JP4147174B2 - Power-on reset circuit - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置に搭載され、電源投入時に内部回路をリセットするためのリセット信号を出力するパワーオンリセット回路に関する。   The present invention relates to a power-on reset circuit that is mounted on a semiconductor device and outputs a reset signal for resetting an internal circuit when power is turned on.

リセット付フリップフロップ等の揮発性データを記憶する回路では、最初の電源投入時に回路を初期値に設定する必要がある。また強誘電体メモリ等の不揮発性メモリを有するLSIでは、電源投入時に不安定な制御信号入力やデータ信号入力による記憶データの破壊を抑止するために、電源投入時はリセット状態にする必要がある。そのために用いられる従来のパワーオンリセット回路の基本構成を図14に示す。   In a circuit for storing volatile data such as a flip-flop with reset, it is necessary to set the circuit to an initial value when the power is first turned on. In addition, in an LSI having a nonvolatile memory such as a ferroelectric memory, it is necessary to be in a reset state when the power is turned on in order to prevent destruction of stored data due to unstable control signal input or data signal input when the power is turned on. . FIG. 14 shows the basic configuration of a conventional power-on reset circuit used for this purpose.

図14に示す従来のパワーオンリセット回路は、充電用コンデンサC0と電流源IS0の直列回路と、充電用コンデンサC0と電流源IS0の接続点を入力とするインバータINV0から構成される。リセットを出力しているときのパワーオンリセット信号PORのレベルをローレベルとするために、インバータINV0の次段にインバータINV1を接続している。電流源IS0は電源投入時に充電用コンデンサC0を充電する時定数を制御するものであって、トランジスタで構成される場合や抵抗素子で構成される場合がある。   The conventional power-on reset circuit shown in FIG. 14 includes a series circuit of a charging capacitor C0 and a current source IS0, and an inverter INV0 having a connection point between the charging capacitor C0 and the current source IS0 as an input. In order to set the level of the power-on reset signal POR when outputting the reset to the low level, the inverter INV1 is connected to the next stage of the inverter INV0. The current source IS0 controls a time constant for charging the charging capacitor C0 when the power is turned on, and may be constituted by a transistor or a resistance element.

電源投入直後は充電用コンデンサC0の上部電極A点の電位はローレベル、インバータINV0の出力C点はハイレベルにあり、インバータINV1の出力であるパワーオンリセット信号PORはローレベルとなり、リセットが出力されている。その後、電流源IS0により充電用コンデンサC0が充電され、充電用コンデンサC0の上部電極A点の電位がインバータINV0のしきい値電圧よりも高くなると、インバータINV0の出力がローレベルになり、インバータINV1の出力であるパワーオンリセット信号PORはハイレベルとなり、リセットが解除される。   Immediately after the power is turned on, the potential of the upper electrode A point of the charging capacitor C0 is low level, the output C point of the inverter INV0 is high level, the power-on reset signal POR that is the output of the inverter INV1 is low level, and the reset is output Has been. Thereafter, the charging capacitor C0 is charged by the current source IS0, and when the potential at the upper electrode A point of the charging capacitor C0 becomes higher than the threshold voltage of the inverter INV0, the output of the inverter INV0 becomes low level, and the inverter INV1 The power-on reset signal POR, which is an output of, becomes a high level, and the reset is released.

図14に示すパワーオンリセット回路は最低限の基本構成であり、特性を改善するための技術が多く開示されている。なお、リセット出力時のパワーオンリセット信号PORがハイレベルでもよい場合には、後段のインバータINV1は不要である。   The power-on reset circuit shown in FIG. 14 has a minimum basic configuration, and many techniques for improving characteristics are disclosed. If the power-on reset signal POR at the time of reset output may be at a high level, the subsequent inverter INV1 is not necessary.

例えば特許文献1に開示されている技術では、電源が短時間にオンオフされた場合でも確実にリセット信号を出力するために、充電用コンデンサに蓄積された電荷を放電するための改善がなされている。   For example, in the technique disclosed in Patent Document 1, in order to reliably output a reset signal even when the power source is turned on and off in a short time, an improvement for discharging the charge accumulated in the charging capacitor has been made. .

また特許文献2に開示されている技術では、電源電圧設定回路を設け、電源電圧が設定電圧に達した後、充電用コンデンサへの充電を開始することで、電源電圧が緩やかに上昇したときにも確実にリセット信号を出力するようにしている。
特開2003−110414号公報(第3頁、第1図) 特開平9−270686号公報(第3−4頁、第1図)
In the technique disclosed in Patent Document 2, a power supply voltage setting circuit is provided, and after the power supply voltage reaches the set voltage, charging to the charging capacitor is started so that the power supply voltage rises slowly. Also, the reset signal is surely output.
Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-110414 (page 3, FIG. 1) JP-A-9-270686 (page 3-4, FIG. 1)

しかしながら、図14に示すパワーオンリセット回路では、充電用コンデンサC0の上部電極A点の電位は緩やかに上昇するため、インバータINV0に長時間貫通電流が流れる。このため、貫通電流による消費電力が増加する。また、電磁波を整流して内部電源を得る非接触ICカードのような用途では、電源電圧が急激に降下し、パワーオンリセット信号PORがチャタリングを起こすおそれがある。   However, in the power-on reset circuit shown in FIG. 14, since the potential at the upper electrode A point of the charging capacitor C0 rises gently, a through current flows through the inverter INV0 for a long time. For this reason, the power consumption by a through current increases. Also, in applications such as a non-contact IC card that rectifies electromagnetic waves to obtain an internal power supply, the power supply voltage may drop sharply and the power-on reset signal POR may chatter.

この課題について、図15を用いて説明する。図15は図14に示すパワーオンリセット回路の各点(電源VDD、A点、C点、POR)の電位の変化と、インバータINV0に流れる電流を示す。また図16はインバータ回路の入力電圧に対する出力電圧とインバータに流れる電流のDC特性を示す。   This problem will be described with reference to FIG. FIG. 15 shows a change in potential at each point (power supply VDD, point A, point C, POR) of the power-on reset circuit shown in FIG. 14 and a current flowing through the inverter INV0. FIG. 16 shows the DC characteristics of the output voltage with respect to the input voltage of the inverter circuit and the current flowing through the inverter.

電源投入時、電流源IS0による充電用コンデンサC0の充電が開始され、その上部電極A点は図15に示すように、ある時定数に従って電位が上昇する。インバータINV0の出力C点の電位は、図16に示す出力電圧特性に従い、ハイレベルからローレベルに変化する。このとき、図16に示す電流特性に従ってインバータINV0に電流が流れる。T0のようにリセット期間を十分に確保するためには、充電用コンデンサC0を充電する時定数τ0を十分大きくする必要がある。そうすると、充電用コンデンサC0の上部電極A点の電位、すなわちインバータINV0の入力電圧はat1で示すように緩やかに上昇し、またインバータINV0の出力電圧はat2で示すように緩やかに下降し、その結果、T1のようにインバータINV0に長時間DC電流が流れることになる。   When the power is turned on, charging of the charging capacitor C0 by the current source IS0 is started, and the potential of the upper electrode A point rises according to a certain time constant as shown in FIG. The potential at the output C point of the inverter INV0 changes from the high level to the low level according to the output voltage characteristics shown in FIG. At this time, a current flows through the inverter INV0 according to the current characteristics shown in FIG. In order to ensure a sufficient reset period as in T0, it is necessary to sufficiently increase the time constant τ0 for charging the charging capacitor C0. Then, the potential at the upper electrode A point of the charging capacitor C0, that is, the input voltage of the inverter INV0 gradually rises as indicated by at1, and the output voltage of the inverter INV0 gradually falls as indicated by at2. , DC current flows through the inverter INV0 for a long time like T1.

先に挙げた、特許文献1及び特許文献2におけるパワーオンリセット回路においても、時定数回路のコンデンサ上部電極がインバータの入力に接続される構成をとっており、同様の課題を含んでいる。   The power-on reset circuits in Patent Document 1 and Patent Document 2 described above have a configuration in which the capacitor upper electrode of the time constant circuit is connected to the input of the inverter, and includes the same problem.

本発明は、上記の如き従来の課題を解決するためになされたもので、その目的は、消費電流を削減することが可能なパワーオンリセット回路を提供することである。   The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, and an object of the present invention is to provide a power-on reset circuit capable of reducing current consumption.

本発明は、上記の課題を解決するために次のような手段を講じる。   The present invention takes the following means in order to solve the above problems.

(1)第1の解決手段として、本発明によるパワーオンリセット回路は、電源と接地との間に挿入された、電流源と充電用コンデンサとの直列回路と、前記充電用コンデンサの上部電極に接続されてパワーオンリセット信号を出力するインバータと、前記充電用コンデンサの上部電極と前記インバータの入力との間に挿入された遅延用スイッチング素子と、前記遅延用スイッチング素子のゲート電位を制御するゲート電位制御手段とを備えた構成とされている。   (1) As a first solution, a power-on reset circuit according to the present invention includes a series circuit of a current source and a charging capacitor inserted between a power source and ground, and an upper electrode of the charging capacitor. An inverter connected to output a power-on reset signal, a delay switching element inserted between the upper electrode of the charging capacitor and the input of the inverter, and a gate for controlling the gate potential of the delay switching element And a potential control means.

この構成による作用は次のとおりである。リセット期間を十分に確保するために充電用コンデンサの充電時定数を十分大きくすると、充電用コンデンサの上部電極の電位の上昇は緩やかなものとなる。そのままでは、インバータに電流が流れる時間が長くなってしまう。そこで、ゲートがゲート電位制御手段によって制御される遅延用スイッチング素子を追加している。充電用コンデンサが充電されてその上部電極の電位が所定値を上回るまでは遅延用スイッチング素子はオフ状態にあり、インバータの入力電位の上昇が抑えられる。充電用コンデンサの上部電極の電位が所定値を上回ると遅延用スイッチング素子がオン状態に反転し、インバータの入力電位の上昇が開始される。   The effect | action by this structure is as follows. If the charging time constant of the charging capacitor is sufficiently increased in order to ensure a sufficient reset period, the potential of the upper electrode of the charging capacitor rises gradually. As it is, the time for the current to flow through the inverter becomes long. Therefore, a delay switching element whose gate is controlled by the gate potential control means is added. Until the charging capacitor is charged and the potential of the upper electrode thereof exceeds a predetermined value, the delay switching element is in an OFF state, and an increase in the input potential of the inverter is suppressed. When the potential of the upper electrode of the charging capacitor exceeds a predetermined value, the delay switching element is inverted to the ON state, and the input potential of the inverter starts to rise.

このように、遅延用スイッチング素子は、充電用コンデンサの充電開始からインバータ入力電位の上昇開始までの間に所定の遅延を確保している。インバータの入力電位は急峻に上昇し、その結果、インバータに電流が流れる時間が短くなり、インバータに流れる電流を削減することができる。   As described above, the delay switching element ensures a predetermined delay between the start of charging the charging capacitor and the start of the rise of the inverter input potential. The input potential of the inverter rises sharply. As a result, the time during which current flows through the inverter is shortened, and the current flowing through the inverter can be reduced.

(2)第2の解決手段として、本発明によるパワーオンリセット回路は、上記第1の解決手段において、前記ゲート電位制御手段を次のように構成したものである。それは、前記ゲート電位制御手段が、電源と接地との間に直列接続された電流源と1つ以上の電圧降下用ダイオードからなり、前記電流源と前記電圧降下用ダイオードとの接続点または当該ダイオードどうしの接続点の内のいずれかの接続点が前記遅延用スイッチング素子のゲートに接続された構成とされていることである。   (2) As a second solution, a power-on reset circuit according to the present invention is the above-described first solution, wherein the gate potential control device is configured as follows. The gate potential control means comprises a current source and one or more voltage drop diodes connected in series between a power supply and ground, and a connection point between the current source and the voltage drop diode or the diode One of the connection points is connected to the gate of the delay switching element.

電圧降下用ダイオードの順方向電圧に相当する電圧降下によりゲート電位制御手段の出力電圧を生成し、この出力電圧を遅延用スイッチング素子のゲートに印加する。充電用コンデンサの上部電極の電位が、ゲート電位制御手段の出力電圧に遅延用スイッチング素子のしきい値電圧を加えた電圧よりも高くなると、遅延用スイッチング素子が導通する。電圧降下用ダイオードの個数または順方向電圧の調整により、遅延用スイッチング素子の導通タイミングの制御が容易となる。   An output voltage of the gate potential control means is generated by a voltage drop corresponding to the forward voltage of the voltage drop diode, and this output voltage is applied to the gate of the delay switching element. When the potential of the upper electrode of the charging capacitor becomes higher than the voltage obtained by adding the threshold voltage of the delay switching element to the output voltage of the gate potential control means, the delay switching element becomes conductive. By adjusting the number of voltage drop diodes or the forward voltage, the conduction timing of the delay switching element can be easily controlled.

(3)第3の解決手段として、本発明によるパワーオンリセット回路は、上記第2の解決手段において、前記ゲート電位制御手段を次のように構成したものである。それは、前記電圧降下用ダイオードの代わりに、ゲートとドレインが接続されたトランジスタが用いられていることである。   (3) As a third solution, a power-on reset circuit according to the present invention is the above-described second solution, wherein the gate potential control unit is configured as follows. That is, instead of the voltage drop diode, a transistor having a gate and a drain connected thereto is used.

トランジスタのゲートとドレインを互いに接続することにより、そのトランジスタをダイオード化することができる。構成素子をトランジスタとすることで半導体装置の集積度が増す。   By connecting the gate and drain of a transistor to each other, the transistor can be formed into a diode. By using transistors as constituent elements, the degree of integration of the semiconductor device is increased.

(4)第4の解決手段として、本発明によるパワーオンリセット回路は、上記第2、第3の解決手段において、前記ゲート電位制御手段にさらに電流遮断用スイッチング素子が直列に接続され、前記電流遮断用スイッチング素子のゲートが前記インバータの出力に接続されているものである。   (4) As a fourth solving means, in the power-on reset circuit according to the present invention, in the second and third solving means, a current blocking switching element is further connected in series to the gate potential control means, and the current The gate of the switching element for interruption is connected to the output of the inverter.

遅延用スイッチング素子が導通し、インバータの出力が反転してリセットが解除されると、これに応じて電流遮断用スイッチング素子が遮断し、ゲート電位制御手段に電流が流れなくなる。これによって消費電流をさらに抑えることができる。   When the delay switching element is turned on, the output of the inverter is inverted and the reset is released, the current interrupting switching element is interrupted accordingly, and no current flows through the gate potential control means. This can further reduce current consumption.

(5)第5の解決手段として、本発明によるパワーオンリセット回路は、上記第1〜第4の解決手段において、さらに、前記充電用コンデンサの上部電極と電源電圧との間に充電加速用スイッチング素子が挿入され、前記充電加速用スイッチング素子のゲートが前記インバータの出力に接続されたものである。   (5) As a fifth solution, the power-on reset circuit according to the present invention is the switching circuit for accelerating charging between the upper electrode of the charging capacitor and the power supply voltage in the first to fourth solutions. An element is inserted, and the gate of the charging acceleration switching element is connected to the output of the inverter.

遅延用スイッチング素子が導通し、インバータの出力が反転しようとする過程において、充電加速用スイッチング素子が導通し、これに応じて充電用コンデンサに対する充電が加速されることになる。したがって、インバータに電流が流れる時間がさらに短縮され、消費電流をさらに削減することができる。また、充電加速用スイッチング素子の導通により充電用コンデンサの充電経路のインピーダンスを低くし、電源電圧変動時にもインバータ入力電位が電源変動に瞬時に追従することになる。その結果、電源変動時に起こる可能性のあるパワーオンリセット信号のチャタリングを抑止することができる。   In the process in which the delay switching element is turned on and the output of the inverter is going to invert, the charging acceleration switching element is turned on, and the charging of the charging capacitor is accelerated accordingly. Therefore, the time during which current flows through the inverter is further shortened, and current consumption can be further reduced. Further, the conduction of the charging acceleration switching element lowers the impedance of the charging path of the charging capacitor, so that the inverter input potential instantaneously follows the power supply fluctuation even when the power supply voltage fluctuates. As a result, chattering of the power-on reset signal that may occur when the power supply fluctuates can be suppressed.

(6)第6の解決手段として、本発明によるパワーオンリセット回路は、上記第1〜第4の解決手段において、さらに、電源と前記インバータの入力との間に充電加速用スイッチング素子が挿入され、前記充電加速用スイッチング素子のゲートが前記インバータの出力に接続されたものである。充電加速用スイッチング素子の接続位置が上記(5)と相違するだけで、作用効果は(5)と同様である。   (6) As a sixth solving means, in the power-on reset circuit according to the present invention, in the first to fourth solving means, a charging acceleration switching element is further inserted between the power source and the input of the inverter. The gate of the switching element for acceleration of charge is connected to the output of the inverter. The operational effect is the same as (5) except that the connection position of the charge accelerating switching element is different from the above (5).

(7)第7の解決手段として、本発明によるパワーオンリセット回路は、上記第1〜第6の解決手段において、さらに、前記インバータの入力と接地との間に電位安定用コンデンサが挿入されたものである。   (7) As a seventh solving means, in the power-on reset circuit according to the present invention, in the first to sixth solving means, a potential stabilizing capacitor is further inserted between the input of the inverter and the ground. Is.

電源投入時には遅延用スイッチング素子がオフしていることから、インバータの入力電位はフローティングとなっていて不安定である。そこで、インバータの入力と接地との間に電位安定用コンデンサを挿入してインバータの入力電位を安定化させることができる。   Since the delay switching element is turned off when the power is turned on, the input potential of the inverter is floating and unstable. Therefore, a potential stabilizing capacitor can be inserted between the input of the inverter and the ground to stabilize the input potential of the inverter.

(8)第8の解決手段として、本発明によるパワーオンリセット回路は、上記第1〜第7の解決手段において、さらに、前記充電用コンデンサの上部電極と接地との間、および、前記インバータの入力と接地との間にそれぞれ挿入された放電用スイッチング素子と、電源電圧の低下を検知して前記両放電用スイッチング素子のゲート電位を制御する放電制御手段とを備えたものである。   (8) As an eighth solving means, the power-on reset circuit according to the present invention is the above first to seventh solving means, further comprising an upper electrode of the charging capacitor and the ground, and the inverter. Discharging switching elements inserted between the input and the ground, respectively, and discharging control means for detecting a decrease in power supply voltage and controlling the gate potentials of both discharging switching elements.

放電制御手段は電源電圧の低下を検出すると、両放電用スイッチング素子を導通し、充電用コンデンサを放電するとともに、インバータ入力の寄生容量または電位安定用コンデンサを放電し、初期化する。その結果、電源電圧が短時間でオフオンしたときでも、初期化で電荷が十分に放電されているため、パワーオンリセット信号の出力動作を安定的に開始することができる。   When the discharge control means detects a drop in the power supply voltage, it conducts both discharge switching elements, discharges the charging capacitor, and discharges and initializes the parasitic capacitance of the inverter input or the potential stabilizing capacitor. As a result, even when the power supply voltage is turned on and off in a short time, the electric charge is sufficiently discharged by the initialization, so that the output operation of the power-on reset signal can be stably started.

(9)第9の解決手段として、本発明によるパワーオンリセット回路は、上記第8の解決手段において、さらに、電源と前記インバータの入力との間に直列に接続された、充電加速用スイッチング素子と加速停止用スイッチング素子とを備え、前記充電加速用スイッチング素子のゲートは前記インバータの出力に接続され、前記加速停止用スイッチング素子のゲートは前記放電制御手段により制御されるように構成されている。   (9) As a ninth solving means, the power-on reset circuit according to the present invention is the charging accelerating switching element according to the eighth solving means, further connected in series between the power source and the input of the inverter. And a switching element for accelerating stop, the gate of the switching element for accelerating charging is connected to the output of the inverter, and the gate of the switching element for accelerating stop is controlled by the discharge control means. .

上記第6の解決手段と同様に、充電加速用スイッチング素子の作用でインバータに電流が流れる時間の短縮化を通じて消費電流の削減を促進することができる。電源電圧変動時にインバータ入力電位を瞬時に追従させ、電源変動時に起こり得るパワーオンリセット信号のチャタリングを抑止することができる。それでいて、電源電圧の低下時には、加速停止用スイッチング素子をオフにすることにより、充電加速用スイッチング素子の効果を阻止し、放電用スイッチング素子の導通による初期化を確実化することができる。   Similar to the sixth solving means, the reduction of current consumption can be promoted by shortening the time for the current to flow to the inverter by the action of the charge accelerating switching element. It is possible to instantaneously follow the inverter input potential when the power supply voltage fluctuates, and to suppress chattering of the power-on reset signal that may occur when the power supply fluctuates. Nevertheless, when the power supply voltage is lowered, turning off the acceleration stopping switching element prevents the effect of the charging acceleration switching element, thereby ensuring the initialization by the conduction of the discharging switching element.

(10)第10の解決手段として、本発明によるパワーオンリセット回路は、上記第8、第9の解決手段において、前記充電用コンデンサの上部電極と前記遅延用スイッチング素子の入力との間にさらに充電抑止用ダイオードが挿入されたものである。   (10) As a tenth solution, the power-on reset circuit according to the present invention may further include a power-on reset circuit between the upper electrode of the charging capacitor and the input of the delay switching element in the eighth and ninth solutions. A charging suppression diode is inserted.

電源がオフし、電源電圧が遅延用スイッチング素子のしきい値電圧以下になった時に、充電用コンデンサに蓄えられた電荷が、インバータ入力の寄生容量または電位安定用コンデンサに充電されることを充電抑止用ダイオードの順方向電圧の障壁によって抑止することができる。これにより、インバータの入力は、電源の再投入時においても十分に電荷が放電されており、パワーオンリセット信号の出力動作を安定的に開始することができる。   When the power is turned off and the power supply voltage falls below the threshold voltage of the delay switching element, the charge stored in the charging capacitor is charged to the parasitic capacitance of the inverter input or the potential stabilization capacitor. It can be suppressed by the forward voltage barrier of the suppression diode. Thereby, the input of the inverter is sufficiently discharged even when the power is turned on again, and the output operation of the power-on reset signal can be started stably.

(11)第11の解決手段として、本発明によるパワーオンリセット回路は、上記第10の解決手段において、前記充電抑止用ダイオードの代わりに、ゲートとドレインが接続されたトランジスタが用いられている。   (11) As an eleventh solution, a power-on reset circuit according to the present invention uses a transistor having a gate and drain connected instead of the charge suppression diode in the tenth solution.

トランジスタのゲートとドレインを互いに接続することにより、そのトランジスタをダイオード化することができる。構成素子をトランジスタとすることで半導体装置の集積度が増す。   By connecting the gate and drain of a transistor to each other, the transistor can be formed into a diode. By using transistors as constituent elements, the degree of integration of the semiconductor device is increased.

(12)第12の解決手段として、本発明によるパワーオンリセット回路は、上記第8〜第11の解決手段において、さらに、前記充電用コンデンサの上部電極と前記インバータの入力との間にインピーダンス低減用スイッチング素子が挿入され、前記インピーダンス低減用スイッチング素子のゲートと前記インバータの出力が接続されている。   (12) As a twelfth solving means, the power-on reset circuit according to the present invention is characterized in that, in the eighth to eleventh solving means, the impedance is further reduced between the upper electrode of the charging capacitor and the input of the inverter. Switching element is inserted, and the gate of the impedance reduction switching element and the output of the inverter are connected.

遅延用スイッチング素子が導通し、インバータの出力が反転しようとする過程において、インピーダンス低減用スイッチング素子が導通し、遅延用スイッチング素子と並列に接続されることになる。その結果、充電用コンデンサの上部電極とインバータの入力端子との間のインピーダンスが低減され、インバータの反転が高速化される。したがって、インバータに電流が流れる時間を短縮して消費電流をさらに削減することができ、併せて、電源変動時のインバータのしきい値電圧変動によるチャタリングの抑止が期待できる。   In the process in which the delay switching element is turned on and the output of the inverter is going to be inverted, the impedance reduction switching element is turned on and connected in parallel with the delay switching element. As a result, the impedance between the upper electrode of the charging capacitor and the input terminal of the inverter is reduced, and the inversion of the inverter is speeded up. Accordingly, it is possible to further reduce the current consumption by shortening the time during which the current flows through the inverter, and to suppress chattering due to the threshold voltage fluctuation of the inverter when the power supply fluctuates.

本発明によれば、ゲートがゲート電位制御手段により制御される遅延用スイッチング素子を介して電流源で充電される充電用コンデンサの上部電極とインバータを接続することにより、インバータの出力が変化するときに流れる電流を削減できることができる。また、電源電圧変動時のインバータのしきい値電圧が変化することに起因するパワーオンリセット信号のチャタリングを抑止することができる。   According to the present invention, when the output of the inverter changes by connecting the inverter with the upper electrode of the charging capacitor charged by the current source via the delay switching element controlled by the gate potential control means. The current flowing through can be reduced. Further, chattering of the power-on reset signal due to a change in the threshold voltage of the inverter when the power supply voltage fluctuates can be suppressed.

以下、本発明にかかわるパワーオンリセット回路の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。   Embodiments of a power-on reset circuit according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図である。同図に示すパワーオンリセット回路は、電源VDDと接地との間に電流源IS0と充電用コンデンサC0の直列回路が挿入され、充電用コンデンサC0の上部電極A点に、遅延用スイッチング素子としてのPMOSトランジスタP0を介して、パワーオンリセット信号を出力するインバータINV0の入力B点が接続され、インバータINV0の出力C点にパワーオンリセット信号PORを出力するインバータINV1の入力が接続されている。遅延用スイッチング素子としてのPMOSトランジスタP0は、そのソースが充電用コンデンサC0の上部電極A点に接続され、そのドレインがインバータINV0の入力B点に接続され、トランジスタP0のゲート電位をゲート電位制御回路1によって制御するように構成されている。電流源IS0は、抵抗素子やトランジスタで構成される。先に説明した図14に示す従来回路との相違点は、充電用コンデンサC0の上部電極A点とインバータINV0の入力B点との間に、ゲートがゲート電位制御回路1で制御されるトランジスタP0が挿入されている点である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a power-on reset circuit according to the first embodiment of the present invention. In the power-on reset circuit shown in the figure, a series circuit of a current source IS0 and a charging capacitor C0 is inserted between a power supply VDD and ground, and a delay switching element is provided at the upper electrode A point of the charging capacitor C0. The input B point of the inverter INV0 that outputs the power-on reset signal is connected via the PMOS transistor P0, and the input of the inverter INV1 that outputs the power-on reset signal POR is connected to the output C point of the inverter INV0. The PMOS transistor P0 as a delay switching element has its source connected to the upper electrode A point of the charging capacitor C0, its drain connected to the input B point of the inverter INV0, and the gate potential of the transistor P0 as a gate potential control circuit. 1 to control. The current source IS0 is composed of a resistance element and a transistor. The difference from the conventional circuit shown in FIG. 14 described above is that the transistor P0 whose gate is controlled by the gate potential control circuit 1 between the upper electrode A point of the charging capacitor C0 and the input B point of the inverter INV0. The point is inserted.

本実施の形態のパワーオンリセット回路の動作を、図2を用いて説明する。図2は図1に示すパワーオンリセット回路の各点(電源VDD、A点、B点、C点、POR)の電位の変化と、インバータINV0に流れる電流を示す。   The operation of the power-on reset circuit of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 shows a change in potential at each point (power supply VDD, point A, point B, point C, POR) of the power-on reset circuit shown in FIG. 1, and a current flowing through the inverter INV0.

電源投入直後は、充電用コンデンサC0の上部電極A点の電位はローレベル、インバータINV0の入力B点はローレベル、インバータINV0の出力C点はハイレベルにあり、インバータINV1の出力であるパワーオンリセット信号PORはローレベルとなり、リセットが出力されている。   Immediately after the power is turned on, the potential of the upper electrode A point of the charging capacitor C0 is low level, the input B point of the inverter INV0 is low level, the output C point of the inverter INV0 is high level, and the power on that is the output of the inverter INV1 The reset signal POR becomes low level, and reset is output.

その後、電流源IS0により充電用コンデンサC0が充電され、充電用コンデンサC0の上部電極A点の電位が緩やかに上昇する。ゲート電位制御回路1の出力電位をVDとし、PMOSトランジスタP0のしきい値電圧をVtpとする。A点の電位がVD+|Vtp|よりも高くなるまでPMOSトランジスタP0はオフしており、B点の電位は変化しない。A点の電位がVD+|Vtp|よりも高くなるとPMOSトランジスタP0がオンし、B点がおよそVD+|Vtp|の電位まで急峻に上昇する。これがPMOSトランジスタP0の遅延作用である。   Thereafter, the charging capacitor C0 is charged by the current source IS0, and the potential of the upper electrode A point of the charging capacitor C0 gradually rises. The output potential of the gate potential control circuit 1 is VD, and the threshold voltage of the PMOS transistor P0 is Vtp. The PMOS transistor P0 is off until the potential at the point A becomes higher than VD + | Vtp |, and the potential at the point B does not change. When the potential at the point A becomes higher than VD + | Vtp |, the PMOS transistor P0 is turned on, and the point B rapidly rises to a potential of approximately VD + | Vtp |. This is the delay action of the PMOS transistor P0.

B点の電位がインバータINV0のしきい値電圧よりも高くなると、インバータINV0の出力がローレベルになり、インバータINV1の出力であるパワーオンリセット信号PORはハイレベルとなり、リセットが解除される。   When the potential at point B becomes higher than the threshold voltage of the inverter INV0, the output of the inverter INV0 becomes low level, the power-on reset signal POR that is the output of the inverter INV1 becomes high level, and the reset is released.

本実施の形態によれば、VD+|Vtp|がインバータINV0のしきい値電圧よりも高くなるようにゲート電位制御回路1の出力電位VDを調整することにより、B点の電位がインバータINV0のしきい値電圧よりも高くなるまでの時間を短くすることができる。すなわち、T0のようにリセット期間を十分に確保するために充電用コンデンサC0の充電時定数τ0を十分大きくしており、充電用コンデンサC0の上部電極A点の電位がat1で示すように緩やかに上昇している。それにもかかわらず、インバータINV0の入力B点はat3に示すように急峻に上昇する。その結果、T2に示すようにインバータINV0に電流が流れる時間が短くなり、インバータINV0に流れる電流を削減することができる。   According to the present embodiment, by adjusting the output potential VD of the gate potential control circuit 1 so that VD + | Vtp | becomes higher than the threshold voltage of the inverter INV0, the potential at the point B is reduced by the inverter INV0. The time until it becomes higher than the threshold voltage can be shortened. That is, the charging time constant τ0 of the charging capacitor C0 is sufficiently large to ensure a sufficient reset period as in T0, and the potential at the upper electrode A point of the charging capacitor C0 is gradually increased as indicated by at1. It is rising. Nevertheless, the input point B of the inverter INV0 rises steeply as indicated by at3. As a result, as indicated by T2, the time during which current flows through the inverter INV0 is shortened, and the current flowing through the inverter INV0 can be reduced.

また、電源電圧変動時のインバータINV0のしきい値電圧が変化することに起因するパワーオンリセット信号PORのチャタリングを抑止することができる。これは、電磁波を整流して内部電源を得る非接触ICカードのような用途において、動作の安定を確保する上で有効となる。   Further, chattering of the power-on reset signal POR caused by the change of the threshold voltage of the inverter INV0 when the power supply voltage fluctuates can be suppressed. This is effective in ensuring stable operation in applications such as a non-contact IC card that rectifies electromagnetic waves to obtain an internal power supply.

(実施の形態2)
本発明の実施の形態2はゲート電位制御回路1の具体的構成にかかわるものである。図3は本発明の実施の形態2におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図である。ゲート電位制御回路1は、電源VDDと接地との間に直列接続された電流源IS1と2つの電圧降下用ダイオードD0,D1からなり、電流源IS1と電圧降下用ダイオードD0の接続点を遅延用スイッチング素子であるPMOSトランジスタP0のゲートに接続する構成である。
(Embodiment 2)
The second embodiment of the present invention relates to a specific configuration of the gate potential control circuit 1. FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a power-on reset circuit according to the second embodiment of the present invention. The gate potential control circuit 1 includes a current source IS1 and two voltage drop diodes D0 and D1 connected in series between the power supply VDD and the ground. The connection point between the current source IS1 and the voltage drop diode D0 is used for delay. In this configuration, the switching transistor is connected to the gate of the PMOS transistor P0.

本実施形態では、2個の電圧降下用ダイオードを用いているが、1個または3個以上の電圧降下用ダイオードを用いてもよい。また、本実施形態ではゲート電位制御回路1の出力は直列接続された電流源IS1と電圧降下用ダイオードD0の接続点としているが、直列接続された電圧降下用ダイオードのその他の接続点を出力としてもよい。   In this embodiment, two voltage drop diodes are used, but one or three or more voltage drop diodes may be used. In this embodiment, the output of the gate potential control circuit 1 is a connection point between the series-connected current source IS1 and the voltage drop diode D0, but the other connection point of the series-connected voltage drop diode is used as an output. Also good.

図示例の場合、2つの電圧降下用ダイオードD0,D1の順方向電圧に相当する電圧降下によりゲート電位制御回路1の出力電圧VDを生成し、この出力電圧VDをPMOSトランジスタP0のゲートに印加している。充電用コンデンサC0の上部電極Aの電位が、ゲート電位制御回路1の出力電圧VDにPMOSトランジスタP0のしきい値電圧|Vtp|を加えた電圧VD+|Vtp|よりも高くなると、PMOSトランジスタP0がオンになる。電圧降下用ダイオードの個数または順方向電圧の調整により、PMOSトランジスタP0のオンのタイミングの制御が容易となる。   In the case of the illustrated example, the output voltage VD of the gate potential control circuit 1 is generated by the voltage drop corresponding to the forward voltage of the two voltage drop diodes D0 and D1, and this output voltage VD is applied to the gate of the PMOS transistor P0. ing. When the potential of the upper electrode A of the charging capacitor C0 becomes higher than the voltage VD + | Vtp | obtained by adding the threshold voltage | Vtp | of the PMOS transistor P0 to the output voltage VD of the gate potential control circuit 1, the PMOS transistor P0 Turn on. Adjustment of the number of voltage drop diodes or the forward voltage makes it easy to control the on-timing of the PMOS transistor P0.

(実施の形態3)
本発明の実施の形態3もゲート電位制御回路1の具体的構成にかかわるものである。図4は本発明の実施の形態3におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図である。ゲート電位制御回路1は、電源VDDと接地の間に直列接続された電流源IS1とPMOSトランジスタP1とNMOSトランジスタN0からなり、トランジスタP1,N0のゲートは、トランジスタP1とN0の接続点と接続されており、電流源IS1とPMOSトランジスタP1との接続点をPMOSトランジスタP0のゲートに接続する構成である。これは、実施の形態2の図3において、電圧降下用ダイオードD0,D1の代わりに、PMOSトランジスタP1とNMOSトランジスタN0を用いて、それぞれのゲートとドレインを互いに接続することによりダイオード化したものに相当する。
(Embodiment 3)
The third embodiment of the present invention also relates to a specific configuration of the gate potential control circuit 1. FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a power-on reset circuit according to Embodiment 3 of the present invention. The gate potential control circuit 1 includes a current source IS1, a PMOS transistor P1, and an NMOS transistor N0 connected in series between the power supply VDD and the ground. The gates of the transistors P1 and N0 are connected to the connection point between the transistors P1 and N0. The connection point between the current source IS1 and the PMOS transistor P1 is connected to the gate of the PMOS transistor P0. In FIG. 3 of the second embodiment, this is obtained by using a PMOS transistor P1 and an NMOS transistor N0 in place of the voltage drop diodes D0 and D1, and forming a diode by connecting their gates and drains to each other. Equivalent to.

本実施形態では、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタを1個ずつ用いて構成しているが、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタの数や接続の順番を変えて構成してもよい。構成素子がトランジスタとされていることから、半導体装置の集積度が増す。   In this embodiment, one PMOS transistor and one NMOS transistor are used. However, the number of PMOS transistors and NMOS transistors and the order of connection may be changed. Since the constituent elements are transistors, the degree of integration of the semiconductor device increases.

(実施の形態4)
本発明の実施の形態4は、上記の実施の形態2において、さらに消費電流の削減を図るものである。図5は本発明の実施の形態4におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図である。図3に示した実施の形態2との相違点は、ゲート電位制御回路1における電流源IS1と電圧降下用ダイオードD0,D1の直列接続にさらに、電流遮断用スイッチング素子としてのNMOSトランジスタN1が接続されている点である。NMOSトランジスタN1のゲートは、インバータINV0の出力C点と接続されている。
(Embodiment 4)
In the fourth embodiment of the present invention, the current consumption is further reduced in the second embodiment. FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a power-on reset circuit according to the fourth embodiment of the present invention. The difference from the second embodiment shown in FIG. 3 is that a current source IS1 and voltage drop diodes D0 and D1 in the gate potential control circuit 1 are further connected in series to an NMOS transistor N1 as a current cutoff switching element. It is a point that has been. The gate of the NMOS transistor N1 is connected to the output C point of the inverter INV0.

この実施形態によれば、電源投入直後はA点、B点、POR信号はローレベルにあり、C点はハイレベルにあるので、NMOSトランジスタN1はオンされているが、充電用コンデンサC0が充電されリセット信号が解除された後、すなわちPOR信号がハイレベルになった後は、C点はローレベルにあり、NMOSトランジスタN1はオフする。これにより、リセット信号解除後は、ゲート電位制御回路1にDC電流が流れないようにすることができる。これにより、消費電流の削減を促進することができる。   According to this embodiment, the point A, the point B, and the POR signal are at the low level immediately after the power is turned on, and the point C is at the high level. Therefore, the NMOS transistor N1 is turned on, but the charging capacitor C0 is charged. After the reset signal is released, that is, after the POR signal becomes high level, the point C is at low level and the NMOS transistor N1 is turned off. Thereby, it is possible to prevent the DC current from flowing through the gate potential control circuit 1 after the reset signal is released. Thereby, reduction of current consumption can be promoted.

本実施形態では、電圧降下用ダイオードD1と接地の間にNMOSトランジスタN1を挿入しているが、電流源IS1と電圧降下用ダイオードの直列接続回路のいずれの接続点にNMOSトランジスタを挿入する構成でもよい。また、NMOSトランジスタを挿入する代わりにPMOSトランジスタを挿入し、そのゲートをインバータINV1の出力と接続する構成でもよい。   In this embodiment, the NMOS transistor N1 is inserted between the voltage drop diode D1 and the ground. However, the NMOS transistor may be inserted at any connection point of the series connection circuit of the current source IS1 and the voltage drop diode. Good. Further, a configuration may be adopted in which a PMOS transistor is inserted instead of an NMOS transistor, and its gate is connected to the output of the inverter INV1.

なお、本実施の形態の構成を図4に示す実施の形態3に適用してもよい。   The configuration of the present embodiment may be applied to the third embodiment shown in FIG.

(実施の形態5)
本発明の実施の形態5は、上記の実施の形態2において、さらに消費電流の削減を図るとともに、電源電圧の変動に対応するものである。図6は本発明の実施の形態5におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図である。図3に示した実施の形態2との相違点は、電源VDDと充電用コンデンサC0の上部電極A点との間に充電加速用スイッチング素子としてのPMOSトランジスタP2を接続し、PMOSトランジスタP2のゲートをインバータINV0の出力に接続している点である。
(Embodiment 5)
In the fifth embodiment of the present invention, the current consumption is further reduced and the fluctuation of the power supply voltage is dealt with in the second embodiment. FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a power-on reset circuit according to the fifth embodiment of the present invention. The difference from the second embodiment shown in FIG. 3 is that a PMOS transistor P2 as a charge accelerating switching element is connected between the power supply VDD and the upper electrode A point of the charging capacitor C0, and the gate of the PMOS transistor P2 is connected. Is connected to the output of the inverter INV0.

この実施形態によれば、電源投入後、充電用コンデンサC0が充電され、B点の電位がインバータINV0のしきい値電圧より高くなり、インバータINV0の出力がローレベルになると、PMOSトランジスタP2がオンされ、充電用コンデンサC0の充電が加速される。そのため、インバータINV0に電流が流れる時間がさらに短縮され、消費電流をさらに削減することができる。   According to this embodiment, after the power is turned on, the charging capacitor C0 is charged, the potential at the point B becomes higher than the threshold voltage of the inverter INV0, and the output of the inverter INV0 becomes low level, the PMOS transistor P2 is turned on. Thus, charging of the charging capacitor C0 is accelerated. As a result, the time during which current flows through the inverter INV0 is further shortened, and current consumption can be further reduced.

また、PMOSトランジスタP2がオンしている状態では、充電用コンデンサC0を充電する経路のインピーダンスが低いため、電源電圧変動時にもB点の電位は電源変動に瞬時に追従することになる。したがって、電源変動時に起こる可能性のあるパワーオンリセット信号のチャタリングを抑止することができる。   Further, when the PMOS transistor P2 is on, the impedance of the path for charging the charging capacitor C0 is low, so that the potential at the point B immediately follows the power supply fluctuation even when the power supply voltage fluctuates. Therefore, chattering of a power-on reset signal that may occur when the power supply fluctuates can be suppressed.

本実施形態では示していないが、電源投入直後にPMOSトランジスタP2が直ちにオンすることを抑止するために、電源VDDとPMOSトランジスタP2との間にコンデンサを接続して、電源電圧上昇時は電源VDDとカップリングしてC点が上昇するようにしてもよい。   Although not shown in this embodiment, a capacitor is connected between the power supply VDD and the PMOS transistor P2 in order to prevent the PMOS transistor P2 from being turned on immediately after the power is turned on. And the point C may be raised.

なお、本実施の形態の構成は、図1に示す実施の形態1に適用してもよいし、図4に示す実施の形態3、図5に示す実施の形態4に適用してもよい。   The configuration of the present embodiment may be applied to the first embodiment shown in FIG. 1, or may be applied to the third embodiment shown in FIG. 4 and the fourth embodiment shown in FIG.

(実施の形態6)
本発明の実施の形態6は、上記実施の形態5の変形に相当するものである。図7は本発明の実施の形態6におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図である。図3に示した実施の形態2との相違点は、電源VDDとインバータINV0の入力B点との間に充電加速用スイッチング素子としてのPMOSトランジスタP3を接続し、PMOSトランジスタP3のゲートをインバータINV0の出力に接続している点である。
(Embodiment 6)
The sixth embodiment of the present invention corresponds to a modification of the fifth embodiment. FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of a power-on reset circuit according to the sixth embodiment of the present invention. The difference from the second embodiment shown in FIG. 3 is that a PMOS transistor P3 as a charge accelerating switching element is connected between the power supply VDD and the input B point of the inverter INV0, and the gate of the PMOS transistor P3 is connected to the inverter INV0. Is connected to the output.

この実施形態により期待される効果は、図6に示した実施の形態5に期待される効果と同様である。すなわち、インバータINV0に電流が流れる時間が短縮され、消費電流をさらに削減することができる。また、電源変動時に起こる可能性のあるパワーオンリセット信号のチャタリングを抑止することができる。   The effect expected by this embodiment is the same as the effect expected in the fifth embodiment shown in FIG. In other words, the time during which current flows through the inverter INV0 is shortened, and current consumption can be further reduced. Further, chattering of a power-on reset signal that may occur when the power supply fluctuates can be suppressed.

なお、電源投入直後にPMOSトランジスタP2が直ちにオンすることを抑止するために、電源VDDとPMOSトランジスタP3の間にコンデンサを接続して、電源電圧上昇時は電源VDDとカップリングしてC点が上昇するようにしてもよい。   In order to prevent the PMOS transistor P2 from turning on immediately after the power is turned on, a capacitor is connected between the power supply VDD and the PMOS transistor P3, and when the power supply voltage rises, the point C is coupled with the power supply VDD. You may make it rise.

なお、本実施の形態の構成は、図1に示す実施の形態1に適用してもよいし、図4に示す実施の形態3、図5に示す実施の形態4に適用してもよい。   The configuration of the present embodiment may be applied to the first embodiment shown in FIG. 1, or may be applied to the third embodiment shown in FIG. 4 and the fourth embodiment shown in FIG.

(実施の形態7)
本発明の実施の形態7は、上記の実施の形態2において、さらに動作の安定化を図るものである。図8は本発明の実施の形態7におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図である。図3に示した実施の形態2との相違点は、インバータINV0の入力B点と接地との間に電位安定用コンデンサC1を接続している点である。
(Embodiment 7)
The seventh embodiment of the present invention is to further stabilize the operation in the second embodiment. FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of a power-on reset circuit according to the seventh embodiment of the present invention. The difference from the second embodiment shown in FIG. 3 is that a potential stabilizing capacitor C1 is connected between the input B point of the inverter INV0 and the ground.

この実施形態によれば、電源投入時、遅延用スイッチング素子であるPMOSトランジスタP0がオフしているためにフローティングとなっているインバータINV0の入力B点の電位を安定化させることができる。これにより、電源投入時にB点が寄生容量による電源電圧とのカップリングにより電位が変動し、誤動作を引き起こすのを抑止することができる。   According to this embodiment, when the power is turned on, the potential at the input point B of the inverter INV0 that is in a floating state can be stabilized because the PMOS transistor P0 that is a delay switching element is turned off. As a result, it is possible to prevent the potential from fluctuating due to the coupling of the point B with the power supply voltage due to the parasitic capacitance when the power is turned on and causing malfunction.

なお、本実施の形態の構成は、図1に示す実施の形態1に適用してもよいし、図4に示す実施の形態3、図5に示す実施の形態4、図6に示す実施の形態5、図7に示す実施の形態6に適用してもよい。   The configuration of the present embodiment may be applied to the first embodiment shown in FIG. 1, or the third embodiment shown in FIG. 4, the fourth embodiment shown in FIG. 5, and the embodiment shown in FIG. You may apply to Embodiment 5 and Embodiment 6 shown in FIG.

(実施の形態8)
本発明の実施の形態8は、電源電圧が短時間でオフオンしたときでも、パワーオンリセット信号の出力動作を安定的に開始できるようにするものである。図9は本発明の実施の形態8におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図である。図8に示した実施の形態7との相違点は、電源電圧低下時に充電用コンデンサC0の電荷を放電するための放電用スイッチング素子としてのNMOSトランジスタN2をA点と接地との間に接続し、同じく電源電圧低下時に電位安定用コンデンサC1の電荷を放電するための放電用スイッチング素子としてのNMOSトランジスタN3をB点と接地との間に接続し、これら両NMOSトランジスタN2,N3のゲート電位を制御する放電制御回路2を具備している点である。
(Embodiment 8)
In the eighth embodiment of the present invention, the output operation of the power-on reset signal can be stably started even when the power supply voltage is turned off and on in a short time. FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of a power-on reset circuit according to the eighth embodiment of the present invention. The difference from the seventh embodiment shown in FIG. 8 is that an NMOS transistor N2 as a discharging switching element for discharging the charge of the charging capacitor C0 when the power supply voltage is lowered is connected between the point A and the ground. Similarly, an NMOS transistor N3 as a discharge switching element for discharging the electric charge of the potential stabilizing capacitor C1 when the power supply voltage is lowered is connected between the point B and the ground, and the gate potentials of both the NMOS transistors N2 and N3 are connected. The discharge control circuit 2 to be controlled is provided.

放電制御回路2は、電源電圧の低下を検知するとハイレベルを出力し、NMOSトランジスタN2,N3をオンし、充電用コンデンサC0、電位安定用コンデンサC1の電荷を放電する。この実施形態によれば、電源電圧が短時間でオフオンしたときでも、充電用コンデンサC0、電位安定用コンデンサC1の電荷が十分に放電されているため、パワーオンリセット信号の出力動作を安定的に開始することができる。   The discharge control circuit 2 outputs a high level when detecting a drop in the power supply voltage, turns on the NMOS transistors N2 and N3, and discharges the charge of the charging capacitor C0 and the potential stabilization capacitor C1. According to this embodiment, even when the power supply voltage is turned off in a short time, the charge capacitor C0 and the potential stabilization capacitor C1 are sufficiently discharged, so that the output operation of the power-on reset signal can be stably performed. Can start.

なお、本実施の形態の構成は、図1に示す実施の形態1に適用してもよいし、図3に示す実施の形態2、図4に示す実施の形態3、図5に示す実施の形態4、図6に示す実施の形態5、図7に示す実施の形態6に適用してもよい。   The configuration of the present embodiment may be applied to the first embodiment shown in FIG. 1, or the second embodiment shown in FIG. 3, the third embodiment shown in FIG. 4, and the embodiment shown in FIG. You may apply to Embodiment 4, Embodiment 5 shown in FIG. 6, and Embodiment 6 shown in FIG.

(実施の形態9)
本発明の実施の形態9は、電流削減とチャタリング抑止に加えて、電源電圧低下時の初期化を確実化するものである。図10は本発明の実施の形態9におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図である。図9に示した実施の形態8との相違点は、電源電圧とインバータの入力B点との間に、充電加速用スイッチング素子としてのPMOSトランジスタP4と加速停止用スイッチング素子としてのPMOSトランジスタP5を直列に接続しており、PMOSトランジスタP4のゲートはインバータINV0の出力と接続され、PMOSトランジスタP5のゲートは放電制御回路2の出力と接続されている点である。
(Embodiment 9)
In the ninth embodiment of the present invention, in addition to current reduction and chattering suppression, initialization at the time of power supply voltage drop is ensured. FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of a power-on reset circuit according to the ninth embodiment of the present invention. The difference from the eighth embodiment shown in FIG. 9 is that a PMOS transistor P4 as a charging acceleration switching element and a PMOS transistor P5 as an acceleration stopping switching element are provided between a power supply voltage and an input point B of the inverter. The PMOS transistor P4 is connected in series, the gate of the PMOS transistor P4 is connected to the output of the inverter INV0, and the gate of the PMOS transistor P5 is connected to the output of the discharge control circuit 2.

充電加速用スイッチング素子であるPMOSトランジスタP4の効果は、図7に示した実施の形態6におけるPMOSトランジスタP3の効果と同様であり、リセット解除後、充電用コンデンサC0を充電する経路のインピーダンスを低くし充電用コンデンサC0を急速に充電することで、インバータINV0に流れる電流の削減と、パワーオンリセット信号のチャタリングを抑止することにある。   The effect of the PMOS transistor P4, which is the charge accelerating switching element, is the same as the effect of the PMOS transistor P3 in the sixth embodiment shown in FIG. 7, and the impedance of the path for charging the charging capacitor C0 is lowered after reset is released. By rapidly charging the charging capacitor C0, the current flowing through the inverter INV0 is reduced and chattering of the power-on reset signal is suppressed.

また、電源電圧低下を検知し放電制御回路2の出力がハイレベルになったとき、加速停止用スイッチング素子であるPMOSトランジスタP5がオフすることにより、PMOSトランジスタP4に電流が流れなくなり、NMOSトランジスタN2,N3によるコンデンサの放電つまりは初期化が確実に行える。   When the power supply voltage drop is detected and the output of the discharge control circuit 2 becomes high level, the PMOS transistor P5, which is an acceleration stop switching element, is turned off, so that no current flows through the PMOS transistor P4, and the NMOS transistor N2 , N3 can discharge the capacitor, that is, initialize it reliably.

なお、PMOSトランジスタP5のドレインを充電用コンデンサC0の上部電極Aに接続してもよい。   The drain of the PMOS transistor P5 may be connected to the upper electrode A of the charging capacitor C0.

(実施の形態10)
本発明の実施の形態10は、上記の実施の形態8において、電源の再投入時においてもパワーオンリセット信号の出力動作を安定的に開始させるものである。図11は本発明の実施の形態10におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図である。図9に示した実施の形態8との相違点は、充電用コンデンサC0の上部電極と遅延用スイッチング素子であるPMOSトランジスタP0の間に充電抑止用ダイオードD2が接続されている点である。
(Embodiment 10)
The tenth embodiment of the present invention stably starts the output operation of the power-on reset signal even when the power is turned on again in the eighth embodiment. FIG. 11 is a circuit diagram showing a configuration of a power-on reset circuit according to the tenth embodiment of the present invention. The difference from the eighth embodiment shown in FIG. 9 is that a charging suppression diode D2 is connected between the upper electrode of the charging capacitor C0 and the PMOS transistor P0 which is a delay switching element.

この実施形態によれば、電源がオフし、電源VDDがトランジスタのしきい値電圧以下になった時に、充電用コンデンサC0に蓄えられた電荷が、電位安定用コンデンサC1もしくはB点に寄生する容量に充電されることを、充電抑止用ダイオードD2の順方向電圧の障壁によって抑止することができる。これにより、インバータINV0の入力B点は、電源の再投入時においても十分に電荷が放電されており、パワーオンリセット信号の出力動作を安定的に開始することができる。   According to this embodiment, when the power supply is turned off and the power supply VDD becomes equal to or lower than the threshold voltage of the transistor, the charge stored in the charging capacitor C0 is parasitic on the potential stabilizing capacitor C1 or the point B. Can be suppressed by the forward voltage barrier of the charge suppression diode D2. As a result, the input B point of the inverter INV0 is sufficiently discharged even when the power is turned on again, and the output operation of the power-on reset signal can be started stably.

なお、本実施の形態の構成は、図1に示す実施の形態1に適用してもよいし、図3に示す実施の形態2、図4に示す実施の形態3、図5に示す実施の形態4、図6に示す実施の形態5、図7に示す実施の形態6、図8に示す実施の形態7に適用してもよい。   The configuration of the present embodiment may be applied to the first embodiment shown in FIG. 1, or the second embodiment shown in FIG. 3, the third embodiment shown in FIG. 4, and the embodiment shown in FIG. You may apply to Embodiment 4, Embodiment 5 shown in FIG. 6, Embodiment 6 shown in FIG. 7, and Embodiment 7 shown in FIG.

(実施の形態11)
本発明の実施の形態11は、上記実施の形態10の変形に相当するものである。図12は本発明の実施の形態11におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図である。図11に示した実施の形態10との相違点は、充電抑止用ダイオードD2の代わりにNMOSトランジスタN4を用いており、NMOSトランジスタN4のゲートがA点と接続されている点である。これは、NMOSトランジスタN4のゲートとドレインを互いに接続することによりダイオード化したものに相当する。本実施形態で期待される効果は、図11に示した第10の実施形態の効果と同様であり、また、構成素子がトランジスタとされていることから、半導体装置の集積度が増す。
(Embodiment 11)
The eleventh embodiment of the present invention corresponds to a modification of the tenth embodiment. FIG. 12 is a circuit diagram showing a configuration of a power-on reset circuit according to the eleventh embodiment of the present invention. The difference from the tenth embodiment shown in FIG. 11 is that an NMOS transistor N4 is used in place of the charge suppression diode D2, and the gate of the NMOS transistor N4 is connected to the point A. This corresponds to a diode formed by connecting the gate and drain of the NMOS transistor N4 to each other. The effect expected in the present embodiment is the same as that of the tenth embodiment shown in FIG. 11, and since the constituent elements are transistors, the degree of integration of the semiconductor device increases.

(実施の形態12)
図13は本発明の実施の形態12におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図である。図11に示した実施の形態10との相違点は、充電用コンデンサC0の上部電極A点とインバータINV0の入力B点との間にインピーダンス低減用スイッチング素子としてのPMOSトランジスタP6を接続し、PMOSトランジスタP6のゲートをインバータINV0の出力に接続している点である。
(Embodiment 12)
FIG. 13 is a circuit diagram showing a configuration of a power-on reset circuit according to the twelfth embodiment of the present invention. The difference from the tenth embodiment shown in FIG. 11 is that a PMOS transistor P6 as an impedance reduction switching element is connected between the upper electrode A point of the charging capacitor C0 and the input B point of the inverter INV0, and the PMOS transistor The point is that the gate of the transistor P6 is connected to the output of the inverter INV0.

この実施形態によれば、電源投入後、充電用コンデンサC0が充電されA点の電位が上昇し、PMOSトランジスタP0がオンする電位まで達した後、B点の電位が上昇し、B点の電位がインバータINV0のしきい値電圧より高くなり、インバータINV0の出力がローレベルになったときに、PMOSトランジスタP6がオンし、PMOSトランジスタP0との並列接続によりA点とB点が低インピーダンスで導通する。導通前のA点とB点の電位差をそれぞれVABとすると、導通後のB点の電位は、充電用コンデンサC0とコンデンサC1でVABを容量分圧した電位が重畳された電位になる。これにより、B点の電位はインバータINV0のしきい値電圧よりも急激に高くなり、インバータINV0に電流が流れる時間の短縮による消費電流の削減と電源変動時のインバータのしきい値電圧変動によるチャタリングの抑止が期待できる。   According to this embodiment, after the power is turned on, the charging capacitor C0 is charged, the potential at the point A rises, reaches the potential at which the PMOS transistor P0 is turned on, then the potential at the point B rises, and the potential at the point B Becomes higher than the threshold voltage of the inverter INV0 and the output of the inverter INV0 becomes low level, the PMOS transistor P6 is turned on, and the point A and the point B are conductive with low impedance due to the parallel connection with the PMOS transistor P0. To do. If the potential difference between points A and B before conduction is VAB, the potential at point B after conduction is a potential obtained by superimposing the potential divided by VAB by charging capacitor C0 and capacitor C1. As a result, the potential at the point B suddenly becomes higher than the threshold voltage of the inverter INV0, the consumption current is reduced by shortening the time during which the current flows to the inverter INV0, and the chattering is caused by the fluctuation of the inverter threshold voltage when the power supply fluctuates. Can be expected.

なお、本実施の形態の構成は、図1に示す実施の形態1に適用してもよいし、図3に示す実施の形態2、図4に示す実施の形態3、図5に示す実施の形態4、図6に示す実施の形態5、図7に示す実施の形態6、図8に示す実施の形態7、図9に示す実施の形態8、図10に示す実施の形態9に適用してもよい。   The configuration of the present embodiment may be applied to the first embodiment shown in FIG. 1, or the second embodiment shown in FIG. 3, the third embodiment shown in FIG. 4, and the embodiment shown in FIG. Applied to the fourth embodiment, the fifth embodiment shown in FIG. 6, the sixth embodiment shown in FIG. 7, the seventh embodiment shown in FIG. 8, the eighth embodiment shown in FIG. 9, and the ninth embodiment shown in FIG. May be.

なお、上記いずれの実施の形態においても、後段のインバータINV1を省略してもよい。   In any of the above embodiments, the subsequent inverter INV1 may be omitted.

本発明のパワーオンリセット回路は、回路内部のインバータに電流が長時間流れることを防止することを特徴としており、パワーオンリセットを必要とする全ての半導体装置に有用である。非接触ICカードやRFIDのように、RF給電を行うような用途では、大電流消費による電源変動を防止できるため特に有用である。   The power-on reset circuit of the present invention is characterized by preventing a current from flowing through an inverter in the circuit for a long time, and is useful for all semiconductor devices that require a power-on reset. In applications where RF power feeding is performed, such as a non-contact IC card or RFID, it is particularly useful because it can prevent fluctuations in the power source due to large current consumption.

本発明の実施の形態1におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図The circuit diagram which shows the structure of the power-on reset circuit in Embodiment 1 of this invention 実施の形態1のパワーオンリセット回路の動作を説明する波形図Waveform diagram illustrating the operation of the power-on reset circuit of the first embodiment 本発明の実施の形態2におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図The circuit diagram which shows the structure of the power-on reset circuit in Embodiment 2 of this invention 本発明の実施の形態3におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図The circuit diagram which shows the structure of the power-on reset circuit in Embodiment 3 of this invention 本発明の実施の形態4におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図The circuit diagram which shows the structure of the power-on reset circuit in Embodiment 4 of this invention 本発明の実施の形態5におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図The circuit diagram which shows the structure of the power-on reset circuit in Embodiment 5 of this invention 本発明の実施の形態6におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図The circuit diagram which shows the structure of the power-on reset circuit in Embodiment 6 of this invention 本発明の実施の形態7におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図The circuit diagram which shows the structure of the power-on reset circuit in Embodiment 7 of this invention 本発明の実施の形態8におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図The circuit diagram which shows the structure of the power-on reset circuit in Embodiment 8 of this invention 本発明の実施の形態9におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図The circuit diagram which shows the structure of the power-on reset circuit in Embodiment 9 of this invention 本発明の実施の形態10におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図The circuit diagram which shows the structure of the power-on reset circuit in Embodiment 10 of this invention 本発明の実施の形態11におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図The circuit diagram which shows the structure of the power-on reset circuit in Embodiment 11 of this invention 本発明の実施の形態12におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図The circuit diagram which shows the structure of the power-on reset circuit in Embodiment 12 of this invention 従来の技術におけるパワーオンリセット回路の構成を示す回路図Circuit diagram showing the configuration of a power-on reset circuit in the prior art 従来の技術のパワーオンリセット回路の動作を説明する波形図Waveform diagram for explaining the operation of a conventional power-on reset circuit 従来の技術のパワーオンリセット回路のインバータの特性を説明する図The figure explaining the characteristic of the inverter of the power-on reset circuit of a prior art

符号の説明Explanation of symbols

1 ゲート電位制御回路
2 放電制御回路
IS0,IS1 電流源
C0 充電用コンデンサ
C1 電位安定用コンデンサ
P0 遅延用スイッチング素子としてのPMOSトランジスタ
P1 ダイオード化されたPMOSトランジスタ
P2,P3,P4 充電加速用スイッチング素子としてのPMOSトランジスタ
P5 加速停止用スイッチング素子としてのPMOSトランジスタ
P6 インピーダンス低減用スイッチング素子としてのPMOSトランジスタ
N0 ダイオード化されたNMOSトランジスタ
N1 電流遮断用スイッチング素子としてのNMOSトランジスタ
N2,N3 放電用スイッチング素子としてのNMOSトランジスタ
N4 ダイオード化されたNMOSトランジスタ
D0,D1 電圧降下用ダイオード
D2 充電抑止用ダイオード
INV0,INV1 インバータ
1 Gate Potential Control Circuit 2 Discharge Control Circuit IS0, IS1 Current Source C0 Charging Capacitor C1 Potential Stabilization Capacitor P0 PMOS Transistor as Delay Switching Element P1 Diodeized PMOS Transistors P2, P3, P4 Charging Acceleration Switching Elements PMOS transistor P5 PMOS transistor as an acceleration stop switching element P6 PMOS transistor as an impedance reduction switching element N0 Diodeed NMOS transistor N1 NMOS transistor as a current blocking switching element N2, N3 NMOS as a discharging switching element Transistor N4 Diode NMOS transistor D0, D1 Voltage drop diode D2 Charge suppression diode INV0, INV1 inverter

Claims (12)

電源と接地との間に挿入された、電流源と充電用コンデンサとの直列回路と、
前記充電用コンデンサの上部電極に接続されてパワーオンリセット信号を出力するインバータと、
前記充電用コンデンサの上部電極と前記インバータの入力との間に挿入された遅延用スイッチング素子と、
前記遅延用スイッチング素子のゲート電位を制御するゲート電位制御手段と
を備えたパワーオンリセット回路。
A series circuit of a current source and a charging capacitor inserted between the power source and ground;
An inverter connected to the upper electrode of the charging capacitor and outputting a power-on reset signal;
A delay switching element inserted between the upper electrode of the charging capacitor and the input of the inverter;
A power-on reset circuit comprising gate potential control means for controlling the gate potential of the delay switching element.
前記ゲート電位制御手段は、電源と接地との間に直列接続された、電流源と1つ以上の電圧降下用ダイオードからなり、前記電流源と前記電圧降下用ダイオードとの接続点または当該ダイオードどうしの接続点の内のいずれかの接続点が前記遅延用スイッチング素子のゲートに接続されている請求項1に記載のパワーオンリセット回路。 The gate potential control means includes a current source and one or more voltage drop diodes connected in series between a power supply and ground, and a connection point between the current sources and the voltage drop diodes or between the diodes. The power-on reset circuit according to claim 1, wherein any one of the connection points is connected to a gate of the delay switching element. 前記電圧降下用ダイオードの代わりに、ゲートとドレインが接続されたトランジスタが用いられている請求項2に記載のパワーオンリセット回路。 The power-on reset circuit according to claim 2, wherein a transistor having a gate and a drain connected is used instead of the voltage drop diode. 前記ゲート電位制御手段にさらに電流遮断用スイッチング素子が直列に接続され、前記電流遮断用スイッチング素子のゲートが前記インバータの出力に接続されている請求項2または請求項3に記載のパワーオンリセット回路。 4. The power-on reset circuit according to claim 2, further comprising a current blocking switching element connected in series to the gate potential control means, wherein a gate of the current blocking switching element is connected to an output of the inverter. 5. . さらに、前記充電用コンデンサの上部電極と電源との間に充電加速用スイッチング素子が挿入され、前記充電加速用スイッチング素子のゲートが前記インバータの出力に接続されている請求項1から請求項4までのいずれかに記載のパワーオンリセット回路。 5. The charging acceleration switching element is inserted between the upper electrode of the charging capacitor and the power source, and the gate of the charging acceleration switching element is connected to the output of the inverter. A power-on reset circuit according to any one of the above. さらに、電源と前記インバータの入力との間に充電加速用スイッチング素子が挿入され、前記充電加速用スイッチング素子のゲートが前記インバータの出力に接続されている請求項1から請求項4までのいずれかに記載のパワーオンリセット回路。 Furthermore, the charge acceleration switching element is inserted between the power supply and the input of the inverter, and the gate of the charge acceleration switching element is connected to the output of the inverter. The power-on reset circuit described in 1. さらに、前記インバータの入力と接地との間に電位安定用コンデンサが挿入されている請求項1から請求項6までのいずれかに記載のパワーオンリセット回路。 7. The power-on reset circuit according to claim 1, further comprising a potential stabilization capacitor inserted between the input of the inverter and the ground. さらに、前記充電用コンデンサの上部電極と接地との間、および、前記インバータの入力と接地との間にそれぞれ挿入された放電用スイッチング素子と、
電源電圧の低下を検知して前記両放電用スイッチング素子のゲート電位を制御する放電制御手段と
を備えた請求項1から請求項7までのいずれかに記載のパワーオンリセット回路。
Further, a discharging switching element inserted between the upper electrode of the charging capacitor and the ground, and between the input and the ground of the inverter,
The power-on reset circuit according to any one of claims 1 to 7, further comprising discharge control means for detecting a decrease in power supply voltage and controlling the gate potential of the switching elements for both discharges.
さらに、電源と前記インバータの入力との間に直列に接続された、充電加速用スイッチング素子と加速停止用スイッチング素子とを備え、
前記充電加速用スイッチング素子のゲートは前記インバータの出力に接続され、
前記加速停止用スイッチング素子のゲートは前記放電制御手段により制御される請求項8に記載のパワーオンリセット回路。
Further, the charging acceleration switching element and the acceleration stopping switching element connected in series between the power source and the input of the inverter,
A gate of the charging acceleration switching element is connected to an output of the inverter;
The power-on reset circuit according to claim 8, wherein a gate of the acceleration stop switching element is controlled by the discharge control means.
前記充電用コンデンサの上部電極と前記遅延用スイッチング素子の入力との間にさらに充電抑止用ダイオードが挿入されている請求項8または請求項9に記載のパワーオンリセット回路。 10. The power-on reset circuit according to claim 8, wherein a charge suppression diode is further inserted between the upper electrode of the charging capacitor and the input of the delay switching element. 11. 前記充電抑止用ダイオードの代わりに、ゲートとドレインが接続されたトランジスタが用いられている請求項10に記載のパワーオンリセット回路。 The power-on reset circuit according to claim 10, wherein a transistor having a gate and a drain connected is used in place of the charging suppression diode. さらに、前記充電用コンデンサの上部電極と前記インバータの入力との間にインピーダンス低減用スイッチング素子が挿入され、前記インピーダンス低減用スイッチング素子のゲートと前記インバータの出力が接続されている請求項8から請求項11までのいずれかに記載のパワーオンリセット回路。 Furthermore, the impedance reduction switching element is inserted between the upper electrode of the charging capacitor and the input of the inverter, and the gate of the impedance reduction switching element and the output of the inverter are connected. Item 12. A power-on reset circuit according to any one of Items 11 to 11.
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