JP4109137B2

JP4109137B2 - エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法

Info

Publication number: JP4109137B2
Application number: JP2003045169A
Authority: JP
Inventors: 哲也中嶋; 宏藤浪; 元陽伊藤; 繁雄岡谷; 保徳佃
Original assignee: Star Micronics Co Ltd
Current assignee: Star Micronics Co Ltd
Priority date: 2003-02-21
Filing date: 2003-02-21
Publication date: 2008-07-02
Anticipated expiration: 2023-02-21
Also published as: JP2004254253A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
多くのエレクトレットコンデンサマイクロホンは、振動膜と、この振動膜と所定間隔をおいて配置された背面電極板と、これら振動膜および背面電極板に電気的に接続された電界効果トランジスタとを備えた構成となっている。
【０００３】
そして、このエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造工程においては、所要の感度特性を有する製品が得られるようにするため、その背面電極板としてチャージ電圧が一定範囲内のものを選別したり、あるいは特許文献１に記載されているように、背面電極板に対して電離放射線を照射することによりチャージ電圧の低減調整を行うといった工夫がなされている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−３２５９６号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、エレクトレットコンデンサマイクロホンにおける感度特性のバラツキの要因は、背面電極板のチャージ電圧の要因だけではないので、上記従来の製造方法では、感度特性のバラツキを十分に小さく抑えることは困難である。
【０００５】
本願発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、感度特性のバラツキを十分に小さく抑えることができるエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本願発明は、感度特性のバラツキに対する寄与率が高い、背面電極板のチャージ電圧以外の要因について、その特性を吟味し、これを加味したチャージ電圧で背面電極板に対する分極処理を行うようにすることにより、上記目的達成を図るようにしたものである。
【０００７】
すなわち、本願第１の発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法は、
振動膜と、この振動膜と所定間隔をおいて配置された背面電極板と、これら振動膜および背面電極板に電気的に接続された電界効果トランジスタと、を備えてなるエレクトレットコンデンサマイクロホンを製造する方法において、
所定の目標感度を得るために必要な上記背面電極板の目標チャージ電圧を、上記電界効果トランジスタのドレイン飽和電流に応じて予め設定しておき、
上記電界効果トランジスタのドレイン飽和電流を実測して、この実測値に対応する目標チャージ電圧で上記背面電極板に対する分極処理を行う、ことを特徴とするものである。
【０００８】
また、本願第２の発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法は、
振動膜と、この振動膜と所定間隔をおいて配置された背面電極板と、これら振動膜および背面電極板に電気的に接続された電界効果トランジスタと、を備えてなるエレクトレットコンデンサマイクロホンを製造する方法において、
所定の目標感度を得るために必要な上記背面電極板の目標チャージ電圧を、上記振動膜の最低共振周波数に応じて予め設定しておき、
上記振動膜の最低共振周波数を実測して、この実測値に対応する目標チャージ電圧で上記背面電極板に対する分極処理を行う、ことを特徴とするものである。
【０００９】
また、本願第３の発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法は、
振動膜と、この振動膜と所定間隔をおいて配置された背面電極板と、これら振動膜および背面電極板に電気的に接続された電界効果トランジスタと、を備えてなるエレクトレットコンデンサマイクロホンを製造する方法において、
所定の目標感度を得るために必要な上記背面電極板の目標チャージ電圧を、上記電界効果トランジスタのドレイン飽和電流および上記振動膜の最低共振周波数に応じて予め設定しておき、
上記電界効果トランジスタのドレイン飽和電流および上記振動膜の最低共振周波数を実測して、これら２つの実測値に対応する目標チャージ電圧で上記背面電極板に対する分極処理を行う、ことを特徴とするものである。
【００１０】
上記「所定の目標感度」の具体的な値は、特に限定されるものではなく、エレクトレットコンデンサマイクロホンのサイズや用途等に応じて、適宜設定することが可能である。
【００１１】
【発明の作用効果】
本願発明者らが、エレクトレットコンデンサマイクロホンにおける感度特性のバラツキの要因について分析したところ、背面電極板のチャージ電圧以外に、電界効果トランジスタのドレイン飽和電流および振動膜の最低共振周波数が、感度特性のバラツキに対する寄与率が高いことが判明した。
【００１２】
そこで、本願第１の発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法のように、所定の目標感度を得るのに適した背面電極板の目標チャージ電圧を、電界効果トランジスタのドレイン飽和電流に応じて予め設定しておき、電界効果トランジスタのドレイン飽和電流を実測して、この実測値に対応する目標チャージ電圧で背面電極板に対する分極処理を行うようにすることにより、従来のような背面電極板のチャージ電圧のみに着目した選別方法や調整方法を採用した場合に比して、感度特性のバラツキを大幅に小さく抑えることができる。
【００１３】
また、本願第２の発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法のように、所定の目標感度を得るのに適した背面電極板の目標チャージ電圧を、振動膜の最低共振周波数に応じて予め設定しておき、振動膜の最低共振周波数を実測して、この実測値に対応する目標チャージ電圧で背面電極板に対する分極処理を行うようにすることにより、従来のような背面電極板のチャージ電圧のみに着目した選別方法や調整方法を採用した場合に比して、感度特性のバラツキを大幅に小さく抑えることができる。
【００１４】
さらに、本願第３の発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法のように、所定の目標感度を得るのに適した背面電極板の目標チャージ電圧を、電界効果トランジスタのドレイン飽和電流および振動膜の最低共振周波数に応じて予め設定しておき、電界効果トランジスタのドレイン飽和電流および振動膜の最低共振周波数を実測して、これら２つの実測値に対応する目標チャージ電圧で背面電極板に対する分極処理を行うようにすることにより、電界効果トランジスタのドレイン飽和電流および振動膜の最低共振周波数のうちの一方のみに応じて分極処理を行うようにした場合に比して、感度特性のバラツキを一層小さく抑えることができる。
【００１５】
本願第１または第３の発明において、電界効果トランジスタのドレイン飽和電流を複数のランクにランク分けして、これら各ランク毎に目標チャージ電圧を設定しておくとともに、電界効果トランジスタをそのドレイン飽和電流の実測値に応じて上記複数のランクにランク分けしておき、これら各ランク毎に目標チャージ電圧を決定するようにすれば、感度特性の調整を効率的に行うことができる。
【００１６】
この場合において、各ランクの幅を、エレクトレットコンデンサマイクロホンの感度特性への影響度が略一定になるように設定すれば、感度特性の調整精度をより一層高めることができる。
【００１７】
また、本願第２または第３の発明において、振動膜に対してヒートエージング処理を施した後に、該振動膜の最低共振周波数の実測を行うようにすれば、振動膜の最低共振周波数の実測値のバラツキを小さく抑えることができるので、目標チャージ電圧の変動幅を小さく抑えることができる。この場合において、ヒートエージング処理の温度および時間について、その具体的な値は特に限定されるものではない。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて、本願発明の実施の形態について説明する。
【００１９】
図１は、本願発明の一実施形態に係る製造方法の適用対象となるエレクトレットコンデンサマイクロホンを上向きに配置した状態で示す側断面図である。
【００２０】
図示のように、本実施形態に係るエレクトレットコンデンサマイクロホン１０は、外径が３ｍｍ程度、高さが１．２〜１．５ｍｍ程度の超小型マイクロホンであって、円筒状のケース１２内に、振動膜サブアッセンブリ１４、スペーサ１６、背面電極板１８、コイルスプリング２０、絶縁性ブッシュ２２およびＪＦＥＴボード２４が収容されてなっている。
【００２１】
ケース１２は、金属製（例えばアルミニウム製）であって、その上端壁には放音孔１２ａが形成されており、また、その下端部１２ｂにおいてＪＦＥＴボード２４にカシメ固定されている。
【００２２】
振動膜サブアッセンブリ１４は、図２（ｂ）に単品でも示すように、円形の振動膜２６が支持リング２８に張設固定されてなっている。振動膜２６は、厚みが１．５μｍ程度のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの上面にニッケル合金等の金属蒸着膜が形成されてなり、その外径はケース１２の内径と略同一の値に設定されている。一方、支持リング２８は、金属製のプレス加工品であって振動膜２６と略同じ外径を有している。
【００２３】
そして、この振動膜２６の支持リング２８への張設固定は、図２（ａ）に示すように、下面に金属蒸着膜が形成されたＰＥＴフィルム２を、図示しない治具の重量により所定のテンションで張った状態で、上面に接着剤３０が塗布された支持リング２８に押し当てて接着するとともに、ＰＥＴフィルム２の不要部分を除去することにより行われるようになっている。
【００２４】
このときＰＥＴフィルム２に作用するテンションの大きさによって、振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０にバラツキが生じることとなる。すなわち、ＰＥＴフィルム２に作用するテンションが小さいと、振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０が低くなり、感度が高くなる。ただし、あまりテンションが小さくなると、振動膜２６にシワが発生してしまい、音響特性が不安定になる。一方、ＰＥＴフィルム２に対するテンションが大きいと、振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０が高くなり、感度が低下してしまう。
【００２５】
スペーサ１６は、ケース１２の内径と略同じ外径を有するステンレス鋼製の薄板リングで構成されている。
【００２６】
背面電極板１８は、電極板本体１８Ａと、この電極板本体１８Ａの上面に熱融着されたエレクトレット１８Ｂとからなり、該背面電極板１８には複数の貫通孔１８ａが形成されている。
【００２７】
電極板本体１８Ａは、板厚が０．１５ｍｍ程度のステンレス鋼板からなり、エレクトレット１８Ｂは、厚みが２５μｍ程度のＦＥＰ（フッ化エチレンプロピレン）フィルムからなっている。そして、この背面電極板１８においては、そのエレクトレット１８Ｂに所定の表面電位が付与されるよう、所定のチャージ電圧で分極処理が施されている。
【００２８】
ケース１２内においては、エレクトレット１８Ｂと振動膜２６とがスペーサ１６を介して所定の微小間隔をおいて対向配置されており、これによりコンデンサ部を構成するようになっている。
【００２９】
絶縁性ブッシュ２２は、ケース１２の内径と略同じ外径を有する円筒状部材であって、その内周側に背面電極板１８およびコイルスプリング２０が配置されるようになっている。その際、背面電極板１８は、コイルスプリング２０によりスペーサ１６へ向けて弾性的に押圧されるようになっている。
【００３０】
ＪＦＥＴボード２４は、ケース１２の内径と略同じ外径を有するボード本体３２と、このボード本体３２の上面に実装されたチップ状の接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）３４およびコンデンサ３６とからなっている。ボード本体３２の上面には、導電パターン３２ａが形成されており、また、ボード本体３２の下面には、その中心部にプラス端子となる導電パターン３２ｂが形成されるとともに、その外周縁部にアース端子となる導電パターン３２ｃが形成されている。
【００３１】
接合型電界効果トランジスタ３４は、そのゲート電極が導電パターン３２ａおよびコイルスプリング２０を介して背極板１８に電気的に接続されており、そのドレイン電極が導電パターン３２ａを介して導電パターン３２ｂに電気的に接続されており、そのソース電極が導電パターン３２ａ、３２ｃ、ケース１２および支持リング２８を介して振動膜１６の金属蒸着膜に電気的に接続されている。
【００３２】
次に、本実施形態に係るエレクトレットコンデンサマイクロホン１０の製造工程について説明する。
【００３３】
このエレクトレットコンデンサマイクロホン１０は、カシメ固定が行われる前の状態のケース１２（図１において２点鎖線で示す形状のケース）を上下逆さに配置した状態で、該ケース１２内に、振動膜サブアッセンブリ１４、スペーサ１６、絶縁性ブッシュ２２、背面電極板１８、コイルスプリング２０およびＪＦＥＴボード２４をこの順序で組み込んだ後、ケース１２の開放下端部１２ｂをＪＦＥＴボード２４にカシメ固定することにより、その組付けが行われるようになっている。
【００３４】
本実施形態においては、このようにしてケース１２内に各部品を組み込む前の段階で、次のような感度特性の調整を行うようになっている。
【００３５】
すなわち、まず、所定の目標感度を得るのに適した背面電極板１８の目標チャージ電圧Ｖｃを、接合型電界効果トランジスタ３４のドレイン飽和電流ＩＤＳＳおよび振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０に応じて予め設定しておく。そして、接合型電界効果トランジスタ３４のドレイン飽和電流ＩＤＳＳおよび振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０を実測して、これら２つの実測値に対応する目標チャージ電圧Ｖｃで背面電極板１８に対する分極処理を行う。
【００３６】
その際、振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０の実測は、振動膜サブアッセンブリ１４に対して、その振動膜２６を構成するＰＥＴの二次転移点（６９℃）を超える所定温度（例えば１０５℃）で８時間以上（例えば２４時間）ヒートエージング処理を施した後に行うようにし、これにより振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０のバラツキを予め小さく抑えておく。
【００３７】
図３は、目標感度を−４２ｄＢとしたときの背面電極板１８の目標チャージ電圧Ｖｃを示すグラフであって、複数のサンプルについて実験したデータを基に作成されたものである。
【００３８】
同図に示すように、目標チャージ電圧Ｖｃは、振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０に対して、接合型電界効果トランジスタ３４のドレイン飽和電流ＩＤＳＳをパラメータとして得られるようになっている。その際、接合型電界効果トランジスタ３４のドレイン飽和電流ＩＤＳＳについては、１３０μＡから４０μＡ毎に６つのランク（１）〜（６）にランク分けされている。
【００３９】
このグラフから明らかなように、最低共振周波数Ｆ０の値が大きくなるほど目標チャージ電圧Ｖｃの値は小さくなり、また、ドレイン飽和電流ＩＤＳＳの値が大きくなるほど（すなわちランク（１）からランク（６）に近づくほど）目標チャージ電圧Ｖｃの値は大きくなる。
【００４０】
個々の振動膜２６および接合型電界効果トランジスタ３４について、その最低共振周波数Ｆ０およびドレイン飽和電流ＩＤＳＳを実測すれば、これら２つの実測値から、図３のグラフに基づいて分極処理の際の目標チャージ電圧Ｖｃを決定することができる。その際、接合型電界効果トランジスタ３４に関しては、そのドレイン飽和電流ＩＤＳＳの実測値に応じてこれを上記６つのランク（１）〜（６）にランク分けしておけば、これら各ランク毎に目標チャージ電圧Ｖｃを容易に決定することができる。
【００４１】
また、このグラフを基にして、表１に示すような目標チャージ電圧Ｖｃの設定値テーブルを作成しておけば、マップ検索によって目標チャージ電圧Ｖｃを容易に決定することができる。
【００４２】
なお、この設定値テーブルにおいては、接合型電界効果トランジスタ３４のドレイン飽和電流ＩＤＳＳについては、上記６つのランク（１）〜（６）がそのまま用いられており、振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０については、０．５ｋＨｚ毎に領域分けがなされている。
【００４３】
【表１】

【００４４】
以上詳述したように、本実施形態に係るエレクトレットコンデンサマイクロホン１０の製造方法においては、所定の目標感度を得るのに適した背面電極板１８の目標チャージ電圧Ｖｃを、接合型電界効果トランジスタ３４のドレイン飽和電流ＩＤＳＳおよび振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０に応じて予め設定しておき、接合型電界効果トランジスタ３４のドレイン飽和電流ＩＤＳＳおよび振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０を実測して、これら２つの実測値に対応する目標チャージ電圧Ｖｃで背面電極板１８に対する分極処理を行うようになっているので、従来のような背面電極板のチャージ電圧のみに着目した選別方法や調整方法を採用した場合に比して、感度特性のバラツキを大幅に小さく抑えることができる。
【００４５】
特に本実施形態においては、接合型電界効果トランジスタ３４のドレイン飽和電流ＩＤＳＳを複数のランク（１）〜（６）にランク分けして、これら各ランク（１）〜（６）毎に目標チャージ電圧Ｖｃを設定しておくとともに、個々の接合型電界効果トランジスタ３４をそのドレイン飽和電流ＩＤＳＳの実測値に応じて上記複数のランク（１）〜（６）にランク分けしておき、これら各ランク（１）〜（６）毎に目標チャージ電圧Ｖｃを決定するようになっているので、感度特性の調整を効率的に行うことができる。
【００４６】
しかも本実施形態においては、表１に示すような目標チャージ電圧Ｖｃの設定値テーブルを作成して、マップ検索によって目標チャージ電圧Ｖｃを決定するようになっているので、目標チャージ電圧Ｖｃの決定を容易に行うことができる。
【００４７】
このようにして決定した目標チャージ電圧Ｖｃで背面電極板１８に対する分極処理を行い、この背面電極板１８を組み込むようにすれば、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０の感度特性のバラツキを、従来の−４２ｄＢ±３ｄＢから−４２ｄＢ±１．５ｄＢに収めることが可能となる。
【００４８】
なお、従来の製造方法において、このような狭い範囲に感度特性のバラツキを収めようとした場合には、振動膜２６や接合型電界効果トランジスタ３４の大半を不良品として判定せざるを得なくなるが、本実施形態においては、これら不良品判定の対象となるべき部品を有効に利用することができる。
【００４９】
また本実施形態においては、振動膜２６に対してヒートエージング処理を施した後に、該振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０の実測を行うようになっているので、振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０の実測値のバラツキを小さく抑えることができ、これにより目標チャージ電圧Ｖｃの変動幅を小さく抑えることができる。
【００５０】
なお、本実施形態の製造方法において、振動膜サブアッセンブリ１４を製造する際、接着剤３０を、支持リング２８の裏面（すなわちプレス成形の際に生じるダレ面とは反対側の面）に塗布して、ＰＥＴフィルム２の接着を行うようにすれば、振動膜２６の有効面積を均一化することができるので、その最低共振周波数Ｆ０の実測値のバラツキをより小さく抑えることができる。
【００５１】
また、本実施形態の製造方法において、背面電極板１８に対して分極処理を施す前に、洗浄あるいは除電機により除電処理を施しておくようにすれば、そのエレクトレット１８Ｂにおける蓄電分布を均一化させることができる。なお、本実施形態においては、エレクトレット１８Ｂを構成するＦＥＰフィルムの厚みが２５μｍ程度であるものとして説明したが、これを半分の１２．５μｍ程度にすれば、蓄電分布をより均一化させることができる。
【００５２】
ところで本実施形態においては、目標チャージ電圧Ｖｃの設定値テーブルにおける接合型電界効果トランジスタ３４のドレイン飽和電流ＩＤＳＳが４０μＡ毎にランク分けされており、振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０が０．５ｋＨｚ毎に領域分けされているものとして説明したが、ランク分けおよび領域分けの際の具体的な範囲が適宜変更可能であることはもちろんである。
【００５３】
本実施形態においては、接合型電界効果トランジスタ３４のドレイン飽和電流ＩＤＳＳの各ランク（１）〜（６）が等間隔でランク分けされているが、このようにする代わりに、図４に示すようなランク分けを行うことも可能である。
【００５４】
同図は、特定のチャージ電圧および特定の最低共振周波数Ｆ０の際に、ドレイン飽和電流ＩＤＳＳが感度に及ぼす影響を示した図である。
【００５５】
すなわち、同図に示すように、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０の感度は、接合型電界効果トランジスタ３４のドレイン飽和電流ＩＤＳＳに対して対数曲線的な特性を有しているので、各ランク（１）〜（６）の幅を、同図に示すように、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０の感度特性への影響度が略一定になるように設定すれば、感度特性の調整精度をより一層高めることができる。
【００５６】
なお上記実施形態においては、目標感度を−４２ｄＢとした場合の目標チャージ電圧Ｖｃの値について説明したが、目標感度をこれ以外の値に設定してもよいことはもちろんであり、この場合には、当然ながら目標チャージ電圧Ｖｃの値も上記実施形態の値とは異なったものとなる。
【００５７】
また上記実施形態においては、接合型電界効果トランジスタ３４のドレイン飽和電流ＩＤＳＳおよび振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０を実測して、これら２つの実測値に対応する目標チャージ電圧Ｖｃで背面電極板１８に対する分極処理を行う場合について説明したが、接合型電界効果トランジスタ３４のドレイン飽和電流ＩＤＳＳおよび振動膜２６の最低共振周波数Ｆ０のうちの一方のみを実測して、この実測値に対応する目標チャージ電圧で背面電極板１８に対する分極処理を行うようにすることも可能である。
【００５８】
このようにした場合には、上記実施形態の場合よりも感度特性のバラツキが多少大きくなるが、簡易な方法により、従来のような背面電極板のチャージ電圧のみに着目した選別方法や調整方法を採用した場合に比して、感度特性のバラツキを大幅に小さく抑えることができる。
【００５９】
また上記実施形態においては、電界効果トランジスタとして接合型電界効果トランジスタ３４を例示したが、これに限定されるものではなく、ＭＯＳ型電界効果トランジスタについても同様に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の一実施形態に係る製造方法の適用対象となるエレクトレットコンデンサマイクロホンを上向きに配置した状態で示す側断面図
【図２】上記製造方法における振動膜の支持リングへの張設固定の様子を示す斜視図（ａ）および該張設固定により製造された振動膜サブアッセンブリを単品で示す斜視図（ｂ）
【図３】目標感度を−４２ｄＢとしたときの背面電極板の目標チャージ電圧を示すグラフ
【図４】上記実施形態において、接合型電界効果トランジスタのドレイン飽和電流をランク分けする際の変形例を示すグラフ
【符号の説明】
２ＰＥＴフィルム
１０エレクトレットコンデンサマイクロホン
１２ケース
１２ａ音孔
１２ｂ開放下端部
１４振動膜サブアッセンブリ
１６スペーサ
１８背面電極板
１８Ａ電極板本体
１８Ｂエレクトレット
１８ａ貫通孔
２０コイルスプリング
２２絶縁性ブッシュ
２４ＪＦＥＴボード
２６振動膜
２８支持リング
３０接着剤
３２ボード本体
３２ａ、３２ｂ、３２ｃ導電パターン
３４接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）
３６コンデンサ

Claims

振動膜と、この振動膜と所定間隔をおいて配置された背面電極板と、これら振動膜および背面電極板に電気的に接続された電界効果トランジスタと、を備えてなるエレクトレットコンデンサマイクロホンを製造する方法において、
所定の目標感度を得るのに適した上記背面電極板の目標チャージ電圧を、上記電界効果トランジスタのドレイン飽和電流に応じて予め設定しておき、
上記電界効果トランジスタのドレイン飽和電流を実測して、この実測値に対応する目標チャージ電圧で上記背面電極板に対する分極処理を行う、ことを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。
振動膜と、この振動膜と所定間隔をおいて配置された背面電極板と、これら振動膜および背面電極板に電気的に接続された電界効果トランジスタと、を備えてなるエレクトレットコンデンサマイクロホンを製造する方法において、
所定の目標感度を得るのに適した上記背面電極板の目標チャージ電圧を、上記振動膜の最低共振周波数に応じて予め設定しておき、
上記振動膜の最低共振周波数を実測して、この実測値に対応する目標チャージ電圧で上記背面電極板に対する分極処理を行う、ことを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。
振動膜と、この振動膜と所定間隔をおいて配置された背面電極板と、これら振動膜および背面電極板に電気的に接続された電界効果トランジスタと、を備えてなるエレクトレットコンデンサマイクロホンを製造する方法において、
所定の目標感度を得るのに適した上記背面電極板の目標チャージ電圧を、上記電界効果トランジスタのドレイン飽和電流および上記振動膜の最低共振周波数に応じて予め設定しておき、
上記電界効果トランジスタのドレイン飽和電流および上記振動膜の最低共振周波数を実測して、これら２つの実測値に対応する目標チャージ電圧で上記背面電極板に対する分極処理を行う、ことを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。
上記電界効果トランジスタのドレイン飽和電流を複数のランクにランク分けして、これら各ランク毎に上記目標チャージ電圧を設定しておくとともに、
上記電界効果トランジスタを上記ドレイン飽和電流の実測値に応じて上記複数のランクにランク分けしておき、これら各ランク毎に上記目標チャージ電圧を決定する、ことを特徴とする請求項１または３記載のエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。
上記各ランクの幅を、上記エレクトレットコンデンサマイクロホンの感度特性への影響度が略一定になるように設定する、ことを特徴とする請求項４記載のエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。
上記振動膜に対してヒートエージング処理を施した後に、該振動膜の最低共振周波数の実測を行う、ことを特徴とする請求項２〜５いずれか記載のエレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。