JP4115618B2 - Magnetron output control method and apparatus - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波電力を発生するマグネトロンの出力電力を制御するマグネトロン出力制御方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
マグネトロンを用いたマグネトロン出力制御装置から出力されるマイクロ波電力によって発生させたプラズマを利用した装置には、薄膜を形成する装置の1つであるCVD装置及び半導体製造用のエッチング装置等のプラズマ処理装置がある。
【0003】
(従来技術1)
図1は、従来技術1のマグネトロン出力制御装置及びその周辺装置の実施例を示す従来技術1のブロック図である。
従来技術1のマグネトロン出力制御装置は、マイクロ波電力を発生させるためのマグネトロン(磁電管)17と、マグネトロン17のフィラメントに電力を供給してフィラメントを加熱するための電源(以下、フィラメント電源という)16と、マグネトロン17のアノードとカソードとの間に高電圧を印加するための直流高圧電源(以下、アノード電源という)125とから成り、マグネトロン17のアノード電流を検出し、検出したアノード電流検出信号が一定値になるように制御を行っていた。この制御方法をアノード電流一定制御という。
【0004】
商用電源1は、アノード電源125とフィラメント電源16とに電力を供給するAC電源である。フィラメント電源16は、マグネトロン17のフィラメント加熱用の電源である。アノード電源125に入力された電力は、ダイオードブリッジ2とコンデンサ3とによって整流平滑された後、スイッチング素子4,5及びコンデンサ6,7から成るハーフブリッジインバータに供給される。ハーフブリッジインバータによって高周波化された出力電力は、高周波トランス8を介してマグネトロン17に印加される。高周波トランス8の二次側にはダイオード9,10とコンデンサ11,12とから成る倍電圧整流平滑回路が接続されているので、マグネトロン17に直流の高電圧が印加されて、マイクロ波電力が出力される。
【0005】
アイソレータ27は、マグネトロン17からプラズマ負荷18に向かう進行波電力を通過させるが、プラズマ負荷18で発生した反射波電力を大きく減衰させるような非可逆回路であり、反射波電力を消費するためのダミーロードを含んでいる。このアイソレータ27は、通常、プラズマ負荷18で発生した反射波電力からマグネトロン出力制御装置を保護する目的で使用される。
【0006】
マグネトロン17から出力されたマイクロ波電力は、マグネトロン17とアイソレータ27との間のマイクロ波電力の伝送線路である導波管26aと、アイソレータ27と、アイソレータ27とプラズマ負荷18との間のマイクロ波電力の伝送線路である導波管26bとを介してプラズマ負荷18に投入される。
【0007】
このようなマグネトロン出力制御装置の出力電力制御方法としては、マグネトロン17の出力が定電圧特性を有することから、マグネトロン17のアノード電流が一定値になるようにフィードバック制御を行っている。
【0008】
具体的には、アノード電流検出器20によってアノード電流を検出し、検出したアノード電流検出信号を誤差増幅器114に入力する。誤差増幅器114は、入力されたアノード電流検出信号の検出値と出力電力設定器115の設定値との誤差を増幅して出力電力増幅信号を出力する。制御回路113は、誤差増幅器114の出力電力増幅信号を入力して、アノード電流検出器20によって検出したアノード電流検出信号が出力電力設定器115の設定値になるように、スイッチング素子4,5のON時間を制御している。
【0009】
(従来技術2)
図2は、従来技術2のマグネトロン出力制御装置及びその周辺装置の実施例を示す従来技術2のブロック図である。
従来技術2のマグネトロン出力制御装置は、マグネトロン17と、フィラメント電源16と、アノード電源225と、進行波電力に対応した信号を検出又は演算するマイクロ波電力検出器219とから成り、マイクロ波電力検出器219から進行波電力に対応した信号を出力し、この進行波電力に対応した信号が一定値になるように制御を行っていた。この制御方法を進行波電力一定制御という。
【0010】
商用電源1は、アノード電源225とフィラメント電源16とに電力を供給するAC電源である。フィラメント電源16は、マグネトロン17のフィラメント加熱用の電源である。アノード電源225に入力された電力は、ダイオードブリッジ2とコンデンサ3とによって整流平滑された後、スイッチング素子4,5及びコンデンサ6,7から成るハーフブリッジインバータに供給される。ハーフブリッジインバータによって高周波化された出力電力は、高周波トランス8を介してマグネトロン17に印加される。高周波トランス8の二次側にはダイオード9,10とコンデンサ11,12とから成る倍電圧整流平滑回路が接続されているので、マグネトロン17に直流の高電圧が印加されて、マイクロ波電力が出力される。
【0011】
マグネトロン17から出力されたマイクロ波電力は、マグネトロン17とアイソレータ27との間のマイクロ波電力の伝送線路である導波管26aと、アイソレータ27と、アイソレータ27とプラズマ負荷18との間のマイクロ波電力の伝送線路である導波管26bとを介してプラズマ負荷18に投入される。
【0012】
マイクロ波電力検出器219は、導波管26b上に設けられていて、方向性結合器,マイクロ波自動整合器等を使用して、進行波電力に対応した信号及び反射波電力に対応した信号を検出又は演算する機能を有している。
例えば、特開平4−196903に記載されているように、方向性結合器を使用する場合は、方向性結合器によってマイクロ波の定在波を進行波と反射波とに分離すると共に分離した進行波及び反射波をダイオード等を用いて検波することによって、進行波電力に対応した信号及び反射波電力に対応した信号を検出する機能を有している。
同じく特開平4−196903に記載されているように、マイクロ波自動整合器を使用する場合は、導波管26bに3個の探針を備え、この3個の探針によって導波管26b内部のマイクロ波の電圧定在波の振幅を検出すると共に検出した電圧定在波の振幅を用いて特定の基準位置においてプラズマ負荷18側を見たときのインピーダンス又は反射係数を演算し、上記で検出した電圧定在波の振幅と演算したインピーダンス又は反射係数とに基づいて、マイクロ波の進行波電力に対応した信号及び反射波電力に対応した信号を演算する機能を有している。
【0013】
このようなマグネトロン出力制御装置の出力電力制御方法としては、マイクロ波電力検出器219から出力する進行波電力に対応した信号を用いて進行波電力が一定値になるようにフィードバック制御を行っている。
【0014】
具体的には、マイクロ波電力検出器219から進行波電力に対応した信号を出力し、この進行波電力に対応した信号を誤差増幅器214に入力する。誤差増幅器214は、入力された進行波電力に対応した信号と出力電力設定器215の設定値との誤差を増幅して出力電力増幅信号を出力する。制御回路213は、誤差増幅器214の出力電力増幅信号を入力して、マイクロ波電力検出器219から出力する進行波電力に対応した信号が出力電力設定器215の設定値になるように、スイッチング素子4,5のON時間を制御している。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
前述した従来技術1のマグネトロン出力制御装置は、マグネトロン17のアノード電流を検出し、検出したアノード電流検出信号が一定値になるように制御を行っている。このマグネトロン17は、陰極から放出された電子の進行方向を変えるための磁界が必要である。マイクロ波出力電力が6kW以下であるマグネトロン17は、予め磁化したフェライトコアをマグネトロン17の内部に配置して、上記の磁界を得る場合が多い。
【0016】
一般にマグネトロン17は、(マイクロ波出力電力)/(マグネトロン入力電力)で表されるマイクロ波電力の出力効率が60〜70%程度である。(マグネトロン入力電力)−(マイクロ波出力電力)で表される損失は、熱となってマグネトロン17本体を加熱するために、マグネトロン17に内蔵されているフェライトコアも温度上昇することになる。フェライトコアは、温度が上昇すると磁力が低減する減磁特性が生じる。フェライトコアの磁力が低減すると、マイクロ波出力効率が低下する。
【0017】
マグネトロン出力制御装置のマイクロ波出力電力の制御方法がアノード電流一定制御の場合、長時間マイクロ波電力を出力したり、大容量の出力を取り出すときは、フェライトコアの温度上昇に伴って減磁特性が生じて磁界が弱まり、マイクロ波電力の出力効率が低下する。そのために、アノード電流を一定値に制御していても、取り出せるマイクロ波出力電力値は、フェライトコアの温度上昇の時間に伴って低下する。ある空冷マグネトロンの例では、アノード電流一定制御でマイクロ波出力を行った場合、出力開始から60秒で初期のマイクロ波出力電力値から10%程度低下する。
【0018】
以上のことから、アノード電流一定制御のマグネトロン出力制御装置は、マグネトロン17の温度特性によって、マグネトロン17から出力されるマイクロ波の実効電力が変動する。実効電力が変動すると、前述したプラズマを利用して形成する薄膜の膜厚が所定値にならない、膜厚にばらつきが生じる等の影響がある。
【0019】
前述の従来技術2のマグネトロン出力制御装置は、マイクロ波電力検出器219から進行波電力に対応した信号を出力し、この進行波電力に対応した信号が一定値になるように制御を行っていた。
【0020】
ここで、プラズマ負荷18で反射波電力が発生した場合、導波管26b内部の定在波比(定在波の最大値と最小値との比)は、1.0を超過して定在波が生じる。このとき、プラズマ負荷18の特性が非線形の場合が多いために、マイクロ波の出力波形に歪みによる高調波を含んだり、雑音周波数が重畳することが多い。しかし、マイクロ波電力検出器219は、定格周波数で歪みがない波形のときに、進行波電力に対応した信号及び反射波電力に対応した信号を正確に検出又は演算できるようになっている。そのために、前述のプラズマ負荷18で反射波電力が発生すると、マイクロ波の出力波形は定格周波数で歪みがない波形ではなくなるために、進行波電力に対応した信号及び反射波電力に対応した信号は真値との間に誤差を生じることになる。
【0021】
進行波電力に対応した信号に誤差が生じれば、制御系の利得がいくら高くても出力電力設定器215で設定した値とマイクロ波出力の実効電力との間に誤差が生じる。
【0022】
以上のことから、進行波電力一定制御方法のマグネトロン出力制御装置は、反射波電力が発生していないときには、進行波電力を一定値に保つことができるが、プラズマ負荷18のような非線形負荷に反射波電力が発生すると、マイクロ波電力検出器219から出力する進行波電力に対応した信号に誤差が生じるために、マグネトロン17から出力される進行波電力に誤差が生じることになる。
【0023】
ところで、導波管26bに設けるマイクロ波電力検出器219は、前述のように方向性結合器、マイクロ波自動整合器等を使うことが多い。
方向性結合器及びマイクロ波自動整合器は、進行波電力に対応した信号及び反射波電力に対応した信号を検出又は演算できるが、マイクロ波自動整合器は、さらにマイクロ波電力を効率良くプラズマ負荷18に投入できるように、導波管26bとプラズマ負荷18との間のインピーダンスを自動的に整合させる機能も有している。なお、手動でインピーダンスを変化させる手段を備えた装置であれば、自動ではなく手動でインピーダンスを整合させることも可能である。
【0024】
このようにマイクロ波電力検出器219を使用して、プラズマ負荷18に対して進行波電力一定制御を行うと、反射波電力の発生時には、進行波電力に対応した信号に誤差が生じ、ひいてはプラズマ負荷18に投入される進行波電力の実効電力が変動することになる。その結果、負荷の状態が変化するために発生する反射波電力も変わるというハンチング状態になりやすい。ハンチング状態になると、整合がとれなくなったり、従来技術のマイクロ波自動整合器では、整合するまでの時間が長くかかる。
【0025】
本発明は、従来技術2で問題となっていたハンチング及び従来技術1で問題となっていたフェライトコアの減磁特性によるマイクロ波出力電力の低下を防止することを目的とする。
【0026】
【課題を解決するための手段】
出願時請求項1の発明は、マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電管)17の出力をプラズマ負荷18に供給する装置のマグネトロン出力制御方法において、マグネトロン17からプラズマ負荷18に向かう進行波電力に対応した信号Ea及びプラズマ負荷18から反射してくる反射波電力に対応した信号Ebを検出又は演算して、前述の反射波電力に対応した信号Ebが、予め設定した反射波電力比較基準値Ec以上になると、マグネトロンの出力制御を、進行波電力を一定値にする制御からアノード電流を一定値にする制御に切り換え、反射波電力に対応した信号Ebが、予め設定した反射波電力比較基準値Ec未満になると、マグネトロン17の出力制御を、アノード電流を一定値にする制御から進行波電力を一定値にする制御に切り換えるマグネトロン出力制御方法である。
【0027】
出願時請求項2の発明は、マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電管)17の出力をプラズマ負荷18に供給する装置のマグネトロン出力制御方法において、マイクロ波の定在波をマグネトロン17からプラズマ負荷18に向かう進行波とプラズマ負荷18から反射してくる反射波とに分離すると共に分離した進行波及び反射波を検波することによって進行波電力に対応した信号Ea及び反射波電力に対応した信号Ebを検出して、前述の反射波電力に対応した信号Ebが、予め設定した反射波電力比較基準値Ec以上になると、マグネトロン17の出力制御を、進行波電力を一定値にする制御からアノード電流を一定値にする制御に切り換え、反射波電力に対応した信号Ebが、予め設定した反射波電力比較基準値Ec未満になると、マグネトロン17の出力制御を、アノード電流を一定値にする制御から進行波電力を一定値にする制御に切り換えるマグネトロン出力制御方法である。
【0028】
出願時請求項3の発明は、マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電管)17の出力をプラズマ負荷18に供給する装置のマグネトロン出力制御方法において、マイクロ波の電圧定在波の振幅を検出すると共に検出した電圧定在波の振幅を用いてマグネトロン17からプラズマ負荷18に向かう進行波電力に対応した信号Ea及びプラズマ負荷18から反射してくる反射波電力に対応した信号Ebを演算して、前述の反射波電力に対応した信号Ebが、予め設定した反射波電力比較基準値Ec以上になると、マグネトロン17の出力制御を、進行波電力を一定値にする制御からアノード電流を一定値にする制御に切り換え、反射波電力に対応した信号Ebが、予め設定した反射波電力比較基準値Ec未満になると、マグネトロン17の出力制御を、アノード電流を一定値にする制御から進行波電力を一定値にする制御に切り換えるマグネトロン出力制御方法である。
【0029】
出願時請求項4の発明は、出願時請求項1又は出願時請求項2又は出願時請求項3に記載の反射波電力比較基準値Ecが、進行波電力を一定値にする制御からアノード電流を一定値にする制御に切り替える場合と、アノード電流を一定値にする制御から進行波電力を一定値にする制御に切り換える場合とで異なる値の反射波電力比較基準値S1,S2であるマグネトロン出力制御方法である。
【0030】
出願時請求項5の発明は、図3に示すように、マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電管)17と、マグネトロン17のフィラメントに電力を供給してフィラメントを加熱するためのフィラメント電源16と、マグネトロン17のアノードとカソードとの間に高電圧を印加するためのアノード電源25と、進行波電力に対応した信号Ea及び反射波電力に対応した信号Ebを検出又は演算する電力検出器19とから成るマグネトロン出力制御装置において、アノード電流を検出するアノード電流検出器20と、進行波電力に対応した信号Ea又はアノード電流検出信号Edを切り換えて出力する検出信号切換器21と、反射波電力に対応した信号Ebと予め設定した反射波電力比較基準値Ecとの差に対応した進行波・アノード切り換え信号Egを出力する検出信号切換ドライバ22とを備え、前述の検出信号切換器21は、検出信号切換ドライバ22の出力信号Egに応じて内部のスイッチを切り換え、内部のスイッチがアノード電流検出器20側のときにアノード電流検出信号Edを出力し、内部のスイッチが電力検出器19側のときに進行波電力に対応した信号Eaを出力し、前述の進行波電力に対応した信号Ea又はアノード電流検出信号Edによってマグネトロンの出力電力を制御するマグネトロン出力制御装置である。
【0031】
出願時請求項6の発明は、図3に示すように、マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電管)17と、マグネトロン17のフィラメントに電力を供給してフィラメントを加熱するためのフィラメント電源16と、マグネトロン17のアノードとカソードとの間に高電圧を印加するためのアノード電源25と、進行波電力に対応した信号Ea及び反射波電力に対応した信号Ebを検出又は演算する電力検出器19とから成るマグネトロン出力制御装置において、アノード電流を検出するアノード電流検出器20と、反射波電力比較基準値Ecを予め設定する検出信号切換設定器24と、反射波電力に対応した信号Ebと予め設定した反射波電力比較基準値Ecとの差の信号Ehを出力するヒステリシス付き比較器23と、進行波電力に対応した信号Ea又はアノード電流検出信号Edを切り換えて出力する検出信号切換器21と、ヒステリシス付き比較器23の出力信号Ehを入力して反射波電力に対応した信号Ebが予め設定した反射波電力比較基準値Ec以上のときは検出信号切換器21内のスイッチをアノード電流検出器20側に切り換える第1の進行波・アノード切り換え信号Egを出力し、反射波電力に対応した信号Ebが予め設定した反射波電力比較基準値Ec未満のときは検出信号切換器21内のスイッチを電力検出器19側に切り換える第2の進行波・アノード切り換え信号Egを出力する検出信号切換ドライバ22とを備え、前述の検出信号切換器21は、検出信号切換ドライバ22の出力信号に応じて内部のスイッチを切り換え、内部のスイッチがアノード電流検出器20側のときにアノード電流検出信号Edを出力し、内部のスイッチが電力検出器19側のときに進行波電力に対応した信号Eaを出力し、前述の進行波電力に対応した信号Ea又はアノード電流検出信号Edによってマグネトロンの出力電力を制御するマグネトロン出力制御装置である。
【0032】
出願時請求項7の発明は、図3に示すように、マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電管)17と、マグネトロン17のフィラメントに電力を供給してフィラメントを加熱するためのフィラメント電源16と、マグネトロン17のアノードとカソードとの間に高電圧を印加するためのアノード電源25と、進行波電力に対応した信号Ea及び反射波電力に対応した信号Ebを検出又は演算する電力検出器19とから成るマグネトロン出力制御装置において、アノード電流を検出するアノード電流検出器20と、反射波電力比較基準値Ecを予め設定する検出信号切換設定器24と、反射波電力に対応した信号Ebと予め設定した反射波電力比較基準値Ecとの差の信号Ehを出力するヒステリシス付き比較器23と、進行波電力に対応した信号Ea又はアノード電流検出信号Edを切り換えて出力する検出信号切換器21と、ヒステリシス付き比較器23の出力信号Ehを入力して反射波電力に対応した信号Ebが予め設定した反射波電力比較基準値Ec以上のときは検出信号切換器21内のスイッチをアノード電流検出器20側に切り換える第1の進行波・アノード切り換え信号Egを出力し、反射波電力に対応した信号Ebが予め設定した反射波電力比較基準値Ec未満のときは検出信号切換器21内のスイッチを電力検出器19側に切り換える第2の進行波・アノード切り換え信号Egを出力する検出信号切換ドライバ22と、出力電力値を設定する出力電力設定器15と、検出信号切換器21の出力信号Ea又はEdと出力電力設定器15の設定値Eeとの誤差を増幅した出力電力増幅信号Efを出力する誤差増幅器14と、誤差増幅器14の出力電力増幅信号Efを入力して検出信号切換器21の出力信号Ea又はEdを出力電力設定器15の設定値に制御する制御回路13とを備え、前述の検出信号切換器21は、検出信号切換ドライバ22の出力信号に応じて内部のスイッチを切り換え、内部のスイッチがアノード電流検出器20側のときにアノード電流検出信号Edを出力し、内部のスイッチが電力検出器19側のときに進行波電力に対応した信号Eaを出力し、前述の進行波電力に対応した信号Ea又はアノード電流検出信号Edによってマグネトロンの出力電力を制御するマグネトロン出力制御装置である。
【0033】
出願時請求項8の発明は、出願時請求項5又は出願時請求項6又は出願時請求項7に記載の電力検出器19が、マイクロ波の定在波を進行波と反射波とに分離すると共に分離した進行波及び反射波を検波することによって進行波電力に対応した信号Ea及び反射波電力に対応した信号Ebを検出するマイクロ波電力検出器19であるマグネトロン出力制御装置である。
【0034】
出願時請求項9の発明は、出願時請求項5又は出願時請求項6又は出願時請求項7に記載の電力検出器19が、マイクロ波の電圧定在波の振幅を検出すると共に検出した電圧定在波の振幅を用いてマイクロ波の進行波電力に対応した信号Ea及び反射波電力に対応した信号Ebを演算するマイクロ波電力検出器19であるマグネトロン出力制御装置である。
【0035】
出願時請求項10の発明は、出願時請求項5又は出願時請求項6又は出願時請求項7に記載の電力検出器19が、進行波電力に対応した信号Eaを検出又は演算すると共に反射波電力の大きさによって変化する温度を検出して、前述の変化する温度を検出した信号を反射波電力に対応した信号Ebとする反射波電力対応検出器であるマグネトロン出力制御装置である。
【0036】
出願時請求項11の発明は、出願時請求項5又は出願時請求項6又は出願時請求項7に記載の反射波電力比較基準値Ecが、2つの反射波電力比較基準値S1,S2であって、第1の反射波電力比較基準値S1は検出信号切換器21の出力信号が進行波電力に対応した信号Eaの場合の反射波電力比較基準値であり、第2の反射波電力比較基準値S2は検出信号切換器21の出力信号がアノード電流検出信号Edの場合の反射波電力比較基準値であるマグネトロン出力制御装置である。
【0037】
【発明の実施の形態】
図3は、本発明のマグネトロン出力制御装置及びその周辺装置の実施例を示す本発明のブロック図である。商用電源1は、アノード電源25とフィラメント電源16とに電力を供給するAC電源である。フィラメント電源16は、マグネトロン17のフィラメント加熱用の電源である。アノード電源25に入力された電力は、ダイオードブリッジ2とコンデンサ3とによって整流平滑された後、スイッチング素子4,5及びコンデンサ6,7から成るハーフブリッジインバータに供給される。ハーフブリッジインバータによって高周波化された出力電力は、高周波トランス8を介してマグネトロン17に印加される。高周波トランス8の二次側にはダイオード9,10とコンデンサ11,12とから成る倍電圧整流平滑回路が接続されているので、マグネトロン17に直流の高電圧が印加されて、マイクロ波電力が出力される。
【0038】
マグネトロン17から出力されたマイクロ波電力は、マグネトロン17とアイソレータ27との間のマイクロ波電力の伝送線路である導波管26aと、アイソレータ27と、アイソレータ27とプラズマ負荷18との間のマイクロ波電力の伝送線路である導波管26bとを介してプラズマ負荷18に投入される。
【0039】
マイクロ波電力検出器19は、前述した従来技術2のマイクロ波電力検出器219と同様に、導波管26b上に設けられていて、進行波電力に対応した信号Ea及び反射波電力に対応した信号Ebを検出又は演算する機能を有している。
【0040】
このようなマグネトロン出力制御装置の出力電力制御方法としては、導波管26b上に設けたマイクロ波電力検出器19から反射波電力に対応した信号Ebを出力し、ヒステリシス付き比較器23に入力する。
【0041】
検出信号切換設定器24は、反射波電力に対応した信号Ebと比較するための反射波電力比較基準値Ecを予め設定し、ヒステリシス付き比較器23は、入力された反射波電力に対応した信号Ebと検出信号切換設定器24によって予め設定された反射波電力比較基準値Ecとを比較する。
【0042】
ヒステリシス付き比較器23に入力された反射波電力に対応した信号Ebが、検出信号切換設定器24によって予め設定された反射波電力比較基準値Ec以上になると、検出信号切換ドライバ22によって、検出信号切換器21内のスイッチをアノード電流検出器20側に切り換えて、アノード電流検出器20によって検出したアノード電流検出信号Edを誤差増幅器14に入力する。この場合は、アノード電流一定制御になる。
【0043】
ヒステリシス付き比較器23に入力された反射波電力に対応した信号Ebが、検出信号切換設定器24によって予め設定された反射波電力比較基準値Ec未満になると、検出信号切換ドライバ22によって、検出信号切換器21内のスイッチをマイクロ波電力検出器19側に切り換えて、マイクロ波電力検出器19から出力する進行波電力に対応した信号Eaを誤差増幅器14に入力する。この場合は、進行波電力一定制御になる。
【0044】
誤差増幅器14は、選択されて入力された進行波電力に対応した信号Ea又はアノード電流検出信号Edと出力電力設定器15の設定値Eeとの誤差を増幅して出力電力増幅信号Efを出力する。制御回路13は、誤差増幅器14の出力電力増幅信号Efを入力して、選択されて入力された進行波電力に対応した信号Ea又はアノード電流検出信号Edが、出力電力設定器15の設定値Eeになるようにスイッチング素子4,5のON時間を制御する。
【0045】
このように、ヒステリシス付き比較器23に入力する反射波電力に対応した信号Ebと検出信号切換設定器24によって予め設定された反射波電力比較基準値Ecとを比較することによって、マグネトロン出力制御方法を選択する。
【0046】
図4は、ヒステリシス付き比較器23の比較動作の一例を説明する比較動作説明図である。図4に示すように、ヒステリシス付き比較器23は、進行波電力一定制御からアノード電流一定制御に切り換える反射波電力比較基準値S1と、アノード電流一定制御から進行波電力一定制御に切り換える反射波電力比較基準値S2との2つの反射波電力比較基準値を設定できる。この2つの反射波電力比較基準値によって、図4に示すように進行波電力一定制御とアノード電流一定制御とを切り換える。
2つの反射波電力比較基準値を同じ値に設定することもできるが、反射波電力に対応した信号Ebが反射波電力比較基準値付近で安定しない場合に、選択するマグネトロン出力制御方法も安定せず、進行波電力一定制御とアノード電流一定制御とが頻繁に切り換わるというハンチング状態になる。これら2つの反射波電力比較基準値を適正に設定することによって、このようなマグネトロン出力制御方法のハンチングが防止できる。
【0047】
なお、アノード電流一定制御と進行波電力一定制御とを切り換えるための反射波電力に対応した信号Ebを出力する電力検出器19は、前述した導波管上に設けられたマイクロ波電力検出器19によって検出又は演算した信号だけではなく、アイソレータ27のダミーロードの温度、マグネトロン17の温度等を検出して反射波電力に対応した信号とする反射波電力対応信号検出器を用いてもよい。
【0048】
【発明の効果】
本発明は、「発明が解決しようとする課題」の項で説明した従来技術1及び従来技術2の問題を解決し、プラズマ負荷18で発生した反射波電力に対応した信号Ebが予め設定した反射波電力比較基準値以上になった場合は、マグネトロン出力制御装置の出力電力制御方法を、進行波電力一定制御からアノード電流一定制御に切り換えることによって、ハンチング状態を防止して、整合がとれなくなる状態及び整合するまでの時間が長くかかる状態を解消することができる。
【0049】
なお、マグネトロン出力制御装置の出力電力制御方法を、アノード電流一定制御に切り換えたときには、フェライトコアの減磁特性によってマイクロ波出力電力の効率が低下するが、アノード電流一定制御によって制御している時間は、反射波電力に対応した信号Ebが予め設定した反射波電力比較基準値未満になるまでの時間であり、マイクロ波自動整合器を使用した場合、おおむね1〜15秒(通常は2〜5秒)でプラズマ負荷18からの反射波電力が小さくなるようにインピーダンスを整合する。そのために、減磁特性によるマイクロ波出力電力の低下はわずかである。
【0050】
このように本発明を用いれば、従来技術での問題を解決して、プラズマ負荷18で反射波電力が発生したときに速やかに整合をとることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、従来技術1のマグネトロン出力制御装置及びその周辺装置の実施例を示す従来技術1のブロック図である。
【図2】図2は、従来技術2のマグネトロン出力制御装置及びその周辺装置の実施例を示す従来技術2のブロック図である。
【図3】図3は、本発明のマグネトロン出力制御装置及びその周辺装置の実施例を示す本発明のブロック図である。
【図4】図4は、ヒステリシス付き比較器23の比較動作の一例を説明する比較動作説明図である。
【符号の説明】
1 商用電源
2 ダイオードブリッジ
3 コンデンサ
4,5 スイッチング素子
6,7 コンデンサ
8 高周波トランス
9,10 ダイオード
11,12 コンデンサ
13 (本発明の)制御回路
14 (本発明の)誤差増幅器
15 (本発明の)出力電力設定器
16 フィラメント電源
17 マグネトロン
18 プラズマ負荷
19 (本発明の)マイクロ波電力検出器/電力検出器
20 アノード電流検出器
21 検出信号切換器
22 検出信号切換ドライバ
23 ヒステリシス付き比較器
24 検出信号切換設定器
25 (本発明の)アノード電源
26a マグネトロン17とアイソレータ27との間の導波管
26b アイソレータ27とプラズマ負荷18との間の導波管
27 アイソレータ
113 (従来技術1の)制御回路
114 (従来技術1の)誤差増幅器
115 (従来技術1の)出力電力設定器
125 (従来技術1の)アノード電源
213 (従来技術2の)制御回路
214 (従来技術2の)誤差増幅器
215 (従来技術2の)出力電力設定器
219 (従来技術2の)マイクロ波電力検出器
225 (従来技術2の)アノード電源
Ea 進行波電力に対応した信号
Eb 反射波電力に対応した信号
Ec 反射波電力に対応した信号Ebと比較するための反射波電力比較基準値
Ed アノード電流検出信号
Ee 出力電力設定器15の設定値
Ef 誤差増幅器14の出力電力増幅信号
Eg 進行波・アノード切り換え信号
Eh 反射波電力に対応した信号Ebと予め設定した反射波電力比較基準値Ecとの差の信号
S1 進行波電力一定制御からアノード電流一定制御に切り換える反射波電力比較基準値
S2 アノード電流一定制御から進行波電力一定制御に切り換える反射波電力比較基準値[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a magnetron output control method and apparatus for controlling the output power of a magnetron that generates microwave power.
[0002]
[Prior art]
An apparatus using plasma generated by microwave power output from a magnetron output control apparatus using a magnetron includes plasma processing such as a CVD apparatus which is one of apparatuses for forming a thin film and an etching apparatus for manufacturing a semiconductor. There is a device.
[0003]
(Prior art 1)
FIG. 1 is a block diagram of the prior art 1 showing an embodiment of the magnetron output control device of the prior art 1 and its peripheral devices.
The magnetron output control device of the prior art 1 includes a magnetron (magnetoelectric tube) 17 for generating microwave power, and a power source for heating the filament by supplying power to the filament of the magnetron 17 (hereinafter referred to as a filament power source). 16 and a DC high-voltage power supply (hereinafter referred to as anode power supply) 125 for applying a high voltage between the anode and cathode of the
[0004]
The commercial power source 1 is an AC power source that supplies power to the anode power source 125 and the
[0005]
The
[0006]
The microwave power output from the
[0007]
As an output power control method of such a magnetron output control device, feedback control is performed so that the anode current of the
[0008]
Specifically, the anode
[0009]
(Prior art 2)
FIG. 2 is a block diagram of the
The magnetron output control device of the
[0010]
The commercial power source 1 is an AC power source that supplies power to the anode power source 225 and the
[0011]
The microwave power output from the
[0012]
The
For example, as described in Japanese Patent Laid-Open No. 4-196903, when a directional coupler is used, a microwave standing wave is separated into a traveling wave and a reflected wave by the directional coupler, and the traveling is separated. It has a function of detecting a signal corresponding to traveling wave power and a signal corresponding to reflected wave power by detecting waves and reflected waves using a diode or the like.
Similarly, as described in Japanese Patent Laid-Open No. 4-196903, when the microwave automatic matching unit is used, the
[0013]
As an output power control method of such a magnetron output control device, feedback control is performed so that the traveling wave power becomes a constant value using a signal corresponding to the traveling wave power output from the
[0014]
Specifically, a signal corresponding to traveling wave power is output from the
[0015]
[Problems to be solved by the invention]
The magnetron output control device of the prior art 1 described above detects the anode current of the
[0016]
Generally, the
[0017]
When the control method of the microwave output power of the magnetron output control device is constant anode current control, when outputting microwave power for a long time or taking out a large capacity output, the demagnetization characteristics with the temperature rise of the ferrite core Occurs, the magnetic field is weakened, and the output efficiency of the microwave power is reduced. For this reason, even if the anode current is controlled to a constant value, the microwave output power value that can be extracted decreases with the time of temperature rise of the ferrite core. In an example of an air-cooled magnetron, when microwave output is performed with constant anode current control, the initial microwave output power value decreases by about 10% in 60 seconds from the start of output.
[0018]
From the above, in the magnetron output control device with constant anode current control, the effective power of the microwave output from the
[0019]
The magnetron output control device of the
[0020]
Here, when the reflected wave power is generated by the
[0021]
If an error occurs in the signal corresponding to the traveling wave power, an error occurs between the value set by the output power setting unit 215 and the effective power of the microwave output, no matter how high the gain of the control system.
[0022]
From the above, the magnetron output control device of the traveling wave power constant control method can keep the traveling wave power at a constant value when the reflected wave power is not generated, but it can be applied to a nonlinear load such as the
[0023]
By the way, the
Although the directional coupler and the microwave automatic matching unit can detect or calculate the signal corresponding to the traveling wave power and the signal corresponding to the reflected wave power, the microwave automatic matching unit further efficiently converts the microwave power to the plasma load. 18 so that the impedance between the
[0024]
When the
[0025]
An object of the present invention is to prevent a decrease in microwave output power due to hunting which has been a problem in the
[0026]
[Means for Solving the Problems]
The invention of claim 1 at the time of filing corresponds to the traveling wave power from the
[0027]
The invention of
[0028]
The invention of
[0029]
The invention of claim 4 at the time of filing is that the reflected wave power comparison reference value Ec according to claim 1 at the time of filing,
[0030]
The invention of
[0031]
The invention of claim 6 at the time of filing, as shown in FIG. 3, includes a magnetron (magnetic tube) 17 for generating microwaves, a
[0032]
The invention of
[0033]
In the invention of claim 8 at the time of filing, the
[0034]
In the invention of claim 9 at the time of filing, the
[0035]
In the invention of
[0036]
In the invention of claim 11 at the time of filing, the reflected wave power comparison reference value Ec of
[0037]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 3 is a block diagram of the present invention showing an embodiment of the magnetron output control device of the present invention and its peripheral devices. The commercial power source 1 is an AC power source that supplies power to the
[0038]
The microwave power output from the
[0039]
The
[0040]
As a method for controlling the output power of such a magnetron output control device, a signal Eb corresponding to the reflected wave power is output from the
[0041]
The detection signal switching setting unit 24 presets a reflected wave power comparison reference value Ec for comparison with the signal Eb corresponding to the reflected wave power, and the comparator with
[0042]
When the signal Eb corresponding to the reflected wave power input to the comparator with
[0043]
When the signal Eb corresponding to the reflected wave power input to the comparator with
[0044]
The
[0045]
In this way, the magnetron output control method is performed by comparing the signal Eb corresponding to the reflected wave power input to the
[0046]
FIG. 4 is a comparison operation explanatory diagram illustrating an example of the comparison operation of the
Although the two reflected wave power comparison reference values can be set to the same value, if the signal Eb corresponding to the reflected wave power is not stable near the reflected wave power comparison reference value, the magnetron output control method to be selected is also stabilized. Instead, a hunting state in which the traveling wave power constant control and the anode current constant control are frequently switched is obtained. By appropriately setting these two reflected wave power comparison reference values, hunting of such a magnetron output control method can be prevented.
[0047]
The
[0048]
【The invention's effect】
The present invention solves the problems of the prior art 1 and the
[0049]
When the output power control method of the magnetron output control device is switched to constant anode current control, the efficiency of the microwave output power decreases due to the demagnetization characteristics of the ferrite core, but the time controlled by the constant anode current control Is the time until the signal Eb corresponding to the reflected wave power becomes less than the preset reflected wave power comparison reference value. When the microwave automatic matching unit is used, it is approximately 1 to 15 seconds (usually 2 to 5 seconds). The impedance is matched so that the reflected wave power from the
[0050]
As described above, by using the present invention, it is possible to solve the problems in the prior art and to promptly match when the reflected wave power is generated in the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram of prior art 1 showing an embodiment of a magnetron output control device of related art 1 and its peripheral devices.
FIG. 2 is a block diagram of the
FIG. 3 is a block diagram of the present invention showing an embodiment of the magnetron output control device of the present invention and its peripheral devices.
FIG. 4 is a comparison operation explanatory diagram illustrating an example of a comparison operation of the comparator with
[Explanation of symbols]
1 Commercial power supply
2 Diode bridge
3 capacitors
4,5 Switching element
6,7 capacitors
8 High frequency transformer
9,10 Diode
11,12 capacitor
13 (Invention) control circuit
14 Error amplifier (of the present invention)
15 Output power setting device (of the present invention)
16 Filament power supply
17 Magnetron
18 Plasma load
19 (invention) microwave power detector / power detector
20 Anode current detector
21 Detection signal selector
22 Detection signal switching driver
23 Comparator with hysteresis
24 Detection signal switching setter
25 Anode power supply (of the present invention)
26a Waveguide between
26b Waveguide between
27 Isolator
113 Control circuit (of prior art 1)
114 Error Amplifier (of Prior Art 1)
115 Output power setting device (of prior art 1)
125 Anode power supply (prior art 1)
213 Control circuit (of prior art 2)
214 Error Amplifier (of Prior Art 2)
215 Output power setting device (of prior art 2)
219 Microwave power detector (of prior art 2)
225 Anode power supply (prior art 2)
Ea Signal corresponding to traveling wave power
Eb Signal corresponding to reflected wave power
Ec Reflected wave power comparison reference value for comparison with the signal Eb corresponding to the reflected wave power
Ed Anode current detection signal
Ee Setting value of output
Ef Output power amplification signal of
Eg Traveling wave / Anode switching signal
Eh Difference signal between the signal Eb corresponding to the reflected wave power and the preset reflected wave power reference value Ec
S1 Reflected wave power reference value for switching from constant traveling wave power control to constant anode current control
S2 Reflected wave power reference value for switching from constant anode current control to constant traveling wave power control
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