JP4109675B2 - 無機絶縁部を有する微細加工リレー - Google Patents
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Description
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- 基板と、この基板上にあるソースコンタクト、ゲートコンタクト及び一対のドレインコンタクトと、偏向可能梁と、を備え、
上記偏向可能梁が、
上記ソースコンタクトに固定された第1の端部に加え第2の端部を有する導電性梁本体であって当該第2の端部が両ドレインコンタクト上に延びるよう上記基板に対し平行に延びた導電性梁本体と、
上記ドレインコンタクト上に張り出した梁コンタクトと、
上記導電性梁本体の第2の端部と、上記梁コンタクトと、の間に位置し、上記導電性梁本体の第2の端部を上記梁コンタクトと結合させると共に上記導電性梁本体を上記梁コンタクトから電気的に絶縁する絶縁体と、
上記絶縁体の頂部上に設けられる金属接着層と、
を有し、
上記絶縁体は、上記第2の端部のみに設けられ、上記第2の端部において、上記導電性梁本体と上記梁コンタクトとをアイソレートし、また上記梁コンタクトの側面及び上面をくるむように、上記導電性梁本体と、上記金属接着層と、上記絶縁体と、上記梁コンタクトと、が層状に構成されることを特徴とする微細機械式リレー。 - 請求項1記載の微細機械式リレーにおいて、上記ゲートコンタクトと上記導電性梁本体との間に発生している電界が第1強度である場合は上記梁コンタクトが上記ドレインコンタクトと通電する第1の位置へと、また第2強度である場合は上記梁コンタクトが上記ドレインコンタクトから電気的にアイソレートされる第2の位置へと、上記偏向可能梁が偏向される微細機械式リレー。
- 請求項1記載の微細機械式リレーにおいて、上記基板が酸化シリコン又はガラスを含む微細機械式リレー。
- 請求項1記載の微細機械式リレーにおいて、上記導電性梁本体がニッケル、金、チタン、クロム、銅又は鉄を含む微細機械式リレー。
- 請求項1記載の微細機械式リレーにおいて、上記絶縁体がポリイミド又はPMMAを含む微細機械式リレー。
- 請求項1記載の微細機械式リレーにおいて、上記絶縁体が窒化シリコン、酸化シリコン又は酸化アルミニウムを含む微細機械式リレー。
- 請求項1記載の微細機械式リレーにおいて、上記ドレインコンタクトがプラチナ、パラジウム、チタン、タングステン、ロジウム、ルテニウム又は金を含む微細機械式リレー。
- 請求項1記載の微細機械式リレーにおいて、上記ゲートコンタクトがプラチナ、パラジウム、チタン、タングステン、ロジウム、ルテニウム又は金を含む微細機械式リレー。
- 請求項1記載の微細機械式リレーにおいて、上記ソースコンタクトがプラチナ、パラジウム、チタン、タングステン、ロジウム、ルテニウム又は金を含む微細機械式リレー。
- 請求項1記載の微細機械式リレーであって電気回路内に組み込まれた微細機械式リレー。
- (a)基板上にソースコンタクト、ゲートコンタクト及び一対のドレインコンタクトを形成し、
(b)ソースコンタクト、ゲートコンタクト、ドレインコンタクト及び基板の上方に犠牲領域を形成し、
(c)犠牲領域の上面のうち、ドレインコンタクトに対応する領域の少なくとも一部に導電性の梁コンタクト領域を形成し、
(d)梁コンタクト領域上方に絶縁領域を重ね、さらにその頂部上に金属接着層を形成し、
(e)犠牲領域のうちのソースコンタクト上方を覆う領域を除去し、
(f)ソースコンタクト上から上方に立ち上がった後に、ゲートコンタクトの上方を覆う犠牲領域の上面に沿って横方向に延びるようにし、その延出方向端部のみを絶縁性領域の上方に重ねて導電性梁本体を形成し、その際に、その端部においては、導電性梁本体と梁コンタクト領域とをアイソレートし、また梁コンタクトの側面及び上面をくるむように、導電性梁本体と、梁コンタクト領域と、絶縁性領域と、金属接着層と、が層状に形成され、
(g)残りの犠牲領域を除去して、導電性梁を形成する微細機械式リレー製造方法。 - 請求項11記載の方法において、基板が酸化シリコン又はガラスを含む方法。
- 請求項11記載の方法において、導電性梁本体がニッケル、金、チタン、クロム、銅又は鉄を含む方法。
- 請求項11記載の方法において、絶縁領域がポリイミド又はPMMAを含む方法。
- 請求項11記載の方法において、絶縁領域が窒化シリコン、酸化シリコン又は酸化アルミニウムを含む方法。
- 請求項11記載の方法において、ドレインコンタクトがプラチナ、パラジウム、チタン、タングステン、ロジウム、ルテニウム又は金を含む方法。
- 請求項11記載の方法において、ゲートコンタクトがプラチナ、パラジウム、チタン、タングステン、ロジウム、ルテニウム又は金を含む方法。
- 請求項11記載の方法において、ソースコンタクトがプラチナ、パラジウム、チタン、タングステン、ロジウム、ルテニウム又は金を含む方法。
- 請求項11記載の方法において、犠牲領域がチタン、チタン−タングステン又は銅を含む方法。
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