JP4102221B2 - Method for manufacturing magnetic recording medium - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
コンピュータシステムにおける情報処理量の増大に伴い、ハードディスクなどの記憶装置に対しては、記憶容量の増大化が要求される。そのような要求を満たすべく、近年、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体が注目を集めている。垂直磁気記録方式の磁気記録媒体については、例えば、下記の特許文献1〜4に開示されている。
【0003】
【特許文献1】
特開昭52−134706号公報
【特許文献2】
特開平7−129953号公報
【特許文献3】
特開2001−283419号公報
【特許文献4】
特開2002−358615号公報
【0004】
図9は、垂直磁気記録方式の従来の磁気記録媒体の一例である磁気ディスクX2を表す。図9では、磁気ディスクX2の部分斜視図が、記録用の磁気ヘッドHとともに表されている。磁気ディスクX2は、基板Sと、記録磁性層31と、軟磁性層32と、中間層33と、保護膜34とからなる。各層および膜は、軟磁性層32、中間層33、記録磁性層31、保護膜34の順で、基板Sの側から積層形成されたものである。
【0005】
記録磁性層31は、この層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有して磁化された垂直磁化膜である。軟磁性層32は、高透磁率の磁性膜により構成され、当該磁性膜の膜面に平行な方向(面内方向)に磁化容易軸を有して磁化された面内磁化膜である。中間層33は、非磁性材料よりなり、記録磁性層31および軟磁性層32を磁性的に分離するためのものである。保護膜34は、記録磁性層31を外界から物理的および化学的に保護するためのものである。
【0006】
磁気ディスクX2への記録に際しては、図9に示すように、磁気ディスクX2の記録磁性層31の側に電磁石である磁気ヘッドHを近接して対向させ、当該磁気ヘッドHにより、記録磁性層31に対して記録磁界を印加する。記録磁界の一部は、記録磁性層31を垂直に磁化して通過し、軟磁性層32にて向きを変えてから再び記録磁性層31を垂直に通過して磁気ヘッドHへと帰還する。磁気ディスクX2に対して磁気ヘッドHを矢印Aで示す方向に相対移動させつつ磁気ヘッドHからの磁界の向きを変化させることにより、記録磁性層31において、垂直方向に磁化されて交互に反転する複数の磁区31aが磁気ディスクX2のトラック方向に連なって形成される。このようにして、記録磁性層31において、所定の信号に対応した磁区31aが記録されることとなる。一方、磁気ディスクX2の再生に際しては、記録磁性層31の内部に形成された磁区31aからの磁界の方向の変化が、当該記録磁性層31の磁化方向の変化として、読取り用の磁気ヘッドを介して検出される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従来の磁気ディスクX2の製造においては、記録磁性層31は、スパッタリング法や真空蒸着法により、所定の磁性材料を一様に堆積成長させることにより形成される。このようにして形成される記録磁性層31は、一般に多結晶膜であり、層の厚さ方向に延びる柱状の磁性粒子により構成されていることが知られている。図10は、多結晶構造をとる記録磁性層31における面広がり方向に沿った部分拡大断面図であり、記録磁性層31を構成する複数の磁性粒子31bの横断面を模式的に表す。
【0008】
上述のような記録処理により記録磁性層31に形成される各磁区31aには、同一方向に磁化された複数の磁性粒子31bが含まれる。磁気記録媒体の技術分野においては、磁区31aが安定に存在できる限りにおいて、磁性粒子31bの粒径が小さいほど、より小さな磁区が形成可能であり、記録分解能が向上することが知られている。一方、記録磁性層31を薄く形成するほど、磁性粒子31bの粒径は小さくなることが知られている。しかしながら、記録磁性層31を薄く形成するほど、各磁性粒子31bの体積が小さくなるため、記録磁性層31の垂直磁気異方性は低下する傾向にある。垂直磁気異方性の低下は、磁区31aの安定性の低下を招来し、記録分解能の向上を阻害してしまう。磁気異方性エネルギーが大きく且つ熱的安定性が高いことから、高記録密度化を図るための記録磁性層材料として注目されているFePtやCoPtなどの規則合金において、このような垂直磁気異方性低下の傾向は顕著である。
【0009】
このように、磁気記録媒体に係る従来の技術は、記録磁性層を構成する磁性粒子の粒径を小さくするのに困難性を有する。そのため、従来の技術によると、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体において所望の記録分解能を達成することができない場合がある。
【0010】
一方、記録磁性層31における磁区界面(図10にて太線で表す)の凹凸の程度は、磁性粒子31bの粒径に依存する。具体的には、磁性粒子31bの粒径が小さいほど、磁区界面の凹凸は微細となる。当該凹凸が微細となるほど、記録磁性層31における磁化遷移が急峻になり、媒体ノイズは低減される。しかしながら、磁気記録媒体に係る従来の技術は、上述のように、記録磁性層31を構成する磁性粒子31bの小径化に困難性を有する。そのため、従来の技術によると、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体において媒体ノイズを充分に低減することができない場合がある。
【0011】
本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体における記録分解能を向上し且つ媒体ノイズを低減することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の側面によると磁気記録媒体が提供される。この磁気記録媒体は、磁性材料よりなり且つ垂直磁気異方性を有して並列する複数の磁性コラムと、非磁性材料よりなり且つ複数の磁性コラムの間に介在する非磁性領域と、を含む記録磁性層を備えることを特徴とする。
【0013】
このような構成によると、磁気記録媒体の記録分解能を向上することができる。本発明の第1の側面における記録磁性層は、磁性材料よりなり且つ各々が独立の磁気記録単位として機能する複数の磁性コラム、即ちコラム状の磁性領域と、非磁性材料よりなる非磁性領域とを含んでなる。このような記録磁性層は、例えば、まず、所定の基材の上に磁性材料を成膜した後に当該磁性材料膜を所定のマスクを介してエッチングすることにより、基材上に起立する複数の磁性コラムを形成し、その後、磁性コラム間に非磁性材料を充填することによって、形成することができる。磁性材料膜は、当該磁性材料膜ひいてはこれから形成される磁性コラムが良好な磁性を獲得するための厚さ以上に形成することができる。例えば、規則化して磁性を獲得することのできるFePtやCoPtにより磁性材料膜を形成する場合、規則化するのに適した配向を有する結晶粒を形成するための厚さ以上に、磁性材料膜を形成することができる。また、磁性材料膜のエッチングの際に用いるマスクのマスキングエリアを充分に微小にすることにより、当該エッチングにより形成される磁性コラムの横断面の直径すなわち粒径を所望の程度に小さくすることができる。このように、本発明の第1の側面に係る磁気記録媒体では、記録磁性層にて各々が単一の磁性粒子として機能する磁性コラムについて、良好な磁性を付与しつつ小さな粒径を達成でき、従って、記録磁性層において高い記録分解能を達成することが可能なのである。
【0014】
加えて、本発明の第1の側面に係る磁気記録媒体においては、記録磁性層にて各々が独立の磁気記録単位ないし単一の磁性粒子として機能する磁性コラムを小さく形成することができるので、記録磁性層に形成される磁区の界面の凹凸を微細化することができる。記録磁性層における磁区界面の凹凸が微細となると、当該記録磁性層における磁化遷移が急峻になり、媒体ノイズは低減される。
【0015】
以上のように、本発明の第1の側面に係る磁気記録媒体においては、記録分解能を向上し且つ媒体ノイズを低減することが可能である。このような磁気記録媒体は、高記録密度な垂直磁気記録方式媒体として実用に適している。
【0016】
本発明の第1の側面において、好ましくは、記録磁性層、軟磁性層、および、これらの間の非磁性層よりなる積層構造を有する。第1の側面に係る磁気記録媒体は、このようないわゆる裏打ち軟磁性層を具備する磁気記録媒体として実施するのが好ましい。
【0017】
好ましくは、複数の磁性コラムの横断面平均径、および、複数の磁性コラムの平均離隔距離は、記録磁性層の厚さよりも小さい。複数の磁性コラムの横断面平均径とは、複数の磁性コラムにおける記録磁性層の面内方向の断面についての平均直径である。また、好ましくは、複数の磁性コラムの横断面平均径に対する、複数の磁性コラムの平均離隔距離の比率は、1以下である。複数の磁性コラムの平均離隔距離とは、隣接磁性コラム間の最短距離の平均である。これらの構成は、磁性コラム断面の微小化を達成しつつ記録磁性層において良好な記録特性を得るうえで好適である。
【0018】
好ましくは、磁性コラムは、規則合金または希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。規則合金としては、FePtまたはCoPtを採用するのが好ましい。また、希土類−遷移金属アモルファス合金としては、TbFeCoを採用するのが好ましい。これらの磁性材料は、垂直磁気記録媒体の記録磁性層を形成するための磁性コラム用材料として好適である。
【0019】
好ましくは、非磁性層は、規則合金の結晶配向を制御するための非磁性酸化物よりなる。このような構成は、規則合金において磁性を発現するうえで好適である。
【0020】
本発明の第2の側面によると、垂直磁気異方性を有して並列する複数の磁性コラムと、当該複数の磁性コラムの間に介在する非磁性領域と、を含む記録磁性層を備える磁気記録媒体を製造するための方法が提供される。この製造方法は、基材の上に磁性材料を堆積することにより磁性材料膜を形成するための工程と、磁性材料膜上に、磁性コラム形成領域をマスクするためのエッチングマスクを形成するためのマスク形成工程と、エッチングマスクを介して磁性材料膜をエッチングすることにより、並列し且つ離隔する複数の磁性コラムを形成するための工程と、複数の磁性コラムの間に非磁性材料を充填することにより、複数の磁性コラムの間に介在する非磁性領域を形成するための非磁性領域形成工程と、を含むことを特徴とする。本発明において、基材とは、磁性材料膜が積層形成される露出面を有するベース材であって、基板単体、および、軟磁性層や非磁性層などが既に積層形成された基板を含む。
【0021】
このような方法によると、本発明の第1の側面に係る磁気記録媒体を製造することができる。したがって、本発明の第2の側面によると、製造される磁気記録媒体において、第1の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。
【0022】
本発明の第2の側面において、マスク形成工程では、好ましくは、記録磁性層よりも表面エネルギーの小さな第1材料を当該磁性材料膜上に成膜することにより第1材料膜を形成し、当該第1材料膜上に第2材料を粒状に堆積させることにより複数の第2材料粒を形成し、且つ、当該第2材料粒の各々の上に第3材料を堆積することによって、エッチングマスクとしてのマスク粒子を形成する。この場合、第1材料膜を形成した後であって第2材料粒を形成する前に、第2材料が堆積成長する基点を第1材料膜上に形成するのが好ましい。或は、マスク形成工程では、マスク粒子溶解溶液を磁性材料膜上に塗布し、その後、例えば溶液の液体成分を蒸発させることによって、塗布された溶液から、エッチングマスクとしてのマスク粒子を析出させてもよい。これらの手法は、微細なエッチングマスクを形成するうえで好適である。
【0023】
非磁性領域形成工程においては、好ましくは、磁性コラムを加熱しつつ、複数の磁性コラムの上方から非磁性材料を供給することにより、複数の磁性コラムの間に非磁性材料を充填する。或は、非磁性領域形成工程では、複数の磁性コラムの上方から、記録磁性層よりも表面エネルギーの小さな非磁性材料を供給することにより、複数の磁性コラムの間に非磁性材料を充填してもよい。これらの非磁性領域形成手法は、磁性コラム間の磁性的分離および物理的分離を適切に達成するうえで、好適である。
【0024】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の第1の実施形態に係る磁気記録媒体X1の部分断面を模式的に表す。磁気記録媒体X1は、基板Sと、記録磁性層11と、軟磁性層12と、非磁性層13と、保護膜14とを備える垂直磁気記録方式磁気ディスクとして構成されたものである。
【0025】
基板Sは、例えばアルミニウム合金、ガラス、またはセラミックスからなる非磁性基板である。基板Sの表面は、化学的方法、物理的方法、または機械的方法により、平滑化されている。
【0026】
記録磁性層11は、充分に大きな保磁力を有し、磁性を発現するための複数の磁性コラム11aと非磁性領域11bとからなる。複数の磁性コラム11aは、相互に並列し且つ離隔しており、各々、垂直磁気異方性を呈して図中上方向または下方向に磁化されている。図2は、記録磁性層11の部分拡大断面図であり、磁性コラム11aの横断面が表されている。
【0027】
磁性コラム11aは、例えば、規則合金または希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。規則合金としては、例えばFePtやCoPtを採用することができる。また、希土類−遷移金属アモルファス合金としては、例えばTbFe,TbCo,またはTbFeCoなどを採用することができる。規則化することにより磁性を獲得することのできる例えばFePtやCoPt、並びに、磁性を有する希土類−遷移金属アモルファス合金は、垂直磁気異方性エネルギーが大きく且つ熱的安定性が高いので、記録磁性層11を構成するための磁性材料として好適である。一方、非磁性領域11bは、例えば、SiO2,Al23,MgO,またはSiNよりなる。或は、非磁性領域11bは、Cr,Ti,Al,Ag,またはこれらの合金により構成してもよい。
【0028】
複数の磁性コラム11aの横断面の平均径は、例えば3〜7nmである。また、複数の磁性コラム11aにおける隣接磁性コラム間の平均離隔距離は、例えば1〜3nmである。これらの範囲において、横断面平均径に対する平均離隔距離の比率は、1以下であるのが好ましい。記録磁性層11の厚さは、例えば10〜30nmである。このような構成によると、記録磁性層11において、各磁性コラムが孤立している微細なコラム構造を適切に形成することができる。
【0029】
軟磁性層12は、この層を構成する磁性膜の膜面に対して平行な方向に磁化容易軸を有する面内磁気異方性を呈している。軟磁性層12の磁化容易軸は、ディスクの半径方向に向いているのが好ましい。軟磁性層12は、充分に小さな保磁力を有する。このような軟磁性層12は、例えば、パーマロイ、センダスト、Co系アモルファス材料、またはFe系アモルファス材料より構成することができる。軟磁性層12の厚さは、例えば100〜300nmである。
【0030】
非磁性層13は、非磁性材料よりなり、記録磁性層11および軟磁性層12を磁性的に適切に分離するためのものである。非磁性層13の厚さは、例えば1〜15nmである。
【0031】
磁性コラム11aが規則合金よりなる場合には、非磁性層13は、採用する規則合金の結晶配向を制御するための非磁性酸化物よりなる。そのような非磁性酸化物としては、例えば、MgO,ZnO,またはRuOを採用することができる。
【0032】
また、磁性コラム11aが希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる場合、非磁性層13における記録磁性層側の表面凹凸は、微細とする必要はない。従来の技術においては、記録磁性層を希土類−遷移金属アモルファス合金より構成する場合に、記録磁性層が積層形成される下地層(非磁性層)の表面凹凸を微細とする必要がある。微細な表面凹凸のピンニング作用により、記録磁性層内部の磁区構造に存在する磁壁の揺らぎ又は移動を抑制し、当該磁区構造の微細化を図るためである。これに対し、本発明では、記録磁性層11において磁性を発現するための材料として希土類−遷移金属アモルファス合金を採用する場合であっても、当該磁性発現材料は、非磁性領域11bにより相互に隔絶された磁性コラム11aの形態を有し、このような磁性コラム構造により記録磁性層11の磁区構造を微細化することができるので、記録磁性層11の下地層である非磁性層13における記録磁性層側の表面凹凸を微細とする必要はないのである。
【0033】
保護膜14は、記録磁性層11を外界から物理的および化学的に保護するためのものであり、例えば、アモルファスカーボン,ダイアモンドライクカーボン,SiN,またはSiCよりなる。保護膜14の膜さは、例えば1〜5nmである。
【0034】
磁気記録媒体X1は、基板Sと軟磁性層12との間に更に密着層を有してもよい。当該密着層は、基板Sに対して、その上に積層形成される軟磁性層12を適切に固定するためのものであり、例えば、Cr,Ti,NiP,またはNiAlよりなる。密着層の厚さは、例えば1〜5nmである。
【0035】
図3〜図5は、磁気記録媒体X1の製造方法を表す。磁気記録媒体X1の製造においては、まず、基板Sに平滑化表面処理を施した後、当該基板Sに対し、軟磁性層12および非磁性層13を順次積層形成することによって、図3(a)に示すような積層構造体を形成する。軟磁性層12および非磁性層13は、各々に対応する所定の材料からなる単一の又は複数のターゲットを用いたスパッタリング法により、形成することができる。
【0036】
次に、スパッタリング法により、図3(b)に示すように、非磁性層13の上に磁性材料を成膜することによって磁性材料膜11a’を形成する。次に、図3(c)に示すように、磁性材料膜11a’の上にマスク微粒子15を形成する。マスク微粒子15は、後のエッチング工程にて、磁性材料膜11a’において磁性コラム11aとして形成される箇所、即ち磁性コラム形成領域を、マスクするためのものである。
【0037】
図4は、マスク微粒子15を形成するための方法を表す。図4における各工程は、図3よりも拡大されて表されている。マスク微粒子15の形成においては、まず、図4(a)に示すように、磁性材料膜11a’の表面に誘電体材料を成膜することによって、下地層16を形成する。誘電体材料としては、磁性材料膜11a’よりも小さな表面エネルギーを有するものを使用する。そのような誘電体材料としては、例えば、SiN,SiO,AlN,AlOを採用することができる。
【0038】
次に、図4(b)に示すように、下地層16の上に材料粒15aを形成する。具体的には、所定のターゲットを用いたスパッタリング法により、磁性材料膜11a’の上に所定の材料を島状に堆積成長させることによって材料粒15aを形成する。材料粒形成用の材料としては、例えば、Ag,Cr,W,Mo,Ta,またはこれらの合金を採用することができる。また、材料粒形成用材料としては、下地層16よりも表面エネルギーの大きい材料を選択するのが好ましい。材料粒15aを構成するための材料の表面エネルギーが下地層16のそれよりも大きく、且つ、両表面エネルギーの差が大きいほど、本工程で形成される材料粒15aは、より小径化する、即ち微粒子化する。本発明においては、材料粒15aの形成の前に、材料粒15aが粒状に成長するのを促進するための基点を、例えばスパッタリング法により下地層上に予め形成しておいてもよい。基点形成用の材料としては、例えば、酸化ルテニウムや酸化パラジウムなどの貴金属酸化物を採用することができる。
【0039】
マスク微粒子15の形成においては、次に、図4(c)に示すように、材料粒15aの上にエンハンス材料15bを堆積する。エンハンス材料15bとしては、例えば炭素やホウ素を採用することができる。エンハンス材料15bとしては、原子半径の比較的小さなものが好ましい。このようにして、磁性材料膜11a’の表面に、多数の微小なマスク微粒子15を高精度に形成することができる。マスク微粒子15は、形成目的の磁性コラム11aの断面サイズおよび形成密度に応じて分散形成される。
【0040】
マスク微粒子15の形成においては、図4を参照して上述した手法に代えて、いわゆるナノパーティクルとして析出可能な成分を溶解している溶液をスピンコーティング法により磁性材料膜11a’の表面に塗布した後、当該溶液の液体成分を蒸発させてナノパーティクルを析出させてもよい。ナノパーティクルとしては、例えば、粒状のPt,Au,Pd,FePt,またはCoPtを採用することができる。このような手法を採用する場合、形成目的の磁性コラム11aの断面サイズおよび形成密度に応じて、当該溶液におけるナノパーティクルの含有率は決定される。このような手法によっても、磁性材料膜11a’上に、多数の微小なマスク微粒子15を高精度に形成することができる。
【0041】
磁気記録媒体X1の製造においては、次に、図5(a)に示すように、マスク微粒子15をエッチングマスクとして利用して、非磁性層13に至るまで磁性材料膜11a’に対してエッチング処理を施す。これにより、磁性コラム11aが形成される。このエッチング処理においては、高真空中で行うドライエッチング法を採用してもよいし、所定のエッチング液を使用して行うウエットエッチング法を採用してもよい。本工程では、磁性材料膜11a’の一部とともにマスク微粒子15の一部もエッチング除去される。したがって、図3(c)を参照して上述した工程では、この除去量を考慮して、マスク微粒子15の構成材料および高さを決定するのが好ましい。
【0042】
次に、図5(b)に示すように、磁性コラム間に非磁性領域11bを形成する。具体的には、基板Sの側から加熱することによって磁性コラム11aを所定の高温に維持しつつ、比較的融点の低い非磁性材料を、スパッタリング法により磁性コラム11aの上方から供給する。このような手法によると、磁性コラム11aと非磁性材料の表面拡散温度の差に起因して、当該非磁性材料は、メニスカス効果により磁性コラム間を充たす。その結果、磁性コラム間に適切に充填された非磁性領域11bが形成されることとなる。このような手法を採用する場合、非磁性材料としては、例えば、Ag,Al,またはこれらの合金を採用することができる。
【0043】
非磁性領域11bの形成においては、上述の手法に代えて、磁性コラム11aよりも所定の程度に表面エネルギーの小さな非磁性材料を、スパッタリング法により磁性コラム11aの上方から供給してもよい。このような手法によると、磁性コラム11aと非磁性材料の表面エネルギーの差に起因して、当該非磁性材料は、磁性コラム間を充たす。その結果、磁性コラム間に適切に充填された非磁性領域11bが形成されることとなる。このような手法を採用する場合、非磁性材料としては、例えば、SiN,SiO,AlN,またはAlOを採用することができる。
【0044】
磁気記録媒体X1の製造においては、次に、スパッタリング法またはCVD法により、図5(c)に示すように、記録磁性層11の上に保護膜14を形成する。以上のようにして、磁気記録媒体X1を製造することができる。
【0045】
磁気記録媒体X1への記録に際しては、磁気記録媒体X1の記録磁性層11に対して保護膜14を介して記録用の磁気ヘッドを近接して対向させ、当該磁気ヘッドにより、記録磁性層11に対して記録磁界を印加する。記録磁界の一部は、記録磁性層11を垂直に磁化して通過し、非磁性層13を経て軟磁性層12にて向きを変えてから再び軟磁性層12および記録磁性層11を垂直に通過して磁気ヘッドへと帰還する。磁気記録媒体X1に対して磁気ヘッドを相対移動させつつ磁気ヘッドからの磁界の向きを変化させることにより、記録磁性層11において、垂直方向に磁化されて交互に反転する複数の磁区が磁気記録媒体X1のトラック方向に連なって形成される。このようにして、記録磁性層11において、所定の信号に対応する磁区が記録されることとなる。一方、磁気記録媒体X1の再生に際しては、記録磁性層11の内部に形成された磁区からの磁界の方向の変化が、当該記録磁性層11の磁化方向の変化として読取り用の磁気ヘッドを介して検出される。
【0046】
磁気記録媒体X1においては、裏打ち軟磁性層として、高い透磁率を有する軟磁性層12が記録磁性層11に近接して設けられている。そのため、磁気記録媒体X1では、上述の記録処理において大きな記録磁界を得ることができ、その結果、優れた記録感度を達成することができる。
【0047】
また、磁気記録媒体X1は、記録磁性層11の記録分解能に優れている。磁気記録媒体の技術分野においては、記録磁性層における磁性機能を発現する磁性粒子の粒径が小さいほど、媒体ノイズが小さくなり、当該記録磁性層における記録分解能は高くなることが知られている。上述の方法により製造される磁気記録媒体X1においては、記録磁性層11の磁性機能を発現する磁性コラム11aについて小さな粒径(面内方向の断面直径)を達成することができ、従って、高い記録分解能を得ることが可能となるのである。
【0048】
加えて、磁気記録媒体X1においては、記録磁性層11にて各々が単一の磁性粒子として機能する磁性コラム11aを小さな断面サイズで形成することができるので、記録磁性層11に形成される磁区の界面の凹凸を微細化することができる。記録磁性層11における磁区界面の凹凸が微細となると、媒体ノイズは低減される。
【0049】
【実施例】
次に、本発明の実施例について、比較例とともに記載する。
【0050】
【実施例1】
<磁気記録媒体の作製>
図6に示す積層構成を有する磁気ディスクとして、本実施例の磁気記録媒体を作製した。具体的には、まず、表面粗さRaが0.2nm以下となるまでポリッシングによる表面平滑化処理を施したガラスディスク基板(φ2.5インチ)に対し、DCスパッタリング法によりCoZrNb合金を成膜することによって、厚さ150nmの面内磁化軟磁性層を形成した。当該スパッタリングには、複数のターゲットを具備することのできるインライン式の回転カソード型DC・RFマグネトロンスパッタリング装置を使用した。以降のスパッタリングにおいてもこの装置を使用した。本スパッタリングでは、Co85Zr10Nb5合金ターゲットを使用し、ガス圧力を0.3Paとし、成膜速度を29nm/minとした。形成された面内磁化軟磁性層は、Co85Zr10Nb5の組成を有し、飽和磁束密度は1.1T(テスラ)であった。
【0051】
次に、RFスパッタリング法により軟磁性層上にMgOを成膜することによって、厚さ15nmの非磁性層を形成した。本スパッタリングでは、MgOターゲットを使用し、ガス圧力を0.5Paとし、成膜速度を8nm/minとした。
【0052】
次に、DCスパッタリング法により非磁性層上にFePtを成膜することによって、厚さ10nmの磁性材料膜を形成した。具体的には、Fe(純度99.9%)ターゲットおよびPt(純度99.99%)ターゲットを同時にスパッタリングするコスパッタリングにより、磁性材料膜を形成した。本スパッタリングでは、ガス圧力を2.0Paとし、成膜速度を13.5nm/minとした。形成された磁性材料膜は、Fe50Pt50の組成を有していた。スパッタリングの後、磁性材料膜を構成するFePtを規則化配列させて磁性化させるべく、400℃で40分間、加熱処理を行なった。加熱処理を経た磁性材料膜について、振動試料型磁力計(VSM)を使用して磁気特性を調べたところ、保磁力Hcは7.3kOeであり、飽和磁化Msは745emu/ccであり、膜面に対して垂直方向に磁化されていた。
【0053】
次に、DCスパッタリング法により磁性材料膜上にSiNを成膜することによって、マスク微粒子形成用の下地層(厚さ1nm)を形成した。SiNは、記録磁性層を構成するFePtよりも表面エネルギーが小さい。具体的には、Si(純度99.99%)ターゲットを用い、スパッタガスとしてArガスおよびN2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、SiNを成膜した。本スパッタリングでは、ArガスおよびN2ガスの流量比を2:1とし、ガス圧力を0.32Paとし、成膜速度は13.6nm/minとした。
【0054】
次に、DCスパッタリング法により下地層上に酸化ルテニウム(RuOx)を成膜することによって、マスク微粒子形成用の基点層(厚さ0.6nm)を形成した。具体的には、Ru(純度99.99%)ターゲットを用い、スパッタガスとしてArガスおよびO2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、RuOxを成膜した。本スパッタリングでは、ArガスおよびO2ガスの流量比を5:1とし、ガス圧力を1.2Paとし、成膜速度は2nm/minとした。
【0055】
次に、凝集効果を利用して、基点層上にマスク微粒子を形成した。マスク微粒子の形成においては、まず、DCスパッタリング法により、基点層上に、低融点材料であるAg合金(Ag含有率:98at%)を島状に堆積(厚さ0.8nm)させた。本スパッタリングでは、Ag合金(Ag含有率:98at%)ターゲットを使用し、ガス圧力を2Paとし、成膜速度を2.5nm/minとした。続いて、マスク微粒子の高さを増大するため、DCスパッタリング法により、当該Ag合金堆積粒上に、エンハンス材料であるCを更に堆積(厚さ1nm)させた。本スパッタリングでは、Cターゲットを使用し、ガス圧力を2Paとし、成膜速度を5.2nm/minとした。炭素(C)は、原子半径が小さいため、このようなエンハンス材料としては好適である。このように形成したマスク微粒子の粒径について、透過型電子顕微鏡(TEM)を使用して調べたところ、粒径は3〜6nm程度であり、平均粒径は4nmであった。また、マスク微粒子を形成した後に、原子間力顕微鏡(AFM)を使用して磁性材料膜の表面を調べたところ、平均表面粗さRaは、0.21nmであた。このように、磁性材料膜上に微小な粒子(マスク微粒子)が形成されていることが確認された。
【0056】
本実施例の磁気記録媒体の製造においては、次に、マスク微粒子をエッチングマスクとして利用して、RFスパッタエッチング法により、非磁性層に至るまで磁性材料膜に対してエッチング処理を施した。このとき、マスク微粒子のエッチング速度は磁性材料膜のそれよりも遅いが、マスク微粒子の一部もエッチング除去された。本スパッタリングでは、RF投入電力を450Wとした。このようなエッチング処理の後、磁性材料膜が当初は一様に存在していた箇所の断面構造を、TEMを使用して調べたところ、約1〜5nmの間隔で複数の磁性コラムが形成されていることが確認された。
【0057】
次に、DCスパッタリング法により、上述のように形成された磁性コラムの上方から非磁性材料であるAg合金(Ag含有率:98at%)を成膜することによって、磁性コラム間に非磁性領域を形成した。本スパッタリングでは、ガス圧力を2.5Paとし、成膜速度を2.1nm/minとし、基板温度を230℃とした。このような条件で行った本工程では、加熱により表面が活性化した磁性コラムに対して付着した低融点のAg合金材料が、メニスカス効果により分離して磁性コラム間を充たすものと考えられる。このようにして、磁性コラムおよび非磁性領域からなる記録磁性層を形成した後、当該記録磁性層の断面構造を、TEMを使用して調べたところ、複数の磁性コラムの横断面平均径は5nmであり、磁性コラム間の平均離隔距離は2nmであった。
【0058】
次に、DCスパッタリング法により記録磁性層上にアモルファスカーボンを成膜することによって、厚さ3nmの保護膜を形成した。本スパッタリングでは、C(炭素)ターゲットを使用し、ガス圧力を0.4Paとし、成膜速度を27nm/minとした。
【0059】
以上のようにして、本実施例の磁気記録媒体を作製した。本実施例の磁気記録媒体における記録磁性層について、VSMを使用して磁気特性を調べたところ、保磁力Hcは7.0kOeであり、飽和磁化Msは730emu/ccであり、膜面に対して垂直方向に磁化されていた。
【0060】
<記録再生特性>
上述のようにして作製した磁気記録媒体の記録再生特性を調べた。具体的には、まず、単磁極ヘッド(単磁性部の磁束密度Bs:2T、ライトコアの幅:0.2μm)を使用して、本実施例の磁気記録媒体に対して線記録密度20kFCIの信号を記録した。次に、GMRヘッド(再生コアの幅:0.16μm、シールドギャップ長:0.08μm)を使用して当該記録信号を再生し、スペクトルアナライザを使用して、当該再生信号の出力を検出した。
【0061】
その結果、線記録密度20kFCIの再生信号振幅は0.71mVであり、このときの媒体ノイズは3μVrms程度であった。同一の単磁極ヘッドおよびGMRヘッドを使用して、線記録密度300kFCIの記録信号について、本実施例の磁気記録媒体の記録再生特性を調べたところ、再生信号振幅は0.42mVであり、媒体ノイズは5.3μVrmsであった。同一の単磁極ヘッドおよびGMRヘッドを使用して、線記録密度800kFCIの記録信号について、本実施例の磁気記録媒体の記録再生特性を調べたところ、再生信号振幅は0.1mVであり、媒体ノイズは7.2μVrmsであった。
【0062】
【実施例2】
<磁気記録媒体の作製>
図6に示す積層構成を有する他の磁気ディスクとして、本実施例の磁気記録媒体を作製した。具体的には、まず、表面粗さRaが0.2nm以下となるまでポリッシングによる表面平滑化処理を施したガラスディスク基板(φ2.5インチ)に対し、実施例1と同様にして、面内磁化軟磁性層(Co85Zr10Nb5,厚さ150nm)、非磁性層(MgO,厚さ15nm)、および、磁性材料膜(Fe50Pt50,厚さ10nm)を順次形成した。
【0063】
次に、磁性材料膜上にマスク微粒子を形成した。具体的には、まず、鉄カルボニル(Fe(CO)5)10gと白金アセチルアセトネート(Pt(acac)2)10gとをエチレングリコール100mlに溶解または分散させた溶液を、スピンコーティング法により、磁性材料膜上に塗布した。このとき、塗布対象の回転数を2500rpmとした。その後、150℃で60分間乾燥することにより、液体成分を蒸散させ、磁性材料膜上にマスク微粒子を形成した。このマスク微粒子は、FePtよりなる。このように形成したマスク微粒子の粒径について、TEMを使用して調べたところ、粒径は4〜6nm程度であり、平均粒径は5nmであった。また、マスク微粒子を形成した後に、AFMを使用して磁性材料膜の表面を調べたところ、平均表面粗さRaは、0.23nmであた。このように、磁性材料膜上に微小な粒子が形成されていることが確認された。
【0064】
本実施例の磁気記録媒体の製造においては、次に、マスク微粒子をエッチングマスクとして利用して、実施例1と同様にして磁性コラムを形成した。続いて、実施例1と同様にして、磁性コラム間の非磁性領域を形成した。これにより、記録磁性層が形成された。次に、当該記録磁性層上に、実施例1と同様にして保護膜を形成した。以上のようにして、本実施例の磁気記録媒体を作製した。本実施例の磁気記録媒体における記録磁性層について、VSMを使用して磁気特性を調べたところ、実施例1の磁気記録媒体と同様の磁気特性を示した。
【0065】
<記録再生特性>
本実施例の磁気記録媒体について、実施例1と同様にして、線記録密度20kFCI、300kFCI、および800kFCIの各々の記録信号の再生出力を検出し、再生信号振幅および媒体ノイズを調べた。その結果、実施例1と略同程度の値が得られた。
【0066】
【実施例3】
<磁気記録媒体の作製>
図7に示す積層構成を有する磁気ディスクとして、本実施例の磁気記録媒体を作製した。具体的には、まず、表面粗さRaが0.2nm以下となるまでポリッシングによる表面平滑化処理を施したガラスディスク基板(φ2.5インチ)に対し、実施例1と同様にして、面内磁化軟磁性層(Co85Zr10Nb5,厚さ150nm)、非磁性層(MgO,厚さ15nm)、磁性材料膜(Fe50Pt50,厚さ10nm)、および、マスク微粒子(多層構造)を順次形成した。続いて、実施例1と同様にして、マスク微粒子をエッチングマスクとして利用して磁性コラムを形成した。
【0067】
次に、DCスパッタリング法により、上述のように形成された磁性コラムの上方から非磁性材料であるSiNを成膜することによって、磁性コラム間に非磁性領域を形成した。本スパッタリングでは、ガス圧力を0.32Paとし、成膜速度を13.6nm/minとし、基板温度を室温とした。このような条件で行った本工程では、相対的に表面エネルギーの大きな磁性コラムに対し、相対的に表面エネルギーの小さなSiNが、濡れ性よく磁性コラム間を充たすものと考えられる。このようにして、磁性コラムおよび非磁性領域からなる記録磁性層を形成した後、当該記録磁性層の断面構造を、TEMを使用して調べたところ、複数の磁性コラムの横断面平均径は5nmであり、磁性コラム間の平均離隔距離は2nmであった。
【0068】
次に、記録磁性層上に、実施例1と同様にして保護膜(アモルファスカーボン、厚さ3nm)を形成した。以上のようにして、本実施例の磁気記録媒体を作製した。本実施例の磁気記録媒体における記録磁性層について、VSMを使用して磁気特性を調べたところ、実施例1の磁気記録媒体と同様の磁気特性を示した。
【0069】
<記録再生特性>
本実施例の磁気記録媒体について、実施例1と同様にして、線記録密度20kFCI、300kFCI、および800kFCIの各々の記録信号の再生出力を検出し、再生信号振幅および媒体ノイズを調べた。その結果、実施例1と略同程度の値が得られた。
【0070】
【実施例4】
<磁気記録媒体の作製>
図7に示す積層構成を有する他の磁気ディスクとして、本実施例の磁気記録媒体を作製した。具体的には、まず、表面粗さRaが0.2nm以下となるまでポリッシングによる表面平滑化処理を施したガラスディスク基板(φ2.5インチ)に対し、実施例1と同様にして、面内磁化軟磁性層(Co85Zr10Nb5,厚さ150nm)、非磁性層(MgO,厚さ15nm)、および、磁性材料膜(Fe50Pt50,厚さ10nm)を順次形成した。
【0071】
次に、実施例2と同様にして、磁性材料膜上にマスク微粒子を形成した。次に、実施例1と同様にして、マスク微粒子をエッチングマスクとして利用して磁性コラムを形成した。次に、実施例3と同様にして、磁性コラム間に非磁性領域を形成した。このようにして、本実施例の記録磁性層を形成した。当該記録磁性層の断面構造を、TEMを使用して調べたところ、複数の磁性コラムの横断面平均径は6nmであり、磁性コラム間の平均離隔距離は2nmであった。
【0072】
次に、記録磁性層上に、実施例1と同様にして保護膜(アモルファスカーボン、厚さ3nm)を形成した。以上のようにして、本実施例の磁気記録媒体を作製した。本実施例の磁気記録媒体における記録磁性層について、VSMを使用して磁気特性を調べたところ、実施例1の磁気記録媒体と同様の磁気特性を示した。
【0073】
<記録再生特性>
本実施例の磁気記録媒体について、実施例1と同様にして、線記録密度20kFCI、300kFCI、および800kFCIの各々の記録信号の再生出力を検出し、再生信号振幅および媒体ノイズを調べた。その結果、実施例1と略同程度の値が得られた。
【0074】
【比較例】
<磁気記録媒体の作製>
図8に示す積層構成を有する磁気ディスクとして、本比較例の磁気記録媒体を作製した。具体的には、まず、表面粗さRaが0.2nm以下となるまでポリッシングによる表面平滑化処理を施したガラスディスク基板(φ2.5インチ)に対し、実施例1と同様にして、面内磁化軟磁性層(Co85Zr10Nb5,厚さ150nm)、非磁性層(MgO,厚さ15nm)、および、本比較例の記録磁性層を構成する磁性材料膜(Fe50Pt50,厚さ10nm)を順次形成した。次に、記録磁性層上に、実施例1と同様にして保護膜(アモルファスカーボン、厚さ3nm)を形成した。以上のようにして、本比較例の磁気記録媒体を作製した。
【0075】
<記録再生特性>
本比較例の磁気記録媒体について、実施例1と同様にして、線記録密度20kFCIおよび300kFCIの各々の記録信号の再生出力を検出し、再生信号振幅および媒体ノイズを調べた。その結果、線記録密度20kFCIの再生信号振幅は0.70mVであり、このときの媒体ノイズは3μVrms程度であった。線記録密度300kFCIでは、再生信号振幅は0.18mVであり、媒体ノイズは49.7μVrmsであった。また、本比較例の磁気記録媒体に対しては、800kFCIの線記録密度では信号を記録することができなかった。
【0076】
【評価】
線記録密度300kFCIの記録信号を再生した際の媒体ノイズについては、実施例1の磁気記録媒体は、比較例の磁気記録媒体の約10分の1であり、良好に低減されていた。また、実施例1の磁気記録媒体には800kFCIの記録密度で信号を適切に記録できたのに対し、比較例の磁気記録媒体には、そのような高密度では信号を記録することができなかった。
【0077】
比較例の磁気記録媒体では、記録磁性層を構成する磁性粒子どうしが孤立化されていないために磁性粒子間の磁気的相互作用が強く、従って、記録処理により形成される単一の磁区(磁気ユニット)が比較的大きくなってしまい、線記録密度が高くなるにつれて媒体ノイズが大きくなると考えられる。これに対し、実施例1の磁気記録媒体では、記録磁性層の磁性を発現する各磁性粒子(各磁性コラム)が孤立化されているので、記録処理により形成される単一の磁区(磁気ユニット)が微細であり、従って、高線記録密度でも良好な記録再生特性を示すものと考えられる。
【0078】
このように、実施例1の磁気記録媒体は、比較例の磁気記録媒体よりも、記録分解能が高く且つ媒体ノイズが小さい。したがって、本発明に係る実施例1の磁気記録媒体、および、これと同様の記録再生特性を示す実施例2〜4の磁気記録媒体においては、比較例の磁気記録媒体よりも、高記録密度化を達成できることが判る。
【0079】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【0080】
(付記1)磁性材料よりなり且つ垂直磁気異方性を有して並列する複数の磁性コラムと、非磁性材料よりなり且つ前記複数の磁性コラムの間に介在する非磁性領域と、を含む記録磁性層を備えることを特徴とする、磁気記録媒体。
(付記2)前記記録磁性層、軟磁性層、および、これらの間の非磁性層よりなる積層構造を有する、付記1に記載の磁気記録媒体。
(付記3)前記複数の磁性コラムの横断面平均径、および、前記複数の磁性コラムにおける隣接磁性コラム間の平均離隔距離は、前記記録磁性層の厚さよりも小さい、付記1または2に記載の磁気記録媒体。
(付記4)前記複数の磁性コラムの横断面平均径に対する、前記複数の磁性コラムの平均離隔距離の比率は、1以下である、付記1から3のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
(付記5)前記磁性コラムは、規則合金または希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる、付記1から4のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
(付記6)前記規則合金は、FePtまたはCoPtである、付記5に記載の磁気記録媒体。
(付記7)前記非磁性層は、前記規則合金の結晶配向を制御するための非磁性酸化物よりなる、付記5または6に記載の磁気記録媒体。
(付記8)垂直磁気異方性を有して並列する複数の磁性コラムと、当該複数の磁性コラムの間に介在する非磁性領域と、を含む記録磁性層を備える磁気記録媒体を製造するための方法であって、
基材の上に磁性材料を堆積することにより磁性材料膜を形成するための工程と、
前記磁性材料膜上に、磁性コラム形成領域をマスクするためのエッチングマスクを形成するためのマスク形成工程と、
前記エッチングマスクを介して前記磁性材料膜をエッチングすることにより、並列し且つ離隔する複数の磁性コラムを形成するための工程と、
前記複数の磁性コラムの間に非磁性材料を充填することにより、前記複数の磁性コラムの間に介在する非磁性領域を形成するための非磁性領域形成工程と、を含むことを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法。
(付記9)前記マスク形成工程においては、前記磁性材料よりも表面エネルギーの小さな第1材料を当該磁性材料膜上に成膜することにより第1材料膜を形成し、当該第1材料膜上に第2材料を粒状に堆積させることにより複数の第2材料粒を形成し、且つ、当該第2材料粒の各々の上に第3材料を堆積することによって、前記エッチングマスクとしてのマスク粒子を形成する、付記8に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(付記10)前記第1材料膜を形成した後であって前記第2材料粒を形成する前に、前記第2材料が堆積成長する基点を前記第1材料膜上に形成する、付記9に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(付記11)前記マスク形成工程では、マスク粒子溶解溶液を前記磁性材料膜上に塗布し、且つ、塗布された溶液から、前記エッチングマスクとしてのマスク粒子を析出させる、付記8に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(付記12)前記非磁性領域形成工程においては、前記磁性コラムを加熱しつつ、前記複数の磁性コラムの上方から非磁性材料を供給することにより、前記複数の磁性コラムの間に非磁性材料を充填する、付記8から11のいずれか1つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
(付記13)前記非磁性領域形成工程においては、前記複数の磁性コラムの上方から、前記磁性材料よりも表面エネルギーの小さな非磁性材料を供給することにより、前記複数の磁性コラムの間に前記非磁性材料を充填する、付記8から11のいずれか1つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【0081】
【発明の効果】
本発明によると、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体の記録磁性層において、記録分解能を向上し且つ媒体ノイズを低減することができる。したがって、本発明に係る磁気記録媒体およびその製造方法は、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体において高記録密度化を図るのに適している。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る磁気記録媒体の部分断面模式図である。
【図2】図1に示す磁気記録媒体における記録磁性層の部分拡大断面図である。
【図3】図1に示す磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
【図4】図3(c)に示すマスク微粒子の形成過程を表す。
【図5】図3に続く工程を表す。
【図6】実施例1,2の磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図7】実施例3,4の磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図8】比較例の磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図9】垂直磁気記録方式の従来の磁気記録媒体の部分斜視図である。
【図10】図9に示す磁気記録媒体における記録磁性層の部分拡大断面図である。
【符号の説明】
X1 磁気記録媒体
S 基板
11 記録磁性層
11a 磁性コラム
11a’ 磁性材料膜
11b 非磁性領域
12 軟磁性層
13 非磁性層
14 保護膜
15 マスク微粒子
15a 材料粒
15b エンハンス材料
16 下地層
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a perpendicular magnetic recording type magnetic recording medium and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art]
As the amount of information processing in a computer system increases, storage capacity such as a hard disk is required to increase. In recent years, perpendicular magnetic recording type magnetic recording media have attracted attention in order to satisfy such requirements. The perpendicular magnetic recording type magnetic recording medium is disclosed in, for example, the following Patent Documents 1 to 4.
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-52-134706
[Patent Document 2]
JP-A-7-129953
[Patent Document 3]
JP 2001-283419 A
[Patent Document 4]
JP 2002-358615 A
[0004]
FIG. 9 shows a magnetic disk X2 which is an example of a conventional magnetic recording medium of a perpendicular magnetic recording system. In FIG. 9, a partial perspective view of the magnetic disk X2 is shown together with the magnetic head H for recording. The magnetic disk X2 includes a substrate S, a recording magnetic layer 31, a soft magnetic layer 32, an intermediate layer 33, and a protective film 34. Each layer and film is formed by laminating the soft magnetic layer 32, the intermediate layer 33, the recording magnetic layer 31, and the protective film 34 in this order from the substrate S side.
[0005]
The recording magnetic layer 31 is a perpendicular magnetization film that is magnetized with an easy magnetization axis in a direction perpendicular to the film surface of the magnetic film constituting the layer. The soft magnetic layer 32 is an in-plane magnetization film that is made of a magnetic film having a high magnetic permeability and is magnetized with an easy magnetization axis in a direction parallel to the film surface of the magnetic film (in-plane direction). The intermediate layer 33 is made of a nonmagnetic material, and is for magnetically separating the recording magnetic layer 31 and the soft magnetic layer 32. The protective film 34 is for physically and chemically protecting the recording magnetic layer 31 from the outside.
[0006]
When recording on the magnetic disk X2, as shown in FIG. 9, a magnetic head H, which is an electromagnet, is placed close to and opposed to the recording magnetic layer 31 side of the magnetic disk X2, and the recording magnetic layer 31 is formed by the magnetic head H. Is applied with a recording magnetic field. A part of the recording magnetic field passes through the recording magnetic layer 31 by being magnetized perpendicularly, changes its direction at the soft magnetic layer 32, passes again through the recording magnetic layer 31 again, and returns to the magnetic head H. By changing the direction of the magnetic field from the magnetic head H while relatively moving the magnetic head H in the direction indicated by the arrow A with respect to the magnetic disk X2, the recording magnetic layer 31 is magnetized in the vertical direction and alternately reversed. A plurality of magnetic domains 31a are formed continuously in the track direction of the magnetic disk X2. In this way, the magnetic domain 31a corresponding to a predetermined signal is recorded in the recording magnetic layer 31. On the other hand, when the magnetic disk X2 is reproduced, a change in the direction of the magnetic field from the magnetic domain 31a formed in the recording magnetic layer 31 is changed as a change in the magnetization direction of the recording magnetic layer 31 via the magnetic head for reading. Detected.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
In manufacturing the conventional magnetic disk X2, the recording magnetic layer 31 is formed by uniformly depositing and growing a predetermined magnetic material by sputtering or vacuum evaporation. The recording magnetic layer 31 formed in this way is generally a polycrystalline film, and is known to be composed of columnar magnetic particles extending in the thickness direction of the layer. FIG. 10 is a partially enlarged cross-sectional view of the recording magnetic layer 31 having a polycrystalline structure along the surface spreading direction, and schematically shows a cross section of a plurality of magnetic particles 31 b constituting the recording magnetic layer 31.
[0008]
Each magnetic domain 31a formed in the recording magnetic layer 31 by the recording process as described above includes a plurality of magnetic particles 31b magnetized in the same direction. In the technical field of magnetic recording media, as long as the magnetic domain 31a can exist stably, it is known that the smaller the magnetic particle 31b, the smaller the magnetic domain can be formed and the higher the recording resolution. On the other hand, it is known that as the recording magnetic layer 31 is formed thinner, the particle size of the magnetic particles 31b becomes smaller. However, as the recording magnetic layer 31 is formed thinner, the volume of each magnetic particle 31b becomes smaller, and the perpendicular magnetic anisotropy of the recording magnetic layer 31 tends to decrease. A decrease in perpendicular magnetic anisotropy leads to a decrease in stability of the magnetic domain 31a and hinders improvement in recording resolution. In the ordered alloys such as FePt and CoPt, which are attracting attention as recording magnetic layer materials for achieving high recording density because of their large magnetic anisotropy energy and high thermal stability, such perpendicular magnetic anisotropy The tendency to decline is remarkable.
[0009]
As described above, the conventional technique related to the magnetic recording medium has difficulty in reducing the particle size of the magnetic particles constituting the recording magnetic layer. Therefore, according to the conventional technology, there are cases where a desired recording resolution cannot be achieved in a perpendicular magnetic recording type magnetic recording medium.
[0010]
On the other hand, the degree of unevenness at the magnetic domain interface (indicated by a thick line in FIG. 10) in the recording magnetic layer 31 depends on the particle size of the magnetic particles 31b. Specifically, the smaller the particle size of the magnetic particles 31b, the finer the irregularities at the magnetic domain interface. As the unevenness becomes finer, the magnetization transition in the recording magnetic layer 31 becomes steeper and the medium noise is reduced. However, the conventional technique related to the magnetic recording medium has difficulty in reducing the diameter of the magnetic particles 31b constituting the recording magnetic layer 31, as described above. Therefore, according to the conventional technique, there is a case where medium noise cannot be sufficiently reduced in a perpendicular magnetic recording type magnetic recording medium.
[0011]
The present invention has been conceived under such circumstances, and an object of the present invention is to improve recording resolution and reduce medium noise in a perpendicular magnetic recording type magnetic recording medium.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, a magnetic recording medium is provided. The magnetic recording medium includes a plurality of magnetic columns made of a magnetic material and having parallel perpendicular magnetic anisotropy, and a nonmagnetic region made of a nonmagnetic material and interposed between the plurality of magnetic columns. A recording magnetic layer is provided.
[0013]
According to such a configuration, the recording resolution of the magnetic recording medium can be improved. The recording magnetic layer according to the first aspect of the present invention includes a plurality of magnetic columns made of a magnetic material, each of which functions as an independent magnetic recording unit, that is, a columnar magnetic region, and a nonmagnetic region made of a nonmagnetic material. Comprising. Such a recording magnetic layer is formed, for example, by first depositing a magnetic material on a predetermined base material and then etching the magnetic material film through a predetermined mask to stand up on the base material. It can be formed by forming magnetic columns and then filling nonmagnetic material between the magnetic columns. The magnetic material film can be formed to have a thickness greater than that of the magnetic material film, and thus the magnetic column to be formed therefrom, to obtain good magnetism. For example, when a magnetic material film is formed of FePt or CoPt that can be ordered to acquire magnetism, the magnetic material film is more than the thickness for forming crystal grains having an orientation suitable for ordering. Can be formed. Further, by making the masking area of the mask used for etching the magnetic material film sufficiently small, the diameter of the cross section of the magnetic column formed by the etching, that is, the grain size can be reduced to a desired level. . As described above, the magnetic recording medium according to the first aspect of the present invention can achieve a small particle size while imparting good magnetism to the magnetic column that functions as a single magnetic particle in the recording magnetic layer. Therefore, high recording resolution can be achieved in the recording magnetic layer.
[0014]
In addition, in the magnetic recording medium according to the first aspect of the present invention, each magnetic column that functions as an independent magnetic recording unit or a single magnetic particle can be formed small in the recording magnetic layer. Unevenness at the interface of the magnetic domains formed in the recording magnetic layer can be miniaturized. When the unevenness of the magnetic domain interface in the recording magnetic layer becomes fine, the magnetization transition in the recording magnetic layer becomes steep and the medium noise is reduced.
[0015]
As described above, in the magnetic recording medium according to the first aspect of the present invention, recording resolution can be improved and medium noise can be reduced. Such a magnetic recording medium is suitable for practical use as a high recording density perpendicular magnetic recording medium.
[0016]
The first aspect of the present invention preferably has a laminated structure comprising a recording magnetic layer, a soft magnetic layer, and a nonmagnetic layer between them. The magnetic recording medium according to the first aspect is preferably implemented as a magnetic recording medium having such a so-called backing soft magnetic layer.
[0017]
Preferably, the average cross-sectional diameter of the plurality of magnetic columns and the average separation distance of the plurality of magnetic columns are smaller than the thickness of the recording magnetic layer. The average cross-sectional diameter of the plurality of magnetic columns is the average diameter of the cross-section in the in-plane direction of the recording magnetic layer in the plurality of magnetic columns. Preferably, the ratio of the average separation distance of the plurality of magnetic columns to the average cross-sectional diameter of the plurality of magnetic columns is 1 or less. The average separation distance of a plurality of magnetic columns is the average of the shortest distances between adjacent magnetic columns. These configurations are suitable for obtaining good recording characteristics in the recording magnetic layer while achieving miniaturization of the magnetic column cross section.
[0018]
Preferably, the magnetic column is made of an ordered alloy or a rare earth-transition metal amorphous alloy. As the ordered alloy, it is preferable to employ FePt or CoPt. Further, as the rare earth-transition metal amorphous alloy, it is preferable to employ TbFeCo. These magnetic materials are suitable as magnetic column materials for forming a recording magnetic layer of a perpendicular magnetic recording medium.
[0019]
Preferably, the nonmagnetic layer is made of a nonmagnetic oxide for controlling the crystal orientation of the ordered alloy. Such a configuration is suitable for developing magnetism in the ordered alloy.
[0020]
According to a second aspect of the present invention, a magnetic comprising a recording magnetic layer including a plurality of parallel magnetic columns having perpendicular magnetic anisotropy and a nonmagnetic region interposed between the plurality of magnetic columns. A method for manufacturing a recording medium is provided. This manufacturing method includes a step for forming a magnetic material film by depositing a magnetic material on a substrate, and an etching mask for masking a magnetic column forming region on the magnetic material film. A mask forming step, a step for forming a plurality of magnetic columns arranged in parallel and spaced apart by etching a magnetic material film through an etching mask, and a nonmagnetic material is filled between the plurality of magnetic columns. And a nonmagnetic region forming step for forming a nonmagnetic region interposed between the plurality of magnetic columns. In the present invention, the base material is a base material having an exposed surface on which a magnetic material film is laminated, and includes a substrate alone and a substrate on which a soft magnetic layer, a nonmagnetic layer, and the like are already laminated.
[0021]
According to such a method, the magnetic recording medium according to the first aspect of the present invention can be manufactured. Therefore, according to the second aspect of the present invention, the same effect as described above with respect to the first aspect can be achieved in the magnetic recording medium to be manufactured.
[0022]
In the second aspect of the present invention, in the mask formation step, preferably, a first material film having a surface energy smaller than that of the recording magnetic layer is formed on the magnetic material film to form a first material film. A plurality of second material grains are formed by depositing a second material in a granular form on the first material film, and a third material is deposited on each of the second material grains as an etching mask. The mask particles are formed. In this case, it is preferable that a base point on which the second material is deposited and grown is formed on the first material film after forming the first material film and before forming the second material grains. Alternatively, in the mask formation step, a mask particle solution is applied onto the magnetic material film, and then the mask components as an etching mask are deposited from the applied solution, for example, by evaporating the liquid component of the solution. Also good. These methods are suitable for forming a fine etching mask.
[0023]
In the nonmagnetic region forming step, preferably, the nonmagnetic material is filled between the plurality of magnetic columns by supplying the nonmagnetic material from above the plurality of magnetic columns while heating the magnetic column. Alternatively, in the non-magnetic region forming step, a non-magnetic material is filled between the plurality of magnetic columns by supplying a non-magnetic material having a surface energy smaller than that of the recording magnetic layer from above the plurality of magnetic columns. Also good. These nonmagnetic region forming methods are suitable for appropriately achieving magnetic separation and physical separation between magnetic columns.
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 schematically shows a partial cross section of a magnetic recording medium X1 according to the first embodiment of the present invention. The magnetic recording medium X1 is configured as a perpendicular magnetic recording type magnetic disk including a substrate S, a recording magnetic layer 11, a soft magnetic layer 12, a nonmagnetic layer 13, and a protective film 14.
[0025]
The substrate S is a nonmagnetic substrate made of, for example, an aluminum alloy, glass, or ceramics. The surface of the substrate S is smoothed by a chemical method, a physical method, or a mechanical method.
[0026]
The recording magnetic layer 11 has a sufficiently large coercive force and includes a plurality of magnetic columns 11a and nonmagnetic regions 11b for exhibiting magnetism. The plurality of magnetic columns 11a are parallel to and spaced apart from each other, and each of them has perpendicular magnetic anisotropy and is magnetized upward or downward in the drawing. FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of the recording magnetic layer 11 and shows a cross section of the magnetic column 11a.
[0027]
The magnetic column 11a is made of, for example, an ordered alloy or a rare earth-transition metal amorphous alloy. For example, FePt or CoPt can be used as the ordered alloy. As the rare earth-transition metal amorphous alloy, for example, TbFe, TbCo, TbFeCo, or the like can be employed. For example, FePt, CoPt, and rare earth-transition metal amorphous alloys having magnetism that can acquire magnetism by ordering have large perpendicular magnetic anisotropy energy and high thermal stability. 11 is suitable as a magnetic material for constituting 11. On the other hand, the nonmagnetic region 11b is made of, for example, SiO. 2 , Al 2 O Three , MgO, or SiN. Or you may comprise the nonmagnetic area | region 11b by Cr, Ti, Al, Ag, or these alloys.
[0028]
The average diameter of the cross section of the plurality of magnetic columns 11a is, for example, 3 to 7 nm. The average separation distance between adjacent magnetic columns in the plurality of magnetic columns 11a is, for example, 1 to 3 nm. In these ranges, the ratio of the average separation distance to the average cross-sectional diameter is preferably 1 or less. The thickness of the recording magnetic layer 11 is, for example, 10 to 30 nm. According to such a configuration, a fine column structure in which each magnetic column is isolated can be appropriately formed in the recording magnetic layer 11.
[0029]
The soft magnetic layer 12 exhibits in-plane magnetic anisotropy having an easy axis of magnetization in a direction parallel to the film surface of the magnetic film constituting the layer. The easy magnetization axis of the soft magnetic layer 12 is preferably oriented in the radial direction of the disk. The soft magnetic layer 12 has a sufficiently small coercive force. Such a soft magnetic layer 12 can be made of, for example, permalloy, sendust, Co-based amorphous material, or Fe-based amorphous material. The thickness of the soft magnetic layer 12 is, for example, 100 to 300 nm.
[0030]
The nonmagnetic layer 13 is made of a nonmagnetic material, and is for magnetically separating the recording magnetic layer 11 and the soft magnetic layer 12 appropriately. The thickness of the nonmagnetic layer 13 is, for example, 1 to 15 nm.
[0031]
When the magnetic column 11a is made of an ordered alloy, the nonmagnetic layer 13 is made of a nonmagnetic oxide for controlling the crystal orientation of the adopted ordered alloy. As such a nonmagnetic oxide, for example, MgO, ZnO, or RuO can be employed.
[0032]
In addition, when the magnetic column 11a is made of a rare earth-transition metal amorphous alloy, the surface irregularities on the recording magnetic layer side in the nonmagnetic layer 13 do not need to be fine. In the conventional technique, when the recording magnetic layer is made of a rare earth-transition metal amorphous alloy, it is necessary to make the surface irregularities of the underlayer (nonmagnetic layer) on which the recording magnetic layer is formed fine. This is for the purpose of miniaturizing the magnetic domain structure by suppressing the fluctuation or movement of the domain wall existing in the magnetic domain structure inside the recording magnetic layer by the pinning action of the fine surface irregularities. On the other hand, in the present invention, even when a rare earth-transition metal amorphous alloy is employed as a material for developing magnetism in the recording magnetic layer 11, the magnetic developing material is isolated from each other by the nonmagnetic region 11b. Since the magnetic domain structure of the recording magnetic layer 11 can be miniaturized by such a magnetic column structure, the recording magnetic property in the nonmagnetic layer 13 that is the underlayer of the recording magnetic layer 11 is provided. It is not necessary to make the surface irregularities on the layer side fine.
[0033]
The protective film 14 is for physically and chemically protecting the recording magnetic layer 11 from the outside, and is made of, for example, amorphous carbon, diamond-like carbon, SiN, or SiC. The film thickness of the protective film 14 is, for example, 1 to 5 nm.
[0034]
The magnetic recording medium X1 may further have an adhesion layer between the substrate S and the soft magnetic layer 12. The adhesion layer is for appropriately fixing the soft magnetic layer 12 formed on the substrate S, and is made of, for example, Cr, Ti, NiP, or NiAl. The thickness of the adhesion layer is, for example, 1 to 5 nm.
[0035]
3 to 5 show a method for manufacturing the magnetic recording medium X1. In the manufacture of the magnetic recording medium X1, first, the substrate S is subjected to a smoothing surface treatment, and then the soft magnetic layer 12 and the nonmagnetic layer 13 are sequentially laminated on the substrate S, thereby forming the structure shown in FIG. ) Is formed. The soft magnetic layer 12 and the nonmagnetic layer 13 can be formed by a sputtering method using a single target or a plurality of targets made of a predetermined material corresponding to each.
[0036]
Next, as shown in FIG. 3B, a magnetic material film 11a ′ is formed by forming a magnetic material on the nonmagnetic layer 13 by sputtering. Next, as shown in FIG. 3C, mask fine particles 15 are formed on the magnetic material film 11a ′. The mask fine particles 15 are for masking a portion formed as the magnetic column 11a in the magnetic material film 11a ′, that is, a magnetic column forming region in a later etching process.
[0037]
FIG. 4 shows a method for forming the mask fine particles 15. Each step in FIG. 4 is shown in an enlarged manner as compared with FIG. In forming the mask fine particles 15, first, as shown in FIG. 4A, a base material 16 is formed by depositing a dielectric material on the surface of the magnetic material film 11 a ′. As the dielectric material, a material having a surface energy smaller than that of the magnetic material film 11a ′ is used. As such a dielectric material, for example, SiN, SiO, AlN, AlO can be employed.
[0038]
Next, as shown in FIG. 4B, material grains 15 a are formed on the base layer 16. Specifically, the material grains 15a are formed by depositing and growing a predetermined material in an island shape on the magnetic material film 11a ′ by a sputtering method using a predetermined target. As a material for forming material grains, for example, Ag, Cr, W, Mo, Ta, or an alloy thereof can be employed. Further, as the material grain forming material, it is preferable to select a material having a surface energy larger than that of the underlayer 16. As the surface energy of the material for constituting the material grain 15a is larger than that of the underlayer 16 and the difference between both surface energies is larger, the diameter of the material grain 15a formed in this step becomes smaller. Fine particles. In the present invention, before the formation of the material grains 15a, a base point for accelerating the growth of the material grains 15a may be formed in advance on the underlayer by, for example, a sputtering method. As the material for forming the base point, for example, a noble metal oxide such as ruthenium oxide or palladium oxide can be employed.
[0039]
In forming the mask fine particles 15, next, as shown in FIG. 4C, an enhancement material 15b is deposited on the material grains 15a. As the enhancement material 15b, for example, carbon or boron can be employed. As the enhancement material 15b, a material having a relatively small atomic radius is preferable. In this way, a large number of minute mask fine particles 15 can be formed with high accuracy on the surface of the magnetic material film 11a ′. The mask fine particles 15 are dispersedly formed according to the cross-sectional size and the formation density of the magnetic column 11a to be formed.
[0040]
In forming the mask fine particles 15, instead of the method described above with reference to FIG. 4, a solution in which components that can be precipitated as so-called nanoparticles are dissolved is applied to the surface of the magnetic material film 11 a ′ by spin coating. Thereafter, the liquid component of the solution may be evaporated to deposit nanoparticles. For example, granular Pt, Au, Pd, FePt, or CoPt can be used as the nanoparticle. When such a method is adopted, the content rate of the nanoparticles in the solution is determined according to the cross-sectional size and the formation density of the magnetic column 11a to be formed. Also by such a method, a large number of minute mask fine particles 15 can be formed on the magnetic material film 11a ′ with high accuracy.
[0041]
In the manufacture of the magnetic recording medium X1, next, as shown in FIG. 5A, the mask material 15 is used as an etching mask to etch the magnetic material film 11a ′ until the nonmagnetic layer 13 is reached. Apply. Thereby, the magnetic column 11a is formed. In this etching process, a dry etching method performed in a high vacuum may be employed, or a wet etching method performed using a predetermined etching solution may be employed. In this step, a part of the mask fine particles 15 is removed by etching together with a part of the magnetic material film 11a ′. Therefore, in the process described above with reference to FIG. 3C, it is preferable to determine the constituent material and height of the mask fine particles 15 in consideration of the removal amount.
[0042]
Next, as shown in FIG. 5B, a nonmagnetic region 11b is formed between the magnetic columns. Specifically, a nonmagnetic material having a relatively low melting point is supplied from above the magnetic column 11a by sputtering while maintaining the magnetic column 11a at a predetermined high temperature by heating from the substrate S side. According to such a method, due to the difference in surface diffusion temperature between the magnetic column 11a and the nonmagnetic material, the nonmagnetic material fills the space between the magnetic columns due to the meniscus effect. As a result, nonmagnetic regions 11b that are appropriately filled between the magnetic columns are formed. When such a method is employed, as the nonmagnetic material, for example, Ag, Al, or an alloy thereof can be employed.
[0043]
In forming the nonmagnetic region 11b, instead of the above-described method, a nonmagnetic material having a surface energy smaller than the magnetic column 11a by a predetermined degree may be supplied from above the magnetic column 11a by sputtering. According to such a method, due to the difference in surface energy between the magnetic column 11a and the nonmagnetic material, the nonmagnetic material fills the space between the magnetic columns. As a result, nonmagnetic regions 11b that are appropriately filled between the magnetic columns are formed. When such a method is employed, for example, SiN, SiO, AlN, or AlO can be employed as the nonmagnetic material.
[0044]
In the manufacture of the magnetic recording medium X1, next, as shown in FIG. 5C, a protective film 14 is formed on the recording magnetic layer 11 by sputtering or CVD. As described above, the magnetic recording medium X1 can be manufactured.
[0045]
When recording on the magnetic recording medium X1, a magnetic head for recording is made to face the recording magnetic layer 11 of the magnetic recording medium X1 through the protective film 14 in close proximity to the recording magnetic layer 11 by the magnetic head. On the other hand, a recording magnetic field is applied. A part of the recording magnetic field passes perpendicularly through the recording magnetic layer 11, passes through the nonmagnetic layer 13, changes direction in the soft magnetic layer 12, and then perpendicularizes the soft magnetic layer 12 and the recording magnetic layer 11 again. Pass through and return to the magnetic head. By changing the direction of the magnetic field from the magnetic head while moving the magnetic head relative to the magnetic recording medium X1, a plurality of magnetic domains that are magnetized in the perpendicular direction and are alternately inverted in the recording magnetic layer 11 are magnetic recording medium. It is formed continuously in the track direction of X1. In this way, the magnetic domain corresponding to the predetermined signal is recorded in the recording magnetic layer 11. On the other hand, when reproducing the magnetic recording medium X1, the change in the direction of the magnetic field from the magnetic domain formed in the recording magnetic layer 11 is changed as the change in the magnetization direction of the recording magnetic layer 11 through the magnetic head for reading. Detected.
[0046]
In the magnetic recording medium X1, a soft magnetic layer 12 having a high magnetic permeability is provided close to the recording magnetic layer 11 as a backing soft magnetic layer. Therefore, in the magnetic recording medium X1, a large recording magnetic field can be obtained in the above-described recording process, and as a result, excellent recording sensitivity can be achieved.
[0047]
Further, the magnetic recording medium X1 is excellent in the recording resolution of the recording magnetic layer 11. In the technical field of magnetic recording media, it is known that the smaller the particle size of magnetic particles that exhibit the magnetic function in the recording magnetic layer, the smaller the medium noise and the higher the recording resolution in the recording magnetic layer. In the magnetic recording medium X1 manufactured by the above-described method, a small particle size (cross-sectional diameter in the in-plane direction) can be achieved for the magnetic column 11a that exhibits the magnetic function of the recording magnetic layer 11, and thus high recording is achieved. It is possible to obtain resolution.
[0048]
In addition, in the magnetic recording medium X1, the magnetic columns 11a each functioning as a single magnetic particle in the recording magnetic layer 11 can be formed with a small cross-sectional size, so that the magnetic domains formed in the recording magnetic layer 11 can be formed. The unevenness of the interface can be miniaturized. When the unevenness at the magnetic domain interface in the recording magnetic layer 11 becomes fine, the medium noise is reduced.
[0049]
【Example】
Next, examples of the present invention will be described together with comparative examples.
[0050]
[Example 1]
<Preparation of magnetic recording medium>
A magnetic recording medium of this example was manufactured as a magnetic disk having the stacked configuration shown in FIG. Specifically, first, a CoZrNb alloy is formed by DC sputtering on a glass disk substrate (φ2.5 inches) that has been subjected to surface smoothing by polishing until the surface roughness Ra becomes 0.2 nm or less. Thus, an in-plane magnetization soft magnetic layer having a thickness of 150 nm was formed. For the sputtering, an in-line rotary cathode type DC / RF magnetron sputtering apparatus that can have a plurality of targets was used. This apparatus was also used in the subsequent sputtering. In this sputtering, Co 85 Zr Ten Nb Five An alloy target was used, the gas pressure was 0.3 Pa, and the deposition rate was 29 nm / min. The formed in-plane magnetization soft magnetic layer is made of Co. 85 Zr Ten Nb Five The saturation magnetic flux density was 1.1 T (Tesla).
[0051]
Next, a 15-nm-thick nonmagnetic layer was formed by depositing MgO on the soft magnetic layer by RF sputtering. In this sputtering, an MgO target was used, the gas pressure was 0.5 Pa, and the deposition rate was 8 nm / min.
[0052]
Next, a magnetic material film having a thickness of 10 nm was formed by depositing FePt on the nonmagnetic layer by DC sputtering. Specifically, the magnetic material film was formed by co-sputtering of simultaneously sputtering an Fe (purity 99.9%) target and a Pt (purity 99.99%) target. In this sputtering, the gas pressure was 2.0 Pa and the film formation rate was 13.5 nm / min. The formed magnetic material film is Fe 50 Pt 50 The composition was After sputtering, heat treatment was performed at 400 ° C. for 40 minutes in order to magnetize the FePt constituting the magnetic material film by regular arrangement. When the magnetic properties of the magnetic material film subjected to the heat treatment were examined using a vibrating sample magnetometer (VSM), the coercive force Hc was 7.3 kOe, the saturation magnetization Ms was 745 emu / cc, and the film surface It was magnetized in the perpendicular direction.
[0053]
Next, an underlayer (thickness 1 nm) for forming mask fine particles was formed by depositing SiN on the magnetic material film by DC sputtering. SiN has a smaller surface energy than FePt constituting the recording magnetic layer. Specifically, an Si gas (purity 99.99%) target is used, and Ar gas and N as sputtering gases. 2 A SiN film was formed by reactive sputtering using a gas. In this sputtering, Ar gas and N 2 The gas flow ratio was 2: 1, the gas pressure was 0.32 Pa, and the deposition rate was 13.6 nm / min.
[0054]
Next, ruthenium oxide (RuOx) was formed on the base layer by DC sputtering to form a base layer (thickness 0.6 nm) for forming mask fine particles. Specifically, a Ru (purity 99.99%) target is used, and Ar gas and O as sputtering gas. 2 A RuOx film was formed by reactive sputtering using a gas. In this sputtering, Ar gas and O 2 The gas flow ratio was 5: 1, the gas pressure was 1.2 Pa, and the deposition rate was 2 nm / min.
[0055]
Next, mask fine particles were formed on the base layer using the aggregation effect. In forming the mask fine particles, first, an Ag alloy (Ag content: 98 at%), which is a low melting point material, was deposited in an island shape (thickness 0.8 nm) on the base layer by DC sputtering. In this sputtering, an Ag alloy (Ag content: 98 at%) target was used, the gas pressure was 2 Pa, and the deposition rate was 2.5 nm / min. Subsequently, in order to increase the height of the mask fine particles, an enhancement material C was further deposited (thickness 1 nm) on the Ag alloy deposited grains by DC sputtering. In this sputtering, a C target was used, the gas pressure was 2 Pa, and the deposition rate was 5.2 nm / min. Since carbon (C) has a small atomic radius, it is suitable as such an enhancement material. When the particle size of the mask fine particles formed in this manner was examined using a transmission electron microscope (TEM), the particle size was about 3 to 6 nm and the average particle size was 4 nm. Further, when the surface of the magnetic material film was examined using an atomic force microscope (AFM) after forming the mask fine particles, the average surface roughness Ra was 0.21 nm. Thus, it was confirmed that fine particles (mask fine particles) were formed on the magnetic material film.
[0056]
In the manufacture of the magnetic recording medium of this example, the magnetic material film was then etched up to the nonmagnetic layer by RF sputter etching using the mask fine particles as an etching mask. At this time, the etching rate of the mask fine particles was slower than that of the magnetic material film, but some of the mask fine particles were also removed by etching. In this sputtering, the RF input power was 450 W. After such an etching process, when the cross-sectional structure of the portion where the magnetic material film originally existed was examined using TEM, a plurality of magnetic columns were formed at intervals of about 1 to 5 nm. It was confirmed that
[0057]
Next, an Ag alloy (Ag content: 98 at%), which is a nonmagnetic material, is formed from above the magnetic column formed as described above by DC sputtering, thereby forming a nonmagnetic region between the magnetic columns. Formed. In this sputtering, the gas pressure was 2.5 Pa, the deposition rate was 2.1 nm / min, and the substrate temperature was 230 ° C. In this process performed under such conditions, it is considered that the low melting point Ag alloy material adhered to the magnetic column whose surface is activated by heating is separated by the meniscus effect to fill the space between the magnetic columns. After forming the recording magnetic layer composed of the magnetic column and the nonmagnetic region in this way, the cross-sectional structure of the recording magnetic layer was examined using TEM. The average cross-sectional diameter of the plurality of magnetic columns was 5 nm. The average separation distance between the magnetic columns was 2 nm.
[0058]
Next, a 3 nm thick protective film was formed by depositing amorphous carbon on the recording magnetic layer by DC sputtering. In this sputtering, a C (carbon) target was used, the gas pressure was 0.4 Pa, and the deposition rate was 27 nm / min.
[0059]
As described above, the magnetic recording medium of this example was manufactured. When the magnetic properties of the recording magnetic layer in the magnetic recording medium of this example were examined using VSM, the coercive force Hc was 7.0 kOe, the saturation magnetization Ms was 730 emu / cc, It was magnetized in the vertical direction.
[0060]
<Recording and playback characteristics>
The recording / reproducing characteristics of the magnetic recording medium produced as described above were examined. Specifically, first, using a single magnetic pole head (magnetic flux density Bs of single magnetic part: 2T, write core width: 0.2 μm), a linear recording density of 20 kFCI with respect to the magnetic recording medium of this example. The signal was recorded. Next, the recording signal was reproduced using a GMR head (reproduction core width: 0.16 μm, shield gap length: 0.08 μm), and the output of the reproduction signal was detected using a spectrum analyzer.
[0061]
As a result, the reproduction signal amplitude at a linear recording density of 20 kFCI was 0.71 mV, and the medium noise at this time was about 3 μVrms. Using the same single magnetic pole head and GMR head, the recording / reproduction characteristics of the magnetic recording medium of this example were examined for a recording signal with a linear recording density of 300 kFCI. The reproduction signal amplitude was 0.42 mV, and the medium noise Was 5.3 μVrms. Using the same single magnetic pole head and GMR head, the recording / reproducing characteristics of the magnetic recording medium of this example were examined with respect to a recording signal having a linear recording density of 800 kFCI. Was 7.2 μVrms.
[0062]
[Example 2]
<Preparation of magnetic recording medium>
The magnetic recording medium of this example was manufactured as another magnetic disk having the stacked configuration shown in FIG. Specifically, first, in the same manner as in Example 1, in-plane with respect to a glass disk substrate (φ2.5 inch) subjected to surface smoothing treatment by polishing until the surface roughness Ra becomes 0.2 nm or less. Magnetized soft magnetic layer (Co 85 Zr Ten Nb Five , Thickness 150 nm), nonmagnetic layer (MgO, thickness 15 nm), and magnetic material film (Fe 50 Pt 50 , A thickness of 10 nm).
[0063]
Next, mask fine particles were formed on the magnetic material film. Specifically, first, iron carbonyl (Fe (CO) Five ) 10 g and platinum acetylacetonate (Pt (acac)) 2 ) A solution in which 10 g was dissolved or dispersed in 100 ml of ethylene glycol was applied onto the magnetic material film by spin coating. At this time, the rotation speed of the application target was 2500 rpm. Thereafter, the liquid component was evaporated by drying at 150 ° C. for 60 minutes to form mask fine particles on the magnetic material film. The mask fine particles are made of FePt. When the particle size of the mask fine particles formed in this way was examined using a TEM, the particle size was about 4 to 6 nm, and the average particle size was 5 nm. Further, when the surface of the magnetic material film was examined using AFM after forming the mask fine particles, the average surface roughness Ra was 0.23 nm. Thus, it was confirmed that fine particles were formed on the magnetic material film.
[0064]
In the manufacture of the magnetic recording medium of this example, a magnetic column was then formed in the same manner as in Example 1 using the mask fine particles as an etching mask. Subsequently, a nonmagnetic region between the magnetic columns was formed in the same manner as in Example 1. Thereby, the recording magnetic layer was formed. Next, a protective film was formed on the recording magnetic layer in the same manner as in Example 1. As described above, the magnetic recording medium of this example was manufactured. When the magnetic characteristics of the recording magnetic layer in the magnetic recording medium of this example were examined using VSM, the same magnetic characteristics as those of the magnetic recording medium of Example 1 were shown.
[0065]
<Recording and playback characteristics>
With respect to the magnetic recording medium of this example, in the same manner as in Example 1, the reproduction output of each recording signal having a linear recording density of 20 kFCI, 300 kFCI, and 800 kFCI was detected, and the reproduction signal amplitude and medium noise were examined. As a result, a value approximately the same as in Example 1 was obtained.
[0066]
[Example 3]
<Preparation of magnetic recording medium>
A magnetic recording medium of this example was manufactured as a magnetic disk having the stacked configuration shown in FIG. Specifically, first, in the same manner as in Example 1, in-plane with respect to a glass disk substrate (φ2.5 inch) subjected to surface smoothing treatment by polishing until the surface roughness Ra becomes 0.2 nm or less. Magnetized soft magnetic layer (Co 85 Zr Ten Nb Five , Thickness 150 nm), nonmagnetic layer (MgO, thickness 15 nm), magnetic material film (Fe 50 Pt 50 , Thickness 10 nm), and mask fine particles (multilayer structure) were sequentially formed. Subsequently, in the same manner as in Example 1, a magnetic column was formed using the mask fine particles as an etching mask.
[0067]
Next, a nonmagnetic region was formed between the magnetic columns by depositing SiN, which is a nonmagnetic material, from above the magnetic columns formed as described above by DC sputtering. In this sputtering, the gas pressure was 0.32 Pa, the deposition rate was 13.6 nm / min, and the substrate temperature was room temperature. In this process performed under such conditions, it is considered that SiN having a relatively small surface energy fills between the magnetic columns with good wettability with respect to the magnetic column having a relatively large surface energy. After forming the recording magnetic layer composed of the magnetic column and the nonmagnetic region in this way, the cross-sectional structure of the recording magnetic layer was examined using TEM. The average cross-sectional diameter of the plurality of magnetic columns was 5 nm. The average separation distance between the magnetic columns was 2 nm.
[0068]
Next, a protective film (amorphous carbon, thickness 3 nm) was formed on the recording magnetic layer in the same manner as in Example 1. As described above, the magnetic recording medium of this example was manufactured. When the magnetic characteristics of the recording magnetic layer in the magnetic recording medium of this example were examined using VSM, the same magnetic characteristics as those of the magnetic recording medium of Example 1 were shown.
[0069]
<Recording and playback characteristics>
With respect to the magnetic recording medium of this example, in the same manner as in Example 1, the reproduction output of each recording signal having a linear recording density of 20 kFCI, 300 kFCI, and 800 kFCI was detected, and the reproduction signal amplitude and medium noise were examined. As a result, a value approximately the same as in Example 1 was obtained.
[0070]
[Example 4]
<Preparation of magnetic recording medium>
The magnetic recording medium of this example was manufactured as another magnetic disk having the stacked configuration shown in FIG. Specifically, first, in the same manner as in Example 1, in-plane with respect to a glass disk substrate (φ2.5 inch) subjected to surface smoothing treatment by polishing until the surface roughness Ra becomes 0.2 nm or less. Magnetized soft magnetic layer (Co 85 Zr Ten Nb Five , Thickness 150 nm), nonmagnetic layer (MgO, thickness 15 nm), and magnetic material film (Fe 50 Pt 50 , A thickness of 10 nm).
[0071]
Next, in the same manner as in Example 2, mask fine particles were formed on the magnetic material film. Next, in the same manner as in Example 1, a magnetic column was formed using the mask fine particles as an etching mask. Next, in the same manner as in Example 3, a nonmagnetic region was formed between the magnetic columns. Thus, the recording magnetic layer of this example was formed. When the cross-sectional structure of the recording magnetic layer was examined using a TEM, the average cross-sectional diameter of the plurality of magnetic columns was 6 nm, and the average separation distance between the magnetic columns was 2 nm.
[0072]
Next, a protective film (amorphous carbon, thickness 3 nm) was formed on the recording magnetic layer in the same manner as in Example 1. As described above, the magnetic recording medium of this example was manufactured. When the magnetic characteristics of the recording magnetic layer in the magnetic recording medium of this example were examined using VSM, the same magnetic characteristics as those of the magnetic recording medium of Example 1 were shown.
[0073]
<Recording and playback characteristics>
With respect to the magnetic recording medium of this example, in the same manner as in Example 1, the reproduction output of each recording signal having a linear recording density of 20 kFCI, 300 kFCI, and 800 kFCI was detected, and the reproduction signal amplitude and medium noise were examined. As a result, a value approximately the same as in Example 1 was obtained.
[0074]
[Comparative example]
<Preparation of magnetic recording medium>
A magnetic recording medium of this comparative example was manufactured as a magnetic disk having the stacked configuration shown in FIG. Specifically, first, in the same manner as in Example 1, in-plane with respect to a glass disk substrate (φ2.5 inch) subjected to surface smoothing treatment by polishing until the surface roughness Ra becomes 0.2 nm or less. Magnetized soft magnetic layer (Co 85 Zr Ten Nb Five , Thickness 150 nm), nonmagnetic layer (MgO, thickness 15 nm), and magnetic material film (Fe) constituting the recording magnetic layer of this comparative example 50 Pt 50 , A thickness of 10 nm). Next, a protective film (amorphous carbon, thickness 3 nm) was formed on the recording magnetic layer in the same manner as in Example 1. The magnetic recording medium of this comparative example was produced as described above.
[0075]
<Recording and playback characteristics>
For the magnetic recording medium of this comparative example, in the same manner as in Example 1, the reproduction output of each recording signal with a linear recording density of 20 kFCI and 300 kFCI was detected, and the reproduction signal amplitude and medium noise were examined. As a result, the reproduction signal amplitude with a linear recording density of 20 kFCI was 0.70 mV, and the medium noise at this time was about 3 μVrms. At a linear recording density of 300 kFCI, the reproduction signal amplitude was 0.18 mV, and the medium noise was 49.7 μVrms. Further, no signal could be recorded on the magnetic recording medium of this comparative example at a linear recording density of 800 kFCI.
[0076]
[Evaluation]
Regarding the medium noise when reproducing a recording signal with a linear recording density of 300 kFCI, the magnetic recording medium of Example 1 was about one-tenth of the magnetic recording medium of the comparative example, and was well reduced. Further, while the signal could be properly recorded on the magnetic recording medium of Example 1 at a recording density of 800 kFCI, the signal could not be recorded on the magnetic recording medium of the comparative example at such a high density. It was.
[0077]
In the magnetic recording medium of the comparative example, since the magnetic particles constituting the recording magnetic layer are not isolated, the magnetic interaction between the magnetic particles is strong. Therefore, a single magnetic domain (magnetic) formed by the recording process is strong. It is considered that the medium noise increases as the unit) becomes relatively large and the linear recording density increases. On the other hand, in the magnetic recording medium of Example 1, each magnetic particle (each magnetic column) expressing the magnetic property of the recording magnetic layer is isolated, so that a single magnetic domain (magnetic unit) formed by the recording process is used. Therefore, it is considered that the recording / reproducing characteristics are excellent even at a high linear recording density.
[0078]
Thus, the magnetic recording medium of Example 1 has higher recording resolution and lower medium noise than the magnetic recording medium of the comparative example. Therefore, in the magnetic recording medium of Example 1 according to the present invention and the magnetic recording media of Examples 2 to 4 showing the same recording / reproducing characteristics, the recording density is higher than that of the magnetic recording medium of the comparative example. Can be achieved.
[0079]
As a summary of the above, the configurations of the present invention and variations thereof are listed below as supplementary notes.
[0080]
(Appendix 1) Recording including a plurality of magnetic columns made of a magnetic material and having parallel perpendicular magnetic anisotropy, and a nonmagnetic region made of a nonmagnetic material and interposed between the plurality of magnetic columns A magnetic recording medium comprising a magnetic layer.
(Additional remark 2) The magnetic recording medium of Additional remark 1 which has the laminated structure which consists of the said recording magnetic layer, a soft magnetic layer, and the nonmagnetic layer between these.
(Appendix 3) The average diameter of the cross section of the plurality of magnetic columns and the average separation distance between adjacent magnetic columns in the plurality of magnetic columns are smaller than the thickness of the recording magnetic layer. Magnetic recording medium.
(Supplementary note 4) The magnetic recording medium according to any one of supplementary notes 1 to 3, wherein a ratio of an average separation distance of the plurality of magnetic columns to a cross-sectional average diameter of the plurality of magnetic columns is 1 or less.
(Supplementary note 5) The magnetic recording medium according to any one of supplementary notes 1 to 4, wherein the magnetic column is made of an ordered alloy or a rare earth-transition metal amorphous alloy.
(Supplementary note 6) The magnetic recording medium according to supplementary note 5, wherein the ordered alloy is FePt or CoPt.
(Additional remark 7) The said nonmagnetic layer is a magnetic recording medium of Additional remark 5 or 6 which consists of a nonmagnetic oxide for controlling the crystal orientation of the said ordered alloy.
(Supplementary Note 8) To manufacture a magnetic recording medium including a recording magnetic layer including a plurality of magnetic columns arranged in parallel with perpendicular magnetic anisotropy and a nonmagnetic region interposed between the plurality of magnetic columns. The method of
A step for forming a magnetic material film by depositing a magnetic material on a substrate;
A mask forming step for forming an etching mask for masking the magnetic column forming region on the magnetic material film;
Etching the magnetic material film through the etching mask to form a plurality of parallel and spaced magnetic columns;
A nonmagnetic region forming step for forming a nonmagnetic region interposed between the plurality of magnetic columns by filling a nonmagnetic material between the plurality of magnetic columns, A method of manufacturing a magnetic recording medium.
(Supplementary Note 9) In the mask forming step, a first material film having a surface energy smaller than that of the magnetic material is formed on the magnetic material film to form a first material film, and the first material film is formed on the first material film. A plurality of second material grains are formed by depositing the second material in a granular form, and a mask particle as the etching mask is formed by depositing a third material on each of the second material grains. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to appendix 8.
(Additional remark 10) After forming the first material film and before forming the second material grain, a base point on which the second material is deposited and grown is formed on the first material film. A method for producing the magnetic recording medium according to claim.
(Supplementary note 11) The magnetic recording according to supplementary note 8, wherein in the mask formation step, a mask particle solution is applied onto the magnetic material film, and mask particles as the etching mask are deposited from the applied solution. A method for manufacturing a medium.
(Supplementary Note 12) In the nonmagnetic region forming step, a nonmagnetic material is supplied between the plurality of magnetic columns by supplying the nonmagnetic material from above the plurality of magnetic columns while heating the magnetic column. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to any one of appendices 8 to 11, wherein the magnetic recording medium is filled.
(Supplementary Note 13) In the non-magnetic region forming step, a non-magnetic material having a surface energy smaller than that of the magnetic material is supplied from above the plurality of magnetic columns, so that the non-magnetic region is formed between the plurality of magnetic columns. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to any one of appendices 8 to 11, wherein the magnetic material is filled.
[0081]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to improve recording resolution and reduce medium noise in a recording magnetic layer of a perpendicular magnetic recording type magnetic recording medium. Therefore, the magnetic recording medium and the manufacturing method thereof according to the present invention are suitable for increasing the recording density in a perpendicular magnetic recording type magnetic recording medium.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic partial sectional view of a magnetic recording medium according to the present invention.
2 is a partially enlarged cross-sectional view of a recording magnetic layer in the magnetic recording medium shown in FIG.
FIG. 3 shows some steps in the method of manufacturing the magnetic recording medium shown in FIG.
4 shows a process of forming mask fine particles shown in FIG.
FIG. 5 shows a step that follows FIG.
FIG. 6 shows a laminated structure of magnetic recording media of Examples 1 and 2.
FIG. 7 shows a laminated structure of magnetic recording media of Examples 3 and 4.
FIG. 8 shows a laminated structure of a magnetic recording medium of a comparative example.
FIG. 9 is a partial perspective view of a conventional magnetic recording medium of a perpendicular magnetic recording system.
10 is a partially enlarged cross-sectional view of a recording magnetic layer in the magnetic recording medium shown in FIG.
[Explanation of symbols]
X1 magnetic recording medium
S substrate
11 Recording magnetic layer
11a Magnetic column
11a 'Magnetic material film
11b Nonmagnetic region
12 Soft magnetic layer
13 Nonmagnetic layer
14 Protective film
15 Mask fine particles
15a Material grain
15b Enhanced material
16 Underlayer

Claims (1)

垂直磁気異方性を有して並列する複数の磁性コラムと、当該複数の磁性コラムの間に介在する非磁性領域と、を含む記録磁性層を備える磁気記録媒体を製造するための方法であって、
基材の上に磁性材料を堆積することにより磁性材料膜を形成するための工程と、
前記磁性材料膜上に、磁性コラム形成領域をマスクするためのエッチングマスクを形成するためのマスク形成工程と、
前記エッチングマスクを介して前記磁性材料膜をエッチングすることにより、並列し且つ離隔する複数の磁性コラムを形成するための工程と、
前記複数の磁性コラムの間に非磁性材料を充填することにより、前記複数の磁性コラムの間に介在する非磁性領域を形成するための非磁性領域形成工程と、を含み、
前記マスク形成工程においては、前記磁性材料よりも表面エネルギーの小さな第1材料を前記磁性材料膜上に成膜することにより第1材料膜を形成し、前記第1材料よりも表面エネルギーの大きな第2材料を前記第1材料膜上に粒状に堆積させて第2材料粒を形成し、且つ、前記第2材料粒の各々の上に第3材料を堆積することによって、前記エッチングマスクとしてのマスク粒子を形成する、磁気記録媒体の製造方法。
A method for manufacturing a magnetic recording medium comprising a recording magnetic layer including a plurality of magnetic columns arranged in parallel with perpendicular magnetic anisotropy and a nonmagnetic region interposed between the plurality of magnetic columns. And
A step for forming a magnetic material film by depositing a magnetic material on a substrate;
A mask forming step for forming an etching mask for masking the magnetic column forming region on the magnetic material film;
Etching the magnetic material film through the etching mask to form a plurality of parallel and spaced magnetic columns;
A non-magnetic region forming step for forming a non-magnetic region interposed between the plurality of magnetic columns by filling a non-magnetic material between the plurality of magnetic columns,
In the mask forming step, a first material having a surface energy lower than that of the magnetic material is formed on the magnetic material film to form a first material film, and a first material having a surface energy higher than that of the first material is formed. A mask as the etching mask is formed by depositing two materials in a granular form on the first material film to form second material grains and depositing a third material on each of the second material grains. A method for producing a magnetic recording medium, wherein particles are formed .
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