JP4150525B2

JP4150525B2 - Display cell manufacturing method

Info

Publication number: JP4150525B2
Application number: JP2002039060A
Authority: JP
Inventors: 秀雄大熊; 智人城内; 祐蔵藤田
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 2002-02-15
Filing date: 2002-02-15
Publication date: 2008-09-17
Anticipated expiration: 2022-02-15
Also published as: JP2003241171A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶ディスプレイ用の液晶セルに関し、特にガラスの厚さを薄くして軽量化が施された表示セル、液晶セルの構造および表示セルの製造方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パーソナルコンピュータ、その他各種モニタ用の画像表示装置として、液晶ディスプレイが普及している。液晶ディスプレイの表示部には、一対のガラス基板間に液晶材料が封入された液晶セルが用いられている。このうち一方のガラス基板がカラーフィルタ基板、また他方のガラス基板がＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）アレイ基板を構成する。ガラス基板の厚さは、例えば０．６〜０．７ｍｍである。
【０００３】
液晶ディスプレイに用いられる液晶セルは、液晶ディスプレイの軽量化に伴って、従来のものよりもさらに薄型化される傾向にある。薄型化の一つの目標は、各々のガラス基板を０．５ｍｍにすることである。このような液晶セルを得る方法として、カラーフィルタ基板とＴＦＴアレイ基板を積層した状態、つまり液晶セルの形態とした後に所望する厚さまで両面研磨装置を用いて研磨する方法が知られている。また、化学エッチング法により液晶セルを薄型化する方法も知られている。以上の薄型化の方法のように、研磨、エッチングを施すのではなく、当初から０．５ｍｍの厚さのガラス基板を用いて液晶セルを得ることも、もちろんできる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
液晶セルを構成するガラス基板を薄型化することにより、軽量化を行うことができるが、ガラス基板は薄くなるにつれてその強度が下がる。
液晶セルを薄型化するにあたって両面研磨装置を用いた場合には、液晶セルの表面全体が研磨される。つまり、カラーフィルタ基板およびＴＦＴアレイ基板の表面全体が研磨されていた。ＴＦＴアレイ基板の周縁の一部に形成された電極には、ＯＬＢ（Other Lead Bonding）工程においてＴＣＰ（Tape Carrier Package）が圧着接続により実装される。しかしながら、薄型化されたＴＦＴアレイ基板は、ＯＬＢ工程における圧着接続に耐え得る十分な強度を有していない。そのためＯＬＢ工程において、ＴＦＴアレイ基板に割れまたは欠けといった損傷が発生することがあった。これは、当初から薄いガラス基板を用いて液晶セルを製造する場合も同様である。
化学エッチング法を用いた場合もＴＦＴアレイ基板の表面全体が研磨されていたので、両面研磨装置を用いた場合と同様に、薄型化されたＴＦＴアレイ基板は十分な強度を有していない。また化学エッチング法では、サイドエッチングの問題も発生する。
【０００５】
以上のようなＴＦＴアレイ基板の割れまたは欠けといった損傷は、液晶セルの製作における歩留まりの低下を招く原因となる。
【０００６】
そこで、本発明は、ガラスの厚さが薄くて軽量化され、その製造工程で必要な強度を有することのできる表示セルを提供することを目的とする。また本発明は、そのような表示セルの製造方法を提供することを他の目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
液晶セルにおいて強度が要求されるのは、ＴＣＰを圧着する特定の領域（ドライバ設定領域）である。したがって、当該領域の厚さを厚くし、強度があまり要求されない他の領域の厚さを薄くすれば、本発明の目的を達成することができる。そして、このような形態は、ブラスト工法を用いて、厚さを薄くすることが許容される領域を選択的に研磨することにより得ることができる。そして上記の目的を達成する本発明は、次のように構成されたことを特徴とする表示セルを提供する。この表示セルは、画像表示領域を有する第１の基板と、この第１の基板と均等な間隔で対向配置され、かつその周縁に沿って位置する第１の領域およびこの第１の領域に取り囲まれる第２の領域を有する第２の基板とを備える。そして、第２の基板においては、第１の領域の一部または全部を、第２の領域よりも厚く形成する。
また、この表示セルにおいて第１の基板は、その周縁に沿って位置する第３の領域およびこの第３の領域に取り囲まれる第４の領域を有し、第３の領域の一部または全部が第４の領域よりも厚く形成されている。このように形成することで、第３の領域を例えば矩形状の周縁部、第４の領域を凹部とすることができる。さらに、この表示セルにおいて第１の基板は、第４の領域の厚さ、または第３の領域の厚さおよび第４の領域の厚さが、第２の基板の第１の領域よりも薄く形成されている。第１の基板においては、第４の領域を薄くして凹部としてもよいし、第３の領域および第４の領域を薄くして平滑な面を形成するようにしても構わない。いずれの場合においても第４の領域は、第２の基板の第１の領域より薄く形成される。
本発明の表示セルを構成する第１の基板および第２の基板はガラス板から構成されている。そして、第２の基板における第１の領域の厚さを０．６〜０．８ｍｍまた、第２の領域の厚さを０．５ｍｍ以下とすることが望ましい。第１の領域の強度を確保する一方、第２の領域において軽量化の目的を達成するためである。例えば、第１の基板および第２の基板を構成するガラス板の当初の厚さを０．６〜０．８ｍｍとすると、第１の領域は研磨することなく当初の厚さを維持し、第２の領域は研磨により薄型化されたことになる。
【０００８】
本発明の具体的な適用対象として液晶セルがある。したがって本発明は、次のように構成されたことを特徴とする液晶セルを提供する。この液晶セルは、カラーフィルタ基板とＴＦＴアレイ基板とが液晶層を介して接合されることにより構成され、ＴＦＴアレイ基板は、ＴＦＴ駆動用のドライバを実装するドライバ実装領域と、ＴＦＴが形成されたＴＦＴ形成領域とを備える。この液晶セルでは、ドライバ実装領域の厚さがＴＦＴ形成領域よりも厚く形成される。ドライバ実装領域を厚く形成することによりドライバの圧着接続に耐えることができる。
本発明の液晶セルにおいてＴＦＴアレイ基板は、カラーフィルタ基板に臨む面は同一平面をなし、この臨む面と対向する面において高低差を設けることにより、ドライバ実装領域の厚さをＴＦＴ形成領域よりも厚く形成する。つまり、液晶層に望む面は平坦な面をなし、外部に露出する面において厚さを制御する。
また、本発明の液晶セルにおいてカラーフィルタ基板は、ＴＦＴアレイ基板のドライバ実装領域以下の厚さとすることが望ましい。カラーフィルタ基板には、ドライバ実装領域ほどの強度が要求されないからである。ドライバ実装領域以下の厚さとは、カラーフィルタ基板全体が薄く形成されている形態を含む。他に、周縁部を相対的に厚く、その周縁部に取り囲まれる領域を相対的に薄くする形態を含む。
【０００９】
以上説明した表示セル、液晶セルは、以下のような表示セルの製造方法によって得ることができる。この表示セルの製造方法は、第１の基板と第２の基板とを積層するステップ（ａ）と、第１の基板および／または第２の基板の所定領域に保護部材をマスクするステップ（ｂ）と、保護部材がマスクされた第１の基板または第２の基板の所定面に向けてブラストを噴射するステップ（ｃ）と、第１の基板および／または第２の基板から保護部材を除去するステップ（ｄ）とを含む。本発明における表示セルの製造方法では、ステップ（ｂ）において保護部材をマスクすることにより、所定の領域を選択的に研磨することができる点に特徴を有している。しかも、本発明で採用するブラスト工法によれば、化学エッチングのようにサイド・エッチングの心配もない。
ステップ（ｂ）において保護部材をマスクする所定領域は、第１の基板および／または第２の基板の周縁に沿った領域である。周縁部を研磨せずに当初の厚さを残しておけば、第１の基板および／または第２の基板の全面が研磨された表示セルよりも強度を確保することができる。
表示セルを製造する際の被加工物である第１の基板と第２の基板とでは、第１の基板より第２の基板の表面積が大きい場合に、ステップ（ａ）において、第２の基板には、第１の基板に覆われずに外部に露出する領域が存在する。例えば、液晶セルのＴＦＴアレイ基板上のドライバ実装領域が該当する。そして、ステップ（ｂ）において、外部に露出する領域に保護部材をマスクする。強度を確保するために、ブラストによる研磨を回避するためである。
外部に露出する領域が、実装部品を加圧力を伴って実装する領域となる場合には、この外部に露出する領域は、加圧力を伴う実装、例えば圧着接続に耐える強度を有している必要がある。そのためには、他の領域よりも厚さを厚くする必要がある。そこでステップ（ｂ）では、この外部に露出する領域が研磨されないように保護部材をマスクする。また、外部に露出する領域をマスクすれば、第２の基板が当初から持っている厚さのばらつきを維持することができる。
また、本発明における表示セルの製造方法では、ステップ（ｄ）の前、または後に、積層された第１の基板および第２の基板を洗浄するステップ（ｅ）を行うことができる。ステップ（ｃ）におけるブラストによって吹き付けられた研磨剤および研磨された第１の基板および第２の基板の研磨くずを除去するために有効である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に示す本実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明する。なお、本実施の形態では液晶ディスプレイに用いられる液晶セルを被加工物としている。図１は本実施の形態における液晶セル１００を製造する工程を示す図である。図２は液晶セル１００の構造を示す図である。
図１（ａ）は薄型化前の液晶セル１００の構成を示す。液晶セル１００は、対向配置されたカラーフィルタ基板（第１の基板）１０とＴＦＴアレイ基板（第２の基板）２０とから構成されている。カラーフィルタ基板１０は、平滑な硬質ガラスによって構成され、ＴＦＴアレイ基板２０に臨む面（以下、この面をカラーフィルタ基板１０の下面とし、もう一方の面をカラーフィルタ基板１０の上面とする）には表示領域を構成するためのカラーフィルタが形成されている。ＴＦＴアレイ基板２０は、硬質ガラスによって構成され、カラーフィルタ基板１０の下面に臨む面（以下、ＴＦＴアレイ基板２０の上面とし、もう一方の面をＴＦＴアレイ基板２０の下面とする）には、薄膜トランジスタ等が形成されている。ＴＦＴアレイ基板２０には、ＴＦＴを駆動するためのドライバが実装される。そのために、図１（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０は、少なくともドライバが実装される分だけカラーフィルタ基板１０よりも表面積が大きい。このドライバ実装領域２３は、カラーフィルタ基板１０に覆われず外部に露出するとともに、ドライバを圧着接続するためのアウターリード２１が形成されている。カラーフィルタ基板１０とＴＦＴアレイ基板２０とは、図示しないシール材によってその周縁部が接着されている。
【００１１】
図１（ｂ）に示すように、カラーフィルタ基板１０側の面に露出するＴＦＴアレイ基板２０のドライバ実装領域２３に保護膜３０を形成する。また、ＴＦＴアレイ基板２０の下面周縁の額縁部２４にも同様に保護膜３０を形成する。この保護膜３０の材料としては、塗布性に優れ、塗布後の乾燥・硬化が容易であること、密着性が強く、さらにアウターリード２１を腐食させることがなく、ブラスト加工後に容易に且つ残渣なく除去することができるものを用いることが望ましい。また保護膜３０としては、例えばポリ塩化ビニール粘着テープ等のテープ状の材料を用いることもできる。保護膜３０を形成することにより、後のブラスト加工時にＴＦＴアレイ基板２０のドライバ実装領域２３に形成されたアウターリード２１が損傷するのを防止するとともに、当該部分の厚さを当初のままに維持する。
【００１２】
保護膜３０を形成した後に、ブラスト加工を行う。図１（ｃ）は、その様子を示している。図１（ｃ）に示すように、ブラストノズル４０から、微粒の研磨剤が混入されたブラストエアー４１を液晶セル１００に向けて噴出する。研磨剤としては、例えばアルミナ系の番定＃１２０（中心粒径１０６μｍ）、番定＃３２０（中心粒径４０μｍ）、番定＃１０００（中心粒径１１．５μｍ）の砥粒を用いることができる。また、アルミナ系よりも硬い材質の酸化珪素系の研磨剤を用いることもできる。ブラスト工法には、研磨剤および水を混入したブラストエアー４１を吹き付ける湿式の工法と、水を混入せずに研磨剤だけが混入されたブラストエアー４１を吹き付ける乾式の工法がある。湿式の工法では静電気がほとんど発生しないのに対して、乾式の工法では数ＫＶ以上の静電気が発生する。ガラス基板にて形成された液晶セル１００は帯電しやすいため、静電気障害を受けやすい。より具体的には、ＴＦＴアレイ基板２０に組み込まれた回路が溶融破壊してしまうおそれがある。そこで本実施の形態ではＥＳＤ（Electrical Static Discharge）対策として、研磨剤および水を混入したブラストエアー４１を吹き付ける湿式の工法を用いるのが望ましい。
【００１３】
ブラストノズル４０から噴出した研磨剤入りのブラストエアー４１を、カラーフィルタ基板１０の上面へと吹き付け、ブラストノズル４０をカラーフィルタ基板１０の上面に沿って移動させることにより、カラーフィルタ基板１０の上面を全面にわたって研磨する。このとき、ＴＦＴアレイ基板２０のドライバ実装領域２３は、保護膜３０によって保護されているので、研磨されない。研磨剤入りのブラストエアー４１を吹き付ける時間を調整すれば、任意の厚さのカラーフィルタ基板１０を得ることができる。
【００１４】
カラーフィルタ基板１０側のブラスト加工が終了すると、図１（ｄ）に示すようにＴＦＴアレイ基板２０側にブラストノズル４０を配置し、ＴＦＴアレイ基板２０側のブラスト加工を行う。そして、図１（ｃ）について説明したのと同様に、ブラストノズル４０から研磨剤を含むブラストエアー４１をＴＦＴアレイ基板２０へと吹き付ける。ブラストノズル４０を移動させることによって、ＴＦＴアレイ基板２０の下面を全面にわたって研磨する。このとき、保護膜３０が形成された部分は研磨されない。また、研磨剤入りのブラストエアー４１を吹き付ける時間を調整すれば、任意の厚さのＴＦＴアレイ基板２０を得ることができる。
【００１５】
なお、図１（ｃ）および図１（ｄ）に示したブラスト加工は、液晶セル１００の上下面（カラーフィルタ基板１０側およびＴＦＴアレイ基板２０側）から同時に行ってもよい。ブラスト加工を個別に行う場合には、図１（ｃ）に示したようにして液晶セル１００の上面（カラーフィルタ基板１０側）のブラスト加工を行った後に液晶セル１００を裏返し、液晶セル１００の上面にブラストエアー４１を吹き付けたのと同じブラストノズル４０を用いて液晶セル１００の下面（ＴＦＴアレイ基板２０側）のブラスト加工を行うこともできる。また、図１（ｃ）に示したブラスト加工だけを行い、ＴＦＴアレイ基板２０はブラスト加工しないようにしても構わない。
図１（ｃ）あるいは図１（ｄ）に示したブラスト加工後に液晶セル１００の洗浄が行われる。ブラスト加工を行った際に吹き付けられた研磨剤、および研磨された硬質ガラスを除去するためである。液晶セル１００の洗浄方法としては、例えば樹脂製ゴムローラを接触させて水洗浄を行う方法、水中で超音波洗浄を行う方法を用いることができる。
【００１６】
液晶セル１００の洗浄後に、保護膜３０を除去する。保護膜３０を除去した後の液晶セル１００を図１（ｅ）に示す。図１（ｅ）に示すように、カラーフィルタ基板１０の上面は全体にわたって研磨されている。またＴＦＴアレイ基板２０の下面には、研磨によって凹部２２が形成される。一方、凹部２２を取り囲む額縁部２４は、保護膜３０に保護されていたので、その厚さは当初のままである。
【００１７】
次に、液晶セル１００の各製造工程前後における断面形状および厚さの変遷について、図２を用いて説明する。図２（ａ）は図１（ｂ）に示した液晶セル１００の側面図、図２（ｂ）は図１（ｂ）に示した液晶セル１００のＡ−Ａ矢視断面図である。また、図２（ｃ）は図１（ｅ）に示した液晶セル１００の側面図、図２（ｄ）は図１（ｅ）に示した液晶セル１００のＢ−Ｂ矢視断面図である。
図２（ａ）に示すように、カラーフィルタ基板１０およびＴＦＴアレイ基板２０の当初の厚さは０．７ｍｍである。したがって、液晶セル１００の当初の厚さは約１．４ｍｍである。カラーフィルタ基板１０の下面とＴＦＴアレイ基板２０の上面は、各々同一平面を形成し、かつその間には、図示しないスペーサが挟持されている。したがって、カラーフィルタ基板１０の下面とＴＦＴアレイ基板２０の上面は均等な間隔を維持している。そして図２（ｂ）に示すように、ドライバ実装領域２３およびＴＦＴアレイ基板２０の下面の額縁部２４には、保護膜３０が形成されている。
【００１８】
また、図２（ｃ）に示すように、カラーフィルタ基板１０側をブラスト加工した後にはカラーフィルタ基板１０の厚さは０．４５ｍｍとなる。一方、ＴＦＴアレイ基板２０側をブラスト加工した後には、図２（ｄ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０の保護膜３０が形成されていない部分の厚さは０．４５ｍｍとなって凹部２２を形成する。したがって、凹部２２における液晶セル１００の厚さは約０．９０ｍｍとなる。
【００１９】
以上のように、保護膜３０で所定の部分を保護した上で、ブラスト加工を用いて液晶セル１００の所望部分のみを研磨すれば、液晶セル１００の所望する部分だけを薄型化することができる。液晶セル１００を薄型化することによって液晶セル１００を軽量化することができる。
【００２０】
ブラスト加工の工程においてＴＦＴアレイ基板２０のドライバ実装領域２３および額縁部２４を保護膜３０で保護しておくことにより、この額縁部２４の厚さを当初の厚さのままとすることができる。この部分は、ＯＬＢ工程における圧着接続に耐えることができる強度を具備する。
【００２１】
また、ＴＦＴアレイ基板２０のドライバ実装領域２３および額縁部２４の厚さが当初のままであれば、この部位の厚さは面取りを行うのに十分なものとなる。０．７ｍｍの厚さのＴＦＴアレイ基板２０のドライバ実装領域２３および額縁部２４では、例えばＣ０．２ｍｍの面取りを行うことができる。面取りを行うことによって、作業者による液晶セル１００の検査時におけるハンドリング、または樹脂や金属のピン等による位置精度出しのためのゲージング等におけるＴＦＴアレイ基板２０の割れまたは欠けといった損傷を防止することができる。
【００２２】
さらに、ＴＦＴアレイ基板２０のドライバ実装領域２３における厚さのばらつきを当初のまま維持することができる。厚さのばらつきの低減による効果については後述する。
【００２３】
以上では、カラーフィルタ基板１０の上面全面を研磨する例について説明したが、図３および図４ではカラーフィルタ１０上面の一部を残して研磨する例について説明する。図３は本実施の形態における液晶セル１００を製造する工程を示す図である。図４は液晶セル１００の構造を示す図である。
図３（ａ）に示すように薄型化前の液晶セル１００は、カラーフィルタ基板１０とＴＦＴアレイ基板２０とから構成されている。そして図３（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０のドライバ実装領域２３とＴＦＴアレイ基板２０の額縁部２４に保護膜３０を形成する。さらにカラーフィルタ基板１０の周縁の額縁部１２にも保護膜３０を形成する。
【００２４】
保護膜３０を所定の部分に形成した後に、図３（ｃ）および図３（ｄ）に示すように、ブラストノズル４０から液晶セル１００の上下面に対して研磨剤を含んだブラストエアー４１を吹き付けることによって、カラーフィルタ基板１０の上面およびＴＦＴアレイ基板２０の下面を全面にわたって研磨する。このとき、カラーフィルタ基板１０の額縁部１２、ＴＦＴアレイ基板２０のドライバ実装領域２３および額縁部２４は、保護膜３０によって保護されているので研磨されない。
ブラスト加工後には、液晶セル１００の洗浄を行い、さらに保護膜３０を除去する。保護膜３０を除去した後の液晶セル１００を図３（ｅ）に示す。図３（ｅ）に示すように、カラーフィルタ基板１０の上面には研磨によって凹部１１が形成される。一方、凹部１１を取り囲む額縁部１２は、保護膜３０によって保護されていたので、その厚さは当初のままである。
【００２５】
次に、液晶セル１００の断面形状および厚さの変遷について、図４を用いて説明する。図４（ａ）は図３（ｂ）に示した液晶セル１００の側面図、図４（ｂ）は図３（ｂ）に示した液晶セル１００のＣ−Ｃ矢視断面図である。また、図４（ｃ）は図３（ｅ）に示した液晶セル１００の側面図、図４（ｄ）は図３（ｅ）に示した液晶セル１００のＤ−Ｄ矢視断面図である。
図４（ａ）に示すように、均等な間隔で対向配置されたカラーフィルタ基板１０およびＴＦＴアレイ基板２０の当初の厚さは０．７ｍｍなので、液晶セル１００の当初の厚さは約１．４ｍｍである。そして図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、カラーフィルタ基板１０上面の周縁（額縁部１２）には保護膜３０が形成されている。またＴＦＴアレイ基板２０にも保護膜３０が形成されているが、図２にて説明したものと同様なので説明を省略する。
【００２６】
また、図４（ｃ）に示すように、ブラスト加工後においてもカラーフィルタ基板１０およびＴＦＴアレイ基板２０の周縁の厚さは０．７ｍｍである。一方、図４（ｄ）に示すように、カラーフィルタ基板１０上面およびＴＦＴアレイ基板２０下面の保護膜３０が形成されていない部分の厚さは、それぞれ０．４５ｍｍとなって凹部１１および凹部２２を形成する。凹部１１および凹部２２の部分における液晶セル１００の厚さは約０．９０ｍｍである。また、凹部１１を取り囲む額縁部１２および凹部２２を取り囲む額縁部２４の部分における液晶セル１００の厚さは約１．４０ｍｍである。
【００２７】
以上、図３および図４に示したように、保護膜３０でＴＦＴアレイ基板２０のドライバ実装領域２３および額縁部２４ばかりでなくカラーフィルタ基板１０の額縁部１２をも保護した上で、ブラスト加工を用いて液晶セル１００の所望部分のみを研磨すれば、液晶セル１００の所望部分だけを薄型化することができる。保護膜３０によって保護された額縁部１２および額縁部２４は、ブラスト加工後においても当初の厚さのままとすることができるので、液晶セル１００全体（自体）の強度を保つことができる。また、額縁部１２が当初の厚さのままであれば、額縁部１２の面取りをも行うことができ、割れまたは欠けといった損傷を防止することができる。以上ではＴＦＴアレイ基板２０の周辺の４辺を当初の厚さのままとしたが、ドライバ実装領域２３が存在する２辺のみを当初の厚さのままとしてもよい。
【００２８】
次に、図５を用いて本実施の形態におけるガラスの厚さのばらつきの低減による効果について説明する。図５は本実施の形態における液晶セル１００のＴＣＰ接続位置におけるガラスの厚さのばらつきを示す図である。
図５（ａ）に示すように液晶セル１００のカラーフィルタ基板１０側には、アウターリード２１を有するＴＦＴアレイ基板２０のドライバ実装領域２３が露出している。ＯＬＢ工程では、このアウターリード２１に対して図示しないドライバＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit）を内在するＴＣＰを接続する。ＴＣＰは液晶セル１００のＴＣＰ接続位置Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４，Ｘ５，Ｘ６，Ｘ７，Ｘ８，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３にて接続されるものとする。
【００２９】
図５（ａ）に示したＸ１〜Ｙ３各位置における厚さを測定した結果を図５（ｂ）に示す。なお、測定には厚さ０．７ｍｍのガラス素材（ガラス基板）を用い、両面研磨装置で厚さ０．４５ｍｍまで研磨（機械研磨）したものと、本実施の形態によるブラスト加工で研磨したものを対象とした。ブラスト加工による本実施の形態では、ドライバ実装領域２３の部分は研磨されていない。
図５（ｂ）に示すように、研磨されないＴＦＴアレイ基板２０の厚さのばらつきは最大で８μｍ、最小で１μｍであり、その差は７μｍである。また、機械研磨が施されたＴＦＴアレイ基板２０の厚さのばらつきは最大で１９μｍ、最小で１μｍであり、その差は１８μｍである。このように、研磨が施されない部分のガラスの厚さのばらつきは、機械研磨が行われた部分に比べて小さい。
【００３０】
以上のように、ＴＦＴアレイ基板２０のドライバ実装領域２３を当初の厚さのまま残しておくことによって、ガラスの厚さのばらつきを低減することができる。そうすることによって、従来、機械研磨等を行うことによって生じていた、厚さのばらつきの拡大を防止することができるようになる。そして、十分な強度を有し、且つ厚さのばらつきの小さいＴＦＴアレイ基板２０では、ＯＬＢ工程における割れまたは欠けばかりでなく、厚さのばらつきが原因となっていた圧着不良による歩留まりの低下を防止することができる。
【００３１】
本実施の形態では、液晶セル１００の厚さが約０．９ｍｍとなるまで薄型化する場合について例示したが、ブラスト加工を用いた薄型化では液晶セル１００をさらに薄く加工することができる。ブラスト加工を用いてガラス基板を研磨する場合、１５０μｍ程度まで研磨することができる。つまり、液晶セル１００とすると、研磨部分での厚さが３００μｍ程度のものを得ることも可能である。
【００３２】
以上では、液晶セル１００を製造する工程および液晶セル１００の構成について説明したが、本実施の形態は、液晶以外のセルを製造する工程およびセルの構造としても用いることができる。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、軽量化されたにもかかわらず、必要な強度を有する液晶セルを提供することができる。
【００３４】
また、本発明では、液晶セルの額縁部の研磨を回避することにより、ガラスの厚さのばらつきを低減し、ＴＣＰの圧着不良の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態における液晶セル１００を製造する工程を示す図である。
【図２】本実施の形態における液晶セル１００の構造を示す図である。
【図３】本実施の形態における液晶セル１００を製造する工程を示す図である。
【図４】本実施の形態における液晶セル１００の構造を示す図である。
【図５】本実施の形態における液晶セル１００のＴＣＰ接続位置におけるガラス厚み差を示す図である。
【符号の説明】
１０…カラーフィルタ基板、１１…凹部、１２…額縁部、２０…ＴＦＴアレイ基板、２１…アウターリード、２２…凹部、２３…ドライバ実装領域、２４…額縁部、３０…保護膜、４０…ブラストノズル、４１…ブラストエアー、１００…液晶セル、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４，Ｘ５，Ｘ６，Ｘ７，Ｘ８，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３…ＴＣＰ接続位置[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid crystal cell for a liquid crystal display, and more particularly to a display cell in which the thickness of the glass is reduced to reduce the weight, the structure of the liquid crystal cell, a method for manufacturing the display cell, and the like.
[0002]
[Prior art]
Liquid crystal displays are widely used as image display devices for personal computers and other various monitors. A liquid crystal cell in which a liquid crystal material is sealed between a pair of glass substrates is used for a display portion of a liquid crystal display. Of these, one glass substrate constitutes a color filter substrate, and the other glass substrate constitutes a TFT (Thin Film Transistor) array substrate. The thickness of the glass substrate is, for example, 0.6 to 0.7 mm.
[0003]
Liquid crystal cells used in liquid crystal displays tend to be thinner than conventional ones as the liquid crystal displays become lighter. One goal of thinning is to make each glass substrate 0.5 mm. As a method for obtaining such a liquid crystal cell, a method is known in which a color filter substrate and a TFT array substrate are laminated, that is, a method of polishing using a double-side polishing apparatus to a desired thickness after forming a liquid crystal cell. Also known is a method of thinning a liquid crystal cell by a chemical etching method. It is of course possible to obtain a liquid crystal cell by using a glass substrate having a thickness of 0.5 mm from the beginning, instead of performing polishing and etching as in the above thinning method.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
Although the weight can be reduced by reducing the thickness of the glass substrate constituting the liquid crystal cell, the strength of the glass substrate decreases as the glass substrate becomes thinner.
When a double-side polishing apparatus is used for thinning the liquid crystal cell, the entire surface of the liquid crystal cell is polished. That is, the entire surfaces of the color filter substrate and the TFT array substrate have been polished. A TCP (Tape Carrier Package) is mounted on the electrode formed on a part of the periphery of the TFT array substrate by pressure bonding in an OLB (Other Lead Bonding) process. However, the thinned TFT array substrate does not have sufficient strength to withstand the crimp connection in the OLB process. Therefore, in the OLB process, damage such as cracking or chipping may occur in the TFT array substrate. The same applies to the case of manufacturing a liquid crystal cell using a thin glass substrate from the beginning.
Even when the chemical etching method is used, since the entire surface of the TFT array substrate is polished, the thinned TFT array substrate does not have sufficient strength as in the case of using the double-side polishing apparatus. In addition, the chemical etching method also causes a problem of side etching.
[0005]
Damage such as cracking or chipping of the TFT array substrate as described above causes a decrease in yield in the production of the liquid crystal cell.
[0006]
In view of the above, an object of the present invention is to provide a display cell in which the glass is thin and light in weight, and can have a strength required in the manufacturing process. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing such a display cell.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In a liquid crystal cell, strength is required for a specific region (driver setting region) where TCP is pressure-bonded. Therefore, the object of the present invention can be achieved by increasing the thickness of the region and reducing the thickness of other regions where strength is not so required. Such a form can be obtained by selectively polishing a region where the thickness is allowed to be reduced by using a blasting method. The present invention that achieves the above object provides a display cell configured as follows. The display cell includes a first substrate having an image display region, a first region that is disposed opposite to the first substrate at an equal interval, and is positioned along the periphery of the first substrate, and is surrounded by the first region. And a second substrate having a second region. In the second substrate, part or all of the first region is formed thicker than the second region.
In this display cell, the first substrate has a third region located along the periphery of the first substrate and a fourth region surrounded by the third region, and a part or all of the third region is included. It is formed thicker than the fourth region. By forming in this way, a 3rd area | region can be made into a rectangular peripheral part, for example, and a 4th area | region can be made into a recessed part. Further, in this display cell, the first substrate has a thickness of the fourth region, or a thickness of the third region and a thickness of the fourth region, which are thinner than the first region of the second substrate. Is formed. In the first substrate, the fourth region may be thinned to form a recess, or the third region and the fourth region may be thinned to form a smooth surface. In any case, the fourth region is formed thinner than the first region of the second substrate.
The 1st board | substrate and 2nd board | substrate which comprise the display cell of this invention are comprised from the glass plate. It is desirable that the thickness of the first region in the second substrate is 0.6 to 0.8 mm and the thickness of the second region is 0.5 mm or less. This is because the strength of the first region is ensured while the purpose of weight reduction is achieved in the second region. For example, when the initial thickness of the glass plate constituting the first substrate and the second substrate is 0.6 to 0.8 mm, the first region is maintained at the initial thickness without being polished. The area 2 is thinned by polishing.
[0008]
A specific application target of the present invention is a liquid crystal cell. Accordingly, the present invention provides a liquid crystal cell having the following structure. This liquid crystal cell is configured by joining a color filter substrate and a TFT array substrate via a liquid crystal layer, and the TFT array substrate is formed with a driver mounting region for mounting a driver for driving a TFT and a TFT. A TFT formation region. In this liquid crystal cell, the driver mounting region is formed thicker than the TFT formation region. By forming the driver mounting area thick, it is possible to withstand the crimping connection of the driver.
In the liquid crystal cell of the present invention, the surface facing the color filter substrate of the TFT array substrate is the same plane, and by providing a height difference on the surface facing the facing surface, the thickness of the driver mounting region is made larger than that of the TFT forming region. Form thick. That is, the surface desired for the liquid crystal layer is a flat surface, and the thickness is controlled on the surface exposed to the outside.
In the liquid crystal cell of the present invention, it is desirable that the color filter substrate has a thickness equal to or less than the driver mounting area of the TFT array substrate. This is because the color filter substrate is not required to be as strong as the driver mounting area. The thickness below the driver mounting area includes a form in which the entire color filter substrate is formed thin. In addition, a configuration in which the peripheral portion is relatively thick and the region surrounded by the peripheral portion is relatively thin is included.
[0009]
The display cell and the liquid crystal cell described above can be obtained by the following display cell manufacturing method. In this display cell manufacturing method, the step (a) of laminating the first substrate and the second substrate, and the step of masking the protective member in a predetermined region of the first substrate and / or the second substrate (b) ), Spraying blast toward a predetermined surface of the first substrate or the second substrate with the protective member masked, and removing the protective member from the first substrate and / or the second substrate Step (d). The display cell manufacturing method according to the present invention is characterized in that a predetermined region can be selectively polished by masking the protective member in step (b). Moreover, according to the blasting method employed in the present invention, there is no worry of side etching unlike chemical etching.
The predetermined region for masking the protective member in step (b) is a region along the periphery of the first substrate and / or the second substrate. If the original thickness is left without polishing the peripheral portion, the strength can be ensured more than the display cell in which the entire surface of the first substrate and / or the second substrate is polished.
In the case where the surface area of the second substrate is larger than that of the first substrate, the second substrate is the second substrate in the step (a) when the first substrate and the second substrate, which are workpieces for manufacturing the display cell, are used. Has a region exposed to the outside without being covered with the first substrate. For example, the driver mounting area on the TFT array substrate of the liquid crystal cell corresponds. In step (b), the protective member is masked in a region exposed to the outside. This is to avoid polishing by blasting in order to ensure strength.
When the area exposed to the outside is the area where the mounting component is mounted with pressure, the area exposed to the outside needs to have strength to withstand mounting with pressure, for example, crimp connection. There is. For that purpose, it is necessary to make the thickness thicker than other regions. Therefore, in step (b), the protective member is masked so that the region exposed to the outside is not polished. Further, if the region exposed to the outside is masked, the thickness variation of the second substrate from the beginning can be maintained.
Further, in the display cell manufacturing method of the present invention, the step (e) of cleaning the stacked first substrate and second substrate can be performed before or after the step (d). It is effective for removing abrasives blown by blasting in step (c) and polishing debris of the polished first substrate and second substrate.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on the embodiments shown in the accompanying drawings. In this embodiment mode, a liquid crystal cell used for a liquid crystal display is a workpiece. FIG. 1 is a diagram showing a process of manufacturing a liquid crystal cell 100 in the present embodiment. FIG. 2 is a diagram showing the structure of the liquid crystal cell 100.
FIG. 1A shows the configuration of the liquid crystal cell 100 before thinning. The liquid crystal cell 100 is composed of a color filter substrate (first substrate) 10 and a TFT array substrate (second substrate) 20 which are arranged to face each other. The color filter substrate 10 is made of smooth hard glass and has a surface facing the TFT array substrate 20 (hereinafter, this surface is the lower surface of the color filter substrate 10 and the other surface is the upper surface of the color filter substrate 10). Is formed with a color filter for constituting a display area. The TFT array substrate 20 is made of hard glass and has a thin film transistor on the surface facing the lower surface of the color filter substrate 10 (hereinafter referred to as the upper surface of the TFT array substrate 20 and the other surface as the lower surface of the TFT array substrate 20). Etc. are formed. A driver for driving the TFT is mounted on the TFT array substrate 20. Therefore, as shown in FIG. 1A, the TFT array substrate 20 has a surface area larger than that of the color filter substrate 10 by at least the amount of mounting of the driver. The driver mounting area 23 is not covered with the color filter substrate 10 and exposed to the outside, and an outer lead 21 for crimping and connecting the driver is formed. The peripheral edge portion of the color filter substrate 10 and the TFT array substrate 20 is bonded by a sealing material (not shown).
[0011]
As shown in FIG. 1B, a protective film 30 is formed in the driver mounting region 23 of the TFT array substrate 20 exposed on the surface on the color filter substrate 10 side. Similarly, the protective film 30 is formed on the frame portion 24 at the peripheral edge of the lower surface of the TFT array substrate 20. As a material of this protective film 30, it is excellent in applicability, is easy to dry and harden after application, has strong adhesion, does not corrode the outer lead 21, and is easy and free of residues after blasting. It is desirable to use what can be removed. Moreover, as the protective film 30, tape-shaped materials, such as a polyvinyl chloride adhesive tape, can also be used, for example. By forming the protective film 30, it is possible to prevent the outer lead 21 formed in the driver mounting region 23 of the TFT array substrate 20 from being damaged during subsequent blasting and to maintain the thickness of the portion as it is. To do.
[0012]
After forming the protective film 30, blasting is performed. FIG. 1C shows this state. As shown in FIG. 1C, blast air 41 mixed with fine abrasive is jetted from the blast nozzle 40 toward the liquid crystal cell 100. As the abrasive, for example, alumina type # 120 (center particle size 106 μm), number # 320 (center particle size 40 μm), number # 1000 (center particle size 11.5 μm) may be used. it can. Also, a silicon oxide-based abrasive that is harder than alumina-based material can be used. The blasting method includes a wet method of blowing blast air 41 mixed with an abrasive and water, and a dry method of blowing blast air 41 mixed only with an abrasive without mixing water. In the wet method, static electricity is hardly generated, whereas in the dry method, static electricity of several KV or more is generated. Since the liquid crystal cell 100 formed of a glass substrate is easily charged, it is susceptible to electrostatic damage. More specifically, the circuit incorporated in the TFT array substrate 20 may be melted and broken. Therefore, in the present embodiment, it is desirable to use a wet construction method in which blast air 41 mixed with an abrasive and water is used as an ESD (Electrical Static Discharge) countermeasure.
[0013]
The blast air 41 containing abrasives ejected from the blast nozzle 40 is blown onto the upper surface of the color filter substrate 10, and the blast nozzle 40 is moved along the upper surface of the color filter substrate 10, whereby the upper surface of the color filter substrate 10 is moved. Polish the entire surface. At this time, the driver mounting region 23 of the TFT array substrate 20 is not polished because it is protected by the protective film 30. If the time for spraying the blast air 41 containing the abrasive is adjusted, the color filter substrate 10 having an arbitrary thickness can be obtained.
[0014]
When the blast processing on the color filter substrate 10 side is completed, the blast nozzle 40 is disposed on the TFT array substrate 20 side as shown in FIG. 1D, and the blast processing on the TFT array substrate 20 side is performed. Then, as described with reference to FIG. 1C, blast air 41 containing an abrasive is blown from the blast nozzle 40 onto the TFT array substrate 20. By moving the blast nozzle 40, the entire lower surface of the TFT array substrate 20 is polished. At this time, the portion where the protective film 30 is formed is not polished. Further, if the time for blowing the blast air 41 containing the abrasive is adjusted, the TFT array substrate 20 having an arbitrary thickness can be obtained.
[0015]
1C and 1D may be performed simultaneously from the upper and lower surfaces of the liquid crystal cell 100 (the color filter substrate 10 side and the TFT array substrate 20 side). When blasting is performed individually, the liquid crystal cell 100 is turned over after blasting the upper surface (color filter substrate 10 side) of the liquid crystal cell 100 as shown in FIG. It is also possible to perform blasting on the lower surface (TFT array substrate 20 side) of the liquid crystal cell 100 using the same blast nozzle 40 that blows the blast air 41 on the upper surface. Further, only the blasting shown in FIG. 1C may be performed, and the TFT array substrate 20 may not be blasted.
The liquid crystal cell 100 is cleaned after the blast processing shown in FIG. 1C or FIG. This is to remove the abrasive sprayed during the blasting process and the polished hard glass. As a method for cleaning the liquid crystal cell 100, for example, a method of performing water cleaning by contacting a resin rubber roller, or a method of performing ultrasonic cleaning in water can be used.
[0016]
After cleaning the liquid crystal cell 100, the protective film 30 is removed. The liquid crystal cell 100 after removing the protective film 30 is shown in FIG. As shown in FIG. 1E, the entire upper surface of the color filter substrate 10 is polished. A recess 22 is formed on the lower surface of the TFT array substrate 20 by polishing. On the other hand, since the frame portion 24 surrounding the recess 22 is protected by the protective film 30, its thickness remains the same.
[0017]
Next, transition of the cross-sectional shape and thickness before and after each manufacturing process of the liquid crystal cell 100 will be described with reference to FIG. 2A is a side view of the liquid crystal cell 100 shown in FIG. 1B, and FIG. 2B is a cross-sectional view of the liquid crystal cell 100 shown in FIG. FIG. 2C is a side view of the liquid crystal cell 100 shown in FIG. 1E, and FIG. 2D is a cross-sectional view of the liquid crystal cell 100 shown in FIG. .
As shown in FIG. 2A, the initial thickness of the color filter substrate 10 and the TFT array substrate 20 is 0.7 mm. Therefore, the initial thickness of the liquid crystal cell 100 is about 1.4 mm. The lower surface of the color filter substrate 10 and the upper surface of the TFT array substrate 20 form the same plane, and a spacer (not shown) is sandwiched therebetween. Therefore, the lower surface of the color filter substrate 10 and the upper surface of the TFT array substrate 20 are maintained at an equal interval. As shown in FIG. 2B, a protective film 30 is formed on the frame portion 24 on the lower surface of the driver mounting region 23 and the TFT array substrate 20.
[0018]
Further, as shown in FIG. 2C, after the color filter substrate 10 side is blasted, the thickness of the color filter substrate 10 is 0.45 mm. On the other hand, after the blasting of the TFT array substrate 20 side, as shown in FIG. 2D, the thickness of the portion of the TFT array substrate 20 where the protective film 30 is not formed becomes 0.45 mm and the recess 22 Form. Therefore, the thickness of the liquid crystal cell 100 in the recess 22 is about 0.90 mm.
[0019]
As described above, if only a desired portion of the liquid crystal cell 100 is polished by blasting after protecting a predetermined portion with the protective film 30, only the desired portion of the liquid crystal cell 100 can be thinned. . By thinning the liquid crystal cell 100, the liquid crystal cell 100 can be reduced in weight.
[0020]
By protecting the driver mounting region 23 and the frame portion 24 of the TFT array substrate 20 with the protective film 30 in the blasting process, the thickness of the frame portion 24 can be kept at the original thickness. This portion has a strength capable of withstanding the crimp connection in the OLB process.
[0021]
Further, if the thicknesses of the driver mounting region 23 and the frame portion 24 of the TFT array substrate 20 remain as they are, the thickness of this portion is sufficient for chamfering. In the driver mounting region 23 and the frame portion 24 of the TFT array substrate 20 having a thickness of 0.7 mm, for example, chamfering of C 0.2 mm can be performed. By performing chamfering, it is possible to prevent damage such as cracking or chipping of the TFT array substrate 20 during handling of the liquid crystal cell 100 by an operator or gauging for obtaining positional accuracy by a resin or metal pin or the like. it can.
[0022]
Further, the thickness variation in the driver mounting region 23 of the TFT array substrate 20 can be maintained as it is. The effect of reducing the thickness variation will be described later.
[0023]
The example of polishing the entire upper surface of the color filter substrate 10 has been described above. However, FIGS. 3 and 4 illustrate an example of polishing while leaving a part of the upper surface of the color filter 10. FIG. 3 is a diagram showing a process of manufacturing the liquid crystal cell 100 in the present embodiment. FIG. 4 is a diagram showing the structure of the liquid crystal cell 100.
As shown in FIG. 3A, the liquid crystal cell 100 before thinning is composed of a color filter substrate 10 and a TFT array substrate 20. Then, as shown in FIG. 3B, a protective film 30 is formed on the driver mounting region 23 of the TFT array substrate 20 and the frame portion 24 of the TFT array substrate 20. Further, a protective film 30 is also formed on the frame portion 12 at the periphery of the color filter substrate 10.
[0024]
After forming the protective film 30 in a predetermined portion, as shown in FIGS. 3C and 3D, blast air 41 containing an abrasive is applied from the blast nozzle 40 to the upper and lower surfaces of the liquid crystal cell 100. By spraying, the entire upper surface of the color filter substrate 10 and the lower surface of the TFT array substrate 20 are polished. At this time, the frame portion 12 of the color filter substrate 10, the driver mounting region 23 and the frame portion 24 of the TFT array substrate 20 are protected by the protective film 30 and are not polished.
After the blast processing, the liquid crystal cell 100 is cleaned, and the protective film 30 is further removed. The liquid crystal cell 100 after removing the protective film 30 is shown in FIG. As shown in FIG. 3E, a recess 11 is formed on the upper surface of the color filter substrate 10 by polishing. On the other hand, since the frame portion 12 surrounding the recess 11 is protected by the protective film 30, its thickness remains the same.
[0025]
Next, transition of the cross-sectional shape and thickness of the liquid crystal cell 100 will be described with reference to FIG. 4A is a side view of the liquid crystal cell 100 shown in FIG. 3B, and FIG. 4B is a cross-sectional view of the liquid crystal cell 100 shown in FIG. 4C is a side view of the liquid crystal cell 100 shown in FIG. 3E, and FIG. 4D is a cross-sectional view taken along the line DD of the liquid crystal cell 100 shown in FIG. .
As shown in FIG. 4A, the initial thickness of the color filter substrate 10 and the TFT array substrate 20 that are opposed to each other at equal intervals is 0.7 mm. 4 mm. 4A and 4B, a protective film 30 is formed on the periphery (frame portion 12) of the upper surface of the color filter substrate 10. As shown in FIG. A protective film 30 is also formed on the TFT array substrate 20, but the description is omitted because it is the same as that described with reference to FIG. 2.
[0026]
As shown in FIG. 4C, the peripheral thickness of the color filter substrate 10 and the TFT array substrate 20 is 0.7 mm even after blasting. On the other hand, as shown in FIG. 4 (d), the thickness of the upper surface of the color filter substrate 10 and the lower surface of the TFT array substrate 20 where the protective film 30 is not formed is 0.45 mm, respectively. Form. The thickness of the liquid crystal cell 100 in the concave portion 11 and the concave portion 22 is about 0.90 mm. Further, the thickness of the liquid crystal cell 100 in the frame portion 12 surrounding the recess 11 and the frame portion 24 surrounding the recess 22 is about 1.40 mm.
[0027]
As described above, as shown in FIGS. 3 and 4, the protective film 30 protects not only the driver mounting region 23 and the frame portion 24 of the TFT array substrate 20 but also the frame portion 12 of the color filter substrate 10. If only the desired part of the liquid crystal cell 100 is polished by using this, only the desired part of the liquid crystal cell 100 can be thinned. Since the frame portion 12 and the frame portion 24 protected by the protective film 30 can be kept at the original thickness even after blasting, the strength of the entire liquid crystal cell 100 (itself) can be maintained. Further, if the frame portion 12 remains at the original thickness, the frame portion 12 can be chamfered, and damage such as cracking or chipping can be prevented. In the above, the four sides around the TFT array substrate 20 are kept at the original thickness, but only the two sides where the driver mounting area 23 exists may be kept at the original thickness.
[0028]
Next, the effect of reducing variation in glass thickness in the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram showing variations in the glass thickness at the TCP connection position of the liquid crystal cell 100 in the present embodiment.
As shown in FIG. 5A, the driver mounting region 23 of the TFT array substrate 20 having the outer leads 21 is exposed on the color filter substrate 10 side of the liquid crystal cell 100. In the OLB process, a TCP having a driver LSI (Large Scale Integrated Circuit) (not shown) is connected to the outer lead 21. TCP is assumed to be connected at TCP connection positions X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, Y1, Y2, Y3 of the liquid crystal cell 100.
[0029]
The result of having measured the thickness in each position of X1-Y3 shown to Fig.5 (a) is shown in FIG.5 (b). In addition, a glass material (glass substrate) having a thickness of 0.7 mm was used for the measurement, and was polished to a thickness of 0.45 mm (mechanical polishing) with a double-side polishing apparatus, and was polished by blasting according to this embodiment. Targeted. In the present embodiment by blasting, the driver mounting area 23 is not polished.
As shown in FIG. 5B, the variation in the thickness of the TFT array substrate 20 that is not polished is 8 μm at the maximum, 1 μm at the minimum, and the difference is 7 μm. The thickness variation of the TFT array substrate 20 subjected to the mechanical polishing is 19 μm at the maximum, 1 μm at the minimum, and the difference is 18 μm. Thus, the variation in the thickness of the glass in the portion not subjected to polishing is smaller than that in the portion subjected to mechanical polishing.
[0030]
As described above, by leaving the driver mounting region 23 of the TFT array substrate 20 at its original thickness, it is possible to reduce variations in glass thickness. By doing so, it is possible to prevent an increase in thickness variation that has conventionally occurred by performing mechanical polishing or the like. In addition, the TFT array substrate 20 having sufficient strength and small variation in thickness prevents not only cracking or chipping in the OLB process but also a decrease in yield due to pressure bonding caused by variation in thickness. can do.
[0031]
In the present embodiment, the case where the liquid crystal cell 100 is thinned until the thickness becomes about 0.9 mm is illustrated, but the liquid crystal cell 100 can be further thinned by thinning using blasting. When a glass substrate is polished using blasting, it can be polished to about 150 μm. That is, when the liquid crystal cell 100 is used, it is possible to obtain a polished portion having a thickness of about 300 μm.
[0032]
Although the process for manufacturing the liquid crystal cell 100 and the configuration of the liquid crystal cell 100 have been described above, this embodiment can also be used as a process for manufacturing a cell other than liquid crystal and the structure of the cell.
[0033]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a liquid crystal cell having a necessary strength despite being reduced in weight.
[0034]
Further, in the present invention, by avoiding polishing of the frame portion of the liquid crystal cell, variation in the thickness of the glass can be reduced, and occurrence of poor crimping of TCP can be suppressed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a process of manufacturing a liquid crystal cell 100 in the present embodiment.
FIG. 2 is a diagram showing a structure of a liquid crystal cell 100 in the present embodiment.
FIG. 3 is a diagram showing a process of manufacturing a liquid crystal cell 100 in the present embodiment.
FIG. 4 is a diagram showing a structure of a liquid crystal cell 100 in the present embodiment.
FIG. 5 is a diagram showing a difference in glass thickness at the TCP connection position of the liquid crystal cell 100 in the present embodiment.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Color filter substrate, 11 ... Recessed part, 12 ... Frame part, 20 ... TFT array substrate, 21 ... Outer lead, 22 ... Recessed part, 23 ... Driver mounting area, 24 ... Frame part, 30 ... Protective film, 40 ... Blast nozzle 41 ... blast air, 100 ... liquid crystal cell, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, Y1, Y2, Y3 ... TCP connection position

Claims

A first substrate, and a second substrate that is formed in a rectangular shape and has a region in which mounting components are mounted with pressure on two of the four sides, and has a larger surface area than the first substrate. A display cell manufacturing method comprising:
And step (a) laminating a the first substrate and the second substrate such that the mounting is the region of the second substrate is exposed without being covered by the first substrate,
Masking the region to be mounted from the front and back sides of the second substrate using a protective member;
Blasting toward the surface of the first substrate opposite to the surface facing the second substrate, and polishing the entire surface of the opposite surface (c);
Blasting toward the surface of the second substrate opposite to the surface facing the first substrate, and polishing the entire surface of the opposite surface excluding the region to be mounted (d) When,
Removing the protective member from the second substrate ( e );
A display cell manufacturing method comprising:

2. The method of manufacturing a display cell according to claim 1 , wherein a step ( f ) of cleaning the first substrate and the second substrate stacked is performed before or after the step ( e ). .