０の場合はスピンコータＳＣと熱処理部１６Ｄとの間で、現像用搬送機構２４の場合はスピンデベロッパＳＤと熱処理部１６Ｆとの間でそれぞれ受け渡される。
【００７１】
エッジ露光用搬送機構２１のｚ軸昇降機構２１ｃについては、図７（ｂ）に示すように、熱処理部１６Ｄ、エッジ露光部ＥＥ、およびインターフェイス用載置台３０には面していない側に固定され、これにより基板Ｗは、エッジ露光用搬送機構２１によって，熱処理部１６Ｄとエッジ露光部ＥＥとインターフェイス４内の後述するインターフェイス用載置台３０との間で受け渡される。
【００７２】
これらの搬送機構１７〜２０，２３，２４は、本発明における基板搬送手段に相当する。
【００７３】
次に、露光後加熱用搬送機構２２の具体的構成について、図８を参照して説明する。露光後加熱用搬送機構２２は、図８（ａ）の平面図、図８（ｂ）の側面図、および図８（ｃ）の正面図に示すようにアーム基台２２ａを昇降駆動するｚ軸昇降機構２２ｂ、そのｚ軸昇降機構２２ｂをｚ軸周り（矢印ＲＩの方向）に回転駆動するモータ２２ｃを備えている。このアーム基台２２ａには基板Ｗを保持するアーム２２ｄが備えられており、このアーム２２ｄは、回転半径方向である矢印ＲＪ方向に進退移動可能に構成されている。
【００７４】
ｚ軸昇降機構２２ｂは、図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、螺軸２２ｆと、この螺軸２２ｆを軸心周りに回転させるモータ２２ｇとを備えており、この螺軸２２ｆにはアーム基台２２ａが螺合されている。モータ２２ｇの回転によって、螺軸２２ｆに螺合されたアーム基台２２ａが昇降移動する。
【００７５】
ｚ軸昇降機構２２ｂの底部には、上述したモータ２２ｃが取り付けられており、モータ２２ｃの回転によって、ｚ軸昇降機構２２ｂ自体が、アーム基台２２ａおよびアーム２２ｄとともに縦軸心周りに回転駆動される。
【００７６】
このように構成されることで、アーム基台２２ａのアーム２２ｄに保持された基板Ｗは、水平面内での回転移動、昇降移動、および進退移動が可能となる。これにより基板Ｗは、露光後加熱用搬送機構２２によって、露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰ，インターフェイス４内の後述するインターフェイス用載置台３０，および現像用セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆ間で受け渡される。
【００７７】
また、搬送機構１７〜２１，２３，２４の場合には、固定設置されたｚ軸昇降機構が取り付けられている方向には基板Ｗを受け渡すことができないが、露光後加熱用搬送機構２２の場合には、そのｚ軸昇降機構２２ｂ自体が回転可能となっているので、水平面内の全ての方向に基板Ｗを受け渡すことができる。
【００７８】
その反面、搬送機構１７〜２１，２３，２４の場合には、各処理部に面していない側（ｚ軸昇降機構が設置された側）から各搬送機構の保守が容易であるが、露光後加熱用搬送機構２２の場合には、その周囲に各処理部が配置される関係で、搬送機構の保守スペースの確保が容易でない。
【００７９】
次に、熱処理部１６（１６Ａ〜１６Ｇ）の具体的構成について、図９，図１０を参照して説明する。なお、図９では熱処理部１６の周辺にある搬送機構などについては、図示を省略する。図９に示すように、１階部分にある反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部１６Ａの上に、２階部分にある現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆが積層されている。同様に、セル１２内の熱処理部１６Ｂの上にセル１５Ａ内の熱処理部１６Ｇが積層されている。また、熱処理部１６Ｃの上に熱処理部１６Ｈが積層されている。さらに、レジスト膜形成用セル１３内の熱処理部１６Ｄの上に現像用セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆが積層され、同じく熱処理部１６Ｅの上に熱処理部１６Ｇが積層されている。
【００８０】
１階部分にある熱処理部１６（１６Ａ〜１６Ｄ）の底部にあたる装置基台上には、レール２７がそれぞれ敷かれており、各々のレール２７は、各搬送機構１７〜２０，２３，２４に面する定常位置Ｃから退避位置Ｄまで延在している。各々のレール２７に積層された各熱処理部１６が搭載されているので、実施例装置、特に各搬送機構１７〜２０，２３，２４をそれぞれ保守（メンテナンス）するときには、図１０に示すように、各々のレール２７上で各熱処理部１６を定常位置Ｃから退避位置Ｄまでそれぞれ移動することで、メンテナンスゾーンＥが確保される。メンテナンスゾーンＥは、本発明における保守領域に、レール２７は、本発明における軌道にそれぞれ相当する。
【００８１】
図１〜図３に戻って、インターフェイス４の具体的構成について説明する。インターフェイス４は、インターフェイス用搬送経路２８とインターフェイス用搬送機構２９とインターフェイス用載置台３０とを備えている。インターフェイス用搬送経路２８は、図２，図３に示すように、インデクサ用搬送経路７と平行に形成されている。インターフェイス用搬送機構２９は、インターフェイス用搬送経路２８上を移動することで、インターフェイス用載置台３０と、図２，図３中の二点鎖線で示した露光装置（ステッパ）ＳＴＰとの間で基板Ｗを搬送する。この露光装置ＳＴＰは、本実施例装置とは別体の装置である。
【００８２】
インターフェイス用搬送機構２９の具体的構成については、インデクサ用搬送機構８のｚ軸昇降機構８ｃの取り付け位置が相違する以外には、インデクサ用搬送機構８と同様の構成であるので、その説明を省略する。
【００８３】
インターフェイス用載置台３０は、図１に示すように、１階専用の基板載置部Ｐａｓｓと２階専用の基板載置部Ｐａｓｓとが積層構造で配設されている。１階専用の基板載置部Ｐａｓｓは、露光後加熱用セル１４の１階部分にあるエッジ露光用搬送機構２１とインターフェイス用搬送機構２９との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのものである。２階専用の基板載置部Ｐａｓｓは、露光後加熱用セル１４の２階部分にある露光後加熱用搬送機構２２とインターフェイス用搬送機構２９との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのものである。両基板載置部Ｐａｓｓの間および２階専用の基板載置部Ｐａｓｓの上側には、基板Ｗをそれぞれ仮置きするための複数のバッファ（図１中に符号『ＢＦ』で示す）がある。以上のように、１階専用の基板載置部ＰａｓｓとバッファＢＦ、および２階専用の基板載置部ＰａｓｓとバッファＢＦが積層構造で配設されている。
【００８４】
両基板載置部Ｐａｓｓは、露光後加熱用セル１４，およびインターフェイス用搬送機構２９の両方向に面してそれぞれ開口されており、これらの開口を介して、１階部分の露光後加熱用セル１４内のエッジ露光用搬送機構２１、および２階部分の露光後加熱用セル１４内の露光後加熱用搬送機構２２と、インターフェイス用搬送機構２９との間で基板Ｗの受け渡しがそれぞれ行われる。
【００８５】
また、１階専用のバッファＢＦおよび２階専用のバッファＢＦは、それぞれ少なくともインターフェイス用搬送機構２９側に面して開口されており、この開口を介してインターフェイス用搬送機構２９との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。
【００８６】
続いて、フォトリソグラフィ工程における一連の基板処理について、図１１，図１２のフローチャートおよび図１３を参照して説明する。なお、各処理において複数枚の基板Ｗが並行して処理されるが、１枚の基板Ｗのみに注目して説明する。また、図１３中の搬送機構において、ＩＤはインデクサを示し、ＳＣはスピンコータ（符号１８の場合は反射防止膜形成処理，符号２０の場合はレジスト膜形成処理）を示し、ＥＥはエッジ露光を示し、ＩＦはインターフェイスを示し、ＰＥＢは露光後加熱を示し、ＳＤは現像を示す。
【００８７】
（ステップＳ１）インデクサでの搬送
未処理の複数枚の基板Ｗを収納したカセットＣを、カセット載置台２に載置する。このカセットＣから１枚の基板Ｗを取り出すために、インデクサ用搬送機構８がカセットＣに対向する位置にまでインデクサ用搬送経路７上を水平移動する。アーム基台８ａが水平面内で回転してカセットＣに対向するとともに、カセットＣ内の取り出し対象である基板Ｗに対向する位置にまで、アーム基台８ａが昇降する。続いて、アーム８ｅが前進して基板Ｗの下側に進入する。アーム８ｅが少し上昇して基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持したアーム８ｅが後退することにより、基板ＷをカセットＣから取り出す。
【００８８】
（ステップＳ２）基板載置部での受け渡し
反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部用搬送機構１７に基板Ｗを渡すために、インデクサ用搬送機構８がインデクサ用搬送経路７を移動して、セル１２内の熱処理部１６Ａの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、搬送機構８が基板載置部Ｐａｓｓに対向する位置にまで搬送経路７上を移動し、続いて、アーム基台８ａが上昇および回転することにより、アーム８ｅが基板載置部Ｐａｓｓに対向する。そして、基板Ｗを保持したアーム８ｅが前進して、基板載置部Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓに載置する。その後、アーム８ｅが後退する。
【００８９】
（ステップＳ３）アドヒージョン（ＡＨＬ）処理
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１７のアーム基台１７ａが上昇および水平面内で回転する。アーム１７ｄが基板載置部Ｐａｓｓに対向すると、アーム１７ｄが前進して、基板載置部Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄが後退する。
【００９０】
そして、熱処理部１６Ａのアドヒージョン処理部ＡＨＬで処理するために、基板載置部Ｐａｓｓの下方にあるアドヒージョン処理部ＡＨＬまでアーム基台１７ａが下降する。そして、アーム１７ｄが前進して、アドヒージョン処理部ＡＨＬの開口部１６ａを通して、基板Ｗをアドヒージョン処理部ＡＨＬに載置する。その後、アーム１７ｄが後退する。
【００９１】
アドヒージョン処理部ＡＨＬに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗとフォトレジスト膜との密着性を向上させるためにアドヒージョン処理が行われる。
【００９２】
なお、アドヒージョン処理部ＡＨＬから次の冷却部ＣＰに基板Ｗを渡すときも、熱処理部用搬送機構１７によって基板Ｗの搬送が行われるので、アドヒージョン処理が終了するまで、アドヒージョン処理部ＡＨＬの前で搬送機構１７が待機してもよいが、処理効率を向上させるために、アドヒージョン処理が終了するまでの間、搬送機構１７が他の基板Ｗを搬送してもよい。
【００９３】
（ステップＳ４）冷却（ＣＰ）処理
アドヒージョン処理が終了すると、搬送機構１７のアーム１７ｄがアドヒージョン処理部ＡＨＬ内に進入して基板Ｗをアドヒージョン処理部ＡＨＬから搬出する。
【００９４】
そして、熱処理部１６Ａの冷却部ＣＰで処理するために、アドヒージョン処理部ＡＨＬの下方にある冷却部ＣＰまでアーム基台１７ａが下降し、続いて、アーム１７ｄが前進して、冷却部ＣＰの開口部１６ａを通して、基板Ｗを冷却部ＣＰに載置する。
【００９５】
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗに対して、アドヒージョン処理部ＡＨＬで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つために冷却処理が行われる。
【００９６】
（ステップＳ５）反射防止膜形成（ＢＡＲＣ）処理
冷却処理が終了すると、反射防止膜形成処理用搬送機構１８のアーム１８ｄが、冷却部ＣＰの開口部１６ａを通して、基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【００９７】
そして、反射防止膜形成用セル１２内のスピンコータＳＣで処理するために、搬送機構１８のアーム基台１８ａが下降および回転し、続いて、アーム１８ｄが前進して、基板ＷをスピンコータＳＣのスピンチャック（図示省略）に載置する。
【００９８】
スピンコータＳＣに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながら反射防止膜を塗布形成する反射防止膜形成処理が行われる。
【００９９】
（ステップＳ６）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
反射防止膜形成処理が終了すると、搬送機構１８は基板ＷをスピンコータＳＣから搬出する。
【０１００】
そして、熱処理部１６Ａの冷却部ＣＰに搬入するために、搬送機構１８のアーム基台１８ａが上昇および回転し、続いて、アーム１８ｄが前進して、基板Ｗを冷却部ＣＰに載置する。このとき、基板Ｗを冷却する必要があれば、この冷却部ＣＰで冷却処理を行ってもよい。
【０１０１】
（ステップＳ７）加熱（ＨＰ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１７のアーム基台１７ａが冷却部ＣＰ内に進入して基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１０２】
そして、反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部１６Ｂの加熱部ＨＰで処理するために、搬送機構１７のアーム基台１７ａが加熱部ＨＰ内に進入して基板Ｗを加熱部ＨＰに載置する。
【０１０３】
加熱部ＨＰに載置された基板Ｗに対して、反射防止膜形成処理後の基板Ｗを加熱する加熱処理が行われる。
【０１０４】
（ステップＳ８）基板載置部での受け渡し
加熱処理が終了すると、搬送機構１７は基板Ｗを加熱部ＨＰから搬出する。
【０１０５】
そして、レジスト膜形成用セル１３内の熱処理部用搬送機構１９に基板Ｗを渡すために、熱処理部用搬送機構１７は熱処理部１６Ｃの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１０６】
（ステップＳ９）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１９は基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。
【０１０７】
そして、搬送機構１９は熱処理部１６Ｄの冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。この冷却部ＣＰでは、基板Ｗを所定の温度にまで冷却する冷却処理が行われる。
【０１０８】
（ステップＳ１０）レジスト膜形成処理（ＳＣ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、レジスト膜形成処理用搬送機構２０は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１０９】
そして、レジスト膜形成用セル１３内のスピンコータＳＣで処理するために、搬送機構２０はスピンコータＳＣのスピンチャック（図示省略）に基板Ｗを載置する。
【０１１０】
スピンコータＳＣに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながらレジスト塗布を行うレジスト膜形成処理が行われる。
【０１１１】
（ステップＳ１１）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
レジスト膜形成処理が終了すると、搬送機構２０は基板ＷをスピンコータＳＣから搬出する。
【０１１２】
そして、搬送機構２０は熱処理部１６Ｄの冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。このとき、基板Ｗを冷却する必要があれば、この冷却部ＣＰで冷却処理を行ってもよい。
【０１１３】
（ステップＳ１２）加熱（ＨＰ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１９のは基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１１４】
そして、レジスト膜形成用セル１３内の熱処理部１６Ｅの加熱部ＨＰで処理するために、搬送機構１９は加熱部ＨＰに基板Ｗを載置する。
【０１１５】
加熱部ＨＰに載置された基板Ｗに対して、レジスト膜形成処理後の基板Ｗを加熱する加熱処理が行われる。
【０１１６】
（ステップＳ１３）冷却（ＣＰ）処理
加熱処理が終了すると、搬送機構１９は基板Ｗを加熱部ＨＰから搬出する。
【０１１７】
そして、熱処理部１６Ｄの冷却部ＣＰで処理するために、搬送機構１９は冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。
【０１１８】
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗに対して、加熱部ＨＰで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つために冷却処理が行われる。
【０１１９】
（ステップＳ１４）基板載置部での受け渡し
冷却処理が終了すると、熱処理部用搬送機構１９は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１２０】
そして、露光後加熱用セル１４内のエッジ露光用搬送機構２１に基板Ｗを渡すために、熱処理部用搬送機構１９は、熱処理部１６Ｄの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１２１】
（ステップＳ１５）エッジ露光（ＥＥ）処理
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、エッジ露光用搬送機構２１は、基板載置部Ｐａｓｓに進入し、基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。
【０１２２】
そして、１階部分の露光後加熱用セル１４内のエッジ露光部ＥＥで処理するために、搬送機構２１はエッジ露光部ＥＥに基板Ｗを載置する。
【０１２３】
エッジ露光部ＥＥに載置された基板Ｗに対して、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するエッジ露光処理が行われる。
【０１２４】
（ステップＳ１６）基板載置部での受け渡し
エッジ露光部ＥＥでのエッジ露光処理が終了すると、エッジ露光用搬送機構２１は、基板Ｗをエッジ露光部ＥＥから搬出する。
【０１２５】
そして、インターフェイス４内のインターフェイス用搬送機構２９に渡すために、エッジ露光用搬送機構２１は、インターフェイス４内のインターフェイス用載置部３０にある１階専用の基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１２６】
（ステップＳ１７）バッファ（ＢＦ）での仮置き
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗに基板Ｗを受け取るために、インターフェイス用搬送機構２９は、基板載置部Ｐａｓｓに進入し、基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。そして、露光装置ＳＴＰにおける処理時間との関係で、基板Ｗに待ち時間が発生する場合には、インターフェイス用搬送機構２９によって１階専用のバッファＢＦに基板Ｗを収納する。なお、基板Ｗに待ち時間が発生せずにそのまま露光処理が行われる場合には、このバッファＢＦでの仮置きは省略される。
【０１２７】
（ステップＳ１８）インターフェイスでの搬送
バッファＢＦに載置された基板Ｗを受け取るために、インターフェイス用搬送機構２９がインターフェイス用搬送経路２８を移動して、搬送機構２９のアーム２９ｅが前進して、バッファＢＦの開口を通して、基板ＷをバッファＢＦから搬出する。
【０１２８】
（ステップＳ１９）露光処理
インターフェイス４に連結された露光装置ＳＴＰで処理するために、搬送機構２９が搬送経路２８を移動して、搬送機構２９のアーム２９ｅが前進して、露光装置ＳＴＰに搬入する。露光装置ＳＴＰに搬入された基板Ｗに対して、基板Ｗの露光処理が行われる。
【０１２９】
（ステップＳ２０）インターフェイスでの搬送
露光処理が終了すると、露光装置ＳＴＰから搬出するために、搬送機構２９が搬送経路２８を移動する。
【０１３０】
（ステップＳ２１）基板載置部での受け渡し
２階部分の露光後加熱用セル１４内の露光後加熱用搬送機構２２に渡すために、インターフェイス４内のインターフェイス用載置台３０にある２階専用の基板載置部Ｐａｓｓに搬送機構２９は基板Ｗを載置する。
【０１３１】
もし、露光後加熱用搬送機構２２に渡すための時間調整が必要な事態が生じた場合には、インターフェイス用搬送機構２９によって２階専用のバッファＢＦに基板Ｗを搬送して時間調整を行い、露光後加熱用搬送機構２２に受け渡すことができるようになった時点で、インターフェイス用搬送機構２９によってそのバッファＢＦから基板載置部Ｐａｓｓまで基板Ｗを搬送する。
【０１３２】
（ステップＳ２２）露光後加熱（ＰＥＢ）処理
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、露光後加熱用搬送機構２２は基板載置部Ｐａｓｓから基板Ｗを搬出する。
【０１３３】
そして、２階部分の露光後加熱用セル１４内の露光後加熱部ＰＥＢで処理するために、露光後加熱用搬送機構２２は露光後加熱部ＰＥＢに基板Ｗを載置する。
【０１３４】
露光後加熱部ＰＥＢに載置された基板Ｗに対して、露光処理後の基板Ｗを加熱する露光後加熱処理が行われる。
【０１３５】
（ステップＳ２３）冷却（ＣＰ）処理
露光後加熱処理が終了すると、搬送機構２２は基板Ｗを露光後加熱部ＰＥＢから搬出する。
【０１３６】
そして、２階部分の露光後加熱用セル１４内の冷却部ＣＰで処理するために、露光後加熱部ＰＥＢの下方にある冷却部ＣＰまで搬送機構２２のアーム基台２２ａが下降し、続いて、アーム２２ｄが前進して、基板Ｗを冷却部ＣＰに載置する。
【０１３７】
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗに対して、露光後加熱部ＰＥＢで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つために冷却処理が行われる。
【０１３８】
（ステップＳ２４）基板載置部での受け渡し
冷却処理が終了すると、搬送機構２２は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１３９】
そして、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３に渡すために、搬送機構２２はセル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１４０】
なお、セル１５Ｂ内にある２つのスピンデベロッパＳＤで基板Ｗがともに処理されているときには、搬送機構２２が、セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを介して、セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３に渡し、さらに、セル１５Ｂ内の搬送機構２３が、セル１５Ａ，１５Ｂが共用する熱処理部１６Ｈの基板載置部Ｐａｓｓを介して、現像用セル１５Ａ内の搬送機構２３に渡し、さらに、セル１５Ａ内の搬送機構２３が、セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆの冷却部ＣＰを介して、セル１５Ａ内の現像用搬送機構２４に渡した後に、セル１５Ａ内の搬送機構２４がセル１５Ａ内のスピンデベロッパＳＤに載置して、そのスピンデベロッパＳＤで現像処理を行ってもよい。
【０１４１】
（ステップＳ２５）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構２３は、基板載置部Ｐａｓｓから基板Ｗを搬出する。
【０１４２】
そして、熱処理部１６Ｆのいずれかの冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。基板Ｗが載置されたその冷却部ＣＰでは、基板Ｗがより高精度に常温程度の温度になるように温度調整するようにしてもかまわない。
【０１４３】
（ステップＳ２６）現像（ＳＤ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、現像用搬送機構２４は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１４４】
そして、現像用セル１５Ｂ内のスピンデベロッパＳＤで処理するために、搬送機構２４はスピンデベロッパＳＤのスピンチャック（図示省略）に基板Ｗを載置する。
【０１４５】
スピンデベロッパＳＤに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながら現像処理が行われる。
【０１４６】
（ステップＳ２７）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
現像処理が終了すると、搬送機構２４は基板ＷをスピンデベロッパＳＤから搬出する。
【０１４７】
そして、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３に基板Ｗを渡すために、搬送機構２４は現像用セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆの冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。
【０１４８】
（ステップＳ２８）加熱（ＨＰ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、搬送機構２３は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１４９】
そして、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｇの加熱部ＨＰで処理するために、搬送機構２３は基板Ｗを加熱部ＨＰに載置する。
【０１５０】
加熱部ＨＰに載置された基板Ｗに対して、現像処理後の基板Ｗを加熱する加熱処理が行われる。
【０１５１】
（ステップＳ２９）冷却（ＣＰ）処理
加熱処理が終了すると、搬送機構２３は基板Ｗを加熱部ＨＰから搬出する。
【０１５２】
そして、熱処理部１６Ｇの冷却部ＣＰに基板Ｗで処理するために、加熱部ＨＰの下方にある冷却部ＣＰまで搬送機構２３のアーム基台２３ａが下降し、続いて、アーム２３ｄが前進して、基板Ｗを冷却部ＣＰに載置する。
【０１５３】
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗに対して、加熱部ＨＰで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つために冷却処理が行われる。
【０１５４】
（ステップＳ３０）基板載置部での受け渡し
冷却処理が終了すると、搬送機構２３は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１５５】
そして、現像用セル１５Ａ内の熱処理部用搬送機構２３に渡すために、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３は熱処理部１６Ｈの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１５６】
（ステップＳ３１）基板載置部での受け渡し
現像用セル１５Ａ内にある熱処理部用搬送機構２３は基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。
【０１５７】
そして、インデクサ１内のインデクサ用搬送機構８に渡すために、現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１５８】
（ステップＳ３２）インデクサでの搬送
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを搬出するために、インデクサ用搬送機構８がインデクサ用搬送経路７を移動して、搬送機構８のアーム８ｅが前進して、基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。
【０１５９】
カセット載置台２に載置されたカセットＣに基板を収納するために、搬送機構８がカセットＣに対向する位置にまで搬送経路７を移動して、搬送機構８のアーム基台８ａが水平面内で回転してカセットＣに対向する。続いて、カセットＣ内の取り出し対象である基板Ｗに対向する位置にまで、アーム基台８ａが下降し、アーム８ｅが前進して基板Ｗの下側に進入する。アーム８ｅが少し下降して基板Ｗを載置する。基板Ｗを保持したアーム８ｅが後退することにより、基板ＷをカセットＣ内に収納する。
【０１６０】
カセットＣ内に所定枚数だけ処理済の基板Ｗが順に収納されて、一連の基板処理が終了する。
【０１６１】
上述の構成を有する本実施例に係る基板処理装置は、以下の効果を奏する。すなわち、熱処理部用搬送機構１７，１９が熱処理部１６Ｃに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１７，１９がその熱処理部１６Ｃを共用するように構成する。その一方で、現像用セル１５Ａ，１５Ｂの各々の熱処理部用搬送機構２３が熱処理部１６Ｈに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２３がその熱処理部１６Ｈを共用するように構成する。さらに、それらの搬送機構１７，１９の上方、すなわち２階部分にそれぞれ配設された各搬送機構２３と、それらの搬送機構１７，１９とからの基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行えるように、熱処理部１６Ｃ，１６Ｈを上下に階層構造で配設する。そして、階層構造で配設された熱処理部１６Ｃ，１６Ｈを定常位置Ｃから退避位置Ｄにまで移動可能に構成することで、それらの熱処理部１６Ｃ，１６Ｈの定常位置に設定された領域を、それらの搬送機構１７，１９，２３を保守するための共通のメンテナンスゾーンＥとする。
【０１６２】
このように構成することで、熱処理部１６Ｃ，１６Ｈを定常位置Ｃから退避位置Ｄにまで移動するだけで、共通のメンテナンスゾーンＥを確保することができ、その結果、搬送機構１７，１９，２３をそれぞれ簡易に保守することができる。また、それらの搬送機構１７，１９が熱処理部１６Ｃを共用するとともに、２つの搬送機構２３が熱処理部１６Ｈを共用するように構成しているので、処理部搬送経路２５，２６が長大化せずに、装置を設置する床面積（フットプリント）を軽減することもできる。
【０１６３】
他の熱処理部１６（１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｄ，１６Ｅ，１６Ｆ，１６Ｇ）についても、搬送機構１７〜２０，２３，２４が各熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行えるように、それらの搬送機構１７〜２０，２３，２４が各熱処理部をそれぞれ共用するように構成する。さらに、１階部分の搬送機構１７〜２０，２階部分の搬送機構２３，２４からの基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行えるように、複数の熱処理部１６を上下に階層構造で配設し、階層構造で配設された処理部１６を定常位置Ｃから退避位置Ｄにまで移動可能にそれぞれ構成することで、それらの熱処理部１６の定常位置に設定された領域を、それらの搬送機構１７〜２０，２３，２４を保守するための共通のメンテナンスゾーンＥとする。
【０１６４】
また、各熱処理部１６を定常位置Ｃから退避位置Ｄにまでそれぞれ移動させるのに、レール２７に各処理部１６をそれぞれ搭載させて、そのレール２７上で各熱処理部１６をそれぞれ動かしているので、それらの搬送機構１７〜２０，２３，２４を簡易に保守することができる。
【０１６５】
また、各熱処理部１６は、通常、液体を供給するような処理を行わないので、各熱処理部１６に液体がそれぞれ収納されておらず、熱処理部１６を退避位置Ｄにまで容易に移動させることができる。
【０１６６】
また、本実施例に係る基板処理装置は、換言すれば、共用される熱処理部１６Ａ〜１６Ｈが、その処理部を共用する各搬送機構１７〜２０，２３，２４からの受け渡し方向以外の方向に退避させるように構成されている。つまり、退避位置Ｄは、受け渡し方向以外の方向に位置する。このように構成することで、共通のメンテナンスゾーンＥを確保することができ、その結果、共用する各基板搬送機構１７〜２０，２３，２４をそれぞれ簡易に保守することができる。
【０１６７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１６８】
（１）上述した本実施例では、基板処理として、フォトリソグラフィ工程におけるレジスト塗布および現像処理を例に採って説明したが、上述した基板処理に限定されない。例えば、基板を処理液に浸漬して洗浄処理、エッチング処理、乾燥処理を含む処理を施す薬液処理や、上述した浸漬タイプ以外のエッチング処理（例えばドライエッチングやプラズマエッチングなど）や、上述した浸漬タイプ以外であって基板を回転させて洗浄する洗浄処理（例えばソニック洗浄や化学洗浄など）、エッチング処理や、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理や、スパッタリング処理や、化学気相成長（ＣＶＤ）処理や、アッシング処理などのように、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板を通常の手法でもって行う基板処理であれば、本発明に適用することができる。
【０１６９】
（２）上述した本実施例では、搬送機構１７〜２０，２３，２４が各々の同じ熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行うことで、それらの搬送機構１７〜２０，２３，２４が各熱処理部１６をそれぞれ共用するように構成するとともに、１階部分の搬送機構１７〜２０，２階部分の搬送機構２３，２４からの基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行えるように、複数の熱処理部１６を上下に階層構造で配設したが、各熱処理部１６を共用するように構成し、かつ上下に階層構造で配設する必要はない。
【０１７０】
例えば、階層構造でない基板処理装置、すなわち１階部分のみ、または２階部分のみからなる基板処理装置の場合には、搬送機構１７〜２０，２３，２４が各々の同じ熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行うことで、それらの搬送機構１７〜２０，２３，２４が各熱処理部１６をそれぞれ共用するように構成するのみで、階層構造で配設しなくてもよいし、例えば、熱処理部１６が熱処理部１６Ｂ，１６Ｇのみからなる基板処理装置の場合には、１階部分の熱処理部用搬送機構１７，２階部分の熱処理部用搬送機構１９からの基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行えるように、熱処理部１６Ｂ，１６Ｇを上下に階層構造で配設するのみで、他の搬送機構が各処理部１６Ｂ，１６Ｇを共用するように構成しなくてもよい。
【０１７１】
（３）上述した本実施例では、メンテナンスゾーンＥを確保するために退避位置にまで移動となる対象は熱処理部１６であったが、移動となる対象は熱処理部１６に限定されない。例えば、基板を浸漬させる処理液が収納された処理部にも適用することができる。
【０１７２】
また、本実施例を例に採って説明すると、１階部分のエッジ露光用搬送機構２１，２階部分の露光後加熱用搬送機構２２からの基板の受け渡しをそれぞれ行えるように、１階部分の露光後加熱用セル１４のエッジ露光部ＥＥと、２階部分の露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰを上下に階層構造で配設してもよい。ただ、本実施例の場合、エッジ露光用搬送機構２１の場合には、上述した搬送機構１７〜２０，２３，２４と同じ構成からなり（図５参照）、搬送機構の保守が容易になるように保守する側には処理部が配設されていない（図２参照）が、露光後加熱用搬送機構２２の場合には、その周囲に各処理部が配設されている（図３参照）ので、保守する側に処理部を配設しない方が好ましい。
【０１７３】
（４）上述した本実施例では、レール２７に各処理部１６をそれぞれ搭載することで、そのレール２７上で各熱処理部１６を定常位置Ｃから退避位置Ｄにまで移動可能にしたが、熱処理部１６を移動させる手法については、上述した本実施例に限定されない。例えば、図１４（ａ）の平面図に示すように、処理部１６を支持する支持軸１６ｂを、処理部１６に連結して構成し、その支持軸１６ｂを軸にして処理部１６を水平面内で定常位置Ｃから退避位置Ｄまで揺動するように構成してもよい。この場合、支持軸１６ｂを中心に処理部１６が水平面内で揺動するので、図１４（ｂ）に示すような退避位置Ｄにまで処理部１６を移動することができる。
【０１７４】
上述した変形例以外にも、例えば、図１５（ａ）の側面図に示すように、処理部１６の支点１６ｃを中心にして処理部１６を定常位置Ｃから退避位置Ｄまで傾倒するように構成してもよい。この場合、傾倒することで、図１５（ｂ）に示すような退避位置Ｄにまで処理部１６を傾倒させることができる。
【０１７５】
（５）なお、上述した本実施例に係る第１〜第３の処理ユニット９〜１１の各ユニットを下記のように構成してもよい。すなわち、図１６に示すように、各ユニットの右側面に開口部Ｆａを、左側面に開口部Ｆｂを、正面に開口部Ｆｃを、背面に開口部Ｆｄをそれぞれ設ける。これら開口部Ｆａ〜Ｆｄが設けられることで、開口部Ｆａ〜Ｆｄ以外の各ユニットの外壁部分が、外枠のフレームＦとしてそれぞれ構成される。隣接する２つのユニットのフレームＦ同士を、互いに接続部材ｆ（例えば金具）で連結することで、一方のユニットの右側面における開口部Ｆａが他方のユニットの左側面における開口部Ｆｂに一致し、隣接するユニットが連通接続される。これによって各ユニット内の処理部搬送経路も、ユニット間にまたがって連通接続される。このように構成することで、第１〜第３の処理ユニット９〜１１を基板Ｗの搬送方向に並べて配設することができる。また、基板の処理枚数に応じて各ユニットを増減可能にできるように着脱自在に構成してもよい。
【０１７６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、処理部間で基板をそれぞれ搬送する、少なくとも２つの基板搬送手段が同じ処理部に対して基板の受け渡しを行うことで、それらの基板搬送手段がその処理部を共用するように構成する（請求項１に記載の発明）、あるいは処理部間で基板をそれぞれ搬送する複数の基板搬送手段を上下に階層構造で配設し、複数の基板搬送手段からの基板の受け渡しをそれぞれ行えるように、複数の処理部を上下に階層構造で配設する（請求項２に記載の発明）とともに、それらの処理部を定常位置から退避位置にまで移動可能に構成する（請求項１，２に記載の発明）ことで、上述した処理部を定常位置から退避位置にまで移動するだけで、上述した基板搬送手段を保守するための共通の保守領域を確保ことができる。
【０１７７】
その結果、それらの基板搬送手段をそれぞれ簡易に保守することができる。また、それらの基板搬送手段が処理部を共用するように構成している（請求項１に記載の発明）、あるいは処理部を上下に階層構造で配設している（請求項２に記載の発明）ので、基板を搬送する経路である基板搬送経路などの長大化などを行わずに、フットプリントを軽減することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】本実施例に係る基板処理装置の１階を平面視したときのブロック図である。
【図３】本実施例に係る基板処理装置の２階を平面視したときのブロック図である。
【図４】本実施例に係るインデクサ用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）はインデクサ用搬送機構の平面図、（ｂ）はその右側面図である。
【図５】本実施例に係る熱処理部用／反射防止膜形成処理用／レジスト膜形成処理用／エッジ露光用／現像用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）はそれらの搬送機構の平面図、（ｂ）はその右側面図である。
【図６】本実施例に係る搬送機構が固定される場所および周辺の位置関係を示す図であって、（ａ）は熱処理部用搬送機構が固定された場合の平面図、（ｂ）はインデクサ側にある反射防止膜形成処理用／現像用搬送機構が固定された場合の平面図である。
【図７】本実施例に係る搬送機構が固定される場所および周辺の位置関係を示す図であって、（ａ）はインターフェイス側にあるレジスト膜形成処理用／現像用搬送機構が固定された場合の平面図、（ｂ）はエッジ露光用搬送機構が固定された場合の平面図である。
【図８】本実施例に係る露光後加熱用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）は露光後加熱用搬送機構の平面図、（ｂ）はその側面図、（ｃ）はその正面図である。
【図９】本実施例に係る熱処理部の概略構成を示す斜視図である。
【図１０】本実施例に係る熱処理部が退避位置にまで移動したときの様子を示す側面図である。
【図１１】本実施例に係る基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図１２】本実施例に係る基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図１３】一連の基板処理中の各処理における基板の位置と、その基板を搬送する搬送機構との関係を示した図である。
【図１４】変形例に係る熱処理部の平面図であって、（ａ）は定常位置に位置するときであって、（ｂ）は退避位置にまで移動したときの図である。
【図１５】さらなる変形例に係る熱処理部の側面図であって、（ａ）は定常位置に位置するときであって、（ｂ）は退避位置にまで移動したときの図である。
【図１６】外枠付きの第１〜第３の処理ユニットの概略構成を示す斜視図である。
【図１７】従来の基板処理装置の構成を示すブロック図である。
【図１８】（ａ），（ｂ）は、従来の基板処理装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１　…　インデクサ
４　…　インターフェイス
１６　…　熱処理部
１７，１９，２３　…　熱処理部用搬送機構
１８　…　反射防止膜形成処理用搬送機構
２０　…　レジスト膜形成処理用搬送機構
２４　…　現像用搬送機構
２７　…　レール
Ｗ　…　基板
Ｃ　…　定常位置
Ｄ　…　退避位置
Ｅ　…　メンテナンスゾーン[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus having a plurality of processing units for processing a semiconductor substrate, a glass substrate of a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk (hereinafter, simply referred to as a substrate). .
[0002]
[Prior art]
Conventionally, such a substrate processing apparatus is used, for example, in a photolithography process in which a photoresist film is applied to a substrate, an exposure process is performed on the applied substrate, and a substrate after the exposure process is developed. Have been.
This is shown in the plan view of FIG. 17 and will be described below. In this substrate processing apparatus, a plurality of unprocessed (for example, 25) substrates W or a plurality of cassettes C in which processed substrates W processed by the processing unit 104 described below are stored are placed. An indexer 103 including a cassette mounting table 102, a transport mechanism 108a that horizontally moves in front of each cassette C, and transfers a substrate W between each cassette C and the processing unit 104, and a plurality of processing units 104; The processing unit 104 includes a substrate transfer path 105 for transferring the substrate W between the plurality of processing units 104, and an interface 106 for relaying the transfer of the substrate W between the processing unit 104 and the external processing device 107.
[0003]
The indexer 103 sequentially takes out unprocessed substrates from the cassette C placed on the cassette mounting table 102 and pays them out to the processing unit 104, while receiving processed substrates from the processing unit 104 and processing them into a predetermined cassette C. The substrates are configured to be stored in order.
[0004]
The interface 106 connects the processing unit 104 and the external processing device 107. When the substrate processing apparatus is an apparatus that performs the above-described resist coating and developing processing, the external processing apparatus 107 is an exposure apparatus that performs an exposure processing of the substrate W.
[0005]
Further, a transport mechanism 108b for transporting on the substrate transport path 105 and a transport mechanism 108c for transporting on the transport path of the interface 106 are provided. In addition, a mounting table 109a is provided at a connection portion between the indexer 103 and the substrate transfer path 105, and a mounting table 109b is provided at a connection portion between the substrate transfer path 105 and the interface 106.
[0006]
In the above-described substrate processing apparatus, substrate processing is performed in the following procedure. The cassette C containing the unprocessed substrates W is mounted on the cassette mounting table 102, and the transfer mechanism 108a takes out one substrate from the cassette C and transfers the substrates W to the transfer mechanism 108b. It is transported to 109a. After receiving the substrate W placed on the mounting table 109a, the transport mechanism 108b sends the substrates W to the processing units 104 in order to perform predetermined processing (for example, processing such as resist coating) in each processing unit 104. Each of the substrates W is carried in. When each of the predetermined processes is completed, the transport mechanism 108b unloads the substrate W from the processing unit 104 and loads the substrate W into another processing unit 104 for the next process.
[0007]
When a series of processes before the exposure is completed, the transport mechanism 108b transports the substrate W to the receiver 109b in order to transfer the substrate W to the transport mechanism 108c. After receiving the substrate W placed on the mounting table 109b, the transport mechanism 108c transports the substrate W to the external processing device 107. When the wafer W is carried into the external processing device 107 and a predetermined process (for example, a process such as an exposure process) is completed, the transport mechanism 108c unloads the substrate W from the external processing device 109 and transports the substrate W to the mounting portion 109b. Thereafter, the substrate W is transported to each of the processing units 104 by the transport mechanism 108b, and a series of substrate processing after exposure (for example, heating processing, cooling processing, and developing processing) is performed. The processed substrates are sequentially stored in the cassette C, and a series of substrate processing ends.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional example having such a configuration has the following problem.
That is, in the conventional substrate processing apparatus, there is a problem that it becomes difficult to maintain the substrate transfer means such as the above-described transfer mechanism as the apparatus becomes complicated.
[0009]
That is, in the conventional substrate processing apparatus, since the transport mechanism 108b is disposed on the substrate transport path 105 along each processing unit 104 as shown in FIG. It becomes difficult to do. Indeed, as shown in FIG. 18A or FIG. 18B, it is conceivable to maintain the transport mechanism 108b by disposing the substrate transport path 105 along the side of the apparatus. On the other hand, in order to efficiently perform substrate processing and to process a large number of substrates, an apparatus becomes complicated. Therefore, when the substrate processing apparatus as shown in FIG. 18 is to be realized, the substrate transfer path becomes long, and the floor area (footprint) where the apparatus is installed cannot be reduced.
[0010]
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of reducing a footprint and easily maintaining a substrate transport unit that transports a substrate. And
[0011]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has the following configuration to achieve such an object.
That is, the invention according to claim 1 is a substrate processing apparatus including a plurality of processing units that perform a substrate processing, and includes a plurality of substrate transfer units that transfer a substrate between the processing units, and at least two of the plurality of the processing units. By carrying out the transfer of the substrate to the same processing unit by the substrate transport unit, the substrate transport units are configured to share the processing unit, and the shared processing unit is moved from the steady position to the retreat position. By being configured to be movable, an area set at a steady position of the processing unit is a common maintenance area for maintaining the plurality of substrate transfer units.
[0012]
According to the first aspect of the present invention, at least two substrate transfer units transfer a substrate to the same processing unit, so that the substrate transfer units share the processing unit. To be configured. Further, by configuring the shared processing unit so as to be movable from the steady position to the retreat position, the area set at the steady position of the processing unit can be replaced with a common maintenance area for maintaining those substrate transfer units. And With such a configuration, the common maintenance area described above can be ensured only by moving the shared processing unit from the steady position to the retreat position. As a result, each shared substrate transfer mechanism can be provided separately. It can be easily maintained. In addition, since the substrate transfer means is configured to share the processing unit, the floor area (footprint) for installing the apparatus can be reduced without increasing the length of the substrate transfer path, which is the path for transferring the substrate. ) Can also be reduced.
[0013]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus provided with a plurality of processing units for performing a substrate processing, wherein a plurality of substrate transport means for transporting a substrate between the processing units are vertically arranged in a hierarchical structure. The plurality of processing units are vertically arranged in a hierarchical structure so that each of the substrates can be transferred from the plurality of substrate transfer units, and the processing units arranged in a hierarchical structure are moved from a normal position. By being configured to be movable to a retreat position, an area set at a steady position of the plurality of processing units is set as a common maintenance area for maintaining the plurality of substrate transfer units. It is.
[0014]
According to the second aspect of the present invention, a plurality of substrate transfer means are arranged in a hierarchical structure on the upper and lower sides, and a plurality of processing is performed so that the transfer of the substrate from each of the substrate transfer means can be performed. The parts are arranged in a hierarchical structure up and down. Then, by configuring the processing units so as to be movable from the steady position to the retreat position, the area set at the steady position of the processing units can be changed to a common maintenance area for maintaining the substrate transfer means. And With this configuration, it is possible to secure the common maintenance area described above simply by moving the processing unit having the hierarchical structure from the steady position to the retreat position, and as a result, the processing units arranged vertically in the hierarchical structure are arranged. Each of the substrate transfer mechanisms can be easily maintained. In addition, since the processing units are arranged in a hierarchical structure on the upper and lower sides so that each of the substrates can be transferred from the substrate transfer means, the length of the substrate transfer path, which is the path for transferring the substrate, is increased. Instead, the footprint can be reduced.
[0015]
In the case of such a substrate processing apparatus according to the first or second aspect of the present invention, it is preferable to configure as follows. That is, the movable processing unit is preferably a heat treatment unit that performs heat treatment on the substrate (the invention according to claim 3). In this case, since the processing unit is constituted by the heat treatment unit, the heat treatment unit can be easily moved to the retreat position in the heat treatment unit in which a liquid such as a processing liquid for processing the substrate is not stored. Of course, the present invention can be applied to a processing unit in which a liquid is stored, and the present invention can also be applied to a heat treatment in which a substrate is heat-treated with a coolant such as liquid nitrogen.
[0016]
For a method of moving a processing unit configured to be movable, for example, a track extending from a steady position to a retreat position of the processing unit configured to be movable is provided, and the processing unit can be moved on the track. The processing unit can be moved from the steady position to the evacuation position in a horizontal plane by processing the processing unit to the evacuation position (the invention according to claim 4) by mounting the processing unit to the evacuation position. The processing unit can be moved to the evacuation position by a method of enabling the unit to move to the evacuation position (the invention according to claim 5) or by configuring the processing unit to be tiltable from the steady position to the evacuation position. (The invention according to claim 6) and the like. In any of the methods, the substrate transfer means can be easily maintained by moving the processing unit to the retreat position.
[0017]
The present invention also discloses the following problem solving means.
[0018]
(1) A substrate processing apparatus including a plurality of processing units for performing a substrate processing, including a plurality of substrate transfer units for transferring a substrate between the processing units, wherein at least two of the substrate transfer units are in the same processing unit. By performing the transfer of the substrates, the substrate transfer units are configured to share the processing unit, and the shared units are retracted in a direction other than the transfer direction from the plurality of substrate transfer units. A substrate processing apparatus, wherein the area set at the delivery position of the processing section is a common maintenance area for maintaining each of the substrate transfer units.
[0019]
According to the invention of the above (1), by configuring the shared processing unit so as to retreat in a direction other than the transfer direction from the plurality of substrate transfer units, the area set at the transfer position of the processing unit Is a common maintenance area for maintaining those substrate transfer means. With this configuration, the common maintenance area described above can be secured only by retreating the shared processing unit in a direction other than the transfer direction, and as a result, each shared substrate transport mechanism can be simplified. Can be maintained.
[0020]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a perspective view illustrating a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment, FIG. 2 is a block diagram when the first floor of the substrate processing apparatus is viewed in plan, and FIG. It is a block diagram when the 2nd floor is planarly viewed. In addition, for convenience of space, illustration of a cassette mounting table for mounting a cassette containing substrates in multiple stages is omitted in FIG. 2 and 3, the heat treatment units and the interface mounting table, which will be described later, are arranged in an upper and lower hierarchical structure. Note that, for convenience of explanation, an indexer and an interface, which will be described later, described in each of FIGS. 2 and 3 are provided in the apparatus of the present embodiment, respectively, and are not provided on each floor. Please note. In the present embodiment, a spin coater that performs resist coating while rotating a substrate in a photolithography process and a spin developer that performs development while rotating a substrate that has been coated with resist and further subjected to an exposure process are taken as examples. Next, the substrate processing will be described.
[0021]
The substrate processing apparatus according to the present embodiment includes an indexer 1, a process unit 3, and an interface 4, as shown in FIGS. In the case of the present embodiment, the interface 4 includes the process unit 3 that performs resist coating and developing processing, and an exposure apparatus (for example, a stepper that performs step exposure) as an external processing apparatus that performs exposure processing of the substrate. connect.
[0022]
Next, a specific configuration of the indexer 1 will be described. As shown in FIGS. 1 to 3, the indexer 1 includes a cassette mounting table 2, an indexer transport path 7, and an indexer transport mechanism 8. The cassette mounting table 2 is configured such that a plurality (four in FIG. 2 and FIG. 3) of cassettes C containing a plurality of (for example, 25) unprocessed substrates W or processed substrates W can be mounted. I have. The transport path 7 is formed in a horizontal direction along the cassette mounting table 2 on which the plurality of cassettes C are mounted. The transport mechanism 8 is configured to be able to transfer the substrate W between the cassette C on the cassette mounting table 2 and the process unit 3 by vertically moving and horizontally moving on the transport path 7. . More specifically, the transport mechanism 8 sequentially takes out the unprocessed substrates W from the cassettes C mounted on the cassette mounting table 2 and pays out the processed substrates W to the process unit 3, and transfers the processed substrates W to the process unit 3. And the processed substrates W are sequentially stored in a predetermined cassette C placed on the cassette mounting table 6.
[0023]
Next, a specific configuration of the indexer transport mechanism 8 will be described with reference to FIG. As shown in the plan view of FIG. 4 (a) and the right side view of FIG. 4 (b), the transport mechanism 8 moves the arm base in the direction of the arrow RA which is the direction (y direction) of the indexer transport path 7. Y-axis moving mechanism 8b for horizontally moving 8a, z-axis elevating mechanism 8c for moving arm base 8a up and down in the direction of arrow RB (z direction), and arm base 8a around z axis (in the direction of arrow RC) And a rotation drive mechanism 8d for rotating the. The arm base 8a is provided with an arm 8e for holding the substrate W, and the arm 8e is configured to be able to move forward and backward in the radial direction of rotation (the direction of the arrow RD).
[0024]
As shown in FIG. 4A, the y-axis moving mechanism 8b includes a screw shaft 8f and a motor 8g that rotates the screw shaft 8f around its axis. The base of the shaft elevating mechanism 8c is screwed. The rotation of the motor 8g causes the z-axis elevating mechanism 8c attached to the screw shaft 8f to move in the horizontal direction.
[0025]
As shown in FIG. 4B, the z-axis elevating mechanism 8c includes a screw shaft 8h and a motor 8i for rotating the screw shaft 8h around the axis, similarly to the y-axis moving mechanism 8b. The base of the rotation drive mechanism 8d described above is screwed to the screw shaft 8h. By the rotation of the motor 8i, the rotation drive mechanism 8d attached to the screw shaft 8h moves up and down.
[0026]
As shown in FIG. 4B, the rotation drive mechanism 8d supports the above-described arm base 8a, a motor 8j that rotates the arm base 8a around an axis, and the arm base 8a and the motor 8j. And a supporting member 8k. The rotation of the motor 8j causes the arm base 8a to rotate together with the arm 8e in a horizontal plane.
[0027]
With this configuration, the substrate W held by the arm 8e of the arm base 8a can be horizontally moved, moved up and down, rotated in a horizontal plane, and moved forward and backward in the horizontal plane, respectively, along the cassette mounting table 2. It becomes possible.
[0028]
Returning to FIGS. 1 to 3, a specific configuration of the process unit 3 will be described. As shown in FIGS. 2 and 3, the process unit 3 includes a first processing unit 9, a second processing unit 10, and a third processing unit 11 arranged in this order from the indexer 1 side.
[0029]
Further, the above-described first to third processing units 9 to 11 are respectively arranged so as to penetrate from the first floor to the second floor. On the first floor of the first processing unit 9, as shown in FIG. 2, an anti-reflection film for a base (Bottom Anti-Reflective) is formed to prevent reflection of light from a photoresist film formed on the substrate W. An anti-reflection film forming cell 12 including a spin coater (indicated by reference numeral “SC” in FIG. 2) for applying a coating on the substrate W and a heat treatment unit is provided. On the first floor of the second processing unit 10, a resist film forming cell 13 including a spin coater for applying a photoresist film to the substrate W while rotating the substrate W and a heat treatment section is provided. On the first floor of the third processing unit 11, a post-exposure heating cell 14 for heating (Post Exposure Bake) (indicated by reference numeral "PEB" in FIG. 3) the substrate W after the exposure processing is provided. I have.
[0030]
On the other hand, on the second floor of the first processing unit 9, as shown in FIG. 3, a spin developer (Spin Developer) for performing a developing process while rotating the substrate W after the exposure process (reference numeral "SD" in FIG. 3) ), And a developing cell 15A including a heat treatment section and the like. On the second floor of the second processing unit 10, a developing cell 15B similar to that of the first processing unit 9 is provided. On the second floor of the third processing unit 11, a post-exposure heating cell 14 similar to that of the first floor of the unit 11 is provided.
[0031]
As described above, the first processing unit 9 is composed of the anti-reflection film forming cell 12 and the developing cell 15A on the indexer 1 side, and the resist film forming cell 13 and the developing cell 15B on the interface 4 side. In the second processing unit 10, the third processing unit 11 is constituted by two post-exposure heating cells 14 provided on the first floor and the second floor, respectively.
[0032]
Next, a specific configuration of the antireflection film forming cell 12 will be described. As shown in FIG. 2, the antireflection film forming cell 12 includes three heat treatment sections 16A, 16B, and 16C, and a heat treatment section transport mechanism 17 that transfers a substrate W between the heat treatment sections 16A, 16B, and 16C. And two spin coaters SC for applying an anti-reflection film to the substrate W, respectively, and an anti-reflection film formation processing transport mechanism 18 for transferring the substrate W between the heat treatment unit 16A and the two spin coaters SC.
[0033]
As shown in FIG. 2, the three heat treatment sections 16A, 16B, and 16C are disposed at three locations around the heat treatment section so as to face the heat treatment section transport mechanism 17, and each of the heat treatment sections 16A, 16B, and 16C. 16C are arranged in a hierarchical structure above and below, respectively.
[0034]
The heat treatment unit 16A disposed adjacent to the indexer 1 includes two cooling units (indicated by reference numeral “CP” in FIGS. 2 and 3) for cooling the heated substrate W and keeping it at room temperature. Four adhesion (adhesion) processing units (indicated by “AHL” in FIGS. 2 and 3) for performing a process for improving the adhesion between the substrate W and the photoresist film, the substrate W is not heat-treated. It is configured by stacking a substrate mounting portion (indicated by reference numeral “Pass” in FIGS. 2 and 3) for mounting and transferring the substrate W in order from the bottom. In the adhesion processing, HMDS [(CH 3 ) 3 SiNHSi (CH 3 ) 3 Is vaporized to process the substrate W before applying the resist.
[0035]
The heat treatment section 16A uses the substrate mounting section Pass, the adhesion processing section AHL, and the cooling section CP to transport the indexer transport mechanism 8 in the indexer 1, the heat treatment section transport mechanism 17, and the anti-reflection film formation processing transport. It also has a function of transferring the substrate W to and from the mechanism 18. That is, the transfer mechanism 8 for the indexer and the transfer mechanism 17 for the heat treatment section are configured to transfer the data via the substrate mounting section Pass, and the transfer mechanism 8 for the indexer and the heat treatment section An opening 16a is formed so that each transport mechanism can enter only the surface facing the transport mechanism 17 for use (see FIG. 9). The transfer mechanism 17 for the heat treatment section and the transfer mechanism 18 for the anti-reflection film forming process are configured to be transferred via the cooling section CP. The cooling section CP includes the transfer mechanism 17 for the heat treatment section and the reflection section. An opening 16a is formed so that each transport mechanism can enter only on a surface facing the transport mechanism 18 for preventing film formation processing (see FIG. 9). Since the adhesion processing unit AHL transfers the substrate W only to and from the heat treatment unit transfer mechanism 17, the adhesion processing unit AHL is provided on the surface facing the heat treatment unit transfer mechanism 17 so that the heat treatment unit transfer mechanism 17 can enter. Only the opening 16a is formed (see FIG. 9).
[0036]
In the heat treatment section 16B, openings 16a (see FIGS. 1 and 9) are provided in each layer facing the heat treatment section transport mechanism 17. Then, the heat treatment section transport mechanism 17 carries in the substrate W into the heat treatment section 16B through the opening 16a and carries out the substrate W from the heat treatment section 16B. Further, the heat treatment unit 16B is configured by stacking seven heating units (indicated by reference numeral “HP” in FIGS. 2 and 3) for heating the substrate W in order from the bottom.
[0037]
The heat treatment section 16C is disposed over the antireflection film forming cell 12 and the resist film forming cell 13. With this arrangement, the resist film forming cell 13 as well as the antireflection film forming cell 12 also shares the heat treatment section 16C. The heat treatment unit 16C is configured by sequentially stacking three cooling units CP similar to the heat treatment unit 16A, three heating units HP similar to the heat treatment unit 16B, and a substrate mounting unit Pass similar to the heat treatment unit 16A from the bottom. Have been.
[0038]
Of these, in the configuration of the present embodiment, three CPs are used for the antireflection film forming cell 12 as needed, and three heating units HP are used for the resist film forming cell 13 as needed. The substrate W can be transferred between the heat transfer section transport mechanism 17 and the heat transfer section transport mechanism 19 disposed in the resist film forming cell 13 described later, in the substrate mounting portion Pass of the heat treatment section 16C. As described above, the openings 16a are formed only on the surfaces facing the heat treatment section transport mechanism 17 and the heat treatment section transport mechanism 19, respectively (see FIG. 9). The three cooling units CP constituting the heat treatment unit 16C have openings 16a formed only on the surface facing the heat treatment unit transfer mechanism 17 so that only the heat treatment unit transfer mechanism 17 can transfer the substrate W. I have. Similarly, the three heating units HP constituting the heat treatment unit 16C have openings 16a only on the surface facing the heat treatment unit transfer mechanism 19 so that only the heat treatment unit transfer mechanism 19 can transfer the substrate W. Is formed.
[0039]
The spin coater SC in the anti-reflection film forming cell 12 is configured to perform the anti-reflection film forming process while rotating the substrate W as described above. More specifically, it includes a spin chuck that holds the substrate W and rotates it in a horizontal plane, a nozzle that discharges an antireflection liquid, and the like. By discharging the antireflection liquid from the nozzle toward the center of the rotating substrate W held by the spin chuck, the antireflection film is applied and formed from the center of the substrate W to the entire surface by the centrifugal force of the substrate W. .
[0040]
The transport mechanism 17 for the heat treatment section, the transport mechanism 18 for the anti-reflection film formation processing, the transport mechanism 19 for the heat treatment section, the transport mechanism 20 for the resist film formation processing, the transport mechanism 21 for the edge exposure, and the transport mechanism 23 for the heat treatment section described later. The developing transport mechanism 24 has the same configuration. Specific configurations of these transport mechanisms will be described later.
[0041]
Next, a specific configuration of the resist film forming cell 13 will be described. As shown in FIG. 2, the resist film forming cell 13 includes three heat treatment sections 16C, 16D and 16E, and the substrate W between the heat treatment sections 16C, 16D and 16E. Heat transfer transport mechanism 19 for transferring, two spin coaters SC for applying a photoresist solution to the substrate W, and a resist film forming transport mechanism for transferring the substrate W between the heat treater 16D and the two spin coaters SC. 20.
[0042]
As in the case of the anti-reflection film forming cell 12, the three heat treatment sections 16C, 16D and 16E are disposed at three locations around the heat treatment section transfer mechanism 19 as shown in FIG. Each of the heat treatment sections 16C, 16D, and 16E is arranged in a hierarchical structure above and below.
[0043]
The heat treatment unit 16D disposed adjacent to the third processing unit 11 is configured by sequentially stacking six cooling units CP and a substrate mounting unit Pass from the bottom.
[0044]
The heat treatment section 16D transfers the substrate W between the heat treatment section transport mechanism 19 and the edge exposure transport mechanism 21 disposed in the post-exposure heating cell 14 described later through the substrate mounting section Pass. Is also provided. That is, the transfer mechanism 19 for the heat treatment section and the transfer mechanism 21 for the edge exposure are configured to perform transfer via the substrate placement section Pass, and the transfer mechanism 19 for the heat treatment section is provided to the substrate placement section Pass. An opening 16a is formed so that each transport mechanism can enter only on a surface facing the edge exposure transport mechanism 21 (see FIG. 9). Further, openings 16a are formed in the six cooling sections CP so that the respective transport mechanisms can enter only the surfaces facing the heat treatment section transport mechanism 19 and the resist film formation processing transport mechanism 20, respectively. (See FIGS. 1 and 9).
[0045]
In the heat treatment section 16E, openings 16a (see FIGS. 1 and 9) are provided in each layer facing the heat treatment section transport mechanism 17. Then, the heat treatment section transport mechanism 19 carries the substrate W into and out of the heat treatment section 16E through the opening 16a. The heat treatment unit 16E is configured by stacking four cooling units CP and three heating units HP in order from the bottom with a configuration substantially similar to the heat treatment unit 16B in the antireflection film forming cell 12.
[0046]
As described above, the heat treatment section 16C is disposed over the antireflection film forming cell 12 and the resist film forming cell 13, and in addition to the resist film forming cell 13, the antireflection film forming cell 12 also includes: This heat treatment section 16C is shared. That is, the heat-treated portion 16C is also a heat-treated portion 16C in the antireflection film forming cell 12. The description of the configuration of the heat treatment unit 16C is omitted.
[0047]
The spin coater SC in the resist film forming cell 13 has the same configuration as the spin coater SC in the antireflection film forming cell 12, except that a photoresist liquid is ejected to form a photoresist film. The description of the spin coater SC in the resist film forming cell 13 will be omitted.
[0048]
Next, a specific configuration of the post-exposure heating cell 14 on the first floor will be described. As shown in FIG. 2, the first floor portion of the post-exposure heating cell 14 has two edges for performing edge exposure processing (Edge Exposure Unit) for exposing an edge portion of the substrate W before the exposure processing. An edge exposure unit (denoted by “EE” in FIG. 2), a heat treatment unit 16D, two edge exposure units EE, and an edge exposure for transferring a substrate W between the interface mounting table 30 in the interface 4 described later. And a transport mechanism 21.
[0049]
The two edge exposure units EE are arranged at positions as shown in FIG. Similarly to the other heat treatment sections 16, each edge exposure section EE is provided with an opening 16a (see FIGS. 1 and 9) facing the edge exposure transport mechanism 21. Then, the transport mechanism 21 for edge exposure carries the substrate W into the edge exposure unit EE through the opening 16a and unloads the substrate W from the edge exposure unit EE.
[0050]
Next, a specific configuration of the post-exposure heating cell 14 on the second floor will be described. As shown in FIG. 3, the second floor of the post-exposure heating cell 14 includes eight post-exposure heating units (indicated by “PEB” in FIG. 3) for heating the substrate W after the exposure processing, respectively. The substrate W is transferred between the cooling units CP, the post-exposure heating unit PEB, the cooling unit CP, the interface mounting table 30 in the interface 4, and the heat treatment unit 16F in the developing cell 15B. And a post-exposure heating transport mechanism 22.
[0051]
In the state where half of each of the eight post-exposure heating sections PEB and the four cooling sections CP (two cooling sections CP and four post-exposure heating sections PEB) are stacked in order from the bottom, as shown in FIG. Each is provided so as to face the post-exposure heating transport mechanism 22. Each of the post-exposure heating unit PEB and the cooling unit CP is provided with an opening 16a (see FIGS. 1 and 9) facing the post-exposure heating transport mechanism 22. Then, the post-exposure heating transport mechanism 22 carries the substrate W into each of the post-exposure heating units PEB and the cooling unit CP through the opening 16a, and transfers the substrate W from each of the post-exposure heating units PEB and the cooling unit CP. Out. The specific configuration of the post-exposure heating transport mechanism 22 will also be described later.
[0052]
Next, a specific configuration of the developing cell 15 (15A, 15B) will be described. As shown in FIG. 3, the developing cell 15B on the interface 4 side of the developing cell 15 includes three processing units 16F, 16G, and 16H and a substrate W between the heat treatment units 16F, 16G, and 16H. A transfer mechanism 23 for transferring the heat treatment unit, two spin developers SD for performing the development processing while rotating the substrate W after the exposure processing, and transfer of the substrate W between the heat treatment unit 16F and the two spin developers SD. And a developing transport mechanism 24.
[0053]
As shown in FIG. 3, the three heat treatment sections 16F, 16G, and 16H are disposed at three locations around the heat treatment section so as to face the heat treatment section transport mechanism 23. Each is arranged in a hierarchical structure.
[0054]
The heat treatment unit 16F adjacent to the third processing unit 11, that is, disposed on the interface 4 side, is configured by sequentially stacking four cooling units CP and a substrate mounting unit Pass from the bottom.
[0055]
The heat treatment section 16F also has a function of transferring the substrate W between the heat treatment section transport mechanism 23 and the post-exposure heating transport mechanism 22 through the substrate mounting portion Pass. In other words, the transfer mechanism 23 for the heat treatment section and the transfer mechanism 22 for the post-exposure heating are configured to perform transfer via the substrate mounting portion Pass. An opening 16a is formed so that each transport mechanism can enter only on the surface facing the transport mechanism for heating after exposure 22 (see FIGS. 1 and 9). Further, the four CPs are formed with openings 16a so that the respective transport mechanisms can enter only the surfaces facing the heat treatment section transport mechanism 23 and the developing transport mechanism 24, respectively. 1, see FIG. 9).
[0056]
In the heat treatment section 16G, openings 16a (see FIGS. 1 and 9) are provided in each layer facing the heat treatment section transport mechanism 23. Then, the heat treatment section transport mechanism 23 loads the substrate W into the heat treatment section 16G and unloads the substrate W from the heat treatment section 16G through the opening 16a. Further, the heat treatment unit 16G is configured by stacking two cooling units CP and three heating units HP in order from the bottom.
[0057]
The heat treatment section 16H is provided over the developing cells 15A and 15B. With this arrangement, the developing cell 15A as well as the developing cell 15B share the heat treatment section 16H. The heat treatment unit 16H is configured by sequentially stacking two cooling units CP, two heating units HP, and one substrate mounting unit Pass from the bottom.
[0058]
Among them, in the configuration of the present embodiment, the second lower cooling section CP and the fourth lower heating section HP are used for the developing cell 15B, and the first lower cooling section is used for the developing cell 15B. The CP and the third-stage heating unit HP from the bottom are used for the developing cell 15A. The substrate mounting portion Pass of the heat treatment unit 16H is configured so that the substrate W can be transferred between the heat treatment unit transfer mechanism 23 and the heat treatment unit transfer mechanism 23 disposed in the developing cell 15A described later. The opening 16a is formed only in the heat treatment section transfer mechanism 23 and only on the surface facing the heat treatment section transfer mechanism 23 (see FIGS. 1 and 9). The cooling unit CP and the heating unit HP used as the developing cells 15B constituting the heat treatment unit 16H are heat-treated so that only the heat treatment unit transport mechanism 23 disposed in the development cell 15B can transfer the substrate W. The opening 16a is formed only on the surface facing the copy transport mechanism 23. Similarly, the cooling unit CP and the heating unit HP used for the developing cell 15A constituting the heat treatment unit 16H can transfer the substrate W only to the heat treatment unit transport mechanism 23 disposed in the development cell 15A. As described above, the opening 16a is formed only on the surface facing the heat treatment section transport mechanism 23.
[0059]
The developing cell 15A on the side of the indexer 1 has a configuration similar to that of the developing cell 15A on the interface 4 side, except that the respective components are arranged left and right (symmetrical to the yz plane) with respect to the developing cell 15B. Since the configuration is the same as that of the cell 15B, the description of the developing cell 15A is omitted. The heat treatment section 16F in the developing cell 15A has a function of transferring the substrate W between the heat treatment section transport mechanism 23 and the developing transport mechanism 24 in the cooling section CP, and has a function of transferring the substrate W in the substrate mounting section Pass. It also has a function of transferring the substrate W between the heat treatment section transfer mechanism 23 and the indexer transfer mechanism 8. That is, in the cooling section CP of the heat treatment section 16F, the opening 16a is formed only on the surface facing the heat treatment section transport mechanism 23 and the development transport mechanism 24, and the heat transfer section transport mechanism is formed in the substrate mounting section Pass. The opening 16a is formed only on the surface facing the indexer 23 and the indexer transport mechanism 8. Further, the reason why two developing cells 15 (developing cells 15A and 15B) are provided is that when the substrate W is being processed by two spin developers SD in one developing cell 15 after exposure, This is because another substrate W after the heat treatment is processed by the spin developer SD in the other developing cell 15.
[0060]
As described above, the process unit 3 includes the first processing unit 9 including the antireflection film forming cell 12 and the developing cell 15A, and the second processing unit including the resist film forming cell 13 and the developing cell 15B. The third processing unit 11 includes a post-exposure heating cell 14 at the 10th and 2nd floor portions and a post-exposure heating cell 14 at the 1st floor portion.
[0061]
For the first floor portion, the heat treatment section transport mechanism 17 and the heat treatment section transport mechanism 19 transfer the substrate W to the heat treatment section 16C of the heat treatment sections 16 (16A to 16G). The transfer mechanisms 17 and 19 share the heat treatment section 16C, and the transfer mechanism 17 for the heat treatment section and the transfer mechanism 18 for the anti-reflection film formation process transfer the substrate W to the heat treatment section 16A. The transfer mechanisms 17 and 18 share the heat treatment section 16A, and the heat treatment section transfer mechanism 19, the resist film formation transfer transfer mechanism 20 and the edge exposure transfer mechanism 21 transfer the substrate W to the heat treatment section 16D. By performing the transfer, the transport mechanisms 19, 20, and 21 share the heat treatment unit 16D. That is, by arranging these transport mechanisms 17 to 21 side by side with these thermal processing sections 16A, 16C, 16D interposed, the processing section which is a path for transporting the substrate W between each thermal processing section 16 and the spin coater SC. A transport path 25 is configured. Further, the substrate W is transferred and transported in the processing section transport path 25 in the direction of the arrow in FIG.
[0062]
Regarding the second-floor portion, the heat treatment section transport mechanism 23 of each of the development cells 15A and the development cells 15B transfers the substrate W to the heat treatment section 16H among the heat treatment sections 16 (16A to 16G). Thus, the transfer mechanisms 23 share the heat treatment section 16H, and the post-exposure heating transfer mechanism 22, the heat transfer section transfer mechanism 23 in the development cell 15B, and the development transfer mechanism 24 in the development cell 15B. However, by transferring the substrate W to the heat treatment unit 16F in the developing cell 15B, the transfer mechanisms 22 to 24 share the heat treatment unit 16F, and the transfer mechanism for the heat treatment unit in the development cell 15A. The transfer mechanism 23 and the developing transport mechanism 24 in the developing cell 15A transfer the substrate W to and from the heat treatment section 16F in the developing cell 15A, so that the transport mechanisms 23 and 24 are moved. To share the heat treatment section 16F. In other words, by arranging these transfer mechanisms 22 to 24 side by side with these heat treatment units 16F and 16H interposed, the processing unit transfer which is a path for transferring the substrate W between each heat treatment unit 16 and the spin developer SD. The path 26 is configured. Further, the substrate W is transferred and transported in the processing section transport path 26 in the direction of the arrow in FIG.
[0063]
That is, the processing unit transport paths 25 and 26 are arranged in a two-story hierarchical structure. Further, one ends (left sides in FIGS. 2 and 3) of the processing unit transport path 25 on the first floor and the processing unit transport path 26 on the second floor are connected to the indexer 1, respectively. The other end sides (the right side in FIGS. 2 and 3) of the processing unit transport path 25 on the first floor and the processing unit transport path 26 on the second floor are connected to the interface 4, respectively. In these processing unit transfer paths 25 and 26, the substrate transfer directions are set to be opposite to each other, so that the processing unit transfer path 25 moves the substrate W in the forward direction (in this embodiment, the substrate W exits from the indexer 1). The processing section transport path 26 constitutes a return-only path in which the substrate W is transported in the opposite direction (in this embodiment, a direction returning to the indexer 1). I have.
[0064]
Next, a specific configuration of the transport mechanisms 17 to 21, 23, and 24 will be described with reference to FIGS. As described above, these transport mechanisms have the same configuration, and therefore only the thermal processing section transport mechanism 17 will be described. As shown in the plan view of FIG. 5A and the right side view of FIG. 5B, the transfer mechanism 17 for the heat treatment unit rotates the arm base 17a around the z-axis (the direction of the arrow RE). A drive mechanism 17b and a z-axis elevating mechanism 17c that moves the arm base 17a up and down in the direction of the arrow RF (z direction) are provided. The arm base 17a is provided with an arm 17d for holding the substrate W, and the arm 17d is configured to be able to move forward and backward in the direction of the radius of rotation (the direction of arrow RG).
[0065]
Similar to the rotation drive mechanism 8d of the indexer transport mechanism 8, the rotation drive mechanism 17b includes a motor 17e for rotating the arm base 17a, and the arm base 17a and the motor 17e, as shown in FIG. And a supporting member 17f for supporting.
[0066]
As shown in FIG. 5B, the z-axis elevating mechanism 17c includes a screw shaft 17g and a motor 17h for rotating the screw shaft 17g. The base is screwed. By the rotation of the motor 17h, the rotation drive mechanism 17b attached to the screw shaft 17g moves up and down. Since the z-axis elevating mechanism 17c is erected and fixed on the apparatus base, it does not move in the horizontal direction unlike the z-axis elevating mechanism 8c of the indexer transport mechanism 8.
[0067]
With this configuration, the substrate W held by the arm 17d of the arm base 17a can rotate, move up and down, and move forward and backward in a horizontal plane. Further, as shown in FIG. 6A, the z-axis lifting / lowering mechanism 17c is fixed facing the direction of the spin coater SC other than the three directions of the heat treatment sections 16A, 16B and 16C. Thus, the substrate W is transferred between the heat treatment units 16A, 16B, and 16C by the heat treatment unit transfer mechanism 17.
[0068]
Similarly to the heat treatment section transfer mechanism 17, the heat treatment section transfer mechanism 19 and the z-axis elevating mechanisms 19c and 23c of the heat treatment section transfer mechanism 23 also have the direction shown in FIG. In the case of the mechanism 19, it is fixed facing the direction of the spin coater SC, and in the case of the transport mechanism 23 for the heat treatment section, facing the direction of the spin developer SD.
[0069]
The z-axis elevating and lowering mechanisms 18c and 24c of the anti-reflection film forming processing transport mechanism 18 and the developing transport mechanism 24 in the developing cell 15A on the side of the indexer 1 have the directions shown in FIG. In this case, the substrate W is developed by the transport mechanisms 18 and 24 between the spin coater SC and the heat treatment section 16A in the case of the anti-reflection film forming transport mechanism 18. In the case of the transfer mechanism 24, the transfer is performed between the spin developer SD and the heat treatment unit 16F.
[0070]
The z-axis elevating and lowering mechanisms 20c and 24c of the transport mechanism for resist film formation processing 20 and the transport mechanism for development 24 in the developing cell 15B on the interface 4 side are directed in the direction shown in FIG. In this case, the substrate W is transported between the spin coater SC and the heat treatment unit 16D by the transport mechanisms 20 and 24 in the case of the transport mechanism 20 for resist film formation processing. In the case of the mechanism 24, it is transferred between the spin developer SD and the heat treatment unit 16F.
[0071]
As shown in FIG. 7B, the z-axis elevating mechanism 21c of the edge exposure transport mechanism 21 is fixed to the side not facing the heat treatment unit 16D, the edge exposure unit EE, and the interface mounting table 30. Thus, the substrate W is transferred by the edge exposure transport mechanism 21 between the heat treatment unit 16D, the edge exposure unit EE, and the interface mounting table 30 in the interface 4 described later.
[0072]
These transfer mechanisms 17 to 20, 23, and 24 correspond to the substrate transfer means in the present invention.
[0073]
Next, a specific configuration of the post-exposure heating transport mechanism 22 will be described with reference to FIG. As shown in the plan view of FIG. 8A, the side view of FIG. 8B, and the front view of FIG. 8C, the post-exposure heating transport mechanism 22 drives the arm base 22a to move up and down. An elevating mechanism 22b and a motor 22c for rotating the z-axis elevating mechanism 22b around the z-axis (in the direction of arrow RI) are provided. The arm base 22a is provided with an arm 22d for holding the substrate W, and the arm 22d is configured to be able to move forward and backward in the direction of the arrow RJ which is the rotational radius direction.
[0074]
As shown in FIGS. 8A to 8C, the z-axis elevating mechanism 22b includes a screw shaft 22f and a motor 22g that rotates the screw shaft 22f around the axis. Has an arm base 22a screwed thereto. The rotation of the motor 22g causes the arm base 22a screwed to the screw shaft 22f to move up and down.
[0075]
The motor 22c described above is attached to the bottom of the z-axis elevating mechanism 22b, and the rotation of the motor 22c causes the z-axis elevating mechanism 22b itself to rotate about the vertical axis along with the arm base 22a and the arm 22d. You.
[0076]
With this configuration, the substrate W held by the arm 22d of the arm base 22a can rotate, move up and down, and move forward and backward in a horizontal plane. Thus, the substrate W is received by the post-exposure heating transport mechanism 22 between the post-exposure heating unit PEB, the cooling unit CP, the interface mounting table 30 in the interface 4 described later, and the heat treatment unit 16F in the developing cell 15B. Passed.
[0077]
In the case of the transport mechanisms 17 to 21, 23, and 24, the substrate W cannot be transferred in the direction in which the fixedly mounted z-axis elevating mechanism is attached. In this case, since the z-axis elevating mechanism 22b itself is rotatable, the substrate W can be delivered in all directions in the horizontal plane.
[0078]
On the other hand, in the case of the transport mechanisms 17 to 21, 23, and 24, maintenance of each transport mechanism is easy from the side not facing each processing unit (the side on which the z-axis elevating mechanism is installed). In the case of the post-heating transport mechanism 22, it is not easy to secure a maintenance space for the transport mechanism because the respective processing units are arranged around the transport mechanism.
[0079]
Next, a specific configuration of the heat treatment unit 16 (16A to 16G) will be described with reference to FIGS. In FIG. 9, illustration of a transport mechanism and the like around the heat treatment unit 16 is omitted. As shown in FIG. 9, a heat treatment section 16F in a developing cell 15A on the second floor is laminated on a heat treatment section 16A in the antireflection film forming cell 12 on the first floor. Similarly, a heat treatment section 16G in the cell 15A is stacked on the heat treatment section 16B in the cell 12. Further, a heat treatment section 16H is laminated on the heat treatment section 16C. Further, a heat treatment section 16F in the developing cell 15B is stacked on the heat treatment section 16D in the resist film formation cell 13, and a heat treatment section 16G is similarly stacked on the heat treatment section 16E.
[0080]
Rails 27 are respectively laid on the apparatus base corresponding to the bottom of the heat treatment unit 16 (16A to 16D) on the first floor, and each rail 27 faces each of the transport mechanisms 17 to 20, 23, and 24. From the normal position C to the retreat position D. Since the heat treatment sections 16 stacked on the respective rails 27 are mounted, when the embodiment apparatus, particularly, the transport mechanisms 17 to 20, 23, and 24 are respectively maintained, as shown in FIG. By moving each heat treatment section 16 from the steady position C to the retreat position D on each rail 27, the maintenance zone E is secured. The maintenance zone E corresponds to a maintenance area in the present invention, and the rail 27 corresponds to a track in the present invention.
[0081]
Returning to FIGS. 1 to 3, a specific configuration of the interface 4 will be described. The interface 4 includes an interface transport path 28, an interface transport mechanism 29, and an interface mounting table 30. The interface transport path 28 is formed in parallel with the indexer transport path 7, as shown in FIGS. The interface transport mechanism 29 moves on the interface transport path 28 to move the substrate between the interface mounting table 30 and the exposure apparatus (stepper) STP indicated by a two-dot chain line in FIGS. 2 and 3. Convey W. The exposure apparatus STP is a separate apparatus from the apparatus of the present embodiment.
[0082]
The specific configuration of the interface transport mechanism 29 is the same as that of the indexer transport mechanism 8 except that the mounting position of the z-axis lifting / lowering mechanism 8c of the indexer transport mechanism 8 is different, and therefore the description thereof is omitted. I do.
[0083]
As shown in FIG. 1, the interface mounting table 30 has a substrate mounting section Pass dedicated to the first floor and a substrate mounting section Pass dedicated to the second floor arranged in a laminated structure. The substrate mounting portion Pass dedicated to the first floor is for transferring the substrate W between the edge exposure transport mechanism 21 and the interface transport mechanism 29 on the first floor portion of the post-exposure heating cell 14. . The substrate mounting portion Pass dedicated to the second floor is for transferring the substrate W between the post-exposure heating transport mechanism 22 and the interface transport mechanism 29 on the second floor portion of the post-exposure heating cell 14. is there. A plurality of buffers (indicated by reference numeral “BF” in FIG. 1) for temporarily placing the substrates W are provided between the two substrate platforms Pass and above the substrate platform dedicated to the second floor. As described above, the substrate mounting portion Pass and the buffer BF dedicated to the first floor and the substrate mounting portion Pass and the buffer BF dedicated to the second floor are arranged in a laminated structure.
[0084]
The two substrate mounting portions Pass are opened in both directions of the post-exposure heating cell 14 and the interface transfer mechanism 29, and the first-floor post-exposure heating cell 14 on the first floor portion is opened through these openings. The substrate W is transferred between the transfer mechanism 21 for edge exposure in the inside, the transfer mechanism 22 for post-exposure heating in the cell 14 for post-exposure heating on the second floor, and the transfer mechanism 29 for interface.
[0085]
The first-floor dedicated buffer BF and the second-floor dedicated buffer BF are each opened at least toward the interface transport mechanism 29 side, and the substrate W is connected to the interface transport mechanism 29 through these openings. Is delivered.
[0086]
Subsequently, a series of substrate processing in the photolithography process will be described with reference to the flowcharts of FIGS. 11 and 12 and FIG. Although a plurality of substrates W are processed in parallel in each process, the description will focus on only one substrate W. In the transport mechanism in FIG. 13, ID indicates an indexer, SC indicates a spin coater (reference numeral 18 indicates an anti-reflection film forming process, reference numeral 20 indicates a resist film forming process), and EE indicates edge exposure. , IF indicates an interface, PEB indicates post-exposure heating, and SD indicates development.
[0087]
(Step S1) Transport by indexer
A cassette C containing a plurality of unprocessed substrates W is mounted on the cassette mounting table 2. In order to take out one substrate W from the cassette C, the indexer transport mechanism 8 moves horizontally on the indexer transport path 7 to a position facing the cassette C. The arm base 8a rotates in a horizontal plane to face the cassette C, and the arm base 8a moves up and down to a position facing the substrate W to be unloaded in the cassette C. Subsequently, the arm 8e moves forward and enters below the substrate W. The arm 8e moves up slightly to receive the substrate W. The substrate W is taken out of the cassette C by retreating the arm 8e holding the substrate W.
[0088]
(Step S2) Delivery at substrate mounting section
In order to transfer the substrate W to the heat treatment section transfer mechanism 17 in the anti-reflection film forming cell 12, the indexer transfer mechanism 8 moves along the indexer transfer path 7 to place the substrate in the heat treatment section 16A in the cell 12. The substrate W is placed on the section Pass. More specifically, the transfer mechanism 8 moves on the transfer path 7 to a position opposite to the substrate mounting portion Pass, and then the arm base 8a is raised and rotated, so that the arm 8e is mounted on the substrate mounting portion. It faces the section Pass. Then, the arm 8e holding the substrate W moves forward, and places the substrate W on the substrate platform Pass through the opening 16a of the substrate platform Pass. Thereafter, the arm 8e moves backward.
[0089]
(Step S3) Adhesion (AHL) processing
In order to receive the substrate W placed on the substrate platform Pass, the arm base 17a of the heat treatment section transport mechanism 17 moves up and rotates in a horizontal plane. When the arm 17d is opposed to the substrate platform Pass, the arm 17d moves forward and unloads the substrate W from the substrate platform Pass through the opening 16a of the substrate platform Pass. Thereafter, the arm 17d is retracted while holding the substrate W.
[0090]
Then, in order to perform processing in the adhesion processing unit AHL of the heat treatment unit 16A, the arm base 17a is lowered to the adhesion processing unit AHL below the substrate mounting unit Pass. Then, the arm 17d moves forward, and places the substrate W on the adhesion processing unit AHL through the opening 16a of the adhesion processing unit AHL. Thereafter, the arm 17d moves backward.
[0091]
An adhesion process is performed on the substrate W placed on the adhesion processing unit AHL in order to improve the adhesion between the substrate W and the photoresist film.
[0092]
When the substrate W is transferred from the adhesion processing unit AHL to the next cooling unit CP, the substrate W is transported by the thermal processing unit transport mechanism 17, so that the substrate W is transferred before the adhesion processing unit AHL until the adhesion process is completed. The transport mechanism 17 may be on standby, but the transport mechanism 17 may transport another substrate W until the adhesion process is completed in order to improve processing efficiency.
[0093]
(Step S4) Cooling (CP) processing
When the adhesion processing is completed, the arm 17d of the transport mechanism 17 enters the adhesion processing section AHL, and unloads the substrate W from the adhesion processing section AHL.
[0094]
Then, in order to perform processing in the cooling unit CP of the heat treatment unit 16A, the arm base 17a descends to the cooling unit CP below the adhesion processing unit AHL, and subsequently, the arm 17d moves forward to open the cooling unit CP. The substrate W is placed on the cooling unit CP through the unit 16a.
[0095]
A cooling process is performed on the substrate W placed on the cooling unit CP in order to cool the substrate W heated by the adhesion processing unit AHL and keep the substrate W at room temperature.
[0096]
(Step S5) Antireflection film formation (BARC) processing
When the cooling process is completed, the arm 18d of the transport mechanism 18 for anti-reflection film forming process unloads the substrate W from the cooling unit CP through the opening 16a of the cooling unit CP.
[0097]
Then, in order to perform processing by the spin coater SC in the anti-reflection film forming cell 12, the arm base 18a of the transport mechanism 18 is lowered and rotated, and subsequently, the arm 18d is advanced to transfer the substrate W to the spin coater SC. It is mounted on a chuck (not shown).
[0098]
An anti-reflection film forming process is performed on the substrate W placed on the spin coater SC while applying the anti-reflection film while rotating the substrate W.
[0099]
(Step S6) Delivery at cooling unit (CP)
When the anti-reflection film forming process ends, the transport mechanism 18 unloads the substrate W from the spin coater SC.
[0100]
Then, in order to carry the wafer W into the cooling unit CP of the heat treatment unit 16A, the arm base 18a of the transport mechanism 18 is raised and rotated, and subsequently, the arm 18d advances to place the substrate W on the cooling unit CP. At this time, if it is necessary to cool the substrate W, the cooling unit CP may perform a cooling process.
[0101]
(Step S7) Heating (HP) processing
In order to receive the substrate W placed on the cooling unit CP, the arm base 17a of the heat treatment unit transfer mechanism 17 enters the cooling unit CP and unloads the substrate W from the cooling unit CP.
[0102]
Then, in order to perform processing in the heating unit HP of the heat treatment unit 16B in the antireflection film forming cell 12, the arm base 17a of the transport mechanism 17 enters the heating unit HP, and places the substrate W on the heating unit HP. I do.
[0103]
A heating process for heating the substrate W after the anti-reflection film forming process is performed on the substrate W placed on the heating unit HP.
[0104]
(Step S8) Delivery at substrate mounting section
When the heating process ends, the transport mechanism 17 unloads the substrate W from the heating unit HP.
[0105]
Then, in order to transfer the substrate W to the heat treatment section transfer mechanism 19 in the resist film forming cell 13, the heat treatment section transfer mechanism 17 places the substrate W on the substrate mount Pass of the heat treatment section 16C.
[0106]
(Step S9) Delivery at cooling unit (CP)
In order to receive the substrate W placed on the substrate platform Pass, the heat treatment unit transport mechanism 19 unloads the substrate W from the substrate platform Pass.
[0107]
Then, the transport mechanism 19 places the substrate W on the cooling unit CP of the heat treatment unit 16D. In the cooling unit CP, a cooling process for cooling the substrate W to a predetermined temperature is performed.
[0108]
(Step S10) Resist film formation processing (SC) processing
In order to receive the substrate W placed on the cooling unit CP, the transport mechanism 20 for resist film formation carries out the substrate W from the cooling unit CP.
[0109]
Then, the transport mechanism 20 places the substrate W on a spin chuck (not shown) of the spin coater SC in order to perform processing by the spin coater SC in the resist film forming cell 13.
[0110]
A resist film forming process for applying a resist to the substrate W mounted on the spin coater SC while rotating the substrate W is performed.
[0111]
(Step S11) Delivery at cooling unit (CP)
When the resist film forming process ends, the transport mechanism 20 unloads the substrate W from the spin coater SC.
[0112]
Then, the transport mechanism 20 places the substrate W on the cooling unit CP of the heat treatment unit 16D. At this time, if it is necessary to cool the substrate W, the cooling unit CP may perform a cooling process.
[0113]
(Step S12) Heating (HP) processing
In order to receive the substrate W placed on the cooling unit CP, the transport mechanism 19 for the heat treatment unit unloads the substrate W from the cooling unit CP.
[0114]
Then, in order to perform processing in the heating unit HP of the heat treatment unit 16E in the resist film forming cell 13, the transport mechanism 19 places the substrate W on the heating unit HP.
[0115]
A heating process for heating the substrate W after the resist film forming process is performed on the substrate W placed on the heating unit HP.
[0116]
(Step S13) Cooling (CP) processing
When the heating process ends, the transport mechanism 19 unloads the substrate W from the heating unit HP.
[0117]
Then, the transport mechanism 19 places the substrate W on the cooling unit CP in order to perform processing in the cooling unit CP of the heat treatment unit 16D.
[0118]
A cooling process is performed on the substrate W placed on the cooling unit CP in order to cool the substrate W heated by the heating unit HP and keep the substrate W at room temperature.
[0119]
(Step S14) Delivery at substrate mounting section
When the cooling process is completed, the heat treatment section transport mechanism 19 unloads the substrate W from the cooling section CP.
[0120]
Then, in order to transfer the substrate W to the edge exposure transport mechanism 21 in the post-exposure heating cell 14, the thermal processing section transport mechanism 19 places the substrate W on the substrate platform Pass of the thermal processing section 16D.
[0121]
(Step S15) Edge exposure (EE) processing
In order to receive the substrate W placed on the substrate platform Pass, the edge exposure transport mechanism 21 enters the substrate platform Pass and unloads the substrate W from the substrate platform Pass.
[0122]
Then, the transport mechanism 21 places the substrate W on the edge exposure unit EE in order to perform processing in the edge exposure unit EE in the post-exposure heating cell 14 on the first floor.
[0123]
An edge exposure process for exposing an edge portion of the substrate W is performed on the substrate W placed on the edge exposure unit EE before the exposure process.
[0124]
(Step S16) Delivery at substrate mounting section
When the edge exposure processing in the edge exposure unit EE ends, the transport mechanism 21 for edge exposure unloads the substrate W from the edge exposure unit EE.
[0125]
Then, in order to transfer the substrate W to the interface transport mechanism 29 in the interface 4, the edge exposure transport mechanism 21 places the substrate W on the first-floor dedicated substrate platform Pass in the interface platform 30 in the interface 4. Place.
[0126]
(Step S17) Temporary placement in buffer (BF)
In order to receive the substrate W on the substrate W placed on the substrate platform Pass, the interface transport mechanism 29 enters the substrate platform Pass and unloads the substrate W from the substrate platform Pass. If a waiting time occurs in the substrate W due to the processing time in the exposure apparatus STP, the substrate W is stored in the buffer BF dedicated to the first floor by the interface transport mechanism 29. When the exposure process is performed without any waiting time on the substrate W, the temporary placement in the buffer BF is omitted.
[0127]
(Step S18) Transport by Interface
In order to receive the substrate W placed on the buffer BF, the interface transport mechanism 29 moves along the interface transport path 28, the arm 29e of the transport mechanism 29 advances, and the substrate W is passed through the opening of the buffer BF. Unload from buffer BF.
[0128]
(Step S19) Exposure processing
For processing by the exposure apparatus STP connected to the interface 4, the transport mechanism 29 moves along the transport path 28, and the arm 29e of the transport mechanism 29 moves forward and is loaded into the exposure apparatus STP. Exposure processing of the substrate W is performed on the substrate W carried into the exposure apparatus STP.
[0129]
(Step S20) Transport by Interface
When the exposure processing is completed, the transport mechanism 29 moves along the transport path 28 in order to carry it out of the exposure apparatus STP.
[0130]
(Step S21) Delivery at substrate mounting section
In order to transfer the substrate to the post-exposure heating transport mechanism 22 in the post-exposure heating cell 14 in the second-floor heating section 14, the transport mechanism 29 is transferred to the second-floor dedicated substrate platform Pass on the interface platform 30 in the interface 4. Place W.
[0131]
If a situation that requires time adjustment for transfer to the post-exposure heating transport mechanism 22 occurs, the substrate W is transported to the buffer BF dedicated to the second floor by the interface transport mechanism 29, and the time is adjusted. When it becomes possible to transfer the substrate W to the post-exposure heating transport mechanism 22, the interface transport mechanism 29 transports the substrate W from the buffer BF to the substrate platform Pass.
[0132]
(Step S22) Post-exposure bake (PEB) treatment
In order to receive the substrate W placed on the substrate platform Pass, the post-exposure heating transport mechanism 22 unloads the substrate W from the substrate platform Pass.
[0133]
Then, in order to perform processing in the post-exposure heating unit PEB in the post-exposure heating cell 14 on the second floor, the post-exposure heating transport mechanism 22 places the substrate W on the post-exposure heating unit PEB.
[0134]
The post-exposure baking is performed on the substrate W placed on the post-exposure heating unit PEB to heat the exposed substrate W.
[0135]
(Step S23) Cooling (CP) processing
When the post-exposure baking is completed, the transport mechanism 22 unloads the substrate W from the post-exposure baking section PEB.
[0136]
Then, the arm base 22a of the transport mechanism 22 descends to the cooling unit CP below the post-exposure heating unit PEB in order to perform processing in the cooling unit CP in the post-exposure heating cell 14 on the second floor, and subsequently The arm 22d moves forward to place the substrate W on the cooling unit CP.
[0137]
A cooling process is performed on the substrate W mounted on the cooling unit CP in order to cool the substrate W heated by the post-exposure heating unit PEB and keep the substrate W at room temperature.
[0138]
(Step S24) Delivery at substrate mounting section
When the cooling process ends, the transport mechanism 22 unloads the substrate W from the cooling unit CP.
[0139]
Then, the transfer mechanism 22 places the substrate W on the substrate placement part Pass of the heat treatment unit 16F in the cell 15B in order to transfer the substrate W to the heat treatment unit transfer mechanism 23 in the developing cell 15B.
[0140]
Note that when the substrate W is being processed by the two spin developers SD in the cell 15B, the transport mechanism 22 transfers the cell 15B to the substrate mounting portion Pass of the heat treatment section 16F in the cell 15B via the substrate W. The transfer mechanism 23 in the cell 15B is transferred to the transfer mechanism 23 in the developing cell 15A via the substrate mounting part Pass of the heat treatment section 16H shared by the cells 15A and 15B. 23, and the transfer mechanism 23 in the cell 15A passes the cooling mechanism CP of the heat treatment section 16F in the cell 15A to the developing transfer mechanism 24 in the cell 15A. 24 may be placed on the spin developer SD in the cell 15A, and the spin developer SD may perform development processing.
[0141]
(Step S25) Delivery at cooling unit (CP)
In order to receive the substrate W placed on the substrate platform Pass, the heat treatment section transport mechanism 23 unloads the substrate W from the substrate platform Pass.
[0142]
Then, the substrate W is placed on one of the cooling units CP of the heat treatment unit 16F. In the cooling section CP on which the substrate W is placed, the temperature may be adjusted so that the temperature of the substrate W becomes approximately normal temperature with higher accuracy.
[0143]
(Step S26) Development (SD) processing
In order to receive the substrate W placed on the cooling unit CP, the developing transport mechanism 24 unloads the substrate W from the cooling unit CP.
[0144]
Then, the transport mechanism 24 places the substrate W on a spin chuck (not shown) of the spin developer SD in order to perform processing by the spin developer SD in the developing cell 15B.
[0145]
The developing process is performed on the substrate W placed on the spin developer SD while rotating the substrate W.
[0146]
(Step S27) Delivery at cooling unit (CP)
When the development processing is completed, the transport mechanism 24 unloads the substrate W from the spin developer SD.
[0147]
Then, in order to transfer the substrate W to the heat treatment unit transfer mechanism 23 in the developing cell 15B, the transfer mechanism 24 places the substrate W on the cooling unit CP of the heat treatment unit 16F in the development cell 15B.
[0148]
(Step S28) Heating (HP) processing
In order to receive the substrate W placed on the cooling unit CP, the transport mechanism 23 unloads the substrate W from the cooling unit CP.
[0149]
Then, in order to perform processing in the heating unit HP of the heat treatment unit 16G in the developing cell 15B, the transport mechanism 23 places the substrate W on the heating unit HP.
[0150]
A heating process for heating the substrate W after the development process is performed on the substrate W placed on the heating unit HP.
[0151]
(Step S29) Cooling (CP) processing
When the heating process ends, the transport mechanism 23 unloads the substrate W from the heating unit HP.
[0152]
Then, in order to process the cooling unit CP of the heat treatment unit 16G with the substrate W, the arm base 23a of the transport mechanism 23 descends to the cooling unit CP below the heating unit HP, and subsequently, the arm 23d moves forward. Then, the substrate W is placed on the cooling unit CP.
[0153]
A cooling process is performed on the substrate W placed on the cooling unit CP in order to cool the substrate W heated by the heating unit HP and keep the substrate W at room temperature.
[0154]
(Step S30) Delivery at substrate mounting section
When the cooling process is completed, the transport mechanism 23 unloads the substrate W from the cooling unit CP.
[0155]
Then, in order to transfer the substrate W to the heat treatment unit transfer mechanism 23 in the developing cell 15A, the heat treatment unit transfer mechanism 23 in the development cell 15B places the substrate W on the substrate mounting part Pass of the heat treatment unit 16H.
[0156]
(Step S31) Delivery at substrate mounting section
The heat treatment section transport mechanism 23 in the developing cell 15A unloads the substrate W from the substrate platform Pass.
[0157]
Then, the substrate W is mounted on the substrate mounting portion Pass of the heat treatment section 16F in the developing cell 15A in order to pass the substrate W to the indexer transport mechanism 8 in the indexer 1.
[0158]
(Step S32) Transport by indexer
In order to carry out the substrate W placed on the substrate platform Pass, the indexer transport mechanism 8 moves along the indexer transport path 7 and the arm 8e of the transport mechanism 8 moves forward to load the substrate W onto the substrate platform. It is carried out from the mounting part Pass.
[0159]
In order to store the substrates in the cassette C mounted on the cassette mounting table 2, the transport mechanism 8 moves the transport path 7 to a position facing the cassette C, and the arm base 8a of the transport mechanism 8 To face the cassette C. Subsequently, the arm base 8a is lowered to a position facing the substrate W to be taken out in the cassette C, and the arm 8e advances to enter the lower side of the substrate W. The arm 8e moves down slightly to place the substrate W thereon. When the arm 8e holding the substrate W retreats, the substrate W is stored in the cassette C.
[0160]
A predetermined number of processed substrates W are sequentially stored in the cassette C, and a series of substrate processing is completed.
[0161]
The substrate processing apparatus according to the present embodiment having the above configuration has the following effects. That is, the transfer mechanisms 17 and 19 for the heat treatment section transfer the substrate W to and from the heat treatment section 16C, so that the transfer mechanisms 17 and 19 share the heat treatment section 16C. On the other hand, the transfer mechanism 23 for the heat treatment unit of each of the developing cells 15A and 15B transfers the substrate W to and from the heat treatment unit 16H so that the transfer mechanism 23 shares the heat treatment unit 16H. Constitute. Further, a heat treatment unit is provided so as to transfer the substrates W from the respective transport mechanisms 23 disposed above the transport mechanisms 17 and 19, that is, the second floor portion, and the transport mechanisms 17 and 19, respectively. 16C and 16H are arranged vertically in a hierarchical structure. Then, by configuring the heat treatment units 16C and 16H arranged in a hierarchical structure so as to be movable from the steady position C to the retreat position D, the regions set at the steady positions of the heat treatment units 16C and 16H can be used. A common maintenance zone E for maintaining the transport mechanisms 17, 19, and 23 of FIG.
[0162]
With this configuration, a common maintenance zone E can be secured only by moving the heat treatment units 16C and 16H from the steady position C to the retreat position D. As a result, the transport mechanisms 17, 19, and 23 can be obtained. Can be easily maintained. Further, since the transfer mechanisms 17 and 19 share the heat treatment section 16C and the two transfer mechanisms 23 share the heat treatment section 16H, the processing section transfer paths 25 and 26 do not become long. In addition, the floor area (footprint) on which the device is installed can be reduced.
[0163]
Regarding the other heat treatment units 16 (16A, 16B, 16D, 16E, 16F, 16G), the transfer mechanisms 17 to 20, 23, and 24 can transfer the substrate W to and from the heat treatment units 16 respectively. The transport mechanisms 17 to 20, 23, and 24 are configured to share the respective heat treatment units. Further, a plurality of heat treatment units 16 are arranged vertically in a hierarchical structure so that the substrates W can be transferred from the transport mechanisms 17 to 20 on the first floor and the transport mechanisms 23 and 24 on the second floor. Are configured to be movable from the steady position C to the retreat position D, respectively, so that the region set at the steady position of the heat treatment unit 16 can be transferred to the transport mechanisms 17 to 20, A common maintenance zone E for maintaining 23 and 24 is provided.
[0164]
Further, in order to move each heat treatment unit 16 from the steady position C to the retreat position D, each treatment unit 16 is mounted on the rail 27, and each heat treatment unit 16 is moved on the rail 27. The transport mechanisms 17 to 20, 23, and 24 can be easily maintained.
[0165]
In addition, since each of the heat treatment units 16 does not normally perform a process of supplying a liquid, the liquid is not stored in each of the heat treatment units 16 and the heat treatment unit 16 can be easily moved to the retreat position D. Can be.
[0166]
In other words, in the substrate processing apparatus according to the present embodiment, in other words, the shared heat treatment units 16A to 16H are arranged in a direction other than the transfer direction from each of the transport mechanisms 17 to 20, 23, and 24 sharing the processing unit. It is configured to be evacuated. That is, the retreat position D is located in a direction other than the transfer direction. With this configuration, a common maintenance zone E can be secured, and as a result, the shared substrate transport mechanisms 17 to 20, 23, and 24 can be each easily maintained.
[0167]
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be modified as follows.
[0168]
(1) In the above-described embodiment, the resist processing and the developing processing in the photolithography process are described as an example of the substrate processing, but the substrate processing is not limited to the above-described substrate processing. For example, a chemical solution treatment in which a substrate is immersed in a treatment liquid to perform a treatment including a cleaning treatment, an etching treatment, and a drying treatment, an etching treatment other than the immersion type described above (for example, dry etching or plasma etching), or the immersion type described above Other than the above, a cleaning process (for example, sonic cleaning or chemical cleaning) for rotating and rotating a substrate, an etching process, a chemical mechanical polishing (CMP) process, a sputtering process, a chemical vapor deposition (CVD) process, The present invention can be applied to any substrate processing such as an ashing processing in which a semiconductor substrate, a glass substrate of a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk are processed by a usual method.
[0169]
(2) In the above-described embodiment, the transfer mechanisms 17 to 20, 23, and 24 transfer the substrates W to and from the same heat treatment unit 16, respectively, so that the transfer mechanisms 17 to 20, 23, and 24 are performed. Are configured so as to share the respective heat treatment units 16, and a plurality of heat treatment units are provided so that the substrates W can be transferred from the transfer mechanisms 17 to 20 on the first floor and the transfer mechanisms 23 and 24 on the second floor. Although the heat treatment units 16 are arranged in a hierarchical structure above and below, it is not necessary to arrange the heat treatment units 16 in common and arrange them in a hierarchical structure above and below.
[0170]
For example, in the case of a substrate processing apparatus having a non-hierarchical structure, that is, in the case of a substrate processing apparatus including only the first floor portion or only the second floor portion, the transport mechanisms 17 to 20, 23, and 24 are provided with the same heat treatment unit 16 for the same heat treatment unit 16. By performing the transfer of W, only the transport mechanisms 17 to 20, 23, and 24 are configured to share the respective heat treatment units 16, respectively, and need not be arranged in a hierarchical structure. When the heat treatment unit 16 is a substrate processing apparatus including only the heat treatment units 16B and 16G, the substrate W can be transferred from the heat treatment unit transfer mechanism 17 on the first floor and the heat treatment unit transfer mechanism 19 on the second floor. As described above, the heat treatment units 16B and 16G are merely arranged in a hierarchical structure vertically, and other transport mechanisms do not need to be configured to share the processing units 16B and 16G.
[0171]
(3) In the above-described embodiment, the target to be moved to the evacuation position to secure the maintenance zone E is the heat treatment unit 16, but the target to be moved is not limited to the heat treatment unit 16. For example, the present invention can be applied to a processing unit in which a processing liquid for immersing a substrate is stored.
[0172]
Also, taking this embodiment as an example, the first-floor edge exposing transport mechanism 21 and the first-floor part are transferred from the post-exposure heating transport mechanism 22 on the first-floor part, respectively. The edge exposure portion EE of the post-exposure heating cell 14 and the post-exposure heating portion PEB and the cooling portion CP on the second floor may be arranged vertically in a hierarchical structure. However, in the case of the present embodiment, the edge exposure transport mechanism 21 has the same configuration as the transport mechanisms 17 to 20, 23, and 24 described above (see FIG. 5), so that maintenance of the transport mechanism is facilitated. No processing unit is provided on the side to be maintained (see FIG. 2), but in the case of the post-exposure heating transport mechanism 22, each processing unit is provided around the same (see FIG. 3). Therefore, it is preferable not to dispose the processing unit on the maintenance side.
[0173]
(4) In the above-described embodiment, each processing unit 16 is mounted on the rail 27 so that each heat processing unit 16 can be moved from the steady position C to the retreat position D on the rail 27. The method of moving the unit 16 is not limited to the above-described embodiment. For example, as shown in the plan view of FIG. 14A, a support shaft 16b for supporting the processing unit 16 is connected to the processing unit 16, and the processing unit 16 is placed on a horizontal plane with the support shaft 16b as an axis. May be configured to swing from the stationary position C to the retreat position D. In this case, since the processing unit 16 swings in the horizontal plane about the support shaft 16b, the processing unit 16 can be moved to the retreat position D as shown in FIG.
[0174]
In addition to the above-described modification, for example, as shown in the side view of FIG. 15A, the processing unit 16 is configured to be tilted from the steady position C to the retreat position D about the fulcrum 16 c of the processing unit 16. May be. In this case, by tilting, the processing unit 16 can be tilted to the retreat position D as shown in FIG.
[0175]
(5) Each of the first to third processing units 9 to 11 according to the present embodiment described above may be configured as follows. That is, as shown in FIG. 16, the opening Fa is provided on the right side of each unit, the opening Fb is provided on the left side, the opening Fc is provided on the front, and the opening Fd is provided on the back. By providing these openings Fa to Fd, the outer wall portion of each unit other than the openings Fa to Fd is configured as a frame F of an outer frame. By connecting the frames F of two adjacent units to each other with a connecting member f (for example, metal fittings), the opening Fa on the right side of one unit matches the opening Fb on the left side of the other unit, Adjacent units are communicatively connected. As a result, the processing section transport path in each unit is also communicatively connected across the units. With this configuration, the first to third processing units 9 to 11 can be arranged side by side in the transport direction of the substrate W. Further, each unit may be configured to be detachable so that each unit can be increased or decreased according to the number of substrates to be processed.
[0176]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, according to the present invention, at least two substrate transporting means for transporting substrates between the processing units transfer the substrates to the same processing unit, thereby transferring the substrates. The means may be configured to share the processing unit (the invention according to claim 1), or a plurality of substrate transfer means for transferring a substrate between the processing units may be arranged vertically in a hierarchical structure. A plurality of processing units are vertically arranged in a hierarchical structure so that each of the substrates can be transferred from the transfer means (the invention according to claim 2), and the processing units are moved from the steady position to the retreat position. With this configuration (the invention according to claims 1 and 2), a common maintenance area for maintaining the above-described substrate transfer means can be obtained simply by moving the above-described processing unit from the steady position to the retreat position. Secure Door can be.
[0177]
As a result, it is possible to easily maintain each of the substrate transfer units. Further, the substrate transfer means is configured to share the processing section (the invention according to claim 1), or the processing sections are arranged in a hierarchical structure vertically (as described in claim 2). (Invention), it is also possible to reduce the footprint without increasing the length of the substrate transport path, which is the path for transporting the substrate.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view illustrating a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is a block diagram when the first floor of the substrate processing apparatus according to the present embodiment is viewed in plan.
FIG. 3 is a block diagram when the second floor of the substrate processing apparatus according to the present embodiment is viewed in plan.
4A and 4B are diagrams showing a schematic configuration of an indexer transport mechanism according to the present embodiment, wherein FIG. 4A is a plan view of the indexer transport mechanism, and FIG. 4B is a right side view thereof.
FIG. 5 is a view showing a schematic configuration of a transport mechanism for a heat treatment unit / for an anti-reflection film forming process / for a resist film forming process / for an edge exposure / development according to the present embodiment; FIG. 3B is a plan view of the transport mechanism, and FIG.
FIGS. 6A and 6B are diagrams illustrating a positional relationship between a place where a transport mechanism according to the present embodiment is fixed and a periphery thereof, where FIG. 6A is a plan view when a transport mechanism for a heat treatment unit is fixed, and FIG. FIG. 7 is a plan view when an antireflection film forming / developing transport mechanism on the indexer side is fixed.
FIGS. 7A and 7B are diagrams showing a positional relationship between a place where the transport mechanism according to the present embodiment is fixed and the periphery thereof, and FIG. 7A is a view in which a transport mechanism for resist film formation / development on the interface side is fixed. FIG. 4B is a plan view in the case where the edge exposure transport mechanism is fixed.
8A and 8B are diagrams showing a schematic configuration of a transport mechanism for heating after exposure according to the present embodiment, wherein FIG. 8A is a plan view of the transport mechanism for heating after exposure, FIG. 8B is a side view thereof, and FIG. Is a front view thereof.
FIG. 9 is a perspective view illustrating a schematic configuration of a heat treatment unit according to the present embodiment.
FIG. 10 is a side view illustrating a state where the heat treatment unit according to the present embodiment has moved to the retreat position.
FIG. 11 is a flowchart illustrating a series of substrate processing in a photolithography process in the substrate processing apparatus according to the present embodiment.
FIG. 12 is a flowchart illustrating a series of substrate processing in a photolithography process in the substrate processing apparatus according to the present embodiment.
FIG. 13 is a diagram showing a relationship between a position of a substrate in each processing during a series of substrate processing and a transport mechanism for transporting the substrate.
14A and 14B are plan views of a heat treatment unit according to a modification, in which FIG. 14A is a position when it is located at a steady position and FIG. 14B is a diagram when it is moved to a retreat position.
FIGS. 15A and 15B are side views of a heat treatment unit according to a further modified example, in which FIG. 15A is a position when the heat treatment unit is located at a steady position, and FIG.
FIG. 16 is a perspective view illustrating a schematic configuration of first to third processing units with an outer frame.
FIG. 17 is a block diagram illustrating a configuration of a conventional substrate processing apparatus.
FIGS. 18A and 18B are block diagrams showing a configuration of a conventional substrate processing apparatus.
[Explanation of symbols]
1 ... Indexer
4 ... Interface
16 ... heat treatment part
17, 19, 23 ... transport mechanism for heat treatment section
18: Transport mechanism for anti-reflection film formation processing
20: transport mechanism for resist film formation processing
24… Developing transport mechanism
27… rail
W… Substrate
C ... steady position
D ... evacuation position
E: Maintenance zone

Claims (6)

基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、
前記処理部間で基板を搬送する複数の基板搬送手段を備え、
少なくとも２つの前記基板搬送手段が同じ処理部に対して基板の受け渡しを行うことで、それらの基板搬送手段がその処理部を共用するように構成するとともに、前記共用される処理部を定常位置から退避位置にまで移動可能に構成することで、前記処理部の定常位置に設定された領域を、前記複数の基板搬送手段を保守するための共通の保守領域としたことを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus including a plurality of processing units that perform substrate processing,
A plurality of substrate transport means for transporting the substrate between the processing units,
By carrying out the transfer of the substrate to the same processing unit by at least two of the substrate transfer units, the substrate transfer units are configured to share the processing unit, and the shared processing unit is moved from a steady position. A substrate processing apparatus configured to be movable to an evacuation position, wherein an area set at a steady position of the processing unit is a common maintenance area for maintaining the plurality of substrate transport units. . 基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、
前記処理部間で基板を搬送する複数の基板搬送手段を上下に階層構造で配設し、
前記複数の基板搬送手段からの基板の受け渡しをそれぞれ行えるように、前記複数の処理部を上下に階層構造で配設するとともに、階層構造で配設された前記処理部を定常位置から退避位置にまで移動可能に構成することで、前記複数の処理部の定常位置に設定された領域を、前記複数の基板搬送手段を保守するための共通の保守領域としたことを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus including a plurality of processing units that perform substrate processing,
A plurality of substrate transport means for transporting the substrate between the processing units are arranged in a hierarchical structure vertically,
The plurality of processing units are vertically arranged in a hierarchical structure so that substrates can be transferred from the plurality of substrate transfer units, and the processing units arranged in a hierarchical structure are moved from a steady position to a retracted position. The substrate processing apparatus is configured to be movable to a predetermined position, wherein an area set at a steady position of the plurality of processing units is a common maintenance area for maintaining the plurality of substrate transfer units. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記移動可能に構成される処理部は、基板に対して熱処理を行う熱処理部であることを特徴とする基板処理装置。In the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus, wherein the movable processing unit is a heat treatment unit that performs a heat treatment on the substrate. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記移動可能に構成される処理部の定常位置から退避位置まで延在する軌道を配設し、
前記処理部を前記軌道上に搭載することで、前記処理部を退避位置にまで移動可能にすることを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
Arranging a track extending from a stationary position of the processing unit configured to be movable to a retreat position,
A substrate processing apparatus, wherein the processing unit is mounted on the track so that the processing unit can be moved to a retreat position. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理部を水平面内で定常位置から退避位置まで揺動可能に構成することで、前記処理部を退避位置にまで移動可能にすることを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
A substrate processing apparatus, wherein the processing unit is configured to be swingable from a steady position to a retreat position in a horizontal plane, so that the processing unit is movable to a retreat position. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理部を定常位置から退避位置まで傾倒可能に構成することで、前記処理部を退避位置にまで移動可能にすることを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
A substrate processing apparatus, wherein the processing unit is configured to be tiltable from a steady position to a retreat position, so that the processing unit is movable to a retreat position.
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